JP2021039604A - 検出装置及び表示装置 - Google Patents

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晃彦 藤沢
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Abstract

【課題】検出感度を向上することができる検出装置及び表示装置を提供する。【解決手段】検出装置1は、検出領域Ad内に第1方向Dx及び第2方向Dyに並ぶ複数の第1電極COMLと、第1電極COMLに検出用駆動信号VcomSを供給する電極駆動回路41と、第1電極COMLからの検出信号Vdetを検出する検出回路42と、複数の第1電極COMLの一部を検出電極RXとして検出回路42と接続し、当該検出電極RXと少なくとも第1方向Dx及び第2方向Dyに隣接する第1電極COMLを駆動電極TXとして電極駆動回路41と接続する接続回路17と、を備える。【選択図】図8A

Description

本発明は、検出装置及び表示装置に関する。
近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化されて、表示装置として用いられている。タッチパネルが表示装置に一体化された構成では、表示用の駆動電極をマトリクス状に分割し、タッチ検出用の駆動電極として共用する構成が知られている(例えば、特許文献1参照)。
米国特許出願公開第2017/0031523号明細書
自己静電容量方式のタッチ検出では、パネルに外部近接物体が近付いたことを検出できない。このため、パネルに外部近接物体が近付いたことを含めて検出を行うためには、相互静電容量方式のタッチ検出を行う必要がある。上記従来技術の構成において、一方向に並ぶ電極を検出電極とし、他の電極を駆動電極として相互静電容量方式のタッチ検出を実現することが考えられるが、相互静電容量方式のタッチ検出を行うために必要な信号強度を得ることができず、検出感度が低下する可能性がある。
本発明は、検出感度を向上することができる検出装置及び表示装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る検出装置は、検出領域内に第1方向及び前記第1方向と交差する第2方向に並ぶ複数の第1電極と、前記第1電極に駆動信号を供給する電極駆動回路と、前記第1電極からの検出信号を検出する検出部と、複数の前記第1電極の一部を検出電極として前記検出部と接続し、当該検出電極と少なくとも前記第1方向及び前記第2方向に隣接する第1電極を駆動電極として前記電極駆動回路と接続する接続回路と、を備える。
本発明の一態様に係る表示装置は、上記の検出装置と、画像を表示するための表示機能層と、を含み、前記画像を表示する期間に、前記第1電極に表示用の駆動信号が供給される。
図1は、実施形態1に係る検出装置の一構成例を示すブロック図である。 図2は、実施形態1に係る検出装置の概略断面構造を表す断面図である。 図3は、実施形態1に係る表示パネルの画素配列を表す回路図である。 図4は、実施形態1に係る第1基板の平面図である。 図5は、図4のA1−A2線に沿う断面図である。 図6Aは、比較例に係る駆動電極と検出電極との設定及び切替順序の一例を示す状態遷移図である。 図6Bは、比較例に係る駆動電極と検出電極との設定及び切替順序の一例を示す状態遷移図である。 図7Aは、実施形態1に係る駆動電極と検出電極との設定及び切替順序の一例を示す状態遷移図である。 図7Bは、実施形態1に係る駆動電極と検出電極との設定及び切替順序の一例を示す状態遷移図である。 図7Cは、実施形態1に係る駆動電極と検出電極との設定及び切替順序の一例を示す状態遷移図である。 図7Dは、実施形態1に係る駆動電極と検出電極との設定及び切替順序の一例を示す状態遷移図である。 図8Aは、図7Aに示す状態における接続回路の接続状態の一例を示す図である。 図8Bは、図7Bに示す状態における接続回路の接続状態の一例を示す図である。 図8Cは、図7Cに示す状態における接続回路の接続状態の一例を示す図である。 図8Dは、図7Dに示す状態における接続回路の接続状態の一例を示す図である。 図9Aは、比較例の駆動電極と検出電極との間に発生するフリンジ電界の状態を示す模式図である。 図9Bは、実施形態1の駆動電極と検出電極との間に発生するフリンジ電界の状態を示す模式図である。 図10は、各電極の状態遷移を示すタイミングチャートである。 図11は、図9Aに示す比較例の検出電極から出力される検出信号の信号強度と図9Bに示す実施形態の検出電極から出力される検出信号の信号強度とを示す模式図である。 図12Aは、第1電極と接続回路との接続の第1例を示す図である。 図12Bは、第1電極と接続回路との接続の第2例を示す図である。 図13は、実施形態1の第1変形例に係る検出領域の分割例を示す図である。 図14は、実施形態1の第2変形例に係る検出領域の分割例を示す図である。 図15は、実施形態1の第3変形例に係る検出領域の分割例を示す図である。 図16は、実施形態1の第4変形例に係る検出領域の分割例を示す図である。 図17は、実施形態1の第5変形例に係る検出領域の分割例を示す図である。 図18は、実施形態2に係る第1基板の平面図である。 図19は、図18のB1−B2線に沿う断面図である。 図20は、実施形態2に係る検出領域及び周辺領域を示す図である。 図21は、実施形態2における各電極の状態遷移を示すタイミングチャートである。 図22は、実施形態3に係る第1基板の平面図である。 図23は、図22のC1−C2線に沿う断面図である。 図24は、実施形態3に係る検出領域及び周辺領域を示す図である。 図25は、実施形態3に係る検出領域及び周辺領域を示す図である。 図26は、実施形態3における各電極の状態遷移を示すタイミングチャートである。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。また、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
(実施形態1)
図1は、実施形態1に係る検出装置の一構成例を示すブロック図である。本実施形態において、検出装置1は、表示部20とセンサ部30とが一体化されて表示装置を構成している。
図1に示すように、検出装置1は、表示パネル10と、制御部11と、ゲートドライバ12と、ソースドライバ13と、接続回路17と、検出部40とを備えている。表示パネル10は、画像を表示する表示部20と、検出面上の外部近接物体を検出するセンサ部30とを含む。
表示パネル10は、表示部20とセンサ部30とが一体化された装置である。具体的には、表示パネル10において、表示部20の電極や基板等の部材の一部が、センサ部30の電極や基板等に兼用される。
表示部20は、表示素子として液晶表示素子を用いている。表示部20は、映像信号Vdispの入力を受けて表示面に複数の画素からなる画像の表示を行う。なお、表示パネル10は、表示部20の上に、センサ部30を装着した装置であってもよい。また、表示パネル10は、例えば、表示素子として自発光素子を用いた表示部20を備えた自発光表示パネルであってもよい。なお、自発光素子は、発光層が有機材料で構成された有機発光素子や発光層が無機材料で構成された無機発光素子のいずれであっても良い。
制御部11は、ゲートドライバ12、ソースドライバ13、接続回路17及び検出部40に制御信号を供給する。制御部11は、表示動作及び検出動作を制御する回路である。
ゲートドライバ12は、制御部11から供給される制御信号に基づいて、表示パネル10に走査信号Vscanを供給する。より具体的には、ゲートドライバ12は複数のゲート線GCLを表示の駆動対象として順次又は同時に選択し、選択したゲート線GCLに走査信号Vscanを供給する。なお、ゲート線GCLは、それぞれ複数の表示素子が接続される。
ソースドライバ13は、表示部20の、各副画素SPix(図3参照)に画素信号Vpixを供給する回路である。ソースドライバ13の機能の一部は、表示パネル10に搭載されていてもよい。この場合、制御部11が画素信号Vpixを生成し、ソースドライバ13は、制御部11から供給された画素信号Vpixを選択的に各副画素SPixに供給してもよい。
センサ部30は、検出面上の外部近接物体を検出する。センサ部30は、検出面上の外部近接物体を検出した場合、検出信号Vdetを出力する。
接続回路17は、第1電極COMLと検出部40との接続と遮断とを切り換える接続切り換え回路であり、例えばマルチプレクサ(MUX)を採用することができる。
検出部40は、制御部11から供給される制御信号と、センサ部30から接続回路17を介して出力される検出信号Vdetとに基づいて、センサ部30の検出面への外部近接物体の有無を検出する回路である。検出部40は、外部近接物体を検出した検出面上の座標などを求める。
検出部40は、電極駆動回路41と、検出回路42と、を備える。なお、検出部40は、センサ部30の検出面への外部近接物体の有無を検出するための構成要素として、AD変換部、信号処理部、座標抽出部、検出タイミング制御部等を含む構成であっても良い。
電極駆動回路41は、表示部20により表示を行う表示動作の際に、第1電極COML(図4参照)に表示用駆動信号VcomDを供給する回路である。また、電極駆動回路41は、センサ部30により外部近接物体を検出する検出動作の際に、第1電極COMLに検出用駆動信号VcomSを供給する。
本実施形態において、制御部11は、表示動作と検出動作とを時分割で行う。電極駆動回路41は、制御部11からの制御信号に基づいて、表示用駆動信号VcomD、及び、検出用駆動信号VcomSを生成する。
検出回路42は、検出信号Vdetを増幅させる増幅回路や、アナログ信号である検出信号Vdetをデジタル信号に変換するAD変換回路を含む。例えば、増幅回路は、積分回路である。また、検出回路42は、例えば、AFE(Analog Front End)である。検出回路42から出力されるデジタル信号化された検出信号Vdetに基づいて、信号処理部によるノイズの除去や、座標抽出部による検出面への外部近接物体の有無の検出が行われる。また、電極駆動回路41や検出回路42は、検出タイミング制御部からの信号に応じて制御される。
次に、本実施形態の検出装置1の構成例を詳細に説明する。図2は、実施形態1に係る検出装置の概略断面構造を表す断面図である。図2に示すように、検出装置1は、画素基板2と、対向基板3と、画像を表示するための表示機能層としての液晶層6とを備える。対向基板3は、画素基板2の第1基板21の第1面21aに垂直な方向に対向して配置される。また、液晶層6は画素基板2と対向基板3との間に設けられる。
画素基板2は、第1基板21と、画素電極22と、第1電極COMLと、偏光板35Bとを有する。第1基板21には、ゲートドライバ12に含まれるゲートスキャナ等の回路や、TFT(Thin Film Transistor)等のスイッチング素子や、ゲート線GCL、信号線SGL等の各種配線(図2では省略して示す)が設けられる。
第1電極COMLは、第1基板21の上に設けられる。画素電極22は、絶縁層24を介して第1電極COMLの上に設けられる。画素電極22は、第1電極COMLとは異なる層に設けられ、平面視で、第1電極COMLと重なって配置される。また、画素電極22は、平面視でマトリクス状に複数配置される。偏光板35Bは、第1基板21の下側に設けられる。なお、本実施形態では、画素電極22が第1電極COMLの上に設けられる例について説明したが、これに限定されない。第1電極COMLが画素電極22の上に設けられていてもよい。すなわち、画素電極22と第1電極COMLは、絶縁層24を挟んで、第1基板21の第1面21aに垂直な方向に離隔して設けられ、いずれか一方が他方よりも上側である。
なお、本明細書において、第1基板21の第1面21aに垂直な方向において、第1基板21から第2基板31に向かう方向を「上側」とする。また、第2基板31から第1基板21に向かう方向を「下側」とする。また、「平面視」とは、第1基板21の第1面21aに垂直な方向から見た場合を示す。
画素電極22は、表示パネル10の各画素Pixを構成する副画素SPixに対応して設けられる。表示動作を行うための画素信号Vpixは、ソースドライバ13(図1参照)から画素電極22に供給される。また、表示動作の際に、表示用駆動信号VcomDが第1電極COMLに供給される。これにより、第1電極COMLは、表示動作において複数の画素電極22に対する共通電極として機能する。なお、表示用駆動信号VcomDは、例えば、直流の電圧信号であり、表示素子が液晶表示素子の場合は、副画素Spixの液晶層に係る電圧が反転するように駆動される。また、第1電極COMLは、検出用駆動信号VcomSの供給配線又は検出回路と選択的に接続される。これにより、第1電極COMLは、検出動作における検出電極又は駆動電極として機能する。
本実施形態において、画素電極22、及び、第1電極COMLは、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)等の透光性を有する導電性材料が用いられる。
対向基板3は、第2基板31と、第2基板31の一方の面に形成されたカラーフィルタ32と、第2基板31の他方の面に設けられた偏光板35Aとを有する。カラーフィルタ32は、第1基板21と垂直な方向において、液晶層6と対向する。なお、カラーフィルタ32は第1基板21の上に配置されてもよい。本実施形態において、第1基板21及び第2基板31は、例えば、ガラス基板又は樹脂基板である。
第1基板21と第2基板31とは所定の間隔を設けて対向して配置される。第1基板21と第2基板31との間に液晶層6が設けられる。液晶層6は、通過する光を電界の状態に応じて変調する。液晶層6として、例えば、FFS(Fringe Field Switching:フリンジフィールドスイッチング)を含むIPS(In−Plane Switching:インプレーンスイッチング)等の横電界モードの液晶が用いられる。なお、図2に示す液晶層6と画素基板2との間、及び液晶層6と対向基板3との間には、それぞれ配向膜(図2では省略して示す)が配設されている。
第1基板21の下側には、図示しない照明部(バックライト)が設けられる。照明部は、例えばLED等の光源を有しており、光源からの光を第1基板21に向けて射出する。照明部からの光は、画素基板2を通過して、その位置の液晶の状態により変調され、表示面への透過状態が場所によって変化する。これにより、表示面に画像が表示される。
次に表示パネル10の表示動作について説明する。図3は、実施形態1に係る表示パネルの画素配列を表す回路図である。第1基板21(図2参照)には、図3に示す各副画素SPixのスイッチング素子Tr、信号線SGL、ゲート線GCL等が形成されている。信号線SGL及びゲート線GCLはスイッチング素子Trに電気的に接続される。スイッチング素子Trは、信号線SGLとゲート線GCLの交点に設けられる。信号線SGLは、各画素電極22に画素信号Vpixを供給するための配線である。ゲート線GCLは、各スイッチング素子Trを駆動する走査信号Vscanを供給するための配線である。信号線SGL及びゲート線GCLは、第1基板21の第1面21aと平行な平面に延出する。
図3に示す表示部20は、マトリクス状に配列された複数の副画素SPixを有している。副画素SPixは、それぞれスイッチング素子Tr及び液晶素子6aを備えている。スイッチング素子Trは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、nチャネルのMOS(Metal Oxide Semiconductor)型のTFTで構成されている。画素電極22と第1電極COMLとの間に絶縁層24が設けられ、これらによって図3に示す保持容量6bが形成される。
図1に示すゲートドライバ12は、ゲート線GCLを順次選択する。ゲートドライバ12は、選択されたゲート線GCLを介して、走査信号Vscanを副画素SPixのスイッチング素子Trのゲートに印加する。これにより、副画素SPixのうちの1行(1水平ライン)が表示駆動の対象として順次選択される。また、ソースドライバ13は、選択された副画素SPixに、信号線SGLを介して画素信号Vpixを供給する。そして、これらの副画素SPixでは、供給される画素信号Vpixに応じて1水平ラインずつ表示が行われるようになっている。
この表示動作を行う際、図1に示す電極駆動回路41は、第1電極COMLに対して表示用駆動信号VcomDを印加する。表示用駆動信号VcomDは複数の副画素SPixに対する共通電位となる電圧信号である。これにより、各第1電極COMLは、表示動作において、画素電極22に対する共通電極として機能する。表示の際に、電極駆動回路41は、接続回路17を介して全ての第1電極COMLに対して表示用駆動信号VcomDを印加する。
図2に示すカラーフィルタ32は、例えば赤(R)、緑(G)、青(B)の3色に着色されたカラーフィルタ32の色領域が周期的に配列されていてもよい。上述した図3に示す各副画素SPixに、R、G、Bの3色の色領域32R、32G、32Bが1組として対応付けられる。そして、3色の色領域32R、32G、32Bに対応する副画素SPixを1組として画素Pixが構成される。なお、カラーフィルタ32は、4色以上の色領域を含んでいてもよい。
次に、第1電極COMLの構成と、検出動作について説明する。図4は、実施形態1に係る第1基板の平面図である。図4に示すように、検出装置1において、検出領域Adと、周辺領域Gdとが設けられている。本明細書において、検出領域Adは、表示動作を行う際に画像を表示させるための表示領域と重なる領域であり、複数の画素Pix(副画素SPix)及び複数の第1電極COMLと重なる領域である。周辺領域Gdは、第1基板21の外周よりも内側で、かつ、検出領域Adよりも外側の領域を示す。なお、周辺領域Gdは検出領域Adを囲う枠状の領域であり、その場合、周辺領域Gdは額縁領域とも言える。
本実施形態において、第1電極COMLは、第1基板21の検出領域Adに行列状に複数配置される。言い換えると、第1電極COMLは、第1方向Dxに複数配列されるとともに、第2方向Dyに複数配列される。第1電極COMLにはそれぞれ配線27が接続される。図4に示す例では、配線27は第1電極COMLに対して1対1の関係で接続される。配線27は、第2方向Dyに延出し、第1方向Dxに間隔を有して複数配列される。第1電極COMLは、それぞれ配線27を介して接続回路17と接続される。
本実施形態において、第1方向Dxは、検出領域Adの一辺に沿った方向である。第2方向Dyは、第1方向Dxと直交する方向である。これに限定されず、第2方向Dyは第1方向Dxに対して90°以外の角度で交差していても良い。第1方向Dxと第2方向Dyとで規定される平面は、第1基板21の第1面21aと平行となる。また、第1方向Dx及び第2方向Dyと直交する第3方向Dzは、第1基板21(図2参照)の厚み方向である。
図4に示すように、第1基板21の周辺領域Gdには、接続回路17及び検出部40が設けられている。
配線27は、第1電極COMLと絶縁層(図示しない)を介して異なる層に設けられ、平面視で第1電極COMLと重なって設けられる。
また、図示はしないが、第1基板21の周辺領域GdにドライバICが設けられる。ドライバICは、図1に示す制御部11として機能する。また、図1に示すゲートドライバ12、ソースドライバ13は、第1基板21上に形成されても良いし、ドライバICに含まれても良い。また、図1に示す検出部40の少なくとも一部の機能は、第1基板21上に形成されても良いし、ドライバICに含まれていても良い。なお、表示用のドライバICとタッチ用のドライバICは、別体のICとして配置されても良い。なお、検出部40の機能の少なくとも一部は、ドライバICに含まれていてもよく、外部のMPU(Micro−Processing Unit)の機能として設けられても良い。
図5は、図4のA1−A2線に沿う断面図である。図5に示すように、検出領域Adにおいて、第1基板21の上側に絶縁層25a、平坦化層25bを介して、複数の配線27が設けられる。複数の配線27の上側に絶縁層25cを介して第1電極COMLが設けられる。第1電極COMLの上側に絶縁層24を介して画素電極22が設けられる。第1電極COMLと重なる複数の配線27のうち、1つの配線27は、コンタクトホールH1を介して第1電極COMLと接続される。
検出装置1の動作方法の一例として、検出装置1は、検出動作と表示動作とを時分割に行う。言い換えると、検出動作を行う検出期間と表示動作を行う表示期間が重畳しない。
表示動作において、接続回路17は、全ての第1電極COMLを電極駆動回路41と接続する。電極駆動回路41は、全ての第1電極COMLに対して、表示用駆動信号VcomDを供給する。
検出動作において、接続回路17は、第1対象の第1電極COMLを検出電極として、検出部40の検出回路42と接続する。また、接続回路17は、第1対象とは異なる第2対象の第1電極COMLを駆動電極として、電極駆動回路41と接続する。
検出動作において、電極駆動回路41は、駆動電極に対し、同時又は時分割的に検出用駆動信号VcomSを供給する。また、検出電極は、それぞれの静電容量変化に応じた検出信号Vdetを検出回路42に出力する。検出部40は、各第1電極COMLからの検出信号Vdetに基づいて、センサ部30の検出面上の外部近接物体の検出を行う。つまり、第1電極COMLは、表示動作の際に共通電極として機能するとともに、検出動作の際に駆動電極又は検出電極として機能する。
外部近接物体OBJの検出面への接触又は近接に応じて、駆動電極TX(COML)と検出電極RX(COML)との間の容量の変動し、検出電極RX(COML)から出力される検出信号Vdet(図1参照)が変動する。検出部40は、検出信号Vdetの変動を検知することで、センサ部30の検出面上の外部近接物体を検出する。
図6Aから図6Bは、比較例に係る駆動電極と検出電極との設定及び切替順序の一例を示す状態遷移図である。図7Aから図7Dは、実施形態1に係る駆動電極と検出電極との設定及び切替順序の一例を示す状態遷移図である。図8Aから図8Dは、図7Aから図7Dに示す各状態における接続回路の接続状態の一例を示す図である。
図9Aは、比較例の駆動電極と検出電極との間に発生するフリンジ電界の状態を示す模式図である。図9Bは、実施形態1の駆動電極と検出電極との間に発生するフリンジ電界の状態を示す模式図である。図9A及び図9Bに示す例において、フリンジ電界を模式的に矢示している。図11は、図9Aに示す比較例の検出電極から出力される検出信号の信号強度と図9Bに示す実施形態の検出電極から出力される検出信号の信号強度とを示す模式図である。
図10は、各電極の状態遷移を示すタイミングチャートである。図10では、第1検出期間Pt1,Pt2,Pt3,Pt4を設け、各第1検出期間Pt1,Pt2,Pt3,Pt4の間に表示期間Pdを設けた例を示している。なお、各第1検出期間Pt1,Pt2,Pt3,Pt4を設ける順序はこれに限らない。また、各第1検出期間Pt1,Pt2,Pt3,Pt4を連続して設けても良い。この場合、各第1検出期間Pt1,Pt2,Pt3,Pt4を1つの検出期間Ptとし、検出期間Ptと表示期間Pdとを時分割で設けた態様であっても良い。
図6Aから図6Bに示す比較例では、第2方向Dyに並ぶ1列の第1電極COMLを検出電極RXとし、少なくとも検出電極RXに隣接する列の第1電極COMLを駆動電極TXとする例を示している。この比較例では、検出領域Adの図中左側の列から順に、検出電極RXとする第1電極COMLの列を切り替える例を示している。この場合、図9Aに示すように、各検出電極RXは、主に、第1方向Dx方向に並ぶ2つの駆動電極TXとの間に、それぞれフリンジ電界の電気力線が発生する。
本実施形態では、図7Aから図7Dに示すように、第1方向Dx及び第2方向Dyにそれぞれ2つ並ぶ4つの第1電極COMLを囲う領域を分割領域Ddとしている。図7Aから図7Dに示す例において、各分割領域Dd内の第1電極COMLに付した番号は、第1検出期間を設ける順番に対応している。すなわち、図10に示すように、第1検出期間Pt1,Pt2,Pt3,Pt4の順に、図8Aから図8Dに示すように接続回路17の接続状態を切り替え、分割領域Dd内の第1電極COMLに付した番号1,2,3,4の順に、検出電極RX(COML)を切り替える。接続回路17は、配線27を介して、第1電極COMLと検出回路42との接続を行う第1スイッチSW1と、第1電極COMLと電極駆動回路41との接続を行う第2スイッチSW2を有する。以下、番号1を付した第1電極COMLを「電極1」、番号2を付した第1電極COMLを「電極2」、番号3を付した第1電極COMLを「電極3」、番号4を付した第1電極COMLを「電極4」とも表す。また、電極1に接続された第1スイッチSW1を「第1スイッチSW11」とし、第2スイッチSW2を「第2スイッチSW21」とも表す。同様に、電極2、電極3、及び電極4も同様にそれぞれ第1スイッチSW12、SW13およびSW14と接続され、第2スイッチSW22、SW23及びSW24と接続される。また、第1スイッチSW1は、第1スイッチ制御配線SCL1に接続され、第2スイッチSW2は、第2スイッチ制御配線SCL2に接続される。第1スイッチ制御配線SCL1と第2スイッチ制御配線SCL2は、制御部11からの制御信号に応じて、第1スイッチSW1と第2スイッチSW2が制御される。具体的には、第1スイッチSW11、SW12、SW13及びSW14は、第1スイッチ制御配線SCL11、SCL12、SCL13及びSCL14にそれぞれ接続され、第2スイッチSW21、SW22、SW23及びSW24は、スイッチ制御配線SCL21、SCL22、SCL23及びSCL24にそれぞれ接続される。
具体的には、第1検出期間Pt1(図10参照)では、図8Aに示すように、第1スイッチSW11、第2スイッチSW22、SW23、SW24をオン、第1スイッチSW12、SW13、SW14、第2スイッチSW21をオフとする。これにより、電極2、電極3、電極4には電極駆動回路14から検出用駆動信号VcomSが供給され、電極1からの検出信号Vdetが検出回路42に出力される。このとき、電極2、電極3、電極4は駆動電極TX(COML)として機能し、電極1は検出電極RX(COML)として機能する。
また、第1検出期間Pt2(図10参照)では、図8Bに示すように、第1スイッチSW12、第2スイッチSW21、SW23、SW24をオン、第1スイッチSW11、SW13、SW14、第2スイッチSW22をオフとする。これにより、電極1、電極3、電極4には電極駆動回路14から検出用駆動信号VcomSが供給され、電極2からの検出信号Vdetが検出回路42に出力される。このとき、電極1、電極3、電極4は駆動電極TX(COML)として機能し、電極2は検出電極RX(COML)として機能する。
また、第1検出期間Pt3(図10参照)では、図8Cに示すように、第1スイッチSW13、第2スイッチSW21、SW22、SW24をオン、第1スイッチSW11、SW12、SW14、第2スイッチSW23をオフとする。これにより、電極1、電極2、電極4には電極駆動回路14から検出用駆動信号VcomSが供給され、電極3からの検出信号Vdetが検出回路42に出力される。このとき、電極1、電極2、電極4は駆動電極TX(COML)として機能し、電極3は検出電極RX(COML)として機能する。
また、第1検出期間Pt4(図10参照)では、図8Dに示すように、第1スイッチSW14、第2スイッチSW21、SW22、SW23をオン、第1スイッチSW11、SW12、SW13、第2スイッチSW24をオフとする。これにより、電極1、電極2、電極3には電極駆動回路14から検出用駆動信号VcomSが供給され、電極4からの検出信号Vdetが検出回路42に出力される。このとき、電極1、電極2、電極3は駆動電極TX(COML)として機能し、電極4は検出電極RX(COML)として機能する。
検出電極RX(COML)は、図7Aから図7Dに示すように、何れの第1検出期間Pt1,Pt2,Pt3,Pt4においても、第1方向Dx及び第2方向Dyに駆動電極TX(COML)が隣接する。このため、図9Bに示すように、各検出電極RXは、主に、第1方向Dx方向に並ぶ2つの駆動電極TX、及び、第2方向Dyに並ぶ2つの駆動電極TXとの間に、それぞれフリンジ電界の電気力線が発生する。
これにより、図11に示すように、検出電極RXから出力される検出信号Vdetの信号強度を、比較例に対して大きく(図11に示す例では、1.5倍程度)することができる。この結果として、外部近接物体の検出感度を向上することができる。
図12Aは、第1電極と接続回路との接続の第1例を示す図である。図12Bは、第1電極と接続回路との接続の第2例を示す図である。図12A及び図12Bに示す例では、検出部40の検出回路42に接続される第1スイッチSW1の構成を示し、電極駆動回路41に接続される第2スイッチSW2の構成を省略している。また、図12A及び図12Bでは、図10に示す第1検出期間Pt1における接続例を示している。また、図12A及び図12Bにおいて、第1スイッチSW1は、第1スイッチSW11、SW12、SW13、SW14からなる第1スイッチ回路171が第1方向Dxに配列される。なお、図12Aおよび図12Bでは省略するが、第2スイッチSW2についても、第1スイッチSW1と同様に、第2スイッチSW21、SW22、SW23及びSW24からなる第2スイッチ回路172が第1方向Dxに配列される。
図12Aでは、各分割領域Ddに対して1つの第1スイッチ回路171が対応した構成を示している。
これに対し、図12Bでは、検出領域を4つのサブ検出領域SAd1,SAd2,SAd3,SAd4に分割し、各サブ検出領域SAd1,SAd2,SAd3,SAd4の分割領域Dd内の各電極1,2,3,4を4つの第1スイッチ回路171a,171b,171c,171dに振り分けて接続した例を示している。
具体的に、図12Bでは、サブ検出領域SAd1の電極1を第1スイッチ回路171aのスイッチSW11に接続し、サブ検出領域SAd2の電極2を第1スイッチ回路171aのスイッチSW12に接続し、サブ検出領域SAd3の電極3を第1スイッチ回路171aのスイッチSW13に接続し、サブ検出領域SAd4の電極4を第1スイッチ回路171aのスイッチSW14に接続している。
また、サブ検出領域SAd2の電極1を第1スイッチ回路171bのスイッチSW11に接続し、サブ検出領域SAd3の電極2を第1スイッチ回路171bのスイッチSW12に接続し、サブ検出領域SAd4の電極3を第1スイッチ回路171bのスイッチSW13に接続し、サブ検出領域SAd1の電極4を第1スイッチ回路171bのスイッチSW14に接続している。
また、サブ検出領域SAd3の電極1を第1スイッチ回路171cのスイッチSW11に接続し、サブ検出領域SAd4の電極2を第1スイッチ回路171cのスイッチSW12に接続し、サブ検出領域SAd1の電極3を第1スイッチ回路171cのスイッチSW13に接続し、サブ検出領域SAd2の電極4を第1スイッチ回路171cのスイッチSW14に接続している。
また、サブ検出領域SAd4の電極1を第1スイッチ回路171dのスイッチSW11に接続し、サブ検出領域SAd1の電極2を第1スイッチ回路171dのスイッチSW12に接続し、サブ検出領域SAd2の電極3を第1スイッチ回路171dのスイッチSW13に接続し、サブ検出領域SAd3の電極4を第1スイッチ回路171dのスイッチSW14に接続している。
この構成では、各電極と接続回路17との間の配線の引き回しは複雑になるが、接続回路17内の各スイッチ回路を集約することができるので、電源配線長のアンバランスによる検出値のばらつきを抑制することができる。
(変形例)
図13は、実施形態1の第1変形例に係る検出領域の分割例を示す図である。図14は、実施形態1の第2変形例に係る検出領域の分割例を示す図である。図15は、実施形態1の第3変形例に係る検出領域の分割例を示す図である。図16は、実施形態1の第4変形例に係る検出領域の分割例を示す図である。図17は、実施形態1の第5変形例に係る検出領域の分割例を示す図である。
図13から図17に示す例では、第2方向Dyに並ぶ複数の第1電極COMLを囲う領域を分割領域Ddとしている。具体的に、図13では、第2方向Dyに並ぶ2つの第1電極COMLを囲う領域を分割領域Ddとしている。また、図14では、第2方向Dyに並ぶ3つの第1電極COMLを囲う領域を分割領域Ddとしている。また、図15では、第2方向Dyに並ぶ4つの第1電極COMLを囲う領域を分割領域Ddとしている。また、図16では、第2方向Dyに並ぶ5つの第1電極COMLを囲う領域を分割領域Ddとしている。また、図17では、第2方向Dyに並ぶ6つの第1電極COMLを囲う領域を分割領域Ddとしている。なお、図13から図17に示す例において、各分割領域Dd内の第1電極COMLに付した番号は、図7から図10に示す例と同様に、第1検出期間を設ける順番に対応している。
より具体的には、第1検出期間Pt1において、番号1が付された第1電極COMLは、第1スイッチ制御配線SCL1からの信号に応じて、第1検出期間Pt1において、第1スイッチSW1を介して検出回路42と接続される。言い換えると、番号1が付された第1電極COMLが検出電極RXとして検出信号Vdetを検出回路42に出力する。一方で、第1検出期間Pt1において、番号1以外が付された第1電極COMLは、第2スイッチ制御配線SCL2からの信号に応じて、第2スイッチSW2を介して電極駆動回路41と接続される。言い換えると、第1検出期間Pt1において、番号1以外が付された第1電極COMLは、駆動電極TXとして検出用駆動信号VcomSを出力する。同様に、図13から図17に示す例では、それぞれの分割領域Ddに含まれる第1電極COMLの数に応じて、第1検出期間ごとに、異なる第1電極COMLが検出電極RXおよび駆動電極TXとして選択される。
また、図13から図17に示す例において、図7から図10に示す例と同様に、各番号が付された第1電極COMLは、それぞれ異なる第1スイッチ制御配線SCL1で制御される複数の第1スイッチSW1からなる第1スイッチ回路171と、それぞれ異なる第2スイッチ制御配線SCL2で制御される複数の第2スイッチSW2からなる第2スイッチ回路172を有する。例えば、図17においては、第1スイッチ回路171は、6つの異なる第1スイッチSW11、SW12、SW13、SW14、SW15、及び、SW16を有し、6つの異なる第1スイッチSW1(第1スイッチSW11からSW16)は、それぞれ異なる第1スイッチ制御配線SCL11、SCL12、SCL13、SCL14、SCL15、及び、SCL16によって制御されている。
図13から図17に示すように、実施形態1の各変形例では、第1方向Dxに隣接する分割領域Dd間で、第1方向Dxに隣接する第1電極COMLが同時に検出電極にならないようにしている。換言すれば、検出電極は、第1方向Dxに駆動電極が隣接する。また、第2方向Dyに隣接する分割領域Dd間で、第2方向Dyに隣接する第1電極COMLが同時に検出電極にならないようにしている。換言すれば、検出電極は、第2方向Dyに駆動電極が隣接する。
なお、図13から図17に示す例では、第2方向Dyに並ぶ複数の第1電極COMLを囲う領域を分割領域Ddとした構成を示したが、これに限らない。第1方向Dxに並ぶ複数の第1電極COMLを囲う領域を分割領域Ddとした構成であっても良い。
(実施形態2)
図18は、実施形態2に係る第1基板の平面図である。本実施形態の検出装置1aにおいて、周辺領域Gdに検出領域Adを囲う第2電極53が設けられている。第2電極53は、配線28を介して接続回路17に接続される。
図19は、図18のB1−B2線に沿う断面図である。図19に示すように、周辺領域Gdにおいて、第1基板21の上側に絶縁層25a、平坦化層25bを介して、配線28が設けられる。配線28の上側に絶縁層25cを介して第2電極53が設けられる。第2電極53と重なる配線28は、コンタクトホールH2を介して第2電極53と接続される。なお、図18では、周辺領域Gdに2本の配線28を設け、それぞれコンタクトホールH2を介して第2電極53と接続される構成を例示したが、これに限らず、少なくとも1本の配線28がコンタクトホールH2を介して第2電極53と接続される構成であれば良い。また、配線28やコンタクトホールH2を設ける位置に限定されない。
図20は、実施形態2に係る検出領域及び周辺領域を示す図である。図21は、実施形態2における各電極の状態遷移を示すタイミングチャートである。
図20に示す例において、検出領域Ad内の分割領域Dd及び分割領域Dd内の各電極1,2,3,4の第1検出期間Pt1,Pt2,Pt3,Pt4における状態遷移については、図21に示すように、実施形態1において説明した図7Aから図7D及び図10と同様である。
本実施形態では、図21に示すように、各第1検出期間Pt1,Pt2,Pt3,Pt4において、接続回路17aを介して第2電極53と電極駆動回路41とを接続し、当該第2電極53を駆動電極として、検出用駆動信号VcomSを供給する。
これにより、駆動電極として検出用駆動信号VcomSが供給されている第2電極53から発するフリンジ電界の電気力線によって、周辺領域Gdに接する分割領域Dd内の第1電極COMLを検出電極RX(COML)としたときの検出信号Vdetの信号強度を大きくすることができる。この結果として、検出領域Adの端部(エッジともいう)での外部近接物体の検出感度を向上することができる。
なお、検出領域Ad内の分割領域Ddの態様については、実施形態1の各変形例において説明した図13から図17に示す態様であっても良い。
(実施形態3)
図22は、実施形態3に係る第1基板の平面図である。本実施形態の検出装置1bにおいて、周辺領域Gdに第2電極53をさらに囲う第3電極54が設けられている。第3電極54は、配線29を介して接続回路17に接続される。
図23は、図22のC1−C2線に沿う断面図である。図23に示すように、周辺領域Gdにおいて、第1基板21の上側に絶縁層25a、平坦化層25bを介して、配線29が設けられる。配線29の上側に絶縁層25c及び絶縁層24を介して第3電極54が設けられる。第3電極54と重なる配線29は、コンタクトホールH3を介して第2電極53と接続される。なお、図22では、周辺領域Gdに2本の配線29を設け、それぞれコンタクトホールH3を介して第3電極54と接続される構成を例示したが、これに限らず、少なくとも1本の配線29がコンタクトホールH3を介して第3電極54と接続される構成であれば良い。また、配線29やコンタクトホールH3を設ける位置に限定されない。なお、図23では、第3電極54を第2電極53とは異なる層とした例を示したが、第3電極54と第2電極53とは同層であっても良い。
図24及び図25は、実施形態3に係る検出領域及び周辺領域を示す図である。図26は、実施形態3における各電極の状態遷移を示すタイミングチャートである。
図26に示す例において、検出領域Ad内の分割領域Dd及び分割領域Dd内の各電極1,2,3,4の第1検出期間Pt1,Pt2,Pt3,Pt4における状態遷移については、図24に示すように、実施形態1において説明した図7Aから図7D及び図10と同様である。また、各第1検出期間Pt1,Pt2,Pt3,Pt4において、接続回路17bを介して第2電極53と電極駆動回路41とを接続し、当該第2電極53を駆動電極として、検出用駆動信号VcomSを供給する態様については、実施形態2において説明した図21と同様である。
本実施形態では、図26に示すように、各第1検出期間Pt1,Pt2,Pt3,Pt4とは異なる第2検出期間Peにおいて、接続回路17bを介して第2電極53及び第3電極54と電極駆動回路41とを接続し、当該第2電極53及び第3電極54を駆動電極として、検出用駆動信号VcomSを供給する。また、第2検出期間Peにおいて、接続回路17bを介して、検出領域Ad内の電極1から電極4を検出回路42に接続する。言い換えると、検出領域Ad内の全ての第1電極COMLを検出電極とする。
これにより、第2検出期間Peにおいて、駆動電極として検出用駆動信号VcomSが供給されている第2電極53及び第3電極54から発するフリンジ電界の電気力線によって、検出領域Adのエッジにおける外部近接物体の検出感度を実施形態2よりも向上することができる。
なお、第1検出期間Pt1,Pt2,Pt3,Pt4における検出領域Ad内の分割領域Ddの態様については、実施形態1の各変形例において説明した図13から図17に示す態様であっても良い。
また、第2検出期間Peは、必ずしも第1検出期間Pt1,Pt2,Pt3,Pt4に続けて設ける態様に限らない。例えば、複数回の第1検出期間Pt1,Pt2,Pt3,Pt4を設けた後に第2検出期間Peを設ける態様であっても良い。
上述した実施形態は、各構成要素を適宜組み合わせることが可能である。また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
1,1a,1b 検出装置
2 画素基板
3 対向基板
6 液晶層
10 表示パネル
11 制御部
12 ゲートドライバ
13 ソースドライバ
17,17a,17b 接続回路(MUX)
20 表示部
21 第1基板
22 画素電極
27,28,29 配線
30 センサ部
31 第2基板
40 検出部
41 電極駆動回路
42 検出回路(AFE)
53 第2電極
54 第3電極
Ad 検出領域
COML 第1電極
GCL ゲート線
Gd 周辺領域
OBJ 外部近接物体
Pix 画素
RX 検出電極
SGL 信号線
SPix 副画素
TX 駆動電極
Vdisp 映像信号
Vpix 画素信号
VcomD 表示用駆動信号
VcomS 検出用駆動信号
Vscan 走査信号

Claims (9)

  1. 検出領域内に第1方向及び前記第1方向と交差する第2方向に並ぶ複数の第1電極と、
    前記第1電極に駆動信号を供給する電極駆動回路と、
    前記第1電極からの検出信号を検出する検出回路と、
    第1検出期間において、複数の前記第1電極の一部を検出電極として前記検出回路と接続し、当該検出電極と少なくとも前記第1方向及び前記第2方向に隣接する第1電極を駆動電極として前記電極駆動回路と接続する接続回路と、
    を備える、
    検出装置。
  2. 前記接続回路は、
    複数の前記第1検出期間毎に、前記検出電極とする第1電極を切り替える、
    請求項1に記載の検出装置。
  3. 前記接続回路は、
    前記検出領域を複数の領域に分割した分割領域内の第1電極のうち、1つを前記検出電極とし、残りを前記駆動電極とする、
    請求項1または請求項2に記載の検出装置。
  4. 前記接続回路は、
    前記第1方向及び前記第2方向にそれぞれ2つ並ぶ4つの第1電極を囲う領域を前記分割領域とする、
    請求項3に記載の検出装置。
  5. 前記接続回路は、
    前記第1方向に並ぶ複数の第1電極を囲う領域を前記分割領域とする、
    請求項3に記載の検出装置。
  6. 前記接続回路は、
    前記第2方向に並ぶ複数の第1電極を囲う領域を前記分割領域とする、
    請求項3に記載の検出装置。
  7. 前記検出領域を囲う第2電極を備え、
    前記接続回路は、
    前記第1検出期間において、前記第2電極を駆動電極として前記電極駆動回路と接続する、
    請求項3から6の何れか一項に記載の検出装置。
  8. 前記第2電極を囲う第3電極を備え、
    前記接続回路は、
    前記第1検出期間とは異なる第2検出期間において、前記第1電極を検出電極として前記検出回路と接続すると共に、前記第3電極を駆動電極として前記電極駆動回路と接続する、
    請求項7に記載の検出装置。
  9. 請求項1から8の何れか一項に記載の検出装置と、
    複数の画素を含み、
    前記画素によって画像を表示する表示期間に、前記第1電極に表示用の駆動信号が供給される、
    表示装置。
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