JP2021028612A - 半導体デバイス測定方法、半導体デバイス測定装置、およびプログラム - Google Patents
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Abstract
Description
<1−1.半導体デバイス測定装置>
図1は、第1実施形態の半導体デバイス測定装置1の全体構成を概略的に示す図である。図2は、半導体デバイス9を示す概略断面図である。図3は、半導体デバイス9の高電子移動度トランジスタ(HEMT)9Trの構成を示す概略平面図である。図2の半導体デバイス9の断面は、図3のII−II線に沿ったHEMT9Trの断面の一例を示す。
光照射部10は、HEMT9Trの第1半導体部90から電磁波LT1を放射させるための所定の波長領域の測定用光LP10を、HEMT9Trの第2半導体部92側の部分としてのHEMT9Trの上面9uに照射することができる。ここで、測定用光LP10には、半導体デバイス9のうちの第2半導体部92を透過し且つ第1半導体部90に吸収される波長領域のパルス光が適用される。これにより、光照射部10は、第2半導体部92を介して第1半導体部90に測定用光LP10を照射することができる。半導体デバイス9から放射される電磁波LT1は、周波数が0.1テラヘルツ(THz)から10THzの帯域の電磁波(テラヘルツ波ともいう)を含む。
電磁波検出部20は、電磁波検出器22を有する。電磁波検出器22は、例えば、光伝導アンテナ(光伝導スイッチともいう)を有する。電磁波検出器22の光伝導アンテナには、HEMT9Trから放射された電磁波LT1が入射されるとともに、裏面側から参照光LP12が照射される。図1では簡略化して示されているが、HEMT9Trから放射された電磁波LT1は、例えば、2つの放物面鏡によって、光伝導アンテナに集光される。
ステージ30は、半導体デバイス9を保持するための部分(保持部ともいう)である。ステージ30は、例えば、水平面に平行な保持面を有する。ステージ30は、この保持面上において、図2で示されるように、半導体デバイス9を基板96側から支持することができる。これにより、半導体デバイス9は、HEMT9Trの第2半導体部92側の部分としての上面9u側に測定用光LP10が入射するように保持される。また、測定用光LP10は、HEMT9Trの上面9uに対して斜めに入射する。ここでは、上面9uに対する測定用光LP10の入射角を、45度としているが、これは必須ではなく、0度から90度の範囲内で任意に設定してもよい。このステージ30は、半導体デバイス9を保持する構成として、例えば、半導体デバイス9の縁部等を挟み持つ挟持具、半導体デバイス9を保持面に接着させる粘着部材(例えば、粘着性シート)、または半導体デバイス9を吸着する吸着孔を有していてもよい。
ステージ移動部35は、例えば、制御部50からの制御指令に応じて、光照射部10および電磁波検出部20に対して、ステージ30を、このステージ30の半導体デバイス9を保持する保持面に平行な水平面内で移動させることができる。ステージ移動部35には、例えば、リニアモータまたはボールネジ等を用いた駆動機構を含むXYテーブルが適用され得る。ステージ移動部35の動作によってステージ30を移動させることで、HEMT9Trに対する測定用光LP10の入射位置を変更することができる。換言すれば、ステージ移動部35は、ステージ30の移動によって、HEMT9Trのうちの光照射部10によってパルス光としても測定用光LP10が照射される位置(照射対象位置ともいう)Po1を2次元的に移動させることができる。2次元的な移動は、例えば、XY平面に沿って、X方向およびY方向のそれぞれに移動させることを意味する。また、照射対象位置Po1を2次元的に移動させる態様としては、例えば、照射対象位置Po1をXY平面に沿ったマトリックス状の複数の位置にそれぞれ移動させる態様が考えられる。第1実施形態では、制御部50の制御指令に応じてステージ移動部35がステージ30を移動させることによって、HEMT9Trの上面9uが測定用光LP10で走査される。
電圧印加部40は、例えば、第1プローブピン41a、第2プローブピン41b、第3プローブピン41cと、電圧変更部42と、を有する。電圧印加部40は、HEMT9Trのソース電極9sに対して第1プローブピン41aを介して電気的に接続可能であり、HEMT9Trのドレイン電極9dに対して第2プローブピン41bを介して電気的に接続可能であり、HEMT9Trのゲート電極9gに対して第3プローブピン41cを介して電気的に接続可能である。電圧変更部42は、例えば、電圧可変電源等を有する。ここでは、電圧変更部42は、例えば、第1プローブピン41aと第2プローブピン41bとの間に電圧を付与することで、HEMT9Trにおけるソース電極9sとドレイン電極9dとの間にドレイン電圧(Vds)を付与することが可能である。そして、電圧変更部42は、例えば、制御部50からの制御指令に応じてドレイン電圧(Vds)を変更することが可能であってもよい。また、電圧変更部42は、例えば、第1プローブピン41aと第3プローブピン41cとの間に電圧を付与することで、HEMT9Trにおけるソース電極9sとゲート電極9gとの間に電圧(ゲート電圧ともいう)を付与することが可能である。そして、電圧変更部42は、例えば、制御部50からの制御指令に応じてゲート電圧(Vgs)を変更することが可能であってもよい。これにより、例えば、動作中のHEMT9Trの第1半導体部90から放射されるTHz波を含む電磁波LT1の強度の時間的な変化を検出することが可能となる。また、電圧印加部40は、例えば、スイッチの切り替え等によって、第1プローブピン41aと第2プローブピン41bとを短絡させることで、ソース電極9sとドレイン電極9dとを短絡させることが可能であってもよい。
撮像部33は、例えば、ステージ30に保持された半導体デバイス9に含まれるHEMT9Trを撮像するための部分である。撮像部33には、例えば、撮像素子を有するデジタルカメラ等が適用され得る。ここでは、例えば、撮像部33による撮像で得られる上面9uを捉えた画像に係る画像データを用いた画像処理によって、HEMT9Trの上面9uにおけるソース電極9s、ドレイン電極9dおよびゲート電極9gの位置(電極位置ともいう)を示す情報(電極位置情報ともいう)を取得することが可能となる。その結果、例えば、上面9uのうち、測定用光LP10を照射する照射対象位置Po1を適宜設定することが可能となる。
図5は、第1実施形態の半導体デバイス測定装置1における制御部50と他の要素との接続関係を示すブロック図である。制御部50は、演算処理部としての1つ以上の電気回路である中央演算ユニット(Central Processing Unit:CPU)51、ROM(Read only memory)52およびRAM(Random Access Memory)53等を含む一般的なコンピュータとしての構成を有する。制御部50は、半導体デバイス測定装置1の各要素(フェムト秒レーザ12、波長変換器16、電磁波検出器22、遅延ステージ移動部242、ステージ移動部35、電圧印加部40、偏光子移動部211および撮像部33等)に接続されている。
図12から図18は、第1実施形態に係る半導体デバイス測定装置1の動作フローの一例を示す流れ図である。換言すれば、図12から図18は、HEMT9Trを含む半導体デバイス9を対象とした測定方法(半導体デバイス測定方法ともいう)の一例を示す流れ図である。以下で説明する半導体デバイス測定装置1の動作は、特に断らない限り、制御部50からの制御指令に基づいて実行されるものとする。ここでは、図12のステップSp1〜Sp6の動作をこの記載の順に実行する一例を挙げて説明するが、動作を実行する順序については、図12に示すものに限定されるものではなく、適宜変更してもよい。
まず、図12のステップSp1では、例えば、半導体デバイス9を保持部としてのステージ30に保持させる工程(保持工程ともいう)を行う。ここでは、ステージ30が半導体デバイス9を保持すると、電圧印加部40が、HEMT9Trのソース電極9s、ドレイン電極9dおよびゲート電極9gに電気的に接続される。これにより、HEMT9Trにドレイン電圧(Vds)およびゲート電圧(Vgs)を印加することができる状態となる。
次に、図12のステップSp2では、例えば、制御部50が、光照射部10の設定を行う。ここでは、例えば、第2半導体部92を透過し且つ第1半導体部90に吸収される波長領域の測定用光LP10を射出するように光照射部10を設定する工程(設定工程ともいう)を行う。このステップSp2では、例えば、図13のステップSp21〜Sp23の動作をこの記載の順に実行する。
次に、図12のステップSp3では、例えば、制御部50が、測定対象領域Ar1の設定を行う。このステップSp3では、例えば、図14のステップSp31〜Sp33の動作をこの記載の順に実行する。
次に、図12のステップSp4では、例えば、制御部50からの制御指令に応じて、HEMT9Trを対象とした測定を行う。このステップSp4では、例えば、図15のステップSp41〜Sp48の動作を適宜実行する。
次に、図12のステップSp5では、例えば、制御部50が、ステップSp4で得られた情報に基づいて各種の情報処理を行う。このステップSp5では、例えば、図18のステップSp51〜Sp53の動作をこの記載の順に実行する。
次に、図12のステップSp6では、制御部50が、ステップSp2からステップSp5で取得された種々の情報を、記憶部60に適宜記憶し、表示部71において適宜可視的に出力する。ここでは、例えば、ステップSp5において測定条件毎に生成された第1分布情報および第2分布情報のうちの少なくとも一方の情報を表示部71において可視的に出力する態様が考えられる。なお、ステップSp2からステップSp5で取得された種々の情報は、例えば、情報が取得された時点で随時記憶部60等に記憶されてもよい。
以上のように、第1実施形態に係る半導体デバイス測定装置1は、例えば、ヘテロ接合を形成している第1半導体部90および第2半導体部92と、この第2半導体部92上に位置しているソース電極9s、ゲート電極9gおよびドレイン電極9dと、を有するHEMT9Trを対象として測定を行う装置である。そして、この半導体デバイス測定装置1によれば、例えば、光照射部10によって第2半導体部92を透過し且つ第1半導体部90に吸収される波長領域のパルス光が照射される照射対象位置Po1を2次元的に移動させて、2次元的に位置する複数の照射対象位置Po1のそれぞれについて、パルス光の照射に応じて第1半導体部90から放射されるTHz波を含む電磁波LT1の強度の時間的な変化を検出する。このため、例えば、HEMT9Trのうちの界面近傍領域90Arにおけるエネルギー準位の場所による違いに係る情報を得ることができる。これにより、例えば、HEMT9Trの設計、歩留まり、耐久性の評価および故障時の診断などに資する有益な情報を得ることができ、HEMT9Trの品質を向上させることが可能となる。
本発明は上述の第1実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。なお、以降の説明において、既に説明した要素と同様の機能を有する要素については、同じ符号またはアルファベット文字を追加した符号を付して、詳細な説明を省略する場合がある。
上記第1実施形態において、例えば、HEMT9Trを含む半導体デバイス9を対象とした半導体デバイス測定方法において、閾値電圧認識部521が、HEMT9Trの閾値電圧(Vth)を認識する工程(認識工程ともいう)を行い、HEMT9Trのゲート電圧(Vgs)として閾値電圧が印加された際に放射される電磁波LT1の強度の時間的な変化(第1基準時間変化)を検出してもよい。
上記第1実施形態において、例えば、HEMT9Trを含む半導体デバイス9を対象とした半導体デバイス測定方法において、閾値電圧認識部521が、HEMT9Trの閾値電圧(Vth)を認識する工程(認識工程)を行い、ドレイン電圧(Vds)としてゲート電圧(Vgs)から閾値電圧(Vth)を減じたピンチオフ電圧(Vp)が印加された際に放射される電磁波LT1の強度の時間的な変化(第2基準時間変化)を検出してもよい。
上記各実施形態では、第1半導体部90の材料として、高純度のGaNが適用され、第2半導体部92の材料として、AlxGayNが適用されたが、これに限られない。例えば、第1半導体部90の材料として、高純度のガリウムヒ素(GaAs)が適用され、第2半導体部92の材料として、ガリウムヒ素(GaAs)のうちの一部のGaがAlに置換されたAlxGayAs(ガリウムアルミニウムヒ素、x+y=1、0.2≦x≦0.3、0.7≦y≦0.8)が適用されてもよい。この場合には、GaAsのバンドギャップ(1.4eV)に対応する吸収端の波長は、886nmであり、AlxGayAsのバンドギャップ(1.6eV)に対応する吸収端の波長は、775nmである。このため、フェムト秒レーザ12が出力する第1のパルス光LP1(基本波)の波長を880nm程度とし、波長変換器16は、第1のパルス光LP1(基本波)の波長を変換することなく、そのまま測定用光LP10とする態様が考えられる。なお、第1半導体部90および第2半導体部92の各材料として、インジウムリン(InP)系の材料、またはシリコンゲルマニウム(SiGe)系の材料等のその他の材料が適用されてもよい。
9 半導体デバイス
9Tr 高電子移動度トランジスタ(HEMT)
9d ドレイン電極
9g ゲート電極
9s ソース電極
9u 上面
10 光照射部
16 波長変換器
20 電磁波検出部
21 偏光子
22 電磁波検出器
30 ステージ
33 撮像部
35 ステージ移動部
40 電圧印加部
42 電圧変更部
43 電流計測部
50 制御部
51 中央演算ユニット(CPU)
60 記憶部
90 第1半導体部
90Ar 界面近傍領域
92 第2半導体部
98 界面
211 偏光子移動部
511 波長設定部
513 検出制御部
514 時間波形復元部
515 電圧制御部
516 電流認識部
517 ステージ制御部
518 分布生成部
519 撮像制御部
520 画像処理部
521 閾値電圧認識部
522 差分算出部
Ar1 測定対象領域
LP1 パルス光,第1のパルス光
LP10 測定用光
LT1 電磁波
PG1 プログラム
Po1 照射対象位置
Claims (20)
- 第1半導体部と、該第1半導体部とヘテロ接合を形成している層状の第2半導体部と、該第2半導体部上に直接または1つ以上の層を介して位置しているソース電極、ゲート電極およびドレイン電極と、を有する高電子移動度トランジスタを含む半導体デバイスを対象とした半導体デバイス測定方法であって、
前記半導体デバイスを保持部に保持させる保持工程と、
前記第2半導体部を透過し且つ前記第1半導体部に吸収される波長領域の光を射出するように光照射部を設定する設定工程と、
前記光照射部によって、前記設定工程で設定された前記波長領域のパルス光を、前記第2半導体部を介して前記第1半導体部に照射することで、前記第1半導体部から放射されるテラヘルツ波の強度の時間的な変化を検出する検出工程と、
前記高電子移動度トランジスタのうちの前記光照射部によって前記パルス光が照射される照射対象位置を2次元的に移動させる移動工程と、を有し、
前記移動工程によって前記照射対象位置を移動させる度に前記検出工程を実行することで2次元的に位置する複数の前記照射対象位置のそれぞれについて前記テラヘルツ波の強度の時間的な変化を検出する、半導体デバイス測定方法。 - 請求項1に記載の半導体デバイス測定方法であって、
前記複数の照射対象位置のそれぞれについて前記検出工程によって検出される前記テラヘルツ波の強度の時間的な変化のうちの所定のピークの強度の2次元の分布に係る第1分布情報を生成する第1生成工程、をさらに有する、半導体デバイス測定方法。 - 請求項1に記載の半導体デバイス測定方法であって、
前記複数の照射対象位置のそれぞれについて前記検出工程によって検出される前記テラヘルツ波の強度の時間的な変化のうちの所定のピークの強度の正または負の値の2次元の分布に係る第2分布情報を生成する第2生成工程、をさらに有する、半導体デバイス測定方法。 - 請求項1から請求項3の何れか1つの請求項に記載の半導体デバイス測定方法であって、
前記設定工程において、前記波長領域が、前記第2半導体部におけるバンドギャップに対応する吸収端の波長よりも、前記第1半導体部におけるバンドギャップに対応する吸収端の波長に近い波長領域となるように、前記光照射部を設定する、半導体デバイス測定方法。 - 請求項1から請求項4の何れか1つの請求項に記載の半導体デバイス測定方法であって、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にドレイン電圧を印加するとともに、前記ソース電極と前記ゲート電極との間にゲート電圧を印加する印加工程、をさらに有し、
該印加工程によって前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に前記ドレイン電圧を印加し且つ前記ソース電極と前記ゲート電極との間に前記ゲート電圧を印加した状態について、前記移動工程および前記検出工程によって、2次元的に位置する複数の前記照射対象位置のそれぞれについて前記テラヘルツ波の強度の時間的な変化を検出する、半導体デバイス測定方法。 - 請求項5に記載の半導体デバイス測定方法であって、
前記ゲート電圧を変更する第1変更工程、をさらに有し、
前記印加工程によって前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に予め設定された第1のドレイン電圧を印加するとともに前記ソース電極と前記ゲート電極との間に互いに異なる複数のゲート電圧をそれぞれ印加した状態について、前記移動工程および前記検出工程によって、2次元的に位置する複数の前記照射対象位置のそれぞれについて前記テラヘルツ波の強度の時間的な変化を検出する、半導体デバイス測定方法。 - 請求項6に記載の半導体デバイス測定方法であって、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間におけるドレイン電流を計測する計測工程、をさらに有し、
前記印加工程によって前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に前記第1のドレイン電圧を印加するとともに前記ソース電極と前記ゲート電極との間に前記複数のゲート電圧をそれぞれ印加した状態について、前記移動工程および前記検出工程によって、2次元的に位置する複数の前記照射対象位置のそれぞれについて前記テラヘルツ波の強度の時間的な変化を検出するとともに、前記計測工程によって前記ドレイン電流を計測する、半導体デバイス測定方法。 - 請求項6に記載の半導体デバイス測定方法であって、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間におけるドレイン電流を計測する計測工程と、
前記印加工程によって前記ソース電極と前記ゲート電極との間に互いに異なる複数のゲート電圧をそれぞれ印加した状態で前記計測工程によって前記ドレイン電流を計測することで得られる、前記ゲート電圧と前記ドレイン電流との関係を示す情報に基づいて、前記ゲート電圧を変化させた際に前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に前記ドレイン電流が流れ始めるときの前記ソース電極と前記ゲート電極との間における閾値電圧を認識する認識工程と、をさらに有し、
前記印加工程によって前記ソース電極と前記ゲート電極との間に前記閾値電圧を印加した状態について、前記移動工程および前記検出工程によって、2次元的に位置する複数の前記照射対象位置のそれぞれについて前記テラヘルツ波の強度の時間的な変化を検出する、半導体デバイス測定方法。 - 請求項8に記載の半導体デバイス測定方法であって、
2次元的に位置する複数の前記照射対象位置のそれぞれについて、前記印加工程によって前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に前記第1のドレイン電圧を印加するとともに前記ソース電極と前記ゲート電極との間に前記複数のゲート電圧をそれぞれ印加した状態で前記検出工程によって検出される前記テラヘルツ波の強度の時間的な変化における所定のピークの強度と、前記印加工程によって前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に前記第1のドレイン電圧を印加するとともに前記ソース電極と前記ゲート電極との間に前記閾値電圧を印加した状態で前記検出工程によって検出される前記テラヘルツ波の強度の時間的な変化における所定のピークの第1基準強度と、の第1差分値を算出する第1算出工程と、
前記複数の照射対象位置に対する前記第1差分値の2次元の分布に係る第3分布情報を生成する第3生成工程と、をさらに有する、半導体デバイス測定方法。 - 請求項5に記載の半導体デバイス測定方法であって、
前記ドレイン電圧を変更する第2変更工程、をさらに有し、
前記印加工程によって前記ソース電極と前記ゲート電極との間に予め設定された第1のゲート電圧を印加するとともに前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に互いに異なる複数のドレイン電圧をそれぞれ印加した状態について、前記移動工程および前記検出工程によって、2次元的に位置する複数の前記照射対象位置のそれぞれについて前記テラヘルツ波の強度の時間的な変化を検出する、半導体デバイス測定方法。 - 請求項10に記載の半導体デバイス測定方法であって、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間におけるドレイン電流を計測する計測工程、をさらに有し、
前記印加工程によって前記ソース電極と前記ゲート電極との間に前記第1のゲート電圧を印加するとともに前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に互いに異なる複数のドレイン電圧をそれぞれ印加した状態について、前記移動工程および前記検出工程によって、2次元的に位置する複数の前記照射対象位置のそれぞれについて前記テラヘルツ波の強度の時間的な変化を検出するとともに、前記計測工程によって前記ドレイン電流を計測する、半導体デバイス測定方法。 - 請求項10に記載の半導体デバイス測定方法であって、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間におけるドレイン電流を計測する計測工程と、
前記印加工程によって前記ソース電極と前記ゲート電極との間に互いに異なる複数のゲート電圧をそれぞれ印加した状態で前記計測工程によって前記ドレイン電流を計測することで得られる、前記ゲート電圧と前記ドレイン電流との関係を示す情報に基づいて、前記ゲート電圧を変化させた際に前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に前記ドレイン電流が流れ始めるときの前記ソース電極と前記ゲート電極との間における閾値電圧を認識する認識工程と、をさらに有し、
前記印加工程によって前記ソース電極と前記ゲート電極との間に前記第1のゲート電圧を印加するとともに該第1のゲート電圧から前記閾値電圧を減じたピンチオフ電圧を前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に印加した状態について、前記移動工程および前記検出工程によって、2次元的に位置する複数の前記照射対象位置のそれぞれについて前記テラヘルツ波の強度の時間的な変化を検出する、半導体デバイス測定方法。 - 請求項12に記載の半導体デバイス測定方法であって、
2次元的に位置する複数の前記照射対象位置のそれぞれについて、前記印加工程によって前記ソース電極と前記ゲート電極との間に前記第1のゲート電圧を印加するとともに前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に前記複数のドレイン電圧をそれぞれ印加した状態で前記検出工程によって検出される前記テラヘルツ波の強度の時間的な変化における所定のピークの強度と、前記印加工程によって前記ソース電極と前記ゲート電極との間に前記第1のゲート電圧を印加するとともに前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に前記ピンチオフ電圧を印加した状態で前記検出工程によって検出される前記テラヘルツ波の強度の時間的な変化における所定のピークの第2基準強度と、の第2差分値を算出する第2算出工程と、
前記複数の照射対象位置に対する前記第2差分値の2次元の分布に係る第4分布情報を生成する第3生成工程と、をさらに有する、半導体デバイス測定方法。 - 請求項5から請求項13の何れか1つの請求項に記載の半導体デバイス測定方法であって、
前記印加工程によって前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に数Vから数百Vのドレイン電圧を印加しながら、前記検出工程によって前記テラヘルツ波の強度の時間的な変化を検出する、半導体デバイス測定方法。 - 請求項1から請求項14の何れか1つの請求項に記載の半導体デバイス測定方法であって、
前記ソース電極、前記ゲート電極および前記ドレイン電極が位置している電極位置を示す電極位置情報を取得する取得工程と、をさらに有し、
前記移動工程によって前記電極位置を避けるように前記照射対象位置を2次元的に移動させる、半導体デバイス測定方法。 - 請求項15に記載の半導体デバイス測定方法であって、
前記保持部に保持された前記半導体デバイスのうちの前記高電子移動度トランジスタを撮像部で撮像することで前記ソース電極、前記ゲート電極および前記ドレイン電極を含む領域を捉えた画像データを取得する撮像工程、をさらに有し、
前記取得工程において、前記画像データに基づいて前記電極位置情報を取得する、半導体デバイス測定方法。 - 請求項1から請求項16の何れか1つの請求項に記載の半導体デバイス測定方法であって、
前記検出工程において、偏光子を透過した前記テラヘルツ波のうちの予め設定された方向に振動する成分の強度の時間的な変化を検出する、半導体デバイス測定方法。 - 請求項1から請求項17の何れか1つの請求項に記載の半導体デバイス測定方法であって、
前記高電子移動度トランジスタは、前記第1半導体部のうちの前記第2半導体部との界面の近傍に蓄積されている高濃度の2次元電子ガスによって、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間において電子を高速で移動させることでドレイン電流を流すトランジスタ、を含む、半導体デバイス測定方法。 - 第1半導体部と、該第1半導体部とヘテロ接合を形成している層状の第2半導体部と、該第2半導体部上に直接または1つ以上の層を介して位置しているソース電極、ゲート電極およびドレイン電極と、を有する高電子移動度トランジスタを含む半導体デバイスを保持するための保持部と、
前記第2半導体部を透過し且つ前記第1半導体部に吸収される波長領域のパルス光を、前記第2半導体部を介して前記第1半導体部に照射する光照射部と、
前記光照射部による前記パルス光の照射に応じて前記第1半導体部から放射されるテラヘルツ波の強度の時間的な変化を検出する検出部と、
前記高電子移動度トランジスタのうちの前記光照射部によって前記パルス光が照射される照射対象位置を2次元的に移動させる移動部と、
前記移動部によって前記照射対象位置を移動させる度に、前記検出部によって、前記光照射部による前記パルス光の照射に応じて前記第1半導体部から放射される前記テラヘルツ波の強度の時間的な変化を検出させることで、2次元的に位置する複数の前記照射対象位置のそれぞれについて前記テラヘルツ波の強度の時間的な変化を取得する制御部と、
を備える、半導体デバイス測定装置。 - 半導体デバイス測定装置に含まれる演算処理部によって実行されることで、該半導体デバイス測定装置を、請求項19に記載の半導体デバイス測定装置として機能させる、プログラム。
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CN113533923A (zh) * | 2021-06-17 | 2021-10-22 | 深圳天狼芯半导体有限公司 | GaN HEMT器件测试方法及装置 |
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