JP2021026916A - 照明装置及び表示装置 - Google Patents
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- 238000005286 illumination Methods 0.000 title abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 148
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 55
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 50
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 abstract description 26
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 101150060232 Ctxn1 gene Proteins 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 208000005244 familial abdominal 2 aortic aneurysm Diseases 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- ORMNNUPLFAPCFD-DVLYDCSHSA-M phenethicillin potassium Chemical compound [K+].N([C@@H]1C(N2[C@H](C(C)(C)S[C@@H]21)C([O-])=O)=O)C(=O)C(C)OC1=CC=CC=C1 ORMNNUPLFAPCFD-DVLYDCSHSA-M 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
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-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
- F21S2/00—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/046—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by electromagnetic means
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- Human Computer Interaction (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
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Abstract
【課題】コスト上昇や意匠性の低下を抑制しつつ、電磁誘導方式のタッチ検出を実現可能な照明装置及び表示装置を提供する。【解決手段】照明装置20は、複数の発光素子LEDと、発光素子LEDのアノード(第1端子)にアノード電位(第1電位)を供給するアノード電極(第1電極)ADと、発光素子LEDのカソード(第2端子)にカソード電位(第2電位)を供給するカソード電極(第2電極)CDと、駆動信号Vdが供給されて磁界を発生する複数の送信電極Ctxと、磁界に起因した起電力が発生する複数の受信電極CRxと、複数の発光素子LEDが第1方向Dx及び当該第1方向Dxとは異なる第2方向Dyに並び配置され、アノード電極(第1電極)AD、カソード電極(第2電極)CD、送信電極CTx、及び受信電極CRxが設けられる多層基板200と、を備える。【選択図】図2
Description
本発明は、照明装置及び表示装置に関する。
外部近接物体を検出可能な検出装置を設けた表示装置が知られている。このような外部近接物体の検出方法として、静電容量方式や電磁誘導方式が知られている。電磁誘導方式では、表示装置に磁界を発生するコイルと、磁界を検出するコイルが設けられる。外部物体であるペンには、共振回路を構成するコイルと容量素子が設けられる。表示装置は、表示装置の各コイルとペン内のコイルとの間の電磁誘導によってペンを検出する。下記特許文献1には、電磁誘導方式の座標入力装置が記載されている。
表示パネルの背面側に配置された照明装置からの光を利用して、表示パネルに画像を表示する透過型の液晶表示装置において、照明装置の背面に電磁誘導方式の検出装置を重ねた構成が考えられる。このような構成では、部材の増加に伴うコスト上昇や表示装置の厚みの増加による意匠性の低下を招く可能性がある。
本発明は、コスト上昇や意匠性の低下を抑制しつつ、電磁誘導方式のタッチ検出を実現可能な照明装置及び表示装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る照明装置は、複数の無機発光素子と、前記無機発光素子の第1端子に第1電位を供給する第1電極と、前記無機発光素子の第2端子に第2電位を供給する第2電極と、駆動信号が供給されて磁界を発生する送信電極と、前記磁界に起因した起電力が発生する受信電極と、複数の前記無機発光素子が第1方向及び当該第1方向とは異なる第2方向に並び配置され、前記第1電極、前記第2電極、前記送信電極、及び前記受信電極が設けられる多層基板と、を備える。
本発明の一態様に係る表示装置は、上記の照明装置と、前記照明装置から照射された光により画像を表示する表示パネルと、を有する。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。また、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
(実施形態1)
図1は、実施形態1に係る照明装置を備えた表示装置を模式的に示す断面図である。図1に示すように、表示装置1は、透過型の表示パネル10と、照明装置20と、カバー部材50と、を備える。対向基板3は、アレイ基板2の表面に垂直な方向に対向して配置される。また、液晶層6はアレイ基板2と対向基板3との間に設けられる。
図1は、実施形態1に係る照明装置を備えた表示装置を模式的に示す断面図である。図1に示すように、表示装置1は、透過型の表示パネル10と、照明装置20と、カバー部材50と、を備える。対向基板3は、アレイ基板2の表面に垂直な方向に対向して配置される。また、液晶層6はアレイ基板2と対向基板3との間に設けられる。
カバー部材50は、対向基板3の表面に設けられる。カバー部材50の表面は、画像が表示される表示面であり、外部近接物体が接触又は近接する検出面である。カバー部材50は、ガラス基板であってもよく、透光性の樹脂材料等を用いたフィルム状の基材であってもよい。
アレイ基板2は、第1基板21と、画素電極25と、を有する。第1基板21は、例えば、ガラス基板が用いられる。なお、第1基板21には、信号線SGLに加え、図示しない回路素子や、信号線及びゲート線等の各種配線が設けられる。回路素子は、TFT(Thin Film Transistor)等のスイッチング素子や、容量素子を含む。
画素電極25は、第1基板21の上に複数設けられる。画素電極25は、例えばアルミニウム(Al)や銀(Ag)等の金属で形成されている。また、画素電極25は、これらの金属材料と、ITO(Indium Tin Oxide)等の透光性導電材料とを積層した構成としてもよい。
対向基板3は、第2基板31と、第2基板31の一方の面に設けられたカラーフィルタ32と、共通電極COMLと、を有する。本実施形態において、第2基板31は、例えば、ガラス基板又は樹脂基板である。
カラーフィルタ32は、第1基板21と垂直な方向において、液晶層6と対向する。カラーフィルタ32は、例えば、色領域32R(赤色)、色領域32G(緑色)、色領域32B(青色)の3つのフィルタを有する。カラーフィルタ32は、W(白色)のフィルタを含んでいてもよく、或いは5つ以上の異なる色のフィルタを含んでいてもよい。
共通電極COMLは、第1基板21と垂直な方向において、カラーフィルタ32と液晶層6との間に設けられる。共通電極COMLは、透光性の導電材料、例えばITO等で形成されている。
液晶層6は、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、例えば、FFS(フリンジフィールドスイッチング)を含むIPS(インプレーンスイッチング)等の横電界モードの液晶が用いられる。液晶層6は、画像を表示するための表示層として設けられる。なお、図1に示す液晶層6とアレイ基板2との間、及び液晶層6と対向基板3との間には、それぞれ配向膜が配設される。
照明装置20は、表示パネル10の背面側に配置される。表示パネル10は、照明装置20から照射された光により表示面に画像を表示する。
本実施形態において、表示パネル10の液晶駆動のための構成は特に限定するものではなく、TNモード及びVAモード、ECBモードといった縦電界モードで駆動される構成であってもよい。
なお、本明細書において、表示面(検出面)と平行な方向を第1方向Dxとし、表示面(検出面)と平行な面において第1方向Dxと交差する方向を第2方向Dyとする。また、表示面(検出面)に垂直な方向を第3方向Dzとする。また、本明細書において、第1基板21に垂直な方向において、第1基板21から第2基板31に向かう方向を「上側」とする。また、第2基板31から第1基板21に向かう方向を「下側」とする。また、「平面視」とは、第1基板21の表面に垂直な方向から見た場合を示す。
図2は、実施形態1に係る照明装置の一構成例を示すブロック図である。本実施形態において、照明装置20は、タッチペンによる電磁誘導方式のタッチ検出機能を有している。
図2に示すように、照明装置20は、多層基板200と、制御部11と、カソード電位供給部12と、アノード電位供給部13と、駆動信号供給部14と、検出部15と、を備える。
多層基板200は絶縁基板であり、例えば、ガラス基板、樹脂基板又は樹脂フィルム等が用いられる。多層基板200は、例えば、ホウケイ酸ガラスを用いることができる。
多層基板200の上側の面には、複数の発光素子LEDが設けられる。図2では、複数の発光素子LEDが第1方向Dx及び第2方向Dyに並びマトリクス状に配置された例を示している。発光素子LEDは、平面視で、3μm以上、100μm以下程度の大きさを有する無機発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)チップであり、平面視で、100μm以上、200μm以下程度の大きさを有するミニLED(mini LED)を適用することができる。複数の発光素子LEDの光は、表示パネル10に向けて出射される。なお、実施形態では、発光素子LEDとして無機発光ダイオードを用いるため、発光素子を無機発光素子ともいう。
図2に示すように、多層基板200には、アノード電極(第1電極)AD、カソード電極(第2電極)CD、送信電極CTx、受信電極CRxが設けられる。
複数のアノード電極ADは、全体として第2方向Dyに延出し、第1方向Dxに配列されている。複数のカソード電極CDは、全体として第1方向Dxに延出し、第2方向Dyに配列されている。アノード電極ADは、アノード電位供給部13に接続され、カソード電極CDは、カソード電位供給部12に接続される。
発光素子LEDのカソード(第2端子)は、カソード電極CDに接続される。また、発光素子LEDのアノード(第1端子)は、アノード電極ADに接続される。発光素子LEDは、アノード電極ADとカソード電極CDとの交差部近傍に設けられる。
送信電極CTx及び受信電極CRxは、多層基板100上においてそれぞれ異なる層に設けられている。送信電極CTxは、第1方向Dxに長手を有するループコイルである。また、受信電極CRxは、第2方向Dyに長手を有するループコイルである。受信電極CRxは、平面視で送信コイルCTxと交差して設けられる。送信電極CTxは、駆動信号供給部14に接続され、受信電極CRxは検出部15に接続される。
制御部11は、カソード電位供給部12、アノード電位供給部13、駆動信号供給部14、検出部15に制御信号を供給して、発光動作及び検出動作を制御する回路である。
カソード電位供給部12は、制御部11から供給される制御信号に基づき、カソード電極CDを介して、発光素子LEDのカソードにカソード電位(第2電位)を供給する。
アノード電位供給部13は、制御部11から供給される制御信号に基づき、アノード電極ADを介して、発光素子LEDのアノードにアノード電位(第1電位)を供給する。
駆動信号供給部14は、制御部11から供給される制御信号に基づき、送信電極CTxに検出用の駆動信号を供給する。
検出部15は、電磁誘導方式の検出において、制御部11から供給される制御信号及び受信電極CRxから出力される検出信号に基づき、表示面(検出面)へのタッチペンのタッチの有無を検出する。
制御部11、カソード電位供給部12、アノード電位供給部13、駆動信号供給部14、及び検出部15は、多層基板200上に設けられていても良いし、外部に設けられていても良い。なお、多層基板100上において、アノード電極AD、カソード電極CD、送信電極CTx、受信電極CRxが設けられる層については後述する。
本実施形態では、後述するように、発光素子LEDを駆動して表示パネル10に光を照射する発光期間と、電磁誘導方式によるタッチ検出を行う検出期間とを時分割に設ける。ここで、図3を参照して、本実施形態の照明装置20の電磁誘導方式によるタッチ検出について説明する。図3は、電磁誘導方式のタッチ検出を説明するための説明図である。
図3に示すように、電磁誘導方式では、タッチペン100の接触又は近接を検出する。タッチペン100の内部には、共振回路101が設けられている。共振回路101は、コイル102と容量素子103とが並列接続されて構成される。
磁界発生期間において、駆動信号供給部14から送信電極CTxに所定の周波数(例えば数kHz〜数百kHz程度)の駆動信号(交流矩形波)が印加される。これにより、送信電極CTxに電流が流れ、送信電極CTxはこの電流変化に応じた磁界M1を発生する。タッチペン100が接触又は近接している場合、送信電極CTxとコイル102との相互誘導による起電力がコイル102に発生する。これにより、容量素子103が充電される。
次に、磁界検出期間において、タッチペン100のコイル102は、共振回路101の共振周波数に応じて変化する磁界M2を発生する。磁界M2が受信電極CRxを通過することで、受信電極CRxとコイル102との相互誘導による起電力が受信電極CRxに発生する。検出部15には、受信電極CRxの起電力に応じた電流が流れる。送信電極CTxを順次走査することにより、タッチペン100の検出が行われる。
次に、図4及び図5を参照して、本実施形態の照明装置20の動作期間について説明する。図4は、送信電極及び受信電極の平面図である。図5は、実施形態1に係る照明装置の動作期間の一例を示すタイミングチャートである。図5では、1フレーム期間において、図4に示す送信電極CTx1,CTx2,CTx3,・・・,CTxNの順で順次走査する例を示している。1フレーム期間は、例えば、表示パネル10における表示動作の1フレームと同期していても良い。この場合、例えば、1フレーム期間が8.3[ms](スキャンレートが120Hz)であっても良い。
本実施形態では、図5に示すように、送信電極CTx1,CTx2,CTx3,・・・,CTxNに対応する検出期間PtNが時分割で設け、各検出期間Pt1,Pt2,Pt3,・・・,PtNの間に発光期間Ldを設けている。
発光期間Ldにおいて、アノード電位供給部13は、各アノード電極ADを介して発光素子LEDのアノードにアノード電位を供給し、カソード電位供給部12は、各カソード電極CDを介して発光素子LEDのカソードにカソード電位を供給する。これにより、各発光素子LEDは、アノード電位とカソード電位との電位差により順方向電流(駆動電流)が供給され発光する。
各駆動期間Pt1,Pt2,Pt3,・・・,PtNにおいて、各送信電極CTx1,CTx2,CTx3,・・・,CTxNに駆動信号Vdを供給して磁界を発生させる磁界発生期間Mgと、受信電極CRxとコイル102との相互誘導による起電力に応じた電流を検出する磁界検出期間Mdとを設けている。
磁界発生期間Mgにおいて、駆動信号供給部14は、送信電極CTx1(CTx2,CTx3,・・・,CTxN)に駆動信号Vdを印加する。磁界検出期間Mdにおいて、検出部15は、受信電極CRx1,CRx2,CRx3,・・・,CRxMに発生した起電力によって生じる検出信号Vdetを検出する。
このように、発光期間Ldと各検出期間Pt1,Pt2,Pt3,・・・,PtNとを時分割で設けることで、発光動作と検出動作とで互いに影響を受けないようにしている。
次に、図6Aから図15Dを参照して、実施形態1に係る照明装置20の多層基板200の層構造について説明する。
(第1例)
図6Aは、多層基板上の図2に示す領域Aの平面図の第1例である。図6Bは、図6Aに示す第1例のB1−B2矢示断面図である。図6Cは、図6Aに示す第1例のC1−C2矢示断面図である。
図6Aは、多層基板上の図2に示す領域Aの平面図の第1例である。図6Bは、図6Aに示す第1例のB1−B2矢示断面図である。図6Cは、図6Aに示す第1例のC1−C2矢示断面図である。
図6Aから図6Cに示すように、多層基板200は、基材BBに複数の絶縁層ILが積層され、最上層にオーバーコート層OCが設けられている。実施形態1の第1例において、オーバーコート層OCの下にカソード電極CDが設けられ、カソード電極CDの下層にアノード電極ADが設けられている。平面視でカソード電極CDとアノード電極ADとが重なる位置に発光素子LEDが設けられている。カソード電極CDは、例えばITO等の透光性導電材料で形成される。これにより、発光素子LEDが発した光は、オーバーコート層OCを透過して、表示パネル10に入射される。
なお、カソード電極CDは、少なくともカソード電極CDとアノード電極ADとの交差部がITO等の透光性導電材料で形成されていても良いし、全てがITO等の透光性導電材料で形成されていても良い。なお、カソード電極CDの全てがITO等の透光性導電材料である場合には、抵抗成分が大きくなるため、カソード電極CDとアノード電極ADとの交差部がITO等の透光性導電材料で形成されていることが好ましい。また、アノード電極ADは、金属等の非透光性の導電材料であっても良いし、カソード電極CDと同様にITO等の透光性導電材料であっても良い。以下の各例においても同様である。
また、実施形態1の第1例では、アノード電極ADの下層に送信電極CTxが設けられ、送信電極CTxの下層に受信電極CRxが設けられている。すなわち、実施形態1の第1例において、多層基板200は、図中上側から順に、カソード電極CDを設ける第1層、アノード電極ADを設ける第2層、送信電極CTxを設ける第3層、及び受信電極CRxを設ける第4層を有している。
(第2例)
図7Aは、多層基板上の図2に示す領域Aの平面図の第2例である。図7Bは、図7Aに示す第2例のD1−D2矢示断面図である。図7Cは、図7Aに示す第2例のE1−E2矢示断面図である。
図7Aは、多層基板上の図2に示す領域Aの平面図の第2例である。図7Bは、図7Aに示す第2例のD1−D2矢示断面図である。図7Cは、図7Aに示す第2例のE1−E2矢示断面図である。
実施形態1の第2例では、アノード電極ADの下層に受信電極CRxが設けられ、受信電極CRxの下層に送信電極CTxが設けられている。すなわち、実施形態1の第2例において、多層基板200は、図中上側から順に、カソード電極CDを設ける第1層、アノード電極ADを設ける第2層、受信電極CRxを設ける第3層、及び送信電極CTxを設ける第4層を有している。
実施形態1では、照明装置20を構成する基板を多層基板200とし、多層基板200に電磁誘導方式のタッチ検出を実現する送信電極CTx、受信電極CRxを設けている。これにより、別途検出用の基板等を設けることなく、電磁誘導方式のタッチ検出を実現することができる。これにより、コスト上昇や意匠性の低下を抑制しつつ、電磁誘導方式のタッチ検出を実現可能な照明装置20が得られる。
(第3例)
図8Aは、多層基板上の図2に示す領域Aの平面図の第3例である。図8Bは、図8Aに示す第3例のF1−F2矢示断面図である。図8Cは、図8Aに示す第3例のG1−G2矢示断面図である。
図8Aは、多層基板上の図2に示す領域Aの平面図の第3例である。図8Bは、図8Aに示す第3例のF1−F2矢示断面図である。図8Cは、図8Aに示す第3例のG1−G2矢示断面図である。
実施形態1の第3例では、アノード電極ADと送信電極CTxとが同層に設けられ、アノード電極AD及び送信電極CTxの下層に受信電極CRxが設けられている。すなわち、実施形態1の第3例において、多層基板200は、図中上側から順に、カソード電極CDを設ける第1層、アノード電極ADと送信電極CTxとを設ける第2層、及び受信電極CRxを設ける第3層を有している。
(第4例)
図9Aは、多層基板上の図2に示す領域Aの平面図の第4例である。図9Bは、図9Aに示す第4例のH1−H2矢示断面図である。図9Cは、図9Aに示す第4例のI1−I2矢示断面図である。
図9Aは、多層基板上の図2に示す領域Aの平面図の第4例である。図9Bは、図9Aに示す第4例のH1−H2矢示断面図である。図9Cは、図9Aに示す第4例のI1−I2矢示断面図である。
実施形態1の第4例では、カソード電極CDと受信電極CRxとが同層に設けられ、アノード電極ADの下層に送信電極CTxが設けられている。すなわち、実施形態1の第4例において、多層基板200は、図中上側から順に、カソード電極CDと受信電極CRxとを設ける第1層、アノード電極ADを設ける第2層、及び送信電極CTxを設ける第3層を有している。
実施形態1の第3例及び第4例では、実施形態1の第1例及び第2例よりも多層基板200の層数を削減することができる。
(第5例)
図10Aは、多層基板上の図2に示す領域Aの平面図の第5例である。図10Bは、図10Aに示す第5例のJ1−J2矢示断面図である。図10Cは、図10Aに示す第5例のK1−K2矢示断面図である。
図10Aは、多層基板上の図2に示す領域Aの平面図の第5例である。図10Bは、図10Aに示す第5例のJ1−J2矢示断面図である。図10Cは、図10Aに示す第5例のK1−K2矢示断面図である。
実施形態1の第5例では、カソード電極CDと受信電極CRxとが同層に設けられ、カソード電極CD及び受信電極CRxの下層にアノード電極ADと送信電極CTxとが同層に設けられている。すなわち、実施形態1の第5例において、多層基板200は、図中上側から順に、カソード電極CDと受信電極CRxとを設ける第1層、アノード電極ADと送信電極CTxとを設ける第2層を有している。
実施形態1の第5例では、実施形態1の第3例及び第4例よりもさらに多層基板200の層数を削減することができる。
上述した実施形態1の第1例から第5例では、オーバーコート層OCの下にカソード電極CDを設け、カソード電極CDの下層にアノード電極ADを設け、平面視でカソード電極CDとアノード電極ADとが重なる位置に発光素子LEDを設けた例について説明したが、以下の第6例から第10例では、多層基板200の内層にカソード電極CD及びアノード電極ADを設け、発光素子LEDとカソード電極CD及びアノード電極ADとの間をコンタクトホールで電気的に接続する例について説明する。
(第6例)
図11Aは、多層基板上の図2に示す領域Aの平面図の第6例である。図11Bは、図11Aに示す第6例のL1−L2矢示断面図である。図11Cは、図11Aに示す第6例のM1−M2矢示断面図である。図11Dは、図11Aに示す第6例のN1−N2矢示断面図である。
図11Aは、多層基板上の図2に示す領域Aの平面図の第6例である。図11Bは、図11Aに示す第6例のL1−L2矢示断面図である。図11Cは、図11Aに示す第6例のM1−M2矢示断面図である。図11Dは、図11Aに示す第6例のN1−N2矢示断面図である。
実施形態1の第6例では、送信電極CTxの下層に受信電極CRxが設けられ、受信電極CRxの下層にカソード電極CDが設けられ、カソード電極CDの下層にアノード電極ADが設けられている。発光素子LEDのカソードとカソード電極CDとは、コンタクトホールH1を介して電気的に接続され、発光素子LEDのアノードとアノード電極ADとは、コンタクトホールH2を介して電気的に接続されている。すなわち、実施形態1の第6例において、多層基板200は、図中上側から順に、発光素子LEDのカソードを設ける第1層、発光素子LEDのアノードを設ける第2層、送信電極CTxを設ける第3層、受信電極CRxを設ける第4層、カソード電極CDを設ける第5層、及びアノード電極ADを設ける第6層を有している。
(第7例)
図12Aは、多層基板上の図2に示す領域Aの平面図の第7例である。図12Bは、図12Aに示す第7例のO1−O2矢示断面図である。図12Cは、図12Aに示す第7例のP1−P2矢示断面図である。図12Dは、図12Aに示す第7例のQ1−Q2矢示断面図である。
図12Aは、多層基板上の図2に示す領域Aの平面図の第7例である。図12Bは、図12Aに示す第7例のO1−O2矢示断面図である。図12Cは、図12Aに示す第7例のP1−P2矢示断面図である。図12Dは、図12Aに示す第7例のQ1−Q2矢示断面図である。
実施形態1の第7例では、受信電極CRxの下層に送信電極CTxが設けられ、送信電極CTxの下層にカソード電極CDが設けられ、カソード電極CDの下層にアノード電極ADが設けられている。すなわち、実施形態1の第7例において、多層基板200は、図中上側から順に、発光素子LEDのカソードを設ける第1層、発光素子LEDのアノードを設ける第2層、受信電極CRxを設ける第3層、送信電極CTxを設ける第4層、カソード電極CDを設ける第5層、及びアノード電極ADを設ける第6層を有している。
(第8例)
図13Aは、多層基板上の図2に示す領域Aの平面図の第8例である。図13Bは、図13Aに示す第8例のR1−R2矢示断面図である。図13Cは、図13Aに示す第8例のS1−S2矢示断面図である。図13Dは、図13Aに示す第8例のT1−T2矢示断面図である。
図13Aは、多層基板上の図2に示す領域Aの平面図の第8例である。図13Bは、図13Aに示す第8例のR1−R2矢示断面図である。図13Cは、図13Aに示す第8例のS1−S2矢示断面図である。図13Dは、図13Aに示す第8例のT1−T2矢示断面図である。
実施形態1の第8例では、受信電極CRxの下層にカソード電極CDが設けられ、カソード電極CDの下層にアノード電極ADと送信電極CTxとが同層に設けられている。すなわち、実施形態1の第8例において、多層基板200は、図中上側から順に、発光素子LEDのカソードを設ける第1層、発光素子LEDのアノードを設ける第2層、受信電極CRxを設ける第3層、カソード電極CDを設ける第4層、及びアノード電極ADと送信電極CTxとを設ける第5層を有している。
(第9例)
図14Aは、多層基板上の図2に示す領域Aの平面図の第9例である。図14Bは、図14Aに示す第8例のU1−U2矢示断面図である。図14Cは、図14Aに示す第9例のV1−V2矢示断面図である。図14Dは、図14Aに示す第9例のW1−W2矢示断面図である。
図14Aは、多層基板上の図2に示す領域Aの平面図の第9例である。図14Bは、図14Aに示す第8例のU1−U2矢示断面図である。図14Cは、図14Aに示す第9例のV1−V2矢示断面図である。図14Dは、図14Aに示す第9例のW1−W2矢示断面図である。
実施形態1の第9例では、受信電極CRxの下層にカソード電極CDと送信電極CTxとが同層に設けられ、カソード電極CD及び送信電極CTxの下層にアノード電極ADが設けられている。すなわち、実施形態1の第9例において、多層基板200は、図中上側から順に、発光素子LEDのカソードを設ける第1層、発光素子LEDのアノードを設ける第2層、受信電極CRxを設ける第3層、カソード電極CDと送信電極CTxとを設ける第4層、及びアノード電極ADを設ける第5層を有している。
実施形態1の第8例及び第9例では、実施形態1の第6例及び第7例よりも多層基板200の層数を削減することができる。
(第10例)
図15Aは、多層基板上の図2に示す領域Aの平面図の第10例である。図15Bは、図15Aに示す第8例のX1−X2矢示断面図である。図15Cは、図15Aに示す第10例のY1−Y2矢示断面図である。図15Dは、図15Aに示す第10例のZ1−Z2矢示断面図である。
図15Aは、多層基板上の図2に示す領域Aの平面図の第10例である。図15Bは、図15Aに示す第8例のX1−X2矢示断面図である。図15Cは、図15Aに示す第10例のY1−Y2矢示断面図である。図15Dは、図15Aに示す第10例のZ1−Z2矢示断面図である。
実施形態1の第10例では、カソード電極CDと受信電極CRxとが同層に設けられ、カソード電極CD及び受信電極CRxの下層にアノード電極ADと送信電極CTxとが同層に設けられている。すなわち、実施形態1の第10例において、多層基板200は、図中上側から順に、発光素子LEDのカソードを設ける第1層、発光素子LEDのアノードを設ける第2層、カソード電極CDと受信電極CRxとを設ける第3層、アノード電極ADと送信電極CTxとを設ける第4層を有している。
実施形態1の第10例では、実施形態1の第8例及び第9例よりもさらに多層基板200の層数を削減することができる。
なお、送信電極CTxは、第2方向Dyに長手を有し、受信電極CRxは、第1方向Dxに長手を有する構成であっても良い。すなわち、本実施形態では、アノード電極(第1電極)ADと送信電極Ctxとが同層に設けられる構成、カソード電極(第2電極)CDと受信電極CRxとが同層に設けられる構成について例示したが、アノード電極(第1電極)ADと受信電極CRxとが同層に設けられる構成、カソード電極(第2電極)CDと送信電極Ctxとが同層に設けられる構成であっても良い。
以上説明したように、実施形態1に係る照明装置20は、複数の発光素子LEDと、発光素子LEDのアノード(第1端子)にアノード電位(第1電位)を供給するアノード電極(第1電極)ADと、発光素子LEDのカソード(第2端子)にカソード電位(第2電位)を供給するカソード電極(第2電極)CDと、駆動信号Vdが供給されて磁界を発生する複数の送信電極Ctxと、磁界に起因した起電力が発生する複数の受信電極CRxと、複数の発光素子LEDが第1方向Dx及び当該第1方向Dxとは異なる第2方向Dyに並び配置され、アノード電極(第1電極)AD、カソード電極(第2電極)CD、送信電極CTx、及び受信電極CRxが設けられる多層基板200と、を備える。
本実施形態により、コスト上昇や意匠性の低下を抑制しつつ、電磁誘導方式のタッチ検出を実現可能な照明装置20及び表示装置1を得ることができる。
(実施形態2)
図16は、実施形態2に係る照明装置の一構成例を示すブロック図である。図16に示すように、実施形態2に係る照明装置20aにおいて、複数のアノード電極ADは、全体として第2方向Dyに延出し、第1方向Dxに配列されている。複数のカソード電極CDは、全体として第2方向Dyに延出し、第1方向Dxに配列されている。すなわち、アノード電極ADとカソード電極CDとは、互いに平行して設けられている。
図16は、実施形態2に係る照明装置の一構成例を示すブロック図である。図16に示すように、実施形態2に係る照明装置20aにおいて、複数のアノード電極ADは、全体として第2方向Dyに延出し、第1方向Dxに配列されている。複数のカソード電極CDは、全体として第2方向Dyに延出し、第1方向Dxに配列されている。すなわち、アノード電極ADとカソード電極CDとは、互いに平行して設けられている。
(第1例)
図17Aは、多層基板上の図16に示す領域AAの平面図の第1例である。図17Bは、図17Aに示す第1例のBB1−BB2矢示断面図である。図17Cは、図17Aに示す第1例のCC1−CC2矢示断面図である。
図17Aは、多層基板上の図16に示す領域AAの平面図の第1例である。図17Bは、図17Aに示す第1例のBB1−BB2矢示断面図である。図17Cは、図17Aに示す第1例のCC1−CC2矢示断面図である。
図17Aから図17Cに示すように、多層基板200aは、複数の絶縁層ILが積層され、最上層にオーバーコート層OCが設けられている。実施形態2の第1例において、オーバーコート層OCの下にカソード電極CDが設けられ、カソード電極CDの下層にアノード電極ADが設けられている。平面視でカソード電極CDとアノード電極ADとが重なる位置に発光素子LEDが設けられている。
また、実施形態2の第1例では、アノード電極ADの下層に送信電極CTxが設けられ、送信電極CTxの下層に受信電極CRxが設けられている。すなわち、実施形態2の第1例において、多層基板200aは、図中上側から順に、カソード電極CDを設ける第1層、アノード電極ADを設ける第2層、送信電極CTxを設ける第3層、及び受信電極CRxを設ける第4層を有している。
(第2例)
図18Aは、多層基板上の図16に示す領域AAの平面図の第2例である。図18Bは、図18Aに示す第2例のDD1−DD2矢示断面図である。図18Cは、図18Aに示す第2例のEE1−EE2矢示断面図である。
図18Aは、多層基板上の図16に示す領域AAの平面図の第2例である。図18Bは、図18Aに示す第2例のDD1−DD2矢示断面図である。図18Cは、図18Aに示す第2例のEE1−EE2矢示断面図である。
実施形態2の第2例では、アノード電極ADの下層に受信電極CRxが設けられ、受信電極CRxの下層に送信電極CTxが設けられている。すなわち、実施形態2の第2例において、多層基板200aは、図中上側から順に、カソード電極CDを設ける第1層、アノード電極ADを設ける第2層、受信電極CRxを設ける第3層、及び送信電極CTxを設ける第4層を有している。
実施形態2では、実施形態1と同様に、照明装置20aを構成する基板を多層基板200aとし、多層基板200aに電磁誘導方式のタッチ検出を実現する送信電極CTx、受信電極CRxを設けている。これにより、別途検出用の基板等を設けることなく、電磁誘導方式のタッチ検出を実現することができる。これにより、実施形態1と同様に、コスト上昇や意匠性の低下を抑制しつつ、電磁誘導方式のタッチ検出を実現可能な照明装置20aが得られる。
(第3例)
図19Aは、多層基板上の図16に示す領域AAの平面図の第3例である。図19Bは、図19Aに示す第3例のFF1−FF2矢示断面図である。図19Cは、図19Aに示す第3例のGG1−GG2矢示断面図である。
図19Aは、多層基板上の図16に示す領域AAの平面図の第3例である。図19Bは、図19Aに示す第3例のFF1−FF2矢示断面図である。図19Cは、図19Aに示す第3例のGG1−GG2矢示断面図である。
実施形態2の第3例では、アノード電極ADと同層に送信電極CTxが設けられ、アノード電極AD及び送信電極CTxの下層に受信電極CRxが設けられている。すなわち、実施形態2の第3例において、多層基板200aは、図中上側から順に、カソード電極CDを設ける第1層、アノード電極ADと送信電極CTxとを設ける第2層、及び受信電極CRxを設ける第3層を有している。
(第4例)
図20Aは、多層基板上の図16に示す領域AAの平面図の第4例である。図20Bは、図20Aに示す第4例のHH1−HH2矢示断面図である。図20Cは、図20Aに示す第4例のII1−II2矢示断面図である。
図20Aは、多層基板上の図16に示す領域AAの平面図の第4例である。図20Bは、図20Aに示す第4例のHH1−HH2矢示断面図である。図20Cは、図20Aに示す第4例のII1−II2矢示断面図である。
実施形態2の第4例では、カソード電極CDと同層に受信電極CRxが設けられ、アノード電極ADの下層に送信電極CTxが設けられている。すなわち、実施形態2の第4例において、多層基板200aは、図中上側から順に、カソード電極CDと受信電極CRxとを設ける第1層、アノード電極ADを設ける第2層、及び送信電極CTxを設ける第3層を有している。
実施形態2の第3例及び第4例では、実施形態2の第1例及び第2例よりも多層基板200の層数を削減することができる。
上述した実施形態2の第1例から第4例では、オーバーコート層OCの下にカソード電極CDを設け、カソード電極CDの下層にアノード電極ADを設け、平面視でカソード電極CDとアノード電極ADとが重なる位置に発光素子LEDを設けた例について説明したが、以下の第5例から第8例では、多層基板200aの内層にカソード電極CD及びアノード電極ADを設け、発光素子LEDとカソード電極CD及びアノード電極ADとの間をコンタクトホールで電気的に接続する例について説明する。
(第5例)
図21Aは、多層基板上の図16に示す領域AAの平面図の第5例である。図21Bは、図21Aに示す第5例のJJ1−JJ2矢示断面図である。図21Cは、図21Aに示す第5例のKK1−KK2矢示断面図である。
図21Aは、多層基板上の図16に示す領域AAの平面図の第5例である。図21Bは、図21Aに示す第5例のJJ1−JJ2矢示断面図である。図21Cは、図21Aに示す第5例のKK1−KK2矢示断面図である。
実施形態2の第5例では、送信電極CTxの下層に受信電極CRxが設けられ、受信電極CRxの下層にカソード電極CDが設けられ、カソード電極CDの下層にアノード電極ADが設けられている。発光素子LEDのカソードとカソード電極CDとは、コンタクトホールH1を介して電気的に接続され、発光素子LEDのアノードとアノード電極ADとは、コンタクトホールH2を介して電気的に接続されている。すなわち、実施形態2の第5例において、多層基板200aは、図中上側から順に、発光素子LEDのカソードを設ける第1層、発光素子LEDのアノードを設ける第2層、送信電極CTxを設ける第3層、受信電極CRxを設ける第4層、カソード電極CDを設ける第5層、及びアノード電極ADを設ける第6層を有している。
(第6例)
図22Aは、多層基板上の図16に示す領域AAの平面図の第6例である。図22Bは、図22Aに示す第6例のLL1−LL2矢示断面図である。図22Cは、図22Aに示す第6例のMM1−MM2矢示断面図である。
図22Aは、多層基板上の図16に示す領域AAの平面図の第6例である。図22Bは、図22Aに示す第6例のLL1−LL2矢示断面図である。図22Cは、図22Aに示す第6例のMM1−MM2矢示断面図である。
実施形態2の第6例では、受信電極CRxの下層に送信電極CTxが設けられ、送信電極CTxの下層にカソード電極CDが設けられ、カソード電極CDの下層にアノード電極ADが設けられている。すなわち、実施形態2の第6例において、多層基板200aは、図中上側から順に、発光素子LEDのカソードを設ける第1層、発光素子LEDのアノードを設ける第2層、受信電極CRxを設ける第3層、送信電極CTxを設ける第4層、カソード電極CDを設ける第5層、及びアノード電極ADを設ける第6層を有している。
(第7例)
図23Aは、多層基板上の図16に示す領域AAの平面図の第7例である。図23Bは、図23Aに示す第7例のNN1−NN2矢示断面図である。図23Cは、図23Aに示す第7例のOO1−OO2矢示断面図である。
図23Aは、多層基板上の図16に示す領域AAの平面図の第7例である。図23Bは、図23Aに示す第7例のNN1−NN2矢示断面図である。図23Cは、図23Aに示す第7例のOO1−OO2矢示断面図である。
実施形態2の第7例では、受信電極CRxの下層にカソード電極CDと送信電極CTxとが同層に設けられ、カソード電極CD及び送信電極CTxの下層にアノード電極ADが設けられている。すなわち、実施形態2の第7例において、多層基板200aは、図中上側から順に、発光素子LEDのカソードを設ける第1層、発光素子LEDのアノードを設ける第2層、受信電極CRxを設ける第3層、カソード電極CDと送信電極CTxとを設ける第4層、及びアノード電極ADを設ける第5層を有している。
(第8例)
図24Aは、多層基板上の図16に示す領域AAの平面図の第8例である。図24Bは、図24Aに示す第8例のPP1−PP2矢示断面図である。図24Cは、図24Aに示す第8例のQQ1−QQ2矢示断面図である。
図24Aは、多層基板上の図16に示す領域AAの平面図の第8例である。図24Bは、図24Aに示す第8例のPP1−PP2矢示断面図である。図24Cは、図24Aに示す第8例のQQ1−QQ2矢示断面図である。
実施形態2の第8例では、受信電極CRxの下層にカソード電極CDが設けられ、カソード電極CDの下層にアノード電極ADと送信電極CTxとが同層に設けられている。すなわち、実施形態2の第8例において、多層基板200aは、図中上側から順に、発光素子LEDのカソードを設ける第1層、発光素子LEDのアノードを設ける第2層、受信電極CRxを設ける第3層、カソード電極CDを設ける第4層、及びアノード電極ADと送信電極CTxとを設ける第5層を有している。
実施形態2の第7例及び第8例では、実施形態2の第5例及び第6例よりも多層基板200aの層数を削減することができる。
なお、アノード電極(第1電極)ADとカソード電極(第2電極)CDとは、同層に設けられる構成であっても良い。
本実施形態により、コスト上昇や意匠性の低下を抑制しつつ、電磁誘導方式のタッチ検出を実現可能な照明装置20a及び表示装置1を得ることができる。
(実施形態3)
図25は、実施形態3に係る照明装置の一構成例を示すブロック図である。図25に示すように、実施形態3に係る照明装置20bにおいて、複数のアノード電極ADは、全体として第1方向Dxに延出し、第2方向Dyに配列されている。複数のカソード電極CDは、全体として第1方向Dxに延出し、第2方向Dyに配列されている。すなわち、アノード電極ADとカソード電極CDとは、互いに平行して設けられている。
図25は、実施形態3に係る照明装置の一構成例を示すブロック図である。図25に示すように、実施形態3に係る照明装置20bにおいて、複数のアノード電極ADは、全体として第1方向Dxに延出し、第2方向Dyに配列されている。複数のカソード電極CDは、全体として第1方向Dxに延出し、第2方向Dyに配列されている。すなわち、アノード電極ADとカソード電極CDとは、互いに平行して設けられている。
(第1例)
図26Aは、多層基板上の図25に示す領域RRの平面図の第1例である。図26Bは、図26Aに示す第1例のSS1−SS2矢示断面図である。図26Cは、図26Aに示す第1例のTT1−TT2矢示断面図である。
図26Aは、多層基板上の図25に示す領域RRの平面図の第1例である。図26Bは、図26Aに示す第1例のSS1−SS2矢示断面図である。図26Cは、図26Aに示す第1例のTT1−TT2矢示断面図である。
図26Aから図26Cに示すように、多層基板200bは、複数の絶縁層ILが積層され、最上層にオーバーコート層OCが設けられている。実施形態3の第1例において、オーバーコート層OCの下にカソード電極CDが設けられ、カソード電極CDの下層にアノード電極ADが設けられている。平面視でカソード電極CDとアノード電極ADとが重なる位置に発光素子LEDが設けられている。
また、実施形態3の第1例では、アノード電極ADの下層に送信電極CTxが設けられ、送信電極CTxの下層に受信電極CRxが設けられている。すなわち、実施形態3の第1例において、多層基板200bは、図中上側から順に、カソード電極CDを設ける第1層、アノード電極ADを設ける第2層、送信電極CTxを設ける第3層、及び受信電極CRxを設ける第4層を有している。
(第2例)
図27Aは、多層基板上の図25に示す領域RRの平面図の第2例である。図27Bは、図27Aに示す第2例のUU1−UU2矢示断面図である。図27Cは、図27Aに示す第2例のVV1−VV2矢示断面図である。
図27Aは、多層基板上の図25に示す領域RRの平面図の第2例である。図27Bは、図27Aに示す第2例のUU1−UU2矢示断面図である。図27Cは、図27Aに示す第2例のVV1−VV2矢示断面図である。
実施形態3の第2例では、アノード電極ADの下層に受信電極CRxが設けられ、受信電極CRxの下層に送信電極CTxが設けられている。すなわち、実施形態3の第2例において、多層基板200bは、図中上側から順に、カソード電極CDを設ける第1層、アノード電極ADを設ける第2層、受信電極CRxを設ける第3層、及び送信電極CTxを設ける第4層を有している。
実施形態3においても、実施形態1,2と同様に、照明装置20bを構成する基板を多層基板200bとし、多層基板200bに電磁誘導方式のタッチ検出を実現する送信電極CTx、受信電極CRxを設けている。これにより、別途検出用の基板等を設けることなく、電磁誘導方式のタッチ検出を実現することができる。これにより、実施形態1と同様に、コスト上昇や意匠性の低下を抑制しつつ、電磁誘導方式のタッチ検出を実現可能な照明装置20aが得られる。
(第3例)
図28Aは、多層基板上の図25に示す領域RRの平面図の第3例である。図28Bは、図28Aに示す第3例のWW1−WW2矢示断面図である。図28Cは、図28Aに示す第3例のXX1−XX2矢示断面図である。
図28Aは、多層基板上の図25に示す領域RRの平面図の第3例である。図28Bは、図28Aに示す第3例のWW1−WW2矢示断面図である。図28Cは、図28Aに示す第3例のXX1−XX2矢示断面図である。
実施形態3の第3例では、アノード電極ADと同層に受信電極CRxが設けられ、アノード電極AD及び受信電極CRxの下層に送信電極CTxが設けられている。すなわち、実施形態3の第3例において、多層基板200bは、図中上側から順に、カソード電極CDを設ける第1層、アノード電極ADと受信電極CRxとを設ける第2層、及び送信電極CTxを設ける第3層を有している。
(第4例)
図29Aは、多層基板上の図25に示す領域RRの平面図の第4例である。図29Bは、図29Aに示す第4例のYY1−YY2矢示断面図である。図29Cは、図29Aに示す第4例のZZ1−ZZ2矢示断面図である。
図29Aは、多層基板上の図25に示す領域RRの平面図の第4例である。図29Bは、図29Aに示す第4例のYY1−YY2矢示断面図である。図29Cは、図29Aに示す第4例のZZ1−ZZ2矢示断面図である。
実施形態3の第4例では、カソード電極CDと同層に受信電極CRxが設けられ、アノード電極ADの下層に送信電極CTxが設けられている。すなわち、実施形態3の第4例において、多層基板200bは、図中上側から順に、カソード電極CDと受信電極CRxとを設ける第1層、アノード電極ADを設ける第2層、及び送信電極CTxを設ける第3層を有している。
実施形態3の第3例及び第4例では、実施形態3の第1例及び第2例よりも多層基板200bの層数を削減することができる。
上述した実施形態3の第1例から第4例では、オーバーコート層OCの下にカソード電極CDを設け、カソード電極CDの下層にアノード電極ADを設け、平面視でカソード電極CDとアノード電極ADとが重なる位置に発光素子LEDを設けた例について説明したが、以下の第5例から第8例では、多層基板200bの内層にカソード電極CD及びアノード電極ADを設け、発光素子LEDとカソード電極CD及びアノード電極ADとの間をコンタクトホールで電気的に接続する例について説明する。
(第5例)
図30Aは、多層基板上の図25に示す領域RRの平面図の第5例である。図30Bは、図30Aに示す第5例のAAA1−AAA2矢示断面図である。図30Cは、図30Aに示す第5例のBBB1−BBB2矢示断面図である。
図30Aは、多層基板上の図25に示す領域RRの平面図の第5例である。図30Bは、図30Aに示す第5例のAAA1−AAA2矢示断面図である。図30Cは、図30Aに示す第5例のBBB1−BBB2矢示断面図である。
実施形態3の第5例では、送信電極CTxの下層に受信電極CRxが設けられ、受信電極CRxの下層にカソード電極CDが設けられ、カソード電極CDの下層にアノード電極ADが設けられている。発光素子LEDのカソードとカソード電極CDとは、コンタクトホールH1を介して電気的に接続され、発光素子LEDのアノードとアノード電極ADとは、コンタクトホールH2を介して電気的に接続されている。すなわち、実施形態3の第5例において、多層基板200bは、図中上側から順に、発光素子LEDのカソードを設ける第1層、発光素子LEDのアノードを設ける第2層、送信電極CTxを設ける第3層、受信電極CRxを設ける第4層、カソード電極CDを設ける第5層、及びアノード電極ADを設ける第6層を有している。
(第6例)
図31Aは、多層基板上の図25に示す領域RRの平面図の第6例である。図31Bは、図31Aに示す第6例のCCC1−CCC2矢示断面図である。図31Cは、図22Aに示す第6例のDDD1−DDD2矢示断面図である。
図31Aは、多層基板上の図25に示す領域RRの平面図の第6例である。図31Bは、図31Aに示す第6例のCCC1−CCC2矢示断面図である。図31Cは、図22Aに示す第6例のDDD1−DDD2矢示断面図である。
実施形態3の第6例では、受信電極CRxの下層に送信電極CTxが設けられ、送信電極CTxの下層にカソード電極CDが設けられ、カソード電極CDの下層にアノード電極ADが設けられている。すなわち、実施形態3の第6例において、多層基板200bは、図中上側から順に、発光素子LEDのカソードを設ける第1層、発光素子LEDのアノードを設ける第2層、受信電極CRxを設ける第3層、送信電極CTxを設ける第4層、カソード電極CDを設ける第5層、及びアノード電極ADを設ける第6層を有している。
(第7例)
図32Aは、多層基板上の図25に示す領域RRの平面図の第7例である。図32Bは、図32Aに示す第7例のEEE1−EEE2矢示断面図である。図32Cは、図32Aに示す第7例のFFF1−FFF2矢示断面図である。
図32Aは、多層基板上の図25に示す領域RRの平面図の第7例である。図32Bは、図32Aに示す第7例のEEE1−EEE2矢示断面図である。図32Cは、図32Aに示す第7例のFFF1−FFF2矢示断面図である。
実施形態3の第7例では、送信電極CTxの下層にカソード電極CDと受信電極CRxとが同層に設けられ、カソード電極CD及び受信電極CRxの下層にアノード電極ADが設けられている。すなわち、実施形態3の第7例において、多層基板200bは、図中上側から順に、発光素子LEDのカソードを設ける第1層、発光素子LEDのアノードを設ける第2層、送信電極CTxを設ける第3層、カソード電極CDと受信電極CRxとを設ける第4層、及びアノード電極ADを設ける第5層を有している。
(第8例)
図33Aは、多層基板上の図25に示す領域RRの平面図の第8例である。図33Bは、図33Aに示す第8例のGGG1−GGG2矢示断面図である。図33Cは、図33Aに示す第8例のHHH1−HHH2矢示断面図である。
図33Aは、多層基板上の図25に示す領域RRの平面図の第8例である。図33Bは、図33Aに示す第8例のGGG1−GGG2矢示断面図である。図33Cは、図33Aに示す第8例のHHH1−HHH2矢示断面図である。
実施形態3の第8例では、送信電極CTxの下層にカソード電極CDが設けられ、カソード電極CDの下層にアノード電極ADと受信電極CRxとが同層に設けられている。すなわち、実施形態3の第8例において、多層基板200bは、図中上側から順に、発光素子LEDのカソードを設ける第1層、発光素子LEDのアノードを設ける第2層、送信電極CTxを設ける第3層、カソード電極CDを設ける第4層、及びアノード電極ADと受信電極CRxとを設ける第5層を有している。
実施形態3の第7例及び第8例では、実施形態3の第5例及び第6例よりも多層基板200bの層数を削減することができる。
なお、アノード電極(第1電極)ADとカソード電極(第2電極)CDとは、同層に設けられる構成であっても良い。
本実施形態により、コスト上昇や意匠性の低下を抑制しつつ、電磁誘導方式のタッチ検出を実現可能な照明装置20b及び表示装置1を得ることができる。
なお、上述した実施形態では、カソード電極CDの少なくともアノード電極ADとの交差部がITO等の透光性導電材料である例について説明したが、カソード電極CDの全てが金属等の非透光性の導電材料であっても良い。この場合には、カソード電極CDが発光素子LEDの一部に重なり、カソード電極CDが重ならない領域から発光素子LEDが発した光が表示パネル10に入射されるようにすれば良い。
また、例えば、発光素子LEDとして、可能であれば有機発光素子を用いてもよい。また実施の形態中で照明装置として説明した構成において、発光素子LEDを表示装置の画素として用いることが可能であれば、上記照明装置を表示装置として用いることも可能である。
以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。
また、本発明は、以下の構成を取ることもできる。
(1)複数の無機発光素子と、
前記無機発光素子の第1端子に第1電位を供給する第1電極と、
前記無機発光素子の第2端子に第2電位を供給する第2電極と、
駆動信号が供給されて磁界を発生する送信電極と、
前記磁界に起因した起電力が発生する受信電極と、
複数の前記無機発光素子が第1方向及び当該第1方向とは異なる第2方向に並び配置され、前記第1電極、前記第2電極、前記送信電極、及び前記受信電極が設けられる多層基板と、
を備える、照明装置。
(2)前記多層基板は、
前記第1電極、前記第2電極、前記送信電極、及び前記受信電極がそれぞれ異なる層に設けられている、上記(1)に記載の照明装置。
(3)前記多層基板は、
少なくとも前記第1電極及び前記第2電極の一方と前記送信電極とが同層に設けられている、上記(1)に記載の照明装置。
(4)前記多層基板は、
少なくとも前記第1電極及び前記第2電極の一方と前記受信電極とが同層に設けられている、上記(1)に記載の照明装置。
(5)前記多層基板は、
前記第1電極及び前記第2電極の一方と前記受信電極とが同層に設けられ、
前記第1電極及び前記第2電極の他方と前記送信電極とが同層に設けられている、
上記(1)に記載の照明装置。
(6)前記多層基板は、
前記第1電極及び前記第2電極が上面視において直交して設けられ、
前記送信電極は、上面視において前記第2電極と平行して設けられ、
前記受信電極は、上面視において前記第1電極と平行して設けられている、
上記(1)に記載の照明装置。
(7)前記多層基板は、
前記第1電極及び前記第2電極が上面視において平行して設けられ、
前記送信電極は、上面視において前記第1電極及び前記第2電極と平行して設けられ、
前記受信電極は、上面視において前記第1電極及び前記第2電極と直交して設けられている、
上記(1)に記載の照明装置。
(8)前記多層基板は、
前記第1電極及び前記第2電極が上面視において平行して設けられ、
前記送信電極は、上面視において前記第1電極及び前記第2電極と直交して設けられ、
前記受信電極は、上面視において前記第1電極及び前記第2電極と平行して設けられている、
上記(1)に記載の照明装置。
(9)前記送信電極は、前記第1方向及び前記第2方向の一方に長手を有するループコイルであり、
前記受信電極は、前記第1方向及び前記第2方向の他方に長手を有するループコイルである、
上記(1)から(8)の何れかに記載の照明装置。
(10)上記(1)から(9)の何れかに記載の照明装置と、
前記照明装置から照射された光により画像を表示する表示パネルと、
を有する、表示装置。
(1)複数の無機発光素子と、
前記無機発光素子の第1端子に第1電位を供給する第1電極と、
前記無機発光素子の第2端子に第2電位を供給する第2電極と、
駆動信号が供給されて磁界を発生する送信電極と、
前記磁界に起因した起電力が発生する受信電極と、
複数の前記無機発光素子が第1方向及び当該第1方向とは異なる第2方向に並び配置され、前記第1電極、前記第2電極、前記送信電極、及び前記受信電極が設けられる多層基板と、
を備える、照明装置。
(2)前記多層基板は、
前記第1電極、前記第2電極、前記送信電極、及び前記受信電極がそれぞれ異なる層に設けられている、上記(1)に記載の照明装置。
(3)前記多層基板は、
少なくとも前記第1電極及び前記第2電極の一方と前記送信電極とが同層に設けられている、上記(1)に記載の照明装置。
(4)前記多層基板は、
少なくとも前記第1電極及び前記第2電極の一方と前記受信電極とが同層に設けられている、上記(1)に記載の照明装置。
(5)前記多層基板は、
前記第1電極及び前記第2電極の一方と前記受信電極とが同層に設けられ、
前記第1電極及び前記第2電極の他方と前記送信電極とが同層に設けられている、
上記(1)に記載の照明装置。
(6)前記多層基板は、
前記第1電極及び前記第2電極が上面視において直交して設けられ、
前記送信電極は、上面視において前記第2電極と平行して設けられ、
前記受信電極は、上面視において前記第1電極と平行して設けられている、
上記(1)に記載の照明装置。
(7)前記多層基板は、
前記第1電極及び前記第2電極が上面視において平行して設けられ、
前記送信電極は、上面視において前記第1電極及び前記第2電極と平行して設けられ、
前記受信電極は、上面視において前記第1電極及び前記第2電極と直交して設けられている、
上記(1)に記載の照明装置。
(8)前記多層基板は、
前記第1電極及び前記第2電極が上面視において平行して設けられ、
前記送信電極は、上面視において前記第1電極及び前記第2電極と直交して設けられ、
前記受信電極は、上面視において前記第1電極及び前記第2電極と平行して設けられている、
上記(1)に記載の照明装置。
(9)前記送信電極は、前記第1方向及び前記第2方向の一方に長手を有するループコイルであり、
前記受信電極は、前記第1方向及び前記第2方向の他方に長手を有するループコイルである、
上記(1)から(8)の何れかに記載の照明装置。
(10)上記(1)から(9)の何れかに記載の照明装置と、
前記照明装置から照射された光により画像を表示する表示パネルと、
を有する、表示装置。
1 表示装置
10 表示パネル
11 制御部
12 カソード電位供給部
13 アノード電位供給部
14 駆動信号供給部
15 検出部
20,20a,20b 照明装置
50 カバーガラス
100 タッチペン
200,200a,200b 多層基板
AD アノード電極(第1電極)
BB 基材
CD カソード電極(第2電極)
CRx 受信電極
CTx 送信電極
IL 絶縁層
LED 発光素子
10 表示パネル
11 制御部
12 カソード電位供給部
13 アノード電位供給部
14 駆動信号供給部
15 検出部
20,20a,20b 照明装置
50 カバーガラス
100 タッチペン
200,200a,200b 多層基板
AD アノード電極(第1電極)
BB 基材
CD カソード電極(第2電極)
CRx 受信電極
CTx 送信電極
IL 絶縁層
LED 発光素子
Claims (10)
- 複数の無機発光素子と、
前記無機発光素子の第1端子に第1電位を供給する第1電極と、
前記無機発光素子の第2端子に第2電位を供給する第2電極と、
駆動信号が供給されて磁界を発生する送信電極と、
前記磁界に起因した起電力が発生する受信電極と、
複数の前記無機発光素子が第1方向及び当該第1方向とは異なる第2方向に並び配置され、前記第1電極、前記第2電極、前記送信電極、及び前記受信電極が設けられる多層基板と、
を備える、
照明装置。 - 前記多層基板は、
前記第1電極、前記第2電極、前記送信電極、及び前記受信電極がそれぞれ異なる層に設けられている、
請求項1に記載の照明装置。 - 前記多層基板は、
少なくとも前記第1電極及び前記第2電極の一方と前記送信電極とが同層に設けられている、
請求項1に記載の照明装置。 - 前記多層基板は、
少なくとも前記第1電極及び前記第2電極の一方と前記受信電極とが同層に設けられている、
請求項1に記載の照明装置。 - 前記多層基板は、
前記第1電極及び前記第2電極の一方と前記受信電極とが同層に設けられ、
前記第1電極及び前記第2電極の他方と前記送信電極とが同層に設けられている、
請求項1に記載の照明装置。 - 前記多層基板は、
前記第1電極及び前記第2電極が上面視において直交して設けられ、
前記送信電極は、上面視において前記第2電極と平行して設けられ、
前記受信電極は、上面視において前記第1電極と平行して設けられている、
請求項1に記載の照明装置。 - 前記多層基板は、
前記第1電極及び前記第2電極が上面視において平行して設けられ、
前記送信電極は、上面視において前記第1電極及び前記第2電極と平行して設けられ、
前記受信電極は、上面視において前記第1電極及び前記第2電極と直交して設けられている、
請求項1に記載の照明装置。 - 前記多層基板は、
前記第1電極及び前記第2電極が上面視において平行して設けられ、
前記送信電極は、上面視において前記第1電極及び前記第2電極と直交して設けられ、
前記受信電極は、上面視において前記第1電極及び前記第2電極と平行して設けられている、
請求項1に記載の照明装置。 - 前記送信電極は、前記第1方向及び前記第2方向の一方に長手を有するループコイルであり、
前記受信電極は、前記第1方向及び前記第2方向の他方に長手を有するループコイルである、
請求項1から請求項8の何れか一項に記載の照明装置。 - 請求項1から請求項9の何れか一項に記載の照明装置と、
前記照明装置から照射された光により画像を表示する表示パネルと、
を有する、
表示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019144805A JP2021026916A (ja) | 2019-08-06 | 2019-08-06 | 照明装置及び表示装置 |
PCT/JP2020/023453 WO2021024618A1 (ja) | 2019-08-06 | 2020-06-15 | 照明装置及び表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019144805A JP2021026916A (ja) | 2019-08-06 | 2019-08-06 | 照明装置及び表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021026916A true JP2021026916A (ja) | 2021-02-22 |
Family
ID=74503411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019144805A Pending JP2021026916A (ja) | 2019-08-06 | 2019-08-06 | 照明装置及び表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2021026916A (ja) |
WO (1) | WO2021024618A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022244661A1 (ja) * | 2021-05-21 | 2022-11-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 照明装置および光学素子 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022168144A1 (ja) * | 2021-02-02 | 2022-08-11 | 株式会社ワコム | センサ基板及び表示装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07104910A (ja) * | 1993-10-01 | 1995-04-21 | Totoku Electric Co Ltd | デジタイザセンサ部を備える液晶表示装置 |
EP2148238A4 (en) * | 2007-05-18 | 2012-04-25 | Sega Kk Dba Sega Corp | LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE WITH DIGITIZER FUNCTION, ELECTRONIC INFORMATION PROCESSING DEVICE AND PLAYER |
US20150062448A1 (en) * | 2013-08-30 | 2015-03-05 | Arvind S. | Touch screen displays |
-
2019
- 2019-08-06 JP JP2019144805A patent/JP2021026916A/ja active Pending
-
2020
- 2020-06-15 WO PCT/JP2020/023453 patent/WO2021024618A1/ja active Application Filing
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---|---|---|---|---|
WO2022244661A1 (ja) * | 2021-05-21 | 2022-11-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 照明装置および光学素子 |
JP7493103B2 (ja) | 2021-05-21 | 2024-05-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 照明装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021024618A1 (ja) | 2021-02-11 |
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