JP2021022673A

JP2021022673A - Plasma processing apparatus

Info

Publication number: JP2021022673A
Application number: JP2019138998A
Authority: JP
Inventors: 陽平内田; Yohei Uchida
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2019-07-29
Filing date: 2019-07-29
Publication date: 2021-02-18

Abstract

To suppress changes in processing characteristics of plasma processing due to wear of a ring member.SOLUTION: The inside of a processing container is decompressed to a vacuum atmosphere. A mounting table is arranged inside the processing container, a substrate to be processed is placed on the upper surface thereof, and high-frequency power for generating plasma is applied thereto. A ring member is arranged on the outer periphery of the substrate of the mounting table. A first conductive portion is made conductive, has one end connected to the ring member and another end arranged in an atmospheric pressure atmosphere. The second conductive portion is conductive and set at a ground potential, and is arranged so as to face the other end of the first conductive portion. A changing portion changes a distance between the other end of the first conductive portion and the second conductive portion.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本開示は、プラズマ処理装置に関するものである。 The present disclosure relates to a plasma processing apparatus.

特許文献１は、半導体ウェハの外周に設置されたエッジリングを、消耗に応じて上昇させる構成を開示する。 Patent Document 1 discloses a configuration in which an edge ring installed on the outer periphery of a semiconductor wafer is raised according to wear.

特開２０１８−１８６２６３号公報JP-A-2018-186263

本開示は、リング部材の消耗によるプラズマ処理の処理特性の変化を抑制する技術を提供する。 The present disclosure provides a technique for suppressing a change in processing characteristics of plasma processing due to wear of a ring member.

本開示の一態様によるプラズマ処理装置は、処理容器と、載置台と、リング部材と、第１導電部と、第２導電部と、変更部とを有する。処理容器は、内部が真空雰囲気に減圧される。載置台は、処理容器の内部に配置され、処理対象の基板が上面に載置され、プラズマを生成する高周波電力が印加される。リング部材は、載置台の基板の外周に配置される。第１導電部は、導電性とされ、リング部材に一端が接続され、他端が大気圧雰囲気に配置される。第２導電部は、導電性かつグランド電位とされ、第１導電部の他端に対向して配置される。変更部は、第１導電部の他端と第２導電部との距離を変更する。 The plasma processing apparatus according to one aspect of the present disclosure includes a processing container, a mounting table, a ring member, a first conductive portion, a second conductive portion, and a modified portion. The inside of the processing container is decompressed to a vacuum atmosphere. The mounting table is arranged inside the processing container, the substrate to be processed is placed on the upper surface, and high-frequency power for generating plasma is applied. The ring member is arranged on the outer periphery of the substrate of the mounting table. The first conductive portion is made conductive, one end is connected to the ring member, and the other end is arranged in an atmospheric pressure atmosphere. The second conductive portion is conductive and has a ground potential, and is arranged so as to face the other end of the first conductive portion. The changing portion changes the distance between the other end of the first conductive portion and the second conductive portion.

本開示によれば、リング部材の消耗によるプラズマ処理の処理特性の変化を抑制できるという効果を奏する。 According to the present disclosure, it is possible to suppress changes in the processing characteristics of plasma processing due to wear of the ring member.

図１は、実施形態に係るプラズマ処理装置の構成の一例を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of the plasma processing apparatus according to the embodiment. 図２は、実施形態に係る載置台の要部構成の一例を示す概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of a main part of the mounting table according to the embodiment. 図３Ａは、エッジリングの消耗によるプラズマ処理の処理特性の変化の一例を示す図である。FIG. 3A is a diagram showing an example of a change in processing characteristics of plasma processing due to wear of the edge ring. 図３Ｂは、エッジリングの消耗によるプラズマ処理の処理特性の変化の一例を示す図である。FIG. 3B is a diagram showing an example of a change in processing characteristics of plasma processing due to wear of the edge ring. 図３Ｃは、エッジリングの消耗によるプラズマ処理の処理特性の変化の一例を示す図である。FIG. 3C is a diagram showing an example of a change in processing characteristics of plasma processing due to wear of the edge ring. 図４Ａは、実施形態に係るプラズマ処理装置によるエッジリングの消耗によるプラズマ処理の処理特性の変化の一例を示す図である。FIG. 4A is a diagram showing an example of a change in processing characteristics of plasma processing due to wear of an edge ring by the plasma processing apparatus according to the embodiment. 図４Ｂは、実施形態に係るプラズマ処理装置によるエッジリングの消耗によるプラズマ処理の処理特性の変化の一例を示す図である。FIG. 4B is a diagram showing an example of a change in processing characteristics of plasma processing due to wear of an edge ring by the plasma processing apparatus according to the embodiment. 図４Ｃは、実施形態に係るプラズマ処理装置によるエッジリングの消耗によるプラズマ処理の処理特性の変化の一例を示す図である。FIG. 4C is a diagram showing an example of a change in the processing characteristics of the plasma processing due to wear of the edge ring by the plasma processing apparatus according to the embodiment. 図５は、実施形態に係るプラズマ処理装置の載置台付近の電気的な特性を説明する図である。FIG. 5 is a diagram for explaining the electrical characteristics in the vicinity of the mounting table of the plasma processing apparatus according to the embodiment. 図６は、実施形態に係る載置台の要部構成の他の一例を示す概略断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing another example of the main part configuration of the mounting table according to the embodiment.

以下、図面を参照して本願の開示するプラズマ処理装置の実施形態について詳細に説明する。なお、本実施形態により、開示するプラズマ処理装置が限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the plasma processing apparatus disclosed in the present application will be described in detail with reference to the drawings. The plasma processing apparatus to be disclosed is not limited by the present embodiment.

従来から、半導体ウェハ（以下「ウェハ」とも称する）などの基板に対してプラズマを用いて、エッチングなどのプラズマ処理を行うプラズマ処理装置が知られている。プラズマ処理装置は、プラズマの均一化を目的に、ウェハの外周にエッジリング(フォーカスリングとも呼ぶ。)などのリング部材が配置される。リング部材は、プラズマ処理により消耗する。プラズマ処理装置は、リング部材が消耗すると、ウェハの外周付近上のプラズマシースの高さが変化して、ウェハのエッジ近辺のプラズマ処理の処理特性が変化する。例えば、プラズマ処理によりウェハにホールや配線パターンをエッチングする場合、ウェハのエッジ近辺でホールや配線パターンにTiltingといった現象が発生する。Tiltingとは、ホールや配線パターンが斜めにエッチングされる現象である。そこで、プラズマ処理装置では、リング部材の消耗によるプラズマ処理の処理特性の変化を抑制することが期待されている。 Conventionally, a plasma processing apparatus has been known that performs plasma processing such as etching by using plasma on a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter, also referred to as “wafer”). In the plasma processing apparatus, a ring member such as an edge ring (also referred to as a focus ring) is arranged on the outer periphery of the wafer for the purpose of uniformizing the plasma. The ring member is consumed by the plasma treatment. In the plasma processing apparatus, when the ring member is consumed, the height of the plasma sheath on the vicinity of the outer periphery of the wafer changes, and the processing characteristics of the plasma processing near the edge of the wafer change. For example, when a hole or a wiring pattern is etched on a wafer by plasma processing, a phenomenon such as Tilting occurs in the hole or the wiring pattern near the edge of the wafer. Tilting is a phenomenon in which holes and wiring patterns are etched diagonally. Therefore, the plasma processing apparatus is expected to suppress changes in the processing characteristics of plasma processing due to wear of the ring member.

［プラズマ処理装置の構成］
図１は、実施形態に係るプラズマ処理装置１０の構成の一例を示す概略断面図である。プラズマ処理装置１０は、プラズマ処理を実施する装置である。本実施形態ででは、プラズマ処理装置１０がプラズマ処理としてエッチングを実施する場合を例に説明する。 [Plasma processing equipment configuration]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of the plasma processing apparatus 10 according to the embodiment. The plasma processing device 10 is a device that performs plasma processing. In the present embodiment, a case where the plasma processing apparatus 10 performs etching as plasma processing will be described as an example.

プラズマ処理装置１０は、気密に構成された処理容器１を有している。処理容器１は、円筒状とされ、例えばアルミニウム等から構成されている。処理容器１は、ＧＮＤに接続され、電気的にグランド電位とされている。処理容器１の内部には、プラズマが生成される処理空間が形成される。処理容器１の内部には、ウェハＷを水平に支持する載置台２が設けられている。載置台２は、基材（ベース）３と、支持部材４と、静電チャック（ＥＳＣ:Electrostatic chuck）６と、を含んで構成されている。 The plasma processing apparatus 10 has an airtightly configured processing container 1. The processing container 1 has a cylindrical shape and is made of, for example, aluminum or the like. The processing container 1 is connected to the GND and is electrically set to the ground potential. A processing space in which plasma is generated is formed inside the processing container 1. Inside the processing container 1, a mounting table 2 for horizontally supporting the wafer W is provided. The mounting table 2 includes a base material (base) 3, a support member 4, and an electrostatic chuck (ESC) 6.

基材３は、導電性の金属、例えば表面に陽極酸化被膜が形成されたアルミニウム等で構成されており、下部電極としての機能を有する。基材３は、例えば石英、セラミック等の誘電体からなる絶縁性の支持部材４に支持されている。また、載置台２の上方の外周には、例えば単結晶シリコンで形成された環状のエッジリング５が設けられている。さらに、処理容器１の内部には、例えば石英、セラミック等の誘電体からなる円筒状の内壁部材７が処理容器１の底面から載置台２及び支持部材４の周囲を囲むように設けられている。 The base material 3 is made of a conductive metal, for example, aluminum having an anodized film formed on its surface, and has a function as a lower electrode. The base material 3 is supported by an insulating support member 4 made of a dielectric such as quartz or ceramic. Further, an annular edge ring 5 made of, for example, single crystal silicon is provided on the outer circumference above the mounting table 2. Further, inside the processing container 1, a cylindrical inner wall member 7 made of a dielectric such as quartz or ceramic is provided so as to surround the mounting table 2 and the support member 4 from the bottom surface of the processing container 1. ..

基材３には、第１の整合器１１ａを介して第１のＲＦ電源１０ａが接続されている。また、基材３には、第２の整合器１１ｂを介して第２のＲＦ電源１０ｂが接続されている。第１のＲＦ電源１０ａは、プラズマ発生用の高周波電力を発生する電源である。第１のＲＦ電源１０ａは、プラズマ処理の際、２７〜１００ＭＨｚの範囲の所定の周波数、一例においては４０ＭＨｚの周波数の高周波電力を載置台２の基材３に供給する。第２のＲＦ電源１０ｂは、イオン引き込み用（バイアス用）の高周波電力を発生する電源である。第２のＲＦ電源１０ｂは、プラズマ処理の際、第１のＲＦ電源１０ａより低い、４００ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの範囲の所定の周波数、一例においては３ＭＨｚの高周波電力を載置台２の基材３に供給する。このように、載置台２は、電圧印加可能に構成されている。一方、載置台２の上方には、載置台２と平行に対向するように、上部電極としての機能を有するシャワーヘッド１６が設けられている。シャワーヘッド１６と載置台２は、一対の電極（上部電極と下部電極）として機能する。 A first RF power source 10a is connected to the base material 3 via a first matching unit 11a. Further, a second RF power source 10b is connected to the base material 3 via a second matching unit 11b. The first RF power source 10a is a power source that generates high frequency power for plasma generation. The first RF power supply 10a supplies high frequency power in a predetermined frequency range of 27 to 100 MHz, for example, a frequency of 40 MHz, to the base material 3 of the mounting table 2 during plasma processing. The second RF power source 10b is a power source that generates high frequency power for ion attraction (for bias). During plasma processing, the second RF power source 10b applies a predetermined frequency in the range of 400 kHz to 13.56 MHz, which is lower than that of the first RF power source 10a, and in one example, a high frequency power of 3 MHz on the base material 3 of the mounting table 2. Supply. As described above, the mounting table 2 is configured so that a voltage can be applied. On the other hand, above the mounting table 2, a shower head 16 having a function as an upper electrode is provided so as to face the mounting table 2 in parallel. The shower head 16 and the mounting table 2 function as a pair of electrodes (upper electrode and lower electrode).

静電チャック６は、上面が平坦な円盤状に形成され、当該上面がウェハＷを載置する載置面６ｃとされている。静電チャック６は、平面視において基材３の中央部に設けられている。静電チャック６は、絶縁体６ｂの間に電極６ａを介在させて構成されている。電極６ａには、直流電源１２が接続されている。直流電源１２は、電極６ａに直流電圧を印加する。静電チャック６は、直流電源１２から電極６ａに直流電圧が印加されることによって発生するクーロン力によって、ウェハＷを吸着して保持する。 The upper surface of the electrostatic chuck 6 is formed in a flat disk shape, and the upper surface is a mounting surface 6c on which the wafer W is mounted. The electrostatic chuck 6 is provided at the center of the base material 3 in a plan view. The electrostatic chuck 6 is configured such that an electrode 6a is interposed between the insulators 6b. A DC power supply 12 is connected to the electrode 6a. The DC power supply 12 applies a DC voltage to the electrode 6a. The electrostatic chuck 6 attracts and holds the wafer W by the Coulomb force generated by applying a DC voltage from the DC power supply 12 to the electrode 6a.

載置台２は、冷媒流路３ａが内部に形成されている。冷媒流路３ａには、冷媒入口配管３ｂ、冷媒出口配管３ｃが接続されている。載置台２は、冷媒入口配管３ｂ、冷媒出口配管３ｃを介して、冷媒流路３ａの中に適宜の冷媒、例えば冷却水等を循環させることによって、所定の温度に制御可能に構成されている。なお、載置台２等を貫通するように、ウェハＷの裏面にヘリウムガス等の冷熱伝達用ガス（バックサイドガス）を供給するためのガス供給管が設けられてもよい。ガス供給管は、ガス供給源に接続されている。これらの構成によって、載置台２は、載置台２の上面に保持されたウェハＷを、所定の温度に制御可能に構成されている。 The mounting table 2 has a refrigerant flow path 3a formed inside. A refrigerant inlet pipe 3b and a refrigerant outlet pipe 3c are connected to the refrigerant flow path 3a. The mounting table 2 is configured to be controllable to a predetermined temperature by circulating an appropriate refrigerant such as cooling water in the refrigerant flow path 3a via the refrigerant inlet pipe 3b and the refrigerant outlet pipe 3c. .. A gas supply pipe for supplying a cold heat transfer gas (backside gas) such as helium gas may be provided on the back surface of the wafer W so as to penetrate the mounting table 2 and the like. The gas supply pipe is connected to the gas supply source. With these configurations, the mounting table 2 is configured so that the wafer W held on the upper surface of the mounting table 2 can be controlled to a predetermined temperature.

処理容器１は、載置台２に高周波電力を供給する配線などの各種の配線や冷媒入口配管３ｂ、冷媒出口配管３ｃなどの各種の部品を配置するため、下部に開口１ｂが形成され、大気環境と導通している。載置台２の下部には、大気雰囲気とされた大気圧空間９が設けられている。大気圧空間９は、例えば、載置台２の下面と内壁部材７の内側面と処理容器１の底面によって囲まれる空間である。載置台２および内壁部材７は、大気圧空間９の大気が処理容器１内の処理空間側に流入しないようシールなどの封止部材により封止されている。 The processing container 1 has an opening 1b formed at the bottom to arrange various wiring such as wiring for supplying high-frequency power to the mounting table 2 and various parts such as a refrigerant inlet pipe 3b and a refrigerant outlet pipe 3c. Is conducting. At the lower part of the mounting table 2, an atmospheric pressure space 9 having an atmospheric atmosphere is provided. The atmospheric pressure space 9 is, for example, a space surrounded by the lower surface of the mounting table 2, the inner surface of the inner wall member 7, and the bottom surface of the processing container 1. The mounting table 2 and the inner wall member 7 are sealed with a sealing member such as a seal so that the atmosphere of the atmospheric pressure space 9 does not flow into the processing space side in the processing container 1.

上記したシャワーヘッド１６は、処理容器１の天壁部分に設けられている。シャワーヘッド１６は、絶縁性部材９５を介して処理容器１の上部に支持される。シャワーヘッド１６は、本体部１６ａと、電極板をなす上部天板１６ｂとを備えている。本体部１６ａは、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなり、下部に上部天板１６ｂを着脱自在に支持できるように構成されている。 The shower head 16 described above is provided on the top wall portion of the processing container 1. The shower head 16 is supported on the upper part of the processing container 1 via the insulating member 95. The shower head 16 includes a main body portion 16a and an upper top plate 16b forming an electrode plate. The main body 16a is made of a conductive material, for example, aluminum whose surface has been anodized, and is configured so that the upper top plate 16b can be detachably supported at the lower portion.

本体部１６ａは、内部にガス拡散室１６ｃが設けられている。また、本体部１６ａは、ガス拡散室１６ｃの下部に位置する底部に、多数のガス通流孔１６ｄが形成されている。また、上部天板１６ｂは、当該上部天板１６ｂを厚さ方向に貫通するようにガス導入孔１６ｅが、上記したガス通流孔１６ｄと重なるように設けられている。このような構成により、ガス拡散室１６ｃに供給された処理ガスは、ガス通流孔１６ｄ及びガス導入孔１６ｅを介して処理容器１内にシャワー状に分散されて供給される。 The main body 16a is provided with a gas diffusion chamber 16c inside. Further, the main body portion 16a has a large number of gas passage holes 16d formed at the bottom portion located at the lower part of the gas diffusion chamber 16c. Further, the upper top plate 16b is provided so that the gas introduction hole 16e overlaps with the gas flow hole 16d described above so as to penetrate the upper top plate 16b in the thickness direction. With such a configuration, the processing gas supplied to the gas diffusion chamber 16c is dispersed and supplied in a shower shape in the processing container 1 through the gas flow hole 16d and the gas introduction hole 16e.

本体部１６ａには、ガス拡散室１６ｃへ処理ガスを導入するためのガス導入口１６ｇが形成されている。ガス導入口１６ｇには、ガス供給配管１５ａの一端が接続されている。ガス供給配管１５ａの他端には、処理ガスを供給する処理ガス供給源（ガス供給部）１５が接続される。ガス供給配管１５ａには、上流側から順にマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１５ｂ、及び開閉弁Ｖ２が設けられている。ガス拡散室１６ｃには、ガス供給配管１５ａを介して、処理ガス供給源１５からプラズマエッチングのための処理ガスが供給される。処理容器１内には、ガス拡散室１６ｃからガス通流孔１６ｄ及びガス導入孔１６ｅを介して、シャワー状に分散されて処理ガスが供給される。 The main body 16a is formed with a gas introduction port 16g for introducing the processing gas into the gas diffusion chamber 16c. One end of the gas supply pipe 15a is connected to the gas introduction port 16g. A processing gas supply source (gas supply unit) 15 for supplying processing gas is connected to the other end of the gas supply pipe 15a. The gas supply pipe 15a is provided with a mass flow controller (MFC) 15b and an on-off valve V2 in this order from the upstream side. The processing gas for plasma etching is supplied to the gas diffusion chamber 16c from the processing gas supply source 15 via the gas supply pipe 15a. In the processing container 1, the processing gas is dispersed in a shower shape from the gas diffusion chamber 16c through the gas flow hole 16d and the gas introduction hole 16e, and the processing gas is supplied.

シャワーヘッド１６には、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）７１を介して可変直流電源７２が電気的に接続されている。可変直流電源７２は、オン・オフスイッチ７３により給電のオン・オフが可能に構成されている。可変直流電源７２の電流・電圧ならびにオン・オフスイッチ７３のオン・オフは、後述する制御部１００によって制御される。なお、プラズマが発生する際には、必要に応じて制御部１００によりオン・オフスイッチ７３がオンとされ、上部電極としてのシャワーヘッド１６に所定の直流電圧が印加される。 A variable DC power supply 72 is electrically connected to the shower head 16 via a low-pass filter (LPF) 71. The variable DC power supply 72 is configured so that the power supply can be turned on / off by the on / off switch 73. The current / voltage of the variable DC power supply 72 and the on / off of the on / off switch 73 are controlled by the control unit 100 described later. When plasma is generated, the on / off switch 73 is turned on by the control unit 100 as needed, and a predetermined DC voltage is applied to the shower head 16 as the upper electrode.

処理容器１の側壁からシャワーヘッド１６の高さ位置よりも上方に延びるように円筒状の接地導体１ａが設けられている。円筒状の接地導体１ａは、上部に天壁を有している。 A cylindrical ground conductor 1a is provided so as to extend above the height position of the shower head 16 from the side wall of the processing container 1. The cylindrical ground conductor 1a has a top wall at the top.

処理容器１の底部には、排気口８１が形成されている。排気口８１には、排気管８２を介して排気装置８３が接続されている。排気装置８３は、真空ポンプを有しており、真空ポンプを作動させることにより処理容器１の内部を真空雰囲気に減圧することが可能とされている。排気装置８３は、処理容器１の内部を所定の真空度まで減圧する。一方、処理容器１内の側壁には、ウェハＷの搬入出口８４が設けられており、この搬入出口８４には、当該搬入出口８４を開閉するゲートバルブ８５が設けられている。 An exhaust port 81 is formed at the bottom of the processing container 1. An exhaust device 83 is connected to the exhaust port 81 via an exhaust pipe 82. The exhaust device 83 has a vacuum pump, and it is possible to reduce the pressure inside the processing container 1 to a vacuum atmosphere by operating the vacuum pump. The exhaust device 83 decompresses the inside of the processing container 1 to a predetermined degree of vacuum. On the other hand, a carry-in outlet 84 for the wafer W is provided on the side wall of the processing container 1, and the carry-in outlet 84 is provided with a gate valve 85 for opening and closing the carry-in outlet 84.

処理容器１の側部内側には、内壁面に沿ってデポシールド８６が設けられている。デポシールド８６は、処理容器１にエッチング副生成物（デポ）が付着することを防止する。デポシールド８６のウェハＷと略同じ高さ位置には、グランドに対する電位が制御可能に接続された導電性部材（ＧＮＤブロック）８９が設けられており、これにより異常放電が防止される。また、内壁部材７には、内壁部材７の側面に沿って延在するデポシールド８７が設けられている。デポシールド８６，８７は、着脱自在とされている。 A depot shield 86 is provided along the inner wall surface inside the side portion of the processing container 1. The depot shield 86 prevents the etching by-product (depot) from adhering to the processing container 1. At a position substantially the same height as the wafer W of the depot shield 86, a conductive member (GND block) 89 connected so that the potential with respect to the ground can be controlled is provided, whereby abnormal discharge is prevented. Further, the inner wall member 7 is provided with a depot shield 87 extending along the side surface of the inner wall member 7. The depot shields 86 and 87 are removable.

上記構成のプラズマ処理装置１０は、制御部１００によって、動作が統括的に制御される。制御部１００は、例えば、コンピュータであり、プラズマ処理装置１０の各部を制御する。 The operation of the plasma processing device 10 having the above configuration is collectively controlled by the control unit 100. The control unit 100 is, for example, a computer and controls each unit of the plasma processing device 10.

［載置台の構成］
図２は、実施形態に係る載置台２の要部構成の一例を示す概略断面図である。図２に示すように、載置台２は、基材３と、支持部材４と、静電チャック６とを含んでいる。 [Configuration of mounting table]
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of the main configuration of the mounting table 2 according to the embodiment. As shown in FIG. 2, the mounting table 2 includes a base material 3, a support member 4, and an electrostatic chuck 6.

静電チャック６は、円板状を呈し、基材３と同程度のサイズに形成されており、基材３と同軸となるように基材３の中央部に設けられている。静電チャック６は、外周部よりも中央部が上に若干突出している。静電チャック６の中央部は、ウェハＷよりも径が若干小さく形成されており、上面である載置面６ｃにウェハＷが配置される。ウェハＷは、載置面６ｃよりもエッジが外側と飛び出るように載置面６ｃに配置される。静電チャック６の外周部および内壁部材７の内周部は、同等の高さとなるように形成されており、上面がエッジリング５を載置する載置面６ｅとされている。載置台２は、ウェハＷの外周側の載置面６ｅにエッジリング５が配置される。エッジリング５は、例えば単結晶シリコンで形成され、プラズマの均一化を目的に配置される。エッジリング５は、内径が静電チャック６よりも小さく、外径が静電チャック６よりも大きく形成されており、内側が静電チャック６上となり、外側が内壁部材７上となるように配置される。 The electrostatic chuck 6 has a disk shape, is formed to have a size similar to that of the base material 3, and is provided at the center of the base material 3 so as to be coaxial with the base material 3. The central portion of the electrostatic chuck 6 protrudes slightly upward from the outer peripheral portion. The central portion of the electrostatic chuck 6 is formed to have a diameter slightly smaller than that of the wafer W, and the wafer W is arranged on the mounting surface 6c which is the upper surface. The wafer W is arranged on the mounting surface 6c so that the edge protrudes outward from the mounting surface 6c. The outer peripheral portion of the electrostatic chuck 6 and the inner peripheral portion of the inner wall member 7 are formed to have the same height, and the upper surface is a mounting surface 6e on which the edge ring 5 is mounted. In the mounting table 2, the edge ring 5 is arranged on the mounting surface 6e on the outer peripheral side of the wafer W. The edge ring 5 is formed of, for example, single crystal silicon and is arranged for the purpose of uniformizing the plasma. The edge ring 5 is formed so that the inner diameter is smaller than the electrostatic chuck 6 and the outer diameter is larger than the electrostatic chuck 6, and the inside is on the electrostatic chuck 6 and the outside is on the inner wall member 7. Will be done.

内壁部材７には、導電性の第１導電部１１０が設けられている。第１導電部１１０は、一端がエッジリング５に接続され、他端が大気圧雰囲気となるに配置されている。本実施形態では、内壁部材７に垂直方向に、エッジリング５が載置される上面に一端が到達し、他端が大気圧空間９に到達するように第１導電部１１０を設けている。第１導電部１１０は、エッジリング５の周方向の全周に設けられている。エッジリング５は、載置台２に載置されると、第１導電部１１０に接触して第１導電部１１０と電気的に導通する。なお、第１導電部１１０は、エッジリング５の周方向に一定の間隔ごとに設けてもよい。例えば、内壁部材７に、エッジリング５が載置される上面と大気圧空間９に到達する貫通孔を、エッジリング５の周方向に対して一定の角度（例えば、３０°）ごとに設ける。そして、それぞれの貫通孔に第１導電部１１０を配置してもよい。載置台２に載置されたエッジリング５は、各第１導電部１１０と接触して電気的に導通する。 The inner wall member 7 is provided with a conductive first conductive portion 110. One end of the first conductive portion 110 is connected to the edge ring 5, and the other end is arranged so as to have an atmospheric pressure atmosphere. In the present embodiment, the first conductive portion 110 is provided so that one end reaches the upper surface on which the edge ring 5 is placed and the other end reaches the atmospheric pressure space 9 in the direction perpendicular to the inner wall member 7. The first conductive portion 110 is provided on the entire circumference of the edge ring 5 in the circumferential direction. When the edge ring 5 is placed on the mounting table 2, it comes into contact with the first conductive portion 110 and electrically conducts with the first conductive portion 110. The first conductive portion 110 may be provided at regular intervals in the circumferential direction of the edge ring 5. For example, the inner wall member 7 is provided with an upper surface on which the edge ring 5 is placed and a through hole reaching the atmospheric pressure space 9 at a constant angle (for example, 30 °) with respect to the circumferential direction of the edge ring 5. Then, the first conductive portion 110 may be arranged in each through hole. The edge ring 5 mounted on the mounting table 2 comes into contact with each of the first conductive portions 110 and becomes electrically conductive.

載置台２には、第１導電部１１０の他端に対向して導電性の第２導電部１２０が設けられている。第２導電部１２０は、ＧＮＤに接続された処理容器１に接触しており、グランド電位とされている。なお、第２導電部１２０は、個別にＧＮＤに接続されて、電気的にグランド電位とされてもよい。 The mounting table 2 is provided with a conductive second conductive portion 120 facing the other end of the first conductive portion 110. The second conductive portion 120 is in contact with the processing container 1 connected to the GND and has a ground potential. The second conductive portion 120 may be individually connected to the GND and electrically set to the ground potential.

第１導電部１１０の他端と第２導電部１２０と間には、誘電体が配置されている。本実施形態では、内壁部材７の大気圧空間９の側面の第１導電部１１０の他端の配置位置から垂直方向に所定の距離の位置に、外周側へ凹んだ溝１２１を形成している。溝１２１は、内壁部材７の大気圧空間９の側面の周方向の全周に設けられている。第２導電部１２０は、少なくも上側が筒状とされ、上端に外周側へ突出したフランジ１２０ａが設けられている。第２導電部１２０は、フランジ１２０ａが溝１２１内となるように配置されている。これにより、第１導電部１１０の他端と第２導電部１２０と間には、誘電体で形成された内壁部材７の一部が配置される。 A dielectric is arranged between the other end of the first conductive portion 110 and the second conductive portion 120. In the present embodiment, a groove 121 recessed toward the outer peripheral side is formed at a position at a predetermined distance in the vertical direction from the arrangement position of the other end of the first conductive portion 110 on the side surface of the atmospheric pressure space 9 of the inner wall member 7. .. The grooves 121 are provided on the entire circumference of the inner wall member 7 on the side surface of the atmospheric pressure space 9 in the circumferential direction. The second conductive portion 120 has a tubular shape at least on the upper side, and is provided with a flange 120a protruding toward the outer peripheral side at the upper end. The second conductive portion 120 is arranged so that the flange 120a is inside the groove 121. As a result, a part of the inner wall member 7 formed of the dielectric is arranged between the other end of the first conductive portion 110 and the second conductive portion 120.

溝１２１は、垂直方向に対して、フランジ１２０ａの長さよりも長く形成されている。フランジ１２０ａは、垂直方向に溝１２１に沿って垂直方向に移動できる。これにより、第２導電部１２０は、フランジ１２０ａが溝１２１に沿って移動可能な範囲で、垂直方向に移動可能に構成されている。第２導電部１２０は、下部に、第２導電部１２０を垂直方向に移動する移動機構が設けられている。本実施形態では、第２導電部１２０の下部に、移動機構として、第２導電部１２０を昇降させる昇降機構１２２が設けられている。昇降機構１２２は、アクチュエータを内蔵し、アクチュエータの駆動力によりロッド１２２ａを伸縮させて第２導電部１２０を昇降させる。昇降機構１２２は、制御部１００からの制御により第２導電部１２０を昇降させる。なお、第２導電部１２０は、エッジリング５の内壁部材７の大気圧空間９の側面に周方向に一定の間隔ごとに設けてもよい。例えば、第１導電部１１０をエッジリング５の周方向に一定の間隔ごとに設けた場合、それぞれの第１導電部１１０の他端と対向するように第２導電部１２０および昇降機構１２２を設けてもよい。そして、各第２導電部１２０を各昇降機構１２２によって個別に昇降可能としてもよい。これにより、プラズマ処理装置１０は、エッジリング５の周方向に部分的にエッジリング５の電位を変化させることができ、エッジリング５の周方向に部分的にプラズマシースの高さが変化させることができる。 The groove 121 is formed longer than the length of the flange 120a in the vertical direction. The flange 120a can move vertically along the groove 121 in the vertical direction. As a result, the second conductive portion 120 is configured to be movable in the vertical direction within a range in which the flange 120a can be moved along the groove 121. The second conductive portion 120 is provided with a moving mechanism at the lower part for moving the second conductive portion 120 in the vertical direction. In the present embodiment, an elevating mechanism 122 for raising and lowering the second conductive portion 120 is provided as a moving mechanism below the second conductive portion 120. The elevating mechanism 122 incorporates an actuator, and the rod 122a is expanded and contracted by the driving force of the actuator to elevate and elevate the second conductive portion 120. The elevating mechanism 122 elevates and elevates the second conductive unit 120 under the control of the control unit 100. The second conductive portion 120 may be provided on the side surface of the atmospheric pressure space 9 of the inner wall member 7 of the edge ring 5 at regular intervals in the circumferential direction. For example, when the first conductive portions 110 are provided at regular intervals in the circumferential direction of the edge ring 5, the second conductive portion 120 and the elevating mechanism 122 are provided so as to face the other ends of the respective first conductive portions 110. You may. Then, each second conductive portion 120 may be individually raised and lowered by each raising and lowering mechanism 122. As a result, the plasma processing apparatus 10 can partially change the potential of the edge ring 5 in the circumferential direction of the edge ring 5, and partially change the height of the plasma sheath in the circumferential direction of the edge ring 5. Can be done.

プラズマ処理装置１０は、プラズマを生成する際、第１のＲＦ電源１０ａおよび第２のＲＦ電源１０ｂから載置台２に高周波電力が印加される。プラズマ処理装置１０は、第１導電部１１０および第２導電部１２０を設けたことにより、載置台２に印加された高周波電力の一部を第１導電部１１０および第２導電部１２０を介してＧＮＤに流すことができる。また、プラズマ処理装置１０は、昇降機構１２２により第２導電部１２０を昇降させて、第１導電部１１０と第２導電部１２０の距離を変えることで、ＧＮＤに流す高周波電力の電流量を変えることができる。 When the plasma processing apparatus 10 generates plasma, high-frequency power is applied to the mounting table 2 from the first RF power source 10a and the second RF power source 10b. Since the plasma processing apparatus 10 is provided with the first conductive portion 110 and the second conductive portion 120, a part of the high frequency power applied to the mounting table 2 is passed through the first conductive portion 110 and the second conductive portion 120. It can be sent to GND. Further, the plasma processing device 10 changes the amount of high-frequency electric current flowing through the GND by moving the second conductive portion 120 up and down by the elevating mechanism 122 and changing the distance between the first conductive portion 110 and the second conductive portion 120. be able to.

ところで、プラズマ処理装置１０は、プラズマ処理によりエッジリング５が消耗する。プラズマ処理装置１０は、エッジリング５が消耗すると、ウェハＷの外周付近上のプラズマシースの高さが変化して、ウェハＷのエッジ近辺のプラズマ処理の処理特性が変化する。 By the way, in the plasma processing apparatus 10, the edge ring 5 is consumed by the plasma processing. In the plasma processing apparatus 10, when the edge ring 5 is consumed, the height of the plasma sheath on the vicinity of the outer periphery of the wafer W changes, and the processing characteristics of the plasma processing near the edge of the wafer W change.

図３Ａ〜図３Ｃは、エッジリング５の消耗によるプラズマ処理の処理特性の変化の一例を示す図である。図３Ａは、エッジリング５が消耗していない初期状態の場合を示している。図３Ａの例では、エッジリング５が厚い状態のため、プラズマシース（Sheath）は、ウェハＷ上よりもエッジリング５上で高さが高くなり、ウェハＷの外周付近上で傾いた状態となっている。ウェハＷの外周付近では、プラスの電荷を有するイオンが、ウェハＷの内側から外側に向けた入射角でウェハＷに入射する。この場合、ウェハＷの外周付近では、ホールがウェハＷの垂直方向に対して内側に傾いて斜めにエッチングされるTiltingが発生する。 3A to 3C are diagrams showing an example of a change in processing characteristics of plasma processing due to wear of the edge ring 5. FIG. 3A shows the case where the edge ring 5 is not consumed in the initial state. In the example of FIG. 3A, since the edge ring 5 is thick, the height of the plasma sheath (Sheath) is higher on the edge ring 5 than on the wafer W, and the plasma sheath is tilted near the outer periphery of the wafer W. ing. In the vicinity of the outer periphery of the wafer W, positively charged ions are incident on the wafer W at an incident angle from the inside to the outside of the wafer W. In this case, near the outer periphery of the wafer W, tilting occurs in which the holes are inclined inward with respect to the vertical direction of the wafer W and etched diagonally.

図３Ｂは、エッジリング５が消耗した状態の場合を示している。図３Ｂの例では、エッジリング５の上面が消耗したことで、プラズマシース（Sheath）は、ウェハＷ上とエッジリング５上で高さが等しくなっている。ウェハＷの外周付近では、プラスの電荷を有するイオンが垂直にウェハＷに入射する。この場合、ウェハＷの外周付近では、ホールが垂直にエッチングされる。 FIG. 3B shows a case where the edge ring 5 is worn out. In the example of FIG. 3B, the height of the plasma sheath (Sheath) is equal on the wafer W and on the edge ring 5 due to the wear of the upper surface of the edge ring 5. In the vicinity of the outer circumference of the wafer W, positively charged ions are vertically incident on the wafer W. In this case, the holes are vertically etched near the outer periphery of the wafer W.

図３Ｃは、エッジリング５が図３Ｂの状態よりもさらに消耗した状態の場合を示している。図３Ｃの例では、エッジリング５の上面が消耗したことで、プラズマシース（Sheath）は、ウェハＷ上よりもエッジリング５上で高さが低くなり、ウェハＷの外周付近上で傾いた状態となっている。ウェハＷの外周付近上では、プラスの電荷を有するイオンが、ウェハＷの外側から内側に向けた入射角でウェハＷに入射する。この場合、ウェハＷの外周付近では、ホールがウェハＷの垂直方向に対して外側に傾いて斜めにエッチングされるTiltingが発生する。 FIG. 3C shows a case where the edge ring 5 is further consumed than the state of FIG. 3B. In the example of FIG. 3C, the height of the plasma sheath (Sheath) is lower on the edge ring 5 than on the wafer W due to the wear of the upper surface of the edge ring 5, and the plasma sheath is tilted near the outer periphery of the wafer W. It has become. On the vicinity of the outer periphery of the wafer W, positively charged ions are incident on the wafer W at an incident angle from the outside to the inside of the wafer W. In this case, near the outer periphery of the wafer W, tilting occurs in which the holes are inclined outward with respect to the vertical direction of the wafer W and etched diagonally.

そこで、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、エッジリング５の消耗に応じて、第１導電部１１０および第２導電部１２０を介してＧＮＤに流す高周波電力の電流量を変える。 Therefore, the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment changes the amount of high-frequency electric current flowing through the GND via the first conductive portion 110 and the second conductive portion 120 according to the wear of the edge ring 5.

図４Ａ〜図４Ｃは、実施形態に係るプラズマ処理装置１０によるエッジリング５の消耗によるプラズマ処理の処理特性の変化の一例を示す図である。図４Ａは、エッジリング５が消耗していない初期状態の場合を示している。図４Ａの例では、昇降機構１２２により第２導電部１２０を上昇させて、第１導電部１１０と第２導電部１２０の距離を近い状態としている。図４Ａの例では、エッジリング５が初期状態の場合に、プラズマシースは、ウェハＷ上とエッジリング５上で高さが等しくなっている。この場合、ウェハＷの外周付近では、ホールが垂直にエッチングされる。 4A to 4C are diagrams showing an example of a change in processing characteristics of plasma processing due to wear of the edge ring 5 by the plasma processing device 10 according to the embodiment. FIG. 4A shows the case where the edge ring 5 is not consumed in the initial state. In the example of FIG. 4A, the second conductive portion 120 is raised by the elevating mechanism 122 so that the distance between the first conductive portion 110 and the second conductive portion 120 is close to each other. In the example of FIG. 4A, when the edge ring 5 is in the initial state, the heights of the plasma sheaths are equal on the wafer W and on the edge ring 5. In this case, the holes are vertically etched near the outer periphery of the wafer W.

図４Ｂは、エッジリング５が消耗した状態の場合を示している。図４Ｂの例では、エッジリング５の上面が消耗したことで、プラズマシースは、ウェハＷ上よりもエッジリング５上で高さが低くなり、ウェハＷの外周付近上で傾いた状態となっている。この場合、ウェハＷの外周付近では、ホールがウェハＷの垂直方向に対して外側に傾いて斜めにエッチングされるTiltingが発生する。 FIG. 4B shows a case where the edge ring 5 is worn out. In the example of FIG. 4B, the height of the plasma sheath is lower on the edge ring 5 than on the wafer W due to the wear of the upper surface of the edge ring 5, and the plasma sheath is tilted near the outer periphery of the wafer W. There is. In this case, near the outer periphery of the wafer W, tilting occurs in which the holes are inclined outward with respect to the vertical direction of the wafer W and etched diagonally.

制御部１００は、エッジリング５の消耗に応じて、昇降機構１２２により第２導電部１２０を下降せて、第１導電部１１０と第２導電部１２０の距離を大きくする。第２導電部１２０を下降させる指示は、管理者等が制御部１００に手動で入力してもよい。例えば、プラズマ処理装置１０によりプラズマ処理が実施されたウェハＷの外周付近を検査してTiltingが発生している場合、管理者等がTiltingの度合いに応じた下降量を制御部１００に入力してもよい。また、エッジリング５は、プラズマ処理の処理時間に応じて消耗する。そこで、例えば、プラズマ処理の処理時間ごとに、エッジリング５を消耗量に応じた第２導電部１２０の適切な下降量を実験等で求めて、補正情報として、制御部１００に記憶させる。制御部１００は、エッジリング５を新品に交換した時点からのプラズマ処理の累計の処理時間を計測する。そして、制御部１００は、累計の処理時間に対応した第２導電部１２０の下降量を補正情報から求め、昇降機構１２２により第２導電部１２０を、求めた下降量だけ下降させてもよい。また、エッジリング５の消耗量を別なセンサ等の計測手段で計測し、制御部１００は、計測された消耗量に応じて昇降機構１２２により第２導電部１２０を下降せてもよい。 The control unit 100 lowers the second conductive portion 120 by the elevating mechanism 122 according to the wear of the edge ring 5, and increases the distance between the first conductive portion 110 and the second conductive portion 120. An instruction for lowering the second conductive unit 120 may be manually input to the control unit 100 by an administrator or the like. For example, when Tilting is generated by inspecting the vicinity of the outer periphery of the wafer W subjected to plasma processing by the plasma processing device 10, the administrator or the like inputs the amount of descent according to the degree of Tilting to the control unit 100. May be good. Further, the edge ring 5 is consumed according to the processing time of the plasma processing. Therefore, for example, for each processing time of the plasma processing, an appropriate amount of lowering of the second conductive portion 120 according to the amount of consumption of the edge ring 5 is obtained by an experiment or the like, and is stored in the control unit 100 as correction information. The control unit 100 measures the cumulative processing time of the plasma processing from the time when the edge ring 5 is replaced with a new one. Then, the control unit 100 may obtain the lowering amount of the second conductive unit 120 corresponding to the cumulative processing time from the correction information, and lower the second conductive unit 120 by the obtained lowering amount by the elevating mechanism 122. Further, the consumption amount of the edge ring 5 may be measured by another measuring means such as a sensor, and the control unit 100 may lower the second conductive unit 120 by the elevating mechanism 122 according to the measured consumption amount.

図４Ｃは、第２導電部１２０を下降せて、第１導電部１１０と第２導電部１２０の距離を大きくした状態の場合を示している。第１導電部１１０と第２導電部１２０の距離を大きくすることにより、第１導電部１１０および第２導電部１２０を介してＧＮＤに流す高周波電力の電流量が減少し、エッジリング５の電位が上昇する。これにより、エッジリング５上のプラズマシースが上昇し、プラズマシースの高さを、ウェハＷ上とエッジリング５上で等しく補正できる。これにより、ウェハＷの外周付近では、ホールが垂直にエッチングされる。このように、プラズマ処理装置１０は、エッジリング５の消耗した場合でも、ウェハＷの外周付近のホールが垂直にエッチングされるよう補正できる。 FIG. 4C shows a case where the second conductive portion 120 is lowered to increase the distance between the first conductive portion 110 and the second conductive portion 120. By increasing the distance between the first conductive portion 110 and the second conductive portion 120, the amount of high-frequency power flowing through the GND through the first conductive portion 110 and the second conductive portion 120 is reduced, and the potential of the edge ring 5 is reduced. Rise. As a result, the plasma sheath on the edge ring 5 rises, and the height of the plasma sheath can be corrected equally on the wafer W and the edge ring 5. As a result, the holes are vertically etched near the outer periphery of the wafer W. In this way, the plasma processing apparatus 10 can correct the holes near the outer periphery of the wafer W to be vertically etched even when the edge ring 5 is worn out.

また、プラズマ処理装置１０は、第１導電部１１０の他端と第２導電部１２０を大気圧空間９に配置したことにより、第１導電部１１０の他端と第２導電部１２０の間でのリーク放電などの異常放電の発生を抑制できる。また、プラズマ処理装置１０は、第１導電部１１０の他端と第２導電部１２０の間に誘電体である内壁部材７の一部を配置したことにより、第１導電部１１０の他端と第２導電部１２０の間でのリーク放電などの異常放電の発生をより抑制できる。 Further, in the plasma processing device 10, the other end of the first conductive portion 110 and the second conductive portion 120 are arranged in the atmospheric pressure space 9, so that the other end of the first conductive portion 110 and the second conductive portion 120 are separated from each other. It is possible to suppress the occurrence of abnormal discharge such as leak discharge. Further, the plasma processing device 10 is provided with the other end of the first conductive portion 110 by arranging a part of the inner wall member 7 which is a dielectric between the other end of the first conductive portion 110 and the second conductive portion 120. The occurrence of abnormal discharge such as leak discharge between the second conductive portions 120 can be further suppressed.

図５は、実施形態に係るプラズマ処理装置１０の載置台２付近の電気的な特性を説明する図である。図５には、載置台２付近の電気的な特性を示した等価回路が示されている。第１のＲＦ電源１０ａおよび第２のＲＦ電源１０ｂをまとめてＲＦ電源１０ｃとして示している。プラズマとウェハＷとの間の静電容量をＣ１とする。プラズマとエッジリング５との間の静電容量をＣ２とする。ウェハＷと静電チャック６との間の静電容量をＣ３とする。エッジリング５と静電チャック６との間の静電容量をＣ４とする。第１導電部１１０と第２導電部１２０との静電容量をＣ５とする。 FIG. 5 is a diagram for explaining the electrical characteristics in the vicinity of the mounting table 2 of the plasma processing device 10 according to the embodiment. FIG. 5 shows an equivalent circuit showing the electrical characteristics near the mounting table 2. The first RF power source 10a and the second RF power source 10b are collectively shown as an RF power source 10c. Let C1 be the capacitance between the plasma and the wafer W. Let C2 be the capacitance between the plasma and the edge ring 5. Let C3 be the capacitance between the wafer W and the electrostatic chuck 6. Let C4 be the capacitance between the edge ring 5 and the electrostatic chuck 6. Let C5 be the capacitance of the first conductive portion 110 and the second conductive portion 120.

第１導電部１１０と第２導電部１２０とのとの距離が離れるほど、静電容量Ｃ５は小さくなる。静電容量Ｃ５を通るルートは、静電容量Ｃ５が小さくなるほど、インピーダンスが増加して電流が流れ難くなる。この結果、エッジリング５の電位が上昇する。これによって、エッジリング５上のプラズマシースの高さを変えることができる。 The larger the distance between the first conductive portion 110 and the second conductive portion 120, the smaller the capacitance C5. In the route passing through the capacitance C5, as the capacitance C5 becomes smaller, the impedance increases and it becomes difficult for current to flow. As a result, the potential of the edge ring 5 rises. Thereby, the height of the plasma sheath on the edge ring 5 can be changed.

以上のように、実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、処理容器１と、載置台２と、エッジリング５（リング部材）と、第１導電部１１０と、第２導電部１２０と、昇降機構１２２（変更部）とを有する。処理容器１は、内部が真空雰囲気に減圧される。載置台２は、処理容器１の内部に配置され、処理対象のウェハＷ（基板）が上面に載置され、プラズマを生成する高周波電力が印加される。エッジリング５は、載置台２のウェハＷの外周に配置される。第１導電部１１０は、導電性とされ、エッジリング５に一端が接続され、他端が大気圧雰囲気に配置される。第２導電部１２０は、導電性かつグランド電位とされ、第１導電部１１０の他端に対向して配置される。昇降機構１２２は、第１導電部１１０の他端と第２導電部１２０との距離を変更する。これにより、プラズマ処理装置１０は、エッジリング５の消耗によるプラズマ処理の処理特性の変化を抑制できる。また、プラズマ処理装置１０は、第１導電部１１０の他端と第２導電部１２０を大気圧雰囲気において対向させることで、第１導電部１１０の他端と第２導電部１２０の間での異常放電の発生を抑制できる。 As described above, the plasma processing apparatus 10 according to the embodiment includes the processing container 1, the mounting table 2, the edge ring 5 (ring member), the first conductive portion 110, the second conductive portion 120, and the elevating mechanism. It has 122 (change part). The inside of the processing container 1 is depressurized to a vacuum atmosphere. The mounting table 2 is arranged inside the processing container 1, the wafer W (board) to be processed is placed on the upper surface, and high-frequency power for generating plasma is applied. The edge ring 5 is arranged on the outer periphery of the wafer W of the mounting table 2. The first conductive portion 110 is made conductive, one end is connected to the edge ring 5, and the other end is arranged in an atmospheric pressure atmosphere. The second conductive portion 120 is conductive and has a ground potential, and is arranged so as to face the other end of the first conductive portion 110. The elevating mechanism 122 changes the distance between the other end of the first conductive portion 110 and the second conductive portion 120. As a result, the plasma processing apparatus 10 can suppress changes in the processing characteristics of the plasma processing due to wear of the edge ring 5. Further, in the plasma processing device 10, the other end of the first conductive portion 110 and the second conductive portion 120 are opposed to each other in an atmospheric pressure atmosphere, so that the other end of the first conductive portion 110 and the second conductive portion 120 are opposed to each other. The occurrence of abnormal discharge can be suppressed.

また、昇降機構１２２は、エッジリング５の消耗に応じて、第１導電部１１０の他端と第２導電部１２０との距離を離すように変更する。これにより、プラズマ処理装置１０は、エッジリング５の電位が上昇させることができ、エッジリング５上のプラズマシースの高さを変えることができる。 Further, the elevating mechanism 122 is changed so that the other end of the first conductive portion 110 and the second conductive portion 120 are separated from each other according to the wear of the edge ring 5. As a result, the plasma processing apparatus 10 can raise the potential of the edge ring 5 and can change the height of the plasma sheath on the edge ring 5.

また、第１導電部１１０は、エッジリング５の全周または周方向に一定の間隔ごとに設けられている。これにより、プラズマ処理装置１０は、エッジリング５の全周でエッジリング５の電位を均等に上昇させることができる。 Further, the first conductive portion 110 is provided at regular intervals in the entire circumference or the circumferential direction of the edge ring 5. As a result, the plasma processing apparatus 10 can evenly raise the potential of the edge ring 5 over the entire circumference of the edge ring 5.

また、プラズマ処理装置１０は、第１導電部１１０の他端と第２導電部１２０と間に誘電体（内壁部材７）が配置している。これにより、プラズマ処理装置１０は、第１導電部１１０の他端と第２導電部１２０の間での異常放電の発生をより抑制できる。 Further, in the plasma processing device 10, a dielectric (inner wall member 7) is arranged between the other end of the first conductive portion 110 and the second conductive portion 120. As a result, the plasma processing device 10 can further suppress the occurrence of abnormal discharge between the other end of the first conductive portion 110 and the second conductive portion 120.

以上、実施形態について説明してきたが、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は、多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 Although the embodiments have been described above, it should be considered that the embodiments disclosed this time are exemplary in all respects and not restrictive. Indeed, the above embodiments can be embodied in a variety of forms. Moreover, the above-described embodiment may be omitted, replaced or changed in various forms without departing from the scope of claims and the gist thereof.

例えば、プラズマ処理装置１０は、誘導結合型のプラズマ処理装置１０、マイクロ波といった表面波によってガスを励起させるプラズマ処理装置１０のように、任意のタイプのプラズマ処理装置１０であってもよい。 For example, the plasma processing device 10 may be any type of plasma processing device 10, such as an inductively coupled plasma processing device 10 or a plasma processing device 10 that excites a gas by a surface wave such as a microwave.

また、実施形態では、第２導電部１２０を昇降させることで、第１導電部１１０の他端と第２導電部１２０との距離を変更する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。図６は、実施形態に係る載置台の要部構成の他の一例を示す概略断面図である。プラズマ処理装置１０は、第２導電部１２０を水平方向から第１導電部１１０の他端に対向させ、第２導電部１２０を水平方向に移動させることで、第１導電部１１０の他端と第２導電部１２０との距離を変更してもよい。 Further, in the embodiment, the case where the distance between the other end of the first conductive portion 110 and the second conductive portion 120 is changed by raising and lowering the second conductive portion 120 has been described as an example, but the present invention is limited to this. It's not a thing. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing another example of the main part configuration of the mounting table according to the embodiment. The plasma processing device 10 makes the second conductive portion 120 face the other end of the first conductive portion 110 from the horizontal direction, and moves the second conductive portion 120 in the horizontal direction to the other end of the first conductive portion 110. The distance from the second conductive portion 120 may be changed.

また、実施形態では、基板を半導体ウェハとした場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。半導体ウェハはシリコンであっても、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＮなどの化合物半導体でもよい。さらに、基板は、半導体ウェハに限定されず、液晶表示装置等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）に用いるガラス基板や、セラミック基板等にも適用することができる。 Further, in the embodiment, the case where the substrate is a semiconductor wafer has been described as an example, but the present invention is not limited to this. The semiconductor wafer may be silicon or a compound semiconductor such as GaAs, SiC, or GaN. Further, the substrate is not limited to a semiconductor wafer, and can be applied to a glass substrate used for an FPD (flat panel display) such as a liquid crystal display device, a ceramic substrate, and the like.

１処理容器
２載置台
５エッジリング
７内壁部材
１０プラズマ処理装置
１１０第１導電部
１２０第２導電部
１２２昇降機構
Ｗウェハ 1 Processing container 2 Mounting table 5 Edge ring 7 Inner wall member 10 Plasma processing device 110 1st conductive part 120 2nd conductive part 122 Elevating mechanism W wafer

Claims

A processing container whose inside is decompressed to a vacuum atmosphere,
A mounting table that is placed inside the processing container, the substrate to be treated is placed on the upper surface, and high-frequency power that generates plasma is applied.
A ring member arranged on the outer periphery of the substrate of the above-mentioned stand and
A first conductive portion that is conductive, one end connected to the ring member, and the other end arranged in an atmospheric pressure atmosphere.
A second conductive portion that is conductive and has a ground potential and is arranged so as to face the other end of the first conductive portion.
A changing portion that changes the distance between the other end of the first conductive portion and the second conductive portion,
Plasma processing equipment with.

The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the changed portion is changed so that the other end of the first conductive portion and the second conductive portion are separated from each other according to the wear of the ring member.

The plasma processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the first conductive portion is provided at regular intervals in the entire circumference or the circumferential direction of the ring member.

The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein a dielectric is arranged between the other end of the first conductive portion and the second conductive portion.