JP2021021931A - Display device - Google Patents

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JP2021021931A JP2020066024A JP2020066024A JP2021021931A JP 2021021931 A JP2021021931 A JP 2021021931A JP 2020066024 A JP2020066024 A JP 2020066024A JP 2020066024 A JP2020066024 A JP 2020066024A JP 2021021931 A JP2021021931 A JP 2021021931A
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田中　淳
Atsushi Tanaka
淳 田中
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Tianma Microelectronics Co Ltd
Tianma Japan Ltd
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Tianma Microelectronics Co Ltd
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Abstract

To provide a display device which has a transmission region for transmitting external light so as to be able to suppress entrance of the external light into a thin film transistor.SOLUTION: A display device includes: a translucent base plate 110 having a plurality of pixels 122 arrayed each of which has a transmission region 124 for transmitting external light and a light emission region 126 having a light emitter E1 arranged; a first light shielding layer 161 which is provided in the light emission region 126 and which shields the external light; a thin film transistor 153 which is provided on the first light shielding layer 161 and which controls light emission of the light emitters E1; a first insulation layer 163 which covers an active layer 150a of the thin film transistor 153; a second light shielding layer 165 which is provided on the first insulation layer 163 so as to cover the thin film transistor 153 and which shields the external light; and a first light shielding wall 167 which is connected to the first light shielding layer 161 and the second light shielding layer 165 and which shields the external light.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本開示は、自発光型表示装置に関する。 The present disclosure relates to a self-luminous display device.

画像を表示すると共に、表示装置の背後が透けて見える透明ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：有機発光ダイオード）表示装置が知られている。例えば、特許文献１は、画素を配置される発光領域と外光を透過する透明領域とを備えるＯＬＥＤ表示装置を開示している。特許文献１の透明領域は、外光を透過させるための開口部を有している。 A transparent OLED (Organic Light Emitting Diode) display device is known that displays an image and allows the back of the display device to be seen through. For example, Patent Document 1 discloses an OLED display device including a light emitting region in which pixels are arranged and a transparent region in which external light is transmitted. The transparent region of Patent Document 1 has an opening for transmitting external light.

特許文献１のＯＬＥＤ表示装置は、金属配線が外光を反射することにより生じる画像のぼけを抑制するために、不透明な第２絶縁層と不透明な画素定義層とを備えている。不透明な第２絶縁層と不透明な画素定義層は、ＯＬＥＤ表示装置の正面側から発光領域に入射する外光を遮る。 The OLED display device of Patent Document 1 includes an opaque second insulating layer and an opaque pixel definition layer in order to suppress image blurring caused by reflection of external light by metal wiring. The opaque second insulating layer and the opaque pixel definition layer block external light incident on the light emitting region from the front side of the OLED display device.

米国特許出願公開第２０１６／０１８１３３３号明細書U.S. Patent Application Publication No. 2016/0181333

特許文献１の第２絶縁層と画素定義層は、ＯＬＥＤ表示装置の背面側から発光領域に入射する外光を遮れない。背面側から発光領域に入射した外光は、画素を駆動するＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）のしきい値電圧のシフトを引き起こす。さらに、特許文献１のＯＬＥＤ表示装置では、正面側から開口部を通って入射した外光がＴＦＴに入射することを防ぐために、開口部とＴＦＴとの間隔を広くしなければならない。開口部とＴＦＴとの間隔を広くすると、ＯＬＥＤ表示装置の高精細化が困難になる。 The second insulating layer and the pixel definition layer of Patent Document 1 do not block the external light incident on the light emitting region from the back side of the OLED display device. The external light incident on the light emitting region from the back side causes a shift in the threshold voltage of the TFT (Thin Film Transistor) that drives the pixels. Further, in the OLED display device of Patent Document 1, the distance between the opening and the TFT must be widened in order to prevent the external light incident from the front side through the opening from entering the TFT. If the distance between the opening and the TFT is widened, it becomes difficult to improve the definition of the OLED display device.

本開示は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、外光を透過する透過領域を有し、薄膜トランジスタへの外光の入射を抑制できる表示装置を提供することを目的とする。 The present disclosure has been made in view of the above circumstances, and an object of the present disclosure is to provide a display device having a transmission region through which external light is transmitted and capable of suppressing the incident of external light on the thin film transistor.

上記目的を達成するため、本開示の表示装置は、
外光を透過する透過領域と発光素子が配置される発光領域とを有する、複数の画素が配列された透光性基板と、
前記発光領域に配置され、前記外光を遮光する第１遮光層と、
前記第１遮光層の上に配置され、前記発光素子の発光を制御する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの活性層を覆う第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に配置されて前記薄膜トランジスタを覆い、前記外光を遮光する第２遮光層と、
前記第１遮光層と前記第２遮光層とに接続し、前記外光を遮光する第１遮光壁と、を備える。 In order to achieve the above object, the display device of the present disclosure is
A translucent substrate in which a plurality of pixels are arranged, which has a transmissive region for transmitting external light and a light emitting region in which a light emitting element is arranged,
A first light-shielding layer arranged in the light-emitting region and blocking external light,
A thin film transistor arranged on the first light-shielding layer and controlling light emission of the light emitting element,
The first insulating layer covering the active layer of the thin film transistor and
A second light-shielding layer arranged on the first insulating layer to cover the thin film transistor and shield the outside light.
A first light-shielding wall that connects to the first light-shielding layer and the second light-shielding layer to block external light is provided.

本開示によれば、薄膜トランジスタへの外光の入射を抑制できる。 According to the present disclosure, it is possible to suppress the incident of external light on the thin film transistor.

実施形態１に係る表示装置を示す平面図である。It is a top view which shows the display device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施形態１に係る表示領域を示す平面図である。It is a top view which shows the display area which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施形態１に係る画素回路を示す図である。It is a figure which shows the pixel circuit which concerns on Embodiment 1. FIG. 図２に示す表示領域をＡ−Ａ線で矢視した断面図である。It is sectional drawing which saw the display area shown in FIG. 2 by the arrow AA. 実施形態１に係る画素回路の構成を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the structure of the pixel circuit which concerns on Embodiment 1. FIG. 図２に示す表示領域をＢ−Ｂ線で矢視した断面図である。It is sectional drawing which saw the display area shown in FIG. 2 by arrow BB. 実施形態２に係る表示領域を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the display area which concerns on Embodiment 2. 実施形態３に係る第２遮光壁を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 2nd light-shielding wall which concerns on Embodiment 3. 実施形態４に係る表示領域を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the display area which concerns on Embodiment 4. FIG. 実施形態５に係る表示領域を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the display area which concerns on Embodiment 5. 実施形態５に係る表示領域を示す平面図である。It is a top view which shows the display area which concerns on Embodiment 5. 実施形態５に係る表示領域を示す平面図である。It is a top view which shows the display area which concerns on Embodiment 5. 実施形態５に係る第２遮光層と供給配線と第２絶縁層と定義層とを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 2nd light-shielding layer, supply wiring, 2nd insulating layer, and definition layer which concerns on Embodiment 5. 実施形態６に係るＴＦＴ基板を示す平面図である。It is a top view which shows the TFT substrate which concerns on Embodiment 6. 図１４に示すＴＦＴ基板をＥ−Ｅ線で矢視した断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line EE of the TFT substrate shown in FIG. 変形例に係る表示領域を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the display area which concerns on the modification. 変形例に係る第２遮光壁を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 2nd light-shielding wall which concerns on a modification. 変形例に係る表示領域を示す平面図である。It is a top view which shows the display area which concerns on a modification.

以下、実施形態に係る表示装置について、図面を参照して説明する。 Hereinafter, the display device according to the embodiment will be described with reference to the drawings.

＜実施形態１＞
図１〜図６を参照して、本実施形態に係る表示装置１０を説明する。表示装置１０は、例えば、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）により駆動されるＯＬＥＤ（Ｏｒａｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：有機発光ダイオード）表示装置である。表示装置１０は、画像を表示すると共に、観察者が表示装置１０の背後を認識できる表示装置である。 <Embodiment 1>
The display device 10 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 6. The display device 10 is, for example, an OLED (Organic Light Emitting Diode) display device driven by a TFT (Thin Film Transistor). The display device 10 is a display device that displays an image and allows an observer to recognize the back of the display device 10.

（表示装置）
まず、表示装置１０の全体的な構成を説明する。表示装置１０は、図１に示すように、ＴＦＴ基板１００とドライバＩＣ３００と封止基板４００とを備える。ＴＦＴ基板１００は、透光性基板１１０とドライバ回路２００とを有する。本明細書では、理解を容易にするため、図１における表示装置１０の短手右方向（紙面の右方向）を＋Ｘ方向、上方向（紙面の上方向）を＋Ｙ方向、＋Ｘ方向と＋Ｙ方向に垂直な方向（紙面の手前方向）を＋Ｚ方向として説明する。 (Display device)
First, the overall configuration of the display device 10 will be described. As shown in FIG. 1, the display device 10 includes a TFT substrate 100, a driver IC 300, and a sealing substrate 400. The TFT substrate 100 has a translucent substrate 110 and a driver circuit 200. In the present specification, in order to facilitate understanding, the short right direction (right direction of the paper surface) of the display device 10 in FIG. 1 is the + X direction, the upward direction (upward direction of the paper surface) is the + Y direction, and the + X direction and the + Y direction. The direction perpendicular to (the direction toward the front of the paper) will be described as the + Z direction.

ＴＦＴ基板１００の透光性基板１１０は表示領域１２０を有する。ＴＦＴ基板１００のドライバ回路２００は透光性基板１１０の表示領域１２０を囲む位置に設けられる。 The translucent substrate 110 of the TFT substrate 100 has a display area 120. The driver circuit 200 of the TFT substrate 100 is provided at a position surrounding the display area 120 of the translucent substrate 110.

ＴＦＴ基板１００の透光性基板１１０は、例えばガラス基板である。後述する複数の画素１２２Ｒ、１２２Ｂ、１２２Ｇが、透光性基板１１０の表示領域１２０に配列される。以下では、画素１２２Ｒ、１２２Ｂ、１２２Ｇを総称する場合には画素１２２と記載する。 The translucent substrate 110 of the TFT substrate 100 is, for example, a glass substrate. A plurality of pixels 122R, 122B, and 122G, which will be described later, are arranged in the display area 120 of the translucent substrate 110. In the following, when the pixels 122R, 122B, and 122G are generically referred to as the pixels 122.

図２に示すように、画素１２２は透過領域１２４と発光領域１２６とを有する。透過領域１２４は外光を透過する。ここで、外光とは、太陽光と照明光とを含む、表示装置１０の周囲から表示装置１０に入射する光を意味する。発光領域１２６には、後述する、発光素子Ｅ１、発光素子Ｅ１の発光を制御する画素回路１４０等が設けられる。本実施形態では、発光素子Ｅ１は有機発光ダイオードである。
画素１２２Ｒの発光素子Ｅ１は赤色光を発光し、画素１２２Ｂの発光素子Ｅ１は青色光を発光する。画素１２２Ｇの発光素子Ｅ１は緑色光を発光する。画素１２２Ｒと画素１２２Ｂと画素１２２Ｇは＋Ｘ方向に並んで１つの主画素１２８を構成する。主画素１２８はマトリクス状に配列される。また、画素１２２Ｒと画素１２２Ｂと画素１２２Ｇのそれぞれは、±Ｙ方向に一列に配列される。表示領域１２０と画素１２２の詳細な構成については後述する。なお、図２では、理解を容易にするため、後述する発光素子Ｅ１のカソード電極１４７を省略している。 As shown in FIG. 2, the pixel 122 has a transmission region 124 and a light emitting region 126. The transmission region 124 transmits external light. Here, the external light means light incident on the display device 10 from the periphery of the display device 10, including sunlight and illumination light. The light emitting region 126 is provided with a light emitting element E1 and a pixel circuit 140 for controlling light emission of the light emitting element E1, which will be described later. In this embodiment, the light emitting element E1 is an organic light emitting diode.
The light emitting element E1 of the pixel 122R emits red light, and the light emitting element E1 of the pixel 122B emits blue light. The light emitting element E1 of pixel 122G emits green light. The pixel 122R, the pixel 122B, and the pixel 122G are arranged in the + X direction to form one main pixel 128. The main pixels 128 are arranged in a matrix. Further, the pixels 122R, the pixels 122B, and the pixels 122G are each arranged in a row in the ± Y direction. The detailed configuration of the display area 120 and the pixels 122 will be described later. In FIG. 2, the cathode electrode 147 of the light emitting element E1, which will be described later, is omitted for ease of understanding.

図１に戻り、ＴＦＴ基板１００のドライバ回路２００は、後述する、ゲート線１３１、１３３と供給配線１３５、１３６、１３７とを介して、画素１２２の発光領域１２６に設けられる画素回路１４０を駆動する。ゲート線１３１、１３３と供給配線１３５、１３６、１３７は、透光性基板１１０の上に配置されている。 Returning to FIG. 1, the driver circuit 200 of the TFT substrate 100 drives the pixel circuit 140 provided in the light emitting region 126 of the pixel 122 via the gate wire 131, 133 and the supply wiring 135, 136, 137, which will be described later. .. The gate wires 131, 133 and the supply wirings 135, 136, 137 are arranged on the translucent substrate 110.

ドライバＩＣ３００は、ＴＦＴ基板１００の透光性基板１１０に設けられる。ドライバＩＣ３００は、ドライバ回路２００に電力、タイミング信号等を供給する。ドライバＩＣ３００は、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）３１０を介して外部回路に接続している。 The driver IC 300 is provided on the translucent substrate 110 of the TFT substrate 100. The driver IC 300 supplies electric power, timing signals, and the like to the driver circuit 200. The driver IC 300 is connected to an external circuit via an FPC (Flexible Printed Circuit) 310.

封止基板４００は透光性基板である。封止基板４００は、ガラスフリットによりＴＦＴ基板１００に接合されて、ＴＦＴ基板１００の表示領域１２０を密封する。封止基板４００とＴＦＴ基板１００との間には、例えば、乾燥空気が封入されている。 The sealing substrate 400 is a translucent substrate. The sealing substrate 400 is joined to the TFT substrate 100 by a glass frit to seal the display area 120 of the TFT substrate 100. For example, dry air is sealed between the sealing substrate 400 and the TFT substrate 100.

（画素回路の構成）
次に、図３を参照して、画素１２２の発光領域１２６に設けられる画素回路１４０を説明する。画素回路１４０は、画素１２２の発光領域１２６に設けられる発光素子Ｅ１の発光を制御する。画素回路１４０は、図３に示すように、ゲート線１３１、１３３と供給配線１３５、１３６、１３７とを介してドライバ回路２００に接続される。本明細書では、供給配線とは、薄膜トランジスタのソース又はドレインに接続する配線を指す。本実施形態では、供給配線１３５はデータ線（Ｖｄａｔａ）として機能し、供給配線１３６は電源線（Ｖｄｄ）として機能する。供給配線１３７は基準電圧供給線（Ｖｒｅｆ）として機能する。 (Pixel circuit configuration)
Next, the pixel circuit 140 provided in the light emitting region 126 of the pixel 122 will be described with reference to FIG. The pixel circuit 140 controls the light emission of the light emitting element E1 provided in the light emitting region 126 of the pixel 122. As shown in FIG. 3, the pixel circuit 140 is connected to the driver circuit 200 via the gate lines 131, 133 and the supply wirings 135, 136, 137. As used herein, the supply wiring refers to the wiring connected to the source or drain of the thin film transistor. In this embodiment, the supply wiring 135 functions as a data line (Vdata), and the supply wiring 136 functions as a power supply line (Vdd). The supply wiring 137 functions as a reference voltage supply line (Vref).

画素回路１４０は、スイッチングＴＦＴ１５１と、駆動ＴＦＴ１５２と、リセットＴＦＴ１５３と、保持容量Ｃ１とを含む。スイッチングＴＦＴ１５１と駆動ＴＦＴ１５２とリセットＴＦＴ１５３は、発光素子Ｅ１の発光を制御する薄膜トランジスタとして機能する。以下では、スイッチングＴＦＴ１５１と駆動ＴＦＴ１５２とリセットＴＦＴ１５３を総称する場合には、画素ＴＦＴ１５０と記載する。 The pixel circuit 140 includes a switching TFT 151, a drive TFT 152, a reset TFT 153, and a holding capacitance C1. The switching TFT 151, the driving TFT 152, and the reset TFT 153 function as thin film transistors that control the light emission of the light emitting element E1. In the following, when the switching TFT 151, the driving TFT 152, and the reset TFT 153 are generically referred to, they are referred to as the pixel TFT 150.

スイッチングＴＦＴ１５１は、画素１２２を選択するトランジスタである。スイッチングＴＦＴ１５１のゲートは、走査線として機能するゲート線１３１に接続されている。スイッチングＴＦＴ１５１のソースは、供給配線（Ｖｄａｔａ）１３５に接続されている。スイッチングＴＦＴ１５１のドレインは、駆動ＴＦＴ１５２のゲートに接続されている。 The switching TFT 151 is a transistor that selects the pixel 122. The gate of the switching TFT 151 is connected to a gate line 131 that functions as a scanning line. The source of the switching TFT 151 is connected to the supply wiring (Vdata) 135. The drain of the switching TFT 151 is connected to the gate of the driving TFT 152.

駆動ＴＦＴ１５２は、発光素子Ｅ１を駆動するトランジスタである。駆動ＴＦＴ１５２のゲートは、スイッチングＴＦＴ１５１のドレインに接続されている。駆動ＴＦＴ１５２のソースは、供給配線（Ｖｄｄ）１３６に接続されている。駆動ＴＦＴ１５２のドレインは、発光素子Ｅ１のアノードに接続されている。なお、発光素子Ｅ１のカソードはカソード線１３８に接続している。
保持容量Ｃ１は、発光素子Ｅ１のアノードと駆動ＴＦＴ１５２のゲートとの間に形成されている。 The drive TFT 152 is a transistor that drives the light emitting element E1. The gate of the driving TFT 152 is connected to the drain of the switching TFT 151. The source of the drive TFT 152 is connected to the supply wiring (Vdd) 136. The drain of the drive TFT 152 is connected to the anode of the light emitting element E1. The cathode of the light emitting element E1 is connected to the cathode line 138.
The holding capacitance C1 is formed between the anode of the light emitting element E1 and the gate of the driving TFT 152.

リセットＴＦＴ１５３は、例えば、発光素子Ｅ１のアノードに、発光素子Ｅ１のしきい値電圧以下の電圧を印加するために用いられる。発光素子Ｅ１のアノードに発光素子Ｅ１のしきい値電圧以下の電圧を印加することにより、発光素子Ｅ１のリーク電流によるクロストークを抑制できる。リセットＴＦＴ１５３のゲートは、ゲート線１３３に接続されている。リセットＴＦＴ１５３のソースは、供給配線（Ｖｒｅｆ）１３７に接続されている。リセットＴＦＴ１５３のドレインは、発光素子Ｅ１のアノードに接続されている。 The reset TFT 153 is used, for example, to apply a voltage equal to or lower than the threshold voltage of the light emitting element E1 to the anode of the light emitting element E1. By applying a voltage equal to or lower than the threshold voltage of the light emitting element E1 to the anode of the light emitting element E1, crosstalk due to the leakage current of the light emitting element E1 can be suppressed. The gate of the reset TFT 153 is connected to the gate wire 133. The source of the reset TFT 153 is connected to the supply wiring (Vref) 137. The drain of the reset TFT 153 is connected to the anode of the light emitting element E1.

画素回路１４０の動作を説明する。まず、ドライバ回路２００が、ゲート線１３１に選択信号を出力して、スイッチングＴＦＴ１５１を開状態にさせる。スイッチングＴＦＴ１５１が開状態になると、供給配線（Ｖｄａｔａ）１３５を介して供給されるデータ電圧が保持容量Ｃ１に保持される。保持容量Ｃ１に保持された電圧により、駆動ＴＦＴ１５２の開閉状態が変化して、発光素子Ｅ１の階調に応じた電流が供給配線（Ｖｄｄ）１３６から発光素子Ｅ１に供給される。そして、画素１２２に設けられた発光素子Ｅ１が発光して、カラー画像が表示領域１２０に表示される。リセットＴＦＴ１５３は、発光素子Ｅ１が発光する発光期間の前に開状態にされる。リセットＴＦＴ１５３が開状態になると、供給配線（Ｖｒｅｆ）１３７から発光素子Ｅ１のしきい値電圧以下の電圧が発光素子Ｅ１のアノード電極１４５に印加される。これにより、発光素子Ｅ１のアノードの電位がリセットされる。 The operation of the pixel circuit 140 will be described. First, the driver circuit 200 outputs a selection signal to the gate line 131 to open the switching TFT 151. When the switching TFT 151 is opened, the data voltage supplied via the supply wiring (Vdata) 135 is held in the holding capacity C1. The open / closed state of the drive TFT 152 is changed by the voltage held in the holding capacitance C1, and a current corresponding to the gradation of the light emitting element E1 is supplied from the supply wiring (Vdd) 136 to the light emitting element E1. Then, the light emitting element E1 provided in the pixel 122 emits light, and the color image is displayed in the display area 120. The reset TFT 153 is opened before the light emitting period in which the light emitting element E1 emits light. When the reset TFT 153 is opened, a voltage equal to or lower than the threshold voltage of the light emitting element E1 is applied to the anode electrode 145 of the light emitting element E1 from the supply wiring (Vref) 137. As a result, the potential of the anode of the light emitting element E1 is reset.

（表示領域と画素）
図４〜図６を参照して、透光性基板１１０の表示領域１２０と画素１２２の構成を説明する。図４は、図２に示す表示領域１２０をＡ−Ａ線で矢視した断面図である。図４に示すように、第１遮光層１６１と透光性絶縁層１６２と第１絶縁層１６３と第２絶縁層１６４と定義層１６５が、表示領域１２０に設けられる。これらの層は、透光性基板１１０の側から、第１遮光層１６１、透光性絶縁層１６２、第１絶縁層１６３、第２絶縁層１６４、定義層１６５の順に積層されている。本実施形態では、定義層１６５は外光を遮る第２遮光層として機能する。さらに、発光素子Ｅ１とスペーサ１６６と第１遮光壁１６７が表示領域１２０に設けられる。以下では、まず、発光素子Ｅ１とスペーサ１６６と第１遮光壁１６７とを説明する。 (Display area and pixels)
The configuration of the display area 120 and the pixels 122 of the translucent substrate 110 will be described with reference to FIGS. 4 to 6. FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line AA of the display area 120 shown in FIG. As shown in FIG. 4, a first light-shielding layer 161, a translucent insulating layer 162, a first insulating layer 163, a second insulating layer 164, and a definition layer 165 are provided in the display area 120. These layers are laminated in the order of the first light-shielding layer 161, the translucent insulating layer 162, the first insulating layer 163, the second insulating layer 164, and the definition layer 165 from the side of the translucent substrate 110. In the present embodiment, the definition layer 165 functions as a second light-shielding layer that blocks external light. Further, a light emitting element E1, a spacer 166, and a first light-shielding wall 167 are provided in the display area 120. In the following, first, the light emitting element E1, the spacer 166, and the first light-shielding wall 167 will be described.

発光素子Ｅ１は、アノード電極１４５と発光層１４６とカソード電極１４７とから構成される。アノード電極１４５は発光領域１２６の第２絶縁層１６４の上に設けられる。発光層１４６は定義層（すなわち、第２遮光層）１６５の第２開口１６５ａに設けられる。発光層１４６は、第２開口１６５ａから露出したアノード電極１４５の上に形成されている。発光層１４６は、例えば、正孔注入層と正孔輸送層と有機発光層と電子輸送層と電子注入層とから構成されている。カソード電極１４７は発光層１４６と定義層（第２遮光層）１６５の上に設けられる。なお、図４では、理解を容易にするために、カソード電極１４７の一部を省略している。また、発光層１４６のハッチングを省略している。 The light emitting element E1 is composed of an anode electrode 145, a light emitting layer 146, and a cathode electrode 147. The anode electrode 145 is provided on the second insulating layer 164 of the light emitting region 126. The light emitting layer 146 is provided in the second opening 165a of the definition layer (that is, the second light shielding layer) 165. The light emitting layer 146 is formed on the anode electrode 145 exposed from the second opening 165a. The light emitting layer 146 is composed of, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. The cathode electrode 147 is provided on the light emitting layer 146 and the definition layer (second light shielding layer) 165. In FIG. 4, a part of the cathode electrode 147 is omitted for easy understanding. Further, the hatching of the light emitting layer 146 is omitted.

スペーサ１６６は定義層１６５（第２遮光層）の上に設けられる。スペーサ１６６は、ＴＦＴ基板１００と封止基板４００との間隔を保持する。スペーサ１６６は、透光性樹脂から構成されている。なお、スペーサ１６６は、第１遮光層１６１と定義層（第２遮光層）１６５と同様に、後述する黒色顔料を含む感光性樹脂から構成されてもよい。 The spacer 166 is provided on the definition layer 165 (second light-shielding layer). The spacer 166 maintains a distance between the TFT substrate 100 and the sealing substrate 400. The spacer 166 is made of a translucent resin. The spacer 166 may be made of a photosensitive resin containing a black pigment, which will be described later, like the first light-shielding layer 161 and the definition layer (second light-shielding layer) 165.

第１遮光壁１６７は、発光領域１２６の第１遮光層１６１の上に設けられて、画素ＴＦＴ１５０に入射する外光を遮光する。第１遮光壁１６７は、画素１２２の内において、第１絶縁層１６３の透過領域１２４の側に位置する側面１６３ａと第２絶縁層１６４の透過領域１２４の側に位置する側面１６４ａとを覆う。さらに、第１遮光壁１６７は第１遮光層１６１と定義層（第２遮光層）１６５に接続している。これらにより、第１遮光壁１６７は、表示装置１０にＺ方向に対して傾いて入射して、透過領域１２４から画素ＴＦＴ１５０に入射する外光５０２を、遮ることができる。 The first light-shielding wall 167 is provided on the first light-shielding layer 161 of the light emitting region 126 to block external light incident on the pixel TFT 150. The first light-shielding wall 167 covers the side surface 163a located on the side of the transmission region 124 of the first insulating layer 163 and the side surface 164a located on the side of the transmission region 124 of the second insulating layer 164 in the pixel 122. Further, the first light-shielding wall 167 is connected to the first light-shielding layer 161 and the definition layer (second light-shielding layer) 165. As a result, the first light-shielding wall 167 can be inclined to enter the display device 10 in the Z direction and block the external light 502 incident on the pixel TFT 150 from the transmission region 124.

第１遮光壁１６７は、第１遮光層１６１と定義層（第２遮光層）１６５と同様に、黒色顔料を含む感光性樹脂から構成される。第１遮光壁１６７は、画素ＴＦＴ１５０のしきい値電圧のシフトを抑制する観点から、第１遮光壁１６７の光学濃度（ＯＤ：Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ）と第１遮光壁１６７の厚さ（μｍ）との積が０．０２以上であることが好ましい。本実施形態では、第１遮光壁１６７と定義層（第２遮光層）１６５が一体に形成されている。 The first light-shielding wall 167 is composed of a photosensitive resin containing a black pigment, similarly to the first light-shielding layer 161 and the definition layer (second light-shielding layer) 165. From the viewpoint of suppressing the shift of the threshold voltage of the pixel TFT 150, the first light-shielding wall 167 has the optical density (OD: Optical absorbance) of the first light-shielding wall 167 and the thickness (μm) of the first light-shielding wall 167. The product is preferably 0.02 or more. In the present embodiment, the first light-shielding wall 167 and the definition layer (second light-shielding layer) 165 are integrally formed.

図５は、画素回路１４０の構成を模式的に示す平面図である。図５に示すように、画素回路１４０を構成する画素ＴＦＴ１５０と電極１５６、１５７とが、発光領域１２６に設けられる。電極１５６と電極１５７は画素回路１４０の保持容量Ｃ１を形成している。画素ＴＦＴ１５０の活性層１５０ａとゲート電極１５０ｇと、電極１５６は、発光領域１２６の透光性絶縁層１６２の上に設けられる。電極１５７は、発光領域１２６の第１絶縁層１６３の上に設けられる。また、ゲート線１３１、１３３は、透光性絶縁層１６２の上に設けられ、Ｘ方向に延びる。供給配線１３５、１３６、１３７は第１絶縁層１６３の上に設けられ、Ｙ方向に延びる。なお、画素ＴＦＴ１５０のドレインとソース、電極１５６、１５７、供給配線１３５、１３６、１３７等は、第１絶縁層１６３に設けられているコンタクトホールを介して接続されている。図５では、理解を容易にするために、発光素子Ｅ１、透光性絶縁層１６２、第１絶縁層１６３等を省略している。
以下において、第１遮光層１６１と透光性絶縁層１６２と第１絶縁層１６３と第２絶縁層１６４と定義層１６５について説明する。 FIG. 5 is a plan view schematically showing the configuration of the pixel circuit 140. As shown in FIG. 5, the pixel TFT 150 and the electrodes 156 and 157 constituting the pixel circuit 140 are provided in the light emitting region 126. The electrodes 156 and 157 form a holding capacitance C1 of the pixel circuit 140. The active layer 150a of the pixel TFT 150, the gate electrode 150g, and the electrode 156 are provided on the translucent insulating layer 162 of the light emitting region 126. The electrode 157 is provided on the first insulating layer 163 of the light emitting region 126. Further, the gate wires 131 and 133 are provided on the translucent insulating layer 162 and extend in the X direction. The supply wirings 135, 136, and 137 are provided on the first insulating layer 163 and extend in the Y direction. The drain and source of the pixel TFT 150, the electrodes 156, 157, the supply wirings 135, 136, 137, etc. are connected via contact holes provided in the first insulating layer 163. In FIG. 5, the light emitting element E1, the translucent insulating layer 162, the first insulating layer 163, and the like are omitted for easy understanding.
Hereinafter, the first light-shielding layer 161, the translucent insulating layer 162, the first insulating layer 163, the second insulating layer 164, and the definition layer 165 will be described.

まず、第１遮光層１６１について、図４、図６を参照して説明する。図６は、図２に示す表示領域１２０をＢ−Ｂ線で矢視した断面図である。図４、図６に示すように、第１遮光層１６１は、第１開口１６１ａを有し透光性基板１１０の上に設けられる。第１遮光層１６１は、画素回路１４０の画素ＴＦＴ１５０と供給配線１３５、１３６、１３７に入射する外光を遮る。本実施形態では、第１遮光層１６１は、発光領域１２６に配置され、第１遮光層１６１の第１開口１６１ａが画素１２２の透過領域１２４を画定する。図６に示すように、隣接する画素１２２の透過領域１２４の間では、第１遮光層１６１は、透光性絶縁層１６２と第１絶縁層１６３とに上面と側面とを覆われている。これにより、第１絶縁層１６３の上に形成される供給配線１３５、１３６、１３７、ならびに第２絶縁層１６４と定義層１６５のレイアウトマージンを広くできる。一方、第１遮光層１６１が、供給配線１３５、１３６、１３７を遮光するので、透過領域１２４を広くできる。 First, the first light-shielding layer 161 will be described with reference to FIGS. 4 and 6. FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line BB of the display area 120 shown in FIG. As shown in FIGS. 4 and 6, the first light-shielding layer 161 has a first opening 161a and is provided on the translucent substrate 110. The first light-shielding layer 161 blocks external light incident on the pixel TFT 150 of the pixel circuit 140 and the supply wirings 135, 136, and 137. In the present embodiment, the first shading layer 161 is arranged in the light emitting region 126, and the first opening 161a of the first shading layer 161 defines the transmission region 124 of the pixel 122. As shown in FIG. 6, between the transmission regions 124 of the adjacent pixels 122, the first light-shielding layer 161 is covered with the translucent insulating layer 162 and the first insulating layer 163 on the upper surface and the side surface. As a result, the layout margins of the supply wirings 135, 136, 137 formed on the first insulating layer 163, and the second insulating layer 164 and the definition layer 165 can be widened. On the other hand, since the first light-shielding layer 161 shields the supply wirings 135, 136, and 137 from light, the transmission region 124 can be widened.

第１遮光層１６１は、例えば、黒色顔料を含む感光性樹脂から構成される。黒色顔料は、カーボンブラック、ベンゾフラノン系顔料等である。感光性樹脂は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂等である。第１遮光層１６１は、画素ＴＦＴ１５０のしきい値電圧のシフトを抑制する観点から、第１遮光層１６１の光学濃度と第１遮光層１６１の厚さ（μｍ）との積が２．８２以上であることが好ましい。 The first light-shielding layer 161 is made of, for example, a photosensitive resin containing a black pigment. The black pigment is carbon black, a benzofuranone pigment, or the like. The photosensitive resin is a polyimide resin, an acrylic resin, a silicone resin, or the like. The product of the optical density of the first light-shielding layer 161 and the thickness (μm) of the first light-shielding layer 161 of the first light-shielding layer 161 is 2.82 or more from the viewpoint of suppressing the shift of the threshold voltage of the pixel TFT 150. Is preferable.

透光性絶縁層１６２は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等から構成される。電気特性の観点から、透光性絶縁層１６２は無機材料が望ましい。透光性絶縁層１６２は、図４に示すように、第１遮光層１６１の上に配置される。発光領域１２６の透光性絶縁層１６２の上には、画素ＴＦＴ１５０の活性層１５０ａとゲート電極１５０ｇと、ゲート線１３１、１３３とが設けられる。さらに、保持容量Ｃ１を形成する一方の電極１５６が、発光領域１２６の透光性絶縁層１６２の上に設けられている。 The translucent insulating layer 162 is composed of silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), and the like. From the viewpoint of electrical characteristics, the translucent insulating layer 162 is preferably made of an inorganic material. As shown in FIG. 4, the translucent insulating layer 162 is arranged on the first light-shielding layer 161. The active layer 150a of the pixel TFT 150, the gate electrode 150g, and the gate wires 131 and 133 are provided on the translucent insulating layer 162 of the light emitting region 126. Further, one electrode 156 forming the holding capacity C1 is provided on the translucent insulating layer 162 of the light emitting region 126.

第１絶縁層１６３は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等から構成される。電気特性の観点から、第１絶縁層１６３は無機材料が望ましい。第１絶縁層１６３は、透光性絶縁層１６２の上に配置される。第１絶縁層１６３は、画素ＴＦＴ１５０の活性層１５０ａとゲート電極１５０ｇと、ゲート線１３１、１３３と、電極１５６とを覆う。発光領域１２６の第１絶縁層１６３の上には、保持容量Ｃ１を形成する他方の電極１５７が設けられている。また、供給配線１３５、１３６、１３７が第１絶縁層１６３の上に設けられる。さらに、各部を接続するためのコンタクトホールが第１絶縁層１６３に設けられる。例えば、リセットＴＦＴ１５３の活性層１５０ａのソース領域と供給配線（Ｖｒｅｆ）１３７は、第１絶縁層１６３のコンタクトホールを介して接続されている。 The first insulating layer 163 is composed of silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), and the like. From the viewpoint of electrical characteristics, the first insulating layer 163 is preferably made of an inorganic material. The first insulating layer 163 is arranged on the translucent insulating layer 162. The first insulating layer 163 covers the active layer 150a of the pixel TFT 150, the gate electrode 150g, the gate wires 131, 133, and the electrode 156. On the first insulating layer 163 of the light emitting region 126, the other electrode 157 forming the holding capacity C1 is provided. Further, supply wirings 135, 136 and 137 are provided on the first insulating layer 163. Further, a contact hole for connecting each portion is provided in the first insulating layer 163. For example, the source region of the active layer 150a of the reset TFT 153 and the supply wiring (Vref) 137 are connected via a contact hole of the first insulating layer 163.

第２絶縁層１６４は、例えば、感光性樹脂（ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂等）から構成される。第２絶縁層１６４は、第１絶縁層１６３の上に配置される。第２絶縁層１６４は、電極１５７と供給配線１３５、１３６、１３７とを覆う。また、発光領域１２６の第２絶縁層１６４の上には、発光素子Ｅ１のアノード電極１４５が設けられる。発光素子Ｅ１のアノード電極１４５は、第２絶縁層１６４のコンタクトホールを介して、駆動ＴＦＴ１５２のドレインとリセットＴＦＴ１５３のドレインとに接続している。 The second insulating layer 164 is made of, for example, a photosensitive resin (polyimide resin, acrylic resin, silicone resin, etc.). The second insulating layer 164 is arranged on the first insulating layer 163. The second insulating layer 164 covers the electrode 157 and the supply wirings 135, 136, and 137. Further, an anode electrode 145 of the light emitting element E1 is provided on the second insulating layer 164 of the light emitting region 126. The anode electrode 145 of the light emitting element E1 is connected to the drain of the drive TFT 152 and the drain of the reset TFT 153 via the contact hole of the second insulating layer 164.

定義層１６５は、外光を遮る第２遮光層として機能して、画素回路１４０の画素ＴＦＴ１５０と供給配線１３５、１３６、１３７に入射する外光を遮る。定義層１６５は、第１遮光層１６１と同様に、例えば黒色顔料を含む感光性樹脂から構成される。 The definition layer 165 functions as a second light-shielding layer that blocks external light, and blocks external light incident on the pixel TFT 150 of the pixel circuit 140 and the supply wirings 135, 136, and 137. The definition layer 165 is made of a photosensitive resin containing, for example, a black pigment, like the first light-shielding layer 161.

定義層１６５（すなわち第２遮光層）は、第２絶縁層１６４の上に配置される。発光領域１２６では、定義層（第２遮光層）１６５は、第２開口１６５ａから発光素子Ｅ１のアノード電極１４５の一部を露出させた状態で、第２絶縁層１６４の上面を覆う。これにより、定義層（第２遮光層）１６５は、画素ＴＦＴ１５０に入射する外光を遮ることができる。また、定義層１６５（第２遮光層）は、図６に示すように、隣接する画素１２２の透過領域１２４の間に位置する供給配線１３５、１３６、１３７を覆う。これにより、定義層１６５（第２遮光層）は、供給配線１３５、１３６、１３７に入射する外光を遮ることができる。 The definition layer 165 (that is, the second light shielding layer) is arranged on the second insulating layer 164. In the light emitting region 126, the definition layer (second light shielding layer) 165 covers the upper surface of the second insulating layer 164 in a state where a part of the anode electrode 145 of the light emitting element E1 is exposed from the second opening 165a. As a result, the definition layer (second light-shielding layer) 165 can block the external light incident on the pixel TFT 150. Further, as shown in FIG. 6, the definition layer 165 (second light-shielding layer) covers the supply wirings 135, 136, and 137 located between the transmission regions 124 of the adjacent pixels 122. As a result, the definition layer 165 (second light-shielding layer) can block the external light incident on the supply wirings 135, 136, and 137.

以上のように、発光領域１２６の第１遮光層１６１と定義層（第２遮光層）１６５と第１遮光壁１６７が外光を遮るので、表示装置１０は画素ＴＦＴ１５０への外光の入射を抑制できる。また、表示装置１０は、発光領域１２６に配置されている、電極１５６、１５７、発光素子Ｅ１のアノード電極１４５、配線等による外光の反射も抑制できる。さらに、供給配線１３５、１３６、１３７が第１遮光層１６１の上に配置され、定義層（第２遮光層）１６５が供給配線１３５、１３６、１３７を覆うので、表示装置１０は供給配線１３５、１３６、１３７による外光の反射を抑制できる。 As described above, since the first light-shielding layer 161, the definition layer (second light-shielding layer) 165, and the first light-shielding wall 167 of the light emitting region 126 block the external light, the display device 10 transmits the external light to the pixel TFT 150. Can be suppressed. Further, the display device 10 can also suppress reflection of external light by the electrodes 156 and 157, the anode electrode 145 of the light emitting element E1, the wiring and the like arranged in the light emitting region 126. Further, since the supply wirings 135, 136, 137 are arranged on the first light-shielding layer 161 and the definition layer (second light-shielding layer) 165 covers the supply wirings 135, 136, 137, the display device 10 has the supply wiring 135, The reflection of external light by 136 and 137 can be suppressed.

（製造方法）
表示装置１０の製造方法を説明する。最初に、ＴＦＴ基板１００の製造方法を説明する。ここでは、主に、画素１２２の形成について説明するが、ドライバ回路２００も画素１２２と共に公知の方法により形成される。 (Production method)
A method of manufacturing the display device 10 will be described. First, a method for manufacturing the TFT substrate 100 will be described. Here, the formation of the pixel 122 will be mainly described, but the driver circuit 200 is also formed together with the pixel 122 by a known method.

まず、透光性基板１１０の上に黒色顔料を含む感光性樹脂を塗布する。塗布された感光性樹脂を露光し現像する。そして、現像された感光性樹脂を焼成して、第１開口１６１ａを有する第１遮光層１６１を透光性基板１１０の上に形成する。 First, a photosensitive resin containing a black pigment is applied onto the translucent substrate 110. The applied photosensitive resin is exposed and developed. Then, the developed photosensitive resin is fired to form a first light-shielding layer 161 having a first opening 161a on the translucent substrate 110.

次に、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐａｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）又はスパッタ法により、例えば、酸化シリコンを第１遮光層１６１の上に堆積させて、透光性絶縁層１６２を形成する。 Next, by CVD (Chemical Vapor Deposition) or a sputtering method, for example, silicon oxide is deposited on the first light-shielding layer 161 to form a translucent insulating layer 162.

酸化物半導体層を、スパッタ法により、発光領域１２６の透光性絶縁層１６２の上に積層する。そして、積層された酸化物半導体層をエッチングすることにより、画素ＴＦＴ１５０の活性層１５０ａを形成する。酸化物半導体層は、例えば、インジウムとガリウムと亜鉛とを含む酸化物から構成される。 The oxide semiconductor layer is laminated on the translucent insulating layer 162 in the light emitting region 126 by a sputtering method. Then, the active layer 150a of the pixel TFT 150 is formed by etching the laminated oxide semiconductor layer. The oxide semiconductor layer is composed of, for example, an oxide containing indium, gallium, and zinc.

次に、例えば、酸化シリコンを、ＣＶＤ又はスパッタ法により活性層１５０ａの上に堆積させて、ゲート絶縁膜を形成する。そして、金属材料をスパッタ法により堆積させた後に、ゲート絶縁膜と堆積させた金属材料をエッチングして、画素ＴＦＴ１５０のゲート電極１５０ｇ、電極１５６、ゲート線１３１、１３３等を形成する。ゲート絶縁膜は、例えば、酸化シリコンから構成される。金属材料は、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等である。 Next, for example, silicon oxide is deposited on the active layer 150a by a CVD or sputtering method to form a gate insulating film. Then, after the metal material is deposited by the sputtering method, the gate insulating film and the deposited metal material are etched to form the gate electrode 150 g of the pixel TFT 150, the electrode 156, the gate wire 131, 133 and the like. The gate insulating film is composed of, for example, silicon oxide. The metal material is aluminum (Al), molybdenum (Mo), tungsten (W) and the like.

そして、透光性絶縁層１６２、画素ＴＦＴ１５０のゲート電極１５０ｇ、ゲート線１３１、１３３等の上に、例えば酸化シリコンを堆積させて、第１絶縁層１６３を形成する。また、第１絶縁層１６３をエッチングして、コンタクトホールを形成する。さらに、金属材料をスパッタ法により第１絶縁層１６３の上に堆積させた後に、エッチングを行い、電極１５７、供給配線１３５、１３６、１３７等を形成する。電極１５７、供給配線１３５、１３６、１３７等を形成した後、透過領域１２４の透光性絶縁層１６２と第１絶縁層１６３とをエッチングにより除去する。 Then, for example, silicon oxide is deposited on the translucent insulating layer 162, the gate electrode 150 g of the pixel TFT 150, the gate wire 131, 133, and the like to form the first insulating layer 163. Further, the first insulating layer 163 is etched to form a contact hole. Further, after the metal material is deposited on the first insulating layer 163 by the sputtering method, etching is performed to form electrodes 157, supply wirings 135, 136, 137 and the like. After forming the electrodes 157, the supply wirings 135, 136, 137, etc., the translucent insulating layer 162 and the first insulating layer 163 of the transmission region 124 are removed by etching.

次に、感光性樹脂を塗布し、塗布された感光性樹脂を露光し現像する。現像された感光性樹脂を焼成して、第２絶縁層１６４を、第１絶縁層１６３、電極１５７、供給配線１３５、１３６、１３７等の上に形成する。本実施形態では、ポジ型の感光性樹脂を用いて第２絶縁層１６４を形成できるので、画素ＴＦＴ１５０と発光素子Ｅ１のアノード電極１４５とを接続する第２絶縁層１６４のコンタクトホールを、容易に小さくできる。小さなコンタクトホールを形成できるので、高精細な表示装置１０を容易に製造できる。また、発光素子Ｅ１の発光面積を容易に拡大できる。 Next, a photosensitive resin is applied, and the applied photosensitive resin is exposed and developed. The developed photosensitive resin is fired to form a second insulating layer 164 on the first insulating layer 163, the electrode 157, the supply wiring 135, 136, 137, and the like. In the present embodiment, since the second insulating layer 164 can be formed by using the positive photosensitive resin, the contact hole of the second insulating layer 164 connecting the pixel TFT 150 and the anode electrode 145 of the light emitting element E1 can be easily formed. Can be made smaller. Since a small contact hole can be formed, the high-definition display device 10 can be easily manufactured. Moreover, the light emitting area of the light emitting element E1 can be easily expanded.

発光領域１２６の第２絶縁層１６４の上に、スパッタ法により発光素子Ｅ１のアノード電極１４５を形成する。アノード電極１４５は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）とアルミニウム合金又は銀合金とＩＴＯとの３層により構成される。 The anode electrode 145 of the light emitting element E1 is formed on the second insulating layer 164 of the light emitting region 126 by a sputtering method. The anode electrode 145 is composed of, for example, three layers of ITO (Indium Tin Oxide) and an aluminum alloy or a silver alloy and ITO.

次に、黒色顔料を含む感光性樹脂を塗布し、塗布された感光性樹脂を露光し現像する。現像された感光性樹脂を焼成して、第２開口１６５ａを有する定義層（第２遮光層）１６５と第１遮光壁１６７とを一体に形成する。さらに、感光性樹脂を用いて、スペーサ１６６を定義層（第２遮光層）１６５の上に形成する。 Next, a photosensitive resin containing a black pigment is applied, and the applied photosensitive resin is exposed and developed. The developed photosensitive resin is fired to integrally form the definition layer (second light-shielding layer) 165 having the second opening 165a and the first light-shielding wall 167. Further, a photosensitive resin is used to form the spacer 166 on the definition layer (second light-shielding layer) 165.

スペーサ１６６が形成された後、蒸着により、発光素子Ｅ１のアノード電極１４５の上に発光素子Ｅ１の発光層１４６を形成する。さらに、発光層１４６と定義層（第２遮光層）１６５と第１遮光壁１６７との上に、蒸着により発光素子Ｅ１のカソード電極１４７を形成する。カソード電極１４７は、リチウム（Ｌｉ）、アルミニウム、マグネシウム（Ｍｇ）、イッテルビウム（Ｙｂ）これらの合金等から構成される。以上により、ＴＦＴ基板１００が製造される。 After the spacer 166 is formed, the light emitting layer 146 of the light emitting element E1 is formed on the anode electrode 145 of the light emitting element E1 by vapor deposition. Further, the cathode electrode 147 of the light emitting element E1 is formed by vapor deposition on the light emitting layer 146, the definition layer (second light shielding layer) 165, and the first light shielding wall 167. The cathode electrode 147 is composed of an alloy of lithium (Li), aluminum, magnesium (Mg), ytterbium (Yb) and the like. As described above, the TFT substrate 100 is manufactured.

次に、製造されたＴＦＴ基板１００と封止基板４００とを、ガラスフリットにより接合する。そして、ドライバＩＣ３００とＦＰＣ３１０をＴＦＴ基板１００に実装する。
以上により、表示装置１０を製造できる。 Next, the manufactured TFT substrate 100 and the sealing substrate 400 are joined by a glass frit. Then, the driver IC 300 and the FPC 310 are mounted on the TFT substrate 100.
From the above, the display device 10 can be manufactured.

以上のように、表示装置１０は、第１遮光層１６１と定義層（第２遮光層）１６５と第１遮光壁１６７を画素１２２の発光領域１２６に備えているので、画素ＴＦＴ１５０への外光の入射を抑制できる。また、表示装置１０は、発光素子Ｅ１のアノード電極１４５、配線等による外光の反射も抑制できる。さらに、第１遮光層１６１の上に配置された供給配線１３５、１３６、１３７が定義層（第２遮光層）１６５に覆われているので、表示装置１０は供給配線１３５、１３６、１３７による外光の反射を抑制できる。 As described above, since the display device 10 includes the first light-shielding layer 161, the definition layer (second light-shielding layer) 165, and the first light-shielding wall 167 in the light emitting region 126 of the pixel 122, the external light to the pixel TFT 150 Can be suppressed. Further, the display device 10 can also suppress reflection of external light by the anode electrode 145 of the light emitting element E1 and wiring. Further, since the supply wirings 135, 136, 137 arranged on the first light-shielding layer 161 are covered with the definition layer (second light-shielding layer) 165, the display device 10 is outside the supply wirings 135, 136, 137. The reflection of light can be suppressed.

＜実施形態２＞
実施形態１では、定義層１６５が第２遮光層として機能しているが、他の層が第２遮光層として機能してもよい。ここでは、図７を参照して、本実施形態の第２絶縁層１６４と定義層１６５と第１遮光壁１６７を説明する。 <Embodiment 2>
In the first embodiment, the definition layer 165 functions as the second light-shielding layer, but other layers may function as the second light-shielding layer. Here, the second insulating layer 164, the definition layer 165, and the first light-shielding wall 167 of the present embodiment will be described with reference to FIG. 7.

本実施形態では、第２絶縁層１６４と定義層１６５と第１遮光壁１６７の構成が、実施形態１の第２絶縁層１６４と定義層１６５と第１遮光壁１６７の構成と異なる。すなわち、本実施形態の定義層１６５と第１遮光壁１６７は一体に形成されず、第２絶縁層１６４と第１遮光壁１６７が一体に形成される。本実施形態のその他の構成は、実施形態１と同様である。 In the present embodiment, the configurations of the second insulating layer 164, the definition layer 165, and the first light-shielding wall 167 are different from the configurations of the second insulating layer 164, the definition layer 165, and the first light-shielding wall 167 of the first embodiment. That is, the definition layer 165 and the first light-shielding wall 167 of the present embodiment are not integrally formed, but the second insulating layer 164 and the first light-shielding wall 167 are integrally formed. Other configurations of this embodiment are the same as those of the first embodiment.

本実施形態の第１遮光壁１６７は、実施形態１の第１遮光壁１６７と同様に、発光領域１２６の第１遮光層１６１の上に設けられて、画素ＴＦＴ１５０に入射する外光を遮光する。本実施形態の第１遮光壁１６７は、画素１２２の内において、第１絶縁層１６３の透過領域１２４の側に位置する側面１６３ａを覆う。さらに、第１遮光壁１６７は第１遮光層１６１と第２絶縁層（後述する第２遮光層）１６４に接続する。第１遮光壁１６７は、第１遮光層１６１と第２絶縁層（第２遮光層）１６４と同様に、黒色顔料を含む感光性樹脂から構成される。 Similar to the first light-shielding wall 167 of the first embodiment, the first light-shielding wall 167 of the present embodiment is provided on the first light-shielding layer 161 of the light emitting region 126 to block external light incident on the pixel TFT 150. .. The first light-shielding wall 167 of the present embodiment covers the side surface 163a located on the side of the transmission region 124 of the first insulating layer 163 in the pixel 122. Further, the first light-shielding wall 167 is connected to the first light-shielding layer 161 and the second insulating layer (second light-shielding layer described later) 164. The first light-shielding wall 167 is made of a photosensitive resin containing a black pigment, similarly to the first light-shielding layer 161 and the second insulating layer (second light-shielding layer) 164.

本実施形態の第２絶縁層１６４は、実施形態１の定義層１６５と同様に、外光を遮る第２遮光層として機能して、画素回路１４０の画素ＴＦＴ１５０と供給配線１３５、１３６、１３７に入射する外光を遮る。第２絶縁層１６４は、実施形態１の第１遮光層１６１と同様に、例えば黒色顔料を含む感光性樹脂から構成される。 The second insulating layer 164 of the present embodiment functions as a second light-shielding layer that blocks external light, similarly to the definition layer 165 of the first embodiment, and is connected to the pixel TFT 150 of the pixel circuit 140 and the supply wirings 135, 136, 137. Blocks incident external light. The second insulating layer 164 is made of a photosensitive resin containing, for example, a black pigment, like the first light-shielding layer 161 of the first embodiment.

本実施形態の第２絶縁層（すなわち第２遮光層）１６４は、第１絶縁層１６３の上に配置されて、電極１５７と供給配線１３５、１３６、１３７とを覆う。発光素子Ｅ１のアノード電極１４５が、実施形態１と同様に、発光領域１２６の第２絶縁層１６４の上に設けられる。 The second insulating layer (that is, the second light-shielding layer) 164 of the present embodiment is arranged on the first insulating layer 163 and covers the electrodes 157 and the supply wirings 135, 136, and 137. The anode electrode 145 of the light emitting element E1 is provided on the second insulating layer 164 of the light emitting region 126 as in the first embodiment.

本実施形態の定義層１６５は、実施形態１の定義層１６５と同様に、第２遮光層として機能する。本実施形態の定義層（第２遮光層）１６５は、画素回路１４０の画素ＴＦＴ１５０と供給配線１３５、１３６、１３７に入射する外光を遮る。 The definition layer 165 of the present embodiment functions as a second light-shielding layer like the definition layer 165 of the first embodiment. The definition layer (second light-shielding layer) 165 of the present embodiment blocks external light incident on the pixel TFT 150 of the pixel circuit 140 and the supply wirings 135, 136, and 137.

以上のように、発光領域１２６の第１遮光層１６１と第２絶縁層（第２遮光層）１６４と定義層１６５（第２遮光層）と第１遮光壁１６７が外光を遮るので、本実施形態の表示装置１０は、画素ＴＦＴ１５０への外光の入射を抑制できる。また、本実施形態の表示装置１０は、電極１５６、１５７、発光素子Ｅ１のアノード電極１４５、配線等による外光の反射も抑制できる。さらに、本実施形態の表示装置１０は、実施形態１の表示装置１０と同様に、供給配線１３５、１３６、１３７による外光の反射を抑制できる。
本実施形態では、第２絶縁層１６４と定義層１６５の２つの層が第２遮光層として機能するので、表示装置１０は、画素ＴＦＴ１５０への外光の入射と電極１５６、１５７、発光素子Ｅ１のアノード電極１４５、配線等による外光の反射をより抑制できる。また、第１遮光壁１６７の高さを実施形態１の第１遮光壁１６７の高さよりも低くできるので、表示装置１０を容易に製造できる。 As described above, the first light-shielding layer 161, the second insulating layer (second light-shielding layer) 164, the definition layer 165 (second light-shielding layer), and the first light-shielding wall 167 of the light emitting region 126 block external light. The display device 10 of the embodiment can suppress the incident of external light on the pixel TFT 150. Further, the display device 10 of the present embodiment can also suppress reflection of external light by the electrodes 156 and 157, the anode electrode 145 of the light emitting element E1, the wiring and the like. Further, the display device 10 of the present embodiment can suppress reflection of external light by the supply wirings 135, 136, and 137, similarly to the display device 10 of the first embodiment.
In the present embodiment, the two layers of the second insulating layer 164 and the definition layer 165 function as the second light-shielding layer, so that the display device 10 receives external light on the pixel TFT 150, the electrodes 156, 157, and the light emitting element E1. The reflection of external light by the anode electrode 145, wiring, etc. can be further suppressed. Further, since the height of the first light-shielding wall 167 can be made lower than the height of the first light-shielding wall 167 of the first embodiment, the display device 10 can be easily manufactured.

＜実施形態３＞
実施形態１と実施形態２では、第１遮光壁１６７が第１遮光層１６１の上に設けられているが、他の遮光壁が第１遮光層１６１の上に設けられてもよい。 <Embodiment 3>
In the first and second embodiments, the first light-shielding wall 167 is provided on the first light-shielding layer 161. However, another light-shielding wall may be provided on the first light-shielding layer 161.

ここでは、図８を参照して、第２遮光壁１７２を説明する。図８は、図２に示す表示領域１２０をＢ−Ｂ線で矢視した断面図である。本実施形態の表示装置１０の構成は、第２遮光壁１７２を備えることを除き、実施形態２の表示装置１０の構成と同様である。 Here, the second light-shielding wall 172 will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line BB of the display area 120 shown in FIG. The configuration of the display device 10 of the present embodiment is the same as the configuration of the display device 10 of the second embodiment except that the second light-shielding wall 172 is provided.

本実施形態では、外光を遮る第２遮光壁１７２が、図８に示すように、供給配線１３５、１３６、１３７を配置されている第１絶縁層１６３の側面１６３ｂを覆う。さらに、第２遮光壁１７２は、第１遮光層１６１と第２絶縁層（第２遮光層）１６４に接続している。これらにより、第２遮光壁１７２は、第１絶縁層１６３を透過して供給配線１３５、１３６、１３７に入射する外光を遮ることができる。 In the present embodiment, the second light-shielding wall 172 that blocks external light covers the side surface 163b of the first insulating layer 163 in which the supply wirings 135, 136, and 137 are arranged, as shown in FIG. Further, the second light-shielding wall 172 is connected to the first light-shielding layer 161 and the second insulating layer (second light-shielding layer) 164. As a result, the second light-shielding wall 172 can pass through the first insulating layer 163 and block the external light incident on the supply wirings 135, 136, and 137.

第２遮光壁１７２は、第１遮光壁１６７と第２絶縁層（第２遮光層）１６４と定義層（第２遮光層）１６５と同様に、黒色顔料を含む感光性樹脂から構成される。本実施形態では、第２遮光壁１７２と第２絶縁層（第２遮光層）１６４が一体に形成されている。 The second light-shielding wall 172 is composed of a photosensitive resin containing a black pigment, like the first light-shielding wall 167, the second insulating layer (second light-shielding layer) 164, and the definition layer (second light-shielding layer) 165. In the present embodiment, the second light-shielding wall 172 and the second insulating layer (second light-shielding layer) 164 are integrally formed.

本実施形態では、第２遮光壁１７２と第２絶縁層１６４（第２遮光層）と定義層（第２遮光層）１６５が供給配線１３５、１３６、１３７に入射する外光を遮るので、供給配線１３５、１３６、１３７による外光の反射をより抑制できる。また、本実施形態の表示装置１０は、実施形態２の表示装置１０と同様に、画素ＴＦＴ１５０への外光の入射と、電極１５６、１５７、アノード電極１４５等による外光の反射とを抑制できる。 In the present embodiment, the second light-shielding wall 172, the second insulating layer 164 (second light-shielding layer), and the definition layer (second light-shielding layer) 165 block the external light incident on the supply wirings 135, 136, and 137. The reflection of external light by the wirings 135, 136, and 137 can be further suppressed. Further, the display device 10 of the present embodiment can suppress the incident of external light on the pixel TFT 150 and the reflection of external light by the electrodes 156, 157, the anode electrode 145, etc., similarly to the display device 10 of the second embodiment. ..

＜実施形態４＞
実施形態１と実施形態２では、第１遮光壁１６７が画素１２２の発光領域１２６に設けられているが、他の遮光壁が画素１２２に設けられてもよい。 <Embodiment 4>
In the first embodiment and the second embodiment, the first light-shielding wall 167 is provided in the light emitting region 126 of the pixel 122, but another light-shielding wall may be provided in the pixel 122.

本実施形態の表示装置１０の構成は、第３遮光壁１７３を備えることを除き、実施形態２の表示装置１０の構成と同様である。ここでは、図９を参照して、第３遮光壁１７３を説明する。 The configuration of the display device 10 of the present embodiment is the same as the configuration of the display device 10 of the second embodiment except that the third light-shielding wall 173 is provided. Here, the third light-shielding wall 173 will be described with reference to FIG.

外光を遮る第３遮光壁１７３は、図９に示すように、第１遮光壁１６７に対向して、第１絶縁層１６３の側面１６３ｃを覆う。さらに、第３遮光壁１７３は、第１遮光層１６１と第２絶縁層（第２遮光層）１６４に接続している。第３遮光壁１７３は、第１遮光壁１６７と第２絶縁層（第２遮光層）１６４と同様に、黒色顔料を含む感光性樹脂から構成される。本実施形態では、第３遮光壁１７３と第１遮光壁１６７と第２絶縁層（第２遮光層）１６４とが一体に形成されている。 As shown in FIG. 9, the third light-shielding wall 173 that blocks outside light faces the first light-shielding wall 167 and covers the side surface 163c of the first insulating layer 163. Further, the third light-shielding wall 173 is connected to the first light-shielding layer 161 and the second insulating layer (second light-shielding layer) 164. The third light-shielding wall 173 is made of a photosensitive resin containing a black pigment, similarly to the first light-shielding wall 167 and the second insulating layer (second light-shielding layer) 164. In the present embodiment, the third light-shielding wall 173, the first light-shielding wall 167, and the second insulating layer (second light-shielding layer) 164 are integrally formed.

第３遮光壁１７３が、第１遮光壁１６７に対向して第１絶縁層１６３の側面１６３ｃを覆うので、表示装置１０は、隣接する画素１２２の透過領域１２４の側から画素ＴＦＴ１５０に入射する外光を遮ることができる。本実施形態では、第３遮光壁１７３と第１遮光壁１６７が画素ＴＦＴ１５０に入射する外光を遮るので、表示装置１０は画素ＴＦＴ１５０への外光の入射をより抑制できる。また、本実施形態の表示装置１０は、実施形態２の表示装置１０と同様に、電極１５６、１５７、アノード電極１４５、供給配線１３５、１３６、１３７等による外光の反射を抑制できる。なお、第３遮光壁１７３は、第１遮光壁１６７と同様に、第３遮光壁１７３の光学濃度と第３遮光壁１７３の厚さ（μｍ）との積が０．０２以上であることが好ましい。 Since the third light-shielding wall 173 faces the first light-shielding wall 167 and covers the side surface 163c of the first insulating layer 163, the display device 10 is outside being incident on the pixel TFT 150 from the side of the transmission region 124 of the adjacent pixel 122. It can block light. In the present embodiment, since the third light-shielding wall 173 and the first light-shielding wall 167 block the external light incident on the pixel TFT 150, the display device 10 can further suppress the incident of the external light on the pixel TFT 150. Further, the display device 10 of the present embodiment can suppress reflection of external light by the electrodes 156, 157, the anode electrode 145, the supply wiring 135, 136, 137, etc., similarly to the display device 10 of the second embodiment. In the third light-shielding wall 173, similarly to the first light-shielding wall 167, the product of the optical density of the third light-shielding wall 173 and the thickness (μm) of the third light-shielding wall 173 is 0.02 or more. preferable.

＜実施形態５＞
実施形態１〜４では、第１遮光壁１６７は、画素１２２の内において、第１絶縁層１６３の透過領域１２４の側に位置する側面１６３ａと第２絶縁層１６４の透過領域１２４の側に位置する側面１６４ａとを覆うが、第１遮光壁１６７は第１絶縁層１６３内に設けられてもよい。また、実施形態１〜４では、定義層１６５、又は第２絶縁層１６４と定義層１６５が第２遮光層として機能するが、第２遮光層は第２絶縁層１６４と定義層１６５とは別途に設けられてもよい。 <Embodiment 5>
In the first to fourth embodiments, the first light-shielding wall 167 is located on the side surface 163a located on the side of the transmission region 124 of the first insulating layer 163 and on the side of the transmission region 124 of the second insulating layer 164 in the pixel 122. The first light-shielding wall 167 may be provided in the first insulating layer 163 so as to cover the side surface 164a. Further, in the first to fourth embodiments, the definition layer 165, or the second insulating layer 164 and the definition layer 165 function as the second light-shielding layer, but the second light-shielding layer is separate from the second insulating layer 164 and the definition layer 165. It may be provided in.

図１０〜図１３を参照して、本実施形態の表示領域１２０の構成を説明する。なお、理解を容易にするため、図１１においては、透光性絶縁層１６２、第１絶縁層１６３、第２遮光層１８０、第２絶縁層１６４、定義層１６５等を省略している。また、図１２においては、第２絶縁層１６４、定義層１６５等を省略している。 The configuration of the display area 120 of this embodiment will be described with reference to FIGS. 10 to 13. For ease of understanding, in FIG. 11, the translucent insulating layer 162, the first insulating layer 163, the second light-shielding layer 180, the second insulating layer 164, the definition layer 165, and the like are omitted. Further, in FIG. 12, the second insulating layer 164, the definition layer 165, and the like are omitted.

本実施形態では、図１０に示すように、外光を遮る第２遮光層１８０が第１絶縁層１６３と第２絶縁層１６４との間に設けられる。本実施形態の第１遮光壁１６７は、発光領域１２６において第１絶縁層１６３と透光性絶縁層１６２とを貫通して、第１遮光層１６１と第２遮光層１８０とに接続している。さらに、本実施形態では、第４遮光壁１７４が設けられる。第４遮光壁１７４は、第１遮光壁１６７に接続し、第１遮光壁１６７と共に画素ＴＦＴ１５０の活性層１５０ａを囲む。ここでは、発光素子Ｅ１とスペーサ１６６の構成は実施形態１と同様であるので、その他の構成について説明する。 In the present embodiment, as shown in FIG. 10, a second light-shielding layer 180 that blocks external light is provided between the first insulating layer 163 and the second insulating layer 164. The first light-shielding wall 167 of the present embodiment penetrates the first insulating layer 163 and the translucent insulating layer 162 in the light emitting region 126 and is connected to the first light-shielding layer 161 and the second light-shielding layer 180. .. Further, in the present embodiment, the fourth light-shielding wall 174 is provided. The fourth light-shielding wall 174 is connected to the first light-shielding wall 167 and surrounds the active layer 150a of the pixel TFT 150 together with the first light-shielding wall 167. Here, since the configurations of the light emitting element E1 and the spacer 166 are the same as those of the first embodiment, other configurations will be described.

本実施形態の第１遮光層１６１は、画素ＴＦＴ１５０に入射する外光を遮る。本実施形態の第１遮光層１６１は、図１０、図１１に示すように、透光性基板１１０の上の画素ＴＦＴ１５０の活性層１５０ａに対応する位置に設けられる。本実施形態の第１遮光層１６１のその他の構成は、実施形態１の第１遮光層１６１と同様である。なお、透過領域１２４は、後述するように、第２遮光層１８０によって画定される。 The first light-shielding layer 161 of the present embodiment blocks external light incident on the pixel TFT 150. As shown in FIGS. 10 and 11, the first light-shielding layer 161 of the present embodiment is provided at a position corresponding to the active layer 150a of the pixel TFT 150 on the translucent substrate 110. Other configurations of the first light-shielding layer 161 of the present embodiment are the same as those of the first light-shielding layer 161 of the first embodiment. The transmission region 124 is defined by the second light-shielding layer 180, as will be described later.

本実施形態の透光性絶縁層１６２は、図１０に示すように、第１遮光層１６１と透光性基板１１０とを覆う。したがって、本実施形態では、透光性絶縁層１６２は透過領域１２４と発光領域１２６とに配置されている。また、本実施形態の透光性絶縁層１６２は、発光領域１２６において第１遮光壁１６７と第４遮光壁１７４に貫通される。すなわち、第１遮光壁１６７と第４遮光壁１７４が、発光領域１２６の透光性絶縁層１６２内に配置されている。本実施形態の透光性絶縁層１６２のその他の構成は、実施形態１の透光性絶縁層１６２と同様である。 As shown in FIG. 10, the translucent insulating layer 162 of the present embodiment covers the first light-shielding layer 161 and the translucent substrate 110. Therefore, in the present embodiment, the translucent insulating layer 162 is arranged in the transmission region 124 and the light emitting region 126. Further, the translucent insulating layer 162 of the present embodiment is penetrated through the first light-shielding wall 167 and the fourth light-shielding wall 174 in the light emitting region 126. That is, the first light-shielding wall 167 and the fourth light-shielding wall 174 are arranged in the translucent insulating layer 162 of the light emitting region 126. Other configurations of the translucent insulating layer 162 of the present embodiment are the same as those of the translucent insulating layer 162 of the first embodiment.

本実施形態の第１絶縁層１６３は、窒化シリコン、酸化シリコン等から構成される。本実施形態の第１絶縁層１６３は、透光性絶縁層１６２の上に配置される。また、本実施形態の第１絶縁層１６３は、画素ＴＦＴ１５０の活性層１５０ａとゲート電極１５０ｇと、ゲート線１３１、１３３と、電極１５６とを覆う。本実施形態の第１絶縁層１６３は、発光領域１２６において第１遮光壁１６７と第４遮光壁１７４に貫通される。すなわち、第１遮光壁１６７と第４遮光壁１７４が、発光領域１２６の第１絶縁層１６３内に配置されている。なお、本実施形態の透光性絶縁層１６２と同様に、本実施形態の第１絶縁層１６３は、透過領域１２４と発光領域１２６とに配置されている。 The first insulating layer 163 of the present embodiment is composed of silicon nitride, silicon oxide, or the like. The first insulating layer 163 of the present embodiment is arranged on the translucent insulating layer 162. Further, the first insulating layer 163 of the present embodiment covers the active layer 150a of the pixel TFT 150, the gate electrode 150g, the gate wires 131, 133, and the electrode 156. The first insulating layer 163 of the present embodiment penetrates through the first light-shielding wall 167 and the fourth light-shielding wall 174 in the light emitting region 126. That is, the first light-shielding wall 167 and the fourth light-shielding wall 174 are arranged in the first insulating layer 163 of the light emitting region 126. Similar to the translucent insulating layer 162 of the present embodiment, the first insulating layer 163 of the present embodiment is arranged in the transmission region 124 and the light emitting region 126.

第２遮光層１８０は、絶縁性を有し、画素ＴＦＴ１５０と供給配線１３５、１３６、１３７に入射する外光を遮る。第２遮光層１８０は、実施形態１の第１遮光層１６１と同様に、黒色顔料を含む感光性樹脂から構成される。第２遮光層１８０は、図１０に示すように、第１絶縁層１６３の上に配置される。また、第２遮光層１８０は、図１０、図１２に示すように、第３開口１８０ａを有している。第２遮光層１８０の第３開口１８０ａが透過領域１２４を画定する。図１１、図１２に示すように、第２遮光層１８０の上には、電極１５７と供給配線１３５、１３６、１３７が設けられる。 The second light-shielding layer 180 has an insulating property and blocks external light incident on the pixel TFT 150 and the supply wirings 135, 136, and 137. The second light-shielding layer 180 is made of a photosensitive resin containing a black pigment, similarly to the first light-shielding layer 161 of the first embodiment. The second light-shielding layer 180 is arranged on the first insulating layer 163 as shown in FIG. Further, the second light-shielding layer 180 has a third opening 180a as shown in FIGS. 10 and 12. The third opening 180a of the second light-shielding layer 180 defines the transmission region 124. As shown in FIGS. 11 and 12, electrodes 157 and supply wirings 135, 136, and 137 are provided on the second light-shielding layer 180.

本実施形態の第１遮光壁１６７は、画素ＴＦＴ１５０に入射する外光を遮光する。図１０に示すように、本実施形態の第１遮光壁１６７は、発光領域１２６の第１絶縁層１６３内と透光性絶縁層１６２内に設けられ、第１遮光層１６１と第２遮光層１８０とに接続している。具体的には、本実施形態の第１遮光壁１６７は、発光領域１２６内の画素ＴＦＴ１５０の活性層１５０ａよりも透過領域１２４側の位置で、第１絶縁層１６３と透光性絶縁層１６２とを貫通し、第１遮光層１６１と第２遮光層１８０とに接続している。これにより、本実施形態の第１遮光壁１６７は、表示装置１０にＺ方向に対して傾いて入射して、透過領域１２４から画素ＴＦＴ１５０に入射する外光を、遮ることができる。さらに、第１遮光壁１６７が発光領域１２６の第１絶縁層１６３内と透光性絶縁層１６２内に設けられているので、透過領域１２４と発光領域１２６とのレイアウトマージンを小さくして、透過領域１２４を大きくできる。 The first light-shielding wall 167 of the present embodiment blocks external light incident on the pixel TFT 150. As shown in FIG. 10, the first light-shielding wall 167 of the present embodiment is provided in the first insulating layer 163 and the translucent insulating layer 162 of the light emitting region 126, and is provided in the first light-shielding layer 161 and the second light-shielding layer 162. It is connected to 180. Specifically, the first light-shielding wall 167 of the present embodiment includes the first insulating layer 163 and the translucent insulating layer 162 at positions in the light emitting region 126 on the transmission region 124 side of the active layer 150a of the pixel TFT 150. Is penetrated and connected to the first light-shielding layer 161 and the second light-shielding layer 180. As a result, the first light-shielding wall 167 of the present embodiment can enter the display device 10 at an angle with respect to the Z direction and block the external light incident on the pixel TFT 150 from the transmission region 124. Further, since the first light-shielding wall 167 is provided in the first insulating layer 163 and the translucent insulating layer 162 of the light emitting region 126, the layout margin between the transmissive region 124 and the light emitting region 126 is reduced to transmit the light. The area 124 can be increased.

本実施形態の第１遮光壁１６７は第２遮光層１８０と一体に形成される。本実施形態の第１遮光壁１６７のその他の構成は、実施形態１の第１遮光壁１６７と同様である。 The first light-shielding wall 167 of the present embodiment is integrally formed with the second light-shielding layer 180. Other configurations of the first light-shielding wall 167 of the present embodiment are the same as those of the first light-shielding wall 167 of the first embodiment.

第４遮光壁１７４は、第２遮光層１８０と同様に、黒色顔料を含む感光性樹脂から構成され、第２遮光層１８０と一体に形成される。第４遮光壁１７４は、本実施形態の第１遮光壁１６７と同様に、発光領域１２６の第１絶縁層１６３内と透光性絶縁層１６２内に設けられる。第４遮光壁１７４は、第１絶縁層１６３と透光性絶縁層１６２とを貫通し、第１遮光層１６１と第２遮光層１８０とに接続している。さらに、第４遮光壁１７４は、図１１に示すように、第１遮光壁１６７に接続し、第１遮光壁１６７と共に画素ＴＦＴ１５０の活性層１５０ａを囲んでいる。本実施形態では、第１遮光壁１６７と第４遮光壁１７４が画素ＴＦＴ１５０の活性層１５０ａを囲むので、隣接する画素１２２の透過領域１２４の側から画素ＴＦＴ１５０に入射する外光を遮ることができる。 Like the second light-shielding layer 180, the fourth light-shielding wall 174 is made of a photosensitive resin containing a black pigment and is integrally formed with the second light-shielding layer 180. The fourth light-shielding wall 174 is provided in the first insulating layer 163 and the translucent insulating layer 162 of the light emitting region 126, similarly to the first light-shielding wall 167 of the present embodiment. The fourth light-shielding wall 174 penetrates the first heat-shielding layer 163 and the translucent insulating layer 162, and is connected to the first light-shielding layer 161 and the second light-shielding layer 180. Further, as shown in FIG. 11, the fourth light-shielding wall 174 is connected to the first light-shielding wall 167 and surrounds the active layer 150a of the pixel TFT 150 together with the first light-shielding wall 167. In the present embodiment, since the first light-shielding wall 167 and the fourth light-shielding wall 174 surround the active layer 150a of the pixel TFT 150, it is possible to block the external light incident on the pixel TFT 150 from the side of the transmission region 124 of the adjacent pixel 122. ..

本実施形態の第２絶縁層１６４は、第２遮光層１８０の上に配置される。また、本実施形態の第２絶縁層１６４は、発光領域１２６において、電極１５７、配線等を覆う。さらに、本実施形態の第２絶縁層１６４は、図１３に示すように、供給配線１３５、１３６、１３７を覆う。本実施形態の定義層１６５は、実施形態１の第２絶縁層１６４と同様に、感光性樹脂（ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂等）から構成される。本実施形態の第２絶縁層１６４と定義層１６５のその他の構成は、実施形態１の第２絶縁層１６４と定義層１６５同様である。 The second insulating layer 164 of the present embodiment is arranged on the second light-shielding layer 180. Further, the second insulating layer 164 of the present embodiment covers the electrodes 157, wiring, etc. in the light emitting region 126. Further, the second insulating layer 164 of the present embodiment covers the supply wirings 135, 136, and 137 as shown in FIG. The definition layer 165 of the present embodiment is made of a photosensitive resin (polyimide resin, acrylic resin, silicone resin, etc.) like the second insulating layer 164 of the first embodiment. Other configurations of the second insulating layer 164 and the definition layer 165 of the present embodiment are the same as those of the second insulating layer 164 and the definition layer 165 of the first embodiment.

以上のように、発光領域１２６の第１遮光層１６１と第２遮光層１８０と第１遮光壁１６７が外光を遮るので、表示装置１０は画素ＴＦＴ１５０への外光の入射を抑制できる。また、供給配線１３５、１３６、１３７が第２遮光層１８０の上に配置されているので、表示装置１０は供給配線１３５、１３６、１３７による外光の反射を抑制できる。第１遮光壁１６７と第４遮光壁１７４が画素ＴＦＴ１５０の活性層１５０ａを囲むので、画素ＴＦＴ１５０に入射する外光を更に遮ることができる。さらに、透過領域１２４の透光性絶縁層１６２と第１絶縁層１６３を除去しなくともよいため、透光性絶縁層１６２と第１絶縁層１６３とをエッチングする工程を省略して、表示装置１０を容易に製造できる。 As described above, since the first light-shielding layer 161, the second light-shielding layer 180, and the first light-shielding wall 167 of the light emitting region 126 block external light, the display device 10 can suppress the incident of external light on the pixel TFT 150. Further, since the supply wirings 135, 136, and 137 are arranged on the second light-shielding layer 180, the display device 10 can suppress the reflection of external light by the supply wirings 135, 136, and 137. Since the first light-shielding wall 167 and the fourth light-shielding wall 174 surround the active layer 150a of the pixel TFT 150, the external light incident on the pixel TFT 150 can be further blocked. Further, since it is not necessary to remove the translucent insulating layer 162 and the first insulating layer 163 in the transmission region 124, the step of etching the translucent insulating layer 162 and the first insulating layer 163 is omitted, and the display device is used. 10 can be easily manufactured.

＜実施形態６＞
実施形態１〜実施形態５の表示装置１０は表示領域１２０の外に遮光壁を備えていないが、表示装置１０は表示領域１２０の外に遮光壁を備えてもよい。 <Embodiment 6>
Although the display device 10 of the first to fifth embodiments does not have a light-shielding wall outside the display area 120, the display device 10 may have a light-shielding wall outside the display area 120.

本実施形態の表示装置１０の構成は、第５遮光壁１７６を備えることを除き、実施形態２の表示装置１０の構成と同様である。ここでは、図１４、図１５を参照して、第５遮光壁１７６を説明する。図１４はＴＦＴ基板１００を示す平面図である。また、図１５は図１４に示すＴＦＴ基板１００をＥ−Ｅ線で矢視した断面図である。 The configuration of the display device 10 of the present embodiment is the same as the configuration of the display device 10 of the second embodiment except that the fifth light-shielding wall 176 is provided. Here, the fifth light-shielding wall 176 will be described with reference to FIGS. 14 and 15. FIG. 14 is a plan view showing the TFT substrate 100. Further, FIG. 15 is a cross-sectional view taken along the line EE of the TFT substrate 100 shown in FIG.

外光を遮る第５遮光壁１７６は、図１４に示すように、平面視した場合に表示領域１２０とドライバ回路２００とを囲む。第５遮光壁１７６は、第１遮光壁１６７と第２絶縁層（第２遮光層）１６４と同様に、黒色顔料を含む感光性樹脂から構成される。図１５に示すように、本実施形態では、第５遮光壁１７６と第２絶縁層（第２遮光層）１６４が一体に形成されている。 As shown in FIG. 14, the fifth light-shielding wall 176 that blocks outside light surrounds the display area 120 and the driver circuit 200 when viewed in a plan view. The fifth light-shielding wall 176 is composed of a photosensitive resin containing a black pigment, similarly to the first light-shielding wall 167 and the second insulating layer (second light-shielding layer) 164. As shown in FIG. 15, in the present embodiment, the fifth light-shielding wall 176 and the second insulating layer (second light-shielding layer) 164 are integrally formed.

第５遮光壁１７６が表示領域１２０とドライバ回路２００とを囲むので、表示装置１０は画素ＴＦＴ１５０への外光の入射をより抑制できる。また、本実施形態の表示装置１０は、実施形態２の表示装置１０と同様に、電極１５６、１５７、アノード電極１４５、供給配線１３５、１３６、１３７等による外光の反射を抑制できる。なお、本実施形態では、第２絶縁層１６４と定義層１６５は、ドライバ回路２００とドライバＩＣ３００とを接続する接続配線（図示せず）の上に、設けられていない。接続配線は第１絶縁層１６３の上に設けられている。 Since the fifth light-shielding wall 176 surrounds the display area 120 and the driver circuit 200, the display device 10 can further suppress the incident of external light on the pixel TFT 150. Further, the display device 10 of the present embodiment can suppress reflection of external light by the electrodes 156, 157, the anode electrode 145, the supply wiring 135, 136, 137, etc., similarly to the display device 10 of the second embodiment. In the present embodiment, the second insulating layer 164 and the definition layer 165 are not provided on the connection wiring (not shown) that connects the driver circuit 200 and the driver IC 300. The connection wiring is provided on the first insulating layer 163.

＜変形例＞
以上、実施形態を説明したが、本開示は、要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。 <Modification example>
Although the embodiments have been described above, the present disclosure can be modified in various ways without departing from the gist.

例えば、実施形態１の画素回路１４０はスイッチングＴＦＴ１５１と駆動ＴＦＴ１５２とリセットＴＦＴ１５３とを備えるが、画素回路１４０の構成はこの構成に限られない。画素回路１４０はリセットＴＦＴ１５３を備えなくともよい。また、画素回路１４０は他の機能を有する薄膜トランジスタを備えてもよい。 For example, the pixel circuit 140 of the first embodiment includes a switching TFT 151, a drive TFT 152, and a reset TFT 153, but the configuration of the pixel circuit 140 is not limited to this configuration. The pixel circuit 140 does not have to include the reset TFT 153. Further, the pixel circuit 140 may include a thin film transistor having another function.

実施形態１〜実施形態６の表示装置１０は、表示素子として発光素子Ｅ１を備える。表示装置１０は他の発光素子を備えてもよい。表示装置１０は、例えば、量子ドット発光素子を備えてもよい。また、表示装置１０の画素１２２の配列は、ストライプ配列に限られず、ベイヤ配列、ペンタイル配列等であってもよい。実施形態１〜実施形態６の表示装置１０では、封止基板４００がＴＦＴ基板１００を封止している。表示装置１０では、ＴＦＴ基板１００は、有機膜又は無機膜による薄膜封止により封止されてもよい。 The display device 10 of the first to sixth embodiments includes a light emitting element E1 as a display element. The display device 10 may include other light emitting elements. The display device 10 may include, for example, a quantum dot light emitting element. Further, the arrangement of the pixels 122 of the display device 10 is not limited to the stripe arrangement, and may be a Bayer arrangement, a pentile arrangement, or the like. In the display device 10 of the first to sixth embodiments, the sealing substrate 400 seals the TFT substrate 100. In the display device 10, the TFT substrate 100 may be sealed by thin film sealing with an organic film or an inorganic film.

実施形態１において、表示装置１０は、３つの供給配線１３５、１３６、１３７を備える構成であるが、表示装置１０は、基準電圧線として機能する供給配線（Ｖｒｅｆ）１３７を備えなくともよい。また、表示装置１０は、他の機能を有する供給配線を備えてもよい。さらに、実施形態１の定義層（第２遮光層）１６５は、３つ供給配線１３５、１３６、１３７を覆う。定義層（第２遮光層）１６５は、３つ供給配線１３５、１３６、１３７のうちの少なくとも１つを覆えばよい。 In the first embodiment, the display device 10 is configured to include three supply wirings 135, 136, and 137, but the display device 10 does not have to include the supply wiring (Vref) 137 that functions as a reference voltage line. Further, the display device 10 may be provided with supply wiring having another function. Further, the definition layer (second light-shielding layer) 165 of the first embodiment covers three supply wirings 135, 136, and 137. The definition layer (second light-shielding layer) 165 may cover at least one of the three supply wirings 135, 136, and 137.

実施形態２では、第２絶縁層１６４と定義層１６５が第２遮光層として機能するが、第２絶縁層１６４のみが第２遮光層として機能してもよい。すなわち、第２絶縁層１６４と定義層１６５の少なくとも一方が、第２遮光層として機能すればよい。 In the second embodiment, the second insulating layer 164 and the definition layer 165 function as the second light-shielding layer, but only the second insulating layer 164 may function as the second light-shielding layer. That is, at least one of the second insulating layer 164 and the definition layer 165 may function as the second light-shielding layer.

さらに、実施形態１〜４、６において、第２遮光層として機能する層は、第２絶縁層１６４と定義層１６５に限られない。第２遮光層は、第１絶縁層１６３の上に配置されて画素ＴＦＴ１５０を覆い、外光を遮光する層であればよい。 Further, in the first to fourth and sixth embodiments, the layer that functions as the second light-shielding layer is not limited to the second insulating layer 164 and the definition layer 165. The second light-shielding layer may be a layer that is arranged on the first insulating layer 163, covers the pixel TFT 150, and blocks external light.

実施形態１では、第１遮光壁１６７と定義層（第２遮光層）１６５が一体に形成されている。また、実施形態２では、第１遮光壁１６７と第２絶縁層（第２遮光層）１６４が一体に形成されている。第１遮光壁１６７と、定義層（第２遮光層）１６５又は第２絶縁層（第２遮光層）は、個別に形成されてもよい。第２遮光壁１７２と第３遮光壁１７３と第５遮光壁１７６も、定義層（第２遮光層）１６５又は第２絶縁層（第２遮光層）１６４とは別途に形成されてもよい。実施形態５においても、第１遮光壁１６７と第４遮光壁１７４と第２遮光層１８０は、別途に形成されてもよい。 In the first embodiment, the first light-shielding wall 167 and the definition layer (second light-shielding layer) 165 are integrally formed. Further, in the second embodiment, the first light-shielding wall 167 and the second insulating layer (second light-shielding layer) 164 are integrally formed. The first light-shielding wall 167 and the definition layer (second light-shielding layer) 165 or the second insulating layer (second light-shielding layer) may be formed individually. The second light-shielding wall 172, the third light-shielding wall 173, and the fifth light-shielding wall 176 may also be formed separately from the definition layer (second light-shielding layer) 165 or the second insulating layer (second light-shielding layer) 164. Also in the fifth embodiment, the first light-shielding wall 167, the fourth light-shielding wall 174, and the second light-shielding layer 180 may be formed separately.

実施形態１と実施形態２では、第１遮光壁１６７は第１遮光層１６１の上に設けられて、第１遮光壁１６７と第１遮光層が接続されている。第１遮光層１６１が金属から構成されている場合、第１遮光層１６１の端部による外光の反射を防ぐために、図１６に示すように、第１遮光壁１６７が第１遮光層１６１を覆うことが好ましい。また、図１７に示すように、第２遮光壁１７２が第１遮光層１６１の端部を覆うことが好ましい。さらに、第３遮光壁１７３が第１遮光層１６１の端部を覆ってもよい。 In the first and second embodiments, the first light-shielding wall 167 is provided on the first light-shielding layer 161 to connect the first light-shielding wall 167 and the first light-shielding layer. When the first light-shielding layer 161 is made of metal, as shown in FIG. 16, the first light-shielding wall 167 provides the first light-shielding layer 161 in order to prevent reflection of external light by the end portion of the first light-shielding layer 161. It is preferable to cover it. Further, as shown in FIG. 17, it is preferable that the second light-shielding wall 172 covers the end portion of the first light-shielding layer 161. Further, the third light-shielding wall 173 may cover the end portion of the first light-shielding layer 161.

実施形態５では、第２絶縁層１６４と定義層１６５とを黒色顔料を含む感光性樹脂から構成することにより、第２絶縁層１６４と定義層１６５とを遮光層として機能させてもよい。これにより、電極１５６、１５７、アノード電極１４５、供給配線１３５、１３６、１３７、配線等による外光の反射を更に抑制できる。 In the fifth embodiment, the second insulating layer 164 and the definition layer 165 may function as a light-shielding layer by forming the second insulating layer 164 and the definition layer 165 with a photosensitive resin containing a black pigment. As a result, reflection of external light by the electrodes 156, 157, anode electrode 145, supply wiring 135, 136, 137, wiring, and the like can be further suppressed.

第２遮光壁１７２と第３遮光壁１７３が実施形態２の表示装置１０に設けられてもよい。この場合、第１遮光壁１６７と第２遮光壁１７２と第３遮光壁１７３と、第２絶縁層（第２遮光層）１６４が一体に形成されてもよい。さらに、図１８に示すように、第１遮光壁１６７と第２遮光壁１７２と隣接する画素１２２の第３遮光壁１７３が、透過領域１２４を囲んでもよい。 The second light-shielding wall 172 and the third light-shielding wall 173 may be provided in the display device 10 of the second embodiment. In this case, the first light-shielding wall 167, the second light-shielding wall 172, the third light-shielding wall 173, and the second insulating layer (second light-shielding layer) 164 may be integrally formed. Further, as shown in FIG. 18, the third light-shielding wall 173 of the pixel 122 adjacent to the first light-shielding wall 167 and the second light-shielding wall 172 may surround the transmission region 124.

第２遮光壁１７２と第３遮光壁１７３と第５遮光壁１７６は、実施形態１の表示装置１０に設けられてもよい。この場合、第２遮光壁１７２と第３遮光壁１７３と第５遮光壁１７６は、定義層（第２遮光層）１６５と一体に形成されてもよい。 The second light-shielding wall 172, the third light-shielding wall 173, and the fifth light-shielding wall 176 may be provided on the display device 10 of the first embodiment. In this case, the second light-shielding wall 172, the third light-shielding wall 173, and the fifth light-shielding wall 176 may be integrally formed with the definition layer (second light-shielding layer) 165.

以上、好ましい実施形態について説明したが、本開示は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、本開示には、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲が含まれる。 Although the preferred embodiments have been described above, the present disclosure is not limited to the specific embodiments, and the present disclosure includes the inventions described in the claims and the equivalent scope thereof.

１０ 表示装置、１００ ＴＦＴ基板、１１０ 透光性基板、１２０ 表示領域、１２２，１２２Ｒ，１２２Ｇ，１２２Ｂ 画素、１２４ 透過領域、１２６ 発光領域、 １２８ 主画素、１３１，１３３ ゲート線、１３５，１３６，１３７ 供給配線、１３８ カソード線、１４０ 画素回路、１４５ アノード電極、１４６ 発光層、１４７ カソード電極、１５０ 画素ＴＦＴ、１５０ａ 活性層、１５０ｇ ゲート電極、１５１ スイッチングＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、１５２ 駆動ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、１５３ リセットＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、１５６，１５７ 電極、１６１ 第１遮光層、１６１ａ 第１開口、１６２ 透光性絶縁層、１６３ 第１絶縁層、１６３ａ，１６３ｂ，１６３ｃ，１６４ａ 側面、１６４ 第２絶縁層（第２遮光層）、１６５ 定義層（第２遮光層）、１６５ａ 第２開口、１６６ スペーサ、１６７ 第１遮光壁、１７２ 第２遮光壁、１７３ 第３遮光壁、１７４ 第４遮光壁、１７６ 第５遮光壁、１８０ 第２遮光層、１８０ａ 第３開口、２００ ドライバ回路、３００ ＩＣドライバ、３１０ ＦＰＣ、４００ 封止基板、５０２ 外光、Ｃ１ 保持容量、Ｅ１ 発光素子 10 Display device, 100 TFT substrate, 110 translucent substrate, 120 display area, 122, 122R, 122G, 122B pixels, 124 transmission area, 126 light emitting area, 128 main pixels, 131, 133 gate lines, 135, 136, 137 Supply wiring, 138 cathode wire, 140 pixel circuit, 145 anode electrode, 146 light emitting layer, 147 cathode electrode, 150 pixel TFT, 150a active layer, 150 g gate electrode, 151 switching TFT (thin film transistor), 152 drive TFT (thin film transistor), 153 Reset TFT (thin film transistor), 156,157 electrodes, 161 first light-shielding layer, 161a first opening, 162 translucent insulating layer, 163 first insulating layer, 163a, 163b, 163c, 164a side surface, 164 second insulating layer ( Second shading layer), 165 definition layer (second shading layer), 165a second opening, 166 spacer, 167 first shading wall, 172 second shading wall, 173 third shading wall, 174 fourth shading wall, 176th 5 light-shielding wall, 180 second light-shielding layer, 180a third opening, 200 driver circuit, 300 IC driver, 310 FPC, 400 sealing substrate, 502 external light, C1 holding capacity, E1 light emitting element

Claims (14)

外光を透過する透過領域と発光素子が配置される発光領域とを有する、複数の画素が配列された透光性基板と、
前記発光領域に配置され、前記外光を遮光する第１遮光層と、
前記第１遮光層の上に配置され、前記発光素子の発光を制御する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの活性層を覆う第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に配置されて前記薄膜トランジスタを覆い、前記外光を遮光する第２遮光層と、
前記第１遮光層と前記第２遮光層とに接続し、前記外光を遮光する第１遮光壁と、を備える、
表示装置。 A translucent substrate in which a plurality of pixels are arranged, which has a transmissive region for transmitting external light and a light emitting region in which a light emitting element is arranged,
A first light-shielding layer arranged in the light-emitting region and blocking external light,
A thin film transistor arranged on the first light-shielding layer and controlling light emission of the light emitting element,
The first insulating layer covering the active layer of the thin film transistor and
A second light-shielding layer arranged on the first insulating layer to cover the thin film transistor and shield the outside light.
A first light-shielding wall that connects to the first light-shielding layer and the second light-shielding layer and blocks external light is provided.
Display device. 前記第１遮光壁は、前記画素の内において前記第１絶縁層の前記透過領域の側に位置する側面を覆う、
請求項１に記載の表示装置。 The first light-shielding wall covers a side surface of the first insulating layer located on the side of the transmission region in the pixel.
The display device according to claim 1. 前記透光性基板は、前記薄膜トランジスタのドレイン又はソースに接続する配線を備え、
前記配線は、前記第１遮光層の上に配置された前記第１絶縁層の上に配置され、
前記第２遮光層は前記配線を覆う、
請求項２に記載の表示装置。 The translucent substrate includes wiring that connects to the drain or source of the thin film transistor.
The wiring is arranged on the first insulating layer arranged on the first light-shielding layer, and is arranged on the first insulating layer.
The second light-shielding layer covers the wiring.
The display device according to claim 2. 前記第１遮光層と前記第２遮光層とに接続し、前記配線を配置された前記第１絶縁層の側面を覆い、前記外光を遮光する第２遮光壁を備える、
請求項３に記載の表示装置。 A second light-shielding wall that connects to the first light-shielding layer and the second light-shielding layer, covers the side surface of the first insulating layer in which the wiring is arranged, and blocks the outside light is provided.
The display device according to claim 3. 前記第２遮光層と前記第２遮光壁は一体に形成されている、
請求項４に記載の表示装置。 The second light-shielding layer and the second light-shielding wall are integrally formed.
The display device according to claim 4. 前記第１遮光層と前記第２遮光層とに接続し、前記第１遮光壁に対向して前記第１絶縁層の側面を覆い、前記外光を遮光する第３遮光壁を備える、
請求項２から５のいずれか１項に記載の表示装置。 A third light-shielding wall is provided which is connected to the first light-shielding layer and the second light-shielding layer, faces the first light-shielding wall, covers the side surface of the first insulating layer, and blocks the outside light.
The display device according to any one of claims 2 to 5. 前記第１遮光層と前記第２遮光層とに接続し、前記第１遮光壁に対向して前記第１絶縁層の側面を覆い、前記外光を遮光する第３遮光壁を備え、
前記画素の透過領域が、該画素の内の前記第１遮光壁と前記第２遮光壁と、該画素に隣接する画素の内の前記第３遮光壁とに囲まれている、
請求項４又は５に記載の表示装置。 A third light-shielding wall that connects to the first light-shielding layer and the second light-shielding layer, faces the first light-shielding wall, covers the side surface of the first insulating layer, and blocks the outside light.
The transmission region of the pixel is surrounded by the first light-shielding wall and the second light-shielding wall in the pixel, and the third light-shielding wall in the pixel adjacent to the pixel.
The display device according to claim 4 or 5. 前記第２遮光層と前記第３遮光壁は一体に形成されている、
請求項６又は７に記載の表示装置。 The second light-shielding layer and the third light-shielding wall are integrally formed.
The display device according to claim 6 or 7. 前記第１遮光層は金属から構成され、
前記第１遮光壁は前記第１遮光層の端部を覆う、
請求項２から８のいずれか１項に記載の表示装置。 The first light-shielding layer is made of metal.
The first light-shielding wall covers the end of the first light-shielding layer.
The display device according to any one of claims 2 to 8. 前記第２遮光層は、前記第１絶縁層の上に配置される第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に配置され前記発光素子の発光層を開口に設けられる定義層との少なくとも一方から構成されている、
請求項２から９のいずれか１項に記載の表示装置。 The second light-shielding layer is at least a second insulating layer arranged on the first insulating layer and a definition layer arranged on the second insulating layer and provided with a light emitting layer of the light emitting element in an opening. Consists of one
The display device according to any one of claims 2 to 9. 前記第１遮光壁は、前記発光領域において前記第１絶縁層を貫通する、
請求項１に記載の表示装置。 The first light-shielding wall penetrates the first insulating layer in the light emitting region.
The display device according to claim 1. 前記第１遮光壁に接続し、前記第１遮光壁と共に前記薄膜トランジスタの活性層を囲む第４遮光壁と備える、
請求項１１に記載の表示装置。 It is connected to the first light-shielding wall and includes the first light-shielding wall and a fourth light-shielding wall surrounding the active layer of the thin film transistor.
The display device according to claim 11. 前記第２遮光層と前記第１遮光壁は一体に形成されている、
請求項１から１２のいずれか１項に記載の表示装置。 The second light-shielding layer and the first light-shielding wall are integrally formed.
The display device according to any one of claims 1 to 12. 前記透光性基板の前記画素を配列された表示領域の周囲に配置され、前記薄膜トランジスタを駆動するドライバ回路と、
前記透光性基板に配置されて前記表示領域と前記ドライバ回路とを囲み、前記外光を遮光する第５遮光壁と、を備える、
請求項１から１３のいずれか１項に記載の表示装置。 A driver circuit in which the pixels of the translucent substrate are arranged around a display area arranged to drive the thin film transistor, and a driver circuit.
A fifth light-shielding wall, which is arranged on the translucent substrate, surrounds the display area and the driver circuit, and shields the outside light, is provided.
The display device according to any one of claims 1 to 13.
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