JP2021018516A - Ic module, dual ic card and method for manufacturing ic module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、接触型通信と非接触型通信が可能なICモジュール、デュアルICカードおよびICモジュールの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an IC module, a dual IC card, and an IC module capable of contact type communication and non-contact type communication.
接触型通信機能および非接触型通信機能を有するICチップを搭載したICモジュールは、使用者の用途に応じて通信機能を使い分けられるため、様々な用途に用いられている。例えば、その様な機能を備えたICチップを搭載したICモジュールが、カード本体に取り付けられて、デュアルICカードとして使用されている。そのICモジュールとカード本体とは、電磁結合(トランス結合)により電気的に接続されており、電力供給と通信が可能となっている。これは、ICモジュールとカード本体とをはんだなどの導電性の接続部材で直接接続した場合には、デュアルICカードを曲げたときに接続部材が破損する恐れがあるためである。 An IC module equipped with an IC chip having a contact type communication function and a non-contact type communication function is used for various purposes because the communication function can be properly used according to the user's application. For example, an IC module equipped with an IC chip having such a function is attached to a card body and used as a dual IC card. The IC module and the card body are electrically connected by electromagnetic coupling (transformer coupling), and power supply and communication are possible. This is because if the IC module and the card body are directly connected by a conductive connecting member such as solder, the connecting member may be damaged when the dual IC card is bent.
デュアルICカード用ICモジュールの表面には、外部機器との接触インターフェース用の端子(接触端子部)が、裏面には電磁結合用の接続コイルが形成されている。 A terminal (contact terminal portion) for a contact interface with an external device is formed on the front surface of the IC module for a dual IC card, and a connection coil for electromagnetic coupling is formed on the back surface.
板状のカード基材からなるカード本体には、ミリング加工により凹部が形成されており、そこにICモジュールが収容される。このカード基材のICモジュール収容部は、深さが異なる内側の部分と外側の部分からなり、内側の方が深くなっている。ICモジュールの樹脂封止部分を入れるために全体の深さを深くするのではなく、内側のみを深くすることで、外側のICモジュール収容部は結合用コイルのある位置には影響しない深さでミリング加工すればよい。この様にする事で、ICモジュールの接続コイルと電磁結合するための、カード基材内部のアンテナに備えられた結合用コイルが十分な巻き数を確保可能となる。この結合用コイルの巻き数が不十分であると、電磁結合の不足により十分な信号の伝達が行なえなくなる。 A recess is formed in the card body made of a plate-shaped card base material by milling, and an IC module is housed therein. The IC module housing portion of the card base material is composed of an inner portion and an outer portion having different depths, and the inner portion is deeper. By deepening only the inside instead of deepening the entire depth to insert the resin-sealed part of the IC module, the outer IC module housing part has a depth that does not affect the position of the coupling coil. It may be milled. By doing so, it is possible to secure a sufficient number of turns of the coupling coil provided in the antenna inside the card base material for electromagnetic coupling with the connection coil of the IC module. If the number of turns of the coupling coil is insufficient, sufficient signal transmission cannot be performed due to insufficient electromagnetic coupling.
ICモジュールの裏面に形成された接続コイルの最も外側の端部から、その端部と接続された接続点をカード基材の表面のICチップに隣接した位置に橋渡しして移動させるため、カード基材にスルーホールめっき加工を施し、表面にてブリッジ(橋渡し配線を形成して接続すること。)させている。ICモジュール基材の表面の接触端子と裏面のICチップとは、パンチングホールワイヤボンディングにより接続されている。パンチングホールワイヤボンディングとは、表面の接触端子の裏面と接するICモジュール基材にスルーホールを形成し、そのスルーホールを通して(挿通して)導電線により両者をワイヤボンディングする事である。 A card base for moving from the outermost end of the connection coil formed on the back surface of the IC module by bridging the connection point connected to the end to a position adjacent to the IC chip on the surface of the card base material. Through-hole plating is applied to the material, and a bridge (bridging wiring is formed and connected) is formed on the surface. The contact terminals on the front surface of the IC module base material and the IC chips on the back surface are connected by punching hole wire bonding. Punching hole wire bonding is to form a through hole in the IC module base material in contact with the back surface of the contact terminal on the front surface, and wire bond the two with a conductive wire through (inserting) the through hole.
また、スルーホールめっき加工を施さないICモジュールの基材においては、接続コイルの最も外側の端部をブリッジするために設けた橋渡し配線の両端の位置に貫通孔を形成し、ICチップの端子と橋渡し配線間、接続コイルと橋渡し配線間を、それぞれ貫通孔を挿通した導電線により接続することができる。この様にして、スルーホールめっき加工することなく、ワイヤボンディングにより接続が完了する。その為、容易、且つ安価にICモジュールを製造する事が可能である。 Further, in the base material of the IC module that is not subjected to the through-hole plating process, through holes are formed at both ends of the bridging wiring provided for bridging the outermost end of the connecting coil, and the terminal of the IC chip is formed. It is possible to connect between the bridging wiring and between the connecting coil and the bridging wiring by a conductive wire through which a through hole is inserted. In this way, the connection is completed by wire bonding without performing through-hole plating. Therefore, it is possible to manufacture an IC module easily and inexpensively.
図面を用いて更に詳細にデュアルICカードとICモジュールの構成例について説明する。
図12および図13に示すように、デュアルICカード1は、凹部11が形成された板状のカード本体10と、この凹部11に収容されたICモジュール30とを備えている。
なお、図13はデュアルICカード1を模式的に示す断面図であり、後述するアンテナ13の巻き数を簡略化して示している。図12では、カード本体10におけるアンテナ13および容量性素子14を示し、基板12を透過させてその外形のみ示している。
A configuration example of the dual IC card and the IC module will be described in more detail with reference to the drawings.
As shown in FIGS. 12 and 13, the dual IC card 1 includes a plate-shaped card body 10 in which a recess 11 is formed, and an IC module 30 housed in the recess 11.
Note that FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing the dual IC card 1, and the number of turns of the antenna 13 described later is simplified. In FIG. 12, the antenna 13 and the capacitive element 14 in the card body 10 are shown, and only the outer shape thereof is shown through the substrate 12.
カード本体10は、基板12と、基板12の凹部11の開口11a側となる第一の面12aに設けられたアンテナ13と、アンテナ13に電気的に接続された容量性素子14と、基板12、アンテナ13および容量性素子14を挟んで積層した一対のカード基材15とを有している。
基板12は、PET(ポリエチレンテレフタレート)やポリエチレンナフタレート(PEN)などの絶縁性を有する材料を用いて、平面視で矩形状に形成されている(図12参照。)。なお、各カード基材15も平面視で矩形状に形成されている。
基板12の短辺12c側、すなわちカード基材15の短辺側には、基板12の厚さ方向Dに貫通する収容孔12dが形成されている。収容孔12dは、平面視で基板12の短辺や長辺に平行な辺を有する矩形状に形成されている。基板12の厚さは、例えば15〜50μm(マイクロメートル)である。
The card body 10 includes a substrate 12, an antenna 13 provided on the first surface 12a of the recess 11 of the substrate 12 on the opening 11a side, a capacitive element 14 electrically connected to the antenna 13, and the substrate 12. It has a pair of card base materials 15 laminated with the antenna 13 and the capacitive element 14 interposed therebetween.
The substrate 12 is formed in a rectangular shape in a plan view using a material having an insulating property such as PET (polyethylene terephthalate) or polyethylene naphthalate (PEN) (see FIG. 12). Each card base material 15 is also formed in a rectangular shape in a plan view.
An accommodating hole 12d penetrating in the thickness direction D of the substrate 12 is formed on the short side 12c side of the substrate 12, that is, the short side side of the card base material 15. The accommodating hole 12d is formed in a rectangular shape having a side parallel to the short side and the long side of the substrate 12 in a plan view. The thickness of the substrate 12 is, for example, 15 to 50 μm (micrometer).
アンテナ13は、ICモジュール30の後述する接続コイル31と電磁結合するための結合用コイル18、およびリーダライタなどの非接触型外部機器(不図示。)との非接触型通信を行うために結合用コイル18に接続された主コイル19を有している。なお、結合用コイル18は、図12における領域R1内に配されたコイルであり、主コイル19は領域R1に隣合う領域R2内に配されたコイルである。収容孔12dに対する基板12の長辺12e側、すなわちカード基材15の長辺側には、エンボスが形成可能なエンボス領域R3がICカードの規格(X 6302−1:2005(ISO/IEC 7811−1:2002))に基づいて設定されている。 The antenna 13 is coupled to perform non-contact communication with a coupling coil 18 for electromagnetic coupling with the connection coil 31 described later of the IC module 30 and a non-contact external device (not shown) such as a reader / writer. It has a main coil 19 connected to the coil 18. The coupling coil 18 is a coil arranged in the region R1 in FIG. 12, and the main coil 19 is a coil arranged in the region R2 adjacent to the region R1. On the long side 12e side of the substrate 12 with respect to the accommodating hole 12d, that is, the long side side of the card base material 15, an embossed region R3 on which embossing can be formed is an IC card standard (X6302-1: 2005 (ISO / IEC 7811-) It is set based on 1: 2002)).
この例では、結合用コイル18は、螺旋状に形成されて収容孔12dの周りに5回巻回されている。エンボス領域R3における結合用コイル18を構成する配線18aの幅は、エンボス領域R3以外における配線18bの幅よりも広い。結合用コイル18の最も内側に配された配線18bの端部には、配線18bよりも幅が広く略円形状に形成された端子部20が設けられている。この端子部20は、第一の面12aに形成されている。
主コイル19は、螺旋状に形成されて領域R2内で3回巻回されている。エンボス領域R3における主コイル19を構成する配線19aの幅は、エンボス領域R3以外における配線19bの幅よりも広い。配線19aの幅および前述の配線18aの幅を広くすることで、エンボス領域R3にエンボスが形成されたときに配線18a、19aが断線するのを防ぐことができる。
主コイル19の最も外側に配された配線19aの端部に、結合用コイル18の最も外側に配された配線18aの端部が接続されている。
In this example, the coupling coil 18 is formed in a spiral shape and is wound around the accommodating hole 12d five times. The width of the wiring 18a constituting the coupling coil 18 in the embossed region R3 is wider than the width of the wiring 18b other than the embossed region R3. At the end of the wiring 18b arranged on the innermost side of the coupling coil 18, a terminal portion 20 having a width wider than that of the wiring 18b and formed in a substantially circular shape is provided. The terminal portion 20 is formed on the first surface 12a.
The main coil 19 is formed in a spiral shape and is wound three times in the region R2. The width of the wiring 19a constituting the main coil 19 in the embossed region R3 is wider than the width of the wiring 19b other than the embossed region R3. By widening the width of the wiring 19a and the width of the wiring 18a described above, it is possible to prevent the wirings 18a and 19a from being disconnected when the embossing is formed in the embossed region R3.
The end of the wiring 18a arranged on the outermost side of the coupling coil 18 is connected to the end of the wiring 19a arranged on the outermost side of the main coil 19.
容量性素子14は、図12および図13に示すように、基板12の第一の面12aに設けられた電極板14aと、基板12の第二の面12bに設けられた電極板14bとを有している。電極板14aと14bは、基板12を挟んで対向するように配置されている。
電極板14aは、主コイル19の最も内側に配された配線19bの端部に接続されている。
電極板14bには、第二の面12bに設けられた接続配線21が接続されている。この接続配線21は、基板12の第二の面12bにおける端子部20に対向する部分まで延び、この延びた部分に不図示の端子部が設けられている。結合用コイル18の端子部20と接続配線21の端子部とは、公知のクリンピング加工などにより電気的に接続されている。容量性素子14は、結合用コイル18と主コイル19との間に直列に接続されている。
As shown in FIGS. 12 and 13, the capacitive element 14 comprises an electrode plate 14a provided on the first surface 12a of the substrate 12 and an electrode plate 14b provided on the second surface 12b of the substrate 12. Have. The electrode plates 14a and 14b are arranged so as to face each other with the substrate 12 interposed therebetween.
The electrode plate 14a is connected to the end of the wiring 19b arranged on the innermost side of the main coil 19.
The connection wiring 21 provided on the second surface 12b is connected to the electrode plate 14b. The connection wiring 21 extends to a portion of the second surface 12b of the substrate 12 facing the terminal portion 20, and a terminal portion (not shown) is provided in the extended portion. The terminal portion 20 of the coupling coil 18 and the terminal portion of the connection wiring 21 are electrically connected by a known crimping process or the like. The capacitive element 14 is connected in series between the coupling coil 18 and the main coil 19.
カード基材15は、非晶質ポリエステルなどのポリエステル系材料、PVC(ポリ塩化
ビニル)などの塩化ビニル系材料、ポリカーボネート系材料、PET−G(ポリエチレンテレフタレート共重合体)などの絶縁性および耐久性を有する材料で形成されている。
前述の凹部11は、図13に示すように、カード基材15に形成されている。凹部11は、カード基材15の側面に形成された第一の収容部24と、第一の収容部24の底面に形成された第一の収容部24よりも小径の第二の収容部25とを有している。第一の収容部24のカード基材15の側面側の開口が、前述の開口11aとなっている。
The card base material 15 has insulation and durability such as polyester-based material such as amorphous polyester, vinyl chloride-based material such as PVC (polyvinyl chloride), polycarbonate-based material, and PET-G (polyethylene terephthalate copolymer). It is made of a material having.
As shown in FIG. 13, the recess 11 described above is formed in the card base material 15. The recess 11 has a first accommodating portion 24 formed on the side surface of the card base material 15 and a second accommodating portion 25 having a diameter smaller than that of the first accommodating portion 24 formed on the bottom surface of the first accommodating portion 24. And have. The opening on the side surface side of the card base material 15 of the first accommodating portion 24 is the above-mentioned opening 11a.
次に、ICモジュールの例について説明する。
ICモジュール30は、図10、図11に示すように、シート状のモジュール基材33と、モジュール基材33の第一の面33aに設けられたICチップ34および接続コイル31と、モジュール基材33の第二の面33bに設けられた複数の接触端子(接触端子部とも記す。)35およびブリッジ(橋渡し配線とも記す。)36とを備えている。
モジュール基材33は、基板12と同一の材料で、平面視で矩形状に形成されている。モジュール基材33には、厚さ方向Dに見てブリッジ36の両端部に重なる位置に、互いに離間した第一のスルーホール(以後、スルーホールは貫通孔とも記す。)33cと第二のスルーホール(第二の貫通孔とも記す。)33dが形成されている。モジュール基材33の厚さ方向は、前述の基板12の厚さ方向Dに一致する。モジュール基材33にはスルーホール33c、33d以外にもスルーホール(補助貫通孔)33eが形成されている(図10参照)。モジュール基材33の厚さは、例えば50〜200μmである。
ICチップ34は、接触型通信機能および非接触型通信機能を有する公知の構成のものを用いることができる。ICチップ34は、チップ本体34aの外面に第一の端子34b、第二の端子34cおよび複数の接続端子34dが形成されたものである。
Next, an example of the IC module will be described.
As shown in FIGS. 10 and 11, the IC module 30 includes a sheet-shaped module base material 33, an IC chip 34 and a connection coil 31 provided on the first surface 33a of the module base material 33, and a module base material. A plurality of contact terminals (also referred to as contact terminal portions) 35 and bridges (also referred to as bridging wiring) 36 provided on the second surface 33b of 33 are provided.
The module base material 33 is made of the same material as the substrate 12, and is formed in a rectangular shape in a plan view. The module base material 33 has a first through hole (hereinafter, the through hole is also referred to as a through hole) 33c and a second through hole that are separated from each other at positions that overlap both ends of the bridge 36 in the thickness direction D. A hole (also referred to as a second through hole) 33d is formed. The thickness direction of the module base material 33 coincides with the thickness direction D of the substrate 12 described above. In addition to the through holes 33c and 33d, through holes (auxiliary through holes) 33e are formed in the module base material 33 (see FIG. 10). The thickness of the module base material 33 is, for example, 50 to 200 μm.
As the IC chip 34, a known configuration having a contact type communication function and a non-contact type communication function can be used. The IC chip 34 has a first terminal 34b, a second terminal 34c, and a plurality of connection terminals 34d formed on the outer surface of the chip main body 34a.
接続コイル31は、螺旋状に形成されている。接続コイル31は、ICチップ34、およびスルーホール33c、33eの周りに、例えば3回巻回されている。第二のスルーホール33dは、接続コイル31の外側に形成されている。接続コイル31の最も外側に配された配線の端部(第一の端部)、および最も内側に配された配線の端部(第二の端部)には、配線よりも幅が広く形成された端子部39、40がそれぞれ設けられている。接続コイル31は、銅箔やアルミニウム箔をエッチングでパターン化することで形成されている。接続コイル31の厚さは、例えば5〜50μmである。接続コイル31は、カード本体10(図11参照)の結合用コイル18との電磁結合による非接触端子部を構成する。 The connecting coil 31 is formed in a spiral shape. The connection coil 31 is wound around the IC chip 34 and the through holes 33c and 33e, for example, three times. The second through hole 33d is formed on the outside of the connecting coil 31. The outermost end of the wiring (first end) and the innermost end of the wiring (second end) of the connection coil 31 are formed wider than the wiring. The terminal portions 39 and 40 are provided, respectively. The connection coil 31 is formed by patterning a copper foil or an aluminum foil by etching. The thickness of the connecting coil 31 is, for example, 5 to 50 μm. The connection coil 31 constitutes a non-contact terminal portion by electromagnetic coupling with the coupling coil 18 of the card body 10 (see FIG. 11).
図10に示した様に、複数の接触端子35およびブリッジ36は、モジュール基材33の第二の面33bに例えば銅箔をラミネートすることで、所定のパターンに形成されている。ブリッジ36は、厚さ方向Dに見て接続コイル31を跨ぐように形成される。図10はL字状に形成された例を示しているが、L字状に限定する必要は無い。
複数の接触端子35およびブリッジ36は、互いに電気的に絶縁されている。銅箔における外部に露出する部分には、厚さ0.5〜3μmのニッケル層をメッキにより設けてもよく、さらにこのニッケル膜上に厚さ0.01〜0.3μmの金層をメッキにより設けてもよい。
各接触端子35は、現金自動預け払い機などの接触型外部機器と接触するためのものである。接触端子35は、ICチップ34のチップ本体34aに内蔵された不図示の素子などと接続されている。
モジュール基材33の第二の面33bに複数の接触端子を厚さ50〜200μmのリードフレームで形成し、モジュール基材33の第一の面33aに接続コイルを銅線により形成してもよい。
As shown in FIG. 10, the plurality of contact terminals 35 and the bridge 36 are formed in a predetermined pattern by laminating, for example, a copper foil on the second surface 33b of the module base material 33. The bridge 36 is formed so as to straddle the connecting coil 31 when viewed in the thickness direction D. Although FIG. 10 shows an example of being formed in an L shape, it is not necessary to limit the shape to an L shape.
The plurality of contact terminals 35 and the bridge 36 are electrically isolated from each other. A nickel layer having a thickness of 0.5 to 3 μm may be provided by plating on the portion of the copper foil exposed to the outside, and a gold layer having a thickness of 0.01 to 0.3 μm may be further plated on the nickel film. It may be provided.
Each contact terminal 35 is for contacting a contact-type external device such as an automated teller machine. The contact terminal 35 is connected to an element (not shown) built in the chip main body 34a of the IC chip 34.
A plurality of contact terminals may be formed on the second surface 33b of the module base material 33 with a lead frame having a thickness of 50 to 200 μm, and a connecting coil may be formed on the first surface 33a of the module base material 33 with a copper wire. ..
図10に例示した様に、ICチップ34の第一の端子34bとブリッジ36とは、第一のスルーホール33cを挿通した第一のワイヤ(第一の導電線)41により接続されている。ブリッジ36と接続コイル31の端子部39とは、第二のスルーホールにめっき加工
を施さず、第二のスルーホール33dを挿通した第二のワイヤ(第二の導電線)42により接続されている。接続コイル31の端子部40とICチップ34の第二の端子34cとは、第三のワイヤ(第三の導電線)43により接続されている。
また、ICチップ34の接続端子34dと接触端子35とは、スルーホール33eを挿通した接続ワイヤ(補助導電線)44により接続されている。ワイヤ41、42、43および接続ワイヤ44は金や銅で形成され、外径は例えば10〜40μmである。
このように、ICチップ34、接続コイル31、ブリッジ36、およびワイヤ41、42、43、44により、閉回路が構成される。
ICチップ34の第一の端子34bとブリッジ36、ブリッジ36と接続コイル31とは、ワイヤ41、42を用いたパンチングホールワイヤボンディングにより接続される。ICチップ34の接続端子34dと接触端子35とも、接続ワイヤ44を用いたパンチングホールワイヤボンディングにより接続される。接続コイル31とICチップ34の第二の端子34cとは、第三のワイヤ43を用いたワイヤボンディングにより接続される。ICチップ34、第一のワイヤ41、第三のワイヤ43、および接続ワイヤ44を覆う樹脂封止部を備えることで、ICチップ34を保護したり、ワイヤ41、43の断線を防ぐことができる。樹脂封止部は、例えば、公知のエポキシ樹脂などで形成することができる。
As illustrated in FIG. 10, the first terminal 34b of the IC chip 34 and the bridge 36 are connected by a first wire (first conductive wire) 41 through which the first through hole 33c is inserted. The bridge 36 and the terminal portion 39 of the connection coil 31 are connected by a second wire (second conductive wire) 42 through which the second through hole 33d is inserted without plating the second through hole. There is. The terminal portion 40 of the connection coil 31 and the second terminal 34c of the IC chip 34 are connected by a third wire (third conductive wire) 43.
Further, the connection terminal 34d of the IC chip 34 and the contact terminal 35 are connected by a connection wire (auxiliary conductive wire) 44 through which the through hole 33e is inserted. The wires 41, 42, 43 and the connecting wire 44 are made of gold or copper and have an outer diameter of, for example, 10-40 μm.
In this way, the IC chip 34, the connecting coil 31, the bridge 36, and the wires 41, 42, 43, 44 constitute a closed circuit.
The first terminal 34b of the IC chip 34 and the bridge 36, and the bridge 36 and the connecting coil 31 are connected by punching hole wire bonding using wires 41 and 42. The connection terminal 34d and the contact terminal 35 of the IC chip 34 are also connected by punching hole wire bonding using the connection wire 44. The connection coil 31 and the second terminal 34c of the IC chip 34 are connected by wire bonding using the third wire 43. By providing the resin sealing portion that covers the IC chip 34, the first wire 41, the third wire 43, and the connecting wire 44, the IC chip 34 can be protected and the wires 41 and 43 can be prevented from being broken. .. The resin sealing portion can be formed of, for example, a known epoxy resin or the like.
この様なICモジュール30においては、ICチップ34を保護したり、断線を防いだりするために、ICチップ34、接触端子35−ICチップの接続端子34d間、接続コイル31の最も内側の端部の端子部40−ICチップ34の第二の端子34c間、ICチップ34の第一の端子34b−橋渡し配線36間、接続コイル31の最も外側の端部の端子部39−橋渡し配線36間、をそれぞれ接続する導電線41、42、43、44を樹脂封止部により覆うことが好ましい。 In such an IC module 30, in order to protect the IC chip 34 and prevent disconnection, the innermost end of the connection coil 31 is between the IC chip 34 and the contact terminal 35 and the connection terminal 34d of the IC chip. Between the terminal portion 40 and the second terminal 34c of the IC chip 34, between the first terminal 34b of the IC chip 34 and the bridging wiring 36, and between the terminal portion 39 and the bridging wiring 36 at the outermost end of the connecting coil 31. It is preferable to cover the conductive wires 41, 42, 43, 44 connecting the above with a resin sealing portion.
しかしながら、ICチップ34、接続コイル31の最も内側の端部の端子部40−ICチップの端子34c間、接触端子35−ICチップの接続端子34d間、ICチップ34の第一の端子34b−橋渡し配線36間、接続コイル31の最も外側の端部の端子部39−橋渡し配線36間、をそれぞれ接続する導電線41、42、43、44とワイヤボンディングの部分を樹脂封止しようとすると、ICモジュール30全体の厚みが増してしまい、デュアルICカード基材15のICモジュール収容部である凹部11(図13参照)に収まらなくなる問題がある(図9参照)。 However, the IC chip 34, the terminal portion 40 at the innermost end of the connection coil 31, the terminal 34c of the IC chip, the contact terminal 35-the connection terminal 34d of the IC chip, and the first terminal 34b of the IC chip 34-bridge. When trying to seal the wire bonding portion with the conductive wires 41, 42, 43, 44 connecting the wiring 36 and the terminal portion 39 at the outermost end of the connecting coil 31 and the bridging wiring 36, respectively, the IC There is a problem that the thickness of the entire module 30 increases and the dual IC card base material 15 cannot fit in the recess 11 (see FIG. 13) which is the IC module housing portion (see FIG. 9).
また、スルーホールめっき加工を行わないICモジュールでは、接続コイル31の最も外側の端部の端子部39−橋渡し配線36間を接続する導電線42があり、ICチップ34と、接続コイル31の最も外側の端部の端子部39−橋渡し配線36間、ICチップ34の第一の端子34b−橋渡し配線36間、接続コイル31の最も内側の端部の端子部40−ICチップ34の第二の端子34c間のワイヤボンディング部分、を全て樹脂封止するためには、接続コイル31、つまりICモジュール30の端まで樹脂封止する必要がある。接続コイル31の最も外側の端部の端子部39−橋渡し配線36間の導電線42は、デュアルICカード基材15のICモジュール収容部(凹部11または第一の収容部24と第二の収容部25)において、深さが浅い第一の収容部24の底面の上に配置されるため、ICモジュール30の中央から端までを樹脂封止してしまうと、高さの制限を超えてしまい、ICモジュール30が収まらなくなる場合があった(図9および図13参照)。 Further, in an IC module that is not subjected to through-hole plating, there is a conductive wire 42 that connects between the terminal portion 39 at the outermost end of the connection coil 31 and the bridging wiring 36, and the IC chip 34 and the most of the connection coil 31. Between the terminal portion 39 at the outer end and the bridging wiring 36, between the first terminal 34b of the IC chip 34 and the bridging wiring 36, and between the terminal portion 40 at the innermost end of the connecting coil 31-the second of the IC chip 34. In order to seal all the wire bonding portions between the terminals 34c with resin, it is necessary to seal the connection coil 31, that is, the end of the IC module 30 with resin. The conductive wire 42 between the terminal portion 39 and the bridging wiring 36 at the outermost end of the connection coil 31 is the IC module accommodating portion (recess 11 or the first accommodating portion 24 and the second accommodating portion 24) of the dual IC card base material 15. Since the portion 25) is arranged on the bottom surface of the first accommodating portion 24 having a shallow depth, if the IC module 30 is sealed with resin from the center to the end, the height limit will be exceeded. , The IC module 30 may not fit (see FIGS. 9 and 13).
その対策として、デュアルICカード基材内部のアンテナ13にある結合用コイル18(図12参照)の巻き数を減らせば、ICモジュール収容部(凹部11または第一の収容部24と第二の収容部25)の全体の深さを深くでき、ICモジュール30の中央から端までを樹脂封止してもデュアルICカード基材のICモジュール収容部(凹部11または第一の収容部24と第二の収容部25)に収めることはできるが、カード本体10の結合用コイル18と十分に電磁結合できなくなってしまう。 As a countermeasure, if the number of turns of the coupling coil 18 (see FIG. 12) in the antenna 13 inside the dual IC card base material is reduced, the IC module accommodating portion (recess 11 or the first accommodating portion 24 and the second accommodating portion 24) can be accommodated. The overall depth of the portion 25) can be increased, and even if the IC module 30 is sealed with resin from the center to the end, the IC module accommodating portion (recess 11 or the first accommodating portion 24 and the second) of the dual IC card base material can be deepened. Although it can be accommodated in the accommodating portion 25), it cannot be sufficiently electromagnetically coupled with the coupling coil 18 of the card body 10.
また、図14に例示した様に、接続コイル31の最も外側の端部の端子部39−橋渡し配線36(図示省略)間の貫通孔(スルーホール)33d、つまり接続する導電線の位置を、接続コイル31の内周よりも内側に配置するために、接続コイル31の一部をICチップ34側に湾曲させれば、図13に例示した様に、全てのワイヤボンディング部分を樹脂封止してもデュアルICカード基材のICモジュール収容部(凹部11または第一の収容部24と第二の収容部25)に収めることができるが、湾曲の為に接続コイル31の巻き数を減らす必要があり、接続コイル31の巻き数が制限されてしまう。 Further, as illustrated in FIG. 14, the position of the through hole (through hole) 33d between the terminal portion 39 at the outermost end of the connecting coil 31 and the bridging wiring 36 (not shown), that is, the position of the conductive wire to be connected is set. If a part of the connecting coil 31 is curved toward the IC chip 34 in order to arrange it inside the inner circumference of the connecting coil 31, all the wire bonding portions are sealed with resin as illustrated in FIG. Even though it can be accommodated in the IC module accommodating portion (recess 11 or the first accommodating portion 24 and the second accommodating portion 25) of the dual IC card base material, it is necessary to reduce the number of turns of the connecting coil 31 due to the curvature. Therefore, the number of turns of the connecting coil 31 is limited.
上記の事情に鑑み、本発明は、高さ制限のあるICモジュール収容部の厚み制限を超える事が無いICモジュールおよびその製造方法を提供することを課題とする。 In view of the above circumstances, it is an object of the present invention to provide an IC module and a method for manufacturing the same, which does not exceed the thickness limit of the IC module accommodating portion having a height limit.
上記の課題を解決する手段として、本発明の請求項1に記載の発明は、シート状の基材と、
接触型通信機能と非接触型通信機能を有し、第一の端子と第二の端子が形成され、基材の第一の面に設けられたICチップと、
ICチップを覆うように基材の第一の面に設けられた樹脂封止部と、
基材の第一の面に設けられ螺旋状に形成された接続コイルと、
基材の第二の面に設けられ接触型外部機器と接触するための接触端子部と、
基材の厚さ方向に見て樹脂封止部の内側領域に位置するように基材の第二の面に設けられ、接触端子部とは電気的に絶縁された橋渡し配線と、を備えており、
接続コイルは、
接続コイルの最も外側に位置する端子部と、
接続コイルの最も内側に位置する端子部と、
基材の厚さ方向に見て、最も外側に位置する端子部が樹脂封止部の内側領域に位置するように、ICチップを囲む螺旋状に形成され、最も外側に位置する端子部と最も内側に位置する端子部とを繋ぐ導体配線と、を有しており、
基材には、基材の厚さ方向に見て、橋渡し配線に重なる位置に互いに離間した第一の貫通孔と第二の貫通孔が形成されており、
ICチップの第一の端子と橋渡し配線とは、第一の貫通孔を挿通した第一の導電線により接続されており、
橋渡し配線と接続コイルの最も外側に位置する端子部とは、第二の貫通孔を挿通した第二の導電線により接続されており、
接続コイルの最も内側に位置する端子部とICチップの第二の端子とは、第三の導電線により接続されており、
樹脂封止部のうち、
ICチップと、接続コイルの最も内側の端子部とICチップの端子の間、およびICチップの端子と橋渡し配線の間、をそれぞれ接続する導電線とワイヤボンディング部分は、接続コイルの最も外側の端子部と橋渡し配線の間を接続する導電線とワイヤボンディング部分よりも高さが高くなっていることを特徴とするICモジュールである。
As a means for solving the above problems, the invention according to claim 1 of the present invention comprises a sheet-like base material and a sheet-like base material.
An IC chip that has a contact-type communication function and a non-contact-type communication function, has a first terminal and a second terminal formed therein, and is provided on the first surface of a base material.
A resin sealing portion provided on the first surface of the base material so as to cover the IC chip,
A connection coil provided on the first surface of the base material and formed in a spiral shape,
A contact terminal portion provided on the second surface of the base material for contacting a contact type external device,
It is provided with a bridging wiring provided on the second surface of the base material so as to be located in the inner region of the resin sealing portion when viewed in the thickness direction of the base material, and electrically insulated from the contact terminal portion. Ori
The connection coil is
The terminal located on the outermost side of the connecting coil,
The terminal located on the innermost side of the connecting coil,
When viewed in the thickness direction of the base material, the terminal portion located on the outermost side is formed in a spiral shape surrounding the IC chip so as to be located in the inner region of the resin sealing portion, and the terminal portion located on the outermost side and the terminal portion most It has a conductor wiring that connects to the terminal part located inside,
The base material is formed with a first through hole and a second through hole that are separated from each other at positions overlapping the bridging wiring when viewed in the thickness direction of the base material.
The first terminal of the IC chip and the bridging wiring are connected by a first conductive wire through which the first through hole is inserted.
The bridging wiring and the terminal portion located on the outermost side of the connecting coil are connected by a second conductive wire through which a second through hole is inserted.
The terminal located on the innermost side of the connection coil and the second terminal of the IC chip are connected by a third conductive wire.
Of the resin sealing part
The conductive wire and wire bonding part that connects the IC chip, between the innermost terminal of the connecting coil and the terminal of the IC chip, and between the terminal of the IC chip and the bridging wiring are the outermost terminals of the connecting coil. The IC module is characterized in that the height is higher than that of the conductive wire and the wire bonding portion connecting the portion and the bridging wiring.
また、請求項2に記載の発明は、シート状の基材と、
接触型通信機能と非接触型通信機能を有し、第一の端子と第二の端子が形成され、基材
の第一の面に設けられたICチップと、
ICチップを覆うように基材の第一の面に設けられた樹脂封止部と、
基材の第一の面に設けられ螺旋状に形成された接続コイルと、
基材の第二の面に設けられ接触型外部機器と接触するための接触端子部と、
基材の厚さ方向に見て樹脂封止部の内側領域に位置するように基材の第二の面に設けられ、接触端子部とは電気的に絶縁された橋渡し配線と、を備えており、
接続コイルは、
接続コイルの最も外側に位置する端子部と、
接続コイルの最も内側に位置する端子部と、
基材の厚さ方向に見て、最も外側に位置する端子部が樹脂封止部の内側領域に位置するように、一部がICチップ側に湾曲されているとともに、ICチップを囲む螺旋状に形成され、最も外側に位置する端子部と最も内側に位置する端子部とを繋ぐ導体配線と、を有しており、
基材には、基材の厚さ方向に見て、橋渡し配線に重なる位置に互いに離間した第一の貫通孔と第二の貫通孔が形成されており、
ICチップの第一の端子と橋渡し配線とは、第一の貫通孔を挿通した第一の導電線により接続されており、
橋渡し配線と接続コイルの最も外側に位置する端子部とは、第二の貫通孔を挿通した第二の導電線により接続されており、
接続コイルの最も内側に位置する端子部とICチップの第二の端子とは、第三の導電線により接続されており、
樹脂封止部のうち、
ICチップと、接続コイルの最も内側の端子部とICチップの端子の間、およびICチップの端子と橋渡し配線の間、をそれぞれ接続する導電線とワイヤボンディング部分は、接続コイルの最も外側の端子部と橋渡し配線の間を接続する導電線とワイヤボンディング部分よりも高さが高くなっていることを特徴とするICモジュールである。
Further, the invention according to claim 2 includes a sheet-shaped base material and a sheet-like base material.
An IC chip that has a contact-type communication function and a non-contact-type communication function, has a first terminal and a second terminal formed therein, and is provided on the first surface of a base material.
A resin sealing portion provided on the first surface of the base material so as to cover the IC chip,
A connection coil provided on the first surface of the base material and formed in a spiral shape,
A contact terminal portion provided on the second surface of the base material for contacting a contact type external device,
It is provided with a bridging wiring provided on the second surface of the base material so as to be located in the inner region of the resin sealing portion when viewed in the thickness direction of the base material, and electrically insulated from the contact terminal portion. Ori
The connection coil is
The terminal located on the outermost side of the connecting coil,
The terminal located on the innermost side of the connecting coil,
A part is curved toward the IC chip so that the terminal portion located on the outermost side is located in the inner region of the resin sealing portion when viewed in the thickness direction of the base material, and a spiral shape surrounding the IC chip. It has a conductor wiring that connects the terminal part located on the outermost side and the terminal part located on the innermost side.
The base material is formed with a first through hole and a second through hole that are separated from each other at positions overlapping the bridging wiring when viewed in the thickness direction of the base material.
The first terminal of the IC chip and the bridging wiring are connected by a first conductive wire through which the first through hole is inserted.
The bridging wiring and the terminal portion located on the outermost side of the connecting coil are connected by a second conductive wire through which a second through hole is inserted.
The terminal located on the innermost side of the connection coil and the second terminal of the IC chip are connected by a third conductive wire.
Of the resin sealing part
The conductive wire and wire bonding part that connects the IC chip, between the innermost terminal of the connecting coil and the terminal of the IC chip, and between the terminal of the IC chip and the bridging wiring are the outermost terminals of the connecting coil. The IC module is characterized in that the height is higher than that of the conductive wire and the wire bonding portion connecting the portion and the bridging wiring.
また、請求項3に記載の発明は、請求項1に記載のICモジュールと、
前記ICモジュールの前記接続コイルと電磁結合するための結合用コイル、および非接触型外部機器との非接触型通信を行うために前記結合用コイルに接続された主コイルを有するアンテナを備え、前記ICモジュールを収容する凹部が形成された板状のカード本体と、を備えていることを特徴とするデュアルICカードである。
The invention according to claim 3 includes the IC module according to claim 1 and the invention.
An antenna having a coupling coil for electromagnetic coupling with the connection coil of the IC module and a main coil connected to the coupling coil for non-contact communication with a non-contact type external device is provided. It is a dual IC card characterized by including a plate-shaped card body having a recess formed for accommodating an IC module.
また、請求項4に記載の発明は、接触型通信機能および非接触型通信機能を有するICチップが配置される領域を囲む螺旋状の導体配線と導体配線の外周側の端部に配されている端子部とともに、導体配線の最外周よりもICチップに近い位置に配される第一の端子部とを有する接続コイルをシート状の基材の第一の面に形成する工程と、
基材に互いに離間した第一の貫通孔と第二の貫通孔を形成する工程と、
基材の第二の面に、接触型外部機器と接触するための接触端子部、および接触端子部とは電気的に絶縁された橋渡し配線を、基材の厚さ方向に見て第一の貫通孔および第二の貫通孔に橋渡し配線が重なるように形成する工程と、
基材の第一の面にICチップを取付ける工程と、
ICチップの第一の端子と橋渡し配線とを、第一の貫通孔を挿通した第一の導電線により接続する工程と、
橋渡し配線と接続コイルの第一の端子部とを、第二の貫通孔を挿通した第二の導電線により接続する工程と、
接続コイルの配線における内周側の端部とICチップの第二の端子とを、第三の導電線により接続する工程と、
ICチップ、第一の導電線、第二の導電線、および第三の導電線を樹脂封止部で覆う工程と、を備えたICモジュールの製造方法において、
ICチップ、第一の導電線、第二の導電線、および第三の導電線を樹脂封止部で覆う工程は、
ICチップと、接続コイルの最も内側の端子部とICチップの端子の間、およびICチップの端子と橋渡し配線の間、をそれぞれ接続する導電線とワイヤボンディング部分に、デュアルICカードの内側の凹部の深さ以下の厚さで樹脂封止部を形成する工程と、
接続コイルの最も外側の端子部と橋渡し配線の間を接続する導電線とワイヤボンディング部分には、デュアルICカードの外側の凹部の深さ以下の厚さで樹脂封止部を形成する工程と、を備えていることを特徴とするICモジュールの製造方法である。
The invention according to claim 4 is arranged at the outer peripheral end of the spiral conductor wiring and the conductor wiring surrounding the area where the IC chip having the contact type communication function and the non-contact type communication function is arranged. A step of forming a connection coil on the first surface of a sheet-shaped base material, which has a terminal portion and a first terminal portion arranged at a position closer to the IC chip than the outermost periphery of the conductor wiring.
The process of forming the first through hole and the second through hole separated from each other in the base material,
On the second surface of the base material, a contact terminal portion for contacting a contact type external device and a bridging wiring electrically insulated from the contact terminal portion are provided on the first surface in the thickness direction of the base material. The process of forming the bridging wiring so that it overlaps the through hole and the second through hole,
The process of attaching the IC chip to the first surface of the base material,
The process of connecting the first terminal of the IC chip and the bridging wiring by the first conductive wire through which the first through hole is inserted.
The process of connecting the bridging wiring and the first terminal of the connection coil with a second conductive wire through which a second through hole is inserted, and
A process of connecting the inner peripheral end of the wiring of the connection coil and the second terminal of the IC chip with a third conductive wire,
In a method for manufacturing an IC module, which comprises a step of covering an IC chip, a first conductive wire, a second conductive wire, and a third conductive wire with a resin sealing portion.
The step of covering the IC chip, the first conductive wire, the second conductive wire, and the third conductive wire with the resin sealing portion is
A recess inside the dual IC card in the conductive wire and wire bonding part that connects the IC chip and the innermost terminal of the connection coil and the terminal of the IC chip, and between the terminal of the IC chip and the bridging wiring, respectively. The process of forming the resin sealing part with a thickness less than or equal to the depth of
A process of forming a resin sealing part with a thickness equal to or less than the depth of the outer recess of the dual IC card in the conductive wire and wire bonding part connecting between the outermost terminal part of the connection coil and the bridging wiring, and This is a method for manufacturing an IC module, which is characterized by the above.
本発明のICモジュールによれば、接続コイルの最も外側の端子部と橋渡し配線の間を接続する導電線とワイヤボンディング部分には、デュアルICカードの外側の凹部(第一の収容部)の深さを超えない厚さの樹脂封止部を形成する。また、接続コイルの最も内側の端子部とICチップの間、およびICチップの端子と橋渡し配線の間、をそれぞれ接続する導電線とワイヤボンディング部分に、デュアルICカードの内側の凹部(第二の収容部)の深さ以下の厚さで樹脂封止部を形成する。また、接触端子とICチップの間においても、接続コイルの最も内側の端子部とICチップの間、およびICチップの端子と橋渡し配線の間における樹脂封止部と同じ厚さの樹脂封止部を形成しても良い。その為、デュアルICカード基材に形成されたICモジュール収容部の厚み制限を超える事が無い。また、スルーホールめっき処理を必要としないため、工程時間の短縮、製造コストの低減が可能となる。 According to the IC module of the present invention, the conductive wire and the wire bonding portion connecting between the outermost terminal portion of the connecting coil and the bridging wiring have a depth of a recess (first accommodating portion) on the outer side of the dual IC card. A resin sealing portion having a thickness not exceeding the above is formed. Further, in the conductive wire and wire bonding portion connecting the innermost terminal portion of the connecting coil and the IC chip, and between the terminal of the IC chip and the bridging wiring, respectively, the recess inside the dual IC card (second). A resin sealing portion is formed with a thickness equal to or less than the depth of the accommodating portion). Also, between the contact terminal and the IC chip, a resin sealing portion having the same thickness as the resin sealing portion between the innermost terminal portion of the connecting coil and the IC chip, and between the terminal of the IC chip and the bridging wiring. May be formed. Therefore, the thickness limit of the IC module accommodating portion formed on the dual IC card base material is not exceeded. Further, since the through-hole plating process is not required, the process time can be shortened and the manufacturing cost can be reduced.
本発明のデュアルICカードによれば、スルーホールめっき処理を必要とせずに、全てのワイヤボンディング部分と導電線(ワイヤ)を樹脂封止することができる。その為、信頼性が高いデュアルICカードを低コストで提供する事が可能となる。 According to the dual IC card of the present invention, all the wire bonding portions and the conductive wires (wires) can be resin-sealed without requiring a through-hole plating process. Therefore, it is possible to provide a highly reliable dual IC card at low cost.
本発明のICモジュールの製造方法によれば、本発明のICモジュールを提供可能とすることができる。 According to the method for manufacturing an IC module of the present invention, the IC module of the present invention can be provided.
<ICモジュール>
本発明のICモジュールについて説明する。
本発明のICモジュールは、高さ制限のあるICモジュール収容部に使用するICモジュールである。
<IC module>
The IC module of the present invention will be described.
The IC module of the present invention is an IC module used in an IC module accommodating portion having a height limitation.
本発明のICモジュールは、シート状の基材と、接触型通信機能と非接触型通信機能を有し、第一の端子と第二の端子が形成され、基材の第一の面に設けられたICチップと、ICチップを覆うように基材の第一の面に設けられた樹脂封止部と、基材の第一の面に設けられ螺旋状に形成された接続コイルと、基材の第二の面に設けられ接触型外部機器と接触するための接触端子部と、基材の厚さ方向に見て樹脂封止部の内側領域に位置するように基材の第二の面に設けられ、接触端子部とは電気的に絶縁された橋渡し配線と、を備えている。
モジュール基材としては、ガラスエポキシなどの材料からなる厚さ110μm程度のシート状の材料を好適に使用することができる。
The IC module of the present invention has a sheet-shaped base material, a contact type communication function and a non-contact type communication function, and a first terminal and a second terminal are formed and provided on the first surface of the base material. The IC chip, the resin sealing portion provided on the first surface of the base material so as to cover the IC chip, the connection coil provided on the first surface of the base material and formed spirally, and the base. A contact terminal portion provided on the second surface of the material for contacting with a contact type external device, and a second base material so as to be located in the inner region of the resin sealing portion when viewed in the thickness direction of the base material. It is provided with a bridging wiring provided on the surface and electrically isolated from the contact terminal portion.
As the module base material, a sheet-like material having a thickness of about 110 μm made of a material such as glass epoxy can be preferably used.
接続コイルは、接続コイルの最も外側に位置する端子部と、接続コイルの最も内側に位置する端子部と、基材の厚さ方向に見て、最も外側に位置する端子部が樹脂封止部の内側領域に位置するように、ICチップを囲む螺旋状に形成され、最も外側に位置する端子部と最も内側に位置する端子部とを繋ぐ導体配線と、を有している。接続コイルは、銅箔やアルミニウム箔を、エッチングレジストパターンを介してエッチングすることによりパターン化することができる。接続コイルの厚さは、例えば5μm〜50μmとすることができる。
また、基材には、基材の厚さ方向に見て、橋渡し配線に重なる位置に互いに離間した第一の貫通孔と第二の貫通孔が形成されている。貫通孔(スルーホールとも記す。)の直径としては、例えば、300μm〜500μmとすることができる。
また、ICチップの第一の端子と橋渡し配線とは、第一の貫通孔を挿通した第一の導電線により接続されている。
また、橋渡し配線と接続コイルの最も外側に位置する端子部とは、第二の貫通孔を挿通した第二の導電線により接続されている。
また、接続コイルの最も内側に位置する端子部とICチップの第二の端子とは、第三の導電線により接続されている。
これらの導電線としては、金や銅からなる直径10μm〜40μm程度のボンディングワイヤを使用することができる。
As for the connection coil, the terminal portion located on the outermost side of the connection coil, the terminal portion located on the innermost side of the connection coil, and the terminal portion located on the outermost side in the thickness direction of the base material are the resin sealing portions. It is formed in a spiral shape surrounding the IC chip so as to be located in the inner region of the IC chip, and has a conductor wiring connecting the outermost terminal portion and the innermost terminal portion. The connection coil can be patterned by etching a copper foil or an aluminum foil via an etching resist pattern. The thickness of the connecting coil can be, for example, 5 μm to 50 μm.
Further, the base material is formed with a first through hole and a second through hole separated from each other at positions overlapping the bridging wiring when viewed in the thickness direction of the base material. The diameter of the through hole (also referred to as a through hole) can be, for example, 300 μm to 500 μm.
Further, the first terminal of the IC chip and the bridging wiring are connected by a first conductive wire through which the first through hole is inserted.
Further, the bridging wiring and the terminal portion located on the outermost side of the connecting coil are connected by a second conductive wire through which the second through hole is inserted.
Further, the terminal portion located on the innermost side of the connecting coil and the second terminal of the IC chip are connected by a third conductive wire.
As these conductive wires, a bonding wire made of gold or copper and having a diameter of about 10 μm to 40 μm can be used.
樹脂封止部は、ICチップと、接続コイルの最も内側の端子部とICチップの端子の間、およびICチップの端子と橋渡し配線の間、をそれぞれ接続する導電線とワイヤボンディング部分は、第二の収容部の深さ以下の厚さを備えている。これは、スルーホールめっき加工を使用したICモジュールで使用する封止樹脂部の厚さと同等である。
また、接続コイルの最も外側の端子部と橋渡し配線の間を接続する導電線とワイヤボンディング部分は、第一の収容部の深さ以下の厚さを備えていることが特徴である。
The resin sealing part is a conductive wire and a wire bonding part that connects the IC chip, the innermost terminal part of the connecting coil and the terminal of the IC chip, and the terminal of the IC chip and the bridging wiring, respectively. It has a thickness less than or equal to the depth of the second housing. This is equivalent to the thickness of the sealing resin portion used in the IC module using the through-hole plating process.
Further, the conductive wire and the wire bonding portion connecting between the outermost terminal portion of the connecting coil and the bridging wiring are characterized in that they have a thickness equal to or less than the depth of the first accommodating portion.
また、本発明のICモジュールの接続コイルは、接続コイルの最も外側に位置する端子部と、接続コイルの最も内側に位置する端子部と、基材の厚さ方向に見て、最も外側に位置する端子部が樹脂封止部の内側領域に位置するように、一部がICチップ側に湾曲されているとともに、ICチップを囲む螺旋状に形成され、最も外側に位置する端子部と最も内側に位置する端子部とを繋ぐ導体配線と、を有していることであっても良い。 Further, the connecting coil of the IC module of the present invention is located at the outermost terminal portion of the connecting coil, the innermost terminal portion of the connecting coil, and the outermost terminal portion when viewed in the thickness direction of the base material. A part of the terminal part is curved toward the IC chip so that the terminal part to be formed is located in the inner region of the resin sealing part, and is formed in a spiral shape surrounding the IC chip. It may also have a conductor wiring for connecting to a terminal portion located at.
次に、本発明のICモジュールについて、図10と図11を用いて説明する。
ICモジュール30は、シート状のモジュール基材(基材)33と、モジュール基材33の第一の面33aに設けられたICチップ34および接続コイル31と、モジュール基材33の第二の面33bに設けられた複数の接触端子(接触端子部)35およびブリッジ(橋渡し配線)36とを備えている。モジュール基材33は、基板12と同一の材料で、平面視で矩形状に形成されている。モジュール基材33には、厚さ方向Dに見てブリッジ36に重なる位置に互いに離間した第一のスルーホール(第一の貫通孔)33cと第二のスルーホール(第二の貫通孔)33dが形成されている。モジュール基材33の厚さ方向は、前述の基板12の厚さ方向Dに一致する。モジュール基材33にはスルーホール33c、33d以外にもスルーホール(補助貫通孔)33eが形成されている。モジュール基材33の厚さは、例えば50〜200μmである。ICチップ34は、接触型通信機能および非接触型通信機能を有する公知の構成のものを用いることができる。ICチップ34は、チップ本体34aの外面に第一の端子34b、第二の端子34cおよび複数の接続端子34dが形成されたものである。
Next, the IC module of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 and 11.
The IC module 30 includes a sheet-shaped module base material (base material) 33, an IC chip 34 and a connection coil 31 provided on the first surface 33a of the module base material 33, and a second surface of the module base material 33. It is provided with a plurality of contact terminals (contact terminal portions) 35 and bridges (bridge wiring) 36 provided in 33b. The module base material 33 is made of the same material as the substrate 12, and is formed in a rectangular shape in a plan view. The module base material 33 has a first through hole (first through hole) 33c and a second through hole (second through hole) 33d separated from each other at positions overlapping the bridge 36 in the thickness direction D. Is formed. The thickness direction of the module base material 33 coincides with the thickness direction D of the substrate 12 described above. In addition to the through holes 33c and 33d, through holes (auxiliary through holes) 33e are formed in the module base material 33. The thickness of the module base material 33 is, for example, 50 to 200 μm. As the IC chip 34, a known configuration having a contact type communication function and a non-contact type communication function can be used. The IC chip 34 has a first terminal 34b, a second terminal 34c, and a plurality of connection terminals 34d formed on the outer surface of the chip main body 34a.
接続コイル31は、螺旋状に形成されている。接続コイル31は、ICチップ34、およびスルーホール33c、33eの周りに、例えば3回巻回されている。第二のスルーホール33dは、接続コイル31の外側に形成されている。接続コイル31の最も外側に配された配線の端部(第一の端部)、および最も内側に配された配線の端部(第二の端部)には、配線よりも幅が広く形成された端子部39、40がそれぞれ設けられている。接続コイル31は、銅箔やアルミニウム箔をエッチングでパターン化することで形成されている。接続コイル31の厚さは、例えば5〜50μmである。接続コイル31は、カード本体10の結合用コイル18との電磁結合による非接触端子部を構成する。 The connecting coil 31 is formed in a spiral shape. The connection coil 31 is wound around the IC chip 34 and the through holes 33c and 33e, for example, three times. The second through hole 33d is formed on the outside of the connecting coil 31. The outermost end of the wiring (first end) and the innermost end of the wiring (second end) of the connection coil 31 are formed wider than the wiring. The terminal portions 39 and 40 are provided, respectively. The connection coil 31 is formed by patterning a copper foil or an aluminum foil by etching. The thickness of the connecting coil 31 is, for example, 5 to 50 μm. The connection coil 31 constitutes a non-contact terminal portion by electromagnetic coupling with the coupling coil 18 of the card body 10.
複数の接触端子35およびブリッジ36は、モジュール基材33の第二の面33bに例
えば銅箔をラミネートすることで、所定のパターンに形成されている。ブリッジ36は、厚さ方向Dに見て接続コイル31を跨ぐようにL字状に形成されているが、これに限定する必要は無い(図10参照。)。複数の接触端子35およびブリッジ36は、互いに電気的に絶縁されている。銅箔における外部に露出する部分には、厚さ0.5〜3μmのニッケル層をメッキにより設けてもよく、さらにこのニッケル膜上に厚さ0.01〜0.3μmの金層をメッキにより設けてもよい。各接触端子35は、現金自動預け払い機などの接触型外部機器と接触するためのものである。接触端子35は、ICチップ34のチップ本体34aに内蔵された不図示の素子などと接続されている。モジュール基材33の第二の面33bに複数の接触端子を厚さ50〜200μmのリードフレームで形成し、モジュール基材33の第一の面33aに接続コイルを銅線により形成してもよい。
The plurality of contact terminals 35 and the bridge 36 are formed in a predetermined pattern by laminating, for example, copper foil on the second surface 33b of the module base material 33. The bridge 36 is formed in an L shape so as to straddle the connecting coil 31 in the thickness direction D, but it is not necessary to limit the bridge 36 to this (see FIG. 10). The plurality of contact terminals 35 and the bridge 36 are electrically isolated from each other. A nickel layer having a thickness of 0.5 to 3 μm may be provided by plating on the portion of the copper foil exposed to the outside, and a gold layer having a thickness of 0.01 to 0.3 μm may be further plated on the nickel film. It may be provided. Each contact terminal 35 is for contacting a contact-type external device such as an automated teller machine. The contact terminal 35 is connected to an element (not shown) built in the chip main body 34a of the IC chip 34. A plurality of contact terminals may be formed on the second surface 33b of the module base material 33 with a lead frame having a thickness of 50 to 200 μm, and a connecting coil may be formed on the first surface 33a of the module base material 33 with a copper wire. ..
ICチップ34の第一の端子34bとブリッジ36とは、第一のスルーホール33cを挿通した第一のワイヤ(第一の導電線)41により接続されている。ブリッジ36と接続コイル31の端子部39とは、第二のスルーホール33dを挿通した第二のワイヤ(第二の導電線)42により接続されている。接続コイル31の端子部40とICチップ34の第二の端子34cとは、第三のワイヤ(第三の導電線)43により接続されている。この例では、ICチップ34の接続端子34dと接触端子35とは、スルーホール33eを挿通した接続ワイヤ(補助導電線)44により接続されている。ワイヤ41、42、43および接続ワイヤ44は金や銅で形成され、外径は例えば10〜40μmである。このように、ICチップ34、接続コイル31、ブリッジ36、およびワイヤ41、42、43、44により、閉回路が構成される。ICチップ34の第一の端子34bとブリッジ36、ブリッジ36と接続コイル31とは、ワイヤ41、42を用いたパンチングホールワイヤボンディングにより接続される。ICチップ34の接続端子34dと接触端子35とも、接続ワイヤ44を用いたパンチングホールワイヤボンディングにより接続される。接続コイル31とICチップ34の第二の端子34cとは、第三のワイヤ43を用いたワイヤボンディングにより接続される。 The first terminal 34b of the IC chip 34 and the bridge 36 are connected by a first wire (first conductive wire) 41 through which the first through hole 33c is inserted. The bridge 36 and the terminal portion 39 of the connection coil 31 are connected by a second wire (second conductive wire) 42 through which the second through hole 33d is inserted. The terminal portion 40 of the connection coil 31 and the second terminal 34c of the IC chip 34 are connected by a third wire (third conductive wire) 43. In this example, the connection terminal 34d of the IC chip 34 and the contact terminal 35 are connected by a connection wire (auxiliary conductive wire) 44 through which the through hole 33e is inserted. The wires 41, 42, 43 and the connecting wire 44 are made of gold or copper and have an outer diameter of, for example, 10-40 μm. In this way, the IC chip 34, the connecting coil 31, the bridge 36, and the wires 41, 42, 43, 44 constitute a closed circuit. The first terminal 34b of the IC chip 34 and the bridge 36, and the bridge 36 and the connecting coil 31 are connected by punching hole wire bonding using wires 41 and 42. The connection terminal 34d and the contact terminal 35 of the IC chip 34 are also connected by punching hole wire bonding using the connection wire 44. The connection coil 31 and the second terminal 34c of the IC chip 34 are connected by wire bonding using the third wire 43.
次に、本発明のICモジュールにおける封止樹脂部の態様について図1〜図8を用いて説明する。
図1は、本発明のICモジュールにおける樹脂封止部2、3の態様を例示した断面図である。
ICチップ34と、接続コイルの最も内側の端子部とICチップの端子の間、およびI
Cチップの端子と橋渡し配線の間、をそれぞれ接続する導電線とワイヤボンディング部分を封止する樹脂封止部2は、第二の収容部25(図13参照)の深さ以下の厚さを備えている。なお、ここで、樹脂封止部2の厚さとは、接触端子35とモジュール基材33(図11参照)と樹脂封止部の樹脂を含めた樹脂封止部の総厚を指すものとする。その他の樹脂封止部も同じことを指すものとする。
一方、接続コイル31の最も外側の端子部と橋渡し配線の間を接続する導電線とワイヤボンディング部分の樹脂封止部3は、第一の収容部24の深さ以下の厚さを備えている。
樹脂封止部3と樹脂封止部2とは、互いに離間して形成されている。
また、接触端子35とICチップの間は、接続コイル31の最も内側の端子部40とICチップの端子34cの間、およびICチップの端子34bと橋渡し配線36の間、における樹脂封止部2と同じ厚さを備えている(図10参照)。
この様に、樹脂封止部の厚さを、ICモジュールの周縁部においては、第一の収容部24の深さ以下の厚さとし、周縁部以外の内部においては、第二の収容部25の深さ以下の厚さとすることで、ICモジュールをデュアルICカード1の凹部11に収容する事が可能となる(図13参照)。その結果、ICモジュールの接触端子35の表面とデュアルICカードのカード基材15の表面とが略面一となる。
Next, the mode of the sealing resin portion in the IC module of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 8.
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating aspects of the resin sealing portions 2 and 3 in the IC module of the present invention.
Between the IC chip 34, the innermost terminal of the connecting coil and the terminal of the IC chip, and I
The resin sealing portion 2 that seals the conductive wire connecting the terminal of the C chip and the bridging wiring, respectively, and the wire bonding portion have a thickness equal to or less than the depth of the second accommodating portion 25 (see FIG. 13). I have. Here, the thickness of the resin sealing portion 2 refers to the total thickness of the resin sealing portion including the contact terminal 35, the module base material 33 (see FIG. 11), and the resin of the resin sealing portion. .. The same applies to other resin sealing parts.
On the other hand, the resin sealing portion 3 of the conductive wire and the wire bonding portion connecting between the outermost terminal portion of the connecting coil 31 and the bridging wiring has a thickness equal to or less than the depth of the first accommodating portion 24. ..
The resin sealing portion 3 and the resin sealing portion 2 are formed so as to be separated from each other.
Further, between the contact terminal 35 and the IC chip, the resin sealing portion 2 between the innermost terminal portion 40 of the connection coil 31 and the terminal 34c of the IC chip, and between the terminal 34b of the IC chip and the bridging wiring 36. It has the same thickness as (see FIG. 10).
As described above, the thickness of the resin sealing portion is set to be equal to or less than the depth of the first accommodating portion 24 in the peripheral portion of the IC module, and the thickness of the second accommodating portion 25 is set in the inside other than the peripheral portion. By setting the thickness to be less than or equal to the depth, the IC module can be accommodated in the recess 11 of the dual IC card 1 (see FIG. 13). As a result, the surface of the contact terminal 35 of the IC module and the surface of the card base material 15 of the dual IC card are substantially flush with each other.
図2は、接続コイルの最も外側の端子部39の位置が、ICモジュール30(図10参照)の1つの辺の中央部に位置している場合を例示した上面図である。最も外側に位置する端子部39が、ICモジュールの辺の中央部にあるため、接続コイル31の最も外側の配線から外側に向かって突出することが無い様に、即ち、その部位に形成する樹脂封止部3の内側領域に位置するように、接続コイル31の一部がICチップ34側に湾曲されているとともに、ICチップ34を囲む様に、螺旋状に形成されている。それに伴い、接続コイル31が形成されている面の反対側(表面)の面に形成された橋渡し線(ブリッジとも記す。)36と電気的に接続するためのスルーホール(貫通孔とも記す。)33dが、接続コイル31が延伸する方向に沿って、隣接して形成されている。また、表面に形成されている接触端子とICチップの端子をワイヤボンディングで接続するスルーホール33eが形成されている。
樹脂封止部3は、図1に例示されているように、樹脂封止部2より薄く形成されている。
FIG. 2 is a top view illustrating a case where the position of the outermost terminal portion 39 of the connecting coil is located at the center portion of one side of the IC module 30 (see FIG. 10). Since the terminal portion 39 located on the outermost side is located in the center of the side of the IC module, the resin formed in the portion so as not to protrude outward from the outermost wiring of the connection coil 31. A part of the connecting coil 31 is curved toward the IC chip 34 so as to be located in the inner region of the sealing portion 3, and is spirally formed so as to surround the IC chip 34. Along with this, a through hole (also referred to as a through hole) for electrically connecting to a bridging wire (also referred to as a bridge) 36 formed on a surface opposite (surface) to the surface on which the connecting coil 31 is formed. 33d are formed adjacent to each other along the direction in which the connecting coil 31 extends. Further, a through hole 33e is formed which connects the contact terminal formed on the surface and the terminal of the IC chip by wire bonding.
As illustrated in FIG. 1, the resin sealing portion 3 is formed thinner than the resin sealing portion 2.
図3は、接続コイルの最も外側の端子部39の位置が、ICモジュール30(図10参照)の角部に位置している場合を例示した上面図である。この場合は、螺旋状に巻回された接続コイル31の形状に変更を加える必要は無い。橋渡し線36と端子部39とをワイヤボンディングで接続するスルーホールの位置が、端子部39と隣接した位置に配置される。それに伴い、端子部39とそれに隣接したスルーホールおよびそれらをワイヤボンディングして接続する導電線(ワイヤ)を樹脂封止する樹脂封止部3−1が移動している。
樹脂封止部3−1は、図1に例示されているように、樹脂封止部2より薄く形成されている。
FIG. 3 is a top view illustrating the case where the position of the outermost terminal portion 39 of the connecting coil is located at the corner portion of the IC module 30 (see FIG. 10). In this case, it is not necessary to change the shape of the connecting coil 31 wound in a spiral shape. The position of the through hole that connects the bridging line 36 and the terminal portion 39 by wire bonding is arranged at a position adjacent to the terminal portion 39. Along with this, the terminal portion 39, the through holes adjacent to the terminal portion 39, and the resin sealing portion 3-1 for resin-sealing the conductive wire (wire) connecting them by wire bonding are moving.
As illustrated in FIG. 1, the resin sealing portion 3-1 is formed thinner than the resin sealing portion 2.
図4は、図2と樹脂封止部3、3−2の形態が異なる点を除き、その他は同じ場合を示している。図2では、樹脂封止部2と樹脂封止部3とが離間して形成されていたが、図4では、樹脂封止部2と樹脂封止部3−2とが、互いに接して形成されている。図3においても、同様に樹脂封止部2と樹脂封止部3−1とが、互いに接して形成されていても構わない。
樹脂封止部3−2は、図4に例示されているように、樹脂封止部2より薄く形成されている。
FIG. 4 shows the same case except that the forms of the resin sealing portions 3 and 3-2 are different from those of FIG. 2. In FIG. 2, the resin sealing portion 2 and the resin sealing portion 3 are formed so as to be separated from each other, but in FIG. 4, the resin sealing portion 2 and the resin sealing portion 3-2 are formed in contact with each other. Has been done. Similarly, in FIG. 3, the resin sealing portion 2 and the resin sealing portion 3-1 may be formed in contact with each other.
As illustrated in FIG. 4, the resin sealing portion 3-2 is formed thinner than the resin sealing portion 2.
図5は、図4の上面図の例を示している。 FIG. 5 shows an example of a top view of FIG.
図6は、図4における樹脂封止部2と樹脂封止部3−2とが一体となって形成され封止樹脂部2−1の断面図を例示している。 FIG. 6 illustrates a cross-sectional view of the sealing resin portion 2-1 formed by integrally forming the resin sealing portion 2 and the resin sealing portion 3-2 in FIG.
図7は、図6の上面図を例示している。 FIG. 7 illustrates a top view of FIG.
図8は、図3における封止樹脂部2と封止樹脂部3−1とが一体となって形成され封止樹脂部2−2の上面図を例示している。 FIG. 8 illustrates a top view of the sealing resin portion 2-2 formed by integrally forming the sealing resin portion 2 and the sealing resin portion 3-1 in FIG.
図1〜図5および図10に示した様に、ICチップ34と、接続コイル31の最も内側の端子部40とICチップの端子34cの間、およびICチップの端子34bと橋渡し配線36の間、をそれぞれ接続する導電線41および導電線43、およびそれらのワイヤボンディング部分、を封止する樹脂封止部2は、第二の収容部25(図13参照)の深さ以下の厚さを備えている。
また、図6〜図8および図10に示した様に、ICチップ34と、接続コイル31の最も内側の端子部40とICチップの端子34cの間、およびICチップの端子34bと橋渡し配線36の間、をそれぞれ接続する導電線41および導電線43、およびそれらのワイヤボンディング部分、を封止する樹脂封止部2−1、2−2、2−3は、第二の収容部25(図13参照)の深さ以下の厚さを備えている。
また、図1と図2および図10に示した様に、接続コイル31の最も外側の端子部39(図10参照)と橋渡し配線36の間を接続する導電線42とワイヤボンディング部分の樹脂封止部3は、第一の収容部24(図13参照)の深さ以下の厚さを備えている。
また、図3および図10に示した様に、接続コイル31の最も外側の端子部39(図10参照)と橋渡し配線36の間を接続する導電線42とワイヤボンディング部分の樹脂封止部3−1は、第一の収容部24(図13参照)の深さ以下の厚さを備えている。
また、図4と図5および図10に示した様に、接続コイル31の最も外側の端子部39(図10参照)と橋渡し配線36の間を接続する導電線42とワイヤボンディング部分の樹脂封止部3−2は、第一の収容部24(図13参照)の深さ以下の厚さを備えている。
また、図7と図8に例示したICモジュールのA−A´切断線における断面図の例を図6に示した。図4と図5に例示した樹脂封止部2と樹脂封止部3−2は、その境界部を接した状態だったが、図7と図8では更に融合が進み、一体化した樹脂封止部2−1となっている。一体化した樹脂封止部2−1は、樹脂封止部2−2と樹脂封止部2−3を備えている。
樹脂封止部2−2は、ICチップ34と、接続コイル31の最も内側の端子部40とICチップの端子34cの間、およびICチップの端子34bと橋渡し配線36の間、をそれぞれ接続する導電線41および導電線43、およびそれらのワイヤボンディング部分、を封止し、その厚さは、第二の収容部25(図13参照)の深さ以下の厚さを備えている。
また、樹脂封止部2−3は、接続コイル31の最も外側の端子部39(図10参照)と橋渡し配線36の間を接続する導電線42とワイヤボンディング部分を封止し、その厚さは、第一の収容部24(図13参照)の深さ以下の厚さを備えている。
As shown in FIGS. 1 to 5 and 10, between the IC chip 34 and the innermost terminal 40 of the connecting coil 31 and the terminal 34c of the IC chip, and between the terminal 34b of the IC chip and the bridging wiring 36. The resin sealing portion 2 that seals the conductive wire 41 and the conductive wire 43 and their wire bonding portions, which connect the two, respectively, has a thickness equal to or less than the depth of the second accommodating portion 25 (see FIG. 13). I have.
Further, as shown in FIGS. 6 to 8 and 10, the IC chip 34, the innermost terminal portion 40 of the connecting coil 31 and the terminal 34c of the IC chip, and the terminal 34b of the IC chip and the bridging wiring 36 The resin sealing portions 2-1, 2-2, and 2-3 that seal the conductive wire 41 and the conductive wire 43, and their wire bonding portions, which connect between the two, are the second accommodating portions 25 ( It has a thickness equal to or less than the depth (see FIG. 13).
Further, as shown in FIGS. 1, 2 and 10, the conductive wire 42 connecting between the outermost terminal portion 39 (see FIG. 10) of the connecting coil 31 and the bridging wiring 36 and the resin sealing of the wire bonding portion. The stop portion 3 has a thickness equal to or less than the depth of the first accommodating portion 24 (see FIG. 13).
Further, as shown in FIGS. 3 and 10, the conductive wire 42 connecting between the outermost terminal portion 39 (see FIG. 10) of the connecting coil 31 and the bridging wiring 36 and the resin sealing portion 3 of the wire bonding portion. -1 has a thickness equal to or less than the depth of the first accommodating portion 24 (see FIG. 13).
Further, as shown in FIGS. 4, 5 and 10, the conductive wire 42 connecting between the outermost terminal portion 39 (see FIG. 10) of the connecting coil 31 and the bridging wiring 36 and the resin sealing of the wire bonding portion. The stop portion 3-2 has a thickness equal to or less than the depth of the first accommodating portion 24 (see FIG. 13).
Further, FIG. 6 shows an example of a cross-sectional view taken along the AA'cutting line of the IC module illustrated in FIGS. 7 and 8. The resin sealing portion 2 and the resin sealing portion 3-2 illustrated in FIGS. 4 and 5 were in contact with each other, but in FIGS. 7 and 8, the fusion further progressed and the integrated resin sealing was integrated. It is a stop 2-1. The integrated resin sealing portion 2-1 includes a resin sealing portion 2-2 and a resin sealing portion 2-3.
The resin sealing portion 2-2 connects the IC chip 34, between the innermost terminal portion 40 of the connecting coil 31 and the terminal 34c of the IC chip, and between the terminal 34b of the IC chip and the bridging wiring 36, respectively. The conductive wire 41, the conductive wire 43, and their wire bonding portions are sealed, and the thickness thereof is equal to or less than the depth of the second accommodating portion 25 (see FIG. 13).
Further, the resin sealing portion 2-3 seals the conductive wire 42 and the wire bonding portion connecting between the outermost terminal portion 39 (see FIG. 10) of the connecting coil 31 and the bridging wiring 36, and has a thickness thereof. Has a thickness equal to or less than the depth of the first accommodating portion 24 (see FIG. 13).
また、本発明のICモジュールの接続コイル31は、接続コイル31の最も外側に位置する端子部39と、接続コイル31の最も内側に位置する端子部40と、基材の厚さ方向Dに見て、最も外側に位置する端子部39が樹脂封止部3、3−2の内側領域に位置するように、一部がICチップ側に湾曲されているとともに、ICチップを囲む螺旋状に形成され、最も外側に位置する端子部39と最も内側に位置する端子部40とを繋ぐ導体配線と、を有していることであっても良い。 Further, the connection coil 31 of the IC module of the present invention is viewed in the thickness direction D of the base material, the terminal portion 39 located on the outermost side of the connection coil 31, the terminal portion 40 located on the innermost side of the connection coil 31. A part of the terminal portion 39 is curved toward the IC chip so that the terminal portion 39 located on the outermost side is located in the inner region of the resin sealing portions 3, 3-2, and is formed in a spiral shape surrounding the IC chip. It may also have a conductor wiring that connects the terminal portion 39 located on the outermost side and the terminal portion 40 located on the innermost side.
図1〜図8に、本発明のデュアルICカードに使用されるICモジュールにおける封止樹脂部の形態、特に封止樹脂部の厚さについて例示した。
本発明のICモジュールは、ICチップと、その周辺部のスルーホールと、導電線と、ワイヤボンディング部と、を封止樹脂で封止した樹脂封止部の厚さを、デュアルICカード基材に設けられた凹部である第二の収容部に収容可能となる厚さ以下にした場合を例示している。同様に、接続コイルの最も外側の端子部と橋渡し配線の間を接続する導電線とワイヤボンディング部分の樹脂封止部の厚さを、第二の収容部より浅い第一の収容部24の深さ以下の厚さにした場合を例示している。
この様にすることで、ICモジュールがデュアルICカードのカード基材に設けられた凹部であるICモジュールの収容部に収容可能となる。
1 to 8 illustrate the form of the sealing resin portion in the IC module used in the dual IC card of the present invention, particularly the thickness of the sealing resin portion.
In the IC module of the present invention, the thickness of the resin sealing portion in which the IC chip, the through holes in the peripheral portion thereof, the conductive wire, and the wire bonding portion are sealed with a sealing resin is set to a dual IC card base material. The case where the thickness is made smaller than the thickness that can be accommodated in the second accommodating portion, which is a recess provided in the above, is illustrated. Similarly, the thickness of the resin sealing portion of the conductive wire and the wire bonding portion connecting between the outermost terminal portion of the connecting coil and the bridging wiring is set to the depth of the first accommodating portion 24 which is shallower than the second accommodating portion. The case where the thickness is less than or equal to that of the wire is illustrated.
By doing so, the IC module can be accommodated in the accommodating portion of the IC module, which is a recess provided in the card base material of the dual IC card.
<ICモジュールの製造方法>
次に、本発明のICモジュールの製造方法について、図10、図11を用いて説明する。
本発明のICモジュールの製造方法は、
接触型通信機能および非接触型通信機能を有するICチップ34が配置される領域を囲む螺旋状の導体配線と導体配線の外周側の端部に配されている端子部(最も外側の端子部39)とともに、導体配線の最外周よりもICチップ34に近い位置に配される第一の端子部40とを有する接続コイル31をシート状の基材33の第一の面33aに形成する工程と、基材33に互いに離間した第一の貫通孔33cと第二の貫通孔33dを形成する工程と、基材33の第二の面33bに、接触型外部機器と接触するための接触端子部35、および接触端子部35とは電気的に絶縁された橋渡し配線36を、基材33の厚さ方向に見て第一の貫通孔33cおよび第二の貫通孔33dに橋渡し配線36が重なるように形成する工程と、基材33の第一の面33aにICチップ34を取付ける工程と、ICチップ34の第一の端子34bと橋渡し配線36とを、第一の貫通孔33cを挿通した第一の導電線41により接続する工程と、橋渡し配線36と接続コイル31の第一の端子部39とを、第二の貫通孔33dを挿通した第二の導電線42により接続する工程と、接続コイル31の配線における内周側の端部(第二の端子部40)とICチップの第二の端子34cとを、第三の導電線43により接続する工程と、ICチップ34、第一の導電線41、第二の導電線42、および第三の導電線43を樹脂封止部2、2−1、2−2(図1〜8参照)で覆う工程と、を備えたICモジュールの製造方法において、下記の特徴を備えていることが特徴である。
<Manufacturing method of IC module>
Next, the method of manufacturing the IC module of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 and 11.
The method for manufacturing the IC module of the present invention is
The spiral conductor wiring surrounding the area where the IC chip 34 having the contact type communication function and the non-contact type communication function is arranged, and the terminal portion (outermost terminal portion 39) arranged at the outer peripheral end of the conductor wiring. ), And a step of forming a connection coil 31 having a first terminal portion 40 arranged at a position closer to the IC chip 34 than the outermost periphery of the conductor wiring on the first surface 33a of the sheet-shaped base material 33. , The step of forming the first through hole 33c and the second through hole 33d separated from each other in the base material 33, and the contact terminal portion for contacting the second surface 33b of the base material 33 with the contact type external device. The bridging wire 36, which is electrically insulated from the 35 and the contact terminal portion 35, is arranged so that the bridging wire 36 overlaps the first through hole 33c and the second through hole 33d when viewed in the thickness direction of the base material 33. The step of attaching the IC chip 34 to the first surface 33a of the base material 33, and the step of inserting the first through hole 33c through the first terminal 34b of the IC chip 34 and the bridging wiring 36. The step of connecting with one conductive wire 41 and the step of connecting the bridging wiring 36 and the first terminal portion 39 of the connecting coil 31 with the second conductive wire 42 through which the second through hole 33d is inserted are connected. The step of connecting the inner peripheral side end (second terminal portion 40) in the wiring of the coil 31 and the second terminal 34c of the IC chip by the third conductive wire 43, and the IC chip 34, the first An IC module comprising a step of covering the conductive wire 41, the second conductive wire 42, and the third conductive wire 43 with resin sealing portions 2, 2-1 and 2-2 (see FIGS. 1 to 8). The manufacturing method is characterized by having the following features.
ICチップ34、第一の導電線41、第二の導電線42、および第三の導電線43を樹脂封止部2、2−1、2−2で覆う工程が、
ICチップ34と、接続コイル31の最も内側の端子部40とICチップ34の端子34cの間、およびICチップ34の端子34bと橋渡し配線36の間、をそれぞれ接続する導電線41、43とワイヤボンディング部分に、デュアルICカード1の内側の凹部(第二の収容部25)の深さ以下の厚さで樹脂封止部2、2−1、2−2を形成する工程と(図13参照)、
接続コイル31の最も外側の端子部39と橋渡し配線36の間を接続する導電線42とワイヤボンディング部分には、デュアルICカード1の外側の凹部(第一の収容部24)の深さ以下の厚さで樹脂封止部3、3−1、3−2を形成する工程と、
接触端子35とICチップ34の端子の間においても、接続コイル31の最も内側の端子部40とICチップ34の端子34cの間、およびICチップ34の端子34bと橋渡し配線36の間における樹脂封止部2、2−1、2−2と同じ厚さの樹脂封止部を形成するする工程と、を備えている。
The step of covering the IC chip 34, the first conductive wire 41, the second conductive wire 42, and the third conductive wire 43 with the resin sealing portions 2, 2-1 and 2-2 is
Conductive wires 41, 43 and wires that connect the IC chip 34, between the innermost terminal 40 of the connection coil 31 and the terminal 34c of the IC chip 34, and between the terminal 34b of the IC chip 34 and the bridging wiring 36, respectively. A step of forming resin sealing portions 2, 2-1 and 2-2 in the bonding portion with a thickness equal to or less than the depth of the recess (second accommodating portion 25) inside the dual IC card 1 (see FIG. 13). ),
The conductive wire 42 and the wire bonding portion connecting between the outermost terminal portion 39 of the connection coil 31 and the bridging wiring 36 have a depth equal to or less than the depth of the outer recess (first accommodating portion 24) of the dual IC card 1. The process of forming the resin sealing portions 3, 3-1 and 3-2 by thickness, and
Also between the contact terminal 35 and the terminal of the IC chip 34, a resin seal is provided between the innermost terminal portion 40 of the connection coil 31 and the terminal 34c of the IC chip 34, and between the terminal 34b of the IC chip 34 and the bridging wiring 36. It includes a step of forming a resin sealing portion having the same thickness as the stopper portions 2, 2-1 and 2-2.
<デュアルICカード>
次に、本発明のデュアルICカードについて、図12、図13を用いて説明する。
本発明のデュアルICカードは、本発明のICモジュールと、そのICモジュールの接続コイル31と電磁結合するための結合用コイル18および非接触型外部機器との非接触
型通信を行うために結合用コイル18に接続された主コイル19を有するアンテナ13を備え、ICモジュール30を収容する凹部11が形成された板状のカード本体10と、を備えていることが特徴である。
<Dual IC card>
Next, the dual IC card of the present invention will be described with reference to FIGS. 12 and 13.
The dual IC card of the present invention is used for coupling to perform non-contact communication between the IC module of the present invention, a coupling coil 18 for electromagnetic coupling with the connection coil 31 of the IC module, and a non-contact type external device. It is characterized by including an antenna 13 having a main coil 19 connected to the coil 18, and a plate-shaped card body 10 having a recess 11 for accommodating the IC module 30.
凹部11は、カード基材15の一方の面に形成されており、ICモジュール30のICチップ34のチップ本体34aとその周辺に形成されたスルーホール33c、33eおよび導電線41、43を封止した樹脂封止部2(図1〜図5)および樹脂封止部2−1、2−2(図6〜図8)の接続コイル31より内側の部分における樹脂封止部を含めたICモジュールとしての総厚が、第二の収容部25の深さ以下の厚さとなる様に形成されている。 The recess 11 is formed on one surface of the card base material 15 and seals through holes 33c and 33e and conductive wires 41 and 43 formed in the chip body 34a of the IC chip 34 of the IC module 30 and its periphery. IC module including the resin sealing part inside the connection coil 31 of the resin sealing part 2 (FIGS. 1 to 5) and the resin sealing parts 2-1 and 2-2 (FIGS. 6 to 8). Is formed so that the total thickness of the second housing portion 25 is equal to or less than the depth of the second accommodating portion 25.
また、ICモジュール30の第一の端子部(最も外側の端子部)39と第二のスルーホール33dと第二の導電線42を封止樹脂で封止した樹脂封止部3、3−1、3−2を含めたICモジュールとしての総厚が、第一の収容部24の深さ以下の厚さとなる様に形成されている。 Further, the resin sealing portion 3, 3-1 in which the first terminal portion (outermost terminal portion) 39 of the IC module 30, the second through hole 33d, and the second conductive wire 42 are sealed with a sealing resin. The total thickness of the IC module including 3-2 is formed so as to be equal to or less than the depth of the first accommodating portion 24.
1 デュアルICカード
2、2−1、2−2、2−3 樹脂封止部
3、3−1、3−2 樹脂封止部
4 樹脂封止部
10 カード本体
11 凹部
11a 開口
12 基板
12a 第一の面
12b 第二の面
12c (基板の)短辺
12d 収容孔
12e (基板の)長辺
13 アンテナ
14 容量性素子
14a、14b (容量性素子の)電極板
15 カード基材
18 結合用コイル
18a 結合用コイルの配線
18b 結合用コイル以外の配線
19 主コイル
19a 主コイルの配線
19b 主コイルの配線
20 (略円形状に形成された)端子部
21 (第二の面12bに設けられた)接続配線
24 第一の収容部
25 第二の収容部
30 ICモジュール
31 接続コイル
33 モジュール基材(基材)
33a 第一の面
33b 第二の面
33c 第一のスルーホール(第一の貫通孔)
33d 第二のスルーホール(第二の貫通孔)
33e スルーホール(補助貫通孔)
34 ICチップ
34a チップ本体
34b (ICチップの)第一の端子(第一の端子部)
34c (ICチップの)第二の端子(第二の端子部)
34d (ICチップの)接続端子(接続端子部)
35 接触端子(接触端子部)
36 ブリッジ(橋渡し配線)
39 (接続コイルの最も外側の)端子部(第一の端子部)
40 (接続コイルの最も内側の)端子部(第二の端子部)
41 第一のワイヤ(第一の導電線)
42 第二のワイヤ(第二の導電線)
43 第三のワイヤ(第三の導電線)
44 接続ワイヤ(補助導電線)
D 基板の厚さ方向
R1 (ICモジュールと結合用コイルを配置する)領域
R2 (領域R1に隣り合う)領域
R3 (エンボスが形成可能な)領域
1 Dual IC card 2, 2-1, 2-2, 2-3 Resin sealing part 3, 3-1, 3-2 Resin sealing part 4 Resin sealing part 10 Card body 11 Recess 11a Opening 12 Substrate 12a No. One surface 12b Second surface 12c (of the substrate) Short side 12d Accommodating hole 12e (of the substrate) Long side 13 Antenna 14 Capacitive elements 14a, 14b (of the capacitive element) Electrode plate 15 Card base material 18 Coupling coil 18a Wiring of coupling coil 18b Wiring other than coupling coil 19 Main coil 19a Wiring of main coil 19b Wiring of main coil 20 (formed in a substantially circular shape) Terminal 21 (provided on the second surface 12b) Connection wiring 24 First accommodating portion 25 Second accommodating portion 30 IC module 31 Connection coil 33 Module base material (base material)
33a First surface 33b Second surface 33c First through hole (first through hole)
33d Second through hole (second through hole)
33e Through hole (auxiliary through hole)
34 IC chip 34a Chip body 34b (IC chip) first terminal (first terminal part)
34c (IC chip) second terminal (second terminal part)
34d (IC chip) connection terminal (connection terminal)
35 Contact terminal (contact terminal part)
36 bridge (bridging wiring)
39 (outermost terminal part of connecting coil) (first terminal part)
40 (Innermost connection coil) Terminal (second terminal)
41 First wire (first conductive wire)
42 Second wire (second conductive wire)
43 Third wire (third conductive wire)
44 Connection wire (auxiliary conductive wire)
D Substrate thickness direction R1 (place the IC module and coupling coil) Region R2 (adjacent to region R1) Region R3 (embossable) region
Claims (4)
接触型通信機能と非接触型通信機能を有し、第一の端子と第二の端子が形成され、基材の第一の面に設けられたICチップと、
ICチップを覆うように基材の第一の面に設けられた樹脂封止部と、
基材の第一の面に設けられ螺旋状に形成された接続コイルと、
基材の第二の面に設けられ接触型外部機器と接触するための接触端子部と、
基材の厚さ方向に見て樹脂封止部の内側領域に位置するように基材の第二の面に設けられ、接触端子部とは電気的に絶縁された橋渡し配線と、を備えており、
接続コイルは、
接続コイルの最も外側に位置する端子部と、
接続コイルの最も内側に位置する端子部と、
基材の厚さ方向に見て、最も外側に位置する端子部が樹脂封止部の内側領域に位置するように、ICチップを囲む螺旋状に形成され、最も外側に位置する端子部と最も内側に位置する端子部とを繋ぐ導体配線と、を有しており、
基材には、基材の厚さ方向に見て、橋渡し配線に重なる位置に互いに離間した第一の貫通孔と第二の貫通孔が形成されており、
ICチップの第一の端子と橋渡し配線とは、第一の貫通孔を挿通した第一の導電線により接続されており、
橋渡し配線と接続コイルの最も外側に位置する端子部とは、第二の貫通孔を挿通した第二の導電線により接続されており、
接続コイルの最も内側に位置する端子部とICチップの第二の端子とは、第三の導電線により接続されており、
樹脂封止部のうち、
ICチップと、接続コイルの最も内側の端子部とICチップの端子の間、およびICチップの端子と橋渡し配線の間、をそれぞれ接続する導電線とワイヤボンディング部分は、接続コイルの最も外側の端子部と橋渡し配線の間を接続する導電線とワイヤボンディング部分よりも高さが高くなっていることを特徴とするICモジュール。 Sheet-shaped base material and
An IC chip that has a contact-type communication function and a non-contact-type communication function, has a first terminal and a second terminal formed therein, and is provided on the first surface of a base material.
A resin sealing portion provided on the first surface of the base material so as to cover the IC chip,
A connection coil provided on the first surface of the base material and formed in a spiral shape,
A contact terminal portion provided on the second surface of the base material for contacting a contact type external device,
It is provided with a bridging wiring provided on the second surface of the base material so as to be located in the inner region of the resin sealing portion when viewed in the thickness direction of the base material, and electrically insulated from the contact terminal portion. Ori
The connection coil is
The terminal located on the outermost side of the connecting coil,
The terminal located on the innermost side of the connecting coil,
When viewed in the thickness direction of the base material, the terminal portion located on the outermost side is formed in a spiral shape surrounding the IC chip so as to be located in the inner region of the resin sealing portion, and the terminal portion located on the outermost side and the terminal portion most It has a conductor wiring that connects to the terminal part located inside,
The base material is formed with a first through hole and a second through hole that are separated from each other at positions overlapping the bridging wiring when viewed in the thickness direction of the base material.
The first terminal of the IC chip and the bridging wiring are connected by a first conductive wire through which the first through hole is inserted.
The bridging wiring and the terminal portion located on the outermost side of the connecting coil are connected by a second conductive wire through which a second through hole is inserted.
The terminal located on the innermost side of the connection coil and the second terminal of the IC chip are connected by a third conductive wire.
Of the resin sealing part
The conductive wire and wire bonding part that connects the IC chip, between the innermost terminal of the connecting coil and the terminal of the IC chip, and between the terminal of the IC chip and the bridging wiring are the outermost terminals of the connecting coil. An IC module characterized in that the height is higher than that of the conductive wire and the wire bonding portion connecting the portion and the bridging wiring.
接触型通信機能と非接触型通信機能を有し、第一の端子と第二の端子が形成され、基材の第一の面に設けられたICチップと、
ICチップを覆うように基材の第一の面に設けられた樹脂封止部と、
基材の第一の面に設けられ螺旋状に形成された接続コイルと、
基材の第二の面に設けられ接触型外部機器と接触するための接触端子部と、
基材の厚さ方向に見て樹脂封止部の内側領域に位置するように基材の第二の面に設けられ、接触端子部とは電気的に絶縁された橋渡し配線と、を備えており、
接続コイルは、
接続コイルの最も外側に位置する端子部と、
接続コイルの最も内側に位置する端子部と、
基材の厚さ方向に見て、最も外側に位置する端子部が樹脂封止部の内側領域に位置するように、一部がICチップ側に湾曲されているとともに、ICチップを囲む螺旋状に形成され、最も外側に位置する端子部と最も内側に位置する端子部とを繋ぐ導体配線と、を有しており、
基材には、基材の厚さ方向に見て、橋渡し配線に重なる位置に互いに離間した第一の貫通孔と第二の貫通孔が形成されており、
ICチップの第一の端子と橋渡し配線とは、第一の貫通孔を挿通した第一の導電線により接続されており、
橋渡し配線と接続コイルの最も外側に位置する端子部とは、第二の貫通孔を挿通した第
二の導電線により接続されており、
接続コイルの最も内側に位置する端子部とICチップの第二の端子とは、第三の導電線により接続されており、
樹脂封止部のうち、
ICチップと、接続コイルの最も内側の端子部とICチップの端子の間、およびICチップの端子と橋渡し配線の間、をそれぞれ接続する導電線とワイヤボンディング部分は、接続コイルの最も外側の端子部と橋渡し配線の間を接続する導電線とワイヤボンディング部分よりも高さが高くなっていることを特徴とするICモジュール。 Sheet-shaped base material and
An IC chip that has a contact-type communication function and a non-contact-type communication function, has a first terminal and a second terminal formed therein, and is provided on the first surface of a base material.
A resin sealing portion provided on the first surface of the base material so as to cover the IC chip,
A connection coil provided on the first surface of the base material and formed in a spiral shape,
A contact terminal portion provided on the second surface of the base material for contacting a contact type external device,
It is provided with a bridging wiring provided on the second surface of the base material so as to be located in the inner region of the resin sealing portion when viewed in the thickness direction of the base material, and electrically insulated from the contact terminal portion. Ori
The connection coil is
The terminal located on the outermost side of the connecting coil,
The terminal located on the innermost side of the connecting coil,
A part is curved toward the IC chip so that the terminal portion located on the outermost side is located in the inner region of the resin sealing portion when viewed in the thickness direction of the base material, and a spiral shape surrounding the IC chip. It has a conductor wiring that connects the terminal part located on the outermost side and the terminal part located on the innermost side.
The base material is formed with a first through hole and a second through hole that are separated from each other at positions overlapping the bridging wiring when viewed in the thickness direction of the base material.
The first terminal of the IC chip and the bridging wiring are connected by a first conductive wire through which the first through hole is inserted.
The bridging wiring and the terminal portion located on the outermost side of the connecting coil are connected by a second conductive wire through which a second through hole is inserted.
The terminal located on the innermost side of the connection coil and the second terminal of the IC chip are connected by a third conductive wire.
Of the resin sealing part
The conductive wire and wire bonding part that connects the IC chip, between the innermost terminal of the connecting coil and the terminal of the IC chip, and between the terminal of the IC chip and the bridging wiring are the outermost terminals of the connecting coil. An IC module characterized in that the height is higher than that of the conductive wire and the wire bonding portion connecting the portion and the bridging wiring.
前記ICモジュールの前記接続コイルと電磁結合するための結合用コイル、および非接触型外部機器との非接触型通信を行うために前記結合用コイルに接続された主コイルを有するアンテナを備え、前記ICモジュールを収容する凹部が形成された板状のカード本体と、を備えていることを特徴とするデュアルICカード。 The IC module according to claim 1 and
An antenna having a coupling coil for electromagnetic coupling with the connection coil of the IC module and a main coil connected to the coupling coil for non-contact communication with a non-contact type external device is provided. A dual IC card characterized by having a plate-shaped card body having a recess for accommodating an IC module.
基材に互いに離間した第一の貫通孔と第二の貫通孔を形成する工程と、
基材の第二の面に、接触型外部機器と接触するための接触端子部、および接触端子部とは電気的に絶縁された橋渡し配線を、基材の厚さ方向に見て第一の貫通孔および第二の貫通孔に橋渡し配線が重なるように形成する工程と、
基材の第一の面にICチップを取付ける工程と、
ICチップの第一の端子と橋渡し配線とを、第一の貫通孔を挿通した第一の導電線により接続する工程と、
橋渡し配線と接続コイルの第一の端子部とを、第二の貫通孔を挿通した第二の導電線により接続する工程と、
接続コイルの配線における内周側の端部とICチップの第二の端子とを、第三の導電線により接続する工程と、
ICチップ、第一の導電線、第二の導電線、および第三の導電線を樹脂封止部で覆う工程と、を備えたICモジュールの製造方法において、
ICチップ、第一の導電線、第二の導電線、および第三の導電線を樹脂封止部で覆う工程は、
ICチップと、接続コイルの最も内側の端子部とICチップの端子の間、およびICチップの端子と橋渡し配線の間、をそれぞれ接続する導電線とワイヤボンディング部分に、デュアルICカードの内側の凹部の深さ以下の厚さで樹脂封止部を形成する工程と、
接続コイルの最も外側の端子部と橋渡し配線の間を接続する導電線とワイヤボンディング部分には、デュアルICカードの外側の凹部の深さ以下の厚さで樹脂封止部を形成する工程と、を備えていることを特徴とするICモジュールの製造方法。 From the outermost circumference of the conductor wiring, along with the spiral conductor wiring surrounding the area where the IC chip having the contact type communication function and the non-contact type communication function is arranged and the terminal portion arranged at the outer peripheral end of the conductor wiring. The process of forming a connecting coil having a first terminal portion arranged at a position close to the IC chip on the first surface of the sheet-shaped base material, and
The process of forming the first through hole and the second through hole separated from each other in the base material,
On the second surface of the base material, a contact terminal portion for contacting a contact type external device and a bridging wiring electrically insulated from the contact terminal portion are provided on the first surface in the thickness direction of the base material. The process of forming the bridging wiring so that it overlaps the through hole and the second through hole,
The process of attaching the IC chip to the first surface of the base material,
The process of connecting the first terminal of the IC chip and the bridging wiring by the first conductive wire through which the first through hole is inserted.
The process of connecting the bridging wiring and the first terminal of the connection coil with a second conductive wire through which a second through hole is inserted, and
A process of connecting the inner peripheral end of the wiring of the connection coil and the second terminal of the IC chip with a third conductive wire,
In a method for manufacturing an IC module, which comprises a step of covering an IC chip, a first conductive wire, a second conductive wire, and a third conductive wire with a resin sealing portion.
The step of covering the IC chip, the first conductive wire, the second conductive wire, and the third conductive wire with the resin sealing portion is
A recess inside the dual IC card in the conductive wire and wire bonding part that connects the IC chip and the innermost terminal of the connection coil and the terminal of the IC chip, and between the terminal of the IC chip and the bridging wiring, respectively. The process of forming the resin sealing part with a thickness less than or equal to the depth of
A process of forming a resin sealing part with a thickness equal to or less than the depth of the outer recess of the dual IC card in the conductive wire and wire bonding part connecting between the outermost terminal part of the connection coil and the bridging wiring, and A method for manufacturing an IC module, which comprises.
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- 2019-07-18 JP JP2019132650A patent/JP7306123B2/en active Active
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