JP2020536373A - デュアルポート遠隔プラズマクリーン分離バルブ - Google Patents

Abstract

本開示は概して、処理システムで使用するための分離装置に関する。分離装置は、遠隔プラズマ源などの処理システム構成要素に連結された第１の端部に配置された注入開口部と、処理チャンバなどの処理システム構成要素に連結された第２の端部に配置された、例えば２つの排出開口部とを有する本体を備える。本体内に配置されたフラップは、閉位置から開位置へ、又は開位置から閉位置へと作動可能であり、分離装置に連結された処理システム構成要素から、これに連結された他の処理システム構成要素への流体の通過を選択的に可能にするか、又は防止する。【選択図】図２

Description

［０００１］ 本開示の実施形態は、概して、処理システムで使用するための分離装置に関する。

関連技術の説明
［０００２］ 半導体デバイスなどの超小型電子デバイスの製造では、遠隔プラズマ源は、処理が基板上で行われている処理チャンバにガスラジカル、ガスイオン、又はその両方を提供するために使用される。遠隔プラズマ源は、一般的に、処理チャンバの本体を経由して配置されたポートを介して処理チャンバに接続される。処理チャンバから遠隔プラズマ源を分離するために、バルブなどの分離装置が、遠隔プラズマ源と処理チャンバとの間に配置される。ガスラジカル、ガスイオン、又はその両方を処理チャンバの処理空間内に供給するために遠隔プラズマ源を利用する操作の間、分離装置は、処理チャンバの処理空間と遠隔プラズマ源との間の流体連結を可能にするために、開位置に移動される。処理動作の完了後、分離装置は閉位置に移動され、したがって、処理チャンバの処理空間から遠隔プラズマ源を分離する。

［０００３］ 遠隔プラズマ源とポートとの間のフローラインに単純なバルブが利用される従来の遠隔プラズマ源分離装置は、遠隔プラズマ源からのガスラジカル、ガスイオン、又はその両方への封止機構の曝露により、或いは処理チャンバの処理空間内の処理化学物質への曝露により、封止機構の劣化に悩まされることが多い。その結果、機能を維持するための封止機構の修理又は交換に頻繁な保守が必要になる。このような保守作業には、処理チャンバの長時間の停止を伴う場合が多く、その結果、処理チャンバの利用が減少する。

［０００４］ したがって、遠隔プラズマ源分離装置およびその動作方法の改善が必要とされている。

［０００５］ 本開示は、一般的に、処理システムで使用するための分離装置に関する。

［０００６］ 一実施形態では、分離装置が提供される。分離装置は、第１の端部に注入開口部と、第２の端部に一又は複数の排出開口部を有する。分離空間は本体内に画定される。第１のフラップ及び第２のフラップは、分離空間内に配置される。第１のフラップ及び第２のフラップは、注入開口部、或いは一又は複数の排出開口部、のうちの少なくとも１つに選択的にアクセスできるように、かつ、アクセスを遮断できるように、枢動可能に駆動される。

［０００７］ 別の実施形態では、基板を処理するためのシステムが提供される。システムは、遠隔プラズマ源と、遠隔プラズマ源に流体連結された一又は複数の処理チャンバと、遠隔プラズマ源と一又は複数の処理チャンバとの間に配置された分離装置とを含む。分離装置は、１つの注入開口部と少なくとも２つの排出開口部を有する。分離空間は、第１のフラップと第２のフラップが配置される本体内に画定される。第１のフラップ及び第２のフラップは、注入開口部又は排出開口部のうちの少なくとも１つに選択的にアクセスできるように、かつ、アクセスを遮断できるように、枢動可能に駆動される。

［０００８］ さらに別の実施形態では、基板を処理する方法が提供される。方法は、遠隔プラズマ源と処理チャンバとの間の流体連結を分離装置で遮断することを含む。遮断することは、分離装置の第１のフラップを、分離装置の第１の端部に配置された第１のポートへのアクセスを遮断する第１の位置に移動することと、分離装置の第２のフラップを、分離装置の第２の端部に配置された第２のポートへのアクセスを遮断する第２の位置に移動することとを含む。

［０００９］ 本開示の上述の特徴の態様を詳細に理解することができるように、上記で簡単に概説した本開示のより具体的な説明は、実施形態を参照することによって得ることができ、これら実施形態のいくつかは添付の図面で示される。しかしながら、添付の図面は、例示的な実施形態のみを示し、したがって、本開示は、他の等しく有効な実施形態を認めることができるので、範囲を限定すると見なされるべきではないことに留意されたい。

遠隔プラズマ源を利用する処理装置の概略的な配置である。 例示的なデュアルチャンバ処理システムの概略的な断面図である。 特定の実施形態による分離装置の等角図である。 図３Ａの分離装置の等角断面図である。 特定の実施形態による分離装置の封止領域の概略平面図である。 特定の実施形態による分離装置構成要素の断面図である。 特定の実施形態による分離装置の等角断面図である。

［００１７］ 理解を容易にするために、可能な場合には、図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素及び特徴は、さらなる記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれうることがあると想定されている。

［００１８］ 本書に記載の実施形態は、処理システム内のチャンバをフローラインから分離するための分離装置に関する。分離装置は、遠隔プラズマ源などの処理システム構成要素に連結された第１の端部に配置された注入開口部と、処理チャンバなどの処理システム構成要素に連結された第２の端部に配置された、例えば２つの排出開口部とを有する本体を備える。本体内に配置されたフラップは、閉位置から開位置へ、又は開位置から閉位置へと作動可能であり、分離装置に連結された処理システム構成要素から、それに連結された他の処理システム構成要素への流体の通過を選択的に可能にするか、又は防止する。

［００１９］ 図１は、遠隔プラズマ源を利用する例示的な処理装置の概略的な構成である。図１では、処理装置１００は、導管１０８ａ、１０８ｂによって処理チャンバ１０６に連結された遠隔プラズマ源１０２を有する。バルブなどの分離装置１０４が、遠隔プラズマ源１０２と処理チャンバ１０６との間に配置される。分離装置１０４は、導管１０８ａ、１０８ｂを通して、遠隔プラズマ源１０２及び処理チャンバ１０６と流体連結している。処理動作中、分離装置１０４を通る流体の通過は、処理チャンバ１０６を遠隔プラズマ源１０２から分離するために中断されてもよい。分離装置１０４を開いて流体を通過させることによって、遠隔プラズマ源１０２によって生成されたガスラジカル、ガスイオン、又はその両方が、導管１０８ａ、１０８ｂ及び分離装置１０４を通って処理チャンバ１０６内に流れることができる。例示的な処理装置１００は、例示目的のためだけに開示されている。本書に記載の実施形態では、他の構成又はタイプの処理チャンバを利用することができる。

［００２０］ 図２は、例示的なデュアルチャンバ基板処理システム２００である。処理システム２００は、遠隔プラズマ源２０２と、分離装置２０４と、フランジ２０６によって分離装置２０４に連結されたチャンバリッド２０７と、処理チャンバ２０８ａ、２０８ｂとを有する。遠隔プラズマ源２０２は、分離装置２０４に連結され、さらにチャンバリッド２０７に連結される。ガス導管２１０ａ、２１０ｂは、チャンバリッド２０７内に配置され、分離装置２０４と処理チャンバ２０８ａ、２０８ｂとの間の流体連結を可能にする。分離装置２０４は、フラップ２１２及び２１４を含む。図２では、分離装置２０４が、閉位置において、断面で示されている。以下で、分離装置２０４について詳細に説明する。

［００２１］ 図３Ａ及び図３Ｂは、特定の実施形態による分離装置３００の断面斜視図である。図３Ａ及び図３Ｂの分離装置３００は、フラップ型バルブである。分離装置３００は、第１の端部３３０と、第１の端部３３０の反対側の第２の端部３３２とを備える本体３０２を有する。注入ポート３０４は、第１の端部３３０において本体３０２を貫通して配置される。排出ポート３０８ａ、３０８ｂは、第２の端部３３２において本体を貫通して配置される。排出ポート３０８ａ、３０８ｂは、注入ポート３０４に対向して配置される。注入ポート３０４は、図２に示される遠隔プラズマ源２０２などの遠隔プラズマ源に連結される。排出ポート３０８ａ、３０８ｂは、本体３０２及びベースフランジ３０６を介して平行にかつ互いに隣接して延在する。ベースフランジ３０６は、分離装置３００の第２の端部３３２に連結される。一実施形態では、ベースフランジ３０６は、分離装置３００を、図２に示すチャンバリッド２０７などの共通チャンバリッドに連結する。ベースフランジ３０６は、例示的な取り付け方法であることを理解されたい。分離装置３００を共通チャンバリッドに取り付ける他の方法はここでは、分離装置３００がチャンバリッドから取り外し可能であるように実施されてもよい。分離装置３００は、分離装置３００の保守、又は別の分離装置との交換を容易にするために、チャンバリッドから取り外すことができる。

［００２２］ 図３Ａ及び図３Ｂに示される分離装置の本体３０２は、概して直方体であり、その中に分離空間３８０を少なくとも部分的に画定する。フラップ３１２、３１４は、ヒンジで連結されて分離空間３８０内に配置される。図３Ａ及び図３Ｂでは、２つのフラップ３１２、３１４が示されているが、３つのフラップなどの他の構成でも使用されうる。本体３０２及びフラップ３１２、３１４は、アルミニウム又はその合金などの金属含有材料から形成される。保守用ドア（図示せず）は、表面３２２で本体３０２に連結される。図３Ａでは、保守用ドアは取り外されており、分離装置３００が開位置にあり、ガスラジカル、ガスイオン、又はその両方が、遠隔プラズマ源から分離空間３８０を通って、図２に示す処理チャンバ２０８ａ及び２０８ｂなどの下流の処理チャンバ内に通過することができるように、フラップ３１２、３１４が配置されている。図３Ｂでは、フラップ３１２、３１４は、分離装置３００が閉位置にあるように配置されている。閉位置では、遠隔プラズマ源、したがってガスラジカル、ガスイオン、又はその両方が、下流の処理チャンバから分離される。

［００２３］ 封止材４１２、４１４ａ、及び４１４ｂは、フラップ３１２、３１４の封止溝内に配置される。外側封止材４１２は、フラップ３１２の封止材保持面３２６に形成された封止溝内に配置される。内側封止材４１４ａ、４１４ｂは、フラップ３１４の封止材保持面３２８に形成された封止溝内に配置される。分離装置３００が閉位置にあるとき、内側封止材４１４ａ、４１４ｂは、本体３０２の内面３３６に対して封止し、排出ポート３０８ａ、３０８ｂを取り囲む。分離装置３００が開位置にあるとき、フラップ３１２の封止材保持面３２６は、その中に配置された外側封止材４１２を有し、フラップ３１４の封止材保持面３２８に嵌合し、フラップ３１４内に配置された内側封止材４１４ａ、４１４ｂをガスラジカル、ガスイオン、又はその両方への曝露から保護する。閉位置では、フラップ３１２の封止材保持面３２６は、分離空間３８０に対向する。フラップ３１２、３１４を開位置と閉位置との間で移動させるために、フラップ３１２、３１４はアクチュエータ３１６に軸方向に接続される。アクチュエータ３１６は、それぞれ、軸３１８ａ、３１８ｂを中心としてフラップ３１２、３１４を個々に枢動させる。軸３１８ａ、３１８ｂは、フラップ３１２、３１４をアクチュエータ３１６に連結する回転軸３１７によって画定される。

［００２４］ 一又は複数の冷却チャネル３２０が本体３０２内に配置される。冷却チャネル３２０は、温度制御流体を本体３０２内で循環させて、分離デバイス３００の温度を制御することを可能にする。冷却チャネル３２０は、温度制御流体を所望の温度に維持するために、熱交換器システム（図示せず）に連結されてもよい。溝３２４が、保守用ドアに対向する本体３０２の表面３２２内に配置される。Ｏリング（図示せず）が溝３２４内に配置され、本体と保守用ドアとの間に気密封止を形成する。保守用ドアおよび本体３０２は、その中に分離空間３８０を画定する。図３Ｂに示したように、分離装置３００が閉位置にあるとき、分離空間３８０は、遠隔プラズマ源を下流の処理チャンバから分離する。

［００２５］ 圧力軽減システム３５０は、オプションにより、本体３０２に連結され、分離空間３８０と流体連結している。圧力軽減システム３５０は、下流の処理チャンバまたは遠隔プラズマ源のいずれかからの分離装置３００への漏れの場合に、フラップ３１２、３１４間の圧力を均衡させるのに有用である。フラップ３１２、３１４間の圧力差が大きくなりすぎて、分離空間３８０内の圧力が、分離装置３００が閉構成の場合に注入ポート３０４又は排出ポート３０８ａ、３０８ｂ内の圧力よりも高くなると、圧力差によって生じるフラップ３１２、３１４上の力に打ち勝つのに十分なトルクをアクチュエータ３１６が与えることができないように、分離装置３００は「ベーパーロック」になりうる。

［００２６］ 圧力軽減システム３５０は、分離空間３８０と流体連結するように配置されたポート３５２と、軽減装置３５４とを含む。軽減装置３５４は、分離空間３８０から圧力を開放し、フラップ３１２、３１４を開位置に移動させることを可能にする。特定の実施形態において、軽減装置３５４は、ダイヤフラム弁又は破裂板であってもよく、破裂すると、圧力の高い分離空間３８０と圧力の低い領域（図示せず）との間の軽減路を開放する。軽減装置３５４は、設定圧力で自動的に開くように設定されてよく、必要に応じて手動で開放してもよい。

［００２７］ 開位置と閉位置との間で分離装置３００を作動させるために、アクチュエータ３１６は、フラップ３１２、３１４に連結されたシャフト３１７に回転運動を提供する。閉位置では、フラップ３１２、３１４は、互いに離れた位置から、互いに概ね平行な位置まで駆動される。閉位置では、フラップ３１４は、排出ポート３０８ａ、３０８ｂの周囲の本体３０２の内面に接触し、その結果、排出ポート３０８ａ、３０８ｂを分離空間３８０から封止する。一方、フラップ３１２は、注入ポート３０４を覆うように作動するが、本体３０２の内面には接触しない。分離装置３００を開位置に変更するために、フラップ３１４は、まず、回転軸３１８ｂを中心に揺動し、図３Ａに示す開位置になる。次いで、フラップ３１２は、回転軸３１８ａを中心としてフラップ３１４に向かって揺動し、これにより、分離装置３００が閉位置にあったときに分離空間３８０に面していたフラップ３１２の封止材保持面が、排出ポート３０８ａ、３０８ｂが延在する本体３０２の底面に面していたフラップ３１４の封止材保持面に向くようになる。すなわち、フラップ３１２、３１４の封止材保持面は、互いに対向し、分離装置３００が開位置にあるときに接触している。分離装置３００を閉じるために、フラップ３１２は、フラップ３１４から遠ざかって注入ポート３０４に向かって閉位置に振れ、フラップ３１４に対して障害物のない移動経路を提供する。次に、フラップ３１４は、フラップ３１４が本体３０２の底面に接触するまで、排出ポート３０８ａ、３０８ｂに向かって揺動する。以上のフラップ移動動作を、順に説明する。しかしながら、フラップ３１２、３１４の動きは、ほぼ同時の動きとして起こりうることを理解されたい。

［００２８］ 図４Ａは、図３Ａに示したように、フラップ３１２、３１４が開位置にあるときの、フラップ３１２、３１４のための封止材４１２、４１４ａ、４１４ｂの相対位置を示す、分離装置３００の封止領域の平面図である。

［００２９］ 図４Ａに示したように、外側封止材４１２（すなわち、大きな外周を有する封止材）が、フラップ３１２の面３２６内の封止溝に配置される。閉位置では、外側封止材４１２は、フラップ３１４の面３２８に形成された溝に配置された２つの内側封止材４１４ａ、４１４ｂを取り囲んでいる。内側封止材４１４ａ、４１４ｂはそれぞれ、外側封止材４１２の円周よりも小さいほぼ同じ円周を有する。内側封止材４１４ａ、４１４ｂは、一次封止材と称されることがある。フラップ３１２、３１４の面３２６、３２８は、内部に形成された封止溝を有し、フラップ３１２、３１４が開位置にあるとき、互いに向き合い、互いに入れ子になっている。分離装置３００が開位置にあるとき、外側封止材４１２はフラップ３１４に対して封止し、内側一次封止材４１４ａ、４１４ｂを囲み、内側封止材４１４ａ、４１４ｂの周囲に保護封止を形成する。外側封止材４１２は、分離装置３００を通って遠隔プラズマ源２０２から流れ、封止材４１４ａ、４１４ｂを劣化させる可能性があるガスイオン、ガスラジカル、又はその両方に、内側封止材４１４ａ、４１４ｂが曝露されるのを防止する。これにより、内部封止材４１４ａ、４１４ｂの交換のための保守間隔が大幅に延長される。

［００３０］ 図４Ｂは、開位置にあるフラップ３１２、３１４の断面である。図４Ｂは、フラップ３１２内に形成された溝内に配置され、フラップ３１４内に形成された溝内に配置される封止材４１４ａ、４１４ｂの外側に配置された外側封止材４１２を示す。分離装置３００が閉位置にあるとき、内部封止材４１４ａ、４１４ｂは、排出ポート３０８ａ、３０８ｂに隣接し、その周囲にある本体３０２に接触し、図４Ａに破線で示した排出ポート３０８ａ、３０８ｂを囲む封止を形成する。封止材４１４ａ、４１４ｂは、図３Ｂに示したように、本体３０２の内面３３６に接触するように排出ポート３０８ａ、３０８ｂよりも大きく、排出ポート３０８ａ、３０８ｂを囲んで、排出ポート３０８ａ、３０８ｂを図３Ａおよび３Ｂに示した分離空間３８０から分離する。図４Ｂは、フラップ３１２、３１４内に配置された冷却チャネル４１６も示す。冷却チャネル４１６は、処理チャンバ、遠隔プラズマ源、又はその両方の動作中にフラップ３１２、３１４を通って流体を循環させるため、流体源（図示せず）に連結され、その結果、処理動作中にフラップ３１２、３１４の所望の温度を維持する。分離装置３００の内側および外側へ流体を通過させるための、冷却チャネル４１６の流体源への連結が図５に示されており、これに関する説明を行う。

［００３１］ 他の封止配置が利用されうることを理解されたい。図４Ａ〜図４Ｂでは外側封止材４１２に１つの封止材が使用されているが、より多い又はより少ない数の封止材が使用されてもよい（例えば、２つの封止材が内側封止材４１４ａ、４１４ｂを囲むために使用されてもよい）。同様に、封止材４１４ａ、４１４ｂには、より多い又はより少ない数の封止材（例えば、１つの封止材）を使用することができる（例えば、封止材４１４ａ、４１４ｂは、出口ポート３０８ａ、３０８ｂを取り囲む単一の封止材で置き換えることができる）。溝内のＯリングを図４Ａ〜図４Ｂに示す。特定の実施形態では、溝を除去し、封止リングをフラップ３１２、３１４の面に直接接着することができる。Ｏリングは、高分子材料又は石油系材料を含んでもよい。Ｏリングの材料は、Ｏリングの劣化を最小限に抑えるために、一般的に処理チャンバに関する処理に関連して選択される。ここでは、他の封止機構も使用されうる。例えば、卵形、Ｖ字形等の他の封止材断面も使用されうる。図示されていないが、第２の封止材が、外側封止材４１２を保持する面とは反対側のフラップ３１２の面に形成された第２の封止溝内に配置されうると想定されている。この構成では、第２の封止材は、注入ポート３０４を取り囲む本体３０２の内面に対して封止して、下流処理チャンバを遠隔プラズマ源からさらに分離するように構成することができる。

［００３２］ 上述のように、閉位置では、フラップ３１４は本体３０２の内面３３６に接触し、フラップ３１２は本体３０２の内面に接触しない。すなわち、フラップ３１２と本体３０２との間には小さな間隙が存在する。一実施形態では、フラップ３１４は、図３Ａに関して説明した第１の端部３３０において、フラップ３１４と本体３０２の内面との間に、例えば１０ｍｍ〜２０ｍｍの範囲の小さな間隙を維持する。一実施形態では、フラップ３１２、３１４は、本体３０２から電気的に絶縁される。この実施形態では、フラップ３１２、３１４は、回路の一部を形成せず、したがって、その上の静電場は最小化または遮断されており、フラップ表面上への粒子の堆積は最小化される。

［００３３］ 封止材４１２、４１４ａ、４１４ｂは、処理ガスへの反復的な曝露及び遠隔プラズマ源の出力のため、時間と共に劣化するであろう。本書の実施形態の封止能力を維持するために、封止材は、保守される機会に、洗浄されるか、又は同一の封止材と交換されてもよい。処理チャンバは、必要な保守を実行するためにシャットダウンされる。本書に記載の実施形態は、取り外し可能な保守用ドアを介してアクセスされる封止材の迅速な清掃又は交換を可能にすることで、保守のダウンタイムを最小限に抑えるため有利である。さらに、遠隔プラズマ源は、保守のためにバルブにアクセスする際に、分離装置３００から取り外す必要がなく、これにより保守のダウンタイムがさらに短縮される。

［００３４］ 図５は、分離装置３００の概略的な部分断面図である。図５では、取り外し可能なドア５０２が、本体３０２に連結されて示されている。フラップ３１２、３１４は、閉位置で示されている。図５は、それぞれの作動アセンブリ５０４ａ、５０４ｂに連結されたフラップ３１２、３１４を示す。作動アセンブリ５０４ａ、５０４ｂは、開位置と閉位置との間でフラップ３１２、３１４を枢動可能に揺動させる。作動アセンブリ５０４ａ、及びこれに接続されるフラップ３１２は、断面で示されている。

［００３５］ 作動アセンブリ５０４ａ、５０４ｂは、本体３０２内に延在し、一端でフラップ３１２、３１４に連結されるシャフト５０６ａ、５０６ｂを備える。アクチュエータ３１６は、フラップ３１２、３１４の反対側の端部でシャフト５０６ａ、５０６ｂに連結され、シャフト５０６ａ、５０６ｂを制御可能に回転させ、それによって、それぞれのシャフト５０６ａ、５０６ｂを中心とする弧を描いてフラップ３１２、３１４を揺動させるように構成される。アクチュエータ３１６は、空気圧式、電気式、またはシャフト５０６ａ、５０６ｂを回転させることができる任意の構成とすることができる。ベアリング（図示せず）は、ハウジング５０８ａ、５０８ｂ内でシャフト５０６ａ、５０６ｂに連結され、その中でシャフト５０６ａ、５０６ｂの回転を可能にする。

［００３６］ シャフト５０６ａ、５０６ｂは、ハウジング５０８ａ、５０８ｂを通って延在する。ハウジング５０８ａ、５０８ｂは、注入導管５１６に連結された冷却剤注入口５１２と、冷却排出口５１４に連結された排出導管５１８とを備える。ハウジング５０８ａ、５０８ｂは、シャフト５０６ａ、５０６ｂの周囲の冷却ジャケットとして機能する。冷却剤注入口５１２および冷却排出口５１４は、回転ユニオン又は他の適切な機構を介してフラップ３１２、３１４内に配置された冷却チャネル４１６と流体連結している。フラップ３１２、３１４及びその中に配置された封止材の材料特性を維持する範囲内の温度でフラップ３１２、３１４を維持するために、例えば封止材の劣化を低減するために、フラップ３１２、３１４内の冷却チャネル４１６を通って冷却剤流体が循環される。図５の実施形態では、冷却チャネル４１６は、フラップ３１２の周囲に長方形の外周に示されている。円形、格子、又は格子状などの他の幾何学的形状も考えられる。フラップ内に流体を流すことができる任意の幾何学的形状が利用しうる。

［００３７］ ハウジング５０８ａ、５０８ｂは、ボルトなどの締結具５２２によって、本体３０２のベースプレート５２０ａ、５２０ｂで連結される。ハウジング５０８ａ、５０８ｂをベースプレート５２０ａ、５２０ｂに連結するための任意の機構、例えば、ラッチ、結合、ろう付け、又はクランプが採用されうることを理解されたい。封止材５２４は、ポート５２６に隣接して配置される。ポート５２６は、真空ポンプ又はベンチュリなどの他の供給源に連結されて、その中に真空封止を形成する。本体３０２からハウジング５０８ａ、５０８ｂ内への処理流体の漏れを防止し、ハウジング５０８ａ、５０８ｂから本体３０２内への冷却剤の漏れを防止するために、他の封止方法が考慮される。

［００３８］ 本書に記載の実施形態は、プラズマ源に連結された処理チャンバから遠隔プラズマ源を分離するため有利である。本書に記載の実施形態では、２つのチャンバを分離するために単一の分離装置を使用することが可能で、これにより処理システムのサイズを縮小する。さらに、分離装置及びこれに連結された遠隔プラズマ源の狭いサイズは、分離装置及び遠隔プラズマ源を取り外すことなく、保守のために処理チャンバリッドの取り外しを可能にする。したがって、保守時間枠が短縮され、チャンバの生産性が高まる。本書で説明される実施形態は、例示的な処理システムに限定されないことを理解されたい。チャンバが互いからの分離を必要とする任意のシステムは、本書に記載される実施形態から利益を得ることができる。

［００３９］ 以上の記述は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他の及びさらなる実施形態は、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく考案されてよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (15)

1. 第１の端部に注入開口部と第２の端部に一又は複数の排出開口部とを有する本体と、
   前記本体に画定された分離空間と、
   前記分離空間内に配置された第１のフラップと、
   前記分離空間内に配置された第２のフラップと、
   を備える分離装置であって、前記第１のフラップと前記第２のフラップは、前記注入開口部、或いは前記一又は複数の排出開口部、のうちの少なくとも１つに選択的にアクセスできるように、かつ、アクセスを遮断できるように、枢動可能に駆動される、分離装置。
2. 前記第１のフラップに配置された第１の封止材と、前記第２のフラップ内に配置された少なくとも１つの第２の封止材とをさらに備え、前記第２のフラップが前記排出開口部へのアクセスを遮断するように配置されるとき、前記第１の封止材は前記少なくとも１つの第２の封止材を囲み、前記少なくとも１つの第２の封止材は前記一又は複数の排出開口部のうちの少なくとも１つを囲む、請求項１に記載の分離装置。
3. 前記第１のフラップと前記第２のフラップが、前記注入開口部と前記排出開口部へのアクセスを可能にするように配置されるとき、前記第１のフラップと前記第２のフラップは対面して配置される、請求項１に記載の分離装置。
4. 前記本体、前記第１のフラップ、及び前記第２のフラップは、内部に形成される冷却チャネルを含み、前記第１のフラップと前記第２のフラップは回転シャフトに連結される、請求項１に記載の分離装置。
5. 前記分離空間に連結された圧力軽減システムをさらに備える、請求項１に記載の分離装置。
6. 前記本体、前記第１のフラップ、及び前記第２のフラップは、金属含有材料を含む、請求項１に記載の分離装置。
7. 遠隔プラズマ源と、
   前記遠隔プラズマ源に流体連結された一又は複数の処理チャンバと、
   前記遠隔プラズマ源と前記一又は複数の処理チャンバとの間に配置された分離装置とを備える、基板を処理するためのシステムであって、前記分離装置は、
   １つの注入開口部と少なくとも１つの排出開口部とを有する本体と、
   前記本体内に画定された分離空間と、
   前記分離空間内に配置された第１のフラップと、
   前記分離空間内に配置された第２のフラップと、
   を備える、基板を処理するためのシステム。
8. 前記分離装置は、前記第１のフラップに配置された１つの第１の封止材と、前記第２のフラップ内に配置された少なくとも１つの第２の封止材とをさらに備え、前記第１の封止材は前記少なくとも１つの第２の封止材を囲み、前記第２のフラップが前記少なくとも１つの排出開口部へのアクセスを防止するように配置されるとき、前記少なくとも１つの第２の封止材は前記少なくとも１つの排出開口部を囲む、請求項７に記載のシステム。
9. 前記少なくとも１つの第２の封止材は２つの封止材を含み、各封止材は前記少なくとも１つの排出開口部のうちの１つを囲むように構成されている、請求項８に記載のシステム。
10. 前記第１のフラップと前記第２のフラップが、前記注入開口部と前記少なくとも１つの排出開口部へのアクセスを可能にするように配置されるとき、前記第１のフラップと前記第２のフラップは対面して配置される、請求項７に記載のシステム。
11. 前記一又は複数の処理チャンバは、複数の処理チャンバであり、前記少なくとも１つの排出開口部の各々は、前記複数の処理チャンバの各処理チャンバに対応する、請求項７に記載のシステム。
12. 前記第１のフラップと前記第２のフラップは回転シャフトに連結され、前記本体、前記第１のフラップ、及び前記第２のフラップは金属含有材料を含む、請求項７に記載のシステム。
13. 前記分離装置は、前記分離空間に連結された圧力軽減システムをさらに備える、請求項７に記載のシステム。
14. 前記少なくとも１つの排出開口部は２つの排出開口部を備え、前記一又は複数の処理チャンバは２つの処理チャンバを備え、前記注入開口部は前記遠隔プラズマ源と流体連結しており、前記２つの排出開口部はそれぞれ前記２つの処理チャンバのうちの１つと流体連結している、請求項７に記載のシステム。
15. 遠隔プラズマ源と処理チャンバとの間の流体連結を分離装置によって遮断することを含む、基板を処理するための方法であって、前記遮断することは、
    前記分離装置の第１のフラップを、前記分離装置の第１の端部に配置された第１のポートへのアクセスを遮断する第１の位置に移動することと、
    前記分離装置の第２のフラップを、前記分離装置の第２の端部に配置された少なくとも２つの第２のポートへのアクセスを遮断する第２の位置に移動することと、
    を含む、基板を処理するための方法。
    

Images