JP2020536242A - 被試験デバイスを試験するためのプローブシステム - Google Patents

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Abstract

被試験デバイスを試験するためのプローブシステムが、本明細書に開示されている。プローブシステムは、上面、反対側の下面、およびプラテン開口部を画定する、プラテンを含む。プローブシステムはまた、被試験デバイスを支持するように構成された支持面を画定する、チャックを含む。プローブシステムはさらに、プラテンの下面から延びる下部エンクロージャと、プラテンの上面から延びる上部エンクロージャと、を含む。上部エンクロージャは、側壁開口部を画定する側壁を含み、側壁およびプラテンは、少なくとも30度および最大60度の交角を画定する。プローブシステムはまた、マニピュレータ、プローブシャフトアーム、プローブアセンブリ、テストヘッド、および導電体を含む。【選択図】図1

Description

関連出願の相互参照
本出願は、2018年9月27日に出願された米国特許出願第16/143856号、および2017年10月2日に出願された米国仮特許出願第62/566641号に対する優先権を主張し、これらの完全な開示は、参照により本明細書に組み込まれる。
本開示は、被試験デバイスを試験するためのプローブシステムに関する。
プローブシステムを利用して、被試験デバイス(DUT:device under test)の動作、機能、および/または性能を試験することができる。従来、デバイスの性能が向上すると、DUTの動作周波数が増加する。DUTの意図された動作周波数に近接する、類似する、および/または等しい周波数で、DUTを試験することが望ましい場合がある。しかしながら、このような試験には多くの実際的な課題がある。一例として、DUTが電子デバイス内にパッケージされて組み立てられている場合、DUTが電子デバイスの他のコンポーネントと通信する距離は、ミリメートルからセンチメートル程度である。対照的に、空間的な制約により、プローブシステムがDUTと通信する距離は、10センチメートルまたは100センチメートル程度になる場合がある。これらの空間的制約は、プローブシステムがエンクロージャを利用して、プローブシステムを取り巻く周囲環境からDUTを電気的、環境的、および/または光学的に保護している場合に特に挑戦的である。挿入損失および電力損失を含む電気的損失、またはこれらのより長い通信距離に固有のドリフトは、DUTの意図した動作周波数に近い周波数でDUTを試験することを困難または不可能にさえする可能性がある。さらに、これらのより長い通信距離に延在させるために、ケーブルを曲げたり、および/または捩じったりすると、不所望のモーディングが生成される場合がある。したがって、被試験デバイスを試験するための改良されたプローブシステムが必要とされている。
被試験デバイスを試験するためのプローブシステムを本明細書に開示している。プローブシステムは、上面、反対側の下面、およびプラテン開口部を含む。プローブシステムはまた、被試験デバイス(DUT)を支持するように構成された支持面を画定するチャックを含む。プローブシステムは、プラテンの下面から延びる下部エンクロージャと、プラテンの上面から延びる上部エンクロージャと、をさらに含む。下部エンクロージャおよびプラテンの下面はともに下部容積を画定し、チャックの支持面が下部容積内に延在している。上部エンクロージャおよびプラテンの上面はともに上部容積を画定し、プラテン開口部が上部容積と下部容積との間に延在している。上部エンクロージャは、側壁開口部を画定する側壁を含み、当該側壁およびプラテンは、少なくとも30度および最大60度の交角を画定する。
プローブシステムはまた、マニピュレータ、プローブシャフトアーム、プローブアセンブリ、テストヘッド、および導電体を含む。マニピュレータは、プラテンの上面に動作可能に取り付けられ、プローブシャフトマウントと、テストヘッドマウントと、を含む。マニピュレータは、少なくとも2つの、少なくとも実質的に垂直な軸に沿って、操作されるアセンブリを動作可能に並進させるように構成されている。操作されるアセンブリは、プローブシャフトマウントと、テストヘッドマウントと、を含む。プローブシャフトアームは、マニピュレータ近位端と、マニピュレータ遠位端と、を画定する。プローブシャフトアームは、プローブシャフトマウントから側壁開口部を通って延びている。プローブシャフトアームのマニピュレータ遠位端は、プローブマウントを画定する。
プローブアセンブリは、プローブマウントに動作可能に取り付けられ、DUTに接触するように構成されたプローブチップ(プローブ先端)を含む。プローブアセンブリは、プローブ電気接続部を含み、プローブアセンブリの少なくとも一部は、プラテン開口部を通って延在して、プローブチップとDUTとの間の接触を容易にする。テストヘッドは、テストヘッドマウントに取り付けられ、テストヘッド電気接続部を画定する。テストヘッドは、テストヘッド電気接続部に試験信号を提供し、および/またはテストヘッドの電気接続部から結果として得られる信号を受信するように構成されている。導電体は、側壁開口部を通って、テストヘッド電気接続部とプローブ電気接続部との間に延在している。
本開示によるプローブシステムの例の概略図である。 本開示によるプローブシステムの一部の一例のより概略的でない図である。 本開示によるプローブシステムの一部の一例のより概略的でない図である。 本開示によるプローブシステムの一部の一例のより概略的でない図である。 本開示によるプローブシステムの一部の一例のより概略的でない図である。
図1〜5は、本開示によるプローブシステム10および/またはその構成要素の例を提供する。同様の、または少なくとも実質的に同様の目的を果たす要素には、図1〜5のそれぞれにおいて同様の番号を付している。本明細書では、これらの要素を、図1〜5のそれぞれを参照して詳細には説明しない。同様に、すべての要素は、図1〜5のそれぞれに番号が付されていない場合があるが、本明細書では、一貫性を保つために、それに関連する参照番号を使用する場合がある。図1〜5の1つまたは複数を参照して本明細書で論じられる要素、構成要素、および/または特徴は、本開示の範囲から逸脱することなく、図1〜5のいずれかに含まれ、および/またはそれとともに利用されてもよい。一般に、特定の実施形態に含まれる可能性が高い要素は実線で示し、任意選択である要素は破線で示している。しかしながら、実線で示される要素は必須ではなく、いくつかの実施形態では、本開示の範囲から逸脱することなく省略されてもよい。
図1は、本開示によるプローブシステム10の例の概略図である。図2〜5は、本開示によるプローブシステム10の一部の例のより概略的でない図である。図1〜5にまとめて示されるように、プローブシステム10は、上面22、下面24、および上面と下面との間に延びるプラテン開口部26を画定する、プラテン20を含む。プローブシステム10はまた、支持面32を画定するチャック30を含む。支持面32は、被試験デバイス(DUT)42を含む、またはその上に形成された基板40を支持するように構成されている。
プローブシステム10は、下部エンクロージャ50と、上部エンクロージャ60と、をさらに含む。下部エンクロージャ50は、プラテン20の下面24から延び、下部エンクロージャ50およびプラテン20はともに、その中にチャック30の支持面32が延在する下部容積52を画定する。上部エンクロージャ60は、プラテン20の上面22から延び、上部エンクロージャ60およびプラテン20はともに、上部容積62を画定する。上部エンクロージャ60は、側壁開口部72を画定する、少なくとも1つの側壁70を含む。側壁70およびプラテン20は、それらの間に交角74を画定する。おそらく図1に最もよく示されているように、プラテン開口部26は、下部容積52と上部容積62との間に延在している。換言すれば、プラテン開口部26は、下部容積52と上部容積62との間の流体連通および/または機械的連通を提供し、またはそれらを可能にする。
プローブシステム10はまた、少なくとも1つのマニピュレータ90と、少なくとも1つのプローブシャフトアーム100と、少なくとも1つのプローブアセンブリ110と、少なくとも1つのテストヘッド120と、少なくとも1つの導電体130と、を含む。おそらく図1に最もよく示されているように、マニピュレータ90は、プラテン20の上面22に動作可能に取り付けられて、プローブシャフトマウント92と、テストヘッドマウント94と、を含む。マニピュレータ90は、プラテン20に対して、プローブシャフトマウント92およびテストヘッドマウント94の両方、ならびにそれらに取り付けられた任意の構造を含む、操作されるセンブリ96を動作可能に並進させるように構成されている。この最適な並進は、図1のX、Y、および/またはZ軸などの、少なくとも2つ、または3つの、少なくとも実質的に垂直な、または少なくとも実質的に直交する軸に沿うことができる。
プローブシャフトアーム100は、マニピュレータ近位端102とマニピュレータ遠位端104とを画定する。プローブシャフトアーム100は、マニピュレータ90のプローブシャフトマウント92に動作可能に取り付けられ、プローブシャフトマウントから、側壁70の側壁開口部72を通って、上部容積62内に延びる。プローブシャフトアーム100のマニピュレータ遠位端104は、プローブマウント106を画定する。本明細書において、プローブシャフトアーム100は、細長プローブシャフトアーム100および/または丸型プローブシャフトアーム100と称される場合もある。
プローブアセンブリ110は、プローブマウント106に動作可能に取り付けられ、また、DUT42と接触し、電気的に接触し、および/またはDUTとの通信を容易にするように構成された、プローブチップ112を含む。一例として、プローブチップ112は、DUT42の接触パッドと電気的に接触するように構成することができる。プローブアセンブリ110はまた、プローブ電気接続部114を含む。図示するように、プローブアセンブリ110の少なくとも一部はプラテン開口部26を通って延在し、プローブチップとDUTとの間の接触を容易にすることができる。追加的または代替的に、プローブアセンブリ110の少なくとも1つのプローブチップ112は、下部容積52内に延在していてもよい。
テストヘッド120は、マニピュレータ90のテストヘッドマウント94に動作可能に取り付けられ、テストヘッド電気接続部122を画定する。さらに、テストヘッド120は、テストヘッド電気接続部を通じて電気信号124を伝達するように構成されている。電気信号124は、DUTに提供され得る試験信号、および/またはDUTから受信され得る結果として得られる信号を含むことができ、および/またはそれらであり得る。換言すれば、テストヘッド120は、試験信号をテストヘッド電気接続部に提供するように、および/または試験信号をテストヘッド電気接続部から受信するように構成することができる。
テストヘッドマウント94は、テストヘッド120をマニピュレータ90に動作可能に取り付けることができる任意の適切な構造を含み得る。一例として、テストヘッドマウント94は、固定式のテストヘッドマウントを含むことができ、および/またはそれであり得る。そのような固定式のテストヘッドマウントは、ねじ、ボルト、および/または他の締結具を利用して、テストヘッドをマニピュレータに動作可能に取り付けることができる。別の例として、テストヘッドマウント94は、クイックリリース式のテストヘッドマウントを含むことができ、および/またはそれであり得る。そのようなクイックリリース式のテストヘッドマウントは、レバー、カム、および/または他のクイックリリース機構を利用して、テストヘッドをマニピュレータに動作可能に取り付けることができる。クイックリリース式のテストヘッドマウントを利用した場合、テストヘッド120をプローブシステム10から迅速に取り外すことが可能になり、および/またはそれを容易にすることができ、これによって、テストヘッドのより迅速な交換および/または較正が可能になり、および/またはそれを容易にすることができる。
導電体130は、側壁開口部72を通って、テストヘッド電気接続部122とプローブ電気接続部114との間に延在している。換言すると、導電体130は、テストヘッド120とプローブアセンブリ110との間で電気信号124を伝達するように構成されている。
プローブシステム10の動作中、DUT42を含む基板40は、チャック30の支持面32上に配置され、および/またはそれにより支持され得る。次に、1つまたは複数のプローブチップ112は、DUT42上の1つまたは複数の接触位置と動作可能に位置合わせされ得る。この位置合わせは、支持面32の平面(例えば、図1のX−Y平面)内にあってもよく、1つまたは複数の対応するマニピュレータ90の作動により達成されてもよい。この位置合わせは、プローブチップ112がDUT42と位置合わせされている図2と、プローブチップ112がDUT42と位置合わせされていないかDUT42とずれている図3と、の比較により示すことができる。その後、プローブチップ112をDUT42と接触させることができる。
各マニピュレータ90は、対応する操作されるアセンブリ96を動作可能に並進させるように構成することができ、対応する操作されるアセンブリには、対応するプローブマウント92、対応するプローブシャフトアーム100、対応するプローブアセンブリ110、対応するテストヘッド120、および対応する導電体130が含まれ得る。換言すると、プローブシステム10は、マニピュレータ90がそれに取り付けられた構造(すなわち、操作されるアセンブリ96)をユニットとして動かすように構成することができる。さらに換言すると、操作されるアセンブリ96の構成要素間の相対的な向きは、位置合わせの間、固定されたままであるか、または少なくとも実質的に固定されたままであり得る。
そのような構成は、位置合わせプロセス中に、および/または位置合わせプロセスによって、1つまたは複数の操作されるアセンブリの電気的特性が変化する可能性を低減し得る。さらに、側壁70がプラテン20と交差する交角74を含む、プローブシステム10の全体的な構成は、位置合わせを可能および/または容易にすると同時に、テストヘッド電気接続部122とプローブ電気接続部114との間の距離を短縮し、導電体130を比較的短くし、マニピュレータ90の可動範囲全体にわたって導電体130を固定された名目上線形の向きとし、操作されるアセンブリ96をユニットとして動かし、および/または位置合わせ中の操作されるアセンブリ96の構成要素間の相対的な向きを固定することを可能および/または容易にする。導電体の長さを短縮することは、その名目上固定された向きとともに、プローブシステム10の改善されたおよび/またはより安定した構成を容易にすることができ、および/または従来技術のプローブシステムと比較して、より高い周波数でのDUT42の電気試験を容易にすることができる。
上部エンクロージャ60は、上部容積62を少なくとも部分的に画定することができ、および/または1つまたは複数の側壁70を含むことができる、任意の適切な構造を含み得る。一例として、図示するように、上部エンクロージャ60は、複数の側壁70を含むことができる。複数の側壁70の例は、3、4、5、6、7、8、または8を超える側壁70を含む。複数の側壁は、ピラミッド型、または少なくとも部分的にピラミッド型を形成および/または画定することができる。
上部エンクロージャ60が複数の側壁70を含む場合、少なくとも2つの側壁70は、対応する側壁開口部72を含み得る。これらの条件のもと、プローブシステム10は、側壁開口部72を含む少なくとも2つの側壁のそれぞれのための、またはそれぞれに関連付けられ得る、対応するマニピュレータ90、対応するプローブシャフトアーム100、対応するプローブアセンブリ110、対応するテストヘッド120、および/または対応する導電体130を含むことができる。
前述したように、対応するプローブシャフトアーム100および対応する導電体130の通過を可能にするように構成された側壁開口部72を含む、側壁70または少なくとも1つの側壁70は、プラテン20と交角74を画定することができる。一般に、交角74は鋭角である;そして、鋭角であることは、鋭角の交角を含まない、および/またはプローブチップ112の位置合わせ中に対応する導電体を屈曲させ、および/または湾曲させる従来技術のプローブシステムと比較した場合、導電体130の短縮された長さおよび/または導電体130の固定方向により、DUT42のより高い周波数試験を可能および/または容易にすることができる。交角74のより具体的な例には、少なくとも15度、少なくとも20度、少なくとも25度、少なくとも30度、少なくとも35度、少なくとも40度、少なくとも45度、少なくとも50度、少なくとも55度、少なくとも60度、最大75度、最大70度、最大65度、最大60度、最大55度、最大50度、最大45度、および/または公称45度が含まれる。
交角74は、任意の適切な方法で測定、決定、および/または確立することができる。一例として、交角74は、プラテン20の上面22と、上部エンクロージャ60および/またはその側壁70の内部64と、の間で測定することができる。別の例として、プラテン20は、プラテン平面内に延びる平面または少なくとも実質的に平面なプラテンとすることができる。同様に、側壁70は、側壁平面内に延びる平面または少なくとも実質的に平面な側壁とすることができる。これらの条件のものと、交角74は、プラテン平面と側壁平面との間で測定することができる。
図1に破線で示すように、上部エンクロージャ60は、観察窓150を含むことができる。観察窓150は、存在する場合、プローブシステム10のユーザがそれを通して、プローブアセンブリ110および/またはDUT42を観察できるように構成することができる。したがって、観察窓150は、本明細書では、光学的に透明な観察窓とすることができるか、またはそのように称される。観察窓150は、任意の適切な1つの材料および/または複数の材料から形成することができる。例として、観察窓150は、耐熱窓材料、低熱膨張係数を有する窓材料、ガラス、および/またはホウケイ酸ガラスを含み、それらから形成され、および/またはそれらにより画定することができる。
観察窓150が、存在する場合、電磁シールド構造152を含み得ることは、本開示の範囲内である。電磁シールド構造の例には、電磁シールドコーティング、光学的に透明なコーティング、および/または導電性コーティングが含まれる。そのようなコーティングの例には、酸化インジウムスズコーティングが含まれる。導電性コーティングは、存在する場合、観察窓の内面(すなわち、上部容積62に面するか、または上部容積62を少なくとも部分的に画定する観察窓の面)、および/または観察窓の外面(すなわち、上部容積62とは反対側にある、および/または観察窓の内面とは反対の観察窓の面)を被覆することができ、また、電気接地に接続することができる。このような構成は、表示窓からの静電荷の散逸を可能および/または容易にすることができる。
図1の破線で示されるように、プローブシステム10は、光学カバー154をさらに含むことができる。光学カバー154は、存在し、および/または利用される場合、光および/または電磁放射線が周囲環境から観察窓を通過するのを制限する等のために、観察窓150を覆うように構成することができる。光学カバー154の例には、不透明カバー、金属カバー、および/またはアルミニウムカバーが含まれる。
図1に破線で示され、図2〜5に実線で示されるように、上部エンクロージャ60は、上壁80をさらに含むことができる。上壁80は、本明細書において、上部カバー80および/またはカバー80とも称される。上壁80は、存在する場合、プラテン20に対して、対向していてもよく、平行であってもよく、および/または少なくとも実質的に平行であってもよい。換言すると、上壁80は、プラテン20によって境界付けられる上部容積の第2の部分に対向する、上部容積62の第1の部分を境界付けることができる。おそらく図1および図4,5に最もよく示されるように、上壁80は、上部開口部82を含み、および/または画定することができる。上部開口部82には、顕微鏡などの光学アセンブリ160が、該上部開口部を介して、および/またはそれを通して、プローブアセンブリ110および/またはDUT42を観察できるように成形および/または構成することができる。
おそらく図5に最もよく示されるように、上壁80は、存在する場合、プローブアセンブリ110へのアクセスを提供する等のために、選択的におよび/または繰り返し側壁70から分離され、再接合されるように構成することができる。これらの条件のもと、図1に示されるように、上部エンクロージャ60は、上壁と側壁との間の流体シールを形成するように構成され得る、シーリング構造84をさらに含むことができる。シーリング構造84の例には、任意の適切な可撓性シール、弾性シール、ホイルシール、導電性シール、および/またはポリマーシールが含まれる。
制御された環境エンクロージャを備えるプローブステーションの追加の例は、米国特許第5266889号、5345170号、5457398号、5434512号、5532609号、5663653号、5604444号、6313649号、6232788号、6335628号、6380751号、6492822号、6486687号、6636059号、6720782号、6801047号、6980012号、7009383号、7589518号、7330023号、7348787号、7492147号、および7595632号に開示されている。これらの特許文献の完全な開示は、参照により本明細書に組み込まれる。
図1に破線で示され、図2,3に実線で示されるように、プローブシステム10はまた、可撓性シーリングアセンブリ170を含むことができる。可撓性シーリングアセンブリ170は、存在する場合、マニピュレータ90と上部エンクロージャ60との間に少なくとも部分的に延在することができ、図1に示すように、シーリングアセンブリ容積172を画定することができる。プローブシステム10が可撓性シーリングアセンブリ170を含む場合、プローブシャフトアーム100および導電体130は両方ともに、シーリングアセンブリ容積内に少なくとも部分的に延在することができる。
可撓性シーリングアセンブリ170は、存在する場合、側壁開口部72を介して光、電磁放射線、および/または周囲雰囲気が上部容積62に入るのを制限するように構成することができる。追加的または代替的に、可撓性シーリングアセンブリ170は、側壁開口部を介した上部容積と周囲環境との間の熱エネルギーの伝達を制限するように構成することができる。
可撓性シーリングアセンブリ170は、任意の適切な1つまたは複数の材料を含み、および/またはそれらから形成することができる。例として、可撓性シーリングアセンブリ170は、ポリマー可撓性シーリングアセンブリ、金属製可撓性シーリングアセンブリ、織物製可撓性シーリングアセンブリ、および/または蛇腹、または蛇腹形状の構造のうちの1つまたは複数を含み、および/またはそれらとすることができる。別の例として、可撓性シーリングアセンブリは、可撓性メインシール178と、該可撓性メインシールとは別個の、および/または分離された可撓性スカートシール179と、を含んでいてもよい。
より具体的な例として、可撓性シーリングアセンブリ170は、少なくとも第1の織物製シートおよび第2の織物製シートを含む、複数の織物製シートを含むことができる。複数の織物製シートは、層状に配置することができる。第1の織物製シートは、光を吸収し、それを通過する光透過を制限し、および/またはそれを通過する空気流を制限するように構成することができる。例として、第1の織物製シートは、密に織られていてもよく、光吸収材料から形成されてもよく、および/または黒色であってもよい。第2の織物製シートは、電磁シールドを提供するように構成することができる。例として、第2の織物製シートは、導電性であってもよく、および/または金属であってもよい。第2の織物製シートは、第1の織物製シートと比べて織り方が緩くてもよい。
可撓性シーリングアセンブリ170は、任意の適切な方法で、上部エンクロージャ60および/またはマニピュレータ90に動作可能に取り付け、および/または固定することができる。一例として、上部エンクロージャ60は、磁性材料から形成することができ、可撓性シーリングアセンブリ170は、磁性の可撓性シーリングアセンブリマウント174を介して、上部エンクロージャに動作可能に取り付けることができる。別の例として、可撓性シーリングアセンブリは、マニピュレータに動作可能に取り付けられた可撓性シーリングアセンブリ取付けプレート176を介して、マニピュレータ90に動作可能に取り付けることができる。
可撓性シーリングアセンブリ170は、存在する場合、プローブシャフトアーム100および導電体130の両方から、マニピュレータ90の可動範囲全体にわたって、少なくとも閾値間隔または分離距離を維持するように成形および/または構成され得ることは、本開示の範囲内である。換言すると、可撓性シーリングアセンブリ170は、プローブシャフトアームおよび/または導電体と隣接または接触しないように構成することができる。さらに換言すると、可撓性シーリングアセンブリ170は、マニピュレータ90がその可動範囲全体にわたって動くとき、プローブシャフト100および導電体130との接触を回避し、および/またはそれらに対する力の印加を回避するように構成することができる。このような構成は、可撓性シーリングアセンブリがプローブシャフトアームおよび/または導電体を偏向させ、および/または湾曲させることを防止することができる。可撓性シーリングアセンブリ170は、追加的または代替的に、マニピュレータ90に大きな抵抗力および/または拘束力を加えることなく、該マニピュレータがその可動範囲全体にわたって動くことを可能にするように構成することができる。そのような構成は、マニピュレータの動作中における非線形性、偏向、遅れ、および/またはヒステリシスの可能性を低減することができる。
可撓性シーリングアセンブリのさらなる例は、米国特許出願公開第2017/0205466号に開示されている。この米国特許出願公開の完全な開示は、参照により本明細書に組み込まれる。
プラテン20は、上面22、下面24、およびプラテン開口部26を画定し得る、任意の適切な構造を含むことができる。追加的または代替的に、プラテン20は、下部容積52と上部容積62とを少なくとも部分的を分離し、それにマニピュレータ90が取り付けられ、下部エンクロージャ50に取り付けられ、および/または上部エンクロージャ60に取り付けられ得る、任意の適切な構造を含むことができる。例として、プラテン20は、複数の別個のプラテン構成要素28を含む、ユニット式プラテンまたはプラテンアセンブリを含むことができる。
チャック30は、支持面32を画定し得る基板40を支持するように構成され得る、並びに/またはプローブアセンブリ110に対して基板40を動作可能に並進および/若しくは回転するように構成され得る、任意の適切な構造を含むことができる。一例として、チャック30は、チャック30をX,Yおよび/またはZ軸に沿って選択的に並進させるように、および/またはチャックをZ軸周りに選択的に回転させるように構成され得る、並進ステージ36を含むことができ、および/またはそれに関連することができる。
プローブシステム10が、該プローブシステムの周囲の周囲温度よりも高い、および/または低い場合がある、様々なおよび/または定義された温度でDUT42の動作を試験するように構成され得ることは、本開示の範囲内である。これらの条件のもと、チャック30は、DUTの温度を選択的に調整するように構成された、サーマルチャックを含み、および/またはそれであり得る。サーマルチャックは、チャックを選択的に加熱および/または冷却して、DUTの温度を選択的に調整するように構成され得る、温度制御構造34を含むことができる。
基板40は、DUT42を含み得る任意の適切な構造を含むことができる。基板40の例には、半導体基板、シリコン基板、および/またはタイプIII−V半導体基板が含まれる。
DUT42は、プローブシステム10によって接触および/または試験されるように構成され得る、任意の適切な構造を含むことができる。DUT42の例には、任意の適切な半導体デバイス、固体デバイス、論理デバイス、微小電気機械システム(MEMS)デバイス、および/または電力制御デバイスが含まれる。
下部エンクロージャ50は、プラテン20の下面24から延在することができ、および/または下部容積52を少なくとも部分的に画定することができ、および/または下部容積と周囲環境との間の相互作用を少なくとも部分的に制限するための、任意の適切な構造を含むことができる。一例として、下部エンクロージャ50は、下部容積を周囲環境から熱的に隔離するように構成され得る、熱シールド54を含むことができる。別の例として、下部エンクロージャ50は、下部容積を周囲環境から電磁的に隔離するように構成され得る、電磁シールド56を含むことができる。さらに別の例として、下部エンクロージャ50は、下部容積を周囲環境から光学的に隔離するように構成され得る、光学シールド58を含むことができる。別の例として、下部エンクロージャは、周囲環境から下部エンクロージャ内への周囲ガスの流れに抵抗するように構成することができる。
下部エンクロージャ50は、任意の適切な1つの材料および/または複数の材料によって形成および/または画定することができる。例として、下部エンクロージャ50は、導電性材料および/または金属材料から形成されてもよい。下部エンクロージャが導電性材料から形成される場合、下部エンクロージャは、さらに電気的に接地されていてもよい。
図1に破線で示されるように、プローブシステム10は、ガス流142を下部容積52に提供するように構成され得る、ガス供給アセンブリ140を含むことができる。そのような構成は、下部エンクロージャへの周囲ガスの流れを制限することができ、および/または下部容積内に所望の環境を提供および/または生成するために利用することができる。一例として、ガス流142は、下部容積内に乾燥環境を生成するように構成された乾燥ガス流を含むことができ、および/またはそれとすることができる。そのような構成は、DUTが低温で試験される場合に、DUT42上の水の凝縮および/または凍結の可能性を低減するために利用することができる。別の例として、ガス流142は、下部容積内に不活性環境を生成するように構成された不活性ガス流を含むことができ、および/またはそれとすることができる。そのような構成は、その試験中に、DUT42との反応および/またはDUT42の酸化の可能性を低減することができる。
マニピュレータ90は、プラテン20の上面22に動作可能に取り付けられ、プローブシャフトマウント92を含み、テストヘッドマウント94を含み、および/またはプローブシャフトマウントおよびテストヘッドマウントを動作可能に並進するように構成され得る、任意の適切な構造を含むことができる。説明したように、マニピュレータ90は、プローブシャフトアーム100、プローブアセンブリ110、テストヘッド120、および導電体130間の、固定された、または少なくとも実質的に固定された相対的な向きを、それらの動作並進中に維持するように構成することができる。図示されるように、マニピュレータ90は、上部容積62および下部容積52の両方の外部にあってもよい。マニピュレータ90の例には、手動マニピュレータおよび/または電気制御マニピュレータが含まれる。マニピュレータ90は、ボールねじおよびシャフトアセンブリ、親ねじおよびシャフトアセンブリ、マイクロメータアセンブリ、ラックピニオンアセンブリ、電気モータ、および/またはステッパモータを含むことができる。
プローブシャフトアーム100は、マニピュレータ近位端102を画定し、マニピュレータ遠位端104を画定し、および/またはプローブマウント106を画定し得る、任意の適切な構造を含むことができる。図示されるように、プローブシャフトアーム100は、少なくとも部分的に上部容積62の外部に、および少なくとも部分的に上部容積の内部に延在することができる。同様に図示されるように、プローブシャフトアーム100は、外部容積52の外部にあってもよい。プローブアセンブリ110とDUT42との間の接触時の偏向に抵抗する等のために、プローブシャフトアームが剛性であるか、または少なくとも実質的に剛性であり得ることは、本開示の範囲内である。
プローブアセンブリ110は、プローブチップ112および/またはプローブ電気接続部114を含み得る、任意の適切な構成とすることができる。一例として、および説明したように、プローブアセンブリ110は、DUT42との間で高周波電気信号を伝達するように、および/またはDUTの動作および高い信号周波数を試験するように構成された、高周波プローブアセンブリを含み、および/またはそれであり得る。例として、信号周波数は、少なくとも50ギガヘルツ(GHz)、少なくとも75GHz、少なくとも100GHz、少なくとも110GHz、少なくとも120GHz、少なくとも130GHz、少なくとも140GHz、少なくとも150GHz、少なくとも200GHz、少なくとも250GHz、少なくとも300GHz、少なくとも350GHz、少なくとも400GHz、少なくとも450GHz、および/または少なくとも500GHzであり得る。図示されるように、プローブアセンブリ110は、プラテン開口部26内に少なくとも部分的に延在することができる。追加的または代替的に、プローブアセンブリ110は、上部容積62および下部容積52の両方の内部に少なくとも部分的に延在することができる。
テストヘッド120は、テストヘッドマウント94に動作可能に取り付けられ、テストヘッド電気接続部122を画定し、および/または電気信号124を生成および/または受信するように構成され得る、任意の適切な構成を含むことができる。一例として、テストヘッド120は、高い信号周波数で試験信号を生成し、高い信号周波数で試験信号をDUTに提供し、および/または高い信号周波数で結果として得られる信号をDUTから受信するように構成された、高周波のテストヘッドを含むことができ、および/またはそれであり得る。信号周波数の例は、本明細書に開示されている。図示されるように、テストヘッド120は、上部容積62および下部容積52の両方の外部にあってもよい。
導電体130は、側壁開口部72を通って延び、テストヘッド電気接続部122とプローブ電気接続部114との間に延び、および/またはプローブアセンブリとテストヘッドとの間で電気信号124を伝達するように構成され得る、任意の適切な構成を含むことができる。導電体130の例には、電気ケーブル、シールドケーブル、同軸ケーブルが含まれる。
導電体130は、高い信号周波数で電気信号を伝達するように構成された、高周波導電体とすることができ、その例は、本明細書に開示されている。高い信号周波数での電気信号の伝達を容易にするために、および/または所望の信号対雑音比を提供するために、導電体130は比較的短くてもよい。例として、導電体130の最大長さは、15センチメートル(cm)、14cm、13cm、12cm、11cm、10cm、9cm、8cm、7cm、6cm、および/または5cmとすることができる。説明したように、導電体130の長さが短いことは、プローブシステム10に重要な空間的制約を提供し得るが、側壁70とプラテン20との間の鋭角の交角を含む、プローブシステム10の全体的な構成により、最大長さが比較的短い導電体130の利用を可能および/または容易にすることができる。
プローブ電気接続部とテストヘッド電気接続部との間に延びる導電体として、導電体130が直線状であるか、または少なくとも実質的に直線状であり得ることは、本開示の範囲内である。換言すると、導電体は線形であるか、または少なくとも実質的に線形であってもよく、および/またはテストヘッド電気接続部とプローブ電気接続部との間の線形軌道上に延在していてもよい。さらに、導電体の形状は、マニピュレータ90の可動範囲全体にわたって、固定されていてもよく、または少なくとも実質的に固定されていてもよい。そのような構成は、導電体の湾曲および/または偏向によって生じ得る、プローブシステム10の較正が変化する可能性を低減することができる。
本明細書で使用する場合、第1の実体と第2の実体との間に置かれた「および/または」という用語は、(1)第1の実体、(2)第2の実体、ならびに(3)第1の実体および第2の実体、のうちの1つを意味する。「および/または」で列挙した複数の実体は、同じ様式で、すなわち、そのように結合した実体のうちの「1つ以上」として解釈するべきである。「および/または」の節によって具体的に識別される実体以外の他の実体は、具体的に識別されるこれらの実体と関連しているか否かに関係なく、任意で存在することができる。したがって、非限定的な例として、「Aおよび/またはB」への言及は、「備える」などの制限のない文言とともに用いられる場合には、一実施形態ではAのみ(任意でB以外の実体を含む)をいい;別の実施形態ではBのみ(任意でA以外の実体を含む)をいい;さらに別の実施形態ではAおよびBの両方(任意で別の実体を含む)をいうことができる。これらの実体は、要素、動作、構造、ステップ、操作および値などをいうことができる。
本明細書で使用されるように、1つ以上の実体の列挙を参照する「少なくとも1つ」という句は、実体のリスト内のいずれか1つまたは複数から選択された少なくとも1つの実体を意味するものと理解するべきであるが、実体のリスト内に具体的に列挙されている各々すべての実体のうちの1つを必ずしも含める必要はなく、また、実体のリスト内の実体の任意の組み合わせを排除しない。この定義により、「少なくとも1つ」という句が参照する実体のリスト内で明示的に識別される実体以外に、具体的に識別される実体と関係するか否かに関係なく、実体を任意に存在させることができる。したがって、非限定的な例として、「AおよびBの少なくとも1つ」(または等価的に、「AまたはBの少なくとも1つ」、または等価的に「Aおよび/またはBの少なくとも1つ」)は、一実施形態では、少なくとも1つの、任意で複数のAを含むが、Bが存在しない(任意で、B以外の実体を含む)ことをいい;別の実施形態では、少なくとも1つの、任意で複数のBを含むが、Aが存在しない(任意で、A以外の実体を含む)ことをいい;さらに別の実施形態では、少なくとも1つの、任意で複数のAと、少なくとも1つの、任意で複数のBと、を含む(任意で、別の実体を含む)ことをいうことができる。換言すると、「少なくとも1つ」、「1つまたは複数」、および「および/または」という句は、その働きにおいて連結的接続詞であるとともに離接的接続詞である、制限のない表現である。例えば、「A,B,およびCの少なくとも1つ」、「A,B,またはCの少なくとも1つ」、「A,B,およびCの1つ以上」、「A,B,またはCの1つ以上」、「A,B,および/またはC」は、Aだけ、Bだけ、Cだけ、AおよびBともに、AおよびCともに、BおよびCともに、A,B,およびCともに、ならびに任意で、上記いずれかと少なくとも1つの他の実体との組み合わせを意味することができる。
特許、特許出願、または他の参考文献を参照により本明細書に組み込み、本開示の組み込みでない部分または組み込んだ他の参考文献のいずれかと、(1)矛盾する方法で用語を定義する場合、および/または(2)矛盾する場合は、本開示における(これらの文献等の)組み込み部分以外の部分が支配的であり、その用語または本明細書に組み込んだ開示は、その用語が定義された参考文献および/またはもともと存在していた組み込んだ開示に対してのみ支配的であるものとする。
本明細書で使用する、「ようになっている」および「構成されている」という用語は、要素、構成要素、または他の主題が所与の機能を実行するように設計および/または意図されていることを意味する。したがって、「ようになっている」および「構成されている」という用語の使用は、所与の要素、構成要素、または他の主体が、単に、所与の機能を実行することができることを意味すると解釈されるべきではなく、むしろ、その要素、構成要素、および/または他の主題は、その機能を実行する目的で特別に選択、作成、実装、利用、プログラム、および/または設計されていることを意味する。特定の機能を実行するようになっていると記載されている要素、構成要素、および/または他の記載された主題が、追加的または代替的にその機能を実行するように構成されていると説明され得ることは、その逆もまた、本開示の範囲内である。
本明細書で使用されるように、「例えば」という句、「例として」という句、および/または単に「例」という用語は、本開示による1つまたは複数の構成要素、特徴、詳細、構造、実施形態、および/または方法を参照して使用される場合、記載された構成要素、特徴、詳細、構造、実施形態、および/または方法が、本開示による構成要素、特徴、詳細、構造、実施形態、および/または方法の例示的で非排他的な例であることを伝えることを意図している。したがって、記載された構成要素、特徴、詳細、構造、実施形態、および/または方法は、限定的、必須的、または排他的/網羅的であることを意図していない。また、構造的および/若しくは機能的に類似の、並びに/または等価な特徴、詳細、構造、実施形態、および/若しくは方法を含む、他の構成要素、特徴、詳細、構造、実施形態、および/または方法もまた、本開示の範囲内である。
本開示によるプローブシステムの例示的、非排他的な例を、以下に列挙する段落に示す。本明細書に記載する方法の個々のステップは、以下に列挙する段落に含まれ、追加的または代替的に、記載した動作を実行する「ためのステップ」と称することもできることは、本開示の範囲内である。
A1.プローブシステムは:
上面、反対側の下面、および当該上面と当該下面との間に延在するプラテン開口部を画定する、プラテンと;
被試験デバイス(DUT)を含む基板を支持するように構成された支持面を画定する、チャックと;
プラテンの下面から延びる下部エンクロージャであって、下部エンクロージャおよびプラテンの下面がともに下部容積を画定し、さらに、チャックの支持面が下部容積内に延在する、下部エンクロージャと;
プラテンの上面から延びる上部エンクロージャであって、上部エンクロージャおよびプラテンの上面がともに上部容積を画定し、上部容積と下部容積との間にプラテン開口部が延在し、さらに、上部エンクロージャが側壁開口部を画定する側壁を含み、側壁およびプラテンが、少なくとも10度および最大80度の交角を画定する、上部エンクロージャと;
プラテンの上面と動作可能に取り付けられ、プローブシャフトマウントとテストヘッドマウントとを含むマニピュレータであって、プローブシャフトマウントおよびテストヘッドマウントの両方を含む操作されるアセンブリを、プラテンに対して、2つの少なくとも実質的に垂直な並進軸に沿って、動作可能に並進させるように構成されている、マニピュレータと;
マニピュレータ近位端とマニピュレータ遠位端とを画定するプローブシャフトアームであって、プローブシャフトマウントから側壁開口部を通って延び、さらに、プローブシャフトアームのマニピュレータ遠位端がプローブマウントを画定する、プローブシャフトアームと;
プローブマウントに動作可能に取り付けられ、DUTと接触するように構成されたプローブチップを含むプローブアセンブリであって、プローブ電気接続部を含み、さらに、プローブアセンブリの少なくとも一部が、プローブチップとDUTとの間の接触を容易にするためにプラテン開口部を通って延在する、プローブアセンブリと;
テストヘッドマウントに動作可能に取り付けられ、テストヘッド電気接続部を画定するテストヘッドであって、テストヘッド電気接続部に試験信号を提供すること、およびテストヘッド電気接続部から結果として得られる信号を受信すること、の少なくとも1つを行うように構成された、テストヘッドと;
側壁開口部を通って、テストヘッド電気接続部とプローブ電気接続部との間に延在する、導電体と、を備える。
A2.プラテンが以下の少なくとも1つを含む、段落A1のプローブシステム:
(i)単一のプラテン;および
(ii)複数の別個のプラテン構成要素を含むプラテンアセンブリ。
A3.チャックが、DUTの温度を選択的に調整するように構成されたサーマルチャックである、段落A1またはA2のプローブシステム。
A4.サーマルチャックが、以下の少なくとも1つを行うように構成された温度制御構造を含む、段落A3のプローブシステム:
(i)チャックを選択的に冷却して、DUTの温度を選択的に調整すること;および
(ii)チャックを選択的に加熱して、DUTの温度を選択的に調整すること。
A5.下部エンクロージャが以下の少なくとも1つである、段落A1〜A4のいずれか1つのプローブシステム:
(i)プローブシステムを取り囲む周囲環境から下部容積を熱的に隔離するように構成された、熱シールドを含む;
(ii)周囲環境から下部容積を電磁的に隔離するように構成された、電磁シールドを含む;
(iii)周囲環境から下部容積を光学的に隔離するように構成された、光学シールドを含む;および
(iv)周囲環境から下部エンクロージャへの周囲ガスの流れに抵抗するように構成されている。
A6.下部エンクロージャが以下の少なくとも1つである、段落A1〜A5のいずれか1つのプローブシステム:
(i)導電性の下部エンクロージャ;および
(ii)電気的に接地された下部エンクロージャ。
A7.プローブシステムが、下部容積にガス流を提供するように構成されたガス供給アセンブリをさらに含む、段落A1〜A6のいずれかのプローブシステム。
A8.ガス流が、乾燥ガス流および不活性ガス流の少なくとも一方を含む、段落A7のプローブシステム。
A9.上部エンクロージャが複数の側壁を含む、段落A1〜A8のいずれかのプローブシステム。
A10.複数の側壁のうちの少なくとも2つの側壁が対応する側壁開口部を含み、さらに、プローブシステムが、当該少なくとも2つの側壁の各々に関連する、対応するマニピュレータ、対応するプローブシャフトアーム、対応するプローブアセンブリ、対応するテストヘッド、および対応する導電体を含む、段落A9のプローブシステム。
A11.複数の側壁が4つの側壁を含む、段落A9〜A10のいずれかのプローブシステム。
A12.複数の側壁が少なくとも部分的にピラミッド形状を画定する、段落A9〜A11のいずれかのプローブシステム。
A13.上部エンクロージャは、プローブシステムのユーザがプローブアセンブリおよびDUTの少なくとも一方を観察できるように構成された観察窓をさらに含む、段落A1〜A12のいずれかのプローブシステム。
A14.窓が光学的に透明である、段落A13のプローブシステム。
A15.観察窓が以下の少なくとも1つから形成される、段落A13〜A14のいずれかのプローブシステム:
(i)耐熱窓材;
(ii)熱膨張係数が低い窓材;
(iii)ガラス;および
(iv)ホウケイ酸ガラス。
A16.観察窓が電磁シールド構造を含む、段落A13〜A15のいずれかのプローブシステム。
A17.電磁シールド構造が以下の少なくとも1つを含む、段落A16のプローブシステム:
(i)光学的に透明なコーティング;
(ii)電磁シールドコーティング;
(iii)導電性コーティング;および
(iv)酸化インジウムスズコーティング。
A18.プローブシステムが、観察窓のための光学カバーをさらに含む、段落A13〜A17のいずれかのプローブシステム。
A19.光学カバーが以下の少なくとも1つを含む、段落A18のプローブシステム:
(i)不透明なカバー;
(ii)金属カバー;および
(iii)アルミニウムカバー。
A20.上部エンクロージャが上壁をさらに含む、段落A1〜A19のいずれかのプローブシステム。
A21.上壁が、プラテンに対して平行または少なくとも実質的に平行である、段落A20のプローブシステム。
A22.上壁が上部開口部を含み、さらに、プローブシステムは、光学アセンブリが当該上部開口部を介してプローブアセンブリおよびDUTの少なくとも一方を観察できるように構成されている、段落A20〜A21のいずれかのプローブシステム。
A23.プローブシステムが光学アセンブリを含む、段落A22のプローブシステム。
A24.光学アセンブリが光学顕微鏡を含む、段落A22〜A23のいずれかのプローブシステム。
A25.上壁は、任意にプローブアセンブリへのアクセスを提供するように、選択的かつ繰返し側壁から分離され、かつ該側壁に接合される、段落A20〜24のいずれかのプローブシステム。
A26.上部エンクロージャが、上壁と側壁との間の流体シールを形成するように構成されたシーリング構造をさらに含む、段落A20〜A25のいずれかのプローブシステム。
A27.側壁とプラテンとの間の交角が以下の少なくとも1つである、段落A1〜A26のいずれかのプローブシステム:
(i)少なくとも15度、少なくとも20度、少なくとも25度、少なくとも30度、少なくとも35度、少なくとも40度、少なくとも45度、少なくとも50度、少なくとも55度、または少なくとも60度;
(ii)最大75度、最大70度、最大65度、最大60度、最大55度、最大50度、または最大45度;および
(iii)公称45度。
A28.側壁とプラテンとの間の交角は、プラテンの上面と、上部容積を少なくとも部分的に画定する上部エンクロージャの内壁と、の間で測定される、段落A1〜A27のいずれかのプローブシステム。
A29.プラテンが、プラテン平面内に延在する平面または少なくとも実質的に平面のプラテンであり、側壁が、側壁平面内に延在する平面または少なくとも実質的に平面の側壁であり、側壁とプラテンとの間の交角が、プラテン平面と側壁平面との間で測定される、段落A1〜A28のいずれかのプローブシステム。
A30.マニピュレータが以下の少なくとも1つである、段落A1〜A29のいずれかのプローブシステム:
(i)手動マニピュレータ;および
(ii)電気制御マニピュレータ。
A31.マニピュレータが、プローブシャフトマウントおよびテストヘッドマウントの両方を、3つの直交する、または少なくとも実質的に直交する軸に沿って、動作可能に並進させるように構成されている、段落A1〜A30のいずれかのプローブシステム。
A32.マニピュレータが、上部容積および下部容積の両方の外部にある、段落A1〜A31のいずれかのプローブシステム。
A33.マニピュレータが、プローブシャフトマウントおよびテストヘッドマウントの並進動作中に、プローブシャフトアーム、プローブアセンブリ、テストヘッド、および導電体の間の、固定された、または少なくとも実質的に固定された相対的な向きを維持するように構成されている、段落A1〜A32のいずれかのプローブシステム。
A34.プローブシャフトアームが剛性プローブシャフトアームである、段落A1〜A33のいずれかのプローブシステム。
A35.プローブシャフトアームが、少なくとも部分的に上部容積の外部に、および少なくとも部分的に上部容積の内部に延在する、段落A1〜A34のいずれかのプローブシステム。
A36.プローブシャフトアームが下部容積の外部にある、段落A1〜A35のいずれかのプローブシステム。
A37.プローブアセンブリが高周波プローブアセンブリである、段落A1〜A36のいずれかのプローブシステム。
A38.プローブアセンブリが、試験信号および結果として得られる信号の少なくとも一方を含む電気信号を、少なくとも50ギガヘルツ(GHz)、少なくとも75GHz、少なくとも100GHz、少なくとも110GHz、少なくとも120GHz、少なくとも130GHz、少なくとも140GHz、少なくとも150GHz、少なくとも200GHz、少なくとも250GHz、少なくとも300GHz、少なくとも350GHz、少なくとも400GHz、少なくとも450GHz、または少なくとも500GHzの周波数で伝達するように構成されている、段落A1〜A37のいずれかのプローブシステム。
A39.プローブアセンブリが、上部容積および下部容積の両方の内部に少なくとも部分的に延在する、段落A1〜A38のいずれかのプローブシステム。
A40.テストヘッドが高周波テストヘッドである、A1〜A39のいずれかのプローブシステム。
A41.テストヘッドが、少なくとも50ギガヘルツ(GHz)、少なくとも75GHz、少なくとも100GHz、少なくとも110GHz、少なくとも120GHz、少なくとも130GHz、少なくとも140GHz、少なくとも150GHz、少なくとも200GHz、少なくとも250GHz、少なくとも300GHz、少なくとも350GHz、少なくとも400GHz、少なくとも450GHz、または少なくとも500GHzのうちの1つの信号周波数で、試験信号を生成すること、および結果として得られる信号を受信すること、の少なくとも一方を行うように構成されている、段落A1〜A40のいずれかのプローブシステム。
A42.テストヘッドが、上部容積および下部容積の両方の外部にある、段落A1〜A41のいずれかのプローブシステム。
A43.導電体が、電気ケーブル、遮蔽電気ケーブル、および同軸ケーブルのうちの少なくとも1つを含む、段落A1〜A42のいずれかのプローブシステム。
A44.導電体が、少なくとも50ギガヘルツ(GHz)、少なくとも75GHz、少なくとも100GHz、少なくとも110GHz、少なくとも120GHz、少なくとも130GHz、少なくとも140GHz、少なくとも150GHz、少なくとも200GHz、少なくとも250GHz、少なくとも300GHz、少なくとも350GHz、少なくとも400GHz、少なくとも450GHz、または少なくとも500GHzの周波数で、試験信号および結果として得られる信号の少なくとも一方を含む電気信号を伝達するように構成された、高周波導電体である、段落A1〜A43のいずれかのプローブシステム。
A45.導電体が、15センチメートル(cm)、14cm、13cm、12cm、11cm、10cm、9cm、8cm、7cm、6cm、または5cmのうちの1つの最大長さを有する、段落A1〜A44のいずれかのプローブシステム。
A46.導電体が以下の少なくとも1つである、段落A1〜A45のいずれかのプローブシステム:
(i)直線、または少なくとも実質的に直線;
(ii)線形、または少なくとも実質的に線形;および
(iii)テストヘッド電気接続部とプローブ電気接続部との間の直線軌道に沿って延びる。
A47.プローブシステムは、マニピュレータと上部エンクロージャとの間に延在する可撓性シーリングアセンブリをさらに含み、当該可撓性シーリングアセンブリが、シーリングアセンブリ容積を少なくとも部分的に画定し、プローブシャフトアームおよび導電体の両方が、シーリングアセンブリ容積内に少なくとも部分的に延在する、段落A1〜A46のいずれかのプローブシステム。
A48.可撓性シーリングアセンブリが、以下の少なくとも1つを行うように構成されている、段落A47のプローブアセンブリ:
(i)側壁開口部を介した上部容積内への光の進入を制限すること;
(ii)側壁開口部を介した上部容積内への電磁放射線の進入を制限すること;
(iii)側壁開口部を介した上部容積内への周囲雰囲気の進入を制限すること;
(iv)側壁開口部を介した、上部容積と周囲環境との間の熱エネルギーの伝達を制限すること;および
(v)光を吸収すること。
A49.可撓性シーリングアセンブリが以下の少なくとも1つを含む、段落47〜48のいずれかのプローブアセンブリ:
(i)高分子可撓性シーリングアセンブリ;
(ii)金属製可撓性シーリングアセンブリ;
(iii)織物製可撓性シーリングアセンブリ;および
(iv)ベローズ構造。
A50.可撓性シーリングアセンブリが、任意に、電磁可撓性シーリングアセンブリマウントを介して、上部エンクロージャに動作可能に取り付けられる、段落A47〜A49のいずれかのプローブシステム。
A51.可撓性シーリングアセンブリが、任意に、マニピュレータに動作可能に取り付けられた可撓性シーリングアセンブリ取付けプレートを介して、マニピュレータに動作可能に取り付けられる、段落A47〜A50のいずれかのプローブシステム。
A52.可撓性シーリングアセンブリが、マニピュレータの可動範囲全体にわたって、プローブシャフトアームおよび導電体の両方からの少なくとも閾値分離距離を維持するように構成されている、段落A47〜A51のいずれかのプローブシステム。
A53.可撓性シーリングアセンブリが、可撓性メインシールと、可撓性メインシールとは別個の可撓性スカートシールと、を含む、段落A47〜A52のいずれかのプローブシステム。
本明細書に開示するプローブシステムは、半導体製造および試験産業に適用可能である。
以上に説明した開示は、独立した有用性を有する複数の異なる発明を包含するものと考えられる。これらの発明の各々をその好ましい形態で開示してきたが、本明細書中に開示および図示するその具体的な実施形態は、限定的な意味に解釈されるべきではない。というのも、非常に多数の変形例が存在するためである。これらの発明の主題は、本明細書中に開示する種々の要素、特徴、機能、および/または特性のすべての新規かつ非自明な組み合わせおよびサブコンビネーション(副次的組み合わせ)を含む。同様に、本開示、先の番号付き段落、または実質的に出願される特許請求の範囲において、「1つの」または「第1の」要素、またはその同等物を記載している場合、そのような請求項は、1つまたは複数のそのような要素の組み込みを含み、2つ以上のそのような要素を要求も排除もしないものと理解するべきである。
以上に説明した開示は、独立した有用性を有する複数の異なる発明を包含するものと考えられる。これらの発明の各々をその好ましい形態で開示してきたが、本明細書中に開示および図示するその具体的な実施形態は、限定的な意味に解釈されるべきではない。というのも、非常に多数の変形例が存在するためである。これらの発明の主題は、本明細書中に開示する種々の要素、特徴、機能、および/または特性のすべての新規かつ非自明な組み合わせおよびサブコンビネーション(副次的組み合わせ)を含む。同様に、特許請求の範囲において、「1つの」または「第1の」要素、またはその同等物を記載している場合、そのような請求項は、1つまたは複数のそのような要素の組み込みを含み、2つ以上のそのような要素を要求も排除もしないものと理解するべきである。
以下の特許請求の範囲は、開示する発明のうちの1つに指向した特定の組み合わせおよびサブコンビネーションを特に指摘しており、新規かつ非自明であるものと確信する。特徴、機能、要素および/または特性の他の組み合わせおよびサブコンビネーションで具体化される発明は、本出願の特許請求の範囲の補正、あるいは本出願または関連出願における新たな請求項の提示により特許請求することがある。そのような補正した、または新たな請求項も、異なる発明に指向していても同じ発明に指向していても、元の特許請求の範囲と異なる範囲でも、元の特許請求の範囲よりも広い範囲でも、狭い範囲でも、等しい範囲でも、本開示における発明の主題の範囲内に含まれるものと考えられる。

Claims (20)

  1. プローブシステムであって、
    上面、反対側の下面、および前記上面と前記下面との間に延びるプラテン開口部を画定する、プラテンと、
    被試験デバイス(DUT)を含む基板を支持するように構成された支持面を画定する、チャックと、
    前記プラテンの前記下面から延びる下部エンクロージャであって、前記下部エンクロージャおよび前記プラテンの下面がともに下部容積を画定し、さらに、前記チャックの前記支持面が前記下部容積内に延在する、下部エンクロージャと;
    前記プラテンの前記上面から延びる上部エンクロージャであって、前記上部エンクロージャおよび前記プラテンの上面がともに上部容積を画定し、前記プラテン開口部が前記上部容積および前記下部容積の間に延び、さらに、前記上部エンクロージャが側壁開口部を画定する側壁を含み、前記側壁および前記プラテンが、少なくとも30度および最大60度の交角を画定する、上部エンクロージャと、
    前記プラテンの前記上面と動作可能に取り付けられ、プローブシャフトマウントおよびテストヘッドマウントを含むマニピュレータであって、前記プローブシャフトマウントおよび前記テストヘッドマウントの両方を含み操作されるアセンブリを、前記プラテンに対して、2つの少なくとも実質的に垂直な並進軸に沿って、動作可能に並進させるように構成されている、マニピュレータと、
    マニピュレータ近位端およびマニピュレータ遠位端を画定するプローブシャフトアームであって、前記プローブシャフトマウントから前記側壁開口部を通って延び、さらに、前記プローブシャフトアームの前記マニピュレータ遠位端がプローブマウントを画定する、プローブシャフトアームと、
    前記プローブマウントに動作可能に取り付けられ、前記DUTと接触するように構成されたプローブチップを含むプローブアセンブリであって、プローブ電気接続部を含み、さらに、前記プローブアセンブリの少なくとも一部が、前記プローブチップおよび前記DUTの間の接触を容易にするために前記プラテン開口部を通って延在する、プローブアセンブリと、
    前記テストヘッドマウントに動作可能に取り付けられ、テストヘッド電気接続部を画定するテストヘッドであって、前記テストヘッド電気接続部に試験信号を提供すること、および前記テストヘッド電気接続部から結果として得られる信号を受信すること、の少なくとも1つを行うように構成された、テストヘッドと、
    前記側壁開口部を通って、前記テストヘッド電気接続部および前記プローブ電気接続部の間に延在する、導電体と、を備える、プローブシステム。
  2. 前記上部エンクロージャが複数の側壁を含む、請求項1に記載のプローブシステム。
  3. 前記複数の側壁のうち少なくとも2つの側壁が対応する側壁開口部を含み、さらに、前記プローブシステムが、前記少なくとも2つの側壁の各々に関連する、対応するマニピュレータ、対応するプローブシャフトアーム、対応するプローブアセンブリ、対応するテストヘッド、および対応する導電体を含む、請求項2に記載のプローブシステム。
  4. 前記複数の側壁が少なくとも部分的にピラミッド形状を画定する、請求項2に記載のプローブシステム。
  5. 前記上部エンクロージャは、前記プローブシステムのユーザが前記プローブアセンブリおよび前記DUTの少なくとも一方を観察できるように構成された観察窓をさらに含む、請求項1に記載のプローブシステム。
  6. 前記観察窓が電磁シールド構造を含む、請求項5に記載のプローブシステム。
  7. 前記プローブシステムが前記観察窓のための光学カバーをさらに含む、請求項5に記載のプローブシステム。
  8. 前記上部エンクロージャが上壁をさらに含む、請求項1に記載のプローブシステム。
  9. 前記上壁が上部開口部を含み、前記プローブシステムは、光学アセンブリが前記上部開口部を介して前記プローブアセンブリおよび前記DUTの少なくとも一方を観察できるように構成され、さらに、前記プローブシステムが前記光学アセンブリを含む、請求項8に記載のプローブシステム。
  10. 前記上部エンクロージャが、前記上壁と前記側壁との間の流体シールを形成するように構成されたシーリング構造をさらに含む、請求項8に記載のプローブシステム。
  11. 前記側壁と前記プラテンとの間の前記交角が、少なくとも40度および最大50度である、請求項1に記載のプローブシステム。
  12. 前記マニピュレータが、前記プローブシャフトマウントおよび前記テストヘッドマウントの両方を、3つの少なくとも実質的に直交する軸に沿って、動作可能に並進させるように構成されている、請求項1に記載のプローブシステム。
  13. 前記マニピュレータは、前記プローブシャフトマウントおよび前記テストヘッドマウントの並進動作中に、前記プローブシャフトアーム、前記プローブアセンブリ、前記テストヘッド、および前記導電体の間の、少なくとも実質的に固定された相対的な向きを維持するように構成されている、請求項1に記載のプローブシステム。
  14. 前記プローブシャフトアームが、少なくとも部分的に前記上部容積の外部に、および少なくとも部分的に前記上部容積の内部に延在する、請求項1に記載のプローブシステム。
  15. (i)前記プローブアセンブリが、少なくとも50ギガヘルツ(GHz)の周波数で、前記試験信号および前記結果として得られる信号の少なくとも一方を含む電気信号を伝達するように構成され、
    (ii)前記テストヘッドが、少なくとも50GHzの1つの信号周波数で、前記試験信号を生成すること、および前記結果として得られる信号を受信すること、の少なくとも一方を行うように構成され、
    (iii)前記導電体が、少なくとも50GHzの周波数で前記電気信号を伝達するように構成された高周波導電体である、請求項1に記載のプローブシステム。
  16. 前記プローブアセンブリが、前記上部容積および前記下部容積の両方の内部に少なくとも部分的に延在する、請求項1に記載のプローブシステム。
  17. 前記テストヘッドが前記上部容積および前記下部容積の両方の外部にある、請求項1に記載のプローブシステム。
  18. 前記導電体が、15センチメートルの最大長さを有する、請求項1に記載のプローブシステム。
  19. 前記導電体が、前記テストヘッド電気接続部と前記プローブ電気接続部との間の直線軌道に沿って延在する、請求項1に記載のプローブシステム。
  20. 前記プローブシステムは、前記マニピュレータと前記上部エンクロージャとの間に延在する可撓性シーリングアセンブリをさらに含み、前記可撓性シーリングアセンブリが、シーリングアセンブリ容積を少なくとも部分的に画定し、前記プローブシャフトアームおよび前記導電体の両方が、前記シーリングアセンブリ容積内に少なくとも部分的に延在する、請求項1に記載のプローブシステム。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11204383B2 (en) * 2019-09-30 2021-12-21 Formfactor, Inc. Methods for maintaining gap spacing between an optical probe of a probe system and an optical device of a device under test, and probe systems that perform the methods
US11874301B2 (en) * 2019-11-06 2024-01-16 Formfactor, Inc. Probe systems including imaging devices with objective lens isolators, and related methods
US11378619B2 (en) * 2019-12-18 2022-07-05 Formfactor, Inc. Double-sided probe systems with thermal control systems and related methods
CN113125811B (zh) * 2021-03-05 2024-03-26 深圳市福浪电子有限公司 一种晶振测试装置
TWI814491B (zh) * 2022-07-18 2023-09-01 財團法人國家實驗研究院 檢測裝置之可拆卸保護結構

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3710251A (en) 1971-04-07 1973-01-09 Collins Radio Co Microelectric heat exchanger pedestal
US4115736A (en) 1977-03-09 1978-09-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Probe station
US4856904A (en) 1985-01-21 1989-08-15 Nikon Corporation Wafer inspecting apparatus
US5077523A (en) 1989-11-03 1991-12-31 John H. Blanz Company, Inc. Cryogenic probe station having movable chuck accomodating variable thickness probe cards
US5266889A (en) 1992-05-29 1993-11-30 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station with integrated environment control enclosure
US6313649B2 (en) 1992-06-11 2001-11-06 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having environment control enclosure
US6380751B2 (en) 1992-06-11 2002-04-30 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having environment control enclosure
US5345170A (en) 1992-06-11 1994-09-06 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having integrated guarding, Kelvin connection and shielding systems
US6700397B2 (en) 2000-07-13 2004-03-02 The Micromanipulator Company, Inc. Triaxial probe assembly
US7589512B2 (en) * 2006-06-12 2009-09-15 Yazaki Corporation Load control device
DE102008047337B4 (de) * 2008-09-15 2010-11-25 Suss Microtec Test Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Prüfung eines Testsubstrats in einem Prober unter definierten thermischen Bedingungen
JP5970218B2 (ja) * 2012-03-26 2016-08-17 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
TWM438631U (en) * 2012-03-30 2012-10-01 Mpi Corp Probe, probe and probe seat assembly, and edge finder using the same
TWM453850U (zh) * 2012-08-22 2013-05-21 Mpi Corp 探針、探針與針座之總成以及使用該總成之尋邊器
TWM472849U (zh) * 2013-10-03 2014-02-21 Chips Best Technology Co Ltd 晶片自動檢測系統
TWI525325B (zh) * 2014-04-24 2016-03-11 Elastic probe and its manufacturing method
US10060950B2 (en) 2016-01-15 2018-08-28 Formfactor Beaverton, Inc. Shielded probe systems
CN205373641U (zh) * 2016-03-07 2016-07-06 安徽电气工程职业技术学院 三维微纳米触发式探头
US9784763B1 (en) * 2016-04-08 2017-10-10 Cascade Microtech, Inc. Shielded probe systems with controlled testing environments
CN106405167B (zh) * 2016-08-23 2018-11-02 南安市弈诚机械科技有限公司 一种用于测试集成电路的探针卡

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