JP2020520106A - 有機エレクトロルミネセントデバイス - Google Patents

Abstract

本発明は、発光層Ｂと電子輸送層Ｄとの間に位置する励起子クエンチング層Ｃを含む有機エレクトロルミネセントデバイスであって、励起子クエンチング層Ｃは少なくとも１種のエミッタＥＣ、および少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭＤを少なくとも８０重量％を含む、有機エレクトロルミネセントデバイスに関する。

Description

本発明は、発光層Ｂと電子輸送層Ｄとの間に位置する励起子クエンチング層Ｃを含む有機エレクトロルミネセントデバイスであって、励起子クエンチング層Ｃが少なくとも１種のエミッタＥ^Ｃ、および少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄを少なくとも８０重量％を含む、有機エレクトロルミネセントデバイスに関する。

例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、発光電気化学セル（ＬＥＣ）および発光トランジスタなどの有機物をベースとする１つまたはそれ以上の発光層を含有する有機エレクトロルミネセントデバイスは、ますます重要性を増している。具体的には、ＯＬＥＤは、例えば、スクリーン、ディスプレイおよび照明デバイスなどの電子製品用の有望なデバイスである。無機物を本質的にベースとするほとんどのエレクトロルミネセントデバイスとは対照的に、有機物をベースとする有機エレクトロルミネセントデバイスはかなり柔軟であり、特に薄い層で製造可能であることが多い。今日すでに利用可能なＯＬＥＤベースのスクリーンやディスプレイは、特に効果的な鮮明な色、コントラストを有し、これらのエネルギー消費に関して比較的効率的である。

光を発生するための有機エレクトロルミネセントデバイスの中心的要素は、アノードとカソードとの間に配置された発光層である。有機エレクトロルミネセントデバイスに電圧（および電流）を印加すると、アノードおよびカソードからそれぞれ正孔および電子が発光層に注入される。通常は、正孔輸送層は発光層とアノードとの間に位置し、電子輸送層は発光層とカソードとの間に位置している。異なる層が順次配列されている。次いで、正孔と電子との再結合によって高エネルギーの励起子が発生する。そのような励起状態（例えば、Ｓ１などの一重項状態および／またはＴ１などの三重項状態）の基底状態（Ｓ０）への崩壊は、望ましくは発光をもたらす。

効率的なエネルギー輸送および放出を可能にするために、有機エレクトロルミネセントデバイスは、１種またはそれ以上のホスト化合物とドーパントとして１種またはそれ以上のエミッタ化合物とを含む。

多くの場合、有機エレクトロルミネセントデバイスは、そのアノード層とカソード層の間に、１種またはそれ以上のエミッタ化合物を含む発光層と、電子輸送材料を含む電子輸送層とを含む。発光スペクトルでは、多くの場合電子輸送材料の発光に起因する、望ましくない幅広の発光ピークが見られることが多い。それにより、青色有機エレクトロルミネセントデバイスの発光波長範囲はより短い波長に部分的に偏移し、それにより、所望の範囲の量子収率が失われる。

有機エレクトロルミネセントデバイスを作製する場合の課題は、したがって、デバイスの照明レベル（すなわち、電流当たりの明るさ）の改善であり、所望の光スペクトルを得ること、および適切な寿命を達成することである。可視光スペクトルの深青色領域で発光する効率的で安定なＯＬＥＤが依然として不足しており、これは、ＣＩＥ_ｙ値が小さいことによって表されるであろう。

発光層内の不均衡な電荷輸送に起因して、しばしば、ＯＬＥＤの発光スペクトルにおいて隣接する電子輸送層（ＥＴＬ）からの発光が観察される。この発光は典型的には、望ましくない（短い）波長で現れ、発光層の組合せホスト／エミッタシステムと比較して電子輸送材料の効率が低いことに起因して、ＥＴＬ発光による効率の損失が生じる。正孔阻止層を組み込むことにより、この発光、したがって効率の損失を回避することが可能であるが、デバイスの寿命は通常には著しく短縮される。

当技術分野で典型的であるデバイスでは、電荷キャリアの再結合と励起子の形成は、電子輸送層と発光層との間の境界面近くで生じる。これにより、励起子の一部のみが（発光層に注入された電子によって）発光層内に形成され、一方、励起子の別の部分は電子輸送層内に形成される（境界面の電子輸送層側での蓄積電子）。この比率は、電子輸送層が電子を発光層に注入する能力によっておよそ決定される。発光層の励起子の一部はまた、電子輸送材料へと伝達される。

これらの励起子は、無放射（内部量子効率を低下させる）で、または有機エレクトロルミネセントデバイスの発光スペクトルに短波長ショルダーとしてしばしば観察することができる発光（通常、非常に速い蛍光崩壊）によってのいずれかで崩壊することができる。したがって、電子輸送材料による励起子クエンチングおよび電子輸送材料内での励起子形成は、励起子密度およびポーラロン密度を効果的に低下させ、しかしまたデバイス効率も効果的に低下させるが、なぜなら、通常の電子輸送材料はかなり小さい量子収率を有するからである。また、有機エレクトロルミネセントデバイスの寿命が短くなる可能性もある。

したがって、特に青色範囲において、長い寿命と高い量子収率を有する有機エレクトロルミネセントデバイスに関して満たされていないニーズが依然としてある。驚くべきことに、有機エレクトロルミネセントデバイスの発光層とその電子輸送層との間に励起子クエンチング層を配置することによって、良好な寿命および量子収率を有する有機エレクトロルミネセントデバイスが提供される、ことが分かった。

したがって、本発明の一態様は、有機エレクトロルミネセントデバイスであって：
（Ａ）アノード層Ａと；
（Ｂ）少なくとも１種のホスト材料Ｈ^Ｂおよび少なくとも１種のエミッタＥ^Ｂを含み、電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄ２０重量％超を含まない発光層Ｂと；
（Ｃ）少なくとも１種のエミッタＥ^Ｃ、および少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄ少なくとも８０重量％を含む励起子クエンチング層Ｃと；
（Ｄ）少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄを含む電子輸送層Ｄと；
（Ｅ）カソード層Ｋと
を含み、
層は、逐次的順序で次の順序（Ａ）−（Ｂ）−（Ｃ）−（Ｄ）−（Ｅ）で配列され、場合により１つまたはそれ以上のさらなる層が、アノード層Ａと発光層Ｂとの間に、電子輸送層Ｄとカソード層Ｋとの間に、またはそれぞれアノード層Ａと発光層Ｂとの間におよび電子輸送層Ｄとカソード層Ｋとの間に存在してもよく、かつ
励起子クエンチング層Ｃは、発光層Ｂと電子輸送層Ｄとの両方に隣接している、
有機エレクトロルミネセントデバイスに関する。

本発明は、有機エレクトロルミネセントデバイスであって、アノードＡと；カソードＫと；少なくとも１種のホスト材料Ｈ^Ｂおよび少なくとも１種のエミッタＥ^Ｂを含む、アノードＡとカソードＫとの間に位置する発光層Ｂ（前記発光層Ｂは電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄ２０重量％超を含まない）と；少なくとも１種のエミッタＥ^Ｃを含む励起子クエンチング層Ｃ（または（補助）発光層Ｃ）と；少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄを含む、カソードＫと発光層Ｂとの間の電子輸送層Ｄとを含み；
励起子クエンチング層Ｃは、発光層Ｂと電子輸送層Ｄとの両方に隣接し、かつ
励起子クエンチング層Ｃは、少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄ少なくとも８０重量％を含む、有機エレクトロルミネセントデバイスに関する。

本明細書で使用する場合、「隣接する」という用語は、励起子クエンチング層Ｃが発光層Ｂならびに電子輸送層Ｄと直接接触していることを意味する。これにより、電子輸送層Ｄから励起子クエンチング層Ｃへおよび励起子クエンチング層Ｃから発光層Ｂへ電子が伝達されることが可能になる。

好ましくは、層Ｃおよび層Ｄ、場合により層Ｂで使用される場合、（少なくとも１種の）電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄはそれぞれ同じである。当業者であれば、電子輸送材料とは、すなわち、カソード（または正孔注入層）から、それぞれ、発光層Ｂ（当技術分野で知られている有機エレクトロルミネセントデバイスにおける）と本発明による励起子クエンチング層Ｃとへ、電子の効率的な輸送を可能にする材料とはどんなものであるか理解している。代表的に、層Ｃおよび層Ｄ、場合により層Ｂは、単一の電子輸送材料または２種の電子輸送材料の混合物もしくは３種の電子輸送材料の混合物を含む。具体的には、層Ｃおよび層Ｄ、場合により層Ｂは、層Ｃおよび層Ｄ、存在する場合は層Ｂにおいて同じである単一の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄをそれぞれが含む。

好ましくは、層Ｂ、発光層Ｂは、電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄ、１５重量％超を含まず、より好ましくは１５重量％以下、さらにより好ましくは１０重量％以下、さらにより好ましくは５重量％以下を含み、特に（本質的に）電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄをなんら含まない。

本発明によれば、励起子クエンチング層Ｃは、発光層Ｂと電子輸送層Ｄとの両方に隣接して位置しており、励起子クエンチング層Ｃは、少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄ少なくとも８０重量％を含む。

驚くべきことに、かかる励起子クエンチング層Ｃを発光層Ｂと電子輸送層Ｄとの間に導入することによって、少なくとも１種の電子輸送材料の望ましくない発光を低減させることが可能であり、それによって有機ルミネセントデバイスの発光スペクトルが狭くなること、およびそれによって発光スペクトルの可視範囲での量子収率が上昇すること、が分かった。具体的には、これは青色範囲での量子収率の上昇につながる可能性がある。さらに、デバイスの安定性と寿命が向上する可能性もある。

本発明による有機エレクトロルミネセントデバイスは、例えば、アノード層Ａとの間に位置する正孔輸送層（ＨＴＬ）、および／または電子輸送層（ＥＴＬ）Ｄとカソード層Ｋとの間に位置する電子注入層（ＥＩＬ）、からなる群から選択されるものなどの層を加えて、場合によりさらに含んでもよい、ことが理解されるであろう。

本発明の好ましい実施形態によれば、前記有機エレクトロルミネセントデバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、発光電気化学セル（ＬＥＣ）、および発光トランジスタからなる群から選択されるデバイスである。

本発明の好ましい実施形態によれば、少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｂは熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）エミッタである。

本発明の好ましい実施形態によれば、少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｃは蛍光エミッタである。

本発明の好ましい実施形態では、励起子クエンチング層Ｃは、少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄ、９０〜９９．９５重量％、より好ましくは９５〜９９重量％、特に９７〜９８重量％を含む。

本発明の好ましい実施形態では、励起子クエンチング層Ｃは、少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｃ、０．０５〜１０重量％、より好ましくは１〜５重量％、特に２〜３重量％を含む。

本発明のより好ましい実施形態によれば、励起子クエンチング層Ｃは：
（ｉ）少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄ、９０〜９９．９５重量％、好ましくは９５〜９９重量％、特に９７〜９８重量％；および
（ｉｉ）少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｃ、０．０５〜１０重量％、好ましくは１〜５重量％、特に２〜３重量％
を含む（またはそれらから（本質的に）なる）。

したがって、励起子クエンチング層Ｃは、好ましくは：
少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄ９５〜９９重量％；および
少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｃ１〜５重量％
を含む（またはそれらから（本質的に）なる）。

特に好ましくは、励起子クエンチング層Ｃは：
少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄ９７〜９８重量％；および
少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｃ２〜３重量％
を含む（またはそれらから（本質的に）なる）。

好ましい実施形態では、発光層Ｂは、少なくとも１種のホスト化合物Ｈ^Ｂ、５〜９９重量％、より好ましくは１０〜９４．９重量％、特に１５〜８９重量％を含む。本発明の別の好ましい実施形態では、発光層Ｂは、少なくとも１種のホスト化合物Ｈ^Ｂ、５〜９９重量％、より好ましくは３０〜９４．９重量％、特に４０〜８９重量％を含む。

好ましい実施形態では、発光層Ｂは、少なくとも１種の発光化合物Ｅ^Ｂ、１〜５０重量％、より好ましくは５〜４０重量％、特に１０〜３０重量％を含む。本発明の別の好ましい実施形態では、発光層Ｂは、少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｂ、１〜５０重量％、より好ましくは５〜４０重量％、特に１０〜３０重量％を含む。

場合により、発光層Ｂは、Ｈ^Ｂと異なる少なくとも１種のさらなるホスト化合物Ｈ^Ｂ２９４重量％以下をさらに含む。好ましい実施形態では、発光層Ｂは、Ｈ^Ｂと異なる少なくとも１種のさらなるホスト化合物Ｈ^Ｂ２、０．１〜８５重量％、特に１〜７５重量％を含む。本発明の別の参照実施形態では、発光層Ｂは、Ｈ^Ｂと異なる少なくとも１種のさらなるホスト化合物Ｈ^Ｂ２、０．１〜６５重量％、特に１〜５０重量％をさらに含む。

場合により、発光層Ｂは、１種またはそれ以上の溶媒、６５重量％以下、特に０〜５０重量％をさらに含む。

したがって、好ましい実施形態では、発光層Ｂは：
（ｉ）少なくとも１種のホスト化合物Ｈ^Ｂ、５〜９９重量％、好ましくは１０〜９４．９重量％、特に１５〜８９重量％；
（ｉｉ）少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｂ、１〜５０重量％、好ましくは５〜４０重量％、特に１０〜３０％；および場合により
（ｉｉｉ）Ｈ^Ｂと異なる少なくとも１種またはそれ以上のさらなるホスト化合物Ｈ^Ｂ２、０〜９４重量％、好ましくは０．１〜８５重量％、特に１〜７５重量％；および場合により
（ｉｖ）１種またはそれ以上の溶媒、０〜９４重量％、好ましくは０〜６５重量％、特に０〜５０重量％
を含む（またはそれらから（本質的に）なる）。

したがって、本発明のより好ましい実施形態では、発光層Ｂは：
（ｉ）少なくとも１種のホスト化合物Ｈ^Ｂ１０〜９４．９重量％；
（ｉｉ）少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｂ５〜４０重量％；および場合により
（ｉｉｉ）Ｈ^Ｂと異なる少なくとも１種のさらなるホスト化合物Ｈ^Ｂ２０．１〜８５重量％；および場合により
（ｉｖ）１種またはそれ以上の溶媒０〜６５重量％
を含む（またはそれらから（本質的に）なる）。

本発明の高度に好ましい実施形態によれば、発光層Ｂは：
（ｉ）少なくとも１種のホスト化合物Ｈ^Ｂ５〜８９重量％；
（ｉｉ）少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｂ１０〜３０重量％；および場合により
（ｉｉｉ）Ｈ^Ｂと異なる少なくとも１種のさらなるホスト化合物Ｈ^Ｂ２１〜８５重量％；および場合により
（ｉｖ）１種またはそれ以上の溶媒０〜６５重量％
を含む（またはそれらから（本質的に）なる）。

本発明の別の好ましい実施形態によれば、発光層Ｂは：少なくとも１種のホスト化合物Ｈ^Ｂ５〜９９重量％；少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｂ１〜５０重量％；および場合により、Ｈ^Ｂと異なる１種またはそれ以上のさらなるホスト化合物Ｈ^Ｂ２０〜９４重量％；および場合により１種またはそれ以上の溶媒０〜９４重量％を含む（またはそれらから（本質的に）なる）。

したがって、発光層Ｂは好ましくは：
少なくとも１種のホスト化合物Ｈ^Ｂ３０〜９４．９重量％；
少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｂ５〜４０重量％；および
Ｈ^Ｂと異なる少なくとも１種のさらなるホスト化合物Ｈ^Ｂ２０．１〜６５重量％；および
場合により重量で、好ましくは１種またはそれ以上の溶媒０〜６５重量％
を含む（またはそれらから（本質的に）なる）。

発光層Ｂはまた：
少なくとも１種のホスト化合物Ｈ^Ｂ４０〜８９重量％；
少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｂ１０〜３０重量％；および
Ｈ^Ｂと異なる少なくとも１種のさらなるホスト化合物Ｈ^Ｂ２１〜５０重量％；および場合により、
１種またはそれ以上の溶媒０〜５０重量％
を含んでもよい（またはそれらから（本質的に）なってもよい）。

代替の好ましい実施形態によれば、発光層Ｂは：
（ｉ）少なくとも１種のホスト化合物Ｈ^Ｂ１０〜４５重量％；
（ｉｉ）少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｂ５〜４０重量％；および
（ｉｉｉ）Ｈ^Ｂと異なる少なくとも１種のさらなるホスト化合物Ｈ^Ｂ２５０〜８５重量％
を含む（またはそれらから（本質的に）なる）。

より好ましい代替の好ましい実施形態によれば、発光層Ｂは：
（ｉ）少なくとも１種のホスト化合物Ｈ^Ｂ１５〜３０重量％；
（ｉｉ）少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｂ１０〜３０重量％；および
（ｉｉｉ）Ｈ^Ｂと異なる少なくとも１種のさらなるホスト化合物Ｈ^Ｂ２６０〜７５重量％
を含む（またはそれらから（本質的に）なる）。

本発明の好ましい実施形態によれば、電子輸送層Ｄは、電子輸送成分を参照して、少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄ、８９．９重量％超を、好ましくは９４．９重量％超を、特に９８．９重量％超を、含む。

電子輸送層Ｄは、例えば、Ｌｉｑ（８−ヒドロキシキノリノラトリチウムなどの電子を輸送するのに適さない材料、２０〜９０重量％、好ましくは４０〜８５重量％、より好ましくは６０〜８０重量％、特に７０〜８９重量％（例えば（およそ）７５重量％）、を場合により含むことができる。

かかる材料はファイラー（ｆｉｌｅｒ）として使用して、電子の高速輸送チャネルの発生を防止し、かつ電子輸送層Ｄ全体を通して均一な電子輸送を提供することができる。

本発明の好ましい実施形態によれば、少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｂは、発光最大λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｂ）および半値全幅ＦＷＨＭ（Ｅ^Ｂ）を有する発光を示し、少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｃは、発光最大λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｃ）および半値全幅ＦＷＨＭ（Ｅ^Ｃ）を有する発光を示し、Ｅ^Ｃは、Ｅ^Ｂよりも短い波長または等しい波長（λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｂ）≧λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｃ））で、より好ましくはλ_ｍａｘ（Ｅ^Ｂ）＞λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｃ）で、発光最大λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｃ）を示す。本発明のさらなる実施形態では、発光Ｅ^Ｃは、Ｅ^Ｂよりも短い波長で発光最大λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｃ）を示し、λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｂ）とλ_ｍａｘ（Ｅ^Ｃ）との間の差はＥ^Ｂの半値全幅よりも小さい（λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｂ）≧λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｃ）≧［λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｂ）−ＦＷＨＭ（Ｅ^Ｂ）］）。本発明のさらなる実施形態では、発光Ｅ^Ｃは、Ｅ^Ｂよりも短い波長で、発光最大λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｃ）を示し、λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｂ）とλ_ｍａｘ（Ｅ^Ｃ）との間の差はＥ^Ｂの半値全幅の半分よりも小さい（λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｂ）≧λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｃ）≧［λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｂ）−ＦＷＨＭ（Ｅ^Ｂ）／２］）。

本発明の好ましい実施形態によれば、少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｃは、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｃ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｃ）を有し、少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄは、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（ＥＴＭ^Ｄ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＴＭ^Ｄ）を有し、ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｃ）は、ＬＵＭＯ（ＥＴＭ^Ｄ）と比較してより高いエネルギーまたは等しいエネルギーを有する（Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｃ）≧Ｅ^ＬＵＭＯ（ＥＴＭ^Ｄ））。さらなる実施形態では、ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｃ）は、ＬＵＭＯ（ＥＴＭ^Ｄ）よりも、エネルギーが、０．３ｅＶ未満高いまたは厳密に０．３ｅＶ高い（Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｃ）−Ｅ^ＬＵＭＯ（ＥＴＭ^Ｄ）≦０．３ｅＶ）。

本発明の好ましい実施形態によれば、少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｃは、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｃ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｃ）を有し、少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄは、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（ＥＴＭ^Ｄ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＴＭ^Ｄ）を有し、ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｃ）は、ＨＯＭＯ（ＥＴＭ^Ｄ）と比較してより高いエネルギーまたは等しいエネルギーを有する（Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｃ）≧Ｅ^ＨＯＭＯ（ＥＴＭ^Ｄ））。

本発明の好ましい実施形態によれば、少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｃは、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｃ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｃ）を有し、少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｂは、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有し、ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｃ）は、ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）と比較してより高いエネルギーまたは等しいエネルギーを有する（Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｃ）≧Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ））。

本発明の好ましい実施形態によれば、少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｃは最低励起一重項状態のエネルギー準位Ｓ１（Ｅ^Ｃ）を有し、少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄは最低励起一重項状態のエネルギー準位Ｓ１（ＥＴＭ^Ｄ）を有し、Ｓ１（ＥＴＭ^Ｄ）は、Ｓ１（Ｅ^Ｃ）と比較してエネルギーが高いまたは等しい（Ｓ１（ＥＴＭ^Ｄ）≧Ｓ１（Ｅ^Ｃ））。

本発明の好ましい実施形態によれば、少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｃは、最低励起三重項状態のエネルギー準位Ｔ１（Ｅ^Ｃ）を有しかつ最低励起一重項状態のエネルギー準位Ｓ１（Ｅ^Ｃ）を有し、少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄは最低励起三重項状態のエネルギー準位Ｔ１（ＥＴＭ^Ｄ）を有し、Ｔ１（ＥＴＭ^Ｄ）はＴ１（Ｅ^Ｃ）と比較してより高くまたは等しく、Ｓ１（Ｅ^Ｃ）はＴ１（Ｅ^Ｃ）と比較してより高く、Ｔ１（Ｅ^Ｃ）はＳ１（Ｅ^Ｃ）の半分よりも高い（Ｔ１（ＥＴＭ^Ｄ）≧Ｔ１（Ｅ^Ｃ）、およびＳ１（Ｅ^Ｃ）＞Ｔ１（Ｅ^Ｃ）≧Ｓ１（Ｅ^Ｃ）／２）。

本発明の好ましい実施形態によれば、少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^ＤはＮＢＰｈｅｎである。

本発明の好ましい実施形態によれば、発光層Ｂは厚さｄ^Ｂを有し、励起子クエンチング層Ｃは厚さｄ^Ｃを有し、ＢはＣよりも厚い（ｄ^Ｂ＞ｄ^Ｃ）。本発明のさらなる実施形態によれば、発光層Ｂは、１８０ｎｍから５ｎｍの間の厚さを有し、励起子クエンチング層Ｃは、４ｎｍから０．５ｎｍの間の厚さを有する。

本明細書で使用する場合、有機エレクトロルミネセントデバイスおよび光電子発光デバイスという用語は、少なくとも１種のホスト材料Ｈ^Ｂおよび少なくとも１種のエミッタＥ^Ｂを含む、アノードＡとカソードＫとの間に位置する発光層Ｂと；少なくとも１種のエミッタＥ^Ｃを含む励起子クエンチング層Ｃと；少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄを含む、カソードＫと発光層Ｂとの間の電子輸送層Ｄとを含む任意のデバイスであって、励起子クエンチング層Ｃは、発光層Ｂと電子輸送層Ｄとの両方に隣接し、励起子クエンチング層Ｃは、少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄ少なくとも８０重量％を含む、任意のデバイスとして、最も広い意味で理解してよい。

本発明の文脈で使用する「層」という用語は、広く平面形状を有する本体であることが好ましい。発光層Ｂは、１ｍｍ以下、より好ましくは０．１ｍｍ以下、さらにより好ましくは１０μｍ以下、さらにより好ましくは１μｍ以下、特に０．１μｍ以下の厚さを有することが好ましい。

特に好ましい実施形態では、少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｂは熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）エミッタ、好ましくは空色またはさらにより好ましくは青色ＴＡＤＦエミッタである。

代表的に、少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｂは：

からなる群から選択される青色ＴＡＤＦエミッタである、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）である。

特に好ましい実施形態では、少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｃは蛍光エミッタ、好ましくは青色蛍光エミッタである。代表的に、Ｅ^Ｃは：

から選択される青色蛍光エミッタである。

特に好ましい実施形態では、Ｅ^Ｃは：

から選択される蛍光エミッタである。

別の好ましい実施形態では、少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｃは、三重項−三重項消滅（ＴＴＡ）エミッタである。代表的に、Ｅ^Ｃは：

から選択される青色ＴＴＡエミッタである。

さらに好ましい実施形態では、少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｃは、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）エミッタである。代表的に、Ｅ^Ｃは：

からなる群から選択される青色ＴＡＤＦエミッタである。

好ましい実施形態では、エミッタ化合物Ｅ^Ｂの発光よりも短い波長で生じるエミッタ化合物Ｅ^Ｃの発光に起因して、ＣＩＥ_ｙ座標が低下する。好ましくは、Ｅ^Ｃの発光最大λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｃ）は、Ｅ^Ｂの発光最大λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｂ）に近い。特に、λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｃ）は、Ｅ^Ｂの発光の強度が発光ピークのスペクトル形状により非ゼロである、波長に相応する。

別段の指定がない限り、種々の実施形態の層のいずれも、適切な任意の方法によって蒸着することができる。発光層Ｂを含めて、本発明の文脈における層は、液体処理（「フィルム処理」、「流体処理」、「溶液処理」または「溶媒処理」とも呼ばれる）によって場合により製造することができる。

これは、それぞれの層に含まれる成分が液体状態でデバイスの一部の表面に塗布されることを意味する。好ましくは、発光層Ｂを含めて、本発明の文脈における層は、スピンコーティングによって製造することができる。当業者に周知のこの方法によって、薄い（本質的に）均質な層を得ることができる。

あるいは、発光層Ｂを含めて、本発明の文脈における層は、例えばキャスティング法（例えばドロップキャスティング）およびローリング法などの液体処理、ならびに印刷法（例えば、インクジェット印刷、グラビア印刷、ブレードコーティング）に基づく他の方法によって製造することができる。これは、場合により、不活性雰囲気中（例えば、窒素雰囲気中）で実施することができる。

あるいは、本発明の文脈における層は、それらに限定されないが、例えば熱（同時）蒸発、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）、および有機蒸気ジェット印刷（ＯＶＪＰ）による蒸着などの、当業者であればよく知っている真空処理法を含めて、当技術分野で知られている他の任意の方法によって製造できる。

液体処理によって層を製造する場合、層の成分（すなわち、本発明の発光層Ｂに関連して、少なくとも１種のホスト化合物Ｈ、典型的には少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ、および場合により１種またはそれ以上の他のホスト化合物Ｄ）を含む溶液は、揮発性有機溶媒をさらに含むことができる。このような揮発性有機溶媒は、場合により、テトラヒドロフラン、ジオキサン、クロロベンゼン、ジエチレングリコールジエチルエーテル、２−（２−エトキシエトキシ）エタノール、ガンマ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリジノン、エトキシエタノール、キシレン、トルエン、アニソール、フェネトール、アセトニトリル、テトラヒドロチオフェン、ベンゾニトリル、ピリジン、トリヒドロフラン、トリアリールアミン、シクロヘキサノン、アセトン、プロピレンカーボネート、酢酸エチル、ベンゼンおよびＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート）からなる群から選択される１つとすることができる。また、２つ以上の溶媒の組合せも使用することができる。液体状態で適用した後、層は続いて当技術分野の任意の手段により、代表的に周囲条件で、温度を高めて（例えば、約５０℃または約６０℃）または減圧で、乾燥および／または硬化することができる。

本出願を通して使用される、「アリール」および「芳香族」という用語は、単環の、２環のまたは多環の任意の芳香族部分として、最も広い意味で理解してよい。別段の指示がない限り、アリールはまた、本出願を通してさらに例示される１つまたはそれ以上の置換基によって場合により置換することができる。したがって、「アリーレン」という用語は、他の分子構造に対する２つの結合部位を有し、それによってリンカー構造として働く二価の残基を指す。本出願を通して使用される、「ヘテロアリール」および「ヘテロ芳香族」という用語は、少なくとも１個のヘテロ原子を含む、特に１から３個のヘテロ原子毎芳香族環を有する、単環の、２環のまたは多環の任意の芳香族部分として、最も広い意味で理解してよい。

代表的に、ヘテロ芳香族化合物は、ピロール、フラン、チオフェン、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、トリアゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジンおよびピリミジン等とすることができる。別段の指示がない限り、ヘテロアリールはまた、本出願を通してさらに例示される１つまたはそれ以上の置換基によって場合により置換することもできる。

したがって、「ヘテロアリーレン」という用語は、他の分子構造に対する２つの結合部位を有し、それによってリンカー構造として働く二価の残基を指す。

本出願を通して使用される、「アルキル」という用語は、直鎖状または分枝鎖状のアルキル残基の両方として、最も広い意味で理解してよい。好ましいアルキル残基は、１から１５個の炭素原子を含有するものである。代表的に、アルキル残基は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル等とすることができる。別段の指示がない限り、アルキルはまた、本出願を通してさらに例示される１つまたはそれ以上の置換基によって場合により置換することもできる。したがって、「アルキレン」という用語は、他の分子構造に対する２つの結合部位を有し、それによってリンカー構造として働く二価の残基を指す。

別段の指示がない限り、本明細書で使用する場合、特にアリール、アリーレン、ヘテロアリール、アルキル等の文脈において、「置換される」という用語は最も広い意味で理解してよい。好ましくは、かかる置換は、Ｃ_１〜Ｃ_２０−アルキル、Ｃ_７〜Ｃ_１９−アルカリル、およびＣ_６〜Ｃ_１８−アリールからなる群から選択される残基を意味する。したがって、好ましくは、荷電部分、より好ましくは官能基はそのような置換においてまったく存在しない。

水素は、各存在で、重水素によって置き換えることが可能であることに気付くであろう。

有機エレクトロルミネセントデバイスは、可視範囲または最も近い紫外線（ＵＶ）範囲において、すなわち、３８０から８００ｎｍまでの波長の範囲において、発光に適している有機材料をベースとする任意のデバイスとして、最も広い意味で理解してよい。より好ましくは、有機エレクトロルミネセントデバイスは可視範囲で、すなわち４００から８００ｎｍまでの発光を可能とすることができる。

好ましい実施形態では、有機エレクトロルミネセントデバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、発光電気化学セル（ＬＥＣ）、および発光トランジスタからなる群から選択されるデバイスである。

特に好ましくは、有機エレクトロルミネセントデバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。場合により、ＯＬＥＤはリン光性の有機発光ダイオード（ＰＨＯＬＥＤ）とすることができる。場合により、ＯＬＥＤは過蛍光を含んでもよい。場合により、全体として有機エレクトロルミネセントデバイスは、不透明、半透明または（本質的に）透明とすることができる。

好ましくは、アノード層Ａは、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、ＰｂＯ、ＳｎＯ、グラファイト、ドープしたシリコン、ドープしたゲルマニウム、ドープしたＧａＡｓ、ドープしたポリアニリン、ドープしたポリピロール、ドープしたポリチオフェン、およびそれらの２つ以上の混合物からなる群から選択される少なくとも１つの成分を含有する。

好ましくは、カソード層Ｋは、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｗ、Ｐｄ、ＬｉＦ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、およびそれらの２つ以上の混合物または合金からなる群から選択される少なくとも１つの成分を含有する。

さらに、有機エレクトロルミネセントデバイスは、代表的に湿気、蒸気および／またはガスを含む環境中の有害な種への破損をもたらす暴露からデバイスを保護する１つまたはそれ以上の保護層を場合により含むことができる。

好ましくは、アノード層Ａは基板の表面に位置する。基板は、任意の材料または材料の組成物によって形成することができる。最も頻繁には、ガラススライドが基板として使用される。あるいは、薄い金属層（例えば、銅、金、銀またはアルミニウムのフィルム）またはプラスチックのフィルムもしくはスライドを使用することができる。これによってより高度の柔軟性が可能となる。アノード層Ａは、（本質的に）透明なフィルムを得ることを可能にする材料から主として構成される。両電極のうちの少なくとも１つは、ＯＬＥＤからの発光を可能にするために（本質的に）透明であることが求められるので、アノード層Ａまたはカソード層Ｋのいずれかが透明である。好ましくは、アノード層Ａは、高含有量の透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含むかまたはこれからなることさえある。このようなアノード層Ａは、代表的に、酸化インジウムスズ、アルミニウム亜鉛酸化物、フルオロスズ酸化物、酸化インジウム亜鉛、ＰｂＯ、ＳｎＯ、酸化ジルコニウム、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ウルフラム、グラファイト、ドープしたＳｉ、ドープしたＧｅ、ドープしたＧａＡｓ、ドープしたポリアニリン、ドープしたポリピロールおよび／またはドープしたポリチオフェンを含むことができる。

特に好ましくは、アノード層Ａは、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）（例えば、（ＩｎＯ_３）_０．９（ＳｎＯ_２）_０．１）から（本質的に）なる。透明導電性酸化物（ＴＣＯ）によって生じるアノード層Ａの粗さは、正孔注入層（ＨＩＬ）を使用することによって補償することができる。さらに、ＴＣＯから正孔輸送層（ＨＴＬ）への準電荷キャリア（すなわち、正孔）の輸送が容易になるという点で、ＨＩＬによって、準電荷キャリアの注入が容易となり得る。正孔注入層（ＨＩＬ）は、ポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、ポリスチレンスルホネート（ＰＳＳ）、ＭｏＯ_２、Ｖ_２Ｏ_５、ＣｕＰＣまたはＣｕＩ、特にＰＥＤＯＴとＰＳＳの混合物を含むことができる。正孔注入層（ＨＩＬ）はまた、アノード層Ａから正孔輸送層（ＨＴＬ）への金属の拡散も防止することができる。

ＨＩＬは、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン：ポリスチレンスルホネート）、ＰＥＤＯＴ（ポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ｍＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”−トリス［フェニル（ｍ−トリル）アミノ］トリフェニルアミン）、スピロ−ＴＡＤ（２，２’，７，７’−テトラキス（ｎ，ｎ−ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン）、ＤＮＴＰＤ（Ｎ１，Ｎ１’−（ビフェニル−４，４’−ジイル）ビス（Ｎ１−フェニル−Ｎ４，Ｎ４−ジ−ｍ−トリルベンゼン−１，４−ジアミン）、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’−ニス−（１−ナフタレニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−フェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン）、ＮＰＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）フェニル］ベンジジン）、ＭｅＯ−ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メトキシフェニル）−ベンジジン）、ＨＡＴ−ＣＮ（１，４，５，８，９，１１−ヘキサアザトリフェニレン−ヘキサカルボニトリル）および／またはスピロ−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−（１−ナフチル）−９，９’−スピロビフルオレン−２，７−ジアミン）、を代表的に含むことができる。

アノード層Ａまたは正孔注入層（ＨＩＬ）に隣接して、典型的には正孔輸送層（ＨＴＬ）が位置している。ここで、任意の正孔輸送化合物を使用することができる。代表的に、トリアリールアミンおよび／またはカルバゾールなどの電子が豊富なヘテロ芳香族化合物を正孔輸送化合物として使用することができる。ＨＴＬは、アノード層Ａと発光層Ｂ（放出層（ＥＭＬ）として機能する）との間のエネルギー障壁を減少させることができる。正孔輸送層（ＨＴＬ）はまた、電子阻止層（ＥＢＬ）とすることができる。好ましくは、正孔輸送化合物はその三重項状態Ｔ１の比較的高いエネルギーレベルを有する。代表的に、正孔輸送層（ＨＴＬ）は、星形ヘテロ環を、例えばトリス（４−カルバゾイル−９−イルフェニル）アミン（ＴＣＴＡ）、ポリ−ＴＰＤ（ポリ（４−ブチルフェニル−ジフェニル−アミン））、［アルファ］−ＮＰＤ（ポリ（４−ブチルフェニル−ジフェニル−アミン））、ＴＡＰＣ（４，４’−シクロヘキシリデン−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）ベンゼンアミン］）、２−ＴＮＡＴＡ（４，４’，４”−トリス［２−ナフチル（フェニル）−アミノ］トリフェニルアミン）、スピロ−ＴＡＤ、ＤＮＴＰＤ、ＮＰＢ、ＮＰＮＰＢ、ＭｅＯ−ＴＰＤ、ＨＡＴ−ＣＮおよび／またはＴｒｉｓＰｃｚ（９，９’−ジフェニル−６−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール）を、含むことができる。加えて、ＨＴＬは、ｐドープ層を含むことができ、これは有機正孔輸送マトリックス中の無機または有機ドーパントで構成することができる。酸化バナジウム、酸化モリブデン、または酸化タングステンなどの遷移金属酸化物を、無機ドーパントとして代表的に使用することができる。テトラフルオロテトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）、銅−ペンタフルオロベンゾエート（Ｃｕ（Ｉ）ｐＦＢｚ）または遷移金属錯体を有機ドーパントとして代表的に使用することができる。

ＥＢＬは、ｍＣＰ（１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン）、ＴＣＴＡ、２−ＴＮＡＴＡ、ｍＣＢＰ（３，３−ジ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル）、９−［３−（ジベンゾフラン−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール、９−［３−（ジベンゾフラン−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール、９−［３−（ジベンゾチオフェン−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール、９−［３，５−ビス（２−ジベンゾフラニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール、９−［３，５−ビス（２−ジベンゾチオフェニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール、Ｔｒｉｓ−Ｐｃｚ、ＣｚＳｉ（９−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３，６−ビス（トリフェニルシリル）−９Ｈ−カルバゾール）および／またはＤＣＢ（Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾリル−１，４−ジメチルベンゼン）、を代表的に含むことができる。

正孔輸送層（ＨＴＬ）に隣接して、典型的には、発光層Ｂが位置している。発光層Ｂに隣接して、励起子クエンチング層Ｃが位置している。励起子クエンチング層Ｃに隣接して、電子輸送層Ｄが位置している。

発光層Ｂは、少なくとも１種のホスト材料Ｈ^Ｂおよび少なくとも１種のエミッタＥ^Ｂを含む。代表的に、ホスト材料Ｈ^Ｂおよび／またはさらなるホスト化合物Ｈ^Ｂ２は、ＣＢＰ（４，４’−ビス−（Ｎ−カルバゾリル）−ビフェニル）、ｍＣＰ、ｍＣＢＰ、Ｓｉｆ８７（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン−２−イルトリフェニルシラン）、ＣｚＳｉ、Ｓｉｆ８８（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン−２−イル）ジフェニルシラン）、ＤＰＥＰＯ（ビス［２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル］エーテルオキシド）、９−［３−（ジベンゾフラン−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール、９−［３−（ジベンゾフラン−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール、９−［３−（ジベンゾチオフェン−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール、９−［３，５−ビス（２−ジベンゾフラニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール、９−［３，５−ビス（２−ジベンゾチオフェニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール、Ｔ２Ｔ（２，４，６−トリス（ビフェニル−３−イル）−１，３，５−トリアジン）、Ｔ３Ｔ（２，４，６−トリス（トリフェニル−３−イル）−１，３，５−トリアジン）および／またはＴＳＴ（２，４，６−トリス（９，９’−スピロビフルオレン−２−イル）−１，３，５−トリアジン）からなる群から選択される。本発明の一実施形態では、発光層Ｂは、少なくとも１種の正孔優勢ホストおよび１種の電子優勢ホストを持ついわゆる混合ホストシステムを含む。

Ｓｉｆ８８（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン−２−イル）ジフェニルシラン）を電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄとして使用することを意図する場合、これをホスト材料Ｈ^Ｂとして使用しないのが好ましい。

特に好ましい実施形態では、発光層Ｂは、厳密に１種のエミッタＥ^Ｂと、電子優勢ホストＨ^ＢとしてＴ２Ｔを含み、かつ正孔優勢ホストとして、ＣＢＰ、ｍＣＰ、ｍＣＢＰ、９−［３−（ジベンゾフラン−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール、９−［３−（ジベンゾフラン−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール、９−［３−（ジベンゾチオフェン−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール、９−［３，５−ビス（２−ジベンゾフラニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾールおよび９−［３，５−ビス（２−ジベンゾチオフェニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾールからなる群から選択されるさらなるホストＨ^Ｂ２を含む、混合ホストシステムとを含む。

さらに好ましい実施形態では、発光層Ｂは：
（ｉ）ホストＨ^ＢとしてＴ２Ｔ １０〜４５重量％、好ましくは１５〜３０重量％；
（ｉｉ）少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｂ５〜４０重量％、好ましくは１０〜３０重量％；および
（ｉｉｉ）ＣＢＰ、ｍＣＰ、ｍＣＢＰ、９−［３−（ジベンゾフラン−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール、９−［３−（ジベンゾフラン−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール、９−［３−（ジベンゾチオフェン−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール、９−［３，５−ビス（２−ジベンゾフラニル）−フェニル］−９Ｈ−カルバゾールおよび９−［３，５−ビス（２−ジベンゾチオフェニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾールからなる群から選択されるホストＨ^Ｂ２５０〜８５重量％、好ましくは６０〜７５重量％
を含む。

別の実施形態では、ホスト化合物Ｈ^Ｂは、−５から−６．５ｅＶまでの範囲のエネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有し、少なくとも１種のさらなるホスト化合物Ｈ^Ｂ２は、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ２）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ２）を有し、Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）＞Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ２）である。

さらに好ましい実施形態では、ホスト化合物Ｈ^Ｂは、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有し、少なくとも１種のさらなるホスト化合物Ｈ^Ｂ２は、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ２）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ２）を有し、Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ）＞Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ２）である。

一実施形態では、１種のホスト化合物Ｈ^Ｂは、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）およびエネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有し、少なくとも１種のさらなるホスト化合物Ｈ^Ｂ２は、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ２）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ２）およびエネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ２）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ２）を有し、少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｂは、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）およびエネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有し、
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）＞Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ２）および少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｅ）のエネルギー準位（Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ））と、ホスト化合物Ｈの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）のエネルギー準位（Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ））との間の差は、−０．５ｅＶから０．５ｅＶの間、より好ましくは−０．３ｅＶから０．３ｅＶの間、さらにより好ましくは−０．２ｅＶから０．２ｅＶの間、またはさらに−０．１ｅＶから０．１ｅＶの間であり；ならびに
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ）＞Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ２）およびエミッタ化合物Ｅ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ）のエネルギー準位（Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ））と、少なくとも１種のさらなるホスト化合物Ｈ^Ｂ２の最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ２）のエネルギー準位（Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ２））との間の差は、
−０．５ｅＶから０．５ｅＶの間、
より好ましくは−０．３ｅＶから０．３ｅＶの間、さらにより好ましくは−０．２ｅＶから０．２ｅＶの間、またはさらに−０．１ｅＶから０．１ｅＶの間である。

軌道および励起状態エネルギーは、当業者に公知の実験方法によって決定することができる。

実験的には、最高被占分子軌道Ｅ^ＨＯＭＯのエネルギーは、０．１ｅＶの精度でサイクリックボルタンメトリー測定から当業者であれば知っている方法によって決定される。最低空分子軌道Ｅ^ＬＵＭＯのエネルギーはＥ^ＨＯＭＯ＋Ｅ^ｇａｐとして計算され、ここで、Ｅ^ｇａｐは次のように決定される：ホスト化合物については、特に明記しない限り、ＰＭＭＡ中にホスト１０重量％を有するフィルムの発光の開始をＥ^ｇａｐとして使用する。エミッタ化合物については、ＰＭＭＡ中にエミッタ１０重量％を有するフィルムの励起スペクトルおよび発光スペクトルが交差するエネルギーとしてＥ^ｇａｐは決定される。

第１の励起三重項状態Ｔ１のエネルギーは、低温での、典型的には７７Ｋでの発光の開始から決定される。ホスト化合物については、第１の励起一重項状態および最も低い三重項状態がエネルギー的に＞０．４ｅＶで隔てられている場合、２−ＭＥ−ＴＨＦ中の定常状態スペクトルにおいてリン光が通常目に見える。したがって、三重項のエネルギーはリン光スペクトルの開始として決定することができる。ＴＡＤＦエミッタ化合物については、第１の励起三重項状態Ｔ１のエネルギーは、特に明記しない限り、エミッタ１０重量％を有するポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）のフィルム中で測定して、７７Ｋでの遅延発光スペクトルの開始から決定される。ホスト化合物およびエミッタ化合物の両方については、第１の励起一重項状態Ｓ１のエネルギーは、特に明記しない限り、ホスト化合物またはエミッタ化合物１０重量％を有するポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）のフィルム中で測定して、発光スペクトルの開始から決定される。

ここで、電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄとして任意の電子輸送体を使用することができる。代表的に、電子の少ない化合物、例えばベンゾイミダゾール、ピリジン、トリアゾール、オキサジアゾール（例えば、１，３，４−オキサジアゾール）、ホスフィンオキシドおよびスルホンを、使用することができる。代表的に、電子輸送体ＥＴＭ^Ｄはまた、１，３，５−トリ（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール−２−イル）フェニル（ＴＰＢｉ）などの星形ヘテロ環とすることができる。ＥＴＭ^Ｄは、代表的に、ＮＢｐｈｅｎ（２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）、Ａｌｑ３（アルミニウム−トリス（８−ヒドロキシキノリン））、ＴＳＰＯ１（ジフェニル−４−トリフェニルシリルフェニル−ホスフィンオキシド）、ＢＰｙＴＰ２（２，７−ジ（２，２’−ビピリジン−５−イル）トリフェニル）、Ｓｉｆ８７（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン−２−イルトリフェニルシラン）、Ｓｉｆ８８（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン−２−イル）ジフェニルシラン）、ＢｍＰｙＰｈＢ（１，３−ビス［３，５−ジ（ピリジン−３−イル）フェニル］ベンゼン）および／またはＢＴＢ（４，４’−ビス−［２−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジニル）］−１，１’−ビフェニル）とすることができる。場合により、電子輸送層Ｄは、Ｌｉｑ（８−ヒドロキシキノリノラトリチウム）などの材料でドープすることができる。場合により、第２の電子輸送層を電子輸送層Ｄとカソード層Ｋとの間に位置することができる。

電子輸送層（ＥＴＬ）Ｄに隣接して、カソード層Ｋを位置することができる。代表的に、カソード層Ｋは、金属（例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｂ、ＬｉＦ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｉｎ、Ｗ、またはＰｄ）または金属合金を含むことができるか、またはそれからなることができる。実用上の理由から、カソード層Ｋはまた、Ｍｇ、ＣａまたはＡｌなどの（本質的に）不透明な金属からなることもできる。代替的にまたは追加的に、カソード層Ｋはまた、グラファイトおよび／またはカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）も含むことができる。代替的に、カソード層Ｋはまた、ナノスケールの銀ワイヤからなることもできる。

本発明の特に好ましい実施形態では、有機エレクトロルミネセントデバイスは、逐次的順序で：
（０−１）場合により、代表的に光透過性ポリマーで構成される１つまたはそれ以上の保護層；
（０−２）場合により光透過性基板、特にガラス基板；
（Ａ）代表的に酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含むかまたはそれからなる、好ましくは厚さｄ^Ａが５０〜２００ｎｍのアノード層；
（Ａ−１）場合により、代表的にはそれぞれが、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’−ビス−（１−ナフタレニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−フェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン）、および／またはトリス（４−カルバゾイル−９−イルフェニル）アミン（ＴＣＴＡ）などの星形ヘテロ環を含むかまたはそれからなる、それぞれ好ましくは厚さｄ^Ａ−１が２〜１００ｎｍの１つまたはそれ以上の正孔注入層、
（Ａ−２）場合により、代表的にｍＣＢＰ（３，３−ジ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル）を含む、好ましくは厚さｄ^Ａ−２が１〜１０ｎｍの１つまたはそれ以上の電子阻止層、
（Ｂ）好ましくは厚さｄ^Ｂが５〜１８０ｎｍの発光層Ｂであって：
（ｉ）少なくとも１種のホスト化合物Ｈ^Ｂ５〜９９重量％、
（ｉｉ）少なくとも１種のＴＡＤＦエミッタ化合物Ｅ^Ｂ１〜５０重量％、および場合により
（ｉｉｉ）Ｈ^Ｂと異なる１種またはそれ以上のさらなるホスト化合物Ｈ^Ｂ２０〜９４重量％、および場合により
（ｉｖ）１種またはそれ以上の溶媒０〜９４重量％
を含み（またはそれらから（本質的に）なり）、
電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄ２０重量％超を含まず、特にＥＴＭ^Ｄを含まない、
発光層Ｂ；
（Ｃ）好ましくは厚さｄ^Ｃが０．５〜４ｎｍの励起子クエンチング層Ｃであって：
（ｉ）少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄ９０〜９９．９５重量％、および
（ｉｉ）少なくとも１種の蛍光エミッタ化合物Ｅ^Ｃ０．０５〜１０重量％
を含む（またはそれらから（本質的に）なる）、
励起子クエンチング層Ｃ；
（Ｄ）少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄを含む（またはそれらから（本質的に）なる）、好ましくは厚さｄ^Ｂが５〜１８０ｎｍの電子輸送層Ｄ；および
（Ｄ−１）場合により、代表的にＬｉｑ（８−ヒドロキシキノリノラトリチウム）を含むかまたはそれからなる、好ましくは厚さｄ^Ｄ−１が０．５〜１０ｎｍの電子阻止層；
（Ｅ）代表的にアルミニウムを含むかまたはそれからなる、好ましくは厚さｄ^Ｋが１０〜２００ｎｍのカソード層Ｋ；ならびに
（Ｅ−１）代表的に（場合により光透過性）ポリマーで構成される、場合により１つまたはそれ以上の保護層
を含み（またはそれらから（本質的に）なり）、
励起子クエンチング層Ｃは、発光層Ｂと電子輸送層Ｄとの両方に隣接し、
少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｂは、発光最大λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｂ）および半値全幅ＦＷＨＭ（Ｅ^Ｂ）を有する発光を示し、
少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｃは、発光最大λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｃ）および半値全幅ＦＷＨＭ（Ｅ^Ｃ）を有する発光を示し、λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｂ）≧λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｃ）である。

ＯＬＥＤはさらに、場合により、電子輸送層（ＥＴＬ）Ｄとカソード層Ｋ（電子注入層（ＥＩＬ）と呼ばれる場合もある）との間に保護層を含むことができる。この層は、フッ化リチウム、フッ化セシウム、銀、Ｌｉｑ（８−ヒドロキシキノリノラトリチウム）、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＦ_２、ＭｇＯおよび／またはＮａＦを含むことができる。

場合により、有機エレクトロルミネセントデバイス（例えば、ＯＬＥＤ）は、代表的に、本質的に白色の有機エレクトロルミネセントデバイスとすることができる。代表的に、そのような白色の有機エレクトロルミネセントデバイスは、少なくとも１種の（深）青色エミッタ化合物と、緑色光および／または赤色光を発光する１種またはそれ以上のエミッタ化合物とを含むことができる。次いで、上記の２つ以上の化合物の間にエネルギー透過率が場合により存在してもよい。

有機エレクトロルミネセントデバイス全体としてまた、厚さが５ｍｍ以下、２ｍｍ以下、１ｍｍ以下、０．５ｍｍ以下、０．２５ｍｍ以下、１００μｍ以下、または１０μｍ以下の薄層を形成することもできる。

有機エレクトロルミネセントデバイス（例えば、ＯＬＥＤ）は、小型（例えば、５ｍｍ^２以下、もしくはさらに１ｍｍ^２以下の表面を有する）であっても、中型（例えば、０．５〜２０ｃｍ^２の範囲の表面を有する）であっても、または大型（例えば、２０ｃｍ^２より大きい表面を有する）であってもよい。本発明による有機エレクトロルミネセントデバイス（例えばＯＬＥＤ）は、場合により、ルミネセント壁紙、ルミネセント窓枠またはガラス、ルミネセントラベル、ルミネセントポーザーまたはフレキシブルスクリーンもしくはディスプレイのような大面積照明デバイスとして、スクリーンを作製するのに使用することができる。一般的な用途の次に、有機エレクトロルミネセントデバイス（例えば、ＯＬＥＤ）はまた、代表的に、ルミネセントフィルム、「スマート包装」ラベル、または革新的なデザイン要素としても使用することができる。さらにこれは細胞の検出および検査に（例えばバイオ標識として）使用できる。

有機エレクトロルミネセントデバイスの主な目的の１つは、光の発生である。したがって、本発明はさらに、所望の波長範囲の光を発生するための方法であって、本発明のいずれかによる有機エレクトロルミネセントデバイスを提供する工程を含む、方法に関する。

したがって、本発明のさらなる態様は、所望の波長範囲の光を発生させるための方法であって、
（ｉ）本発明による有機エレクトロルミネセントデバイスを提供する工程；および
（ｉｉ）前記有機エレクトロルミネセントデバイスに電流を印加する工程
を含む、方法に関する。

したがって、本発明はまた、青色、緑色、黄色、オレンジ色および赤色の各光を発生するための方法にも関する。

本明細書で使用する場合、特定の文脈においてより具体的に定義されていないとき、放出光および／または吸収光の色の指定は以下の通りである：
紫色：＞３８０〜４２０ｎｍの波長範囲；
深青色：＞４２０〜４７０ｎｍの波長範囲；
空色：＞４７０〜５００ｎｍの波長範囲；
緑色：＞５００〜５６０ｎｍの波長範囲；
黄色：＞５６０〜５８０ｎｍの波長範囲；
オレンジ色：＞５８０〜６２０ｎｍの波長範囲；
赤色：＞６２０〜８００ｎｍの波長範囲。

エミッタ化合物に関しては、このような色は、発光最大を指す。したがって、代表的に、深青色のエミッタは４２０から４７０ｎｍまでの範囲の発光最大を有し、空色のエミッタは４７０から５００ｎｍまでの範囲の発光最大を有し、緑色のエミッタは５００から５６０ｎｍまでの範囲の発光最大を有し、赤色のエミッタは６２０から８００ｎｍまでの範囲の発光最大を有する。

深青色のエミッタは、４７５ｎｍ未満の、より好ましくは４７０ｎｍ未満の、さらにより好ましくは４６５ｎｍ未満のまたはさらに４６０ｎｍ未満の発光最大を好ましくは有することができる。これは典型的には４２０ｎｍ超、好ましくは４３０ｎｍ超、より好ましくは４４０ｎｍ超であろう。

したがって、本発明のさらなる実施形態は、ＯＬＥＤであって、１０００ｃｄ／ｍ^２での外部量子効率が、５％超、より好ましくは８％超、より好ましくは１０％超、さらにより好ましくは１３％超もしくはさらに２０％超を示し、かつ／または４２０ｎｍから５００ｎｍの間、好ましくは４３０ｎｍから４９０ｎｍの間、より好ましくは４４０ｎｍから４８０ｎｍの間、さらにより好ましくは４５０ｎｍから４７０ｎｍの間の発光最大を示し、かつ／または５００ｃｄ／ｍ^２でのＬＴ８０値が１００時間超、好ましくは２００時間超、より好ましくは４００時間超、さらにより好ましくは７５０時間超もしくはさらに１０００時間超を示す、ＯＬＥＤに関する。

本発明のさらなる実施形態は、異なる色点で発光するＯＬＥＤに関する。本発明によれば、ＯＬＥＤは狭い発光帯（半値全幅（ＦＷＨＭ）が小さい）で発光する。一実施形態では、本発明によるＯＬＥＤは、０．５０ｅＶ未満の、より好ましくは０．４６ｅＶ未満の、さらにより好ましくは０．４３ｅＶ未満のまたはさらに０．４１ｅＶ未満の主たる発光ピークのＦＷＨＭで発光する。

したがって、本発明のさらなる実施形態はＯＬＥＤであって、その発光が０．２５未満、好ましくは０．２０未満、より好ましくは０．１５未満、さらにより好ましくは０．１３未満またはさらに０．１未満のＣＩＥ_ｙ色座標を示す、ＯＬＥＤに関する。

サイクリックボルタンメトリー
ジクロロメタンまたは適切な溶媒および適切な支持電解質（例えば、テトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート０．１ｍｏｌ／ｌ）中に有機分子１０−３ｍｏｌ／ｌの濃度を有する溶液のサイクリックボルタモグラムを測定した。測定は、３電極アセンブリ（作用電極および対電極：Ｐｔワイヤ、参照電極：Ｐｔワイヤ）を用いて室温および窒素雰囲気下で行い、内部標準としてＦｅＣｐ_２／ＦｅＣｐ_２ ^＋を使用して較正した。ＳＣＥに対する内部標準としてフェロセンを使用してＨＯＭＯデータを補正した。

密度汎関数理論計算
分子構造は、ＢＰ８６汎関数およびレゾリューション−オブ−アイデンティティ（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ ｏｆ ｉｄｅｎｔｉｔｙ）アプローチ（ＲＩ）を用いて最適化した。励起エネルギーは、タイム−ディペンダント（Ｔｉｍｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ）ＤＦＴ（ＴＤ−ＤＦＴ）法を用いる（ＢＰ８６）最適化構造を使用して計算した。軌道および励起状態のエネルギーはＢ３ＬＹＰ汎関数で計算した。Ｄｅｆ２−ＳＶＰ基底関数系および数値積分用のｍ４−グリッドを使用した。Ｔｕｒｂｏｍｏｌｅプログラムパッケージをすべての計算に使用した。

光物理学的測定
試料前処理：スピンコーティング
装置：Ｓｐｉｎ１５０、ＳＰＳｅｕｒｏ。
試料濃度は１０ｍｇ／ｍｌとし、適切な溶媒に溶かした。
プログラム：１）４００Ｕ／分で３秒；１０００Ｕｐｍ／秒で１０００Ｕ／分で２０秒。３）１０００Ｕｐｍ／秒で４０００Ｕ／分で１０秒。コーティング後、フィルムを７０℃で１分間試験した。

フォトルミネッセンス分光およびＴＣＳＰＣ（時間相関単一光子計数）
１５０Ｗキセノンアークランプを備えたＨｏｒｉｂａ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ、Ｍｏｄｅｌｌ ＦｌｕｏｒｏＭａｘ−４、励起および発光モノクロメーターならびにＨａｍａｍａｔｓｕ Ｒ９２８光電子増倍管および時間相関単光子計数オプションを使用して、定常状態発光分光法を記録した。発光スペクトルおよび励起スペクトルは、標準補正フィットを使用して補正した。

励起状態寿命は、ＦＭ−２０１３機器およびＨｏｒｉｂａ Ｙｖｏｎ ＴＣＳＰＣハブによるＴＣＳＰＣ法を使用する同じシステムを用いて決定した。
励起源：
ＮａｎｏＬＥＤ ３７０（波長：３７１ｎｍ、パルス幅：１，１ｎｓ）
ＮａｎｏＬＥＤ ２９０（波長：２９４ｎｍ、パルス幅：＜１ｎｓ）
ＳｐｅｃｔｒａＬＥＤ ３１０（波長：３１４ｎｍ）
ＳｐｅｃｔｒａＬＥＤ ３５５（波長：３５５ｎｍ）。

データ分析（指数関数的適合）を、ソフトウェアスイートＤａｔａＳｔａｔｉｏｎおよびＤＡＳ６分析ソフトウェアを使用して、行った。フィットは、カイ２乗検定を使用して特定した。

フォトルミネッセンス量子収率測定
フォトルミネッセンス量子収率（ＰＬＱＹ）測定については、Ａｂｓｏｌｕｔｅ ＰＬ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｙｉｅｌｄ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｃ９９２０−０３Ｇシステム（Ｈａｍａｍａｔｓｕ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ）を使用した。量子収率およびＣＩＥ座標は、ソフトウェアＵ６０３９−０５バージョン３．６．０を使用して決定した。
発光最大をｎｍで、量子収率Φを％で、ＣＩＥ座標をｘ、ｙ値として得た。
ＰＬＱＹは以下のプロトコルを使用して決定した：
１）品質保証：エタノール中のアントラセン（既知濃度）をレファレンスとして使用する
２）励起波長：有機分子の吸収極大を決定し、分子をこの波長を使用して励起する
３）測定
量子収率を、窒素雰囲気下で溶液またはフィルムの試料について測定する。収率は式：

（式中、ｎ_光子は光子カウントを示し、Ｉｎｔ．は強度を示す）
を使用して計算する。

有機エレクトロルミネッセントデバイスの製造および特性決定
真空蒸着法により、本発明による有機分子を含むＯＬＥＤデバイスを製造することができる。２つ以上の化合物を層が含有する場合、１種またはそれ以上の化合物の重量パーセントが％で与えられている。総重量パーセントの値は合計１００％となり、したがって、値が与えられていない場合、この化合物の割合は所与の値と１００％と間の差に等しい。

最適化が完全ではないＯＬＥＤについては、標準的な方法を使用して、エレクトロルミネッセンススペクトル、フォトダイオードによって検出された光を使用して計算された強度に依存する外部量子効率（％）、および電流を測定して、特性決定した。ＯＬＥＤデバイスの寿命は、一定の電流密度で作動中の輝度の変化から抽出した。ＬＴ５０値は、測定輝度が初期輝度の５０％に低下した時間に相応し、同様に、ＬＴ８０は、測定輝度が初期輝度の８０％に低下した時点に相応し、ＬＴ９５は、測定輝度が初期輝度の９５％に低下した時点に相応する。

加速寿命の測定を行った（例えば、増大させた電流密度を印加する）。代表的に、５００ｃｄ／ｍ^２におけるＬＴ８０値は、以下の式：

（式中、Ｌは印加電流密度での初期輝度を示す）
を使用して決定する。

値は数ピクセルの平均値（通常２〜８）に相応し、これらのピクセル間の標準偏差が与えられる。１つのＯＬＥＤピクセルのデータ系列を示す。

実施例Ｄ１およびＤ２
ＯＬＥＤデバイスＤ１およびＤ２は以下の層構造を使用して製造することができる。

Claims (19)

1. 有機エレクトロルミネセントデバイスであって：
   （Ａ）アノード層Ａと；
   （Ｂ）少なくとも１種のホスト材料Ｈ^Ｂおよび少なくとも１種のエミッタＥ^Ｂを含む発光層Ｂであって、電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄ２０重量％超を含まない発光層Ｂと；
   （Ｃ）少なくとも１種のエミッタＥ^Ｃ、および少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄを少なくとも８０重量％を含む励起子クエンチング層Ｃと；
   （Ｄ）少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄを含む電子輸送層Ｄと；
   （Ｅ）カソード層Ｋと
   を含み、
   層は、逐次的順序で次の順序（Ａ）−（Ｂ）−（Ｃ）−（Ｄ）−（Ｅ）で配列され、場合により１つまたはそれ以上のさらなる層が、アノード層Ａと発光層Ｂとの間に、電子輸送層Ｄとカソード層Ｋとの間に、またはそれぞれアノード層Ａと発光層Ｂとの間および電子輸送層Ｄとカソード層Ｋとの間に存在してもよく、かつ
   励起子クエンチング層Ｃは、発光層Ｂと電子輸送層Ｄとの両方に隣接している、
   前記有機エレクトロルミネセントデバイス。
2. 有機発光ダイオード、発光電気化学セル、および発光トランジスタからなる群から選択されるデバイスである、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
3. 少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｂは熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）エミッタである、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
4. 少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｃは蛍光エミッタである、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
5. 励起子クエンチング層Ｃは：
   （ｉ）少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄを９０〜９９．９５重量％；
   （ｉｉ）少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｃを０．０５〜１０重量％
   を含む、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
6. 発光層Ｂは：
   （ｉ）少なくとも１種のホスト化合物Ｈ^Ｂを５〜９９重量％；
   （ｉｉ）少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｂを１〜５０重量％；および場合により
   （ｉｉｉ）Ｈ^Ｂと異なる１種またはそれ以上のさらなるホスト化合物Ｈ^Ｂ２０〜９４重量％；および場合により
   （ｉｖ）１種またはそれ以上の溶媒０〜９４重量％
   を含む、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
7. 電子輸送層Ｄは、電子輸送成分を参照して、少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄ８９．９重量％超を含む、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
8. 少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｂは、発光最大λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｂ）および半値全幅ＦＷＨＭ（Ｅ^Ｂ）を有する発光を示し、少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｃは、発光最大λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｃ）および半値全幅ＦＷＨＭ（Ｅ^Ｃ）を有する発光を示し、
   λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｂ）≧λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｃ）である、
   請求項１に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
9. λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｂ）≧λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｃ）≧［λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｂ）−ＦＷＨＭ（Ｅ^Ｂ）］
   である、請求項８に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
10. λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｂ）≧λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｃ）≧［λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｂ）−ＦＷＨＭ（Ｅ^Ｂ）／２］
    である、請求項９に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
11. 少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｃは、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｃ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｃ）を有し、少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄは、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（ＥＴＭ^Ｄ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＴＭ^Ｄ）を有し、
    Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｃ）≧Ｅ^ＬＵＭＯ（ＥＴＭ^Ｄ）
    である、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
12. Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｃ）−Ｅ^ＬＵＭＯ（ＥＴＭ^Ｄ）≦０．３ｅＶ
    である、請求項１１に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
13. 少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｃは、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｃ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｃ）を有し、少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄは、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（ＥＴＭ^Ｄ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＴＭ^Ｄ）を有し、
    Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｃ）≧Ｅ^ＨＯＭＯ（ＥＴＭ^Ｄ）
    である、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
14. 少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｃは、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｃ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｃ）を有し、少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｂは、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有し、
    Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｃ）≧Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）
    である、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
15. 少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｃは最低励起一重項状態のエネルギー準位Ｓ１（Ｅ^Ｃ）を有し、少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄは最低励起一重項状態のエネルギー準位Ｓ１（ＥＴＭ^Ｄ）を有し、
    Ｓ１（ＥＴＭ^Ｄ）≧Ｓ１（Ｅ^Ｃ）
    である、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
16. 少なくとも１種のエミッタ化合物Ｅ^Ｃは、最低励起三重項状態のエネルギー準位Ｔ１（Ｅ^Ｃ）を有しかつ最低励起一重項状態のエネルギー準位Ｓ１（Ｅ^Ｃ）を有し、少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^Ｄは最低励起三重項状態のエネルギー準位Ｔ１（ＥＴＭ^Ｄ）を有し、
    Ｔ１（ＥＴＭ^Ｄ）≧Ｔ１（Ｅ^Ｃ）、
    および
    Ｓ１（Ｅ^Ｃ）＞Ｔ１（Ｅ^Ｃ）≧Ｓ１（Ｅ^Ｃ）／２
    である、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
17. 少なくとも１種の電子輸送材料ＥＴＭ^ＤはＮＢＰｈｅｎである、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
18. 発光層Ｂは厚さｄ^Ｂを有し、励起子クエンチング層Ｃは厚さｄ^Ｃを有し、
    ｄ^Ｂ＞ｄ^Ｃ
    である、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
19. 発光層Ｂは、５から１８０ｎｍの間の厚さｄ^Ｂを有し、励起子クエンチング層Ｃは、０．５から４ｎｍの間の厚さｄ^Ｃを有する、請求項１８に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。