JP2020519212A - 小型空間音源方位検出装置及びその方法 - Google Patents
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Abstract
Description
その方法に関する。
ydrophone)を使用するによって初めて実現され、敵船からの音声を受動的に検
出し、その方位と距離を正確に測定することに用いられる。ベクトルハイドロホンの実装
方式は、多くあり、初期の最も重要な実装方式として、振動に敏感な振動子を液体中に浮
遊させ、その周りに弾性制約を追加し、水流が自在に流入流出可能に、さらなる外部に多
孔質構造を有する剛性保護ケースを設置している。音声は、液体において指向性の縦波と
して伝播するため、前述した浮遊振動子の振動を引き起こし、振動の幅は音圧であり、振
動の方向は音声の方向である。前述した浮遊振動子の振動幅及び方向は、振動子の周りの
弾性制約構造で電気信号に変換され、次に回路により増幅されて電気信号に変換される。
それ以降、空気中に以上のように実装された類似構造は、出現したが、このような構造設
計のケースが空気を自在に振動させることを確保できないことから、このような音響ベク
トルセンサの空気中の実施が非常に困難になり、製造しにくく、成熟したMEMS音響ベ
クトルセンサの実装方法がなく、また、コンパクト化が困難である。
lown技術会社であり、同社は、いわゆる「マイクロフローセンサ」のmicrofl
own sensorを発明しており、microflown sensorは、接近し
且つ200℃に加熱された2本の白金線を用いて設計されたものであり、空気が加熱され
た2本の白金線を通過すると異なる温度変化が発生し、該温度変化を検出して分析するこ
とで音源情報を取得する。このようなMEMS音響ベクトルセンサは、製造プロセスが複
雑で、コストが非常に高く、周波数応答範囲が低く、10kHz以上しか達することがで
きず、2本の白金線の距離が非常に近いので、その差分原理のため低周波信号を大幅に強
化させ、この結果、低周波の多い音声が強い「干渉」となるという欠点を有する。また、
microflown sensorは、一次元のベクトルだけを測定でき、音源の方向
を本格的に測定するには、複数のmicroflown sensorが必要とされる。
しかし、大量製造できないため、コストが上がり、また、microflown sen
sor自体のプロセスが複雑で、歩留まりが低く、従って、製造コストが十分に高く、1
つだけでは数万ユーロまたは十数万人民元かかり、このため工業又は工事分野だけに適用
される。さらに、このmicroflown sensorは、構造が複雑で、コンパク
ト化が困難であるため、その普及や適用が制限される。
た、音源の方位情報を正確に検出できる小型空間音源方位検出装置を提供することである
。
、
回路基板と、
前記回路基板に固定して設置され且つ中心対称的に分布する3つ以上のMEMS電気音響
トランスデューサであって、受信した音源信号を電気信号に変換することに用いられ、隣
接する前記MEMS電気音響トランスデューサの間の距離が音源信号の最短波長の2分の
1以下であるMEMS電気音響トランスデューサと、
各前記MEMS電気音響トランスデューサがそれぞれ電気的に接続されるマイクロコント
ロールユニットとを備え、
前記マイクロコントロールユニットは、前記3つ以上のMEMS電気音響トランスデュー
サにより収集された音声に基づいて、空間音源の方位情報を取得する。
れも同じ無指向性MEMS電気音響トランスデューサであり、且つ前記回路基板に中心対
称的に分布し、隣接する前記無指向性MEMS電気音響トランスデューサの間の距離が音
源信号の最短波長の2分の1以下である。
平面に位置する3つ以上のMEMS電気音響トランスデューサであり、且つ前記回路基板
に中心対称的に分布する。
る平面に位置する4つ以上のMEMS電気音響トランスデューサである。
をさらに備え、前記第1シールドカバーは、前記回路基板とともに第1電磁シールド領域
を構成し、前記3つ以上のMEMS電気音響トランスデューサとマイクロコントロールユ
ニットは、前記第1電磁シールド領域に位置する。
カバーの外周に位置する第2シールドカバーをさらに備え、前記第2シールドカバーは、
前記回路基板とともに第2電磁シールド領域を構成し、前記第1電磁シールド領域が前記
第2電磁シールド領域に位置し、前記第2シールドカバーの側面には、導線孔が設置され
る。
前記回路基板におけるアース線と導通する。
サに密着する部位には、いずれも開口が設置され、且つ前記開口は、前記MEMS電気音
響トランスデューサの音響透過孔と位置合わせる。
ールドカバーに固定して設置された音響透過層をさらに備える。
ある。
ールドカバーに固定される。
方法を提供することであり、前記方法は、
3つ以上のMEMS電気音響トランスデューサから少なくとも3つのMEMS電気音響ト
ランスデューサを選択してMEMS電気音響トランスデューサの組み合わせとし、かつ等
位相点を選択し、有限差分原理に基づいて少なくとも2つの差分信号と1つの無指向性信
号を含む音響ベクトル信号を構築するステップS1と、
前記少なくとも2つの差分信号と1つの無指向性信号を用いて少なくとも2つのセンサの
間のデータ比率を求め、空間音源方位の1回の測定結果を得るステップS2と、
前記MEMS電気音響トランスデューサの組み合わせの等位相点を改めて選択し、ステッ
プS1とS2を繰り返し、複数の異なる等位相点から空間音源方位を複数回測定するステ
ップS3と、
複数回測定した結果に対して加重平均を行い、正確な空間音源方位検出結果を得るステッ
プS4とを含む。
ましくは2つの差分信号と1つの無指向性信号を構築し、2つの差分信号は、共通平面に
あり、且つそれらのビームパターンが[30°,150°]の範囲の夾角Lをなす。
ましくは3つの差分信号と1つの無指向性信号を構築し、前記3つの差分信号は、異なる
平面に位置し、且つ任意の1つの差分信号と残りの2つの差分信号の所在する平面の夾角
が30°以上150°以下である。
(1)本発明の小型空間音源方位検出装置は、複数のMEMS電気音響トランスデューサ
と専用処理チップを用いて体積が非常に小さい音響伝達装置を構成し、それによって、音
場の音圧情報を収集するだけではなく、音場の方向性情報を収集し、それにより音場にお
ける主要音源の方向を検出することができる。
(2)本発明の小型空間音源方位検出装置は、最も標準的で成熟した無指向性MEMS電
気音響トランスデューサを用いて製造され、新たなMEMS電気音響トランスデューサの
製造プロセスを別に設計する必要がなく、コストをできるだけ低く抑えることができ、消
費電子製品のニーズを満たす。
(3)本発明の小型空間音源方位検出装置は、パッケージ体積が非常に小さく且つ複数の
MEMS電気音響トランスデューサが非常に近接する状況で、差分信号の低周波帯域での
ホワイトノイズゲインが大きすぎるという問題を解決し、MEMS電気音響トランスデュ
ーサの間の周波数応答と位相の不一致による差分推定誤差の問題も解決する。
の実施形態は、これらに限られない。
回路基板10と、回路基板10に固定して設置され且つ中心対称的に分布する3つ以上の
MEMS電気音響トランスデューサ20とを備え、本発明の実施例では、実際の生産に、
3つ以上のMEMS電気音響トランスデューサ20が精確に中心対称的に分布することを
完全に確保することができないため、大体中心対称的に分布するか、当業者により中心対
称的に分布すると認められれば、本発明の特許範囲に属する。MEMS電気音響トランス
デューサ20は、受信した音源信号を電気信号に変換することに用いられ、隣接するME
MS電気音響トランスデューサ20の間の距離が音源信号の最短波長の2分の1以下であ
り、該装置は、各MEMS電気音響トランスデューサ20がそれぞれ電気的に接続される
マイクロコントロールユニット30をさらに備える。本発明の実施例では、各MEMS電
気音響トランスデューサ20は、導線を介してマイクロコントロールユニット30に接続
されてもよく、回路基板10を介してマイクロコントロールユニット30に接続されても
よく、勿論、その他の電気的接続方式であってもよい。マイクロコントロールユニット3
0は、3つ以上のMEMS電気音響トランスデューサ20により収集された音声信号に基
づき、有限差分原理の方法により空間音源の方位情報を取得する。本発明の実施例では、
MEMS電気音響トランスデューサ20は、無指向性MEMS電気音響トランスデューサ
を用い、且つ本発明の検出装置のすべてのMEMS電気音響トランスデューサ20は、現
在最も標準的で成熟した同じMEMS電気音響トランスデューサを用い、勿論、その他の
小型又はコンパクト型無指向性MEMS電気音響トランスデューサを用いてもよい。通常
、外部音場の音源信号が複数種あり、異なる音源信号の周波数と波長が異なるため、音場
におけるすべての音源信号をできるだけ収集するために、本発明の実施例では、隣接する
MEMS電気音響トランスデューサ20の間の距離は、すべての音源のうち最小波長の音
源の波長の2分の1以下であり、一般的に、隣接するMEMS電気音響トランスデューサ
20の間の距離とは、両者の音響透過孔の間の距離を意味する。
トランスデューサ20は、回路基板10における溶接点を介して固定して接続され、超小
空間を確実に実現するために、本発明の実施例では、好ましくはマイクロコントロールユ
ニット30を複数のMEMS電気音響トランスデューサ30の中心対称点に固定して溶接
し、勿論、コンパクト化しやすい回路基板10の他の位置に取り付けてもよく、マイクロ
コントロールユニット30は、一般的に専用処理チップ(ASICチップ)を用いる。
ンスデューサ20を用い、この場合、回路基板10は、通常の平面回路基板である。図2
に示すように、MEMS電気音響トランスデューサ211、MEMS電気音響トランスデ
ューサ212、MEMS電気音響トランスデューサ213及びMEMS電気音響トランス
デューサ214の4つのMEMSセンサを用い、且つ四つは、中心対称的に分布し、すな
わち上記4つのMEMSセンサの音響透過孔の接続線が正方形を構成し、該正方形の辺長
がすべての音源のうち最小波長の音源の波長の2分の1以下であり、MEMS電気音響ト
ランスデューサ211、MEMS電気音響トランスデューサ212、MEMS電気音響ト
ランスデューサ213及びMEMS電気音響トランスデューサ214の中心位置には、マ
イクロコントロールユニット30が取り付けられる。同様に、図3に示すように、MEM
S電気音響トランスデューサ221、MEMS電気音響トランスデューサ222及びME
MS電気音響トランスデューサ223の3つのMEMSセンサを用い、且つ三つも中心対
称的に分布し、すなわち上記3つのMEMSセンサの音響透過孔の接続線が等辺三角形を
構成し、且つ該三角形の辺長がすべての音源のうち最小波長の音源の波長の2分の1以下
であり、また、MEMS電気音響トランスデューサ221、MEMS電気音響トランスデ
ューサ222、MEMS電気音響トランスデューサ223の中心位置にもマイクロコント
ロールユニット30が取り付けられる。
異なる平面に位置し、勿論、複数のMEMS電気音響トランスデューサ20が異なる平面
に位置する場合、少なくとも4つ以上のMEMS電気音響トランスデューサ20が必要で
ある。異なる平面に位置する4つ以上のMEMS電気音響トランスデューサ20も中心対
称的に分布する。例えば、正四面体の4つの角に位置する4つのMEMS電気音響トラン
スデューサ20を用い、勿論、その他の正多面体構造の設計を取ってもよく、正多面体の
各角には、同じ無指向性MEMS電気音響トランスデューサ20があり、この場合、回路
基板は、すべての複数のMEMS電気音響トランスデューサ20を固定して取り付けやす
くするように設計される必要があり、平面回路基板でなくてもよい。
カバー40をさらに備え、且つ該第1シールドカバー40は、回路基板10とともに第1
電磁シールド領域を構成し、あらゆるMEMS電気音響トランスデューサ20、マイクロ
コントロールユニット30及び回路基板10に設置された他の電子部品は、すべて第1電
磁シールド領域に固定して取り付けられ、外部からの電磁輻射干渉をシールドする。本発
明の実施例では、第1シールドカバー40は、円形、角形又はその他のコンパクト化形状
の金属材料で製造され、また、表面に金属がめっきされた材料で製造されてもよい。第1
シールドカバー40を酸化されにくくするために、表面には、酸化層をめっきしてもよい
。
導線が設置され、この場合、本発明の音源方位検出装置は、第1シールドカバー40とは
形状及び材質が同じであり且つ第1シールドカバー40の外周に設置された第2シールド
カバー50をさらに備え、且つ第2シールドカバー50の側面には、導線を引出するため
の導線孔K1が設置される。第1シールドカバー40と第2シールドカバー50のシール
ド効果を強化させるために、第1シールドカバー40と第2シールドカバー50の両方又
はいずれか一方は、回路基板10におけるアース線と導通する。
着する部位には、いずれも開口K2が設置され、これらの開口K2は、各MEMS電気音
響トランスデューサ20の音響透過孔と位置合わせ、外部の音声は、回路基板開口K2と
MEMS電気音響トランスデューサ20の音響透過孔とから構成された前室を介してME
MS電気音響トランスデューサ20の内部に入って電気信号に変換されることができる。
埃塵や液体の開口K2への侵入により音声信号の収集に影響を与えることを回避するため
に、回路基板10の開口側には、音響透過層60が設置され、図1に示すように、音響透
過層60は、防水及び防塵の機能を有し、また、良好な音声透過効果を有する。音響透過
層60は、一般的に、風防用スポンジで製造されるか、又は、防水性音響透過膜とし、第
2シールド蓋50に固定して取り付けられ、スナップ又は接着剤の方式で第2シールド蓋
50に固定して取り付けられてもよく、勿論、脱落しにくいその他の固定方式であっても
よい。
本発明は、空間音源方位検知方法をさらに提供し、該方法は、S1〜S4を含み、
S1、3つ以上のMEMS電気音響トランスデューサから少なくとも3つのMEMS電気
音響トランスデューサを選択してMEMS電気音響トランスデューサの組み合わせとし、
かつ等位相点を選択し、有限差分原理に基づいて少なくとも2つの差分信号と1つの無指
向性信号を含む音響ベクトル信号を構築し、ここで、該等位相点は、生成された音響ベク
トル信号のサブ信号がいずれも該空間点の音声信号と同位相であることを意味する。本発
明の実施例では、好ましくは、1次差分マイクロホンで差分信号を取得し、好ましくは一
次双極子差分信号を用い、且つそのビームパターンは「8」字状となる。
S2、少なくとも2つの差分信号と1つの無指向性信号を用いて少なくとも2つのセンサ
の間のデータ比率を求め、空間音源方位の1回の測定結果を得る。
S3、前記MEMS電気音響トランスデューサの組み合わせの等位相点を改めて選択し、
ステップS1とS2を繰り返し、複数の異なる等位相点から空間音源方位を複数回測定す
る。
S4、複数回測定した結果に対して加重平均を行い、正確な空間音源方位検出結果を得る
。
きに用いられるすべてのMEMS電気音響トランスデューサから少なくとも3つを選択し
てサブセットを構成し、3つの無指向性MEMS電気音響トランスデューサの場合、1種
のMEMS電気音響トランスデューサの組み合わせのみがあり、4つ以上の無指向性ME
MS電気音響トランスデューサの場合、順列と組み合わせのルールに基づき、4種類以上
のMEMS電気音響トランスデューサの組み合わせがある。
で、二次元空間の音場における音源の方位を検出できることを例として、共通平面に位置
する3つ以上のMEMS電気音響トランスデューサを用い、2つの差分信号が共通平面に
位置し、信号の位相が同じであり、ビームパターンが一定の夾角をなし、[30°,15
0°]の範囲であると、音源の二次元方位を効果的に検出することができるが、他の条件
が同じである場合、最も高い方位角検出精度が得られることから、夾角が0°は、最も好
ましい。本発明の実施例では、上記「センサの間のデータ比率」の定義及び計算方式は、
以下のとおりである。音響ベクトル信号のうちの無指向性信号を
とし、2つの差分信号の所在する平面においていずれかの方向を0°方向とし、2つの差
分信号と0°方向との夾角がそれぞれ既知の
、
であると、2つの差分信号がそれぞれ
、
として示される。
、
、
の散布度フーリエ変換が
、
、
であると、音源方位情報を含む2つのセンサの間のデータ比率ISDRは、下記式として
定義される。
(1)
(2)
と
がいずれも既知の夾角であり、且つ
と
との間の夾角Lが[30°,150°]範囲内であるため、式(1)と式(2)の反三角
関数を共同で求解することにより、音源の方位角度の推定値
をを唯一に決定できる。
=90°、
=120°であると、
と
との間の夾角は30°となり、
=10°、
=160°であると、
と
との間の夾角は150°となり、いずれの場合も、以上の式により音源の方位角度を唯一
に決定する推定値
を取得することができる。ただし、
と
との間の夾角が90°であると、音源方位の検出効果が最適であり、つまり、最適例、す
なわち2つの差分信号が正交している場合、式(1)と式(2)を以下の式に変えること
ができる。
(3)
(4)
式(3)と式(4)の反三角関数を共同で求解することにより、音源の方位角度の推定値
を唯一に決定することができる。
わせと等位相点が異なるため、音源方位角度の推定値も異なる。毎回測定した音源方位角
の推定値を
(
=1、2、……、M)とし、音源方位角に対する最終推定は、下記式である。
(5)
式中、
は毎回測定の重みであり、便宜上のために、
=1とすることができる。
響ベクトル信号を生成し、音源の方位を3回測定することができ、図4(a)は、(AS
ICチップを図示せず、MEMS音響電気変換器の空間位置関係のみを示す)最右側の音
響電気変換器を等位相点とするビームパターンを示し、図4(b)は、上側の音響電気変
換器を等位相点とするビームパターンを示し、図4(c)は、下側の音響電気変換器を等
位相点とするビームパターンである。同様に、平面の4つのMEMS音響電気変換器を用
いる実施例では、4組の音響ベクトル信号を生成して、音源の方位を4回測定することが
でき、図5(a)は、(同様に、ASICチップを図示せず、MEMS音響電気変換器の
空間位置関係のみを示す)最右側の音響電気変換器を等位相点とするビームパターンであ
り、図5(b)は、最上側の音響電気変換器を等位相点とするビームパターンであり、図
5(c)は、最左側の音響電気変換器を等位相点とするビームパターンであり、図5(d
)は、最下側の音響電気変換器を等位相点とするビームパターンである。
礎にして、共通平面に位置しない2つ以上の差分信号を用いて、音源の三次元方向情報を
検出し、すなわち音源の方位角とピッチ角を同時に検出するようにしてもよい。2つ以上
の差分信号、たとえば3つが利用可能である場合、3つの差分信号が異なる平面に位置す
れば、音源の方位角とピッチ角を同時に検出することができ、且つ、任意の1つの差分信
号と残りの2つの差分信号の所在する平面の夾角を30°以上150°以下にすべきであ
り、3つの差分信号が互いに正交する場合、システムの性能が最適であり、他の条件が同
じである場合、最も高い方位角検出精度が得られ、その方位検出原理は二次元平面の方位
検出原理と類似するため、ここで重複説明をは省略する。
デューサと専用処理チップを用いて体積が非常に小さい音響伝達装置を構成し、それによ
って音場の音圧情報を収集するだけではなく、音場の方向性情報を収集し、それにより音
場における主要音源の方向を検出することができ、また、差分信号の低周波帯域でのホワ
イトノイズゲインが大きすぎるという問題を解決し、MEMS電気音響トランスデューサ
の間の周波数応答と位相の不一致による差分推定誤差の問題も解決する。また、本発明の
小型空間音源方位検出装置は、最も標準的で成熟した無指向性MEMS電気音響トランス
デューサを用いて製造され、新たなMEMSマイクロフォンの製造プロセスを別に設計す
る必要がなく、コストをだけるだけ低くて抑えることができ、消費電子製品のニーズを満
たす。
り限定されず、本発明の主旨及び原理から逸脱することなく行われた他の変更、修飾、代
替、組み合わせ、簡略化は、いずれも等価置換形態であり、本発明の特許範囲に含まれる
。
Claims (16)
- 小型空間音源方位検出装置であって、
回路基板と、
前記回路基板に固定して設置され且つ中心対称的に分布する3つ以上のMEMS電気音響
トランスデューサであって、受信した音源信号を電気信号に変換することに用いられ、隣
接する前記MEMS電気音響トランスデューサの間の距離が音源信号の最短波長の2分の
1以下であるMEMS電気音響トランスデューサと、
各前記MEMS電気音響トランスデューサがそれぞれ電気的に接続されるマイクロコント
ロールユニットとを備え、
前記マイクロコントロールユニットは、前記3つ以上のMEMS電気音響トランスデュー
サにより収集された音声信号に基づいて、空間音源の方位情報を取得することを特徴とす
る小型空間音源方位検出装置。 - 前記3つ以上のMEMS電気音響トランスデューサは、いずれも同じ無指向性MEMS電
気音響トランスデューサであり、且つ前記回路基板に中心対称的に分布し、隣接する前記
無指向性MEMS電気音響トランスデューサの間の距離が音源信号の最短波長の2分の1
以下であることを特徴とする請求項1に記載の小型空間音源方位検出装置。 - 前記3つ以上のMEMS電気音響トランスデューサは、共通平面に位置する3つ以上のM
EMS電気音響トランスデューサであり、且つ前記回路基板に中心対称的に分布すること
を特徴とする請求項2に記載の小型空間音源方位検出装置。 - 前記3つ以上のMEMS電気音響トランスデューサは、異なる平面に位置する4つ以上の
MEMS電気音響トランスデューサであることを特徴とする請求項2に記載の小型空間音
源方位検出装置。 - 電磁シールド作用を有する第1シールドカバーをさらに備え、前記第1シールドカバーは
、前記回路基板とともに第1電磁シールド領域を構成し、前記3つ以上のMEMS電気音
響トランスデューサとマイクロコントロールユニットは、前記第1電磁シールド領域に位
置することを特徴とする請求項3に記載の小型空間音源方位検出装置。 - 電磁シールド作用を有し且つ前記第1シールドカバーの外周に位置する第2シールドカバ
ーをさらに備え、前記第2シールドカバーは、前記回路基板とともに第2電磁シールド領
域を構成し、前記第1電磁シールド領域が前記第2電磁シールド領域に位置し、前記第2
シールドカバーの側面には、導線孔が設置されることを特徴とする請求項5に記載の小型
空間音源方位検出装置。 - 前記第1シールドカバー及び/又は第2シールドカバーは、前記回路基板におけるアース
線と導通することを特徴とする請求項6に記載の小型空間音源方位検出装置。 - 前記回路基板のうち各前記MEMS電気音響トランスデューサに密着する部位には、いず
れも開口が設置され、且つ前記開口は、前記MEMS電気音響トランスデューサの音響透
過孔と位置合わせることを特徴とする請求項6に記載の小型空間音源方位検出装置。 - 前記回路基板の開口側に設置され、前記第2シールドカバーに固定して設置された音響透
過層をさらに備えることを特徴とする請求項6に記載の小型空間音源方位検出装置。 - 前記音響透過層は、風防用スポンジ又は防水性音響透過膜であることを特徴とする請求項
9に記載の小型空間音源方位検出装置。 - 前記音響透過層は、スナップ又は接着剤の方式で前記第2シールドカバーに固定されるこ
とを特徴とする請求項9に記載の小型空間音源方位検出装置。 - 請求項1〜11のいずれか1項に記載の小型空間音源方位検出装置の空間音源方位検知方
法であって、
3つ以上のMEMS電気音響トランスデューサから少なくとも3つのMEMS電気音響ト
ランスデューサを選択してMEMS電気音響トランスデューサの組み合わせとし、かつ等
位相点を選択し、有限差分原理に基づいて少なくとも2つの差分信号と1つの無指向性信
号を含む音響ベクトル信号を構築するステップS1と、
前記少なくとも2つの差分信号と1つの無指向性信号を用いて少なくとも2つのセンサの
間のデータ比率を求め、空間音源方位の1回の測定結果を得るステップS2と、
前記MEMS電気音響トランスデューサの組み合わせの等位相点を改めて選択し、ステッ
プS1とS2を繰り返し、複数の異なる等位相点から空間音源方位を複数回測定するステ
ップS3と、
複数回測定した結果に対して加重平均を行い、正確な空間音源方位検出結果を得るステッ
プS4とを含むことを特徴とする空間音源方位検知方法。 - 前記ステップS1においては、有限差分原理に基づいて、好ましくは2つの差分信号と1
つの無指向性信号を構築し、2つの差分信号は、共通平面にあり、且つそれらのビームパ
ターンが[30°,150°]の範囲の夾角Lをなすことを特徴とする請求項12に記載
の空間音源方位検知方法。 - 前記夾角Lは、90°であることを特徴とする請求項13に記載の空間音源方位検知方法
。 - 前記ステップS1においては、有限差分原理に基づいて、好ましくは3つの差分信号と1
つの無指向性信号を構築し、前記3つの差分信号は、異なる平面に位置し、且つ任意の1
つの差分信号と残りの2つの差分信号の所在する平面の夾角が30°以上150°以下で
あることを特徴とする請求項12に記載の空間音源方位検知方法。 - 前記3つの差分信号は、互いに直交していることを特徴とする請求項15に記載の空間音
源方位検知方法。
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