JP2020506817A - フレキシブルエレクトロニクス加工のための一時的接着層 - Google Patents
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Abstract
マイクロエレクトロニクス基板ならびにマイクロエレクトロニクス基板を製造する方法および使用する方法を提供する。マイクロエレクトロニクス基板の例は、担体、ケイ酸塩接着層、およびフレキシブル基板を含み、ここでフレキシブル基板は、ケイ酸塩接着層に接着される。マイクロエレクトロニクス基板は、フレキシブル基板とケイ酸塩接着層の間に引きはがし強さを有し；フレキシブル基板とケイ酸塩接着層の間の引きはがし強さは１ｋｇｆ／ｍ未満である。【選択図】なし
Description
フレキシブル基板上のマイクロエレクトロニクスの加工は、フレキシブル基板が微細加工プロセス中にもたらされる温度で変形し得るので、典型的には担体を必要とし、さらに、加工は、信頼性の高いフォトリソグラフィーの精細度のために寸法安定性も要求する。この加工プロセス中に使用される１つの層は、担体とフレキシブル基板の間に存在する中間層である。そのような層は、フォトリソグラフィー処理中に担体およびフレキシブル基板によって認められる条件に耐えるのに十分な接着、熱安定性、および化学的適合性を提供し一方で、微細加工が完了した時点で穏やかな刺激下にて逆行する接着を示す。
本開示の主題では、マイクロエレクトロニクス基板および製造の方法を提供する。マイクロエレクトロニクス基板は、ケイ酸塩接着層によって結合された担体およびフレキシブル基板を含む。製造方法は、ケイ酸塩溶液を脱溶媒和して担体とフレキシブル基板の間にケイ酸塩接着層を堆積させることを含む。堆積されたケイ酸塩接着層は、担体とフレキシブル基板の間に、任意のその後のマイクロエレクトロニクスのフォトリソグラフィー処理に十分な接着性を提供する。いくつかの実施形態では、フレキシブルエレクトロニクス積層物の製造が完了した時点で、本方法は、ケイ酸塩接着層を再溶媒和して担体とフレキシブル基板の間の粘着力を１ｋｇｆ／ｍ未満に低下させることおよびフレキシブル基板から担体を離層することをさらに含み得る。
１つの実施形態では、ケイ酸塩接着層は、マイクロエレクトロニクス基板のための一時的な接着剤の役割を果たす。ケイ酸塩接着層は粘着剤を形成し、それは離層プロセス中に１ｋｇｆ／ｍ未満の引きはがし強さで除去され得る。
別の実施形態では、加工後に担体からフレキシブルエレクトロニクス積層物を除去する方法は、溶媒を導入してフレキシブルエレクトロニクス積層物を担体に接着させるケイ酸塩接着層を溶解することを含む。さらに、本方法は、１ｋｇｆ／ｍ未満の除去力でフレキシブルエレクトロニクス積層物を機械的に除去することを含む。
図面の簡単な説明
本開示の例示的実施形態を、本明細書中で参考として援用される添付の図面を参照して以下に詳細に記載する：
本開示の例示的実施形態を、本明細書中で参考として援用される添付の図面を参照して以下に詳細に記載する：
説明した図は例示のみを目的とし、環境、構造、デザイン、またはプロセスに関して任意の制限を主張または含意することを意図せず、異なる実施形態を実施できる。
詳細な説明
以下の例示的実施形態の詳細な説明では、本明細書の一部を形成する添付の図面を参照する。これらの実施形態は、当業者が本発明を実施できるように十分に詳細に記載されており、他の実施形態を利用でき、本発明の精神または範囲を逸脱することなく論理的な構造的変化、機械的変化、電気的変化、および化学的変化が可能であると理解される。当業者が本明細書中に記載の実施形態の実施を可能にするのに必要のない詳細を回避するために、本説明において当業者に公知の一定の情報を省略できる。したがって、以下の詳細な説明は限定的な意味で解釈されるべきではなく、例示的実施形態の範囲は添付の特許請求の範囲のみによって定義される。
以下の例示的実施形態の詳細な説明では、本明細書の一部を形成する添付の図面を参照する。これらの実施形態は、当業者が本発明を実施できるように十分に詳細に記載されており、他の実施形態を利用でき、本発明の精神または範囲を逸脱することなく論理的な構造的変化、機械的変化、電気的変化、および化学的変化が可能であると理解される。当業者が本明細書中に記載の実施形態の実施を可能にするのに必要のない詳細を回避するために、本説明において当業者に公知の一定の情報を省略できる。したがって、以下の詳細な説明は限定的な意味で解釈されるべきではなく、例示的実施形態の範囲は添付の特許請求の範囲のみによって定義される。
本明細書中で使用される場合、単数形「ａ」、「ａｎ」、および「ｔｈｅ」は、文脈が明らかにそうでないことを示さない限り、複数形も含むことを意図する。用語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」および／または「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は、本明細書中および／または特許請求の範囲中で使用される場合、記述した特徴、工程、動作、要素、および／または構成要素の存在を特定するが、１つまたは複数の他の特徴、工程、動作、要素、構成要素、および／またはこれらの群の存在および付加を排除しないとさらに理解されるであろう。さらに、上記の実施形態および図面に記載の工程および構成要素は例示のみを目的とし、任意の特定の工程または構成要素が特許請求の範囲に記載の実施形態の要件であることを意味しない。
別段の指定がない限り、用語「接続する（ｃｏｎｎｅｃｔ）」、「係合する（ｅｎｇａｇｅ）」、「結合する（ｃｏｕｐｌｅ）」、「取り付ける（ａｔｔａｃｈ）」、または要素間の相互作用を説明する任意の他の用語の任意の形態の任意の使用は、要素間の相互作用を直接の相互作用に限定することを意味せず、記載の要素間の間接的相互作用を含み得る。以下の考察および特許請求の範囲において、用語「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」および「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は、非制限の様式で使用され、したがって、「〜を含むが、これらに限定されない」を意味すると解釈すべきである。別段の指示がない限り、この文書を通して使用される場合、「または」は、相互排除を必要としない。
本開示は、フレキシブルエレクトロニクス積層物の製造に関する。特に、本開示は、フレキシブルエレクトロニクス積層物の製造におけるケイ酸塩接着層の堆積および使用のための方法に関する。ケイ酸塩接着層は、フォトリソグラフィー処理中に担体およびフレキシブル基板によって認められる条件に耐えるのに十分な接着、熱安定性、および化学的適合性を提供する一方で、フレキシブル基板の微細加工が完了した時点で穏やかな刺激下にて可逆である接着を示す。これらの基準を満たす材料の１つのクラスはケイ酸塩である。ケイ酸塩を弱溶剤中で溶媒和し、産業規模に拡大可能なプロセス（スピンコーティング、スロットダイコーティング、ブレードコーティング、または任意の他の適切なコーティング技術など）によって担体上に堆積させることができる。溶媒が蒸発した時点で、ケイ酸塩の薄層は、担体とその後に堆積されたフレキシブル基板の間の一次界面層として残存する。最後に、微細加工後、フレキシブル基板を、ケイ酸塩接着層の部分的可溶化による最小の（例えば、１ｋｇｆ／ｍ未満）引張荷重で担体から除去できる。
一般に、ケイ酸塩溶液を、担体（例えば、ガラスパネル、シリコンウェーハなど）とフレキシブル基板（例えば、ポリイミド、ポリスルフィド、ポリエステルなど）の間の接着層として利用できる。ケイ酸塩溶液を、担体上に塗布し、脱溶媒和してケイ酸塩接着層を形成できる。二重層のケイ酸塩接着層上で、コーティング溶液（例えば、スピンコーティング、スロットダイコーティング、ブレードコーティングなど）によってフレキシブル基板に前駆体溶液を堆積させ、フィルムに硬化させることができる。フレキシブル基板上の微細加工後に、フレキシブル基板とケイ酸塩接着層の間の界面に溶媒を導入することによってケイ酸塩接着層を溶解できる。続いて、フレキシブル基板を次いで、機械的剥脱（例えば、真空回転剥離、ブレード剥離、引張グリップなど）によって担体から除去できる。一般に、真空回転剥離は、一連の真空孔を有するローラの使用を含み、フレキシブル基板にローラを取り付け、フレキシブル基板と真空ローラの間で真空接触を開始し、フレキシブル基板が担体から完全に引き離されるまで真空ローラを曲面に対して垂直に回転させる。ブレード剥離は、フレキシブル基板とケイ酸塩接着層の界面にブレードを導入することを含む。フレキシブル基板の剥離強度を低下させるために、この界面に任意選択的な溶媒を導入できる。ブレードを次いで、フレキシブル基板が担体から完全に引き離されるまで、フレキシブル基板とケイ酸塩接着層の間の界面にさらに押し込むことができる。引張グリップ剥離は、別の方法（真空回転剥離またはブレード剥離など）による担体からのフレキシブル基板の部分的引き離しおよび部分的に剥離したフレキシブル基板を引張グリップへその後取り付けることを含む。引張グリップを次いで、フレキシブル基板が担体から完全に引き離されるまで、一定速度で引っ張ることができる。
フレキシブル基板の担体への一時的接着を利用して、高温の微細加工プロセス中のフレキシブル材料の移動および変形を防止できる。フレキシブル基板の担体への一時的接着は、高温で微細加工を行うことを可能にし、それに対しフレキシブル基板が曝される水溶液および有機溶液の使用も可能にする。ケイ酸塩接着層から形成された接着物は、微細加工が完了した後に元に戻せる。接着物は、フレキシブル基板上に構築された脆弱な構成要素を破壊することのない刺激を与えることによって除去できる。本開示の主題では、ケイ酸塩接着層が溶解された後に低除去力（１ｋｇｆ／ｍ未満）の印加によって機械的除去を行うことができる。この機械的除去および先行する再溶媒和のプロセスは、フレキシブル基板上で加工されたマイクロエレクトロニクスの使用および機能性を混乱させないか、そうでなければ妨害しないかもしれない。
ケイ酸塩溶液の脱溶媒和は、担体上にガラス様フィルムを堆積することを可能にする。形成されたケイ酸塩接着層は、その上でフレキシブル基板がコーティングされる熱安定性の（１０００℃超）層をもたらす。ケイ酸塩接着層とフレキシブル基板の界面での溶媒の導入後に、ケイ酸塩接着層内のケイ酸塩をケイ酸塩溶液へと再度部分的に溶解でき、このケイ酸塩溶液は排出または除去され得る。この溶解はフレキシブル基板とケイ酸塩接着層の間の任意の粘着力（例えば、供給結合、イオン結合、ファンデルワールス力など）を絶つことを可能にし、担体からフレキシブル基板を除去するために必要とされる全体の力を低下させる。
１つの実施形態では、ケイ酸塩溶液は、アルカリ金属ケイ酸塩（ケイ酸リチウム、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、ケイ酸ルビジウム、ケイ酸セシウム、ケイ酸フランシウム、またはこれらの任意の組み合わせを含むが、これらに限定されない）を含む。別の実施形態では、ケイ酸塩溶液は、アルカリ土類金属ケイ酸塩（ケイ酸ベリリウム、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸ストロンチウム、ケイ酸バリウム、ケイ酸ラジウム、またはこれらの任意の組み合わせを含むが、これらに限定されない）を含む。さらなる１つの実施形態では、ケイ酸塩溶液は、アルカリ金属ケイ酸塩とアルカリ土類金属ケイ酸塩の組み合わせを含む。例では、ケイ酸塩（複数）を水に溶解して０．０１〜５０％ｗ／ｗケイ酸塩溶液を形成し、この溶液をコーティング法（例えば、スピンコーティング）によって担体上に塗布できる。生成されたフィルムを次いで、温度を上昇させること（例えば、１０分間の１２５℃への曝露）または他の方法によって脱溶媒和してケイ酸塩接着層を形成できる。ケイ酸塩接着層が形成された後に、フレキシブル基板をケイ酸塩接着層上に形成できる。１つの実施形態では、フレキシブル基板を、溶液コーティングおよびケイ酸塩接着層上のフレキシブル基板材料を硬化させることによって形成する。微細加工後に、フレキシブル基板と担体の間のケイ酸塩接着層を機械的切開によって露呈さでき、水および他の溶媒を界面に導入してケイ酸塩を再溶媒和できる。フレキシブル基板を次いで、担体と剥離されたフレキシブル基板の間の９０°以下の角度で測定される１ｋｇｆ／ｍ未満の張力によって担体から除去できる。張力および担体とフレキシブル基板の間の角度に起因する印加剥離力を、以下の式を使用して計算できる：
印加剥離力＝張力＊ｃｏｓ（θ）（式１）
（式中、θは、担体と剥離されたフレキシブル基板の間の角度である）。
印加剥離力＝張力＊ｃｏｓ（θ）（式１）
（式中、θは、担体と剥離されたフレキシブル基板の間の角度である）。
１つの具体例では、ケイ酸ナトリウムを水に可溶化して０．０１〜５０％ｗ／ｗケイ酸ナトリウム溶液を形成し、この溶液をコーティング法（例えば、スピンコーティング）によってシリコンウェーハの担体上に塗布できる。スピンコーティングしたフィルムを次いで、１０分間の１２５℃への曝露によって脱水し、その後にフレキシブル基板をケイ酸ナトリウム層上に形成する。この特定の実施形態では、フレキシブル基板材料を、溶液のコーティングおよびケイ酸塩接着層上のフレキシブル基板材料の硬化によって形成する。微細加工後に、フレキシブル基板と担体の間のケイ酸ナトリウム層を機械的切開によって露呈でき、水を界面に導入してケイ酸ナトリウム層中のケイ酸ナトリウムを再水和できる。フレキシブル基板をここで、担体と剥離されたフレキシブル基板の間の９０°以下の角度で測定される１ｋｇｆ／ｍ未満の張力によって担体から除去できる。
別の特定の実施形態では、ケイ酸マグネシウム溶液を０．１Ｎ塩酸に可溶化して１％ｗ／ｗケイ酸マグネシウム溶液を形成し、この溶液をスピンコーティングによってシリコンウェーハ上に塗布できる。スピンコーティングしたフィルムを次いで、１０分間の１２５℃への曝露によって脱水し、その後にフレキシブル基板をケイ酸マグネシウム接着層上に形成する。この特定の実施形態では、フレキシブル基板材料を、溶液コーティングおよびケイ酸マグネシウム接着層上のフレキシブル基板材料を硬化させることによって形成する。微細加工後に、フレキシブル基板と担体の間のケイ酸マグネシウム接着層を機械的切開によって露呈でき、０．１Ｎ塩酸を界面に導入してケイ酸マグネシウム接着層を再溶媒和できる。フレキシブル基板をここで、担体と剥離されたフレキシブル基板の間の９０°以下の角度で測定される１ｋｇｆ／ｍを超えない張力によって担体から除去できる。
１つの実施形態では、フレキシブル基板は、溶液処理した有機材料（樹脂、ワニス、またはこれらの任意の組み合わせなど）である。別の実施形態では、ワニス中の溶媒の除去によって溶液をフレキシブル基板に変換できる。１つの特定の実施形態では、周囲温度を上げること、周囲圧力を下げること、またはこれらの任意の組み合わせによって溶媒を除去する。別の実施形態では、樹脂の重合によって溶液をフレキシブル基板に変換できる。１つの特定の実施形態では、樹脂の重合を、電磁放射線、湿気、時間、またはこれらの任意の組み合わせへの曝露によって開始できる。
１つの実施形態では、フレキシブル基板上で微細加工をさらに行うことができる。微細加工は、薄膜堆積、薄膜成長、薄膜パターン形成、ウェットエッチング、ドライエッチング、マイクロ成形、またはこれらの任意の組み合わせを含み得る。特定の実施形態では、微細加工は、透明導電性酸化物、カラーフィルタアレイ、薄膜トランジスタアレイ、または任意の他のマイクロエレクトロニックアレイを形成できる。
三工程プロセスによって担体からフレキシブル基板を除去でき、ここで、第１の工程は基質の弾性率に応じて任意選択である。第１に、任意選択の機械的切開工程を実施して、フレキシブル基板の周囲の界面ケイ酸塩接着層を露呈させる。この方法を、種々の機械的方法（例えば、回転鋸法）、電磁的方法（例えば、レーザアブレーション法）、または流体的方法（例えば、ウォータージェット法）によって行うことができる。この工程は、フレキシブル基板がケイ酸塩接着層を完全に覆っている場合にフレキシブルエレクトロニクス積層物の除去に役立ち得るが、ケイ酸塩接着層が切開工程なしで溶媒に曝露され得る場合は必要ないかもしれない。
次に、ケイ酸塩接着層の溶媒和を行って、ケイ酸塩接着層とフレキシブル基板の間の界面粘着力を低下させる。溶媒和は、ケイ酸塩溶液の元の溶液、またはケイ酸塩接着層の溶解性パラメータに応じて粘着力を低下させることができる異なる溶媒により起こり得る。溶媒和は、フレキシブル基板とケイ酸塩接着層の界面での液体溶媒の導入によって起こり得るか、気体溶媒を有する環境にマイクロエレクトロニクス基板を置くことによってフレキシブル基板を通して拡散され得る。
最後に、フレキシブルエレクトロニクス積層物を、フレキシブル基板材料への外部負荷の印加によって担体から機械的に除去する。外部負荷を、真空ローラ、フレキシブル基板材料上の機械的把持、またはケイ酸塩接着層とフレキシブル基板の間に楔を打ち込むことによって印加できる。担体からのフレキシブル基板の除去中に、ケイ酸塩接着層の溶解のために選択された溶媒は、毛管作用によってフレキシブル基板とケイ酸塩接着層の間の剥離界面に向かって引っ張られる。これは、溶媒に未だ曝露されていないケイ酸塩接着層の任意の残存部分を溶解し、能動的に離層するフレキシブル基板とケイ酸塩接着層の間の粘着力を低下させるのに役立つ。
図１を参照して、マイクロエレクトロニクス基板（一般に１００）の断面図を示す。マイクロエレクトロニクス基板１００は、担体１１０（ガラスパネルまたはシリコンウェーハなど）を含み、この担体上にケイ酸塩接着層１２０が堆積される。ケイ酸塩接着層１２０上にフレキシブル基板１３０が塗布される。フレキシブル基板１３０を、ケイ酸塩接着層１２０上に塗布されたフレキシブル基板材料（例えば、プレポリマー溶液）から形成でき、硬化してフレキシブル基板１３０を形成してもよい。フレキシブル基板１３０は、ポリイミド、ポリスルフィド、ポリエステル、またはその表面上でマイクロエレクトロニクスを加工できる任意の他のフレキシブル基板を含み得る。
ここで図２を参照して、ケイ酸塩接着層１２０内のケイ酸塩を再溶媒和するために溶媒２５０を添加できるようにケイ酸塩接着層１２０が露呈される図１のマイクロエレクトロニクス基板１００の断面図を示す。担体１１０およびケイ酸塩接着層１２０は、ケイ酸塩接着層が溶媒２５０と接触できるのに十分な程度にケイ酸塩接着層を露呈させる機械的切開、マイクロマシニング、または類似の機械的プロセスによってフレキシブル基板１３０から分離される。剥離技術（真空ローラ２４０など）の導入後に、ケイ酸塩接着層を溶媒２５０の添加によって再溶媒和してケイ酸塩接着層１２０とフレキシブル基板１３０の間の境界にケイ酸塩溶液を再形成でき、それは、ケイ酸塩接着層１２０および担体１１０からフレキシブル基板を除去するために使用される力を低下する。例えば、フレキシブル基板１３０を除去するために使用される力は、１ｋｇｆ／ｍ未満であり得る。
図３は、担体へのフレキシブル基板の一時的接着のための製造プロセス３００のフローチャートである。ブロック３０１で、ケイ酸塩溶液を混合し、ブロック３０２で、ケイ酸塩溶液を濾過し、担体（ガラスパネルまたはシリコンウェーハなど）上に塗布する。例として、ケイ酸塩溶液は、０．０１重量％と５０重量％の間のケイ酸塩化合物であり得る。
ブロック３０３で、ケイ酸塩溶液を脱溶媒和して、過剰な溶媒を除去し、ケイ酸塩接着層を形成する。次に、ブロック３０４で、フレキシブル基板材料溶液を濾過し、ケイ酸塩接着層上に塗布し、その後、ブロック３０５で、フレキシブル基板材料溶液をフレキシブル基板へと硬化させる。ブロック３０６で、所望のマイクロエレクトロニクス積層物を、フォトリソグラフィー処理テクノロジーを使用してフレキシブル基板上に加工する。マイクロエレクトロニクス積層物加工の完了時に、ブロック３０７で、フレキシブル基板とケイ酸塩接着層の間の界面を再溶媒和して、ケイ酸塩接着層とフレキシブル基板の間の界面にケイ酸塩溶液を形成する。最後に、ブロック３０８で、フレキシブル基板を担体から機械的に除去する。
実施例１
流体リザーバに、８５ｇの脱イオン水および２５ｇのメタケイ酸ナトリウム（Ｎａ２ＳｉＯ３）を添加した。溶液を、メタケイ酸ナトリウムが完全に溶解するまで激しく撹拌した。次に、メタケイ酸ナトリウム溶液を、ナイロンフィルターメンブレン（孔径０．２μｍ）で濾過し、担体ガラスパネル上に直接塗布した。溶液を加速度１０００ＲＰＭ／秒にて５００ＲＰＭで６０秒間スピンした。ガラスパネルを次いで、スピンコーターから取出し、オーブン中に１２５℃で１０分間おいてメタケイ酸ナトリウムを脱水した。
流体リザーバに、８５ｇの脱イオン水および２５ｇのメタケイ酸ナトリウム（Ｎａ２ＳｉＯ３）を添加した。溶液を、メタケイ酸ナトリウムが完全に溶解するまで激しく撹拌した。次に、メタケイ酸ナトリウム溶液を、ナイロンフィルターメンブレン（孔径０．２μｍ）で濾過し、担体ガラスパネル上に直接塗布した。溶液を加速度１０００ＲＰＭ／秒にて５００ＲＰＭで６０秒間スピンした。ガラスパネルを次いで、スピンコーターから取出し、オーブン中に１２５℃で１０分間おいてメタケイ酸ナトリウムを脱水した。
別の流体リザーバ中に、多官能性チオールモノマーであるトリス［２−（３−メルカプトプロピオニルオキシ）エチル］イソシアヌラート（１ｍｏｌ当量）および多官能性コモノマーであるトリス（４−ヒドロキシフェニル）メタントリグリシジルエーテル（１ｍｏｌ当量）を添加し、流体リザーバをシールした。シールした流体リザーバを回転ミキサーに入れ、２３５０回転／分（ＲＰＭ）で５分間混合した。流体リザーバをミキサーから取出し、開封し、１．５重量％の触媒トリプロピルアミンを、室温（約２５℃）で混合されたモノマー溶液にピペットで滴下した。流体リザーバを再度シールし、回転ミキサーに入れ、２３５０ＲＰＭでさらに５分間混合した。最後に、流体リザーバを再度ミキサーから取出し、開封し、有機溶媒テトラヒドロフランを、最終溶液が９２．５％（ｖ／ｖ）固体画分モノマー溶液となるまで添加した。
モノマー溶液の混合物を、スロットダイコーティングツールにマウントし、スロットダイコーティング技術によってガラスパネル担体とケイ酸ナトリウム接着層の二重層上で薄膜に加工した。流延モノマー溶液を６５℃の硬化炉に導入して重合を開始し、同時に過剰量のテトラヒドロフランを蒸発させ、少なくとも１時間焼成し、フレキシブル基板を得、その後に微細加工で使用するためのマイクロエレクトロニクス積層物を形成した。
微細加工後に、フレキシブル基板の短軸に沿った縁部の１つを角から角へ機械的に切開し、メタケイ酸ナトリウム層とフレキシブル基板の間の界面を露呈させた。１ｍＬの脱イオン水をこの界面に導入し、フレキシブル基板の自由縁部を引張グリップに固定した。フレキシブル基板を次いで、張力が決して１ｋｇｆ／ｍを超えないことを確実にしながら、５０ｍｍ／分の速度で担体から引き離した。
上記で開示の実施形態は、例示を目的とし、且つ当業者が本開示を実施できるように示しているが、本開示は、網羅的であることや開示の形態に制限されることを意図しない。本開示の範囲および精神から逸脱することなく、多数の実体のない修正形態および変形形態が当業者に明らかであろう。例えば、フローチャートは逐次プロセスを示すが、いくつかの工程／プロセスを並行してか別の順序で実施できるか、１つの工程／プロセスに組み合わせることができる。特許請求の範囲の範囲は、開示の実施形態および任意のかかる修正形態を広く対象にすることが意図される。
Claims (18)
- 担体、
ケイ酸塩接着層、および
フレキシブル基板
を含むマイクロエレクトロニクス基板であって、前記フレキシブル基板が、ケイ酸塩接着層に接着され；前記マイクロエレクトロニクス基板が、前記フレキシブル基板と前記ケイ酸塩接着層の間に引きはがし強さを有し；前記フレキシブル基板と前記ケイ酸塩接着層の間の引きはがし強さが、１ｋｇｆ／ｍ未満である、マイクロエレクトロニクス基板。 - 前記担体が、ガラスパネル、シリコンウェーハ、またはケイ素酸化物表面を提供する任意の材料である、請求項１に記載のマイクロエレクトロニクス基板。
- 前記ケイ酸塩接着層が、ケイ酸リチウム、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、ケイ酸ルビジウム、ケイ酸セシウム、ケイ酸フランシウム、およびこれらの任意の組み合わせからなる群から選択されるケイ酸塩を含む、請求項１に記載のマイクロエレクトロニクス基板。
- 前記ケイ酸塩接着層が、ケイ酸ベリリウム、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸ストロンチウム、ケイ酸バリウム、ケイ酸ラジウム、およびこれらの任意の組み合わせからなる群から選択されるケイ酸塩を含む、請求項１に記載のマイクロエレクトロニクス基板。
- 前記ケイ酸塩接着層が、アルカリ金属ケイ酸塩、アルカリ土類金属ケイ酸塩、またはこれらの任意の組み合わせを含む、請求項１に記載のマイクロエレクトロニクス基板。
- 前記ケイ酸塩接着層が、０．０１重量％と５０重量％の間のケイ酸塩化合物であるケイ酸塩溶液から形成される、請求項１に記載のマイクロエレクトロニクス基板。
- 前記フレキシブル基板が、樹脂またはワニス液から堆積された有機フィルムである、請求項１に記載のマイクロエレクトロニクス基板。
- 前記フレキシブル基板が、ポリイミド、ポリスルフィド、ポリエステル、およびこれらの任意の組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載のマイクロエレクトロニクス基板。
- 担体上にケイ酸塩溶液を堆積させること、
前記ケイ酸塩溶液を脱溶媒和してケイ酸塩接着層を形成すること、および
前記ケイ酸塩接着層上にフレキシブル基板を形成すること
を含むマイクロエレクトロニクス基板を製造する方法。 - 前記ケイ酸塩溶液を堆積させることが、スロットダイコーティング、スピンコーティング、ブレードコーティング、エアナイフコーティング、またはこれらの任意の組み合わせにより達成される、請求項９に記載の方法。
- 前記ケイ酸塩溶液を脱溶媒和することが、前記ケイ酸塩溶液中で前記溶媒の沸点を超えて前記担体を加熱することを含む、請求項９に記載の方法。
- 前記フレキシブル基板を形成することが、樹脂またはワニスを前記ケイ酸塩接着層上に堆積させることおよび前記樹脂またはワニスをフレキシブル基板に硬化させることにより達成される、請求項９に記載の方法。
- 薄膜堆積、薄膜成長、薄膜パターン形成、ウェットエッチング、ドライエッチング、マイクロ成形、またはこれらの任意の組み合わせを含む前記フレキシブル基板上での微細加工を実施することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
- １ｋｇｆ／ｍ未満の除去力で前記フレキシブル基板を機械的に除去することにより前記担体から前記フレキシブル基板を離層することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
- 前記フレキシブル基板と前記ケイ酸塩接着層の間の界面に溶媒を導入することおよび１ｋｇｆ／ｍ未満の除去力で前記フレキシブル基板を機械的に除去することにより前記担体から前記フレキシブル基板を離層することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
- 前記フレキシブル基板を機械的に除去することにより前記担体から前記フレキシブル基板を離層することをさらに含み；前記機械的に除去することが、切削工具、機械加工工具、穴あけ工具、レーザアブレーション工具、流体ジェット工具、またはこれらの任意の組み合わせにより実施される、請求項９に記載の方法。
- 前記フレキシブル基板を機械的に除去することにより前記担体から前記フレキシブル基板を離層することをさらに含み；前記機械的に除去することが、真空ローラ、ブレードウェッジ、引張グリップ、またはこれらの任意の組み合わせにより実施される、請求項９に記載の方法。
- 前記フレキシブル基板が、ポリイミド、ポリスルフィド、ポリエステル、およびこれらの任意の組み合わせからなる群から選択される、請求項９に記載の方法。
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