JP2020502509A - Cd−semキャラクタリゼーション技術を実装するための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
走査方向と整列され、水平方向のエッジの延長上にあるダークグレイまたは黒色の、図3aのマーク1で示される、かなり直線状のマークと、
やはり走査方向にあり、パターンに沿った薄いグレイの、図3aのマーク2で示される、表面マーク
とにしたがって分類され得る。
− サンプルの構造を表し、走査型電子顕微鏡から導出された実験画像を発生するステップと、
− パラメトリック数学関数に基づく第1の理論モデルから、補正項の代数和によって得られる第2の理論モデルを計算するステップであって、前記補正項は、所与の畳み込みカーネルと第1の理論モデルとの間の畳み込み積であり、第2の理論モデルは、決定されるべきパラメータの組を備える、ステップと、
− 前記第2の理論モデルと前記実験画像との間の調整により、第2の理論モデルに存在するパラメータの組を決定するステップとを含む。
(x,y)は、2つの直交方向xおよびyに沿った、画像の各点に関連した空間座標であり;
G(x,y)は、パラメトリック数学関数に基づく第1の理論モデルであり;
Img(x,y)は、補正項の適用により得られる第2の理論モデルであり;、
F(x,y)は、所与の畳み込みカーネルであり;
Cは、調整定数であり;
− 一次電子ビームは、いわゆるTVまたはラスタ走査方法にしたがって、x軸または水平軸と指定された直線に沿ってサンプルの表面を走査し、走査方向は、水平方向またはx軸であり;
− 畳み込みカーネルは、たとえばx軸に沿ってとられたガウシアンを介して、一次元対称形状をとることができ、前記ガウシアンは、次の式:
− 畳み込みカーネルは、たとえば、次の式:
− 畳み込みカーネルは、一次電子ビームの走査方向に沿って非対称な一次元形状をとり得る。
− 畳み込みカーネルは、一次電子ビームの走査方向に沿って非対称な二次元形状をとり得る。
− この方法は、CD−SEMキャラクタリゼーション技術を較正するために実装され、前記較正は以下の:
− 幾何学的寸法が知られている基準サンプルの構造を表す実験画像を発生するステップであって、前記画像が、走査型電子顕微鏡から導出される、ステップと、
− パラメトリック数学関数に基づく第1の理論モデルから、補正項の代数和によって得られる第2の理論モデルを計算するステップであって、前記補正項は、所与の畳み込みカーネルと第1の理論モデルとの間の畳み込み積であり、前記第2の理論モデルは、パラメータの組を備え、前記パラメータの組は、基準サンプルの幾何学的構造を記述する、知られているパラメータと、機器応答を記述する、決定されるべきパラメータとの両方を含む、ステップと、
− 第2の理論モデルに存在するパラメータを決定し、前記第2の理論モデルと、基準サンプルの構造を表す前記実験画像との間の調整によって機器応答を記述するステップとを含む。
− サンプルの構造を表し、走査型電子顕微鏡から導出される実験画像を発生するステップと、
− パラメトリック数学関数に基づく第1の理論モデルから、補正項の代数和によって得られる第2の理論モデルを計算するステップであって、前記補正項は、所与の畳み込みカーネルと第1の理論モデルとの間の畳み込み積であり、前記第2の理論モデルは、パラメータの組を備え、前記パラメータの組は、関心のあるサンプルの幾何学的構造を記述する、決定されるべきパラメータと、機器応答を記述する、上述された較正によって決定されるパラメータとの両方を含む、ステップと、
− 第2の理論モデルに存在するパラメータを決定し、前記第2の理論モデルと前記実験画像との間の調整によって、関心のあるサンプルの構造を記述するステップとを含む。
・G(x,y)は、パラメトリック数学関数に基づく第1の理論モデルであり;
・(x,y)は、2つの直交方向xおよびyに沿った画像の各点に関連した空間座標であり;
・Img(x,y)は、補正項を適用して得られる第2の理論モデルであり;
・F(x,y)は、所与の畳み込みカーネルであり;
・
・Cは、調整定数である。
Claims (10)
- CD−SEM技術として知られる、寸法測定の分野における、サンプルの構造の少なくとも1つの限界寸法の決定のための走査型電子顕微鏡キャラクタリゼーション技術を実装するための方法(100)であって、
− サンプルの構造を表し、走査型電子顕微鏡から導出された実験画像を発生するステップ(101)と、
− パラメトリック数学関数に基づく第1の理論モデルから、補正項の代数和によって得られる第2の理論モデルを計算するステップ(102)であって、前記補正項は、所与の畳み込みカーネルと第1の理論モデルとの間の畳み込み積であり、前記第2の理論モデルは、決定されるべきパラメータの組を備え、第1および第2の理論モデルは、実験画像におけるサンプルの構造の数学的表現である、ステップと、
− 前記第2の理論モデルと前記実験画像との間の調整により、第2の理論モデルに存在するパラメータの組を決定するステップ(103)であって、調整は、前記第2の理論モデルと前記実験画像との間の差の最小化に対応する、ステップとを含む、方法(100)。 - 一次電子ビームが、いわゆるTVまたはラスタ走査方法にしたがって、サンプルの表面を走査し、走査方向が、水平方向またはx軸であることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法(100)。
- 畳み込みカーネルが、対称一次元関数であることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法(100)。
- 畳み込みカーネルが、二次元対称関数であることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法(100)。
- 畳み込みカーネルが、一次電子ビームの走査方向に沿って非対称な一次元プロファイルを、または、一次電子ビームの走査方向に沿って非対称な二次元プロファイルを有することを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法(100)。
- 前記方法が、CD−SEMキャラクタリゼーション技術の較正のために実装され、前記較正が
− 幾何学的寸法が知られている基準サンプルの構造を表す実験画像を発生するステップであって、前記画像が、走査型電子顕微鏡から導出される、ステップと、
− パラメトリック数学関数に基づく第1の理論モデルから、補正項の代数和によって得られる第2の理論モデルを計算するステップであって、前記補正項は、所与の畳み込みカーネルと第1の理論モデルとの間の畳み込み積であり、前記第2の理論モデルは、パラメータの組を備え、前記パラメータの組は、基準サンプルの幾何学的構造を記述する、知られているパラメータと、機器応答を記述する、決定されるべきパラメータとの両方を含む、ステップと、
− 第2の理論モデルに存在するパラメータを決定し、前記第2の理論モデルと、基準サンプルの構造を表す前記実験画像との間の調整によって機器応答を記述するステップとを含む、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。 - 請求項1から8のいずれか一項および請求項9に記載のCD−SEMキャラクタリゼーション技術を実装するための方法であって、
− サンプルの構造を表し、走査型電子顕微鏡から導出される実験画像を発生するステップと、
− パラメトリック数学関数に基づく第1の理論モデルから、補正項の代数和によって得られる第2の理論モデルを計算するステップであって、前記補正項は、所与の畳み込みカーネルと第1の理論モデルとの間の畳み込み積であり、前記第2の理論モデルは、パラメータの組を備え、前記パラメータの組は、関心のあるサンプルの幾何学的構造を記述する、決定されるべきパラメータと、機器応答を記述する、請求項9に記載の較正にしたがって決定されるパラメータとの両方を含む、ステップと、
− 第2の理論モデルに存在するパラメータを決定し、前記第2の理論モデルと前記実験画像との間の調整によって、関心のあるサンプルの構造を記述するステップとを含む、方法。
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