JP2020501152A - 改善されたマルチスペクトル検出のための装置 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 89
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 77
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 43
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 5
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14669—Infrared imagers
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14649—Infrared imagers
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14649—Infrared imagers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
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Abstract
Description
− 第1の波長範囲および第1の波長範囲とは異なる第2の波長範囲を、それぞれが検知する、第1の光検出器および第2の光検出器であって、第1の光検出器は、受信された放射を表す第1の信号を送出し、第2の光検出器は、受信された放射を表す第2の信号を送出する、第1の光検出器および第2の光検出器と、
− 第1の波長範囲を通過させ、第2の波長範囲を遮断するように構成されており、第1の光検出器を覆い、第2の光検出器は覆わないままにし、第1の光検出器と接触して、第1の光検出器内の第2の波長範囲の通過を遮断する、第1のフィルタと、
− 第1および第2の光検出器から離れ、かつ、第1のフィルタから離れて配置され、第1の波長範囲および第2の波長範囲を通過させるように構成されており、第1および第2の波長範囲の波長のうち、最も長い波長よりも高い波長を遮断し、および/または、第1および第2の波長範囲の波長のうち、最も短い波長よりも低い波長を遮断するように構成されている、第2のフィルタと、
を備える。
− 第1の波長範囲および第1の波長範囲とは異なる第2の波長範囲を、それぞれが検知する、第1および第2の光検出器を備えた基板を提供するステップであって、第1の光検出器は、受信された放射を表す第1の信号を送出し、第2の光検出器は、受信された放射を表す第2の信号を送出するものである、ステップと、
− 第1の波長範囲を通過させ、第2の波長範囲を遮断するように構成されており、第1の光検出器を覆い、第2の光検出器は覆わないままにし、第1の光検出器と接触して、第1の光検出器内の第2の波長範囲の通過を防止する、第1のフィルタを形成するステップと、
− 第1および第2の光検出器から離れ、かつ、第1のフィルタから離れて配置され、第1の波長範囲および第2の波長範囲を通過させるように構成されており、第1および第2の波長範囲の波長のうち、最も長い波長よりも高い波長を遮断し、および/または、第1および第2の波長範囲の波長のうち、最も短い波長よりも低い波長を遮断するように構成されている、第2のフィルタを形成するステップと、
を含む。
− 第2の波長範囲を通過させ、第1の波長範囲を遮断するように構成されており、第2の光検出器を覆い、第1の光検出器は覆わないままにし、第2の光検出器と接触して、第2の光検出器内の第1の波長範囲の通過を防止する第3のフィルタを形成するステップ、
を含む、
他の利点および特徴は、単に非限定の例を目的として与えられ、添付の図面に表される、以下の本発明の特定の実施形態の説明から、より明らかとなるであろう。
短波長赤外線(SWIR):1.4μm〜3μm
中波長赤外線(MWIR):3μm〜8μm
長波長赤外線(LWIR):8μm〜15μm
したがって、検出装置が、異なる対の波長範囲、例えばMWIR/LWIR、MWIR/SWIR、LWIR/SWIR、NIR/SWIR、NIR/LWIRまたはNIR/MWIRを検出できるように、検出装置を構成することが可能である。
SWIRおよびMWIR放射を捕捉するための、1.4μm〜8μm
MWIRおよびLWIR放射を捕捉するための、3μm〜15μm
NIR放射を捕捉するための、0.8μm〜1.4μm
SWIR放射を捕捉するための、1.4μm〜3μm
MWIR放射を捕捉するための、3μm〜8μm
LWIR放射を捕捉するための、8μm〜15μm
このようにして、フィルタリングシステム4は、特定の波長が、第1および第2の光検出器1a/1bに到達すること、および、受信された有用な信号を汚染することを防止する。
Claims (11)
- マルチスペクトル検出装置であって、
− 第1の波長範囲および前記第1の波長範囲とは異なる第2の波長範囲を、それぞれが検知する、第1の光検出器(1a)および第2の光検出器(1b)であって、前記第1の光検出器は、受信された放射を表す第1の信号を送出し、前記第2の光検出器は、受信された放射を表す第2の信号を送出する、第1の光検出器(1a)および第2の光検出器(1b)と、
− 前記第1の波長範囲を通過させ、前記第2の波長範囲を遮断するように構成されており、前記第1の光検出器(1a)を覆い、前記第2の光検出器(1b)は覆わないままにし、前記第1の光検出器(1a)と接触して、前記第1の光検出器(1a)内の前記第2の波長範囲の通過を遮断する、第1のフィルタ(4a)と、
を備える検出装置において、
− 前記第1および第2の光検出器(1a,1b)から離れ、かつ、前記第1のフィルタ(4a)から離れて配置され、前記第1の波長範囲および前記第2の波長範囲を通過させるように構成されており、前記第1および第2の波長範囲内の波長のうち、最も長い波長よりも高い波長を遮断し、および/または、前記第1および第2の波長範囲内の波長のうち、最も短い波長よりも低い波長を遮断するように構成されている、第2のフィルタ(4b)と、
を備えることを特徴とする検出装置。 - 前記第2の光検出器(1b)は、前記第1の波長範囲を遮断するように構成されたフィルタが無く、前記第1の波長範囲および前記第2の波長範囲を受信し、
前記検出装置は、前記第1および第2の光検出器(1a,1b)から来る電気信号を受信し、前記第1の信号を、前記第2の信号と比較することにより、前記第2の波長範囲の放射に関するデータを供給するように構成された処理回路(5)を備える、ことを特徴とする請求項1に記載の検出装置。 - 前記第2の光検出器(1b)は、前記第1の波長範囲を遮断し、前記第2の波長範囲を通過させるように構成された第3のフィルタ(4c)によって覆われている、ことを特徴とする請求項1に記載の検出装置。
- 前記第2のフィルタ(4b)は、低域通過、高域通過、帯域通過および二重帯域フィルタから選択される、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の検出装置。
- 前記第1のフィルタ(4a)は、前記第2の波長範囲をカットする、低域通過、高域通過または帯域通過フィルタである、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の検出装置。
- 前記第2のフィルタ(4b)は、ガスの層または空隙により分離されて、前記第1のフィルタ(4a)および前記第2の光検出器(1b)から離れて配置されている、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の検出装置。
- 放射の通過のためのアパーチャによって、前記入射放射を集中させるように構成されたコールドシールド(8)を備え、
前記第2のフィルタ(4b)は、前記アパーチャに配置される、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の検出装置。 - 前記コールドシールド(8)は、前記第1および第2の光検出器を含む密閉筐体を画定し、
前記第2のフィルタ(4b)は、前記密閉筐体内に配置される、ことを特徴とする請求項7に記載の検出装置。 - 前記コールドシールド(8)は、前記第1および第2の光検出器を含む密閉筐体を画定し、
前記第2のフィルタ(4b)は、前記密閉筐体の外部に配置される、ことを特徴とする請求項7に記載の検出装置。 - マルチスペクトル検出装置の製造方法であって、
− 第1の波長範囲および前記第1の波長範囲とは異なる第2の波長範囲を、それぞれが検知する、第1および第2の光検出器(1aおよび1b)を備えた基板を提供するステップであって、前記第1の光検出器(1a)は、受信された放射を表す第1の信号を送出し、前記第2の光検出器(1b)は、受信された放射を表す第2の信号を送出するものである、ステップと、
− 前記第1の波長範囲を通過させ、前記第2の波長範囲を遮断するように構成されており、前記第1の光検出器(1a)を覆い、前記第2の光検出器(1b)は覆わないままにし、前記第1の光検出器(1a)と接触して、前記第1の光検出器(1a)内の前記第2の波長範囲の通過を遮断する、第1のフィルタ(4a)を形成するステップと、
− 前記第1および第2の光検出器(1a,1b)から離れ、かつ、前記第1のフィルタ(4a)から離れて配置され、前記第1の波長範囲および前記第2の波長範囲を通過させるように構成されており、前記第1および第2の波長範囲内の波長のうち、最も長い波長よりも高い波長を遮断し、および/または、前記第1および第2の波長範囲内の波長のうち、最も短い波長よりも低い波長を遮断するように構成されている、第2のフィルタ(4b)を形成するステップと、
を含むことを特徴とする製造方法。 - 前記第2のフィルタ(4b)が形成される前に、
− 前記第2の波長範囲を通過させ、前記第1の波長範囲を遮断するように構成されており、前記第2の光検出器(1b)を覆い、前記第1の光検出器(1a)は覆わないままにし、前記第2の光検出器(1b)と接触して、前記第2の光検出器(1b)内の前記第1の波長範囲の通過を遮断する第3のフィルタ(4c)を形成するステップ、
を含む、ことを特徴とする請求項10に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1662090 | 2016-12-07 | ||
FR1662090A FR3059823B1 (fr) | 2016-12-07 | 2016-12-07 | Dispositif de detection multispectrale ameliore. |
PCT/FR2017/053405 WO2018104655A1 (fr) | 2016-12-07 | 2017-12-05 | Dispositif de detection multispectrale ameliore |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020501152A true JP2020501152A (ja) | 2020-01-16 |
JP7161267B2 JP7161267B2 (ja) | 2022-10-26 |
Family
ID=58707627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019530415A Active JP7161267B2 (ja) | 2016-12-07 | 2017-12-05 | 改善されたマルチスペクトル検出のための装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11302729B2 (ja) |
EP (1) | EP3552237A1 (ja) |
JP (1) | JP7161267B2 (ja) |
KR (1) | KR102470061B1 (ja) |
CN (1) | CN110235252B (ja) |
FR (1) | FR3059823B1 (ja) |
IL (1) | IL267147B2 (ja) |
WO (1) | WO2018104655A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3084523B1 (fr) | 2018-07-27 | 2020-12-25 | Soc Fr De Detecteurs Infrarouges Sofradir | Dispositif de detection electromagnetique |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57204995A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-15 | Sanyo Electric Co | Pyroelectric infrared rays detector |
JPS61114336U (ja) * | 1985-12-25 | 1986-07-19 | ||
JPH0416330U (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-10 | ||
JPH0581667U (ja) * | 1992-03-31 | 1993-11-05 | 国際技術開発株式会社 | 赤外線受光装置 |
JPH05508911A (ja) * | 1990-06-09 | 1993-12-09 | ユーヴィソル・リミテッド | 光検出器 |
JP2001147161A (ja) * | 1999-09-23 | 2001-05-29 | State Of Israel Ministry Of Defence Armaments Development Authority Rafael | 赤外線ディテクター装置 |
JP2009075132A (ja) * | 1999-12-28 | 2009-04-09 | Hochiki Corp | 炎検出装置 |
US20110128423A1 (en) * | 2009-12-02 | 2011-06-02 | Lee Myung-Bok | Image sensor and method of manufacturing the same |
WO2016088644A1 (ja) * | 2014-12-04 | 2016-06-09 | Jsr株式会社 | 固体撮像装置 |
DE102016105579A1 (de) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | Connaught Electronics Ltd. | Optisches Filter für eine Kamera eines Kraftfahrzeugs, Kamera für ein Fahrerassistenzsystem, Fahrerassistenzsystem sowie Kraftfahrzug mit einem Fahrerassistensystem |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4996427A (en) * | 1989-12-26 | 1991-02-26 | General Electric Company | Imager for simultaneously obtaining two images of differing color bands using a single photodetector area array |
US5258618A (en) * | 1991-12-12 | 1993-11-02 | General Electric Company | Infrared imager forming two narrow waveband images of the same object field |
FR2737566B1 (fr) * | 1995-08-02 | 1997-09-19 | Sofradir | Procede pour realiser l'assemblage d'un bloc de detection d'ondes electromagnetiques, notamment infrarouges, avec un support conducteur thermique, et detecteur d'ondes electromagnetiques mettant en oeuvre ce procede |
US7279353B2 (en) * | 2003-04-02 | 2007-10-09 | Micron Technology, Inc. | Passivation planarization |
US7109488B2 (en) | 2004-02-26 | 2006-09-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Multi-color infrared imaging device |
US7924483B2 (en) * | 2006-03-06 | 2011-04-12 | Smith Scott T | Fused multi-array color image sensor |
US7655911B2 (en) * | 2007-04-19 | 2010-02-02 | Drs Sensors & Targeting Systems, Inc. | Image sensor having a variable aperture and mono-color focal plane array for dual color detection |
KR100877069B1 (ko) * | 2007-04-23 | 2009-01-09 | 삼성전자주식회사 | 이미지 촬상 장치 및 방법 |
KR101475464B1 (ko) * | 2008-05-09 | 2014-12-22 | 삼성전자 주식회사 | 적층형 이미지 센서 |
US8084739B2 (en) * | 2008-07-16 | 2011-12-27 | Infrared Newco., Inc. | Imaging apparatus and methods |
US8686365B2 (en) * | 2008-07-28 | 2014-04-01 | Infrared Newco, Inc. | Imaging apparatus and methods |
EP2180513A1 (en) * | 2008-10-27 | 2010-04-28 | Stmicroelectronics SA | Near infrared/color image sensor |
US8559113B2 (en) | 2009-12-10 | 2013-10-15 | Raytheon Company | Multi-spectral super-pixel filters and methods of formation |
US8408821B2 (en) * | 2010-10-12 | 2013-04-02 | Omnivision Technologies, Inc. | Visible and infrared dual mode imaging system |
GB201020023D0 (en) * | 2010-11-25 | 2011-01-12 | St Microelectronics Ltd | Radiation sensor |
US8749636B2 (en) * | 2011-07-12 | 2014-06-10 | Lockheed Martin Corporation | Passive multi-band aperture filters and cameras therefrom |
US9143704B2 (en) * | 2012-01-20 | 2015-09-22 | Htc Corporation | Image capturing device and method thereof |
FR2999338B1 (fr) * | 2012-12-10 | 2017-12-08 | Soc Fr De Detecteurs Infrarouges - Sofradir | Imageur monolithique multispectral visible et infrarouge |
EP2951621B1 (en) * | 2013-01-29 | 2021-01-27 | Viavi Solutions Inc. | A variable optical filter and a wavelength-selective sensor based thereon |
FR3008825B1 (fr) * | 2013-07-18 | 2016-12-09 | Soc Francaise De Detecteurs Infrarouges - Sofradir | Doigt froid ameliore et dispositif de detection comportant le doigt froid |
CN203883014U (zh) | 2014-04-11 | 2014-10-15 | 武汉高德红外股份有限公司 | 一种基于红外滤波的红外双色探测器 |
FR3022396B1 (fr) | 2014-06-13 | 2016-07-22 | Sagem Defense Securite | Capteur matriciel bispectral et son procede de fabrication |
US9374538B2 (en) * | 2014-09-15 | 2016-06-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor with embedded infrared filter layer |
US9570491B2 (en) * | 2014-10-08 | 2017-02-14 | Omnivision Technologies, Inc. | Dual-mode image sensor with a signal-separating color filter array, and method for same |
US20170034456A1 (en) * | 2015-07-31 | 2017-02-02 | Dual Aperture International Co., Ltd. | Sensor assembly with selective infrared filter array |
US11002607B2 (en) * | 2019-04-01 | 2021-05-11 | Raytheon Company | Direct mounting of filters or other optical components to optical detectors using flexures |
-
2016
- 2016-12-07 FR FR1662090A patent/FR3059823B1/fr active Active
-
2017
- 2017-12-05 EP EP17816992.6A patent/EP3552237A1/fr active Pending
- 2017-12-05 WO PCT/FR2017/053405 patent/WO2018104655A1/fr unknown
- 2017-12-05 US US16/465,877 patent/US11302729B2/en active Active
- 2017-12-05 CN CN201780084974.4A patent/CN110235252B/zh active Active
- 2017-12-05 KR KR1020197019068A patent/KR102470061B1/ko active IP Right Grant
- 2017-12-05 JP JP2019530415A patent/JP7161267B2/ja active Active
-
2019
- 2019-06-06 IL IL267147A patent/IL267147B2/en unknown
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57204995A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-15 | Sanyo Electric Co | Pyroelectric infrared rays detector |
JPS61114336U (ja) * | 1985-12-25 | 1986-07-19 | ||
JPH0416330U (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-10 | ||
JPH05508911A (ja) * | 1990-06-09 | 1993-12-09 | ユーヴィソル・リミテッド | 光検出器 |
JPH0581667U (ja) * | 1992-03-31 | 1993-11-05 | 国際技術開発株式会社 | 赤外線受光装置 |
JP2001147161A (ja) * | 1999-09-23 | 2001-05-29 | State Of Israel Ministry Of Defence Armaments Development Authority Rafael | 赤外線ディテクター装置 |
JP2009075132A (ja) * | 1999-12-28 | 2009-04-09 | Hochiki Corp | 炎検出装置 |
US20110128423A1 (en) * | 2009-12-02 | 2011-06-02 | Lee Myung-Bok | Image sensor and method of manufacturing the same |
WO2016088644A1 (ja) * | 2014-12-04 | 2016-06-09 | Jsr株式会社 | 固体撮像装置 |
DE102016105579A1 (de) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | Connaught Electronics Ltd. | Optisches Filter für eine Kamera eines Kraftfahrzeugs, Kamera für ein Fahrerassistenzsystem, Fahrerassistenzsystem sowie Kraftfahrzug mit einem Fahrerassistensystem |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR3059823B1 (fr) | 2019-08-23 |
US11302729B2 (en) | 2022-04-12 |
EP3552237A1 (fr) | 2019-10-16 |
JP7161267B2 (ja) | 2022-10-26 |
WO2018104655A1 (fr) | 2018-06-14 |
IL267147B1 (en) | 2023-01-01 |
CN110235252A (zh) | 2019-09-13 |
KR20190091322A (ko) | 2019-08-05 |
CN110235252B (zh) | 2023-08-22 |
IL267147B2 (en) | 2023-05-01 |
IL267147A (en) | 2019-08-29 |
US20190296068A1 (en) | 2019-09-26 |
FR3059823A1 (fr) | 2018-06-08 |
KR102470061B1 (ko) | 2022-11-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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