JP2020205527A - 撮像装置、コンピュータプログラム及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は上記従来例の問題を解決し、モードに応じて画質劣化を抑制しつつ飽和電荷量を拡大可能な撮像装置を提供することを目的とする。
複数の画素を有し、各画素がそれぞれ、
光学系の異なる射出瞳領域を通過した複数の光束をそれぞれ受光して光電変換し電荷を生成するための複数の光電変換部と、
前記複数の光電変換部を分離する分離領域と、
前記複数の光電変換部の電荷をそれぞれ蓄積するための前記複数の光電変換部と同数の複数の第1の蓄積部と、を有する撮像素子と、
前記複数の光電変換部と前記複数の第1の蓄積部との間のポテンシャル障壁を、前記分離領域のポテンシャル障壁より低く、かつ、前記複数の光電変換部の空乏電位よりも高くする第1のモードと、前記複数の光電変換部と前記複数の第1の蓄積部との間のポテンシャル障壁を、前記分離領域のポテンシャル障壁より高くする第2のモードと、を選択的に切り替えるための制御手段とを有することを特徴とする。
なお、実施例においては、撮像装置としてデジタルスチルカメラに適用した例について説明するが、撮像装置はデジタルムービーカメラ、カメラ付きのスマートフォン、カメラ付きのタブレットコンピュータ、監視カメラなど撮像機能を有する電子機器を含む。
(実施例1)
次に、本実施例における撮像素子107について説明する。図2は、本実施例のCMOSイメージセンサー(撮像素子)の全体構成を概略的に示す図である。
図3は、画素アレイ201の画素配列を4列×4行の範囲で、分割された光電変換部を8列×4行の範囲で示したものである。なお、図中x軸方向を行方向と呼び、y軸方向を列方向と呼ぶ。
画素群300は2行×2列の画素からなる単位であり、R(赤)の分光感度を有する画素300Rが左上に、G(緑)の分光感度を有する画素300Gが右上と左下に、B(青)の分光感度を有する画素300Bが右下に配置されている。
図3に示した4列×4行の画素(8列×4行のPD)を面上に多数配置し、撮像画像および焦点検出信号の取得を可能としている。また、画素アレイの一部には、画素を2つの光電変換部PDA、PDBに分割せずに、1つの光電変換部のみを有する画素が存在しても良い。
図7は、本実施例による撮像装置100によって行われる被写体追従AF連続撮影のフローチャートであり、図7を用いて被写体追従AF連続撮影について説明する。
ステップS701は、記録画像用の蓄積期間であり、画素内ポテンシャルを後述のポテンシャルB1(第2のモード)として露光・蓄積を行う。光量は、絞り兼用シャッタ102を用いて制御する。
ステップS704では、各画素の複数の光電変換部でそれぞれ蓄積された視差情報を含む信号を、撮像素子駆動回路124を介してそれぞれ別々にCPU121へ読み出す。複数の光電変換部からの信号はCPU121でそれぞれ別々に処理され、位相差信号が生成され、デフォーカス量算出や焦点検出に用いられる。なお本実施例では本信号はデフォーカス量算出等に用いるだけでなく、CPU121は上記の位相差信号をLV表示用画像等にも使用し表示部で表示可能にしている。なお、CPU121とは別に設けた画像処理回路125において、上記の加算処理や画像信号の形成等を行なっても良い。
ステップS706では、ステップS705で算出したレンズ駆動量を元に、レンズを駆動する。
ステップS707では、操作スイッチ群132に含まれるレリーズスイッチ(SW2)がオンかオフかを判断して、オンであればステップS701に戻り連写撮影を続ける。オフであれば連写撮影を停止して撮影を終了する。
図8は画素の等価回路図である。画素は、PDA301、PDB302、PDAに蓄積された電荷を転送する転送ゲートとしての転送トランジスタ(TA)801を有する。また、PDBに蓄積された電荷を転送する転送ゲートとしての転送トランジスタ(TB)802を有する。803はPDAに蓄積された電荷が転送される第1の蓄積部(FDA)、804はPDBに蓄積された電荷が転送される第1の蓄積部(FDB)である。即ち、2つの光電変換部の電荷をそれぞれ蓄積するための2つの第1の蓄積部を有する。
次に、ステップS702とステップS704の画像信号の読み出し方法について説明する。
期間1303では、後述する信号N2Aと信号N2Bをそれぞれ出力線815、816に行毎に順次読み出す。信号N2A、信号N2Bの読み出し完了後の蓄積期間1304の間に、絞りシャッタアクチュエータ112で絞り兼用シャッタ102を開閉し、露光を行う。期間1305では、後述する各画素の信号N1A、信号N1B、信号N1A+S1A、信号N1B+S1B、信号N2A+S2A、信号N2B+S2Bを読み出す。
次に、画素信号を列回路203に読み出す画素信号読み出し動作について説明する。
これら電圧から得た信号のうち、OUTA側の信号を信号N1A、OUTB側の信号を信号N1Bと呼ぶ。なお、信号N1A、信号N1Bはランダムノイズ及び固定パターンノイズ信号に相当する。
次にタイミングt6でTをオンにして、PDに蓄積した信号電荷をFDに転送し、Tをオフにした後に、タイミングt7でFDの電圧を、SFを用いて画素から読み出す。これら電圧から得た信号のうち、OUTA側の信号を信号N1A+S1A、OUTB側の信号を信号N1B+S1Bと呼ぶ。なお、信号S1A、信号S1Bは蓄積期間終了時にPDに蓄積されていた電荷信号に相当する。
(N1A+S1A)−N1A=S1A
(N1B+S1B)−N1B=S1B
(N2A+S2A)−N2A=S2A
(N2B+S2B)−N2B=S2B
を行うことで、ランダムノイズ及び固定パターンノイズを除去し、信号S1A、信号S1B、信号S2A、信号S2Bを得る。前述のように、信号S1A、信号S1Bは、蓄積期間終了時にPDに蓄積されていた電荷信号に相当する。
次に、読み出した画素信号の選択方法について説明する。
そこで、本実施例では、表示/記録用の画像信号を生成する際には、図16、図17に示すように制御する。即ち、図16はPDA、PDB、FDA、FDB、CSA、CSBに蓄積される信号電荷量と光量の関係の一例を示す図であり、図17は、光量が1601、1602、1603のそれぞれにおける電荷蓄積の例を示す図である。
このようにして得られた出力信号電圧・SN比と光量の関係を説明する。図18は位相差信号用のポテンシャルA1の場合、図19は画像信号用のポテンシャルB1の場合の出力信号電圧・SN比の関係を模式的に示す図である。
以上のように構成することで、各画素が撮像/位相差信号を出力する撮像素子において、画質劣化なしに飽和電荷量を拡大することができる。
(実施例2)
図20は、実施例2に係る、画像信号蓄積用の画素の最小ポテンシャルを模式的に示す図であり、本実施例中ではポテンシャルB2と呼ぶ。ポテンシャルB2においては、図11と比べると、転送ゲートTAのポテンシャル障壁2001とTBのポテンシャル障壁2002に差を設けたポテンシャルとなっている。このような構成とすることで、PDが飽和した場合に発生した電荷はFDAに優先的に移動するようにしている。
(実施例3)
図22は、実施例3に係る、位相差信号蓄積用の画素の最小ポテンシャルを模式的に示す図であり、本実施例中ではポテンシャルA2と呼ぶ。ポテンシャルA2は第1のモードの一種である。しかし、図9と比べると、同じ画素内の蓄積容量CSAと蓄積容量CSBの間の領域2201のポテンシャル障壁2203を、PDA、PDBの完全空乏化電位より低く設定したポテンシャルとなっている。即ち、同じ画素内の第2の蓄積部同士の間のポテンシャル障壁の高さを光電変換部の完全空乏化電位より低くしている。このような構成とすることで、CSAが飽和した場合に電荷がCSBに移動して蓄積され、CSBが飽和した場合に電荷がCSAに移動して蓄積される。
例えば実施例ではPDA、PDBからの信号を位相差検出に用いているが、視差信号として表示することで、立体画像の表示に用いてもよい。あるいは画像内の各部分に対応した距離マップを作成するのに使っても良い。
112 絞りシャッタアクチュエータ
113 フォーカスアクチュエータ
114 電子フラッシュ
115 AF補助光発光部
122 フラッシュ制御回路
123 補助光駆動回路
124 撮像素子駆動回路
125 画像処理回路
126 フォーカス駆動回路
127 絞りシャッタ駆動回路
128 ズーム駆動回路
131 表示器
132 操作スイッチ群
133 フラッシュメモリ
Claims (13)
- 複数の画素を有し、各画素がそれぞれ、
光学系の異なる射出瞳領域を通過した複数の光束をそれぞれ受光して光電変換し電荷を生成するための複数の光電変換部と、
前記複数の光電変換部を分離する分離領域と、
前記複数の光電変換部の電荷をそれぞれ蓄積するための前記複数の光電変換部と同数の複数の第1の蓄積部と、を有する撮像素子と、
前記複数の光電変換部と前記複数の第1の蓄積部との間のポテンシャル障壁を、前記分離領域のポテンシャル障壁より低く、かつ、前記複数の光電変換部の空乏電位よりも高くする第1のモードと、前記複数の光電変換部と前記複数の第1の蓄積部との間のポテンシャル障壁を、前記分離領域のポテンシャル障壁より高くする第2のモードと、を選択的に切り替えるための制御手段とを有することを特徴とする撮像装置。 - 前記制御手段は、前記第2のモードにおいて前記複数の光電変換部でそれぞれ生成された電荷をそれぞれ前記複数の第1の蓄積部を介して加算して読み出して画像信号を形成することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記制御手段は、前記第1のモードにおいて前記複数の光電変換部でそれぞれ生成された電荷をそれぞれ前記複数の第1の蓄積部を介して読み出して位相差信号を形成することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記制御手段は、前記第1のモードにおいて前記複数の光電変換部でそれぞれ生成された電荷をそれぞれ前記複数の第1の蓄積部を介して読み出して画像信号を形成することを特徴とする請求項3に記載の撮像装置。
- 前記複数の蓄積部に蓄積された電荷の一部をそれぞれ蓄積するための、前記複数の第1の蓄積部と同数の複数の第2の蓄積部と、
前記複数の第1の蓄積部と前記複数の第2の蓄積部の間のポテンシャル障壁をそれぞれ制御する複数の蓄積ゲートと、を有することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。 - 前記制御手段は、前記第2のモードにおいて、同じ画素内の前記複数の光電変換部と前記複数の第1の蓄積部との間のポテンシャル障壁の高さを異ならせることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記第1のモードにおいて、前記制御手段は、同じ画素内の前記第2の蓄積部同士の間のポテンシャル障壁の高さが、前記光電変換部の完全空乏化電位より低くなるようにすることを特徴とする請求項5に記載の撮像装置。
- 同じ画素内の前記第2の蓄積部同士の間のポテンシャル障壁の高さを制御するための接続ゲートを有することを特徴とする請求項5に記載の撮像装置。
- 前記制御手段は、前記光電変換部で発生した電荷を前記第1の蓄積部で蓄積した第1の画素信号と、
前記光電変換部で発生した電荷を前記第1の蓄積部と前記第2の蓄積部とを接続した状態で蓄積した第2の画素信号とを読み出し、
前記第2の画素信号の大きさが所定の閾値より大きい場合に前記第2の画素信号を選択し、前記第2の画素信号の大きさが前記閾値より小さい場合に前記第1の画素信号を選択することを特徴とする請求項5に記載の撮像装置。 - 前記制御手段は、前記第1のモードと前記第2のモードとで前記閾値の大きさを変更することを特徴とする請求項9に記載の撮像装置。
- 前記複数の光電変換部と前記複数の第1の蓄積部との間のポテンシャル障壁を制御するための転送ゲートを有することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 請求項1〜11のうちいずれか一項に記載の前記撮像装置の前記制御手段としてコンピュータを機能させるためのコンピュータプログラム。
- 請求項12に記載のコンピュータプログラムを記憶したコンピュータで読み取り可能な記憶媒体。
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