JP2020191385A - 炭化珪素エピタキシャル基板、炭化珪素半導体チップおよび炭化珪素半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
最初に本開示の実施形態を列挙して説明する。本明細書の結晶学的記載においては、個別方位を[]、集合方位を<>、個別面を()、集合面を{}でそれぞれ示す。結晶学上の指数が負であることは、通常、数字の上に”−”(バー)を付すことによって表現されるが、本明細書では数字の前に負の符号を付すことによって結晶学上の負の指数を表現する。
[本開示の実施形態の詳細]
以下、本開示の実施形態の詳細について説明する。以下の説明では、同一または対応する要素には同一の符号を付し、それらについて同じ説明は繰り返さない。
まず、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板100の構成について説明する。図1は、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板100の構成を示す平面模式図である。図2は、図1のII−II線に沿った断面模式図である。
Z1/2密度は、DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)法によって測定することができる。当該DLTS法によれば、接合容量の過渡変化に基づいて、Z1/2密度が求められる。測定装置としては、たとえばPhystech社製FT1230を使用することができる。測定周波数は1MHz、測定温度は150K以上500K以下である。ショットキー電極として、直径1mmのNi電極などを使用することができる。
炭化珪素エピタキシャル基板100においては、炭化珪素エピタキシャル層3の第1主面1に平行な方向において、キャリア寿命のばらつきが低減されている。別の観点から言えば、炭化珪素エピタキシャル層3の第1主面1に平行な方向において、キャリア寿命の面内均一性が高い。具体的には、炭化珪素エピタキシャル層3の第1主面1に平行な方向において、炭化珪素エピタキシャル層3におけるキャリア寿命の最大値を最大寿命とし、炭化珪素エピタキシャル層3におけるキャリア寿命の最小値を最小寿命とした場合、最大寿命から最小寿命を引いた値を最大寿命で除した値は、0.05以上0.2以下である。
キャリア寿命は、μ−PCD(Microwave Photo Conductivity Decay)法により測定することができる。当該μ−PCD法によれば、炭化珪素エピタキシャル層3に対して励起レーザを照射することで過剰キャリアを生成し、過剰キャリアの再結合と共に減少する導電率をマイクロ波の反射率から測定することで、キャリア寿命が求められる。測定装置としては、コベルコ科研製LTA-2200EP/Fを使用することができる。励起レーザは、たとえば波長349nmのYLF(イットリウムリチウムフルオライド)レーザであり、マイクロ波の周波数は26GHzを使用することができる。レーザを照射することにより励起されて生成した少数キャリアに対応する信号の強度の減衰が、指数関数と見なせる領域より求めた時定数を少数キャリアの寿命と定義する。
次に、第1実施形態に係る炭化珪素半導体モジュール300の構成について説明する。図3は、第1実施形態に係る炭化珪素半導体モジュール300の構成を示す平面模式図である。
次に、第1炭化珪素半導体チップ210の構成について説明する。図5は、第1炭化珪素半導体チップ210の構成を示す平面模式図である。図6は、図5のVI−VI線に沿った断面模式図である。
次に、炭化珪素エピタキシャル基板100の製造方法について説明する。
まず、上述の方法によって、Z1/2と呼ばれる点欠陥41の面内均一性が高い炭化珪素エピタキシャル基板100が製造される。次に、イオン注入工程が実施される。具体的には、たとえばアルミニウムなどのp型不純物が炭化珪素エピタキシャル層3に対してイオン注入される。これにより、ボディ領域30が形成される。次に、たとえばリンなどのn型不純物がボディ領域30に対してイオン注入される。これにより、ソース領域40が形成される。次に、コンタクト領域8が形成される領域上に開口部を有するマスク層(図示せず)が形成される。次に、たとえばアルミニウムなどのp型不純物がソース領域40に注入される。これにより、ソース領域40およびボディ領域30の各々を貫通し、かつドリフト領域10に接するコンタクト領域8が形成される(図13参照)。
まず、回路基板20が準備される。図4に示されるように、回路基板20は、基材24と、回路パターン23とを有している。回路パターン23は、基材24上に設けられている。回路基板20は、第3主面21と、第4主面22とを有している。第4主面22は、第3主面21と反対側の面である。第3主面21は、回路パターン23により構成されている。第4主面22は、基材24により構成されている。
2 第2主面
3 炭化珪素エピタキシャル層
4 炭化珪素基板
5 側面
6 底面
7 ゲートトレンチ
8 コンタクト領域(第2導電型炭化珪素層)
9 基底面転位
10 ドリフト領域、n型エピタキシャル層(第1導電型炭化珪素層)
11 中央領域
12 外周領域
13 中心
20 回路基板
21 第3主面
22 第4主面
23 回路パターン
24 基材
25 オリエンテーションフラット部
26 円弧状部
27 周縁
30 ボディ領域
33 マスク層
40 ソース領域
41 点欠陥
42 炭素原子
43 二酸化珪素膜
44 炭素イオン
50 接合部材
60 第1電極(ソース電極)
61 電極膜
62 金属膜
63 第2電極(ドレイン電極)
64 ゲート電極
71 ゲート絶縁膜
72 分離絶縁膜
100 炭化珪素エピタキシャル基板
101 第1方向
102 第2方向
150 トランジスタ
151 ダイオード
200 炭化珪素半導体チップ
201 第1チップ
202 第2チップ
203 第3チップ
204 第4チップ
210 第1炭化珪素半導体チップ
220 第2炭化珪素半導体チップ
300 炭化珪素半導体モジュール
S 測定領域
T 厚み
W1 直径
W2 外周幅
Claims (7)
- 炭化珪素基板と、
前記炭化珪素基板上にある炭化珪素エピタキシャル層とを備えた炭化珪素エピタキシャル基板であって、
前記炭化珪素エピタキシャル層の主面に平行な方向において、前記炭化珪素エピタキシャル層におけるキャリア寿命の最大値を最大寿命とし、前記炭化珪素エピタキシャル層におけるキャリア寿命の最小値を最小寿命とした場合、前記最大寿命から前記最小寿命を引いた値を前記最大寿命で除した値は、0.05以上0.2以下である、炭化珪素エピタキシャル基板。 - 前記最小寿命は、0.5μ秒以上である、請求項1に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
- 前記炭化珪素エピタキシャル層の厚みは、10μm以上50μm以下である、請求項1または請求項2に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
- 第1導電型を有する炭化珪素基板と、前記炭化珪素基板上にある炭化珪素エピタキシャル層とを含む炭化珪素エピタキシャル基板を備え、
前記炭化珪素エピタキシャル層は、前記炭化珪素基板に接する第1導電型炭化珪素層と、前記第1導電型炭化珪素層上にある第2導電型炭化珪素層とを有し、さらに、
前記第2導電型炭化珪素層に接する第1電極と、
前記炭化珪素基板に接する第2電極とを備え、
前記炭化珪素エピタキシャル基板の主面に平行な方向において、前記第1導電型炭化珪素層におけるキャリア寿命の最大値を最大寿命とし、前記第1導電型炭化珪素層におけるキャリア寿命の最小値を最小寿命とした場合、前記最大寿命から前記最小寿命を引いた値を前記最大寿命で除した値は、0.05以上0.2以下である、炭化珪素半導体チップ。 - 回路基板と、
前記回路基板に実装された複数の炭化珪素半導体チップとを備え、
前記複数の炭化珪素半導体チップの各々は、
第1導電型を有する炭化珪素基板と、前記炭化珪素基板上にある炭化珪素エピタキシャル層とを含む炭化珪素エピタキシャル基板を含み、
前記炭化珪素エピタキシャル層は、前記炭化珪素基板に接する第1導電型炭化珪素層と、前記第1導電型炭化珪素層上にある第2導電型炭化珪素層とを有し、さらに、
前記第2導電型炭化珪素層に接する第1電極と、
前記炭化珪素基板に接する第2電極とを含み、
前記複数の炭化珪素半導体チップにおいて、前記第1導電型炭化珪素層におけるキャリア寿命の最大値を最大寿命とし、前記第1導電型炭化珪素層におけるキャリア寿命の最小値を最小寿命とした場合、前記最大寿命から前記最小寿命を引いた値を前記最大寿命で除した値は、0.05以上0.2以下である、炭化珪素半導体モジュール。 - 前記複数の炭化珪素半導体チップの各々は、トランジスタと、ダイオードとを含む、請求項5に記載の炭化珪素半導体モジュール。
- 前記複数の炭化珪素半導体チップは、トランジスタを含む第1炭化珪素半導体チップと、ダイオードを含む第2炭化珪素半導体チップとを有する、請求項5に記載の炭化珪素半導体モジュール。
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