JP2020188113A - Semiconductor device - Google Patents

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陽一 村澤
Yoichi Murasawa
陽一 村澤
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Abstract

To prevent the generation of a conductive foreign matter when a terminal is inserted into a connector.SOLUTION: A semiconductor device disclosed herein includes a semiconductor module with a male terminal, a connector that has a female terminal that comes into contact with the male terminal and into which the male terminal is inserted, and a guide that contacts the male terminal inserted into the connector and guides the male terminal to the connector. Except for the contact portion that comes into contact with the female terminal, at least a portion including a tip side of the contact portion of the male terminal is covered with an insulating material.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本明細書が開示する技術は、半導体装置に関する。 The techniques disclosed herein relate to semiconductor devices.

特許文献１には、半導体装置が開示されている。この半導体装置は、オス端子を有する半導体モジュールと、オス端子が挿入されるとともにオス端子と接触するメス端子を有するコネクタと、コネクタに挿入されるオス端子に接触して、オス端子をコネクタへ案内するガイドとを備える。 Patent Document 1 discloses a semiconductor device. This semiconductor device guides the male terminal to the connector by contacting a semiconductor module having a male terminal, a connector having a female terminal into which the male terminal is inserted and contacting the male terminal, and a male terminal inserted into the connector. With a guide to do.

特開２０１４−２３６１９１号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-236191

上記した半導体装置では、コネクタに挿入されるオス端子が、ガイドに接触しながらコネクタへ案内される。このとき、特にオス端子の先端側はガイドに対して摺動するので、オス端子の表面がガイドによって削り取られることがある。オス端子は導電性を有する材料を用いて形成されていることから、その削り屑も導電性を有する。導電性を有する異物が発生すると、それが付着することによって、半導体装置やその周囲に位置する電子機器を短絡させるおそれがある。従って、本明細書は、そのような異物の発生を抑制し得る技術を提供する。 In the above-mentioned semiconductor device, the male terminal inserted into the connector is guided to the connector while contacting the guide. At this time, since the tip side of the male terminal slides with respect to the guide, the surface of the male terminal may be scraped off by the guide. Since the male terminal is formed using a material having conductivity, the shavings thereof also have conductivity. When a foreign substance having conductivity is generated, it may adhere to the semiconductor device and the electronic devices located around the semiconductor device to be short-circuited. Therefore, the present specification provides a technique capable of suppressing the generation of such a foreign substance.

本明細書が開示する半導体装置は、オス端子を有する半導体モジュールと、オス端子が挿入されるとともに、オス端子と接触するメス端子を有するコネクタと、コネクタに挿入されるオス端子に接触して、オス端子をコネクタへ案内するガイドとを備える。オス端子は、メス端子と接触する接点部を除いて、少なくとも接点部よりも先端側を含む部分が絶縁性の材料で被覆されている。 The semiconductor device disclosed in the present specification includes a semiconductor module having a male terminal, a connector having a female terminal in which the male terminal is inserted, and a female terminal in contact with the male terminal, and a male terminal inserted into the connector. It is equipped with a guide that guides the male terminal to the connector. Except for the contact portion that comes into contact with the female terminal, at least the portion including the tip side of the contact portion of the male terminal is covered with an insulating material.

上記した半導体装置では、オス端子は、メス端子と接触する接点部を除いて、少なくとも接点部よりも先端側を含む部分が絶縁性の材料で被覆されている。このような構成によると、オス端子がコネクタへ挿入されるときに、ガイドに対して特に摺動するオス端子の先端側が、ガイドによって表面が削り取られたとしても、その削り屑は導電性を有さない。そのため導電性の異物の発生が抑制されるので、例えば、それに起因する短絡等を防止することができる。 In the above-mentioned semiconductor device, at least the portion including the tip side of the contact portion is covered with an insulating material in the male terminal except for the contact portion in contact with the female terminal. According to such a configuration, when the male terminal is inserted into the connector, the shavings have conductivity even if the surface of the tip side of the male terminal, which slides particularly with respect to the guide, is scraped by the guide. Do not. Therefore, the generation of conductive foreign matter is suppressed, and for example, a short circuit caused by the occurrence can be prevented.

実施例の電力制御装置１００の内部構造を示す断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view showing the internal structure of the power control device 100 of the embodiment. 電力制御装置１００の内部構造を示す断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view showing the internal structure of the power control device 100. 図１のＩＩＩ部における拡大図。Enlarged view in Part III of FIG. 半導体モジュール２０が有するオス端子２８を説明する図。The figure explaining the male terminal 28 included in the semiconductor module 20. オス端子２８の一変形例を示す断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a modified example of the male terminal 28.

（実施例１）図面を参照して、実施例の電力制御装置１００について説明をする。電力制御装置１００は、本明細書が開示する技術における半導体装置の一例である。ここで例示する電力制御装置１００は、電気自動車、ハイブリッド自動車、燃料電池車等の電動車に搭載され、電源とモータジェネレータとの間で電力の変換を行う。図１、図２、図３に示すように、電力制御装置１００は、主に、半導体モジュールユニット１０、大容量コンデンサ１２、リアクトル１４及び制御基板１６を備える。 (Example 1) The power control device 100 of the embodiment will be described with reference to the drawings. The power control device 100 is an example of a semiconductor device in the technology disclosed in the present specification. The power control device 100 illustrated here is mounted on an electric vehicle such as an electric vehicle, a hybrid vehicle, or a fuel cell vehicle, and converts power between a power source and a motor generator. As shown in FIGS. 1, 2, and 3, the power control device 100 mainly includes a semiconductor module unit 10, a large-capacity capacitor 12, a reactor 14, and a control board 16.

半導体モジュールユニット１０は、複数の半導体モジュール２０と複数の冷却器２２とを備える。半導体モジュール２０と冷却器２２は、交互に配置されている。半導体モジュール２０は、パワー半導体素子（不図示）を内蔵している。パワー半導体素子は、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）、又はダイオードである。 The semiconductor module unit 10 includes a plurality of semiconductor modules 20 and a plurality of coolers 22. The semiconductor module 20 and the cooler 22 are arranged alternately. The semiconductor module 20 has a built-in power semiconductor element (not shown). The power semiconductor element is, for example, an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), or a diode.

半導体モジュール２０は、封止体２１と、複数の信号端子（以下、本明細書ではオス端子２８と称する）を備える。封止体２１は、半導体モジュール２０に内蔵されるパワー半導体素子を封止する。封止体２１は、概して板形状を有し、冷却器２２に隣接する二つの主表面と、二つの主表面の間に延びる側面２１ａを有する。封止体２１は、例えばエポキシ樹脂といった絶縁性の材料を用いて構成されている。各々のオス端子２８は、封止体２１の側面２１ａから制御基板１６に向かって垂直に延びている。各々のオス端子２８は、主に、例えば銅、アルミニウム又はその他の金属といった導電性を有する材料を用いて構成されている。 The semiconductor module 20 includes a sealing body 21 and a plurality of signal terminals (hereinafter, referred to as male terminals 28 in the present specification). The sealant 21 seals the power semiconductor element incorporated in the semiconductor module 20. The sealant 21 has a generally plate shape and has two main surfaces adjacent to the cooler 22 and side surfaces 21a extending between the two main surfaces. The sealing body 21 is constructed by using an insulating material such as an epoxy resin. Each male terminal 28 extends vertically from the side surface 21a of the sealing body 21 toward the control board 16. Each male terminal 28 is predominantly constructed using a conductive material such as copper, aluminum or other metal.

制御基板１６は、概して板形状を有し、例えば、ガラスエポキシやセラミック等といった絶縁材料を用いて構成されている。制御基板１６は、ＣＰＵやメモリを内蔵するコントローラ等を有し、各々の半導体モジュール２０に内蔵されたパワー半導体素子の動作を制御する。制御基板１６には、複数の貫通孔１６ａが設けられており、各々の貫通孔１６ａには、コネクタ２４及び第１ガイド２６が設けられている。各々のコネクタ２４には、対応する半導体モジュール２０のオス端子２８が挿入されており、これによって、各々の半導体モジュール２０が制御基板１６へ電気的に接続されている。貫通孔１６ａの断面形状は、特に限定されないが、矩形状又は円形状を有している。また、貫通孔１６ａは、オス端子２８の断面の外周縁よりも大きく形成されている。 The control substrate 16 generally has a plate shape, and is configured by using an insulating material such as glass epoxy or ceramic. The control board 16 has a controller with a built-in CPU and a memory, and controls the operation of the power semiconductor element built in each semiconductor module 20. The control board 16 is provided with a plurality of through holes 16a, and each through hole 16a is provided with a connector 24 and a first guide 26. A male terminal 28 of the corresponding semiconductor module 20 is inserted into each connector 24, whereby each semiconductor module 20 is electrically connected to the control board 16. The cross-sectional shape of the through hole 16a is not particularly limited, but has a rectangular shape or a circular shape. Further, the through hole 16a is formed larger than the outer peripheral edge of the cross section of the male terminal 28.

コネクタ２４は、制御基板１６の上側に位置している。コネクタ２４は、概して筒形状を有し、制御基板１６の貫通孔１６ａを通過したオス端子２８を受け入れる。コネクタ２４のハウジングは、例えば樹脂といった絶縁材料を用いて構成されている。コネクタ２４の内部には、挿入されたオス端子２８に接触するメス端子２５が設けられている。メス端子２５は、例えば銅又は他の金属といった導電性を有する材料を用いて構成されている。コネクタ２４の内部において、オス端子２８とメス端子２５とが接触することにより、半導体モジュール２０と制御基板１６とが電気的に接続される。 The connector 24 is located above the control board 16. The connector 24 has a generally tubular shape and receives the male terminal 28 that has passed through the through hole 16a of the control board 16. The housing of the connector 24 is made of an insulating material such as resin. Inside the connector 24, a female terminal 25 that comes into contact with the inserted male terminal 28 is provided. The female terminal 25 is constructed using a conductive material such as copper or other metal. The semiconductor module 20 and the control board 16 are electrically connected to each other by the contact between the male terminal 28 and the female terminal 25 inside the connector 24.

第１ガイド２６は、制御基板１６の下側に位置しており、半導体モジュール２０のオス端子２８をコネクタ２４へ案内する。第１ガイド２６には、オス端子２８が挿入される挿入口２６ｅと、挿入口２６ｅからコネクタ２４に向けて延びるガイド面２６ａとが設けられている。一例ではあるが、本実施例におけるガイド面２６ａは、概してテーパ形状を有しており、第１ガイド２６に挿入されたオス端子２８が、ガイド面２６ａに接触しながらコネクタ２４へ案内される。加えて、コネクタ２４の内部にも、第２ガイド２７が設けられている。第１ガイド２６と同様に、第２ガイド２７は、概してテーパ形状を有するガイド面２７ａを有している。第２ガイド２７は、第１ガイド２６によって案内されたオス端子２８をメス端子２５へさらに案内する。 The first guide 26 is located below the control board 16 and guides the male terminal 28 of the semiconductor module 20 to the connector 24. The first guide 26 is provided with an insertion port 26e into which the male terminal 28 is inserted, and a guide surface 26a extending from the insertion port 26e toward the connector 24. Although it is an example, the guide surface 26a in this embodiment generally has a tapered shape, and the male terminal 28 inserted into the first guide 26 is guided to the connector 24 while contacting the guide surface 26a. In addition, a second guide 27 is also provided inside the connector 24. Like the first guide 26, the second guide 27 has a guide surface 27a that generally has a tapered shape. The second guide 27 further guides the male terminal 28 guided by the first guide 26 to the female terminal 25.

なお、第１ガイド２６は、例えば樹脂といった絶縁材料によって構成されている。加えて、第１ガイド２６を構成する絶縁材料には、例えばガラス繊維といったフィラーが含有されている。このフィラーの含有により、電力制御装置１００の製造段階で第１ガイド２６に必要とされる耐熱性を向上することができる。 The first guide 26 is made of an insulating material such as resin. In addition, the insulating material constituting the first guide 26 contains a filler such as glass fiber. By containing this filler, the heat resistance required for the first guide 26 at the manufacturing stage of the power control device 100 can be improved.

図３、４を参照して、複数のオス端子２８の詳細について説明する。上記したが、半導体モジュール２０は、複数のオス端子２８を備える。各々のオス端子２８は、例えば銅、アルミニウム又はその他の金属といった、導電性を有する材料を用いて構成されている。各々のオス端子２８は、概して細長い板形状を有し、表裏に位置する二つの主表面と、その二つの主表面に隣接する二つの側面とを有する。オス端子２８の先端は、概してテーパ形状を有している。図３に示すように、各々のオス端子２８は、接点部２８ａを有する。接点部２８ａは、オス端子２８がコネクタ２４へ規定の位置まで挿入されたときに、コネクタ２４内のメス端子２５に接触する部位である。各々のオス端子２８では、接点部２８ａが長手方向の中間に位置しており、接点部２８ａに隣接して干渉部２８ｂ１、２８ｂ２がさらに存在する。即ち、干渉部２８ｂ１、２８ｂ２は、接点部２８ａに隣接するその他の部位である。以下では、接点部２８ａよりも先端側に位置する部分を第１干渉部２８ｂ１と称し、接点部２８ａよりも基端側（即ち、封止体２１の側面２１ａ側）に位置する部分を第２干渉部２８ｂ２と称する。 The details of the plurality of male terminals 28 will be described with reference to FIGS. 3 and 4. As described above, the semiconductor module 20 includes a plurality of male terminals 28. Each male terminal 28 is constructed using a conductive material, such as copper, aluminum or other metal. Each male terminal 28 generally has an elongated plate shape and has two main surfaces located on the front and back sides and two side surfaces adjacent to the two main surfaces. The tip of the male terminal 28 generally has a tapered shape. As shown in FIG. 3, each male terminal 28 has a contact portion 28a. The contact portion 28a is a portion that comes into contact with the female terminal 25 in the connector 24 when the male terminal 28 is inserted into the connector 24 to a specified position. In each male terminal 28, the contact portion 28a is located in the middle in the longitudinal direction, and the interference portions 28b1 and 28b2 are further present adjacent to the contact portion 28a. That is, the interference portions 28b1 and 28b2 are other portions adjacent to the contact portion 28a. Hereinafter, the portion located closer to the tip end side than the contact portion 28a is referred to as the first interference portion 28b1, and the portion located closer to the proximal end side (that is, the side surface 21a side of the sealing body 21) than the contact portion 28a is referred to as the first interference portion 28b1. It is referred to as an interference unit 28b2.

オス端子２８は、部分的に被覆膜３２で被覆されている。被覆膜３２は、例えば樹脂といった、絶縁性の材料を用いて構成されている。オス端子２８は、接点部２８ａを除いて（即ち、本実施例でいう第１干渉部２８ｂ１及び第２干渉部２８ｂ２において）、被覆膜３２によって被覆されている。即ち、オス端子２８は、接点部２８ａにおいて、被覆膜３２から露出しており、オス端子２８がコネクタ２４へ規定の位置まで挿入されたときに、オス端子２８がメス端子２５と直接接触する。 The male terminal 28 is partially covered with a coating film 32. The coating film 32 is made of an insulating material such as a resin. The male terminal 28 is covered with a coating film 32 except for the contact portion 28a (that is, in the first interference portion 28b1 and the second interference portion 28b2 referred to in this embodiment). That is, the male terminal 28 is exposed from the coating film 32 at the contact portion 28a, and when the male terminal 28 is inserted into the connector 24 to a specified position, the male terminal 28 comes into direct contact with the female terminal 25. ..

オス端子２８がコネクタ２４に挿入されるとき、オス端子２８は第１ガイド２６に接触しながら案内される。このとき、オス端子２８は第１ガイド２６に対して摺動するので、表面が第１ガイド２６によって削り取られることがある。第１ガイド２６には、例えばガラス繊維といった硬質のフィラーが含有されている。そのため、オス端子２８の表面は、第１ガイド２６内のフィラーによって削り取られ易い。オス端子２８は導電性を有しているため、第１ガイド２６によって削り取られたオス端子２８の削り屑も導電性を有する。このような導電性を有する異物が発生すると、それが付着することによって、半導体モジュール２０やその周囲に位置する制御基板１６等の電子機器を短絡させるおそれがある。 When the male terminal 28 is inserted into the connector 24, the male terminal 28 is guided while contacting the first guide 26. At this time, since the male terminal 28 slides with respect to the first guide 26, the surface may be scraped off by the first guide 26. The first guide 26 contains a hard filler such as glass fiber. Therefore, the surface of the male terminal 28 is easily scraped off by the filler in the first guide 26. Since the male terminal 28 has conductivity, the shavings of the male terminal 28 scraped off by the first guide 26 also have conductivity. When such a foreign substance having conductivity is generated, it may cause a short circuit of electronic devices such as the semiconductor module 20 and the control board 16 located around the semiconductor module 20 by adhering to the foreign substance.

上記課題を解決するために、本実施例のオス端子２８は、メス端子２５と接触する接点部２８ａを除いて、被覆膜３２で被覆されている。このような構成によると、オス端子２８がコネクタ２４へ挿入されるときに、第１ガイド２６に対して摺動するオス端子２８は、第１ガイド２６によって被覆膜３２が削り取られる。従って、その削り屑は導電性を有さない。そのため導電性の異物の発生が抑制されるので、例えば、それに起因する短絡等を防止することができる。 In order to solve the above problems, the male terminal 28 of this embodiment is covered with a coating film 32 except for the contact portion 28a that comes into contact with the female terminal 25. According to such a configuration, when the male terminal 28 is inserted into the connector 24, the coating film 32 of the male terminal 28 that slides with respect to the first guide 26 is scraped off by the first guide 26. Therefore, the shavings do not have conductivity. Therefore, the generation of conductive foreign matter is suppressed, and for example, a short circuit caused by the occurrence can be prevented.

本実施例のオス端子２８は、メス端子２５と接触する接点部２８ａを除いて、第１干渉部２８ｂ１及び第２干渉部２８ｂ２が被覆膜３２で被覆されている。但し、オス端子２８の被覆膜３２で被覆される部分は、これに限定されず、第１干渉部２８ｂ１だけが被覆膜３２で被覆されていてもよい。オス端子２８は、特に先端側が第１ガイド２６に対して摺動するので、オス端子２８の第１干渉部２８ｂ１における表面が第１ガイド２６によって削り取られやすい。従って、オス端子２８は、メス端子２５と接触する接点部２８ａを除いて、少なくとも接点部２８ａよりも先端側を含む部分が絶縁性の材料で被覆されているとよい。従って、オス端子２８は、接点部２８ａにおいて、露出している。但し、オス端子２８は、オス端子２８の断面における周縁全体において必ずしも露出していなくてもよい。ここでいうオス端子２８の断面とは、オス端子２８の長手方向に垂直に切断した断面のことを示す。 In the male terminal 28 of this embodiment, the first interference portion 28b1 and the second interference portion 28b2 are covered with a coating film 32, except for the contact portion 28a that comes into contact with the female terminal 25. However, the portion of the male terminal 28 covered with the coating film 32 is not limited to this, and only the first interference portion 28b1 may be covered with the coating film 32. Since the tip side of the male terminal 28 slides with respect to the first guide 26, the surface of the first interference portion 28b1 of the male terminal 28 is easily scraped off by the first guide 26. Therefore, it is preferable that at least a portion of the male terminal 28 including the tip side of the contact portion 28a is covered with an insulating material, except for the contact portion 28a that comes into contact with the female terminal 25. Therefore, the male terminal 28 is exposed at the contact portion 28a. However, the male terminal 28 does not necessarily have to be exposed on the entire peripheral edge in the cross section of the male terminal 28. The cross section of the male terminal 28 referred to here means a cross section cut perpendicularly to the longitudinal direction of the male terminal 28.

また、オス端子２８が、被覆膜３２によって被覆されることによって、オス端子２８全体の剛性が高まる。従って、オス端子２８の繰り返し応力による疲労の耐久性が高められる。 Further, since the male terminal 28 is covered with the coating film 32, the rigidity of the entire male terminal 28 is increased. Therefore, the durability of fatigue due to the repeated stress of the male terminal 28 is enhanced.

ここで、オス端子２８の作製方法について説明する。オス端子２８の被覆膜３２は、例えば樹脂といった絶縁性の材料で構成されている。一例ではあるが、被覆膜３２は、エポキシ樹脂といった熱硬化性樹脂を用いて構成されることができる。従って、被覆膜３２は、例えばインサート成形によって形成されてもよい。この場合に、被覆膜３２は、半導体モジュール２０の封止体２１と併せて形成することができる。これにより、半導体モジュール２０の製造時において、オス端子２８が変形する可能性を回避することができる。また、オス端子２８と半導体モジュール２０の他の部分との絶縁距離を短く設計することも可能となり、半導体モジュール２０のサイズの小型化を図ることができる。 Here, a method of manufacturing the male terminal 28 will be described. The coating film 32 of the male terminal 28 is made of an insulating material such as resin. As an example, the coating film 32 can be constructed by using a thermosetting resin such as an epoxy resin. Therefore, the coating film 32 may be formed by, for example, insert molding. In this case, the coating film 32 can be formed together with the sealing body 21 of the semiconductor module 20. As a result, it is possible to avoid the possibility that the male terminal 28 is deformed during the manufacturing of the semiconductor module 20. Further, it is possible to design the male terminal 28 to have a short insulation distance from other parts of the semiconductor module 20, and the size of the semiconductor module 20 can be reduced.

本実施例の電力制御装置１００では、各々のオス端子２８が、被覆膜３２によって個別に被覆されている。これにより、複数のオス端子２８がコネクタ２４に挿入されるときに、各々のオス端子２８が互いに独立して変形することができる。そのことから、オス端子２８と第１ガイド２６との接触圧が抑制されることで、異物の発生が効果的に抑制される。但し、これに限定されず、各々のオス端子２８は、第２干渉部２８ｂ２において、被覆膜３２が一体に形成されていてもよい。これにより、オス端子２８の剛性をさらに高めることができる。 In the power control device 100 of this embodiment, each male terminal 28 is individually coated with a coating film 32. As a result, when a plurality of male terminals 28 are inserted into the connector 24, the male terminals 28 can be deformed independently of each other. Therefore, the contact pressure between the male terminal 28 and the first guide 26 is suppressed, so that the generation of foreign matter is effectively suppressed. However, the present invention is not limited to this, and each male terminal 28 may have a coating film 32 integrally formed in the second interference portion 28b2. As a result, the rigidity of the male terminal 28 can be further increased.

なお、オス端子２８の構成は他にも様々に変形可能である。オス端子２８の形状は特に限定されず、オス端子２８が概して板形状を有していてもよいし、円柱形状又は角柱形状であってもよい。また、図５に示すように、オス端子２８が枝分かれ構造を有していてもよい。これにより、オス端子２８の強度を高めることができる。 The configuration of the male terminal 28 can be modified in various ways. The shape of the male terminal 28 is not particularly limited, and the male terminal 28 may generally have a plate shape, or may have a cylindrical shape or a prismatic shape. Further, as shown in FIG. 5, the male terminal 28 may have a branched structure. Thereby, the strength of the male terminal 28 can be increased.

本実施例の電力制御装置１００は、オス端子２８が被覆膜３２で被覆されており、被覆膜３２を含めたオス端子２８の外形は、オス端子２８単体での外形よりも大きくなる。言い換えると、オス端子２８単体での外形を小さくしても、被覆膜３２を含めたオス端子２８の外形は比較的に大きくすることができ、それによって、オス端子２８に必要とされる外形寸法や機械的な強度を満足することができる。これにより、オス端子２８を構成する材料の使用を低減することができる。 In the power control device 100 of this embodiment, the male terminal 28 is covered with a coating film 32, and the outer shape of the male terminal 28 including the coating film 32 is larger than the outer shape of the male terminal 28 alone. In other words, even if the outer shape of the male terminal 28 alone is reduced, the outer shape of the male terminal 28 including the coating film 32 can be made relatively large, whereby the outer shape required for the male terminal 28 is required. The dimensions and mechanical strength can be satisfied. As a result, the use of materials constituting the male terminal 28 can be reduced.

本実施例の電力制御装置１００では、オス端子２８の被覆膜３２は樹脂で形成されている。被覆膜３２を構成する材料は、絶縁性の材料であればよく、他の具体的な構成は特に限定されない。被覆膜３２は、例えばゲル状の材料で形成されていてもよい。 In the power control device 100 of this embodiment, the coating film 32 of the male terminal 28 is made of resin. The material constituting the coating film 32 may be any insulating material, and other specific configurations are not particularly limited. The coating film 32 may be formed of, for example, a gel-like material.

以上、本明細書が開示する技術の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書、又は、図面に説明した技術要素は、単独で、あるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組合せに限定されるものではない。本明細書又は図面に例示した技術は、複数の目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。 Although specific examples of the techniques disclosed in the present specification have been described in detail above, these are merely examples and do not limit the scope of claims. The techniques described in the claims include various modifications and modifications of the specific examples illustrated above. The technical elements described in the present specification or the drawings exhibit technical usefulness alone or in various combinations, and are not limited to the combinations described in the claims at the time of filing. The techniques illustrated in this specification or drawings can achieve a plurality of objectives at the same time, and achieving one of the objectives itself has technical usefulness.

１０：半導体モジュールユニット
１２：大容量コンデンサ
１４：リアクトル
１６：制御基板
１６ａ：貫通孔
２０：半導体モジュール
２１：封止体
２１ａ：側面
２２：冷却器
２４：コネクタ
２５：メス端子
２６：第１ガイド
２６ａ：ガイド面
２６ｅ：挿入口
２７：第２ガイド
２８：オス端子
２８ａ：接点部
２８ｂ１：第１干渉部
２８ｂ２：第２干渉部
３２：被覆膜
１００：電力制御装置 10: Semiconductor module unit 12: Large-capacity capacitor 14: Reactor 16: Control board 16a: Through hole 20: Semiconductor module 21: Encapsulant 21a: Side surface 22: Cooler 24: Connector 25: Female terminal 26: First guide 26a : Guide surface 26e: Insertion port 27: Second guide 28: Male terminal 28a: Contact portion 28b1: First interference portion 28b2: Second interference portion 32: Coating film 100: Power control device

Claims (1)

オス端子を有する半導体モジュールと、
前記オス端子が挿入されるとともに、前記オス端子と接触するメス端子を有するコネクタと、
前記コネクタに挿入される前記オス端子に接触して、前記オス端子を前記コネクタへ案内するガイドと、を備え、
前記オス端子は、前記メス端子と接触する接点部を除いて、少なくとも前記接点部よりも先端側を含む部分が絶縁性の材料で被覆されている、
半導体装置。 A semiconductor module with a male terminal and
A connector having a female terminal in which the male terminal is inserted and in contact with the male terminal,
A guide that comes into contact with the male terminal inserted into the connector and guides the male terminal to the connector is provided.
Except for the contact portion that comes into contact with the female terminal, at least the portion including the tip side of the contact portion of the male terminal is covered with an insulating material.
Semiconductor device.
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