JP2020182960A - Laser processing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、レーザー加工装置に関する。 The present invention relates to a laser processing apparatus.
ウェーハにレーザー光線を照射することによって、ウェーハをアブレーション加工して分割溝を形成するレーザー加工装置がある。分割溝に沿ってウェーハを分割することによって、チップが得られる。このようなレーザー加工装置では、チップを多く生産するために、分割溝の幅が狭くされる。 There is a laser processing apparatus that ablates a wafer to form a dividing groove by irradiating the wafer with a laser beam. Chips are obtained by splitting the wafer along the split groove. In such a laser processing apparatus, the width of the dividing groove is narrowed in order to produce a large number of chips.
たとえば、特許文献1に開示されている技術では、所定の間隔の隙間(スリット)を用いて、スリットを通過した幅が狭くなったレーザー光線を照射させ、分割溝の幅を狭くしている。
すなわち、この文献の技術では、スリットは、分割溝に対応した幅を有しており、この幅が狭められている。このような幅の狭いスリットを透過したレーザー光線をウェーハに照射することによって、狭い幅の分割溝が形成される。
For example, in the technique disclosed in Patent Document 1, a laser beam having a narrowed width passing through the slit is irradiated using a gap (slit) at a predetermined interval to narrow the width of the dividing groove.
That is, in the technique of this document, the slit has a width corresponding to the dividing groove, and this width is narrowed. By irradiating the wafer with a laser beam that has passed through such a narrow slit, a narrow split groove is formed.
しかしながら、従来、スリットの幅に関しては、予め決められた幅のスリットが形成された板(マスク部材)を用いていた。そのため、スリットの幅を変更する場合、板を交換する必要があり、板を交換後、スリットの幅の中心とレーザー光線の光軸中心とを一致させるために、スリットの位置調整を行う必要があり、スリットの幅を変更する事が困難である。 However, conventionally, with respect to the width of the slit, a plate (mask member) in which a slit having a predetermined width is formed has been used. Therefore, when changing the width of the slit, it is necessary to replace the plate, and after replacing the plate, it is necessary to adjust the position of the slit in order to match the center of the width of the slit with the center of the optical axis of the laser beam. , It is difficult to change the width of the slit.
このように、従来、スリットの幅を変更して分割溝の幅を変更することは、レーザー加工装置の生産性を低下させる。 As described above, conventionally, changing the width of the slit to change the width of the dividing groove reduces the productivity of the laser processing apparatus.
本発明の目的は、ウェーハをアブレーション加工する際、分割溝の幅を容易に変更することにある。
また、本発明の他の目的は、スリットを、スリットの中心とレーザー光線の光軸の中心とを一致させて形成させることにある。
An object of the present invention is to easily change the width of the dividing groove when the wafer is ablated.
Another object of the present invention is to form a slit by aligning the center of the slit with the center of the optical axis of the laser beam.
本発明のレーザー加工装置(本加工装置)は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物をレーザー光線の照射によって加工するレーザー加工手段と、該チャックテーブルを該レーザー加工手段に対して相対的にX軸方向に加工送りする加工送り手段と、該チャックテーブルを該レーザー加工手段に対して相対的に該X軸方向に直交するY軸方向にインデックス送りするインデックス送り手段と、を備えたレーザー加工装置であって、該レーザー加工手段は、レーザー光線を発振するレーザー発振器と、該レーザー発振器から発振されたレーザー光線を集光する集光器と、該レーザー発振器と該集光器との間に配設され、レーザー光線の進行方向に垂直な方向であるW軸方向のエネルギー分布を、裾野部分が垂直なガウシアン分布に修正するエネルギー分布修正手段と、を備え、該エネルギー分布修正手段は、レーザー光線のW軸方向の一方側を遮光する第1板と、該第1板に対向し、レーザー光線のW軸方向の他方側を遮光する第2板と、該第1板をW軸方向に移動させる第1移動機構と、該第2板をW軸方向に移動させる第2移動機構と、該第1移動機構と該第2移動機構とを制御する制御手段とを備え、該制御手段は、該第1移動機構と該第2移動機構とを制御して、レーザー光線の光軸の中心と中心を一致させた所定のスリット幅のスリットを、該第1板と該第2板との間で形成するように構成されている。 The laser processing apparatus (the present processing apparatus) of the present invention includes a chuck table for holding a workpiece, a laser processing means for processing the workpiece held on the chuck table by irradiation with a laser beam, and the chuck table. A machining feed means that feeds the laser processing means in the X-axis direction and an index that feeds the chuck table in the Y-axis direction that is relatively orthogonal to the laser machining means in the X-axis direction. A laser processing apparatus including a feeding means, wherein the laser processing means includes a laser oscillator that oscillates a laser beam, a condenser that collects a laser beam oscillated from the laser oscillator, the laser oscillator, and the laser processing means. It is provided with an energy distribution correcting means for correcting the energy distribution in the W-axis direction, which is a direction perpendicular to the traveling direction of the laser beam, to a Gaussian distribution having a vertical base portion, which is arranged between the condenser and the energy. The distribution correcting means includes a first plate that shields one side of the laser beam in the W-axis direction, a second plate that faces the first plate and shields the other side of the laser beam in the W-axis direction, and the first plate. It is provided with a first moving mechanism for moving in the W-axis direction, a second moving mechanism for moving the second plate in the W-axis direction, and a control means for controlling the first moving mechanism and the second moving mechanism. The control means controls the first moving mechanism and the second moving mechanism to form a slit having a predetermined slit width in which the center and the center of the optical axis of the laser beam are aligned with the first plate and the second. It is configured to form with a plate.
また、本加工装置では、該制御手段は、該第1板および該第2板によって遮光されていないレーザー光線の、パワーメータで測定されるエネルギー量である標準エネルギー量を記憶する第1記憶部と、該第1板もしくは該第2板のいずれか一方の板が、レーザー光線を遮光しない開放位置に固定されている他方の板に近づく第1方向に移動された場合における、該パワーメータで測定されるレーザー光線のエネルギー量が該標準エネルギー量の半分になったときの該一方の板の位置である中間位置を記憶している第2記憶部と、該中間位置にある該一方の板が該開放位置にある該他方の板と接触するまでの該第1方向に沿う移動距離である当接距離を記憶している第3記憶部と、該一方の板が該第1方向に移動されて該開放位置にある該他方の板と接触されている状態で、該第1板と該第2板との間隔が該スリット幅となるように、該第1板を該第1方向の反対の第2方向に移動させることにより、該スリット幅を有するスリットを形成する第1制御部と、
該第1制御部により形成された該スリットの中心をレーザー光線の光軸の中心と一致させるために、該スリットを形成している該第1板および該第2板を、該第2方向に、(該当接距離−該スリット幅/2)だけ移動させる第2制御部と、を備えてもよい。
Further, in the present processing apparatus, the control means includes a first storage unit that stores a standard energy amount, which is an energy amount measured by a power meter, of the first plate and a laser beam that is not shielded by the second plate. Measured by the power meter when either one of the first plate or the second plate is moved in the first direction approaching the other plate fixed in an open position that does not block the laser beam. The second storage unit that stores the intermediate position, which is the position of the one plate when the energy amount of the laser beam becomes half of the standard energy amount, and the one plate at the intermediate position are open. A third storage unit that stores the contact distance, which is the moving distance along the first direction until contact with the other plate at the position, and the one plate that is moved in the first direction. In a state of being in contact with the other plate in the open position, the first plate is placed in the opposite direction of the first direction so that the distance between the first plate and the second plate is the slit width. A first control unit that forms a slit having the slit width by moving in two directions,
In order to align the center of the slit formed by the first control unit with the center of the optical axis of the laser beam, the first plate and the second plate forming the slit are moved in the second direction. A second control unit that moves by (corresponding contact distance-the slit width / 2) may be provided.
また、本加工装置では、該制御手段は、該第1板および該第2板によって遮光されていないレーザー光線の、パワーメータで測定されるエネルギー量である標準エネルギー量を記憶する第1記憶部と、該第1板もしくは該第2板のいずれか一方の板が、レーザー光線を遮光しない開放位置に固定されている他方の板に近づく第1方向に移動された場合における、該パワーメータで測定されるレーザー光線のエネルギー量が該標準エネルギー量の半分になるような該一方の板の位置である中間位置を記憶している第2記憶部と、該一方の板が該中間位置にある状態で、該他方の板を、該第1方向の反対の第2方向に移動させ、該一方の板と接触させる第3制御部と、該第3制御部によって接触された該第1板および該第2板を、該スリット幅の半分の距離ずつ、該一方の板は該第2方向へ、該他方の板は該第1方向へ移動させ、互いに離間させることにより、レーザー光線の光軸の中心と一致する中心を有し、該スリット幅のスリットを形成する第4制御部と、を備えてもよい。 Further, in the present processing apparatus, the control means includes a first storage unit that stores a standard energy amount, which is an energy amount measured by a power meter, of the first plate and a laser beam that is not shielded by the second plate. Measured by the power meter when either one of the first plate or the second plate is moved in the first direction approaching the other plate fixed in an open position that does not block the laser beam. A second storage unit that stores an intermediate position that is the position of one of the plates so that the amount of energy of the laser beam is half of the standard amount of energy, and a state in which the one plate is in the intermediate position. A third control unit that moves the other plate in the second direction opposite to the first direction and makes contact with the one plate, and the first plate and the second plate that are contacted by the third control unit. By moving the plates by half the distance of the slit width, one plate in the second direction and the other plate in the first direction, and separated from each other, they coincide with the center of the optical axis of the laser beam. A fourth control unit that has a center and forms a slit having the slit width may be provided.
本加工装置では、制御手段が、第1板および第2板の位置を変更することによって、スリット幅を適切に設定するとともに、スリットの中心をレーザー光線の光軸の中心と一致させている。これにより、本加工装置では、スリット幅、すなわち、レーザー光線によって被加工物に形成される分割溝の幅を変更しても、スリットの中心とレーザー光線の光軸の中心とを一致させて分割溝の形状を適切に維持することができる。したがって、被加工物をアブレーション加工する際、分割溝の幅を容易かつ自在に変更することができる。 In this processing apparatus, the control means appropriately sets the slit width by changing the positions of the first plate and the second plate, and makes the center of the slit coincide with the center of the optical axis of the laser beam. As a result, in this processing apparatus, even if the slit width, that is, the width of the dividing groove formed on the workpiece by the laser beam is changed, the center of the slit and the center of the optical axis of the laser beam are aligned with each other to form the dividing groove. The shape can be maintained properly. Therefore, when the work piece is ablated, the width of the dividing groove can be easily and freely changed.
また、分割溝の幅を変更しても分割溝の形状を適切に維持することができるので、分割溝の深さ均一にすることができる。このため、被加工物の分割不良を抑制することもできる。 Further, since the shape of the dividing groove can be appropriately maintained even if the width of the dividing groove is changed, the depth of the dividing groove can be made uniform. Therefore, it is possible to suppress the division failure of the workpiece.
[実施形態1]
図1に示すレーザー加工装置10は、レーザー光線によってアブレーション加工することによって、ウェーハ1に分割溝を形成するものである。
レーザー加工装置10は、直方体状の基台11、基台11の一端に立設された立壁部13、および、レーザー加工装置10の各部材を制御する制御手段51を備えている。
[Embodiment 1]
The
The
基台11の上面には、チャックテーブル43を移動させるチャックテーブル移動機構14が設けられている。チャックテーブル移動機構14は、チャックテーブル43を、X軸方向に加工送りするとともに、X軸方向に直交するY軸方向にインデックス送りする。
A chuck
チャックテーブル移動機構14は、チャックテーブル43を備えたチャックテーブル部40、チャックテーブル43をインデックス送り方向に移動するインデックス送り手段20、および、チャックテーブル43を加工送り方向に移動する加工送り手段30を備えている。
The chuck
インデックス送り手段20は、チャックテーブル43を、レーザー加工手段12に対して相対的に、Y軸方向にインデックス送りする。
インデックス送り手段20は、Y軸方向に延びる一対のガイドレール23、ガイドレール23に載置されたY軸テーブル24、ガイドレール23と平行に延びるボールネジ25、および、ボールネジ25を回転させる駆動モータ26を含んでいる。
The index feeding means 20 indexes the chuck table 43 in the Y-axis direction relative to the laser processing means 12.
The index feeding means 20 includes a pair of
一対のガイドレール23は、Y軸方向に平行に、基台11の上面に配置されている。Y軸テーブル24は、一対のガイドレール23上に、これらのガイドレール23に沿ってスライド可能に設置されている。Y軸テーブル24上には、加工送り手段30およびチャックテーブル部40が載置されている。
The pair of
ボールネジ25は、Y軸テーブル24の下面側に設けられたナット部(図示せず)に螺合されている。駆動モータ26は、ボールネジ25の一端部に連結されており、ボールネジ25を回転駆動する。ボールネジ25が回転駆動されることで、Y軸テーブル24、加工送り手段30およびチャックテーブル部40が、ガイドレール23に沿って、インデックス送り方向(Y軸方向)に移動する。
The ball screw 25 is screwed into a nut portion (not shown) provided on the lower surface side of the Y-axis table 24. The
加工送り手段30は、チャックテーブル43を、レーザー加工手段12に対して相対的に、X軸方向に加工送りする。
加工送り手段30は、X軸方向に延びる一対のガイドレール31、ガイドレール31上に載置されたX軸テーブル32、ガイドレール31と平行に延びるボールネジ33、および、ボールネジ33を回転させる駆動モータ35を備えている。
The machining feed means 30 processes and feeds the chuck table 43 in the X-axis direction relative to the laser machining means 12.
The machining feed means 30 includes a pair of
一対のガイドレール31は、X軸方向に平行に、Y軸テーブル24の上面に配置されている。X軸テーブル32は、一対のガイドレール31上に、これらのガイドレール31に沿ってスライド可能に設置されている。X軸テーブル32上には、チャックテーブル部40およびパワーメータ80が載置されている。
The pair of
ボールネジ33は、X軸テーブル32の下面側に設けられたナット部(図示せず)に螺合されている。駆動モータ35は、ボールネジ33の一端部に連結されており、ボールネジ33を回転駆動する。ボールネジ33が回転駆動されることで、X軸テーブル32およびチャックテーブル部40が、ガイドレール31に沿って、加工送り方向(X軸方向)に移動する。
The ball screw 33 is screwed into a nut portion (not shown) provided on the lower surface side of the X-axis table 32. The
チャックテーブル部40は、被加工物の一例としてのウェーハ1を保持するために用いられる。図1に示すように、ウェーハ1は、リングフレームF、粘着テープTおよびウェーハ1を含むワークセットWSとして、チャックテーブル部40に保持される。
The
チャックテーブル部40は、ウェーハ1を保持するチャックテーブル43、チャックテーブル43の周囲に設けられたクランプ部45、および、チャックテーブル43を支持するθテーブル47を有している。θテーブル47は、X軸テーブル32の上面に、XY平面内で回転可能に設けられている。チャックテーブル43は、ウェーハ1を吸着保持するための部材である。チャックテーブル43は、円板状に形成されており、θテーブル47上に設けられている。
The
チャックテーブル43の上面には、ポーラスセラミックス材を含む保持面が形成されている。この保持面は、吸引源(図示せず)に連通されている。チャックテーブル43の周囲には、支持アームを含む4つのクランプ部45が設けられている。4つのクランプ部45は、エアアクチュエータ(図示せず)により駆動されることで、チャックテーブル43に保持されているウェーハ1の周囲のリングフレームFを、四方から挟持固定する。
A holding surface containing a porous ceramic material is formed on the upper surface of the chuck table 43. This holding surface is communicated with a suction source (not shown). Four
レーザー加工装置10の立壁部13は、チャックテーブル移動機構14の後方に立設されている。立壁部13の前面に、レーザー加工手段12が設けられている。
The
レーザー加工手段12は、チャックテーブル43に保持されたウェーハ1を、レーザー光線を照射することによって加工する。本実施形態では、レーザー加工手段12は、ウェーハ1をレーザー光線によってアブレーション加工することによって、ウェーハ1に分割溝を形成する。
レーザー加工手段12は、ウェーハ1にレーザー光線を照射する加工ヘッド18、および、加工ヘッド18を支持するアーム部17を有している。
The laser processing means 12 processes the wafer 1 held on the chuck table 43 by irradiating the wafer 1 with a laser beam. In the present embodiment, the laser processing means 12 forms a dividing groove in the wafer 1 by ablating the wafer 1 with a laser beam.
The laser processing means 12 has a
アーム部17は、立壁部13から、チャックテーブル移動機構14の方向に突出している。加工ヘッド18は、チャックテーブル移動機構14におけるチャックテーブル部40のチャックテーブル43あるいはパワーメータ80に対向するように、アーム部17の先端に支持されている。
The
アーム部17および加工ヘッド18の内部には、レーザー加工手段12の光学系が設けられている。
The optical system of the laser processing means 12 is provided inside the
図2に示すように、レーザー加工手段12は、アーム部17内に、レーザー光線Lを発振するレーザー発振器61、および、レーザー光線Lのエネルギー分布を修正するエネルギー分布修正器62を備えている。
As shown in FIG. 2, the laser processing means 12 includes a
また、レーザー加工手段12は、加工ヘッド18内に、レーザー光線Lを反射する反射ミラー65、および、レーザー光線Lを集光して出力する集光レンズ(集光器)66を有している。
Further, the laser processing means 12 has a
レーザー発振器61は、たとえば固体レーザー光源である。レーザー発振器61は、アーム部17内において−Y方向にレーザー光線を発振する。レーザー光線Lのエネルギー分布は、ガウシアン分布によって近似することができる。したがって、レーザー光線Lのエネルギーは、W軸方向の断面では、矢印Aに示すような分布を有する。
The
ここで、W軸方向は、レーザー光線Lの進行方向に直交するとともに、加工送り方向であるX軸方向(図2の紙面に垂直な方向)に直交する方向である。したがって、W軸方向は、アーム部17内ではZ軸方向と一致し、加工ヘッド18内ではY軸方向と一致する。
Here, the W-axis direction is orthogonal to the traveling direction of the laser beam L and is orthogonal to the X-axis direction (direction perpendicular to the paper surface of FIG. 2) which is the processing feed direction. Therefore, the W-axis direction coincides with the Z-axis direction in the
エネルギー分布修正器62は、レーザー光線Lの一部を遮光することが可能なように構成されており、レーザー光線LにおけるW軸方向のエネルギー分布の修正に寄与する。
The
エネルギー分布修正器62を経たレーザー光線Lは、加工ヘッド18内の反射ミラー65によって−Z方向に反射され、集光レンズ66に導かれる。集光レンズ66は、レーザー光線Lを集光して、加工ヘッド18の外部に向けて、−Z方向に照射する。
The laser beam L that has passed through the
集光レンズ66によって集光されたレーザー光線Lは、図1に示したウェーハ1を加工する際には、チャックテーブル43上のウェーハ1に照射される。
一方、レーザー光線Lにおけるエネルギー分布の修正時には、図2に示すように、レーザー光線Lは、パワーメータ80に照射される。
The laser beam L focused by the
On the other hand, when the energy distribution in the laser beam L is corrected, the laser beam L irradiates the
以下に、レーザー加工装置10におけるエネルギー分布修正手段について説明する。エネルギー分布修正手段は、レーザー光線LにおけるW軸方向のエネルギー分布を、矢印Bによって示すように、裾野部分が垂直なガウシアン分布に修正する。これにより、レーザー光線Lの幅(W軸方向の長さ)が設定される。
The energy distribution correction means in the
レーザー加工装置10におけるエネルギー分布修正手段は、上述したアーム部17および加工ヘッド18に内蔵されたレーザー加工手段12の光学系に加えて、図2に示す制御手段51およびパワーメータ80を含む。
The energy distribution correcting means in the
図2に示すように、レーザー加工手段12のエネルギー分布修正器62は、レーザー光線Lの+W側に配された第1板63を備えている。さらに、エネルギー分布修正器62は、第1板63に対向するようにレーザー光線Lの−W側に配された第2板64を備えている。
また、エネルギー分布修正器62は、第1板63をW軸方向に移動させる第1移動機構631と、第2板64をW軸方向に移動させる第2移動機構641とを備えている。
As shown in FIG. 2, the
Further, the
そして、本実施形態では、第1板(上の刃)63は、第1移動機構631によって図2に示す第1方向としてのW1方向(+W側から−W側へ向かう方向)に移動されることにより、レーザー光線LにおけるW軸方向の一方側(+W側)を遮光することが可能となっている。
Then, in the present embodiment, the first plate (upper blade) 63 is moved by the first moving
一方、第2板(下の刃)64は、第2移動機構641によって図2に示す第2方向としてのW2方向(−W側から+W側へ向かう方向)に移動されることにより、レーザー光線LにおけるW軸方向の他方側(−W側)を遮光することが可能となっている。
On the other hand, the second plate (lower blade) 64 is moved in the W2 direction (direction from the −W side to the + W side) as the second direction shown in FIG. 2 by the
また、エネルギー分布修正器62は、第1板63と第2板64とを、W軸方向に沿って一緒に移動させるW軸方向移動手段67を備えている。すなわち、W軸方向移動手段67は、第1板63および第2板64を、W軸方向に沿って、同じ方向に同じ距離だけ同時に移動させる。
Further, the
パワーメータ80は、レーザー光線Lの進行方向における集光レンズ66の下流に配置されている。パワーメータ80は、集光レンズ66によって集光されたレーザー光線Lの照射を受ける。これにより、パワーメータ80は、照射されるレーザー光線Lのエネルギー量を測定する。
The
制御手段51は、レーザー加工装置10の各部材を制御して、ウェーハ1に対する加工を実施する。
The control means 51 controls each member of the
また、制御手段51は、図2に示した第1移動機構631、第2移動機構641およびW軸方向移動手段67を制御して、アブレーション加工によってウェーハ1に形成される切削溝の幅および形状を調整するために、レーザー光線Lのエネルギー分布修正を実施する。
Further, the control means 51 controls the first moving
すなわち、制御手段51は、第1移動機構631、第2移動機構641およびW軸方向移動手段67を制御して、第1板63と第2板64との間によって、レーザー光線Lを透過させるスリットSを形成する。
スリットSを抜けたレーザー光線Lは、集光レンズ66によって集光されて、外部に照射される。そして、外部に照射されるレーザー光線Lの幅(W軸方向の長さ)は、このスリットSの幅に応じた値となる。さらに、レーザー光線Lの幅は、ウェーハ1に形成される分割溝の幅に対応する。
That is, the control means 51 controls the first moving
The laser beam L passing through the slit S is focused by the
したがって、本実施形態にかかるエネルギー分布修正では、制御手段51は、スリットSの幅が作業者の望む適切な幅となるように、第1移動機構631、第2移動機構641およびW軸方向移動手段67を制御する。
Therefore, in the energy distribution correction according to the present embodiment, the control means 51 moves the first moving
さらに、制御手段51は、スリットSの中心(幅の中心)がレーザー光線Lの光軸の中心と一致するように、第1移動機構631、第2移動機構641およびW軸方向移動手段67を制御する。
このようにスリットSの中心がレーザー光線Lの光軸の中心と一致している場合、スリットSを透過したレーザー光線Lのエネルギー分布は、垂直な裾野部分を有する適切なガウシアン分布となる。これにより、ウェーハ1に形成される切削溝の形状を、所望の形状とすることができる。
Further, the control means 51 controls the first moving
When the center of the slit S coincides with the center of the optical axis of the laser beam L in this way, the energy distribution of the laser beam L transmitted through the slit S becomes an appropriate Gaussian distribution having a vertical base portion. As a result, the shape of the cutting groove formed on the wafer 1 can be made into a desired shape.
以下に、エネルギー分布修正手段によるエネルギー分布修正の動作について説明する。
図3に示すように、エネルギー分布修正では、制御手段51は、まず、レーザー光線Lが第1板63および第2板64によって遮光されないように、第1板63と第2板64との間を大きく開く。さらに、制御手段51は、チャックテーブル移動機構14を制御して、加工ヘッド18における集光レンズ66の真下に、パワーメータ80を配置する。
The operation of energy distribution correction by the energy distribution correction means will be described below.
As shown in FIG. 3, in the energy distribution correction, the control means 51 first interposes between the
その後、制御手段51は、レーザー発振器61を制御して、レーザー光線Lを発振させる。発振されたレーザー光線Lは、図2に示したエネルギー分布修正器62、反射ミラー65および集光レンズ66を介して、パワーメータ80に照射される。パワーメータ80は、レーザー光線Lのエネルギー量を測定し、制御手段51に伝達する。
なお、図3等では、説明を簡略化するために、集光レンズ66によって集光されてパワーメータ80に照射されるレーザー光線Lの幅を、スリットSを抜けたレーザー光線Lの幅と同様としている。
After that, the control means 51 controls the
In FIG. 3 and the like, for simplification of the description, the width of the laser beam L that is focused by the
制御手段51は、パワーメータ80から伝達されたエネルギー量、すなわち、第1板63および第2板64によって遮光されていないレーザー光線Lのエネルギー量を、標準エネルギー量として、第1記憶部52に記憶する。
The control means 51 stores in the
図2に示すように、制御手段51は、第1移動機構631を制御する第1制御部55、および、W軸方向移動手段67を制御する第2制御部56を備えている。
標準エネルギー量の記憶後、制御手段51の第1制御部55が、第1移動機構631を制御して、図4に示すように、第1板63をW1方向に移動させて、レーザー光線Lを遮光しない位置である開放位置に固定されている第2板64に近づける。
As shown in FIG. 2, the control means 51 includes a
After storing the standard energy amount, the
この際、第1制御部55は、パワーメータ80によるレーザー光線Lのエネルギー量の測定値が標準エネルギー量の半分になるまで、第1板63をW1方向に移動させる。そして、第1制御部55は、パワーメータ80によるレーザー光線Lのエネルギー量の測定値が標準エネルギー量の半分になったときの、第1板63の位置を取得する。第1制御部55は、この第1板63の位置を、中間位置P1として第2記憶部53に記憶する。
At this time, the
さらに、第1制御部55は、第1移動機構631を制御して、図5に示すように、中間位置P1にある第1板63を、開放位置に固定されている第2板64と接触するまで、W1方向に移動させる。たとえば、第1制御部55は、第1板63と第2板64との接触を、電気的に検出することができる。
Further, the
そして、第1制御部55は、中間位置P1にある第1板63が開放位置にある第2板64と接触するまでのW1方向に沿う移動距離を、当接距離D1として取得する。第1制御部55は、取得した当接距離D1を、第3記憶部54に記憶する。
Then, the
その後、第1制御部55は、第1板63が開放位置にある第2板64と接触されている状態で、図6に示すように、第1板63と第2板64との間隔が所定のスリット幅D0となるように、第1板63を、W2方向に移動させる。これにより、第1制御部55は、第1板63および第2板64により、スリット幅D0を有するスリットSを形成する。このスリット幅D0は、作業者の望むスリットSの適切な幅である。
After that, in the state where the
次に、制御手段51の第2制御部56が、W軸方向移動手段67を制御して、図7に示すように、スリットSを形成している第1板63および第2板64を、W2方向に、(当接距離D1−スリット幅D0/2)だけ一緒に移動させる。これにより、第1制御部55によって形成されたスリットSの中心が、レーザー光線Lの光軸の中心L1と一致する。
Next, the
以上のように、本実施形態では、制御手段51(第1制御部55および第2制御部56)が、第1板63および第2板64の位置を変更することによって、スリットSのスリット幅D0を適切に設定する。さらに、制御手段51は、スリットSの中心がレーザー光線Lの光軸の中心と一致するように、スリット幅D0の値に応じて、第1板63および第2板64の位置を制御している。
As described above, in the present embodiment, the control means 51 (
これにより、本実施形態では、スリットSのスリット幅D0、すなわち分割溝の幅を変更しても、スリットSの中心とレーザー光線Lの光軸の中心L1とを一致させて、分割溝の形状を適切に維持することができる。したがって、本実施形態では、ウェーハ1をアブレーション加工する際、分割溝の幅を、容易かつ自在に変更することができる。 As a result, in the present embodiment, even if the slit width D0 of the slit S, that is, the width of the dividing groove is changed, the center of the slit S and the center L1 of the optical axis of the laser beam L are made to match, and the shape of the dividing groove is formed. Can be maintained properly. Therefore, in the present embodiment, when the wafer 1 is ablated, the width of the dividing groove can be easily and freely changed.
また、本実施形態では、分割溝の幅を変更しても分割溝の形状を適切に維持することができるので、分割溝の深さ均一にすることができる。このため、ウェーハ1の分割不良を抑制することもできる。 Further, in the present embodiment, the shape of the dividing groove can be appropriately maintained even if the width of the dividing groove is changed, so that the depth of the dividing groove can be made uniform. Therefore, it is possible to suppress the division failure of the wafer 1.
[実施形態2]
本実施形態は、上述した実施形態1において、エネルギー分布修正手段の構成が異なるものである。
図8に示すように、本実施形態にかかるエネルギー分布修正手段は、図2に示したエネルギー分布修正手段の構成において、エネルギー分布修正器62に代えてエネルギー分布修正器62aを有し、制御手段51に代えて制御手段51aを有している。
[Embodiment 2]
In the present embodiment, the configuration of the energy distribution correcting means is different in the above-described first embodiment.
As shown in FIG. 8, the energy distribution correction means according to the present embodiment has an energy
エネルギー分布修正器62aは、エネルギー分布修正器62の構成において、W軸方向移動手段67を備えていない。また、制御手段51aは、制御手段51の構成において、第1制御部55および第2制御部56に代えて、第3制御部57および第4制御部58を備えている。
The
制御手段51aの第3制御部57は、第2移動機構641を制御して、第2板64をW軸方向に沿って移動させる。第4制御部58は、第1移動機構631および第2移動機構641を制御して、第1板63および第2板64を、互いに反対向きに移動させる。
The
本実施形態におけるエネルギー分布修正では、制御手段51aは、実施形態1と同様にして、図9に示すように、第1板63および第2板64によって遮光されていないレーザー光線Lのエネルギー量を、標準エネルギー量として、第1記憶部52に記憶する。
In the energy distribution correction in the present embodiment, the control means 51a, as shown in FIG. 9, determines the amount of energy of the laser beam L that is not shielded by the
次に、制御手段51aは、第1移動機構631を制御して、図10に示すように、第1板63をW1方向に移動させて、レーザー光線Lを遮光しない開放位置に固定されている第2板64に近づける。制御手段51aは、パワーメータ80によるレーザー光線Lのエネルギー量の測定値が標準エネルギー量の半分になるまで、第1板63をW1方向に移動させる。そして、制御手段51aは、パワーメータ80によるレーザー光線Lのエネルギー量の測定値が標準エネルギー量の半分になったときの第1板63の位置を取得し、中間位置P1として第2記憶部53に記憶する。
Next, the control means 51a controls the
次に、第1板63が中間位置P1にある状態で、制御手段51aの第3制御部57が、第2移動機構641を制御して、図11に示すように、第2板64を、W2方向に移動させて、第1板63と接触させる。たとえば、第3制御部57は、第1板63と第2板64との接触を、電気的に検出することができる。
Next, in a state where the
その後、制御手段51aの第4制御部58が、第1移動機構631および第2移動機構641を制御して、第3制御部57によって接触された第1板63および第2板64を、スリット幅D0の半分の距離ずつ、互いに離間させる。
すなわち、第4制御部58は、第1移動機構631を制御して、図12に示すように、第1板63を、W2方向に、D0/2だけ移動させる。さらに、第4制御部58は、第2移動機構641を制御して、第2板64を、W1方向に、D0/2だけ移動させる。これにより、第1板63と第2板64との間にスリットSが形成されるとともに、このスリットSの中心が、レーザー光線Lの光軸の中心L1と一致する。
After that, the
That is, the
このような実施形態においても、制御手段51a(第3制御部57および第4制御部58)が、第1板63および第2板64の位置を変更することによって、スリットSのスリット幅D0を適切に設定するとともに、スリットSの中心をレーザー光線Lの光軸の中心と一致させることができる。
これにより、本実施形態でも、スリットSのスリット幅D0の変更(すなわち、分割溝の幅の変更)に応じて、分割溝の形状を適切に維持することができる。したがって、ウェーハ1をアブレーション加工する際、分割溝の幅を容易かつ自在に変更することができる。
Also in such an embodiment, the control means 51a (
Thereby, even in the present embodiment, the shape of the dividing groove can be appropriately maintained according to the change of the slit width D0 of the slit S (that is, the change of the width of the dividing groove). Therefore, when the wafer 1 is ablated, the width of the dividing groove can be easily and freely changed.
1:ウェーハ、F:リングフレーム、T:粘着テープ、W:ワークセット、
10:レーザー加工装置、20:インデックス送り手段、30:加工送り手段、
40:チャックテーブル部、43:チャックテーブル、
12:レーザー加工手段、17:アーム部、18:加工ヘッド、
61:レーザー発振器、62:エネルギー分布修正器、80:パワーメータ、
63:第1板、64:第2板、65:反射ミラー、66:集光レンズ、
67:W軸方向移動手段、631:第1移動機構、641:第2移動機構、
51:制御手段、52:第1記憶部、53:第2記憶部、54:第3記憶部、
55:第1制御部、56:第2制御部56、57:第3制御部、58:第4制御部
L:レーザービーム、L1:光軸の中心
S:スリット、D0:所定のスリット幅、D1:当接距離、P1:中間位置
1: Wafer, F: Ring frame, T: Adhesive tape, W: Workset,
10: Laser machining equipment, 20: Index feed means, 30: Machining feed means,
40: Chuck table, 43: Chuck table,
12: Laser processing means, 17: Arm part, 18: Processing head,
61: Laser oscillator, 62: Energy distribution corrector, 80: Power meter,
63: 1st plate, 64: 2nd plate, 65: Reflective mirror, 66: Condensing lens,
67: W-axis direction moving means, 631: 1st moving mechanism, 641: 2nd moving mechanism,
51: Control means, 52: 1st storage unit, 53: 2nd storage unit, 54: 3rd storage unit,
55: 1st control unit, 56:
Claims (3)
該レーザー加工手段は、
レーザー光線を発振するレーザー発振器と、
該レーザー発振器から発振されたレーザー光線を集光する集光器と、
該レーザー発振器と該集光器との間に配設され、レーザー光線の進行方向に垂直な方向であるW軸方向のエネルギー分布を、裾野部分が垂直なガウシアン分布に修正するエネルギー分布修正手段と、を備え、
該エネルギー分布修正手段は、
レーザー光線のW軸方向の一方側を遮光する第1板と、
該第1板に対向し、レーザー光線のW軸方向の他方側を遮光する第2板と、
該第1板をW軸方向に移動させる第1移動機構と、
該第2板をW軸方向に移動させる第2移動機構と、
該第1移動機構と該第2移動機構とを制御する制御手段とを備え、
該制御手段は、該第1移動機構と該第2移動機構とを制御して、レーザー光線の光軸の中心と中心を一致させた所定のスリット幅のスリットを、該第1板と該第2板との間で形成するように構成されている、
レーザー加工装置。 A chuck table that holds the work piece, a laser processing means that processes the work piece held on the chuck table by irradiation with a laser beam, and a chuck table that is relative to the laser processing means in the X-axis direction. A laser processing apparatus including a processing feed means for processing and feeding and an index feeding means for index feeding the chuck table in the Y-axis direction perpendicular to the X-axis direction with respect to the laser processing means. ,
The laser processing means is
A laser oscillator that oscillates a laser beam and
A condenser that collects the laser beam oscillated from the laser oscillator,
An energy distribution correcting means, which is arranged between the laser oscillator and the concentrator and corrects the energy distribution in the W-axis direction, which is the direction perpendicular to the traveling direction of the laser beam, to the Gaussian distribution whose base portion is vertical. With
The energy distribution correction means
The first plate that blocks one side of the laser beam in the W-axis direction,
A second plate that faces the first plate and blocks the other side of the laser beam in the W-axis direction.
A first moving mechanism that moves the first plate in the W-axis direction,
A second moving mechanism that moves the second plate in the W-axis direction,
A control means for controlling the first moving mechanism and the second moving mechanism is provided.
The control means controls the first moving mechanism and the second moving mechanism to form a slit having a predetermined slit width in which the center and the center of the optical axis of the laser beam are aligned with the first plate and the second. It is configured to form between the boards,
Laser processing equipment.
該第1板および該第2板によって遮光されていないレーザー光線の、パワーメータで測定されるエネルギー量である標準エネルギー量を記憶する第1記憶部と、
該第1板もしくは該第2板のいずれか一方の板が、レーザー光線を遮光しない位置である開放位置に固定されている他方の板に近づく第1方向に移動された場合における、該パワーメータで測定されるレーザー光線のエネルギー量が該標準エネルギー量の半分になったときの該一方の板の位置である中間位置を記憶している第2記憶部と、
該中間位置にある該一方の板が該開放位置にある該他方の板と接触するまでの該第1方向に沿う移動距離である当接距離を記憶している第3記憶部と、
該一方の板が該第1方向に移動されて該開放位置にある該他方の板と接触されている状態で、該第1板と該第2板との間隔が該スリット幅となるように、該第1板を該第1方向の反対の第2方向に移動させることにより、該スリット幅を有するスリットを形成する第1制御部と、
該第1制御部により形成された該スリットの中心をレーザー光線の光軸の中心と一致させるために、該スリットを形成している該第1板および該第2板を、該第2方向に、(該当接距離−該スリット幅/2)だけ移動させる第2制御部と、
を備える、
請求項1記載のレーザー加工装置。 The control means
A first storage unit that stores a standard energy amount, which is an energy amount measured by a power meter, of the first plate and a laser beam that is not shielded by the second plate.
With the power meter when either one of the first plate or the second plate is moved in the first direction approaching the other plate fixed in the open position which is the position where the laser beam is not blocked. A second storage unit that stores an intermediate position that is the position of one of the plates when the energy amount of the laser beam to be measured becomes half of the standard energy amount.
A third storage unit that stores the contact distance, which is the moving distance along the first direction until the one plate in the intermediate position comes into contact with the other plate in the open position.
In a state where the one plate is moved in the first direction and is in contact with the other plate in the open position, the distance between the first plate and the second plate is the slit width. A first control unit that forms a slit having the slit width by moving the first plate in a second direction opposite to the first direction.
In order to align the center of the slit formed by the first control unit with the center of the optical axis of the laser beam, the first plate and the second plate forming the slit are moved in the second direction. The second control unit that moves by (corresponding contact distance-the slit width / 2) and
To prepare
The laser processing apparatus according to claim 1.
該第1板および該第2板によって遮光されていないレーザー光線の、パワーメータで測定されるエネルギー量である標準エネルギー量を記憶する第1記憶部と、
該第1板もしくは該第2板のいずれか一方の板が、レーザー光線を遮光しない位置である開放位置に固定されている他方の板に近づく第1方向に移動された場合における、該パワーメータで測定されるレーザー光線のエネルギー量が該標準エネルギー量の半分になるような該一方の板の位置である中間位置を記憶している第2記憶部と、
該一方の板が該中間位置にある状態で、該他方の板を、該第1方向の反対の第2方向に移動させ、該一方の板と接触させる第3制御部と、
該第3制御部によって接触された該第1板および該第2板を、該スリット幅の半分の距離ずつ、該一方の板は該第2方向へ、該他方の板は該第1方向へ移動させ、互いに離間させることにより、レーザー光線の光軸の中心と一致する中心を有し、該スリット幅のスリットを形成する第4制御部と、
を備える、
請求項1記載のレーザー加工装置。 The control means
A first storage unit that stores a standard energy amount, which is an energy amount measured by a power meter, of the first plate and a laser beam that is not shielded by the second plate.
With the power meter when either one of the first plate or the second plate is moved in the first direction approaching the other plate fixed in the open position which is the position where the laser beam is not blocked. A second storage unit that stores an intermediate position that is the position of one of the plates so that the energy amount of the laser beam to be measured is half of the standard energy amount.
With the one plate in the intermediate position, the third control unit that moves the other plate in the second direction opposite to the first direction and makes contact with the one plate.
The first plate and the second plate contacted by the third control unit are placed at a distance of half the slit width, one plate in the second direction and the other plate in the first direction. A fourth control unit that has a center that coincides with the center of the optical axis of the laser beam and forms a slit with the slit width by moving and separating from each other.
To prepare
The laser processing apparatus according to claim 1.
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JP2005186100A (en) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | V Technology Co Ltd | Laser beam machining apparatus |
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