JP2020178115A - 太陽電池の低温性能向上を目指した設計 - Google Patents
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Abstract
【課題】−50℃未満の温度での動作を向上させるための太陽電池を提供する。【解決手段】太陽電池はp型ドープされたヒ化アルミニウムガリウム(AlGaAs)またはヒ化インジウムアルミニウムガリウム(InAlGaAs)から成る裏面電界(BSF)層と、ヒ化ガリウム(GaAs)またはヒ化インジウムガリウム物(InGaAs)から成るセルを有する。Znがp型ドープされたAlGaAs BSF層を基準太陽電池のミドルセルのGaInP BSF層の代わりに用いる、III−V 3J太陽電池を示す。一例では、BSF層はAlxGa1−xAsを含み、x=0.2である。一つの代替的な例として、BSF層は、In0.01AlxGa1−xAsを含んでもよく、x=0.2である。一つの代替的な例として、BSF層は、炭素(C)がp型ドープされていてもよい。【選択図】なし
Description
本開示は概して、太陽電池の低温性能向上を目指した設計に関する。
標準的な宇宙ベースの太陽電池は室温付近またはそれ以上で動作するミッションで使用されるが、現在、太陽電池のさまざまな新しい用途では、−50℃をはるかに下回る温度で動作する必要がある。
例えば、UAV(無人航空機)は、気温が−70℃に近づく50000フィート超の高度で動作可能である。別の例として、木星と土星への深宇宙探査では、−140から−165℃の間で動作する。
したがって、今後ますます一般的になるこのような用途のために、低温での太陽電池の性能が重要である。残念ながら、多くの太陽電池は室温に近い性能で最適化されており、低温では性能が大幅に低下する。
したがって、約−50℃未満の温度での動作に最適化された装置のための太陽電池設計が必要とされている。
本開示は、約−50℃未満の温度での太陽電池の動作を向上させるための、p型ドープされたヒ化アルミニウムガリウム(AlGaAs)またはヒ化インジウムアルミニウムガリウム(InAlGaAs)から成る裏面電界(BSF)層と、ヒ化ガリウム(GaAs)またはヒ化インジウムガリウム(InGaAs)から成るセルを有する太陽電池を備えた装置について説明する。
裏面電界層は、AlxGa1−xAsまたはIn0.01AlxGa1−xAsを含み得、xは約0.8未満であり、例えばx=0.2である。裏面電界層は、亜鉛(Zn)または炭素(C)がp型ドープされたものであり得る。
この裏面電界層は、リン化ガリウムインジウム物(GaInP)から成るミドルセル(MC)の裏面電界層と比較して低い障壁高さを有するミドルセルベースとともにヘテロ接合層を形成することができる。
この裏面電界層は、価電子帯で約90meV以下の障壁高さを有するミドルセルベースとヘテロ接合層を形成することができる。障壁高さにより多数キャリアホールの約−50℃未満の温度までの熱化が可能になり、障壁に伴う抵抗損失が軽減される。障壁高さは抵抗損失を軽減する。
太陽電池の効率は、室温から約−150℃までの温度範囲で温度の低下とともに単調に増加する。
また、本開示では、約−50℃未満の温度での太陽電池の動作を向上させるための、亜鉛がドープされたヒ化アルミニウムガリウムから成るミドルセル裏面電界層を有する太陽電池を製造することを含む方法も説明する。
さらに、本開示は、約−50℃未満の温度での太陽電池の動作を向上させるための、p型ドープされたヒ化アルミニウムガリウム(aluminum gallium arsenide)(InAlGaAs)またはヒ化ンジウムアルミニウムガリウム(InAlGaAs)から成る裏面電界層と、ヒ化ガリウム(GaAs)またはヒ化インジウムガリウム(InGaAs)から成るセルを有する太陽電池を使用して電流を発生させることを含む方法を説明する。
最後に、本開示は、約−50℃未満の温度での太陽電池の動作を向上させるための、ミドルセルベースとミドルセル裏面電界層とを有する太陽電池を備えた装置であって、ベースがヒ化ガリウム(GaAs)またはヒ化ガリウムインジウム(GaInAs)から成り、裏面電界層は:裏面電界層がベースに対する約100meV未満の価電子帯オフセットを有し;裏面電界層がベースに対するI型かII型のいずれかのバンドアライメントを有し;裏面電界層がベースに対する約0meV超の伝導帯オフセットを維持する材料から成り、それにより裏面電界層がヘテロステップの(hetero−step)パッシベーション層として機能し、かつ、少数キャリア電子をp−n接合層に向けて反射し、集める装置を説明する。
ベース表面電界層の格子定数は、ミドルセルベースの格子定数とほぼ同じであり得る。
裏面電界層は、AlxGa1−xAsから成っていてもよく、xは約0.8未満である。
裏面電界層は、ヒ化アルミニウムガリウムインジウム(AlxGa1−x−yInyAs)から成り、xは約0.8未満であり、yは裏面電界層の格子定数がベースの格子定数とほぼ同じになるように選択される。
裏面電界層は、アンチモン化ヒ化アルミニウムガリウム(aluminum gallium arsenide antimony)(AlxGa1−xAs1−ySby)から成り、xは約0.8未満であり、yはベースに対するI型またはII型のバンドアライメントと一致するように選択される。
これより図面を参照する。類似の参照番号は、以下の図面を通じて同様の部品を表している。
トリプル接合型太陽電池の概略図であり、100aの基準(baseline)太陽電池および100bの新規の太陽電池を示す。
図2は、−150℃から30℃で測定された基準太陽電池のLIV(光電流電圧)曲線のグラフである。
図3Aおよび3Bは、新規および基準太陽電池の裏面電界層をベースヘテロ接合型太陽電池と比較したバンドギャップ図のグラフである。
図4A、4Bおよび4Cは、低温性能を改善する様々な材料の状況に対する可能なバンドアライメントを示すグラフである。
図5は、−150℃から30℃で測定された新規太陽電池のLIV曲線のグラフである。
図6は、基準および新規太陽電池の裏面電界層の温度の関数としての最大電力のグラフである。
以下の説明では、本明細書の一部を形成し、本開示が実施され得る特定の例を例として示す添付の図面を参照する。他の例も利用可能であることと、本開示の範囲を逸脱することなく構造的な変更が加えられてよいことが理解されるべきである。
[概要]
この開示は、低温、例えば−50℃未満での性能を改善する太陽電池の設計ルールを説明している。
この開示は、低温、例えば−50℃未満での性能を改善する太陽電池の設計ルールを説明している。
具体的には、低温性能の主な制約は、温度の低下とともに指数関数的に増加するヘテロ接合抵抗の存在である。標準のトリプル接合(3J)太陽電池の主なヘテロ接合抵抗は、ミドルセルベースとBSF層との間で発生する。価電子帯の材料のオフセットは、整流ダイオードとして機能する。公称動作温度では、回路内に集められた光生成ホールによって、障壁は容易に乗り越えられる。低温では、価電子帯エネルギーの中断(ヘテロステップ)が整流障壁として機能する。
低温での3J太陽電池の性能に関するこの問題に対処する試みは以前からあった。
一つの試みは、標準の3J宇宙太陽電池を低温で使用し、低温性能の低下を許容することであった。
ミドルセルBSF層との境界面付近のミドルセルベースのp型ドーピングを変更することであった。ドーピングの変化により、ヘテロ接合障壁の幅が狭くなる可能性があり、ヘテロ接合障壁全体のトンネル輸送を増加させ、ヘテロ接合抵抗を低減できる。これは問題を軽減するが、温度と正確なドーピングレベルによっては、良くても僅かな軽減でしかない。
本開示は、基準BSF層材料を交換してヘテロ接合障壁を低減、排除または再配向することにより、このヘテロ接合抵抗を低減する。具体的には、本開示に記載の一例では、約−50℃未満の温度で太陽電池の性能を改善するための、AlGaAsまたはInAlGaAsから成るミドルセルBSF層を有する新規の太陽電池を説明する。一例では、新規のBSF層は、lAlxGa1−xAsまたはIn0.01AlxGa1−xAsを含み、x=0.2である。
実験データは、−150℃での新規のBSF層の効率の、基準BSF層に対する25%向上を示している。実際、新規の太陽電池の性能は、基準太陽電池よりも20−30%優れている。
[技術的な説明]
図1Aおよび1Bは層の概念図であり、基準III−V 3J太陽電池100aおよび新規III−V 3J太陽電池100bをそれぞれ備える装置の断面を示す。
図1Aおよび1Bは層の概念図であり、基準III−V 3J太陽電池100aおよび新規III−V 3J太陽電池100bをそれぞれ備える装置の断面を示す。
図1Aは、現在製造されている基準III−V 3J太陽電池100aを示す。太陽電池100aは、5−15mΩのpドープゲルマニウム(p−Ge)基板102を含み、その上に、標準(std)核生成層104、バッファ層106、下部トンネル接合層108、ZnがドープされたGaInP BSF層110a、GaInAsベース112およびInGaAsエミッタ層114から成るミドルセル(MC)、MCウィンドウ層116、上部トンネル接合層118、GaInPから成る上部セル(TC)BSF層120、GaInPから成るTC層122、リン化アルミニウムインジウム(AlInP)ウィンドウ層124、ならびにGaInAsキャップ層126が堆積され、かつ/または作られる。
図1Bは、Znがp型ドープされたAlGaAs BSF層110bを基準太陽電池100aのミドルセルのGaInP BSF層110aの代わりに用いる、本開示による新規のIII−V 3J太陽電池100bを示す。一例では、BSF層110bはAlxGa1−xAsを含み、x=0.2である。一つの代替的な例として、BSF層110bは、In0.01AlxGa1−xAsを含んでもよく、x=0.2である。一つの代替的な例として、BSF層110bは、炭素(C)がp型ドープされていてもよい。太陽電池100a、100bは、反射防止膜、前面および裏面金属接点など、図面を簡略化する目的で示されていない他の特徴を含み得る。
図2は、電流(A)対電圧(V)のグラフであり、基準太陽電池100aのミドルセルにおいてGaInP BSF層110aを使用した結果を示す。室温から−50℃まで、LIV曲線は、Voc(開回路電圧)付近で線形挙動を伴い、適切に挙動している。Vocの増加により、この範囲での温度の低下に伴って効率が増加する。ただし、−50℃未満の温度では、LIVはVoc付近で非線形性を示す。これらの非線形性は、フィルファクターの損失および太陽電池100a性能の著しい喪失をもたらす。この非線形性は、漏洩ダイオード整流によって引き起こされる。
図3Aおよび3Bは、いずれもGaInAsベース112とともにヘテロ接合層を形成する、AlGaAs BSF層110bとGaInP BSF層110aのバンドギャップダイアグラムの比較を示すグラフである。
図3Aに示されるように、モデリングは、AlGaAs BSF層110bが、GaInP BSF層110aと比較して価電子帯において約90meV以下の低い障壁高さを有するミドルセルベース112とともにヘテロ接合層を形成することを示す。障壁高さが低いと、多数キャリアホールをはるかに低い温度、すなわち約−50℃未満まで熱化でき、障壁に伴う抵抗損失が軽減される。
図3Bに示されるように、GaInP BSF層110aは、価電子帯において300meVという著しく高いヘテロ接合障壁高さを形成する。−50℃超の温度では、多数キャリアホールがこの障壁を越えて熱化するのに十分なエネルギーがある。−50℃未満の温度では、熱エネルギーが不十分であり、Voc付近の太陽電池100aのLIV曲線で非線形挙動の形で現れるヘテロ接合抵抗を引き起こす。したがって、ドーピングを増やしても問題は解消されない。
図4A、4Bおよび4Cは、例えば−50℃未満などの低温性能を改善する、さまざまな材料の状態に対する可能なバンドアライメントを示すグラフである。
図4Aは、価電子帯がベース材料の価電子帯に近く、100meV未満の小さなオフセットが得られるI型オフセットの図3Aと同様の場合を示している。この限界は、−50℃未満の温度では、ホールが障壁を乗り越えるためのエネルギーが、−50℃でのkTすなわち19.3meVの標準熱エネルギーのおよそ5倍以下であることから、重要である。
図4Bは、ベースとBSF層との間の価電子帯でオフセットが発生しないポテンシャル設計を示す。
図4Cは、オフセットがII型で、負のオフセットがあり、BSF層価電子帯エネルギーがベース材料のそれよりも高い電位設計を示す。繰り返しになるが、ヘテロステップオフセットが整流障壁を形成するため、II型バンドアライメント材料には100meV近い制限が存在する。
材料選択については、BSF層材料の実際のエネルギーレベルは異なり、III−V半導体装置の当業者にはよく理解されている。GaAsまたはGaInAsベースサブセル用のBSF層材料の選択は、次の主な判断基準に従う材料を選択するのが最適であろう:第1に、100meV未満の価電子帯オフセットを有するものでなければならない;第2に、ベースに対するI型かII型いずれかのバンドアライメントであること;第3に、伝導帯のバンドオフセットを0meVを超えるように維持するものでなければならない。それにより、それらは、ヘテロステップのパッシベーション層として機能し続け、少数キャリア電子を境界面から離し、p−n接合層に向けて反射し、集める。
最後に、BSF層の格子定数がベースの格子定数に近いかほぼ同じであれば、材料の選択は優れている。この判断基準により、境界面で生じる欠陥の数が最小になり、BSF層は少数キャリアの界面の再結合速度を低下させる。
GaAsとGaInAsの例として、BSF層材料の最良の選択は、AlxGa1−xAs(xは0.8未満);AlxGa1−x−yInyAs(xは0.8未満であり、yは、合金BSF層が母材の格子定数とほぼ一致するように選択される);AlxGa1−xAs1−ySby(xは0.8未満であり、yはI型またはII型アライメントに一致するように選択される)から選択され得る。他のさまざまな組み合わせが、GaNAs、AlGaAs、AlGaAsSb、AlGaPAs、AlGaPAsSb、AlGaInAs、AlGaInPAs、AlGaInPAsSb、AlGaAsBi、AlGaInPAsBi、BGaAs、BAlGaAs、BAlGaInAs等の多元合金と、さらに上記の組み合わせの材料合金の例から選択され得る。上で概説した基準に従う限り、他の母材、例えばGaInP、AlGaInP、AlGaInAs、GaInNAs、GaInNAsSb、InPGaInAsおよびGaAsSb等で作られたサブセルに対してさらなる組み合わせが提案されてもよい。
図5は、電流(A)対電圧(V)のグラフであり、ヘテロ接合障壁の減少が新規の太陽電池100bの性能に及ぼす影響を示す。図2のGaInP BSF層110aを用いた基準太陽電池100aとは対照的に、AlGaAs BSF層110bを用いた新規の太陽電池100bは、−150℃の最低測定温度まで、特にVoc付近で良好に挙動するLIV曲線を示す。AlGaAs BSF層110bを使用した新規の太陽電池100bは依然として、温度の低下とともにVocの増加を示す。
図6は、最大電力(mW/cm2)対温度(C)のグラフであり、GaInP BSF層110aを使用した基準太陽電池100aとAlGaAs BSF層110bを使用した新規の太陽電池100bを比較している。
GaInP BSF層110aの場合、室温から−50℃の基準太陽電池100aの電圧増加により、効率が増加する。−50℃から−150℃の温度では、基準太陽電池100aの効率は、Voc付近の高いヘテロ接合抵抗およびそれに伴う非線形性により、温度の低下とともに低下する。
AlGaAs BSF層110bの場合、太陽電池100bの効率は、約20℃から30℃の室温と約−150℃の温度との間の温度範囲で、温度の低下とともに単調に増加する。この非常に対照的な挙動により、−50℃から低温セル性能に相違が生じる。−150℃では、新規の太陽電池100の効率の差は25%であり、これは、これらの条件で動作する太陽電池100a、100bの大幅な改善である。
[代替例および変更例]
上記の説明は、例示および説明を目的として提示されており、網羅的であること、または説明した例に限定されることを意図するものではない。上述の特定の説明の代わりに、多くの代替例および変更例を使用することができる。
上記の説明は、例示および説明を目的として提示されており、網羅的であること、または説明した例に限定されることを意図するものではない。上述の特定の説明の代わりに、多くの代替例および変更例を使用することができる。
例えば、AlGaAsとInAlGaAsがこれまで最も深く研究されてきた材料であるが、他の複数の潜在的な材料を使用することもできる。Al0.2Ga0.8As以外のAlGaAsおよびIn0.01Al0.2Ga0.8As以外のInAlGaAsの組成物、ならびにGe/GaAs基板に整合したInGaAsP合金格子を使用することができる。
別の例では、本開示は、広く採用されているトリプル接合型太陽電池について説明しているが、多数キャリアのヘテロ接合抵抗を下げる材料を含むように設計されたシングル接合、fダブル接合または他の多接合型太陽電池のいかなる例も包含するように拡張することができる。これには、それぞれ価電子帯または伝導帯のBSF層からベースへの遷移またはウィンドウ層からエミッタ層への遷移が含まれる。
さらに別の例では、本開示は、新規の太陽電池100bを大まかに説明し、BSF層110bは特定の材料を含むと具体的に説明しているが、代替例では、新規の太陽電池100bおよびBSF層110bがこれらもしくは他の材料から成るか、または本質的にこれらもしくは他の材料から成ると説明され得る。
同様に、本開示は、約−50℃以下の温度で所望の方法で機能する新規の太陽電池100aを説明しているが、代替例では、新規の太陽電池100oが約−100℃以下、−150℃以下、またはそれより低い他の温度で機能すると説明することができる。
さらに、本開示は、以下の条項による例を含む。
条項1 約−50℃未満の温度での太陽電池の動作を向上させるための、p型ドープされたヒ化アルミニウムガリウム(AlGaAs)またはヒ化インジウムアルミニウムガリウム(InAlGaAs)から成る裏面電界(BSF)層と、ヒ化ガリウム(GaAs)またはヒ化インジウムガリウム(InGaAs)から成るセルを有する太陽電池を備えた装置。
条項2 裏面電界層がAlxGa1−xAsまたはIn0.01AlxGa1−xAsから成る、条項1に記載の装置。
条項3 xが約0.8未満である、条項2に記載の装置。
条項4 x=0.2である、条項3に記載の装置。
条項5 裏面電界層に亜鉛(Zn)または炭素(C)がp型ドープされている、条項1から4のいずれか一項に記載の装置。
条項6 裏面電界層が、リン化ガリウムインジウム(GaInP)から成るミドルセル裏面電界層と比較して低い障壁高さを有するミドルセルベースとともにヘテロ接合層を形成する、条項1から5のいずれか一項に記載の装置。
条項7 裏面電界層が、価電子帯で約90meV以下の障壁高さを有するミドルセルベースとともにヘテロ接合層を形成する、条項1から6のいずれか一項に記載の装置。
条項8 障壁高さにより多数キャリアホールの約−50℃未満の温度までの熱化が可能になり、障壁に伴う抵抗損失が軽減される、条項7に記載の装置。
条項9 障壁高さが抵抗損失を軽減する、条項7または8に記載の装置。
条項10 太陽電池の効率が室温から約−150℃までの温度範囲で温度の低下とともに単調に増加する、条項1から9のいずれか一項に記載の装置。
条項11 約−50℃未満の温度での太陽電池の動作を向上させるための、p型ドープされたヒ化アルミニウムガリウム(AlGaAs)またはヒ化インジウムアルミニウムガリウム(InAlGaAs)から成る裏面電界層と、ヒ化ガリウム(GaAs)またはヒ化インジウムガリウム(InGaAs)から成るセルを有する太陽電池を製造することを含む、方法。
条項12 裏面電界層がAlxGa1−xAsまたはIn0.01AlxGa1−xAsから成り、xが約0.8未満である、条項1に記載の方法。
条項13 裏面電界層に亜鉛(Zn)または炭素(C)がp型ドープされている、条項11または12に記載の方法。
条項14 約−50℃未満の温度での太陽電池の動作を向上させるための、p型ドープされたヒ化アルミニウムガリウム(AlGaAs)またはヒ化インジウムアルミニウムガリウム(InAlGaAs)から成る裏面電界層と、ヒ化ガリウム(GaAs)またはヒ化インジウムガリウム(InGaAs)から成るセルを有する太陽電池を使用して電流を発生させることを含む、方法。
条項15 裏面電界層がAlxGa1−xAsまたはIn0.01AlxGa1−xAsから成り、xが約0.8未満である、条項14に記載の方法。
条項16 約−50℃未満の温度での太陽電池の動作を向上させるための、ミドルセル(MC)ベースとミドルセル裏面電界(BSF)層とを有する太陽電池を備えた装置であって、ベースがヒ化ガリウム(GaAs)またはヒ化ガリウムインジウム(GaInAs)から成り、裏面電界層は:裏面電界層がベースに対する約100meV未満の価電子帯オフセットを有し;裏面電界層がベースに対するI型かII型のいずれかのバンドアライメントを有し;裏面電界層がベースに対する約0meV超の伝導帯オフセットを維持する材料から成り、それにより裏面電界層がヘテロステップパッシベーション層として機能し、かつ、少数キャリア電子をp−n接合層に向けて反射し、集める、装置。
条項17 ベース表面電界層の格子定数がミドルセルベースの格子定数とほぼ同じである、条項16に記載の装置。
条項18 裏面電界がヒ化アルミニウムガリウム(AlxGa1−xAs)から成り、xが約0.8未満である、条項16または17に記載の装置。
条項19 裏面電界層がヒ化アルミニウムガリウムインジウム(AlxGa1−x−yInyAs)から成り、xが約0.8未満であり、yは裏面電界層の格子定数がベースの格子定数とほぼ同じになるように選択される、条項16から18のいずれか一項に記載の装置。
条項20 裏面電界層がアンチモン化ヒ化アルミニウムガリウム(AlxGa1−xAs1−ySby)から成り、xが約0.8未満であり、yはベースに対するI型またはII型のバンドアライメントと一致するように選択される、条項16から19のいずれか一項に記載の装置。
条項1 約−50℃未満の温度での太陽電池の動作を向上させるための、p型ドープされたヒ化アルミニウムガリウム(AlGaAs)またはヒ化インジウムアルミニウムガリウム(InAlGaAs)から成る裏面電界(BSF)層と、ヒ化ガリウム(GaAs)またはヒ化インジウムガリウム(InGaAs)から成るセルを有する太陽電池を備えた装置。
条項2 裏面電界層がAlxGa1−xAsまたはIn0.01AlxGa1−xAsから成る、条項1に記載の装置。
条項3 xが約0.8未満である、条項2に記載の装置。
条項4 x=0.2である、条項3に記載の装置。
条項5 裏面電界層に亜鉛(Zn)または炭素(C)がp型ドープされている、条項1から4のいずれか一項に記載の装置。
条項6 裏面電界層が、リン化ガリウムインジウム(GaInP)から成るミドルセル裏面電界層と比較して低い障壁高さを有するミドルセルベースとともにヘテロ接合層を形成する、条項1から5のいずれか一項に記載の装置。
条項7 裏面電界層が、価電子帯で約90meV以下の障壁高さを有するミドルセルベースとともにヘテロ接合層を形成する、条項1から6のいずれか一項に記載の装置。
条項8 障壁高さにより多数キャリアホールの約−50℃未満の温度までの熱化が可能になり、障壁に伴う抵抗損失が軽減される、条項7に記載の装置。
条項9 障壁高さが抵抗損失を軽減する、条項7または8に記載の装置。
条項10 太陽電池の効率が室温から約−150℃までの温度範囲で温度の低下とともに単調に増加する、条項1から9のいずれか一項に記載の装置。
条項11 約−50℃未満の温度での太陽電池の動作を向上させるための、p型ドープされたヒ化アルミニウムガリウム(AlGaAs)またはヒ化インジウムアルミニウムガリウム(InAlGaAs)から成る裏面電界層と、ヒ化ガリウム(GaAs)またはヒ化インジウムガリウム(InGaAs)から成るセルを有する太陽電池を製造することを含む、方法。
条項12 裏面電界層がAlxGa1−xAsまたはIn0.01AlxGa1−xAsから成り、xが約0.8未満である、条項1に記載の方法。
条項13 裏面電界層に亜鉛(Zn)または炭素(C)がp型ドープされている、条項11または12に記載の方法。
条項14 約−50℃未満の温度での太陽電池の動作を向上させるための、p型ドープされたヒ化アルミニウムガリウム(AlGaAs)またはヒ化インジウムアルミニウムガリウム(InAlGaAs)から成る裏面電界層と、ヒ化ガリウム(GaAs)またはヒ化インジウムガリウム(InGaAs)から成るセルを有する太陽電池を使用して電流を発生させることを含む、方法。
条項15 裏面電界層がAlxGa1−xAsまたはIn0.01AlxGa1−xAsから成り、xが約0.8未満である、条項14に記載の方法。
条項16 約−50℃未満の温度での太陽電池の動作を向上させるための、ミドルセル(MC)ベースとミドルセル裏面電界(BSF)層とを有する太陽電池を備えた装置であって、ベースがヒ化ガリウム(GaAs)またはヒ化ガリウムインジウム(GaInAs)から成り、裏面電界層は:裏面電界層がベースに対する約100meV未満の価電子帯オフセットを有し;裏面電界層がベースに対するI型かII型のいずれかのバンドアライメントを有し;裏面電界層がベースに対する約0meV超の伝導帯オフセットを維持する材料から成り、それにより裏面電界層がヘテロステップパッシベーション層として機能し、かつ、少数キャリア電子をp−n接合層に向けて反射し、集める、装置。
条項17 ベース表面電界層の格子定数がミドルセルベースの格子定数とほぼ同じである、条項16に記載の装置。
条項18 裏面電界がヒ化アルミニウムガリウム(AlxGa1−xAs)から成り、xが約0.8未満である、条項16または17に記載の装置。
条項19 裏面電界層がヒ化アルミニウムガリウムインジウム(AlxGa1−x−yInyAs)から成り、xが約0.8未満であり、yは裏面電界層の格子定数がベースの格子定数とほぼ同じになるように選択される、条項16から18のいずれか一項に記載の装置。
条項20 裏面電界層がアンチモン化ヒ化アルミニウムガリウム(AlxGa1−xAs1−ySby)から成り、xが約0.8未満であり、yはベースに対するI型またはII型のバンドアライメントと一致するように選択される、条項16から19のいずれか一項に記載の装置。
Claims (20)
- 約−50℃未満の温度での太陽電池の動作を向上させるための、p型ドープされたヒ化アルミニウムガリウム(AlGaAs)またはヒ化インジウムアルミニウムガリウム(InAlGaAs)から成る裏面電界(BSF)層と、ヒ化ガリウム(GaAs)またはヒ化インジウムガリウム(InGaAs)から成るセルを有する前記太陽電池を備えた装置。
- 前記裏面電界層がAlxGa1−xAsまたはIn0.01AlxGa1−xAsから成る、請求項1に記載の装置。
- xが約0.8未満である、請求項2に記載の装置。
- x=0.2である、請求項3に記載の装置。
- 前記裏面電界層が亜鉛(Zn)または炭素(C)でp型ドープされている、請求項1から4のいずれか一項に記載の装置。
- 前記裏面電界層が、リン化ガリウムインジウム(GaInP)から成るミドルセル裏面電界層と比較して低い障壁高さを有するミドルセルベースとともにヘテロ接合層を形成する、請求項1から5のいずれか一項に記載の装置。
- 前記裏面電界層が、価電子帯で約90meV以下の障壁高さを有するミドルセルベースとともにヘテロ接合層を形成する、請求項1から6のいずれか一項に記載の装置。
- 前記障壁高さにより多数キャリアホールの約−50℃未満の温度までの熱化が可能になり、前記障壁に伴う抵抗損失が軽減される、請求項7に記載の装置。
- 前記障壁高さが抵抗損失を軽減する、請求項7または8に記載の装置。
- 前記太陽電池の効率が室温から約−150℃までの温度範囲で温度の低下とともに単調に増加する、請求項1から9のいずれか一項に記載の装置。
- 約−50℃未満の温度での太陽電池の動作を向上させるための、p型ドープされたヒ化アルミニウムガリウム(AlGaAs)またはヒ化インジウムアルミニウムガリウム(InAlGaAs)から成る裏面電界層と、ヒ化ガリウム(GaAs)またはヒ化インジウムガリウム(InGaAs)から成るセルを有する前記太陽電池を製造することを含む、方法。
- 前記裏面電界層がAlxGa1−xAsまたはIn0.01AlxGa1−xAsから成り、xが約0.8未満である、請求項11に記載の方法。
- 前記裏面電界層が亜鉛(Zn)または炭素(C)でp型ドープされている、請求項11または12に記載の方法。
- 約−50℃未満の温度での太陽電池の動作を向上させるための、p型ドープされたヒ化アルミニウムガリウム(AlGaAs)またはヒ化インジウムアルミニウムガリウム(InAlGaAs)から成る裏面電界層と、ヒ化ガリウム(GaAs)またはヒ化インジウムガリウム(InGaAs)から成るセルを有する前記太陽電池を使用して電流を発生させることを含む、方法。
- 前記裏面電界層がAlxGa1−xAsまたはIn0.01AlxGa1−xAsから成り、xが約0.8未満である、請求項14に記載の方法。
- 約−50℃未満の温度での太陽電池の動作を向上させるための、ミドルセル(MC)ベースとミドルセル裏面電界(BSF)層とを有する前記太陽電池を備える装置であって、
前記ベースがヒ化ガリウム(GaAs)またはヒ化ガリウムインジウム(GaInAs)から成り、前記裏面電界層は:
前記裏面電界層が前記ベースに対する約100meV未満の価電子帯オフセットを有し;
前記裏面電界層が前記ベースに対するI型かII型いずれかのバンドアライメントを有し;
前記裏面電界層が前記ベースに対する約0meV超の伝導帯オフセットを維持する
ような材料から成り、それにより前記裏面電界層がヘテロステップパッシベーション層として機能し、かつ、少数キャリア電子をp−n接合層に向けて反射し、集める、装置。 - 前記ベース表面電界層の格子定数が前記ミドルセルベースの格子定数とほぼ同じである、請求項16に記載の装置。
- 前記裏面電界層がヒ化アルミニウムガリウム(AlxGa1−xAs)から成り、xが約0.8未満である、請求項16または17に記載の装置。
- 前記裏面電界層がヒ化アルミニウムガリウムインジウム(AlxGa1−x−yInyAs)から成り、xが約0.8未満であり、yは前記裏面電界層の格子定数が前記ベースの格子定数とほぼ同じになるように選択される、請求項16または17に記載の装置。
- 前記裏面電界層がアンチモン化ヒ化アルミニウムガリウム(AlxGa1−xAs1−ySby)から成り、xが約0.8未満であり、yは前記ベースに対するI型またはII型のバンドアライメントと一致するように選択される、請求項16または17に記載の装置。
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