JP2020174171A - Substrate processing system, substrate transfer device, and method - Google Patents

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Abstract

To provide a substrate processing system, a substrate transfer device, and a method that suppress an increase in installation area.SOLUTION: A buffer chamber (connecting portion) 40 is connected between a first vacuum transfer chamber 20a and a second vacuum transfer chamber 20b, and has a holding portion 41. A part of the buffer chamber vertically overlaps with at least one of the first and second vacuum transfer chambers. The first vacuum transfer chamber includes a first substrate transfer robot 25a and is configured to transfer the substrate to and from the first board processing chamber at a first height and transfer the substrate between the first board transfer chamber and the buffer chamber at a second height. The second substrate transfer chamber has a second board transfer robot 25b configured to transfer the substrate, is configured to transfer the substrate between the second substrate transfer chamber and the second substrate processing chamber at the first height and the substrate between the second substrate transport chamber and the buffer chamber at the second height.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本開示は、基板処理システム、基板搬送装置及び方法に関する。 The present disclosure relates to substrate processing systems, substrate transfer devices and methods.

特許文献１は、それぞれ複数の真空処理チャンバと接続された２つの真空搬送チャンバを搬送中間チャンバにより連結した構成の基板処理を開示する。 Patent Document 1 discloses a substrate processing having a configuration in which two vacuum transfer chambers, each connected to a plurality of vacuum processing chambers, are connected by a transfer intermediate chamber.

特開２０１８−８８５４９号公報JP-A-2018-88549

本開示は、設置面積の増大を抑制する技術を提供する。 The present disclosure provides a technique for suppressing an increase in installation area.

本開示の一態様による基板処理システムは、第１の基板処理チャンバと、第１の基板搬送チャンバと、第２の基板処理チャンバと、第２の基板搬送チャンバと、バッファチャンバとを含む。第１の基板搬送チャンバは、第１の基板処理チャンバに連結される。第２の基板搬送チャンバは、第２の基板処理チャンバに連結される。バッファチャンバは、第１の基板搬送チャンバと第２の基板搬送チャンバとの間に連結され、少なくとも１つの基板保持部を有する。バッファチャンバの少なくとも一部は、第１の基板搬送チャンバ及び第２の基板搬送チャンバのうち少なくとも１つと縦方向に重複する。 The substrate processing system according to one aspect of the present disclosure includes a first substrate processing chamber, a first substrate transfer chamber, a second substrate processing chamber, a second substrate transfer chamber, and a buffer chamber. The first substrate transfer chamber is connected to the first substrate processing chamber. The second substrate transfer chamber is connected to the second substrate processing chamber. The buffer chamber is connected between the first substrate transfer chamber and the second substrate transfer chamber and has at least one substrate holder. At least a portion of the buffer chamber vertically overlaps with at least one of the first substrate transfer chamber and the second substrate transfer chamber.

本開示によれば、設置面積の増大を抑制できる。 According to the present disclosure, an increase in the installation area can be suppressed.

図１は、実施形態に係る基板処理装置の全体の概略構成の一例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an example of an overall schematic configuration of the substrate processing apparatus according to the embodiment. 図２は、実施形態に係る連結部の概略構成の一例を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a schematic configuration of a connecting portion according to an embodiment. 図３Ａは、実施形態に係る搬送ロボットを昇降させた状態の一例を示す断面図である。FIG. 3A is a cross-sectional view showing an example of a state in which the transfer robot according to the embodiment is raised and lowered. 図３Ｂ、実施形態に係る搬送ロボットを昇降させた状態の一例を示す断面図である。FIG. 3B is a cross-sectional view showing an example of a state in which the transfer robot according to the embodiment is raised and lowered. 図４Ａは、実施形態に係る連結部の概略構成の他の一例を示す断面図である。FIG. 4A is a cross-sectional view showing another example of the schematic configuration of the connecting portion according to the embodiment. 図４Ｂは、実施形態に係る連結部の概略構成の他の一例を示す断面図である。FIG. 4B is a cross-sectional view showing another example of the schematic configuration of the connecting portion according to the embodiment. 図５は、実施形態に係るウエハを搬送する流れの一例を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing an example of a flow for transporting the wafer according to the embodiment. 図６は、比較例としての基板処理装置の全体の概略構成の一例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an example of an overall schematic configuration of a substrate processing apparatus as a comparative example. 図７は、比較例としての搬送中間チャンバの概略構成の一例を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of a schematic configuration of a transport intermediate chamber as a comparative example. 図８は、実施形態に係る基板処理装置の全体の概略構成の他の一例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing another example of the overall schematic configuration of the substrate processing apparatus according to the embodiment. 図９は、実施形態に係る複数のウエハを保持可能とした保持部の概略構成の一例を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing an example of a schematic configuration of a holding portion capable of holding a plurality of wafers according to the embodiment. 図１０は、実施形態に係る連結部の概略構成の他の一例を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing another example of the schematic configuration of the connecting portion according to the embodiment.

以下に、開示される基板処理システム、基板搬送装置及び方法の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態は、開示される基板処理システム、基板搬送装置及び方法を限定解釈するものではない。 Hereinafter, embodiments of the disclosed substrate processing system, substrate transfer device, and method will be described in detail with reference to the drawings. The following embodiments do not limitly interpret the disclosed substrate processing system, substrate transfer device, and method.

［基板処理装置の構成］
本実施形態に係る基板処理システムの一例を説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システムの全体の概略構成の一例を示す図である。実施形態に係る基板処理システム１０は、真空（減圧）状態で基板に基板処理をする装置である。基板処理としては、例えば、成膜やエッチングなどが挙げられる。基板処理は、プラズマを用いた処理（プラズマ処理）であってもよく、プラズマを用いない処理（ノンプラズマ処理）であってもよい。 [Configuration of board processing equipment]
An example of the substrate processing system according to the present embodiment will be described. FIG. 1 is a diagram showing an example of an overall schematic configuration of a substrate processing system according to an embodiment. The substrate processing system 10 according to the embodiment is an apparatus that processes a substrate on a substrate in a vacuum (decompression) state. Examples of the substrate treatment include film formation and etching. The substrate treatment may be a treatment using plasma (plasma treatment) or a treatment not using plasma (non-plasma treatment).

基板処理システム１０は、通常、複数の真空（減圧）搬送チャンバ（基板搬送チャンバ）２０、複数のプロセスモジュール（基板処理チャンバ）ＰＭ、及び複数のロードロックモジュールＬＬＭとを有する。また、基板処理システム１０は、ローダーモジュール（ＥＦＥＭ；Equipment Front End Module）３０と複数のロードポートＬＰを有する。 The substrate processing system 10 usually has a plurality of vacuum (decompression) transfer chambers (board transfer chambers) 20, a plurality of process modules (board processing chambers) PM, and a plurality of load lock modules LLM. Further, the substrate processing system 10 has a loader module (EFEM; Equipment Front End Module) 30 and a plurality of load port LPs.

なお、図１の例においては、基板処理システム１０は、２つの真空搬送チャンバ２０ａ，２０ｂ、８つのプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ８、２つのロードロックモジュールＬＬＭ１，ＬＬＭ２、及び５つのロードポートＬＰ１〜ＬＰ５を含む。ただし、基板処理システム１０の真空搬送チャンバ２０、プロセスモジュールＰＭ、ロードロックモジュールＬＬＭ、ロードポートＬＰの数は、図示するものに限定されない。以下、特に区別する必要がない場合は、２つの真空搬送チャンバ２０ａ，２０ｂはまとめて真空搬送チャンバ２０と呼ぶ。同様に、８つのプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ８はまとめてプロセスモジュールＰＭと呼ぶ。同様に、２つのロードロックモジュールＬＬＭ１，ＬＬＭ２はまとめてロードロックモジュールＬＬＭと呼ぶ。また同様に、５つのロードポートＬＰ１〜ＬＰ５はまとめてロードポートＬＰと呼ぶ。 In the example of FIG. 1, the substrate processing system 10 includes two vacuum transfer chambers 20a and 20b, eight process modules PM1 to PM8, two load lock modules LLM1 and LLM2, and five load ports LP1 to LP5. Including. However, the number of the vacuum transfer chamber 20, the process module PM, the load lock module LLM, and the load port LP of the substrate processing system 10 is not limited to those shown in the figure. Hereinafter, when it is not necessary to distinguish between them, the two vacuum transfer chambers 20a and 20b are collectively referred to as the vacuum transfer chamber 20. Similarly, the eight process modules PM1 to PM8 are collectively referred to as a process module PM. Similarly, the two load lock modules LLM1 and LLM2 are collectively referred to as load lock modules LLM. Similarly, the five load ports LP1 to LP5 are collectively referred to as load port LP.

一実施形態において、真空搬送チャンバ２０ａは、略平行な２つの側壁２１ａ，２１ｂと、側壁２１ａ，２１ｂの一端に側壁２１ｃ，２１ｄと、側壁２１ａ，２１ｂの他端に側壁２１ｅとを有する５角形平面形状を持つ。一実施形態において、側壁２１ａと側壁２１ｃのなす角、及び側壁２１ｂと側壁２１ｄのなす角は、いずれも鈍角であり、側壁２１ｃ，２１ｄは外側へ張り出している。一実施形態において、真空搬送チャンバ２０ｂは、４つの側壁２２ａ〜２２ｄを有する矩形の平面形状を持つ。 In one embodiment, the vacuum transfer chamber 20a is a pentagon having two substantially parallel side walls 21a, 21b, side walls 21c, 21d at one end of the side walls 21a, 21b, and side walls 21e at the other end of the side walls 21a, 21b. It has a planar shape. In one embodiment, the angle formed by the side wall 21a and the side wall 21c and the angle formed by the side wall 21b and the side wall 21d are both obtuse angles, and the side walls 21c and 21d project outward. In one embodiment, the vacuum transfer chamber 20b has a rectangular planar shape with four side walls 22a-22d.

複数の真空搬送チャンバ２０は、連結部（バッファチャンバ）４０を介して連結されている。 The plurality of vacuum transfer chambers 20 are connected via a connecting portion (buffer chamber) 40.

プロセスモジュールＰＭは、真空（減圧）雰囲気において半導体基板、すなわち、ウエハＷに対して基板処理を実施する。プロセスモジュールＰＭ内は、ウエハＷの処理中、真空（減圧）雰囲気に維持される。基板処理システム１０は、各プロセスモジュールＰＭが同一種類の真空処理を実施してもよい。あるいは、基板処理システム１０は、ウエハＷに対して実施する異なる種類の真空処理を各プロセスモジュールＰＭで個別に実施してもよい。 The process module PM performs substrate processing on the semiconductor substrate, that is, the wafer W in a vacuum (decompression) atmosphere. The inside of the process module PM is maintained in a vacuum (decompression) atmosphere during the processing of the wafer W. In the substrate processing system 10, each process module PM may perform the same type of vacuum processing. Alternatively, the substrate processing system 10 may individually perform different types of vacuum processing performed on the wafer W in each process module PM.

プロセスモジュールＰＭは、プロセスモジュールＰＭ内にウエハＷを搬送するための搬送口を有する。各プロセスモジュールＰＭは、搬送口を介して真空搬送チャンバ２０と連通している。本実施形態では、プロセスモジュールＰＭ１，ＰＭ２は、真空搬送チャンバ（前方真空搬送チャンバ）２０ａの側壁２１ａに接続され、それぞれの搬送口を介して真空搬送チャンバ２０ａと連通している。プロセスモジュールＰＭ３，ＰＭ４は、真空搬送チャンバ２０ａの側壁２１ｂに接続されて、それぞれの搬送口を介して真空搬送チャンバ２０ａと連通している。プロセスモジュールＰＭ５，ＰＭ６が真空搬送チャンバ（後方真空搬送チャンバ）２０ｂの側壁２２ａに接続され、それぞれの搬送口を介して真空搬送チャンバ２０ｂと連通している。プロセスモジュールＰＭ７，ＰＭ８は、真空搬送チャンバ２０ｂの側壁２２ｂに接続され、それぞれの搬送口を介して真空搬送チャンバ２０ｂと連通している。各搬送口には、搬送口を開閉可能なゲートバルブＧ１がそれぞれ設けられている。 The process module PM has a transport port for transporting the wafer W in the process module PM. Each process module PM communicates with the vacuum transfer chamber 20 via a transfer port. In the present embodiment, the process modules PM1 and PM2 are connected to the side wall 21a of the vacuum transfer chamber (front vacuum transfer chamber) 20a and communicate with the vacuum transfer chamber 20a via the respective transfer ports. The process modules PM3 and PM4 are connected to the side wall 21b of the vacuum transfer chamber 20a and communicate with the vacuum transfer chamber 20a via the respective transfer ports. The process modules PM5 and PM6 are connected to the side wall 22a of the vacuum transfer chamber (rear vacuum transfer chamber) 20b and communicate with the vacuum transfer chamber 20b via the respective transfer ports. The process modules PM7 and PM8 are connected to the side wall 22b of the vacuum transfer chamber 20b and communicate with the vacuum transfer chamber 20b via the respective transfer ports. Each transport port is provided with a gate valve G1 capable of opening and closing the transport port.

ゲートバルブＧ１は、プロセスモジュールＰＭ内でウエハＷの処理が実行されている間は閉じられている。ゲートバルブＧ１は、プロセスモジュールＰＭから処理済みのウエハＷを搬出する際、および、プロセスモジュールＰＭに未処理のウエハＷを搬入する際に開けられる。 The gate valve G1 is closed while the wafer W is being processed in the process module PM. The gate valve G1 is opened when the processed wafer W is carried out from the process module PM and when the untreated wafer W is carried into the process module PM.

真空搬送チャンバ２０は、図示しない排気機構、例えば、真空ポンプを備え、内部が真空（減圧）雰囲気に維持される。真空搬送チャンバ２０には、ウエハＷを搬送するため搬送ロボット２５が配置される。例えば、真空搬送チャンバ２０ａには、搬送ロボット２５ａが配置される。真空搬送チャンバ２０ｂには、搬送ロボット２５ｂが配置される。また、真空搬送チャンバ２０ａは、側壁２１ｃ，２１ｄに、２つのゲートバルブＧ２を介して２つのロードロックモジュールＬＬＭに接続されている。連結部４０は、ウエハＷを保持可能な保持部４１を有する。 The vacuum transfer chamber 20 includes an exhaust mechanism (not shown), for example, a vacuum pump, and the inside is maintained in a vacuum (decompression) atmosphere. A transfer robot 25 is arranged in the vacuum transfer chamber 20 to transfer the wafer W. For example, the transfer robot 25a is arranged in the vacuum transfer chamber 20a. A transfer robot 25b is arranged in the vacuum transfer chamber 20b. Further, the vacuum transfer chamber 20a is connected to the side walls 21c and 21d to two load lock modules LLM via two gate valves G2. The connecting portion 40 has a holding portion 41 capable of holding the wafer W.

搬送ロボット２５ａは、ウエハＷをプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ４のいずれかに搬送する。搬送ロボット２５ｂは、ウエハＷをプロセスモジュールＰＭ５〜ＰＭ８のいずれかに搬送する。また、搬送ロボット２５ａ，２５ｂは、連結部４０内を経てウエハＷを受け渡すことで、真空搬送チャンバ２０ａ，２０ｂ間でウエハＷを搬送することができる。例えば、真空搬送チャンバ２０ａから真空搬送チャンバ２０ｂへウエハＷを搬送してプロセスモジュールＰＭ５〜ＰＭ８のいずれかでウエハＷに真空処理を実施する場合、搬送ロボット２５ａは、ウエハＷを真空搬送チャンバ２０ａから連結部４０内の保持部４１上に搬送する。搬送ロボット２５ｂは、保持部４１上のウエハＷを連結部４０から真空搬送チャンバ２０ｂに取り出す。搬送ロボット２５ｂは、連結部４０から取り出したウエハＷを真空搬送チャンバ２０ｂからプロセスモジュールＰＭ５〜ＰＭ８のいずれかに搬送する。また、例えば、プロセスモジュールＰＭ５〜ＰＭ８のいずれかで処理されたウエハＷをロードロックモジュールＬＬＭへ搬送する場合、搬送ロボット２５ｂは、プロセスモジュールＰＭ５〜ＰＭ８のいずれかからウエハＷを取り出し、真空搬送チャンバ２０ｂに搬送する。搬送ロボット２５ｂは、取り出したウエハＷを真空搬送チャンバ２０ｂから連結部４０内の保持部４１に搬送する。搬送ロボット２５ａは、保持部４１上のウエハＷを連結部４０から真空搬送チャンバ２０ａに取り出し、連結部４０から取り出したウエハＷを真空搬送チャンバ２０ａからロードロックモジュールＬＬＭに搬送する。 The transfer robot 25a transfers the wafer W to any of the process modules PM1 to PM4. The transfer robot 25b transfers the wafer W to any of the process modules PM5 to PM8. Further, the transfer robots 25a and 25b can transfer the wafer W between the vacuum transfer chambers 20a and 20b by delivering the wafer W through the connecting portion 40. For example, when the wafer W is transferred from the vacuum transfer chamber 20a to the vacuum transfer chamber 20b and vacuum processing is performed on the wafer W by any of the process modules PM5 to PM8, the transfer robot 25a transfers the wafer W from the vacuum transfer chamber 20a. It is conveyed onto the holding portion 41 in the connecting portion 40. The transfer robot 25b takes out the wafer W on the holding portion 41 from the connecting portion 40 into the vacuum transfer chamber 20b. The transfer robot 25b transfers the wafer W taken out from the connecting portion 40 from the vacuum transfer chamber 20b to any of the process modules PM5 to PM8. Further, for example, when the wafer W processed by any of the process modules PM5 to PM8 is transferred to the load lock module LLM, the transfer robot 25b takes out the wafer W from any of the process modules PM5 to PM8 and carries out the vacuum transfer chamber. Transport to 20b. The transfer robot 25b transfers the removed wafer W from the vacuum transfer chamber 20b to the holding portion 41 in the connecting portion 40. The transfer robot 25a takes out the wafer W on the holding portion 41 from the connecting portion 40 to the vacuum transfer chamber 20a, and transfers the wafer W taken out from the connecting portion 40 from the vacuum transfer chamber 20a to the load lock module LLM.

ウエハＷは、真空搬送チャンバ２０から各プロセスモジュールＰＭに搬送される。プロセスモジュールＰＭ内で処理されたウエハＷは、他のプロセスモジュールＰＭで真空処理を実施する場合、真空搬送チャンバ２０を経て次の処理が行われるプロセスモジュールＰＭに搬送される。全ての処理が終了したウエハＷは、真空搬送チャンバ２０を介してロードロックモジュールＬＬＭに搬送される。 The wafer W is transferred from the vacuum transfer chamber 20 to each process module PM. When the wafer W processed in the process module PM is subjected to vacuum processing in another process module PM, the wafer W is transferred to the process module PM in which the next processing is performed via the vacuum transfer chamber 20. The wafer W after all the processing is transferred to the load lock module LLM via the vacuum transfer chamber 20.

ロードロックモジュールＬＬＭは、真空搬送チャンバ２０ａとの接続面の反対側にある面においてローダーモジュール３０に接続される。ロードロックモジュールＬＬＭとローダーモジュール３０との間にゲートバルブＧ３が配置される。ロードロックモジュールＬＬＭは、ウエハＷを載置する台（基板支持部）を備える。ロードロックモジュールＬＬＭは、図示しない排気機構、例えば、真空ポンプとリーク弁とを備え、内部を大気（常圧）雰囲気と真空（減圧）雰囲気とを切り替え可能である。ロードロックモジュールＬＬＭは、ローダーモジュール３０と真空搬送チャンバ２０ａとの間でウエハＷを搬送する際に、大気雰囲気と真空雰囲気との間でモジュール内の圧力を制御する。 The load lock module LLM is connected to the loader module 30 on a surface opposite to the connection surface with the vacuum transfer chamber 20a. A gate valve G3 is arranged between the load lock module LLM and the loader module 30. The load lock module LLM includes a table (board support portion) on which the wafer W is placed. The load lock module LLM includes an exhaust mechanism (not shown), for example, a vacuum pump and a leak valve, and can switch between an atmospheric (normal pressure) atmosphere and a vacuum (decompressed) atmosphere inside. The load lock module LLM controls the pressure in the module between the atmospheric atmosphere and the vacuum atmosphere when the wafer W is transferred between the loader module 30 and the vacuum transfer chamber 20a.

ローダーモジュール３０は、大気（常圧）雰囲気に維持される。図１の例では、ローダーモジュール３０は、略矩形の平面形状を持つ。ローダーモジュール３０の一方の長辺に複数のロードロックモジュールＬＬＭが並設されている。また、ローダーモジュール３０の他方の長辺に複数のロードポートＬＰが並設されている。各ロードポートＬＰは、ウエハＷが収容されたキャリアを有する。ローダーモジュール３０は、アームなどの搬送機構を有し、搬送機構は、ロードロックモジュールＬＬＭとロードポートＬＰとの間でウエハＷを搬送するように構成されている。 The loader module 30 is maintained in an atmospheric (normal pressure) atmosphere. In the example of FIG. 1, the loader module 30 has a substantially rectangular planar shape. A plurality of load lock modules LLM are arranged side by side on one long side of the loader module 30. Further, a plurality of load port LPs are arranged side by side on the other long side of the loader module 30. Each load port LP has a carrier in which the wafer W is housed. The loader module 30 has a transport mechanism such as an arm, and the transport mechanism is configured to transport the wafer W between the load lock module LLM and the load port LP.

次に、真空搬送チャンバ２０ａと真空搬送チャンバ２０ｂを連結する連結部４０の構成例を説明する。図２は、実施形態に係る連結部の概略構成の一例を示す断面図である。図２は、図１の破線Ｌ１による連結部４０付近の断面を示す断面図である。各真空搬送チャンバ２０は、搬送口２３を有し、搬送口２３を介してプロセスモジュールＰＭと連通している。各搬送口２３は、ゲートバルブＧ１により開閉される。図２の例では、プロセスモジュールＰＭ１のゲートバルブＧ１は開いている。真空搬送チャンバ２０ａは、プロセスモジュールＰＭ１と連通する搬送口２３ａを持つ。また、図２の例では、プロセスモジュールＰＭ６のゲートバルブＧ１は閉じている。真空搬送チャンバ２０ｂは、プロセスモジュールＰＭ６と連通する搬送口２３を持っているが、ゲートバルブＧ１で覆われている。 Next, a configuration example of the connecting portion 40 that connects the vacuum transfer chamber 20a and the vacuum transfer chamber 20b will be described. FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a schematic configuration of a connecting portion according to an embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a cross section of the vicinity of the connecting portion 40 according to the broken line L1 of FIG. Each vacuum transfer chamber 20 has a transfer port 23 and communicates with the process module PM via the transfer port 23. Each transport port 23 is opened and closed by a gate valve G1. In the example of FIG. 2, the gate valve G1 of the process module PM1 is open. The vacuum transfer chamber 20a has a transfer port 23a that communicates with the process module PM1. Further, in the example of FIG. 2, the gate valve G1 of the process module PM6 is closed. The vacuum transfer chamber 20b has a transfer port 23 communicating with the process module PM6, but is covered with a gate valve G1.

真空搬送チャンバ２０ａ内に、搬送ロボット２５ａが配置されている。真空搬送チャンバ２０ｂ内に、搬送ロボット２５ｂが配置されている。搬送ロボット２５ａ，２５ｂは、複数のアームセグメントを関節で回転可能に接続したアーム２６を有する多関節ロボットである。搬送ロボット２５ａ，２５ｂは、関節を屈曲することで水平方向にアーム２６を伸縮させることができる。一実施形態において、各搬送口２３は、略同一の高さに配置されている。搬送ロボット２５ａ，２５ｂは、アーム２６でウエハＷを支持し、アーム２６を伸縮させて、搬送口２３を介して真空搬送チャンバ２０ａからプロセスモジュールＰＭにウエハＷを搬送する。図２では、搬送ロボット２５ａのアーム２６により第１の高さで搬送口２３ａを介して真空搬送チャンバ２０ａからプロセスモジュールＰＭ１にウエハＷを搬送している状態を示している。また、搬送ロボット２５ｂのアーム２６を収縮させている。 A transfer robot 25a is arranged in the vacuum transfer chamber 20a. The transfer robot 25b is arranged in the vacuum transfer chamber 20b. The transfer robots 25a and 25b are articulated robots having an arm 26 in which a plurality of arm segments are rotatably connected by joints. The transfer robots 25a and 25b can expand and contract the arm 26 in the horizontal direction by bending the joints. In one embodiment, the transport ports 23 are arranged at substantially the same height. The transfer robots 25a and 25b support the wafer W by the arm 26, expand and contract the arm 26, and transfer the wafer W from the vacuum transfer chamber 20a to the process module PM via the transfer port 23. FIG. 2 shows a state in which the wafer W is transferred from the vacuum transfer chamber 20a to the process module PM1 at the first height by the arm 26 of the transfer robot 25a via the transfer port 23a. In addition, the arm 26 of the transfer robot 25b is contracted.

連結部４０は、各真空処理チャンバにウエハＷを搬送する際に搬送ロボット２５ａ，２５ｂが移動する移動空間よりも高い位置で真空搬送チャンバ２０ａ，２０ｂを連結する。即ち、連結部４０は、搬送口２３が配置されている第１の高さよりも高い第２の高さで真空搬送チャンバ２０ａ，２０ｂを連結する。本実施形態に係る基板処理システム１０は、連結部４０の上面、真空搬送チャンバ２０ａの上面、及び、真空搬送チャンバ２０ｂの上面が、同じ高さとされており、同一平面を構成する。連結部４０は、ウエハＷを保持可能な保持部４１を有する。真空搬送チャンバ２０ａの一部は、連結部４０の下に延びている。換言すると、連結部４０は、真空搬送チャンバ２０ａ，２０ｂの一方又は双方の上部に食い込んだ状態で配置されている。一実施形態において、真空搬送チャンバ２０ａは、階段状の側部を有し、この側部の下部は、上部よりも外方に突出している。そして、連結部４０の一部は、階段状の側部の突出部分の上に配置されている。また、少なくとも１つの搬送口２３ａの一部は、側方から見て、突出部分と重複する位置に配置されている。搬送ロボットは、第１の高さで真空搬送チャンバと真空処理チャンバとの間でウエハを搬送し、第１の高さとは異なる第２の高さで真空搬送チャンバと連結部との間でウエハを搬送するように構成される。これにより、連結部４０は、上方から見て、連結された各真空搬送チャンバ２０のいずれかの搬送ロボット２５ａ，２５ｂが真空処理チャンバにウエハＷを搬送する際の移動範囲と少なくとも一部が重なるように配置される。一実施形態において、第２の高さは、第１の高さよりも高い。この場合、搬送ロボット２５ａが真空処理チャンバにウエハＷを搬送する際の移動範囲の一部が連結部４０の下になる。 The connecting portion 40 connects the vacuum transfer chambers 20a and 20b at a position higher than the moving space in which the transfer robots 25a and 25b move when the wafer W is transferred to each vacuum processing chamber. That is, the connecting portion 40 connects the vacuum transfer chambers 20a and 20b at a second height higher than the first height at which the transfer port 23 is arranged. In the substrate processing system 10 according to the present embodiment, the upper surface of the connecting portion 40, the upper surface of the vacuum transfer chamber 20a, and the upper surface of the vacuum transfer chamber 20b have the same height and form the same plane. The connecting portion 40 has a holding portion 41 capable of holding the wafer W. A portion of the vacuum transfer chamber 20a extends below the connecting portion 40. In other words, the connecting portion 40 is arranged in a state of being bitten into the upper part of one or both of the vacuum transfer chambers 20a and 20b. In one embodiment, the vacuum transfer chamber 20a has a stepped side portion, the lower portion of which side portion projects outward from the upper portion. A part of the connecting portion 40 is arranged on the protruding portion of the stepped side portion. Further, a part of at least one transport port 23a is arranged at a position overlapping the protruding portion when viewed from the side. The transfer robot transfers the wafer between the vacuum transfer chamber and the vacuum processing chamber at the first height, and the wafer is transferred between the vacuum transfer chamber and the connecting portion at a second height different from the first height. Is configured to carry. As a result, the connecting portion 40 overlaps at least a part of the moving range when the transfer robots 25a and 25b of each of the connected vacuum transfer chambers 20 transfer the wafer W to the vacuum processing chamber when viewed from above. Arranged like this. In one embodiment, the second height is higher than the first height. In this case, a part of the moving range when the transfer robot 25a transfers the wafer W to the vacuum processing chamber is below the connecting portion 40.

搬送ロボット２５ａ，２５ｂは、昇降可能である。例えば、搬送ロボット２５ａ，２５ｂは、第１の高さと第２の高さの間で昇降可能である。図３Ａ及び図３Ｂは、実施形態に係る搬送ロボット２５を昇降させた状態の一例を示す断面図である。図３Ｂには、搬送ロボット２５ａを第２の高さに上昇させた一例が示されている。図３Ａは、実施形態に係る搬送ロボット２５ａを第１の高さに下降させた状態の一例が示されている。一実施形態において、第１の高さは、アーム２６が搬送口２３と同じ高さになる位置である。一実施形態において、第２の高さは、アーム２６が保持部４１と同じ高さになる位置である。図２、図３Ａ及び図３Ｂでは、第１の高さを「Pass Line1」、第２の高さを「Pass Line2」として示している。搬送ロボット２５ａ，２５ｂは、第１の高さで搬送口２３から真空処理チャンバにウエハＷを搬送する。図３Ａの例では、搬送ロボット２５ａ及び搬送ロボット２５ｂのエンドエフェクタ（ピック）が第１の高さに配置されている。真空搬送チャンバ２０ｂは、プロセスモジュールＰＭ６と連通する搬送口２３ｆを持つ。搬送ロボット２５ｂは、アーム２６により搬送口２３ｆを介して真空搬送チャンバ２０ｂからプロセスモジュールＰＭ６にウエハＷを搬送している。また、搬送ロボット２５ａはアーム２６を収縮させている。また、搬送ロボット２５ａ，２５ｂは、エンドエフェクタで保持されたウエハＷを第１の高さから第２の高さまで移動させ、第２の高さで真空搬送チャンバと連結部との間でウエハＷを搬送する。即ち、搬送ロボット２５ａ，２５ｂは、第２の高さで、保持部４１に到達し、保持部４１からウエハＷを受け渡す。図３Ｂの例では、搬送ロボット２５ｂのエンドエフェクタで保持されたウエハＷが第１の高さで搬送され、搬送ロボット２５ａのエンドエフェクタで保持されたウエハＷが第２の高さで搬送されている。搬送ロボット２５ａは、第２の高さにおいてアーム２６を伸ばして保持部４１にウエハＷを受け渡している。 The transfer robots 25a and 25b can be raised and lowered. For example, the transfer robots 25a and 25b can move up and down between the first height and the second height. 3A and 3B are cross-sectional views showing an example of a state in which the transfer robot 25 according to the embodiment is raised and lowered. FIG. 3B shows an example in which the transfer robot 25a is raised to the second height. FIG. 3A shows an example of a state in which the transfer robot 25a according to the embodiment is lowered to the first height. In one embodiment, the first height is a position where the arm 26 is at the same height as the transport port 23. In one embodiment, the second height is a position where the arm 26 is at the same height as the holding portion 41. In FIGS. 2, 3A and 3B, the first height is shown as "Pass Line 1" and the second height is shown as "Pass Line 2". The transfer robots 25a and 25b transfer the wafer W from the transfer port 23 to the vacuum processing chamber at the first height. In the example of FIG. 3A, the transfer robot 25a and the end effectors (picks) of the transfer robot 25b are arranged at the first height. The vacuum transfer chamber 20b has a transfer port 23f that communicates with the process module PM6. The transfer robot 25b transfers the wafer W from the vacuum transfer chamber 20b to the process module PM6 via the transfer port 23f by the arm 26. Further, the transfer robot 25a contracts the arm 26. Further, the transfer robots 25a and 25b move the wafer W held by the end effector from the first height to the second height, and the wafer W is moved between the vacuum transfer chamber and the connecting portion at the second height. To carry. That is, the transfer robots 25a and 25b reach the holding portion 41 at the second height and deliver the wafer W from the holding portion 41. In the example of FIG. 3B, the wafer W held by the end effector of the transfer robot 25b is conveyed at the first height, and the wafer W held by the end effector of the transfer robot 25a is conveyed at the second height. There is. The transfer robot 25a extends the arm 26 at the second height and delivers the wafer W to the holding portion 41.

連結部４０は、第２の高さで真空搬送チャンバ２０ａ，２０ｂとそれぞれ連通する２つの開口４２ａ、４２ｂを有する。換言すると、真空搬送チャンバ２０ａ，２０ｂは、第１の高さでプロセスモジュールと連通する開口（搬送口２３）を有し、第２の高さで連結部４０と連通する開口４２ａ、４２ｂを有する。一実施形態において、真空搬送チャンバ２０ａと連通する開口４２ａ（第１の開口）には、ゲートバルブＧ４ａが取り付けられる。一実施形態において、真空搬送チャンバ２０ｂと連通する開口４２ｂ（第２の開口）には、ゲートバルブＧ４ｂが取り付けられる。連結部４０は、内部の圧力を切り替えるための図示しない排気機構とガス供給機構とを備える。基板処理システム１０は、例えば、真空搬送チャンバ２０ａ，２０ｂの圧力を変えて使用する場合でも、連結部４０で圧力を調整してウエハＷを受け渡すことができる。即ち、一実施形態において、連結部４０がロードロック機能を有してもよい。真空搬送チャンバ２０ａ，２０ｂは、第１の高さで側壁２１ｅと側壁２２ｃにより分離され、第２の高さにある連結部４０により連結されている。第１の高さで、側壁２１ｅと側壁２２ｃの間は大気空間であり、排気機構とガス供給機構の配管が配設される。 The connecting portion 40 has two openings 42a and 42b that communicate with the vacuum transfer chambers 20a and 20b at a second height, respectively. In other words, the vacuum transfer chambers 20a and 20b have openings (conveyor ports 23) that communicate with the process module at the first height and openings 42a and 42b that communicate with the connecting portion 40 at the second height. .. In one embodiment, a gate valve G4a is attached to the opening 42a (first opening) communicating with the vacuum transfer chamber 20a. In one embodiment, the gate valve G4b is attached to the opening 42b (second opening) communicating with the vacuum transfer chamber 20b. The connecting portion 40 includes an exhaust mechanism (not shown) and a gas supply mechanism for switching the internal pressure. In the substrate processing system 10, for example, even when the vacuum transfer chambers 20a and 20b are used with different pressures, the pressure can be adjusted by the connecting portion 40 to deliver the wafer W. That is, in one embodiment, the connecting portion 40 may have a load lock function. The vacuum transfer chambers 20a and 20b are separated by the side wall 21e and the side wall 22c at the first height, and are connected by the connecting portion 40 at the second height. At the first height, between the side wall 21e and the side wall 22c is an atmospheric space, and piping for an exhaust mechanism and a gas supply mechanism is arranged.

なお、上記実施形態では、図２、図３Ａ、図３Ｂに示すように、連結部４０の一部を真空搬送チャンバ２０ａと縦方向に重複するように構成した場合を例に説明した。しかし、これに限定されるものではない。連結部４０の少なくとも一部が真空搬送チャンバ２０ａ及び真空搬送チャンバ２０ｂのうち少なくとも１つと縦方向に重複すればよい。例えば、連結部４０の一部を真空搬送チャンバ２０ｂと縦方向に重複するように構成してもよい。図４Ａは、実施形態に係る連結部４０の概略構成の他の一例を示す断面図である。図４Ａでは、真空搬送チャンバ２０ｂの一部が連結部４０の下に延びており、連結部４０の一部が真空搬送チャンバ２０ｂと縦方向に重複している。図４Ａでは、搬送ロボット２５ｂが真空処理チャンバにウエハＷを搬送する際の移動範囲の一部が連結部４０の下になる。また、例えば、連結部４０の一部を真空搬送チャンバ２０ａ及び真空搬送チャンバ２０ｂと縦方向に重複するように構成してもよい。図４Ｂは、実施形態に係る連結部４０の概略構成の他の一例を示す断面図である。図４Ｂでは、真空搬送チャンバ２０ａ及び真空搬送チャンバ２０ｂの一部が連結部４０の下に延びており、連結部４０の一部が真空搬送チャンバ２０ａ及び真空搬送チャンバ２０ｂと縦方向に重複している。図４Ｂでは、搬送ロボット２５ａ，２５ｂが真空処理チャンバにウエハＷを搬送する際の移動範囲の一部が連結部４０の下になる。 In the above embodiment, as shown in FIGS. 2, 3A, and 3B, a case where a part of the connecting portion 40 is configured to overlap the vacuum transfer chamber 20a in the vertical direction has been described as an example. However, it is not limited to this. At least a part of the connecting portion 40 may vertically overlap with at least one of the vacuum transfer chamber 20a and the vacuum transfer chamber 20b. For example, a part of the connecting portion 40 may be configured to overlap with the vacuum transfer chamber 20b in the vertical direction. FIG. 4A is a cross-sectional view showing another example of the schematic configuration of the connecting portion 40 according to the embodiment. In FIG. 4A, a part of the vacuum transfer chamber 20b extends below the connecting portion 40, and a part of the connecting portion 40 vertically overlaps with the vacuum transfer chamber 20b. In FIG. 4A, a part of the moving range when the transfer robot 25b transfers the wafer W to the vacuum processing chamber is below the connecting portion 40. Further, for example, a part of the connecting portion 40 may be configured to overlap the vacuum transfer chamber 20a and the vacuum transfer chamber 20b in the vertical direction. FIG. 4B is a cross-sectional view showing another example of the schematic configuration of the connecting portion 40 according to the embodiment. In FIG. 4B, a part of the vacuum transfer chamber 20a and the vacuum transfer chamber 20b extends below the connecting portion 40, and a part of the connecting portion 40 overlaps the vacuum transfer chamber 20a and the vacuum transfer chamber 20b in the vertical direction. There is. In FIG. 4B, a part of the moving range when the transfer robots 25a and 25b transfer the wafer W to the vacuum processing chamber is below the connecting portion 40.

次に、基板処理システム１０の動作について説明する。基板処理システム１０では、ウエハＷを収容するキャリアが、ローダーモジュール３０のロードポートＬＰに取り付けられる。ローダーモジュール３０の搬送機構（不図示）が、キャリアからウエハＷを取り出す。いずれかのロードロックモジュールＬＬＭのゲートバルブＧ２が開く。搬送機構は、取り出したウエハＷを、開いたゲートバルブＧ２からロードロックモジュールＬＬＭ内に搬入する。ウエハＷの搬入後、ロードロックモジュールＬＬＭのゲートバルブＧ２を閉じる。次いでロードロックモジュールＬＬＭは、真空排気される。 Next, the operation of the substrate processing system 10 will be described. In the substrate processing system 10, a carrier accommodating the wafer W is attached to the load port LP of the loader module 30. The transport mechanism (not shown) of the loader module 30 takes out the wafer W from the carrier. The gate valve G2 of either load lock module LLM opens. The transport mechanism carries the removed wafer W into the load lock module LLM from the open gate valve G2. After the wafer W is carried in, the gate valve G2 of the load lock module LLM is closed. The load lock module LLM is then evacuated.

ロードロックモジュールＬＬＭが所定の真空度になった時点で、ロードロックモジュールＬＬＭのゲートバルブＧ２が開く。真空搬送チャンバ２０ａでは、搬送ロボット２５ａが第１の高さに昇降し、搬送ロボット２５ａが、ロードロックモジュールＬＬＭからウエハＷを取り出す。 When the load lock module LLM reaches a predetermined degree of vacuum, the gate valve G2 of the load lock module LLM opens. In the vacuum transfer chamber 20a, the transfer robot 25a moves up and down to the first height, and the transfer robot 25a takes out the wafer W from the load lock module LLM.

例えば、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ４のいずれかでウエハＷを処理する場合、搬送ロボット２５ａは、第１の高さで、搬送口２３を介してプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ４のいずれかの真空処理チャンバにウエハＷを搬送してウエハＷを置く。搬送ロボット２５ａは、空のアーム２６を真空搬送チャンバ２０ａに戻す。搬送されたウエハＷを含むプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ４のゲートバルブＧ１が閉じられ、搬入されたウエハＷは処理される。 For example, when processing the wafer W by any of the process modules PM1 to PM4, the transfer robot 25a moves the wafer to the vacuum processing chamber of any of the process modules PM1 to PM4 via the transfer port 23 at the first height. W is conveyed and the wafer W is placed. The transfer robot 25a returns the empty arm 26 to the vacuum transfer chamber 20a. The gate valve G1 of the process modules PM1 to PM4 including the conveyed wafer W is closed, and the transferred wafer W is processed.

あるいは、真空搬送チャンバ２０ａから真空搬送チャンバ２０ｂへウエハＷを搬送してプロセスモジュールＰＭ５〜ＰＭ８のいずれかでウエハＷを処理する場合、搬送ロボット２５ａは、第２の高さに上昇し、ウエハＷを保持部４１に搬送して置く。搬送ロボット２５ｂは、第２の高さに上昇し、保持部４１からウエハＷを取り出す。次いで、搬送ロボット２５ｂは、第１の高さに下降し、搬送口２３からプロセスモジュールＰＭ５〜ＰＭ８のいずれかの真空処理チャンバにウエハＷを搬送してウエハＷを置く。 Alternatively, when the wafer W is transferred from the vacuum transfer chamber 20a to the vacuum transfer chamber 20b and the wafer W is processed by any of the process modules PM5 to PM8, the transfer robot 25a rises to the second height and the wafer W Is transported to the holding unit 41 and placed. The transfer robot 25b rises to a second height and takes out the wafer W from the holding portion 41. Next, the transfer robot 25b descends to the first height, transfers the wafer W from the transfer port 23 to any of the vacuum processing chambers of the process modules PM5 to PM8, and places the wafer W.

図５は、実施形態に係るウエハＷを搬送する流れの一例を示す図である。図５（Ａ）〜（Ｆ）には、真空搬送チャンバ２０ａから真空搬送チャンバ２０ｂへウエハＷを搬送してプロセスモジュールＰＭ８の真空処理チャンバにウエハＷを搬送する流れを示している。なお、図５では、図４Ａに示したように、連結部４０の一部が真空搬送チャンバ２０ｂと縦方向に重複した構成とした場合で示している。図５（Ａ）では、搬送ロボット２５ａにより搬送されたウエハＷが保持部４１に置かれている。搬送ロボット２５ｂは、第２の高さに上昇し、保持部４１からウエハＷを取り出す（図５（Ａ）〜（Ｃ））。そして、搬送ロボット２５ｂは、第１の高さに下降し、搬送口２３からプロセスモジュールＰＭ８の真空処理チャンバにウエハＷを搬送してウエハＷを置いている（図５（Ｄ）〜（Ｆ））。 FIG. 5 is a diagram showing an example of a flow for transporting the wafer W according to the embodiment. 5A to 5F show a flow of transporting the wafer W from the vacuum transfer chamber 20a to the vacuum transfer chamber 20b and transferring the wafer W to the vacuum processing chamber of the process module PM8. Note that, as shown in FIG. 4A, FIG. 5 shows a case where a part of the connecting portion 40 overlaps with the vacuum transfer chamber 20b in the vertical direction. In FIG. 5A, the wafer W conveyed by the transfer robot 25a is placed on the holding portion 41. The transfer robot 25b rises to the second height and takes out the wafer W from the holding portion 41 (FIGS. 5A to 5C). Then, the transfer robot 25b descends to the first height, transfers the wafer W from the transfer port 23 to the vacuum processing chamber of the process module PM8, and places the wafer W (FIGS. 5D to 5F). ).

搬送ロボット２５ｂは、空のアーム２６を真空搬送チャンバ２０ｂに戻す。搬送されたウエハＷを含むプロセスモジュールＰＭ５〜ＰＭ８のゲートバルブＧ１が閉じられ、搬入されたウエハＷは処理される。なお、基板処理システム１０は、真空搬送チャンバ２０ａ，２０ｂ間の圧力が異なる場合、ゲートバルブＧ４ａを開け、搬送ロボット２５ａがウエハＷを保持部４１に搬送する。次に、基板処理システム１０は、ゲートバルブＧ４ａを閉じ、内部の圧力を真空搬送チャンバ２０ｂの圧力に調整し、ゲートバルブＧ４ｂを開ける。 The transfer robot 25b returns the empty arm 26 to the vacuum transfer chamber 20b. The gate valve G1 of the process modules PM5 to PM8 including the conveyed wafer W is closed, and the transferred wafer W is processed. When the pressures between the vacuum transfer chambers 20a and 20b are different, the substrate processing system 10 opens the gate valve G4a and the transfer robot 25a transfers the wafer W to the holding portion 41. Next, the substrate processing system 10 closes the gate valve G4a, adjusts the internal pressure to the pressure of the vacuum transfer chamber 20b, and opens the gate valve G4b.

真空処理されたウエハＷを次のプロセスモジュールＰＭで真空処理を実施する場合、真空搬送チャンバ２０を介してそのプロセスモジュールＰＭに搬送される。この際、真空搬送チャンバ２０ａと真空搬送チャンバ２０ｂとの間でウエハＷを搬送する場合、搬送ロボット２５ａ，２５ｂは、第２の高さに上昇し、保持部４１を経てウエハＷを受け渡す。 When the vacuum-processed wafer W is vacuum-processed in the next process module PM, it is transferred to the process module PM via the vacuum transfer chamber 20. At this time, when the wafer W is transferred between the vacuum transfer chamber 20a and the vacuum transfer chamber 20b, the transfer robots 25a and 25b rise to the second height and deliver the wafer W through the holding portion 41.

全ての真空処理が終了したウエハＷは、搬入した際と逆の順序でキャリアに搬送される。 The wafer W for which all vacuum processing has been completed is conveyed to the carrier in the reverse order of the loading.

上記のように、本実施形態に係る基板処理システム１０は、連結された真空搬送チャンバ２０ａ，２０ｂの間でウエハＷを受け渡すことができる。 As described above, the substrate processing system 10 according to the present embodiment can transfer the wafer W between the connected vacuum transfer chambers 20a and 20b.

図６は、比較例としての基板処理装置の全体の概略構成の一例を示す図である。図６では、図１に示した実施形態に係る基板処理システム１０と同様の構成部品に対応する構成部品に、同一の符号を付している。図６に示す基板処理システム１０の真空搬送チャンバ２０ａ，２０ｂはそれぞれ略６角形の平面形状を持ち、２つの搬送中間チャンバ９０を経て連結されている。図７は、比較例としての搬送中間チャンバの概略構成の一例を示す断面図である。図７は、図６の破線Ｌ２による断面を示した断面図である。連結部４０は、ウエハＷの保持する保持部９１を備えている。搬送中間チャンバ９０は、搬送ロボット２５ａ，２５ｂが搬送口２３からプロセスモジュールＰＭにウエハＷを搬送する高さと同じ高さに保持部４１を備えている。すなわち、搬送中間チャンバ９０は、搬送口２３と同様の第１の高さに保持部９１を有する。図７では、第１の高さを「Pass Line1」として示している。この場合、基板処理システム１０では、搬送ロボット２５ａ，２５ｂが搬送口２３から真空処理チャンバにウエハＷを搬送する際のアーム２６の移動を妨げないように保持部９１を配置する必要がある。このため、図６、図７に示す基板処理システム１０では、搬送ロボット２５ａ，２５ｂが真空処理チャンバにウエハＷを搬送する際のアーム２６の移動範囲に重ならないよう、搬送口２３から離して保持部９１を配置する。その結果、図６、図７に示す基板処理システム１０は、大きな設置面積を必要とする。 FIG. 6 is a diagram showing an example of an overall schematic configuration of a substrate processing apparatus as a comparative example. In FIG. 6, components corresponding to the same components as the substrate processing system 10 according to the embodiment shown in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. The vacuum transfer chambers 20a and 20b of the substrate processing system 10 shown in FIG. 6 each have a substantially hexagonal planar shape, and are connected via two transfer intermediate chambers 90. FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of a schematic configuration of a transport intermediate chamber as a comparative example. FIG. 7 is a cross-sectional view showing a cross section taken along the broken line L2 of FIG. The connecting portion 40 includes a holding portion 91 for holding the wafer W. The transfer intermediate chamber 90 is provided with a holding portion 41 at the same height as the transfer robots 25a and 25b transfer the wafer W from the transfer port 23 to the process module PM. That is, the transfer intermediate chamber 90 has the holding portion 91 at a first height similar to that of the transfer port 23. In FIG. 7, the first height is shown as "Pass Line 1". In this case, in the substrate processing system 10, it is necessary to arrange the holding portion 91 so as not to hinder the movement of the arm 26 when the transfer robots 25a and 25b transfer the wafer W from the transfer port 23 to the vacuum processing chamber. Therefore, in the substrate processing system 10 shown in FIGS. 6 and 7, the transfer robots 25a and 25b are held away from the transfer port 23 so as not to overlap the moving range of the arm 26 when the wafer W is transferred to the vacuum processing chamber. The unit 91 is arranged. As a result, the substrate processing system 10 shown in FIGS. 6 and 7 requires a large installation area.

一方、本実施形態に係る基板処理システム１０は、図１〜図５に示したように、搬送口２３とは異なる高さで、上方から見て、搬送ロボット２５ａが真空処理チャンバにウエハＷを搬送する際の移動範囲と一部が重なるように連結部４０を設けている。これにより、実施形態に係る基板処理システム１０は、搬送ロボット２５ａ，２５ｂが真空処理チャンバにウエハＷを搬送する際のアーム２６の移動を妨げることなく、搬送口２３の近くに保持部４１を配置できるため、設置面積の増大を抑制できる。 On the other hand, in the substrate processing system 10 according to the present embodiment, as shown in FIGS. 1 to 5, the transfer robot 25a displays the wafer W in the vacuum processing chamber at a height different from that of the transfer port 23 when viewed from above. The connecting portion 40 is provided so as to partially overlap the moving range at the time of transportation. As a result, in the substrate processing system 10 according to the embodiment, the holding portion 41 is arranged near the transfer port 23 without hindering the movement of the arm 26 when the transfer robots 25a and 25b transfer the wafer W to the vacuum processing chamber. Therefore, it is possible to suppress an increase in the installation area.

以上のように、本実施形態に係る基板処理システム１０は、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ４（第１の基板処理チャンバ）と、真空搬送チャンバ２０ａ（第１の基板搬送チャンバ）と、プロセスモジュールＰＭ５〜ＰＭ８（第２の基板処理チャンバ）と、真空搬送チャンバ２０ｂ（第２の基板搬送チャンバ）と、連結部４０（バッファチャンバ）とを含む。真空搬送チャンバ２０ａは、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ４に連結される。真空搬送チャンバ２０ｂは、プロセスモジュールＰＭ５〜ＰＭ８に連結される。連結部４０は、真空搬送チャンバ２０ａと真空搬送チャンバ２０ｂとの間に連結され、少なくとも１つの保持部４１（基板保持部）を有する。連結部４０の少なくとも一部は、真空搬送チャンバ２０ａ及び真空搬送チャンバ２０ｂのうち少なくとも１つと縦方向に重複する。これにより、基板処理システム１０は、設置面積の増大を抑制できる。 As described above, the substrate processing system 10 according to the present embodiment includes the process modules PM1 to PM4 (first substrate processing chamber), the vacuum transfer chamber 20a (first substrate transfer chamber), and the process modules PM5 to PM8. (Second substrate processing chamber), vacuum transfer chamber 20b (second substrate transfer chamber), and connecting portion 40 (buffer chamber) are included. The vacuum transfer chamber 20a is connected to the process modules PM1 to PM4. The vacuum transfer chamber 20b is connected to the process modules PM5 to PM8. The connecting portion 40 is connected between the vacuum transfer chamber 20a and the vacuum transfer chamber 20b, and has at least one holding portion 41 (board holding portion). At least a part of the connecting portion 40 vertically overlaps with at least one of the vacuum transfer chamber 20a and the vacuum transfer chamber 20b. As a result, the substrate processing system 10 can suppress an increase in the installation area.

また、真空搬送チャンバ２０ａは、ウエハＷ（基板）を搬送するように構成された搬送ロボット２５ａ（第１の基板搬送ロボット）を有する。搬送ロボット２５ａは、第１の高さと第１の高さとは異なる第２の高さとの間で移動可能である。搬送ロボット２５ａは、第１の高さで真空搬送チャンバ２０ａとプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ４との間でウエハＷを搬送するように構成され、第２の高さで真空搬送チャンバ２０ａと連結部４０との間でウエハＷを搬送するように構成される。これにより、搬送ロボット２５ａは、第１の高さでプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ４にウエハＷを搬送でき、第２の高さで保持部４１を経て真空搬送チャンバ２０ｂとウエハＷを受け渡すことができる。 Further, the vacuum transfer chamber 20a has a transfer robot 25a (first substrate transfer robot) configured to transfer the wafer W (board). The transfer robot 25a can move between the first height and a second height different from the first height. The transfer robot 25a is configured to transfer the wafer W between the vacuum transfer chamber 20a and the process modules PM1 to PM4 at the first height, and the vacuum transfer chamber 20a and the connecting portion 40 at the second height. The wafer W is configured to be conveyed between the wafers. As a result, the transfer robot 25a can transfer the wafer W to the process modules PM1 to PM4 at the first height, and can transfer the vacuum transfer chamber 20b and the wafer W at the second height via the holding portion 41. ..

また、真空搬送チャンバ２０ｂは、ウエハＷを搬送するように構成された搬送ロボット２５ｂ（第２の基板搬送ロボット）を有する。搬送ロボット２５ｂは、第１の高さと第２の高さとの間で移動可能である。搬送ロボット２５ｂは、第１の高さで真空搬送チャンバ２０ｂとプロセスモジュールＰＭ５〜ＰＭ８との間で基板を搬送するように構成され、第２の高さで真空搬送チャンバ２０ｂと連結部４０との間で基板を搬送するように構成される。これにより、真空搬送チャンバ２０ｂは、第１の高さでプロセスモジュールＰＭ５〜ＰＭ８にウエハＷを搬送でき、第２の高さで保持部４１を経て真空搬送チャンバ２０ａとウエハＷを受け渡すことができる。 Further, the vacuum transfer chamber 20b has a transfer robot 25b (second substrate transfer robot) configured to transfer the wafer W. The transfer robot 25b can move between the first height and the second height. The transfer robot 25b is configured to transfer the substrate between the vacuum transfer chamber 20b and the process modules PM5 to PM8 at the first height, and the vacuum transfer chamber 20b and the connecting portion 40 at the second height. It is configured to transport the substrate between them. As a result, the vacuum transfer chamber 20b can transfer the wafer W to the process modules PM5 to PM8 at the first height, and can transfer the vacuum transfer chamber 20a and the wafer W to the process modules PM5 to PM8 at the second height via the holding portion 41. it can.

また、真空搬送チャンバ２０ａは、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ４に連通し得る第１の搬送口（搬送口２３）を有する。真空搬送チャンバ２０ｂは、プロセスモジュールＰＭ５〜ＰＭ８に連通し得る第２の搬送口（搬送口２３）を有する。連結部４０の少なくとも一部は、側方から見て、第１の搬送口及び第２の搬送口のうち少なくとも１つの上方又は下方に配置される。これにより、プロセスモジュールＰＭにウエハＷを搬送する際の搬送ロボット２５ａ，２５ｂの移動空間に干渉させずに保持部４１を配置できるため、設置面積の増大を抑制できる。 Further, the vacuum transfer chamber 20a has a first transfer port (convey port 23) capable of communicating with the process modules PM1 to PM4. The vacuum transfer chamber 20b has a second transfer port (convey port 23) capable of communicating with the process modules PM5 to PM8. At least a part of the connecting portion 40 is arranged above or below at least one of the first transport port and the second transport port when viewed from the side. As a result, since the holding portion 41 can be arranged without interfering with the moving space of the transfer robots 25a and 25b when the wafer W is transferred to the process module PM, an increase in the installation area can be suppressed.

連結部４０の少なくとも一部は、側方から見て、第１の搬送口及び第２の搬送口のうち少なくとも１つの上方に配置され、第２の高さは、第１の高さよりも高い。これにより、プロセスモジュールＰＭにウエハＷを搬送する際の搬送ロボット２５ａ，２５ｂの移動空間に干渉させずに保持部４１を配置できるため、設置面積の増大を抑制できる。 At least a part of the connecting portion 40 is arranged above at least one of the first transport port and the second transport port when viewed from the side, and the second height is higher than the first height. .. As a result, since the holding portion 41 can be arranged without interfering with the moving space of the transfer robots 25a and 25b when the wafer W is transferred to the process module PM, an increase in the installation area can be suppressed.

また、連結部４０は、真空搬送チャンバ２０ａ，２０ｂとの間にゲートバルブＧ４ａ，Ｇ４ｂが設けられている。これにより、基板処理システム１０は、真空搬送チャンバ２０ａ，２０ｂの圧力を変えて使用する場合でも、連結部４０により圧力を調整してウエハＷを受け渡すことができる。 Further, the connecting portion 40 is provided with gate valves G4a and G4b between the vacuum transfer chambers 20a and 20b. As a result, the substrate processing system 10 can deliver the wafer W by adjusting the pressure by the connecting portion 40 even when the vacuum transfer chambers 20a and 20b are used with different pressures.

以上、上記実施形態について説明してきたが、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は、多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 Although the above-described embodiment has been described above, it should be considered that the embodiment disclosed this time is an example in all respects and is not restrictive. Indeed, the above embodiments can be embodied in a variety of forms. Moreover, the above-described embodiment may be omitted, replaced or changed in various forms without departing from the scope of claims and the gist thereof.

例えば、上記実施形態では、基板をウエハＷとした場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。基板は、ガラス基板など、他の基板であってもよい。 For example, in the above embodiment, the case where the substrate is the wafer W has been described as an example, but the present invention is not limited to this. The substrate may be another substrate such as a glass substrate.

上記実施形態では、第２の高さを第１の高さよりも高い位置の場合を説明したが、第２の高さは第１の高さよりも低い位置であってもよい。すなわち、第１の高さよりも低い位置で連結部４０を経て真空搬送チャンバ２０ａ，２０ｂが連結されてもよい。 In the above embodiment, the case where the second height is higher than the first height has been described, but the second height may be a position lower than the first height. That is, the vacuum transfer chambers 20a and 20b may be connected via the connecting portion 40 at a position lower than the first height.

上記実施形態では、基板処理システム１０の２つの真空搬送チャンバ２０を連結部４０により連結した場合を説明したが、基板処理システム１０は、３つ以上の真空搬送チャンバ２０を連結部４０により連結してもよい。 In the above embodiment, the case where the two vacuum transfer chambers 20 of the substrate processing system 10 are connected by the connecting portion 40 has been described, but in the substrate processing system 10, three or more vacuum transfer chambers 20 are connected by the connecting portion 40. You may.

上記実施形態では、連結部４０に保持部４１を１つ設けた場合を説明したが、複数の保持部４１が連結部４０に設けてられてもよい。図８は、実施形態に係る基板処理装置の全体の概略構成の他の一例を示す図である。図８に示す基板処理システム１０は、連結部４０に保持部４１が２つ設けられている。 In the above embodiment, the case where one holding portion 41 is provided in the connecting portion 40 has been described, but a plurality of holding portions 41 may be provided in the connecting portion 40. FIG. 8 is a diagram showing another example of the overall schematic configuration of the substrate processing apparatus according to the embodiment. In the substrate processing system 10 shown in FIG. 8, two holding portions 41 are provided in the connecting portion 40.

また、保持部４１は、垂直方向に配置されて複数のウエハＷを保持できるようにしてもよい。図９は、実施形態に係る複数のウエハＷを保持可能とした保持部４１の概略構成の一例を示す図である。保持部４１は、フレーム８０と複数個の支持部８１とを有する。フレーム８０は、ほぼ直方体の筒状を有し、対向する一対の垂直な面が開口とされる。支持部８１は、フレーム８０の内部に側面に設けられる。支持部８１は、上下方向に離間するように設けられる。各々の支持部８１は、フレーム８０内の対向する側面から突出するプレート８１ａ，８１ｂを有する。各支持部８１は、プレート８１ａ，８１ｂが同じ高さで設けられ、プレート８１ａ，８１ｂによってウエハＷのエッジ部分を支持する。保持部４１は、各々の支持部８１のプレート８１ａ、８１ｂでウエハＷのエッジ部分を支持することにより、複数のウエハＷを垂直方向に重ねて保持できる。図１０は、実施形態に係る連結部４０の概略構成の他の一例を示す断面図である。図１０は、複数のウエハＷを保持可能とした保持部４１を連結部４０に設けた場合を示している。保持部４１は、開口となる側面が真空搬送チャンバ２０ａ、２０ｂ側となるように配置されている。真空搬送チャンバ２０ａ、２０ｂの搬送ロボット２５ａ，２５ｂは、開口から保持部４１内にウエハＷを搬送して支持部８１にウエハＷを置き、また、支持部８１に支持されたウエハＷを搬出する。 Further, the holding portion 41 may be arranged in the vertical direction so as to be able to hold a plurality of wafers W. FIG. 9 is a diagram showing an example of a schematic configuration of a holding portion 41 capable of holding a plurality of wafers W according to an embodiment. The holding portion 41 has a frame 80 and a plurality of supporting portions 81. The frame 80 has a substantially rectangular parallelepiped tubular shape, and a pair of opposite vertical surfaces are openings. The support portion 81 is provided on the side surface inside the frame 80. The support portion 81 is provided so as to be separated in the vertical direction. Each support 81 has plates 81a, 81b protruding from opposite sides of the frame 80. Plates 81a and 81b are provided at the same height in each support portion 81, and the edge portions of the wafer W are supported by the plates 81a and 81b. The holding portion 41 can hold a plurality of wafers W in a vertically stacked manner by supporting the edge portions of the wafer W with the plates 81a and 81b of the supporting portions 81, respectively. FIG. 10 is a cross-sectional view showing another example of the schematic configuration of the connecting portion 40 according to the embodiment. FIG. 10 shows a case where a holding portion 41 capable of holding a plurality of wafers W is provided in the connecting portion 40. The holding portion 41 is arranged so that the side surface to be an opening is on the vacuum transfer chambers 20a and 20b side. The transfer robots 25a and 25b of the vacuum transfer chambers 20a and 20b convey the wafer W into the holding portion 41 from the opening, place the wafer W on the support portion 81, and carry out the wafer W supported by the support portion 81. ..

また、実施形態では、基板処理システム１０が真空（減圧）状態で基板に基板処理を実施する場合を説明したが、基板処理システム１０は、大気圧（常圧）状態で基板に基板処理を実施してもよい。例えば、基板処理システム１０は、真空搬送チャンバ２０を大気圧（常圧）状態で基板を搬送する大気搬送チャンバとしてもよい。また、基板処理システム１０は、プロセスモジュールＰＭの真空処理チャンバを大気圧（常圧）状態の基板処理を実施する大気処理チャンバとしてもよい。 Further, in the embodiment, the case where the substrate processing system 10 performs the substrate treatment on the substrate in the vacuum (decompression) state has been described, but the substrate processing system 10 performs the substrate treatment on the substrate in the atmospheric pressure (normal pressure) state. You may. For example, the substrate processing system 10 may use the vacuum transfer chamber 20 as an atmospheric transfer chamber that transfers a substrate under atmospheric pressure (normal pressure). Further, the substrate processing system 10 may use the vacuum processing chamber of the process module PM as an atmospheric processing chamber for performing substrate processing in an atmospheric pressure (normal pressure) state.

１０ 基板処理システム
２０，２０ａ，２０ｂ 真空搬送チャンバ
２３ 搬送口
２５ａ，２５ｂ 搬送ロボット
４０ 連結部
４１ 保持部
８１ 支持部
８１ａ，８１ｂ プレート
Ｇ４ａ，Ｇ４ｂ ゲートバルブＧ４ａ，Ｇ４ｂ
ＬＬＭ，ＬＬＭ１，ＬＬＭ２ ロードロックモジュール
ＬＰ，ＬＰ１〜ＬＰ５ ロードポート
ＰＭ，ＰＭ１〜ＰＭ８ プロセスモジュール
Ｗ ウエハ 10 Substrate processing system 20, 20a, 20b Vacuum transfer chamber 23 Transfer port 25a, 25b Transfer robot 40 Connecting part 41 Holding part 81 Supporting part 81a, 81b Plates G4a, G4b Gate valves G4a, G4b
LLM, LLM1, LLM2 Load Lock Module LP, LP1-LP5 Load Port PM, PM1-PM8 Process Module W Wafer

Claims (8)

第１の基板処理チャンバと、
前記第１の基板処理チャンバに連結される第１の基板搬送チャンバと、
第２の基板処理チャンバと、
前記第２の基板処理チャンバに連結される第２の基板搬送チャンバと、
前記第１の基板搬送チャンバと前記第２の基板搬送チャンバとの間に連結され、少なくとも１つの基板保持部を有するバッファチャンバであり、前記バッファチャンバの少なくとも一部は、前記第１の基板搬送チャンバ及び前記第２の基板搬送チャンバのうち少なくとも１つと縦方向に重複する、バッファチャンバと、を含む、
基板処理システム。 The first substrate processing chamber and
A first substrate transfer chamber connected to the first substrate processing chamber and
The second substrate processing chamber and
A second substrate transfer chamber connected to the second substrate processing chamber and
A buffer chamber that is connected between the first substrate transfer chamber and the second substrate transfer chamber and has at least one substrate holding portion, and at least a part of the buffer chamber is the first substrate transfer chamber. Includes a buffer chamber that vertically overlaps the chamber and at least one of the second substrate transfer chambers.
Board processing system. 前記第１の基板搬送チャンバは、基板を搬送するように構成された第１の基板搬送ロボットを有し、
前記第１の基板搬送ロボットは、第１の高さと前記第１の高さとは異なる第２の高さとの間で移動可能であり、前記第１の基板搬送ロボットは、前記第１の高さで前記第１の基板搬送チャンバと前記第１の基板処理チャンバとの間で基板を搬送するように構成され、前記第２の高さで前記第１の基板搬送チャンバと前記バッファチャンバとの間で基板を搬送するように構成される、
請求項１に記載の基板処理システム。 The first substrate transfer chamber has a first substrate transfer robot configured to transfer a substrate.
The first substrate transfer robot can move between a first height and a second height different from the first height, and the first substrate transfer robot has the first height. Is configured to transport the substrate between the first substrate transfer chamber and the first substrate processing chamber, and between the first substrate transfer chamber and the buffer chamber at the second height. Is configured to carry the board with
The substrate processing system according to claim 1. 前記第２の基板搬送チャンバは、基板を搬送するように構成された第２の基板搬送ロボットを有し、前記第２の基板搬送ロボットは、前記第１の高さと前記第２の高さとの間で移動可能であり、前記第２の基板搬送ロボットは、前記第１の高さで前記第２の基板搬送チャンバと前記第２の基板処理チャンバとの間で基板を搬送するように構成され、前記第２の高さで前記第２の基板搬送チャンバと前記バッファチャンバとの間で基板を搬送するように構成される、
請求項２に記載の基板処理システム。 The second substrate transfer chamber has a second substrate transfer robot configured to transfer the substrate, and the second substrate transfer robot has the first height and the second height. The second substrate transfer robot is configured to transfer a substrate between the second substrate transfer chamber and the second substrate processing chamber at the first height. , The second height is configured to transport the substrate between the second substrate transfer chamber and the buffer chamber.
The substrate processing system according to claim 2. 前記第１の基板搬送チャンバは、前記第１の基板処理チャンバに連通し得る第１の搬送口を有し、
前記第２の基板搬送チャンバは、前記第２の基板処理チャンバに連通し得る第２の搬送口を有し、
前記バッファチャンバの少なくとも一部は、側方から見て、前記第１の搬送口及び前記第２の搬送口のうち少なくとも１つの上方又は下方に配置される、
請求項２又は請求項３に記載の基板処理システム。 The first substrate transfer chamber has a first transfer port that can communicate with the first substrate processing chamber.
The second substrate transfer chamber has a second transfer port that can communicate with the second substrate processing chamber.
At least a portion of the buffer chamber is located above or below at least one of the first transport port and the second transport port when viewed from the side.
The substrate processing system according to claim 2 or 3. 前記バッファチャンバの少なくとも一部は、側方から見て、前記第１の搬送口及び前記第２の搬送口のうち少なくとも１つの上方に配置され、前記第２の高さは、前記第１の高さよりも高い、
請求項４に記載の基板処理システム。 At least a part of the buffer chamber is arranged above at least one of the first transport port and the second transport port when viewed from the side, and the second height is the first transport port. Higher than height,
The substrate processing system according to claim 4. 前記バッファチャンバの上面、前記第１の基板処理チャンバの上面、及び、前記第２の基板処理チャンバの上面は、同一平面を構成する、
請求項５に記載の基板処理システム。 The upper surface of the buffer chamber, the upper surface of the first substrate processing chamber, and the upper surface of the second substrate processing chamber form the same plane.
The substrate processing system according to claim 5. 基板処理チャンバに連結される基板搬送チャンバと、
他の基板搬送チャンバに連結可能なバッファチャンバであり、前記バッファチャンバは、前記基板搬送チャンバに連結され、少なくとも１つの基板保持部を有し、前記バッファチャンバの少なくとも一部は、前記基板搬送チャンバと縦方向に重複する、バッファチャンバと、を含む、
基板搬送装置。 The substrate transfer chamber connected to the substrate processing chamber and
A buffer chamber that can be connected to another substrate transfer chamber, the buffer chamber being connected to the substrate transfer chamber and having at least one substrate holder, at least a portion of the buffer chamber being said Includes a buffer chamber, which overlaps vertically with
Board transfer device. 基板処理システムにおいて基板を搬送する方法であって、
前記基板処理システムは、
第１の基板処理チャンバと、
前記第１の基板処理チャンバに連結される第１の基板搬送チャンバと、
第２の基板処理チャンバと、
前記第２の基板処理チャンバに連結される第２の基板搬送チャンバと、
前記第１の基板搬送チャンバと前記第２の基板搬送チャンバとの間に連結されるバッファチャンバとを含み、
当該方法は、
第１の高さで前記第１の基板搬送チャンバと前記第１の基板処理チャンバとの間で基板を搬送する工程と、
前記第１の高さとは異なる第２の高さで前記第１の基板搬送チャンバと前記バッファチャンバとの間で基板を搬送する工程と、
前記第１の高さで前記第２の基板搬送チャンバと前記第２の基板処理チャンバとの間で基板を搬送する工程と、
前記第２の高さで前記第２の基板搬送チャンバと前記バッファチャンバとの間で基板を搬送する工程と、
を含む、方法。 A method of transporting a substrate in a substrate processing system.
The substrate processing system is
The first substrate processing chamber and
A first substrate transfer chamber connected to the first substrate processing chamber and
The second substrate processing chamber and
A second substrate transfer chamber connected to the second substrate processing chamber and
A buffer chamber connected between the first substrate transfer chamber and the second substrate transfer chamber is included.
The method is
A step of transferring a substrate between the first substrate transfer chamber and the first substrate processing chamber at a first height,
A step of transporting a substrate between the first substrate transfer chamber and the buffer chamber at a second height different from the first height.
A step of transferring a substrate between the second substrate transfer chamber and the second substrate processing chamber at the first height,
A step of transferring a substrate between the second substrate transfer chamber and the buffer chamber at the second height,
Including methods.
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