JP2010067878A - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板処理装置に関するものである。 The present invention relates to a substrate processing apparatus.
従来、有機EL装置、液晶装置及び半導体装置を製造する際に用いられる基板処理装置は、例えば特許文献1に記載のように、被処理基板に処理を施す複数の処理チャンバを備えている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a substrate processing apparatus used when manufacturing an organic EL device, a liquid crystal device, and a semiconductor device includes a plurality of processing chambers that process a substrate to be processed as described in
図5は、従来の基板処理装置の配置関係を示す模式図である。基板処理装置1000には、クラスタ方式に処理チャンバ1112が配置された複数の処理ステーション1111が設けられている。この処理チャンバ1112は、例えば水分や酸素等に弱い有機EL素子の機能層の薄膜を形成する場合は、真空や窒素等の大気と異なる雰囲気に設定される。また、処理ステーション1111には、チャンバ1114の中央部に被処理基板1113を各処理チャンバ1112に搬送する搬送ロボット1115が配置されている。ここで、複数の処理ステーション1111は、被処理基板1113に対する処理順に配置されており、基板搬送路1116を経由して被処理基板1113を隣り合う処理ステーション1111に搬送させることができるようになっている。
しかしながら、特許文献1では、被処理基板を搬送ロボットによって一枚ずつ搬送する枚葉方式で行っているので、被処理基板の搬送枚数が多くなれば被処理基板一枚あたりの搬送時間が大きくなる。そのため、各チャンバの連結や各チャンバ内部を大気と異なる雰囲気に置換するのに時間がかかり、その結果、生産性が低下するという惧れがある。
However, in
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、被処理基板の搬送枚数が多い場合でも生産性を高めることが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving productivity even when the number of substrates to be processed is large.
上記の課題を解決するため、本発明の基板処理装置は、所定の移動経路に沿って移動し複数の被処理基板を収容可能な第1カセットを搬送する搬送チャンバと、該搬送チャンバの移動経路の周囲に配置され前記被処理基板に処理を行う複数の処理チャンバと、該処理チャンバと前記搬送チャンバとの間に配置され複数の前記被処理基板を収容可能な第2カセットを有するバッファチャンバと、該バッファチャンバと前記搬送チャンバとの間に前記第1カセットを仮置き可能なカセット載置部と、を備え、前記搬送チャンバから前記カセット載置部に仮置きされた前記第1カセットと前記バッファチャンバに配置された前記第2カセットとの間に設けられた基板送受ロボットにより1枚ずつ前記被処理基板が受け渡される場合に、内部雰囲気が不活性ガスまたは真空雰囲気とされることを特徴とする。
この構成によれば、被処理基板を第1カセットで複数枚一括して搬送するので、基板一枚当たりの生産時間を短縮することができる。特許文献1に記載された従来の基板処理装置では、被処理基板を一枚ずつ搬送するので各チャンバの連結や各チャンバ内部を不活性ガス雰囲気に置換するのに時間がかかり生産効率が悪かったが、本発明の基板処理装置では、被処理基板を複数枚同時にカセット単位で搬送することでトータルの生産時間が第1カセットに収容された枚数分で頭割りされ短縮するので、格段に生産性を高めることが可能となる。
In order to solve the above-described problems, a substrate processing apparatus of the present invention includes a transfer chamber that transfers a first cassette that moves along a predetermined movement path and can accommodate a plurality of substrates to be processed, and a movement path of the transfer chamber. A plurality of processing chambers disposed around the substrate and processing the substrate to be processed; a buffer chamber having a second cassette disposed between the processing chamber and the transfer chamber and capable of accommodating the plurality of substrates to be processed; A cassette mounting portion that can temporarily place the first cassette between the buffer chamber and the transfer chamber, and the first cassette temporarily placed on the cassette mounting portion from the transfer chamber, When the substrates to be processed are transferred one by one by a substrate transfer robot provided between the second cassette and the second cassette, the internal atmosphere is changed. It characterized in that it is an active gas or vacuum atmosphere.
According to this configuration, since a plurality of substrates to be processed are collectively transported by the first cassette, the production time per substrate can be shortened. In the conventional substrate processing apparatus described in
本発明においては、前記基板収容室は、前記バッファチャンバは、前記基板送受ロボットの前記カセット載置部に仮置きされた前記第1カセットから前記被処理基板が受け渡し可能な位置に、少なくとも2箇所配置されていることが望ましい。
この構成によれば、被処理基板を多く収容することができるとともに、処理チャンバで処理されたものと未処理のものとに分別して収容することができるので、基板一枚当たりの生産時間を格段に短縮することができる。
In the present invention, the substrate storage chamber has at least two buffer chambers at positions where the substrate to be processed can be transferred from the first cassette temporarily placed on the cassette mounting portion of the substrate transfer robot. It is desirable that they are arranged.
According to this configuration, it is possible to accommodate a large number of substrates to be processed, and to separate and accommodate the substrates processed in the processing chamber and the unprocessed substrates, so that the production time per substrate can be greatly reduced. Can be shortened.
本発明においては、前記カセット載置部は、前記搬送チャンバから前記第1カセットが搬送される側の端部に、該搬送される方向に伸縮可能であり、かつ、前記カセット載置部と前記搬送チャンバとを接続することで内部を気密にするシール部材を備えていることが望ましい。
この構成によれば、第1カセットが配置されるカセット載置部を移動させることなく搬送チャンバと気密に接続されるので、生産効率が良く、確実に第1カセットの移し替えを行うことができる。
In this invention, the said cassette mounting part can be expanded-contracted in the said conveyance direction to the edge part by which the said 1st cassette is conveyed from the said conveyance chamber, and the said cassette mounting part and the said It is desirable to provide a seal member that is hermetically sealed by connecting the transfer chamber.
According to this configuration, since the cassette mounting portion in which the first cassette is disposed is hermetically connected to the transfer chamber without moving, the production efficiency is good and the first cassette can be reliably transferred. .
本発明においては、前記搬送チャンバと前記処理チャンバと前記バッファチャンバと前記カセット載置部との間の前記被処理基板または前記第1カセットの受け渡し口には、前記被処理基板または前記第1カセットのうち少なくとも一つが受け渡される空間を気密にするゲートバルブを備えていることが望ましい。
この構成によれば、各チャンバの雰囲気を所定の雰囲気に維持できるとともに、新たなチャンバを追加したり、既存のチャンバを外したりすることを容易に行うことが可能となる。また、不活性ガス雰囲気を維持したまま、被処理基板または第1カセットを受け渡すことができる。
In the present invention, the substrate to be processed or the first cassette is provided at a transfer port of the substrate to be processed or the first cassette between the transfer chamber, the processing chamber, the buffer chamber, and the cassette mounting portion. It is desirable to provide a gate valve that hermetically seals a space to which at least one of them is delivered.
According to this configuration, the atmosphere of each chamber can be maintained at a predetermined atmosphere, and it is possible to easily add a new chamber or remove an existing chamber. Further, the substrate to be processed or the first cassette can be delivered while maintaining the inert gas atmosphere.
本発明においては、前記搬送チャンバは、前記第1カセットを少なくとも2つ配置可能なスライダを備え、該スライダは前記搬送チャンバの内部を該搬送チャンバの移動経路に沿う方向と、該搬送チャンバの移動経路に沿う方向と直交する方向と、に移動可能であることが望ましい。
この構成によれば、第1カセットを一度に多く搬送することができるとともに、被処理基板の収容されていない空の第1カセットや、処理チャンバで処理された被処理基板を収容する第1カセット、さらには未処理の被処理基板を収容する第1カセットと、に分別して載置することができるので、基板一枚当たりの生産時間を格段に短縮することができる。
In the present invention, the transfer chamber includes a slider on which at least two of the first cassettes can be arranged, and the slider moves in the transfer chamber in a direction along the transfer path of the transfer chamber and the movement of the transfer chamber. It is desirable to be able to move in a direction perpendicular to the direction along the route.
According to this configuration, the first cassette can transport a large number of the first cassettes at the same time, and can accommodate an empty first cassette that does not contain a substrate to be processed and a substrate that has been processed in the processing chamber. Furthermore, since it can be placed separately in the first cassette that accommodates unprocessed substrates, the production time per substrate can be significantly shortened.
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. This embodiment shows one aspect of the present invention, and does not limit the present invention, and can be arbitrarily changed within the scope of the technical idea of the present invention. Moreover, in the following drawings, in order to make each structure easy to understand, an actual structure and a scale, a number, and the like in each structure are different.
図1は、本発明の基板処理装置の一実施形態である基板処理装置1の概略構成平面図である。基板処理装置1は、被処理基板12を備えた有機EL装置、液晶装置及び半導体装置等の製造に用いられる装置である。この基板処理装置1は、クラスタ型の複数の処理ステーション13a〜13fと、これら複数の処理ステーション13a〜13fと連通可能に接続された複数の送受ユニット40a〜40fと、これら複数の送受ユニット40a〜40fと連通可能に接続されたカセット搬送室14と、を備えている。
FIG. 1 is a schematic configuration plan view of a
従って、例えば有機EL装置を製造する場合、被処理基板12としての素子基板に対して、真空雰囲気下でのCVD法、スパッタ法、蒸着法を用いた各膜の形成工程、フォトリソグラフィ技術を利用したパターニング工程、窒素雰囲気下での有機膜の封止工程、窒素雰囲気下でのインクジェット法を利用した塗布工程などの処理を行うことができる。
Therefore, for example, when manufacturing an organic EL device, a film forming process using a CVD method, a sputtering method, and a vapor deposition method in a vacuum atmosphere is applied to the element substrate as the
以下、複数の処理ステーション13a〜13fのうち、第1処理ステーション13aを中心に、また、複数の送受ユニット40a〜40fのうち第1送受ユニット40aを中心に詳細に説明する。
Hereinafter, the
第1処理ステーション13aは、不活性ガス雰囲気に保持された第1固定チャンバ15aを備えている。第1固定チャンバ15aの周囲には、不活性ガス雰囲気中で被処理基板12に所望の処理を施すための処理チャンバ16が複数配置されている。被処理基板12は、不活性ガス雰囲気での処理が連続的に行われるため、複数の処理チャンバ16間や複数の処理ステーション13a〜13f間で搬送される、その他の処理ステーション13b〜13fも同様な構成を備えている。
The
第1固定チャンバ15aの中央部には、基板搬送ロボット17が配置されている。基板搬送ロボット17は、被処理基板12の搬送、取り上げ、載置を行うアーム18を備えている。また、第1固定チャンバ15aや処理チャンバ16には、不活性ガス雰囲気にするための真空ポンプ等の真空引き装置(図示略)や窒素ガス供給装置(図示略)が接続されている。
A
また、第1固定チャンバ15aの8つの辺部20のうちの1つの辺部20には、例えば被処理基板12を外部から基板処理装置1内に搬入するロード室19が接続されている。また、8つの辺部20のうちの4つの辺部20には、処理チャンバ16が接続されている。4つの辺部20には、辺部20を開状態または閉状態に切り換えるゲートバルブ(図示略)が設けられている。また、8つの辺部20のうち第1送受ユニット40a側の1つの辺部20(被処理基板12の受け渡し口)は、ゲートバルブ21aを介して搬送経路23と連通可能に接続されている。また、搬送経路23は、ゲートバルブ21bを介して第1送受ユニット40aと連通可能に接続されている。
Further, for example, a
他の処理ステーション13b〜13fは、上記した第1処理ステーション13aと同様の構成となっている。なお、第6処理ステーション13fは、例えば第6固定チャンバ15fの8つの辺部20のうちの1つの辺部20に、被処理基板12を基板処理装置1から外部に搬出するアンロード室22が接続されている。
The
第1送受ユニット40aは、不活性ガス雰囲気に保持された第1固定送受室41aを備えている。第1固定送受室41aの中央部には、基板送受ロボット44が配置されている。基板送受ロボット44は、被処理基板12の搬送、取り上げ、載置を行うアーム45を備えている。
The first transmission /
第1固定送受室41aの4つの辺部のうち第1固定チャンバ15a側の1つの辺部(被処理基板12の受け渡し口)は、ゲートバルブ21bを介して搬送経路23と連通可能に接続されている。また、第1固定送受室41aの4つの辺部のうちカセット搬送室14側の1つの辺部(被処理基板12の受け渡し口)は、ゲートバルブ21dを介してカセット載置部47と連通可能に接続されている。また、カセット載置部47のカセット搬送室14側には、第1カセット54の搬送方向に伸縮可能であり、かつ、カセット載置部47と搬送チャンバ50とを接続することで内部を気密にするシール部材48が設けられている。また、シール部材48のカセット搬送室14側には、ゲートバルブ21eが設けられている。
Of the four sides of the first fixed
また、第1固定送受室41aの4つの辺部のうち2つの辺部(被処理基板12の受け渡し口を除く部位)は、バッファチャンバ(基板収容室)42と連通可能に接続されている。バッファチャンバ42は、ゲートバルブ21cを介して第1固定送受室41aと対向するように少なくとも2箇所配置されている。なお、本実施形態では、バッファチャンバ42は2箇所配置されている。バッファチャンバ42の内部には、複数の被処理基板12を収容可能な第2カセット43が配置されている。バッファチャンバ42の詳細な説明については後述する。(図2参照)
In addition, two of the four sides of the first fixed transmission /
カセット搬送室14は、基板送受ロボット44によってカセット載置部47との間で被処理基板12の受け渡される方向と直交する方向に延在して設けられている。カセット搬送室14を挟む両側で、固定送受室41a〜41fの4つの辺部のうちの1つの辺部が接続するようになっている。ここで、カセット搬送室14には、第1カセット54を搬送する搬送チャンバ50と、搬送チャンバ50を移動させる搬送基台51と、搬送基台51をカセット搬送室14の延在する方向に沿って案内する搬送レールとしての搬送ガイド(移動経路)55と、が配置されている。この搬送ガイド55によって、搬送チャンバ50を延在方向に往復移動させることができる。搬送チャンバ50において、カセット載置部47との第1カセット54の受け渡し口にはゲートバルブ21fが取り付けられている。
The
カセット搬送室14は、搬送チャンバ50にゴミが付着しないように、クリーン度の高い雰囲気に設定されている。これにより、カセット搬送室14内へのゴミの侵入を抑え、搬送チャンバ50とカセット載置部47とがゲートバルブ21e,21fを介して密着した場合でも、ゴミを巻き込むようなことを防ぐことができる。
The
搬送チャンバ50は、内部が真空雰囲気や窒素雰囲気等の不活性ガス雰囲気に設定されており、被処理基板12を載置するテーブルとしてのスライダ53を備えている。スライダ53は、第1カセット54を少なくとも2つ配置可能となっている。なお、本実施形態では、スライダ53は、第1カセット54を2つ配置可能となっている。また、スライダ53は、搬送ガイド55に沿う方向と、この搬送ガイド55に沿う方向と直交する方向と、に不図示の駆動機構により移動可能となっている。
The inside of the
搬送基台51には、搬送チャンバ50の中を真空雰囲気や窒素雰囲気等の不活性ガス雰囲気にするための真空ポンプ52(例えば、ドライポンプ)や窒素ガス供給装置(図示略)が取り付けられている。但し、搬送チャンバ50の中を真空雰囲気にするための真空ポンプ52のみが取付けられることもある。
A vacuum pump 52 (for example, a dry pump) or a nitrogen gas supply device (not shown) for making the inside of the
搬送ガイド55は、例えば、凸状に形成されており、第1送受ユニット40a側から第5送受ユニット40e側に延びて形成されている。また、搬送基台51には、凹状の窪みが形成されており、凸状の搬送ガイド55と凹状の搬送基台51とが摺動可能に合わさって配置されている。つまり、搬送ガイド55を案内にして搬送基台51を移動させることにより、搬送チャンバ50を容易に固定送受室41a〜41fの位置に移動させることができる。
The
第1固定チャンバ15aと第1固定送受室41aとの位置関係は、第1固定チャンバ15aのゲートバルブ21aと第1固定送受室41aのゲートバルブ21b(第1固定送受室41aの上側)をそれぞれ開状態にして連通できるとともに、不活性ガス雰囲気中で被処理基板12を搬送できればよく、例えば第1固定送受室41aから第1固定チャンバ15aが離れていてもよい。
The positional relationship between the first fixed
また、第1固定送受室41aとカセット載置部47との位置関係は、第1固定送受室41aのゲートバルブ21d(第1固定送受室41aの下側)を介してカセット載置部47に接続できるとともに、不活性ガス雰囲気中で被処理基板12を搬送できればよい。
In addition, the positional relationship between the first fixed transmission /
また、カセット載置部47とカセット搬送室14の位置関係は、カセット載置部47のゲートバルブ21eがシール部材48の伸縮によりカセット搬送室14のゲートバルブ21f(カセット搬送室14の上側)と接続できるとともに、不活性ガス雰囲気中で第1カセット54を搬送できればよく、例えばカセット載置部47からカセット搬送室14が離れていてもよい。
In addition, the positional relationship between the
つまり、接続部分だけ規定の精度で密着できるようにしておけばよい。また、ゲートバルブ21a,21b,21d,21e,21fが上記した位置関係を満足していれば、固定チャンバ15a〜15f、固定送受室41a〜41fの位置が互いにずれていてもよい。
In other words, it is sufficient that only the connection portion can be brought into close contact with a specified accuracy. Further, as long as the
図2は、第1固定送受室41aと対向するように配置されるバッファチャンバ42の概略構成斜視図である。バッファチャンバ42は、被処理基板12を複数収容可能な第2カセット43と、上下移動手段65と、を備えている。また、バッファチャンバ42には、第1固定送受室41aとの間で被処理基板12の搬送を行う搬送口44が設けられている。さらに、バッファチャンバ42と第1固定送受室41aとの間には、搬送口44の開閉を切り換えるゲートバルブ21c(図1参照)が設けられている。
FIG. 2 is a schematic configuration perspective view of the
第2カセット43は、支持基台61と、支持基台61から突出して設けられた複数の支柱62と、を備えている。第2カセット43は、上下移動手段65によって上下方向に移動可能になっている。支持基台61は、水平面と略平行に配置された板状部材であって、上下移動手段65に接続されている。支柱62は、支持基台61の上面から支持基台61に対する直交方向に突出して複数設けられている。
The
そして、支柱62のそれぞれには、第2カセット43の内側に向けて突出する複数の収容用凸部63が等間隔に形成されている。これら各支柱62に設けられた収容用凸部63により形成された空間により、上下方向に積み重ねられた複数のチャンバ用スロット64が形成される。すなわち、被処理基板12は、その縁部の複数個所を収容用凸部63で支えるようにして水平面と略平行な面でチャンバ用スロット64内に収容される。これにより、被処理基板12は、上下方向で間隔をあけて重ねて収容される。
Each of the
なお、図示はしないが第1カセット54の構成についても、上記した第2カセット43の構成と同様になっている。すなわち、第2カセット43はバッファチャンバ42の内部に固定して配置されているのに対して、カセット54は所定の位置に固定されずに自在に移動可能になっている。
Although not shown, the configuration of the
(搬送動作)
図3及び図4は、基板処理装置1の搬送動作についてカセット搬送室14の周辺を示した説明図である。基板処理装置1の全体の搬送動作については図1を参照しながら、特にカセット搬送室14の周辺の搬送動作については図3及び図4を参照しながら説明する。なお、本実施形態の基板処理装置1は、例えば第1処理ステーション13aから、まず第3処理ステーション13cに処理を行い、次いで第6処理ステーション13fまで順に処理を行っていくものとする。
(Transport operation)
3 and 4 are explanatory views showing the periphery of the
まず、図1に示すように、被処理基板12をロード室19を介して基板処理装置1内に搬入する。次に、第1処理ステーション13aにおいては、不活性ガス雰囲気中で被処理基板12に所望の処理を施す。被処理基板12は、基板搬送ロボット17によって、ロード室19から処理チャンバ16に搬送される。また、各処理チャンバ16間の搬送も基板搬送ロボット17が行う。
First, as shown in FIG. 1, the
次に、被処理基板12を、第1処理ステーション13aから第1送受ユニット40aに搬送する。まず、ゲートバルブ21a、21bを閉状態から開状態にして、第1固定チャンバ15aと第1固定送受室41aとを連通させる。そして、基板搬送ロボット17を用いて、第1固定チャンバ15aから搬送経路23に処理が施された被処理基板12を搬送する。次に、この被処理基板12を基板送受ロボット44を用いて、搬送経路23から第1固定送受室41aに搬送した後、ゲートバルブ21a,21bを開状態から閉状態にする。
Next, the
次に、図3(a)に示すように、第1固定送受室41aとバッファチャンバ42の間のゲートバルブ21cを閉状態から開状態にして、第1固定送受室41aとバッファチャンバ42とを連通させる。そして、基板送受ロボット44を用いて、第1固定送受室41aからバッファチャンバ42内部の第2カセット43に被処理基板12を収容する。以上の工程を繰り返すことにより、第2カセット43に所望の枚数の被処理基板12を収容することができる。また、バッファチャンバ42が2箇所設けられているので、被処理基板12の枚数に応じて少なくとも一方のバッファチャンバ42を用いることができる。本実施形態では、一方のバッファチャンバ42を用いる。
Next, as shown in FIG. 3A, the
次に、搬送チャンバ50内のスライダ53をカセット載置部47に近い位置まで移動させる。この、スライダ53には、被処理基板12が収容されていない空のカセット54aと、被処理基板12が収容されたカセット54bと、が並列に載置されている。すなわち、スライダ53の空のカセット54aの載置された位置をカセット載置部47に近い位置まで移動させる。なお、予めスライダ53をカセット載置部47に近い位置に待機させておくようにしてもよい。また、カセット載置部47は不活性ガス雰囲気になっているので、搬送チャンバ50内を不活性ガス雰囲気にしておく。
Next, the
次に、カセット載置部47の端部のシール部材48を縮状態から伸状態にして、カセット載置部47のカセット搬送室14側のゲートバルブ21eと、搬送チャンバ50に設けられたゲートバルブ21fとを密着させる。次に、ゲートバルブ21e,21fを閉状態から開状態にして、カセット載置部47と搬送チャンバ50とを連通させる。そして、搬送チャンバ50の内部に設けられたスライダ53からカセット載置部47に空のカセット54aが配置される。空のカセット54aを配置した後、ゲートバルブ21e,21fを開状態から閉状態にする。
Next, the
次に、第1固定送受室41aのゲートバルブ21dを閉状態から開状態にして、第1固定送受室41aとカセット載置部47とを連通させる。次に、第1固定送受室41aと、前記した被処理基板12が収容された一方のバッファチャンバ42と、の間のゲートバルブ21cを閉状態から開状態にして、第1固定送受室41aと一方のバッファチャンバ42とを連通させる。なお、予め第1固定送受室41aと一方のバッファチャンバ42とを連通させておくようにしてもよい。
Next, the
次に、被処理基板12を、一方のバッファチャンバ42からカセット載置部47に搬送する。つまり、基板送受ロボット44を用いて、一方の第2カセット43から空のカセット54aに、被処理基板12を移し変える。ここで、第1固定送受室41a内部とバッファチャンバ42内部は、不活性ガス雰囲気に保持されているので、複数の被処理基板12を連続して空のカセット54aに移し変えることができる。そして、所望の数の被処理基板12を移し変えた後、第1固定送受室41aと一方のバッファチャンバ42との間のゲートバルブ21cと、第1固定送受室41aのゲートバルブ21dと、を開状態から閉状態にする。次に、ゲートバルブ21e,21fを閉状態から開状態にして、カセット載置部47と搬送チャンバ50とを連通させる。
Next, the
次に、図3(b)に示すように、スライダ53に所望の数の被処理基板12を移し変えたカセット54cを配置した後、ゲートバルブ21e,21fを開状態から閉状態にし、次いでシール部材48を伸状態から縮状態にして、ゲートバルブ21e,21fを離間する(密着を解除する)。次に、スライダ53をカセット載置部47に近い位置からもとの位置まで移動させる。ここで、スライダ53には、被処理基板12が収容されたカセット54bと、所望の数の被処理基板12が移し変えられたカセット54cと、が並列に載置されている。
Next, as shown in FIG. 3B, after a
次に、図4(a)に示すように、カセット54cを第3送受ユニット40cに搬送する。まず、搬送チャンバ50を第3固定送受室41c側に移動させ、その後、スライダ53をカセット載置部47に近い位置まで移動させる。ここでは、所望の数の被処理基板12が移し変えられた第1カセット54cの載置された位置をカセット載置部47に近い位置まで移動させている。なお、スライダ53を予めカセット載置部47に近い位置に待機させておくようにしてもよい。また、カセット載置部47は不活性ガス雰囲気になっているので、搬送チャンバ50内を不活性ガス雰囲気にしておく。
Next, as shown in FIG. 4A, the
次に、カセット載置部47の端部のシール部材48を縮状態から伸状態にして、カセット載置部47のゲートバルブ21eと、搬送チャンバ50のゲートバルブ21fとを密着させる。次に、ゲートバルブ21e,21fを閉状態から開状態にして、カセット載置部47と搬送チャンバ50とを連通させる。そして、搬送チャンバ50のスライダ53からカセット載置部47に第1カセット54cが配置される。第1カセット54cを配置した後、ゲートバルブ21e,21fを開状態から閉状態にする。
Next, the
次に、第3固定送受室41cのゲートバルブ21dを閉状態から開状態にして、第3固定送受室41cとカセット載置部47とを連通させる。次に、第3固定送受室41cと、被処理基板12が収容されていない空のバッファチャンバ42と、の間のゲートバルブ21cを閉状態から開状態にして、第3固定送受室41cとバッファチャンバ42とを連通させる。なお、予め第3固定送受室41cと空のバッファチャンバ42とを連通させておくようにしてもよい。
Next, the
次に、被処理基板12を、カセット載置部47から空のバッファチャンバ42に搬送する。つまり、基板送受ロボット44を用いて、第1カセット54cから空の第2カセット43に、被処理基板12を移し変える。ここで、第3固定送受室41c内部とバッファチャンバ42内部は、不活性ガス雰囲気に保持されているので、複数の被処理基板12を連続して空の第2カセット43に移し変えることができる。そして、所望の数の被処理基板12を移し変えた後、第3固定送受室41cとバッファチャンバ42との間のゲートバルブ21cと、第3固定送受室41cのゲートバルブ21dと、を開状態から閉状態にする。
Next, the
次に、被処理基板12を、バッファチャンバ42から搬送経路23に搬送する。まず、第3固定送受室41cとバッファチャンバ42との間のゲートバルブ21cと、第3固定送受室41cのゲートバルブ21b(第3固定送受室41cの上側)と、を閉状態から開状態にして、バッファチャンバ42と搬送経路23とを連通する。そして、基板送受ロボット44を用いて、被処理基板12をバッファチャンバ42から搬送経路23に搬送する。この被処理基板12を搬送した後、ゲートバルブ21c,21bを開状態から閉状態にする。
Next, the
次に、図1に示すように、被処理基板12を、搬送経路23から第3処理ステーション13cに搬送する。まず、ゲートバルブ21aを閉状態から開状態にして、搬送経路23と第3固定チャンバ15cとを連通させる。そして、基板搬送ロボット17を用いて、搬送経路23から第3固定チャンバ15cに被処理基板12を搬送する。この被処理基板12を搬送した後、ゲートバルブ21aを開状態から閉状態にする。そして、第3処理ステーション13cにおいて、被処理基板12は、基板搬送ロボット17によって、各処理チャンバ16間に搬送され、処理が施される。
Next, as shown in FIG. 1, the
以下、同様の方法によって、第2処理ステーション13bから第6処理ステーション13fまで被処理基板12を搬送し、被処理基板12に処理を施す。そして、第6処理ステーション13fの処理が終了した後、アンロード室22から被処理基板12を取り出す。
Thereafter, the substrate to be processed 12 is transported from the
なお、本実施形態では、まず第1処理ステーション13aから第3処理ステーション13cに被処理基板12を搬送する搬送動作を説明したが、まず第1処理ステーション13aから第2処理ステーション13bに被処理基板12を搬送してもよい。
In this embodiment, the transport operation for transporting the
図1に示すように、第2処理ステーション13bの第2固定チャンバ15bにおいて、8つの辺部20のうち1つの辺部20には、被処理基板12を第2処理ステーション13bから第4処理ステーション13dに直接搬送する直通搬送路32が接続されている。この直通搬送路32は、第4処理ステーション13dにおいて、第4固定チャンバ15dの8つの辺部20のうち1つの辺部20に接続されている。固定チャンバ15b,15dにおいて、直通搬送路32と接続されている辺部20には、ゲートバルブ(図示略)が設けられており、このゲートバルブを閉状態から開状態にすることにより、被処理基板12を第2固定チャンバ15bから第4固定チャンバ15dに直接搬送することができる。
As shown in FIG. 1, in the second fixed
このように構成した基板処理装置1では、直通搬送路32が設けられているため、処理の内容によっては、例えば第2固定チャンバ15bに被処理基板12を搬送するときは搬送チャンバ50を使用し、第2固定チャンバ15bから第4固定チャンバ15dに被処理基板12を搬出するときには直通搬送路32を使用することができる。よって、直通搬送路32で搬送している被処理基板12とは別の被処理基板12を、搬送チャンバ50によって他の固定チャンバ15に搬送することができる。また、処理の内容によっては、第4固定チャンバ15dにアンロード室33を配置し、アンロード室33から被処理基板12を直接外部に搬出するようにしてもよい。その他の構成は、上記した実施形態と同様であるので、説明を省略する。
In the
なお、本実施形態では、カセット54を第3送受ユニット40cに搬送する場合に、所望の数の被処理基板12が移し変えられた第1カセット54cの載置された位置をカセット載置部47に近い位置まで移動させているが、図4(b)に示すように、予め被処理基板12が収容された第1カセット54bの載置された位置をカセット載置部47に近い位置まで移動させてもよい。
In the present embodiment, when the
本実施形態の基板処理装置1によれば、第1カセット54と第2カセット43との間で被処理基板12が一枚ずつ受け渡され、被処理基板12を第1カセット54で複数枚一括して搬送するので、基板一枚当たりの生産時間を短縮することができる。特許文献1に記載された従来の基板処理装置1000(図5参照)では、被処理基板12を一枚ずつ搬送するので各チャンバの連結や各チャンバ内部を不活性ガス雰囲気に置換するのに時間がかかり生産効率が悪かったが、本発明の基板処理装置1では、被処理基板12を複数枚同時にカセット単位で搬送することでトータルの生産時間が第1カセットに収容された枚数分で頭割りされ短縮するので、格段に生産性を高めることが可能となる。
According to the
ここで、格段に生産性を高めることが可能な点について説明する。一例として、第2カセット43に被処理基板12が10枚収容されており、それら10枚の被処理基板12を全て空のカセット54aに移し変えた場合を挙げて説明する。従来技術では、被処理基板12を一枚処理するのに、各チャンバの連結や各チャンバ内部を不活性ガス雰囲気に置換する時間を含めて、10分かかっていた。本発明では、カセット単位で複数の被処理基板12の搬送を可能にしているが、送受ユニット40やカセット載置部47を配置しているので、各チャンバの連結や各チャンバ内部を不活性ガス雰囲気に置換する時間を含めた処理時間が長くなり、40分かかってしまう。しかしながら、この40分の処理時間は、第2カセット43から空のカセット54aに移し変えた10枚の被処理基板12の枚数で割ると4分となり、結果的に基板一枚当たりに換算すると、従来技術のように被処理基板12を一枚ずつ処理するよりも本発明のようにカセット単位で処理するほうが生産効率はよくなる。
Here, the point which can raise productivity remarkably is demonstrated. As an example, a case will be described in which ten substrates to be processed 12 are accommodated in the
また、この構成によれば、バッファチャンバ42は、ゲートバルブ21cを介して固定送受室41と対向するように少なくとも2箇所配置されているので、被処理基板12を多く収容することができるとともに、処理チャンバ16で処理されたものと未処理のものとに分別して収容することができるので、基板一枚当たりの生産時間を格段に短縮することができる。
Further, according to this configuration, since the
また、この構成によれば、シール部材48を備えているので、第1カセット54が配置されるカセット載置部47を移動させることなく搬送チャンバ50と気密に接続されるので、生産効率が良く、確実に第1カセット54の移し替えを行うことができる。
In addition, according to this configuration, since the
また、この構成によれば、ゲートバルブ21を備えているので、各チャンバの雰囲気を所定の雰囲気に維持できるとともに、新たなチャンバを追加したり、既存のチャンバを外したりすることを容易に行うことが可能となる。また、不活性ガス雰囲気を維持したまま、被処理基板12または第1カセット54を受け渡すことができる。
Further, according to this configuration, since the gate valve 21 is provided, the atmosphere of each chamber can be maintained at a predetermined atmosphere, and a new chamber can be easily added or an existing chamber can be easily removed. It becomes possible. Moreover, the to-
また、この構成によれば、スライダ53を備えているので、第1カセット54を一度に多く搬送することができるとともに、被処理基板12の収容されていない空の第1カセット54aや、処理チャンバ16で処理された被処理基板12を収容する第1カセット54c、さらには未処理の被処理基板12を収容する第1カセット54bと、に分別して載置することができるので、基板一枚当たりの生産時間を格段に短縮することができる。
In addition, according to this configuration, since the
1…基板処理装置、12…被処理基板、16…処理チャンバ、21…ゲートバルブ、42…バッファチャンバ、43…第2カセット、44…基板送受ロボット、47…カセット載置部、48…シール部材、50…搬送チャンバ、53…スライダ、54…第1カセット、55…搬送ガイド(移動経路)
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記搬送チャンバから前記カセット載置部に仮置きされた前記第1カセットと前記バッファチャンバに配置された前記第2カセットとの間に設けられた基板送受ロボットにより1枚ずつ前記被処理基板が受け渡される場合に、内部雰囲気が不活性ガスまたは真空雰囲気とされることを特徴とする基板処理装置。 A transport chamber that transports a first cassette that moves along a predetermined movement path and can accommodate a plurality of substrates to be processed, and a plurality of processes that are arranged around the movement path of the transport chamber and that process the substrate to be processed A buffer chamber having a second cassette disposed between the processing chamber and the transfer chamber and capable of accommodating a plurality of substrates to be processed; and the first cassette between the buffer chamber and the transfer chamber A cassette placement section that can be temporarily placed,
The substrate to be processed is received one by one by a substrate transmission / reception robot provided between the first cassette temporarily placed on the cassette placement section from the transfer chamber and the second cassette arranged in the buffer chamber. A substrate processing apparatus, wherein the internal atmosphere is an inert gas or a vacuum atmosphere when delivered.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US10513763B2 (en) | 2011-06-16 | 2019-12-24 | Nippon Steel & Sumikin Stainless Steel Corporation | Ferritic stainless steel plate which has excellent ridging resistance and method of production of same |
WO2020004880A1 (en) * | 2018-06-25 | 2020-01-02 | 주성엔지니어링(주) | Substrate processing device and substrate processing method |
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2008
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