JP2020146828A - Electrode for noncontact machining, electrode manufacturing method, and noncontact machining device - Google Patents

Electrode for noncontact machining, electrode manufacturing method, and noncontact machining device Download PDF

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俊次郎 渡邊
Shunjiro Watanabe
俊次郎 渡邊
一匡 白石
Kazumasa Shiraishi
一匡 白石
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  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)

Abstract

To provide an electrode capable of improving stability of noncontact machining (electric discharge machining and electrochemical machining or the like).SOLUTION: An electrode 1E for noncontact machining includes a honeycomb-shaped partition wall part 11 forming a honeycomb-shaped slit groove 21 in a workpiece 2. The partition wall part 11 includes: a machining part 12 having a machining surface 120 disposed on a workpiece 2 side; and a support part 13 for supporting the machining part 12 from an opposite side of the machining surface 120. The support part 13 includes a narrow portion 130 which is smaller than a width W11 of the machining part 12, on a longitudinal plane (refer to Fig. 12(b)) regulated by a width direction and a thickness direction of the partition wall part 11.SELECTED DRAWING: Figure 12

Description

本発明は、非接触加工用の電極、電極の製造方法、及び、非接触加工装置に関する。 The present invention relates to an electrode for non-contact processing, a method for manufacturing the electrode, and a non-contact processing apparatus.

従来、金属材料の被加工物に、例えば、ハニカム状のスリット溝を形成する際の非接触加工方法として、例えば、電解加工や放電加工が知れられている。 Conventionally, as a non-contact processing method for forming a honeycomb-shaped slit groove in a work piece of a metal material, for example, electrolytic processing or electric discharge machining is known.

電解加工は、被加工物と、スリット溝に対応する所定の形状を有する電極との間に電解液を流動させた状態にて両者間に電圧を印加することで、電気化学反応により金属材料を溶出させてスリット溝を形成する非接触加工方法である。放電加工は、被加工物と、スリット溝に対応する所定の形状を有する電極との間でアーク放電を繰り返すことで、被加工物の表面の一部を除去し、スリット溝を形成する非接触加工方法である。 In electrolytic processing, a metal material is formed by an electrochemical reaction by applying a voltage between the workpiece and an electrode having a predetermined shape corresponding to the slit groove while the electrolytic solution is flowing. This is a non-contact machining method in which a slit groove is formed by elution. In electric discharge machining, a part of the surface of the workpiece is removed by repeating arc discharge between the workpiece and an electrode having a predetermined shape corresponding to the slit groove, and a non-contact that forms a slit groove is formed. It is a processing method.

特許文献1には、絶縁スリーブにより包囲された筒状の電極であって、電極の断面積が先端側に向けて減少している電解加工用の電極が開示されている。特許文献2には、ハニカム状のスリット溝に対応する形状を有する電極であって、電極の加工面を除く表面に誘電体被膜が配設された電解加工用の電極が開示されている。特許文献3には、ハニカム状のスリット溝に対応する形状を有する形彫放電加工用の電極が開示されている。 Patent Document 1 discloses an electrode for electrolytic processing, which is a tubular electrode surrounded by an insulating sleeve and whose cross-sectional area of the electrode decreases toward the tip end side. Patent Document 2 discloses an electrode having a shape corresponding to a honeycomb-shaped slit groove, in which a dielectric film is disposed on a surface other than the processed surface of the electrode for electrolytic processing. Patent Document 3 discloses an electrode for die-sinking electric discharge machining having a shape corresponding to a honeycomb-shaped slit groove.

特表2002−531279号公報Special Table 2002-531279 Publication No. 特表2017−536993号公報Special Table 2017-536993 特開2002−239844号公報JP-A-2002-239844

特許文献1に開示された電極では、電極の形状が、先端側に向けて狭くなるような筒状であるため、スリット溝の加工が進行するにつれて、電極の周側面と、スリット溝の側面との間のクリアランスが狭くなる。そのため、電解液の流動が阻害され、電気化学反応により発生したスラッジ(加工屑)やガスが適切に排出されないため、スリット溝の加工状態(例えば、形状や精度)が不安定になる。 In the electrode disclosed in Patent Document 1, since the shape of the electrode is tubular so as to narrow toward the tip side, as the processing of the slit groove progresses, the peripheral side surface of the electrode and the side surface of the slit groove The clearance between them becomes narrower. Therefore, the flow of the electrolytic solution is hindered, and sludge (working waste) and gas generated by the electrochemical reaction are not properly discharged, so that the working state (for example, shape and accuracy) of the slit groove becomes unstable.

また、特許文献2及び特許文献3に開示された電極では、ハニカム状の隔壁が、先端側に向けて直線状に伸びているため、特許文献1に開示された電極に比べると、隔壁の側面と、被加工物との間のクリアランスが拡大している。しかし、それ以上クリアランスを拡大する手段がないため、スリット溝の加工状態を向上させることには限界がある。 Further, in the electrodes disclosed in Patent Document 2 and Patent Document 3, since the honeycomb-shaped partition wall extends linearly toward the tip side, the side surface of the partition wall is compared with the electrode disclosed in Patent Document 1. And the clearance between the work piece and the work piece is expanding. However, since there is no means to further increase the clearance, there is a limit to improving the processed state of the slit groove.

本発明は、非接触加工の安定性を向上することができる非接触加工用の電極、電極の製造方法、及び、非接触加工装置を提供することを目的としている。 An object of the present invention is to provide an electrode for non-contact processing, a method for manufacturing the electrode, and a non-contact processing apparatus capable of improving the stability of non-contact processing.

本発明の一実施形態に係る電極は、
被加工物にハニカム状のスリット溝を形成する前記ハニカム状の隔壁部を備える非接触加工用の電極であって、
前記隔壁部は、
前記被加工物側に配置される加工面を有する加工部と、
前記加工面と反対側から前記加工部を支持する支持部とを備え、
前記支持部は、
前記隔壁部の幅方向及び厚さ方向により規定される縦断面において、前記加工部の幅よりも小さい狭小部分を備える、ことを特徴とする。
The electrode according to the embodiment of the present invention is
An electrode for non-contact processing provided with the honeycomb-shaped partition wall portion that forms a honeycomb-shaped slit groove in the work piece.
The partition wall
A machined portion having a machined surface arranged on the work piece side,
A support portion that supports the processed portion from the side opposite to the processed surface is provided.
The support portion
It is characterized in that it includes a narrow portion smaller than the width of the processed portion in a vertical cross section defined by the width direction and the thickness direction of the partition wall portion.

本発明の一実施形態に係る電極の製造方法は、
上記電極の製造方法であって、
少なくとも1枚の第1の薄膜に、前記厚さ方向に直交する横断面における前記加工部の断面形状に対応する第1の形状パターンを形成する第1の形成工程と、
少なくとも1枚の第2の薄膜に、前記横断面における前記支持部の断面形状に対応する第2の形状パターンを形成する第2の形成工程と、
前記第1の形成工程で形成された前記第1の薄膜に、前記第2の形成工程で形成された前記第2の薄膜を積層し、積層体として接合する接合工程とを含む、
ことを特徴とする。
The method for manufacturing an electrode according to an embodiment of the present invention is
This is the method for manufacturing the electrodes.
A first forming step of forming a first shape pattern corresponding to the cross-sectional shape of the processed portion in a cross section orthogonal to the thickness direction on at least one first thin film.
A second forming step of forming a second shape pattern corresponding to the cross-sectional shape of the support portion in the cross section on at least one second thin film.
A joining step of laminating the second thin film formed in the second forming step on the first thin film formed in the first forming step and joining as a laminated body is included.
It is characterized by that.

本発明の一実施形態に係る電解加工装置は、
上記電極と、
前記電極と前記被加工物との間隙を維持するように、前記電極及び前記被加工物の少なくとも一方を前記厚さ方向に相対移動させる移動部と、
前記被加工物と前記電極との間に所定の電圧を印加する電力供給部と、
前記移動部及び前記電力供給部を制御する制御部とを備える、ことを特徴とする。
The electrolytic processing apparatus according to the embodiment of the present invention is
With the above electrodes
A moving portion that relatively moves at least one of the electrode and the work piece in the thickness direction so as to maintain a gap between the electrode and the work piece.
A power supply unit that applies a predetermined voltage between the workpiece and the electrode,
It is characterized by including the moving unit and a control unit that controls the power supply unit.

本発明の一実施形態に係る電極及び非接触加工装置によれば、支持部が、隔壁部の幅方向及び厚さ方向により規定される縦断面において、加工部の幅よりも小さい狭小部分を備えるので、狭小部分では、支持部と、スリット溝の側面との間のクリアランスを拡大することできる。そのため、被加工物と電極との間隙における電解加工用の電解液や放電加工用の加工液の流動が促進されるため、スラッジ、ガス、気泡等を適切に排出することができる。また、狭小部分が、加工部の幅よりも小さい分だけ電極の重量が低減されるため、電極の厚さ方向の撓み(特に中心部分)を抑制することができる。したがって、非接触加工の安定性を向上することができる。 According to the electrode and non-contact processing apparatus according to the embodiment of the present invention, the support portion includes a narrow portion smaller than the width of the processed portion in the vertical cross section defined by the width direction and the thickness direction of the partition wall portion. Therefore, in the narrow portion, the clearance between the support portion and the side surface of the slit groove can be increased. Therefore, the flow of the electrolytic solution for electrolytic processing and the processing liquid for electric discharge machining in the gap between the workpiece and the electrode is promoted, so that sludge, gas, air bubbles and the like can be appropriately discharged. Further, since the weight of the electrode is reduced by the amount that the narrow portion is smaller than the width of the processed portion, it is possible to suppress the deflection (particularly the central portion) of the electrode in the thickness direction. Therefore, the stability of non-contact processing can be improved.

また、本発明の一実施形態に係る電極の製造方法によれば、接合工程にて、第1の形状パターンが形成された第1の薄膜に、第2の形状パターンが形成された第2の薄膜を積層し、積層体として接合されるので、電極を簡単かつ高精度に製造することができる。 Further, according to the electrode manufacturing method according to the embodiment of the present invention, the second shape pattern is formed on the first thin film on which the first shape pattern is formed in the joining step. Since the thin films are laminated and joined as a laminated body, the electrodes can be manufactured easily and with high accuracy.

本発明の第1の実施形態に係る電解加工装置100を示す概略図である。It is the schematic which shows the electrolytic processing apparatus 100 which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る電極1Aを示し、(a)は電極1Aの全体を示す平面図、(b)は電極1Aの全体を示す正面図、(c)は電極1AのA部を示す拡大平面図である。The electrode 1A according to the first embodiment of the present invention is shown, (a) is a plan view showing the whole of the electrode 1A, (b) is a front view showing the whole of the electrode 1A, and (c) is a part A of the electrode 1A. It is an enlarged plan view which shows. 本発明の第1の実施形態に係る電極1AのB1−B1線断面図である。It is a B1-B1 line sectional view of the electrode 1A which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る電極1Aの製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the electrode 1A which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る電解加工装置100による電解加工処理(電解加工方法)を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the electrolytic processing (electrochemical processing method) by the electrolytic processing apparatus 100 which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る電解加工装置100による第1の電解加工制御の詳細を示し、(a)はテーパ加工、(b)はストレート加工とテーパ加工の組み合わせを示すグラフである。The details of the first electrolytic processing control by the electrolytic processing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention are shown, (a) is a graph showing taper processing, and (b) is a graph showing a combination of straight processing and taper processing. 本発明の第1の実施形態に係る電解加工装置100による第2の電解加工制御の詳細を示し、(a)はテーパ加工、(b)はストレート加工とテーパ加工の組み合わせを示すグラフである。The details of the second electrolytic processing control by the electrolytic processing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention are shown, (a) is a graph showing taper processing, and (b) is a graph showing a combination of straight processing and taper processing. 本発明の第2の実施形態に係る電極1BのB1−B1線断面図である。It is a B1-B1 line sectional view of the electrode 1B which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態に係る電極1C、1Dを示し、(a)は第1の変形例、(b)は第2の変形例を示すB1−B1線断面図である。The electrodes 1C and 1D according to the second embodiment of the present invention are shown, (a) is a first modified example, and (b) is a B1-B1 line sectional view showing a second modified example. 本発明の第2の実施形態に係る電極1Bの製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the electrode 1B which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態に係る放電加工装置101を示す概略図である。It is a schematic diagram which shows the electric discharge machining apparatus 101 which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態に係る電極1Eを示し、(a)は電極1Eの拡大平面図、(b)はB2−B2線断面図である。The electrode 1E according to the third embodiment of the present invention is shown, (a) is an enlarged plan view of the electrode 1E, and (b) is a sectional view taken along line B2-B2. 本発明の第3の実施形態に係る電極1Eの製造方法における各工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows each process in the manufacturing method of the electrode 1E which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施形態に係る電極1Fを示し、(a)は電極1Fの拡大平面図、(b)はB3−B3線断面図である。The electrode 1F according to the 4th embodiment of the present invention is shown, (a) is an enlarged plan view of the electrode 1F, and (b) is a sectional view taken along line B3-B3. 本発明の第4の実施形態に係る電極1G、1Hを示し、(a)は第1の変形例、(b)は第2の変形例を示すB3−B3線断面図である。It is a cross-sectional view taken along line B3-B3 which shows electrodes 1G and 1H which concerns on 4th Embodiment of this invention, (a) is a 1st modification, and (b) is a 2nd modification. 本発明の第4の実施形態に係る電極1Fの製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the electrode 1F which concerns on 4th Embodiment of this invention. 本発明の第5の実施形態に係る電極1Iを示し、(a)は電極1Iの拡大平面図、(b)はB4−B4線断面図である。The electrode 1I according to the fifth embodiment of the present invention is shown, (a) is an enlarged plan view of the electrode 1I, and (b) is a sectional view taken along line B4-B4. 本発明の第5の実施形態に係る電極1Iの製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the electrode 1I which concerns on 5th Embodiment of this invention.

(1)第1の実施形態
以下に、第1の実施形態に係る電解加工装置100、電解加工用の電極1A、電極1Aの製造方法、及び、電解加工方法について説明する。
(1) First Embodiment The following describes the electrolytic processing apparatus 100, the electrode 1A for electrolytic processing, the method for manufacturing the electrode 1A, and the electrolytic processing method according to the first embodiment.

(電解加工装置の構成)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る電解加工装置100を示す概略図である。
(Configuration of electrolytic processing equipment)
FIG. 1 is a schematic view showing an electrolytic processing apparatus 100 according to a first embodiment of the present invention.

電解加工装置100は、電解加工により被加工物2にハニカム状のスリット溝を形成する非接触加工装置の一例である。電解加工装置100は、被加工物2側に配置される加工面120を有する電解加工用の電極1Aと、被加工物2を載置する載置部3と、載置部3に載置された被加工物2に対して電極1Aを相対移動させる移動部4と、載置部3に載置された被加工物2と電極1Aとの間隙Sに電解液L1を供給する電解液供給部5と、載置部3に載置された被加工物2と電極1Aとの間に所定の電圧を印加して電流を流す電力供給部6と、移動部4、電解液供給部5及び電力供給部6を制御する制御部7とを備える。 The electrolytic processing device 100 is an example of a non-contact processing device that forms a honeycomb-shaped slit groove in the workpiece 2 by electrolytic processing. The electrolytic processing apparatus 100 is mounted on an electrode 1A for electrolytic processing having a processing surface 120 arranged on the work piece 2 side, a mounting portion 3 on which the work piece 2 is placed, and a mounting portion 3. An electrolytic solution supply unit that supplies the electrolytic solution L1 to the gap S between the workpiece 2 placed on the mounting portion 3 and the electrode 1A and the moving portion 4 that moves the electrode 1A relative to the workpiece 2. A power supply unit 6 for applying a predetermined voltage between the work 5 and the workpiece 2 mounted on the mounting unit 3 and the electrode 1A to pass a current, a moving unit 4, an electrolytic solution supply unit 5, and electric power. It includes a control unit 7 that controls the supply unit 6.

被加工物2は、任意の金属材料又は合金材料からなる。被加工物2は、電極1A側に配置される被加工面20に、ハニカム状のスリット溝が形成される。また、被加工物2は、被加工面20とは反対側の面に、複数の供給孔がスリット溝に連通するように形成されることにより、例えば、排気ガス浄化装置等のハニカム構造体を製造するときの押出成形用の金型として用いられる。 The workpiece 2 is made of any metal material or alloy material. The work piece 2 has a honeycomb-shaped slit groove formed on the work surface 20 arranged on the electrode 1A side. Further, the workpiece 2 is formed on a surface opposite to the surface 20 to be processed so that a plurality of supply holes communicate with the slit groove, whereby, for example, a honeycomb structure such as an exhaust gas purifier can be formed. It is used as a mold for extrusion molding during manufacturing.

載置部3は、被加工物2を絶縁した状態で固定保持するテーブル30と、テーブル30を囲むように配置され、電解液L1を貯留可能な加工槽31とを備える。テーブル30は、例えば、セラミックス等の絶縁性の高い材料で形成されるとともに、水平方向(X方向及びY方向)に移動可能に構成されている。なお、被加工物2は、ロボットアーム等の把持手段によりテーブル30に載置されてもよいし、ユーザによりテーブル30に載置されてもよい。 The mounting portion 3 includes a table 30 that fixes and holds the workpiece 2 in an insulated state, and a processing tank 31 that is arranged so as to surround the table 30 and can store the electrolytic solution L1. The table 30 is made of a highly insulating material such as ceramics and is configured to be movable in the horizontal direction (X direction and Y direction). The workpiece 2 may be placed on the table 30 by a gripping means such as a robot arm, or may be placed on the table 30 by the user.

移動部4は、テーブル30の上方に配置されるとともに、電極1Aを絶縁した状態で固定保持する電極ホルダ40と、テーブル30に対して電極ホルダ40に固定保持された電極1Aを接近又は離間させるように、電極ホルダ40を上下方向(Z方向)に移動させる駆動機構部41と、電極ホルダ40を上下方向(Z方向)に振動させる加振部42とを備える。 The moving portion 4 is arranged above the table 30 and brings the electrode holder 40, which holds the electrode 1A in an insulated state, and the electrode 1A, which is fixedly held by the electrode holder 40, close to or separate from the table 30. As described above, the drive mechanism unit 41 for moving the electrode holder 40 in the vertical direction (Z direction) and the vibration exciting unit 42 for vibrating the electrode holder 40 in the vertical direction (Z direction) are provided.

電極ホルダ40は、電解液供給部5により供給された電解液L1を電極1Aの先端側から流出することにより、被加工物2と電極1Aとの間隙Sに電解液L1を供給するように構成されている。駆動機構部41は、駆動源(例えば、モータ、電磁ソレノイド等)と、駆動源が発生した駆動力を電極ホルダ40に伝達する伝達機構(例えば、ボールねじ、ラック及びピニンオン、カム等)とを備え、電極ホルダ40を上下方向(Z方向)に移動可能に構成されている。加振部42は、振動周波数が10〜100Hz程度、振幅が5〜100μm程度の振動を発生させる装置であり、例えば、圧電素子で構成されている。なお、加振部42は、移動部4に代えて載置部3に備えられていてもよい。 The electrode holder 40 is configured to supply the electrolytic solution L1 to the gap S between the workpiece 2 and the electrode 1A by flowing out the electrolytic solution L1 supplied by the electrolytic solution supply unit 5 from the tip end side of the electrode 1A. Has been done. The drive mechanism unit 41 has a drive source (for example, a motor, an electromagnetic solenoid, etc.) and a transmission mechanism (for example, a ball screw, a rack and a pininon, a cam, etc.) that transmits the drive force generated by the drive source to the electrode holder 40. The electrode holder 40 is configured to be movable in the vertical direction (Z direction). The vibrating unit 42 is a device that generates vibration having a vibration frequency of about 10 to 100 Hz and an amplitude of about 5 to 100 μm, and is composed of, for example, a piezoelectric element. The vibrating unit 42 may be provided in the mounting unit 3 instead of the moving unit 4.

電解液供給部5は、電解液L1を貯留するタンク50と、電解液L1をタンク50から電極ホルダ40に送るための送り配管51と、電解液L1を加工槽31からタンク50に戻すための戻り配管52と、送り配管51に配置されたポンプ53、フィルタ54及び流量調整弁55とを備える。 The electrolytic solution supply unit 5 includes a tank 50 for storing the electrolytic solution L1, a feed pipe 51 for sending the electrolytic solution L1 from the tank 50 to the electrode holder 40, and returning the electrolytic solution L1 from the processing tank 31 to the tank 50. It includes a return pipe 52, a pump 53 arranged in the feed pipe 51, a filter 54, and a flow rate adjusting valve 55.

電解液L1は、例えば、硝酸ナトリウムや塩化ナトリウムの水溶液等であり、例えば、5〜20重量パーセント濃度に調整されている。タンク50に貯留された電解液L1は、送り配管51を介して電極ホルダ40に送られ、電極ホルダ40を介して被加工物2と電極1Aとの間隙Sに供給され、加工槽31に貯留される。そして、加工槽31に貯留された電解液L1は、戻り配管52を介して加工槽31に戻されることで、タンク50と加工槽31との間を循環する。 The electrolytic solution L1 is, for example, an aqueous solution of sodium nitrate or sodium chloride, and is adjusted to, for example, a concentration of 5 to 20% by weight. The electrolytic solution L1 stored in the tank 50 is sent to the electrode holder 40 via the feed pipe 51, supplied to the gap S between the workpiece 2 and the electrode 1A via the electrode holder 40, and stored in the processing tank 31. Will be done. Then, the electrolytic solution L1 stored in the processing tank 31 is returned to the processing tank 31 via the return pipe 52, and circulates between the tank 50 and the processing tank 31.

電力供給部6は、所定の電圧及び電流を発生する電源部60と、電源部60の陽極側を被加工物2に接続する第1の電力線61と、電源部60の陰極側を電極1Aに接続する第2の電力線62とを備える。 The power supply unit 6 has a power supply unit 60 that generates a predetermined voltage and current, a first power line 61 that connects the anode side of the power supply unit 60 to the workpiece 2, and an electrode 1A on the cathode side of the power supply unit 60. It includes a second power line 62 to be connected.

電源部60は、パルス電圧を発生する装置であり、パルス電圧の電圧値(振幅)、幅、周期と、電流値とが設定可能に構成されている。なお、電源部60は、単極性のパルス電圧だけでなく、逆極性のパルス電圧も発生するようにしてもよい。 The power supply unit 60 is a device that generates a pulse voltage, and is configured so that the voltage value (amplitude), width, period, and current value of the pulse voltage can be set. The power supply unit 60 may generate not only a unipolar pulse voltage but also a reverse polarity pulse voltage.

制御部7は、移動部4、電解液供給部5及び電力供給部6の各部を単独又は並列に制御することにより、被加工物2にハニカム状のスリット溝を形成する電解加工処理を行う。制御部7は、例えば、CPU等のプロセッサや、電解加工処理を行うための制御プログラムや制御パラメータを記憶する記憶部等により構成されている。 The control unit 7 performs an electrolytic processing process for forming a honeycomb-shaped slit groove in the workpiece 2 by controlling each of the moving unit 4, the electrolytic solution supply unit 5, and the power supply unit 6 individually or in parallel. The control unit 7 is composed of, for example, a processor such as a CPU, a storage unit for storing a control program and control parameters for performing electrolytic processing, and the like.

制御部7は、移動部4(具体的には、駆動機構部41の駆動源)に対して制御指令を送ることにより、被加工物2と電極1Aとの間隙Sが所定の極間距離G(例えば、0.005〜0.2mm程度)を維持した状態で電解加工処理が行われるように、被加工物2に形成されたスリット溝の深さDに応じて、被加工物2に対して電極1Aを相対移動させるときの相対速度である電極移動速度Es(例えば、0.01〜1.0mm/分程度)を制御する。また、制御部7は、移動部4(具体的には、加振部42)に対して制御指令を送ることにより、電極1Aが振動した状態で電解加工処理が行われるように、加振部42の振動開始タイミング及び振動停止タイミングを制御する。 The control unit 7 sends a control command to the moving unit 4 (specifically, the drive source of the drive mechanism unit 41) so that the gap S between the workpiece 2 and the electrode 1A is a predetermined electrode distance G. With respect to the workpiece 2, depending on the depth D of the slit groove formed in the workpiece 2, so that the electrolytic processing treatment is performed while maintaining (for example, about 0.005 to 0.2 mm). The electrode moving speed Es (for example, about 0.01 to 1.0 mm / min), which is the relative speed when the electrode 1A is relatively moved, is controlled. Further, the control unit 7 sends a control command to the moving unit 4 (specifically, the vibration unit 42) so that the electrolytic processing process is performed while the electrode 1A vibrates. The vibration start timing and vibration stop timing of 42 are controlled.

制御部7は、電解液供給部5(具体的には、ポンプ53及び流量調整弁55)に対して制御指令を送ることにより、被加工物2と電極1Aとの間隙Sに電解液L1を供給する際の電解液L1の流量及び流速(例えば、5〜50m/秒程度)と、電解液L1の供給開始タイミング及び供給停止タイミングとを制御する。 The control unit 7 sends a control command to the electrolytic solution supply unit 5 (specifically, the pump 53 and the flow rate adjusting valve 55) to apply the electrolytic solution L1 to the gap S between the workpiece 2 and the electrode 1A. The flow rate and flow velocity of the electrolytic solution L1 at the time of supply (for example, about 5 to 50 m / sec) and the supply start timing and supply stop timing of the electrolytic solution L1 are controlled.

制御部7は、電力供給部6(具体的には、電源部60)に対して制御指令を送ることにより、被加工物2の被加工面20における電流密度が所定の電流密度J(例えば、10〜200A/cm2程度)になるように、被加工物2と電極1Aとの間に印加するパルス電圧(例えば、5〜20V程度)を変化させることで、被加工物2と電極1Aとの間に流れる電流の極間電流値Iを制御する。 By sending a control command to the power supply unit 6 (specifically, the power supply unit 60), the control unit 7 sets the current density of the workpiece 2 on the workpiece 20 to a predetermined current density J (for example, the power supply unit 60). By changing the pulse voltage (for example, about 5 to 20 V) applied between the workpiece 2 and the electrode 1A so as to be (about 10 to 200 A / cm 2 ), the workpiece 2 and the electrode 1A The interpole current value I of the current flowing between the two is controlled.

制御部7は、移動部4、電解液供給部5及び電力供給部6の各部を制御する際、例えば、移動部4の位置センサ、電解液供給部5の流量センサ、電力供給部6の電流電圧センサ等の各種センサ(不図示)の検出値に基づいて、上記制御指令を各部に送るように構成されている。また、制御部7は、スイッチやキーボード等の入力部(不図示)や、ディスプレイ等の出力部(不図示)に接続されて、入力部を介して電解加工装置100に対するユーザの操作情報が入力されるとともに、出力部を介して電解加工装置100の動作状態等をユーザに出力する。 When the control unit 7 controls each unit of the moving unit 4, the electrolytic solution supply unit 5, and the power supply unit 6, for example, the position sensor of the moving unit 4, the flow rate sensor of the electrolytic solution supply unit 5, and the current of the power supply unit 6 The control command is configured to be sent to each unit based on the detected values of various sensors (not shown) such as a voltage sensor. Further, the control unit 7 is connected to an input unit (not shown) such as a switch or a keyboard or an output unit (not shown) such as a display, and user operation information for the electrolytic processing apparatus 100 is input via the input unit. At the same time, the operating state of the electrolytic processing apparatus 100 and the like are output to the user via the output unit.

(電極の構成)
図2は、本発明の第1の実施形態に係る電極1Aを示し、(a)は電極1Aの全体を示す平面図、(b)は電極1Aの全体を示す正面図、(c)は電極1AのA部を拡大した拡大平面図である。
(Electrode configuration)
2A and 2B show an electrode 1A according to the first embodiment of the present invention, FIG. 2A is a plan view showing the entire electrode 1A, FIG. 2B is a front view showing the entire electrode 1A, and FIG. 2C is an electrode. It is an enlarged plan view which enlarged the part A of 1A.

電極1Aは、その外形が、例えば、直径約350mm、厚さ約0.9mmの円形平板状に形成されている。電極1Aは、円形の外周に位置する周壁部10と、周壁部10の内側に位置するハニカム状の隔壁部11とを備える。なお、電極1Aの外形の形状は、円形に限られず、適宜変更してもよい。また、電極1Aの外形の寸法は、適宜変更してもよい。 The outer shape of the electrode 1A is formed, for example, in the shape of a circular flat plate having a diameter of about 350 mm and a thickness of about 0.9 mm. The electrode 1A includes a peripheral wall portion 10 located on the outer periphery of a circle and a honeycomb-shaped partition wall portion 11 located inside the peripheral wall portion 10. The outer shape of the electrode 1A is not limited to a circular shape and may be changed as appropriate. Further, the outer dimensions of the electrode 1A may be changed as appropriate.

周壁部10は、周方向に所定の間隔で配置された複数の取付孔10aを備える。複数の取付孔10aは、例えば、ボルト等の固定手段で電極1Aを電極ホルダ40に固定する際に用いられる。 The peripheral wall portion 10 includes a plurality of mounting holes 10a arranged at predetermined intervals in the circumferential direction. The plurality of mounting holes 10a are used, for example, when the electrode 1A is fixed to the electrode holder 40 by a fixing means such as a bolt.

隔壁部11は、複数の六角形のセルが互いに隣接するように隙間なく配列されており、六角形の一辺の長さは、例えば、0.75mmである。なお、ハニカム状の隔壁部11は、各セルの形状として、六角形に限られず、三角形、四角形、円形でもよいし、複数の多角形を組み合わせたものでもよい。その際、ハニカム状の隔壁部11は、サイズや形状が異なる複数種類の多角形を幾何学的に配列するようにしてもよく、例えば、HAC(High Ash Capacity)構造を有するハニカム構造体を製造可能とするものでもよい。 In the partition wall portion 11, a plurality of hexagonal cells are arranged without gaps so as to be adjacent to each other, and the length of one side of the hexagon is, for example, 0.75 mm. The honeycomb-shaped partition wall 11 is not limited to a hexagon as the shape of each cell, but may be a triangle, a quadrangle, a circle, or a combination of a plurality of polygons. At that time, the honeycomb-shaped partition wall portion 11 may be formed by geometrically arranging a plurality of types of polygons having different sizes and shapes. For example, a honeycomb structure having a HAC (High Ash Capacity) structure is manufactured. It may be possible.

隔壁部11は、各セルの中央部分に、電極1Aの厚さ方向に貫通する複数の貫通孔11aを備える。複数の貫通孔11aは、電極1Aが電極ホルダ40に固定保持されて、電解液供給部5により電解液L1が電極ホルダ40を介して電極1Aに供給されたときに、電解液L1の流出口として機能する。 The partition wall portion 11 is provided with a plurality of through holes 11a penetrating in the thickness direction of the electrode 1A in the central portion of each cell. The plurality of through holes 11a are outlets for the electrolytic solution L1 when the electrode 1A is fixedly held by the electrode holder 40 and the electrolytic solution L1 is supplied to the electrode 1A via the electrode holder 40 by the electrolytic solution supply unit 5. Functions as.

図3は、本発明の第1の実施形態に係る電極1AのB1−B1線断面図である。なお、図3は、隔壁部11の幅方向及び厚さ方向により規定される縦断面を示し、電解加工により被加工物2にスリット溝21が形成されているときの電極1Aと、被加工物2との位置関係を示す。 FIG. 3 is a sectional view taken along line B1-B1 of the electrode 1A according to the first embodiment of the present invention. Note that FIG. 3 shows a vertical cross section defined by the width direction and the thickness direction of the partition wall portion 11, and shows the electrode 1A when the slit groove 21 is formed in the workpiece 2 by electrolytic processing, and the workpiece. The positional relationship with 2 is shown.

隔壁部11は、電極1Aが電極ホルダ40に固定保持されたときに、被加工物2側に配置される加工面120を有する加工部12と、加工面120と反対側から加工部12を支持する支持部13とを備える。 When the electrode 1A is fixedly held by the electrode holder 40, the partition wall portion 11 supports the processed portion 12 having the processed surface 120 arranged on the workpiece 2 side and the processed portion 12 from the side opposite to the processed surface 120. A support portion 13 is provided.

加工部12は、第1の金属を材料とし、例えば、鉄、銅、チタン等の金属や、ステンレス等の鉄系合金、真鍮等の銅系合金、チタン合金等の合金が用いられる。 The processed portion 12 uses the first metal as a material, and for example, a metal such as iron, copper, or titanium, an iron-based alloy such as stainless steel, a copper-based alloy such as brass, or an alloy such as a titanium alloy is used.

支持部13は、第2の金属を材料とし、例えば、鉄、銅、チタン等の金属や、ステンレス等の鉄系合金、真鍮等の銅系合金、チタン合金等の合金が用いられる。支持部13の材料となる第2の金属は、加工部12の材料となる第1の金属とは異なる。したがって、加工部12の材料として、例えば、ステンレスが用いられる場合には、支持部13の材料として、例えば、鉄が用いられる。 The support portion 13 is made of a second metal, and for example, a metal such as iron, copper, or titanium, an iron-based alloy such as stainless steel, a copper-based alloy such as brass, or an alloy such as a titanium alloy is used. The second metal used as the material of the support portion 13 is different from the first metal used as the material of the processed portion 12. Therefore, when stainless steel is used as the material of the processed portion 12, for example, iron is used as the material of the support portion 13.

支持部13は、図3に示す縦断面において、加工部12の幅W11よりも小さい狭小部分130を備える。本実施形態では、支持部13は、厚さ方向の全ての部分において同じ幅W21であるため、狭小部分130は、厚さ方向の全ての部分に相当する。 The support portion 13 includes a narrow portion 130 smaller than the width W11 of the processed portion 12 in the vertical cross section shown in FIG. In the present embodiment, since the support portion 13 has the same width W21 in all the portions in the thickness direction, the narrow portion 130 corresponds to all the portions in the thickness direction.

狭小部分130の幅W21(例えば、0.12mm)は、加工部12の幅W11(例えば、0.18mm)よりも小さく設定されている。支持部13の厚さT21(例えば、0.6mm)は、加工部12の厚さT11(例えば、0.3mm)よりも大きく設定されている。 The width W21 (for example, 0.12 mm) of the narrow portion 130 is set to be smaller than the width W11 (for example, 0.18 mm) of the processed portion 12. The thickness T21 (for example, 0.6 mm) of the support portion 13 is set to be larger than the thickness T11 (for example, 0.3 mm) of the processed portion 12.

支持部13は、その外面に絶縁皮膜14が形成されている。具体的には、支持部13は、幅方向の両側面131に対して第1の絶縁皮膜140が形成されるとともに、厚さ方向の加工部12とは反対側の表面132に対して第2の絶縁皮膜141が形成されている。 An insulating film 14 is formed on the outer surface of the support portion 13. Specifically, in the support portion 13, the first insulating film 140 is formed on both side surfaces 131 in the width direction, and the support portion 13 is second with respect to the surface 132 on the side opposite to the processed portion 12 in the thickness direction. Insulation film 141 is formed.

絶縁皮膜14は、第1の金属よりも第2の金属に対して付着性が高く、電解液L1に対して耐薬品性が高い絶縁性材料で形成されている。絶縁皮膜14の材料としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、フェノール樹脂等の任意の絶縁性材料が用いられる。例えば、加工部12の材料である第1の金属として、ステンレスが用いられ、支持部13の材料である第2の金属として、鉄が用いられる場合には、絶縁皮膜14は、第1の金属よりも第2の金属に対して付着性が高い材料として、鉄とだけ化学反応し、鉄の表面にだけ皮膜を形成する材料を用いて自己析出塗装を行うことにより、支持部13の両側面131及び表面132に形成されている。 The insulating film 14 is formed of an insulating material having higher adhesion to the second metal than the first metal and higher chemical resistance to the electrolytic solution L1. As the material of the insulating film 14, for example, any insulating material such as epoxy resin, urethane resin, acrylic resin, polyimide resin, polyester resin, polyamide resin, polyvinylidene chloride resin, and phenol resin is used. For example, when stainless steel is used as the first metal which is the material of the processed portion 12 and iron is used as the second metal which is the material of the support portion 13, the insulating film 14 is the first metal. As a material having higher adhesion to the second metal than that, self-precipitation coating is performed using a material that chemically reacts only with iron and forms a film only on the surface of iron, thereby performing self-precipitation coating on both side surfaces of the support portion 13. It is formed on 131 and the surface 132.

電極1Aは、電極ホルダ40に固定保持される場合、電極1Aの厚さ方向が、駆動機構部41が電極1Aを移動させる方向(すなわち、上下方向)に一致するように配置されるとともに、電極1Aの加工面120が、テーブル30側(すなわち、下方)を向くようにして固定保持される。したがって、駆動機構部41が、電極ホルダ40を下降させることにより、テーブル30に対して電極1Aの加工面120を接近させ、電極ホルダ40を上昇させることにより、テーブル30に対して電極1Aの加工面120を離間させる。 When the electrode 1A is fixedly held by the electrode holder 40, the electrode 1A is arranged so that the thickness direction of the electrode 1A coincides with the direction in which the drive mechanism portion 41 moves the electrode 1A (that is, the vertical direction). The machined surface 120 of 1A is fixedly held so as to face the table 30 side (that is, downward). Therefore, the drive mechanism unit 41 lowers the electrode holder 40 to bring the processed surface 120 of the electrode 1A closer to the table 30, and raises the electrode holder 40 to process the electrode 1A with respect to the table 30. The surfaces 120 are separated.

上記構成を有する電極1Aによれば、支持部13が、隔壁部11の幅方向及び厚さ方向により規定される縦断面において、加工部12の幅よりも小さい狭小部分130を備えるので、狭小部分130では、支持部13と、スリット溝21の側面22との間のクリアランスC12を拡大することできる。 According to the electrode 1A having the above configuration, since the support portion 13 includes a narrow portion 130 smaller than the width of the processed portion 12 in the vertical cross section defined by the width direction and the thickness direction of the partition wall portion 11, the narrow portion At 130, the clearance C12 between the support portion 13 and the side surface 22 of the slit groove 21 can be expanded.

そのため、被加工物2と電極1Aとの間隙Sにおける電解液L1の流動が促進されるため、スラッジやガスを適切に排出することができる。また、支持部13が、スリット溝21の側面22と接触して、絶縁皮膜14が剥がれることにより、スリット溝21の側面22に電流が流れて側面22から金属材料が溶出する可能性が低減されるため、電極1Aの破損及びスリット溝21の形状異常を抑制することができる。さらに、狭小部分130が、加工部12の幅よりも小さい分だけ電極1Aの重量が低減されるため、電極1Aの厚さ方向の撓み(特に中心部分)を抑制することができる。したがって、電解加工の安定性を向上することができる。 Therefore, the flow of the electrolytic solution L1 in the gap S between the workpiece 2 and the electrode 1A is promoted, so that sludge and gas can be appropriately discharged. Further, when the support portion 13 comes into contact with the side surface 22 of the slit groove 21 and the insulating film 14 is peeled off, the possibility that a current flows through the side surface 22 of the slit groove 21 and the metal material is eluted from the side surface 22 is reduced. Therefore, damage to the electrode 1A and abnormal shape of the slit groove 21 can be suppressed. Further, since the weight of the electrode 1A is reduced by the amount that the narrow portion 130 is smaller than the width of the processed portion 12, the bending of the electrode 1A in the thickness direction (particularly the central portion) can be suppressed. Therefore, the stability of electrolytic processing can be improved.

また、電極1Aによれば、支持部13の両側面131及び表面132に対して絶縁皮膜14が形成されているので、両側面131及び表面132の通電を防止し、スリット溝21の形状異常を抑制することができるため、電解加工の安定性を向上することができる。 Further, according to the electrode 1A, since the insulating film 14 is formed on both side surfaces 131 and the surface 132 of the support portion 13, energization of both side surfaces 131 and the surface 132 is prevented, and the shape abnormality of the slit groove 21 is caused. Since it can be suppressed, the stability of electrolytic processing can be improved.

また、電極1Aによれば、加工部12は、第1の金属を材料とし、支持部13は、第1の金属とは異なる第2の金属を材料とし、絶縁皮膜14は、第1の金属よりも第2の金属に対して付着性が高い絶縁性材料で形成されているので、当該絶縁性材料により、加工部12と支持部13とからなる構造体を塗装(コーティング)することにより、支持部13の表面に限定して絶縁皮膜14を容易に形成することができる。 Further, according to the electrode 1A, the processed portion 12 is made of a first metal, the support portion 13 is made of a second metal different from the first metal, and the insulating film 14 is made of a first metal. Since it is formed of an insulating material having a higher adhesion to the second metal than the second metal, the structure composed of the processed portion 12 and the supporting portion 13 is coated with the insulating material. The insulating film 14 can be easily formed only on the surface of the support portion 13.

(電極の製造方法)
図4は、本発明の第1の実施形態に係る電極1Aの製造方法における各工程を示すフローチャートである。
(Method of manufacturing electrodes)
FIG. 4 is a flowchart showing each step in the method for manufacturing the electrode 1A according to the first embodiment of the present invention.

まず、第1の形成工程(ステップS100)にて、第1の金属を材料とする第1の薄膜15に、厚さ方向に直交する横断面における加工部12の断面形状に対応する第1の形状パターンP10を形成する。ここでは、第1の薄膜15として、ステンレス(SUS304)を材料とし、加工部12の厚さT11(=0.3mm)に等しい厚さ0.3mmの薄膜を用いる。そして、エッチング加工により、第1の薄膜15に第1の形状パターンP10を形成する。なお、第1の薄膜15は、複数枚でもよく、複数枚の場合には、厚さが同じものでもよいし、異なるものでもよい。 First, in the first forming step (step S100), a first thin film 15 made of a first metal corresponds to a cross-sectional shape of a processed portion 12 in a cross section orthogonal to the thickness direction. The shape pattern P10 is formed. Here, as the first thin film 15, a thin film having a thickness of 0.3 mm, which is made of stainless steel (SUS304) and is equal to the thickness T11 (= 0.3 mm) of the processed portion 12, is used. Then, the first shape pattern P10 is formed on the first thin film 15 by etching processing. The first thin film 15 may have a plurality of thin films, and in the case of a plurality of thin films 15, the thickness may be the same or different.

次に、第2の形成工程(ステップS110)にて、第2の金属を材料とする3枚の第2の薄膜16A〜16Cに、厚さ方向に直交する横断面における支持部13(狭小部分130)の断面形状に対応する第2の形状パターンP20をそれぞれ形成する。ここでは、3枚の第2の薄膜16A〜16Cとして、鉄を材料とし、支持部13の厚さT21(=0.6mm)の1/3に等しい厚さ0.2mmの薄膜3枚を用いる。そして、エッチング加工により、3枚の第2の薄膜16A〜16Cに第2の形状パターンP20をそれぞれ形成する。
なお、第2の薄膜16A〜16Cは、1枚でもよい、2枚でもよいし、4枚以上でもよく、複数枚の場合には、厚さが同じものでもよいし、異なるものでもよい。
Next, in the second forming step (step S110), the support portion 13 (narrow portion) in the cross section orthogonal to the thickness direction is formed on the three second thin films 16A to 16C made of the second metal. A second shape pattern P20 corresponding to the cross-sectional shape of 130) is formed. Here, as the three second thin films 16A to 16C, three thin films having a thickness of 0.2 mm, which is made of iron and is equal to 1/3 of the thickness T21 (= 0.6 mm) of the support portion 13, are used. .. Then, the second shape pattern P20 is formed on each of the three second thin films 16A to 16C by etching.
The second thin films 16A to 16C may have one thin film, two thin films, four or more thin films, and in the case of a plurality of thin films, they may have the same thickness or different thin films.

次に、接合工程(ステップS120)にて、第1の形成工程(ステップS100)で形成された第1の薄膜15に、第2の形成工程(ステップS110)で形成された3枚の第2の薄膜16A〜16Cを順に積層し、積層体17Aとして接合する。第1の薄膜15及び3枚の第2の薄膜16A〜16Cにおける薄膜同士の接合は、例えば、拡散接合により接合する。 Next, in the joining step (step S120), the three second films formed in the second forming step (step S110) are formed on the first thin film 15 formed in the first forming step (step S100). The thin films 16A to 16C of the above are laminated in order and joined as a laminated body 17A. The thin films 15 and the three second thin films 16A to 16C are bonded to each other by, for example, diffusion bonding.

次に、絶縁皮膜形成工程(ステップS130)にて、接合工程(ステップS120)により接合された積層体17Aのうち、支持部13における幅方向の両側面131と、厚さ方向の加工部12とは反対側の表面132とに対応する第2の薄膜16A〜16Cの表面161、162に対して絶縁皮膜14を形成する。ここでは、絶縁皮膜14を形成する塗装方法として、自己析出塗装を用いるとともに、ステンレス(SUS304)よりも鉄に対して付着性が高い絶縁皮膜14の材料として、鉄とだけ化学反応し、鉄の表面にだけ皮膜を形成する材料を用いることにより、積層体17Aの表面161、162に対して絶縁皮膜14を形成する。以上により、一連の工程が終了し、電解加工用の電極1Aが製造される。 Next, in the insulating film forming step (step S130), of the laminated body 17A joined by the joining step (step S120), both side surfaces 131 in the width direction of the support portion 13 and the processed portion 12 in the thickness direction Formes an insulating film 14 on the surfaces 161 and 162 of the second thin films 16A to 16C corresponding to the surface 132 on the opposite side. Here, self-precipitation coating is used as a coating method for forming the insulating film 14, and as a material for the insulating film 14 having higher adhesion to iron than stainless steel (SUS304), only iron is chemically reacted to form iron. By using a material that forms a film only on the surface, an insulating film 14 is formed on the surfaces 161 and 162 of the laminate 17A. As described above, a series of steps is completed, and the electrode 1A for electrolytic processing is manufactured.

なお、第1の形成工程程(ステップS100)と、第2の形成工程程(ステップS110)では、薄膜にパターン形状を形成する加工方法として、エッチング加工の他に、例えば、ウォーターレーザ加工を用いてもよい。また、第1の形成工程(ステップS100)と、第2の形成工程(ステップS110)では、異なる加工方法を用いてもよく、第1の形成工程(ステップS100)では、スリット溝21の加工状態に影響を及ぼす加工面120に相当する部分を形成することになるため、加工精度が高い加工方法として、例えば、ウォーターレーザ加工を用い、第2の形成工程(ステップS110)では、製造コストが安く、加工時間が早い加工方法として、例えば、エッチング加工を用いるようにしてもよい。さらに、接合工程(ステップS120)では、薄膜同士の接合方法として、拡散接合の他に、例えば、表面活性化接合を用いてもよい。 In the first forming step (step S100) and the second forming step (step S110), for example, water laser processing is used in addition to etching processing as a processing method for forming a pattern shape on the thin film. You may. Further, different processing methods may be used in the first forming step (step S100) and the second forming step (step S110), and in the first forming step (step S100), the processing state of the slit groove 21 Since the portion corresponding to the machined surface 120 that affects the processing surface 120 is formed, for example, water laser processing is used as a processing method with high processing accuracy, and the manufacturing cost is low in the second forming step (step S110). As a processing method having a fast processing time, for example, etching processing may be used. Further, in the bonding step (step S120), for example, surface activation bonding may be used in addition to diffusion bonding as the bonding method between the thin films.

上記工程を有する電極1Aの製造方法によれば、接合工程(ステップS120)にて、第1の形成工程(ステップS100)で第1の形状パターンP10が形成された第1の薄膜15に、第2の形成工程(ステップS110)で第2の形状パターンP20が形成された第2の薄膜16A〜16Cを積層し、積層体17Aとして接合し、絶縁皮膜形成工程(ステップS130)にて、積層体17Aのうち、支持部13における幅方向の両側面131と、厚さ方向の加工部12とは反対側の表面132とに対応する第2の薄膜16A〜16Cの表面161、162に対して絶縁皮膜14を形成するので、電極1Aを簡単かつ高精度に製造することができる。 According to the method for producing the electrode 1A having the above steps, in the joining step (step S120), the first thin film 15 on which the first shape pattern P10 is formed in the first forming step (step S100) is formed. The second thin films 16A to 16C on which the second shape pattern P20 was formed in the forming step 2 (step S110) are laminated and joined as a laminated body 17A, and the laminated body is formed in the insulating film forming step (step S130). Of 17A, insulation is provided for the surfaces 161 and 162 of the second thin films 16A to 16C corresponding to both side surfaces 131 in the width direction of the support portion 13 and the surface 132 on the side opposite to the processed portion 12 in the thickness direction. Since the film 14 is formed, the electrode 1A can be manufactured easily and with high accuracy.

また、絶縁皮膜形成工程(ステップS130)にて、第1の金属(第1の薄膜15の材料)よりも第2の金属(第2の薄膜16A〜16Cの材料)に対して付着性が高い絶縁性材料で絶縁皮膜14を形成するので、第2の薄膜16A〜16Cの表面161、162に限定して絶縁皮膜14を容易に形成することができる。 Further, in the insulating film forming step (step S130), the adhesiveness to the second metal (materials of the second thin films 16A to 16C) is higher than that of the first metal (material of the first thin film 15). Since the insulating film 14 is formed of the insulating material, the insulating film 14 can be easily formed only on the surfaces 161 and 162 of the second thin films 16A to 16C.

また、第1の薄膜15及び第2の薄膜16A〜16Cの厚さや枚数を変更することにより、電極1Aの厚さを所定の厚さに変更することができるので、電極1Aの高電流耐性の確保や、電極1Aの大型化に伴う強度不足の解消を容易に実現することができる。 Further, the thickness of the electrode 1A can be changed to a predetermined thickness by changing the thickness and the number of the first thin film 15 and the second thin films 16A to 16C, so that the electrode 1A has high current resistance. It can be easily secured and the lack of strength due to the increase in size of the electrode 1A can be easily realized.

(電解加工方法)
図5は、本発明の第1の実施形態に係る電解加工装置100による電解加工処理(電解加工方法)を示すフローチャートである。ここでは、電解加工装置100が、被加工物2にハニカム状のスリット溝21を形成する電解加工処理について説明する。
(Electrochemical machining method)
FIG. 5 is a flowchart showing an electrolytic processing process (electrochemical processing method) by the electrolytic processing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention. Here, an electrolytic processing process in which the electrolytic processing apparatus 100 forms a honeycomb-shaped slit groove 21 in the workpiece 2 will be described.

まず、載置工程(ステップS10)にて、被加工物2を載置部3のテーブル30に載置し、固定保持する。このとき、電極1Aを固定保持する電極ホルダ40は、被加工物2をテーブル30に載置する作業の妨げにならないように、テーブル30から離間した待機位置に上昇している。 First, in the mounting step (step S10), the workpiece 2 is placed on the table 30 of the mounting portion 3 and fixedly held. At this time, the electrode holder 40 that holds the electrode 1A fixedly is raised to a standby position away from the table 30 so as not to interfere with the work of placing the workpiece 2 on the table 30.

次に、設定工程(ステップS20)にて、制御部7は、移動部4、電解液供給部5及び電力供給部6の各部を制御するための制御パラメータを設定し、制御指令として各部に送る。 Next, in the setting step (step S20), the control unit 7 sets control parameters for controlling each unit of the moving unit 4, the electrolytic solution supply unit 5, and the power supply unit 6, and sends them as control commands to each unit. ..

次に、前処理工程(ステップS30)にて、制御部7から制御指令を受けた移動部4は、駆動機構部41を動作させて、テーブル30に載置された被加工物2に対して電極1Aの加工面120を接近させるように、電極ホルダ40を待機位置から所定の前処理位置に下降させる。 Next, in the pretreatment step (step S30), the moving unit 4 that receives the control command from the control unit 7 operates the drive mechanism unit 41 with respect to the workpiece 2 placed on the table 30. The electrode holder 40 is lowered from the standby position to a predetermined pretreatment position so that the machined surface 120 of the electrode 1A approaches.

そして、制御部7から制御指令を受けた電解液供給部5は、ポンプ53及び流量調整弁55を動作させて、電極ホルダ40に固定保持された電極1Aに対して電解液L1の供給を開始する。 Then, the electrolytic solution supply unit 5 that receives the control command from the control unit 7 operates the pump 53 and the flow rate adjusting valve 55 to start supplying the electrolytic solution L1 to the electrode 1A fixedly held by the electrode holder 40. To do.

次に、移動工程(ステップS40)にて、移動部4は、駆動機構部41を動作させて、電極ホルダ40を前処理位置から被加工物2と電極1Aとの間隙Sが所定の極間距離Gとなる加工開始位置に下降させる。さらに、移動部4は、加振部42を動作させて、電極ホルダ40を上下方向に振動させる。 Next, in the moving step (step S40), the moving unit 4 operates the drive mechanism unit 41 to move the electrode holder 40 from the pretreatment position to the electrode where the gap S between the workpiece 2 and the electrode 1A is a predetermined distance. It is lowered to the machining start position where the distance is G. Further, the moving unit 4 operates the vibrating unit 42 to vibrate the electrode holder 40 in the vertical direction.

また、移動工程(ステップS40)と並行して、電力供給工程(ステップS50)にて、制御部7から制御指令を受けた電力供給部6は、電源部60を動作させて、被加工物2と電極1Aとの間にパルス電圧を印加する。このとき、電解液供給部5は、前処理工程(ステップS30)で電解液L1の供給を開始しているため、電極1Aの貫通孔11aから被加工物2と電極1Aとの間隙Sに電解液L1が供給された状態となっている。 Further, in parallel with the moving step (step S40), the power supply unit 6 that receives the control command from the control unit 7 in the power supply process (step S50) operates the power supply unit 60 to operate the work piece 2. A pulse voltage is applied between the electrode 1A and the electrode 1A. At this time, since the electrolytic solution supply unit 5 has started supplying the electrolytic solution L1 in the pretreatment step (step S30), the electrolytic solution L1 is electrolyzed from the through hole 11a of the electrode 1A into the gap S between the workpiece 2 and the electrode 1A. The liquid L1 is in a supplied state.

そのため、被加工物2と電極1Aとの間に印加されたパルス電圧に応じて、電解液L1を介して被加工物2と電極1Aとの間に電流が流れることにより、電極1Aの加工面120に対向する部分の被加工物2の被加工面20から金属材料が溶出し、被加工物2にスリット溝21が形成される。 Therefore, a current flows between the workpiece 2 and the electrode 1A via the electrolytic solution L1 according to the pulse voltage applied between the workpiece 2 and the electrode 1A, so that the machined surface of the electrode 1A The metal material is eluted from the work surface 20 of the work piece 2 in the portion facing 120, and the slit groove 21 is formed in the work piece 2.

さらに、被加工物2に形成されたスリット溝21の深さDに応じて、移動部4が、所定の極間距離Gを維持するように電極ホルダ40を徐々に下降させるとともに、電力供給部6が、所定の電流密度Jとなるようにパルス電圧を変化させることにより、スリット溝21が徐々に深く形成されていく。そして、移動部4が、電極ホルダ40を所定の加工終了位置まで下降させたところで、最終的に所定の深さDtのスリット溝21が形成される。 Further, according to the depth D of the slit groove 21 formed in the workpiece 2, the moving portion 4 gradually lowers the electrode holder 40 so as to maintain a predetermined interpole distance G, and the power supply portion. The slit groove 21 is gradually and deeply formed by changing the pulse voltage so that 6 has a predetermined current density J. Then, when the moving portion 4 lowers the electrode holder 40 to a predetermined machining end position, a slit groove 21 having a predetermined depth Dt is finally formed.

ここで、移動工程(ステップS40)及び電力供給工程(ステップS50)は、並行して行われることにより、移動工程(ステップS40)にて電極1Aを移動させるときの電極移動速度Esと、電力供給工程(ステップS50)にてパルス電圧を変化させるときの極間電流値Iとは同期して制御される。その具体的な制御として、電解加工装置100は、第1の電解加工制御(図6にて詳細は後述する)、又は、第2の電解加工制御(図7にて詳細は後述する)を行う。 Here, the moving step (step S40) and the power supply step (step S50) are performed in parallel, so that the electrode moving speed Es when moving the electrode 1A in the moving step (step S40) and the power supply It is controlled in synchronization with the electrode current value I when the pulse voltage is changed in the step (step S50). As a specific control thereof, the electrolytic processing apparatus 100 performs a first electrolytic processing control (details will be described later in FIG. 6) or a second electrolytic processing control (details will be described later in FIG. 7). ..

図6は、本発明の第1の実施形態に係る電解加工装置100による第1の電解加工制御の詳細を示し、(a)はテーパ加工、(b)はストレート加工とテーパ加工の組み合わせを示すグラフである。図6では、横軸は、電解加工中のスリット溝21A、21Bの深さDを示し、縦軸は、電解加工中の電極移動速度Es及び極間電流値Iを示す。 FIG. 6 shows the details of the first electrolytic processing control by the electrolytic processing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention, (a) shows taper processing, and (b) shows a combination of straight processing and taper processing. It is a graph. In FIG. 6, the horizontal axis represents the depth D of the slit grooves 21A and 21B during electrolytic machining, and the vertical axis represents the electrode moving speed Es and the interpole current value I during electrolytic machining.

図6(a)に示す第1の電解加工制御では、極間電流値Iを一定として状態で、スリット溝21Aの深さDが深くなるほど、電極移動速度Esを徐々に低下させる。その結果、被加工物2には、スリット溝21Aの深さDが深くなるほどスリット溝21Aの溝幅が広くなるようなテーパ状のスリット溝21Aが形成されて、供給孔23と連通される。 In the first electrolytic machining control shown in FIG. 6A, the electrode moving speed Es is gradually reduced as the depth D of the slit groove 21A becomes deeper while the interpole current value I is constant. As a result, the workpiece 2 is formed with a tapered slit groove 21A such that the groove width of the slit groove 21A becomes wider as the depth D of the slit groove 21A becomes deeper, and the slit groove 21A communicates with the supply hole 23.

図6(b)に示す第1の電解加工制御では、スリット溝21の深さDが切替深さD1に到達するまで、電極移動速度Es及び極間電流値Iを一定とし、スリット溝21Bの深さDが切替深さD1に到達した以降は、極間電流値Iを一定として状態で、スリット溝21Bの深さDが深くなるほど、電極移動速度Esを徐々に低下させる。その結果、被加工物2には、深さDが切替深さD1よりも浅い部分は、ストレート状であり、深さDが切替深さD1より深い部分は、スリット溝21Bの深さDが深くなるほどスリット溝21Bの溝幅が広くなるようなテーパ状のスリット溝21Bが形成されて、供給孔23と連通される。 In the first electrolytic processing control shown in FIG. 6B, the electrode moving speed Es and the interpole current value I are kept constant until the depth D of the slit groove 21 reaches the switching depth D1, and the slit groove 21B After the depth D reaches the switching depth D1, the electrode moving speed Es is gradually reduced as the depth D of the slit groove 21B becomes deeper while the interpole current value I is kept constant. As a result, in the workpiece 2, the portion where the depth D is shallower than the switching depth D1 is straight, and the portion where the depth D is deeper than the switching depth D1 is the depth D of the slit groove 21B. A tapered slit groove 21B is formed so that the width of the slit groove 21B becomes wider as the depth becomes deeper, and the slit groove 21B communicates with the supply hole 23.

図7は、本発明の第1の実施形態に係る電解加工装置100による第2の電解加工制御の詳細を示し、(a)はテーパ加工、(b)はストレート加工とテーパ加工の組み合わせを示すグラフである。図7では、図6と同様に、横軸は、電解加工中のスリット溝21A、21Bの深さDを示し、縦軸は、電解加工中の電極移動速度Es及び極間電流値Iを示す。 FIG. 7 shows the details of the second electrolytic machining control by the electrolytic machining apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention, (a) shows taper machining, and (b) shows a combination of straight machining and taper machining. It is a graph. In FIG. 7, as in FIG. 6, the horizontal axis represents the depth D of the slit grooves 21A and 21B during electrolytic machining, and the vertical axis represents the electrode moving speed Es and the interpole current value I during electrolytic machining. ..

図7(a)に示す第2の電解加工制御では、電極移動速度Esを一定として状態で、スリット溝21Aの深さDが深くなるほど、極間電流値Iを徐々に上昇させる。その結果、被加工物2には、図6(a)と同様に、テーパ状のスリット溝21Aが形成されて、供給孔23と連通される。 In the second electrolytic machining control shown in FIG. 7A, the electrode moving speed Es is kept constant, and the deeper the depth D of the slit groove 21A is, the more the interpole current value I is gradually increased. As a result, the workpiece 2 is formed with a tapered slit groove 21A as in FIG. 6A, and is communicated with the supply hole 23.

図7(b)に示す第2の電解加工制御では、スリット溝21Bの深さDが切替深さD2に到達するまで、電極移動速度Es及び極間電流値Iを一定とし、スリット溝21Bの深さDが切替深さD2に到達した以降は、電極移動速度Esを一定として状態で、スリット溝21Bの深さDが深くなるほど、極間電流値Iを徐々に上昇させる。その結果、被加工物2には、図6(a)と同様に、深さDが切替深さD2よりも浅い部分はストレート状であり、深さDが切替深さD2より深い部分はテーパ状のスリット溝21Bが形成される。 In the second electrolytic processing control shown in FIG. 7B, the electrode moving speed Es and the interpole current value I are kept constant until the depth D of the slit groove 21B reaches the switching depth D2, and the slit groove 21B After the depth D reaches the switching depth D2, the electrode moving speed Es is kept constant, and as the depth D of the slit groove 21B becomes deeper, the pole current value I is gradually increased. As a result, in the workpiece 2, the portion where the depth D is shallower than the switching depth D2 is straight and the portion where the depth D is deeper than the switching depth D2 is tapered, as in FIG. 6A. The shaped slit groove 21B is formed.

なお、第1の電解加工制御にて、電極移動速度Esを徐々に低下させる際、図6に示すように、一定の傾きで低下させるだけでなく、その傾きを段階的に変化させてもよいし、曲線的に変化させてもよい。また、第2の電解加工制御にて、極間電流値Iを徐々に上昇させる際、図7に示すように、一定の傾きで上昇させるだけでなく、その傾きを段階的に変化させてもよいし、曲線的に変化させてもよい。 When the electrode moving speed Es is gradually reduced in the first electrolytic processing control, not only the electrode moving speed Es may be gradually reduced with a constant inclination as shown in FIG. 6, but the inclination may be changed stepwise. However, it may be changed in a curve. Further, when the interpole current value I is gradually increased in the second electrolytic machining control, as shown in FIG. 7, not only the inclination is increased with a constant inclination, but also the inclination is changed stepwise. It may be changed in a curve.

図5の説明に戻ると、移動工程(ステップS40)及び電力供給工程(ステップS50)に後続する後処理工程(ステップS60)にて、電力供給部6は、パルス電圧の印加を停止させるとともに、電解液供給部5は、電解液L1の供給を停止する。また、移動部4は、加振部42の動作を停止させるとともに、駆動機構部41により電極ホルダ40を待機位置に上昇させる。以上により、一連の工程による電解加工処理が終了し、電極1Aにより被加工物2にハニカム状のスリット溝21が形成されて、供給孔23と連通される。 Returning to the description of FIG. 5, in the post-processing step (step S60) following the moving step (step S40) and the power supply step (step S50), the power supply unit 6 stops the application of the pulse voltage and stops the application of the pulse voltage. The electrolytic solution supply unit 5 stops the supply of the electrolytic solution L1. Further, the moving unit 4 stops the operation of the vibrating unit 42 and raises the electrode holder 40 to the standby position by the drive mechanism unit 41. As described above, the electrolytic processing process by a series of steps is completed, and the electrode 1A forms a honeycomb-shaped slit groove 21 in the workpiece 2 and communicates with the supply hole 23.

上記構成を有する電解加工装置100、及び、上記工程を有する電解加工方法によれば、第1の電解加工制御又は第2の電解加工制御を行うので、被加工物2に、スリット溝の深さDが深くなるほどスリット溝21A、21Bの溝幅が広くなるようなテーパ状のスリット溝21A、21Bに形成することができる。そのため、被加工物2を、例えば、ハニカム構造体の押出成型用の金型として用いる場合、供給孔23から供給された成形材が、テーパ状のスリット溝21A、21Bを抜けやすくなり、スリット溝21A、21Bに流れ込んだ成形材の流動性と圧着強度が向上するため、押出成形されたハニカム構造体の強度を向上することができる。 According to the electrolytic processing apparatus 100 having the above configuration and the electrolytic processing method having the above steps, the first electrolytic processing control or the second electrolytic processing control is performed, so that the depth of the slit groove in the workpiece 2 is It can be formed in the tapered slit grooves 21A and 21B so that the groove width of the slit grooves 21A and 21B becomes wider as D becomes deeper. Therefore, when the workpiece 2 is used, for example, as a mold for extrusion molding of a honeycomb structure, the molding material supplied from the supply hole 23 can easily pass through the tapered slit grooves 21A and 21B, and the slit groove Since the fluidity and crimping strength of the molding material flowing into the 21A and 21B are improved, the strength of the extruded honeycomb structure can be improved.

(2)第2の実施形態
以下に、第2の実施形態に係る電解加工装置100、電解加工用の電極1B、電極1Bの製造方法、及び、電解加工方法について説明する。なお、電解加工装置100及び電解加工方法については、第1の実施形態と同様のため、説明を省略する。
(2) Second Embodiment The following describes the electrolytic processing apparatus 100, the electrode 1B for electrolytic processing, the method for manufacturing the electrode 1B, and the electrolytic processing method according to the second embodiment. Since the electrolytic processing apparatus 100 and the electrolytic processing method are the same as those in the first embodiment, the description thereof will be omitted.

(電極の構成)
図8は、本発明の第2の実施形態に係る電極1BのB1−B1線断面図である。なお、図8は、図3と同様に、隔壁部11の幅方向及び厚さ方向により規定される縦断面を示し、電解加工により被加工物2にスリット溝21が形成されているときの電極1Bと、被加工物2との位置関係を示す。
(Electrode configuration)
FIG. 8 is a sectional view taken along line B1-B1 of the electrode 1B according to the second embodiment of the present invention. Note that FIG. 8 shows a vertical cross section defined by the width direction and the thickness direction of the partition wall portion 11 as in FIG. 3, and is an electrode when a slit groove 21 is formed in the workpiece 2 by electrolytic processing. The positional relationship between 1B and the workpiece 2 is shown.

第1の実施形態に係る電極1Aでは、図3に示すように、支持部13の幅W21が、厚さ方向の全ての部分において同じ幅であるのに対し、第2の実施形態に係る電極1Bでは、図8に示すように、支持部13の幅W23、W24が、厚さ方向に沿って加工部12から離れるほど小さくなるものである。 In the electrode 1A according to the first embodiment, as shown in FIG. 3, the width W21 of the support portion 13 is the same width in all the portions in the thickness direction, whereas the electrode 1A according to the second embodiment has the same width. In 1B, as shown in FIG. 8, the widths W23 and W24 of the support portion 13 become smaller as they are separated from the processed portion 12 along the thickness direction.

支持部13は、図8に示す縦断面において、加工部12の幅W12と同じ幅の非狭小部分133と、非狭小部分133の幅W23よりも小さい狭小部分130とを備える。狭小部分130は、非狭小部分133よりも加工部12から離れた位置に配置されている。 In the vertical cross section shown in FIG. 8, the support portion 13 includes a non-narrow portion 133 having the same width as the width W12 of the processed portion 12, and a narrow portion 130 smaller than the width W23 of the non-narrow portion 133. The narrow portion 130 is arranged at a position farther from the processed portion 12 than the non-narrow portion 133.

狭小部分130の幅W24(例えば、0.12mm)は、非狭小部分133の幅W23(例えば、0.18mm)よりも小さく設定されている。非狭小部分133の幅W23(例えば、0.18mm)は、加工部12の幅W12(例えば、0.18mm)と等しく設定されている。 The width W24 (for example, 0.12 mm) of the narrow portion 130 is set smaller than the width W23 (for example, 0.18 mm) of the non-narrow portion 133. The width W23 (for example, 0.18 mm) of the non-narrow portion 133 is set to be equal to the width W12 (for example, 0.18 mm) of the processed portion 12.

支持部13の厚さT22(例えば、0.75mm)は、加工部12の厚さT12(例えば、0.15mm)よりも大きく設定されている。非狭小部分133の厚さT23(例えば、0.15mm)は、狭小部分130の厚さT24(例えば、0.6mm)よりも小さく設定されている。 The thickness T22 (for example, 0.75 mm) of the support portion 13 is set to be larger than the thickness T12 (for example, 0.15 mm) of the processed portion 12. The thickness T23 (for example, 0.15 mm) of the non-narrow portion 133 is set smaller than the thickness T24 (for example, 0.6 mm) of the narrow portion 130.

支持部13は、幅方向の両側面131として、非狭小部分133の両側面131Aと、狭小部分130の両側面131Bとに対して第1の絶縁皮膜140A、140Bがそれぞれ形成されている。また、支持部13は、厚さ方向の加工部12とは反対側の表面132として、非狭小部分133の表面132Aと、狭小部分130の表面132Bとに対して第2の絶縁皮膜141A、141Bがそれぞれ形成されている。 The support portion 13 has first insulating films 140A and 140B formed on both side surfaces 131A of the non-narrow portion 133 and both side surfaces 131B of the narrow portion 130 as both side surfaces 131 in the width direction. Further, the support portion 13 has a surface 132 on the opposite side of the processed portion 12 in the thickness direction, and is provided with second insulating films 141A and 141B with respect to the surface 132A of the non-narrow portion 133 and the surface 132B of the narrow portion 130. Are formed respectively.

(電極の構成の変形例)
図9は、本発明の第2の実施形態に係る電極1C、1Dを示し、(a)は第1の変形例、(b)は第2の変形例を示すB1−B1線断面図である。
(Modified example of electrode configuration)
9A and 9B show electrodes 1C and 1D according to a second embodiment of the present invention, FIG. 9A is a sectional view taken along line B1-B1 showing a first modified example and FIG. 9B is a second modified example. ..

第1及び第2の変形例に係る電極1C、1Dは、図8に示す電極1Bと同様に、支持部13の幅W25、W26が、厚さ方向に沿って加工部12から離れるほど小さくなるものである。 Similar to the electrodes 1B shown in FIG. 8, the electrodes 1C and 1D according to the first and second modifications become smaller as the widths W25 and W26 of the support portion 13 are separated from the processed portion 12 along the thickness direction. It is a thing.

図9(a)に示す第1の変形例に係る電極1Cでは、支持部13が、加工部12の幅W12よりも小さい第1の狭小部分130Aと、第1の狭小部分130Aの幅W25よりも小さい第2の狭小部分130Bとを備える。第2の狭小部分130Bは、第1の狭小部分130Aよりも加工部12から離れた位置に配置されている。 In the electrode 1C according to the first modification shown in FIG. 9A, the support portion 13 is smaller than the width W12 of the processed portion 12 than the width W25 of the first narrow portion 130A and the first narrow portion 130A. It also includes a small second narrow portion 130B. The second narrow portion 130B is arranged at a position farther from the processed portion 12 than the first narrow portion 130A.

第2の狭小部分130Bの幅W26(例えば、0.12mm)は、第1の狭小部分130Aの幅W25(例えば、0.15mm)よりも小さく設定されている。第1の狭小部分130Aの幅W25(例えば、0.15mm)は、加工部12の幅W12(例えば、0.18mm)よりも小さく設定されている。 The width W26 (for example, 0.12 mm) of the second narrow portion 130B is set smaller than the width W25 (for example, 0.15 mm) of the first narrow portion 130A. The width W25 (for example, 0.15 mm) of the first narrow portion 130A is set smaller than the width W12 (for example, 0.18 mm) of the processed portion 12.

支持部13の厚さT22(例えば、0.75mm)は、加工部12の厚さT12(例えば、0.15mm)よりも大きく設定されている。第1の狭小部分130Aの厚さT25(例えば、0.15mm)は、第2の狭小部分130Bの厚さT26(例えば、0.6mm)よりも小さく設定されている。 The thickness T22 (for example, 0.75 mm) of the support portion 13 is set to be larger than the thickness T12 (for example, 0.15 mm) of the processed portion 12. The thickness T25 (for example, 0.15 mm) of the first narrow portion 130A is set smaller than the thickness T26 (for example, 0.6 mm) of the second narrow portion 130B.

支持部13は、幅方向の両側面131として、第1の狭小部分130Aの両側面131Aと、第2の狭小部分130Bの両側面131Bとに対して第1の絶縁皮膜140A、140Bがそれぞれ形成されている。また、支持部13は、厚さ方向の加工部12とは反対側の表面132として、第1の狭小部分130Aの表面132Aと、第2の狭小部分130Bの表面132Bとに対して第2の絶縁皮膜141A、141Bがそれぞれ形成されている。 In the support portion 13, the first insulating films 140A and 140B are formed on both side surfaces 131A of the first narrow portion 130A and both side surfaces 131B of the second narrow portion 130B as both side surfaces 131 in the width direction, respectively. Has been done. Further, the support portion 13 has a surface 132 on the side opposite to the processed portion 12 in the thickness direction, and is second to the surface 132A of the first narrow portion 130A and the surface 132B of the second narrow portion 130B. Insulating films 141A and 141B are formed, respectively.

図9(b)に示す第2の変形例に係る電極1Dでは、支持部13が、加工部12の幅W12よりも小さい第1の狭小部分130Aと、第1の狭小部分130Aの幅W25よりも小さい第2の狭小部分130Bと、第2の狭小部分130Bの幅W26よりも小さい第3の狭小部分130Cとを備える。第1の狭小部分130A、第2の狭小部分130B、及び、第3の狭小部分130Cは、この順番で加工部12から離れる位置に配置されている。 In the electrode 1D according to the second modification shown in FIG. 9B, the support portion 13 is smaller than the width W12 of the processed portion 12 than the first narrow portion 130A and the width W25 of the first narrow portion 130A. It also includes a second narrow portion 130B, which is also small, and a third narrow portion 130C, which is smaller than the width W26 of the second narrow portion 130B. The first narrow portion 130A, the second narrow portion 130B, and the third narrow portion 130C are arranged at positions separated from the processing portion 12 in this order.

第1の狭小部分130Aの幅W25(例えば、0.15mm)、第2の狭小部分130Bの幅W26(例えば、0.12mm)、及び、第3の狭小部分130Cの幅W27(例えば、0.09mm)は、この順番で小さくなるように設定されている。第1の狭小部分130Aの幅W25(例えば、0.15mm)は、加工部12の幅W12(例えば、0.18mm)よりも小さく設定されている。 The width W25 of the first narrow portion 130A (for example, 0.15 mm), the width W26 of the second narrow portion 130B (for example, 0.12 mm), and the width W27 of the third narrow portion 130C (for example, 0. 09 mm) is set to decrease in this order. The width W25 (for example, 0.15 mm) of the first narrow portion 130A is set smaller than the width W12 (for example, 0.18 mm) of the processed portion 12.

支持部13の厚さT22(例えば、0.75mm)は、加工部12の厚さT12(例えば、0.15mm)よりも大きく設定されている。第1の狭小部分130Aの厚さT25(例えば、0.15mm)及び第2の狭小部分130Bの厚さT26(例えば、0.15mm)は、第3の狭小部分130Cの厚さT27(例えば、0.45mm)よりも小さく設定されている。 The thickness T22 (for example, 0.75 mm) of the support portion 13 is set to be larger than the thickness T12 (for example, 0.15 mm) of the processed portion 12. The thickness T25 of the first narrow portion 130A (eg 0.15 mm) and the thickness T26 of the second narrow portion 130B (eg 0.15 mm) are the thickness T27 of the third narrow portion 130C (eg 0.15 mm). It is set smaller than 0.45 mm).

支持部13は、幅方向の両側面131として、第1の狭小部分130Aの両側面131Aと、第2の狭小部分130Bの両側面131Bと、第3の狭小部分130Cの両側面131Cとに対して第1の絶縁皮膜140A〜140Cがそれぞれ形成されている。また、支持部13は、厚さ方向の加工部12とは反対側の表面132として、第1の狭小部分130Aの表面132Aと、第2の狭小部分130Bの表面132Bと、第3の狭小部分130Cの表面132Cとに対して第2の絶縁皮膜141A〜141Cがそれぞれ形成されている。 The support portion 13 serves as both side surfaces 131 in the width direction with respect to both side surfaces 131A of the first narrow portion 130A, both side surfaces 131B of the second narrow portion 130B, and both side surfaces 131C of the third narrow portion 130C. The first insulating films 140A to 140C are formed respectively. Further, the support portion 13 has a surface 132A of the first narrow portion 130A, a surface 132B of the second narrow portion 130B, and a third narrow portion as the surface 132 on the side opposite to the processed portion 12 in the thickness direction. Second insulating films 141A to 141C are formed on the surface 132C of 130C, respectively.

なお、図9(a)、(b)に示すように、第1及び第2の変形例に係る電極1C、1Dでは、支持部13の幅が、厚さ方向に沿って加工部12から離れるほど段階的に小さくなるものであり、支持部13の幅方向の側面が、階段状に形成されているが、曲線的に形成されていてもよい。 As shown in FIGS. 9A and 9B, in the electrodes 1C and 1D according to the first and second modified examples, the width of the support portion 13 is separated from the processed portion 12 along the thickness direction. The widthwise side surface of the support portion 13 is formed in a stepped shape, but it may be formed in a curved shape.

上記構成を有する電極1B〜1Dによれば、支持部13が、縦断面において、加工部12の幅よりも小さい狭小部分130、130A〜130Cを備え、支持部13の幅W23〜W27が、厚さ方向に沿って加工部12から離れるほど小さくなるので、電極1B〜1Dの強度を確保しつつ、支持部13と、スリット溝21の側面22との間のクリアランスC12をさらに拡大することができる。 According to the electrodes 1B to 1D having the above configuration, the support portion 13 includes narrow portions 130 and 130A to 130C smaller than the width of the processed portion 12 in the vertical cross section, and the widths W23 to W27 of the support portion 13 are thick. Since the distance from the processed portion 12 along the longitudinal direction becomes smaller, the clearance C12 between the support portion 13 and the side surface 22 of the slit groove 21 can be further expanded while ensuring the strength of the electrodes 1B to 1D. ..

そのため、被加工物2と電極1B〜1Dとの間隙Sにおける電解液L1の流動が促進されるため、スラッジやガスを適切に排出することができる。また、支持部13が、スリット溝21の側面22と接触して絶縁皮膜14が剥がれることにより、スリット溝21の側面22に電流が流れて側面22から金属材料が溶出する可能性が低減されるため、電極1B〜1Dの破損及びスリット溝21の形状異常を抑制することができる。さらに、狭小部分130、130A〜130Cが、加工部12の幅よりも小さい分だけ電極1Aの重量が低減されるため、電極1B〜1Dの厚さ方向の撓み(特に中心部分)を抑制することができる。したがって、電解加工の安定性を向上することができる。 Therefore, the flow of the electrolytic solution L1 in the gap S between the workpiece 2 and the electrodes 1B to 1D is promoted, so that sludge and gas can be appropriately discharged. Further, when the support portion 13 comes into contact with the side surface 22 of the slit groove 21 and the insulating film 14 is peeled off, the possibility that a current flows through the side surface 22 of the slit groove 21 and the metal material is eluted from the side surface 22 is reduced. Therefore, damage to the electrodes 1B to 1D and abnormal shape of the slit groove 21 can be suppressed. Further, since the weight of the electrode 1A is reduced by the amount that the narrow portions 130 and 130A to 130C are smaller than the width of the processed portion 12, the deflection (particularly the central portion) of the electrodes 1B to 1D in the thickness direction is suppressed. Can be done. Therefore, the stability of electrolytic processing can be improved.

また、電極1B〜1Dによれば、支持部13の両側面131A〜131C及び表面132A〜132Cに対して絶縁皮膜14が形成されているので、両側面131A〜131C及び表面132A〜132Cの通電を防止し、スリット溝21の形状異常を抑制することができるため、電解加工の安定性を向上することができる。 Further, according to the electrodes 1B to 1D, since the insulating film 14 is formed on both side surfaces 131A to 131C and the surfaces 132A to 132C of the support portion 13, the both side surfaces 131A to 131C and the surfaces 132A to 132C are energized. Since it can be prevented and the shape abnormality of the slit groove 21 can be suppressed, the stability of the electrolytic processing can be improved.

(電極の製造方法)
図10は、本発明の第2の実施形態に係る電極1Bの製造方法を示すフローチャートである。
(Method of manufacturing electrodes)
FIG. 10 is a flowchart showing a method for manufacturing the electrode 1B according to the second embodiment of the present invention.

まず、第1の形成工程(ステップS200)にて、第1の金属を材料とする第1の薄膜15に、横断面における加工部12の断面形状に対応する第1の形状パターンP11を形成する。ここでは、第1の薄膜15として、ステンレス(SUS304)を材料とし、加工部12の厚さT12(=0.15mm)に等しい厚さ0.15mmの薄膜を用いる。そして、例えば、エッチング加工により、第1の薄膜15に第1の形状パターンP11を形成する。 First, in the first forming step (step S200), a first shape pattern P11 corresponding to the cross-sectional shape of the processed portion 12 in the cross section is formed on the first thin film 15 made of the first metal. .. Here, as the first thin film 15, a thin film having a thickness of 0.15 mm, which is made of stainless steel (SUS304) and is equal to the thickness T12 (= 0.15 mm) of the processed portion 12, is used. Then, for example, the first shape pattern P11 is formed on the first thin film 15 by etching processing.

次に、第2の形成工程(ステップS210)にて、第2の金属を材料とする4枚の第2の薄膜16A〜16Dに、横断面における支持部13の幅が小さくなる各段階の断面形状に対応する複数の第2の形状パターンP21A、P21Bをそれぞれ形成する。ここでは、4枚の第2の薄膜16A〜16Dとして、鉄を材料とし、非狭小部分133の厚さT23(=0.15mm)に等しい厚さ0.15mmの1枚の薄膜と、狭小部分130の厚さT24(=0.6mm)の1/3に等しい厚さ0.2mmの薄膜3枚とを用いる。そして、例えば、エッチング加工により、1枚の第2の薄膜16Aに、横断面における非狭小部分133の断面形状に対応する第2の形状パターンP21Aを形成し、3枚の第2の薄膜16B〜16Dに、横断面における狭小部分130の断面形状に対応する第2の形状パターンP21Bを形成する。 Next, in the second forming step (step S210), four second thin films 16A to 16D made of the second metal are cross-sectioned at each stage in which the width of the support portion 13 in the cross section is reduced. A plurality of second shape patterns P21A and P21B corresponding to the shape are formed, respectively. Here, the four second thin films 16A to 16D are made of iron and have a thickness of 0.15 mm, which is equal to the thickness T23 (= 0.15 mm) of the non-narrow portion 133, and a narrow portion. Three thin films having a thickness of 0.2 mm, which is equal to 1/3 of the thickness T24 (= 0.6 mm) of 130, are used. Then, for example, by etching, a second shape pattern P21A corresponding to the cross-sectional shape of the non-narrow portion 133 in the cross section is formed on one second thin film 16A, and the three second thin films 16B to A second shape pattern P21B corresponding to the cross-sectional shape of the narrow portion 130 in the cross section is formed on 16D.

次に、接合工程(ステップS220)にて、第1の形成工程(ステップS200)で形成された第1の薄膜15に、第2の形成工程(ステップS210)で形成された4枚の第2の薄膜16A〜16Dを順に積層し、積層体17Bとして接合する。第1の薄膜15及び4枚の第2の薄膜16A〜16Dにおける薄膜同士の接合は、例えば、拡散接合により接合する。 Next, in the joining step (step S220), the four second films formed in the second forming step (step S210) are formed on the first thin film 15 formed in the first forming step (step S200). The thin films 16A to 16D of the above are laminated in order and bonded as a laminated body 17B. The thin films 15 and the four second thin films 16A to 16D are bonded to each other by, for example, diffusion bonding.

次に、絶縁皮膜形成工程(ステップS230)にて、第1の実施形態と同様に、自己析出塗装を用いることにより、接合工程(ステップS220)により接合された積層体17Bのうち、支持部13における幅方向の両側面131と、厚さ方向の加工部12とは反対側の表面132とに対応する第2の薄膜16A〜16Dの表面161、162に対して絶縁皮膜14を形成する。以上により、一連の工程が終了し、電解加工用の電極1Bが製造される。なお、第1及び第2の変形例に係る電極1C、1Dについても、第2の形成工程(ステップS210)にて第2の薄膜16A〜16Dに形成する第2の形状パターンを変更することにより、同様にして製造される。 Next, in the insulating film forming step (step S230), the support portion 13 of the laminated body 17B joined by the joining step (step S220) by using the self-precipitation coating as in the first embodiment. The insulating film 14 is formed on the surfaces 161 and 162 of the second thin films 16A to 16D corresponding to the side surfaces 131 in the width direction and the surface 132 on the side opposite to the processed portion 12 in the thickness direction. As described above, a series of steps is completed, and the electrode 1B for electrolytic processing is manufactured. The electrodes 1C and 1D according to the first and second modified examples are also formed by changing the second shape pattern formed on the second thin films 16A to 16D in the second forming step (step S210). , Manufactured in the same way.

上記工程を有する電極1Bの製造方法によれば、接合工程(ステップS220)にて、第1の形成工程(ステップS200)で第1の形状パターンP11が形成された第1の薄膜15に、第2の形成工程(ステップS210)で第2の形状パターンP21A、P21Bが形成された第2の薄膜16A〜16Dを順に積層し、積層体17Bとして接合し、絶縁皮膜形成工程(ステップS230)にて、積層体17Bのうち、支持部13における幅方向の両側面131と、厚さ方向の加工部12とは反対側の表面132とに対応する第2の薄膜16A〜16Dの表面161、162に対して絶縁皮膜14を形成するので、電極1Bを簡単かつ高精度に製造することができる。 According to the method for manufacturing the electrode 1B having the above steps, in the joining step (step S220), the first thin film 15 on which the first shape pattern P11 is formed in the first forming step (step S200) is formed. In the forming step 2 (step S210), the second thin films 16A to 16D on which the second shape patterns P21A and P21B were formed are laminated in order, joined as a laminated body 17B, and in the insulating film forming step (step S230). On the surfaces 161 and 162 of the second thin films 16A to 16D corresponding to both side surfaces 131 in the width direction of the support portion 13 and the surface 132 on the side opposite to the processed portion 12 in the thickness direction of the laminated body 17B. On the other hand, since the insulating film 14 is formed, the electrode 1B can be manufactured easily and with high accuracy.

また、絶縁皮膜形成工程(ステップS230)にて、第1の金属(第1の薄膜15の材料)よりも第2の金属(第2の薄膜16A〜16Dの材料)に対して付着性が高い絶縁性材料で絶縁皮膜14を形成するので、第2の薄膜16A〜16Dの表面161、162に限定して絶縁皮膜14を容易に形成することができる。 Further, in the insulating film forming step (step S230), the adhesiveness to the second metal (materials of the second thin films 16A to 16D) is higher than that of the first metal (material of the first thin film 15). Since the insulating film 14 is formed of the insulating material, the insulating film 14 can be easily formed only on the surfaces 161 and 162 of the second thin films 16A to 16D.

また、第1の薄膜15及び第2の薄膜16A〜16Dの厚さや枚数を変更することにより、電極1Bの厚さを所定の厚さに変更することができるので、電極1Bの高電流耐性の確保や、電極1Bの大型化に伴う強度不足の解消を容易に実現することができる。 Further, the thickness of the electrode 1B can be changed to a predetermined thickness by changing the thickness and the number of the first thin films 15 and the second thin films 16A to 16D, so that the electrode 1B has high current resistance. It can be easily secured and the lack of strength due to the increase in size of the electrode 1B can be easily realized.

なお、上記第1及び第2の実施形態では、絶縁皮膜形成工程(ステップS130、S230)にて、絶縁皮膜14を形成する塗装方法は、自己析出塗装であるものとして説明したが、これに限られず、電着塗装でもよいし、他の塗装方法でよい。 In the first and second embodiments, the coating method for forming the insulating film 14 in the insulating film forming steps (steps S130 and S230) has been described as self-precipitation coating, but the present invention is limited to this. Instead, electrodeposition coating may be used, or other coating methods may be used.

例えば、絶縁皮膜形成工程(ステップS130、S230)にて、積層体17A、17Bのうち、加工面120に対応する部分をマスキングテープ等で覆った状態で電着塗装を行うことにより、マスキングテープで覆われていない部分、すなわち、加工部12及び支持部13における幅方向の両側面131と、厚さ方向の加工部12とは反対側の表面132とに対応する部分に対して絶縁皮膜14を形成し、その後、マスキングテープを剥がすようにしてもよい。また、絶縁皮膜形成工程(ステップS130、S230)にて、積層体17A、17Bの全面に対して電着塗装を行い、その後、加工面120に対応する部分に形成された絶縁皮膜を研磨等により除去するようにしてもよい。この場合の絶縁皮膜14の材料は、第1の金属よりも第2の金属に対して付着性が高いという特性は必須ではなく、電着塗装を行うことにより、第1の金属及び第2の金属の表面に対して絶縁皮膜14が形成可能な材料であれば、任意の絶縁性材料を用いることができる。 For example, in the insulating film forming step (steps S130 and S230), of the laminated bodies 17A and 17B, the portion corresponding to the processed surface 120 is covered with masking tape or the like and electrodeposition coating is performed to obtain the masking tape. The insulating film 14 is applied to the uncovered portion, that is, the portion of the processed portion 12 and the support portion 13 corresponding to both side surfaces 131 in the width direction and the surface 132 on the opposite side of the processed portion 12 in the thickness direction. It may be formed and then the masking tape may be peeled off. Further, in the insulating film forming step (steps S130 and S230), the entire surfaces of the laminated bodies 17A and 17B are electrodeposited, and then the insulating film formed on the portion corresponding to the machined surface 120 is polished or the like. It may be removed. The material of the insulating film 14 in this case does not necessarily have the property of having higher adhesion to the second metal than the first metal, and by performing electrodeposition coating, the first metal and the second metal can be used. Any insulating material can be used as long as the insulating film 14 can be formed on the surface of the metal.

また、上記第1及び第2の実施形態では、加工部12の材料となる第1の金属と、支持部13の材料となる第2の金属とは、異なる金属であるものとして説明したが、加工部12の材料となる第1の金属と、支持部13の材料となる第2の金属とは、同じ金属であってもよく、加工部12及び支持部13の材料として、例えば、鉄、銅、チタン等の金属や、ステンレス等の鉄系合金、真鍮等の銅系合金、チタン合金等の合金の中から特定の1種類の金属が用いられるようにしてもよい。この場合には、絶縁皮膜形成工程(ステップS130、S230)にて、1種類の金属で形成された積層体17A、17Bに対して、上記と同様に、電着塗装を行うことにより、絶縁皮膜14を形成すればよい。また、この場合の絶縁皮膜14の材料は、電着塗装を行うことにより、積層体17A、17Bの材料となる1種類の金属の表面に対して絶縁皮膜14が形成可能な材料であれば、任意の絶縁性材料を用いることができる。 Further, in the first and second embodiments, it has been described that the first metal used as the material of the processed portion 12 and the second metal used as the material of the support portion 13 are different metals. The first metal used as the material of the processed portion 12 and the second metal used as the material of the support portion 13 may be the same metal, and the materials of the processed portion 12 and the support portion 13 include, for example, iron. A specific one type of metal may be used from metals such as copper and titanium, iron-based alloys such as stainless steel, copper-based alloys such as brass, and alloys such as titanium alloy. In this case, in the insulating film forming step (steps S130 and S230), the laminated bodies 17A and 17B formed of one type of metal are electrodeposited in the same manner as described above to obtain an insulating film. 14 may be formed. Further, the material of the insulating film 14 in this case is any material as long as the insulating film 14 can be formed on the surface of one kind of metal to be the material of the laminates 17A and 17B by electrodeposition coating. Any insulating material can be used.

(3)第3の実施形態
第1及び第2の実施形態では、電極1A〜1Dを用いた非接触加工方法の一例として、電解加工について説明したが、第3の実施形態では、電極1Eを用いた非接触加工方法の別の例として、放電加工について説明する。以下に、第3の実施形態に係る放電加工装置101、放電加工用の電極1E、及び、電極1Eの製造方法について説明する。
(3) Third Embodiment In the first and second embodiments, electrolytic discharge machining has been described as an example of the non-contact machining method using the electrodes 1A to 1D, but in the third embodiment, the electrode 1E is used. As another example of the non-contact machining method used, electric discharge machining will be described. The electric discharge machining apparatus 101 according to the third embodiment, the electrode 1E for electric discharge machining, and the method for manufacturing the electrode 1E will be described below.

(放電加工装置の構成)
図11は、本発明の第3の実施形態に係る放電加工装置101を示す概略図である。
(Configuration of electric discharge machine)
FIG. 11 is a schematic view showing an electric discharge machine 101 according to a third embodiment of the present invention.

放電加工装置101は、放電加工により被加工物2にハニカム状のスリット溝を形成する非接触加工装置の一例である。放電加工装置101は、被加工物2側に配置される加工面120を有する放電加工用の電極1Eと、被加工物2を載置する載置部3と、載置部3に載置された被加工物2に対して電極1Eを相対移動させる移動部4と、載置部3に載置された被加工物2と電極1Eとの間隙Sに加工液L2を供給する加工液供給部8と、載置部3に載置された被加工物2と電極1Eとの間に所定の電圧を印加する電力供給部6と、移動部4、加工液供給部8及び電力供給部6を制御する制御部7とを備える。なお、放電加工装置101の基本的な構成は、第1及び第2の実施形態に係る電解加工装置100の各部と同様のため、ここでは、両者の相違点を中心に説明する。 The electric discharge machine 101 is an example of a non-contact machine that forms a honeycomb-shaped slit groove in the workpiece 2 by electric discharge machining. The electric discharge machining apparatus 101 is mounted on an electrode 1E for electric discharge machining having a machining surface 120 arranged on the workpiece 2 side, a mounting portion 3 on which the workpiece 2 is mounted, and a mounting portion 3. A machining fluid supply unit that supplies the machining fluid L2 to the gap S between the workpiece 2 placed on the mounting portion 3 and the electrode 1E and the moving portion 4 that moves the electrode 1E relative to the workpiece 2. A power supply unit 6 for applying a predetermined voltage between the 8 and the workpiece 2 mounted on the mounting unit 3 and the electrode 1E, a moving unit 4, a machining fluid supply unit 8, and a power supply unit 6 are provided. It includes a control unit 7 for controlling. Since the basic configuration of the electric discharge machine 101 is the same as each part of the electrolytic discharge machine 100 according to the first and second embodiments, the differences between the two will be mainly described here.

加工液供給部8は、加工液L2を貯留するタンク80と、加工液L2をタンク80から電極ホルダ40に送るための送り配管81と、加工液L2を加工槽31からタンク80に戻すための戻り配管82と、送り配管81に配置されたポンプ83、フィルタ84及び流量調整弁85とを備える。 The machining fluid supply unit 8 includes a tank 80 for storing the machining fluid L2, a feed pipe 81 for sending the machining fluid L2 from the tank 80 to the electrode holder 40, and a machining fluid L2 for returning the machining fluid L2 from the machining tank 31 to the tank 80. It includes a return pipe 82, a pump 83 arranged in the feed pipe 81, a filter 84, and a flow rate adjusting valve 85.

電極ホルダ40は、加工液供給部8により供給された加工液L2を電極1Eの先端側から流出することにより、被加工物2と電極1Eとの間隙Sに加工液L2を供給するように構成されている。なお、加工液L2は、電極ホルダ40に供給されることに代えて又は加えて、加工槽31に送られるようにしてもよい。 The electrode holder 40 is configured to supply the machining fluid L2 to the gap S between the workpiece 2 and the electrode 1E by flowing out the machining fluid L2 supplied by the machining fluid supply unit 8 from the tip end side of the electrode 1E. Has been done. The processing liquid L2 may be sent to the processing tank 31 instead of or in addition to being supplied to the electrode holder 40.

制御部7は、移動部4、加工液供給部8及び電力供給部6の各部を単独又は並列に制御することにより、被加工物2にハニカム状のスリット溝を形成する放電加工処理を行う。 The control unit 7 performs an electric discharge machining process for forming a honeycomb-shaped slit groove in the workpiece 2 by controlling each unit of the moving unit 4, the processing liquid supply unit 8, and the power supply unit 6 independently or in parallel.

制御部7は、移動部4(具体的には、駆動機構部41の駆動源)に対して制御指令を送ることにより、被加工物2と電極1Eとの間隙Sが所定の極間距離Gを維持した状態で放電加工処理が行われるように、被加工物2に形成されたスリット溝の深さDに応じて、被加工物2に対して電極1Eを相対移動させるときの相対速度である電極移動速度Esを制御する。 The control unit 7 sends a control command to the moving unit 4 (specifically, the drive source of the drive mechanism unit 41) so that the gap S between the workpiece 2 and the electrode 1E is a predetermined distance G. The relative speed at which the electrode 1E is moved relative to the workpiece 2 according to the depth D of the slit groove formed in the workpiece 2 so that the electric discharge machining process is performed while maintaining the above. A certain electrode moving speed Es is controlled.

制御部7は、加工液供給部8(具体的には、ポンプ83及び流量調整弁85)に対して制御指令を送ることにより、被加工物2と電極1Eとの間隙Sに加工液L2を供給する際の加工液L2の流量及び流速と、加工液L2の供給開始タイミング及び供給停止タイミングとを制御する。 The control unit 7 sends a control command to the machining fluid supply unit 8 (specifically, the pump 83 and the flow rate adjusting valve 85) to supply the machining fluid L2 to the gap S between the workpiece 2 and the electrode 1E. The flow rate and flow velocity of the machining fluid L2 at the time of supply, and the supply start timing and supply stop timing of the machining fluid L2 are controlled.

制御部7は、電力供給部6(具体的には、電源部60)に対して制御指令を送ることにより、被加工物2と電極1Eとの間にパルス電圧を印加することで、被加工物2と電極1Eとの間に発生するアーク放電を制御する。 The control unit 7 sends a control command to the power supply unit 6 (specifically, the power supply unit 60) to apply a pulse voltage between the workpiece 2 and the electrode 1E to be machined. The arc discharge generated between the object 2 and the electrode 1E is controlled.

制御部7は、移動部4、加工液供給部8及び電力供給部6の各部を制御する際、例えば、移動部4の位置センサ、加工液供給部8の流量センサ、電力供給部6の電流電圧センサ等の各種センサ(不図示)の検出値に基づいて、上記制御指令を各部に送るように構成されている。 When the control unit 7 controls each unit of the moving unit 4, the machining fluid supply unit 8, and the power supply unit 6, for example, the position sensor of the moving unit 4, the flow sensor of the machining fluid supply unit 8, and the current of the power supply unit 6 The control command is configured to be sent to each unit based on the detected values of various sensors (not shown) such as a voltage sensor.

(電極の構成)
図12は、本発明の第3の実施形態に係る電極1Eを示し、(a)は電極1Eの拡大平面図、(b)はB2−B2線断面図である。
(Electrode configuration)
12A and 12B show an electrode 1E according to a third embodiment of the present invention, FIG. 12A is an enlarged plan view of the electrode 1E, and FIG. 12B is a sectional view taken along line B2-B2.

第3の実施形態に係る放電加工用の電極1Eは、第1の実施形態に係る電極1Aと同様に、円形の外周に位置する周壁部10と、周壁部10の内側に位置するハニカム状の隔壁部11とを備える(図2(a)、(b)参照)。すなわち、第3の実施形態に係る放電加工用の電極1Eの基本的な構成は、第1の実施形態に係る電解加工用の電極1Aの各部と同様のため、ここでは、両者の相違点を中心に説明する。 The electrode 1E for electric discharge machining according to the third embodiment has a peripheral wall portion 10 located on the outer periphery of a circle and a honeycomb shape located inside the peripheral wall portion 10, similarly to the electrode 1A according to the first embodiment. It is provided with a partition wall portion 11 (see FIGS. 2 (a) and 2 (b)). That is, since the basic configuration of the electrode 1E for electric discharge machining according to the third embodiment is the same as each part of the electrode 1A for electrolytic discharge machining according to the first embodiment, the differences between the two are described here. I will explain mainly.

隔壁部11は、第1の実施形態と同様に構成された加工部12及び支持部13と、加工面120から支持部13に向けて形成されたパターン孔18とを備える。なお、第3の実施形態に係る電極1Eでは、支持部13には、絶縁皮膜14が形成されていない。 The partition wall portion 11 includes a processed portion 12 and a support portion 13 configured in the same manner as in the first embodiment, and a pattern hole 18 formed from the processed surface 120 toward the support portion 13. In the electrode 1E according to the third embodiment, the insulating film 14 is not formed on the support portion 13.

加工部12は、第1の金属を材料とし、例えば、銅、銅タングステン、銅グラファイト等の金属が用いられる。第1の金属としては、放電加工に適した金属が用いられるのが好ましい。 The processed portion 12 uses the first metal as a material, and for example, a metal such as copper, copper tungsten, or copper graphite is used. As the first metal, it is preferable to use a metal suitable for electric discharge machining.

支持部13は、第2の金属を材料とし、例えば、銅、銅タングステン、銅グラファイト等の金属、ステンレス等の鉄系合金、真鍮等の銅系合金、チタン合金等の合金が用いられる。第2の金属としては、電極1Eの強度を確保するのに適した金属が用いられるのが好ましい。 The support portion 13 is made of a second metal, and for example, a metal such as copper, copper tungsten, or copper graphite, an iron-based alloy such as stainless steel, a copper-based alloy such as brass, or an alloy such as a titanium alloy is used. As the second metal, it is preferable to use a metal suitable for ensuring the strength of the electrode 1E.

なお、加工部12の材料となる第1の金属と、支持部13の材料となる第2の金属とは、異なる金属でもよいし、同じ金属であってもよい。また、第1の金属及び第2の金属として、1種類の金属が用いられてもよいし、複数種類の金属が用いられてもよい。ここでは、加工部12の材料となる第1の金属は、銅であり、支持部13の材料となる第2の金属は、ステンレスであるものとして説明する。 The first metal used as the material of the processed portion 12 and the second metal used as the material of the support portion 13 may be different metals or the same metal. Further, as the first metal and the second metal, one kind of metal may be used, or a plurality of kinds of metals may be used. Here, it is assumed that the first metal used as the material of the processed portion 12 is copper and the second metal used as the material of the support portion 13 is stainless steel.

パターン孔18は、図12(b)に示すように、加工部12及び支持部13に対して電極1Eの厚さ方向に貫通するように形成されている。横断面におけるパターン孔18の断面形状は、図12(a)に示すように、各セルを構成する六角形の二辺を跨ぐように形成されている。パターン孔18は、例えば、加工液L2を噴流又は吸引したり、両者を切り替えたりすることにより、加工液L2を強制循環又は自然循環させるための流路として機能する。 As shown in FIG. 12B, the pattern hole 18 is formed so as to penetrate the processed portion 12 and the support portion 13 in the thickness direction of the electrode 1E. As shown in FIG. 12A, the cross-sectional shape of the pattern hole 18 in the cross section is formed so as to straddle the two sides of the hexagons constituting each cell. The pattern hole 18 functions as a flow path for forced circulation or natural circulation of the processing liquid L2, for example, by jetting or sucking the processing liquid L2 or switching between the two.

上記構成を有する電極1Eによれば、支持部13が、縦断面において、加工部12の幅よりも小さい狭小部分130を備えるので、狭小部分130では、支持部13と、スリット溝21の側面22との間のクリアランスC12を拡大することできる。 According to the electrode 1E having the above configuration, since the support portion 13 includes a narrow portion 130 smaller than the width of the processed portion 12 in the vertical cross section, the support portion 13 and the side surface 22 of the slit groove 21 are provided in the narrow portion 130. The clearance C12 between and can be increased.

そのため、被加工物2と電極1Eとの間隙Sにおける加工液L2の流動が促進されるため、スラッジや気泡を適切に排出することができる。また、狭小部分130が、加工部12の幅よりも小さい分だけ電極1Eの重量が低減されるため、電極1Eの厚さ方向の撓み(特に中心部分)を抑制することができる。したがって、放電加工の安定性を向上することができる。 Therefore, the flow of the processing liquid L2 in the gap S between the workpiece 2 and the electrode 1E is promoted, so that sludge and air bubbles can be appropriately discharged. Further, since the weight of the electrode 1E is reduced by the amount that the narrow portion 130 is smaller than the width of the processed portion 12, the deflection of the electrode 1E in the thickness direction (particularly the central portion) can be suppressed. Therefore, the stability of electric discharge machining can be improved.

また、電極1Eによれば、隔壁部11が、加工部12及び支持部13に対して形成されたパターン孔18を備えるので、パターン孔18が形成された分だけ電極1Eの表面積が大きくなるとともに、パターン孔18を介しても加工液L2の流動が促進される。そのため、放電加工時の冷却性能と、スラッジや気泡の排出性能とを向上することができる。 Further, according to the electrode 1E, since the partition wall portion 11 includes the pattern hole 18 formed for the processed portion 12 and the support portion 13, the surface area of the electrode 1E is increased by the amount of the pattern hole 18 formed. The flow of the processing liquid L2 is also promoted through the pattern holes 18. Therefore, it is possible to improve the cooling performance at the time of electric discharge machining and the discharge performance of sludge and air bubbles.

(電極の製造方法)
図13は、本発明の第3の実施形態に係る電極1Eの製造方法における各工程を示すフローチャートである。なお、第3の実施形態に係る電極1Eの製造方法の各工程(ステップS300、S310、S320)は、第1の実施形態に係る電極1Aの製造方法の各工程(ステップS100、S110、S120)に対応するため、ここでは、両者の相違点を中心に説明する。
(Method of manufacturing electrodes)
FIG. 13 is a flowchart showing each step in the method for manufacturing the electrode 1E according to the third embodiment of the present invention. In addition, each step (step S300, S310, S320) of the manufacturing method of electrode 1E which concerns on 3rd Embodiment is each step (step S100, S110, S120) of manufacturing method of electrode 1A which concerns on 1st Embodiment. In order to deal with the above, here, the differences between the two will be mainly described.

まず、第1の形成工程(ステップS300)にて、第1の金属(例えば、銅)を材料とする第1の薄膜15に、横断面における加工部12の断面形状に対応する第1の形状パターンP12を形成する。なお、第1の形状パターンP12は、横断面におけるパターン孔18の断面形状にも対応する。 First, in the first forming step (step S300), the first thin film 15 made of a first metal (for example, copper) has a first shape corresponding to the cross-sectional shape of the processed portion 12 in the cross section. The pattern P12 is formed. The first shape pattern P12 also corresponds to the cross-sectional shape of the pattern hole 18 in the cross section.

次に、第2の形成工程(ステップS310)にて、第2の金属(例えば、ステンレス)を材料とする3枚の第2の薄膜16A〜16Cに、横断面における支持部13(狭小部分130)の断面形状に対応する第2の形状パターンP22をそれぞれ形成する。なお、第2の形状パターンP22は、横断面におけるパターン孔18の断面形状にも対応する。 Next, in the second forming step (step S310), the support portion 13 (narrow portion 130) in the cross section is formed on the three second thin films 16A to 16C made of the second metal (for example, stainless steel). ), The second shape pattern P22 corresponding to the cross-sectional shape is formed. The second shape pattern P22 also corresponds to the cross-sectional shape of the pattern hole 18 in the cross section.

次に、接合工程(ステップS320)にて、第1の形成工程(ステップS300)で形成された第1の薄膜15に、第2の形成工程(ステップS310)で形成された3枚の第2の薄膜16A〜16Cを順に積層し、積層体17Cとして接合する。第1の薄膜15及び3枚の第2の薄膜16A〜16Cにおける薄膜同士の接合は、例えば、拡散接合により接合する。以上により、一連の工程が終了し、放電加工用の電極1Eが製造される。 Next, in the joining step (step S320), the three second films formed in the second forming step (step S310) are formed on the first thin film 15 formed in the first forming step (step S300). The thin films 16A to 16C of the above are laminated in order and joined as a laminated body 17C. The thin films 15 and the three second thin films 16A to 16C are bonded to each other by, for example, diffusion bonding. As described above, a series of steps is completed, and the electrode 1E for electric discharge machining is manufactured.

上記工程を有する電極1Eの製造方法によれば、電極1Eを簡単かつ高精度に製造することができる。また、第1の薄膜15及び第2の薄膜16A〜16Cの厚さや枚数を変更することにより、例えば、電極1Eの放電加工時の消耗量や電極1Eの強度に応じて、加工部12及び支持部13の厚さを所定の厚さに設定した電極1Eを製造することができる。 According to the method for manufacturing the electrode 1E having the above steps, the electrode 1E can be manufactured easily and with high accuracy. Further, by changing the thickness and the number of the first thin film 15 and the second thin films 16A to 16C, for example, the processed portion 12 and the support are provided according to the amount of wear of the electrode 1E during electric discharge machining and the strength of the electrode 1E. An electrode 1E in which the thickness of the portion 13 is set to a predetermined thickness can be manufactured.

(4)第4の実施形態
以下に、第4の実施形態に係る放電加工装置101、放電加工用の電極1F、及び、電極1Fの製造方法について説明する。なお、放電加工装置101の構成については、第3の実施形態と同様のため、説明を省略する。
(4) Fourth Embodiment Hereinafter, the electric discharge machining apparatus 101, the electrode 1F for electric discharge machining, and the manufacturing method of the electrode 1F according to the fourth embodiment will be described. Since the configuration of the electric discharge machine 101 is the same as that of the third embodiment, the description thereof will be omitted.

(電極の構成)
図14は、本発明の第4の実施形態に係る電極1Fを示し、(a)は電極1Fの拡大平面図、(b)はB3−B3線断面図である。第4の実施形態に係る電極1Fの基本的な構成は、第2の実施形態に係る電極1Bの各部と同様のため、ここでは、両者の相違点を中心に説明する。
(Electrode configuration)
14A and 14B show an electrode 1F according to a fourth embodiment of the present invention, FIG. 14A is an enlarged plan view of the electrode 1F, and FIG. 14B is a sectional view taken along line B3-B3. Since the basic configuration of the electrode 1F according to the fourth embodiment is the same as each part of the electrode 1B according to the second embodiment, the differences between the two will be mainly described here.

隔壁部11は、第2の実施形態と同様に構成された加工部12及び支持部13と、加工面120から支持部13に向けて形成されたパターン孔18とを備える。第4の実施形態に係る電極1Fでは、図14(b)に示すように、支持部13の幅W23、W24が、厚さ方向に沿って加工部12から離れるほど小さくなるものであり、支持部13には、絶縁皮膜14が形成されていない。 The partition wall portion 11 includes a processed portion 12 and a support portion 13 configured in the same manner as in the second embodiment, and a pattern hole 18 formed from the processed surface 120 toward the support portion 13. In the electrode 1F according to the fourth embodiment, as shown in FIG. 14B, the widths W23 and W24 of the support portion 13 become smaller as they are separated from the processed portion 12 along the thickness direction, and the support portion 13 is supported. The insulating film 14 is not formed on the portion 13.

パターン孔18は、図14(b)に示すように、加工部12及び支持部13に対して電極1Fの厚さ方向に貫通するように形成されている。また、横断面におけるパターン孔18の断面形状は、図14(a)に示すように、各セルを構成する六角形の各辺に対して形成されている。 As shown in FIG. 14B, the pattern hole 18 is formed so as to penetrate the processed portion 12 and the support portion 13 in the thickness direction of the electrode 1F. Further, as shown in FIG. 14A, the cross-sectional shape of the pattern hole 18 in the cross section is formed for each side of the hexagon constituting each cell.

(電極の構成の変形例)
図15は、本発明の第4の実施形態に係る電極1G、1Hを示し、(a)は第1の変形例、(b)は第2の変形例を示すB3−B3線断面図である。
(Modified example of electrode configuration)
15A and 15B show electrodes 1G and 1H according to a fourth embodiment of the present invention, FIG. 15A is a sectional view taken along line B3-B3 showing a first modified example and FIG. 15B is a second modified example. ..

第1及び第2の変形例に係る電極1G、1Hは、図14(b)に示す電極1Fと同様に、支持部13の幅W25、W26、W27が、厚さ方向に沿って加工部12から離れるほど小さくなるものである。 In the electrodes 1G and 1H according to the first and second modifications, the widths W25, W26, and W27 of the support portion 13 are the processed portions 12 along the thickness direction, similarly to the electrodes 1F shown in FIG. 14 (b). The farther away it is, the smaller it becomes.

図15(a)に示す第1の変形例に係る電極1Gでは、支持部13が、加工部12の幅W12よりも小さい第1の狭小部分130Aと、第1の狭小部分130Aの幅W25よりも小さい第2の狭小部分130Bとを備える。 In the electrode 1G according to the first modification shown in FIG. 15A, the support portion 13 is smaller than the width W12 of the processed portion 12 than the first narrow portion 130A and the width W25 of the first narrow portion 130A. It also includes a small second narrow portion 130B.

図15(b)に示す第2の変形例に係る電極1Hでは、支持部13が、加工部12の幅W12よりも小さい第1の狭小部分130Aと、第1の狭小部分130Aの幅W25よりも小さい第2の狭小部分130Bと、第2の狭小部分130Bの幅W26よりも小さい第3の狭小部分130Cとを備える。 In the electrode 1H according to the second modification shown in FIG. 15B, the support portion 13 is smaller than the width W12 of the processed portion 12 than the width W25 of the first narrow portion 130A and the first narrow portion 130A. It also includes a second narrow portion 130B, which is also small, and a third narrow portion 130C, which is smaller than the width W26 of the second narrow portion 130B.

なお、図15(a)、(b)に示すように、第1及び第2の変形例に係る電極1G、1Hでは、支持部13の幅が、厚さ方向に沿って加工部12から離れるほど段階的に小さくなるものであり、支持部13の幅方向の側面が、階段状に形成されているが、曲線的に形成されていてもよい。 As shown in FIGS. 15A and 15B, in the electrodes 1G and 1H according to the first and second modified examples, the width of the support portion 13 is separated from the processed portion 12 along the thickness direction. The widthwise side surface of the support portion 13 is formed in a stepped shape, but it may be formed in a curved shape.

上記構成を有する電極1F〜1Hによれば、支持部13が、縦断面において、加工部12の幅よりも小さい狭小部分130、130A〜130Cを備え、支持部13の幅W23〜W27が、厚さ方向に沿って加工部12から離れるほど小さくなるので、電極1F〜1Hの強度を確保しつつ、支持部13と、スリット溝21の側面22との間のクリアランスC12をさらに拡大することができる。 According to the electrodes 1F to 1H having the above configuration, the support portion 13 includes narrow portions 130 and 130A to 130C smaller than the width of the processed portion 12 in the vertical cross section, and the widths W23 to W27 of the support portion 13 are thick. Since the distance from the machined portion 12 along the longitudinal direction becomes smaller, the clearance C12 between the support portion 13 and the side surface 22 of the slit groove 21 can be further expanded while ensuring the strength of the electrodes 1F to 1H. ..

そのため、被加工物2と電極1F〜1Hとの間隙Sにおける加工液L2の流動が促進されるため、スラッジや気泡を適切に排出することができる。さらに、狭小部分130、130A〜130Cが、加工部12の幅よりも小さい分だけ電極1F〜1Hの重量が低減されるため、電極1F〜1Hの厚さ方向の撓み(特に中心部分)を抑制することができる。したがって、放電加工の安定性を向上することができる。 Therefore, the flow of the processing liquid L2 in the gap S between the workpiece 2 and the electrodes 1F to 1H is promoted, so that sludge and air bubbles can be appropriately discharged. Further, since the weights of the electrodes 1F to 1H are reduced by the amount that the narrow portions 130 and 130A to 130C are smaller than the width of the processed portion 12, the deflection of the electrodes 1F to 1H in the thickness direction (particularly the central portion) is suppressed. can do. Therefore, the stability of electric discharge machining can be improved.

また、電極1F〜1Hによれば、隔壁部11が、加工部12及び支持部13に対して形成されたパターン孔18を備えるので、パターン孔18が形成された分だけ電極1F〜1Hの表面積が大きくなるとともに、パターン孔18を介しても加工液L2の流動が促進される。そのため、放電加工時の冷却性能と、スラッジや気泡の排出性能とを向上することができる。 Further, according to the electrodes 1F to 1H, since the partition wall portion 11 includes the pattern hole 18 formed for the processed portion 12 and the support portion 13, the surface area of the electrodes 1F to 1H is increased by the amount of the pattern hole 18 formed. Is increased, and the flow of the processing liquid L2 is promoted even through the pattern holes 18. Therefore, it is possible to improve the cooling performance at the time of electric discharge machining and the discharge performance of sludge and air bubbles.

(電極の製造方法)
図16は、本発明の第4の実施形態に係る電極1Fの製造方法を示すフローチャートである。なお、第4の実施形態に係る電極1Fの製造方法の各工程(ステップS400、S410、S420)は、第2の実施形態に係る電極1Bの製造方法の各工程(ステップS200、S210、S220)に対応するため、ここでは、両者の相違点を中心に説明する。
(Method of manufacturing electrodes)
FIG. 16 is a flowchart showing a method for manufacturing the electrode 1F according to the fourth embodiment of the present invention. Each step of the electrode 1F manufacturing method according to the fourth embodiment (steps S400, S410, S420) is a step of each step of the electrode 1B manufacturing method according to the second embodiment (steps S200, S210, S220). In order to deal with the above, here, the differences between the two will be mainly described.

まず、第1の形成工程(ステップS400)にて、第1の金属(例えば、銅)を材料とする第1の薄膜15に、横断面における加工部12の断面形状に対応する第1の形状パターンP13を形成する。なお、第1の形状パターンP13は、横断面におけるパターン孔18の断面形状にも対応する。 First, in the first forming step (step S400), the first thin film 15 made of a first metal (for example, copper) has a first shape corresponding to the cross-sectional shape of the processed portion 12 in the cross section. The pattern P13 is formed. The first shape pattern P13 also corresponds to the cross-sectional shape of the pattern hole 18 in the cross section.

次に、第2の形成工程(ステップS410)にて、第2の金属を材料(例えば、ステンレス)とする4枚の第2の薄膜16A〜16Dに、横断面における支持部13の幅が小さくなる各段階の断面形状に対応する複数の第2の形状パターンP23A、P23Bをそれぞれ形成する。なお、第2の形状パターンP23A、P23Bは、横断面におけるパターン孔18の断面形状にも対応する。 Next, in the second forming step (step S410), the width of the support portion 13 in the cross section is reduced in the four second thin films 16A to 16D made of the second metal as a material (for example, stainless steel). A plurality of second shape patterns P23A and P23B corresponding to the cross-sectional shapes of each stage are formed. The second shape patterns P23A and P23B also correspond to the cross-sectional shape of the pattern hole 18 in the cross section.

次に、接合工程(ステップS420)にて、第1の形成工程(ステップS400)で形成された第1の薄膜15に、第2の形成工程(ステップS410)で形成された4枚の第2の薄膜16A〜16Dを順に積層し、積層体17Dとして接合する。以上により、一連の工程が終了し、放電加工用の電極1Fが製造される。なお、第1及び第2の変形例に係る電極1G、1Hについても、第2の形成工程(ステップS410)にて第2の薄膜16A〜16Dに形成する第2の形状パターンを変更することにより、同様にして製造される。 Next, in the joining step (step S420), the four second films formed in the second forming step (step S410) are formed on the first thin film 15 formed in the first forming step (step S400). The thin films 16A to 16D of the above are laminated in order and joined as a laminated body 17D. As described above, a series of steps is completed, and the electrode 1F for electric discharge machining is manufactured. The electrodes 1G and 1H according to the first and second modified examples are also formed by changing the second shape pattern formed on the second thin films 16A to 16D in the second forming step (step S410). , Manufactured in the same way.

上記工程を有する電極1F〜1Hの製造方法によれば、電極1F〜1Hを簡単かつ高精度に製造することができる。また、第1の薄膜15及び第2の薄膜16A〜16Dの厚さや枚数を変更することにより、例えば、電極1F〜1Hの放電加工時の消耗量や電極1F〜1Hの強度に応じて、加工部12及び支持部13の厚さを所定の厚さに設定した電極1Iを製造することができる。 According to the method for manufacturing the electrodes 1F to 1H having the above steps, the electrodes 1F to 1H can be manufactured easily and with high accuracy. Further, by changing the thickness and the number of the first thin films 15 and the second thin films 16A to 16D, for example, the electrodes 1F to 1H are processed according to the amount of wear during electric discharge machining and the strength of the electrodes 1F to 1H. The electrode 1I in which the thickness of the portion 12 and the support portion 13 is set to a predetermined thickness can be manufactured.

(5)第5の実施形態
以下に、第5の実施形態に係る放電加工装置101、放電加工用の電極1I、及び、電極1Iの製造方法について説明する。なお、放電加工装置101の構成については、第3の実施形態と同様のため、説明を省略する。
(5) Fifth Embodiment The following describes the electric discharge machining apparatus 101, the electrode 1I for electric discharge machining, and the manufacturing method of the electrode 1I according to the fifth embodiment. Since the configuration of the electric discharge machine 101 is the same as that of the third embodiment, the description thereof will be omitted.

(電極の構成)
図17は、本発明の第5の実施形態に係る電極1Iを示し、(a)は電極1Iの拡大平面図、(b)はB4−B4線断面図である。第5の実施形態に係る電極1Iの基本的な構成は、第4の実施形態に係る電極1Fの各部と同様のため、ここでは、両者の相違点を中心に説明する。
(Electrode configuration)
17A and 17B show an electrode 1I according to a fifth embodiment of the present invention, FIG. 17A is an enlarged plan view of the electrode 1I, and FIG. 17B is a sectional view taken along line B4-B4. Since the basic configuration of the electrode 1I according to the fifth embodiment is the same as each part of the electrode 1F according to the fourth embodiment, the differences between the two will be mainly described here.

隔壁部11は、第4の実施形態と同様に構成された加工部12及び支持部13と、加工面120から支持部13に向けて形成されたパターン溝19とを備える。 The partition wall portion 11 includes a processed portion 12 and a support portion 13 configured in the same manner as in the fourth embodiment, and a pattern groove 19 formed from the processed surface 120 toward the support portion 13.

パターン溝19は、図17(b)に示すように、加工面120から支持部13に向けて所定の深さを有する溝状に形成されている。また、横断面におけるパターン溝19の断面形状は、図17(a)に示すように、各セルを構成する六角形の各辺に対して形成されている。なお、パターン溝19は、図17(b)の破線で示すように、幅方向に延設されて、例えば、狭小部分130の側面131Bに連通する連通路190を有するようにしてもよい。 As shown in FIG. 17B, the pattern groove 19 is formed in a groove shape having a predetermined depth from the machined surface 120 toward the support portion 13. Further, as shown in FIG. 17A, the cross-sectional shape of the pattern groove 19 in the cross section is formed for each side of the hexagon constituting each cell. The pattern groove 19 may be extended in the width direction as shown by the broken line in FIG. 17B, and may have, for example, a communication passage 190 communicating with the side surface 131B of the narrow portion 130.

上記構成を有する電極1Iによれば、支持部13が、縦断面において、加工部12の幅よりも小さい狭小部分130を備え、支持部13の幅W23、W24が、厚さ方向に沿って加工部12から離れるほど小さくなるので、電極1Iの強度を確保しつつ、支持部13と、スリット溝21の側面22との間のクリアランスC12をさらに拡大することができる。 According to the electrode 1I having the above configuration, the support portion 13 includes a narrow portion 130 smaller than the width of the processed portion 12 in the vertical cross section, and the widths W23 and W24 of the support portion 13 are processed along the thickness direction. Since the distance from the portion 12 becomes smaller, the clearance C12 between the support portion 13 and the side surface 22 of the slit groove 21 can be further expanded while ensuring the strength of the electrode 1I.

そのため、被加工物2と電極1Iとの間隙Sにおける加工液L2の流動が促進されるため、スラッジや気泡を適切に排出することができる。さらに、狭小部分130が、加工部12の幅よりも小さい分だけ電極1Iの重量が低減されるため、電極1Iの厚さ方向の撓み(特に中心部分)を抑制することができる。したがって、放電加工の安定性を向上することができる。 Therefore, the flow of the processing liquid L2 in the gap S between the workpiece 2 and the electrode 1I is promoted, so that sludge and air bubbles can be appropriately discharged. Further, since the weight of the electrode 1I is reduced by the amount that the narrow portion 130 is smaller than the width of the processed portion 12, the deflection of the electrode 1I in the thickness direction (particularly the central portion) can be suppressed. Therefore, the stability of electric discharge machining can be improved.

また、電極1Iによれば、隔壁部11が、加工部12及び支持部13に対して形成されたパターン溝19を備えるので、パターン溝19が形成された分だけ電極1F〜1Hの表面積が大きくなるとともに、パターン溝19を介しても加工液L2の流動が促進される。そのため、放電加工時の冷却性能と、スラッジや気泡の排出性能とを向上することができる。 Further, according to the electrode 1I, since the partition wall portion 11 includes the pattern groove 19 formed for the processed portion 12 and the support portion 13, the surface area of the electrodes 1F to 1H is increased by the amount of the pattern groove 19 formed. At the same time, the flow of the processing liquid L2 is promoted through the pattern groove 19. Therefore, it is possible to improve the cooling performance at the time of electric discharge machining and the discharge performance of sludge and air bubbles.

(電極の製造方法)
図18は、本発明の第5の実施形態に係る電極1Iの製造方法を示すフローチャートである。なお、第5の実施形態に係る電極1Iの製造方法の各工程(ステップS500、S510、S520)は、第4の実施形態に係る電極1Fの製造方法の各工程(ステップS400、S410、S420)に対応するため、ここでは、両者の相違点を中心に説明する。
(Method of manufacturing electrodes)
FIG. 18 is a flowchart showing a method for manufacturing the electrode 1I according to the fifth embodiment of the present invention. In addition, each step (step S500, S510, S520) of the manufacturing method of electrode 1I which concerns on 5th Embodiment is each step (step S400, S410, S420) of manufacturing method of electrode 1F which concerns on 4th Embodiment. In order to deal with the above, here, the differences between the two will be mainly described.

まず、第1の形成工程(ステップS500)にて、第1の金属(例えば、銅)を材料とする第1の薄膜15に、横断面における加工部12の断面形状に対応する第1の形状パターンP14を形成する。なお、第1の形状パターンP14は、横断面におけるパターン溝19の断面形状にも対応する。 First, in the first forming step (step S500), the first thin film 15 made of a first metal (for example, copper) has a first shape corresponding to the cross-sectional shape of the processed portion 12 in the cross section. The pattern P14 is formed. The first shape pattern P14 also corresponds to the cross-sectional shape of the pattern groove 19 in the cross section.

次に、第2の形成工程(ステップS510)にて、第2の金属を材料(例えば、ステンレス)とする第4枚の第2の薄膜16A〜16Dに、横断面における支持部13の幅が小さくなる各段階の断面形状に対応する複数の第2の形状パターンP24A〜P24Cをそれぞれ形成する。なお、第2の形状パターンP24A、P24Bは、横断面におけるパターン溝19の断面形状にも対応する。 Next, in the second forming step (step S510), the width of the support portion 13 in the cross section is formed on the fourth second thin films 16A to 16D made of the second metal as a material (for example, stainless steel). A plurality of second shape patterns P24A to P24C corresponding to the cross-sectional shapes of each of the smaller stages are formed. The second shape patterns P24A and P24B also correspond to the cross-sectional shape of the pattern groove 19 in the cross section.

次に、接合工程(ステップS520)にて、第1の形成工程(ステップS500)で形成された第1の薄膜15に、第2の形成工程(ステップS510)で形成された4枚の第2の薄膜16A〜16Dを順に積層し、積層体17Eとして接合する。以上により、一連の工程が終了し、放電加工用の電極1Iが製造される。 Next, in the joining step (step S520), the four second films formed in the second forming step (step S510) are formed on the first thin film 15 formed in the first forming step (step S500). The thin films 16A to 16D of the above are laminated in order and bonded as a laminated body 17E. As described above, a series of steps is completed, and the electrode 1I for electric discharge machining is manufactured.

上記工程を有する電極1Iの製造方法によれば、電極1Iを簡単かつ高精度に製造することができる。また、第1の薄膜15及び第2の薄膜16A〜16Dの厚さや枚数を変更することにより、例えば、電極1Iの放電加工時の消耗量や電極1Iの強度に応じて、加工部12及び支持部13の厚さを所定の厚さに設定した電極1Iを製造することができる。 According to the method for manufacturing the electrode 1I having the above steps, the electrode 1I can be manufactured easily and with high accuracy. Further, by changing the thickness and the number of the first thin films 15 and the second thin films 16A to 16D, for example, the processed portion 12 and the support are supported according to the amount of wear of the electrode 1I during electric discharge machining and the strength of the electrode 1I. The electrode 1I in which the thickness of the portion 13 is set to a predetermined thickness can be manufactured.

(6)他の実施形態
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
(6) Other Embodiments Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments and can be appropriately modified without departing from the technical idea of the present invention.

例えば、上記第1乃至第5の実施形態では、加工部12及び支持部13の材料として、金属が用いられるものとして説明したが、例えば、グラファイト等の導電性を有する非金属が用いられてもよい。 For example, in the first to fifth embodiments, it has been described that a metal is used as a material for the processed portion 12 and the support portion 13, but for example, a non-metal having conductivity such as graphite may be used. Good.

また、上記第1乃至第5の実施形態では、電解加工装置100又は放電加工装置101が、載置部3に載置された被加工物2に対して電極1A〜1Iを相対移動させる際、移動部4が、電極1A〜1Iを固定保持する電極ホルダ40を上下方向(Z方向)に移動させる駆動機構部41を備えることにより、駆動機構部41により電極1Aを移動させるものとして説明した。これに対して、移動部4が、電極1A〜1Iを移動させる代わりに、載置部3が、被加工物2を固定保持するテーブル30を上下方向(Z方向)に移動させるテーブル駆動機構部を備えることにより、テーブル駆動機構部により被加工物2を移動させてもよいし、駆動機構部41及びテーブル駆動機構部の両方により電極1A〜1I及び被加工物2の両方を移動させてもよい。 Further, in the first to fifth embodiments, when the electrolytic processing device 100 or the electric discharge machining device 101 relatively moves the electrodes 1A to 1I with respect to the workpiece 2 mounted on the mounting portion 3. It has been described that the moving unit 4 includes a driving mechanism unit 41 for moving the electrode holder 40 for fixing and holding the electrodes 1A to 1I in the vertical direction (Z direction), whereby the electrode 1A is moved by the driving mechanism unit 41. On the other hand, instead of the moving unit 4 moving the electrodes 1A to 1I, the mounting unit 3 moves the table 30 that holds the workpiece 2 fixedly in the vertical direction (Z direction). The work piece 2 may be moved by the table drive mechanism unit, or both the electrodes 1A to 1I and the work piece 2 may be moved by both the drive mechanism unit 41 and the table drive mechanism unit. Good.

また、上記第3乃至第5の実施形態では、放電加工用の電極1E〜1Iが、パターン孔18又はパターン溝19を備えるものとして説明した。これに対し、第1及び第2の実施形態に係る電解加工用の電極1A〜1Dが、パターン孔18又はパターン溝19を備えるようにしてもよい。さらに、放電加工用の電極及び電解加工用の電極のいずれにおいても、パターン孔18又はパターン溝19のサイズ、形状及び数は、適宜変更してもよい。また、パターン孔18又はパターン溝19による流路は、電極の厚さ方向に対して平行に延びるものだけでなく、電極の厚さ方向に対して斜め方向や垂直方向に延びるようにしてもよいし、直線的な形状だけでなく、曲がっていたり、合流又は分岐したりするような形状でもよい。 Further, in the third to fifth embodiments, the electrodes 1E to 1I for electric discharge machining have been described as having the pattern hole 18 or the pattern groove 19. On the other hand, the electrodes 1A to 1D for electrolytic processing according to the first and second embodiments may be provided with the pattern hole 18 or the pattern groove 19. Further, the size, shape and number of the pattern holes 18 or the pattern grooves 19 may be appropriately changed in both the electrode for electric discharge machining and the electrode for electrolytic machining. Further, the flow path formed by the pattern hole 18 or the pattern groove 19 may extend not only parallel to the thickness direction of the electrode but also diagonally or perpendicularly to the thickness direction of the electrode. However, the shape may be curved, merged or branched, as well as a linear shape.

また、上記第3乃至第5の実施形態では、第1の金属(例えば、銅)を材料とする第1の薄膜15と、第2の金属(例えば、ステンレス)を材料とする複数枚の第2の薄膜16A〜16Dとを積層して放電加工用の電極1E〜1Iを製造するものとして説明した。これに対し、第1及び第2の薄膜として、複数種類の金属を材料とする薄膜を所定の順番で積層するようにしてもよく、例えば、加工部12に対応する第1の薄膜として、銅を材料とする複数枚の薄膜を積層し、支持部13に対応する第2の薄膜として、銅と材料とする複数枚の薄膜と、ステンレスを材料とする複数枚の薄膜とを、1枚ずつ又は複数枚ずつ交互に積層するようにしてもよい。これにより、熱膨張係数の違いによって薄膜間の接合部分に発生するせん断応力を低減することができる。その際、複数種類の金属の熱膨張係数を比較したとき、こられの差が所定値よりも少ないことが好ましい。 Further, in the third to fifth embodiments, the first thin film 15 made of a first metal (for example, copper) and a plurality of first thin films made of a second metal (for example, stainless steel) are used as materials. It has been described that the thin films 16A to 16D of 2 are laminated to produce electrodes 1E to 1I for electric discharge machining. On the other hand, as the first and second thin films, thin films made of a plurality of types of metals may be laminated in a predetermined order. For example, as the first thin film corresponding to the processed portion 12, copper may be used. As a second thin film corresponding to the support portion 13, a plurality of thin films made of copper and a material and a plurality of thin films made of stainless steel are laminated one by one. Alternatively, a plurality of sheets may be alternately laminated. As a result, the shear stress generated at the joint portion between the thin films due to the difference in the coefficient of thermal expansion can be reduced. At that time, when comparing the coefficients of thermal expansion of a plurality of types of metals, it is preferable that the difference between them is smaller than a predetermined value.

1A〜1I…電極、2…被加工物、3…載置部、4…移動部、5…電解液供給部、
6…電力供給部、7…制御部、8…加工液供給部、
10…周壁部、10a…取付孔、11…隔壁部、11a…貫通孔、
12…加工部、13…支持部、14…絶縁皮膜、
15…第1の薄膜、16A〜16D…第2の薄膜、
17A〜17E…積層体、18…パターン孔、19…パターン溝、
20…被加工面、21…スリット溝、21A、21B…スリット溝、
22…側面、23…供給孔、
30…テーブル、31…加工槽、
40…電極ホルダ、41…駆動機構部、42…加振部、
50…タンク、51…送り配管、52…戻り配管、
53…ポンプ、54…フィルタ、55…流量調整弁、
60…電源部、61…第1の電力線、62…第2の電力線、
80…タンク、81…送り配管、82…戻り配管、
83…ポンプ、84…フィルタ、85…流量調整弁、
100…電解加工装置、101…放電加工装置、120…加工面、
130…狭小部分、130A…第1の狭小部分、130B…第2の狭小部分、
130C…第3の狭小部分、131、131A〜131C…側面、
132、132A〜132C…表面、133…非狭小部分、
140、140A〜140C…第1の絶縁皮膜、
141、141A〜141C…第2の絶縁皮膜、
161、162…表面、190…連通路、
L1…電解液、L2…加工液
1A to 1I ... Electrode, 2 ... Work piece, 3 ... Placement part, 4 ... Moving part, 5 ... Electrolyte solution supply part,
6 ... Power supply unit, 7 ... Control unit, 8 ... Processing liquid supply unit,
10 ... peripheral wall portion, 10a ... mounting hole, 11 ... partition wall portion, 11a ... through hole,
12 ... Processing part, 13 ... Support part, 14 ... Insulation film,
15 ... 1st thin film, 16A-16D ... 2nd thin film,
17A to 17E ... Laminated body, 18 ... Pattern hole, 19 ... Pattern groove,
20 ... Surface to be processed, 21 ... Slit groove, 21A, 21B ... Slit groove,
22 ... side, 23 ... supply hole,
30 ... table, 31 ... processing tank,
40 ... Electrode holder, 41 ... Drive mechanism, 42 ... Vibration
50 ... tank, 51 ... feed piping, 52 ... return piping,
53 ... Pump, 54 ... Filter, 55 ... Flow control valve,
60 ... power supply unit, 61 ... first power line, 62 ... second power line,
80 ... tank, 81 ... feed piping, 82 ... return piping,
83 ... pump, 84 ... filter, 85 ... flow control valve,
100 ... Electrochemical machining equipment, 101 ... Electric discharge machining equipment, 120 ... Machining surface,
130 ... narrow part, 130A ... first narrow part, 130B ... second narrow part,
130C ... Third narrow part, 131, 131A to 131C ... Side surface,
132, 132A-132C ... Surface, 133 ... Non-narrow part,
140, 140A-140C ... First insulating film,
141, 141A-141C ... Second insulating film,
161, 162 ... surface, 190 ... continuous passage,
L1 ... Electrolyte, L2 ... Processing liquid

Claims (9)

被加工物にハニカム状のスリット溝を形成する前記ハニカム状の隔壁部を備える非接触加工用の電極であって、
前記隔壁部は、
前記被加工物側に配置される加工面を有する加工部と、
前記加工面と反対側から前記加工部を支持する支持部とを備え、
前記支持部は、
前記隔壁部の幅方向及び厚さ方向により規定される縦断面において、前記加工部の幅よりも小さい狭小部分を備える、
ことを特徴とする電極。
An electrode for non-contact processing provided with the honeycomb-shaped partition wall portion that forms a honeycomb-shaped slit groove in the work piece.
The partition wall
A machined portion having a machined surface arranged on the work piece side,
A support portion that supports the processed portion from the side opposite to the processed surface is provided.
The support portion
In the vertical cross section defined by the width direction and the thickness direction of the partition wall portion, a narrow portion smaller than the width of the processed portion is provided.
An electrode characterized by that.
前記支持部の幅は、前記厚さ方向に沿って前記加工部から離れるほど小さくなる、
ことを特徴とする請求項1に記載の電極。
The width of the support portion becomes smaller as the distance from the processed portion increases along the thickness direction.
The electrode according to claim 1.
前記隔壁部は、前記加工面から前記支持部に向けて形成されたパターン孔又はパターン溝を備える、
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電極。
The partition wall includes a pattern hole or a pattern groove formed from the machined surface toward the support portion.
The electrode according to claim 1 or 2, wherein the electrode is characterized by the above.
前記電極は、放電加工用の電極である、
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の電極。
The electrode is an electrode for electric discharge machining.
The electrode according to any one of claims 1 to 3, wherein the electrode is characterized in that.
前記電極は、電解加工用の電極であり、
前記支持部は、前記幅方向の両側面と、前記厚さ方向の前記加工部とは反対側の表面とに対して絶縁皮膜が形成されている、
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の電極。
The electrode is an electrode for electrolytic processing, and is
In the support portion, an insulating film is formed on both side surfaces in the width direction and the surface on the side opposite to the processed portion in the thickness direction.
The electrode according to any one of claims 1 to 3, wherein the electrode is characterized in that.
前記加工部は、第1の金属を材料とし、
前記支持部は、前記第1の金属とは異なる第2の金属を材料とし、
前記絶縁皮膜は、前記第1の金属よりも前記第2の金属に対して付着性が高い絶縁性材料で形成されている、
ことを特徴とする請求項5に記載の電極。
The processed portion is made of a first metal as a material.
The support portion is made of a second metal different from the first metal.
The insulating film is formed of an insulating material having higher adhesion to the second metal than the first metal.
The electrode according to claim 5.
請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の電極の製造方法であって、
少なくとも1枚の第1の薄膜に、前記厚さ方向に直交する横断面における前記加工部の断面形状に対応する第1の形状パターンを形成する第1の形成工程と、
少なくとも1枚の第2の薄膜に、前記横断面における前記支持部の断面形状に対応する第2の形状パターンを形成する第2の形成工程と、
前記第1の形成工程で形成された前記第1の薄膜に、前記第2の形成工程で形成された前記第2の薄膜を積層し、積層体として接合する接合工程とを含む、
ことを特徴とする電極の製造方法。
The method for manufacturing an electrode according to any one of claims 1 to 4.
A first forming step of forming a first shape pattern corresponding to the cross-sectional shape of the processed portion in a cross section orthogonal to the thickness direction on at least one first thin film.
A second forming step of forming a second shape pattern corresponding to the cross-sectional shape of the support portion in the cross section on at least one second thin film.
A joining step of laminating the second thin film formed in the second forming step on the first thin film formed in the first forming step and joining as a laminated body is included.
A method for manufacturing an electrode.
請求項5又は請求項6に記載の電極の製造方法であって、
少なくとも1枚の第1の薄膜に、前記厚さ方向に直交する横断面における前記加工部の断面形状に対応する第1の形状パターンを形成する第1の形成工程と、
少なくとも1枚の第2の薄膜に、前記横断面における前記支持部の断面形状に対応する第2の形状パターンを形成する第2の形成工程と、
前記第1の形成工程で形成された前記第1の薄膜に、前記第2の形成工程で形成された前記第2の薄膜を積層し、積層体として接合する接合工程と、
前記接合工程により接合された積層体のうち、前記支持部における前記幅方向の両側面と、前記厚さ方向の前記加工部とは反対側の表面とに対応する前記第2の薄膜の表面に対して前記絶縁皮膜を形成する絶縁皮膜形成工程とを含む、
ことを特徴とする電極の製造方法。
The method for manufacturing an electrode according to claim 5 or 6.
A first forming step of forming a first shape pattern corresponding to the cross-sectional shape of the processed portion in a cross section orthogonal to the thickness direction on at least one first thin film.
A second forming step of forming a second shape pattern corresponding to the cross-sectional shape of the support portion in the cross section on at least one second thin film.
A joining step of laminating the second thin film formed in the second forming step on the first thin film formed in the first forming step and joining them as a laminated body.
Of the laminates joined by the joining step, on the surface of the second thin film corresponding to both side surfaces in the width direction of the support portion and the surface opposite to the processed portion in the thickness direction. On the other hand, the step of forming an insulating film for forming the insulating film is included.
A method for manufacturing an electrode.
請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の電極と、
前記電極と前記被加工物との間隙を維持するように、前記電極及び前記被加工物の少なくとも一方を前記厚さ方向に相対移動させる移動部と、
前記被加工物と前記電極との間に所定の電圧を印加する電力供給部と、
前記移動部及び前記電力供給部を制御する制御部とを備える、
ことを特徴とする非接触加工装置。
The electrode according to any one of claims 1 to 6,
A moving portion that relatively moves at least one of the electrode and the work piece in the thickness direction so as to maintain a gap between the electrode and the work piece.
A power supply unit that applies a predetermined voltage between the workpiece and the electrode,
A control unit that controls the moving unit and the power supply unit is provided.
A non-contact processing device characterized in that.
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