JP2020146790A - Washing method and device of wafer chuck - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウェハを保持するウェハチャックの洗浄方法及び装置に関するものである。 The present invention relates to a method and apparatus for cleaning a wafer chuck that holds a wafer.
半導体製造分野では、シリコンウェハ等の半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という）を薄膜に研削する研削装置が知られている。研削装置は、ウェハを吸着保持するウェハチャック及びウェハチャックに対向して設けられた砥石をそれぞれ回転させた状態で、砥石をウェハに押し当てることにより、ウェハを薄く研削するものである。 In the field of semiconductor manufacturing, a grinding device for grinding a semiconductor wafer such as a silicon wafer (hereinafter referred to as "wafer") into a thin film is known. The grinding device grinds the wafer thinly by pressing the grindstone against the wafer in a state where the wafer chuck that sucks and holds the wafer and the grindstone provided facing the wafer chuck are rotated.
研削加工の際にはスラッジ等の異物が生じることは避けられず、この異物がウェハチャック表面に付着した状態で、ウェハチャックがウェハを吸着保持して研削加工を行うと、異物の噛み込みに起因してウェハが割れたり、ディンプルが発生する等の加工不良が発生する。 It is inevitable that foreign matter such as sludge will be generated during grinding, and if the wafer chuck sucks and holds the wafer while the foreign matter adheres to the surface of the wafer chuck and performs grinding, foreign matter will be caught. As a result, processing defects such as cracking of the wafer and generation of dimples occur.
特許文献１には、ポーラスセラミック製チャック１２をブラシ３１及びセラミック製竿３２で摺動して、ポーラスセラミック製チャック１２の表面に付着したスラッジを除去することが開示されている。なお、符号は特許文献１におけるものである。 Patent Document 1 discloses that a porous ceramic chuck 12 is slid with a brush 31 and a ceramic rod 32 to remove sludge adhering to the surface of the porous ceramic chuck 12. The reference numerals are those in Patent Document 1.
しかしながら、上述したポーラスセラミック製チャック１２の表面に溝等の凹部が存在する場合、凹部内の数百ｎｍ程度の微小なスラッジをブラシ３１及びセラミック製竿３２で掻き出すことは難しく、ウェハの研削加工の際に、スラッジがポーラスセラミック製チャック１２の表面に再付着する虞があった。 However, when there are recesses such as grooves on the surface of the porous ceramic chuck 12 described above, it is difficult to scrape out minute sludge of about several hundred nm in the recesses with the brush 31 and the ceramic rod 32, and the wafer is ground. At that time, sludge may reattach to the surface of the porous ceramic chuck 12.
従来のような厚いＢＧテープであれば、ＢＧテープが微小なスラッジの噛み込み伴う凹凸を吸収可能であったが、昨今のウェハの薄膜化に伴ってＢＧテープも薄くなる傾向にあるところ、このような薄いＢＧテープの場合、微小なスラッジの噛み込み伴うディンプルが生じて、加工時のＬＴＶ（Ｌｏｃａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）が悪化する虞があった。 With the conventional thick BG tape, the BG tape can absorb the unevenness caused by the biting of minute sludge, but the BG tape tends to become thinner as the wafer becomes thinner these days. In the case of such a thin BG tape, dimples accompanied by biting of minute sludge may occur, and the LTV (Local Thinness Variation) at the time of processing may be deteriorated.
そこで、微小な異物をウェハチャック表面から除去するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。 Therefore, a technical problem to be solved in order to remove minute foreign matters from the surface of the wafer chuck arises, and an object of the present invention is to solve this problem.
上記目的を達成するために、本発明に係るウェハチャックの洗浄方法は、ウェハチャックの洗浄方法であって、前記ウェハチャックの表面を砥石で研削するクリーニング工程と、前記ウェハチャックを回転させながら、研削後の前記表面に洗浄流体を吐出するリンス工程と、を含む。 In order to achieve the above object, the wafer chuck cleaning method according to the present invention is a wafer chuck cleaning method, in which a cleaning step of grinding the surface of the wafer chuck with a grindstone and a rotation of the wafer chuck are performed. It includes a rinsing step of discharging a cleaning fluid onto the surface after grinding.
この構成によれば、砥石でウェハチャックの表面を異物ごと削ぎ落とし、さらに洗浄流体でウェハチャックの表面を洗い流すことにより、ウェハチャックの表面の異物を除去することができる。 According to this configuration, the foreign matter on the surface of the wafer chuck can be removed by scraping off the surface of the wafer chuck together with the foreign matter with a grindstone and further washing the surface of the wafer chuck with a cleaning fluid.
また、本発明に係るウェハチャックの洗浄方法は、前記クリーニング工程において、前記表面が略面一に研削されることが好ましい。 Further, in the wafer chuck cleaning method according to the present invention, it is preferable that the surface is ground substantially flush with each other in the cleaning step.
この構成によれば、ウェハチャックの表面が略面一に研削ことにより、溝等の凹部が形成されている場合と比較して、異物の残存やクリーニング工程中の巻き上げを抑制することができる。 According to this configuration, by grinding the surface of the wafer chuck substantially flush with each other, it is possible to suppress residual foreign matter and hoisting during the cleaning process, as compared with the case where recesses such as grooves are formed.
また、本発明に係るウェハチャックの洗浄方法は、前記リンス工程において、前記洗浄流体の吐出位置を前記ウェハチャックの径方向に移動させることが好ましい。 Further, in the wafer chuck cleaning method according to the present invention, it is preferable to move the discharge position of the cleaning fluid in the radial direction of the wafer chuck in the rinsing step.
この構成によれば、洗浄流体の吐出位置をウェハチャックの径方向に移動させることにより、ウェハチャックの表面の広範囲に亘って洗浄流体を直接当てることができ、異物を効率的に除去することができる。 According to this configuration, by moving the discharge position of the cleaning fluid in the radial direction of the wafer chuck, the cleaning fluid can be directly applied over a wide range on the surface of the wafer chuck, and foreign matter can be efficiently removed. it can.
また、上記目的を達成するために、本発明に係るウェハチャックの洗浄装置は、ウェハチャックの洗浄装置であって、前記ウェハチャックの表面を研削する砥石と、回転する前記ウェハチャックの表面に洗浄流体を吐出するノズルと、を備えている。 Further, in order to achieve the above object, the wafer chuck cleaning device according to the present invention is a wafer chuck cleaning device, and cleans a grindstone for grinding the surface of the wafer chuck and the surface of the rotating wafer chuck. It is equipped with a nozzle that discharges fluid.
この構成によれば、砥石でウェハチャックの表面を異物ごと削ぎ落とし、さらに洗浄流体でウェハチャックの表面を洗い流すことにより、ウェハチャックの表面の異物を除去することができる。 According to this configuration, the foreign matter on the surface of the wafer chuck can be removed by scraping off the surface of the wafer chuck together with the foreign matter with a grindstone and further washing the surface of the wafer chuck with a cleaning fluid.
本発明は、砥石でウェハチャックの表面を異物ごと削ぎ落とし、さらに洗浄流体でウェハチャックの表面を洗い流すことにより、ウェハチャックの表面の異物を除去できるため、ウェハチャックとＢＧテープとの間に異物が噛み込むことを抑制し、ＬＴＶを向上させることができる。 In the present invention, the surface of the wafer chuck is scraped off together with the foreign matter with a grindstone, and the surface of the wafer chuck is washed away with a cleaning fluid to remove the foreign matter on the surface of the wafer chuck. Therefore, the foreign matter is between the wafer chuck and the BG tape. It is possible to suppress the biting and improve the LTV.
本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。なお、以下では、構成要素の数、数値、量、範囲等に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも構わない。 An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following, when referring to the number, numerical value, quantity, range, etc. of components, it is limited to the specific number unless it is clearly stated or in principle it is clearly limited to the specific number. It is not a thing, and it may be more than or less than a specific number.
また、構成要素等の形状、位置関係に言及するときは、特に明示した場合及び原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似又は類似するもの等を含む。 In addition, when referring to the shape and positional relationship of components, etc., unless otherwise specified or when it is considered that this is not the case in principle, those that are substantially similar to or similar to the shape, etc. shall be used. Including.
また、図面は、特徴を分かり易くするために特徴的な部分を拡大する等して誇張する場合があり、構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、構成要素の断面構造を分かり易くするために、一部の構成要素のハッチングを省略することがある。 In addition, the drawings may be exaggerated by enlarging the characteristic parts in order to make the features easy to understand, and the dimensional ratios and the like of the components are not always the same as the actual ones. Further, in the cross-sectional view, hatching of some components may be omitted in order to make the cross-sectional structure of the components easy to understand.
図１は、本発明の第１の実施例に係るウェハチャック洗浄装置１を示す模式図である。ウェハチャック洗浄装置１は、ウェハを保持するウェハチャック２のチャック表面２１を洗浄するものである。ウェハチャック２は、例えば、ウェハを研削加工する研削装置又はウェハを研磨加工する研磨装置等に組み込まれているものである。 FIG. 1 is a schematic view showing a wafer chuck cleaning device 1 according to a first embodiment of the present invention. The wafer chuck cleaning device 1 cleans the chuck surface 21 of the wafer chuck 2 that holds the wafer. The wafer chuck 2 is incorporated in, for example, a grinding device for grinding a wafer, a polishing device for polishing a wafer, or the like.
ウェハチャック２は、チャック表面２１にアルミナ等の多孔質材料からなる吸着体２２が埋設されている。チャック表面２１は、略面一に形成されている。ウェハチャック２は、図示しないモータによってウェハチャック２の中心を通る垂直軸２ａを中心に回転可能に構成されている。 In the wafer chuck 2, an adsorbent 22 made of a porous material such as alumina is embedded in the chuck surface 21. The chuck surface 21 is formed substantially flush with each other. The wafer chuck 2 is configured to be rotatable about a vertical axis 2a passing through the center of the wafer chuck 2 by a motor (not shown).
ウェハチャック２は、内部を通ってチャック表面２１に延びる図示しない管路を備えている。管路は、図示しないロータリージョイントを介して真空源、圧縮空気源又は給水源に接続されている。真空源が起動すると、ウェハチャック２に載置されたウェハが吸着体２２に吸着保持される。また、圧縮空気源又は給水源が起動すると、ウェハと吸着体２２との吸着が解除される。 The wafer chuck 2 includes a pipeline (not shown) that extends through the inside to the chuck surface 21. The pipeline is connected to a vacuum source, compressed air source or water supply source via a rotary joint (not shown). When the vacuum source is activated, the wafer placed on the wafer chuck 2 is adsorbed and held by the adsorbent 22. Further, when the compressed air source or the water supply source is activated, the adsorption between the wafer and the adsorbent 22 is released.
ウェハチャック洗浄装置１は、砥石３と、ノズル４と、を備えている。 The wafer chuck cleaning device 1 includes a grindstone 3 and a nozzle 4.
砥石３は、例えばカップ型砥石である。砥石３は、スピンドル３１の下端に連結されている。スピンドル３１は、図示しないモータの駆動によって回転軸３１ａを中心に回転可能に構成されている。また、スピンドル３１は、図示しない昇降装置によって垂直方向に昇降自在に構成されている。 The grindstone 3 is, for example, a cup-type grindstone. The grindstone 3 is connected to the lower end of the spindle 31. The spindle 31 is configured to be rotatable around a rotation shaft 31a by driving a motor (not shown). Further, the spindle 31 is configured to be vertically movable by an elevating device (not shown).
ノズル４は、ウェハチャック２の上方に設けられている。ノズル４は、洗浄流体をウェハチャック２の表面に吐出する。洗浄流体は、水又は圧縮流体等である。ノズル４が吐出する洗浄流体の噴射形状は、線、扇、円錐等の如何なるものであっても構わない。ノズル４は、図示しないトラバース機構によって水平方向に移動可能に構成されている。 The nozzle 4 is provided above the wafer chuck 2. The nozzle 4 discharges the cleaning fluid onto the surface of the wafer chuck 2. The cleaning fluid is water, a compressed fluid, or the like. The injection shape of the cleaning fluid discharged by the nozzle 4 may be any shape such as a wire, a fan, and a cone. The nozzle 4 is configured to be movable in the horizontal direction by a traverse mechanism (not shown).
ウェハチャック洗浄装置１の動作は、制御部５によって制御される。制御部５は、ウェハチャック洗浄装置１を構成する構成要素をそれぞれ制御するものである。制御部５は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ、メモリ等により構成される。なお、制御部５の機能は、ソフトウェアを用いて制御することにより実現されても良く、ハードウェアを用いて動作するものにより実現されても良い。 The operation of the wafer chuck cleaning device 1 is controlled by the control unit 5. The control unit 5 controls each of the components constituting the wafer chuck cleaning device 1. The control unit 5 is, for example, a computer, and is composed of a CPU, a memory, and the like. The function of the control unit 5 may be realized by controlling using software, or may be realized by operating with hardware.
次に、ウェハチャック洗浄装置１を用いてチャック表面２１を洗浄する手順について図面に基づいて説明する。 Next, a procedure for cleaning the chuck surface 21 using the wafer chuck cleaning device 1 will be described with reference to the drawings.
［クリーニング工程］
まず、ウェハチャック２に砥石３を接近させる。次に、ウェハチャック２及び砥石３をそれぞれ回転させた状態で、砥石３がウェハチャック２に押し当てられることにより、チャック表面２１が研削される。
[Cleaning process]
First, the grindstone 3 is brought close to the wafer chuck 2. Next, the chuck surface 21 is ground by pressing the grindstone 3 against the wafer chuck 2 in a state where the wafer chuck 2 and the grindstone 3 are each rotated.
チャック表面２１が略面一に形成されていることにより、溝等の凹部が形成された場合と比べて、１００〜２００ｎｍ程度の微小なスラッジ等の異物が、チャック表面２１に残存することを抑制できる。 Since the chuck surface 21 is formed substantially flush with each other, it is possible to prevent foreign matter such as fine sludge of about 100 to 200 nm from remaining on the chuck surface 21 as compared with the case where a recess such as a groove is formed. it can.
また、砥石３がチャック表面２１を研削する際には、砥石３とウェハチャック２とが接触する加工領域に冷却水が供給される。図２には、冷却水が、ウェハチャック２に設けられた給水源から管路を介してチャック表面２１から溢れるように供給される構成が示されている。これにより、冷却水が、加工領域を冷却すると共に異物をチャック表面２１から浮かび上がらせることができる。 Further, when the grindstone 3 grinds the chuck surface 21, cooling water is supplied to the processing region where the grindstone 3 and the wafer chuck 2 come into contact with each other. FIG. 2 shows a configuration in which cooling water is supplied from a water supply source provided in the wafer chuck 2 so as to overflow from the chuck surface 21 via a pipeline. As a result, the cooling water can cool the processing region and allow foreign matter to emerge from the chuck surface 21.
砥石３がチャック表面２１を異物ごと所定量だけ削ぎ落とすと、ウェハチャック２及び砥石３の回転を停止し、砥石３をウェハチャック２から退避させる。 When the grindstone 3 scrapes off the chuck surface 21 together with the foreign matter by a predetermined amount, the rotation of the wafer chuck 2 and the grindstone 3 is stopped, and the grindstone 3 is retracted from the wafer chuck 2.
［リンス工程］
まず、ノズル４がウェハチャック２の上方に配置される。次に、ノズル４がチャック表面２１に向かって洗浄流体を吐出する。チャック表面２１の異物は、洗浄流体がチャック表面２１に衝突した衝撃で除去される。また、洗浄流体は、チャック表面２１に衝突した後に水平方向に向きを変えて、ウェハチャック２の外側に異物を洗い流す。なお、ノズル４は、洗浄流体をチャック表面２１に対して略垂直に吐出する場合に限らず、例えば洗浄流体をチャック表面２１に対して斜めに吐出するように構成しても構わない。
[Rinse process]
First, the nozzle 4 is arranged above the wafer chuck 2. Next, the nozzle 4 discharges the cleaning fluid toward the chuck surface 21. The foreign matter on the chuck surface 21 is removed by the impact of the cleaning fluid colliding with the chuck surface 21. Further, the cleaning fluid changes its direction in the horizontal direction after colliding with the chuck surface 21 to wash away foreign matter to the outside of the wafer chuck 2. The nozzle 4 is not limited to the case where the cleaning fluid is discharged substantially perpendicular to the chuck surface 21, and may be configured to discharge the cleaning fluid obliquely to the chuck surface 21, for example.
ノズル４は、ウェハチャック２が回転した状態でチャック表面２１に向けて洗浄流体を吐出するのが好ましい。これにより、洗浄流体として液体を用いる場合には、チャック表面２１に衝突した洗浄流体が、ウェハチャック２の回転に伴う遠心力で外周に向けて飛散するため、異物を含んだ洗浄流体がチャック表面２１に残存することを抑制できる。 It is preferable that the nozzle 4 discharges the cleaning fluid toward the chuck surface 21 in a state where the wafer chuck 2 is rotated. As a result, when a liquid is used as the cleaning fluid, the cleaning fluid that collides with the chuck surface 21 scatters toward the outer periphery due to the centrifugal force accompanying the rotation of the wafer chuck 2, so that the cleaning fluid containing foreign matter is scattered on the chuck surface. It is possible to suppress the remaining in 21.
ノズル４は、トラバース機構で水平方向に移動しながら洗浄流体を吐出するように構成しても構わない。例えば、ノズル４をウェハチャック２の一方端から他方端に向かって水平移動させながら洗浄流体を吐出することにより、ウェハチャック２全面に亘って洗浄流体が直接当たるため、チャック表面２１に付着した異物を水流の勢いで効率的に除去することができる。 The nozzle 4 may be configured to discharge the cleaning fluid while moving in the horizontal direction by the traverse mechanism. For example, by discharging the cleaning fluid while moving the nozzle 4 horizontally from one end to the other end of the wafer chuck 2, the cleaning fluid directly hits the entire surface of the wafer chuck 2, so that foreign matter adhering to the chuck surface 21 Can be efficiently removed by the force of the water stream.
リンス工程の作用について、図面に基づいて説明する。 The operation of the rinsing process will be described with reference to the drawings.
図４（ａ）は、リンス工程を施したウェハチャック２の表面形状を示す顕微鏡画像であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示すウェハチャック２のＸ軸方向（Ｙ＝０）における表面形状を示すグラフであり、図４（ｃ）は、図４（ａ）に示すウェハチャック２のＹ軸方向（Ｘ＝０）における表面形状を示すグラフである。 FIG. 4A is a microscope image showing the surface shape of the wafer chuck 2 subjected to the rinsing step, and FIG. 4B is an X-axis direction (Y = 0) of the wafer chuck 2 shown in FIG. 4A. 4 (c) is a graph showing the surface shape of the wafer chuck 2 shown in FIG. 4 (a) in the Y-axis direction (X = 0).
なお、リンス工程の主な条件は、以下の通りである。
吐出流体：水及びエアー
吐出圧力：水 ０．２ＭＰａ、エアー ０．５ＭＰａ
吐出量：水 ０．５Ｌ／ｍｉｎ以上、エアー １００Ｌ／ｍｉｎ
吐出時間：３秒以上
チャック回転数：１００ｒｐｍ
The main conditions of the rinsing process are as follows.
Discharge fluid: water and air Discharge pressure: water 0.2 MPa, air 0.5 MPa
Discharge amount: water 0.5 L / min or more, air 100 L / min
Discharge time: 3 seconds or more Chuck rotation speed: 100 rpm
図５（ａ）は、リンス工程を施していないウェハチャック２の表面形状を示す顕微鏡画像であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示すウェハチャック２のＸ軸方向（Ｙ＝０）における表面形状を示すグラフであり、図５（ｃ）は、図５（ａ）に示すウェハチャック２のＹ軸方向（Ｘ＝０）における表面形状を示すグラフである。 FIG. 5A is a microscope image showing the surface shape of the wafer chuck 2 not subjected to the rinsing step, and FIG. 5B is the X-axis direction (Y =) of the wafer chuck 2 shown in FIG. 5A. 0) is a graph showing the surface shape, and FIG. 5 (c) is a graph showing the surface shape of the wafer chuck 2 shown in FIG. 5 (a) in the Y-axis direction (X = 0).
なお、図５（ｂ）及び図６（ｂ）は、横軸にウェハチャック２の中心を原点としてＸ軸座標、縦軸にチャック表面２１の高さを表している。また、図５（ｃ）及び図６（ｃ）は、横軸にウェハチャック２の中心を原点としてＹ軸座標、縦軸にチャック表面２１の高さを表している。 In FIGS. 5 (b) and 6 (b), the horizontal axis represents the X-axis coordinates with the center of the wafer chuck 2 as the origin, and the vertical axis represents the height of the chuck surface 21. Further, in FIGS. 5 (c) and 6 (c), the horizontal axis represents the Y-axis coordinates with the center of the wafer chuck 2 as the origin, and the vertical axis represents the height of the chuck surface 21.
図４（ａ）によれば、チャック表面２１の高さは、０．０７６〜１．６７２μｍの僅かな範囲に収まっており、また、図４（ｂ）、（ｃ）によれば、ウェハチャック２の中央が局所的に高い（約１．３〜１．６μｍ）ものの、その周囲は緩やかに勾配している（約１．０〜１．３μｍ）ことが分かる。 According to FIG. 4 (a), the height of the chuck surface 21 is within a small range of 0.076 to 1.672 μm, and according to FIGS. 4 (b) and 4 (c), the wafer chuck It can be seen that the center of 2 is locally high (about 1.3 to 1.6 μm), but the periphery thereof is gently sloped (about 1.0 to 1.3 μm).
一方、リンス工程を施していないウェハチャック２については、図５（ａ）によれば、チャック表面２１の高さは、０．４１０〜９．０１４μｍとばらつきが大きく、また、局所的に大きな凸部が存在することが分かる。また、図５（ｂ）、（ｃ）によれば、チャック表面２１が、Ｘ方向の高さばらつき（約４．８〜５．３μｍ）に対して、Ｙ方向の高さバラつき（約１．６〜５．３μｍ）が大きく、時に局所的な落ち込みが生じていることが分かる。 On the other hand, with respect to the wafer chuck 2 not subjected to the rinsing step, according to FIG. 5A, the height of the chuck surface 21 has a large variation of 0.410 to 9.014 μm, and is locally large convex. It can be seen that the part exists. Further, according to FIGS. 5 (b) and 5 (c), the height variation in the Y direction (about 1.) of the chuck surface 21 with respect to the height variation in the X direction (about 4.8 to 5.3 μm). It can be seen that 6 to 5.3 μm) is large, and sometimes a local dip occurs.
このようにして、本発明の実施形態に係るウェハチャック洗浄装置１によれば、砥石３がチャック表面２１を異物ごと削ぎ落とし、さらに洗浄流体がチャック表面２１を洗い流すことにより、チャック表面２１の異物を除去することができる。これにより、チャック表面２１に異物が存在することに起因するディンプルを抑制してＬＴＶを向上させることができる。 In this way, according to the wafer chuck cleaning device 1 according to the embodiment of the present invention, the grindstone 3 scrapes off the chuck surface 21 together with the foreign matter, and the cleaning fluid flushes the chuck surface 21 to wash away the foreign matter on the chuck surface 21. Can be removed. As a result, dimples caused by the presence of foreign matter on the chuck surface 21 can be suppressed and the LTV can be improved.
また、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り、上記以外にも種々の改変を為すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。 Further, the present invention can be modified in various ways other than the above as long as the spirit of the present invention is not deviated, and it is natural that the present invention extends to the modified ones.
１ ・・・ ウェハチャック洗浄装置
２ ・・・ ウェハチャック
２１・・・ チャック表面
３ ・・・ 砥石
４ ・・・ ノズル
５ ・・・ 制御装置
1 ・ ・ ・ Wafer chuck cleaning device 2 ・ ・ ・ Wafer chuck 21 ・ ・ ・ Chuck surface 3 ・ ・ ・ Grindstone 4 ・ ・ ・ Nozzle 5 ・ ・ ・ Control device
Claims (4)
前記ウェハチャックの表面を砥石で研削するクリーニング工程と、
前記ウェハチャックを回転させながら、研削後の前記表面に洗浄流体を吐出するリンス工程と、
を含むウェハチャックの洗浄方法。 Wafer chuck cleaning method
A cleaning process in which the surface of the wafer chuck is ground with a grindstone,
A rinsing step of discharging a cleaning fluid onto the surface after grinding while rotating the wafer chuck.
Wafer chuck cleaning method including.
前記ウェハチャックの表面を研削する砥石と、
回転する前記ウェハチャックの表面に洗浄流体を吐出するノズルと、
を備えていることを特徴とするウェハチャックの洗浄装置。
Wafer chuck cleaning device
A grindstone that grinds the surface of the wafer chuck and
A nozzle that discharges a cleaning fluid onto the surface of the rotating wafer chuck,
A wafer chuck cleaning device characterized by being equipped with.
Priority Applications (2)
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH01205950A (en) * | 1988-02-12 | 1989-08-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | Cleaning method for porous chuck table and device therefor |
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