JP2020142266A - Flux and solder paste - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、はんだ付けに用いられるフラックス及びこのフラックスを用いたソルダペーストに関する。 The present invention relates to a flux used for soldering and a solder paste using this flux.
一般的に、はんだ付けに用いられるフラックスは、はんだ及びはんだ付けの対象となる接合対象物の金属表面に存在する金属酸化物を化学的に除去し、両者の境界で金属元素の移動を可能にする効能を持つ。このため、フラックスを使用してはんだ付けを行うことで、はんだと接合対象物の金属表面との間に金属間化合物が形成できるようになり、強固な接合が得られる。 Generally, the flux used for soldering chemically removes metal oxides present on the metal surface of the solder and the object to be soldered, allowing the movement of metal elements at the boundary between the two. Has the effect of soldering. Therefore, by performing soldering using flux, an intermetallic compound can be formed between the solder and the metal surface of the object to be bonded, and a strong bond can be obtained.
このようなはんだ付け用フラックスと、金属粉を含むソルダペーストでは、フラックスに含まれるチキソ剤によってチキソ性が付与される。チキソ剤は、フラックス中でネットワークを構築し、チキソ性を付与する。チキソ性を有するとフラックスはせん断力が掛かると、粘度が下がるため印刷性等の作業性が向上する。また、チキソ剤を含むことで、印刷ダレと称す印刷後のソルダペーストのダレ、加熱ダレと称す加熱により溶融する際のソルダペーストのダレがチキソ剤により形成されたネットワークにより保持されることでフラックスのダレが抑制される。 In such a soldering flux and a solder paste containing metal powder, thixotropy is imparted by the thixotropic agent contained in the flux. The thixotropic agent builds a network in the flux and imparts thixotropic properties. If the flux has thixotropic properties, the viscosity of the flux decreases when a shearing force is applied, so that workability such as printability is improved. In addition, by containing the thixotropy, the dripping of the solder paste after printing, which is called printing dripping, and the dripping of the solder paste when melting by heating, which is called heating dripping, are held by the network formed by the thixotropy, so that the flux The sagging is suppressed.
チキソ剤としては、チキソ性の付与、印刷性の向上、印刷ダレ、加熱ダレの抑制の観点から脂肪酸とアミンが脱水縮合したアミド化合物からなるアミド系チキソ剤が使用されている(例えば、特許文献1参照)。また、チキソ剤としては、ヒマシ硬化油からなるエステル系チキソ剤が使用されている。 As the thixo agent, an amide-based thixo agent composed of an amide compound obtained by dehydration condensation of a fatty acid and an amine is used from the viewpoint of imparting tixo property, improving printability, and suppressing printing sagging and heating sagging (for example, Patent Documents). 1). Further, as the thixotropy, an ester-based thixotropy made of hydrogenated castor oil is used.
アミド系チキソ剤では、アミド結合により分子内、分子間で水素結合を形成しやすく、高分子になると相溶性も悪く、均一な分散が難しく、それにより印刷性が安定しない。また、高分子のアミド化合物の量を増やすと、極度に粘度が高くなるため、印刷性が悪くなる。更に、エステル系チキソ剤でも、加熱ダレを十分に抑制することができない。加えて、接合対象物の金属表面のはんだによる濡れ性が低下しやすい、という問題もある。 In the amide-based thixo agent, hydrogen bonds are easily formed in the molecule and between the molecules by the amide bond, and when it becomes a polymer, the compatibility is poor and uniform dispersion is difficult, so that the printability is not stable. Further, when the amount of the high molecular weight amide compound is increased, the viscosity becomes extremely high, so that the printability deteriorates. Further, even an ester thixotropy cannot sufficiently suppress heating sagging. In addition, there is also a problem that the wettability of the metal surface of the object to be joined due to solder tends to decrease.
本発明は、このような課題を解決するためなされたもので、チキソ性を付与し、かつ、印刷性、印刷ダレの抑制能、加熱ダレの抑制能に優れ、はんだの濡れ性が高められたフラックス及びフラックスを用いたソルダペーストを提供することを目的とする。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention has been made to solve such a problem, and has improved the wettability of solder by imparting chicosis, excellent printability, ability to suppress print sagging, and ability to suppress heat sagging. It is an object of the present invention to provide a flux and a solder paste using the flux.
環状アミド化合物と非環状アミド化合物からなるチキソ剤と、一般式(1)で表される特定活性剤と、を含むフラックスでは、チキソ性を向上させるとともに、はんだの濡れ性を向上させ、このフラックスと金属粉を含むソルダペーストでは、印刷性を向上させ、かつ、印刷ダレと加熱ダレを抑制できることを見出した。 A flux containing a thixo agent composed of a cyclic amide compound and a non-cyclic amide compound and a specific activator represented by the general formula (1) improves the tixo property and the wettability of the solder, and this flux It was found that the solder paste containing the metal powder can improve the printability and suppress the printing sagging and the heating sagging.
そこで、本発明は、チキソ剤と、下記一般式(1)で表される化合物と、ロジンと、溶剤とを含有するフラックスであり、前記チキソ剤は、環状アミド化合物および非環状アミド化合物を含み、前記環状アミド化合物を0.1wt%以上8.0wt%以下、前記非環状アミド化合物を0.5wt%以上8.0wt%以下で含み、かつ、前記環状アミド化合物と前記非環状アミド化合物との合計が1.5wt%以上10.0wt%以下であり、前記環状アミド化合物は、ジカルボン酸及び/またはトリカルボン酸と、ジアミン及び/またはトリアミンとが環状に重縮合した分子量が3000以下のアミド化合物であり、前記非環状アミド化合物は、モノカルボン酸、ジカルボン酸及び/またはトリカルボン酸と、モノアミン、ジアミン及び/またはトリアミンとが非環状に縮合したアミド化合物である。 Therefore, the present invention is a flux containing a thixo agent, a compound represented by the following general formula (1), a rosin, and a solvent, and the thixo agent contains a cyclic amide compound and a non-cyclic amide compound. , 0.1 wt% or more and 8.0 wt% or less of the cyclic amide compound, 0.5 wt% or more and 8.0 wt% or less of the acyclic amide compound, and the cyclic amide compound and the acyclic amide compound. The total is 1.5 wt% or more and 10.0 wt% or less, and the cyclic amide compound is an amide compound having a molecular weight of 3000 or less in which dicarboxylic acid and / or tricarboxylic acid and diamine and / or triamine are cyclically polycondensed. The acyclic amide compound is an amide compound in which a monocarboxylic acid, a dicarboxylic acid and / or a tricarboxylic acid and a monoamine, a diamine and / or a triamine are acyclically condensed.
前記一般式(1)で表される化合物は、ピコリン酸であることが好ましい。 The compound represented by the general formula (1) is preferably picolinic acid.
前記環状アミド化合物は、ジカルボン酸及びトリカルボン酸の炭素数が3以上10以下であり、前記環状アミド化合物は、ジカルボン酸及びトリカルボン酸の炭素数が6以上10以下であることがより好ましい。 It is more preferable that the cyclic amide compound has 3 or more and 10 or less carbon atoms of the dicarboxylic acid and tricarboxylic acid, and the cyclic amide compound has 6 or more and 10 or less carbon atoms of the dicarboxylic acid and tricarboxylic acid.
前記環状アミド化合物は、ジアミン及びトリアミンの炭素数が2以上54以下であり、前記環状アミド化合物は、ジアミン及びトリアミンの炭素数が6であることがより好ましい。 It is more preferable that the cyclic amide compound has 2 or more and 54 or less carbon atoms of diamine and triamine, and the cyclic amide compound has 6 carbon atoms of diamine and triamine.
前記環状アミド化合物は、炭素数が3以上10以下のジカルボン酸と、炭素数が2以上54以下のジアミンとが環状に重縮合したアミド化合物であることが好ましく、前記環状アミド化合物は、炭素数が6以上10以下のジカルボン酸と、炭素数が6のジアミンとが環状に重縮合したアミド化合物であることがより好ましい。 The cyclic amide compound is preferably an amide compound in which a dicarboxylic acid having 3 or more and 10 or less carbon atoms and a diamine having 2 or more and 54 carbon atoms or less are cyclically polycondensed, and the cyclic amide compound has carbon atoms. It is more preferable that the amide compound is a cyclic polycondensation of a dicarboxylic acid having a value of 6 or more and 10 or less and a diamine having 6 carbon atoms.
前記非環状アミド化合物は、モノカルボン酸、ジカルボン酸及びトリカルボン酸の炭素数が2以上28以下、モノアミン、ジアミン及びトリアミンの炭素数が0以上54以下であることが好ましい。 The acyclic amide compound preferably has a monocarboxylic acid, a dicarboxylic acid and a tricarboxylic acid having a carbon number of 2 or more and 28 or less, and a monoamine, a diamine and a triamine having a carbon number of 0 or more and 54 or less.
前記チキソ剤は、さらにエステル化合物を含むことが好ましく、前記チキソ剤は、エステル化合物としてヒマシ硬化油を含むことが好ましい。 The thixotropy preferably further contains an ester compound, and the thixotropy preferably contains hydrogenated castor oil as an ester compound.
前記チキソ剤は、前記環状アミド化合物を0.1wt%以上1.5wt%以下、前記非環状アミド化合物を0.5wt%以上4.0wt%以下含むことがより好ましい。さらに、前記チキソ剤は、前記エステル化合物を0wt%以上8.0wt%以下含むことが好ましい。 It is more preferable that the thixotropy contains 0.1 wt% or more and 1.5 wt% or less of the cyclic amide compound and 0.5 wt% or more and 4.0 wt% or less of the acyclic amide compound. Further, the thixotropy preferably contains the ester compound in an amount of 0 wt% or more and 8.0 wt% or less.
また、前記一般式(1)で表される化合物を0.5wt%以上7.0wt%以下含むことが好ましく、前記ロジンを30wt%以上60wt%以下含むことが好ましい。 Further, the compound represented by the general formula (1) is preferably contained in an amount of 0.5 wt% or more and 7.0 wt% or less, and the rosin is preferably contained in an amount of 30 wt% or more and 60 wt% or less.
さらに、アミンを0wt%以上20wt%以下、有機ハロゲン化合物を0wt%以上5wt%以下、アミンハロゲン化水素酸塩を0wt%以上2wt%以下、又は酸化防止剤を0wt%以上5wt%以下含むことが好ましい。 Further, it may contain 0 wt% or more and 20 wt% or less of amine, 0 wt% or more and 5 wt% or less of organic halogen compound, 0 wt% or more and 2 wt% or less of amine halide hydrolate, or 0 wt% or more and 5 wt% or less of antioxidant. preferable.
また、本発明は、上述したフラックスと、金属粉とを含有するソルダペーストである。 Further, the present invention is a solder paste containing the above-mentioned flux and metal powder.
環状アミド化合物と非環状アミド化合物からなるチキソ剤では、非環状アミド化合物が低分子の環状アミド化合物で架橋されることで、本発明のフラックスでは、チキソ剤が非環状アミド化合物からなる場合と比較して、非環状アミド化合物の含有量を増やすことなく、チキソ性を向上させることができ、チキソ剤の析出を抑制することができる。 In the thixo agent composed of the cyclic amide compound and the acyclic amide compound, the acyclic amide compound is crosslinked with the low molecular weight cyclic amide compound, and therefore, in the flux of the present invention, the comparison with the case where the thixo agent is composed of the acyclic amide compound. Therefore, the thixo property can be improved and the precipitation of the thixo agent can be suppressed without increasing the content of the acyclic amide compound.
また、本発明のフラックスでは、特定活性剤として上記一般式(1)で表される化合物を含有することで、はんだの濡れ性を高めることができる。 Further, in the flux of the present invention, the wettability of the solder can be enhanced by containing the compound represented by the above general formula (1) as the specific activator.
このフラックスを用いたソルダペーストでは、にじみ、かすれ等が抑制された良好な印刷性を得ることができ、また、印刷後のソルダペーストが流れる印刷ダレを抑制することができる。更に、はんだ付け時の加熱によるソルダペーストの加熱ダレを抑制することができる。 In the solder paste using this flux, it is possible to obtain good printability in which bleeding, blurring and the like are suppressed, and it is possible to suppress printing sagging in which the solder paste flows after printing. Further, it is possible to prevent the solder paste from sagging due to heating during soldering.
<本実施の形態のフラックスの一例>
本実施の形態のフラックスは、チキソ剤と、一般式(1)で表される化合物と、ロジンと、溶剤とを含有する。チキソ剤は、環状アミド化合物と非環状アミド化合物からなる。
<Example of flux of this embodiment>
The flux of the present embodiment contains a thixotropic agent, a compound represented by the general formula (1), rosin, and a solvent. The thixotropy comprises a cyclic amide compound and a non-cyclic amide compound.
環状アミド化合物は、ジカルボン酸及び/またはトリカルボン酸と、ジアミン及び/またはトリアミンが環状に重縮合した分子量が3000以下、とりわけ分子量が1000以下の低分子系アミド化合物である。また、非環状アミド化合物は、モノカルボン酸、ジカルボン酸及び/またはトリカルボン酸と、モノアミン、ジアミン及び/またはトリアミンが非環状に重縮合した分子量が3000以下の非環状アミドオリゴマーや、分子量が3000超の非環状高分子系アミドポリマーである。 The cyclic amide compound is a low molecular weight amide compound having a molecular weight of 3000 or less, particularly 1000 or less, in which a dicarboxylic acid and / or a tricarboxylic acid and a diamine and / or a triamine are cyclically polycondensed. The acyclic amide compound is an acyclic amide oligomer having a molecular weight of 3000 or less, which is a non-cyclic polycondensation of a monocarboxylic acid, a dicarboxylic acid and / or a tricarboxylic acid, and a monoamine, a diamine and / or a triamine, and a molecular weight of more than 3000. It is a non-cyclic polymer amide polymer.
図1は、ジカルボン酸の分子構造の概要を示す模式図、図2は、ジアミンの分子構造の概要を示す模式図、図3は、非環状アミド化合物の分子構造の概要を示す模式図である。図1に示すジカルボン酸と、図2に示すジアミンを重縮合(脱水縮合)させることで、図3に示すように、非環状アミド化合物が合成される。 FIG. 1 is a schematic diagram showing an outline of the molecular structure of a dicarboxylic acid, FIG. 2 is a schematic diagram showing an outline of the molecular structure of a diamine, and FIG. 3 is a schematic diagram showing an outline of the molecular structure of an acyclic amide compound. .. By polycondensing (dehydrating condensation) the dicarboxylic acid shown in FIG. 1 and the diamine shown in FIG. 2, an acyclic amide compound is synthesized as shown in FIG.
図3に示す非環状アミド化合物からなるチキソ剤は、図1に示すジカルボン酸のカルボキシル基(COOH)と、図2に示すジアミンのアミノ基(NH2)が重縮合によりアミド結合し、アミド基C(=O)−NHの水素(H)と酸素(O)が分子内、分子間で水素結合することでネットワークが形成される。アミド結合箇所を(A)で示し、水素結合箇所を(B)で示す。 In the thixo agent composed of the acyclic amide compound shown in FIG. 3, the carboxyl group (COOH) of the dicarboxylic acid shown in FIG. 1 and the amino group (NH 2 ) of the diamine shown in FIG. 2 are amide-bonded by polycondensation to form an amide group. A network is formed by hydrogen bonding of C (= O) -NH hydrogen (H) and oxygen (O) within and between molecules. The amide bond site is indicated by (A), and the hydrogen bond site is indicated by (B).
図4は、非環状アミド化合物の分子構造の概要を示す模式図である。非環状アミド化合物が高分子化した場合、図4に示すように、分子内で水素結合(B)が進行するため、フラックス中で非常に溶解性(相溶性)が悪くなり、フラックス中で粗大な析出を発生してしまう場合があり、チキソ性が悪くなる。また、このようなフラックスと金属粉が混合されたソルダペーストでは、印刷性が悪く、また、印刷ダレ、加熱ダレが発生する。 FIG. 4 is a schematic diagram showing an outline of the molecular structure of the acyclic amide compound. When the acyclic amide compound is polymerized, as shown in FIG. 4, hydrogen bonds (B) proceed in the molecule, so that the solubility (compatibility) in the flux becomes very poor, and the acyclic amide compound becomes coarse in the flux. Precipitation may occur, resulting in poor thixophilicity. Further, in the solder paste in which such a flux and a metal powder are mixed, printability is poor, and printing sagging and heating sagging occur.
そこで、環状アミド化合物を非環状アミド化合物と併用することで、環状アミド化合物で非環状アミド化合物を非共有結合性の相互作用にて架橋し、比較的均一なチキソ剤成分のネットワークを構築して、過度のチキソ剤析出を抑制する。 Therefore, by using the cyclic amide compound in combination with the acyclic amide compound, the non-cyclic amide compound is crosslinked with the cyclic amide compound by a non-covalent interaction to construct a relatively uniform network of thixotropic agent components. , Suppresses excessive thiox agent precipitation.
図5は、環状アミド化合物の分子構造の概要を示す模式図である。さて、図1に示すジカルボン酸と、図2に示すジアミンを重縮合させることで、図5に示すように、低分子系アミドとして環状アミド化合物が合成される。 FIG. 5 is a schematic diagram showing an outline of the molecular structure of the cyclic amide compound. By polycondensing the dicarboxylic acid shown in FIG. 1 and the diamine shown in FIG. 2, a cyclic amide compound is synthesized as a low molecular weight amide as shown in FIG.
環状アミド化合物は、非環状アミド化合物よりも対称性が高いため、非環状の低分子系アミドと比較して、結晶化しやすいという性質を持つ。一方、非環状の低分子系アミドは、極性の末端基を有するため、フラックス中に相溶しやすく、結晶化しにくいことからネットワーク形成によるチキソ性を付与しにくい。これに対し、環状アミド化合物は、極性の末端基を有さないため、フラックス中に相溶しにくく、ネットワーク形成によるチキソ性を付与しやすい。 Since the cyclic amide compound has higher symmetry than the acyclic amide compound, it has a property of being easily crystallized as compared with the acyclic low molecular weight amide. On the other hand, since the acyclic low molecular weight amide has a polar terminal group, it is easily compatible with the flux and difficult to crystallize, so that it is difficult to impart thixotropic property due to network formation. On the other hand, since the cyclic amide compound does not have a polar terminal group, it is difficult to be compatible with the flux and it is easy to impart thixotropic property due to network formation.
これにより、環状アミド化合物と非環状アミド化合物からなるチキソ剤では、環状アミド化合物と非環状アミド化合物との分子間での水素結合が促進され、非環状アミド化合物の分子内での水素結合が阻害されると考えられる。 As a result, in the thixo agent composed of the cyclic amide compound and the acyclic amide compound, the hydrogen bond between the cyclic amide compound and the acyclic amide compound is promoted, and the hydrogen bond in the molecule of the acyclic amide compound is inhibited. It is thought that it will be done.
図6は、環状アミド化合物で非環状アミド化合物を架橋した分子構造の概要を示す模式図である。環状アミド化合物と非環状アミド化合物からなるチキソ剤では、図6に示すように、環状アミド化合物と非環状アミド化合物が水素結合(B)されることで、環状アミド化合物で非環状アミド化合物が非共有結合性の相互作用にて架橋された比較的均一な成分のネットワークが構築されると考えられる。 FIG. 6 is a schematic diagram showing an outline of a molecular structure in which a non-cyclic amide compound is crosslinked with a cyclic amide compound. In the thixo agent composed of the cyclic amide compound and the acyclic amide compound, as shown in FIG. 6, the cyclic amide compound and the acyclic amide compound are hydrogen-bonded (B), so that the cyclic amide compound is a non-cyclic amide compound. It is considered that a network of relatively uniform components bridged by covalent interactions is constructed.
従って、環状アミド化合物と非環状アミド化合物からなるチキソ剤を含むフラックスでは、非環状アミド化合物からなるチキソ剤と比較して、チキソ剤の過度な析出が抑制され、かつ、チキソ性に優れる。また、環状アミド化合物と非環状アミド化合物からなるチキソ剤を含むフラックスと金属粉からなるソルダペーストでは、印刷性に優れ、また、印刷ダレが抑制され、更に加熱ダレが抑制される。 Therefore, in the flux containing the thixotropic agent composed of the cyclic amide compound and the acyclic amide compound, the excessive precipitation of the thixotropic agent is suppressed and the thixotropic property is excellent as compared with the thixotropic agent composed of the cyclic amide compound. Further, the solder paste composed of a flux containing a thixo agent composed of a cyclic amide compound and a non-cyclic amide compound and a metal powder is excellent in printability, suppresses printing sagging, and further suppresses heating sagging.
環状アミド化合物と非環状アミド化合物は、カルボン酸の数をn、アミンの数をnとしたとき、[n+n]型と表される。環状アミド化合物は、[1+1]型から[n+n]型が構築されるが、好ましくは、[1+1]型〜[3+3]型、特に好ましくは[2+2]型である。図5は、ジカルボン酸とジアミンが環状に重縮合した[2+2]型の一例であり、環状アミド化合物は、ジカルボン酸とジアミンが環状に重縮合した[2+2]型が好ましい。 Cyclic amide compounds and acyclic amide compounds are represented as [n + n] type when the number of carboxylic acids is n and the number of amines is n. The cyclic amide compound is constructed from the [1 + 1] type to the [n + n] type, preferably the [1 + 1] type to the [3 + 3] type, and particularly preferably the [2 + 2] type. FIG. 5 shows an example of a [2 + 2] type in which a dicarboxylic acid and a diamine are polycondensed cyclically, and the cyclic amide compound is preferably a [2 + 2] type in which a dicarboxylic acid and a diamine are polycondensed cyclically.
なお、環状アミド化合物は、トリカルボン酸とジアミンが環状に重縮合し、トリカルボン酸の官能基の1つが他の化合物と未結合なフリーの状態となっている[2+2]型、トリカルボン酸とジアミンが環状に重縮合してかご型構造をなす[2+3]型、ジカルボン酸とトリアミンが環状に重縮合してかご型構造をなす[3+2]型等も含まれる。 The cyclic amide compound is a [2 + 2] type in which tricarboxylic acid and diamine are polycondensed cyclically and one of the functional groups of the tricarboxylic acid is unbonded to another compound, and tricarboxylic acid and diamine are contained. Also included are the [2 + 3] type, which is polycondensed cyclically to form a cage-type structure, and the [3 + 2] type, in which dicarboxylic acid and triamine are polycondensed cyclically to form a cage-type structure.
これにより、環状アミド化合物は、ジカルボン酸とジアミンが環状に重縮合したアミドオリゴマー、トリカルボン酸とジアミンが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸とトリアミンが環状に重縮合したアミドオリゴマー、トリカルボン酸とトリアミンが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸及びトリカルボン酸とジアミンが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸及びトリカルボン酸とトリアミンが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸とジアミン及びトリアミンが環状に重縮合したアミドオリゴマー、トリカルボン酸とジアミン及びトリアミンが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸及びトリカルボン酸とジアミン及びトリアミンが環状に重縮合したアミドオリゴマーの何れでもよい。 As a result, the cyclic amide compound includes an amide oligomer in which dicarboxylic acid and diamine are cyclically polycondensed, an amide oligomer in which tricarboxylic acid and diamine are cyclically polycondensed, an amide oligomer in which dicarboxylic acid and triamine are cyclically polycondensed, and tricarboxylic acid. An amide oligomer in which triamine is cyclically polycondensed, an amide oligomer in which dicarboxylic acid and tricarboxylic acid and diamine are cyclically polycondensed, an amide oligomer in which dicarboxylic acid and tricarboxylic acid and triamine are cyclically polycondensed, and a dicarboxylic acid and diamine and triamine are cyclic. It may be any of an amide oligomer polycondensed with, an amide oligomer obtained by cyclically polycondensing tricarboxylic acid, diamine and triamine, and an amide oligomer obtained by cyclically polycondensing dicarboxylic acid and tricarboxylic acid with diamine and triamine.
また、非環状アミド化合物は、モノカルボン酸とジアミン及び/またはトリアミンが非環状に重縮合したアミド化合物である場合、ジカルボン酸及び/またはトリカルボン酸とモノアミンが非環状に重縮合したアミド化合物である場合等、モノカルボン酸またはモノアミンを含むアミド化合物であると、モノカルボン酸、モノアミンがターミナル分子(terminal molecules)として機能し、分子量を小さくした非環状アミドオリゴマーとなる。また、非環状アミド化合物は、ジカルボン酸及び/またはトリカルボン酸と、ジアミン及び/またはトリアミンが非環状に重縮合したアミド化合部である場合、非環状高分子系アミドポリマーとなる。更に、非環状アミド化合物は、モノカルボン酸とモノアミンが非環状に縮合したアミド化合物も含まれる。 Further, the acyclic amide compound is an amide compound in which a dicarboxylic acid and / or a tricarboxylic acid and a monoamine are acyclically polycondensed when the monocarboxylic acid and diamine and / or triamine are acyclically polycondensed. In some cases, for example, in the case of an amide compound containing a monocarboxylic acid or a monoamine, the monocarboxylic acid and the monoamine function as terminal molecules to form an acyclic amide oligomer having a reduced molecular weight. Further, the acyclic amide compound is an acyclic polymer-based amide polymer when it is an amidation site in which a dicarboxylic acid and / or a tricarboxylic acid and a diamine and / or a triamine are polycondensed in an acyclic manner. Further, the acyclic amide compound also includes an amide compound in which a monocarboxylic acid and a monoamine are acyclically condensed.
以下に、モノカルボン酸とモノアミンが非環状に縮合したアミド化合物がネットワークを形成できる理由を説明する。 The reason why an amide compound in which a monocarboxylic acid and a monoamine are acyclically condensed can form a network will be described below.
図7は、モノカルボン酸の分子構造の概要を示す模式図、図8は、モノアミンの分子構造の概要を示す模式図、図9は、モノカルボン酸とモノアミンが縮合した非環状アミド化合物の分子構造の概要を示す模式図である。 FIG. 7 is a schematic diagram showing an outline of the molecular structure of monocarboxylic acid, FIG. 8 is a schematic diagram showing an outline of the molecular structure of monoamine, and FIG. 9 is a molecule of an acyclic amide compound in which monocarboxylic acid and monoamine are condensed. It is a schematic diagram which shows the outline of the structure.
図7に示すモノカルボン酸のカルボキシル基(COOH)と、図8に示すモノアミンのアミノ基(NH2)が縮合によりアミド結合することで、図9に示す非環状アミド化合物が形成される。また、非環状アミド化合物のアミド基C(=O)−NHの水素(H)と酸素(O)が、分子間で水素結合することでつながる。非環状アミド化合物の分子内のアミド結合箇所を(A)で示し、非環状アミド化合物の分子間の水素結合箇所を(B)で示す。 The carboxyl group (COOH) of the monocarboxylic acid shown in FIG. 7 and the amino group (NH 2 ) of the monoamine shown in FIG. 8 are amide-bonded by condensation to form the acyclic amide compound shown in FIG. Further, hydrogen (H) and oxygen (O) of the amide group C (= O) -NH of the acyclic amide compound are connected by hydrogen bonding between the molecules. The intramolecular amide bond site of the acyclic amide compound is indicated by (A), and the intermolecular hydrogen bond site of the acyclic amide compound is indicated by (B).
このように、分子内に1つのアミド基を持つモノアミド(モノアマイド)は、水素結合によりつながっていく。この水素結合によるモノアミドの集合体は超分子として取り扱われる。超分子とは、水素結合、疎水性相互作用等の非共有結合性の相互作用から構築された分子の集合体を指す。水素結合は強い相互作用を示し、安定した構造となる。 In this way, monoamides (monoamides) having one amide group in the molecule are connected by hydrogen bonds. The aggregate of monoamides formed by hydrogen bonds is treated as a supramolecular. Supramolecules refer to aggregates of molecules constructed from non-covalent interactions such as hydrogen bonds and hydrophobic interactions. Hydrogen bonds show strong interaction and have a stable structure.
モノカルボン酸とモノアミンが縮合したモノアミドである非環状アミド化合物は、アミド結合に由来する水素結合による相互作用でつながり、加えて、水素結合による相互作用でつながった分子鎖、とりわけ、主鎖のアミド結合に由来する水素結合や、側鎖による疎水性相互作用等による分子鎖間の相互作用によって架橋部位を形成し3次元ネットワークへと成長する。 Acyclic amide compounds, which are monoamides in which monocarboxylic acids and monoamines are condensed, are linked by hydrogen bond-derived interaction with amide bonds, and in addition, molecular chains linked by hydrogen bond interactions, especially main chain amides. A hydrogen bond derived from the bond and an interaction between molecular chains due to a hydrophobic interaction by a side chain or the like form a bridging site and grow into a three-dimensional network.
以上のように、モノカルボン酸とモノアミンが縮合した非環状アミド化合物は、アミド基を1つしか持たないものの、水素結合による非共有性相互作用により結合することで、ネットワークを形成できることが判る。 As described above, although the acyclic amide compound obtained by condensing a monocarboxylic acid and a monoamine has only one amide group, it can be seen that a network can be formed by binding by a non-covalent interaction by a hydrogen bond.
なお、チキソ剤として含有する環状アミド化合物は、ジカルボン酸及び/またはトリカルボン酸と、ジアミン及び/またはトリアミンが環状に重縮合したアミド化合物で、アミド基を2つ以上持つ。 The cyclic amide compound contained as a thixo agent is an amide compound in which a dicarboxylic acid and / or a tricarboxylic acid and a diamine and / or a triamine are cyclically polycondensed, and has two or more amide groups.
これにより、環状アミド化合物がチキソ剤に加わることで、水素結合による相互作用でつながったモノアミドの集合体である非環状アミド化合物が、環状アミド化合物を介してつながる。 As a result, when the cyclic amide compound is added to the thixo agent, the non-cyclic amide compound, which is an aggregate of monoamides connected by the interaction by hydrogen bonds, is connected via the cyclic amide compound.
チキソ剤が環状アミド化合物と非環状アミド化合物を含むフラックスを用いたソルダペーストでは、環状アミド化合物と非環状アミド化合物がネットワークを形成することで、チキソ性が付与されると考えられる。 In the solder paste using a flux in which the thixotropy contains a cyclic amide compound and a non-cyclic amide compound, it is considered that thixotropic property is imparted by forming a network of the cyclic amide compound and the acyclic amide compound.
しかし、環状アミド化合物と非環状アミド化合物の含有量が過少であると、十分なネットワークが形成できないため、チキソ性が付与されない。 However, if the contents of the cyclic amide compound and the non-cyclic amide compound are too small, a sufficient network cannot be formed, so that thixotropic property is not imparted.
一方、環状アミド化合物を含まない、または、環状アミド化合物の含有量が本願発明で規定される量より少ないチキソ剤では、非環状アミド化合物が過剰になると、非環状アミド化合物の分子内、分子間で過度に相互作用してしまい、凝集・析出が発生しやすくなる。 On the other hand, in the case of a thixo agent which does not contain a cyclic amide compound or whose content of the cyclic amide compound is less than the amount specified in the present invention, when the acyclic amide compound becomes excessive, the acyclic amide compound is intramolecular or intermolecular. Excessively interacts with each other, and aggregation and precipitation are likely to occur.
これにより、フラックスとしてのレオロジー特性が損なわれる(結晶析出による印刷性が悪い)ことや、凝集体が形成されていない部分でチキソ剤密度が少なく、実質的に上記のようなチキソ剤不足の状態となり効果を発揮できなくなると考えられる。 As a result, the rheological characteristics of the flux are impaired (printability is poor due to crystal precipitation), and the thixotropic agent density is low in the portion where the aggregate is not formed, so that the thixotropic agent is substantially insufficient as described above. It is thought that it will not be effective.
これに対して、ジカルボン酸及び/またはトリカルボン酸と、ジアミン及び/またはトリアミンが環状に重縮合した環状アミド化合物と、モノカルボン酸、ジカルボン酸及び/またはトリカルボン酸と、モノアミン、ジアミン及び/またはトリアミンが非環状に縮合した非環状アミド化合物を、本願発明で規定される含有量で併用することにより、環状アミド化合物で非環状アミド化合物を非共有結合性の相互作用にて架橋し、比較的均一なチキソ剤成分のネットワークを構築して、過度のチキソ剤析出を抑制することができる。この環状アミド化合物と非環状アミド化合物を併用することによる効果は、環状アミド化合物と非環状アミド化合物の含有量が本願発明で規定される範囲であれば、非環状アミド化合物の分子量が3000以下でも、3000超でも発揮される。 On the other hand, a cyclic amide compound obtained by cyclically polycondensing dicarboxylic acid and / or tricarboxylic acid, diamine and / or triamine, monocarboxylic acid, dicarboxylic acid and / or tricarboxylic acid, monoamine, diamine and / or triamine. By using the acyclic amide compound condensed in an acyclic manner at the content specified in the present invention, the acyclic amide compound is crosslinked with the cyclic amide compound by a non-covalent interaction, and is relatively uniform. It is possible to construct a network of various tide agent components and suppress excessive tide agent precipitation. The effect of using the cyclic amide compound and the acyclic amide compound in combination is as long as the content of the cyclic amide compound and the acyclic amide compound is within the range specified in the present invention, even if the molecular weight of the acyclic amide compound is 3000 or less. It can be demonstrated even over 3000.
また、非環状アミド化合物は、ジカルボン酸及び/またはトリカルボン酸のカルボキシル基の合計モル数と、ジアミン及び/またはトリアミンのアミノ基の合計モル数の比が1:1であれば、分子量が最大になる。これに対し、ジカルボン酸及び/またはトリカルボン酸のカルボキシル基の合計モル数と、ジアミン及び/またはトリアミンのアミノ基の合計モル数の比が1:mまたはm:1(m>1)であれば、分子量を小さくした非環状アミドオリゴマーとなる。好ましくは1:2〜2:1である。 Further, the acyclic amide compound has the maximum molecular weight when the ratio of the total number of moles of the carboxyl groups of the dicarboxylic acid and / or the tricarboxylic acid to the total number of moles of the amino groups of the diamine and / or the triamine is 1: 1. Become. On the other hand, if the ratio of the total number of moles of the carboxyl groups of the dicarboxylic acid and / or the tricarboxylic acid to the total number of moles of the amino groups of the diamine and / or the triamine is 1: m or m: 1 (m> 1). , It becomes an acyclic amide oligomer with a reduced molecular weight. It is preferably 1: 2 to 2: 1.
環状アミド化合物は、ジカルボン酸及びトリカルボン酸の炭素数が3以上10以下であり、ジカルボン酸及びトリカルボン酸の炭素数が6以上10以下であることがより好ましい。 The cyclic amide compound preferably has a dicarboxylic acid and a tricarboxylic acid having a carbon number of 3 or more and 10 or less, and the dicarboxylic acid and the tricarboxylic acid having a carbon number of 6 or more and 10 or less.
また、環状アミド化合物は、ジアミン及びトリアミンの炭素数が2以上54以下であり、ジアミン及びトリアミンの炭素数が6であることがより好ましい。 Further, the cyclic amide compound preferably has 2 or more and 54 or less carbon atoms of diamine and triamine, and 6 carbon atoms of diamine and triamine.
更に、非環状アミド化合物は、モノカルボン酸、ジカルボン酸及びトリカルボン酸の炭素数が2以上28以下であることが好ましく、モノカルボン酸、ジカルボン酸及びトリカルボン酸の炭素数は、より好ましくは2以上18以下、更に好ましくは2以上10以下、より更に好ましくは6以上10以下である。非環状アミド化合物は、モノアミン、ジアミン及びトリアミンの炭素数が0以上54以下であることが好ましく、モノアミン、ジアミン及びトリアミンの炭素数は、より好ましくは0以上18以下、更に好ましくは0以上10以下、より更に好ましくは6以上10以下である。 Further, the acyclic amide compound preferably has 2 or more and 28 or less carbon atoms of the monocarboxylic acid, dicarboxylic acid and tricarboxylic acid, and more preferably 2 or more carbon atoms of the monocarboxylic acid, dicarboxylic acid and tricarboxylic acid. It is 18 or less, more preferably 2 or more and 10 or less, and even more preferably 6 or more and 10 or less. The acyclic amide compound preferably has a monoamine, diamine, and triamine having 0 or more and 54 or less carbon atoms, and the monoamine, diamine, and triamine have more preferably 0 or more and 18 or less carbon atoms, and further preferably 0 or more and 10 or less carbon atoms. , More preferably 6 or more and 10 or less.
環状アミド化合物、非環状アミド化合物におけるジカルボン酸は、炭素数が6のアジピン酸、炭素数が10のセバシン酸等が挙げられる。 Examples of the dicarboxylic acid in the cyclic amide compound and the non-cyclic amide compound include adipic acid having 6 carbon atoms and sebacic acid having 10 carbon atoms.
また、環状アミド化合物、非環状アミド化合物におけるジカルボン酸は、炭素数3のマロン酸、炭素数4のコハク酸、炭素数5のグルタル酸、炭素数7のピメリン酸、炭素数8のスベリン酸、炭素数9のアゼライン酸、炭素数8のシクロヘキサンジカルボン酸等の脂肪族ジカルボン酸、及び、炭素数6のフタル酸、炭素数6のテレフタル酸等の芳香族ジカルボン酸が挙げられる。 The dicarboxylic acids in the cyclic amide compound and the non-cyclic amide compound are malonic acid having 3 carbon atoms, succinic acid having 4 carbon atoms, glutaric acid having 5 carbon atoms, pimelic acid having 7 carbon atoms, and suberic acid having 8 carbon atoms. Examples thereof include aliphatic dicarboxylic acids such as azelaic acid having 9 carbon atoms and cyclohexanedicarboxylic acid having 8 carbon atoms, and aromatic dicarboxylic acids such as phthalic acid having 6 carbon atoms and terephthalic acid having 6 carbon atoms.
更に、環状アミド化合物、非環状アミド化合物におけるトリカルボン酸は、炭素数9のシクロヘキサントリカルボン酸、炭素数9のベンゼントリカルボン酸等が挙げられる。 Further, examples of the tricarboxylic acid in the cyclic amide compound and the non-cyclic amide compound include cyclohexanetricarboxylic acid having 9 carbon atoms and benzenetricarboxylic acid having 9 carbon atoms.
また、非環状アミド化合物におけるモノカルボン酸は、炭素数2の酢酸、炭素数16のパルミチン酸、炭素数18のステアリン酸、炭素数18の12−ヒドロキシステアリン酸、炭素数22のベヘン酸、炭素数28のモンタン酸等が挙げられる。 The monocarboxylic acid in the acyclic amide compound is acetic acid having 2 carbon atoms, palmitic acid having 16 carbon atoms, stearic acid having 18 carbon atoms, 12-hydroxystearic acid having 18 carbon atoms, behenic acid having 22 carbon atoms, and carbon. The number 28, such as montanic acid, can be mentioned.
環状アミド化合物、非環状アミド化合物におけるジアミンは、1,6−ヘキサンジアミン等が挙げられる。 Examples of the diamine in the cyclic amide compound and the non-cyclic amide compound include 1,6-hexanediamine.
また、環状アミド化合物、非環状アミド化合物におけるジアミンは、炭素数2のエチレンジアミン、炭素数3の1,3−ジアミノプロパン、炭素数4の1,4−ジアミノブタン、炭素数36のダイマージアミン、炭素数6のフェニレンジアミン、炭素数8のメタキシリレンジアミン、炭素数8のパラキシリレンジアミン、炭素数8の2,4−ジアミノトルエン等が挙げられる。 The diamines in the cyclic amide compound and the non-cyclic amide compound are ethylene diamine having 2 carbon atoms, 1,3-diaminopropane having 3 carbon atoms, 1,4-diaminobutane having 4 carbon atoms, dimer diamine having 36 carbon atoms, and carbon. Examples thereof include phenylenediamine having a number of 6, metaxylylenediamine having 8 carbon atoms, paraxylylenediamine having 8 carbon atoms, and 2,4-diaminotoluene having 8 carbon atoms.
更に、環状アミド化合物、非環状アミド化合物におけるトリアミンは、炭素数6のトリアミノシクロヘキサン、炭素数54のトリマートリアミン等が挙げられる。 Further, examples of the triamine in the cyclic amide compound and the non-cyclic amide compound include triaminocyclohexane having 6 carbon atoms and trimer triamine having 54 carbon atoms.
また、非環状アミド化合物におけるモノアミンは、炭素数0のアンモニア、炭素数2のエチルアミン、炭素数6のヘキシルアミン、炭素数8のオクチルアミン、炭素数18のステアリルアミン等が挙げられる。 Examples of the monoamine in the acyclic amide compound include ammonia having 0 carbon atoms, ethylamine having 2 carbon atoms, hexylamine having 6 carbon atoms, octylamine having 8 carbon atoms, and stearylamine having 18 carbon atoms.
モノカルボン酸とモノアミンが縮合した[1+1]型の非環状アミド化合物としては、ステアリン酸アミド(分子量283.49)、p−トルアミド(分子量135.17)等が挙げられる。また、モノカルボン酸とジアミンが縮合した[1+1]型の非環状アミド化合物としては、エチレンジアミンモノステアリン酸アミド(分子量326.56)等が挙げられる。 Examples of the [1 + 1] type acyclic amide compound obtained by condensing a monocarboxylic acid and a monoamine include stearic acid amide (molecular weight 283.49) and p-toluamide (molecular weight 135.17). Further, examples of the [1 + 1] type acyclic amide compound obtained by condensing monocarboxylic acid and diamine include ethylenediamine monostearic acid amide (molecular weight 326.56).
モノカルボン酸とジアミンが縮合した[2+1]型の非環状アミド化合物としては、エチレンジアミンビスステアリン酸アミド(分子量593.02)、エチレンジアミンビスパルミチン酸アミド(分子量536.9)、メタキシリレンジアミンビスステアリン酸アミド(分子量669.11)等が挙げられる。 Examples of the [2 + 1] type acyclic amide compound obtained by condensing a monocarboxylic acid and a diamine include ethylenediamine bisstearic acid amide (molecular weight 593.02), ethylenediamine bispalmitic acid amide (molecular weight 536.9), and m-xylylenediamine bisstearate. Acid amide (molecular weight 669.11) and the like can be mentioned.
ジカルボン酸とモノアミンが縮合した[1+2]型の非環状アミド化合物としては、コハク酸ビスステアリルアミド(分子量621.07)、アジピン酸ビスステアリルアミド(分子量649.12)、セバシン酸ビスステアリルアミド(分子量705.27)等が挙げられる。 Examples of the [1 + 2] type acyclic amide compound obtained by condensing a dicarboxylic acid and a monoamine include succinate bisstearylamide (molecular weight 621.07), adipic acid bisstearylamide (molecular weight 649.12), and sebacic acid bisstearylamide (molecular weight). 705.27) and the like.
なお、非環状アミド化合物は、ラクタムを開環重合したものでも置換でき、例えば、ε−カプロラクタムを開環重合した6−ナイロン、ラウリルラクタムを開環重合した12−ナイロン等が挙げられる。 The acyclic amide compound can be substituted by ring-opening polymerization of lactam, and examples thereof include 6-nylon obtained by ring-opening polymerization of ε-caprolactam and 12-nylon obtained by ring-opening polymerization of lauryl lactam.
本実施の形態のフラックスは、チキソ剤として上述した環状アミド化合物を0.1wt%以上8.0wt%以下、より好ましくは、環状アミド化合物を0.1wt%以上1.5wt%以下、非環状アミド化合物を0.5wt%以上8.0wt%以下、より好ましくは、非環状アミド化合物を0.5wt%以上4.0wt%以下含み、かつ、環状アミド化合物と非環状アミド化合物の合計が1.5wt%以上10.0wt%以下である。 The flux of the present embodiment contains the above-mentioned cyclic amide compound as a thixo agent in an amount of 0.1 wt% or more and 8.0 wt% or less, more preferably 0.1 wt% or more and 1.5 wt% or less in an acyclic amide compound. The compound is 0.5 wt% or more and 8.0 wt% or less, more preferably 0.5 wt% or more and 4.0 wt% or less of the acyclic amide compound, and the total of the cyclic amide compound and the acyclic amide compound is 1.5 wt%. % Or more and 10.0 wt% or less.
環状アミド化合物の量が0.1wt%未満であると、チキソ性が悪くなる。また、印刷ダレ、加熱ダレを抑制できない。一方、環状アミド化合物の量が8.0wt%超であると、アミド系チキソ剤の合計量が多くなることで、フラックス中で析出が発生し、印刷性が悪くなる。 If the amount of the cyclic amide compound is less than 0.1 wt%, the thixotropic property deteriorates. In addition, printing sagging and heating sagging cannot be suppressed. On the other hand, when the amount of the cyclic amide compound is more than 8.0 wt%, the total amount of the amide thixotropy increases, so that precipitation occurs in the flux and the printability deteriorates.
また、本実施の形態のフラックスは、チキソ剤としてエステル化合物を含むことが好ましく、エステル化合物を0wt%以上8.0wt%以下、より好ましくは、エステル化合物を0wt%以上4.0wt%以下含む。
エステル化合物としては、例えば、ヒマシ硬化油等が挙げられる。
The flux of the present embodiment preferably contains an ester compound as a thixotropy, and contains 0 wt% or more and 8.0 wt% or less of the ester compound, and more preferably 0 wt% or more and 4.0 wt% or less of the ester compound.
Examples of the ester compound include hydrogenated castor oil and the like.
本実施の形態のフラックスは、特定活性剤として、下記一般式(1)で表される化合物を含有する。 The flux of the present embodiment contains a compound represented by the following general formula (1) as a specific activator.
前記一般式(1)において、R1、R2、R3およびR4は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を示す。炭素数1〜4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、シクロブチル基が挙げられる。中でも、R1、R2、R3およびR4は、水素原子、メチル基、エチル基、シクロプロピル基であることが好ましく、水素原子、メチル基であることがより好ましく、水素原子であることが特に好ましい。R1、R2、R3およびR4は、同一でもよいし、異なっていてもよい。 In the general formula (1), R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a cyclopropyl group, a butyl group and a cyclobutyl group. Among them, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are preferably a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group and a cyclopropyl group, more preferably a hydrogen atom and a methyl group, and are hydrogen atoms. Is particularly preferable. R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may be the same or different.
前記一般式(1)で表される化合物としては、ピコリン酸、6−メチルピコリン酸、6−エチルピコリン酸、3−シクロプロピルピコリン酸、4−シクロプロピルピコリン酸、6−シクロプロピルピコリン酸、5−ブチルピコリン酸、6−シクロブチルピコリン酸などが挙げられる。これらの中でも、ピコリン酸が特に好ましい。
一般式(1)で表される化合物は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
Examples of the compound represented by the general formula (1) include picolinic acid, 6-methylpicolinic acid, 6-ethylpicolinic acid, 3-cyclopropylpicolinic acid, 4-cyclopropylpicolinic acid, and 6-cyclopropylpicolinic acid. Examples thereof include 5-butylpicolinic acid and 6-cyclobutylpicolinic acid. Of these, picolinic acid is particularly preferred.
As the compound represented by the general formula (1), one type may be used alone, or two or more types may be mixed and used.
本実施の形態のフラックスは、一般式(1)で表される化合物を0.5wt%以上7wt%以下含むことが好ましく、より好ましくは、一般式(1)で表される化合物を1.0wt%以上5.0wt%以下含む。 The flux of the present embodiment preferably contains 0.5 wt% or more and 7 wt% or less of the compound represented by the general formula (1), and more preferably 1.0 wt% of the compound represented by the general formula (1). Includes% or more and 5.0 wt% or less.
ロジンとしては、例えば、ガムロジン、ウッドロジン及びトール油ロジン等の原料ロジン、並びに該原料ロジンから得られる誘導体が挙げられる。該誘導体としては、例えば、精製ロジン、水添ロジン、不均化ロジン、重合ロジン、酸変性ロジン、フェノール変性ロジン及びα,β不飽和カルボン酸変性物(アクリル化ロジン、マレイン化ロジン、フマル化ロジン等)、並びに該重合ロジンの精製物、水素化物及び不均化物、並びに該α,β不飽和カルボン酸変性物の精製物、水素化物及び不均化物等が挙げられ、これらの1種または2種以上を使用することができる。 Examples of the rosin include raw material rosins such as gum rosin, wood rosin and tall oil rosin, and derivatives obtained from the raw material rosin. Examples of the derivative include purified rosin, hydrogenated rosin, disproportionated rosin, polymerized rosin, acid-modified rosin, phenol-modified rosin and α, β-unsaturated carboxylic acid-modified products (acrylicized rosin, maleated rosin, and fumarized products). (Rosin, etc.), and purified products, hydrides and disproportionated products of the polymerized rosin, and purified products, hydrides and disproportionated products of the α, β unsaturated carboxylic acid modified products, and one of them or Two or more types can be used.
本実施の形態のフラックスは、ロジンを30wt%以上60wt%以下含むことが好ましく、より好ましくは、ロジンを35wt%以上60wt%以下含む。 The flux of the present embodiment preferably contains rosin in an amount of 30 wt% or more and 60 wt% or less, and more preferably contains rosin in an amount of 35 wt% or more and 60 wt% or less.
溶剤としては、水、アルコール系溶剤、グリコールエーテル系溶剤、テルピネオール類等が挙げられる。アルコール系溶剤としてはイソプロピルアルコール、1,2−ブタンジオール、イソボルニルシクロヘキサノール、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオール、2,2−ジメチル−1,3−プロパンジオール、2,5−ジメチル−2,5−ヘキサンジオール、2,5−ジメチル−3−ヘキシン−2,5−ジオール、2,3−ジメチル−2,3−ブタンジオール、1,1,1−トリス(ヒドロキシメチル)エタン、2−エチル−2−ヒドロキシメチル−1,3−プロパンジオール、2,2’−オキシビス(メチレン)ビス(2−エチル−1,3−プロパンジオール)、2,2−ビス(ヒドロキシメチル)−1,3−プロパンジオール、1,2,6−トリヒドロキシヘキサン、ビス[2,2,2−トリス(ヒドロキシメチル)エチル]エーテル、1−エチニル−1−シクロヘキサノール、1,4−シクロヘキサンジオール、1,4−シクロヘキサンジメタノール、エリトリトール、トレイトール、グアヤコールグリセロールエーテル、3,6−ジメチル−4−オクチン−3,6−ジオール、2,4,7,9−テトラメチル−5−デシン−4,7−ジオール等が挙げられる。グリコールエーテル系溶剤としては、ヘキシルジグリコール、ジエチレングリコールモノ−2−エチルヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、2−メチルペンタン−2,4−ジオール、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテル等が挙げられる。 Examples of the solvent include water, alcohol solvents, glycol ether solvents, terpineols and the like. As alcohol-based solvents, isopropyl alcohol, 1,2-butanediol, isobornylcyclohexanol, 2,4-diethyl-1,5-pentanediol, 2,2-dimethyl-1,3-propanediol, 2,5 -Diol-2,5-hexanediol, 2,5-dimethyl-3-hexine-2,5-diol, 2,3-dimethyl-2,3-butanediol, 1,1,1-tris (hydroxymethyl) Ethan, 2-ethyl-2-hydroxymethyl-1,3-propanediol, 2,2'-oxybis (methylene) bis (2-ethyl-1,3-propanediol), 2,2-bis (hydroxymethyl) -1,3-propanediol, 1,2,6-trihydroxyhexane, bis [2,2,2-tris (hydroxymethyl) ethyl] ether, 1-ethynyl-1-cyclohexanol, 1,4-cyclohexanediol , 1,4-Cyclohexanedimethanol, erythritol, treitol, guayacol glycerol ether, 3,6-dimethyl-4-octin-3,6-diol, 2,4,7,9-tetramethyl-5-decine-4 , 7-diol and the like. Glycol ether-based solvents include hexyl diglycol, diethylene glycol mono-2-ethylhexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, 2-methylpentane-2,4-diol, diethylene glycol monohexyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, and triethylene glycol monobutyl ether. , Tetraethylene glycol monomethyl ether and the like.
本実施の形態のフラックスは、さらに、有機酸(一般式(1)で表される化合物を除く)、アミン、ハロゲン(有機ハロゲン化合物、アミンハロゲン化水素酸塩)を含んでもよい。本実施の形態のフラックスは、有機酸を0wt%以上10wt%以下含むことが好ましい。本実施の形態のフラックスは、アミンを0wt%以上20wt%以下含むことが好ましく、より好ましくは、アミンを0wt%以上5wt%以下含む。本実施の形態のフラックスは、ハロゲンとして有機ハロゲン化合物を0wt%以上5wt%以下含むことが好ましく、アミンハロゲン化水素酸塩を0wt%以上2wt%以下含むことが好ましい。 The flux of the present embodiment may further contain an organic acid (excluding the compound represented by the general formula (1)), an amine, and a halogen (organic halogen compound, amine hydrohalide). The flux of the present embodiment preferably contains 0 wt% or more and 10 wt% or less of the organic acid. The flux of the present embodiment preferably contains 0 wt% or more and 20 wt% or less of amine, and more preferably contains 0 wt% or more and 5 wt% or less of amine. The flux of the present embodiment preferably contains 0 wt% or more and 5 wt% or less of an organic halogen compound as a halogen, and preferably contains 0 wt% or more and 2 wt% or less of an amine hydrogen halide.
有機酸(一般式(1)で表される化合物を除く)としては、グルタル酸、アジピン酸、アゼライン酸、エイコサン二酸、クエン酸、グリコール酸、コハク酸、サリチル酸、ジグリコール酸、ジピコリン酸、ジブチルアニリンジグリコール酸、スベリン酸、セバシン酸、チオグリコール酸、テレフタル酸、ドデカン二酸、パラヒドロキシフェニル酢酸、フェニルコハク酸、フタル酸、フマル酸、マレイン酸、マロン酸、ラウリン酸、安息香酸、酒石酸、イソシアヌル酸トリス(2−カルボキシエチル)、グリシン、1,3−シクロヘキサンジカルボン酸、2,2−ビス(ヒドロキシメチル)プロピオン酸、2,2−ビス(ヒドロキシメチル)ブタン酸、2,3−ジヒドロキシ安息香酸、2,4−ジエチルグルタル酸、2−キノリンカルボン酸、3−ヒドロキシ安息香酸、リンゴ酸、p−アニス酸、ステアリン酸、12−ヒドロキシステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸等が挙げられる。 Organic acids (excluding compounds represented by the general formula (1)) include glutaric acid, adipic acid, azelaic acid, eicosandioic acid, citric acid, glycolic acid, succinic acid, salicylic acid, diglycolic acid, dipicolinic acid, Dibutylaniline diglycolic acid, suberic acid, sebacic acid, thioglycolic acid, terephthalic acid, dodecanedioic acid, parahydroxyphenylacetic acid, phenylsuccinic acid, phthalic acid, fumaric acid, maleic acid, malonic acid, lauric acid, benzoic acid, Tartrate acid, tris isocyanurate (2-carboxyethyl), glycine, 1,3-cyclohexanedicarboxylic acid, 2,2-bis (hydroxymethyl) propionic acid, 2,2-bis (hydroxymethyl) butanoic acid, 2,3- Dihydroxybenzoic acid, 2,4-diethylglutaric acid, 2-quinolinecarboxylic acid, 3-hydroxybenzoic acid, malic acid, p-anisic acid, stearic acid, 12-hydroxystearic acid, oleic acid, linoleic acid, linolenic acid, etc. Can be mentioned.
また、有機酸としては、ダイマー酸、トリマー酸、ダイマー酸に水素を添加した水添物である水添ダイマー酸、トリマー酸に水素を添加した水添物である水添トリマー酸が挙げられる。 Examples of the organic acid include dimer acid, trimer acid, hydrogenated dimer acid which is a hydrogenated product obtained by adding hydrogen to dimer acid, and hydrogenated trimer acid which is a hydrogenated product obtained by adding hydrogen to trimer acid.
例えば、オレイン酸とリノール酸の反応物であるダイマー酸、オレイン酸とリノール酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸の反応物であるダイマー酸、アクリル酸の反応物であるトリマー酸、メタクリル酸の反応物であるダイマー酸、メタクリル酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸とメタクリル酸の反応物であるダイマー酸、アクリル酸とメタクリル酸の反応物であるトリマー酸、オレイン酸の反応物であるダイマー酸、オレイン酸の反応物であるトリマー酸、リノール酸の反応物であるダイマー酸、リノール酸の反応物であるトリマー酸、リノレン酸の反応物であるダイマー酸、リノレン酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸とオレイン酸の反応物であるダイマー酸、アクリル酸とオレイン酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸とリノール酸の反応物であるダイマー酸、アクリル酸とリノール酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸とリノレン酸の反応物であるダイマー酸、アクリル酸とリノレン酸の反応物であるトリマー酸、メタクリル酸とオレイン酸の反応物であるダイマー酸、メタクリル酸とオレイン酸の反応物であるトリマー酸、メタクリル酸とリノール酸の反応物であるダイマー酸、メタクリル酸とリノール酸の反応物であるトリマー酸、メタクリル酸とリノレン酸の反応物であるダイマー酸、メタクリル酸とリノレン酸の反応物であるトリマー酸、オレイン酸とリノレン酸の反応物であるダイマー酸、オレイン酸とリノレン酸の反応物であるトリマー酸、リノール酸とリノレン酸の反応物であるダイマー酸、リノール酸とリノレン酸の反応物であるトリマー酸、上述した各ダイマー酸の水添物である水添ダイマー酸、上述した各トリマー酸の水添物である水添トリマー酸等が挙げられる。 For example, dimer acid which is a reaction product of oleic acid and linoleic acid, trimer acid which is a reaction product of oleic acid and linoleic acid, dimer acid which is a reaction product of acrylic acid, trimer acid which is a reaction product of acrylic acid, and methacrylic acid. Dimeric acid, which is a reaction product of, trimeric acid, which is a reaction product of methacrylic acid, dimer acid, which is a reaction product of acrylic acid and methacrylic acid, trimer acid, which is a reaction product of acrylic acid and methacrylic acid, and oleic acid, which is a reaction product of oleic acid. A certain dimer acid, a reaction product of oleic acid, trimer acid, a reaction product of linoleic acid, dimer acid, a reaction product of linoleic acid, trimer acid, a reaction product of linolenic acid, dimer acid, a reaction product of linolenic acid. A certain trimer acid, dimer acid which is a reaction product of acrylic acid and oleic acid, trimer acid which is a reaction product of acrylic acid and oleic acid, dimer acid which is a reaction product of acrylic acid and linoleic acid, reaction of acrylic acid and linoleic acid Trimmeric acid, which is a reaction product of acrylic acid and linolenic acid, dimer acid, which is a reaction product of acrylic acid and linolenic acid, trimeric acid, which is a reaction product of acrylic acid and linolenic acid, dimer acid, which is a reaction product of methacrylic acid and oleic acid, and methacrylic acid and oleic acid. Trimeric acid, which is a reaction product of methacrylic acid, dimer acid, which is a reaction product of methacrylic acid and linoleic acid, trimeric acid, which is a reaction product of methacrylic acid and linoleic acid, dimer acid, which is a reaction product of methacrylic acid and linoleic acid, and methacrylic acid. Trimmer acid, which is a reaction product of linolenic acid, dimer acid, which is a reaction product of oleic acid and linolenic acid, trimeric acid, which is a reaction product of oleic acid and linolenic acid, dimer acid, which is a reaction product of linoleic acid and linolenic acid, linole. Examples thereof include trimeric acid, which is a reaction product of acid and oleic acid, hydrogenated dimer acid, which is a hydrogenated product of each of the above-mentioned dimer acids, and hydrogenated trimeric acid, which is a hydrogenated product of each of the above-mentioned trimeric acids.
アミンとしては、モノエタノールアミン、ジフェニルグアニジン、ジトリルグアニジン、エチルアミン、トリエチルアミン、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2,3−ジヒドロ−1H−ピロロ[1,2−a]ベンズイミダゾール、1−ドデシル−2−メチル−3−ベンジルイミダゾリウムクロライド、2−メチルイミダゾリン、2−フェニルイミダゾリン、2,4−ジアミノ−6−ビニル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−ビニル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−s−トリアジン、エポキシ−イミダゾールアダクト、2−メチルベンゾイミダゾール、2−オクチルベンゾイミダゾール、2−ペンチルベンゾイミダゾール、2−(1−エチルペンチル)ベンゾイミダゾール、2−ノニルベンゾイミダゾール、2−(4−チアゾリル)ベンゾイミダゾール、ベンゾイミダゾール、2−(2’−ヒドロキシ−5’−メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’−tert−ブチル−5’−メチルフェニル)−5−クロロベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’,5’−ジ−tert−アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−5’−tert−オクチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2,2’−メチレンビス[6−(2H−ベンゾトリアゾール−2−イル)−4−tert−オクチルフェノール]、6−(2−ベンゾトリアゾリル)−4−tert−オクチル−6’−tert−ブチル−4’−メチル−2,2’−メチレンビスフェノール、1,2,3−ベンゾトリアゾール、1−[N,N−ビス(2−エチルヘキシル)アミノメチル]ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、1−[N,N−ビス(2−エチルヘキシル)アミノメチル]メチルベンゾトリアゾール、2,2’−[[(メチル−1H−ベンゾトリアゾール−1−イル)メチル]イミノ]ビスエタノール、1−(1’,2’−ジカルボキシエチル)ベンゾトリアゾール、1−(2,3−ジカルボキシプロピル)ベンゾトリアゾール、1−[(2−エチルヘキシルアミノ)メチル]ベンゾトリアゾール、2,6−ビス[(1H−ベンゾトリアゾール−1−イル)メチル]−4−メチルフェノール、5−メチルベンゾトリアゾール、5−フェニルテトラゾール等が挙げられる。 Examples of amines include monoethanolamine, diphenylguanidine, ditrilguanidine, ethylamine, triethylamine, cyclohexylamine, ethylenediamine, triethylenetetramine, 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethyl. Imidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methyl Imidazole, 1-cyanoethyl-2-undecyl imidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecyl imidazolium trimerite, 1- Cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimeritate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'- Undecylimidazolyl- (1')] -ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine, 2, 4-Diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-Phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2- Methylimidazoline, 2-phenylimidazolin, 2,4-diamino-6-vinyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-vinyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2,4-diamino-6-methacryloyloxy Ethyl-s-triazine, epoxy-imidazole adduct, 2-methylbenzoimidazole, 2-octylbenzoimidazole, 2-pentylbenzoimidazole, 2- (1-ethylpentyl) benzoimidazole, 2-nonylbenzoimidazole, 2- (4) -Thiazolyl) benzoimidazole, benzoimidazole, 2- (2'-hydroxy-5'-methylphenyl) benzotriazole , 2- (2'-Hydroxy-3'-tert-butyl-5'-methylphenyl) -5-chlorobenzotriazole, 2- (2'-hydroxy-3', 5'-di-tert-amylphenyl) Benzotriazole, 2- (2'-hydroxy-5'-tert-octylphenyl) benzotriazole, 2,2'-methylenebis [6- (2H-benzotriazole-2-yl) -4-tert-octylphenol], 6 -(2-Benzotriazolyl) -4-tert-octyl-6'-tert-butyl-4'-methyl-2,2'-methylenebisphenol, 1,2,3-benzotriazole, 1- [N, N-bis (2-ethylhexyl) aminomethyl] benzotriazole, carboxybenzotriazole, 1- [N, N-bis (2-ethylhexyl) aminomethyl] methylbenzotriazole, 2,2'-[[(methyl-1H- Benzotriazole-1-yl) methyl] imino] bisethanol, 1- (1', 2'-dicarboxyethyl) benzotriazole, 1- (2,3-dicarboxypropyl) benzotriazole, 1-[(2-2-) Ethylhexylamino) methyl] benzotriazole, 2,6-bis [(1H-benzotriazole-1-yl) methyl] -4-methylphenol, 5-methylbenzotriazole, 5-phenyltetrazole and the like can be mentioned.
有機ハロゲン化合物としては、trans−2,3−ジブロモ−2−ブテン−1,4−ジオール、トリアリルイソシアヌレート6臭化物、1−ブロモ−2−ブタノール、1−ブロモ−2−プロパノール、3−ブロモ−1−プロパノール、3−ブロモ−1,2−プロパンジオール、1,4−ジブロモ−2−ブタノール、1,3−ジブロモ−2−プロパノール、2,3−ジブロモ−1−プロパノール、2,3−ジブロモ−1,4−ブタンジオール、2,3−ジブロモ−1,4−ブタンジオール、2,3−ジブロモ−2−ブテン−1,4−ジオール、イソシアヌル酸トリス(2,3−ジブロモプロピル)、無水クロレンド酸等が挙げられる。 Examples of the organic halogen compound include trans-2,3-dibromo-2-butane-1,4-diol, triallyl isocyanurate hexabromide, 1-bromo-2-butanol, 1-bromo-2-propanol and 3-bromo. -1-propanol, 3-bromo-1,2-propanediol, 1,4-dibromo-2-butanol, 1,3-dibromo-2-propanol, 2,3-dibromo-1-propanol, 2,3- Dibromo-1,4-butanediol, 2,3-dibromo-1,4-butanediol, 2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol, tris isocyanurate (2,3-dibromopropyl), Examples thereof include chlorendic anhydride.
アミンハロゲン化水素酸塩は、アミンとハロゲン化水素を反応させた化合物である。
アミンハロゲン化水素酸塩のアミンとしては、上述したアミンを用いることができ、エチルアミン、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、トリエチルアミン、ジフェニルグアニジン、ジトリルグアニジン、メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール等が挙げられる。ハロゲン化水素としては、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素の水素化物(塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素、フッ化水素)が挙げられる。また、アミンハロゲン化水素酸塩に代えて、あるいはアミンハロゲン化水素酸塩と合わせてホウフッ化物を含んでもよく、ホウフッ化物としてホウフッ化水素酸等が挙げられる。
アミンハロゲン化水素酸塩としては、アニリン塩化水素、シクロヘキシルアミン塩化水素、アニリン臭化水素、ジフェニルグアニジン臭化水素、ジトリルグアニジン臭化水素、エチルアミン臭化水素等が挙げられる。
Amine hydrohalide is a compound obtained by reacting amine with hydrogen halide.
As the amine of the amine hydrohalide, the above-mentioned amine can be used, and examples thereof include ethylamine, cyclohexylamine, ethylenediamine, triethylamine, diphenylguanidine, ditrilguanidine, methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole and the like. Be done. Examples of hydrogen halides include hydrides of chlorine, bromine, iodine and fluorine (hydrogen chloride, hydrogen bromide, hydrogen iodide, hydrogen fluoride). Further, borofluoride may be contained in place of the amine hydrohalide or in combination with the amine halide hydride, and examples of the borofluoride include borofluoric acid.
Examples of the amine hydrogen halide include aniline hydrogen chloride, cyclohexylamine hydrogen chloride, aniline hydrogen bromide, diphenylguanidine hydrogen bromide, ditrilguanidine hydrogen bromide, ethylamine hydrogen bromide and the like.
本実施の形態のフラックスは、更に、酸化防止剤を含んでもよく、酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール系酸化防止剤等が挙げられ、酸化防止剤を0wt%以上5wt%以下含むことが好ましい。本実施の形態のフラックスは、残部が溶剤である。 The flux of the present embodiment may further contain an antioxidant, and examples of the antioxidant include a hindered phenolic antioxidant and the like, preferably containing 0 wt% or more and 5 wt% or less of the antioxidant. .. The balance of the flux of the present embodiment is a solvent.
<本実施の形態のソルダペーストの一例>
本実施の形態のソルダペーストは、上述したフラックスと、金属粉とを含有する。
金属粉は、Pbを含まないはんだであることが好ましく、Sn単体のはんだの粉体、または、Sn−Ag系、Sn−Cu系、Sn−Ag−Cu系、Sn−Bi系、Sn−In系等、あるいは、これらの合金にSb、Bi、In、Cu、Zn、As、Ag、Cd、Fe、Ni、Co、Au、Ge、P等を添加したはんだ合金の粉体で構成される。
<Example of solder paste of this embodiment>
The solder paste of the present embodiment contains the above-mentioned flux and metal powder.
The metal powder is preferably a solder containing no Pb, and is a solder powder containing Sn alone, or Sn-Ag-based, Sn-Cu-based, Sn-Ag-Cu-based, Sn-Bi-based, and Sn-In. It is composed of a system or the like, or a powder of a solder alloy obtained by adding Sb, Bi, In, Cu, Zn, As, Ag, Cd, Fe, Ni, Co, Au, Ge, P and the like to these alloys.
はんだ合金は、As:25質量ppm以上300質量ppm以下、並びにSb:0質量ppm超3000質量ppm以下、Bi:0質量ppm超10000質量ppm以下、及びPb:0質量ppm超5100質量ppm以下のうちの少なくとも1種と、残部(Bal)がSnとからなる合金組成を有することが好ましい。はんだ合金は、Ag:0質量%以上4質量%以下及びCu:0質量%以上0.9質量%以下のうちの少なくとも1種を更に含有していてもよい。 The solder alloy has As: 25 mass ppm or more and 300 mass ppm or less, Sb: 0 mass ppm or more and 3000 mass ppm or less, Bi: 0 mass ppm or more and 10000 mass ppm or less, and Pb: 0 mass ppm or more and 5100 mass ppm or less. It is preferable to have an alloy composition in which at least one of them and the balance (Bal) are Sn. The solder alloy may further contain at least one of Ag: 0% by mass or more and 4% by mass or less and Cu: 0% by mass or more and 0.9% by mass or less.
Asは、ソルダペーストの粘度の経時変化を抑制することができる元素である。Asは、フラックスとの反応性が低く、また、Snに対して貴な元素であるために増粘抑制効果を発揮することができると推察される。As含有量の下限は、例えば25質量ppm以上であり、好ましくは50質量ppm以上であり、より好ましくは100質量ppm以上である。一方、Asが多すぎると、はんだ合金の濡れ性が劣化する。As含有量の上限は、例えば300質量ppm以下であり、好ましくは250質量ppm以下であり、より好ましくは200質量ppm以下である。 As is an element capable of suppressing the change in viscosity of the solder paste with time. It is presumed that As has low reactivity with flux and is a noble element with respect to Sn, so that it can exert an effect of suppressing thickening. The lower limit of the As content is, for example, 25 mass ppm or more, preferably 50 mass ppm or more, and more preferably 100 mass ppm or more. On the other hand, if the amount of As is too large, the wettability of the solder alloy deteriorates. The upper limit of the As content is, for example, 300 mass ppm or less, preferably 250 mass ppm or less, and more preferably 200 mass ppm or less.
Sbは、フラックスとの反応性が低く増粘抑制効果を示す元素である。はんだ合金がSbを含有する場合、Sb含有量の下限は、例えば0質量ppm超であり、好ましくは25質量ppm以上であり、より好ましくは50質量ppm以上であり、さらに好ましくは100質量ppm以上であり、特に好ましくは300質量ppm以上である。一方、Sb含有量が多すぎると、はんだ合金の濡れ性が劣化するため、適度な含有量にする必要がある。Sb含有量の上限は、例えば3000質量ppm以下であり、好ましくは1150質量ppm以下であり、より好ましくは500質量ppm以下である。 Sb is an element that has low reactivity with flux and exhibits an effect of suppressing thickening. When the solder alloy contains Sb, the lower limit of the Sb content is, for example, more than 0 mass ppm, preferably 25 mass ppm or more, more preferably 50 mass ppm or more, still more preferably 100 mass ppm or more. It is particularly preferably 300 mass ppm or more. On the other hand, if the Sb content is too large, the wettability of the solder alloy deteriorates, so it is necessary to set the content to an appropriate level. The upper limit of the Sb content is, for example, 3000 mass ppm or less, preferably 1150 mass ppm or less, and more preferably 500 mass ppm or less.
Bi及びPbは、Sbと同様に、フラックスとの反応性が低く増粘抑制効果を示す元素である。また、Bi及びPbは、はんだ合金の液相線温度を下げるとともに、溶融はんだの粘性を低減させるため、Asによるはんだ合金の濡れ性の劣化を抑えることができる元素である。 Like Sb, Bi and Pb are elements that have low reactivity with flux and exhibit an effect of suppressing thickening. Further, Bi and Pb are elements that can suppress deterioration of the wettability of the solder alloy due to As because the liquidus temperature of the solder alloy is lowered and the viscosity of the molten solder is reduced.
Sb、Bi及びPbのうちの少なくとも1元素が存在すれば、Asによるはんだ合金の濡れ性の劣化を抑えることができる。はんだ合金がBiを含有する場合、Bi含有量の下限は、例えば0質量ppm超であり、好ましくは25質量ppm以上であり、より好ましくは50質量ppm以上であり、さらに好ましくは75質量ppm以上であり、特に好ましくは100質量ppm以上であり、最も好ましくは250質量ppm以上である。はんだ合金がPbを含有する場合、Pb含有量の下限は、例えば0質量ppm超であり、好ましくは25質量ppm以上であり、より好ましくは50質量ppm以上であり、さらに好ましくは75質量ppm以上であり、特に好ましくは100質量ppm以上であり、最も好ましくは250質量ppm以上である。 If at least one element of Sb, Bi and Pb is present, deterioration of the wettability of the solder alloy due to As can be suppressed. When the solder alloy contains Bi, the lower limit of the Bi content is, for example, more than 0 mass ppm, preferably 25 mass ppm or more, more preferably 50 mass ppm or more, still more preferably 75 mass ppm or more. It is particularly preferably 100 mass ppm or more, and most preferably 250 mass ppm or more. When the solder alloy contains Pb, the lower limit of the Pb content is, for example, more than 0 mass ppm, preferably 25 mass ppm or more, more preferably 50 mass ppm or more, still more preferably 75 mass ppm or more. It is particularly preferably 100 mass ppm or more, and most preferably 250 mass ppm or more.
一方、これらの元素の含有量が多すぎると、固相線温度が著しく低下するため、液相線温度と固相線温度との温度差であるΔTが広くなりすぎる。ΔTが広すぎると、溶融はんだの凝固過程において、BiやPbの含有量が少ない高融点の結晶相が析出するために液相のBiやPbが濃縮される。その後、さらに溶融はんだの温度が低下すると、BiやPbの濃度が高い低融点の結晶相が偏析してしまう。このため、はんだ合金の機械的強度等が劣化し、信頼性が劣ることになる。特に、Bi濃度が高い結晶相は硬くて脆いため、はんだ合金中で偏析すると信頼性が著しく低下する。 On the other hand, if the content of these elements is too large, the solidus temperature is remarkably lowered, so that ΔT, which is the temperature difference between the liquidus temperature and the solidus temperature, becomes too wide. If ΔT is too wide, the liquid phase Bi and Pb will be concentrated because a high melting point crystal phase having a low content of Bi and Pb is precipitated in the solidification process of the molten solder. After that, when the temperature of the molten solder is further lowered, the low melting point crystal phase having a high concentration of Bi and Pb is segregated. Therefore, the mechanical strength and the like of the solder alloy are deteriorated, and the reliability is deteriorated. In particular, since the crystal phase having a high Bi concentration is hard and brittle, segregation in the solder alloy significantly lowers the reliability.
このような観点から、はんだ合金がBiを含有する場合、Bi含有量の上限は、例えば10000質量ppm以下であり、好ましくは1000質量ppm以下であり、より好ましくは600質量ppm以下であり、さらに好ましくは500質量ppm以下である。はんだ合金がPbを含有する場合、Pb含有量の上限は、例えば5100質量ppm以下であり、好ましくは5000質量ppm以下であり、より好ましくは1000質量ppm以下であり、さらに好ましくは850質量ppm以下であり、特に好ましくは500質量ppm以下である。 From this point of view, when the solder alloy contains Bi, the upper limit of the Bi content is, for example, 10000 mass ppm or less, preferably 1000 mass ppm or less, more preferably 600 mass ppm or less, and further. It is preferably 500 mass ppm or less. When the solder alloy contains Pb, the upper limit of the Pb content is, for example, 5100 mass ppm or less, preferably 5000 mass ppm or less, more preferably 1000 mass ppm or less, and further preferably 850 mass ppm or less. It is particularly preferably 500 mass ppm or less.
はんだ合金は、下記の数式(1)を満たすことが好ましい。 The solder alloy preferably satisfies the following mathematical formula (1).
275≦2As+Sb+Bi+Pb・・・(1)
上記の数式(1)中、As、Sb、Bi及びPbは各々合金組成での含有量(質量ppm)を表す。
275≤2As + Sb + Bi + Pb ... (1)
In the above formula (1), As, Sb, Bi and Pb each represent the content (mass ppm) in the alloy composition.
As、Sb、Bi及びPbは、いずれも増粘抑制効果を示す元素である。これらの合計が275質量ppm以上であることが好ましい。数式(1)中、As含有量を2倍にしたのは、AsがSbやBiやPbと比較して増粘抑制効果が高いためである。 As, Sb, Bi and Pb are all elements that have an effect of suppressing thickening. The total of these is preferably 275 mass ppm or more. In the formula (1), the As content is doubled because As has a higher effect of suppressing thickening than Sb, Bi, and Pb.
数式(1)の下限は、好ましくは350以上であり、より好ましくは1200以上である。一方、数式(1)の上限は、増粘抑制効果の観点では特に限定されることはないが、ΔTを適した範囲にする観点から、好ましくは25200以下であり、より好ましくは10200以下であり、さらに好ましくは5300以下であり、特に好ましくは3800以下である。 The lower limit of the formula (1) is preferably 350 or more, and more preferably 1200 or more. On the other hand, the upper limit of the mathematical formula (1) is not particularly limited from the viewpoint of the thickening suppressing effect, but is preferably 25200 or less, more preferably 10200 or less, from the viewpoint of setting ΔT in a suitable range. , More preferably 5300 or less, and particularly preferably 3800 or less.
上記好ましい態様の中から上限及び下限を適宜選択したものが、下記の数式(1a)及び数式(1b)である。 The following mathematical formulas (1a) and (1b) are obtained by appropriately selecting the upper limit and the lower limit from the above preferred embodiments.
275≦2As+Sb+Bi+Pb≦25200・・・(1a)
275≦2As+Sb+Bi+Pb≦5300・・・(1b)
上記の数式(1a)及び数式(1b)中、As、Sb、Bi及びPbは各々合金組成での含有量(質量ppm)を表す。
275 ≦ 2As + Sb + Bi + Pb ≦ 25200 ... (1a)
275 ≦ 2As + Sb + Bi + Pb ≦ 5300 ... (1b)
In the above formulas (1a) and (1b), As, Sb, Bi and Pb each represent the content (mass ppm) in the alloy composition.
また、はんだ合金は、下記の数式(2)を満たすことが好ましい。 Further, the solder alloy preferably satisfies the following mathematical formula (2).
0.01≦(2As+Sb)/(Bi+Pb)≦10.00・・・(2)
上記の数式(2)中、As、Sb、Bi及びPbは各々合金組成での含有量(質量ppm)を表す。
0.01 ≦ (2As + Sb) / (Bi + Pb) ≦ 10.00 ... (2)
In the above formula (2), As, Sb, Bi and Pb each represent the content (mass ppm) in the alloy composition.
As及びSbは、その含有量が多いと、はんだ合金の濡れ性が劣化する。一方、Bi及びPbは、Asを含有することによるはんだ合金の濡れ性の劣化を抑制するが、含有量が多すぎると、ΔTが上昇してしまう。特に、Bi及びPbを同時に含有する合金組成では、ΔTが上昇しやすい。これらを鑑みると、Bi及びPbの含有量を増加させて過度にはんだ合金の濡れ性を向上させようとすると、ΔTが広がってしまう。一方、AsやSbの含有量を増加させて増粘抑制効果を向上させようとすると、はんだ合金の濡れ性が劣化してしまう。そこで、As及びSbのグループ、Bi及びPbのグループに分け、両グループの合計量が適正な所定の範囲内である場合に、増粘抑制効果、ΔTの狭窄化、及びはんだ合金の濡れ性のすべてが同時に満たされるのである。 If the content of As and Sb is large, the wettability of the solder alloy deteriorates. On the other hand, Bi and Pb suppress the deterioration of the wettability of the solder alloy due to the inclusion of As, but if the content is too large, ΔT increases. In particular, in an alloy composition containing Bi and Pb at the same time, ΔT tends to increase. In view of these, if the contents of Bi and Pb are increased to excessively improve the wettability of the solder alloy, ΔT will spread. On the other hand, if the content of As and Sb is increased to improve the thickening suppressing effect, the wettability of the solder alloy deteriorates. Therefore, it is divided into As and Sb groups and Bi and Pb groups, and when the total amount of both groups is within an appropriate predetermined range, the thickening suppressing effect, the narrowing of ΔT, and the wettability of the solder alloy are exhibited. All are filled at the same time.
数式(2)が0.01未満であると、Bi及びPbの含有量の合計がAs及びPbの含有量の合計と比較して相対的に多くなるため、ΔTが広がってしまう。数式(2)の下限は、好ましくは0.02以上であり、より好ましくは0.41以上であり、さらに好ましくは0.90以上であり、特に好ましくは1.00以上であり、最も好ましくは1.40以上である。一方、数式(2)が10.00を超えると、As及びSbの含有量の合計がBi及びPbの含有量の合計より相対的に多くなるため、はんだ合金の濡れ性が劣化してしまう。数式(2)の上限は、好ましくは5.33以下であり、より好ましくは4.50以下であり、さらに好ましくは2.67以下であり、特に好ましくは2.30以下である。 If the formula (2) is less than 0.01, the total content of Bi and Pb is relatively large as compared with the total content of As and Pb, so that ΔT is widened. The lower limit of the formula (2) is preferably 0.02 or more, more preferably 0.41 or more, further preferably 0.90 or more, particularly preferably 1.00 or more, and most preferably. It is 1.40 or more. On the other hand, when the mathematical formula (2) exceeds 10.00, the total content of As and Sb becomes relatively larger than the total content of Bi and Pb, so that the wettability of the solder alloy deteriorates. The upper limit of the formula (2) is preferably 5.33 or less, more preferably 4.50 or less, still more preferably 2.67 or less, and particularly preferably 2.30 or less.
なお、数式(2)の分母は「Bi+Pb」であり、これらを含有しないと数式(2)が成立しない。そのため、はんだ合金は、Bi及びPbのうちの少なくとも1種を含有することが好ましい。Bi及びPbを含有しない合金組成は、前述のように、はんだ合金の濡れ性が劣る。 The denominator of the mathematical formula (2) is "Bi + Pb", and the mathematical formula (2) cannot be established unless these are included. Therefore, the solder alloy preferably contains at least one of Bi and Pb. As described above, the alloy composition containing no Bi and Pb is inferior in the wettability of the solder alloy.
上記好ましい態様の中から上限及び下限を適宜選択したものが、下記の数式(2a)である。 The following mathematical formula (2a) is obtained by appropriately selecting the upper limit and the lower limit from the above preferred embodiments.
0.31≦(2As+Sb)/(Bi+Pb)≦10.00・・・(2a)
上記の数式(2a)中、As、Sb、Bi及びPbは各々合金組成での含有量(質量ppm)を表す。
0.31 ≦ (2As + Sb) / (Bi + Pb) ≦ 10.00 ... (2a)
In the above formula (2a), As, Sb, Bi and Pb each represent the content (mass ppm) in the alloy composition.
Agは、結晶界面にAg3Snを形成してはんだ合金の信頼性を向上させることができる任意元素である。また、Agはイオン化係数がSnに対して貴な元素であり、As、Pb及びBiと共存することにより、これらの増粘抑制効果を助長する。Ag含有量は、好ましくは0質量%以上4質量%以下であり、より好ましくは0.5質量%以上3.5質量%以下であり、さらに好ましくは1.0質量%以上3.0質量%以下である。 Ag is an optional element capable of forming Ag 3 Sn at the crystal interface to improve the reliability of the solder alloy. In addition, Ag is an element whose ionization coefficient is noble with respect to Sn, and when it coexists with As, Pb and Bi, it promotes the effect of suppressing thickening of these elements. The Ag content is preferably 0% by mass or more and 4% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or more and 3.5% by mass or less, and further preferably 1.0% by mass or more and 3.0% by mass or less. It is as follows.
Cuは、はんだ継手の接合強度を向上させることができる任意元素である。また、Cuはイオン化係数がSnに対して貴な元素であり、As、Pb及びBiと共存することにより、これらの増粘抑制効果を助長する。Cu含有量は、好ましくは0質量%以上0.9質量%以下であり、より好ましくは0.1質量%以上0.8質量%以下であり、さらに好ましくは0.2質量%以上0.7質量%以下である。 Cu is an optional element that can improve the joint strength of solder joints. Further, Cu is an element whose ionization coefficient is noble with respect to Sn, and when it coexists with As, Pb and Bi, it promotes the effect of suppressing thickening of these elements. The Cu content is preferably 0% by mass or more and 0.9% by mass or less, more preferably 0.1% by mass or more and 0.8% by mass or less, and further preferably 0.2% by mass or more and 0.7. It is mass% or less.
はんだ合金の残部(Bal)は、Snであることが好ましい。はんだ合金は、前述の元素の他に不可避的不純物を含有してもよい。不可避的不純物を含有する場合であっても、前述の効果に影響することはない。Inは、含有量が多すぎるとΔTが広がるため、1000質量ppm以下であれば、前述の効果に影響することはない。 The balance (Bal) of the solder alloy is preferably Sn. The solder alloy may contain unavoidable impurities in addition to the above-mentioned elements. Even if it contains unavoidable impurities, it does not affect the above-mentioned effects. If the content of In is too large, ΔT spreads, so if it is 1000 mass ppm or less, it does not affect the above-mentioned effect.
<本実施の形態のフラックス及びソルダペーストの作用効果例>
チキソ剤と、一般式(1)で表される化合物と、ロジンと、溶剤とを含有し、チキソ剤が、環状アミド化合物及び非環状アミド化合物を含むフラックスでは、チキソ剤が非環状アミド化合物からなる場合と比較して、非環状アミド化合物の含有量を増やすことなく、チキソ性を向上させることができ、チキソ剤の析出を抑制することができる。加えて、高いはんだ濡れ性を発現することができる。このフラックスを用いたソルダペーストでは、にじみ、かすれ等が抑制された良好な印刷性を得ることができ、また、印刷後のソルダペーストが流れる印刷ダレを抑制することができる。更に、はんだ付け時の加熱によるソルダペーストの加熱ダレを抑制することができる。
<Example of action and effect of flux and solder paste of this embodiment>
In a flux containing a thixo agent, a compound represented by the general formula (1), rosin, and a solvent, and the thixo agent contains a cyclic amide compound and an acyclic amide compound, the thixo agent is derived from the acyclic amide compound. As compared with the case of, the thixo property can be improved and the precipitation of the thixo agent can be suppressed without increasing the content of the acyclic amide compound. In addition, high solder wettability can be exhibited. In the solder paste using this flux, it is possible to obtain good printability in which bleeding, blurring and the like are suppressed, and it is possible to suppress printing sagging in which the solder paste flows after printing. Further, it is possible to prevent the solder paste from sagging due to heating during soldering.
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to these examples.
以下の表1、表2、表3、表4、表5、表6、表7、表8に示す組成で実施例と比較例のフラックスを調合し、このフラックスを使用してソルダペーストを調合して、フラックスのチキソ性、ソルダペーストの印刷ダレの抑制能、印刷性、加熱ダレの抑制能、濡れ速度について検証した。
なお、表1、表2、表3、表4、表5、表6、表7、表8における組成率は、フラックスの全量を100とした場合のwt(質量)%である。
The fluxes of Examples and Comparative Examples were prepared with the compositions shown in Table 1, Table 2, Table 3, Table 4, Table 5, Table 6, Table 7, and Table 8 below, and the solder paste was prepared using this flux. Then, the flux property, the ability to suppress the printing sagging of the solder paste, the printability, the ability to suppress the heating sagging, and the wetting rate were verified.
The composition ratios in Table 1, Table 2, Table 3, Table 4, Table 5, Table 6, Table 7, and Table 8 are wt (mass)% when the total amount of flux is 100.
ソルダペーストは、フラックスが11wt%、金属粉が89wt%である。また、ソルダペースト中の金属粉は、Agが3.0wt%、Cuが0.5wt%、残部がSnであるSn−Ag−Cu系のはんだ合金であり、金属粉の粒径の平均はφ20μmである。 The solder paste has a flux of 11 wt% and a metal powder of 89 wt%. The metal powder in the solder paste is a Sn-Ag-Cu based solder alloy in which Ag is 3.0 wt%, Cu is 0.5 wt%, and the balance is Sn, and the average particle size of the metal powder is φ20 μm. Is.
<フラックスのチキソ性の評価>
(1)検証方法
チキソ性の評価は、JIS Z3284−3 4.2に準拠し、スパイラル方式粘度計を用いて行った。粘度計の回転速度を3rpmと30rpmに設定し、所定時間回転後の粘度を読み取ってチキソ比を算出した。
<Evaluation of thixotropy of flux>
(1) Verification method The evaluation of thixotropic property was carried out in accordance with JIS Z3284-3 4.2 using a spiral viscometer. The rotation speed of the viscometer was set to 3 rpm and 30 rpm, and the viscosity after rotation for a predetermined time was read to calculate the thixotropy.
(2)判定基準
〇〇:チキソ比が0.60以上
〇:チキソ比が0.30以上0.60未満
×:チキソ比が0.30未満
(2) Judgment criteria 〇 〇: Thixotropy ratio is 0.60 or more 〇: Thixotropy ratio is 0.30 or more and less than 0.60 ×: Thixotropy ratio is less than 0.30
<ソルダペーストの印刷ダレ抑制能の評価>
(1)検証方法
ソルダペーストの印刷ダレ抑制能の評価は、JIS Z3284−3 4.3に準拠し、所定のパターンでソルダペースト印刷部が形成されたステンレス製メタルマスクを使用して銅板にソルダペーストを印刷し、メタルマスクを取り除いた後、室温25±5℃、相対湿度50±10%で10〜20分間保管し、印刷された各パターンのうち、印刷されたソルダペースト全てが一体にならない最小間隔を目視により確認した。メタルマスクの厚みは0.2mm、ソルダペースト印刷部は四角形の開口で、大きさは3.0×1.5mmとなっている。ソルダペースト印刷部は、同じ大きさの複数の開口が間隔を異ならせて並び、開口の間隔Lは0.2−0.3−0.4−0.5−0.6−0.7−0.8−0.9−1.0−1.1−1.2mmとなっている。
<Evaluation of solder paste's ability to suppress printing sagging>
(1) Verification method The evaluation of the printing sagging suppression ability of the solder paste conforms to JIS Z3284-3 4.3, and the solder is used on a copper plate using a stainless metal mask in which the solder paste printing portion is formed in a predetermined pattern. After printing the paste and removing the metal mask, store it at room temperature 25 ± 5 ° C. and relative humidity 50 ± 10% for 10 to 20 minutes, and among the printed patterns, not all the printed solder pastes are integrated. The minimum interval was visually confirmed. The thickness of the metal mask is 0.2 mm, the solder paste printing portion has a quadrangular opening, and the size is 3.0 × 1.5 mm. In the solder paste printing section, multiple openings of the same size are lined up at different intervals, and the opening interval L is 0.2-0.3-0.4-0.5-0.6-0.7-. It is 0.8-0.9-1.0-1.1-1.2 mm.
(2)判定基準
〇:印刷後、一体にならない最小間隔が0.2mm以下
×:印刷後、一体にならない最小間隔が0.2mm超
(2) Judgment criteria 〇: The minimum distance that does not become one after printing is 0.2 mm or less ×: The minimum distance that does not become one after printing exceeds 0.2 mm
<ソルダペーストの印刷性の評価>
(1)検証方法
ソルダペーストの印刷性の評価は、JIS Z3284−3 4.1に準拠し、所定のパターンでソルダペースト印刷部が形成されたステンレス製メタルマスクを使用して銅板にソルダペーストを印刷し、印刷初期及び連続印刷時において、にじみ、かすれがないかを目視により確認した。
<Evaluation of printability of solder paste>
(1) Verification method The printability of the solder paste is evaluated in accordance with JIS Z3284-3 4.1, and the solder paste is applied to the copper plate using a stainless metal mask in which the solder paste printing portion is formed in a predetermined pattern. After printing, it was visually confirmed that there was no bleeding or blurring at the initial stage of printing and during continuous printing.
(2)判定基準
〇:印刷後、にじみ・かすれがない
×:印刷後、にじみ・かすれがある
(2) Judgment criteria 〇: No bleeding or blurring after printing ×: There is bleeding or blurring after printing
<ソルダペーストの加熱ダレ抑制能の評価>
(1)検証方法
ソルダペーストの加熱ダレ抑制能の評価は、JIS Z3284−3 4.4に準拠し、所定のパターンでソルダペースト印刷部が形成されたステンレス製メタルマスクを使用して銅板にソルダペーストを印刷し、メタルマスクを取り除いた後、150±10℃にて10分間加熱を行い、印刷された各パターンのうち、印刷されたソルダペースト全てが一体にならない最小間隔を目視により確認した。メタルマスクの厚みは0.2mm、ソルダペースト印刷部は四角形の開口で、大きさは3.0×1.5mmとなっている。ソルダペースト印刷部は、同じ大きさの複数の開口が間隔を異ならせて並び、開口の間隔Lは0.2−0.3−0.4−0.5−0.6−0.7−0.8−0.9−1.0−1.1−1.2mmとなっている。
<Evaluation of the ability of solder paste to suppress heating sagging>
(1) Verification method The evaluation of the ability to suppress heating sagging of solder paste conforms to JIS Z3284-3 4.4, and the solder is used on a copper plate using a stainless metal mask in which a solder paste printing portion is formed in a predetermined pattern. After printing the paste and removing the metal mask, the paste was heated at 150 ± 10 ° C. for 10 minutes, and the minimum interval at which all the printed solder pastes were not integrated was visually confirmed among the printed patterns. The thickness of the metal mask is 0.2 mm, the solder paste printing portion has a quadrangular opening, and the size is 3.0 × 1.5 mm. In the solder paste printing section, multiple openings of the same size are lined up at different intervals, and the opening interval L is 0.2-0.3-0.4-0.5-0.6-0.7-. It is 0.8-0.9-1.0-1.1-1.2 mm.
(2)判定基準
〇:一体にならない最小間隔が1.0mm以下
×:一体にならない最小間隔が1.0mm超
(2) Judgment criteria 〇: Minimum distance not integrated is 1.0 mm or less ×: Minimum distance not integrated is more than 1.0 mm
<はんだ濡れ性(濡れ速度)の評価>
(1)検証方法
ソルダペーストの濡れ速度は、メニスコグラフ試験の方法に準拠し、幅5mm×長さ25mm×厚さ0.5mmの銅板を150℃で1時間酸化処理し、試験板である酸化銅板を得て、試験装置としてSolder Checker SAT−5200(RHESCA社製)を用い、はんだとしてSn−3Ag−0.5Cu(各数値は質量%)を用いて、次のように評価した。
まず、ビーカーに測り取った実施例1〜47及び比較例1〜5それぞれのフラックスに対して、試験板を5mm浸漬させ、試験板にフラックスを塗布した。続いて、フラックスを塗布後、速やかにフラックスが塗布された試験板をはんだ槽に浸漬させ、ゼロクロスタイム(sec)を得た。続いて、実施例1〜47及び比較例1〜5それぞれのフラックスにつき5回の測定を行い、得られた5個のゼロクロスタイム(sec)の平均値を算出した。試験条件を以下のように設定した。
はんだ槽への浸漬速度:5mm/sec(JIS Z 3198−4)
はんだ槽への浸漬深さ:2mm(JIS Z 3198−4)
はんだ槽への浸漬時間:10sec(JIS Z 3198−4)
はんだ槽温度:245℃(JIS C 60068−2−54)
ゼロクロスタイム(sec)の平均値が短いほど、濡れ速度は高くなり、はんだ濡れ性が良いことを意味する。
<Evaluation of solder wettability (wetting speed)>
(1) Verification method The wetting rate of the solder paste conforms to the method of the meniscograph test, and a copper plate having a width of 5 mm, a length of 25 mm and a thickness of 0.5 mm is oxidized at 150 ° C. for 1 hour, and the copper oxide plate is a test plate. As a test device, Solder Checker SAT-5200 (manufactured by RHESCA) was used, and Sn-3Ag-0.5Cu (each numerical value was mass%) was used as a solder, and the evaluation was performed as follows.
First, the test plate was immersed 5 mm in each of the fluxes of Examples 1 to 47 and Comparative Examples 1 to 5 measured in a beaker, and the flux was applied to the test plate. Subsequently, after the flux was applied, the test plate to which the flux was applied was immediately immersed in the solder bath to obtain zero cross time (sec). Subsequently, the fluxes of Examples 1 to 47 and Comparative Examples 1 to 5 were measured 5 times, and the average value of the obtained 5 zero cross times (sec) was calculated. The test conditions were set as follows.
Immersion speed in solder bath: 5 mm / sec (JIS Z 3198-4)
Immersion depth in solder bath: 2 mm (JIS Z 3198-4)
Immersion time in solder bath: 10 sec (JIS Z 3198-4)
Solder tank temperature: 245 ° C (JIS C 60068-2-54)
The shorter the average value of the zero cross time (sec), the higher the wetting speed and the better the solder wetting property.
(2)判定基準
〇:ゼロクロスタイム(sec)の平均値が6秒以下である。
×:ゼロクロスタイム(sec)の平均値が6秒を超える。
(2) Judgment criteria 〇: The average value of zero cross time (sec) is 6 seconds or less.
X: The average value of zero cross time (sec) exceeds 6 seconds.
<総合評価>
〇:フラックスのチキソ性、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、ソルダペーストの印刷性、ソルダペーストの加熱ダレ抑制能、濡れ速度の各評価が、〇又は〇〇である。
×:フラックスのチキソ性、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、ソルダペーストの印刷性、ソルダペーストの加熱ダレ抑制能、濡れ速度の各評価のうち、少なくとも1つが×である。
<Comprehensive evaluation>
〇: Each evaluation of the thixotropic property of the flux, the printing sagging suppressing ability of the solder paste, the printing property of the solder paste, the heating sagging suppressing ability of the solder paste, and the wetting speed is 〇 or 〇〇.
X: At least one of each evaluation of the thixotropic property of the flux, the printing sagging suppressing ability of the solder paste, the printing property of the solder paste, the heating sagging suppressing ability of the solder paste, and the wetting rate is x.
本発明では、実施例1に示すように、チキソ剤として、炭素数が10のジカルボン酸であるセバシン酸と、炭素数が6のジアミンである1,6−ヘキサンジアミンとが環状に重縮合した環状アミド化合物と、炭素数が10のジカルボン酸であるセバシン酸と、炭素数が6のジアミンである1,6−ヘキサンジアミンとが非環状に重縮合した非環状アミド化合物を、本発明で規定された範囲内で含むことで、フラックスのチキソ性を向上させることができ、チキソ剤の析出を抑制することができた。また、特定活性剤としてピコリン酸を採用したことで、濡れ速度が高くなり、はんだ濡れ性を高めることができた。また、このフラックスを用いたソルダペーストでは、にじみ、かすれ等が抑制された良好な印刷性を得ることができ、印刷後のソルダペーストが流れる印刷ダレを抑制することができた。更に、はんだ付け時の加熱によるソルダペーストの加熱ダレを抑制することができた。 In the present invention, as shown in Example 1, sebacic acid, which is a dicarboxylic acid having 10 carbon atoms, and 1,6-hexanediamine, which is a diamine having 6 carbon atoms, are polycondensed cyclically as a thixo agent. The present invention defines a cyclic amide compound in which a cyclic amide compound, sebacic acid, which is a dicarboxylic acid having 10 carbon atoms, and 1,6-hexanediamine, which is a diamine having 6 carbon atoms, are polycondensed in an acyclic manner. By including the amount within the specified range, the thiox property of the flux could be improved and the precipitation of the thiox agent could be suppressed. In addition, by adopting picolinic acid as a specific activator, the wetting speed was increased and the solder wetting property could be improved. Further, in the solder paste using this flux, good printability in which bleeding, blurring, etc. are suppressed can be obtained, and printing sagging in which the solder paste flows after printing can be suppressed. Furthermore, it was possible to suppress the heating sagging of the solder paste due to heating during soldering.
実施例2のように、ピコリン酸を7wt%含んでも、フラックスのチキソ性、高い濡れ速度の付与能、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレの抑制能が阻害されず、これらに対して十分な効果が得られた。更に、実施例3のように、ピコリン酸を0.5wt%含み、有機酸を併用することで、フラックスのチキソ性、高い濡れ速度の付与能、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレの抑制能が阻害されず、これらに対して十分な効果が得られた。 As in Example 2, even if picolinic acid is contained in an amount of 7 wt%, the thixotropy of the flux, the ability to impart a high wetting rate, the ability to suppress printing dripping of the solder paste, the printing property, and the ability to suppress heating dripping are not impaired. On the other hand, a sufficient effect was obtained. Further, as in Example 3, by containing 0.5 wt% of picolinic acid and using an organic acid in combination, the flux property, the ability to impart a high wetting rate, the ability to suppress printing sagging of solder paste, printability, and heating The ability to suppress sagging was not inhibited, and a sufficient effect was obtained for these.
実施例4〜6に示すように、特定活性剤としてピコリン酸を含有し、さらに、本発明で規定された範囲内で環状アミド化合物と非環状アミド化合物の種類又は量を変えることでも、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 As shown in Examples 4 to 6, picolinic acid is contained as a specific activator, and the flux can also be obtained by changing the type or amount of the cyclic amide compound and the acyclic amide compound within the range specified in the present invention. Sufficient effects were obtained on the thixo property, the wetting rate, the ability of the solder paste to suppress printing dripping, the printing property, and the ability to suppress heating dripping.
実施例7〜11に示すように、特定活性剤としてピコリン酸を含有し、さらに、有機酸の種類を変える、複数種類の有機酸を組み合わせる、有機酸の量を変えることでも、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 As shown in Examples 7 to 11, picolinic acid is contained as a specific activator, and the type of organic acid can be changed, a plurality of types of organic acids can be combined, or the amount of organic acid can be changed to change the amount of the organic acid. Sufficient effects were obtained on the wetting speed, the ability to suppress printing dripping of solder paste, printability, and the ability to suppress heating dripping.
実施例12〜15に示すように、特定活性剤としてピコリン酸を含有し、さらに、ロジンの種類を変える、複数種類のロジンを組み合わせることでも、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 As shown in Examples 12 to 15, even if a plurality of types of rosins containing picolinic acid as a specific activator and further changing the type of rosin are combined, the flux property, the wetting rate, and the printing sagging of the solder paste Sufficient effects were obtained on the inhibitory ability, printability, and heating sagging inhibitory ability.
実施例16〜17に示すように、特定活性剤としてピコリン酸を含有し、さらに、アミンを含有することでも、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 As shown in Examples 16 to 17, picolinic acid is contained as a specific activator, and even if amine is contained, the flux property, wetting rate, ability to suppress printing sagging of solder paste, printability, and heating sagging A sufficient effect was obtained on the inhibitory ability.
実施例18〜19に示すように、特定活性剤としてピコリン酸を含有し、さらに、ハロゲンを含有することでも、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 As shown in Examples 18 to 19, picolinic acid is contained as a specific activator, and even if halogen is contained, the thixotropy of the flux, the wetting rate, the ability to suppress printing sagging of the solder paste, printability, and heating sagging A sufficient effect was obtained on the inhibitory ability.
実施例20に示すように、特定活性剤としてピコリン酸を含有し、さらに、酸化防止剤を含有することでも、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 As shown in Example 20, even if picolinic acid is contained as a specific activator and an antioxidant is also contained, the thixotropy of the flux, the wetting rate, the ability to suppress printing sagging of the solder paste, printability, and heating sagging A sufficient effect was obtained on the inhibitory ability.
実施例21に示すように、特定活性剤としてピコリン酸を含有し、さらに、アミンとハロゲンと酸化防止剤とを併用することで、有機酸(ピコリン酸を除く)の量を減らしても、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 As shown in Example 21, even if the amount of organic acid (excluding picolinic acid) is reduced by containing picolinic acid as a specific active agent and further using an amine, a halogen and an antioxidant in combination, the flux Sufficient effects were obtained on the picolinic acidity, wetting speed, printing sagging suppressing ability of solder paste, printability, and heating sagging suppressing ability.
実施例22〜実施例23に示すように、特定活性剤としてピコリン酸を含有し、さらに、ロジンの量を変えることでも、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 As shown in Examples 22 to 23, picolinic acid is contained as a specific activator, and even by changing the amount of rosin, the flux property, the wetting rate, the ability to suppress printing sagging of solder paste, and the printability , A sufficient effect was obtained on the ability to suppress heating sagging.
実施例24〜実施例28に示すように、特定活性剤としてピコリン酸を含有し、さらに、本発明で規定された範囲内でチキソ剤としてエステル化合物を含有することにより、有機酸の種類を変える、複数種類の有機酸を組み合わせる、有機酸の量を変えることでも、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 As shown in Examples 24 to 28, the type of organic acid is changed by containing picolinic acid as a specific activator and further containing an ester compound as a thixo agent within the range specified in the present invention. By combining multiple types of organic acids and changing the amount of organic acids, sufficient effects can be obtained on the flux property, wetting rate, solder paste printing sagging ability, printability, and heating sagging suppressing ability. It was.
実施例29〜実施例32に示すように、特定活性剤としてピコリン酸を含有し、さらに、本発明で規定された範囲内でチキソ剤としてエステル化合物を含有することにより、ロジンの種類を変える、複数種類のロジンを組み合わせることでも、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 As shown in Examples 29 to 32, the type of rosin is changed by containing picolinic acid as a specific activator and further containing an ester compound as a thixotropy within the range specified in the present invention. Even by combining a plurality of types of rosins, sufficient effects were obtained on the thixotropy of the flux, the wetting rate, the ability to suppress printing dripping of the solder paste, the printing property, and the ability to suppress heating dripping.
実施例33〜実施例34に示すように、特定活性剤としてピコリン酸を含有し、さらに、本発明で規定された範囲内でチキソ剤としてエステル化合物を含有することにより、アミンを含むことでも、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 As shown in Examples 33 to 34, picolinic acid is contained as a specific activator, and further, by containing an ester compound as a thixotropic agent within the range specified in the present invention, an amine can also be contained. Sufficient effects were obtained on the thixotropic property of the flux, the wetting rate, the printing sagging suppressing ability of the solder paste, the printing property, and the heating sagging suppressing ability.
実施例35〜実施例36に示すように、特定活性剤としてピコリン酸を含み、さらに、本発明で規定された範囲内でチキソ剤としてエステル化合物を含有すること、さらに、ハロゲンを含むことでも、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 As shown in Examples 35 to 36, picolinic acid may be contained as a specific activator, and an ester compound may be contained as a thixotropy within the range specified in the present invention, and halogen may also be contained. Sufficient effects were obtained on the thixotropy of the flux, the wetting rate, the ability to suppress printing dripping of the solder paste, the printing property, and the ability to suppress heating dripping.
実施例37に示すように、特定活性剤としてピコリン酸を含有し、さらに、本発明で規定された範囲内でチキソ剤としてエステル化合物を含有すること、さらに、本発明で規定された範囲内で酸化防止剤を含有することにより、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 As shown in Example 37, picolinic acid is contained as a specific active agent, and an ester compound is contained as a thixotropic agent within the range specified in the present invention, and further, within the range specified in the present invention. By containing the antioxidant, sufficient effects were obtained on the thixotropy of the flux, the wetting rate, the ability to suppress printing dripping of the solder paste, the printing property, and the ability to suppress heating dripping.
実施例38に示すように、特定活性剤としてピコリン酸を含有し、さらに、本発明で規定された範囲内でチキソ剤としてエステル化合物を含有し、さらに、アミン、ハロゲン、酸化防止剤を含有することで、有機酸(ピコリン酸を除く)の量を減らしても、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 As shown in Example 38, it contains picolinic acid as a specific activator, further contains an ester compound as a thixo agent within the range specified in the present invention, and further contains an amine, a halogen, and an antioxidant. As a result, even if the amount of organic acids (excluding picolinic acid) is reduced, sufficient effects can be obtained on the tixo property of the flux, the wetting rate, the printing sagging ability of the solder paste, the printing property, and the heating sagging suppressing ability. It was.
実施例39〜実施例40に示すように、特定活性剤としてピコリン酸を含有し、さらに、本発明で規定された範囲内でチキソ剤としてエステル化合物を含有すること、さらに、本発明で規定された範囲内でロジンの量を変えることでも、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 As shown in Examples 39 to 40, picolinic acid is contained as a specific active agent, and an ester compound is contained as a thyxo agent within the range specified in the present invention, and further specified in the present invention. Even if the amount of rosin was changed within the above range, sufficient effects were obtained on the flux property, the wetting rate, the ability to suppress the printing dripping of the solder paste, the printing property, and the ability to suppress the heating dripping.
実施例41に示すように、特定活性剤としてピコリン酸を含み、さらに、本発明で規定された範囲内でチキソ剤としてエステル化合物を含むことで、エステル化合物の量を減らしても、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 As shown in Example 41, by containing picolinic acid as the specific activator and further containing the ester compound as the thixotropy within the range specified in the present invention, even if the amount of the ester compound is reduced, the thixotropy of the flux Sufficient effects were obtained on the properties, wetting speed, printing sagging suppressing ability of solder paste, printability, and heating sagging suppressing ability.
実施例42〜実施例44に示すように、本発明で規定された範囲内で特定活性剤としてピコリン酸を含有し、さらに、本発明で規定された範囲内でチキソ剤としてエステル化合物を含有することで、エステル化合物の量を増やし、非環状アミド化合物を減らすことにより、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。
さらに、N2リフローにて25℃から250℃まで1℃/secにて加熱し、その後、溶剤にてビーカー内で超音波洗浄し、その後乾燥したものを目視確認したところフラックス残渣がなく、洗浄性が得られた。
As shown in Examples 42 to 44, picolinic acid is contained as a specific active agent within the range specified in the present invention, and further, an ester compound is contained as a thixo agent within the range specified in the present invention. As a result, by increasing the amount of the ester compound and reducing the acyclic amide compound, sufficient effects can be obtained on the nitrogen property of the flux, the wetting rate, the printing sagging ability of the solder paste, the printing property, and the heating sagging suppressing ability. Was printed.
Further, by heating at 1 ° C. / sec to 250 ° C. from 25 ° C. at N 2 reflow, then ultrasonically cleaned in a beaker with a solvent, no flux residue Visual inspection revealed that those subsequently dried, washed Sex was obtained.
実施例45に示すように、特定活性剤としてピコリン酸を含有し、環状アミド化合物を本発明で規定された範囲内の下限値で0.1wt%含み、非環状アミド化合物を本発明で規定された範囲内で2.5wt%含み、環状アミド化合物と非環状アミド化合物との合計が本発明で規定された範囲内であり、本発明で規定された範囲内でチキソ剤としてエステル化合物を含み、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 As shown in Example 45, picolinic acid is contained as a specific activator, the cyclic amide compound is contained in an amount of 0.1 wt% at the lower limit within the range specified in the present invention, and the acyclic amide compound is specified in the present invention. The total of the cyclic amide compound and the acyclic amide compound is within the range specified in the present invention, and the ester compound is contained as a thixo agent within the range specified in the present invention. Sufficient effects were obtained on the tixo property of the flux, the wetting rate, the ability to suppress printing dripping of the solder paste, the printing property, and the ability to suppress heating dripping.
実施例46に示すように、特定活性剤としてピコリン酸を含み、環状アミド化合物を本発明で規定された範囲内の下限値から増やして0.3wt%含み、非環状アミド化合物を実施例45と同じ2.5wt%含み、環状アミド化合物と非環状アミド化合物の合計が本発明で規定された範囲内であることで、実施例45と比較してエステル化合物の含有量を減らしても、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 As shown in Example 46, picolinic acid was contained as a specific activator, the cyclic amide compound was increased from the lower limit within the range specified in the present invention to include 0.3 wt%, and the acyclic amide compound was referred to as Example 45. The same 2.5 wt% is contained, and the total of the cyclic amide compound and the non-cyclic amide compound is within the range specified in the present invention, so that even if the content of the ester compound is reduced as compared with Example 45, the flux Sufficient effects were obtained on the thixo property, the wetting rate, the ability of the solder paste to suppress printing dripping, the printing property, and the ability to suppress heating dripping.
実施例47のように、特定活性剤としてピコリン酸を含有し、環状アミド化合物を実施例46と同じ0.3wt%含み、非環状アミド化合物を本発明で規定された範囲内の上限値で8wt%含み、環状アミド化合物と非環状アミド化合物との合計が本発明で規定された範囲内であることでも、チキソ剤としてエステル化合物を含まずに、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 As in Example 47, picolinic acid is contained as a specific activator, the cyclic amide compound is contained in the same 0.3 wt% as in Example 46, and the acyclic amide compound is 8 wt at the upper limit within the range specified in the present invention. %, And even if the total of the cyclic amide compound and the non-cyclic amide compound is within the range specified in the present invention, the thiox property of the flux, the wetting rate, and the printing of the solder paste without containing the ester compound as the thiox agent. Sufficient effects were obtained on the ability to suppress sagging, printability, and the ability to suppress heating sagging.
これに対し、比較例1に示すように、本発明で規定された範囲内でチキソ剤として環状アミド化合物を含み、特定活性剤としてピコリン酸を含んでも、非環状アミド化合物の含有量が本発明で規定された範囲外で、環状アミド化合物と非環状アミド化合物の合計が本発明で規定された範囲外であると、濡れ速度に対しては効果が得られたが、フラックスのチキソ性、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して効果が得られなかった。 On the other hand, as shown in Comparative Example 1, even if the cyclic amide compound is contained as the thixo agent and picolinic acid is contained as the specific active agent within the range specified in the present invention, the content of the acyclic amide compound is the present invention. When the total amount of the cyclic amide compound and the non-cyclic amide compound was outside the range specified in the present invention, an effect was obtained on the wetting rate, but the tixo property of the flux and the solder were obtained. No effect was obtained on the print sagging suppressing ability, printability, and heating sagging suppressing ability of the paste.
また、比較例2に示すように、本発明で規定された範囲内でチキソ剤として環状アミド化合物と非環状アミド化合物とを含有し、特定活性剤としてピコリン酸を含有していても、環状アミド化合物と非環状アミド化合物との合計が本発明で規定された範囲外であると、濡れ速度に対しては効果が得られたが、フラックスのチキソ性、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して効果が得られなかった。 Further, as shown in Comparative Example 2, even if a cyclic amide compound and a non-cyclic amide compound are contained as a thixo agent and picolinic acid is contained as a specific active agent within the range specified in the present invention, the cyclic amide is contained. When the total of the compound and the acyclic amide compound was out of the range specified in the present invention, an effect was obtained on the wetting rate, but the taxi property of the flux, the ability to suppress printing sagging of the solder paste, and the printability. , No effect was obtained on the ability to suppress heating sagging.
更に、比較例3に示すように、チキソ剤として環状アミド化合物は含まず、特定活性剤としてピコリン酸を含んでも、本発明で規定された範囲外で非環状アミド化合物を含むと、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、加熱ダレ抑制能に対しては効果が得られたが、印刷性に対しては効果が得られなかった。 Further, as shown in Comparative Example 3, if the cyclic amide compound is not contained as the thixotropy and picolinic acid is contained as the specific activator but the acyclic amide compound is contained outside the range specified in the present invention, the thixotropy of the flux is contained. The effect was obtained on the property, the wetting speed, the ability to suppress the printing sagging of the solder paste, and the ability to suppress the heating sagging, but no effect was obtained on the printability.
また、比較例4に示すように、チキソ剤として環状アミド化合物と非環状アミド化合物は含まず、特定活性剤としてピコリン酸を含んでも、本発明で規定された範囲内でエステル化合物を含有することで、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性に対しては効果が得られたが、加熱ダレ抑制能に対しては効果が得られなかった。 Further, as shown in Comparative Example 4, the cyclic amide compound and the acyclic amide compound are not contained as the thixo agent, and even if picolinic acid is contained as the specific activator, the ester compound is contained within the range specified in the present invention. Therefore, the effect was obtained on the tixo property of the flux, the wetting rate, the printing sagging suppressing ability of the solder paste, and the printing property, but not on the heating sagging suppressing ability.
また、比較例5に示すように、チキソ剤として環状アミド化合物と非環状アミド化合物との両方を含有しても、特定活性剤としてピコリン酸を含まないと、フラックスのチキソ性、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、加熱ダレ抑制能、印刷性に対しては効果が得られたが、フラックスの濡れ速度に対しては効果が得られなかった。 Further, as shown in Comparative Example 5, even if both the cyclic amide compound and the non-cyclic amide compound are contained as the thixo agent, if picolinic acid is not contained as the specific activator, the flux is tyxous and the solder paste is printed. The effect was obtained on the sagging suppressing ability, the heating sagging suppressing ability, and the printability, but not on the wetting rate of the flux.
なお、チキソ剤が、ジカルボン酸としてマロン酸、コハク酸、グルタル酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、シクロヘキサンジカルボン酸、フタル酸またはテレフタル酸等を使用した環状アミド化合物、非環状アミド化合物を含むことでも、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 The thixo agent contains a cyclic amide compound and a non-cyclic amide compound using malonic acid, succinic acid, glutaric acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, cyclohexanedicarboxylic acid, phthalic acid, terephthalic acid and the like as dicarboxylic acids. In particular, sufficient effects were obtained on the pimelic acidity of the flux, the wetting rate, the ability to suppress printing dripping of solder paste, the printing property, and the ability to suppress heating dripping.
また、チキソ剤が、トリカルボン酸としてシクロヘキサントリカルボン酸、ベンゼントリカルボン酸等を使用した環状アミド化合物、非環状アミド化合物を含むことでも、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 Further, even if the thixo agent contains a cyclic amide compound or a non-cyclic amide compound using cyclohexanetricarboxylic acid, benzenetricarboxylic acid or the like as the tricarboxylic acid, the flux property, wetting rate, ability to suppress printing sagging of solder paste, printing Sufficient effect was obtained on the sex and the ability to suppress heating sagging.
更に、チキソ剤が、ジアミンとしてエチレンジアミン、1,3−ジアミノプロパン、1,4−ジアミノブタン、ダイマージアミン、フェニレンジアミン、メタキシリレンジアミン、パラキシリレンジアミン、2,4−ジアミノトルエン等を使用した環状アミド化合物、非環状アミド化合物を含むことでも、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 Further, as the thixo agent, ethylenediamine, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, dimer diamine, phenylenediamine, m-xylylenediamine, paraxylylenediamine, 2,4-diaminotoluene and the like were used as diamines. Even when the cyclic amide compound and the non-cyclic amide compound were contained, sufficient effects were obtained on the thixo property of the flux, the wetting rate, the printing sagging suppressing ability of the solder paste, the printing property, and the heating sagging suppressing ability.
また、チキソ剤が、トリアミンとしてトリアミノシクロヘキサン、トリマートリアミン等を使用した環状アミド化合物、非環状アミド化合物を含むことでも、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 Further, even if the thixotropy contains a cyclic amide compound or a non-cyclic amide compound using triaminocyclohexane, trimertriamine, etc. as the triamine, the thixotropy of the flux, the wetting rate, the ability to suppress printing sagging of the solder paste, and the printability, A sufficient effect was obtained on the ability to suppress heating sagging.
更に、チキソ剤が、モノカルボン酸として酢酸、パルミチン酸、ステアリン酸、12−ヒドロキシステアリン酸、ベヘン酸、モンタン酸等を使用した非環状アミド化合物を含むことでも、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 Further, the thixo agent also contains an acyclic amide compound using acetic acid, palmitic acid, stearic acid, 12-hydroxystearic acid, behenic acid, montanic acid and the like as the monocarboxylic acid, so that the flux property and wetting rate can be increased. Sufficient effects were obtained on the printing sagging suppressing ability, printability, and heating sagging suppressing ability of the solder paste.
また、チキソ剤が、モノアミンとしてアンモニア、エチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、ステアリルアミン等を使用した非環状アミド化合物を含むことでも、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 Further, even if the thixo agent contains an acyclic amide compound using ammonia, ethylamine, hexylamine, octylamine, stearylamine or the like as the monoamine, the flux property, wetting rate, ability to suppress printing sagging of solder paste, printing Sufficient effect was obtained on the sex and the ability to suppress heating sagging.
更に、チキソ剤が、ラクタムを開環重合した非環状アミド化合物を含むことでも、フラックスのチキソ性、濡れ速度、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能に対して十分な効果が得られた。 Further, even if the thixotropy contains a non-cyclic amide compound obtained by ring-opening polymerization of lactam, it has a sufficient effect on the thixotropic property of the flux, the wetting rate, the printing sagging ability of the solder paste, the printing property, and the heating sagging suppressing ability. was gotten.
<ソルダペーストの増粘抑制効果の評価>
上述した各実施例のフラックスと、以下の表9に示す組成のはんだ合金とを使用して調合したソルダペーストの増粘抑制効果についても検証した。
<Evaluation of the thickening inhibitory effect of solder paste>
The effect of suppressing thickening of the solder paste prepared by using the flux of each of the above-mentioned examples and the solder alloy having the composition shown in Table 9 below was also verified.
(1)検証方法
得られたソルダペーストについて、JIS Z 3284−3の「4.2粘度特性試験」に記載された方法に従って、回転粘度計(PCU−205、株式会社マルコム製)を用い、回転数:10rpm、測定温度:25℃にて、粘度を12時間測定し続けた。そして、初期粘度(撹拌30分後の粘度)と12時間後の粘度とを比較し、以下の基準に基づいて増粘抑制効果の評価を行った。
(1) Verification method The obtained solder paste was rotated using a rotational viscometer (PCU-205, manufactured by Malcolm Co., Ltd.) according to the method described in "4.2 Viscosity Characteristics Test" of JIS Z 3284-3. The viscosity was continuously measured for 12 hours at a number: 10 rpm and a measurement temperature: 25 ° C. Then, the initial viscosity (viscosity after 30 minutes of stirring) and the viscosity after 12 hours were compared, and the thickening suppressing effect was evaluated based on the following criteria.
(2)判定基準
〇:13時間後の粘度≦初期粘度×1.2:経時での粘度上昇が小さく良好
×:13時間後の粘度>初期粘度×1.2:経時での粘度上昇が大きく不良
(2) Judgment criteria 〇: Viscosity after 13 hours ≤ Initial viscosity × 1.2: Viscosity increase over time is small and good ×: Viscosity after 13 hours> Initial viscosity × 1.2: Viscosity increase over time is large Bad
表1から表7に示す各実施例のフラックスと、上記の数式(1)及び数式(2)を満たす表9に示す各試験例A1〜A6のはんだ合金とを使用したソルダペーストでは、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能、濡れ速度に加えて、増粘抑制効果に対して十分な効果が得られた。 In the solder paste using the flux of each example shown in Tables 1 to 7 and the solder alloy of each Test Example A1 to A6 shown in Table 9 satisfying the above formulas (1) and (2), the solder paste In addition to the ability to suppress printing sagging, printability, the ability to suppress heating sagging, and the wetting speed, a sufficient effect was obtained for the effect of suppressing thickening.
これに対し、表1から表7に示す各実施例のフラックスと、上記の数式(1)及び数式(2)を満たさない表9に示す各試験例B1〜B6のはんだ合金とを使用したソルダペーストでは、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレ抑制能、濡れ速度に対して効果が得られたが、増粘抑制効果に対して効果が得られなかった。 On the other hand, a solder using the flux of each example shown in Tables 1 to 7 and the solder alloy of each Test Example B1 to B6 shown in Table 9 which does not satisfy the above formulas (1) and (2). In the paste, effects were obtained on the printing sagging suppressing ability, printability, heating sagging suppressing ability, and wetting speed of the solder paste, but no effect was obtained on the thickening suppressing effect.
以上のことから、チキソ剤と一般式(1)で表される化合物とロジンと有機酸と溶剤を含有し、チキソ剤は、ジカルボン酸及び/またはトリカルボン酸とジアミン及び/またはトリアミンが環状に重縮合した環状アミド化合物と、モノカルボン酸、ジカルボン酸及び/またはトリカルボン酸とモノアミン、ジアミン及び/またはトリアミンが非環状に重縮合した非環状アミド化合物、または、ラクタムを開環重合した非環状アミド化合物からなり、環状アミド化合物は、ジカルボン酸及びトリカルボン酸の炭素数が3以上10以下、ジアミン及びトリアミンの炭素数が2以上54以下であり、非環状アミド化合物は、モノカルボン酸、ジカルボン酸及びトリカルボン酸の炭素数が2以上28以下、モノアミン、ジアミン及びトリアミンの炭素数が0以上54以下であり、環状アミド化合物を0.1wt%以上8.0wt%以下、より好ましくは、環状アミド化合物を0.1wt%以上1.5wt%以下、非環状アミド化合物を0.5wt%以上8.0wt%以下、より好ましくは、非環状アミド化合物を0.5wt%以上4.0wt%以下含み、かつ、環状アミド化合物と非環状アミド化合物の合計が1.5wt%以上10.0wt%以下である本発明に係るフラックスでは、チキソ剤が非環状アミド化合物からなる場合と比較して、非環状アミド化合物の含有量を増やすことなく、チキソ性を向上させることができ、チキソ剤の析出を抑制することができ、加えて、はんだの濡れ性を高めることができた。 From the above, it contains a thixo agent, a compound represented by the general formula (1), rosin, an organic acid and a solvent, and the thixo agent is cyclically composed of dicarboxylic acid and / or tricarboxylic acid and diamine and / or triamine. A non-cyclic amide compound in which a condensed cyclic amide compound and a monocarboxylic acid, a dicarboxylic acid and / or a tricarboxylic acid and a monoamine, a diamine and / or a triamine are acyclically polycondensed, or an acyclic amide compound obtained by ring-opening polymerization of lactam The cyclic amide compound is composed of dicarboxylic acid and tricarboxylic acid having 3 or more and 10 or less carbon atoms, diamine and triamine having 2 or more and 54 carbon atoms, and the acyclic amide compound is monocarboxylic acid, dicarboxylic acid and tricarboxylic acid. The carbon number of the acid is 2 or more and 28 or less, the carbon number of monoamine, diamine and triamine is 0 or more and 54 or less, the cyclic amide compound is 0.1 wt% or more and 8.0 wt% or less, and more preferably, the cyclic amide compound is 0. .1 wt% or more and 1.5 wt% or less, 0.5 wt% or more and 8.0 wt% or less of the acyclic amide compound, more preferably 0.5 wt% or more and 4.0 wt% or less of the acyclic amide compound, and cyclic In the flux according to the present invention in which the total of the amide compound and the acyclic amide compound is 1.5 wt% or more and 10.0 wt% or less, the acyclic amide compound is contained as compared with the case where the thixo agent is composed of the acyclic amide compound. It was possible to improve the thiox property without increasing the amount, suppress the precipitation of the thiox agent, and in addition, improve the wettability of the solder.
このフラックスを用いたソルダペーストでは、にじみ、かすれ等が抑制された良好な印刷性を得ることができ、また、印刷後のソルダペーストが流れる印刷ダレを抑制することができた。更に、はんだ付け時の加熱によるソルダペーストの加熱ダレを抑制することができた。 With the solder paste using this flux, it was possible to obtain good printability in which bleeding, blurring, etc. were suppressed, and it was possible to suppress printing sagging in which the solder paste flows after printing. Furthermore, it was possible to suppress the heating sagging of the solder paste due to heating during soldering.
さらに、本発明に係るフラックスは、チキソ剤としてエステル化合物を0wt%以上8.0wt%以下、より好ましくは、エステル化合物を0wt%以上4.0wt%以下;ロジンを30wt%以上60wt%以下、より好ましくは、ロジンを35wt%以上60wt%以下;有機酸を0wt%以上10wt%以下;アミンを0wt%以上20wt%以下、より好ましくは、アミンを0wt%以上5wt%以下;有機ハロゲン化合物を0wt%以上5wt%以下、アミンハロゲン化水素酸塩を0wt%以上2wt%以下;酸化防止剤を0wt%以上5wt%以下で含み、残部が溶剤である。このような組成とすることで、チキソ剤に環状アミド化合物と非環状アミド化合物とを含むことによるフラックスのチキソ性、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレの抑制能、及び一般式(1)で表される化合物を含むことによる濡れ速度が阻害されず、これらに対して十分な効果が得られた。
Further, the flux according to the present invention contains 0 wt% or more and 8.0 wt% or less of the ester compound as a thixo agent, more preferably 0 wt% or more and 4.0 wt% or less of the ester compound; and 30 wt% or more and 60 wt% or less of the rosin. Preferably, rosin is 35 wt% or more and 60 wt% or less; organic acid is 0 wt% or more and 10 wt% or less; amine is 0 wt% or more and 20 wt% or less, more preferably amine is 0 wt% or more and 5 wt% or less; organic halogen compound is 0 wt% or less. 5 wt% or less,
さらに、このフラックスと、As:25質量ppm以上300質量ppm以下、並びにSb:0質量ppm超3000質量ppm以下、Bi:0質量ppm超10000質量ppm以下、及びPb:0質量ppm超5100質量ppm以下のうちの少なくとも1種と、Ag:0質量%以上4質量%以下及びCu:0質量%以上0.9質量%以下のうちの少なくとも1種と、残部(Bal)がSnとからなり、かつ、上記の数式(1)及び数式(2)を満たすはんだ合金を用いたソルダペーストでは、チキソ剤に環状アミド化合物及び非環状アミド化合物を含むことによるフラックスのチキソ性、ソルダペーストの印刷ダレ抑制能、印刷性、加熱ダレの抑制能、一般式(1)で表される化合物を含むことによる濡れ速度が阻害されず、増粘抑制効果に対して十分な効果が得られた。 Further, this flux and As: 25 mass ppm or more and 300 mass ppm or less, Sb: 0 mass ppm or more and 3000 mass ppm or less, Bi: 0 mass ppm or more and 10000 mass ppm or less, and Pb: 0 mass ppm or more and 5100 mass ppm or less. At least one of the following, at least one of Ag: 0% by mass or more and 4% by mass or less, Cu: 0% by mass or more and 0.9% by mass or less, and the balance (Bal) of Sn. In addition, in the solder paste using the solder alloy satisfying the above formulas (1) and (2), the tyxo property of the flux and the suppression of printing sagging of the solder paste by containing the cyclic amide compound and the non-cyclic amide compound in the thixo agent. The ability, printability, ability to suppress heating sagging, and the wetting rate due to the inclusion of the compound represented by the general formula (1) were not inhibited, and a sufficient effect on the thickening suppressing effect was obtained.
本発明によれば、チキソ性を付与し、かつ、印刷性、印刷ダレの抑制能、加熱ダレの抑制能に優れ、はんだの濡れ性が高められたフラックス及びフラックスを用いたソルダペーストを提供することができる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, there is provided a solder paste using a flux and a flux, which imparts chicivity, is excellent in printability, ability to suppress print sagging, and ability to suppress heat sagging, and has improved solder wettability. be able to.
Claims (17)
前記チキソ剤は、環状アミド化合物および非環状アミド化合物を含み、前記環状アミド化合物を0.1wt%以上8.0wt%以下、前記非環状アミド化合物を0.5wt%以上8.0wt%以下で含み、かつ、前記環状アミド化合物と前記非環状アミド化合物との合計が1.5wt%以上10.0wt%以下であり、
前記環状アミド化合物は、ジカルボン酸及び/またはトリカルボン酸と、ジアミン及び/またはトリアミンとが環状に重縮合した分子量が3000以下のアミド化合物であり、
前記非環状アミド化合物は、モノカルボン酸、ジカルボン酸及び/またはトリカルボン酸と、モノアミン、ジアミン及び/またはトリアミンとが非環状に縮合したアミド化合物であることを特徴とするフラックス。
The thixo agent contains a cyclic amide compound and an acyclic amide compound, and contains the cyclic amide compound in an amount of 0.1 wt% or more and 8.0 wt% or less, and the acyclic amide compound in an amount of 0.5 wt% or more and 8.0 wt% or less. Moreover, the total of the cyclic amide compound and the non-cyclic amide compound is 1.5 wt% or more and 10.0 wt% or less.
The cyclic amide compound is an amide compound having a molecular weight of 3000 or less in which a dicarboxylic acid and / or a tricarboxylic acid and a diamine and / or a triamine are cyclically polycondensed.
The acyclic amide compound is a flux characterized by being an amide compound in which a monocarboxylic acid, a dicarboxylic acid and / or a tricarboxylic acid and a monoamine, a diamine and / or a triamine are acyclically condensed.
前記非環状アミド化合物は、モノカルボン酸、ジカルボン酸及びトリカルボン酸の炭素数が2以上28以下、モノアミン、ジアミン及びトリアミンの炭素数が0以上54以下であることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載のフラックス。 The cyclic amide compound has a dicarboxylic acid and a tricarboxylic acid having a carbon number of 3 or more and 10 or less, and a diamine and a triamine having a carbon number of 2 or more and 54 or less.
The acyclic amide compound is characterized in that the monocarboxylic acid, the dicarboxylic acid and the tricarboxylic acid have 2 or more and 28 or less carbon atoms, and the monoamine, diamine and triamine have 0 or more and 54 or less carbon atoms. The flux according to claim 2.
有機ハロゲン化合物を0wt%以上5wt%以下、
アミンハロゲン化水素酸塩を0wt%以上2wt%以下、又は
酸化防止剤を0wt%以上5wt%以下
含むことを特徴とする、請求項1から請求項15の何れか1項に記載のフラックス。 Furthermore, amine is 0 wt% or more and 20 wt% or less,
Organic halogen compounds 0 wt% or more and 5 wt% or less,
The flux according to any one of claims 1 to 15, characterized in that it contains 0 wt% or more and 2 wt% or less of an amine hydrogen halide, or 0 wt% or more and 5 wt% or less of an antioxidant.
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