JP2020137125A - ピラー構造を伴う圧電マイクロホンを製造する方法 - Google Patents
ピラー構造を伴う圧電マイクロホンを製造する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020137125A JP2020137125A JP2020025910A JP2020025910A JP2020137125A JP 2020137125 A JP2020137125 A JP 2020137125A JP 2020025910 A JP2020025910 A JP 2020025910A JP 2020025910 A JP2020025910 A JP 2020025910A JP 2020137125 A JP2020137125 A JP 2020137125A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- patterned
- microphone
- electrode
- pillar
- piezoelectric film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 7
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 4
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004830 Super Glue Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- FGBJXOREULPLGL-UHFFFAOYSA-N ethyl cyanoacrylate Chemical compound CCOC(=O)C(=C)C#N FGBJXOREULPLGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920001432 poly(L-lactide) Polymers 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-REOHCLBHSA-N L-lactic acid Chemical compound C[C@H](O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000024241 parasitism Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000747 poly(lactic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000004626 polylactic acid Substances 0.000 description 1
- 239000000941 radioactive substance Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
- H04R17/02—Microphones
- H04R17/025—Microphones using a piezoelectric polymer
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
- H04R17/02—Microphones
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/04—Microphones
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/077—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by liquid phase deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/857—Macromolecular compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/877—Conductive materials
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
- H04R2201/003—Mems transducers or their use
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
- H04R31/006—Interconnection of transducer parts
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
【課題】高い感度を有するピラー構造を伴う圧電マイクロホンを製造する方法を提供する。【解決手段】マイクロホン100において、パターン化された上部電極6は、パターン化された電極のパッド61を形成するよう、導電性材料を最初に蒸着することで実現される。ピラー3は、パターン化された電極のパッド61に整合させた位置に、硬質導電性材料を連続的に蒸着することによって形成される。最初の蒸着及び連続的な蒸着は、スクリーン印刷、ディスペンサ印刷または液体もしくは半流動体状態の材料のスプレーコーティングによって作られる。【選択図】図5
Description
本発明は、ピラー構造を伴う圧電マイクロホンを製造する方法に関する。
図1は、ピラー構造を伴う圧電マイクロホンを示す。音圧(Pa)に直接さらされる硬質ディッシュ(4)は、入射する力を複数の硬質ピラー(3)に伝達する。ピラー(3)は、圧電材料(ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、窒化アルミニウム(AIN)、ポリL乳酸(PLLA))のフィルム(2)と接触し、入射する力をフィルム(2)の限られた領域に集める。フィルム(2)は、負荷を受ける表面上に分極電荷(Qp)を生成する。分極電荷(Qp)は、音圧(Pa)に直接相関する、加えられた機械的負荷力に比例する。
第1の電極(下部電極)(5)及び第2の電極(上部電極)(6)は、圧電フィルム(2)の表面に配設される。電極(5、6)は端子に接続される。開回路状態において、端子(50、60)の端部における電圧信号(V)は、分極電荷(Qp)、及び2つの電極(5、6)と挿置されたフィルム(2)とから成るシステムの等価容量(C)に関連し、式V=Qp/Cに従う。
第1の電極(5)はプレートである。第2の電極(6)は、ピラー(3)とフィルム(2)との間の接触領域のみを網羅するような、複数の導電性パッド(61)を備えるパターン化された電極である。これらの導電性パッド(61)は、導電性トラック(62)の格子によって互いに接続され、かつ端子(60)に接続される。第2の電極(6)のパターン化された形状の目的は、両電極がプレートから成る構成に対して、等価容量(C)を減少させることである。
マイクロホンアセンブリは、基体(7)に配設される。
2つの機構(機械的負荷の増幅及び電気容量の低減)の最終結果として、出力電圧、したがって同じ音圧(Pa)におけるマイクロホンの感度を増加させる。感度の増加は、硬質ディッシュ(4)の面積とピラー(3)の断面積の合計との比率に比例する。
J.Xu,L.M.Headings,M.J.Dapino,「High Sensitivity Polyvinylidene Fluoride Microphone Based on Area Ratio Amplification and Minimal Capacitance」, Sen.J.,IEEE,2015,vol.15、no.5,p.2839〜2847は、ピラー構造を伴う圧電マイクロホンを開示している。このマイクロホンは、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)で作られた市販の圧電フィルムを能動要素として使用し、圧電フィルムの両面に、すでに印刷された均一の電極を伴う。以下の説明において、表現「能動要素」は、電気機械変換の役割りを担う圧電材料を示す。
図2を参照すると、マイクロホンを製造する方法は、以下のステップを含む。
−圧電フィルムの両側に、上部電極(6)及び下部電極(5)が印刷された、圧電フィルム(2)を準備するステップ。
−硬質ピラーとして作用させるため、対象物のように形状を決められたアルミニウム要素(3)を、上部電極(6)にシアノアクリレート接着剤(M−bond200)を用いて接着するステップ。
−アセトンを使用して上部電極(6)の余剰部分を取り除き、それによって上部電極のパターン化された形状を実現するステップ。
−硬質ディッシュ(4)をアルミニウム要素(3)に接着するステップ。
−上部電極(6)及び下部電極(5)の電気的接触を、圧電フィルム(2)に配設された銅条によって実現するステップ。
−アセンブリを硬質基体に接着するステップ。
−圧電フィルムの両側に、上部電極(6)及び下部電極(5)が印刷された、圧電フィルム(2)を準備するステップ。
−硬質ピラーとして作用させるため、対象物のように形状を決められたアルミニウム要素(3)を、上部電極(6)にシアノアクリレート接着剤(M−bond200)を用いて接着するステップ。
−アセトンを使用して上部電極(6)の余剰部分を取り除き、それによって上部電極のパターン化された形状を実現するステップ。
−硬質ディッシュ(4)をアルミニウム要素(3)に接着するステップ。
−上部電極(6)及び下部電極(5)の電気的接触を、圧電フィルム(2)に配設された銅条によって実現するステップ。
−アセンブリを硬質基体に接着するステップ。
このようなマイクロホンは感度が低減する。その主な理由は、硬質ディッシュ(4)の面積と、力のセントラライザとして作用するアルミニウム要素(3)の断面積との間の、低い比率である。実際、このような製造技法は、アルミニウム要素(3)を、シアノアクリレート接着剤を用いて接着することによって生じる制限によって、感度は損なわれる。シアノアクリレート接着剤は、高い面積比、及びそれによる良好な感度を保証するには、十分に精密ではない。
J.Xu,D.Gallego−perez,M.J.Dapino,D.Hansford,「Validation and Characterization of an Acoustic Sensor Based on PVDF Micropillars and patterned electrodes」,ASME 2010 Conf.on Smart Materials, Adaptive Structures and Intelligent System,(米),2010年9月28日−10月1日は、信号発生器及び力のセントラライザの二重機能を有し、圧電材料で作られたピラー構造を伴う、圧電マイクロホンを開示している。
図3を参照すると、マイクロホンを製造する方法は、以下のステップを含む。
−ピラーを構成するための複数の止り穴を伴う、ポリジメチルシロキサン(PDMS)で作られた、モールド(8)(図3a)を準備するステップ。
−溶液(300)(図3b)内のポリフッ化ビニリデン(PVDF)をモールド(8)に蒸着させ、フィルム(2)及びピラー(3)を備えるパターン化された圧電フィルム(301)(図3c)を実現するステップ(図4a及び図4bは、SEMによって拡大した、パターン化されたフィルム(301)の図である)。
−フォトリソグラフィー技法を用いてパッド(61)及び接続トラック(62)を形成し、ガラス基体から成る硬質ディッシュ(4)にパターン化された上部電極(6)(図3d)を実現するステップ。
−パターン化された電極(6)のパッド(61)と一致する、パターン化されたフィルム(301)のピラー(3)を作るために、光学的整合を実施するステップ。
−パターン化されたフィルム(301)を、高温圧縮によって硬質ディッシュ(4)に固定するステップ。
−銅プレート(図3e)から成る下部電極(5)を、パターン化されたフィルムのピラー(3)に適用するステップ。
−パターン化されたフィルム(301)のPVDFを分極化するステップ
−アセンブリを硬質基体に接着するステップ。
−ピラーを構成するための複数の止り穴を伴う、ポリジメチルシロキサン(PDMS)で作られた、モールド(8)(図3a)を準備するステップ。
−溶液(300)(図3b)内のポリフッ化ビニリデン(PVDF)をモールド(8)に蒸着させ、フィルム(2)及びピラー(3)を備えるパターン化された圧電フィルム(301)(図3c)を実現するステップ(図4a及び図4bは、SEMによって拡大した、パターン化されたフィルム(301)の図である)。
−フォトリソグラフィー技法を用いてパッド(61)及び接続トラック(62)を形成し、ガラス基体から成る硬質ディッシュ(4)にパターン化された上部電極(6)(図3d)を実現するステップ。
−パターン化された電極(6)のパッド(61)と一致する、パターン化されたフィルム(301)のピラー(3)を作るために、光学的整合を実施するステップ。
−パターン化されたフィルム(301)を、高温圧縮によって硬質ディッシュ(4)に固定するステップ。
−銅プレート(図3e)から成る下部電極(5)を、パターン化されたフィルムのピラー(3)に適用するステップ。
−パターン化されたフィルム(301)のPVDFを分極化するステップ
−アセンブリを硬質基体に接着するステップ。
全体的なプロセスは複雑で繊細であり、例えば、パターン化されたフィルム(301)とパターン化された電極(6)との間の光学的整合、及びパターン化されたフィルム(301)の圧電材料の分極化など、いくつかのステップは特に困難である。さらに、マイクロホンの開回路感度は十分なものではない。
J.Xu,L.M.Headings,M.J.Dapino,「High Sensitivity Polyvinylidene Fluoride Microphone Based on Area Ratio Amplification and Minimal Capacitance」, Sen.J.,IEEE,2015,vol.15、no.5,p.2839〜2847
J.Xu,D.Gallego−perez,M.J.Dapino,D.Hansford,「Validation and Characterization of an Acoustic Sensor Based on PVDF Micropillars and patterned electrodes」,ASME 2010 Conf.on Smart Materials, Adaptive Structures and Intelligent System,(米),2010年9月28日−10月1日
本発明の目的は、高い感度を特徴とする、ピラー構造を伴う圧電マイクロホンを製造する方法を開示することによって、従来技術の欠点を除去することである。
本発明の別の目的は、製造が安価かつ容易な、マイクロホンを製造する方法を開示することである。
これらの目的は、独立請求項1及び2の特性を伴う本発明によって実現される。
本発明の有利な形態は、従属請求項から明らかになる。
本発明による、ピラー構造を伴う圧電マイクロホンを製造する方法は、独立請求項1及び2において定義される。
本発明のさらなる特徴は、添付の図に示される、単に例示であり非限定の実施形態を参照した以下の詳細な説明から、より明白となる。
図5は、本発明の第1の実施形態によるマイクロホン(100)を示す。図6は、本発明の第2の実施形態によるマイクロホン(200)を示す。
両方の実施形態は、硬質ディッシュ(4)に入射する力(音圧(Pa))を、圧電材料で作られたフィルム(2)の限られた領域に伝達するのに好適な硬質構造を備える。この硬質構造は、硬質ディッシュ(4)及び複数のピラー(3)から成る。硬質ディッシュ(4)及びピラー(3)の剛性は、力の効果的な伝達を保証するのに十分であり、望ましくない共振現象を防止する。ピラー(3)の数は、高い面積比(感度)を維持しながら、硬質構造の安定性を確実にする。
両方の実施形態において、圧電フィルム(2)は、ピラー(3)の基部に対応した、負荷を受ける表面の分極電荷と同じ量を生成する。
第1の実施形態のマイクロホン(100)において、パターン化された電極(6)は、圧電フィルム(2)の上面に実現される。パターン化された電極(6)のパターン化された形状は、フィルム(2)とピラー(3)との間の接触領域のみを網羅する導電性パッド(61)から成り、等価容量を最小にする。パターン化された電極(6)のパッド(61)を相互接続する導電性トラック(62)は、寄生容量の影響を低減させるよう、最小の厚さを有する。第1の実施形態のマイクロホン(100)において、電圧信号(V)は、プレートのような形状でフィルム(2)の下に配設された電極(5)と、フィルム(2)の上に配設されたパターン化された電極(6)とに接続された、2つの端子(50、60)の端部においてピックアップされる。
第2の実施形態のマイクロホン(200)は、導電性材料のピラー(3)を有し、硬質ディッシュ(4)の下面においてパターン化された電極(6)を実現する。パターン化された電極(6)の非局在化は、同じパターン形状を伴い寄生の影響を考慮しない場合、等価容量の変動をもたらさない。したがって、2つの電極(5、6)の端子(50、60)間の電圧信号(V)は、第1の実施形態のマイクロホン(100)で実現したものと等しくなる。
本発明の主な特徴は、パターン化された電極(6)及びピラー(3)を、スクリーン印刷、ディスペンサ印刷、またはスプレーコーティングなどの基体蒸着技術を用いて製造することである。これらの技術は、溶液中の金属材料の複数の整合蒸着により、パターン化された電極(6)及びピラー(3)の付加製造を可能にする。各蒸着の後、溶液の蒸発ステップを経て、マイクロメートルまたはナノメートルスケールで変えられる厚さを特徴とする、薄い金属層を実現する。各蒸着の予想される厚さは、使用する技術及びプロセスパラメータに依拠する。複数の蒸着は、ピラーに所望の高さをもたらす。
溶液中の金属材料(例えば銀ペースト)の使用により、パターン化された電極及びピラーの製造を1つの作業セッションで可能にし、材料の浪費を防止する。さらに、ピラーの良好な機械的剛性及び良好な導電性が保証される。
ピラーは、パターン化された電極に始まる複数の蒸着によって形成される。前述の技術は、確実に高い精度で、硬質ディッシュ(4)の面積とピラー(3)の断面積との間の高い比率(マイクロホン感度の重要な要因)を保証する。さらに、製造プロセスは、従来技術のパターン化された圧電フィルムを用いるソリューションよりも、かなり容易である。
本発明の第1の実施形態によるマイクロホンの製造プロセスは、以下のステップを含む。
−下部電極(5)を、導電性材料の蒸着または印刷技法によって、圧電フィルム(2)の下側に実現するステップ。
−パターン化された上部電極(6)を、パターン化された電極のパッド(61)を形成する導電性材料の最初の蒸着または印刷によって、圧電フィルム(2)の上側に実現するステップ。
−ピラー(3)を、パターン化された電極(6)のパッド(61)と整合させた位置に、硬質材料の連続的な蒸着または印刷によって、パターン化された電極のパッド(61)に実現するステップ。
−アセンブリを実現するため、硬質ディッシュ(4)を、導電性接着剤によってピラー(3)及び/または圧電フィルム(2)に拘束するステップ。
−アセンブリを硬質基体(7)に接着するステップ。
−下部電極(5)を、導電性材料の蒸着または印刷技法によって、圧電フィルム(2)の下側に実現するステップ。
−パターン化された上部電極(6)を、パターン化された電極のパッド(61)を形成する導電性材料の最初の蒸着または印刷によって、圧電フィルム(2)の上側に実現するステップ。
−ピラー(3)を、パターン化された電極(6)のパッド(61)と整合させた位置に、硬質材料の連続的な蒸着または印刷によって、パターン化された電極のパッド(61)に実現するステップ。
−アセンブリを実現するため、硬質ディッシュ(4)を、導電性接着剤によってピラー(3)及び/または圧電フィルム(2)に拘束するステップ。
−アセンブリを硬質基体(7)に接着するステップ。
本発明の第2の実施形態によるマイクロホン(200)の製造プロセスは、以下のステップを含む。
−下部電極(5)を、導電性材料の蒸着または印刷技法によって、圧電フィルム(2)の下側に実現するステップ。
−パターン化された上部電極(6)を、パターン化された電極のパッド(61)を形成する導電性材料の最初の蒸着または印刷によって、硬質ディッシュ(4)の下側に実現するステップ。
−ピラー(3)を、パターン化された電極(6)のパッド(61)と整合させた位置に、導電性材料の連続的な蒸着または印刷によって、パターン化された電極のパッド(61)に実現するステップ。
−アセンブリを実現するため、圧電フィルム(4)を、導電性接着剤によってピラー(3)及び/または硬質ディッシュ(4)に拘束するステップ。
−アセンブリを硬質基体(7)に接着するステップ。
−下部電極(5)を、導電性材料の蒸着または印刷技法によって、圧電フィルム(2)の下側に実現するステップ。
−パターン化された上部電極(6)を、パターン化された電極のパッド(61)を形成する導電性材料の最初の蒸着または印刷によって、硬質ディッシュ(4)の下側に実現するステップ。
−ピラー(3)を、パターン化された電極(6)のパッド(61)と整合させた位置に、導電性材料の連続的な蒸着または印刷によって、パターン化された電極のパッド(61)に実現するステップ。
−アセンブリを実現するため、圧電フィルム(4)を、導電性接着剤によってピラー(3)及び/または硬質ディッシュ(4)に拘束するステップ。
−アセンブリを硬質基体(7)に接着するステップ。
パターン化された電極(6)からピラー(3)を製造することで、ピラーとパターン化された電極との間の光学的整合のための困難なステップを回避する。
スクリーン印刷技術(または他の印刷技術)の、従来の蒸着技法と比較した主な利点は、以下のとおりである。
−大量生産のための迅速な拡張性(市販のスクリーン印刷機は、500mm×500mmの寸法の基体に容易に印刷できる)。
−従来の製造技術が控除型(すなわち材料は全ての箇所に蒸着され、その後除去される)である一方で、本発明の技術は、付加型(すなわち材料が必要な箇所のみに蒸着される)である。このような取り組みは、材料の浪費を最小限に抑える。
−マイクロホンを高スループット、低入力障壁で、低コストに製造することができる(スクリーン印刷機は数万ユーロで購入でき、大きい領域に印刷できる。ディスペンス印刷の使用は、コスト効率が高く、スクリーンの使用を必要としない)。
−異なる形状及び寸法を実現するために、設計が容易に縮尺を決めることができる。さらに、共形の基体の使用は、高い設計融通性を伴い、マイクロホンを過去に設計された対象物に挿入することを可能にする。
−大量生産のための迅速な拡張性(市販のスクリーン印刷機は、500mm×500mmの寸法の基体に容易に印刷できる)。
−従来の製造技術が控除型(すなわち材料は全ての箇所に蒸着され、その後除去される)である一方で、本発明の技術は、付加型(すなわち材料が必要な箇所のみに蒸着される)である。このような取り組みは、材料の浪費を最小限に抑える。
−マイクロホンを高スループット、低入力障壁で、低コストに製造することができる(スクリーン印刷機は数万ユーロで購入でき、大きい領域に印刷できる。ディスペンス印刷の使用は、コスト効率が高く、スクリーンの使用を必要としない)。
−異なる形状及び寸法を実現するために、設計が容易に縮尺を決めることができる。さらに、共形の基体の使用は、高い設計融通性を伴い、マイクロホンを過去に設計された対象物に挿入することを可能にする。
本発明の第2の実施形態によるマイクロホン(200)の製造プロセスを、以下に説明する。
図7を参照すると、39μm厚のポリフッ化ビニリデン(PVDF)の圧電フィルム(2)が、能動要素として使用される。圧電フィルム(2)は、電極なしですでに分極化されている。PVDFの使用は、セラミック材料と比較して、電圧下における高い感度によって価値が認められる。さらに、PVDFは、汚染物及び放射物に対する高い抵抗性を有し、重金属を含まない。しかし、窒化アルミニウム(AIN)及びポリL乳酸(PLLA)などの、同じ圧電特性を有する他の材料を使用することもできる。
硬質ディッシュ(4)は、100μm厚のPETプレートである。基体(7)は、PMMAから作られる。
下部電極(5)は、導電性材料(例えば銀)の蒸着によるスクリーン印刷技術またはディスペンサ印刷技術によって、PVDFの圧電フィルム(2)の下側に蒸着される。下部電極(5)は、5マイクロメートルより厚く、プレート状に形状付けられる。
パターン化された上部電極(6)は、スクリーン印刷技術またはディスペンサ印刷技術を用いた導電材料の最初の蒸着により、(例えばPETで作られた)硬質ディッシュ(4)に実現される。スクリーン印刷の場合、設計ステップの間に、スクリーンは、印刷される要素の外形及び配置に従って範囲を定められる。図8は、パターン化された上部電極(6)を実現するための、銀の蒸着に必要なスクリーンを準備するために使用されるパターンを示す。
、ディスペンサ印刷の場合は、要素がガーバーファイルから直接印刷されるためスクリーンは不要である。
図9及び図10を参照すると、パターン化された電極(6)は、1mm径の円形(ピラー基部)で、長手方向に5mmかつ横断方向に10mm離された、96個のパッド(61)から成る。パッド(61)を接続するトラック(62)は、0.5mm幅である。
(例えばPETで作られた)硬質ディッシュ(4)は、音場にさらされる面積A=5×5=25cm2を有する。各ピラーの断面積は、S=0.52×π=0.785mm2である。96個という多い数のピラー(3)は、PETで作られた硬質ディッシュ(4)の安定性を保証するために必要である。したがって、全てのピラーの合計断面積は、ST=75.36mm2である。上記の観点において、硬質ディッシュの面積と全てのピラーの断面積との間の比率は、R=A/S=33.17と等しい。このような比率(R)は、優れた感度を保証するのに十分である。
長手方向に5mm、横断方向に10mm対向して離された、1mm径の少なくとも90個のピラーが実現される場合、硬質ディッシュの面積と全てのピラーの断面積との比率(R)が30より高く実現される。
パターン化された電極(6)は、矩形の外部パッド(65)を有する。外部パッド(65)は、能動領域の外側に配設され、電圧信号の取得を容易にする。外部パッド(65)は、能動領域の外部との溶接可能な接触を実現させ、システムの動力学に干渉することなく、正しい電圧信号をより容易に取得するのを可能にする。
ピラー(3)は、パターン化された電極のパッド(61)と整合させた位置において、導電性材料(例えば銀)を連続的に蒸着することによって実現される。数回の蒸着が実行され、各蒸着は銀の6〜7μmの層を生成し、各ピラーの合計厚は概ね48〜56μm、好ましくは55μmとなる。ピラーを硬質かつ導電性にするために、熱アニーリング処理を、2つの導電性の蒸着された層の間に実行する必要がある。
アニーリング処理の後、スクリーン(スクリーン印刷の場合)またはノズル(ディスペンサ印刷の場合)を、正確に位置に戻す必要がある。ピラーを実現するために実行された蒸着は、10%(0.05mm)の最大のずれ許容で、カメラ及び高精度マイクロマニピュレータによって整合させる。この特徴は、高い形状係数を伴うピラーを実現するために根本的である。実験テストは、55μm厚のピラー(3)が、高品質で均一なピラーを実現する限界であることを確証した。
薄い銅条(66)が、信号をピックアップするために必要な溶着を得るため、銀の外部パッド(65)の近傍に追加される。銅条(66)と矩形パッド(65)との間の電気的接続は、矩形パッド(65)に配設されてブリッジとして作用する、銀ペーストによって保証される。
PVDFから作られた圧電フィルム(2)は、シアノアクリレート接着剤を用いて、PMMAで作られた基体(7)に接着される。
薄い銅条は、PVDFで作られた圧電フィルム(2)と基体(7)との間に配設され、下部電極(5)に接続される。銅条と下部電極(5)との間の電気的接続は、下部電極に配設されてブリッジとして作用する、銀ペーストによって保証される。
PETで作られた硬質ディッシュ(4)は、シアノアクリレート接着剤(9)を用いて、PVDFで作られた圧電フィルム(2)の2つの縁部に接着される(図7)。接着は、能動領域から好適な距離を置いて実行される。代替として、PETで作られた硬質ディッシュ(4)を、シアノアクリレート接着剤を用いて縁部に固定することなく、ピラー(3)に直接拘束させることができる。
マイクロホン(200)の感度は、Exponential Sinusoidal Sweep(ESS)技術によって、無響室でシミュレートされた自由音場で計測された。IEC 61094−8スタンダードに従った、第2の特徴付けの方法は、自由音場で較正されたタイプ4189のBruel&Kjaer社の実験室のマイクロホンと比較するために使用される。
図11は、本発明によるマイクロホン(200)、及び基準マイクロホン(B)の計測設定を示す。本発明のマイクロホン(200)及び基準マイクロホン(B)は、遠方場条件を保証するために1m離して配設する。両方のマイクロホンは、電磁干渉を最小限に抑えるために、ファラデーケージ(400)の中に含包される。マイクロホン(200)の出力電圧は、電圧バッファによって調節される。この電圧バッファは、音響帯域外の遮断周波数を保証するよう、高い入力インピーダンス(10MΩ)を特徴とする。
ダイナミックスピーカ(401)及びファラデーケージ(400)は、無響室(402)に配設される。ダイナミックスピーカ(401)は、ESSタイプの圧力信号を生成する。
基準マイクロホン(B)を使用して、実際の入力音圧を計測する。これは、本発明によるマイクロホン(200)の感度を判定するために必要である。計測された感度は、標準圧である94dBのSPLにおいて規格化された。
図12は、本発明によるマイクロホン(200)の感度を、周波数の関数として示す。図12に示されるように、感度は100μV/Pa(−80dB V/Pa)辺りで概ね一定である。したがって、本発明によるマイクロホン(200)の感度値は、概ね1mV/Pa(ダイナミック)〜50mV/Pa(キャパシタ)の範囲である従来のマイクロホンの感度値よりも、大幅に良好である。
添付の特許請求の範囲で開示した本発明の範囲内の任意のケースに帰着する、また、当業者が到達する範囲内の、多くの同等の変形及び変更が、本発明の本実施形態に成され得る。
Claims (10)
- マイクロホン(100)を製造する方法であって、前記マイクロホン(100)は、
−圧電材料のフィルム(2)と、
−前記圧電フィルム(2)の下側に配設された、下部電極(5)と、
−前記圧電フィルムの上側に配設されたパッド(61)を備える、パターン化された上部電極(6)と、
−前記パターン化された電極の前記パッド(61)に配設された、ピラー(3)と、
−前記ピラーに配設された硬質ディッシュ(4)と
を備え、
前記方法は、
−前記パターン化された電極の前記パッド(61)を形成するよう、前記圧電フィルム(2)の上側に導電性材料を最初に蒸着することによって、前記パターン化された上部電極(6)を作るステップと、
−前記パターン化された電極の前記パッド(61)に整合させた位置に、硬質材料を連続的に蒸着することによって、ピラー(3)を作るステップと
を含み、
前記最初の蒸着及び前記連続的な蒸着は、スクリーン印刷、ディスペンサ印刷、または、液体もしくは半流動体状態の材料のスプレーコーティングによって作られる、方法。 - マイクロホン(200)を製造する方法であって、前記マイクロホン(200)は、
−圧電材料のフィルム(2)と、
−前記圧電フィルム(2)の下側に配設された、下部電極(5)と、
−硬質ディッシュ(4)と、
−前記硬質ディッシュ(4)の下側に配設されたパッド(61)を備える、パターン化された上部電極(6)と、
−前記パターン化された電極の前記パッド(61)、及び前記圧電フィルム(2)に配設された、ピラー(3)と
を備え、
前記方法は、
−前記パターン化された電極の前記パッド(61)を形成するよう、前記硬質ディッシュ(4)の下側に導電性材料を最初に蒸着することによって、前記パターン化された上部電極(6)を作るステップと、
−前記パターン化された電極の前記パッド(61)に整合させた位置に、硬質導電性材料を連続的に蒸着することによって、ピラー(3)を作るステップと
を含み、
前記最初の蒸着及び前記連続的な蒸着は、スクリーン印刷、ディスペンサ印刷、または、液体もしくは半流動体状態の材料のスプレーコーティングによって作られる、方法。 - 前記下部電極(5)は、スクリーン印刷、ディスペンサ印刷、または液体もしくは半流動体状態の材料のスプレーコーティングによって、前記圧電フィルム(2)の下側に導電性材料を蒸着することによって実現される、請求項1または2に記載の方法。
- 前記ピラー(3)の前記硬質材料は、前記パターン化された上部電極(6)の導電性材料と同じ導電性材料である、請求項1から3のうちいずれか一項に記載の方法。
- 前記ピラー(3)の前記硬質材料、及びパターン化された上部電極(6)の前記導電性材料は、銀ペーストである、請求項4に記載の方法。
- 前記ピラー(3)は、蒸着した層と連続的に蒸着した層との間で熱アニーリング処理を実行する、複数の連続した蒸着によって実現される、請求項1から5のうちいずれか一項に記載の方法。
- 各ピラーは、8回の連続的な蒸着によって実現され、概ね48〜56μm厚である、請求項6に記載の方法。
- 音場にさらされる前記硬質ディッシュ(4)の面積と、全てのピラーの断面積との比率が30より高くなるよう、対向して離された1mm径の少なくとも90個のピラーが実現される、請求項1から7のうちいずれか一項に記載の方法。
- 前記圧電フィルム(2)は、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、または窒化アルミニウム(AIN)、及びポリL乳酸(PLLA)から作られる、請求項1から8のうちいずれか一項に記載の方法。
- 前記硬質ディッシュ(4)は、ポリエチレンテレフタレート(PET)から作られる、請求項1から9のうちいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT102019000002481A IT201900002481A1 (it) | 2019-02-20 | 2019-02-20 | Metodo di realizzazione di un sensore microfonico piezoelettrico con struttura a pilastri. |
IT102019000002481 | 2019-02-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020137125A true JP2020137125A (ja) | 2020-08-31 |
Family
ID=66641239
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020025910A Pending JP2020137125A (ja) | 2019-02-20 | 2020-02-19 | ピラー構造を伴う圧電マイクロホンを製造する方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200267478A1 (ja) |
EP (1) | EP3700228B1 (ja) |
JP (1) | JP2020137125A (ja) |
CN (1) | CN111601229A (ja) |
IT (1) | IT201900002481A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220068067A (ko) * | 2020-11-18 | 2022-05-25 | 주식회사 뉴로소나 | 압전 복합체 제조 방법 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1245291C (zh) * | 1998-11-14 | 2006-03-15 | 萨尔技术有限公司 | 液滴沉积装置 |
DE10195878T1 (de) * | 2000-03-07 | 2003-06-12 | Hearworks Pty Ltd | Doppelkondensatormikrophon |
US7141915B2 (en) * | 2003-07-22 | 2006-11-28 | Ngk Insulators, Ltd. | Actuator device |
JP4033401B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2008-01-16 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品および当該部品の製造の供せられるセラミックグリーンシートの製造方法 |
KR100707949B1 (ko) * | 2005-12-12 | 2007-04-13 | 주식회사 제닉슨 | O-3형 압전 복합체를 이용한 필름스피커 및 그 제조 방법 |
CN101079608A (zh) * | 2006-05-23 | 2007-11-28 | 松下电器产业株式会社 | 压电振荡器及其制造方法 |
WO2008018452A1 (fr) * | 2006-08-07 | 2008-02-14 | Kyocera Corporation | Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface |
JP2009170467A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッドの製造方法及びアクチュエータ装置の製造方法 |
JP5707323B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2015-04-30 | ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ミシガンThe Regents Of The University Of Michigan | 圧電型memsマイクロフォン |
KR101133141B1 (ko) * | 2011-03-22 | 2012-04-06 | 삼성테크윈 주식회사 | 터치 패널 |
JP2014086661A (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Toyota Motor Corp | 金属化フィルムコンデンサ |
US9438979B2 (en) * | 2014-03-06 | 2016-09-06 | Infineon Technologies Ag | MEMS sensor structure for sensing pressure waves and a change in ambient pressure |
GB2533667B (en) * | 2014-12-23 | 2017-07-19 | Cambridge Touch Tech Ltd | Pressure-sensitive touch panel |
KR101758017B1 (ko) * | 2016-05-20 | 2017-07-13 | 소스트 주식회사 | 피에조 멤스 마이크로폰 및 그 제조방법 |
-
2019
- 2019-02-20 IT IT102019000002481A patent/IT201900002481A1/it unknown
-
2020
- 2020-02-13 EP EP20157066.0A patent/EP3700228B1/en active Active
- 2020-02-17 US US16/792,691 patent/US20200267478A1/en not_active Abandoned
- 2020-02-19 JP JP2020025910A patent/JP2020137125A/ja active Pending
- 2020-02-20 CN CN202010104319.4A patent/CN111601229A/zh active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220068067A (ko) * | 2020-11-18 | 2022-05-25 | 주식회사 뉴로소나 | 압전 복합체 제조 방법 |
KR102482205B1 (ko) | 2020-11-18 | 2022-12-28 | 주식회사 뉴로소나 | 압전 복합체 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3700228B1 (en) | 2022-03-30 |
US20200267478A1 (en) | 2020-08-20 |
IT201900002481A1 (it) | 2020-08-20 |
CN111601229A (zh) | 2020-08-28 |
EP3700228A1 (en) | 2020-08-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102005008512B4 (de) | Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon | |
US20150271606A1 (en) | Acoustic Transducer with Gap-Controlling Geometry and Method of Manufacturing an Acoustic Transducer | |
KR20050057481A (ko) | 형상화 활물질로 제조된 벤딩 액추에이터 및 센서와 이들의제조방법 | |
US6788795B2 (en) | Micromachined capacitive component with high stability | |
US8345910B2 (en) | Microphone devices and methods for tuning microphone devices | |
US20130329920A1 (en) | Piezoelectric mems microphone | |
KR101339909B1 (ko) | 마이크로폰 패키지 | |
GB2555510A (en) | MEMS device and process | |
US20220386031A1 (en) | Conductive film for a sound generation device and the sound generation device | |
US20180352339A1 (en) | Mems devices and processes | |
JP2020137125A (ja) | ピラー構造を伴う圧電マイクロホンを製造する方法 | |
TWI704100B (zh) | Mems裝置與製程 | |
CN117098051A (zh) | 一种压电式mems扬声器芯片及其制作方法 | |
CN107208999A (zh) | 压电元件以及压电传感器 | |
JP5934145B2 (ja) | 携帯端末 | |
GB2568321A (en) | MEMS devices and processes | |
JP2007315958A (ja) | 加速度センサおよび加速度センサの製造方法 | |
Hindrichsen et al. | MEMS accelerometer with screen printed piezoelectric thick film | |
Hu et al. | A ScAlN-based piezoelectric MEMS microphone with sector-connected cantilevers | |
US10549984B2 (en) | MEMS package and method of manufacturing the same | |
Medesi et al. | The co-casting process: A new manufacturing process for ceramic multilayer devices | |
WO2019122402A1 (en) | Piezoelectric device with a sensor and method for measuring the behaviour of said piezoelectric device | |
CN216350791U (zh) | 加速度传感器芯片 | |
DE19946467A1 (de) | Elektrostatischer Wandler und Verfahren zu seiner Herstellung | |
CN113933537A (zh) | 加速度传感器芯片及其制备方法 |