CN216350791U - 加速度传感器芯片 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种加速度传感器芯片，加速度传感器芯片包括基座、支撑梁、质量块和压电件，基座包括外框体和通腔，支撑梁由外框体向通腔的中心延伸，质量块设置于通腔内并搭载于支撑梁。压电件设置于质量块的一侧表面上，沿厚度方向上压电件在第一表面上的正投影面积大于所述支撑梁在第一表面上的正投影面积。即将压电件和支撑梁分开设置，在通过支撑梁保证加速度传感器芯片的机械灵敏度的同时，使沿厚度方向上压电件在第一表面上的正投影面积大于支撑梁在第一表面上的正投影面积，来提高加速度传感器芯片的电荷输出量。

Description

加速度传感器芯片

技术领域

本申请涉及微机电器件技术领域，尤其涉及一种加速度传感器芯片。

背景技术

随着现代化工业及科学技术的进步，现代工业装备逐渐朝向自动化的方向发展，为保证现代工业装备的有效运行，通常需要对其运行过程中的振动信号分析处理。传统测振传感器的振动监控系统往往体积大，成本高，渐渐无法满足日益复杂精密的现代工业装备振动监控需求，利用MEMS技术结合压电薄膜材料制备技术制造的加速度传感器芯片由于体积小、功耗低、成本低等优点，而得到广泛应用，但现有的加速度传感器芯片受制于其自身的结构尺寸，难以在保证机械灵敏度的前提下，提高电荷输出量。

因此，亟需一种新的加速度传感器芯片。

实用新型内容

本申请实施例提供了一种加速度传感器芯片，通过将支撑梁和压电件分开设置，从而在保证加速度传感器芯片的机械灵敏度的同时，提高加速度传感器芯片的输出电荷量。

本申请实施例提供了一种加速度传感器芯片，包括基座，在自身厚度方向上具有相背的第一表面和第二表面，所述基座包括外框体和通腔；支撑梁，由所述外框体向所述通腔的中心延伸；质量块，设置于所述通腔内并搭载于所述支撑梁；压电件，设置于所述质量块的一侧表面上沿所述厚度方向上所述压电件在所述第一表面上的正投影面积大于所述支撑梁在所述第一表面上的正投影面积

根据本申请实施例的一个方面，所述压电件在所述厚度方向上的尺寸小于所述支撑梁在所述厚度方向上的尺寸。

根据本申请实施例的一个方面，所述质量块包括固定岛和多个单元块，所述多个单元块连接于所述固定岛周侧且相互之间有间隔缝隙，所述支撑梁通过所述间隔缝隙延伸向所述固定岛。

根据本申请实施例的一个方面，各所述压电件与所述单元块对应设置，所述压电件的相对两端中的一者担载于所述单元块，另一者担载于所述外框体。

根据本申请实施例的一个方面，所述质量块各边至少设置有一个所述支撑梁，多个所述支撑梁两两垂直。

根据本申请实施例的一个方面，各所述压电件包括多个间隔设置的压电梁，所述压电梁的第一端担载于所述外框体，第二端担载于所述质量块。

根据本申请实施例的一个方面，多个所述压电梁的第一端相连成梳齿状结构。

根据本申请实施例的一个方面，所述压电梁的第一端与相邻一侧的所述压电梁的第一端相连，所述压电梁的第二端与相邻另一侧的所述压电梁的第二端相连，形成S型结构。

根据本申请实施例的一个方面，所述压电件包括层叠设置的第一电极、压电层和第二电极，所述压电件连接有第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘与所述第一电极电连接，所述第二焊盘与所述第二电极电连接。

根据本申请实施例的一个方面，所述第二电极远离所述第一电极一侧的表面上设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层在所述第一表面上的投影至少覆盖所述第一电极、所述压电层和所述第二电极。

本申请实施例提供的加速度传感器芯片，加速度传感器芯片包括基座、支撑梁、质量块和压电件，基座包括外框体和通腔，支撑梁由外框体向通腔的中心延伸，质量块设置于通腔内并搭载于支撑梁，使得质量块能够通过支撑梁悬空设置于通腔的中心。压电件设置于质量块的一侧表面上，沿厚度方向上压电件在第一表面上的正投影面积大于支撑梁在第一表面上的正投影面积。即将压电件和支撑梁分开设置，在通过支撑梁保证加速度传感器芯片的机械灵敏度的同时，使沿厚度方向上压电件在第一表面上的正投影面积大于支撑梁在第一表面上的正投影面积，从而使得压电件具有较大的表面电极，来提高加速度传感器芯片的电荷输出量。

附图说明

通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。

图1示出本申请实施例提供的加速度传感器芯片的结构示意图；

图2示出本申请实施例提供的去除第一盖板的加速度传感器芯片的俯视图；

图3示出图2沿C-C的断面图；

图4示出图1中B处的局部放大图；

图5示出本申请实施例提供的加速度传感器芯片制备方法的流程图；

图6a-6h分别示出本申请实施例提供的加速度传感器芯片制备方法的各个阶段沿图1中C-C的断面示意图；

图7示出本申请另一实施例提供的加速度传感器芯片制备方法的流程图。

附图标记说明：

1-基座；11-衬底硅层；12-第二绝缘层；13-顶层硅层；

2-支撑梁；

3-质量块；31-固定岛；32-单元块；

4-压电件；41-第一电极；42-压电层；43-第二电极；44-第一绝缘层；

5-焊盘；51-第一焊盘；52-第二焊盘；

6-第一盖板；61-第一凹槽；62-开孔；

7-第二盖板；71-第二凹槽；

X-第一方向；Z-厚度方向；P1-第一表面；P2-第二表面。

具体实施方式

下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本申请进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本申请，并不被配置为限定本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请更好的理解。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。

为了更好地理解本申请，下面结合图1至图7根据本申请实施例的加速度传感器芯片及其制备方法进行详细描述。

请参阅图1至图4，本申请实施例提供了一种加速度传感器芯片，包括：基座1，在自身厚度方向Z上具有相背的第一表面P1和第二表面P2，基座1包括外框体和通腔；支撑梁2，由外框体向通腔的中心延伸；质量块3，设置于通腔内并搭载于支撑梁2；压电件4，设置于质量块3的一侧表面上，沿厚度方向Z上压电件4在第一表面P1上的正投影面积大于支撑梁2在第一表面P1上的正投影面积，压电件4在厚度方向Z上的尺寸小于支撑梁2在厚度方向Z上的尺寸。

本申请实施例提供的加速度传感器芯片包括基座1、支撑梁2、质量块3和压电件4，基座1包括外框体和通腔，支撑梁2由外框体向通腔的中心延伸，质量块3设置于通腔内并搭载于支撑梁2，使得质量块3能够通过支撑梁2悬空设置于通腔的中心。压电件4设置于质量块3的一侧表面上，沿厚度方向Z上压电件4在第一表面P1上的正投影面积大于支撑梁2在第一表面P1上的正投影面积。即将压电件4和支撑梁2分开设置，在通过支撑梁2保证加速度传感器芯片的机械灵敏度的同时，使沿厚度方向Z上压电件4在第一表面P1上的正投影面积大于支撑梁2在第一表面P1上的正投影面积，从而使得压电件4具有较大的表面电极，来提高加速度传感器芯片的电荷输出量。可以理解的是，请参阅图1至图4，当加速度传感器芯片被固定在待测振动的物体上时，质量块3将沿厚度方向Z，即加速度方向产生一定的位移，该加速度方向为垂直于第一表面P1，即XY平面的方向，压电件4受到质量块3的惯性力作用，通过正压电效应在压电件4的平行于第一表面P1的两侧表面上产生电荷，当被测振物体的振动频率远低于加速度传感器芯片的固有频率时，该输出电荷与物体振动的加速度成正比，通过后续信号处理电路对电荷量进行测量，从而可以表征物体振动的加速度值。

需要说明的是，传统的加速度传感器芯片往往采用悬臂梁结构支撑质量块3，通过在悬臂梁上制备压电材料，当质量块3振动时带动悬臂梁上的压电材料发生形变而产生电荷。但是，为保证加速度传感器芯片的机械灵敏度，悬臂梁往往需要设置为细长的结构，然而该种结构将会限制其上制备的压电材料的面积而降低压电件4的输出电荷量，同时细长的结构也会导致其抗过载能力较差，容易发生断裂，且会导致其谐振频率较低，使得加速度传感器芯片的量程和带宽变小。但若是增大悬臂梁的宽度或厚度，又会使其刚度变大，而造成压电材料的形变变小，降低加速度传感器芯片的机械灵敏度，同时限制了加速度传感器芯片的微型化。

对此，本申请的实施例中的加速度传感器芯片通过将支撑梁2和压电件4分开设置，支撑梁2设置于外框体和质量块之间，用以支撑质量块3沿加速度方向运动，支撑梁2可以设置为细长结构来保证加速度传感器的机械灵敏度，而压电件4设置于质量块3一侧，故可以增大压电件4的面积来增加压电件4的输出电荷量。其极大的弱化了加速度传感器芯片的机械灵敏度和输出电荷量的制约关系，使得加速度传感器芯片的机械灵敏度和输出电荷量都有了明显的提高，提高了加速度传感器芯片的性能。

请参阅图2和图3，进一步的，压电件4在厚度方向的尺寸小于支撑梁2在厚度方向的尺寸。通过使压电件4在厚度方向的尺寸小于支撑梁2在厚度方向的尺寸，使得压电件4具有较小的厚度，从而使其具有较大的谐振频率，来提高加速度传感器芯片的工作带宽，进而实现在保证加速度传感器芯片的机械灵敏度的同时，提高其电荷输出量、谐振频率和工作带宽。

为提高加速度传感器芯片的机械灵敏度，质量块3包括固定岛31和多个单元块32，多个单元块32连接于固定岛31周侧且相互之间有间隔缝隙，支撑梁2通过间隔缝隙延伸向固定岛31；各压电件4与单元块32对应设置，压电件4的相对两端中的一者担载于单元块32，另一者担载于外框体。即支撑梁2一端固定连接基座1，另一端固定连接质量块3，从而将质量块3悬空设置于通腔的中心区域。同时，通过将质量块3设置为固定岛31和连接于固定岛31周侧多个单元块32，并将支撑梁2穿设相邻单元块32的间隔缝隙延伸至固定岛31，从而在保证较大质量块3的同时，大幅增加支撑梁2的长度，以提高加速度传感器芯片的机械灵敏度。

可选的，支撑梁2和质量块3可以一体刻蚀形成，也可以分开制备。当支撑梁2和质量块3一体刻蚀时，可通过在质量块3上刻蚀出从外框体向质量块3的固定岛31延伸的多对平行凹槽，在各对平行凹槽之间即可形成单元块32，同一对平行凹槽的两个凹槽之间即可形成支撑梁2，通过将支撑梁2和质量块3一体设置，可以提高加速度传感器芯片的抗过载能力，同时简化加速度传感器芯片的制备工艺。

进一步的，为避免受到振动时质量块3在XY平面内出现横向位移，质量块3各边至少设置一个支撑梁2，多个支撑梁2两两垂直。通过使质量块3各边的支撑梁2两两垂直设置，同时由于支撑梁2具有一定的厚度，有利于抑制质量块3的横向位移，即除加速度方向以外的位移。可选的，多个支撑梁2可沿质量块3的周向规律性分布，从而保证了质量块3的力矩平衡，进一步降低了加速度传感器芯片的横向输出。需要说明的是，本实施例中仅给出了设置四个支撑梁2的附图，但本申请的保护范围不应以此为限，其能够满足将质量块3稳定支撑于通腔内且横向刚度大于纵向刚度的结构形式即可，在此不作具体限定。

请参阅图1至图4，各压电件4包括多个间隔设置的压电梁，压电梁的第一端担载于外框体，第二端担载于质量块3。通过将整块压电件4分割为多个间隔设置的压电梁，一方面能够增大谐振频率，提高灵敏度，另一方面由于压电件4厚度较小，通过将压电件4分开设置为多个压电梁，也减小了制备难度。

具体的，多个压电梁的第一端相连成梳齿状结构，或压电梁的第一端与相邻一侧的压电梁的第一端相连，压电梁的第二端与相邻另一侧的压电梁的第二端相连，形成S型结构，即压电件4上的多个压电梁可以通过串联或并联的方式形成一组灵敏单元，能够将多个压电梁产生的电荷汇集在一起输出，增大加速度传感器芯片的响应能力。

请参阅图2和图3，压电件4包括层叠设置的第一电极41、压电层42和第二电极43，压电件4连接有焊盘5，焊盘5包括第一焊盘51和第一焊盘52，第一焊盘51与第一电极41电连接，第一焊盘52与第二电极43电连接，使得压电层42产生的电信号可以通过焊盘5导出。

进一步的，第二电极43远离第一电极41一侧的表面上还设置有第一绝缘层44，第一绝缘层44在第一表面P1上的正投影至少覆盖第一电极41、压电层42和第二电极43，从而防止导电杂质沾污引起第一电极41和第二电极43之间的短路。

其中，加速度传感器芯片还包括第一盖板6和第二盖板7，第一盖板6和第二盖板7在第一表面P1上的正投影覆盖基座1，且第一盖板6和第二盖板7分别盖合于基座1的第一表面P1和第二表面P2上，第一盖板6上对应焊盘5设置有开孔62，以便通过开孔62穿设走线来导出焊盘5的电信号。可选的，第一盖板6和第二盖板7上对应通腔的中心区域分别设置有第一凹槽61和第二凹槽71，以便于质量块3具有足够的空间沿加速度方向振动。

请参阅图5，本申请另一种实施例还提出了一种加速度传感器芯片制备方法，包括：

S110：提供基座，在基座一侧表面依次沉积第一电极层和压电材料层；

S120：在压电材料层背离基座一侧的表面形成图形化的第二电极；

S130：刻蚀压电材料层形成图形化的压电层；

S140：刻蚀第一电极层形成图形化的第一电极；

S150：刻蚀基座形成图形化的支撑梁、质量块和压电件。

请参阅图6a，可选的，在步骤S110中，基座1可以选用SOI(Silicon-On-Insulator)硅晶圆，其包括层叠设置的衬底硅层11、第二绝缘层12和顶层硅层13，在顶层硅层13远离衬底硅层11的一侧表面上依次沉积第一电极层和压电材料层。其中，顶层硅层13厚度可以设置为5um～20um，第一电极层可以设置为铂/钛电极或其他金属电极，铂电极厚度可以设置为50nm，钛电极厚度可以设置为150nm，压电材料层可以设置为0.1um～3um。

在步骤S120中，可在使用标准半导体清洗工艺清洗后，在压电材料层背离第一电极层的一侧表面上旋涂剥离胶，曝光显影后去除底胶，从而形成光刻胶图形，随后沉积第二电极材料，采用剥离工艺形成图形化的第二电极43。其中，剥离胶的涂布厚度可以设置为4um，第二电极材料可以设置钛/金电极或其他金属电极，钛电极厚度可以设置为50nm，金电极厚度可以设置为150nm。

请参阅图6b，在步骤S130中，可在压电材料层背离第一电极层的一侧表面上重新涂覆光刻胶，曝光显影后进行坚膜处理，覆盖需要保留的压电材料图形，随后对压电材料层进行刻蚀，即可形成图形化的压电层42，其中，光刻胶的涂布厚度可以设置为4um。

请参阅图7，在刻蚀第一电极层形成图形化的第一电极41的步骤中，即在S140步骤中，包括：

S1401：在第二电极背离基座一侧的表面上形成图形化的第一绝缘层，第一绝缘层在基座上的投影至少覆盖压电层和第二电极；

S1402：第一电极层进行激光刻蚀，由第一绝缘层背离基座的一侧向第一电极层发射激光，以将未被第一绝缘层遮挡的部分第一电极层刻蚀，形成图形化的第一电极。

请参阅图6c，在步骤S1401中，第一绝缘层44可以设置为氮化硅层，在第二电极43背离基座1一侧的表面上生长一定厚度的绝缘材料层，随后进行刻蚀即可形成图形化的第一绝缘层44，第一绝缘层44在基座1上的投影至少覆盖压电层42和第二电极43，以防止导电杂质沾污引起第一电极41和第二电极43之间的短路。其中，绝缘材料层的厚度可以设置为0.5um～2um。

请参阅图6d，在步骤S1402中，可用在步骤S1401中形成的第一绝缘层44作为硬掩模，将未被第一绝缘层44遮挡的部分第一电极层刻蚀，从而形成图形化的第一电极41。通过以现有的第一绝缘层44作为掩膜版进行刻蚀，节约了制备成本和流程。

其中，为形成第一焊盘51和第一焊盘52，可对第一绝缘层44背离基座1的一侧表面进行光刻，对第一绝缘层44进行刻蚀，暴露出第一电极41和第二电极43形成第一焊盘51和第一焊盘52。

可以理解的是，本申请实施例中所提出的加速度传感器芯片中，压电材料工作模式为d₃₁模式，即当压电件4受到沿第一方向X的应力时，在加速度方向Z上感应出电荷，也可以采用工作在d₃₃模式下的压电材料，即形成叠堆结构的叉指电极来实现同样的功能。

具体的，在S150之前的步骤，即在刻蚀基座1形成图形化的支撑梁2、质量块3和压电件4之前的步骤，可采用以下步骤代替，包括：提供双抛SOI硅晶圆作为基座1，其包括层叠设置的衬底硅层11、第二绝缘层12和顶层硅层13，在顶层硅层13远离衬底硅层11的一侧表面上沉积压电材料层；在压电材料层背离基座1的一侧表面上涂覆光刻胶，曝光显影后进行坚膜处理，对压电材料层进行刻蚀，形成图形化的压电层42；在顶层硅层13背离衬底硅层11的一侧表面上旋涂剥离胶，采用溅射、剥离工艺在顶层硅层13背离衬底硅层11的一侧表面上形成图形化的叉指电极；在叉指电极背离基座1一侧的表面上生长一定厚度的绝缘材料层，随后进行刻蚀即可形成图形化的第一绝缘层44，进而通过开窗形成叉指电极的焊盘。

请参阅图7，在刻蚀基座1形成图形化的支撑梁2、质量块3和压电件4的步骤中，即在S150步骤中，包括：

S1501：刻蚀基座朝向第一电极一侧的表面，形成支撑梁、质量块和压电件的图案化结构；

S1502：刻蚀基座背离第一电极一侧的表面，直至暴露出图案化结构，形成支撑梁、质量块和压电件。

具体的，分别对基座1朝向第一电极41一侧的表面和基座1背离第一电极41一侧的表面进行刻蚀，从而形成支撑梁2、质量块3和压电件4。

请参阅图6e，在步骤S1501中，可在顶层硅层13朝向第一电极41一侧的表面涂覆光刻胶，曝光显影后进行坚膜处理，覆盖需要保留的支撑梁2、质量块3和压电件4图形，随后进行顶层硅层13的刻蚀，即可形成支撑梁2、质量块3和压电件4的图案化结构，进而完成基座1朝向第一电极41一侧部分的支撑梁2、质量块3和压电件4的制备。由于基座1朝向第一电极41一侧部分的支撑梁2、质量块3和压电件4均由顶层硅层13刻蚀形成，故通过调整顶层硅层13的厚度即可控制压电件4的厚度，在工艺上更方便的实现较薄的压电件4的制备，从而提高加速度传感器芯片的机械灵敏度，同时保证多个压电件4厚度具有较高的一致性。

需要说明的是，由于加速度传感器芯片还包括第一盖板6，当完成步骤S1501中基座1朝向第一电极41一侧部分的支撑梁2、质量块3和压电件4的制备后，可将其键合于第一盖板6上，以实现基座1的第一表面P1的封装。

请参阅图6f，另取第一盖板6，在其朝向基座1一侧的表面上刻蚀出第一凹槽61及开孔62，第一凹槽61对应通腔设置，开孔62对应第一焊盘51和第一焊盘52设置，以便于引线。

请参阅图6g，进一步的，在步骤S1502中，可在衬底硅层11背离第一电极41一侧的表面上旋涂光刻胶，曝光显影后进行坚膜处理，光刻胶覆盖需要保留的基座1、支撑部2和质量块3，随后使用干法刻蚀衬底硅层11和第二绝缘层12，直至暴露出图案化结构后立即停止，从而完成支撑梁2、质量块3和压电件4的制备。

由于加速度传感器芯片还包括第二盖板7，当完成步骤S1502中基座1背离第一电极41一侧部分的支撑梁2、质量块3和压电件4的制备后，可将其键合于第二盖板7上，以实现基座1的第二表面P2的封装。

请参阅图6h，另取第二盖板7，在其朝向基座1一侧的表面上刻蚀出第二凹槽71，第二凹槽71对应通腔设置，并通过真空键合工艺将两者键合，保证质量块3有足够的运动空间，并通过第一盖板6和第二盖板7形成气密结构，从而实现加速度传感器芯片的制备。

本申请实施例提供的加速度传感器芯片的制备方法，兼容了微电子加工技术，大幅减小了传感器自身的体积和质量，增强了传感器芯片的可集成化能力，从而可以应用于消费电子如耳机敲击检测等对尺寸、精度和功耗要求较高的领域。同时，通过定制掩模版与规范工艺操作，提高了加工效率，且重复性较好，适合批量生产，并减少了单个器件的制作成本。

以上，仅为本申请的具体实施方式，所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，上述描述的系统、模块和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。应理解，本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本申请的保护范围之内。

还需要说明的是，本申请中提及的示例性实施例，基于一系列的步骤或者装置描述一些方法或系统。但是，本申请不局限于上述步骤的顺序，也就是说，可以按照实施例中提及的顺序执行步骤，也可以不同于实施例中的顺序，或者若干步骤同时执行。

Claims (10)

1.一种加速度传感器芯片，其特征在于，包括：

基座，在自身厚度方向上具有相背的第一表面和第二表面，所述基座包括外框体和通腔；

支撑梁，由所述外框体向所述通腔的中心部延伸；

质量块，设置于所述通腔内并搭载于所述支撑梁；

压电件，设置于所述质量块的一侧表面上，沿所述厚度方向上所述压电件在所述第一表面上的正投影面积大于所述支撑梁在所述第一表面上的正投影面积。

2.根据权利要求1所述的加速度传感器芯片，其特征在于，所述压电件在所述厚度方向上的尺寸小于所述支撑梁在所述厚度方向上的尺寸。

3.根据权利要求1所述的加速度传感器芯片，其特征在于，所述质量块包括固定岛和多个单元块，所述多个单元块连接于所述固定岛周侧且相互之间有间隔缝隙，所述支撑梁通过所述间隔缝隙延伸向所述固定岛。

4.根据权利要求3所述的加速度传感器芯片，其特征在于，各所述压电件与所述单元块对应设置，所述压电件的相对两端中的一者担载于所述单元块，另一者担载于所述外框体。

5.根据权利要求1所述的加速度传感器芯片，其特征在于，所述质量块各边至少设置有一个所述支撑梁，多个所述支撑梁两两垂直。

6.根据权利要求1所述的加速度传感器芯片，其特征在于，各所述压电件包括多个间隔设置的压电梁，所述压电梁的第一端担载于所述外框体，第二端担载于所述质量块。

7.根据权利要求6所述的加速度传感器芯片，其特征在于，多个所述压电梁的第一端相连成梳齿状结构。

8.根据权利要求6所述的加速度传感器芯片，其特征在于，所述压电梁的第一端与相邻一侧的所述压电梁的第一端相连，所述压电梁的第二端与相邻另一侧的所述压电梁的第二端相连，形成S型结构。

9.根据权利要求1所述的加速度传感器芯片，其特征在于，所述压电件包括层叠设置的第一电极、压电层和第二电极，所述压电件连接有第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘与所述第一电极电连接，所述第二焊盘与所述第二电极电连接。

10.根据权利要求9所述的加速度传感器芯片，其特征在于，所述第二电极远离所述第一电极一侧的表面上设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层在所述第一表面上的投影至少覆盖所述第一电极、所述压电层和所述第二电极。

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