JP2020115420A - 半導体レーザ光源装置 - Google Patents

Abstract

【課題】位置に応じた光強度のムラを抑制しながらも、小型化を実現することのできる、レーザ光源装置を提供する。【解決手段】半導体レーザ光源装置は、第一方向に離間して配置された複数の半導体レーザ素子と、複数の半導体レーザ素子に対して第二方向に離間した位置に配置され、前記複数の半導体レーザ素子から出射された光線を光出射面から第一方向に出射させる導光部材とを備える。導光部材は、第三方向から見たときに、第二方向に係る幅が光出射面に近づくに連れて拡大するように形成された第一傾斜部を複数個備えた第一領域と、第二方向に係る幅が光出射面に近づくに連れて縮小するように形成された第二傾斜部を備えた第二領域とを有する。複数の半導体レーザ素子は、第二方向に関して、導光部材の第一領域に対向する位置に配置されている。【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体レーザ光源装置に関し、特に、複数の半導体レーザ素子を含む半導体レーザ光源装置に関する。

従来、複数の半導体レーザ素子（以下、「ＬＤ素子」と略記する。）から出射される光を用いた光源装置が知られている。

例えば、図１１に示すように、下記特許文献１には、複数のＬＤ素子１０１（１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃ，１０１ｄ，１０１ｅ）と、複数のＬＤ素子１０１から出射された光線束をそれぞれコリメートするコリメートレンズ１０５と、コリメートレンズ１０５を介して出射された各光線束の中心間距離を圧縮するための、プリズムからなる圧縮光学系１０２とを備えた光源装置１００が開示されている。圧縮光学系１０２は、ほぼ４５°傾いたミラー面１０３を、複数のＬＤ素子１０１の数に応じて備えている。

なお、図１１では、各ＬＤ素子１０１から出射される光線束については、各ＬＤ素子１０１の中心位置から出射される光線（以下、「主光線」という。）のみを代表的に示している。この主光線は、図１１において一点鎖線により図示されている。

図１１に示される光源装置１００によれば、圧縮光学系１０２の光出射面１０４から出射される光線束の間隔ｄ２を、コリメートレンズ１０５から出射された直後の光線束の間隔ｄ１よりも短くすることができる。これにより、小型の集光光学系１０６によって、各光線束を容易に集光することができる。

特開２００３−０３１８７２号公報

ところで、各ＬＤ素子１０１からコリメートレンズ１０５を介して出射された光線束は、各ＬＤ素子１０１の中心位置から出射される光線（主光線）の近傍が最も高い光強度を示し、主光線から離れるほど光強度が低下する。図１２は、図１１の状態において、圧縮光学系１０２の光出射面１０４から出射される光線束群が、光軸１２０に直交する平面αに照射されたときの光線束群の状態を模式的に示す図である。なお、図１２における平面αは、図１１に示すように、集光光学系１０６が配置されている場合には、光軸１２０の方向に関して、集光光学系１０６と圧縮光学系１０２との間の位置にあるものとする。

図１２に示す状態においては、ＬＤ素子１０１ａからコリメートレンズ１０５を介して出射された光線束１１０ａと、ＬＤ素子１０１ｂからコリメートレンズ１０５を介して出射された光線束１１０ｂとの境界近傍は、各光線束（１１０ａ，１１０ｂ）の中心付近に比べると光強度が低い。このため、圧縮光学系１０２の光出射面１０４から出射された状態では、光軸１２０に直交する面α上において、位置に応じた光強度に差が生じる。従って、実際に利用する場合には、集光光学系１０６を用いて集光した光を拡散板１０７やロッドインテグレータなどに入射させることで、位置に応じた光強度のムラを解消させる必要がある。なお、集光光学系１０６を用いて集光させる理由は、拡散板１０７に入射させる光線束群の幅（ビーム幅）を縮径させることで、拡散板１０７を小型化させる目的である。

つまり、従来の光源装置１００では、光強度の位置分布のムラ（照度ばらつき）を抑制する観点から、集光光学系１０６や拡散板１０７といった光学素子が必須であり、装置を小型化させる観点では限界があった。

本発明は、上記の課題に鑑み、位置に応じた光強度のムラを抑制しながらも、小型化を実現することのできる、半導体レーザ光源装置を提供することを目的とする。

本発明に係る半導体レーザ光源装置は、
第一方向に離間して配置された複数の半導体レーザ素子と、
光出射面を含み、前記複数の半導体レーザ素子に対して前記第一方向に直交する第二方向に離間した位置に配置され、前記複数の半導体レーザ素子から出射された光線が入射されて、前記光出射面から前記光線を前記第一方向に出射させる、導光部材とを備え、
前記導光部材は、
前記第一方向及び前記第二方向に直交する第三方向から見たときに、前記第二方向に係る幅が前記第一方向に関して前記光出射面に近づくに連れて拡大するように形成された第一傾斜部を複数個備えた、第一領域と、
前記第一領域よりも前記光出射面側に位置しており、前記第三方向から見たときに、前記第二方向に係る幅が前記第一方向に関して前記光出射面に近づくに連れて縮小するように形成された第二傾斜部を備えた、第二領域とを有し、
前記複数の半導体レーザ素子は、前記第二方向に関して、前記導光部材の前記第一領域に対向する位置に配置されていることを特徴とする。

上記の構成によれば、複数の半導体レーザ素子から出射された各光線は、導光部材の第一領域内に備えられた第一傾斜部に入射された後、光出射面の方向に進行方向が変換される。そして、各光線は、光出射面側に向かって導光部材内を進行すると、やがて導光部材の第二方向に係る幅が狭くなる、第二領域内に侵入する。

半導体レーザ素子は、無数の光線が束状に形成された光線束を出射する。具体的には、この光線束は、各半導体レーザ素子の中心位置から出射される光線（以下、本明細書において「主光線」という。）を中心軸として、この主光線に直交する２軸方向に拡がりを有する、楕円錐形状を示す。つまり、各光線束は、導光部材の第一領域内の第一傾斜部で反射して導光部材内を進行する間も、少しずつ発散しながら進行する。

このため、第二領域内に侵入した各光線束に含まれる無数の光線は、光出射面に近づくに連れて、順次第二方向に係る側面に入射して、反射（全反射）される。このような現象が、各半導体レーザ素子から出射される光線束に含まれる光線に対して生じる。この結果、導光部材の第二領域内において、各半導体レーザ素子から出射された光線同士が混ざり合い、最終的に光出射面上に導かれる。

よって、上記の構成によれば、導光部材の光出射面には、各半導体レーザ素子から出射された光線同士が混ざり合った状態で入射される。つまり、導光部材の光出射面から出射される光（出射光）は、図１２を参照して説明した従来の構成と比較して、光軸に直交する方向に係る面上において、位置に応じた光強度が均一化され、照度ばらつきが抑制された光となる。この結果、従来のように、拡散板を利用する必要がなく、拡散板に光を入射させるために光線束の幅（ビーム幅）を縮小させるための集光光学系を用いる必要がない。

更に、導光部材は、第一方向に関して光出射面に近づくに連れて第二方向に係る幅が狭くなっているため、光出射面から出射される出射光は、幅（ビーム幅）が小さい光となる。このため、本発明に係るレーザ光源装置によれば、縮小光学系を配置することなく、後段の光学系に入射させることが可能である。

また、上述したように、本発明の半導体レーザ光源装置によれば、各半導体レーザ素子から出射された光線が混ざり合った状態で導光部材の光出射面に導かれる。この結果、いずれか１つの半導体レーザ素子が不点灯となったり、強度が低下した場合であっても、光出射面上における強度分布にはほとんど影響しない。図１１に示した従来の光源装置１００では、例えば、ＬＤ素子１０１ａが不点灯となった場合には、面α上では光線束１１０ａが存在しなくなるため、図１２の状態とは異なる照射状態となる。このことは、光出射面１０４から出射される光の、位置に応じた強度分布が変化し、照度のばらつきが大きくなることを意味する。このような理由からも、従来の光源装置１００においては、光拡散能力に優れた拡散板１０７（又は、光軸方向に係る長さが十分に長いロッドインテグレータ）、及び拡散板１０７（又は前記ロッドインテグレータ）に光を入射させるための集光光学系１０６が不可欠である。

前記第二傾斜部は、前記光線に対する全反射面を構成するものとしても構わない。この場合の、前記第三方向から前記導光部材を見たときの、前記第一方向に対する前記第二傾斜部の好ましい傾斜角度については、「発明の詳細な説明」の項で後述される。

前記半導体レーザ素子は、進行方向に対して直交する遅軸方向及び速軸方向の双方に拡がりを有しながら前記進行方向に向かって進行する、無数の前記光線からなる光線束を出射する構成であり、
前記第一方向は、前記光線束の前記遅軸方向であり、
前記第三方向は、前記光線束の前記速軸方向であるものとしても構わない。

一般的に、半導体レーザ素子から出射される光線の束（光線束）は、速軸方向への発散角が８０°以上、１２０°以下である一方、遅軸方向への発散角は、１０°以上、４０°以下である。すなわち、速軸方向に関する発散角は、遅軸方向に関する発散角に比べて大幅に大きい。言い換えれば、半導体レーザ素子から出射された光線束は、速軸方向には大きく拡がりながら進行する一方、遅軸方向には速軸方向よりは極めて小さい拡がり幅で拡がりながら進行する。

つまり、半導体レーザ素子から出射される光線束に含まれる各光線は、導光部材内を進行中においても、速軸方向に関しては、比較的大きい角度で拡がりながら進行する。この結果、各光線は、導光部材の側面に容易に入射され、当該側面で反射（全反射）が容易に生じる。

一方で、半導体レーザ素子から出射される光線束に含まれる各光線は、導光部材内を進行中においても、遅軸方向に関しては、極めて小さい角度でしか発散しない。このため、導光部材の側面を傾斜させていない場合には、導光部材の側面に入射されることなく、そのまま光出射面に到達してしまう光線が多く含まれる可能性があり得る。かかる観点から、遅軸方向に対して小さな角度で発散しながら進行する光線に対して、導光部材の側面での反射（全反射）を生じさせやすくするため、前記第一方向を遅軸方向とするのが好ましい。

前記第一傾斜部は、必ずしも平面でなくてもよく、曲面であっても構わないし、小さな曲面が連続して配置される構成であっても構わない。

すなわち、前記導光部材を前記第三方向から見たときに、前記第一傾斜部は、当該第一傾斜部の始点と終点とを直線状に連絡する第一形状、前記始点と前記終点とを曲線状に連絡する第二形状、又は、前記始点と前記終点とを連続する複数の曲線によって連絡する第三形状のいずれかの形状を呈するものとしても構わない。

前記第一傾斜部が前記第一形状を呈する場合には、前記第一傾斜部に、金属ミラー面を設けるものとしても構わない。また、前記第一傾斜部が前記第二形状を呈する場合には、前記第一傾斜部をシリンドリカルレンズの形状とすることができる。また、前記第一傾斜部が前記第三形状を呈する場合には、小さなシリンドリカルレンズが複数配置された、マルチレンズアレイの形状とすることができる。

前記導光部材は、前記第二領域内の前記第二方向に対向する２面に、前記第二傾斜部を有するものとしても構わない。

光出射面上での照度の均一性をより高める観点からは、前記導光部材を前記第一方向から見たときに対称性を有するのが好ましい。このため、前記第二領域内の前記第二方向に対向する２面に、前記第二傾斜部を有するのが好ましく、更には、両面の傾斜角度を実質的に同一にするのがより好ましい。

なお、前記第二傾斜部においても、前記第一傾斜部と同様に、前記第三方向から見たときに、当該第二傾斜部の始点と終点とを直線状に連絡する第一形状、前記始点と前記終点とを曲線状に連絡する第二形状、又は、前記始点と前記終点とを連続する複数の曲線によって連絡する第三形状のいずれかの形状を呈するものとしても構わない。

前記複数の半導体レーザ素子は、第一波長の前記光線を前記導光部材に対して出射する第一半導体レーザ素子と、前記第一波長とは異なる第二波長の前記光線を前記導光部材に対して出射する第二半導体レーザ素子とを含むものとしても構わない。なお、波長の種類は３種類以上であっても構わない。

例えば、前記複数の半導体レーザ素子として、青色光を出射する素子と、赤色光を出射する素子と、緑色光を出射する素子を含む場合には、導光部材内でこれらの光が混ざり合う結果、白色光が生成される。特に、上述したように、本発明に係る半導体レーザ光源装置が備える導光部材は、光出射面上において、各半導体レーザ素子から出射された光線が混ざり合って、位置に応じた光強度のムラが抑制されているため、位置に応じた色ムラ（色ばらつき）が生じにくい。この結果、光学部材の点数を抑制しながら、強度分布のムラ（照度ばらつき、色ばらつき）が抑制された白色光が生成される。

本発明によれば、位置に応じた光強度のムラを抑制しながらも、小型化を実現することのできる、半導体レーザ光源装置が実現される。

本発明に係る半導体レーザ光源装置を、Ｙ方向から見たときの模式的な平面図である。 本発明に係る半導体レーザ光源装置を、Ｘ方向から見たときの模式的な平面図である。 導光部材の模式的な斜視図である。 半導体レーザ素子の模式的な斜視図である。 第一傾斜部３１に入射される光線束の様子を模式的に示す図面である。 第一傾斜部３２の近傍を通過する光線束の様子を模式的に示す図面である。 第一傾斜部３３の近傍を通過する光線束の様子を模式的に示す図面である。 光出射面を含む導光部材の第二領域の一部分を拡大して模式的に示す図面である。 導光部材の光出射面を、Ｚ方向から見たときの模式的な平面図である。 導光部材の第二領域内における、第二傾斜部の好ましい角度を説明するための模式的な平面図である。 第一傾斜部の別の形状を説明するための図面である。 第一傾斜部の更に別の形状を説明するための図面である。 比較例１の半導体レーザ光源装置を、Ｙ方向から見たときの模式的な平面図である。 別実施形態の半導体レーザ光源装置を、Ｙ方向から見たときの模式的な平面図である。 従来の光源装置の構成を模式的に示す図面である。 図１１の光源装置から出射される光線束群が、光軸に直交する面に照射された状態を模式的に示す図面である。

本発明に係る半導体レーザ光源装置の実施形態につき、以下において適宜図面を参照しながら説明する。なお、以下の各図面は、いずれも模式的に図示されたものであり、実際の寸法比と図面上の寸法比は必ずしも一致していない。また、各図面間においても、寸法比が一致していない場合がある。

図１及び図２は、本発明に係る半導体レーザ光源装置（以下、単に「光源装置」と略記する。）の構成を模式的に示す平面図である。

図１に示すように、光源装置１は、複数の半導体レーザ素子１０（１１，１２，１３）と、導光部材２とを備える。なお、以下では、複数の半導体レーザ素子１０が、半導体レーザ素子（１１，１２，１３）の３個からなる場合を例に挙げて説明するが、本発明において、半導体レーザ素子の数は３個には限定されない。

複数の半導体レーザ素子（１１，１２，１３）は、それぞれが離間して配置される。以下では、各これらの半導体レーザ素子（１１，１２，１３）の離間方向をＺ方向と規定し、このＺ方向に直交する方向を、Ｘ方向及びＹ方向と規定する。導光部材２は、半導体レーザ素子（１１，１２，１３）に対してＸ方向に離間した位置に配置されている。Ｚ方向が「第一方向」に対応し、Ｘ方向が「第二方向」に対応し、Ｙ方向が「第三方向」に対応する。

図１は、光源装置１をＹ方向から見たときの模式的な平面図である。図２は、光源装置１をＸ方向から見たときの模式的な平面図である。図３は、導光部材２の模式的な斜視図である。

半導体レーザ素子（１１，１２，１３）は、Ｘ方向、すなわち導光部材２に向かう方向に光を出射する。図４は、半導体レーザ素子１１の模式的な斜視図である。なお、半導体レーザ素子１２，１３についても、同様の構成を示すものとして構わない。

半導体レーザ素子１１は、光を出射する領域１１ａ（以下、「エミッタ１１ａ」と呼ぶ。）を端面に備えている。半導体レーザ素子１１は、エミッタ１１ａから光を出射する。より詳細には、エミッタ１１ａからは、無数の光線が束状に形成された光線束１１Ｌが出射される。この光線束１１Ｌは、エミッタ１１ａの中心位置から出射される主光線１１Ｌｍを中心軸として、主光線１１Ｌｍに直交する２軸方向に拡がりを有する、楕円錐形状を示す。

光線束１１Ｌは、拡がりの程度の大きい方向（「速軸方向」）と、速軸方向よりも拡がりの程度の小さい方向（「遅軸方向」）とを有し、この結果、図４に模式的に示すような、楕円錐型を呈する。図４では、Ｙ方向が速軸方向に対応し、Ｚ方向が遅軸方向に対応する。なお、「速軸」は、「Ｆａｓｔ軸」と呼ばれることがあり、同様に、「遅軸」は、「Ｓｌｏｗ軸」と呼ばれることがある。

半導体レーザ素子１１は、図４に示すような楕円錐形状の光線束１１ＬをＸ方向に向かって出射する。同様に、半導体レーザ素子１２は、光線束１２ＬをＸ方向に向かって出射し、半導体レーザ素子１３は、光線束１３ＬをＸ方向に向かって出射する。図１及び図２では、各光線束（１１Ｌ，１２Ｌ，１３Ｌ）に含まれる主光線（１１Ｌｍ，１２Ｌｍ，１３Ｌｍ）を一点鎖線で表記し、各光線束（１１Ｌ，１２Ｌ，１３Ｌ）の最外殻を構成する光線を代表的に細い実線で表記している。なお、図面の煩雑化を避ける目的で、図１では、導光部材２に入射された後については、主光線（１１Ｌｍ，１２Ｌｍ，１３Ｌｍ）のみが図示されている。

図１及び図２に示すように、導光部材２は、半導体レーザ素子（１１，１２，１３）から光線束（１１Ｌ，１２Ｌ，１３Ｌ）が入射されると、各光線束（１１Ｌ，１２Ｌ，１３Ｌ）を構成する無数の光線をＺ方向に導光した後、光出射面２４から導光部材２の外側に出射させる（出射光１０Ｌ）。導光部材２は、半導体レーザ素子（１１，１２，１３）から出射される光線に対して透過性を有すると共に、空気よりも高い屈折率を有する材料で構成されている。一例として、導光部材２は、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）、ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）などの樹脂材料、又は石英などのガラス材料からなる。

図１に示すように、導光部材２は、第一領域２１と第二領域２２とを有する。図１では、Ｚ軸方向に関して、Ｚ座標がｚ０からｚ１までの領域を第一領域２１とし、Ｚ座標がｚ１からｚ２までの領域を第二領域２２とする。導光部材２において、光出射面２４が存在する位置のＺ座標がｚ２であり、Ｚ方向に関して光出射面２４とは反対側の端面の位置のＺ座標がｚ０である。

以下において、Ｚ方向に関して方向の正負を区別して説明する場合には、Ｚ座標がｚ０からｚ２に向かう方向を「＋Ｚ方向」と記載することがある。

導光部材２は、第一領域２１内においては、Ｙ方向から見たときに、Ｘ方向に係る幅が、Ｚ方向に関して光出射面２４に近づくに連れて（＋Ｚ方向に進行するに連れて）、拡大するように形成された第一傾斜部（３１，３２，３３）を有する。第一傾斜部３１は、半導体レーザ素子１１から（Ｘ方向に）出射された光線束１１Ｌを、導光部材２の光出射面２４側に（＋Ｚ方向に）進行方向を変換させる目的で設けられている。第一傾斜部３１は、ＹＺ平面に対して傾斜角が４０°以上、５０°以下で構成されている。前記傾斜角は、４３°以上、４７°以下であるのがより好ましく、４５°であるのが特に好ましい。

つまり、第一傾斜部３１は、光線束１１Ｌを反射させることによって、進行方向を＋Ｚ方向に変換させる目的で設けられている。かかる観点から、第一傾斜部３１は、光線束１１Ｌに含まれる光線を全反射できるような材料で構成されるか、又は、導光部材２の傾斜面に蒸着されたミラー部材（金属ミラーなど）で構成される。例えば、第一傾斜部３１のＹＺ平面に対する傾斜角を４５°とした場合には、導光部材２の屈折率ｎを１．４１４以上の材料とすることで、半導体レーザ素子１１から出射された光線束１１Ｌに含まれるほぼ全ての光線を、全反射させることができる。例えば、半導体レーザ素子（１１，１２，１３）が波長５８７ｎｍの光を発する場合には、導光部材２をＰＭＭＡで構成することで、屈折率が１．４９となり、ほぼ全ての光線を全反射させることが可能となる。

同様に、第一傾斜部３２は、半導体レーザ素子１２から出射された光線束１２Ｌを光出射面２４側に進行方向を変換させる目的で設けられており、第一傾斜部３３は、半導体レーザ素子１３から出射された光線束１３Ｌを光出射面２４側に進行方向を変換させる目的で設けられている。第一傾斜部３２及び第一傾斜部３３の傾斜角は、第一傾斜部３１と同様として構わない。

第一傾斜部３２は、第一傾斜部３１で反射されてＺ方向に進行してきた光線が光出射面２４側に進行するのを妨げることのないよう、第一傾斜部３１よりも＋Ｘ方向に変位した位置に形成されている。同様に、第一傾斜部３３は、第一傾斜部３１及び第一傾斜部３２で反射されてＺ方向に進行してきた光線が光出射面２４側に進行するのを妨げることのないよう、第一傾斜部３２よりも更に＋Ｘ方向に変位した位置に形成されている。

図５Ａ〜図５Ｄは、それぞれ導光部材２の一部分を拡大して模式的に示した図面である。

より詳細には、図５Ａは、導光部材２のうち、第一傾斜部３１が形成されている箇所の近傍を拡大して模式的に示すと共に、この拡大図内に第一傾斜部３１に入射される光線束の進行の様子を模式的に併記したものである。図５Ｂは、導光部材２のうち、第一傾斜部３２が形成されている箇所の近傍を拡大して模式的に示すと共に、この拡大図内に第一傾斜部３２の近傍を通過する光線束の進行の様子を模式的に併記したものである。

同様に、図５Ｃは、導光部材２のうち、第一傾斜部３３が形成されている箇所の近傍を拡大して模式的に示すと共に、この拡大図内に第一傾斜部３３の近傍を通過する光線束の進行の様子を模式的に併記したものである。また、図５Ｄは、導光部材２のうち、光出射面２４が配置されている箇所を含む第二領域２２内の一部分を拡大して模式的に示した図面である。

第一傾斜部３１に入射された光線束１１Ｌは、図５Ａに模式的に示されるように、Ｚ方向に進行方向が変換される。ここで、図４を参照して上述したように、本実施形態では、Ｚ方向が光線束１１Ｌの遅軸方向に対応する。光線束１１Ｌの遅軸方向への発散角は、１０°以上、４０°以下であり、速軸方向と比べて極めて小さい角度である。このため、第一傾斜部３１で反射された後の光線束１１Ｌは、主光線１１Ｌｍに対して前述した小さい発散角でＸ方向に拡がりながら、導光部材２内をＺ方向に進行する。

第一傾斜部３２に入射された光線束１２Ｌは、図５Ｂに模式的に示されるように、Ｚ方向に進行方向が変換される。すなわち、光線束１２Ｌは、光線束１１Ｌと同様に、主光線１２Ｌｍに対して前述した小さい発散角でＸ方向に拡がりながら、導光部材２内をＺ方向に進行する。

上述したように、第一傾斜部３２は、第一傾斜部３１よりも＋Ｘ方向に変位した位置に形成されている。このため、光線束１１Ｌ（を構成する光線）は、第一傾斜部３２には実質的に入射されることなく、導光部材２内の第一傾斜部３２が形成されているＺ座標の位置を通過して、更にＺ方向に進行する。そして、光線束１１Ｌは、小さい角度ながらも少しずつＸ方向に拡がりながらＺ方向に進行するため、例えば、Ｚ座標がｚ１２の位置において光線束１１Ｌと光線束１２Ｌとが交差を開始する。また、例えば、Ｚ座標がｚ１１の位置において導光部材２の側面で反射する光線が発生する。このとき、当該光線は、導光部材２の−Ｘ側の側面で反射されて、進行方向が＋Ｘ方向に向かって緩やかに変化する。なお、図５Ｂに示す構成の場合には、Ｚ座標がｚ１１よりも＋Ｚ方向の位置において、光線束１１Ｌを構成していた無数の光線が、次々と導光部材２の−Ｘ側の側面で反射される。

第一傾斜部３３に入射された光線束１３Ｌは、図５Ｃに模式的に示されるように、Ｚ方向に進行方向が変換される。すなわち、光線束１３Ｌも、光線束１１Ｌ及び光線束１２Ｌと同様に、主光線１３Ｌｍに対して前述した小さい発散角でＸ方向に拡がりながら、導光部材２内をＺ方向に進行する。

そして、上述したように、第一傾斜部３３は、第一傾斜部３２よりも更に＋Ｘ方向に変位した位置に形成されている。このため、光線束１１Ｌ（を構成する光線）、及び光線束１２Ｌ（を構成する光線）は、第一傾斜部３３には実質的に入射されることなく、導光部材２内の第一傾斜部３３が形成されているＺ座標の位置を通過して、更にＺ方向に進行する。そして、各光線束（１１Ｌ，１２Ｌ，１３Ｌ）は、小さい角度ながらも少しずつＸ方向に拡がりながらＺ方向に進行するため、例えば、Ｚ座標がｚ１４の位置において光線束１２Ｌと光線束１３Ｌとが交差を開始する。また、例えば、光線束１３Ｌに含まれる無数の光線は、Ｚ座標がｚ１３の位置から＋Ｚ方向の位置において、導光部材２の＋Ｘ側の側面で次々と反射する。

導光部材２は、第二領域２２内においては、Ｙ方向から見たときに、Ｘ方向に係る幅が、Ｚ方向に関して光出射面２４に近づくに連れて（＋Ｚ方向に進行するに連れて）、縮小するように形成された第二傾斜部（４１，４２）を有する。図５Ｄは、導光部材２の第二領域２２の領域の一部を拡大した図面である。なお、図５Ｄでは、説明の便宜のため、導光部材２のＸ方向に係る幅とＺ方向に係る長さの寸法比を、図１とは異ならせて図示されている。

導光部材２が、第二傾斜部（４１，４２）を備えることで、主光線１１Ｌｍ及び主光線１３Ｌｍについても、Ｘ方向に係る導光部材２の側面、すなわち第二傾斜部（４１，４２）を構成する面に入射され、当該面で反射（全反射）される。この結果、主光線１１Ｌｍの外側をＺ方向に進行する各光線についても、主光線１１Ｌｍが導光部材２の側面に入射される前後の箇所で、導光部材２のＸ方向に係る側面に入射され、進行方向を変化させる。同様に、主光線１３Ｌｍの外側をＺ方向に進行する各光線についても、主光線１３Ｌｍが導光部材２の側面に入射される前後の箇所で、導光部材２のＸ方向に係る側面に入射され、進行方向を変化させる。

上述したように、半導体レーザ素子（１１，１２，１３）から出射される各光線束（１１Ｌ，１２Ｌ，１３Ｌ）は、Ｘ方向に少しずつ発散しながらＺ方向に進行する。この結果、光線束１１Ｌを構成していた各光線は、第二領域２２内のいずれかの箇所で導光部材２の側面で反射して進行方向を＋Ｘ方向に変化させ、同様に、光線束１３Ｌを構成していた各光線は、第二領域２２内のいずれかの箇所で導光部材２の側面で反射して進行方向を−Ｘ方向に変化させる。また、光線束１２Ｌを構成していた一部の光線についても、Ｘ方向に発散しながらＺ方向に進行するため、第二領域２２のＺ方向に係る長さによっては、第二領域２２内のいずれかの箇所で導光部材２の側面で反射して進行方向を変化させるものが存在する。

そして、第二領域２２内の導光部材２の側面で全反射した各光線については、Ｚ方向に係る長さによっては、直前に反射した側面とはＸ方向に関して反対側の側面で再度反射して進行方向を変化させるものが存在する。このように、第二領域２２内において、各半導体レーザ素子（１１，１２，１３）から出射された光線同士が混ざり合いながら、＋Ｚ方向に進行し、やがて光出射面２４に到達する。図５Ｄでは、各半導体レーザ素子（１１，１２，１３）から出射された光線同士が混ざり合いながら進行している状態を、模式的に右下がりのハッチングで図示している。

図５Ｅは、導光部材２の光出射面２４を、Ｚ方向から見たときの模式的な平面図である。上述したように、各半導体レーザ素子（１１，１２，１３）から出射された光線同士が混ざり合いながら光出射面２４に導かれるため、光出射面２４上には、もはやどの半導体レーザ素子（１１，１２，１３）から出射された光線であるかという個性を失った状態で、光が導かれる。図５Ｅでは、光出射面２４上では、各半導体レーザ素子（１１，１２，１３）から出射された光線同士が混ざり合った状態であることを、模式的に右下がりのハッチングで図示している。

つまり、本実施形態の光源装置１によれば、光出射面２４上における位置に応じた光強度の差異は、従来の光源装置１００が備える光出射面１０４上における位置に応じた光強度の差異と比較して、大幅に抑制される。すなわち、従来の構成と比較して、光出射面２４上における位置に応じた光強度が均一化される。

よって、図１１に示した従来の光源装置１００のように、位置に応じた強度ムラを抑制するために、別途集光光学系１０６や拡散板１０７を、後段に配置する必要がない。この結果、従来の光源装置１００と比較して、小型の装置で、位置に応じた光強度のムラ（照度ばらつき）を抑制することができる。

ところで、本実施形態の光源装置１が備える導光部材２は、Ｙ方向に関して対向する２側面については、いずれも当該Ｙ方向に直交する面（ＸＺ平面）に対して傾斜していない構成である。すなわち、図２に示すように、導光部材２は、Ｘ方向から見たときに、Ｙ方向に関して対向する２側面がＺ方向に平行に配置されている。以下、この理由について説明する。

図４を参照して上述したように、本実施形態では、Ｙ方向が光線束１１Ｌの速軸方向に対応する。光線束１１Ｌの速軸方向への発散角は、８０°以上、１２０°以下であり、遅軸方向と比べて極めて大きな角度である。このため、第一傾斜部３１で反射された後の光線束１１Ｌは、主光線１１Ｌｍに対して前述した大きい発散角でＹ方向に拡がりながら、導光部材２内をＺ方向に進行する。この結果、図２に示すように、光線束１１Ｌを構成する無数の光線は、Ｚ方向に進行する際に、容易に導光部材２のＹ方向に係る側面に入射されて、同側面で反射される。そして、この光線は、前記側面で反射を繰り返しながらＺ方向に進行する。このことは、半導体レーザ素子１２から出射された光線束１２Ｌや、半導体レーザ素子１３から出射された光線束１３Ｌについても同様である。

つまり、導光部材２のＹ方向に対向する２側面を傾斜させなくても、各半導体レーザ素子（１１，１２，１３）から出射された光線束（１１Ｌ，１２Ｌ，１３Ｌ）に含まれるそれぞれの光線は、Ｚ方向に進行するに連れて、Ｙ方向に関して対向する２側面で容易に反射して進行方向を変化させる。従って、導光部材２のＹ方向に対向する２側面を傾斜させなくても、Ｙ方向については、各半導体レーザ素子（１１，１２，１３）から出射された光線同士が容易に混ざり合うため、光出射面２４上におけるＹ方向に関する強度ムラは抑制される。

これに対し、上述したように、各半導体レーザ素子（１１，１２，１３）から出射された光線束（１１Ｌ，１２Ｌ，１３Ｌ）は、Ｙ方向と比べて極めて小さい角度でＸ方向に拡がりながらＺ方向に進行する。このため、図１及び図５Ｄにおいて、導光部材２の第二領域２２内のＸ方向に係る幅を仮に均一にした場合には、Ｚ方向に進行してきた光線が、導光部材２のＸ方向に対向する側面で反射することなく、そのまま光出射面２４に導かれる可能性がある。この場合、光出射面２４のＸ座標の位置に応じて、強い強度を示す箇所と弱い強度を示す箇所とが存在することとなり、強度ムラが顕著に生じてしまう。

かかる観点から、光源装置１が備える導光部材２は、第二領域２２内においては、Ｙ方向から見たときに、Ｘ方向に係る幅が＋Ｚ方向に進行するに連れて縮小するように形成された第二傾斜部（４１，４２）を有する構成としている。より詳細には、半導体レーザ素子（１１，１３）から出射された光線束（１１Ｌ，１３Ｌ）に含まれる光線については、導光部材２内を＋Ｚ方向に進行して光出射面２４に到達するまでの間に第二領域２２内において、少なくとも２回は導光部材２の側面で反射されるのが好ましい。

図６は、第二領域２２内における、第二傾斜部（４１，４２）の好ましい角度を説明するための模式的な平面図である。光出射面２４上における位置に応じた光強度の均一性を高める観点からは、Ｙ方向から見たときのＺ方向に対する第二傾斜部４１の傾斜角と、第二傾斜部４２の傾斜角とは実質的に同一の値であるのが好ましい。図６では、第二傾斜部４１の傾斜角及び第二傾斜部４２の傾斜角を、いずれもθとして表記している。

図６の平面図上の点（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ）について説明する。点Ａは、第二傾斜部４１の端部のうち光出射面２４とは反対側の端部に対応し、点Ｂは、第二傾斜部４２の端部のうち光出射面２４とは反対側の端部に対応する。点Ｅは、Ｚ方向に進行してきた光線Ｌ１が、第二傾斜部４２に入射される位置に対応する。点Ｃは、点Ｅにおいて第二傾斜部４２で反射した光線Ｌ１が、第二傾斜部４１に入射される位置に対応する。点Ｄは、点Ｃから第二傾斜部４１に対して直交する補助線を引いたときに、第二傾斜部４２と交差する位置に対応する。

図６において、点Ｅで反射された光線Ｌ１が第二傾斜部４１に入射されるときの入射角ψが、導光部材２の臨界角θc以上である場合には、光線Ｌ１は点Ｃにおいて再び全反射が生じる。すなわち、光線Ｌ１を点Ｃにおいて全反射させるための条件は、下記（１）式で表せる。
ψ ≧ θc ・・・（１）

ここで、導光部材２の屈折率をｎとし、空気の屈折率を１とすると、臨界角θcは、下記（２）式で表せる。なお、（２）式において、arcsinは、逆正弦関数を意味する。
θc ＝ arcsin (1/n) ・・・（２）

また、図６より、入射角ψは、下記（３）式で表せる。なお、上述したように、θとは、第二傾斜部４１及び第二傾斜部４２の傾斜角に対応する。
ψ ＝ π/2 - 3θ ・・・（３）

上記（１）〜（３）式より、第二傾斜部４１及び第二傾斜部４２の傾斜角θの好ましい範囲は、下記（４）式で表せる。
θ［rad］ ≦ 1/3｛π/2 - arcsin (1/n)｝ ・・・（４）

例えば、上述した例のように、導光部材２を、ＣＯＰ樹脂で構成した場合には、屈折率ｎは１．５３であるため、傾斜角θは、１６．４°以下とするのが好ましい。また、別の例として、導光部材２を、石英ガラスで構成した場合には、屈折率ｎは１．４６であるため、傾斜角θは、１５．６°以下とするのが好ましい。ただし、傾斜角θを小さくすればするほど、導光部材２のＺ方向に係る長さが長くなるため、導光部材２の大きさを小型化する観点であれば、傾斜角θは上記数値範囲内の中で比較的大きな値とするのが好ましい。一方で、傾斜角があまりに大きな値である場合には、第二傾斜部（４１，４２）における反射回数が少なくなってしまう。かかる観点から、傾斜角θは１°以上１０°以下とするのがより好ましく、２°以上５°以下とするのが特により好ましい。

上記実施形態では、第一傾斜部（３１，３２，３３）は、いずれもＹ方向から見たときに直線形状を呈するものとして説明した。すなわち、第一傾斜部（３１，３２，３３）は、ＹＺ平面に対して傾斜した平面であるものとして説明した。

しかし、第一傾斜部３１は、例えば、図７に示すように、Ｙ方向から見たときに、Ｘ方向に係る端部（始点）３１ａと反対側の端部（終点）３１ｂとを曲線状に連絡する形状を呈していても構わない。この場合、第一傾斜部３１は、ＹＺ平面に対して傾斜した曲面で構成され、より詳細には、シリンドリカルレンズ形状を示す。

また、別の例として、図８に示すように、Ｙ方向から見たときに、始点３１ａと終点３１ｂとを連続する複数の曲線によって連絡する形状を呈していても構わない。この場合、第一傾斜部３１は、ＹＺ平面に対して傾斜して配置された複数の小さな曲面で構成され、より詳細には、小さなシリンドリカルレンズが傾斜面に複数配置してなる、マルチレンズアレイ形状を示す。

なお、第一傾斜部３２及び第一傾斜部３３についても、図７又は図８に示す形状を呈していても構わない。

［検証］
以下、実施例及び比較例の光源装置に対してシミュレーションを行い、光出射面上における強度分布の大小を比較した。

（実施例１）
図１に示した光源装置１を、実施例１とした。シミュレーション条件の寸法は以下の通りとした。

導光部材２の屈折率ｎをＣＯＰ樹脂相当の１．５３とした。導光部材２のＺ方向の長さを５４．６ｍｍとし、Ｘ方向の最も厚い部分の長さを３．４ｍｍとした。また、Ｙ方向から見たときの、第一傾斜部３１の中央位置と第一傾斜部３２の中央位置との間隔、及び第一傾斜部３２の中央位置と第一傾斜部３３の中央位置との間隔を、共に１１．０ｍｍとした。また、導光部材２の光出射面２４のＸ方向に係る長さを１．１６ｍｍとし、Ｙ方向に係る長さを１．９ｍｍとした。このとき、導光部材２の第二傾斜部（４１，４２）の傾斜角θは、２．１°であった。

半導体レーザ素子１１のエミッタの中央位置と、半導体レーザ素子１２のエミッタの中央位置との間隔、及び半導体レーザ素子１２のエミッタの中央位置と、半導体レーザ素子１３のエミッタの中央位置との間隔についても、上記にならって１１．０ｍｍとした。

第一傾斜部（３１，３２，３３）は、ＹＺ平面に対する傾斜角が４５°の傾斜平面とした。

（実施例２）
第一傾斜部（３１，３２，３３）を、図７に示すシリンドリカルレンズ形状に変更した点を除き、他は実施例１と同じ条件とした。

（実施例３）
第一傾斜部（３１，３２，３３）を、図８に示すマルチレンズアレイ形状に変更した点を除き、他は実施例１と同じ条件とした。

（比較例１）
図９に示すように、半導体レーザ素子（１１，１２，１３）と導光部材５１とを備える光源装置５０を、比較例１の構成とした。その他の点は、実施例１ととした。

導光部材５１は、実施例１〜３の光源装置１が備える導光部材２とは異なり、第二領域２２内において第二傾斜部（４１，４２）を備えていない。このため、導光部材５１の光出射面５２は、各実施例１〜３が備える導光部材２の光出射面２４よりもＸ方向について大型化されている。すなわち、導光部材５１の光出射面５２は、Ｘ方向に係る長さを３．４ｍｍとした。なお、導光部材５１の光出射面５２のＹ方向に係る長さは、各実施例１〜３と同様に１．９ｍｍとした。

（結果）
実施例１〜３、及び比較例１の各光源装置に対し、半導体レーザ素子１１のみを点灯させた場合、半導体レーザ素子１２のみを点灯させた場合、半導体レーザ素子１３のみを点灯させた場合、及び全ての半導体レーザ素子（１１，１２，１３）を点灯させた場合のそれぞれにおいて、光出射面（２４，５２）上における照度分布を測定した。

表１は、それぞれの場合における、光出射面（２４，５２）上の照度ばらつきを、照度の標準偏差値を照度の平均値で除した値で評価した結果である。

上記表１によれば、全ての半導体レーザ素子（１１，１２，１３）を点灯させた場合においても、実施例１〜３は、比較例１よりも照度ばらつきが改善していることが確認される。

また、表１によれば、比較例１の場合、いずれかの半導体レーザ素子（１１，１２，１３）のみを点灯させると、全ての半導体レーザ素子（１１，１２，１３）が点灯している場合と比べて、光出射面５２上における照度のばらつきに大きな変化が生じることが分かる。これに対し、実施例１〜３によれば、全ての半導体レーザ素子（１１，１２，１３）を点灯させた場合と、いずれか１つの半導体レーザ素子（１１，１２，１３）を点灯させた場合とで、比較例に比べて照度ばらつきの変化が抑制されていることが分かる。このことは、仮に１つの半導体レーザ素子が不点灯になったり、又は光強度が低下した場合であっても、光出射面２４上における照度のばらつき具合に大きく影響せず、光出射面２４上から位置に応じた光強度がほぼ均一化された光を出射できることを意味するものである。

［別実施形態］
以下、別実施形態について説明する。

〈１〉光源装置１が備える半導体レーザ素子（１１，１２，１３）は、出射される光が同じ波長であっても構わないし、異なる波長であっても構わない。例えば、図１０に示すように、光源装置１が、赤色光を発する半導体レーザ素子１１Ｒと、緑色光を発する半導体レーザ素子１２Ｇと、青色光を発する半導体レーザ素子１３Ｂとを備え、これらの素子（１１Ｒ，１２Ｇ，１３Ｂ）から出射される光線束が、いずれも共通の導光部材２に入射されるものとしても構わない。

上述したように、本発明に係る光源装置１が備える導光部材２によれば、導光部材２内で各光線が混ぜ合わされながら光出射面２４に導かれる結果、光出射面２４上においては、位置に応じた強度ムラが抑制された光が得られる。このため、上記のように、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色の光を発する半導体レーザ素子（１１Ｒ，１２Ｇ，１３Ｂ）から出射される光線束を導光部材２に入射させることで、導光部材２内を進行中に各光が混ぜ合わされる結果、光出射面２４上においては、位置に応じた強度ムラが抑制された白色光１０ＬＷを得ることができる。

〈２〉上記の実施形態では、導光部材２の第二傾斜部（４１，４２）は、いずれもＹＺ平面に対して共通の傾斜角θで傾斜しているものとして説明した。しかし、導光部材２は、第二領域２２内において、Ｘ方向にかかる２側面のうち、いずれか一方の面のみがＹＺ平面に対して傾斜していても構わないし、両方の面がＹＺ平面に対して傾斜するもののそれぞれのＹＺ平面に対する傾斜角を異ならせていても構わない。

ただし、光出射面２４上における照度ムラを抑制する効果を高める観点からは、導光部材２の第二傾斜部（４１，４２）が、いずれもＹＺ平面に対して共通の傾斜角θで傾斜しているのが好ましい。更に、光出射面２４上における照度ムラを抑制する効果を高める観点からは、光出射面２４の、Ｘ方向に係る中央位置を、導光部材２のＸ方向に係る幅が最も大きい箇所（例えば、図１におけるＺ座標がｚ１の位置）におけるＸ方向に係る中央位置と、実質的に共通にするのが好ましい。

〈３〉図２を参照して説明したように、上記実施形態の光源装置１が備える導光部材２は、Ｙ方向に関して対向する２側面については、いずれも当該Ｙ方向に直交する面（ＸＺ平面）に対して傾斜していない構成であるものとした。しかし、本発明は、導光部材２のＹ方向に関して対向する２側面がＸＹ平面に対して、４°以下程度の小さな傾斜を有している構成を排除するものではない。例えば、導光部材２を射出成形で作製する場合には、金型から離型させるために抜き勾配が設けられることがある。導光部材２のＹ方向に関して対向する２側面が、ＸＹ平面に対して、このような抜き勾配として通常利用される４°以下程度の傾斜を有していても構わない。

〈４〉図１において、導光部材２は、隣接する第一傾斜部同士の間、すなわち第一傾斜部３１と第一傾斜部３２との間、及び第一傾斜部３２と第一傾斜部３３との間の領域（以下、本段落において「特定領域」と呼ぶ。）については、共にＸ方向に係る幅が一定であるものとして図示されている。しかし、本発明は、これらの特定領域のＸ方向に係る幅が、多少変化するものも含む趣旨である。より詳細には、本発明の半導体レーザ光源装置１において、導光部材２は、特定領域内においてＹＺ平面に対する傾斜角が５°以下の斜面で構成されていても構わない。

１ ： 半導体レーザ光源装置（光源装置）
２ ： 導光部材
１０（１１，１２，１３／１１Ｒ，１２Ｇ，１３Ｂ） ： 半導体レーザ素子
１０Ｌ ： 導光部材からの出射光
１０ＬＷ ： 導光部材からの出射光（白色光）
１１ａ ： エミッタ
１１Ｌ ： 半導体レーザ素子から出射される光線束
１１Ｌｍ ： 光線束１１Ｌに含まれる主光線
１２Ｌ ： 半導体レーザ素子から出射される光線束
１２Ｌｍ ： 光線束１２Ｌに含まれる主光線
１３Ｌ ： 半導体レーザ素子から出射される光線束
１３Ｌｍ ： 光線束１３Ｌに含まれる主光線
２１ ： 導光部材の第一領域
２２ ： 導光部材の第二領域
２４ ： 導光部材の光出射面
３１，３２，３３ ： 第一傾斜部
３１ａ ： 第一傾斜部３１の−Ｘ側の端部
３１ｂ ： 第一傾斜部３１の＋Ｘ側の端部
４１，４２ ： 第二傾斜部
５０ ： 比較例の光源装置
５１ ： 比較例の光源装置５０が備える導光部材
５２ ： 導光部材５１が備える光出射面
１００ ： 従来の光源装置
１０１（１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃ，１０１ｄ，１０１ｅ） ： 半導体レーザ素子（ＬＤ素子）
１０２ ： 圧縮光学系
１０３ ： ミラー面
１０４ ： 光出射面
１０５ ： コリメートレンズ
１０６ ： 集光光学系
１０７ ： 拡散板
１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄ，１１０ｅ ： 面α上における各光線束の照射像
１２０ ： 光軸
α ： 光軸１２０に直交する平面

Claims (8)

1. 第一方向に離間して配置された複数の半導体レーザ素子と、
   光出射面を含み、前記複数の半導体レーザ素子に対して前記第一方向に直交する第二方向に離間した位置に配置され、前記複数の半導体レーザ素子から出射された光線が入射されて、前記光出射面から出射光を前記第一方向に出射させる、導光部材とを備え、
   前記導光部材は、
   前記第一方向及び前記第二方向に直交する第三方向から見たときに、前記第二方向に係る幅が前記第一方向に関して前記光出射面に近づくに連れて拡大するように形成された第一傾斜部を複数個備えた、第一領域と、
   前記第一領域よりも前記光出射面側に位置しており、前記第三方向から見たときに、前記第二方向に係る幅が前記第一方向に関して前記光出射面に近づくに連れて縮小するように形成された第二傾斜部を備えた、第二領域とを有し、
   前記複数の半導体レーザ素子は、前記第二方向に関して、前記導光部材の前記第一領域に対向する位置に配置されていることを特徴とする、半導体レーザ光源装置。
2. 前記第二傾斜部は、前記光線に対する全反射面を構成することを特徴とする、請求項１に記載の半導体レーザ光源装置。
3. 前記複数の半導体レーザ素子は、進行方向に対して直交する遅軸方向及び速軸方向の双方に拡がりを有しながら前記進行方向に向かって進行する、無数の前記光線からなる光線束を出射する構成であり、
   前記第一方向は、前記光線束の前記遅軸方向であり、
   前記第三方向は、前記光線束の前記速軸方向であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の半導体レーザ光源装置。
4. 前記導光部材を前記第三方向から見たときに、前記第一傾斜部は、当該第一傾斜部の始点と終点とを直線状に連絡する第一形状、前記始点と前記終点とを曲線状に連絡する第二形状、又は、前記始点と前記終点とを連続する複数の曲線によって連絡する第三形状のいずれかの形状を呈することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体レーザ光源装置。
5. 前記第一傾斜部は、金属ミラー面で構成され、
   前記導光部材を前記第三方向から見たときに、前記第一傾斜部は前記第一形状を呈していることを特徴とする、請求項４に記載の半導体レーザ光源装置。
6. 前記導光部材は、前記第二領域内の前記第二方向に対向する２面に、前記第二傾斜部を有することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体レーザ光源装置。
7. 前記導光部材は、前記第一領域内において、前記複数の半導体レーザ素子の数に対応した数の前記第一傾斜部を前記第一方向に離間した位置に有すると共に、隣接する前記第一傾斜部同士の間の前記第二方向に係る幅が均一であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体レーザ光源装置。
8. 前記複数の半導体レーザ素子は、第一波長の前記光線を前記導光部材に対して出射する第一半導体レーザ素子と、前記第一波長とは異なる第二波長の前記光線を前記導光部材に対して出射する第二半導体レーザ素子とを含むことを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体レーザ光源装置。

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