JP2020113673A - Electronic component - Google Patents
Electronic component Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020113673A JP2020113673A JP2019004319A JP2019004319A JP2020113673A JP 2020113673 A JP2020113673 A JP 2020113673A JP 2019004319 A JP2019004319 A JP 2019004319A JP 2019004319 A JP2019004319 A JP 2019004319A JP 2020113673 A JP2020113673 A JP 2020113673A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin layer
- outer edge
- pair
- external electrode
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
Abstract
Description
本発明の一つの形態は、電子部品に関する。 One form of the present invention relates to an electronic component.
特許文献1には、セラミック素体と、外部電極とを備えるセラミック電子部品が開示されている。外部電極は、金属電極層と、絶縁性樹脂層と、導電性樹脂層とを備える。導電性樹脂層は、外部電極の撓みを吸収し、熱衝撃によるクラックの発生を抑制する。絶縁性樹脂層は、外部電極に占める高価な導電性樹脂層の割合を低くすることができる。この結果、上記セラミック電子部品では、信頼性及び経済性を向上させることができる。 Patent Document 1 discloses a ceramic electronic component including a ceramic body and external electrodes. The external electrode includes a metal electrode layer, an insulating resin layer, and a conductive resin layer. The conductive resin layer absorbs the bending of the external electrode and suppresses the generation of cracks due to thermal shock. The insulating resin layer can reduce the proportion of the expensive conductive resin layer in the external electrode. As a result, the ceramic electronic component can be improved in reliability and economy.
上記セラミック電子部品では、絶縁性樹脂層及び導電性樹脂層がセラミック素体の表面まで達しておらず、金属電極層の一部が露出している。このため、金属電極層が酸化し、金属電極層と導電性樹脂層との間に金属酸化層が形成される。金属酸化層は、機械的強度が低いため、金属酸化層の内部もしくは金属酸化層と導電性樹脂層間にクラックが生じやすく、このクラックを起点として金属電極層と絶縁樹脂層との間もしくは絶縁樹脂層と導電樹脂層との間で剥離が生じる場合がある。 In the above ceramic electronic component, the insulating resin layer and the conductive resin layer do not reach the surface of the ceramic body, and a part of the metal electrode layer is exposed. Therefore, the metal electrode layer is oxidized and a metal oxide layer is formed between the metal electrode layer and the conductive resin layer. Since the metal oxide layer has low mechanical strength, a crack is likely to occur inside the metal oxide layer or between the metal oxide layer and the conductive resin layer, and the crack is the starting point between the metal electrode layer and the insulating resin layer or the insulating resin layer. Peeling may occur between the layer and the conductive resin layer.
本発明の一つの態様は、外部電極の剥離を抑制可能な電子部品を提供する。 One aspect of the present invention provides an electronic component capable of suppressing peeling of an external electrode.
本発明の一つの態様に係る電子部品は、セラミックを含む素体と、外部電極と、を備え、外部電極は、素体上に配置されている焼結金属層と、焼結金属層上に配置されている絶縁性樹脂層と、絶縁性樹脂層上に配置されている導電性樹脂層と、を有し、焼結金属層の第1外縁部は、絶縁性樹脂層から露出しており、導電性樹脂層の第2外縁部は、第1外縁部を覆い、素体と接している。 An electronic component according to one aspect of the present invention includes an element body including ceramics and an external electrode, and the external electrode includes a sintered metal layer disposed on the element body and a sintered metal layer on the sintered metal layer. The insulating resin layer is disposed, and the conductive resin layer is disposed on the insulating resin layer, and the first outer edge portion of the sintered metal layer is exposed from the insulating resin layer. The second outer edge portion of the conductive resin layer covers the first outer edge portion and is in contact with the element body.
上記一つの態様では、導電性樹脂層は、絶縁性樹脂層から露出している焼結金属層の第1外縁部を覆い、素体と接している第2外縁部を有している。このため、焼結金属層の酸化を抑制できる。これにより、外部電極の剥離を抑制できる。 In the above one aspect, the conductive resin layer has a second outer edge portion that covers the first outer edge portion of the sintered metal layer exposed from the insulating resin layer and is in contact with the element body. Therefore, the oxidation of the sintered metal layer can be suppressed. Thereby, peeling of the external electrode can be suppressed.
上記一つの態様では、導電性樹脂層の外縁と焼結金属層の外縁との間の距離は、50μm以上であってもよい。この場合、焼結金属層の第1外縁部と、導電性樹脂層の第2外縁部との間に酸素が侵入することを確実に抑制できる。これにより、外部電極の剥離を更に抑制できる。 In the above one aspect, the distance between the outer edge of the conductive resin layer and the outer edge of the sintered metal layer may be 50 μm or more. In this case, it is possible to reliably prevent oxygen from entering between the first outer edge portion of the sintered metal layer and the second outer edge portion of the conductive resin layer. Thereby, peeling of the external electrode can be further suppressed.
上記一つの態様では、絶縁性樹脂層の厚みは、導電性樹脂層の厚みと絶縁性樹脂層の厚みとの和の30%以上95%以下であってもよい。絶縁性樹脂層は、硬い金属成分を含まない。したがって、導電性樹脂層と比べて、絶縁性樹脂層では、外部電極に加わる応力の緩和効果が高い。このため、絶縁性樹脂層の厚みを30%以上とすることによって、外部電極に対する応力の緩和効果を高めることができる。絶縁性樹脂層の厚みを95%以下とすることによって、外部電極の導電性を確保することができる。 In the above one aspect, the thickness of the insulating resin layer may be 30% or more and 95% or less of the sum of the thickness of the conductive resin layer and the thickness of the insulating resin layer. The insulating resin layer does not contain a hard metal component. Therefore, the insulating resin layer has a higher effect of alleviating the stress applied to the external electrode than the conductive resin layer. Therefore, by setting the thickness of the insulating resin layer to 30% or more, the effect of relaxing the stress on the external electrode can be enhanced. By setting the thickness of the insulating resin layer to 95% or less, the conductivity of the external electrode can be ensured.
上記一つの態様では、絶縁性樹脂層は、熱硬化性樹脂を含み、熱硬化性樹脂のガラス転移温度は、150℃以上であってもよい。この場合、外部電極の耐熱性が向上するので、熱衝撃に対する信頼性が向上する。 In the above one aspect, the insulating resin layer may include a thermosetting resin, and the glass transition temperature of the thermosetting resin may be 150° C. or higher. In this case, since the heat resistance of the external electrode is improved, the reliability against thermal shock is improved.
上記一つの態様では、前記素体は、互いに対向する一対の主面と、前記一対の主面と隣り合う端面と、を有し、前記外部電極は、前記一対の主面の少なくともいずれか一方、及び前記端面に配置されていてもよい。この場合、熱衝撃によって外部電極に加わる応力を緩和することができる。これにより、クラックの発生が抑制されるので、外部電極の剥離が抑制される。 In the one aspect, the element body has a pair of main surfaces facing each other, and an end surface adjacent to the pair of main surfaces, the external electrode, at least one of the pair of main surfaces , And may be disposed on the end face. In this case, the stress applied to the external electrodes by the thermal shock can be relieved. As a result, the generation of cracks is suppressed, and thus the peeling of the external electrode is suppressed.
上記一つの態様では、外部電極は、前記一対の主面のそれぞれに配置されていてもよい。この場合、熱衝撃によって外部電極に加わる応力を緩和することができる。これにより、クラックの発生が抑制されるので、外部電極の剥離が抑制される。 In the above one aspect, the external electrodes may be arranged on each of the pair of main surfaces. In this case, the stress applied to the external electrodes by the thermal shock can be relieved. As a result, the generation of cracks is suppressed, and thus the peeling of the external electrode is suppressed.
上記一つの態様では、素体は、互いに対向し、かつ、前記一対の主面及び前記端面と隣り合う一対の側面を更に有し、前記外部電極は、前記一対の側面にも配置されていてもよい。この場合、熱衝撃によって外部電極に加わる応力を更に緩和することができる。これにより、クラックの発生が更に抑制されるので、外部電極の剥離が更に抑制される。 In the one aspect, the element body further has a pair of side surfaces facing each other and adjacent to the pair of main surfaces and the end surface, and the external electrode is also disposed on the pair of side surfaces. Good. In this case, the stress applied to the external electrodes by the thermal shock can be further alleviated. As a result, the generation of cracks is further suppressed, so that the peeling of the external electrode is further suppressed.
上記一つの態様では、前記第1外縁部及び前記第2外縁部は、前記一対の主面の少なくともいずれか一方に配置されていてもよい。この場合、一対の主面の少なくともいずれか一方において焼結金属層の酸化を抑制できる。これにより、外部電極の剥離を抑制できる。 In the above one aspect, the first outer edge portion and the second outer edge portion may be disposed on at least one of the pair of main surfaces. In this case, oxidation of the sintered metal layer can be suppressed on at least one of the pair of main surfaces. Thereby, peeling of the external electrode can be suppressed.
本発明の一つの態様によれば、外部電極における剥離の発生を抑制可能な電子部品が提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided an electronic component capable of suppressing the occurrence of peeling in an external electrode.
以下、添付図面を参照して、実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。 Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description, the same elements or elements having the same function will be denoted by the same reference symbols, without redundant description.
図1は、一実施形態に係る電子部品を示す斜視図である。図2及び図3は、図1の電子部品を示す断面図である。図1〜図3に示されるように、実施形態に係る電子部品1は、セラミックを含む素体3と、一対の外部電極5と、を備えている。電子部品1は、例えば積層セラミックコンデンサである。電子部品1は、例えば、圧電素子であってもよい。
FIG. 1 is a perspective view showing an electronic component according to an embodiment. 2 and 3 are sectional views showing the electronic component of FIG. As shown in FIGS. 1 to 3, the electronic component 1 according to the embodiment includes a ceramic-containing
素体3は、直方体形状を呈している。直方体形状には、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状が含まれる。素体3は、外表面として、互いに対向している一対の主面3aと、互いに対向している一対の側面3cと、互いに対向している一対の端面3eと、を有している。各主面3a、各側面3c、及び各端面3eは、矩形状を呈している。一対の主面3aが対向している方向が第1方向D1であり、一対の側面3cが対向している方向が第2方向D2であり、一対の端面3eが対向している方向が第3方向D3である。
The
第1方向D1は、各主面3aに直交する方向である。第2方向D2は、各側面3cに直交する方向である。第3方向D3は、各端面3eに直交する方向である。第1方向D1、第2方向D2及び第3方向D3は、互いに交差(ここでは、直交)している。第1方向D1は素体3の高さ方向である。第2方向D2は素体3の幅方向である。第3方向D3は素体3の長さ方向である。本実施形態では、素体3の長さ(第3方向D3での長さ)は、素体3の高さ(第1方向D1での長さ)、及び、素体3の幅(第2方向D2での長さ)よりも大きい。素体の長さは、例えば5.7mmであり、素体3の高さは、例えば2.75mmであり、素体3の幅は、例えば5.0mmである。
The first direction D1 is a direction orthogonal to each
一対の主面3aは、一対の側面3cの間を連結するように第2方向D2に延在している。一対の主面3aは、一対の端面3eの間を連結するように第3方向D3にも延在している。一対の側面3cは、一対の主面3aの間を連結するように第1方向D1に延在している。一対の側面3cは、一対の端面3eの間を連結するように第3方向D3にも延在している。一対の端面3eは、一対の主面3aの間を連結するように第1方向D1に延在している。一対の端面3eは、一対の側面3cの間を連結するように第2方向D2にも延在している。
The pair of
各主面3aは、一対の側面3c及び一対の端面3eのそれぞれと隣り合っている。各側面3cは、一対の主面3a及び一対の端面3eのそれぞれと隣り合っている。各端面3eは、一対の主面3a及び一対の側面3cのそれぞれと隣り合っている。
Each
素体3は、積層された複数の誘電体層を含んでいる。複数の誘電体層の積層方向は、一対の主面3aが対向している方向、つまり第1方向D1と一致している。各誘電体層は、例えば誘電体材料(BaTiO3系、Ba(Ti,Zr)O3系、又は(Ba,Ca)TiO3系などの誘電体セラミック)を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成されている。実際の素体3では、各誘電体層は、各誘電体層の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
The
電子部品1は、電子機器(例えば、回路基板又は電子部品など)に、はんだ実装される。電子部品1は、焼結金属又は導電性接着剤によって実装されてもよい。電子部品1では、一方の主面3aが、電子機器に対向する実装面とされる。
The electronic component 1 is solder-mounted on an electronic device (for example, a circuit board or an electronic component). The electronic component 1 may be mounted with a sintered metal or a conductive adhesive. In the electronic component 1, one
電子部品1は、図2及び図3に示されるように、内部導体として、それぞれ複数の内部電極7,9を備えている。内部電極7,9は、積層型の電気素子の内部電極として通常用いられる導電性材料からなる。導電性材料として、卑金属(例えば、Ni又はCuなど)が用いられる。内部電極7,9は、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成されている。本実施形態では、内部電極7,9は、Niからなる。
As shown in FIGS. 2 and 3, the electronic component 1 includes a plurality of
内部電極7と内部電極9とは、積層方向(つまり、第1方向D1)において異なる位置(層)に配置されている。すなわち、内部電極7と内部電極9とは、素体3内において、積層方向に間隔を有して対向するように交互に配置されている。内部電極7と内部電極9とは、互いに極性が異なる。内部電極7,9の一端部は、一対の端面3eのうちの対応する一つの端面3eに露出している。
The
一対の外部電極5は、素体3における端面3e側(端面3e及びその周辺)に、すなわち素体3の第3方向D3での端部にそれぞれ配置されている。一対の外部電極5は、互いに離間している。各外部電極5は、各主面3a上に配置されている電極部5aと、各側面3c上に配置されている電極部5cと、一対の端面3eのうちの対応する一つの端面3eに配置されている電極部5eと、を有している。外部電極5は、一対の主面3a、一対の側面3c、及び一つの端面3eの五つの面に形成されている。互いに隣り合う電極部5a,5c,5e同士は、物理的及び電気的に接続されている。
The pair of
電極部5eは、対応する内部電極7,9の端面3eに露出した一端部をすべて覆っている。内部電極7,9は、対応する電極部5eに直接的に接続されている。内部電極7,9は、対応する外部電極5に電気的に接続されている。
The
外部電極5は、図2及び図3に示されるように、素体3上に配置されている焼結金属層E1と、焼結金属層E1上に配置されている絶縁性樹脂層E2と、絶縁性樹脂層E2上に配置されている導電性樹脂層E3と、導電性樹脂層E3上に配置されている第1めっき層E4と、第1めっき層E4上に配置されている第2めっき層E5と、を有している。第2めっき層E5は、外部電極5の最外層を構成している。外部電極5は、五層構造を有している。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
焼結金属層E1は、一対の主面3a、一対の側面3c、及び一つの端面3eの五つの面を覆うように形成されている。焼結金属層E1の外縁部E1a(第1外縁部)は、一対の主面3a及び一対の側面3cのそれぞれに配置されている。外縁部E1aは、絶縁性樹脂層E2から露出している。外縁部E1aは、全周にわたって絶縁性樹脂層E2から露出している。つまり、第1方向D1及び第2方向D2から見て、焼結金属層E1の外縁E1bは、絶縁性樹脂層E2の外縁E2bよりも素体3の内側に位置している。焼結金属層E1は、絶縁性樹脂層E2を形成するための下地金属層でもある。
The sintered metal layer E1 is formed so as to cover five surfaces of the pair of
焼結金属層E1は、金属成分及びガラス成分を含んでいる。金属成分は、例えばCuである。金属成分は、Niであってもよい。このように、焼結金属層E1は、卑金属を含んでいる。焼結金属層E1は、導電性ペーストを素体3の表面に付与して焼き付け、金属成分を焼結させることにより形成されている。導電性ペーストには、例えば、Cu、Ni等の金属粉末に、ガラス成分、有機バインダ、及び有機溶剤を混合したものが用いられる。
The sintered metal layer E1 contains a metal component and a glass component. The metal component is Cu, for example. The metal component may be Ni. Thus, the sintered metal layer E1 contains a base metal. The sintered metal layer E1 is formed by applying a conductive paste to the surface of the
絶縁性樹脂層E2は、焼結金属層E1の外縁部E1a以外の全体を覆っている。絶縁性樹脂層E2は、一対の主面3a、一対の側面3c、及び一つの端面3eの五つの面上に配置されている。絶縁性樹脂層E2は、素体3から離間している。絶縁性樹脂層E2は、素体3とは接していない。
The insulating resin layer E2 covers the entire sintered metal layer E1 except the outer edge portion E1a. The insulating resin layer E2 is arranged on the five surfaces of the pair of
絶縁性樹脂層E2は、例えば、熱硬化性樹脂を含んでいる。熱硬化性樹脂のガラス転移温度(Tg)は、例えば150℃以上である。熱硬化性樹脂は、例えば、フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、又はポリイミド樹脂である。絶縁性樹脂層E2は、紫外線硬化型樹脂、又は熱可塑性樹脂等を含んでいてもよい。絶縁性樹脂層E2は、フィラーを含んでいない。絶縁性樹脂層E2は、焼結金属層E1上に付与された絶縁性樹脂を硬化させることにより形成されている。絶縁性樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂、有機バインダ、及び有機溶剤を混合したものが用いられる。 The insulating resin layer E2 contains, for example, a thermosetting resin. The glass transition temperature (Tg) of the thermosetting resin is, for example, 150° C. or higher. The thermosetting resin is, for example, phenol resin, acrylic resin, silicone resin, epoxy resin, or polyimide resin. The insulating resin layer E2 may include an ultraviolet curable resin, a thermoplastic resin, or the like. The insulating resin layer E2 does not contain a filler. The insulating resin layer E2 is formed by curing the insulating resin applied on the sintered metal layer E1. As the insulating resin, for example, a mixture of thermosetting resin, organic binder, and organic solvent is used.
導電性樹脂層E3は、絶縁性樹脂層E2の全体と、焼結金属層E1の外縁部E1aと、素体3の一部と、を覆っている。導電性樹脂層E3の外縁部E3a(第2外縁部)は、焼結金属層E1の外縁部E1aを覆い、素体3の一部と接している。ここで、素体3の一部とは、各主面3a及び各側面3cの一部である。つまり、外縁部E3aは、外縁部E1aと同様に、各主面3a及び各側面3cに配置されている。外縁部E3aは、外縁部E1aの全周を覆っている。第1方向D1及び第2方向D2から見て、導電性樹脂層E3の外縁E3bは、焼結金属層E1の外縁E1b及び絶縁性樹脂層E2の外縁E2bよりも素体3の内側に位置している。
The conductive resin layer E3 covers the entire insulating resin layer E2, the outer edge portion E1a of the sintered metal layer E1, and a part of the
導電性樹脂層E3は、金属成分及び樹脂成分を含んでいる。金属成分は、例えばAg、Cuである。樹脂成分は、例えば、熱硬化性樹脂である。熱硬化性樹脂は、例えば、フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、又はポリイミド樹脂である。樹脂成分は、紫外線硬化型樹脂、又は熱可塑性樹脂等の樹脂であってもよい。樹脂成分は、絶縁性樹脂層E2に含まれる樹脂と同じであってもよいし、異なっていてもよい。 The conductive resin layer E3 contains a metal component and a resin component. The metal component is, for example, Ag or Cu. The resin component is, for example, a thermosetting resin. The thermosetting resin is, for example, phenol resin, acrylic resin, silicone resin, epoxy resin, or polyimide resin. The resin component may be a resin such as an ultraviolet curable resin or a thermoplastic resin. The resin component may be the same as or different from the resin contained in the insulating resin layer E2.
導電性樹脂層E3は、絶縁性樹脂層E2の全体、一対の主面3aの一部、及び一対の側面3cの一部に付与された導電性樹脂を硬化させることにより形成されている。導電性樹脂としては、例えば、導電性粒子、熱硬化性樹脂、有機バインダ、及び有機溶剤を混合したものが用いられる。導電性粒子としては、例えば、Ag粉末、Cu粉末、又は被覆粒子などが用いられる。被覆粒子は、例えば、樹脂粒子と、樹脂粒子の表面を被覆するAg又はCu等の金属層と、を有する。
The conductive resin layer E3 is formed by curing the conductive resin applied to the entire insulating resin layer E2, a part of the pair of
第1めっき層E4は、導電性樹脂層E3上にめっき法により形成されている。本実施形態では、第1めっき層E4は、導電性樹脂層E3上にNiめっきにより形成されたNiめっき層である。第1めっき層E4は、Snめっき層、Cuめっき層、又はAuめっき層であってもよい。このように、第1めっき層E4は、Ni、Sn、Cu、又はAuを含んでいる。 The first plating layer E4 is formed on the conductive resin layer E3 by a plating method. In the present embodiment, the first plating layer E4 is a Ni plating layer formed on the conductive resin layer E3 by Ni plating. The first plating layer E4 may be a Sn plating layer, a Cu plating layer, or an Au plating layer. In this way, the first plating layer E4 contains Ni, Sn, Cu, or Au.
第2めっき層E5は、第1めっき層E4上にめっき法により形成されている。本実施形態では、第2めっき層E5は、第1めっき層E4上にSnめっきにより形成されたSnめっき層である。第2めっき層E5は、Cuめっき層、Pdめっき層又はAuめっき層であってもよい。このように、第2めっき層E5は、Sn、Cu、Pd又はAuを含んでいる。第1めっき層E4と第2めっき層E5とは、導電性樹脂層E3に形成されるめっき層を構成している。すなわち、本実施形態では、導電性樹脂層E3に形成されるめっき層は、二層構造を有している。 The second plating layer E5 is formed on the first plating layer E4 by a plating method. In the present embodiment, the second plating layer E5 is a Sn plating layer formed by Sn plating on the first plating layer E4. The second plating layer E5 may be a Cu plating layer, a Pd plating layer or an Au plating layer. Thus, the second plating layer E5 contains Sn, Cu, Pd or Au. The first plating layer E4 and the second plating layer E5 form a plating layer formed on the conductive resin layer E3. That is, in this embodiment, the plating layer formed on the conductive resin layer E3 has a two-layer structure.
各電極部5a,5c,5eは、焼結金属層E1、絶縁性樹脂層E2、導電性樹脂層E3、第1めっき層E4、及び第2めっき層E5を有している。すなわち、各電極部5a,5c,5eは、五層構造を有している。
Each of the
各電極部5a,5c,5eが有している焼結金属層E1は、一体的に形成されている。各電極部5a,5c,5eが有している絶縁性樹脂層E2は、一体的に形成されている。各電極部5a,5c,5eが有している導電性樹脂層E3は、一体的に形成されている。各電極部5a,5c,5eが有している第1めっき層E4は、一体的に形成されている。各電極部5a,5c,5eが有している第2めっき層E5は、一体的に形成されている。
The sintered metal layer E1 included in each of the
導電性樹脂層E3の外縁E3bと焼結金属層E1の外縁E1bとの間の距離L1は、50μm以上である。距離L1は、第3方向D3での距離である。距離L1は、例えば、以下のようにして測定することができる。 The distance L1 between the outer edge E3b of the conductive resin layer E3 and the outer edge E1b of the sintered metal layer E1 is 50 μm or more. The distance L1 is a distance in the third direction D3. The distance L1 can be measured as follows, for example.
まず、外部電極5の断面図を取得する。例えば、外部電極5を第1方向D1又は第2方向D2に直交する面で切断したときの外部電極5の断面図を取得する。距離L1は、取得した断面図を画像解析することによって測定される。断面は、例えば、第1方向D1に直交し、かつ、一対の主面3aから等距離に位置する面、又は、第2方向D2に直交し、かつ、一対の側面3cから等距離に位置する面とすることができる。距離L1は、例えば、複数の断面図における複数の測定結果の最小値とすることができる。
First, a cross-sectional view of the
焼結金属層E1の外縁E1bと絶縁性樹脂層E2の外縁E2bとの間の距離L2は、例えば20μm以上300μm以下である。距離L2は、第3方向D3での距離である。距離L2は、例えば、距離L1と同様にして測定することができる。距離L2は、絶縁性樹脂層E2から露出している焼結金属層E1の外縁部E1aの第3方向D3での長さである。距離L2が20μm以上であることにより、焼結金属層E1と導電性樹脂層E3との電気的な接続を確実に図ることができる。距離L2が300μm以下であることにより、クラックの抑制効果を向上させることができる。 The distance L2 between the outer edge E1b of the sintered metal layer E1 and the outer edge E2b of the insulating resin layer E2 is, for example, 20 μm or more and 300 μm or less. The distance L2 is a distance in the third direction D3. The distance L2 can be measured, for example, in the same manner as the distance L1. The distance L2 is the length in the third direction D3 of the outer edge portion E1a of the sintered metal layer E1 exposed from the insulating resin layer E2. When the distance L2 is 20 μm or more, the electrical connection between the sintered metal layer E1 and the conductive resin layer E3 can be ensured. When the distance L2 is 300 μm or less, the effect of suppressing cracks can be improved.
絶縁性樹脂層E2の厚みt1と導電性樹脂層E3の厚みt2との和は、例えば50μm以上200μm以下である。厚みt1及び厚みt2は、例えば、外部電極5の断面図を画像解析することによって測定される。厚みt1及び厚みt2は、例えば、端面3eにおける絶縁性樹脂層E2の厚み及び導電性樹脂層E3の厚みとすることができる。厚みt1及び厚みt2は、例えば、端面3eの中央における絶縁性樹脂層E2の厚み及び導電性樹脂層E3の厚みとしてもよい。
The sum of the thickness t1 of the insulating resin layer E2 and the thickness t2 of the conductive resin layer E3 is, for example, 50 μm or more and 200 μm or less. The thickness t1 and the thickness t2 are measured, for example, by image-analyzing a cross-sectional view of the
絶縁性樹脂層E2の厚みt1は、絶縁性樹脂層E2の厚みt1と導電性樹脂層E3の厚みt2との和の30%以上95%以下である。厚みt1は、例えば15μm以上190μm以下である。厚みt2は、例えば10μm以上140μm以下である。 The thickness t1 of the insulating resin layer E2 is 30% or more and 95% or less of the sum of the thickness t1 of the insulating resin layer E2 and the thickness t2 of the conductive resin layer E3. The thickness t1 is, for example, 15 μm or more and 190 μm or less. The thickness t2 is, for example, 10 μm or more and 140 μm or less.
以上説明したように、電子部品1において、導電性樹脂層E3は、絶縁性樹脂層E2から露出している焼結金属層E1の外縁部E1aを覆い、素体3と接している外縁部E3aを有している。このため、焼結金属層E1の酸化を抑制できる。これにより、外部電極5の剥離を抑制できる。仮に、外縁部E1aが外縁部E3aから露出していると、外縁部E1aだけでなく、焼結金属層E1の全面が酸化されるおそれがある。電子部品1によれば、その製造工程において、特に、導電性樹脂層E3となる導電性樹脂の付与時における焼結金属層E1の酸化を効果的に抑制できる。
As described above, in the electronic component 1, the conductive resin layer E3 covers the outer edge portion E1a of the sintered metal layer E1 exposed from the insulating resin layer E2 and is in contact with the element body E3a. have. Therefore, oxidation of the sintered metal layer E1 can be suppressed. Thereby, peeling of the
導電性樹脂層E3の外縁E3bと焼結金属層E1の外縁E1bとの間の距離L1は、50μm以上である。このため、焼結金属層E1の外縁部E1aと、導電性樹脂層E3の外縁部E3aとの間に酸素が侵入することを確実に抑制できる。これにより、外部電極5の剥離を更に抑制できる。距離L1は、100μm以上であってもよいし、200μm以上であってもよい。
The distance L1 between the outer edge E3b of the conductive resin layer E3 and the outer edge E1b of the sintered metal layer E1 is 50 μm or more. Therefore, it is possible to reliably prevent oxygen from entering between the outer edge portion E1a of the sintered metal layer E1 and the outer edge portion E3a of the conductive resin layer E3. Thereby, peeling of the
絶縁性樹脂層E2の厚みt1は、導電性樹脂層E3の厚みt2と絶縁性樹脂層E2の厚みt1との和の30%以上95%以下である。金属成分を含む導電性樹脂層E3に比べて、金属成分を含まない絶縁性樹脂層E2では、外部電極に加わる応力の緩和効果が高い。このため、絶縁性樹脂層E2の厚みt1を30%以上とすることによって、外部電極5に対する応力の緩和効果を高めることができる。また、絶縁性樹脂層E2の厚みt1を95%以下とすることによって、外部電極5の導電性を確保することができる。
The thickness t1 of the insulating resin layer E2 is 30% or more and 95% or less of the sum of the thickness t2 of the conductive resin layer E3 and the thickness t1 of the insulating resin layer E2. Compared to the conductive resin layer E3 containing a metal component, the insulating resin layer E2 containing no metal component has a higher effect of relaxing the stress applied to the external electrode. Therefore, by setting the thickness t1 of the insulating resin layer E2 to 30% or more, the effect of relaxing the stress on the
絶縁性樹脂層E2は、熱硬化性樹脂を含み、熱硬化性樹脂のガラス転移温度は、150℃以上である。このため、外部電極5の耐熱性が向上するので、熱衝撃に対する信頼性が向上する。
The insulating resin layer E2 contains a thermosetting resin, and the glass transition temperature of the thermosetting resin is 150° C. or higher. Therefore, the heat resistance of the
素体3は、一対の主面3aと、一対の側面3cと、一対の端面3eとを有し、各外部電極5は、一対の主面3aと、一対の側面3cと、一対の端面3eのうちの対応する一つの端面3eとに配置されている。このため、例えば、外部電極5が一方の主面3aのみに形成されている場合に比べて、熱衝撃によって実装基板から外部電極5に加わる応力を緩和することができる。これにより、クラックの発生が抑制されるので、外部電極5の剥離が更に抑制される。また、外部電極5に加わる応力が緩和される結果、外部電極5を通じて素体3に加わる応力も緩和される。これにより、素体3におけるクラックの発生も抑制される。
The
本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。 The present invention is not necessarily limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.
各外部電極5は、一方の主面3aのみに配置されていてもよい。すなわち、外部電極5は、一方の電極部5aを有し、他方の電極部5a、電極部5e、及び一対の電極部5cを有さなくてもよい。
Each
一対の外部電極5は、一方の主面3aと、互いに対向する一対の端面3eと、の三面に配置されていてもよい。つまり、各外部電極5は、一方の主面3aと、一対の端面3eのうちの対応する一つの端面3eと、の二面に配置されていてもよい。すなわち、外部電極5は、一方の電極部5a及び電極部5eを有し、他方の電極部5a及び一対の電極部5cを有さなくてもよい。この場合、外部電極5が一方の主面3aのみに形成されている場合に比べて、熱衝撃によって実装基板から外部電極5に加わる応力を緩和することができる。これにより、クラックの発生が抑制されるので、外部電極5の剥離が抑制される。電極部5eの第1方向D1での長さは、端面3eの第1方向D1での長さよりも短くてもよい。すなわち、電極部5eは、他方の主面3aから離間していてもよい。一方の電極部5a及び電極部5eの第2方向D2での長さは、端面3eの第2方向D2での長さよりも短くてもよい。すなわち、外部電極5は、一方の主面3aの第2方向D2の一部と、端面3eの第2方向D2の一部とに配置されていてもよい。電極部5eの第1方向D1での長さは、端面3eの第1方向D1での長さよりも短くてもよい。すなわち、外部電極5は、他方の主面3aから離間していてもよい。
The pair of
一対の外部電極5は、互いに対向する一対の主面3aと、互いに対向する一対の端面3eと、の四面に配置されていてもよい。つまり、各外部電極5は、一対の主面3aと、一対の端面3eのうちの対応する一つの端面3eと、の三面に配置されていてもよい。すなわち、外部電極5は、一対の電極部5a及び電極部5eを有し、一対の電極部5cを有さなくてもよい。この場合も、外部電極5が一方の主面3aのみに形成されている場合に比べて、熱衝撃によって実装基板から外部電極5に加わる応力を緩和することができる。これにより、クラックの発生が抑制されるので、外部電極5の剥離が抑制される。一対の電極部5a及び電極部5eの第2方向D2での長さは、端面3eの第2方向D2での長さよりも短くてもよい。すなわち、外部電極5は、一対の主面3aの第2方向D2の一部と、端面3eの第2方向D2の一部とに配置されていてもよい。
The pair of
外縁部E1a及び外縁部E3aは、一対の主面3aの少なくともいずれか一方に配置されていればよい。つまり、焼結金属層E1の外縁部の全周が外縁部E1aの構成でなくてもよい。また、導電性樹脂層E3の外縁部の全周が外縁部E3aの構成でなくてもよい。この場合であっても、一対の主面3aの少なくともいずれか一方において焼結金属層E1の酸化を抑制できる。これにより、外部電極5の剥離を抑制できる。
The outer edge portion E1a and the outer edge portion E3a may be disposed on at least one of the pair of
実施例及び比較例により上記実施形態に係る電子部品の効果を具体的に説明する。 The effects of the electronic component according to the above-described embodiment will be specifically described with reference to examples and comparative examples.
[距離L1の影響]
導電性樹脂層の外縁と焼結金属層の外縁との間の距離L1(図2参照)が、外部電極の剥離に与える影響について評価を行った。この評価には、試料1〜10を用いた。
[Influence of distance L1]
The influence of the distance L1 (see FIG. 2) between the outer edge of the conductive resin layer and the outer edge of the sintered metal layer on the peeling of the external electrode was evaluated. Samples 1 to 10 were used for this evaluation.
(試料1)
実施例に係る電子部品として、上記実施形態に係る電子部品に対応する試料1を準備した。試料1では、導電性樹脂層の外縁部が、焼結金属層の外縁部を覆い、素体と接するようにした。試料1のサイズ(チップサイズ)は、長さを5.7mm、幅を5.0mm、高さを2.75mmとし、距離L1(図2参照)を10μmとした。絶縁性樹脂層の厚みt1(図2参照)を15μm、導電性樹脂層の厚みt2(図2参照)を55μm、絶縁性樹脂層の厚みと導電性樹脂層の厚みとの和(樹脂層全体の厚み)を70μmとした。絶縁性樹脂層に含まれる熱硬化性樹脂のガラス転移温度(Tg)を120℃とした。
(Sample 1)
As the electronic component according to the example, the sample 1 corresponding to the electronic component according to the above-described embodiment was prepared. In Sample 1, the outer edge of the conductive resin layer covered the outer edge of the sintered metal layer and was in contact with the element body. Regarding the size (chip size) of Sample 1, the length was 5.7 mm, the width was 5.0 mm, the height was 2.75 mm, and the distance L1 (see FIG. 2) was 10 μm. The thickness t1 (see FIG. 2) of the insulating resin layer is 15 μm, the thickness t2 of the conductive resin layer (see FIG. 2) is 55 μm, the sum of the thickness of the insulating resin layer and the thickness of the conductive resin layer (the entire resin layer). Thickness) was 70 μm. The glass transition temperature (Tg) of the thermosetting resin contained in the insulating resin layer was 120°C.
(試料2〜8)
距離L1を表1に示す値とした以外は、試料1と同様にして試料2〜8を準備した。試料2〜8においても、導電性樹脂層の外縁部が、焼結金属層の外縁部を覆い、素体と接するようにした。
(Samples 2-8)
Samples 2 to 8 were prepared in the same manner as Sample 1 except that the distance L1 was set to the value shown in Table 1. Also in Samples 2 to 8, the outer edge portion of the conductive resin layer covered the outer edge portion of the sintered metal layer and was in contact with the element body.
(試料9)
比較例に係る電子部品として、試料9を準備した。表1に示すように、試料9では、距離L1を0μmとした。すなわち、試料9では、導電性樹脂層の外縁と焼結金属層の外縁とが、素体の主面側及び側面側から見て一致するようにした。導電性樹脂層の外縁部は、素体の主面側及び側面側から見て、焼結金属層の外縁部を覆っているものの、素体とは接していない。
(Sample 9)
(試料10)
比較例に係る電子部品として、試料10を準備した。表1に示すように、試料10では、距離L1を−100μmとした。すなわち、試料10では、導電性樹脂層の外縁が、素体の主面側及び側面側から見て、焼結金属層の外縁よりも素体の内側に100μmの位置に存在するようにした。焼結金属層の外縁部は、導電性樹脂層から露出している。
(Sample 10)
Sample 10 was prepared as an electronic component according to the comparative example. As shown in Table 1, in Sample 10, the distance L1 was set to −100 μm. That is, in Sample 10, the outer edge of the conductive resin layer was located at a position of 100 μm inside the element body as compared with the outer edge of the sintered metal layer when viewed from the main surface side and the side surface side of the element body. The outer edge of the sintered metal layer is exposed from the conductive resin layer.
以上のような試料1〜10に対し、環境温度を30分ごとに低温(−55℃)及び高温(150℃)に変化させ、外部電極が剥離するまでの繰り返し回数をカウントする熱衝撃試験(温度サイクル試験)を実施した。この熱衝撃試験の試験結果を表1に示す。 With respect to Samples 1 to 10 as described above, the thermal shock test was performed in which the environmental temperature was changed to a low temperature (-55°C) and a high temperature (150°C) every 30 minutes, and the number of repetitions until the external electrodes were peeled off was counted ( Temperature cycle test) was performed. The test results of this thermal shock test are shown in Table 1.
表1に示されるように、試料9では800回、試料10では500回で外部電極の剥離が生じたのに対し、試料1〜8では、1200回以上まで外部電極の剥離が生じなかった。試料9では、素体の主面側及び側面側から見て、導電性樹脂層が焼結金属層を覆っているものの、素体とは接していない。このため、導電性樹脂層の外縁部が焼結金属層の外縁部を覆い、素体と接している試料1〜8と比べて、焼結金属層が酸化されやすく、外部電極の剥離が生じやすかったと考えられる。試料10では、焼結金属層が露出しているため、試料9よりも更に焼結金属層が酸化されやすく、外部電極の剥離が生じやすかったと考えられる。また、試料1〜8の試験結果の比較によれば、距離L1が長いほど、外部電極の剥離が生じるまでの回数が増えることが分かった。
As shown in Table 1, the peeling of the external electrode occurred in
[絶縁性樹脂層の厚み割合の影響]
導電性樹脂層の厚みt2(図2参照)と絶縁性樹脂層の厚みt1(図2参照)との和(樹脂層全体の厚み)に対する絶縁性樹脂層の厚み割合が、外部電極の剥離に与える影響について評価を行った。この評価には、試料4,11〜17を用いた。
[Influence of thickness ratio of insulating resin layer]
The thickness ratio of the insulating resin layer to the sum (thickness of the entire resin layer) of the thickness t2 of the conductive resin layer (see FIG. 2) and the thickness t1 of the insulating resin layer (see FIG. 2) is used for peeling the external electrode. We evaluated the impact. Samples 4, 11 to 17 were used for this evaluation.
(試料11〜15)
絶縁性樹脂層の厚みt1及び導電性樹脂層の厚みt2を変化させ、絶縁性樹脂層の厚み割合を表2に示す値とした以外は、試料4と同様にして試料11〜15を準備した。
(Samples 11 to 15)
Samples 11 to 15 were prepared in the same manner as Sample 4, except that the thickness t1 of the insulating resin layer and the thickness t2 of the conductive resin layer were changed and the thickness ratio of the insulating resin layer was set to the value shown in Table 2. ..
(試料16,17)
距離L1、絶縁性樹脂層の厚みt1、導電性樹脂層の厚みt2、樹脂層全体の厚み、及び絶縁性樹脂層の厚み割合を表2に示す値とした以外は、試料1と同様にして試料16,17を準備した。
(Samples 16 and 17)
Same as Sample 1 except that the distance L1, the thickness t1 of the insulating resin layer, the thickness t2 of the conductive resin layer, the thickness of the entire resin layer, and the thickness ratio of the insulating resin layer were set to the values shown in Table 2. Samples 16 and 17 were prepared.
以上のような試料4,11〜17に対し、環境温度を30分ごとに低温(−55℃)及び高温(175℃)に変化させ、外部電極が剥離するまでの繰り返し回数をカウントする熱衝撃試験を実施した。この熱衝撃試験の試験結果を表2に示す。 With respect to Samples 4 and 11 to 17 as described above, the thermal shock is obtained by changing the environmental temperature to a low temperature (-55°C) and a high temperature (175°C) every 30 minutes and counting the number of repetitions until the external electrode is peeled off. The test was conducted. The test results of this thermal shock test are shown in Table 2.
表2に示されるように、試料4,11〜15の試験結果の比較によれば、絶縁性樹脂層の厚み割合が高いほど、外部電極の剥離が生じるまでの回数が概ね増えることが分かった。また、試料16,17の試験結果の比較によっても、絶縁性樹脂層の厚み割合が高いほど、外部電極の剥離が生じるまでの回数が増えることが分かった。試料13,16の試験結果の比較によれば、絶縁性樹脂層の厚み割合が同等である場合、距離L1が長く、樹脂層全体の厚みが厚い方が、外部電極の剥離が生じるまでの回数が増えることが分かった。また、試料14,17の試験結果の比較によっても、絶縁性樹脂層の厚み割合が同等である場合、距離L1が長く、樹脂層全体の厚みが厚い方が、外部電極の剥離が生じるまでの回数が増えることが分かった。 As shown in Table 2, by comparing the test results of Samples 4 and 11 to 15, it was found that the higher the thickness ratio of the insulating resin layer, the more the number of times until the peeling of the external electrode occurred. .. Further, the comparison of the test results of Samples 16 and 17 also revealed that the higher the thickness ratio of the insulating resin layer is, the more the number of times until peeling of the external electrode occurs. According to the comparison of the test results of Samples 13 and 16, when the insulating resin layer has the same thickness ratio, the longer the distance L1 and the larger the thickness of the entire resin layer, the number of times until peeling of the external electrode occurs. Was found to increase. Further, according to the comparison of the test results of Samples 14 and 17, when the insulating resin layer has the same thickness ratio, the distance L1 is longer and the thickness of the entire resin layer is larger until peeling of the external electrode occurs. It turns out that the number of times increases.
[ガラス転移温度の評価]
ガラス転移温度が外部電極の剥離に与える影響について評価を行った。この評価には、試料4,14,18〜22を用いた。
[Evaluation of glass transition temperature]
The effect of the glass transition temperature on the exfoliation of the external electrode was evaluated. Samples 4, 14, and 18 to 22 were used for this evaluation.
(試料18〜20)
絶縁性樹脂層に表3に示すガラス転移温度(Tg)を有する熱硬化性樹脂を用いた以外は、試料4と同様にして試料18〜20を準備した。
(Samples 18 to 20)
Samples 18 to 20 were prepared in the same manner as Sample 4, except that the thermosetting resin having the glass transition temperature (Tg) shown in Table 3 was used for the insulating resin layer.
(試料21,22)
絶縁性樹脂層に表3に示すガラス転移温度(Tg)を有する熱硬化性樹脂を用いた以外は、試料14と同様にして試料21,22を準備した。
した。
(Samples 21 and 22)
Samples 21 and 22 were prepared in the same manner as Sample 14 except that the thermosetting resin having the glass transition temperature (Tg) shown in Table 3 was used for the insulating resin layer.
did.
以上のような試料4,14,18〜22に対し、環境温度を30分ごとに低温(−55℃)及び高温(175℃)に変化させ、外部電極が剥離するまでの繰り返し回数をカウントする熱衝撃試験を実施した。この熱衝撃試験の試験結果を表3に示す。 With respect to the samples 4, 14, 18 to 22 as described above, the environmental temperature was changed to a low temperature (-55°C) and a high temperature (175°C) every 30 minutes, and the number of repetitions until the external electrode was peeled off was counted. A thermal shock test was carried out. The test results of this thermal shock test are shown in Table 3.
表3に示されるように、試料4,18〜20の試験結果の比較によれば、ガラス転移温度が高いほど、外部電極の剥離が生じるまでの回数が概ね増えることが分かった。また、試料14,21,22の試験結果の比較によっても、ガラス転移温度が高いほど、外部電極の剥離が生じるまでの回数が概ね増えることが分かった。試料4,14の試験結果の比較、試料19,21の試験結果の比較、及び、試料20,22の試験結果の比較によれば、ガラス転移温度が同等である場合、絶縁性樹脂層の厚み割合が高い方が、外部電極の剥離が生じるまでの回数が増えることが分かった。 As shown in Table 3, by comparing the test results of Samples 4 and 18 to 20, it was found that the higher the glass transition temperature, the more the number of times until the peeling of the external electrode occurred. In addition, the comparison of the test results of Samples 14, 21, and 22 also revealed that the higher the glass transition temperature, the more the number of times until the peeling of the external electrode occurs. According to the comparison of the test results of Samples 4 and 14, the comparison of the test results of Samples 19 and 21, and the comparison of the test results of Samples 20 and 22, when the glass transition temperatures are the same, the thickness of the insulating resin layer is It was found that the higher the ratio, the greater the number of times until peeling of the external electrode occurs.
1…電子部品、3…素体、3a…主面、3c…側面、3e…端面、5…外部電極、E1…焼結金属層、E1a…外縁部(第1外縁部)、E1b…外縁、E2…絶縁性樹脂層、E2b…外縁、7,9…内部電極、E3…導電性樹脂層、E3a…外縁部(第2外縁部)、E3b…外縁、E4…第1めっき層、E5…第2めっき層。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Electronic component, 3... Element body, 3a... Main surface, 3c... Side surface, 3e... End surface, 5... External electrode, E1... Sintered metal layer, E1a... Outer edge (first outer edge), E1b... Outer edge, E2... Insulating resin layer, E2b... Outer edge, 7, 9... Internal electrode, E3... Conductive resin layer, E3a... Outer edge (second outer edge), E3b... Outer edge, E4... First plating layer, E5... 2 plating layers.
Claims (8)
前記外部電極は、
前記素体上に配置されている焼結金属層と、
前記焼結金属層上に配置されている絶縁性樹脂層と、
前記絶縁性樹脂層上に配置されている導電性樹脂層と、を有し、
前記焼結金属層の第1外縁部は、前記絶縁性樹脂層から露出しており、
前記導電性樹脂層の第2外縁部は、前記第1外縁部を覆い、前記素体と接している、電子部品。 An element body including a ceramic and an external electrode,
The external electrode is
A sintered metal layer disposed on the element body,
An insulating resin layer disposed on the sintered metal layer,
A conductive resin layer disposed on the insulating resin layer,
The first outer edge portion of the sintered metal layer is exposed from the insulating resin layer,
An electronic component in which the second outer edge portion of the conductive resin layer covers the first outer edge portion and is in contact with the element body.
前記熱硬化性樹脂のガラス転移温度は、150℃以上である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の電子部品。 The insulating resin layer contains a thermosetting resin,
The electronic component according to claim 1, wherein the thermosetting resin has a glass transition temperature of 150° C. or higher.
前記外部電極は、前記一対の主面の少なくともいずれか一方、及び前記端面に配置されている、請求項1〜4のいずれか一項に記載の電子部品。 The element body has a pair of main surfaces facing each other, and an end surface adjacent to the pair of main surfaces,
The electronic component according to claim 1, wherein the external electrode is arranged on at least one of the pair of main surfaces and the end surface.
前記外部電極は、前記一対の側面にも配置されている、請求項5又は6に記載の電子部品。 The element body further has a pair of side surfaces facing each other and adjacent to the pair of main surfaces and the end surface,
The electronic component according to claim 5, wherein the external electrode is also arranged on the pair of side surfaces.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019004319A JP7230517B2 (en) | 2019-01-15 | 2019-01-15 | electronic components |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019004319A JP7230517B2 (en) | 2019-01-15 | 2019-01-15 | electronic components |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020113673A true JP2020113673A (en) | 2020-07-27 |
JP7230517B2 JP7230517B2 (en) | 2023-03-01 |
Family
ID=71667126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019004319A Active JP7230517B2 (en) | 2019-01-15 | 2019-01-15 | electronic components |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7230517B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7471040B2 (en) | 2021-02-01 | 2024-04-19 | Tdk株式会社 | Electronic Components |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013161872A (en) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Tdk Corp | Electronic component |
WO2014024593A1 (en) * | 2012-08-09 | 2014-02-13 | 株式会社村田製作所 | Ceramic electronic component |
JP2015090977A (en) * | 2013-11-05 | 2015-05-11 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | Multilayer ceramic capacitor |
JP2017002289A (en) * | 2015-06-04 | 2017-01-05 | 四国化成工業株式会社 | Epoxy resin composition and use thereof |
JP2017073434A (en) * | 2015-10-06 | 2017-04-13 | Tdk株式会社 | Electronic component |
JP2019083291A (en) * | 2017-10-31 | 2019-05-30 | 株式会社村田製作所 | Multilayer ceramic capacitor |
-
2019
- 2019-01-15 JP JP2019004319A patent/JP7230517B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013161872A (en) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Tdk Corp | Electronic component |
WO2014024593A1 (en) * | 2012-08-09 | 2014-02-13 | 株式会社村田製作所 | Ceramic electronic component |
JP2015090977A (en) * | 2013-11-05 | 2015-05-11 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | Multilayer ceramic capacitor |
JP2017002289A (en) * | 2015-06-04 | 2017-01-05 | 四国化成工業株式会社 | Epoxy resin composition and use thereof |
JP2017073434A (en) * | 2015-10-06 | 2017-04-13 | Tdk株式会社 | Electronic component |
JP2019083291A (en) * | 2017-10-31 | 2019-05-30 | 株式会社村田製作所 | Multilayer ceramic capacitor |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7471040B2 (en) | 2021-02-01 | 2024-04-19 | Tdk株式会社 | Electronic Components |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7230517B2 (en) | 2023-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10964479B2 (en) | Electronic component | |
JP6720660B2 (en) | Monolithic ceramic capacitors | |
JP5206440B2 (en) | Ceramic electronic components | |
US9892855B2 (en) | Electronic component | |
US10573461B2 (en) | Electronic component and electronic component device | |
JP6972592B2 (en) | Electronic components and electronic component equipment | |
US11217391B2 (en) | Electronic component | |
US11335505B2 (en) | Electronic component | |
JP6926995B2 (en) | Electronic components | |
JP2021034440A (en) | Multilayer ceramic electronic part | |
US10622150B2 (en) | Electronic component and electronic component device | |
US10600570B2 (en) | Electronic component | |
JP2019083254A (en) | Electronic component | |
JP2022067931A (en) | Electronic component | |
JP5724262B2 (en) | Electronic components | |
JP7230517B2 (en) | electronic components | |
JP2015060940A (en) | Ceramic electronic component | |
JP6933062B2 (en) | Electronic components and electronic component equipment | |
JP2023079986A (en) | Ceramic electronic component | |
JP2020150070A (en) | Electronic component | |
JP6115276B2 (en) | Multilayer capacitor | |
JP7234638B2 (en) | electronic components | |
JP7498089B2 (en) | Electronic Components | |
JP2018157181A (en) | Electronic component | |
JP7471040B2 (en) | Electronic Components |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210817 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220921 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7230517 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |