JP2020104389A - Method, arithmetic device, head device, and head unit - Google Patents
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Abstract
Description
本技術は、液体を吐出するノズルに印加する電圧を設定する方法、演算装置、ヘッド装置及びヘッドユニットに関する。 The present technology relates to a method of setting a voltage applied to a nozzle that ejects a liquid, a computing device, a head device, and a head unit.
従来、二つのノズル列を有するヘッドを複数備えるインクジェット記録装置が提案されている。インクジェット記録装置は各ノズル列に対応した電圧変換部を備え、電圧変換部によって電圧を調整し、調整された電圧を各ノズル列に印加している(例えば特許文献1参照)。 Conventionally, an inkjet recording apparatus including a plurality of heads having two nozzle rows has been proposed. The inkjet recording device includes a voltage conversion unit corresponding to each nozzle row, adjusts the voltage by the voltage conversion unit, and applies the adjusted voltage to each nozzle row (see, for example, Patent Document 1).
前記インクジェット記録装置は、複数のノズル列それぞれに対して、電圧変換部を有している。つまり、当該インクジェット記録装置が備えるヘッドのノズル列の増加に従って、電圧変換部も増加する。 The inkjet recording apparatus has a voltage conversion unit for each of the plurality of nozzle rows. That is, as the number of nozzle rows of the head included in the inkjet recording apparatus increases, the number of voltage conversion units also increases.
本開示は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、ノズルに電圧を印加する回路の増加を抑制することができる方法、演算装置、ヘッド装置及びヘッドユニットを提供することを目的とする。 The present disclosure has been made in view of such circumstances, and an object of the present disclosure is to provide a method, a computing device, a head device, and a head unit that can suppress an increase in a circuit that applies a voltage to a nozzle.
本開示に係る方法は、第1ヘッドの複数の第1駆動素子それぞれに割り当てられた第1ランク〜第nランク(nは2以上の自然数)と、各ランクに割り当てられた複数の電圧値とを記憶する第1記憶部から、第1インタフェースを通じて、第kランク(kは1≦k≦nを満たす自然数)の電圧値X(k)を読み出し、第2ヘッドの複数の第2駆動素子それぞれに割り当てられた第1ランク〜第nランクと、各ランクに割り当てられた複数の電圧値とを記憶する第2記憶部から、第2インタフェースを通じて、前記第kランクの電圧値Y(k)を読み出し、読み出した前記電圧値X(k)と、読み出した前記電圧値Y(k)との近似性の強弱を判定し、近似性が強いと判定された場合、前記電圧値X(k)と、前記電圧値Y(k)との平均電圧値Axy(k)を演算し、前記第1記憶部に記憶された前記電圧値X(k)を演算した平均電圧値Axy(k)に更新し、前記第2記憶部に記憶された前記電圧値Y(k)を演算した前記平均電圧値Axy(k)に更新する。 A method according to the present disclosure includes a first rank to an nth rank (n is a natural number of 2 or more) assigned to each of the plurality of first drive elements of the first head, and a plurality of voltage values assigned to each rank. From the first storage unit for storing the voltage value X(k) of the k-th rank (k is a natural number satisfying 1≦k≦n) through the first interface, and each of the plurality of second drive elements of the second head is read. From the second storage unit that stores the first rank to the nth rank assigned to each and a plurality of voltage values assigned to each rank, through the second interface, the voltage value Y(k) of the kth rank. The strength of the read-out and read-out voltage value X(k) and the read-out voltage value Y(k) is judged, and when the closeness is judged to be strong, it is judged as the voltage value X(k). , An average voltage value Axy(k) with the voltage value Y(k) is calculated, and the voltage value X(k) stored in the first storage unit is updated to the calculated average voltage value Axy(k). , And updates the voltage value Y(k) stored in the second storage unit to the calculated average voltage value Axy(k).
本開示に係る演算装置は、第1ヘッドの複数の第1駆動素子それぞれに割り当てられた第1ランク〜第nランク(nは2以上の自然数)と、各ランクに割り当てられた複数の電圧値と、を記憶する第1記憶部から、第1インタフェースを通じて、第kランク(kは1≦k≦nを満たす自然数)の電圧値X(k)を読み出し、第2ヘッドの複数の第2駆動素子それぞれに割り当てられた第1ランク〜第nランクと、各ランクに割り当てられた複数の電圧値と、を記憶する第2記憶部から、第2インタフェースを通じて、前記第kランクの電圧値Y(k)を読み出し、読み出した前記電圧値X(k)と、読み出した前記電圧値Y(k)との近似性の強弱を判定し、近似性が強いと判定された場合、前記電圧値X(k)と、前記電圧値Y(k)との平均電圧値Axy(k)を演算し、前記第1記憶部に記憶された前記電圧値X(k)を、前記第1インタフェースを通じて演算した平均電圧値Axy(k)に更新し、前記第2記憶部に記憶された前記電圧値Y(k)を、前記第2インタフェースを通じて演算した前記平均電圧値Axy(k)に更新する。 The arithmetic unit according to the present disclosure includes a first rank to an nth rank (n is a natural number of 2 or more) assigned to each of the plurality of first drive elements of the first head, and a plurality of voltage values assigned to each rank. From the first storage unit that stores, and through the first interface, the voltage value X(k) of the k-th rank (k is a natural number satisfying 1≦k≦n) is read and a plurality of second drive of the second head is performed. From the second storage unit that stores the first rank to the nth rank assigned to each element and the plurality of voltage values assigned to each rank, the voltage value Y( k) is read, the strength of the closeness between the read voltage value X(k) and the read voltage value Y(k) is determined, and when the closeness is determined to be strong, the voltage value X(k k) and the voltage value Y(k), an average voltage value Axy(k) is calculated, and the voltage value X(k) stored in the first storage unit is calculated through the first interface. The voltage value Axy(k) is updated, and the voltage value Y(k) stored in the second storage unit is updated to the average voltage value Axy(k) calculated through the second interface.
本開示に係るヘッド装置は、異なる大きさの電圧を出力する複数の電源から、複数のノズルに対応して配置された複数の第1駆動素子に電圧が印加される第1ヘッドと、異なる大きさの電圧を出力する複数の電源から、複数のノズルに対応して配置された複数の第2駆動素子に電圧が印加される第2ヘッドと、前記第1ヘッドの複数の第1駆動素子それぞれに割り当てられた第1ランク〜第nランク(nは2以上の自然数)と、各ランクに割り当てられた複数の電圧値とを記憶した第1記憶部と、前記第2ヘッドの複数の第2駆動素子それぞれに割り当てられた第1ランク〜第nランクと、各ランクに割り当てられた複数の電圧値とを記憶した第2記憶部とを備え、前記第1記憶部に記憶された第kランク(kは自然数)の電圧値X(k)と、前記第2記憶部に記憶され、前記電圧値X(k)と同じ第kランクの電圧値Y(k)とが同じである。 The head device according to the present disclosure is different from the first head in which a voltage is applied to a plurality of first drive elements arranged corresponding to a plurality of nozzles from a plurality of power supplies that output voltages of different sizes. A second head to which a voltage is applied to a plurality of second driving elements arranged corresponding to a plurality of nozzles from a plurality of power sources that output a voltage of a high voltage, and a plurality of first driving elements of the first head, respectively. First to n-th ranks (n is a natural number of 2 or more) assigned to each of the plurality of voltage values, and a plurality of voltage values assigned to each rank, and a plurality of second heads of the second head. The first rank to the nth rank assigned to each drive element, and the second storage unit that stores a plurality of voltage values assigned to each rank, and the kth rank stored in the first storage unit The voltage value X(k) of (k is a natural number) is the same as the voltage value Y(k) of the k-th rank stored in the second storage unit and the same as the voltage value X(k).
本開示に係るヘッドユニットは、前述のヘッド装置と、複数の電源とを備え、前記複数の電源の数は2n未満である。 A head unit according to the present disclosure includes the head device described above and a plurality of power supplies, and the number of the plurality of power supplies is less than 2n.
本開示に係る方法、演算装置、ヘッド装置及びヘッドユニットにあっては、第1記憶部に記憶された第kランクの電圧値X(k)と、第2記憶部に記憶された第kランクの電圧値Y(k)が近似している場合、電圧値X(k)及びY(k)の平均電圧値によって、電圧値X(k)及びY(k)を更新する。電圧値X(k)及びY(k)が同じ値になるので、ノズルに電圧を印加する回路を共通にして、削減することができる。 In the method, the arithmetic device, the head device, and the head unit according to the present disclosure, the kth rank voltage value X(k) stored in the first storage unit and the kth rank stored in the second storage unit. If the voltage values Y(k) of 1 are approximate, the voltage values X(k) and Y(k) are updated with the average voltage value of the voltage values X(k) and Y(k). Since the voltage values X(k) and Y(k) have the same value, it is possible to reduce the number of circuits by applying a voltage to the nozzle in common.
以下本発明を、実施の形態に係る印刷装置を示す図面に基づいて説明する。図1は、印刷装置を示す模式的平面図である。印刷装置は、第1ヘッド1と、第2ヘッド2と、キャリッジ3と、制御装置4とを備える。キャリッジ3は、第1方向に沿って移動可能である。例えば、第1方向は左右方向である。第1ヘッド1及び第2ヘッド2は、キャリッジ3に千鳥状に配置されている。第1ヘッド1及び第2ヘッド2の下面に液体、即ちインクを吐出する複数のノズル11が形成されている。第1ヘッド1及び第2ヘッド2の下側を、紙又はフィルムなどの記録媒体5が通過する。記録媒体5は、第1方向と直角な第2方向に沿って移動する。例えば、第2方向は前後方向である。
The present invention will be described below with reference to the drawings showing a printing apparatus according to an embodiment. FIG. 1 is a schematic plan view showing a printing apparatus. The printing device includes a
ノズル11から記録媒体5に向けて、インクが噴射され、記録媒体5に画像が形成される。キャリッジ3は、例えば左方に移動し、記録媒体5の左端まで移動した場合、停止する。キャリッジ3が停止した後に、記録媒体5は前方に所定距離移動して停止する。記録媒体5が停止した後、キャリッジ3は、右方に移動し、記録媒体5の右端まで移動した場合、停止する。なお、キャリッジ3の左右方向への移動時に、インクが噴射される。キャリッジ3の前述の左右方向への移動、当該キャリッジ3の移動時のインクの噴射、及び記録媒体5の前方への移動、が繰り返されることで、記録媒体5の所望の位置に画像が形成される。制御装置4は後述の電源基板6を備える。第1ヘッド1は後述の第1回路基板1aを備え、第2ヘッド2は後述の第2回路基板2aを備える。
Ink is ejected from the
制御装置4は、パーソナルコンピュータ等の外部装置9と相互に通信が可能である。制御装置4は、外部装置9又は印刷装置が具備する操作部(不図示)からの指示によって、第1ヘッド1、第2ヘッド2及びキャリッジ3の動作を制御する。ユーザによる印刷の指示が外部装置9や印刷装置が具備する操作部を介して入力されると、制御装置4は、印刷指示の信号や印刷する画像のラスターデータなどを電源基板6へ送信する。
The
図2は、電源基板6、第1回路基板1a及び第2回路基板2aなどを示すブロック図である。電源基板6は、コントローラ7、ラスターデータを一時的に格納するメモリ8、D/Aコンバータ20、電源回路21、電源回路22、電源回路23、電源回路24、電源回路25、電源回路26、電源回路27などを備える。コントローラ7は、例えば、FPGA(Field Programmable Gate Array)、CPU(Central Processing Unit)又はMPU(Microprocessor Unit)を備える。
FIG. 2 is a block diagram showing the
第1回路基板1aは、ドライバIC1b、EEPROMなどの第1記憶部1cなどを備える。第1記憶部1cは後述する第1テーブル1dを記憶している。第1記憶部1cは第1インタフェース1eを介してコントローラ7に接続される。第2回路基板2aは、ドライバIC2b、EEPROMなどの第2記憶部2c、第2インタフェース2eなどを備える。第2記憶部2cは後述する第2テーブル2dを記憶している。第2記憶部2cは第2インタフェース2eを介してコントローラ7に接続される。
The
コントローラ7は、電源回路21〜電源回路27の出力電圧を設定する設定信号をD/Aコンバータ20へ出力する。D/Aコンバータ20は、コントローラ7が出力するデジタルの設定信号をアナログの設定信号に変換して電源回路21〜電源回路27に出力する。
The
電源回路21〜電源回路27は、例えば、FET、インダクタ、抵抗、電解コンデンサ等の複数の電子部品で構成されるDC/DCコンバータとすることができる。DC/DCコンバータとしては、例えばスイッチングレギュレータが挙げられる。各電源回路21〜27は、設定信号で指定された、出力電圧をドライバIC1b又はドライバIC2bに出力する。
The
電源回路21は、配線VDD1を介してドライバIC1b及びドライバIC2bと接続されている。電源回路22は配線VDD2を介してドライバIC1b及びドライバIC2bと接続されている。電源回路23は配線VDD3を介してドライバIC1bと接続されている。電源回路24は配線VDD4を介してドライバIC2bと接続されている。電源回路25は配線VDD5を介してドライバIC1b及びドライバIC2bと接続されている。電源回路26は配線VDD6を介してドライバIC1b及びドライバIC2bと接続されている。電源回路27は配線HVDDを介してドライバIC1b及びドライバIC2bと接続されている。なお、電源回路27は、配線VCOMを介して、後述の駆動素子111に接続されている。配線HVDDと配線VCOMは、電源回路27から引き出された配線が、経路の途中で2つの配線に分岐したものである。
The
電源回路21〜電源回路27は、ドライバIC1b及びドライバIC2bそれぞれの内部に形成された波形生成回路30(1)〜波形生成回路30(z)(zは2以上の自然数であり、例えば、第1ヘッド1が有する駆動素子(ノズル11)の数に等しく、第2ヘッド2が有する駆動素子(ノズル11)の数に等しい。)にそれぞれ接続されている。ドライバIC1b及びドライバIC2bの詳細は後述する(図3〜図5参照)。
The
電源回路21〜電源回路26は、通常使用する電源回路である。また、電源回路27は、特別仕様の電源回路である。電源回路27は、駆動素子111のVCOM用電源電圧として併用すること、あるいは後述のPMOSトランジスタ311〜315のHVDD(ハイサイド側バッグゲート電圧)として使用することができる。
The
ドライバIC1b、2bは、並列なz本の制御線33(1)〜(z)を介してコントローラ7と接続されている。図面の複雑化を回避するため、図2において、n本の制御線33(1)〜(z)は一本の線で表されている。また、ドライバIC1b、2bはn本の信号線34(1)〜(z)を介して、z個の駆動素子111とそれぞれ接続されている。各信号線34は、駆動素子の個別電極と接続されている。また、ドライバIC1b、2bはグランド線である配線GNDと接続されている。制御線33(1)〜(z)には、ドライバIC1b、2bが有する後述のz個のセレクタ90(1)〜(z)を制御するための制御信号が伝送される。コントローラ7は、z個のセレクタ90(1)〜(z)を制御することで、各信号線34に出力する駆動信号を生成するための電源回路を選択する。
The
上述の実施例では、複数の制御線33(1)〜(z)が、コントローラ7とドライバIC1b、2bとの間に設けられているが、これに限定されない。例えば、コントローラ7とドライバIC1b、2bとの間にいくつかのシリアル信号線を設け、コントローラ7において、制御線33(1)〜(z)を介して送出する信号をシリアル信号に変換し、変換したシリアル信号を前述のシリアル信号線を介してドライバIC1b、2bへ出力してもよい。この場合、ドライバIC1b、2bは、シリアル信号をパラレル信号に変換して、制御線33(1)〜(z)で送出される信号を取り出し、z個のセレクタや波形生成回路に入力すればよい。これにより、コントローラ7とドライバIC1b、2bとの間の配線数を少なくし、あるいはICに必要なピン数を削減することができる。
In the above embodiment, the plurality of control lines 33(1) to 33(z) are provided between the
制御線33(1)〜(z)は、上述のz個の波形生成回路30(1)〜(z)に対応して設けられた制御線である。各制御線33には、各波形生成回路30に備えられたFETを制御するための信号が伝播される。この信号に従って、ドライバIC1b、2bの波形生成回路30は、駆動素子111を駆動する駆動信号を生成し、生成した駆動信号を、信号線34を介して駆動素子111に出力する。
The control lines 33(1) to (z) are control lines provided corresponding to the above-mentioned z waveform generation circuits 30(1) to (z). A signal for controlling the FET included in each
図3はドライバIC1bが備える回路構成の一例を示す図である。ドライバIC1bは、z個の波形生成回路30(1)〜(z)と、各波形生成回路30(1)〜(z)に対応して備えられたz個のセレクタ90(1)〜(z)を備える。セレクタ90(1)〜(z)の数は、駆動素子111の数と同じでありつまりセレクタ90(1)〜(z)の数はz個であり、駆動素子111の数はz個である。各セレクタ90は、ドライバIC1bの内部に形成された複数のトランジスタなどから構成されるハードウェアの構成要素である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of a circuit configuration of the
ドライバIC1bは、制御線33及び信号線34をノズルの数と同じ数のz個分備えているので、以下では、代表して制御線33(1)と、信号線34(1)との間に備えられた回路構成について説明する。ドライバIC1bには、制御線33(1)と信号線34(1)と間に、セレクタ90(1)と波形生成回路30(1)が形成されている。
Since the
コントローラ7からの制御線33(1)は、セレクタ90(1)と接続されている。制御線33(1)はコントローラ7とセレクタ90(1)とを結ぶ経路の途中で分岐しており、制御線33(1)から途中で分岐した制御線SB(1)は波形生成回路30(1)と接続されている。
The control line 33(1) from the
セレクタ90(1)と波形生成回路30(1)とは、5本の制御線S1(1)、S2(1)、S3(1)、S4(1)、S5(1)を介して接続されている。セレクタ90(1)は、コントローラ7からの指示に従って、5本の制御線S1(1)、S2(1)、S3(1)、S4(1)、S5(1)の中から、いずれか一つの制御線を、制御線33(1)と接続する。
The selector 90(1) and the waveform generation circuit 30(1) are connected via five control lines S1(1), S2(1), S3(1), S4(1), and S5(1). ing. The selector 90(1) selects one of the five control lines S1(1), S2(1), S3(1), S4(1), and S5(1) according to the instruction from the
また、波形生成回路30(1)には、上述の配線VDD1〜3、5、6と接続される5つの配線と、配線HVDDと接続される配線と、配線GNDと接続される配線とが接続されている。 Further, the waveform generation circuit 30(1) is connected to the five wirings connected to the wirings VDD1 to 5, 5, and 6 described above, the wiring connected to the wiring HVDD, and the wiring connected to the wiring GND. Has been done.
図4はドライバIC2bが備える回路構成の一例を示す図である。ドライバIC2bは、z個の波形生成回路30(1)〜(z)と、各波形生成回路30(1)〜(z)に対応して備えられたz個のセレクタ90(1)〜(z)を備える。z個のセレクタ90(1)〜(z)は、z個の駆動素子111に対応して設けられている。各セレクタ90は、ドライバIC2bの内部に形成された複数のトランジスタなどから構成されるハードウェアの構成要素である。
FIG. 4 is a diagram showing an example of a circuit configuration included in the
ドライバIC2bは、制御線33及び信号線34をノズルの数と同じ数のz個分備えているので、以下では、代表して制御線33(1)と、信号線34(1)との間に備えられた回路構成について説明する。ドライバIC2bには、制御線33(1)と信号線34(1)と間に、セレクタ90(1)と波形生成回路30(1)が形成されている。
Since the
コントローラ7からの制御線33(1)は、セレクタ90(1)と接続されている。制御線33(1)はコントローラ7とセレクタ90(1)とを結ぶ経路の途中で分岐しており、制御線33(1)から途中で分岐した制御線SB(1)は波形生成回路30(1)と接続されている。
The control line 33(1) from the
セレクタ90(1)と波形生成回路30(1)とは、5本の制御線S1(1)、S2(1)、S3(1)、S4(1)、S5(1)を介して接続されている。セレクタ90(1)は、コントローラ7からの指示に従って、5本の制御線S1(1)、S2(1)、S4(1)、S5(1)の中から、いずれか一つの制御線を、制御線33(1)と接続する。
The selector 90(1) and the waveform generation circuit 30(1) are connected via five control lines S1(1), S2(1), S3(1), S4(1), and S5(1). ing. The selector 90(1) selects one of the five control lines S1(1), S2(1), S4(1), and S5(1) according to an instruction from the
また、波形生成回路30(1)には、上述の配線VDD1、2、4〜6と接続される5つの配線と、配線HVDDと接続される配線と、配線GNDと接続される配線とが接続されている。 Further, the waveform generation circuit 30(1) is connected to the five wirings connected to the wirings VDD1, 2, 4 to 6 described above, the wiring connected to the wiring HVDD, and the wiring connected to the wiring GND. Has been done.
図5は、波形生成回路30(1)の構成の一例を示す回路図である。なお、波形生成回路30(1)〜(z)は、同様の構成をなすので、図5では、波形生成回路30(1)について説明する。波形生成回路30(1)は、6つのPMOS(P-type Metal Oxide Semiconductor)トランジスタ311〜316(図5では、2つのみ図示)、一つのNMOS(N-type Metal Oxide Semiconductor)トランジスタ32、抵抗35などを備える。波形生成回路30(1)は、信号線34(1)を介して、駆動素子111の個別電極と接続されている。
FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of the configuration of the waveform generation circuit 30(1). Since the waveform generation circuits 30(1) to 30(z) have the same configuration, the waveform generation circuit 30(1) will be described with reference to FIG. The waveform generation circuit 30(1) includes six PMOS (P-type Metal Oxide Semiconductor)
本実施の形態の駆動素子111は、特開2015−24531(特願2013−154357)の図5に開示されているような圧電素子である。駆動素子111は、個別電極と第1の定電位電極との間に挟まれる第1活性部と、個別電極と第2の定電位電極との間に挟まれる第2活性部とを備える圧電素子である。このため、駆動素子111は、キャパシタ111bと、キャパシタ111b′とを備える。
The
信号線34(1)には、5つのPMOSトランジスタ311〜315の5つのソース端子311a〜315aが接続されている。NMOSトランジスタ32のソース端子32aは、グランドに接続されている。なお、図5においては、PMOSトランジスタ312〜315の図示を省略している。
Five
また、PMOSトランジスタ311のゲート端子311cには、制御線S1(1)が接続されている。PMOSトランジスタ312のゲート端子312cには、制御線S2(1)が接続されている。PMOSトランジスタ313のゲート端子313cには、制御線S3(1)が接続されている。PMOSトランジスタ314のゲート端子314cには、制御線S4(1)が接続されている。PMOSトランジスタ315のゲート端子315cには、制御線S5(1)が接続されている。また、NMOSトランジスタ32のゲート端子32cには、制御線SB(1)が接続されている。
A control line S1(1) is connected to the
第1回路基板1aのドライバIC1bにおいて、PMOSトランジスタ311は、配線VDD1を介して電源回路21と接続されている。PMOSトランジスタ312は、配線VDD2を介して電源回路22と接続されている。PMOSトランジスタ313は、配線VDD3を介して電源回路23と接続されている。PMOSトランジスタ314は、配線VDD5を介して電源回路25と接続されている。PMOSトランジスタ315は、配線VDD6を介して電源回路26と接続されている。第1回路基板1aのドライバIC1bは、電源回路24と接続されていない。
In the
第2回路基板2aのドライバIC2bにおいて、PMOSトランジスタ311は、配線VDD1を介して電源回路21と接続されている。PMOSトランジスタ312は、配線VDD2を介して電源回路22と接続されている。PMOSトランジスタ313は、配線VDD4を介して電源回路24と接続されている。PMOSトランジスタ314は、配線VDD5を介して電源回路25と接続されている。PMOSトランジスタ315は、配線VDD6を介して電源回路26と接続されている。第2回路基板2aのドライバIC2bは電源回路23に接続されていない。
In the
また、5つのPMOSトランジスタ311〜315のドレイン端子311b〜315bは、抵抗35の一端に接続されている。また、NMOSトランジスタ32のドレイン端子32bは、抵抗35の一端に接続されている。抵抗35の他端は、駆動素子111の個別電極(キャパシタ111b′の他端及びキャパシタ111bの一端)に接続されている。駆動素子111の第1定電位電極(キャパシタ111b′の一端)はVCOMに接続され、駆動素子111の第2定電位電極(キャパシタ111bの他端)はグラウンドに接続されている。
The
駆動素子111の第1定電位電極と個別電極との間に挟まれる部分の圧電体は、第1定電位電極から個別電極へ向かう向きに分極されている。しかし、あやまって個別電極に第1定電位電極よりも高い電圧が印加されてしまうと分極がはずれてしまうおそれがある。そこで、本実施形態では、第1定電位電極電圧を印加する電源の出力電圧が、個別電極にVDD電圧を印加する電源の出力電圧よりも低くならないようにしている。
The portion of the piezoelectric body of the
コントローラ7が、制御線33(1)にローレベル(「L」)の信号を出力すると、上述のセレクタ90(1)で選択された信号線と接続されたPMOSトランジスタ311〜315のいずれか一つのPMOSトランジスタはオン状態となる。ここでローレベルの信号が入力された制御線33(1)は、例えば図5のS1(1)に相当する。電源回路21〜26のいずれか一つから供給される電圧によってキャパシタ111bが充電され、キャパシタ111b′が放電される。一方、コントローラ7が、制御線33(1)にハイレベル(「H」)信号を出力すると、NMOSトランジスタ32はオン状態となり、配線VCOMと接続された電源回路27から出力される電圧によってキャパシタ111b′が充電され、キャパシタ111bが放電される。ここでハイレベルの信号が入力された制御線33(1)は、図5のSB(1)に相当する。キャパシタ111b、111b′が交互に充電及び放電を行うことによって、駆動素子111は変形し、ノズルの吐出口11aからインクが吐出される。
When the
すなわち、信号線34(1)には駆動素子111を駆動する駆動信号が出力される。セレクタ90(1)が、接続する制御線を5つの制御線S1(1)〜S5(1)のうちからいずれか一つを選択することで、駆動信号を生成する電源回路を6つの電源回路21〜26の中から選択することができる。
That is, the drive signal for driving the
図2に示すように、5つの電源回路21、22、25〜27は、二つのドライバIC1b、2bにおいて共有されている。各ドライバIC1b及び2bに、6つずつ電源回路を設ける場合に比べて、電源回路の総数を削減することができる。
As shown in FIG. 2, the five
以下、第1ヘッド1及び第2ヘッド2に対して設置すべき異なる電圧を出力する電源回路の数を決定する方法、換言すれば電圧の設定方法について説明する。電源基板を設計する場合に、この電圧の設定方法を実行することによって、電源回路の数を削減することができる。
Hereinafter, a method of determining the number of power supply circuits that output different voltages to the
図6は、電圧の設定方法の実行前における第1記憶部1cに記憶された第1テーブル1d、及び第2記憶部2cに記憶された第2テーブル2dの一例を示す概念図である。
FIG. 6 is a conceptual diagram showing an example of the first table 1d stored in the
図6に示すように、第1テーブル1dには、「ランク」、「電圧値」、「チャンネル(ch)」が記憶されている。各ランクに対応させて、電圧値が設定されている。またランクは例えば1〜6の6段階によって表される。電圧値は、電源回路の出力電圧の値を示す。電圧値の単位はボルトである。例えば電圧の設定方法の実行前において、第1ランクの電圧値は21、第2ランクの電圧値は22、第3ランクの電圧値は23、第4ランクの電圧値は24、第5ランクの電圧値は25、第6ランクの電圧値は26である。以下、第1テーブル1dにおける電圧値をX(n)と表記し(nは自然数)、第1ランク〜第6ランクの電圧値をそれぞれX(1)〜X(6)と表記する。 As shown in FIG. 6, “rank”, “voltage value”, and “channel (ch)” are stored in the first table 1d. The voltage value is set corresponding to each rank. Further, the rank is represented by, for example, 6 levels of 1 to 6. The voltage value indicates the value of the output voltage of the power supply circuit. The unit of voltage value is volt. For example, before the voltage setting method is executed, the voltage value of the first rank is 21, the voltage value of the second rank is 22, the voltage value of the third rank is 23, the voltage value of the fourth rank is 24, and the voltage value of the fifth rank is 24. The voltage value is 25, and the voltage value of the sixth rank is 26. Hereinafter, the voltage value in the first table 1d will be expressed as X(n) (n is a natural number), and the voltage values of the first rank to the sixth rank will be expressed as X(1) to X(6), respectively.
「チャンネル」は、各ノズルを識別する識別子であり、本実施例においては、各ノズルを識別する番号1〜zである。各番号1〜zに対応させて、第1〜第6ランクのいずれかが設定されている。
The “channel” is an identifier for identifying each nozzle, and in this embodiment, is a
図6に示すように、第2テーブル2dには、第1テーブル1dと同様に、「ランク」、「電圧値」、「チャンネル(ch)」が記憶されている。各ランクに対応させて、電圧値が設定されている。例えばランクは1〜6の6段階によって表される。電圧値は、電源回路の出力電圧の値を示す。電圧値の単位はボルトである。例えば電圧の設定方法の実行前において、第1ランクの電圧値は21.5、第2ランクの電圧値は22.5、第3ランクの電圧値は23.5、第4ランクの電圧値は24.5、第5ランクの電圧値は25.5、第6ランクの電圧値は26.5である。以下、第2テーブル2dにおける電圧値をY(n)と表記し、第1ランク〜第6ランクの電圧値をそれぞれY(1)〜Y(6)と表記する。 As shown in FIG. 6, the “rank”, “voltage value”, and “channel (ch)” are stored in the second table 2d similarly to the first table 1d. The voltage value is set corresponding to each rank. For example, the rank is represented by 6 levels from 1 to 6. The voltage value indicates the value of the output voltage of the power supply circuit. The unit of voltage value is volt. For example, before executing the voltage setting method, the voltage value of the first rank is 21.5, the voltage value of the second rank is 22.5, the voltage value of the third rank is 23.5, and the voltage value of the fourth rank is The voltage value of the second rank is 24.5, the voltage value of the fifth rank is 25.5, and the voltage value of the sixth rank is 26.5. Hereinafter, the voltage values in the second table 2d will be expressed as Y(n), and the voltage values of the first rank to the sixth rank will be expressed as Y(1) to Y(6), respectively.
なお、ランクは、チャンネル、換言すればノズル11の吐出性能に対応した指標である。例えば、所定の電圧を印加した場合におけるノズル11の吐出量の多少に応じて、ランクが決定され、ランク1のノズル11の吐出量>ランク2のノズル11の吐出量>ランク3のノズル11の吐出量>ランク4のノズル11の吐出量>ランク5のノズル11の吐出量という関係が成り立つ。
The rank is a channel, in other words, an index corresponding to the ejection performance of the
「チャンネル」は、各ノズルを識別する識別子であり、本実施例においては、各ノズルを識別する番号1〜zである。各識別番号1〜zに対応させて、第1〜第5ランクのいずれかが設定されている。なお第6ランクは、不吐出の場合などの特別な場合に対応しており、識別番号1〜zに第6ランクは設定されない。
The “channel” is an identifier for identifying each nozzle, and in this embodiment, is a
電圧の設定方法は、例えばコントローラ7が第1テーブル1d及び第2テーブル2dを参照して実行する。当該方法において、コントローラ7は、合成テーブル7a(図9参照)を作成する。さらにコントローラ7は、作成した合成テーブル7aに従って第1テーブル1d及び第2テーブル2dを更新する。なお外部装置9がインタフェースを介して第1記憶部1c及び第2記憶部2cにアクセスし、第1テーブル1d及び第2テーブル2dを参照して、合成テーブルを作成し、第1テーブル1d及び第2テーブル2dを更新してもよい。
For example, the
図7及び図8は、電圧の設定方法を説明するフローチャート、図9は、合成テーブル7aの一例を示す概念図、図10は、電圧の設定方法の実行後における第1記憶部1cに記憶された第1テーブル1d、及び第2記憶部2cに記憶された第2テーブル2dの一例を示す概念図である。
7 and 8 are flowcharts for explaining the voltage setting method, FIG. 9 is a conceptual diagram showing an example of the composition table 7a, and FIG. 10 is stored in the
図6に示す第1テーブル1d及び第2テーブル2dを使用して、コントローラ7が実行する電圧の設定方法を実行する場合について説明する。なお、前述したように、当該電源の設定方法は、外部装置9が実行してもよい。図7に示すように、まず、コントローラ7は、第1テーブル1d及び第2テーブル2dを参照して、各ランクのうち、最もチャンネル数が多いランクを決定し、当該ランクの電圧値を決定する(S1)。
A case will be described in which the voltage setting method executed by the
ステップS1において、コントローラ7は、第1テーブル1dから第1ランク〜第6ランクそれぞれのチャンネル数(駆動素子数)を計測し、最もチャンネル数の多いランクを選択する。また第2テーブル2dから第1ランク〜第6ランクそれぞれのチャンネル数を計測し、最もチャンネル数の多いランクを選択する。例えば、第1テーブル1d及び第2テーブル2dのいずれにおいても、第1ランクのチャンネル数は180であり、第2ランクのチャンネル数は420であり、第3ランクのチャンネル数は540であり、第4ランクのチャンネル数は340であり、第5ランクのチャンネル数は180である。この場合、最多チャンネル数はランク3の540であり、コントローラ7はランク3を最もチャンネル数の多いランクとして選択する。ここでは、第1テーブル1dの最多チャンネル数を優先し、電圧値X(3)を最多チャンネル数の電圧値に決定する。なお第2テーブル2dの電圧値Y(3)を最多チャンネル数の電圧値に決定してもよい。
In step S1, the
いくつかのヘッドについて、横軸がランクを示し、縦軸がチャンネル数を示すグラフを作成した場合、チャンネル数の分布は正規分布となる。これは一般的なヘッドの傾向を表す。本実施例では、チャンネルの各識別番号1〜zに、ランク1〜5のいずれかが設定され、ランク3が中央値である。したがって、ランク3に対応するチャンネル数が最も多くなり易い。
When a graph is created in which the horizontal axis indicates the rank and the vertical axis indicates the number of channels for some heads, the distribution of the number of channels becomes a normal distribution. This represents a general head tendency. In this embodiment, one of
次に、決定された電圧値が記憶されたテーブルにおいて、即ち第1テーブル1dにおいて、最多チャンネル数のランクよりも小さく、且つチャンネル数が最多チャンネル数の次に多いランクkの電圧値X(k)をコントローラ7は選択する(S2)。図6の場合、電圧値X(2)を選択する。次に、選択された電圧値のランクkが2以上であるか否かコントローラ7は判定し(S3)、電圧値のランクkが2以上である場合(S3:YES)、選択された電圧値X(k)と、電圧値X(k)と同ランクの第2テーブル2dの電圧値Y(k)との差分の絶対値Aをコントローラ7は演算する(S4)。図6の場合、k=2であるので、電圧値X(2)と電圧値Y(2)との差分の絶対値Aをコントローラ7は演算する。以下、差分の絶対値Aを差分Aとも称する。
Next, in the table in which the determined voltage value is stored, that is, in the first table 1d, the voltage value X(k of the rank k that is smaller than the rank of the maximum number of channels and has the second largest number of channels is next. ) Is selected by the controller 7 (S2). In the case of FIG. 6, the voltage value X(2) is selected. Next, the
次に電圧値X(k)と、電圧値X(k)のランクより一つ少ないランクの電圧値X(k−1)との差分の絶対値Bをコントローラ7は演算する(S5)。以下、差分の絶対値Bを差分Bとも称する。図6の場合、電圧値X(2)と電圧値X(1)との差分をコントローラ7は演算する。そして差分Aが差分B以下であるか否かコントローラ7は判定し(S6)、差分Aが差分B以下である場合(S6:YES)、電圧値X(k)及び電圧値Y(k)を合成し、電圧値X(k−1)及び電圧値Y(k−1)を合成する(S7)。
Next, the
差分Aが差分B以下である場合、電圧値X(k)及び電圧値Y(k)の差は充分に小さいと考えられる。換言すれば、電圧値X(k)及び電圧値Y(k)の近似性は高いと考えられる。したがって、電圧値X(k)及び電圧値Y(k)の値を共通化しても、電圧値X(k)及び電圧値Y(k)に対応したノズル11の吐出特性に与える影響は小さいと考えられる。
When the difference A is less than or equal to the difference B, it is considered that the difference between the voltage value X(k) and the voltage value Y(k) is sufficiently small. In other words, it is considered that the voltage value X(k) and the voltage value Y(k) are highly similar. Therefore, even if the values of the voltage value X(k) and the voltage value Y(k) are made common, the influence on the ejection characteristics of the
一般的なヘッドの傾向として、例えば、第1ヘッド1の電圧値X(k)と電圧値X(k−1)との差分は、第2ヘッド2の電圧値Y(k)と電圧値Y(k−1)との差分と略同じになることが多い。このため、第1テーブル1dにおいて、隣接する二つのランクに対応する電圧値X(n)の差分と、第2テーブル2dにおいて、隣接する二つのランクに対応する電圧値Y(n)の差分とが、略同じ大きさになるように、電圧値X(n)、Y(n)は設定される。即ち、電圧値X(k)及び電圧値X(k−1)の差分と、電圧値Y(k)及び電圧値Y(k−1)との差分とは、略同じ大きさである。故に、電圧値X(k)及び電圧値Y(k)の差が充分に小さい場合、電圧値X(k−1)及び電圧値Y(k−1)の差も充分に小さく、電圧値X(k−1)及び電圧値Y(k−1)の近似性も高いと考えられる。したがって、電圧値X(k)及び電圧値Y(k)の値を共通化することに加えて、電圧値X(k−1)及び電圧値Y(k−1)の値を共通化しても、電圧値X(k−1)及び電圧値Y(k−1)に対応したノズル11の吐出特性に与える影響は小さいと考えられる。
As a general tendency of the head, for example, the difference between the voltage value X(k) of the
電圧値X(k)と電圧値Y(k)の合成は、例えば以下の式によって実行される。
(電圧値X(k)*電圧値X(k)のチャンネル数+電圧値Y(k)*電圧値Y(k)のチャンネル数)/(電圧値X(k)のチャンネル数+*電圧値Y(k)のチャンネル数)。
The combination of the voltage value X(k) and the voltage value Y(k) is executed by the following formula, for example.
(Voltage value X(k)*number of channels of voltage value X(k)+voltage value Y(k)*number of channels of voltage value Y(k))/(number of channels of voltage value X(k)+*voltage value Y(k) channels).
図6の場合、|電圧値X(2)−電圧値Y(2)|=0.5<|電圧値X(2)−電圧値X(1)|=1なので、電圧値X(2)及び電圧値Y(2)をコントローラ7は合成する。具体的には、(22*420+22.5*420)/(420+420)をコントローラ7は演算し、合成後の値として22.25を取得する。22.25は電圧値X(2)及び電圧値Y(2)の共通の値となり、平均電圧値Axy(k)に対応する。また電圧値X(1)及び電圧値Y(1)をコントローラ7は合成する。具体的には、(21*180+21.5*180)/(180+180)をコントローラ7は演算し、合成後の値として21.25を取得する。21.25は電圧値X(1)及び電圧値Y(1)の共通の値となり、平均電圧値Axy(k−1)に対応する。
In the case of FIG. 6, |voltage value X(2)−voltage value Y(2)|=0.5<|voltage value X(2)−voltage value X(1)|=1, so voltage value X(2) And the
そしてコントローラ7はランクk−1が3以上であるか否か判定し(S9)、ランクk−1が3以上である場合(S9:YES)、ランクkを二つ小さくして(S10)、S4にステップを戻す。ランクk−1が3以上でない場合(S9:NO)、コントローラ7は最多チャンネル数の電圧値を抽出する(S11)。図6の場合、コントローラ7は電圧値X(3)及び電圧値Y(3)を抽出する。S3において、電圧値のランクkが2以上でない場合(S3:NO)、即ちランクkがランク1である場合、コントローラ7はS11に処理を進める。ランクkがランク1である場合、ランク0は存在しないので、S5にて差分Bを演算することができない。そのため、コントローラ7はS4〜S10を実行することなく、S11に処理を進める。なおS5にて演算される差分Bに代えて、予め所定値を設定した場合には、コントローラ7はS2の後、S3をスキップし、S6において差分Aと前記所定値とを比較してもよい。
Then, the
次に、S1にて決定された電圧値が記憶されたテーブルにおいて、即ち第1テーブル1dにおいて、最多チャンネル数のランクよりも大きく、且つチャンネル数が最多チャンネル数の次に多いランクkの電圧値X(k)をコントローラ7は選択する(S12)。図6の場合、コントローラ7は電圧値X(4)を選択する。次に、選択された電圧値のランクkが、「kmax−2」以下であるか否か判定する(S13)。kmaxは最大ランクである。最大ランクは最も数字の大きいランクを示し、図6の場合、kmaxは6である。電圧値のランクkがkmax−2以下である場合(S13:YES)、選択された電圧値X(k)と、電圧値X(k)と同ランクの第2テーブル2dの電圧値Y(k)との差分の絶対値Cをコントローラ7は演算する(S14)。図6の場合、kmaxは6であり、選択された電圧値のランクkが4であるので、コントローラ7は電圧値X(2)と電圧値Y(2)との差分の絶対値Cを演算する。以下、差分の絶対値Cを差分Cとも称する。
Next, in the table in which the voltage value determined in S1 is stored, that is, in the first table 1d, the voltage value of the rank k that is larger than the rank of the largest number of channels and has the next largest number of channels. The
次に電圧値X(k)と、電圧値X(k)のランクより一つ多いランクの電圧値X(k+1)との差分の絶対値Dをコントローラ7は演算する(S15)。以下、差分の絶対値Dを差分Dとも称する。図6の場合、電圧値X(4)と電圧値X(5)との差分をコントローラ7は演算する。そしてコントローラ7は差分Cが差分D以下であるか否か判定し(S16)、差分Cが差分D以下である場合(S16:YES)、電圧値X(k)及び電圧値Y(k)を合成し、電圧値X(k+1)及び電圧値Y(k+1)を合成する(S17)。
Next, the
一般的なヘッドの傾向として、第1ヘッド1の電圧値X(k)と電圧値X(k+1)との差分は、第2ヘッド2の電圧値Y(k)と電圧値Y(k+1)との差分と略同じになることが多い。差分Cが差分D以下である場合、電圧値X(k)及び電圧値Y(k)の差は充分に小さいと考えられ、電圧値X(k)及び電圧値Y(k)の近似性は高いと考えられる。同様に電圧値X(k+1)及び電圧値Y(k+1)の近似性も高いと考えられる。したがって、電圧値X(k)及び電圧値Y(k)の値を共通化しても、電圧値X(k)及び電圧値Y(k)に対応したノズル11の吐出特性に与える影響は小さいと考えられる。また電圧値X(k+1)及び電圧値Y(k+1)の値を共通化しても、電圧値X(k+1)及び電圧値Y(k+1)に対応したノズル11の吐出特性に与える影響は小さいと考えられる。
As a general tendency of the head, the difference between the voltage value X(k) of the
図6の場合、|電圧値X(4)−電圧値Y(4)|=0.5<|電圧値X(4)−電圧値X(5)|=1なので、コントローラ7は電圧値X(4)及び電圧値Y(4)を合成する。具体的には、前述した式に基づいて、(24*360+24.5*360)/(360+360)をコントローラ7は演算し、合成後の値として24.25を取得する。24.25は電圧値X(4)及び電圧値Y(4)の共通の値となり、Axy(k+1)に対応する。また電圧値X(5)及び電圧値Y(5)を合成する。具体的には、(25*180+25.5*180)/(180+180)をコントローラ7は演算し、合成後の値として25.25を取得する。25.25は電圧値X(5)及び電圧値Y(5)の共通の値となる。
In the case of FIG. 6, since |voltage value X(4)−voltage value Y(4)|=0.5<|voltage value X(4)−voltage value X(5)|=1, the
そしてコントローラ7は、ランクk+1が「kmax−3」以下であるか否か判定し(S19)、ランクk+1がkmax−3以下である場合(S19:YES)、ランクkを二つ大きくして(S20)、S14にステップを戻す。ランクk+1がkmax−3以下でない場合(S19:NO)、コントローラ7は最大電圧値を選択する(S21)。具体的には、第1テーブル1dの最大電圧値と、第2テーブル2dの最大電圧値とを比較し、より大きい値を選択する。図6の場合、電圧値Y(6)は26.5であり、電圧値X(6)は26なので、コントローラ7は最大電圧値として電圧値Y(6)を選択する。
Then, the
そして、コントローラ7は、製作される複数の電源回路に各電圧値を割り当てる(S22)。図6の場合、S7にて合成した電圧値、S11にて抽出した最多チャンネル数の電圧値、S17にて合成した電圧値及びS21にて選択した最大電圧値を、コントローラ7は複数の電源回路に割り当てる。詳細に説明すると、コントローラ7は、図9の合成テーブル7aに示すように、S7にて合成した電圧値21.25を第1ランクの電源回路21に割り当て、合成した22.25を第2ランクの電源回路22に割り当てる。そして、コントローラ7は、S11にて抽出した電圧値X(3)、即ち23を第3ランクの電源回路23に割り当て、抽出した電圧値Y(3)、即ち23.5を第4ランクの電源回路24に割り当てる。またコントローラ7は、S17にて合成した電圧値24.25を第5ランクの電源回路25に割り当て、合成した電圧値25.25を第6ランクの電源回路26に割り当てる。またコントローラ7は、S21にて選択した電圧値Y(6)、即ち26.5を第7ランクの電源回路27に割り当てる。図9の各電源番号は、第1ランク〜第7ランクにそれぞれ対応する。また図9の各電源番号は、電源回路21〜27にそれぞれ対応する。
なおコントローラ7は、S22の実行後、合成テーブル7aのランク1〜6の中から、更に電圧差の最も小さい二つの電圧値を合成し、例えば、第3ランクの電圧値と、第4ランクの電圧値を合成し、電源回路の数を更に削減してもよい。
Then, the
After executing S22, the
そして、コントローラ7は複数の電源回路に各ノズル11を割り当てる(S23)。詳細に説明すると、第1テーブル1dの電圧値X(1)に対応する180個のノズル11と、第2テーブル2dの電圧値Y(1)に対応する180個のノズル11(合計360個のノズル11)は、電源回路21に割り当てられる。第1テーブル1dの電圧値X(2)に対応する420個のノズル11と、第2テーブル2dの電圧値Y(2)に対応する420個のノズル11(合計840個のノズル11)は、電源回路22に割り当てられる。第1テーブル1dの電圧値X(3)に対応する540個のノズル11は電源回路23に割り当てられ、第2テーブル2dの電圧値Y(3)に対応する540個のノズル11は、電源回路24に割り当てられる。第1テーブル1dの電圧値X(4)に対応する360個のノズル11と、第2テーブル2dの電圧値Y(4)に対応する360個のノズル11(合計720個のノズル11)は、電源回路25に割り当てられる。第1テーブル1dの電圧値X(5)に対応する180個のノズル11と、第2テーブル2dの電圧値Y(5)に対応する180個のノズル11(合計360個のノズル11)は、電源回路26に割り当てられる。
Then, the
そして、コントローラ7は第1テーブル1d及び第2テーブル2dの電圧値を更新し(S24)、処理を終了する。具体的には、図10に示すように、第1テーブル1dにおいて、第1ランクの電圧値X(1)は21.25に更新され、第2ランクの電圧値X(2)は22.25に更新され、第4ランクの電圧値X(4)は24.25に更新され、第5ランクの電圧値X(5)は25.25に更新され、第6ランクの電圧値X(6)は、26.5に更新される。なお第3ランクの電圧値X(3)は更新されない(図6、図10参照)。
Then, the
また第2テーブル2dにおいて、第1ランクの電圧値Y(1)は21.25に更新され、第2ランクの電圧値Y(2)は22.25に更新され、第4ランクの電圧値Y(4)は24.25に更新され、第5ランクの電圧値Y(5)は25.25に更新される。なお第3ランク、第6ランクの電圧値Y(3)、Y(6)は更新されない(図6、図10参照)。なおS13にて、電圧値のランクkがkmax−2以下でない場合(S13:NO)、例えば、ランクkがランク5である場合、S15において、電圧値X(6)は、S15にて差分Dの演算に使用できないので、コントローラ7は処理を終了する。電圧値X(6)は、不吐出のノズル11に対して印加することがあり、電圧値X(1)〜X(5)に比べて、非常に大きい値に設定されることが多く、差分Dの演算に使用する値としては不適当である。なおコントローラ7は、S15にて演算される差分Dに代えて、適当な所定値を予め設定した場合には、S12の後、S13をスキップし、S15において差分Cと前記所定値とを比較してもよい。
Further, in the second table 2d, the voltage value Y(1) of the first rank is updated to 21.25, the voltage value Y(2) of the second rank is updated to 22.25, and the voltage value Y of the fourth rank is updated. (4) is updated to 24.25, and the voltage value Y(5) of the fifth rank is updated to 25.25. The voltage values Y(3) and Y(6) of the third rank and the sixth rank are not updated (see FIGS. 6 and 10). When the rank k of the voltage value is not equal to or lower than kmax-2 in S13 (S13: NO), for example, when the rank k is
図10において、ランクの欄の括弧付き符号は合成テーブル7aのランク、即ち、電源回路21〜27を示す。第1テーブル1dにおいて、第1ランク〜第3ランクのノズル11は、それぞれ、電源回路21〜23に接続され、第4ランク〜第6ランクのノズル11は電源回路25〜27に接続されることを示す。第2テーブル2dにおいて、第1及び第2ランクのノズル11は、それぞれ電源回路21及び22に接続されることを示し、第3ランク〜第6ランクのノズル11は、それぞれ電源回路24〜27に接続されることを示す。このようにして、電源回路を製作する際、電源回路21〜27の個数及び出力電圧が決定された結果、図2に示すように、電源回路21〜電源回路27は、配線VDD1〜VDD6、HVDDを介して、第1ヘッド1のドライバIC1b及び第2ヘッド2のドライバIC2bに接続される。
In FIG. 10, the code in parentheses in the rank column indicates the rank of the synthesis table 7a, that is, the
以下、第1テーブル1d及び第2テーブル2dに記憶された電圧値が、図6の電圧値とは異なる場合について、説明する。図11は、電圧の設定方法の実行前における第1記憶部1cに記憶された第1テーブル1d、及び第2記憶部2cに記憶された第2テーブル2dの他の例を示す概念図、図12は、合成テーブル7aの他の例を示す概念図、図13は、電圧の設定方法の実行後における第1記憶部1cに記憶された第1テーブル1d、及び第2記憶部2cに記憶された第2テーブル2dの他の例を示す概念図である。
Hereinafter, the case where the voltage values stored in the first table 1d and the second table 2d are different from the voltage values of FIG. 6 will be described. FIG. 11 is a conceptual diagram showing another example of the first table 1d stored in the
図11に示すように、第1テーブル1dにおいて、電圧値X(1)は21.5、電圧値X(2)は22、電圧値X(3)は23、電圧値X(4)は24、電圧値X(5)は24.5、電圧値X(6)は26である。第2テーブル2dにおいて、電圧値Y(1)は20.5、電圧値Y(2)は21、電圧値Y(3)は23.5、電圧値Y(4)は25、電圧値Y(5)は25.5、電圧値Y(6)は26.5である。 As shown in FIG. 11, in the first table 1d, the voltage value X(1) is 21.5, the voltage value X(2) is 22, the voltage value X(3) is 23, and the voltage value X(4) is 24. The voltage value X(5) is 24.5 and the voltage value X(6) is 26. In the second table 2d, the voltage value Y(1) is 20.5, the voltage value Y(2) is 21, the voltage value Y(3) is 23.5, the voltage value Y(4) is 25, and the voltage value Y( 5) is 25.5, and the voltage value Y(6) is 26.5.
図11に示す第1テーブル1d及び第2テーブル2dを使用して、電圧の設定方法を実行する場合について説明する。図7に示すように、コントローラ7は、まず電圧値X(3)を最多チャンネル数の電圧値に決定し(S1)、電圧値X(2)を選択する(S2)。そして、S3を実行した後(S3:YES)、差分A=|電圧値X(2)−電圧値Y(2)|をコントローラ7は演算し(S4)、差分B=|電圧値X(2)−電圧値X(1)|をコントローラ7は演算する(S5)。そしてコントローラ7は、差分Aが差分B以下であるか否か判定する(S6)。図11に示す第1テーブル1d及び第2テーブル2dを使用する場合、差分A=|22−21|=1>差分B=|22−21.5|=0.5であり(S6:NO)、コントローラ7は電圧値X(2)及び電圧値X(1)を合成し、電圧値Y(2)及び電圧値Y(1)を合成する(S8)。
A case of executing the voltage setting method using the first table 1d and the second table 2d shown in FIG. 11 will be described. As shown in FIG. 7, the
差分Aが差分B以下でない場合、電圧値X(k)及び電圧値Y(k)の差は充分に小さいとは考えられない。換言すれば、電圧値X(k)及び電圧値Y(k)の近似性は低いと考えられる。したがって、電圧値X(k)及び電圧値Y(k)の値を共通化した場合、電圧値X(k)及び電圧値Y(k)に対応したノズル11の吐出特性に与える影響は大きいと考えられる。電圧値X(k)及び電圧値Y(k)の値を共通化することは不適当と考えられる。
If the difference A is not less than the difference B, the difference between the voltage value X(k) and the voltage value Y(k) cannot be considered to be sufficiently small. In other words, the approximation of the voltage value X(k) and the voltage value Y(k) is considered to be low. Therefore, when the values of the voltage value X(k) and the voltage value Y(k) are made common, the influence on the ejection characteristics of the
一方、差分Bは差分A以下である。そのため、X(k)及びX(k−1)の差分は充分に小さく、電圧値X(k)及び電圧値X(k−1)の近似性は高いと考えられる。したがって、電圧値X(k)及び電圧値X(k−1)の値を共通化しても、電圧値X(k)及び電圧値X(k−1)に対応したノズル11の吐出特性に与える影響は小さいと考えられる。
On the other hand, the difference B is less than or equal to the difference A. Therefore, it is considered that the difference between X(k) and X(k-1) is sufficiently small, and the voltage value X(k) and the voltage value X(k-1) have high closeness. Therefore, even if the voltage value X(k) and the voltage value X(k−1) are made common, the ejection characteristics of the
前述したように、一般的なヘッドの傾向として、第1ヘッド1の電圧値X(k)と電圧値X(k−1)との差分は、第2ヘッド2の電圧値Y(k)と電圧値Y(k−1)との差分と略同じになることが多い。このため、電圧値Y(k)及び電圧値Y(k−1)についても同様に近似性は高いと考えられる。したがって、電圧値Y(k)及び電圧値Y(k−1)の値を共通化しても、電圧値Y(k)及び電圧値Y(k−1)に対応したノズル11の吐出特性に与える影響は小さいと考えられる。
As described above, as a general tendency of the head, the difference between the voltage value X(k) of the
電圧値X(k)と電圧値X(k−1)の合成は、例えば以下の式によって実行される。
(電圧値X(k)*電圧値X(k)のチャンネル数+電圧値X(k−1)*電圧値X(k−1)のチャンネル数)/(電圧値X(k)のチャンネル数+*電圧値X(k−1)のチャンネル数)。
The combination of the voltage value X(k) and the voltage value X(k-1) is executed by the following formula, for example.
(Voltage value X(k)*Number of channels of voltage value X(k)+Voltage value X(k-1)*Number of channels of voltage value X(k-1))/(Number of channels of voltage value X(k) +* number of channels of voltage value X(k-1)).
そのためコントローラ7は電圧値X(2)及び電圧値X(1)を合成する。具体的には、前述した式に基づいて、コントローラ7は、(22*420+21.5*180)/(420+180)を演算し、合成後の値として21.85を取得する。21.85は電圧値X(1)及び電圧値X(2)の共通の値となり、Ax(k)(k−1)に対応する。またコントローラ7は、電圧値Y(2)及び電圧値Y(1)を合成する。具体的には、(21*420+20.5*180)/(420+180)をコントローラ7は演算し、合成後の値として20.85を取得する。20.85は電圧値Y(1)及び電圧値Y(2)の共通の値となり、Ay(k)(k−1)に対応する。そしてコントローラ7はS9を実行し(S9:NO)、最多チャンネル数の電圧値として、電圧値X(3)及び電圧値Y(3)を抽出する(S11)。
Therefore, the
次に、S1にて決定された電圧値が記憶されたテーブルにおいて、即ち第1テーブル1dにおいて、最多チャンネル数のランクよりも大きく、且つチャンネル数が最多チャンネル数の次に多い電圧値X(4)をコントローラ7は選択し(S12)、S13を実行し(S13:YES)、選択された電圧値X(4)と、電圧値X(4)と同ランクの第2テーブル2dの電圧値Y(4)との差分の絶対値Cを演算する(S14)。次に電圧値X(4)と、電圧値X(4)のランクより一つ多いランクの電圧値X(5)との差分の絶対値Dをコントローラ7は演算する(S15)。そしてコントローラ7は、差分Cが差分D以下であるか否か判定する(S16)。
Next, in the table in which the voltage value determined in S1 is stored, that is, in the first table 1d, the voltage value X(4, which is larger than the rank of the maximum number of channels and has the second largest number of channels next to the maximum number of channels. ) Is selected by the controller 7 (S12) and S13 is executed (S13: YES), and the selected voltage value X(4) and the voltage value Y of the second table 2d having the same rank as the voltage value X(4) are selected. The absolute value C of the difference from (4) is calculated (S14). Next, the
差分C=|24−25|=1であり、差分D=|24−24.5|=0.5であり、差分C>差分Dである(S16:NO)。差分Cが差分D以下でない場合、電圧値X(k)及び電圧値Y(k)の差は充分に小さいとは考えられない。換言すれば、電圧値X(k)及び電圧値Y(k)の近似性は低いと考えられる。したがって、電圧値X(k)及び電圧値Y(k)の値を共通化した場合、電圧値X(k)及び電圧値Y(k)に対応したノズル11の吐出特性に与える影響は大きいと考えられる。電圧値X(k)及び電圧値Y(k)の値を共通化することは不適当と考えられる。
The difference C=|24-25|=1, the difference D=|24-24.5|=0.5, and the difference C>the difference D (S16: NO). When the difference C is not equal to or less than the difference D, the difference between the voltage value X(k) and the voltage value Y(k) cannot be considered to be sufficiently small. In other words, the approximation of the voltage value X(k) and the voltage value Y(k) is considered to be low. Therefore, when the values of the voltage value X(k) and the voltage value Y(k) are made common, the influence on the ejection characteristics of the
一方、差分Dは差分C以下であるので、X(k)及びX(k+1)の差分は充分に小さく、電圧値X(k)及び電圧値X(k+1)の近似性は高いと考えられる。したがって、電圧値X(k)及び電圧値X(k+1)の値を共通化しても、電圧値X(k)及び電圧値X(k+1)に対応したノズル11の吐出特性に与える影響は小さいと考えられる。
On the other hand, since the difference D is less than or equal to the difference C, the difference between X(k) and X(k+1) is sufficiently small, and it is considered that the voltage value X(k) and the voltage value X(k+1) are highly similar. Therefore, even if the values of the voltage value X(k) and the voltage value X(k+1) are made common, the influence on the ejection characteristics of the
前述したように、一般的なヘッドの傾向として、第1ヘッド1の電圧値X(k)と電圧値X(k+1)との差分は、第2ヘッド2の電圧値Y(k)と電圧値Y(k+1)との差分と略同じになることが多い。そのため、電圧値Y(k)及び電圧値Y(k+1)についても同様に近似性は高いと考えられる。したがって、電圧値Y(k)及び電圧値Y(k+1)の値を共通化しても、電圧値Y(k)及び電圧値Y(k+1)に対応したノズル11の吐出特性に与える影響は小さいと考えられる。
As described above, as a general tendency of the head, the difference between the voltage value X(k) of the
そのためコントローラ7は電圧値X(4)及び電圧値X(5)を合成する(S18)。具体的には、コントローラ7は、前述した式に基づいて、(24*360+24.5*180)/(360+180)を演算し、合成後の値として24.17を取得する。24.17は電圧値X(4)及び電圧値X(5)の共通の値となり、Ax(k)(k+1)に対応する。またコントローラ7は電圧値Y(4)及び電圧値Y(5)を合成する(S18)。具体的には、コントローラ7は、(25*360+25.5*180)/(360+180)を演算し、合成後の値として25.17を取得する。25.17は電圧値Y(4)及び電圧値Y(5)の共通の値となり、Ay(k)(k+1)に対応する。そしてコントローラ7はS19を実行し(S19:NO)、最大電圧値を選択する(S21)。具体的には、コントローラ7は、第1テーブル1dの最大電圧値X(6)、26と、第2テーブル2dの最大電圧値Y(6)、26.5とを比較し、より大きい値である電圧値Y(6)を選択する。
Therefore, the
そして、コントローラ7は、製作される複数の電源回路に各電圧値を割り当てる(S22)。具体的には、S8にて合成した電圧値、S11にて抽出した最多チャンネル数の電圧値、S18にて合成した電圧値及びS21にて選択した最大電圧値を、コントローラ7は複数の電源回路に割り当てる。詳細に説明すると、コントローラ7は、図12の合成テーブル7aに示すように、S8にて合成した電圧値20.85を第1ランクの電源回路21に割り当て、合成した21.85を第2ランクの電源回路22に割り当てる。そして、コントローラ7は、S11にて抽出した電圧値Y(3)、即ち23.5を第4ランクの電源回路24に割り当て、抽出した電圧値X(3)、即ち23を第3ランクの電源回路23に割り当てる。またコントローラ7は、S18にて合成した電圧値25.17を第6ランクの電源回路26に割り当て、合成した電圧値24.17を第5ランクの電源回路25に割り当てる。またS21にて選択した電圧値Y(6)、即ち26.5をコントローラ7は第7ランクの電源回路27に割り当てる。図12の各電源番号は、電源回路21〜27にそれぞれ対応する。図12の各電源番号は、第1ランク〜第7ランクにそれぞれ対応する。
Then, the
そして、コントローラ7は複数の電源回路に各ノズル11を割り当てる(S23)。詳細に説明すると、第2テーブル2dの電圧値Y()に対応する180個のノズル11と、電圧値Y(2)に対応する420個のノズル11(合計600個のノズル11)は、電源回路21に割り当てられる。第1テーブル1dの電圧値X(1)に対応する180個のノズル11と、電圧値X(2)に対応する420個のノズル11(合計600個のノズル11)は、電源回路22に割り当てられる。第1テーブル1dの電圧値X(3)に対応する540個のノズル11は電源回路23に割り当てられる。第2テーブル2dの電圧値Y(3)に対応する540個のノズル11は電源回路24に割り当てられる。第1テーブル1dの電圧値X(4)に対応する360個のノズル11と、第1テーブル1dの電圧値X(5)に対応する180個のノズル11(合計600個のノズル11)は、電源回路25に割り当てられる。第2テーブル2dの電圧値Y(4)に対応する360個のノズル11と、電圧値Y(5)に対応する180個のノズル11(合計600個のノズル11)は、電源回路26に割り当てられる。
Then, the
そして、コントローラ7は、第1テーブル1d及び第2テーブル2dの電圧値を更新し(S24)、処理を終了する。具体的には、図13に示すように、第1テーブル1dにおいて、第1ランクの電圧値X(1)は21.85に更新され、第2ランクの電圧値X(2)は21.85に更新され、第4ランクの電圧値X(4)は24.17に更新され、第5ランクの電圧値X(5)は24.17に更新される。第6ランクの電圧値X(6)は26.5に更新される。なお第3ランクの電圧値X(3)は更新されない(図11、図13参照)。
Then, the
また第2テーブル2dにおいて、第1ランクの電圧値Y(1)は20.85に更新され、第2ランクの電圧値Y(2)は20.85に更新され、第4ランクの電圧値Y(4)は25.17に更新され、第5ランクの電圧値Y(5)は25.17に更新される。なお第3ランクの電圧値Y(3)及び第6ランクの電圧値Y(6)は更新されない(図11、図13参照)。 In the second table 2d, the voltage value Y(1) of the first rank is updated to 20.85, the voltage value Y(2) of the second rank is updated to 20.85, and the voltage value Y of the fourth rank is (4) is updated to 25.17, and the voltage value Y(5) of the fifth rank is updated to 25.17. The voltage value Y(3) of the third rank and the voltage value Y(6) of the sixth rank are not updated (see FIGS. 11 and 13).
図13において、ランクの欄の括弧付き符号は合成テーブル7aのランク、即ち、ノズル11が接続される電源回路21〜27を示す。第1テーブル1dにおいて、第1ランク及び第2ランクのノズル11は、電源回路22に接続され、第3ランクのノズル11は電源回路23に接続され、第4ランク及び第5ランクのノズル11は電源回路25に接続されることを示す。第2テーブル2dにおいて、第1及び第2ランクのノズル11は電源回路21に接続されることを示し、第3ランクのノズル11は電源回路24に接続されることを示し、第4ランク及び第5ランクのノズル11は電源回路26に接続されることを示す。
In FIG. 13, the parenthesized code in the rank column indicates the rank of the synthesis table 7a, that is, the
図14は、図13に記載された第1テーブル1d及び第2テーブル2dに基づいて設計された電源基板6、第1回路基板1a及び第2回路基板2aなどを示すブロック図である。上述のように、電圧の設定方法が実行された結果、図14に示すように、回路が設計される。即ち、ドライバIC1bには、電源回路22、電源回路23、電源回路25、及び電源回路27が接続され、ドライバIC2bには、電源回路21、電源回路24、電源回路26、及び電源回路27が接続される。
FIG. 14 is a block diagram showing a
実施の形態に係る電圧の設定方法、演算装置、ヘッド装置及びヘッドユニットにあっては、第1記憶部1cに記憶された第kランクの電圧値X(k)と、第2記憶部2cに記憶された第kランクの電圧値Y(k)が近似している場合、電圧値X(k)及びY(k)の平均電圧値によって、電圧値X(k)及びY(k)を更新する。電圧値X(k)及びY(k)が同じ値になるので、ノズルに電圧を印加する回路を共通にして、削減することができる。
In the voltage setting method, the calculation device, the head device, and the head unit according to the embodiment, the voltage value X(k) of the kth rank stored in the
実施の形態にあっては、記録媒体5が固定され、印刷装置が移動しているが、記録媒体5が搬送され、印刷装置が固定されていてもよい。
In the embodiment, the
今回開示した実施の形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。各実施例にて記載されている技術的特徴は互いに組み合わせることができ、本発明の範囲は、特許請求の範囲内での全ての変更及び特許請求の範囲と均等の範囲が含まれることが意図される。 The embodiments disclosed this time are to be considered as illustrative in all points and not restrictive. The technical features described in each example can be combined with each other, and the scope of the present invention is intended to include all modifications within the scope of the claims and a scope equivalent to the scope of the claims. To be done.
1 第1ヘッド
1a 第1回路基板
1c 第1記憶部
1e 第1インタフェース
2 第2ヘッド
2a 第2回路基板
2c 第2記憶部
2e 第2インタフェース
4 制御装置
11 ノズル
9 外部装置
21〜27 電源回路
1
Claims (16)
第2ヘッドの複数の第2駆動素子それぞれに割り当てられた第1ランク〜第nランクと、各ランクに割り当てられた複数の電圧値とを記憶する第2記憶部から、第2インタフェースを通じて、前記第kランクの電圧値Y(k)を読み出し、
読み出した前記電圧値X(k)と、読み出した前記電圧値Y(k)との近似性の強弱を判定し、
近似性が強いと判定された場合、前記電圧値X(k)と、前記電圧値Y(k)との平均電圧値Axy(k)を演算し、
前記第1記憶部に記憶された前記電圧値X(k)を演算した平均電圧値Axy(k)に更新し、
前記第2記憶部に記憶された前記電圧値Y(k)を演算した前記平均電圧値Axy(k)に更新する
方法。 A first storage unit that stores a first rank to an nth rank (n is a natural number of 2 or more) assigned to each of the plurality of first drive elements of the first head, and a plurality of voltage values assigned to each rank. Through the first interface, the voltage value X(k) of the kth rank (k is a natural number satisfying 1≦k≦n) is read out,
From a second storage unit that stores the first rank to the nth rank assigned to each of the plurality of second drive elements of the second head and the plurality of voltage values assigned to each rank, through the second interface, Read the voltage value Y(k) of the kth rank,
The strength of the closeness between the read voltage value X(k) and the read voltage value Y(k) is determined,
When it is determined that the closeness is strong, an average voltage value Axy(k) of the voltage value X(k) and the voltage value Y(k) is calculated,
Updating the voltage value X(k) stored in the first storage unit to a calculated average voltage value Axy(k),
A method of updating the voltage value Y(k) stored in the second storage unit to the calculated average voltage value Axy(k).
請求項1に記載の方法。 When the magnitude of the difference between the voltage value X(k) and the voltage value Y(k) is less than a predetermined value, it is determined that the closeness is strong, and the voltage value X(k) and the voltage value Y(k) are The method according to claim 1, wherein the similarity is determined to be weak when the magnitude of the difference is equal to or larger than a predetermined value.
前記第2記憶部から前記第k−1ランクの電圧値Y(k−1)を読み出し、
読み出した前記電圧値X(k−1)と読み出した前記電圧値Y(k−1)との平均電圧値Axy(k−1)を演算し、
前記第1記憶部に記憶された前記電圧値X(k−1)を、演算した前記平均電圧値Axy(k−1)に更新し、
前記第2記憶部に記憶された前記電圧値Y(k−1)を、演算した前記平均電圧値Axy(k−1)に更新する
請求項1又は2に記載の方法。 Reading the voltage value X(k−1) of the k−1th rank from the first storage unit,
Reading the voltage value Y(k−1) of the k−1th rank from the second storage unit,
An average voltage value Axy(k-1) of the read voltage value X(k-1) and the read voltage value Y(k-1) is calculated,
Updating the voltage value X(k-1) stored in the first storage unit to the calculated average voltage value Axy(k-1),
The method according to claim 1, wherein the voltage value Y(k−1) stored in the second storage unit is updated to the calculated average voltage value Axy(k−1).
前記所定値は、読み出した前記電圧値X(k)と、読み出した前記電圧値X(k−1)との差分の絶対値である
請求項2に記載の方法。 Reading the voltage value X(k−1) of the k−1th rank from the first storage unit,
The method according to claim 2, wherein the predetermined value is an absolute value of a difference between the read voltage value X(k) and the read voltage value X(k-1).
前記第1記憶部に記憶された前記電圧値X(k)を、演算した前記平均電圧値Ax(k)(k−1)に更新し、
前記第1記憶部に記憶された前記電圧値X(k−1)を、演算した前記平均電圧値Ax(k)(k−1)に更新する
請求項4に記載の方法。 When it is determined that the closeness between the voltage value X(k) and the voltage value Y(k) is weak, the read voltage value X(k) and the read voltage value X(k−1) The average voltage value Ax(k)(k-1) of
Updating the voltage value X(k) stored in the first storage unit to the calculated average voltage value Ax(k)(k-1),
The method according to claim 4, wherein the voltage value X(k-1) stored in the first storage unit is updated to the calculated average voltage value Ax(k)(k-1).
前記電圧値X(k)と前記電圧値Y(k)との近似性が弱いと判定された場合、読み出した前記電圧値Y(k)と、読み出した前記電圧値Y(k−1)との平均電圧値Ay(k)(k−1)を演算し、
前記第2記憶部に記憶された前記電圧値Y(k)を、演算した平均電圧値Ay(k)(k−1)に更新し、
前記第2記憶部に記憶された前記電圧値Y(k−1)を、演算した平均電圧値Ay(k)(k−1)に更新する
請求項5に記載の方法。 Reading the voltage value Y(k−1) of the k−1th rank from the second storage unit,
When it is determined that the closeness between the voltage value X(k) and the voltage value Y(k) is weak, the read voltage value Y(k) and the read voltage value Y(k-1) The average voltage value Ay(k)(k-1) of
Updating the voltage value Y(k) stored in the second storage unit to the calculated average voltage value Ay(k)(k-1),
The method according to claim 5, wherein the voltage value Y(k-1) stored in the second storage unit is updated to the calculated average voltage value Ay(k)(k-1).
請求項3〜6のいずれか一つに記載の方法。 The method according to claim 3, wherein the k-th rank and the k−1-th rank are different from a rank corresponding to a voltage value to which the largest number of driving elements is assigned.
前記第2記憶部から前記第k−1ランクの電圧値Y(k+1)を読み出し、
読み出した前記電圧値X(k+1)と、読み出した前記電圧値Y(k+1)との平均電圧値Axy(k+1)を演算し、
前記第1記憶部に記憶された前記電圧値X(k+1)を、演算した前記平均電圧値Axy(k+1)に更新し、
前記第2記憶部に記憶された前記電圧値Y(k+1)を、演算した前記平均電圧値Axy(k+1)に更新する
請求項1又は2に記載の方法。 Reading the voltage value X(k+1) of rank k+1 from the first storage unit,
Reading the voltage value Y(k+1) of the (k−1)th rank from the second storage unit,
An average voltage value Axy(k+1) of the read voltage value X(k+1) and the read voltage value Y(k+1) is calculated,
Updating the voltage value X(k+1) stored in the first storage unit to the calculated average voltage value Axy(k+1),
The method according to claim 1, wherein the voltage value Y(k+1) stored in the second storage unit is updated to the calculated average voltage value Axy(k+1).
請求項2に記載の方法。 The method according to claim 2, wherein the predetermined value is an absolute value of a difference between the voltage value X(k) and the voltage value X(k+1) of the (k+1)th rank stored in the first storage unit.
前記電圧値X(k)と前記電圧値Y(k)との近似性が弱いと判定された場合、読み出した前記電圧値X(k)と、読み出した前記電圧値X(k+1)との平均電圧値Ax(k)(k+1)を演算し、
前記第1記憶部に記憶された前記電圧値X(k)を、演算した前記平均電圧値Ax(k)(k+1)に更新し、
前記第1記憶部に記憶された前記電圧値X(k+1)を、演算した前記平均電圧値Ax(k)(k+1)に更新する
請求項9に記載の方法。 Reading the voltage value X(k+1) of rank k+1 from the first storage unit,
When it is determined that the closeness between the voltage value X(k) and the voltage value Y(k) is weak, an average of the read voltage value X(k) and the read voltage value X(k+1). The voltage value Ax(k)(k+1) is calculated,
Updating the voltage value X(k) stored in the first storage unit to the calculated average voltage value Ax(k)(k+1),
The method according to claim 9, wherein the voltage value X(k+1) stored in the first storage unit is updated to the calculated average voltage value Ax(k)(k+1).
前記電圧値X(k)と前記電圧値Y(k)との近似性が弱いと判定された場合、読み出した前記電圧値Y(k)と、読み出した前記電圧値Y(k+1)との平均電圧値Ay(k)(k+1)を演算し、
前記第2記憶部に記憶された前記電圧値Y(k)を、演算した前記平均電圧値Ay(k)(k+1)に更新し、
前記第2記憶部に記憶された前記電圧値Y(k+1)を、演算した前記平均電圧値Ay(k)(k+1)に更新する
請求項10に記載の方法。 Reading the voltage value Y(k+1) of rank k+1 from the second storage unit,
When it is determined that the closeness between the voltage value X(k) and the voltage value Y(k) is weak, an average of the read voltage value Y(k) and the read voltage value Y(k+1). The voltage value Ay(k)(k+1) is calculated,
Updating the voltage value Y(k) stored in the second storage unit to the calculated average voltage value Ay(k)(k+1),
The method according to claim 10, wherein the voltage value Y(k+1) stored in the second storage unit is updated to the calculated average voltage value Ay(k)(k+1).
請求項8〜11のいずれか一つに記載の方法。 The method according to claim 8, wherein the k-th rank and the k+1-th rank are different from a rank corresponding to a voltage value to which the largest number of driving elements is assigned.
前記第pランクよりも大きいランクにおいて、前記電圧値X(k)及び電圧値Y(k)との近似性の強弱を判定し、近似性が強いと判定された場合、前記電圧値X(k)と、前記電圧値Y(k)との平均電圧値Axy(k)を演算し、前記電圧値X(k)を、演算した前記平均電圧値Axy(k)に更新し、電圧値Y(k)を、演算した前記平均電圧値Axy(k)に更新する
請求項1〜12のいずれか一つに記載の方法。 In the rank smaller than the p-th rank corresponding to the voltage value to which the largest number of driving elements is assigned, the strength of the similarity with the voltage value X(k) and the voltage value Y(k) is determined, If it is determined to be strong, the average voltage value Axy(k) of the voltage value X(k) and the voltage value Y(k) is calculated, and the voltage value X(k) is calculated. Value Axy(k), the voltage value Y(k) is updated to the calculated average voltage value Axy(k), and the voltage value X(k) is higher than the p-th rank. And the strength of the closeness to the voltage value Y(k) are determined, and when the closeness is determined to be strong, the average voltage value Axy( of the voltage value X(k) and the voltage value Y(k) k), the voltage value X(k) is updated to the calculated average voltage value Axy(k), and the voltage value Y(k) is updated to the calculated average voltage value Axy(k). The method according to any one of claims 1 to 12.
第2ヘッドの複数の第2駆動素子それぞれに割り当てられた第1ランク〜第nランクと、各ランクに割り当てられた複数の電圧値と、を記憶する第2記憶部から、第2インタフェースを通じて、前記第kランクの電圧値Y(k)を読み出し、
読み出した前記電圧値X(k)と、読み出した前記電圧値Y(k)との近似性の強弱を判定し、
近似性が強いと判定された場合、前記電圧値X(k)と、前記電圧値Y(k)との平均電圧値Axy(k)を演算し、
前記第1記憶部に記憶された前記電圧値X(k)を、前記第1インタフェースを通じて演算した平均電圧値Axy(k)に更新し、
前記第2記憶部に記憶された前記電圧値Y(k)を、前記第2インタフェースを通じて演算した前記平均電圧値Axy(k)に更新する
演算装置。 A first memory that stores a first rank to an nth rank (n is a natural number of 2 or more) assigned to each of the plurality of first drive elements of the first head, and a plurality of voltage values assigned to each rank. Through the first interface, the voltage value X(k) of the kth rank (k is a natural number satisfying 1≦k≦n) is read from
From the second storage unit that stores the first rank to the nth rank assigned to each of the plurality of second drive elements of the second head and the plurality of voltage values assigned to each rank, through the second interface, Reading the voltage value Y(k) of the k-th rank,
The strength of the closeness between the read voltage value X(k) and the read voltage value Y(k) is determined,
When it is determined that the closeness is strong, an average voltage value Axy(k) of the voltage value X(k) and the voltage value Y(k) is calculated,
Updating the voltage value X(k) stored in the first storage unit to an average voltage value Axy(k) calculated through the first interface;
An arithmetic unit for updating the voltage value Y(k) stored in the second storage unit to the average voltage value Axy(k) calculated through the second interface.
異なる大きさの電圧を出力する複数の電源から、複数のノズルに対応して配置された複数の第2駆動素子に電圧が印加される第2ヘッドと、
前記第1ヘッドの複数の第1駆動素子それぞれに割り当てられた第1ランク〜第nランク(nは2以上の自然数)と、各ランクに割り当てられた複数の電圧値とを記憶した第1記憶部と、
前記第2ヘッドの複数の第2駆動素子それぞれに割り当てられた第1ランク〜第nランクと、各ランクに割り当てられた複数の電圧値とを記憶した第2記憶部と
を備え、
前記第1記憶部に記憶された第kランク(kは自然数)の電圧値X(k)と、前記第2記憶部に記憶され、前記電圧値X(k)と同じ第kランクの電圧値Y(k)とが同じである
ヘッド装置。 A first head to which a voltage is applied to a plurality of first drive elements arranged corresponding to a plurality of nozzles from a plurality of power supplies that output voltages of different magnitudes;
A second head in which voltages are applied to a plurality of second drive elements arranged corresponding to a plurality of nozzles from a plurality of power supplies that output different magnitudes of voltage;
A first memory storing first rank to nth rank (n is a natural number of 2 or more) assigned to each of the plurality of first drive elements of the first head, and a plurality of voltage values assigned to each rank. Department,
A second storage unit storing first rank to nth rank assigned to each of the plurality of second drive elements of the second head and a plurality of voltage values assigned to each rank;
The voltage value X(k) of the kth rank (k is a natural number) stored in the first storage unit and the voltage value of the kth rank stored in the second storage unit and the same as the voltage value X(k). A head device that is the same as Y(k).
複数の電源と
を備え、
前記複数の電源の数は2n未満である
ヘッドユニット。 A head device according to claim 15;
With multiple power supplies,
The number of the plurality of power supplies is less than 2n.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018245173A JP2020104389A (en) | 2018-12-27 | 2018-12-27 | Method, arithmetic device, head device, and head unit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018245173A JP2020104389A (en) | 2018-12-27 | 2018-12-27 | Method, arithmetic device, head device, and head unit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2020104389A true JP2020104389A (en) | 2020-07-09 |
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ID=71447847
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018245173A Pending JP2020104389A (en) | 2018-12-27 | 2018-12-27 | Method, arithmetic device, head device, and head unit |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2020104389A (en) |
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2018
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