以下、本開示の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の説明は例示である。
すなわち、本明細書では、レーザ加工装置の一例としてのレーザマーカについて説明するが、ここに開示する技術は、レーザ加工装置及びレーザマーカという名称に拘らず、レーザ応用機器一般に適用することができる。
また、本明細書においては、加工の代表例として印字加工について説明するが、印字加工に限定されず、被加工物としてのワークWの表面に所定の加工パターンを形成するものであれば、画像のマーキング等、レーザ光を使ったあらゆる加工処理において利用することができる。
<全体構成>
図1は、レーザ加工システムSの全体構成を例示する図であり、図2はレーザ加工システムSにおけるレーザ加工装置Lの概略構成を例示する図である。図1に例示するレーザ加工システムSは、レーザ加工装置Lと、これに接続される操作用端末800及び外部機器900と、を備えている。
そして、図1及び図2に例示するレーザ加工装置Lは、マーカヘッド1から出射されたレーザ光を、被加工物としてのワークWへ照射するとともに、そのワークWの表面上で3次元走査することによって加工を行うものである。なお、ここでいう「3次元走査」とは、レーザ光の照射先をワークWの表面上で走査する2次元的な動作(いわゆる「2次元走査」)と、レーザ光の焦点位置を調整する1次元的な動作と、の組み合わせを総称した概念を指す。
特に、本実施形態に係るレーザ加工装置Lは、ワークWを加工するためのレーザ光として、1064nm付近の波長を有するレーザ光を出射することができる。この波長は、近赤外線(Near-InfraRed:NIR)の波長域に相当する。そのため、以下の記載では、ワークWを加工するためのレーザ光を「近赤外レーザ光」と呼称して、他のレーザ光と区別する場合がある。なお、近赤外線以外のレーザ光をワークWの加工に用いてもよい。
また、本実施形態に係るレーザ加工装置Lは、マーカヘッド1に内蔵された測距ユニット5を介してワークWまでの距離を測定するとともに、その測定結果を利用して近赤外レーザ光の焦点位置を調整することができる。
図1及び図2に示すように、レーザ加工装置Lは、レーザ光を出射するためのマーカヘッド1と、マーカヘッド1を制御するためのマーカコントローラ100と、を備えている。
マーカヘッド1及びマーカコントローラ100は、この実施形態においては別体とされており、電気配線を介して電気的に接続されているとともに、光ファイバーケーブルを介して光学的に結合されている。
より一般には、マーカヘッド1及びマーカコントローラ100の一方を他方に組み込んで一体化することもできる。この場合、光ファイバーケーブル等を適宜省略することができる。
操作用端末800は、例えば中央演算処理装置(Central Processing Unit:CPU)及びメモリを有しており、マーカコントローラ100に接続されている。この操作用端末800は、印字設定など、種々の加工条件を設定するとともに、レーザ加工に関連した情報をユーザに示すための端末として機能する。この操作用端末800は、ユーザに情報を表示するための表示部801と、ユーザによる操作入力を受け付ける操作部802と、種々の情報を記憶するための記憶装置803と、を備えている。
具体的に、表示部801は、例えば液晶ディスプレイ又は有機ELパネルにより構成されている。表示部801には、レーザ加工に関連した情報として、レーザ加工装置Lの動作状況および加工条件等が表示される。一方、操作部802は、例えばキーボード及び/又はポインティングデバイスにより構成されている。ここで、ポインティングデバイスには、マウス及び/又はジョイスティック等が含まれる。操作部802は、ユーザによる操作入力を受け付けるように構成されており、マーカコントローラ100を介してマーカヘッド1を操作するために用いられる。
上記のように構成される操作用端末800は、ユーザによる操作入力に基づいて、レーザ加工における加工条件を設定することができる。この加工条件には、例えば、ワークWに印字されるべき文字列等の内容(マーキングパターン)、レーザ光に求める出力(目標出力)、及び、ワークW上でのレーザ光の走査速度(スキャンスピード)が含まれる。
また、本実施形態に係る加工条件には、前述の測距ユニット5に関連した条件及びパラメータ(以下、これを「測距条件」ともいう)も含まれる。そうした測距条件には、例えば、測距ユニット5による検出結果を示す信号と、ワークWの表面までの距離と、を関連付けるデータ等が含まれる。
操作用端末800により設定される加工条件は、マーカコントローラ100に出力されて、その条件設定記憶部102に記憶される。必要に応じて、操作用端末800における記憶装置803が加工条件を記憶してもよい。
なお、操作用端末800は、例えばマーカコントローラ100に組み込んで一体化することができる。この場合は「操作用端末」ではなく、コントロールユニット等の呼称が用いられることになるが、少なくとも本実施形態においては、操作用端末800とマーカコントローラ100は互いに別体とされている。
外部機器900は、必要に応じてレーザ加工装置Lのマーカコントローラ100に接続される。図1に示す例では、外部機器900として、画像認識装置901及びプログラマブルロジックコントローラ(Programmable Logic Controller:PLC)902が設けられている。
具体的に、画像認識装置901は、例えばライン上で搬送されるワークWの種別及び位置を判定する。画像認識装置901として、例えばイメージセンサを用いることができる。PLC902は、予め定められたシーケンスに従ってレーザ加工システムSを制御するために用いられる。
レーザ加工装置Lには、上述した機器や装置以外にも、操作及び制御を行うための装置、その他の各種処理を行うためのコンピュータ、記憶装置、周辺機器等を接続することもできる。この場合の接続は、例えば、IEEE1394、RS−232、RS−422及びUSB等のシリアル接続、又はパラレル接続としてもよい。あるいは、10BASE−T、100BASE−TX、1000BASE−T等のネットワークを介して電気的、磁気的、又は光学的な接続を採用することもできる。また、有線接続以外にも、IEEE802等の無線LAN、又は、Bluetooth(登録商標)等の電波、赤外線、光通信等を利用した無線接続でもよい。さらに、データの交換や各種設定の保存等を行うための記憶装置に用いる記憶媒体としては、例えば、各種メモリカード、磁気ディスク、光磁気ディスク、半導体メモリ、ハードディスク等を利用することができる。
以下、マーカコントローラ100及びマーカヘッド1それぞれのハード構成に係る説明と、マーカコントローラ100によるマーカヘッド1の制御に係る構成と、について順番に説明をする。
<マーカコントローラ100>
図2に示すように、マーカコントローラ100は、上述した加工条件を記憶する条件設定記憶部102と、これに記憶されている加工条件に基づいてマーカヘッド1を制御する制御部101と、レーザ励起光(励起光)を生成する励起光生成部110と、を備えている。
(条件設定記憶部102)
条件設定記憶部102は、操作用端末800を介して設定された加工条件を記憶するとともに、必要に応じて、記憶された加工条件を制御部101へと出力するように構成されている。
具体的に、条件設定記憶部102は、揮発性メモリ、不揮発性メモリ、ハードディスクドライブ(Hard Disk Drive:HDD)等を用いて構成されており、加工条件を示す情報を一時的または継続的に記憶することができる。なお、操作用端末800をマーカコントローラ100に組み込んだ場合には、記憶装置803が条件設定記憶部102を兼用するように構成することができる。
(制御部101)
制御部101は、条件設定記憶部102に記憶された加工条件に基づいて、少なくとも、マーカコントローラ100における励起光生成部110、並びに、マーカヘッド1におけるレーザ光出力部2、レーザ光案内部3、レーザ光走査部4及び測距ユニット5を制御することにより、ワークWの印字加工等を実行する。
具体的に、制御部101は、CPU、メモリ、入出力バスを有しており、操作用端末800を介して入力された情報を示す信号、及び、条件設定記憶部102から読み込んだ加工条件を示す信号に基づいて制御信号を生成する。制御部101は、そうして生成した制御信号をレーザ加工装置Lの各部へと出力することにより、ワークWに対する印字加工、及び、ワークWまでの距離の測定を制御する。
例えば制御部101は、ワークWの加工を開始するときには、条件設定記憶部102に記憶された目標出力を読み込んで、その目標出力に基づき生成した制御信号を励起光源駆動部112へと出力し、レーザ励起光の生成を制御する。
また制御部101は、実際にワークWを加工する際には、例えば条件設定記憶部102に記憶されている加工パターン(マーキングパターン)を読み込むとともに、その加工パターンに基づき生成した制御信号をレーザ光走査部4へと出力し、近赤外レーザ光を2次元走査する。近赤外レーザ光の2次元走査を制御しているという点で、制御部101は、本実施形態における「走査制御部」を例示している。
(励起光生成部110)
励起光生成部110は、駆動電流に応じたレーザ光を生成する励起光源111と、その励起光源111に駆動電流を供給する励起光源駆動部112と、励起光源111に対して光学的に結合された励起光集光部113と、を備えている。励起光源111と励起光集光部113は、不図示の励起ケーシング内に固定されている。詳細は省略するが、この励起ケーシングは、熱伝導性に優れた銅等の金属で構成されており、励起光源111から効率よく放熱させることができる。
以下、励起光生成部110の各部について順番に説明する。
励起光源駆動部112は、制御部101から出力された制御信号に基づいて、励起光源111へ駆動電流を供給する。詳細は省略するが、励起光源駆動部112は、制御部101が決定した目標出力に基づいて駆動電流を決定し、そうして決定した駆動電流を励起光源111へ供給する。
励起光源111は、励起光源駆動部112から駆動電流が供給されるとともに、その駆動電流に応じたレーザ光を発振する。例えば、励起光源111は、レーザダイオード(Laser Diode:LD)等で構成されており、複数のLD素子を直線状に並べたLDアレイやLDバーを用いることができる。励起光源111としてLDアレイやLDバーを用いた場合、各素子から発振されるレーザ光は、ライン状に出力されて励起光集光部113に入射する。
励起光集光部113は、励起光源111から出力されたレーザ光を集光するとともに、レーザ励起光(励起光)として出力する。例えば、励起光集光部113は、フォーカシングレンズ等で構成されており、レーザ光が入射する入射面と、レーザ励起光を出力する出射面と、を有している。励起光集光部113は、マーカヘッド1に対し、前述の光ファイバーケーブルを介して光学的に結合されている。よって、励起光集光部113から出力されたレーザ励起光は、その光ファイバーケーブルを介してマーカヘッド1へ導かれることになる。
なお、励起光生成部110は、励起光源駆動部112、励起光源111及び励起光集光部113を予め組み込んだLDユニット或いはLDモジュールとすることができる。また、励起光生成部110から出射される励起光(具体的には、励起光集光部113から出力されるレーザ励起光)は、無偏光とすることができ、これにより偏光状態の変化を考慮する必要がなく、設計上有利となる。特に、励起光源111周辺の構成については、複数のLD素子を数十個配列したLDアレイから各々得られる光を光ファイバーでバンドルして出力するLDユニット自体に、出力光を無偏光とする機構を備えることが好ましい。
(他の構成要素)
マーカコントローラ100はまた、測距ユニット5を介してワークWまでの距離を測定する距離測定部103を有している。距離測定部103は、測距ユニット5と電気的に接続されており、測距ユニット5による測定結果に関連した信号(少なくとも、測距光受光部5Bによる測距光の受光位置を示す信号)を受信可能とされている。
また、距離測定部103による測定結果に基づいて、マーカコントローラ100は、種々の処理を実行する。具体的に、マーカコントローラ100は、各測距点の安定度を算出する安定度算出部104と、この安定度算出部104における算出結果に基づいて表示部801における表示態様を制御す表示制御部105と、を有している。
マーカコントローラ100はまた、マーキングパターンに係る情報を設定する設定部107を備えている。設定部107における設定内容は、走査制御部としての制御部101が読み込んで使用する。
なお、距離測定部103、安定度算出部104、表示制御部105及び設定部107は、制御部101によって構成してもよい。例えば、制御部101が表示制御部105を兼用してもよい。或いは、距離測定部103が、安定度算出部104等を兼用してもよい。
距離測定部103、安定度算出部104、表示制御部105及び設定部107の詳細は後述する。
<マーカヘッド1>
前述のように、励起光生成部110により生成されたレーザ励起光は、光ファイバーケーブルを介してマーカヘッド1へ導かれる。このマーカヘッド1は、レーザ励起光に基づいてレーザ光を増幅・生成して出力するレーザ光出力部2と、レーザ光出力部2から出力されたレーザ光をワークWの表面へ照射して2次元走査を行うレーザ光走査部4と、レーザ光出力部2からレーザ光走査部4へ至る光路を構成するレーザ光案内部3と、レーザ光走査部4を介して投光及び受光した測距光に基づいてワークWの表面までの距離を測定するための測距ユニット5と、を備えている。
ここで、本実施形態に係るレーザ光案内部3は、単に光路を構成するばかりでなく、レーザ光の焦点位置を調整するZスキャナ(焦点調整部)33、ガイド光を出射するガイド光源、及び、ワークWの表面を撮像する狭域カメラ37など、複数の部材が組み合わされてなる。
また、レーザ光案内部3はさらに、レーザ光出力部2から出力される近赤外レーザ光とガイド光源36から出射されるガイド光を合流せしめる上流側合流機構31と、レーザ光走査部4へ導かれるレーザ光と測距ユニット5から投光される測距光を合流せしめる下流側合流機構35と、を有している。
図3A〜図3Bはマーカヘッド1の概略構成を例示するブロック図であり、図4はマーカヘッド1の外観を例示する斜視図である。図3A〜図3Bのうち、図3Aは近赤外レーザ光を用いてワークWを加工する場合を例示し、図3Bは測距ユニット5を用いてワークWの表面までの距離を測定する場合を例示している。
図3A〜図4に例示するように、マーカヘッド1は、少なくともレーザ光出力部2、レーザ光案内部3、レーザ光走査部4及び測距ユニット5が内部に設けられた筐体10を備えている。この筐体10は、図4に示すような略直方状の外形を有している。筐体10の下面は、板状の底板10aによって区画されている。この底板10aには、マーカヘッド1から、該マーカヘッド1の外部にレーザ光を出射するための透過ウインドウ19が設けられている。透過ウインドウ19は、底板10aを板厚方向に貫く貫通孔に対し、近赤外レーザ光、ガイド光及び測距光を透過可能な板状の部材を嵌め込むことによって構成されている。
なお、以下の記載では、図4における筐体10の長手方向を単に「長手方向」又は「前後方向」と呼称したり、同図における筐体10の短手方向を単に「短手方向」又は「左右方向」と呼称したりする場合がある。同様に、図4における筐体10の高さ方向を単に「高さ方向」又は「上下方向」と呼称する場合もある。
図5は、レーザ光走査部4の構成を例示する斜視図である。また、図6はレーザ光案内部3、レーザ光走査部4及び測距ユニット5の構成を例示する断面図であり、図7はレーザ光案内部3、レーザ光走査部4及び測距ユニット5を結ぶ光路を例示する断面図であり、図8はレーザ光案内部3、レーザ光走査部4及び測距ユニット5を結ぶ光路を例示する斜視図である。
図5〜図6に例示するように、筐体10の内部には仕切部11が設けられている。筐体10の内部空間は、この仕切部11によって長手方向の一側と他側に仕切られている。
具体的に、仕切部11は、筐体10の長手方向に対して垂直な方向に延びる平板状に形成されている。また、仕切部11は、筐体10の長手方向においては、同方向における筐体10の中央部に比して、長手方向一側(図4における前側)に寄せた配置とされている。
よって、筐体10内の長手方向一側に仕切られるスペースは、長手方向他側(図4における後側)に仕切られるスペースよりも、長手方向の寸法が短くなっている。以下、筐体10内の長手方向他側に仕切られるスペースを第1スペースS1と呼称する一方、その長手方向一側に仕切られるスペースを第2スペースS2と呼称する。
この実施形態では、第1スペースS1の内部には、レーザ光出力部2と、レーザ光案内部3における一部の部品と、レーザ光走査部4と、測距ユニット5が配置されている。一方、第2スペースS2の内部には、レーザ光案内部3における主要な部品が配置されている。
詳しくは、第1スペースS1は、略平板状のベースプレート12によって、短手方向の一側(図4の左側)の空間と、他側(図4の右側)の空間と、に仕切られている。前者の空間には、主に、レーザ光出力部2を構成する部品が配置されている。
さらに詳しくは、レーザ光出力部2を構成する部品のうち、光学レンズや光学結晶など、可能な限り気密状に密閉することが求められる光学部品21については、第1スペースS1における短手方向一側の空間において、ベースプレート12等によって包囲された収容空間の内部に配置されている。
対して、レーザ光出力部2を構成する部品のうち、電気配線や、図5に示すヒートシンク22など、必ずしも密閉することが求められない部品については、光学部品21に対し、ベースプレート12を挟んで反対側(第1スペースS1における短手方向他側)に配置されている。
また、図5及び図6に例示するように、レーザ光走査部4は、レーザ光出力部2における光学部品21と同様に、ベースプレート12を挟んで短手方向の一側に配置することができる。具体的に、この実施形態に係るレーザ光走査部4は、長手方向においては前述の仕切部11に隣接するとともに、上下方向においては筐体10の内底面に沿って配置されている。
また、図6に示すように、測距ユニット5は、レーザ光出力部2におけるヒートシンク22と同様に、第1スペースS1における短手方向他側の空間に配置されている。
また、レーザ光案内部3を構成する部品は、主に第2スペースS2に配置されている。この実施形態では、レーザ光案内部3を構成する大部分の部品は、仕切部11と、筐体10の前面を区画するカバー部材17と、により包囲された空間に収容されている。
なお、レーザ光案内部3を構成する部品のうち、下流側合流機構35については、第1スペースS1における仕切部11付近の部位に配置されている(図5を参照)。すなわち、この実施形態では、下流側合流機構35は、第1スペースS1と第2スペースS2との境界付近に位置することになる。
またベースプレート12には、該ベースプレート12を板厚方向に貫通する貫通孔(不図示)が形成されている。この貫通孔を通じて、レーザ光案内部3及びレーザ光走査部4と、測距ユニット5とが光学的に結合されることになる。
以下、レーザ光出力部2、レーザ光案内部3、レーザ光走査部4及び測距ユニット5の構成について順番に説明をする。
(レーザ光出力部2)
レーザ光出力部2は、励起光生成部110により生成されたレーザ励起光に基づいて印字加工用の近赤外レーザ光を生成するとともに、その近赤外レーザ光をレーザ光案内部3へと出力するように構成されている。
具体的に、レーザ光出力部2は、レーザ励起光に基づき所定の波長を有するレーザ光を生成するとともに、これを増幅して近赤外レーザ光を出射するレーザ発振器21aと、レーザ発振器21aから発振された近赤外レーザ光の一部を分離させるためのビームサンプラー21bと、ビームサンプラー21bによって分離せしめた近赤外レーザ光が入射するパワーモニタ21cと、を備えている。
詳細は省略するが、本実施形態に係るレーザ発振器21aは、レーザ励起光に対応した誘導放出を行ってレーザ光を出射するレーザ媒質と、レーザ媒質から出射されるレーザ光をパルス発振するためのQスイッチと、Qスイッチによりパルス発振されたレーザ光を共振させるミラーと、を有している。
特に本実施形態では、レーザ媒質としてロッド状のNd:YVO4(イットリウム・バナデイト)が用いられている。これにより、レーザ発振器21aは、レーザ光として、1064nm付近の波長を有するレーザ光(前述の近赤外レーザ光)を出射することができる。ただし、この例に限らず、他のレーザ媒質として、例えば希土類をドープしたYAG、YLF、GdVO4等を用いることもできる。レーザ加工装置Lの用途に応じて、様々な固体レーザ媒質を用いることができる。
また、固体レーザ媒質に波長変換素子を組み合わせて、出力されるレーザ光の波長を任意の波長に変換することもできる。また、固体レーザ媒質としてバルクに代わってファイバーを発振器として利用した、いわゆるファイバーレーザを利用してもよい。
さらには、Nd:YVO4等の固体レーザ媒質と、ファイバーとを組み合わせてレーザ発振器21aを構成してもよい。その場合、固体レーザ媒質を用いたときのように、パルス幅の短いレーザを出射してワークWへの熱ダメージを抑制する一方で、ファイバーを用いたときのように、高出力化を実現してより早い印字加工を実現することが可能となる。
パワーモニタ21cは、近赤外レーザ光の出力を検出する。パワーモニタ21cは、マーカコントローラ100と電気的に接続されており、その検出信号を制御部101等へ出力することができる。
(レーザ光案内部3)
レーザ光案内部3は、レーザ光出力部2から出射された近赤外レーザ光をレーザ光走査部4へと案内する光路Pを成す。レーザ光案内部3は、そうした光路Pを形成するためのベンドミラー34に加えて、Zスキャナ(焦点調整部)33、ガイド光源(ガイド光出射部)36及び狭域カメラ37等を備えている。これらの部品は、いずれも筐体10の内部(主に第2スペースS2)に設けられている。
レーザ光出力部2から入射した近赤外レーザ光は、ベンドミラー34によって反射され、レーザ光案内部3を通過する。ベンドミラー34へ至る途中には、近赤外レーザ光の焦点位置を調整するためのZスキャナ33が配置されている。Zスキャナ33を通過してベンドミラー34によって反射された近赤外レーザ光が、レーザ光走査部4に入射することになる。
レーザ光案内部3により構成される光路Pは、焦点調整部としてのZスキャナ33を境として2分することができる。詳しくは、レーザ光案内部3により構成される光路Pは、レーザ光出力部2からZスキャナ33へ至る上流側光路Puと、Zスキャナ33からレーザ光走査部4へ至る下流側光路Pdと、に区分することができる。
さらに詳しくは、上流側光路Puは、筐体10の内部に設けられており、レーザ光出力部2から、前述の上流側合流機構31を経由してZスキャナ33に至る。
一方、下流側光路Pdは、筐体10の内部に設けられており、Zスキャナ33から、ベンドミラー34と、前述の下流側合流機構35と、を順番に経由してレーザ光走査部4における第1スキャナ41に至る。
このように、筐体10の内部においては、上流側光路Puの途中に上流側合流機構31が設けられているとともに、下流側光路Pdの途中に下流側合流機構35が設けられている。
以下、レーザ光案内部3に関連した構成について順番に説明をする。
−ガイド光源36−
ガイド光源36は、筐体10内部の第2スペースS2に設けられており、所定の加工パターンをワークWの表面上に投影するためのガイド光を出射する。このガイド光の波長は、可視光域に収まるように設定されている。その一例として、本実施形態に係るガイド光源36は、ガイド光として、655nm付近の波長を有する赤色レーザ光を出射する。よって、マーカヘッド1からガイド光が出射されると、使用者は、そのガイド光を視認することできる。
なお、本実施形態では、ガイド光の波長は、少なくとも近赤外レーザ光の波長と相違するように設定されている。また後述のように、測距ユニット5における測距光出射部5Aは、ガイド光及び近赤外レーザ光とは異なる波長を有する測距光を出射する。よって、測距光と、ガイド光と、レーザ光と、は互いに異なる波長を有するようになっている。
具体的に、ガイド光源36は、第2スペースS2において上流側合流機構31と略同じ高さに配置されており、筐体10の短手方向の内側に向かって可視光レーザ(ガイド光)を出射することができる。ガイド光源36はまた、該ガイド光源36から出射されるガイド光の光軸と、上流側合流機構31と、が交わるような姿勢とされている。
なお、ここでいう「略同じ高さ」とは、筐体10の下面をなす底板10aから見て、高さ位置が実質的に等しいことを指す。他の記載においても、底板10aから見た高さを指す。
よって、例えば近赤外レーザ光による加工パターンを使用者に視認させるべく、ガイド光源36からガイド光が出射されると、そのガイド光は、上流側合流機構31へ至る。上流側合流機構31は、光学部品としてのダイクロイックミラー(不図示)を有している。後述のように、このダイクロイックミラーは、ガイド光を透過させつつも、近赤外レーザ光を反射させる。これにより、ダイクロイックミラーを透過したガイド光と、同ミラーにより反射された近赤外レーザ光とが合流して同軸になる。
なお、本実施形態に係るガイド光源36は、制御部101から出力された制御信号に基づいて、ガイド光を出射するように構成されている。
−上流側合流機構31−
上流側合流機構31は、ガイド光出射部としてのガイド光源36から出射されたガイド光を、上流側光路Puに合流させる。上流側合流機構31を設けることで、ガイド光源36から出射されたガイド光と、上流側光路Puにおける近赤外レーザ光と、を同軸にすることができる。
前述のように、ガイド光の波長は、少なくとも近赤外レーザ光の波長と相違するように設定されている。そのため、上流側合流機構31は、前述のように、例えばダイクロイックミラーを用いて構成することができる。このダイクロイックミラーによって同軸化された近赤外レーザ光及びガイド光は、下方に向かって伝搬し、Zスキャナ33を通過してベンドミラー34へ至る。
−Zスキャナ33−
焦点調整部としてのZスキャナ33は、レーザ光案内部3が構成する光路の途中に配置されており、レーザ光出力部2から出射された近赤外レーザ光の焦点位置を調整することができる。
詳しくは、本実施形態に係るZスキャナ33は、図3A〜図3Bに示すように、レーザ光出力部2から出射された近赤外レーザ光を透過させる入射レンズ33aと、入射レンズ33aを通過した近赤外レーザ光を通過させるコリメートレンズ33bと、入射レンズ33a及びコリメートレンズ33bを通過した近赤外レーザ光を通過させる出射レンズ33cと、入射レンズ33aを移動させるレンズ駆動部33dと、入射レンズ33a、コリメートレンズ33b、出射レンズ33cを収容するケーシング33eと、を有している。
入射レンズ33aは平凹レンズからなり、コリメートレンズ33b及び出射レンズ33cは平凸レンズからなる。入射レンズ33a、コリメートレンズ33b及び出射レンズ33cは、各々の光軸が互いに同軸になるように配置されている。
また、Zスキャナ33においては、レンズ駆動部33dが光軸に沿って入射レンズ33aを移動させる。これにより、Zスキャナ33を通過する近赤外レーザ光に対し入射レンズ33a、コリメートレンズ33b及び出射レンズ33c各々の光軸を同軸に保ちつつ、入射レンズ33aと出射レンズ33cとの相対距離を変更することができる。そのことで、ワークWに照射される近赤外レーザ光の焦点位置が変化する。
以下、Zスキャナ33を構成する各部について、より詳細に説明する。
ケーシング33eは、略円筒形状を有している。図3A〜図3Bに示すように、ケーシング33eの両端部には、近赤外レーザ光を通過させるための開口33fが形成されている。ケーシング33eの内部では、入射レンズ33a、コリメートレンズ33b及び出射レンズ33cが、この順番で上下方向に並んでいる。
そして、入射レンズ33a、コリメートレンズ33b及び出射レンズ33cのうち、コリメートレンズ33b及び出射レンズ33cは、ケーシング33eの内部に固定されている。一方、入射レンズ33aは、上下方向に移動可能に設けられている。レンズ駆動部33dは、例えばモータを有しており、入射レンズ33aを上下方向に移動させる。これにより、入射レンズ33aと出射レンズ33cとの相対距離が変更される。
例えば、レンズ駆動部33dによって、入射レンズ33aと出射レンズ33cとの間の距離が、相対的に短く調整されたものとする。この場合、出射レンズ33cを通過する近赤外レーザ光の集光角が相対的に小さくなるため、近赤外レーザ光の焦点位置は、マーカヘッド1の透過ウインドウ19から遠ざかることになる。
一方、レンズ駆動部33dによって、入射レンズ33aと出射レンズ33cとの間の距離が、相対的に長く調整されたものとする。この場合、出射レンズ33cを通過する近赤外レーザ光の集光角が相対的に大きくなるため、近赤外レーザ光の焦点位置は、マーカヘッド1の透過ウインドウ19に近付くことになる。
なお、Zスキャナ33においては、入射レンズ33a、コリメートレンズ33b及び出射レンズ33cのうち、入射レンズ33aをケーシング33eの内部に固定して、コリメートレンズ33b及び出射レンズ33cを上下方向に移動可能としてもよい。あるいは、入射レンズ33a、コリメートレンズ33b及び出射レンズ33cを全て、上下方向に移動可能としてもよい。
こうして、焦点調整部としてのZスキャナ33は、近赤外レーザ光を上下方向に走査するための手段として機能することになる。以下、Zスキャナ33による走査方向を「Z方向」と呼称する場合がある。
なお、Zスキャナ33を通過する近赤外レーザ光は、前述のように、ガイド光源36から出射されるガイド光と同軸とされている。そのため、Zスキャナ33を作動させることにより、近赤外レーザ光ばかりでなく、ガイド光の焦点位置も併せて調整することができる。
なお、本実施形態に係るZスキャナ33、特にZスキャナ33におけるレンズ駆動部33dは、制御部101から出力された制御信号に基づいて作動するように構成されている。
−狭域カメラ37−
狭域カメラ37は、本実施形態ではベンドミラー34と略同じ高さに配置されており、レーザ光走査部4からレーザ光案内部3へと入射した反射光を受光する。本実施形態に係る狭域カメラ37は、ワークWの印字点において反射された反射光が、ベンドミラー34を介して入射するように構成されている。狭域カメラ37は、そうして入射した反射光を結像することで、ワークWの表面の画像を撮像することができる。なお、狭域カメラ37のレイアウトは、適宜、変更可能である。例えば、狭域カメラ37及びベンドミラー34の高さを互いに異ならせてもよい。
狭域カメラ37が結像に用いる反射光は、前述の下流側光路Pdに沿って伝搬する。よって、レーザ光走査部4を適宜作動させることで、図13に例示する撮像領域R3を走査することができる。
なお、本実施形態に係る狭域カメラ37は、ガイド光源36等と同様に、制御部101から出力された制御信号に基づいて作動するように構成されている。
−ベンドミラー34−
ベンドミラー34は、下流側光路Pdの途中に設けられており、該光路Pdを折り曲げて後方に指向させるように配置されている。図6に示すように、ベンドミラー34は、下流側合流機構35におけるダイクロイックミラー35aと略同じ高さに配置されており、Zスキャナ33を通過した近赤外レーザ光及びガイド光を反射することができる。
ベンドミラー34によって反射された近赤外レーザ光及びガイド光は、後方に向かって伝搬し、下流側合流機構35を通過してレーザ光走査部(具体的には第1スキャナ41)へ至る。
−下流側合流機構35−
下流側合流機構35は、測距ユニット5における測距光出射部5Aから出射された測距光を、前述の下流側光路Pdに合流させることによりレーザ光走査部4を介してワークWへ導く。加えて、下流側合流機構35は、ワークWにより反射されてレーザ光走査部4及び下流側光路Pdの順に戻る測距光を、測距ユニット5における測距光受光部5Bへ導く。
下流側合流機構35を設けることで、測距光出射部5Aから出射された測距光と、下流側光路Pdにおける近赤外レーザ光及びガイド光と、を同軸にすることができる。それと同時に、下流側合流機構35を設けることで、マーカヘッド1から出射されてワークWにより反射された測距光のうち、マーカヘッド1に入射した測距光を測距光受光部5Bまで導くことができる。
前述のように、測距光の波長は、近赤外レーザ光及びガイド光の波長と相違するように設定されている。そのため、下流側合流機構35は、上流側合流機構31と同様に、例えばダイクロイックミラーを用いて構成することができる。
具体的に、本実施形態に係る下流側合流機構35は、測距光及びガイド光の一方を透過させ、他方を反射するダイクロイックミラー35aを有している(図6及び図7を参照)。より詳細には、ダイクロイックミラー35aは、ベンドミラー34と略同じ高さ位置で、かつベンドミラー34の後方に配置されており、筐体10内の短手方向の左側のスペースに配置される。
ダイクロイックミラー35aはまた、図6等に示すように、その一方側の鏡面をベンドミラー34に向け、かつ他方側の鏡面をベースプレート12に向けた姿勢で固定されている。よって、ダイクロイックミラー35aにおける一方側の鏡面には近赤外レーザ光及びガイド光が入射する一方、他方側の鏡面には測距光が入射することになる。
そして、本実施形態に係るダイクロイックミラー35aは、測距光を反射し、かつ近赤外レーザ光とガイド光とを透過させることができる。これにより、例えば測距ユニット5から出射された測距光がダイクロイックミラー35aに入射したときには、その測距光を下流側光路Pdに合流させ、近赤外レーザ光及びガイド光と同軸にすることができる。そうして同軸化された近赤外レーザ光、ガイド光及び測距光は、図3A〜図3Bに示すように第1スキャナ41へ至る。
一方、ワークWにより反射された測距光は、レーザ光走査部4へ戻ることにより下流側光路Pdに至る。下流側光路Pへ戻った測距光は、下流側合流機構35におけるダイクロイックミラー35aにより反射されて測距ユニット5に至る。
なお、測距ユニット5からダイクロイックミラー35aに入射する測距光、及び、ダイクロイックミラー35aにより反射されて測距ユニット5に入射する測距光は、図7に示すように、双方とも、筐体10を平面視したときの左右方向(筐体10の短手方向)に沿って伝搬するようになっている。
(レーザ光走査部4)
図3Aに示すように、レーザ光走査部4は、レーザ光出力部2から出射されてレーザ光案内部3により案内されたレーザ光(近赤外レーザ光)をワークWへ照射するとともに、そのワークWの表面上で2次元走査するように構成されている。
図5に示す例では、レーザ光走査部4は、いわゆる2軸式のガルバノスキャナとして構成されている。すなわち、このレーザ光走査部4は、レーザ光案内部3から入射した近赤外レーザ光を第1方向に走査するための第1スキャナ41と、第1スキャナ41により走査された近赤外レーザ光を第2方向に走査するための第2スキャナ42と、を有している。
ここで、第2方向は、第1方向に対して略直交する方向を指す。よって、第2スキャナ42は、第1スキャナ41に対して略直交する方向に近赤外レーザ光を走査することができる。本実施形態では、第1方向は前後方向(筐体10の長手方向)に等しく、第2方向は左右方向(筐体10の短手方向)に等しい。以下、第1方向を「X方向」と呼称し、これを直交する第2方向を「Y方向」と呼称する。X方向とY方向は、双方とも前述のZ方向と直交している。
第1スキャナ41は、その先端に第1ミラー41aを有している。第1ミラー41aは、ベンドミラー34及びダイクロイックミラー35aと略同じ高さ位置で、かつダイクロイックミラー35aの後方に配置されている。よって、図5に示すように、ベンドミラー34と、ダイクロイックミラー35aと、第1ミラー41aは、前後方向(筐体10の長手方向)に沿って一列に並ぶようになっている。
第1ミラー41aはまた、第1スキャナ41に内蔵されたモータ(不図示)によって回転駆動される。このモータは、上下方向に延びる回転軸まわりに第1ミラー41aを回転させることができる。第1ミラー41aの回転姿勢を調整することで、第1ミラー41aによる近赤外レーザ光の反射角を調整することができる。
同様に、第2スキャナ42は、その先端に第2ミラー42aを有している。第2ミラー42aは、第1スキャナ41における第1ミラー41aと略同じ高さ位置でかつ、この第1ミラー41aの右方に配置されている。よって、図6に示すように、第1ミラー41aと、第2ミラー42aは、左右方向(筐体10の短手方向)に沿って並ぶようになっている。
第2ミラー42aはまた、第2スキャナ42に内蔵されたモータ(不図示)によって回転駆動される。このモータは、前後方向に延びる回転軸まわりに第2ミラー42aを回転させることができる。第2ミラー42aの回転姿勢を調整することで、第2ミラー42aによる近赤外レーザ光の反射角を調整することができる。
よって、下流側合流機構35からレーザ光走査部4へ近赤外レーザ光が入射すると、その近赤外レーザ光は、第1スキャナ41における第1ミラー41aと、第2スキャナ42における第2ミラー42aとによって順番に反射され、透過ウインドウ19を介してマーカヘッド1の外部へ出射することになる。
そのときに、第1スキャナ41のモータを作動させて第1ミラー41aの回転姿勢を調整することで、ワークWの表面上で近赤外レーザ光を第1方向に走査することが可能となる。それと同時に、第2スキャナ42のモータを作動させて第2ミラー42aの回転姿勢を調整することで、ワークWの表面上で近赤外レーザ光を第2方向に走査することが可能になる。
また前述のように、レーザ光走査部4には、近赤外レーザ光ばかりでなく、下流側合流機構35のダイクロイックミラー35aを通過したガイド光、又は、同ミラー35aによって反射された測距光も入射することになる。本実施形態に係るレーザ光走査部4は、第1スキャナ41及び第2スキャナ42をそれぞれ作動させることで、そうして入射したガイド光又は測距光を2次元走査することができる。
なお、第1ミラー41a及び第2ミラー42aが取り得る回転姿勢は、基本的には、第2ミラー42aによって近赤外レーザ光が反射されたときに、その反射光が透過ウインドウ19を通過するような範囲内に設定される(図7〜図8も参照)。
こうして、本実施形態に係るレーザ光走査部4は、走査制御部としての制御部101により制御されることにより、図13に例示するように、所定の加工領域R1に近赤外レーザ光を照射して、同領域R1内に所定の加工パターン(マーキングパターン)を形成することができる。
(広域カメラ6)
前述のように、レーザ光案内部3には狭域カメラ37が設けられている。本実施形態に係るマーカヘッド1は、この狭域カメラ37とは別に、広域カメラ6を備えている。広域カメラ6は、透過ウインドウ19の直上方に配置されており、その撮像レンズを下方に向けた姿勢で固定されている。
図3A及び図3Bに例示するように、広域カメラ6の光軸は、近赤外レーザ光の光軸と同軸化されていない。そのため、レーザ光走査部4によって走査されないものの、図13に示すように、広域カメラ6の撮像領域R2は、狭域カメラ37の撮像領域R3より広い。すなわち、広域カメラ6は、狭域カメラ37よりも広範囲にわたってワークWの表面を撮像することができる。
なお、狭域カメラ37及び広域カメラ6は、後述の制御態様において用いられるところ、少なくとも一方のカメラを用いればよい。すなわち、狭域カメラ37のみを用いてもよいし、広域カメラ6のみを用いてもよいし、両者を組み合わせて用いてもよい。そのため、狭域カメラ37及び広域カメラ6を双方とも備える構成は、必須ではない。
(測距ユニット5)
図3Bに示すように、測距ユニット5は、レーザ光走査部4を介して測距光を投光し、これをワークWの表面に照射する。測距ユニット5はまた、ワークWの表面により反射された測距光を、レーザ光走査部4を介して受光する。
測距ユニット5は、主に、測距光を投光するためのモジュールと、測距光を受光するためのモジュールと、に大別される。具体的に、測距ユニット5は、筐体10の内部に設けられ、レーザ加工装置Lにおけるマーカヘッド1からワークWの表面までの距離を測定するための測距光を、レーザ光走査部4に向けて出射する測距光出射部5Aと、筐体10の内部に設けられ、測距光出射部5Aから出射されてワークWにより反射された測距光を、レーザ光走査部4を介して受光する測距光受光部5Bと、を備えている。また、測距ユニット5はさらに、測距光出射部5A及び測距光受光部5Bを下方から支持する支持台50を備えており、この支持台50を介して筐体10の内部に固定されている。
前述のように、測距ユニット5は、第1スペースS1における短手方向他側の空間に設けられている。図7に示すように、測距ユニット5は、筐体10の長手方向に沿って前方に測距光を出射するとともに、同長手方向に沿って略後方に伝搬する測距光を受光する。
また、測距ユニット5は、前述のダイクロイックミラー35aを介してレーザ光案内部3と光学的に結合される。前述のように、測距ユニット5は、筐体10の長手方向に沿って測距光を投光する。それに対し、ダイクロイックミラー35aは、筐体10の長手方向ではなく、その短手方向に沿って伝搬した測距光を反射するようになっている。
そこで、測距ユニット5とダイクロイックミラー35aを結ぶ光路を構成するべく、筐体10の内部にはベンドミラー59が設けられている(図6及び図7を参照)。
よって、測距光出射部5Aからベンドミラー59に入射した測距光は、同ミラー59によって反射されてダイクロイックミラー35aに入射する。一方、レーザ光走査部4に戻ってダイクロイックミラー35aによって反射された測距光は、ベンドミラー59に入射するとともに、同ミラー59によって反射されて測距光受光部5Bに入射する。
以下、測距ユニット5を成す各部の構成について、順番に説明をする。
−測距光出射部5A−
測距光出射部5Aは、筐体10の内部に設けられており、レーザ加工装置Lにおけるマーカヘッド1から、ワークWの表面までの距離を測定するための測距光を出射するよう構成されている。
具体的に、測距光出射部5Aは、前述の測距光源51及び投光レンズ52と、これらを収容するケーシング53と、投光レンズ52によって集光された測距光を案内する一対のガイドプレート54L、54Rと、を有している。測距光源51、投光レンズ52及びガイドプレート54L、54Rは筐体10の後側から順番に並んでおり、それらの並び方向は、筐体10の長手方向と実質的に等しい。
ケーシング53は、筐体10及び支持台50の長手方向に沿って延びる筒状に形成されており、同方向における一側、すなわち筐体10の後側に対応する一端部には測距光源51が取り付けられている一方、筐体10の前側に対応する他端部には投光レンズ52が取り付けられている。測距光源51と投光レンズ52との間の空間は、略気密状に密閉されている。
測距光源51は、制御部101から入力された制御信号にしたがって、筐体10の前側に向かって測距光を出射する。詳しくは、測距光源51は、測距光として、可視光域にあるレーザ光を出射することができる。特に、本実施形態に係る測距光源51は、測距光として、690nm付近の波長を有する赤色レーザ光を出射する。
測距光源51はまた、測距光として出射される赤色レーザ光の光軸Aoが、ケーシング53の長手方向に沿うような姿勢で固定されている。よって、測距光の光軸Aoは、筐体10及び支持台50の長手方向に沿うこととなり、投光レンズ52の中央部を通過してケーシング53の外部に至る。
投光レンズ52は、支持台50の長手方向においては、測距光受光部5Bにおける一対の受光素子56L、56Rと、受光レンズ57と、の間に位置している。投光レンズ52は、測距光の光軸Aoが通過するような姿勢とされている。
投光レンズ52は、例えば平凸レンズとすることができ、球面状の凸面をケーシング53の外部に向けた姿勢で固定することができる。投光レンズ52は、測距光源51から出射された測距光を集光し、ケーシング53の外部に出射する。ケーシング53の外部に出射された測距光は、ガイドプレート54L、54Rに至る。
ガイドプレート54L、54Rは、支持台50の短手方向に並んだ一対の部材として構成されており、それぞれ、支持台50の長手方向に延びる板状体とすることができる。一方のガイドプレート54Lと、他方のガイドプレート54Rとの間には、測距光を出射するためのスペースが区画される。ケーシング53の外部に出射された測距光は、そうして区画されたスペースを通過して出力される。
よって、測距光源51から出射された測距光は、ケーシング53内部の空間、投光レンズ52の中央部、ガイドプレート54L、54Rの間のスペースを通過して、測距ユニット5の外部に出力される。そうして出力された測距光は、ベンドミラー59と、下流側合流機構35におけるダイクロイックミラー35aと、によって反射されて、レーザ光走査部4に入射する。
レーザ光走査部4に入射した測距光は、第1スキャナ41の第1ミラー41aと、第2スキャナ42の第2ミラー42aと、によって順番に反射され、透過ウインドウ19からマーカヘッド1の外部へ出射することになる。
レーザ光走査部4の説明に際して記載したように、第1スキャナ41の第1ミラー41aの回転姿勢を調整することで、ワークWの表面上で測距光を第1方向に走査することできる。それと同時に、第2スキャナ42のモータを作動させて第2ミラー42aの回転姿勢を調整することで、ワークWの表面上で測距光を第2方向に走査することが可能になる。
そうして走査された測距光は、ワークWの表面上で反射される。そうして反射された測距光の一部(以下、これを「反射光」ともいう)は、透過ウインドウ19を介してマーカヘッド1の内部に入射する。マーカヘッド1の内部に入射した反射光は、レーザ光走査部4を介してレーザ光案内部3に戻る。反射光は、測距光と同じ波長を有することから、レーザ光案内部3における下流側合流機構35のダイクロイックミラー35aによって反射され、ベンドミラー59を介して測距ユニット5に入射する。
−測距光受光部5B−
測距光受光部5Bは、筐体10の内部に設けられており、測距光出射部5Aから出射されてワークWにより反射された測距光(前述の「反射光」に等しい)を受光するよう構成されている。
具体的に、測距光受光部5Bは、一対の受光素子56L、56Rと、受光レンズ57と、を有している。一対の受光素子56L、56Rが、それぞれ支持台50の後端部に配置されている一方、受光レンズ57は、それぞれ支持台50の前端部に配置されている。したがって、一対の受光素子56L、56Rと、受光レンズ57と、は実質的に筐体10及び支持台50の長手方向に沿って並ぶようになっている。
一対の受光素子56L、56Rは、筐体10の内部において、測距光出射部5Aにおける測距光の光軸Aoを挟むように各々の光軸Al、Arが配置されている。一対の受光素子56L、56Rは、レーザ光走査部4へ戻った反射光をそれぞれ受光する。
詳しくは、一対の受光素子56L、56Rは、測距光出射部5Aの光軸Aoに直交する方向に並んでいる。この実施形態では、一対の受光素子56L、56Rの並び方向は、筐体10及び支持台50の短手方向、すなわち左右方向に等しい。同方向において、一方の受光素子56Lが測距光源51の左側に配置され、他方の受光素子56Rが測距光源51の右側に配置されている。
そして、一対の受光素子56L、56Rは、それぞれ、斜め前方に指向せしめた受光面を有しており、各受光面における反射光の受光位置を検出し、その検出結果を示す信号(検出信号)を出力する。各受光素子56L、56Rから出力される検出信号は、マーカコントローラ100に入力されて距離測定部103に至る。
各受光素子56L、56Rとして使用可能な素子としては、例えば、相補型MOS(Complementary MOS:CMOS)から成るCMOSイメージセンサ、電荷結合素子(Charge-Coupled Device:CCD)から成るCCDイメージセンサ、光位置センサ(Position Sensitive Detector:PSD)等が挙げられる。
本実施形態では、各受光素子56L、56Rは、CMOSイメージセンサを用いて構成されている。この場合、各受光素子56L、56Rは、反射光の受光位置ばかりでなく、その受光量分布(受光波形)を検出することができる。すなわち、CMOSイメージセンサを用いて各受光素子56L、56Rを構成した場合、各々の受光面aには、少なくとも左右方向に画素が並ぶことになる。この場合、各受光素子56L、56Rは、画素ごとに信号を読み出して増幅し、外部に出力することができる。各画素における信号の強度は、反射光が受光面56a上でスポットを形成したときに、そのスポットにおける反射光の強度に基づき決定される。
なお、CMOSイメージセンサのように、受光量分布(受光波形)を検出可能な素子を用いて各受光素子56L、56Rを構成した場合、各受光素子56L、56Rにおける受光量の大きさは、測距光の強度、すなわち測距光出射部5Aから出射される測距光の強度(以下、これを「投射光量」又は「出射光量」ともいう)と、画素毎に信号を増幅する際のゲイン(以下、これを「受光ゲイン」ともいう)と、を用いて調整することができる。また、ゲインの他にも、各受光素子56L、56Rにおける露光時間を用いて調整することができる。
本実施形態に係る一対の受光素子56L、56Rは、少なくとも、反射光の受光位置を示すピーク位置と、その反射光の受光量を検出することができる。受光量を示す指標としては、例えば、反射光の受光量分布における、ピークの高さを用いることができる。これに代えて、受光量分布の合算値、平均値、積分値を用いてもよい。
なお、反射光の受光位置を示す指標として、本実施形態では受光量分布のピーク位置を用いているが、これに代えて、受光量分布の重心位置としてもよい。
受光レンズ57は、筐体10の内部において一対の受光素子56L、56Rそれぞれの光軸が通過するように配置されている。受光レンズ57はまた、下流側合流機構35と一対の受光素子56L、56Rとを結ぶ光路の途中に設けられており、下流側合流機構35を通過した反射光を、一対の受光素子56L、56Rそれぞれの受光面に集光させることができる。
受光レンズ57は、レーザ光走査部4へ戻った反射光を集光し、各受光素子56L、56Rの受光面上に反射光のスポットを形成させる。各受光素子56L、56Rは、そうして形成されたスポットのピーク位置と、受光量を示す信号を距離測定部103に出力する。
レーザ加工装置Lは、基本的には、受光素子56L、56R各々の受光面における反射光の受光位置(本実施形態ではスポットのピークの位置)に基づいて、ワークWの表面までの距離を測定することができる。距離の測定手法としては、いわゆる三角測距方式が用いられる。
<距離の測定手法について>
図9は、三角測距方式について説明する図である。図9においては、測距ユニット5のみが図示されているが、以下の説明は、前述のようにレーザ光走査部4を介して測距光が出射される場合にも適用可能である。
図9に例示するように、測距光出射部5Aにおける測距光源51から測距光が出射されると、その測距光は、ワークWの表面に照射される。ワークWによって測距光が反射されると、その反射光(特に拡散反射光)は、仮に正反射の影響を除いたならば、略等方的に伝搬することになる。
そうして伝搬する反射光には、受光レンズ57を介して受光素子56Lに入射する成分が含まれるものの、マーカヘッド1とワークWとの距離に応じて、受光素子56Lへの入射角が増減することになる。受光素子56Lへの入射角が増減すると、その受光面56aにおける受光位置が増減することになる。
このように、マーカヘッド1とワークWとの距離と、受光面56aにおける受光位置と、は所定の関係を持って関連付いている。したがって、その関係を予め把握するとともに、例えばマーカコントローラ100に記憶させておくことで、受光面56aにおける受光位置から、マーカヘッド1とワークWまでの距離を算出することができる。このような算出方法は、いわゆる三角測距方式を用いた手法に他ならない。
すなわち、前述の距離測定部103が、測距光受光部5Bにおける測距光の受光位置に基づいて、三角測距方式によりレーザ加工装置LからワークWの表面までの距離を測定する。
具体的に、前述の条件設定記憶部102には、受光面56aにおける受光位置と、マーカヘッド1とワークWの表面までの距離との関係が予め記憶されている。一方、距離測定部103には、測距光受光部5Bにおける測距光の受光位置、詳しくは反射光が受光面56a上に形成するスポットのピークの位置を示す信号が入力される。
距離測定部103は、そうして入力された信号と、条件設定記憶部102が記憶している関係と、に基づいて、ワークWの表面までの距離を測定する。そうして得られた測定値は、例えば制御部101に入力されて、制御部101によるZスキャナ33等の制御に用いられる。
例えば、レーザ加工装置Lは、ワークWの表面のうち、マーカヘッド1による加工対象となる部位(印字点)を自動/手動で決定する。続いて、レーザ加工装置Lは、印字加工を実行するに先立って、各印字点(より正確には、印字点周辺に設定した測距点)までの距離を測定するとともに、その距離に見合う焦点位置となるようにZスキャナ33の制御パラメータを決定する。レーザ加工装置Lは、そうして決定された制御パラメータに基づいてZスキャナ33を作動させた後に、近赤外レーザ光によってワークWに印字加工を施す。
以下、レーザ加工システムSの具体的な使用方法について説明をする。
<レーザ加工システムSの使用方法について>
図10は、レーザ加工システムSの使用方法を示すフローチャートである。また、図11は、印字設定の作成手順を例示するフローチャートであり、図12はレーザ加工装置Lの運用手順を例示するフローチャートである。
また、図13はワークWの加工領域R1と、表示部801との関係について例示する図であり、図14は、測距条件の設定手順を例示するフローチャートである。
また、図15Aは印字ブロック及び印字パターンの設定画面を例示する図であり、図15Bは各印字ブロックにおける測距点を例示する図であり、図15Cは測距点のレコメンドについて例示する図であり、図15Dは測距領域の変更について説明する図であり、図15Eは、運用時に用いられる測距点を例示する図であり、図15Fは測距点と印字ブロックとの紐付について説明する図であり、図16は印字ブロック毎に定められた測距条件を例示する図である。
レーザマーカとして構成されたレーザ加工システムSは、例えば、工場の製造ライン上に設定して運用することができる。その運用に際しては、まず、製造ラインの稼動に先だって、そのライン上を流れることになるワークWの設置位置、並びに、そのワークWに照射するレーザ光及び測距光の出力等の条件設定(印字設定)を作成する(ステップS1)。
このステップS1において作成された印字設定は、マーカコントローラ100、及び/又は、操作用端末800等に転送されて記憶されたり、作成直後にマーカコントローラ100が読み込んだりする(ステップS2)。
そして、製造ラインの稼動に際して、マーカコントローラ100は、予め記憶されていたり、作成直後に読み込まれたりした印字設定を読み込む。レーザ加工装置Sは、その印字設定に基づいて運用され、ライン上を流れる各ワークWに対し、印字加工を実行する(ステップS3)。
(印字設定の作成)
図11は、図10のステップS1における具体的な処理を例示している。
まず、ステップS11において、レーザ加工装置Lに内蔵されている狭域カメラ37及び広域カメラ6は、加工領域R1を示すカメラ画像を撮像する。前述のように、広域カメラ6の撮像領域R2は、狭域カメラ37の撮像領域R3よりも広い。
これにより、操作用端末800における表示部801が、加工領域R1に対応した設定面R4を表示する。これにより、加工領域R1上の座標、すなわちワークWの表面上の座標と、表示部801における表示面上の座標と、を対応付けることができる。
図13に示す例では、表示部801は、設定面R4として、加工領域R1の全域を表示しているが、この表示態様には限定されない。少なくとも、加工領域R1を含んでいればよい。
続くステップS12において、ステップS11において撮像されたカメラ画像に基づいて、ワークWの設置位置を補正する。詳細は省略するが、この工程は、XY平面(前述のX方向とY方向とがなす平面)に対する、ワークWの表面の傾きを補正したり、この表面の、Z軸(前述のZ方向に沿って延びる軸)まわりの回転(θ回転)を手動/自動で補正するものである。
続くステップS13において、設定部107が加工条件を設定する。設定部107は、条件設定記憶部102等における記憶内容を読み出したり、操作用端末800を介した操作入力等を読み込んだりすることで、加工条件を設定する。
加工条件には、印字内容等を示す印字パターン(マーキングパターン)及び、この印字パターンを含んだ印字ブロックが含まれる。印字ブロックは、印字パターンのレイアウト、サイズ、回転姿勢等の調整に用いることができる。
図15Aに示す例では、第1のワーク(第1ワーク)W1の表面上には、「ABC」という文字列からなる第1の印字パターン(第1パターン)P1と、これを含んでなる矩形状の第1の印字ブロック(第1ブロック)B1と、が設定面R4上に表示されている。
一方、設定面R4上における第1ワークW1の斜め下右方には、第2のワークW2が表示されている。第2のワーク(第2ワーク)W2の表面上には、「DEFG」という文字列からなる第2の印字パターン(第2パターン)P2と、これを含んでなる矩形状の第2の印字ブロック(第2ブロック)B2と、が表示されている。
なお、印字パターンは「加工パターン」の例示であり、印字ブロックは「加工ブロック」の例示である。印字加工以外のレーザ加工に適用する場合、それに対応した名称とすればよい。
図15Aに示すように、設定面R4上に複数のワークWを表示してもよいし、これに代えて、1つのワークWのみを表示してもよい。また、ワークW毎に、複数の印字ブロックを設けてもよい。印字パターンについても、例えばQRコード(登録商標)等、文字列以外のパターンを用いることができる。
このように、本実施形態に係る設定部107は、設定面R4上に、加工パターンを含んだ加工ブロックを設定することができるという点で、「加工ブロック設定部」を例示している。
加工条件には、レーザ条件も含まれる。このレーザ条件には、近赤外レーザ光の目標出力(レーザパワー)、近赤外レーザ光の繰り返し周波数、及び、レーザ光走査部4による近赤外レーザ光の走査速度(スキャンスピード)のうちの少なくとも1つが含まれる。本実施形態に係るレーザ加工装置Lのように、Qスイッチを用いてレーザ発振する場合、繰り返し周波数は、Qスイッチ周波数と略一致する。
続くステップS14において、印字ブロックをレイアウトする。その設定面R4上での印字ブロックの座標(ローカル座標)が、条件設定記憶部102等に保存される。
一般に、製造ラインを稼働させた際に順次加工されることになる各ワークWには、それぞれX方向及びY方向(XY方向)に位置ズレが生じることになる。本実施形態に係るレーザ加工装置Lは、種々の手法を用いることで、そうした位置ズレを補正することができる。そのために、ステップS15では、XY方向の位置ズレを補正するための条件設定を実施する。
XY方向における位置ズレを補正するための手法としては、例えばパターンサーチを用いることができる。その場合、このステップS15では、パターンサーチに係る条件(サーチ条件)として、パターンサーチ用のモデル画像が決定される。
また一般に、製造ラインを稼動させた際に順次加工されることになる各ワークWには、それぞれ、Z方向に位置ズレが生じることになる。そうした位置ズレは、近赤外レーザ光の焦点位置のズレを招くため望ましくない。本実施形態に係るレーザ加工装置Lは、測距ユニット5を備えているため、ワークWの表面までの距離に基づいて、Z方向の位置ズレを検知することができる。これにより、Z方向の位置ズレ、ひいては焦点位置のズレを補正することができる。そのために、ステップS16では、Z方向の位置ズレを補正するための条件設定を実施する。
具体的に、このステップS16では、測距ユニット5に係る条件(測距条件)が決定される。本実施形態に係る設定部107は、測距条件として、少なくとも加工領域R1において印字パターンが形成されるべき部分領域(印字パターンを含んだ印字ブロックに対応する部分領域)内に設定される測距点を決定する。この測距点は、レーザ加工装置Lからの距離が測定される座標を示す。
なお、ここでいう部分領域は、ワークWの表面全体としてもよいし、ワークWの表面の一部としてもよいし、ワークWの表面からずれていてもよい。部分領域は、少なくとも、形成対象とされた印字パターンに紐付いた領域であればよい。
これに加えて、設定部107は、測距条件として、一対の受光素子56L、56Rにおける反射光の受光波形を調整するためのパラメータを設定する。反射光の受光波形は、測距光出射部5Aにおける測距光の出射態様と、測距光受光部5Bにおける測距光の受光態様と、のバランスによって調整される。
受光波形を調整するためのパラメータのうち、測距光の出射態様を変更するためのパラメータには、測距光出射部5Aの出射光量(投射光量)、及び、測距光出射部5Aの投光時間が含まれる。
また、受光波形を調整するためのパラメータのうち、測距光の受光態様を変更するためのパラメータには、測距光受光部5Bの受光ゲイン、及び、測距光受光部5Bにおける露光時間が含まれる。
そこで、本実施形態に係る設定部107は、測距条件として、それらのパラメータのうちの少なくとも1つを設定する。具体的に、設定部107は、測距光出射部5Aの出射光量(投射光量)、測距光出射部5Aの投光時間、測距光受光部5Bの受光ゲイン、及び、測距光受光部5Bにおける露光時間のうちの少なくとも1つ(本実施形態では全て)を設定する。
設定部107による測距条件の設定は、印字ブロック毎に行われる。図15Aに示す例では、第1ブロックB1と、第2ブロックB2とのそれぞれについて、測距条件が個別に設定されることになる。
このように、本実施形態に係る設定部107は、印字ブロックの各々に対応した測距測距条件として、測距点と、出射光量、投光時間、受光ゲイン及び露光時間のうちの少なくとも1つと、を印字ブロック毎に設定することができるという点で、「測距条件設定部」を例示している。
続くステップS17において、マーカコントローラ100が印字設定の作成を完了する。
(印字加工の実行)
図12は、図10のステップS3における具体的な処理を例示している。すなわち、図12に示す処理は、製造ラインを稼働させたときに流れてくる各ワークWに対して順番に実行されるようになっている。
まず、ステップS31において、マーカコントローラ100が、印字ブロックの詳細等を示す印字設定を読み込む。そして、ステップS32において、レーザ加工装置Lに内蔵されている狭域カメラ37及び広域カメラ6が、加工領域R1を示すカメラ画像を撮像する。
続くステップS33において、マーカコントローラ100が、図11のステップS15で設定したサーチ条件を読み込む。それに続き、ステップS34において、マーカコントローラ100が、ステップS33で読み込んだサーチ条件に基づいてパターンサーチを実施して、XY方向におけるワークWの位置ズレを検知する。
続くステップS35において、マーカコントローラ100が、図11のステップS16で設定した測距条件を読み込む。それに続き、ステップS36において、マーカコントローラ100における距離測定部103が、測距条件として設定された測距点までの距離を測定し、その測定結果に基づいて、Z方向におけるワークWの位置ズレを検知する。
続くステップS37において、マーカコントローラ100が、XY方向におけるワークWの位置ズレを補正する。具体的には、マーカコントローラ100における設定部107が、設定面R4上での印字ブロックの座標(ローカル座標)を修正する。
続くステップS38において、マーカコントローラ100は、Z方向におけるワークWの位置ズレを補正する。具体的には、マーカコントローラ100におけるZスキャナ33が、ステップS36における測定結果に基づいて、印字ブロック毎に焦点位置を調整する。
続くステップS39において、マーカコントローラ100が、マーカヘッド1へと励起レーザ光を出力し、この励起光レーザ光に基づき生成される近赤外レーザ光を利用して印字加工を実行する。
(測距条件の設定方法の詳細)
以下、測距条件の設定方法について、さらに詳細に説明をする。
図15Aは、前述した図面であり、設定面R4上に、第1ワークW1と、第1ワークW1に印字されるべき印字パターンを示す第1パターンP1と、この第1パターンP1を含んだ印字ブロックを示す第1ブロックB1と、が表示されている。図15Aに示す設定面R4にはまた、第2ワークW2と、第2ワークW2に印字されるべき印字パターンを示す第2パターンP2と、この第2パターンP2を含んだ印字ブロックを示す第2ブロックB2と、が表示されている。
ここで、測距条件の設定開始を行うためのボタン(測距条件出し)をマウスクリック等によって押下すると、図14のステップS101に示す処理が実行される。
このステップS101において、設定部107は、加工領域R1のうち、印字ブロックに対応する部分領域内に、複数の測距点を定める。なお、ここでいう「複数の測距点」は、レーザ加工装置Lの運用時に実際に用いられる測距点の候補を指す。候補としての測距点と、運用時に用いられる測距点と、を区別すべく、以下の記載では、前者の測距点を「候補点」という。
具体的に、このステップS101においては、設定部107が、印字ブロック毎に、運用時に用いるべき測距点を推薦(以下、「レコメンド」)するための候補点を設定する。
なお、図15Bに示す例では、第1ブロックB1に対応する部分領域は、第1ブロックB1の全域に対応し、第2ブロックB2に対応する部分領域は、第2ブロックB2の全域に対応している。
また、第1ブロックB1における候補点G1は、略等間隔で並んでおり、第2ブロックB2における候補点G2もまた、略等間隔で並んでいる。
このように、加工ブロック設定部としての設定部107は、部分領域において略等間隔で並ぶように、この部分領域内に複数の候補点を定める。なお、複数の候補点を定めるための部分領域は、設定部107が決定することができる。具体的に、測距領域設定部としての設定部107は、操作用端末800を介した使用者による操作に基づいて、設定面R4から部分領域を切り出して選択することができる。
ステップS101から続くステップS102において、走査制御部としての制御部101は、設定部107により設定された部分領域内で、各候補点までの距離が測定されるようにレーザ光走査部4を制御する。距離の測定値は、距離測定部103によって算出されて、安定度算出部104に入力される。
安定度算出部104は、制御部101を介してレーザ光走査部4と距離測定部103を制御することにより、複数の候補点の各々について、該候補点までの距離を複数回測定するか、或いは、該候補点の近傍に位置する複数の測定部位までの距離を測定する。これらの測定態様は、レーザ加工装置Lの出荷時に予め設定してもよいし、操作用端末800を通じてユーザが選択してもよい。いずれの測定態様を選択したとしても、候補点毎に、複数回の測定が実施されることになる。
そして、ステップS103に示すように、安定度算出部104は、候補点毎に複数回実施された測定結果に基づいて、各候補点の安定度を算出する。安定度は、各候補点における測定の安定性を示す指標である。安定度の算出方法法としては、候補点ごとに複数の測定結果が得られるところ、その距離のばらつきを算出し、これを安定度とすることができる。
このように、安定度としては、候補点ごとに得られる距離のばらつきを用いることができる。なお、「ばらつき」を示す指標としては、例えば、標準偏差、分散等を初めとする統計指標を用いてもよい。
また、安定度の算出に際しては、候補点までの距離を複数回測定して得られた距離に基づく安定度と、候補点の近傍に位置する複数の測定部位までの距離に基づく安定度と、を独立して算出し、各手法によって得られた安定度そのもののばらつきを、最終的な安定度としてもよい。
なお、ステップS103に示す処理は、候補点毎に得られる距離に基づくものであるが、これに代えて、候補点毎に得られる受光量分布を用いてもよい。例えば、反射光の受光量のばらつきを算出し、これを安定度としてもよい。また、受光量に基づく安定度と、距離に基づく安定度と、を組み合わせて用いてもよい。
ステップS103から続くステップS104において、表示制御部105は、安定度算出部104による算出結果に基づいて、各候補点の中から、印字加工に用いるべき測距点をレコメンドする。
具体的に、このステップS104では、表示制御部105は、安定度算出部104による算出結果に基づいて、設定面R4上に安定度に応じた視覚表示を行う。
つまり、ここに示す例では、制御部101が、部分領域内で各候補点までの距離が測定されるように、レーザ光走査部4及び距離測定部103を制御する。その後に、表示制御部105は、距離測定部103による測定結果に基づいて、部分領域内に視覚表示を実行する。
視覚表示の具体例としては、予め設定した候補点の中から、相対的に安定度の高い候補点のみを表示させることが考えられる。図15Cに例示する設定面R4上では、第2ワークW2に係る候補点G2のうち、安定度の高い候補点g2のみが表示されている。図15Cに例示するように、安定度の高い候補点g2は、1点とは限らない。また、この例では、安定度の低い候補点G2は、設定面R4上に表示されていない。
このように、表示制御部105は、設定面R4上に複数の候補点を表示するとともに、各候補点に対応した安定度の高低に応じて、各候補点の表示態様を異ならせることができる。
ここで、図15Cの第1ワークW1に例示するように、安定度の高い候補点が存在しなかった場合を考える。この場合、マーカコントローラ100は、図15Dに例示するように、部分領域B1’を新たに設定し、その領域内で再度測定を実施することができる。この設定は、自動で行ってもよいし、ユーザが手動で指定してもよい。図15Dに示す例では、新たに測定を行った結果、安定度の高い候補点g1が複数個にわたり得られたことが見て取れよう。このように、安定度を算出するために距離を測定する領域は、印字ブロックと重なり合う必要はない。
ステップS104から続くステップS105において、設定部107は、安定度の高い候補点の中から、運用時に用いる測距点を選択して決定する。図15Eに示す例では、第1ブロックB1に対応する候補点g1の中から、星型の測距点(以下、「第1測距点」という)I1が選択され、第2ブロックB2に対応する候補点g2の中から、同じく星型の測距点(以下、「第2測距点」という)I2が選択されている。
測距点の選択は、自動で行ってもよいし、手動で行ってもよい。自動で選択する場合、は、例えば、対応する印字ブロックの中央部に近い候補点を選択したり、同ブロックの四隅に近い候補点を選択したり、することができる。
すなわち、測距条件設定部又は加工ブロック設定部としての設定部107は、予め定められた規則(印字ブロックの中央部に近い候補点を選択する、印字ブロックの四隅に近い候補点を選択する等)に従って、印字ブロック毎に測距点を自動的に設定する、としてもよい。この場合、測距点を設定するための規則は、条件設定記憶部102等、各種メモリに予め記憶されることになる。
一方、手動で選択する場合は、測距点受付手段としての操作部802が、設定面R4上でのクリック操作等、ユーザによる操作を受け付けて、その操作に基づいて測距点を設定することができる。
ステップS105から続くステップS106において、測距条件設置部としての設定部107が、印字ブロック毎に測距点を紐付けし、条件設定記憶部102に記憶させる。図15Fに示す例では、第1ブロックB1と第1測距点I1とが紐付けられ、第2ブロックB2と第2測距点I2とが紐付けられる。
その後、測距条件調整手段としての設定部107は、印字ブロック毎に最適な測距条件を実現するべく、ブロック毎に測距条件を整える。そのために、設定部107は、測距光出射部5Aの出射光量及び投光時間、並びに、測距光受光部5Bの受光ゲイン及び露光時間のうちの少なくとも1つを、印字ブロック毎に調整する。
具体的には、ステップS106から続くステップS107において、安定度に基づいて決定された測距点まで測距光を走査して、該測距点に対して測距光を投射する。このときの測距条件には、条件設定記憶部102に記憶されている出射光量(投射光量)と、投光時間と、受光ゲインと、露光時間と、が含まれる。
続くステップS108とステップS109において、設定部107は、制御部101等を介して出射光量と、投光時間と、受光ゲインと、露光時間と、を調整する。
それに続くステップS110において、設定部107は、測距光受光部5Bにより検出される受光量分布に基づいて、現時点での受光波形が適切か否かを判定する。この判定がNOの場合はステップS108へ戻り、出射光量及び受光ゲイン等をさらに調整する。一方、この判定がYESの場合はステップS111へ進み、印字ブロックに対応した測距条件として新たに保存する。
受光波形の判定は、例えば、受光量の大きさが、所定の範囲内に収まっているか否かを判定すればよい。すなわち、受光量の大きさが所定の範囲内に収まっている場合は、受光量は、過大ではなく、それでいて過小でもない、とみなし、受光波形が適切であると判定することができる。
続くステップS107からステップS111に示す処理は、印字ブロック毎に実行される。例えば、図16に示す例では、第1ブロック(印字ブロック1)B1に対応した測距条件と、第2ブロック(印字ブロック2)B2に対応した測距条件と、が独立して設定される。
一般に、ワークWの反射特性に応じて、受光量は変動する。そのため、図15Aに例示するように複数のワークWを加工対象とする場合は、ワークW毎に適切な測距条件は変わり得る。また、一体のワークWであったしても、その表面上に明暗領域が形成されていた場合は、印字ブロック、ひいては測距点の配置次第で、適切な測距条件は変わり得る。よって、前記のように、測距点毎に測距条件を決定する方法は、適切な測距条件を実現する上で有効である。
また、候補点の抽出に用いた安定度は、走査方法そのもののレコメンドにも有効である。例えば、測距光の走査に係るパラメータを変更しながら、各測距点について安定度を算出し、その安定度が多いパラメータを、最適な走査方法とすることができる。
走査に係るパラメータには、測距光を走査するときに軌跡、測距光を走査する範囲の大きさ、測距光の走査速度、測距光をワークWに投射するタイミング、測定結果の統計処理に用いるパラメータ(例えば、平均化を行うタイミング)、測距光の強度等が含まれる。
また、設定部107は、前述の加工条件を印字ブロック毎に設定することができる。よって、設定部107は、測距条件と、加工条件とを印字ブロック毎に紐付けて設定することになる。
以上説明したように、本実施形態に係るレーザ加工装置Lにおいては、例えば図15Aに例示するように、設定面R4上に各々印字パターンP1、P2を含んだ複数の印字ブロックB1、B2を設定することができる。そして、図16に例示するように、本実施形態に係る設定部107は、複数の印字ブロックB1、B2の各々に対応した測距条件を設定することができる。
そして、レーザ加工装置Lの運用に際して、実際に印字パターンが形成される際、距離測定部103は、印字ブロックB1、B2に紐付いた測距条件に基づいて測距点I1、I2までの距離を測定するとともに、Zスキャナ33は、その測定結果に基づいて、印字ブロックB1、B2毎に焦点位置を調整することができる。
すなわち、Zスキャナ33は、印字ブロックB1、B2毎に測定された距離に基づいて、同ブロック毎に焦点位置を調整することができる。そして、各印字ブロックB1、B2には、印字パターンP1、P2ばかりでなく、受光ゲイン及び出射光量等、距離を測定するための測距条件を紐付けることができる。
これにより、例えば、第1及び第2ワークW1、W2それぞれの表面状態を印字ブロックB1、B2毎に考慮して、その表面状態を考慮した測距条件を定めることができる。印字ブロックB1、B2毎に受光量を適切に調整することで、ユーザの手間を省き、レーザ加工装置Lの使い勝手を向上させることができる。
また、印字ブロックB1、B2毎に測距条件を定めておくことで、余計な待ち時間を抑制することができる。これにより、レーザ加工装置Lの使い勝手をさらに向上させることができる。
また、本実施形態に係るレーザ加工装置Lにおいては、図15C及び図15Dに例示するように、安定度算出部104が、複数の候補点G2の各々までの距離に基づいて、各候補点G2における測定の安定性を示す安定度を算出する。そして、表示制御部105は、例えば図15Eに例示するように、安定度算出部104による算出結果に基づいて、その算出結果に応じた視覚表示を行う。
この視覚表示は設定面R4上で行われるため、ユーザは、各候補点G2における安定度を視認することができる。そのことで、レーザ加工装置Lを実際に運用したり、印字ブロックB1、B2毎に測距条件を定めたりする際に、安定度が相対的に高い測距点I1、I2を用いることができ、測定の安定性を確保することができる。
<測距点のレコメンドに関連した変形例>
−候補点の設定に係る変形例−
前記実施形態では、測距点のレコメンドに際して、測距対象となる部分領域を設定した後に、その領域内で候補点を探索するように構成されていたが、この構成には限定されない。
例えば、部分領域を設定する前に、予め、自動的に候補点を探索してもよい(自動スキャン)。詳しくは、走査制御部としての制御部101は、測距領域設定部としての設定部107による選択に先立って、各候補点までの距離が測定されるようにレーザ光走査部4及び距離測定部103を制御し、表示制御部105は、距離測定部103による測定結果に基づいて、設定部107により選択された領域内に視覚表示を行う、となるように構成することができる。
また、前記実施形態では、部分領域は、対応する印字ブロックB1と略一致していたが、この構成には限定されない。例えば、設定面R4の全域を部分領域とすることができる。
こうした変形例は、図17A及び図17Bに示されている。詳しくは、図17Aは自動スキャンにおける候補点を示す図15B対応図であり、図17Bは自動スキャンにおけるレコメンドについて例示する図15C対応図である。
図17Aに例示するように、設定部107は、設定面R4の全域に等間隔で候補点G0を設定する。そして、設定部107は、各候補点G0について、予め距離の測定を実施しておくとともに、その測定結果を条件設定記憶部102等に記憶しておく。
そして、部分領域として設定面R4の全域が選択されると、図17Bに例示するように、表示制御部105は、安定度の高い候補点g0を網羅的に表示する。ここで、前記実施形態のように、設定面R4の全域以外の領域を部分領域として選択してもよい。
例えば、ワークW1、W2の表面と略一致するような部分領域を選択した場合には、ワークW1の周縁よりも内側の領域内のみ、安定度の高い候補点g1’、g2’が表示される。
−表示態様の変形例−
図18A、図18B及び図18C、操作用端末800における具体的な表示態様と、その変形例を例示する図である。詳しくは、図18Aは、表示態様の変形例を説明する図であり、図18Bはスキャン領域の手動設定について説明する図であり、図18Cはレコメンドに係る別例を示す図である。
図18Aに例示するように、この設定面R4には、第3の印字パターンP3と、これに対応した第3の印字ブロックB3と、が表示されている。ここで、画面右側に表示されている第1ボックスD1に設けられたボタンT1にクリック操作を行うと、図18Bに例示する第2ボックスD2が表示される。
この第2ボックスD2における各パラメータを調整することで、矩形以外の形状を有する測定領域R5を設定することができる。この設定に基づいて、前記実施形態と同様の処理を行うことで、運用時に用いる測距点I3を決定することができる。図18Bに例示刷るように、部分領域R5は、第3の印字ブロックB3からはみ出していてもよい。さらに、第2ボックスD2における「推奨座標X」及び「推奨座標Y」に示すように、測定領域R5内で最も安定度の高い座標を表示してもよい。
また、前記実施形態では、表示制御部105による表示態様の一例として、設定面R4上に、安定度の高い候補点のみを表示する構成について説明したが、この構成には限定されない。例えば、図18Cに示すように、安定度の高低に応じて、部分領域R5内にグラデーションを施してもよい。
また、前記実施形態では、印字ブロックに紐付けられる測距条件として、設定面R4上での測距点の座標と、出射光量と、投光時間と、受光ゲインと、露光時間とについて説明したが、測距条件は、これに限定されない。より一般には、測距条件として、測定タイミング、測距光の走査設定、測定値の平均化に係るパラメータ、正常に測距されなかった場合のリトライ動作に係るパラメータ、測距にエラーが生じた場合の動作設定に係るパラメータ、並びに、測距光のサンプリング周波数等をそれぞれ設定し、対応する印字ブロックに紐付けてもよい。
また、本実施形態では、測距条件として、設定面R4上での測距点の座標を例示したが、ここでいう「座標」は、設定面R4上での絶対座標としてもよいし、対応する印字ブロックから見た相対座標としてもよい。
<その他の変形例>
なお、本実施形態では、マーカヘッド1から被加工物の表面までの距離を測定するための測距原理として、三角測距方式を用いることとしたが、ここに開示された技術は、例えばTOF(Time Of Flight)方式で測距する場合にも適用可能である。この場合、測距光受光部5Bが受光した測距光に基づいて、この測距光が被加工物により反射されて戻ってくるまでの時間を測定すればよい。そうして測定された時間に基づいて、マーカヘッド1から被加工物の表面までの距離を測定することができる。すなわち、距離測定部103は、TOF方式により測距する機能を備えることになる。