JP2020102446A - 有機発光表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】有機発光層の膜厚偏差による表示品質低下の改善。【解決手段】一実施形態による有機発光表示装置は、列及び行方向に配された副画素を含む基板、副画素の第１電極、第１電極上に配され第１電極を露出する第１開口部を含む第１バンク、及び第１バンク上に配され第１電極を露出する第２開口部を含む第２バンクを備え、第１電極は、第３ｎ−２列、第３ｎ−１列及び第３ｎ列に配された第１−１電極、第１−２電極及び第１−３電極を含み、第１−１電極は第１−２電極と隣り合う一側に第１凹部を有し、第１−２電極は第１凹部に対向する第１凸部及び第１−３電極と隣り合う他側に第２凸部を有し、第１−３電極は第２凸部に対向する第２凹部を有し、第１バンクは列方向に隣り合う第１電極間並びに行方向に隣り合う第１−３電極及び第１−１電極間に配され、第２バンクは第１−１電極と第１−２電極との間並びに第１−２電極と第１−３電極との間に配される。【選択図】図２

Description

本発明は、有機発光表示装置に関するものである。
近年、陰極線管（Ｃａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）の短所である重さと体積を減らすことができる各種表示装置が開発されている。このような表示装置には、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）、電界放出表示装置（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）、有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）などがある。
有機発光表示装置は、自ら発光する自発光素子であって、応答速度が速く、発光効率、輝度、及び視野角が大きいという長所がある。また、プラスチックのような柔軟な基板上に素子を形成でき、フレキシブルな表示装置を実現できる。
近年、大面積の高解像度有機発光表示装置が要求されており、単一のパネルには複数のサブピクセルが含まれる。一般に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）サブピクセルパターニング（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）のためにマスクを用いるので、大面積の表示装置を実現するためには、これに対応する大面積の微細金属マスク（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ、ＦＭＭ）が必要である。しかし、大面積になるほど、マスクが垂れ下がってしまう現象が発生し、発光層を構成する有機発光物質が本来の位置に蒸着されないなどの様々な不良を引き起こす。
前述したマスクを用いた蒸着法の問題点を解決するために、簡便かつ大面積に有利な溶液工程が関心を集めている。溶液工程は、インクジェットプリンティングやノズルプリンティングなどを介してマスクなしに大面積パターニングが可能であり、材料使用率が１０％以下である真空蒸着に比べて材料使用率が５０〜８０％程度に極めて高い。また、真空蒸着薄膜に比べてガラス転移温度（ｇｌａｓｓ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）が高く、熱安定性とモルフォロジー（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）特性に優れる。
ただし、溶液工程により、発光層を形成する場合、サブピクセル内の位置に応じる膜厚偏差による厚さの不均一が発生し、表示品質が顕著に低下するという問題が生じている。
本発明の目的は、有機発光層の膜厚偏差による表示品質の低下を改善できる有機発光表示装置を提供することにある。また、本発明の目的は、バンク構造を変形して混色不良を防止する有機発光表示装置を提供することにある。
本発明に係る有機発光表示装置は、基板、第１の電極、第１のバンク、第２のバンクを備える。基板は、列方向及び行方向に沿って配列された複数のサブピクセルを有する。第１の電極は、サブピクセルに割り当てられる。第１のバンクは、第１の電極上に配置されて、複数の第１の電極を露出する第１の開口部を有する。第２のバンクは、第１のバンク上に配置されて、複数の第１の電極を露出する第２の開口部を有する。第１の電極は、第３ｎ−２（ｎは、１以上の自然数）列に配列された第１−１の電極、第３ｎ−１列に配列された第１−２の電極、第３ｎ列に配列された第１−３の電極を含む。第１−１の電極は、第１−２の電極と隣り合う一側に形成された第１の凹部を有する。第１−２の電極は、第１−１の電極と隣り合う一側に形成され、第１の凹部に対向する第１の凸部、及び第１−３の電極と隣り合う他側に形成された第２の凸部を有する。第１−３の電極は、第１−２の電極と隣り合う一側に形成され、第２の凸部に対向する第２の凹部を有する。第１のバンクは、列方向に隣り合う第１の電極間に配置され、行方向に隣り合う第１−３の電極及び第１−１の電極間に配置される。第２のバンクは、第３ｎ−２列に配列された第１−１の電極と、これと隣り合う第３ｎ−１列に配列された第１−２の電極との間に配置され、第３ｎ−１列に配列された第１−２の電極と、これと隣り合う第３ｎ列に配列された第１−３の電極との間に配置される。
添付された図面を参照して、詳細な説明の技術構成とこれらの有機的結合構造について説明し、添付された図面を介して本発明の技術的思想と実施形態を統合して説明する。
溶液工程の問題点を説明するための図である。 本発明の実施形態に係る有機発光表示装置を概略的に示した平面図である。 図２をＩ−Ｉ’に切り取った断面図である。 図２をＩＩ−ＩＩ’に切り取った断面図である。 第１の電極の形状を説明するための図である。 第１の電極、バンク、及び有機発光層の形成過程を時系列的に説明するための図である。 第１の電極、バンク、及び有機発光層の形成過程を時系列的に説明するための図である。 第１の電極、バンク、及び有機発光層の形成過程を時系列的に説明するための図である。 第１の電極、バンク、及び有機発光層の形成過程を時系列的に説明するための図である。 第１の電極、バンク、及び有機発光層の形成過程を時系列的に説明するための図である。 第１の電極、バンク、及び有機発光層の形成過程を時系列的に説明するための図である。 第１の電極、バンク、及び有機発光層の形成過程を時系列的に説明するための図である。 第１の電極、バンク、及び有機発光層の形成過程を時系列的に説明するための図である。 第１の電極、バンク、及び有機発光層の形成過程を時系列的に説明するための図である。 第１の電極、バンク、及び有機発光層の形成過程を時系列的に説明するための図である。 第１の電極、バンク、及び有機発光層の形成過程を時系列的に説明するための図である。 第１の電極、バンク、及び有機発光層の形成過程を時系列的に説明するための図である。 有機発光表示装置の概略的なブロック図である。 サブピクセルの概略的な回路図である。 サブピクセルの具体的な回路図である。 本発明に係るサブピクセルの平面レイアウトを概略的に示した図である。 図１２をＶ−Ｖ’に切り取った断面図である。 第１の電極の位置関係を説明するための図である。 バンクの位置関係を説明するための図である。
以下、添付した図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を説明する。明細書全体にわたって同じ参照符号は、実質的に同じ構成要素を意味する。以下の説明において、本発明と関連した公知技術あるいは構成についての具体的な説明が本発明の要旨を不要に濁す恐れがあると判断される場合、その詳細な説明を省略する。種々の実施形態を説明するにあたって、同じ構成要素については、冒頭で代表的に説明し、他の実施形態では省略することができる。
第１、第２などのように、序数を含む用語は、様々な構成要素を説明するのに使用されることができるが、前記構成要素等は、前記用語等により限定されない。前記用語等は、１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的としてのみ使用される。
図１は、溶液工程の問題点を説明するための図である。
図１に示すように、溶液工程(soluble process)を利用して有機発光層を形成する場合、パイルアップ（ｐｉｌｅ ｕｐ）現象が発生して、有機発光表示装置の発光特性を低下させるという問題点がある。より具体的に、有機発光物質１は、インクジェット装置２などを介してバンク３により仕切られた第１の電極４上に滴下（ｄｒｏｐ）される。滴下された有機発光物質１は、硬化される過程で硬化速度差により、位置による膜厚偏差を有する。すなわち、バンクと接するエッジ部５は厚く、中央部６は薄い、不均一な有機発光層７が形成される。
このように、有機発光層７が不均一に形成された場合、位置による輝度偏差が発生して、表示品質が低下するという問題点が生じる恐れがある。また、有機発光層７内部の電流密度差が発生して、素子の寿命が低下する恐れがある。また、暗点が発生して、工程歩留まりが低下するという問題点が生じる恐れがある。これらを考慮するとき、溶液工程を利用して発光層を形成するにあたって、パイルアップ現象が発生する領域を最小限に減らす必要がある。
＜実施形態＞
図２は、本発明の実施形態に係る有機発光表示装置を概略的に示した平面図である。図３Ａ及び図３Ｂは、図２をＩ−Ｉ’及びＩＩ−ＩＩ’に切り取った断面図である。図４は、第１の電極の形状を説明するための図である。
図２〜図４に示すように、実施形態に係る有機発光表示装置は、サブピクセルＳＰが配列された基板１０を備える。基板１０上には、回路素子層２０及び回路素子層２０に備えられた素子により駆動される有機発光ダイオードが配置される。
回路素子層２０は、有機発光ダイオードに駆動信号を印加するための信号ライン及び電極が配列され、信号ラインと電極は、必要に応じて少なくとも１つの絶縁層を挟んで区分されて配置されることができる。有機発光表示装置がＡＭ（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ）方式で実現される場合、回路素子層２０は、サブピクセルＳＰ毎に割り当てられるトランジスタをさらに含むことができる。トランジスタは、トップゲート（ｔｏｐ ｇａｔｅ）、ボトムゲート（ｂｏｔｔｏｍ ｇａｔｅ）、ダブルゲート（ｄｏｕｂｌｅ ｇａｔｅ）構造など、様々な構造で実現されることができる。また、トランジスタは、ｐタイプで実現されるか、または、ｎタイプで実現されることができる。トランジスタを構成する半導体層は、アモルファスシリコン、またはポリシリコン、あるいは酸化物を含むことができる。以下では、有機発光ダイオードとバンク構造を先に説明し、トランジスタの具体的な配置例については後述する。
有機発光ダイオードは、第１の電極３０、第２の電極６０、及び第１の電極３０と第２の電極６０との間に介在された有機発光層５０を備える。一例として、第１の電極３０はアノードであり、第２の電極６０はカソードである。回路素子層２０に含まれているトランジスタは、第１の電極３０に接続される。
基板１０上には、複数のピクセルが配列される。ピクセルＰは、互いに異なる色を実現する３個のサブピクセルＳＰで構成されることができる。サブピクセルＳＰは、互いに交差する行方向（例えば、Ｘ軸方向）及び列方向（例えば、Ｙ軸方向）に沿って配列されることができる。行方向に沿って隣り合って配列されたサブピクセルＳＰは、相違した色の光を放出し、列方向に沿って隣り合って配列されたサブピクセルＳＰは、同一の色の光を放出することができる。
サブピクセルＳＰは、第１色を発光する第１のサブピクセル、第２色を発光する第２のサブピクセル、第３色を発光する第３のサブピクセル、第３色を発光する第４のサブピクセル、第２色を発光する第５のサブピクセル、第１色を発光する第６のサブピクセルを含む群（Ｇｒｏｕｐ）単位に、行方向に沿って順次交互に配列されることができる。第１色、第２色、第３色は、各々赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に選択されることができるが、これに限定されるものではない。
サブピクセルＳＰには、有機発光ダイオードの第１の電極３０が配置される。第１の電極３０は、サブピクセルＳＰの各々に１つずつ割り当てられることができる。
第１の電極３０は、第１−１の電極３０−１、第１−２の電極３０−２、第１−３の電極３０−３を含む。第１−１の電極３０−１、第１−２の電極３０−２、第１−３の電極３０−３は、互いに異なる平面形状を有する。
第１−１の電極３０−１は、３ｎ−２（ｎは、１以上の自然数）列に配置される。第１−１の電極３０−１は、列方向に沿って順次配置される。第１−２の電極３０−２は、３ｎ−１列に配置される。第１−２の電極３０−２は、列方向に沿って順次配置される。第１−３の電極３０−３は、３ｎ列に配置される。第１−３の電極３０−３は、列方向に沿って順次配置される。これにより、第１−１の電極３０−１、第１−２の電極３０−２、第１−３の電極３０−３は、行方向に沿って順次交互に配置される。
第１−１の電極３０−１は、第１−２の電極３０−２と隣り合う一側に凹部ＣＣを有する。第１−１の電極３０−１は、第１の部分Ｐ１−１及び第２の部分Ｐ１−２を含む。第１−１の電極３０−１の第１の部分Ｐ１−１は、列方向に沿って進むほど、行方向への幅が狭くなる。第１−１の電極３０−１の第２の部分Ｐ１−２は、第１の部分から延び、列方向に沿って進むほど、行方向への幅が広くなる。第１−１の電極３０−１の第１の部分Ｐ１−１と第２の部分Ｐ１−２とは、行方向に延びる仮想の基準線に対して線対称でありうる。第１−１の電極３０−１の第１の部分Ｐ１−１と第２の部分Ｐ１−２とは、直角台形の平面形状を有することができる。
第１−２の電極３０−２は、第１−１の電極３０−１と隣り合う一側及び第１−３の電極３０−３と隣り合う他側に凸部ＣＶを有する。第１−２の電極３０−２は、第１の部分Ｐ２−１及び第２の部分Ｐ２−２を含む。第１−２の電極３０−２の第１の部分Ｐ２−１は、列方向に沿って進むほど、行方向への幅が広くなる。第１−２の電極３０−２の第２の部分Ｐ２−２は、第１の部分Ｐ２−１から延び、列方向に沿って進むほど、行方向への幅が狭くなる。第１−２の電極３０−２の第１の部分Ｐ２−１と第２の部分Ｐ２−２とは、行方向に延びる仮想の基準線に対して線対称でありうる。第１−２の電極３０−２の第１の部分Ｐ２−１と第２の部分Ｐ２−２とは、等脚台形の平面形状を有することができる。
第１−３の電極３０−３は、第１−２の電極３０−２と隣り合う一側に凹部ＣＣを有する。第１−３の電極３０−３の第１の部分Ｐ３−１は、列方向に沿って進むほど、行方向への幅が狭くなる。第１−３の電極３０−３の第２の部分Ｐ３−２は、第１の部分Ｐ３−１から延び、列方向に沿って進むほど、行方向への幅が広くなる。第１−３の電極３０−３の第１の部分Ｐ３−１と第２の部分Ｐ３−２とは、行方向に延びる仮想の基準線に対して線対称でありうる。１−３電極３０−１の第１の部分Ｐ３−１と第２の部分Ｐ３−２とは、直角台形の平面形状を有することができる。
第１−２の電極３０−２の凸部ＣＶは、各々第１−１の電極３０−１の凹部ＣＣ及び第１−２の電極３０−２の凹部ＣＣに対向する。必要に応じて、第１−２の電極３０−２の凸部ＣＶは、各々第１−１の電極３０−１の凹部ＣＣ及び第１−２の電極３０−２の凹部ＣＣの内側に引き込まれることができる。隣り合う第１−１の電極３０−１と第１−３の電極３０−３とは、列方向に延びる仮想の基準線に対して線対称でありうる。
第１の電極３０が形成された基板１０上には、バンク４０が配置される。バンク４０は、第１のバンク４１及び第２のバンク４３を備える。
第１のバンク４１は、第１の電極３０の少なくとも一部を露出させる第１の開口部ＯＡ１を備える。第１のバンク４１は、列方向に隣り合う第１の電極３０間で、第１の電極３０の一側を覆うように配置されることができる。
複数の第１の開口部ＯＡ１は、列方向及び行方向に並んで配列される。第１の開口部ＯＡ１の各々は、行方向に延び、行方向に沿って配置された第１−１の電極３０−１、第１−２の電極３０−２、第１−３の電極３０−３を同時に露出させる。
より具体的に、第１のバンク４１は、列方向に隣り合う第１の電極３０間に配置されて、列方向に隣り合うサブピクセルＳＰを仕切ることができる。すなわち、第１のバンクは、列方向に隣り合う第１−１の電極３０−１間、第１−２の電極３０−２間、及び第１−３の電極３０−３間に配置されることができる。また、第１のバンク４１は、行方向に隣り合う第１−３の電極３０−３と第１−１の電極３０−１との間に配置されて、行方向に隣り合うピクセルＰを仕切ることができる。
第１のバンク４１は、その後に形成される有機発光層５０により覆われることができるように、相対的に薄く形成されることができる。第１のバンク４１は、親水性特性を有することができる。一例として、第１のバンク４１は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような親水性の無機絶縁物質で形成されることができる。第１のバンク４１は、第１の電極３０の疏水性特性による湿潤性（ｗｅｔｔａｂｉｌｉｔｙ）不良を防止するために備えられた親水成分の薄い膜であって、親水性である有機発光物質がよく広がるようにする。
図面では、第１の開口部ＯＡ１が略長方形状を有する場合を例に挙げて図示したが、これに限定されるものではない。また、第１の開口部ＯＡ１が全て同じ形状及び面積を有することと図示したが、これに限定されるものではなく、少なくともいずれか１つの第１の開口部ＯＡ１は、他の１つの第１の開口部ＯＡ１と相違した形状及び／又は面積を有することができる。
第１のバンク４１が形成された基板１０上には、第２のバンク４３が位置する。第２のバンク４３は、第１の電極３０の少なくとも一部を露出させる第２の開口部ＯＡ２を備える。複数の第２の開口部ＯＡ２は、行方向に並んで配置され、列方向に各々延びる。第２の開口部ＯＡ２は、列方向に延び、列方向に沿って配置された複数の第１の電極３０を露出させる。第２のバンク４３の幅として、隣り合う第２の開口部ＯＡ２に滴下された互いに異なる色の有機発光物質が互いに混合されないように設定された、工程上可能な最小の幅を選択することができる。
より具体的に、第２のバンク４３は、第３ｎ−２列に配列された第１−１の電極３０−１と、これと隣り合う第３ｎ−１列に配列された第１−２の電極３０−２との間に配置される。すなわち、第３ｎ−２列に配列されたサブピクセルと第３ｎ−１列に配列されたサブピクセルとは、第２のバンク４３により仕切られることができる。このとき、第２のバンク４３は、第３ｎ−２列に配列された第１−１の電極３０−１と第３ｎ−１列に配列された第１−２の電極３０−２との間で、ジグザグ形態で列方向に沿って延びることができる。
第２のバンク４３は、第３ｎ−１列に配列された第１−２の電極３０−２と、これと隣り合う第３ｎ列に配列された第１−３の電極３０−３との間に配置される。すなわち、第３ｎ−１列に配列されたサブピクセルと第３ｎ列に配列されたサブピクセルとは、第２のバンク４３により仕切られることができる。このとき、第２のバンク４３は、第３ｎ−１列に配列された第１−２の電極３０−２と第３ｎ列に配列された第１−３の電極３０−３との間で、ジグザグ形態で列方向に沿って延びることができる。
第２のバンク４３は、第３ｎ列に配列された第１−３の電極３０−３と、これと行方向に隣り合う第３ｎ−２列に配列された第１−１の電極３０−１との間には配置されない。すなわち、第１−３の電極３０−３と第１−１の電極３０−１とが行方向で隣り合って配置される領域で、第１−３の電極３０−３と第１−１の電極３０−１とは、１つの第２の開口部を介して同時に露出されることができる。すなわち、第３ｎ列に配列されたサブピクセルと第３ｎ−２列に配列されたサブピクセルとは、第２のバンク４３により仕切られない。
例えば、図示されているように、第２の開口部ＯＡ２は、行方向に沿って配列された第２−１の開口部ＯＡ２−１、第２−２の開口部ＯＡ２−２、第２−３の開口部ＯＡ２−３、第２−４の開口部ＯＡ２−４、第２−５の開口部ＯＡ２−５、第２−６の開口部ＯＡ２−６、第２−７の開口部ＯＡ２−７を備えることができる。第２−１の開口部ＯＡ２−１は、第１列に配列された第１−１の電極３０−１を露出する。第２−２の開口部ＯＡ２−２は、第２列に配列された第１−２の電極３０−２を露出する。第２−３の開口部ＯＡ２−３は、第３列に配列された第１−３の電極３０−３と第４列に配列された第１−１の電極３０−１とを同時に露出する。第２−４の開口部ＯＡ２−４は、第５列に配列された第１−２の電極３０−２を露出する。第２−５の開口部ＯＡ２−５は、第６列に配列された第１−３の電極３０−３と第７列に配列された第１−１の電極３０−１とを同時に露出する。第２−６の開口部ＯＡ２−６は、第８列に配列された第１−２の電極３０−２を露出する。第２−７の開口部ＯＡ２−７は、第９列に配列された第１−３の電極３０−３を露出する。
第２の開口部のうち、第１−２の電極３０−２を露出する部分は、第１−２の電極３０−２の面積に対応して相対的に広く設定されることができるので、溶液工程の際、有機発光物質が滴下される領域ＤＰ１に割り当てられることができる。また、第２の開口部のうち、第１−３の電極３０−３と第１−１の電極３０−１とを同時に露出する部分は、第１−３の電極３０−３及び第１−２の電極３０−２の面積に対応して相対的に広く設定されることができるので、溶液工程の際、有機発光物質が滴下される領域ＤＰ２に割り当てられることができる。これにより、有機発光物質が自らの位置に滴下され得ないことで、隣り合うサブピクセルＳＰ間に混色不良が生じるという問題を最小化できる。
第１のバンク４１と第２のバンク４３の組み合わせ構造により露出した第１の電極３０の一部は、発光領域と定義されることができる。発光領域の平面形状は、第１の電極３０の平面形状と対応することができる。
第２のバンク４３は、疏水特性を有することができる。一例として、第２のバンク４３は、有機絶縁物質上に疏水特性の物質がコーティングされた形態を有することができ、疏水性物質が含有された有機絶縁物質で形成されることができる。第２のバンク４３の疏水特性は、有機発光層５０を構成する有機発光物質が発光領域の中央部に集まるように押し出す機能をすることができる。また、第２のバンク４３は、互いに異なる色の有機発光物質が互いに混合されることを防止できるように、当該領域に滴下された有機発光物質を閉じ込めるバリア（ｂａｒｒｉｅｒ）として機能することができる。すなわち、第２のバンク４３は、行方向に隣り合う第２の開口部ＯＡ２に各々滴下された互いに異なる色の有機発光物質が互いに混合されないようにする。
第２のバンク４３が形成された基板１０上に有機発光層５０が位置する。有機発光層５０は、対応する第２の開口部ＯＡ２内に、第２の開口部ＯＡ２の延長方向に沿って形成されることができる。すなわち、１つの第２の開口部ＯＡ２に滴下された有機発光物質は、第２の開口部ＯＡ２により露出した第１の電極３０及び第１のバンク４１を覆う。硬化工程後、第２の開口部ＯＡ２内に形成された有機発光層５０は、第１のバンク４１により物理的に分離されず、第１のバンク４１上で連続性を維持する。
１つの第２の開口部ＯＡ２により露出した複数の第１の電極３０上には、同じ色の有機発光物質が滴下される。これは、１つの第２の開口部ＯＡ２と対応する位置に割り当てられた複数のサブピクセルＳＰで、同じ色の光が放出されることを意味する。有機発光層５０の平面形状は、第２の開口部ＯＡ２の平面形状と対応することができる。
互いに異なる色の有機発光物質は、対応する第２の開口部ＯＡ２の各々に滴下されることができる。例えば、有機発光層５０は、第１色を発光する第１の有機発光層５０−１、第２色を発光する第２の有機発光層５０−２、第３色を発光する第３の有機発光層５０−３を備えることができる。第１列に配列された第１−１の電極３０−１を露出する第２−１の開口部ＯＡ２−１上には、第１の有機発光層５０−１が形成され得る。第２列に配列された第１−２の電極３０−２を露出する第２−２の開口部ＯＡ２−２上には、第２の有機発光層５０−２が形成され得る。第３列に配列された第１−３の電極３０−３と第４列に配列された第１−１の電極３０−１とを同時に露出する第２−３の開口部ＯＡ２−３上には、第３の有機発光層５０−３が形成され得る。第５列に配列された第１−２の電極３０−２を露出する第２−４の開口部ＯＡ２−４上には、第２の有機発光層５０−２が形成され得る。第６列に配列された第１−３の電極３０−３と第７列に配列された第１−１の電極３０−１とを同時に露出する第２−５の開口部ＯＡ２−５上には、第１の有機発光層５０−１が形成され得る。第８列に配列された第１−２の電極３０−２を露出する第２−６の開口部ＯＡ２−６上には、第２の有機発光層５０−２が形成され得る。第９列に配列された第１−３の電極３０−３を露出する第２−７の開口部ＯＡ２−７上には、第３の有機発光層５０−３が形成される。
本発明では、有機発光物質が列方向に延びた第２の開口部ＯＡ２上の広い領域に均一な厚さで広がることができるので、硬化後、前述したパイルアップ現象による厚さ不均一現象が改善され得る。これにより、本発明の実施形態に係る有機発光表示装置は、有機発光層５０の均一度低下を防止でき、サブピクセルＳＰ内の膜厚偏差に起因した表示品質の低下を抑制することができる。また、有機発光層５０の高い均一度を確保できるため、素子の寿命が低下し、暗点が発生するという不良も防止できる。
また、前述したように、本発明の好ましい実施形態に係る有機発光表示装置は、有機発光物質の滴下面積を十分に確保できるので、混色不良による表示品質の低下を顕著に改善できるという利点を有する。
図５Ａ〜図８Ｂは、第１の電極、バンク、及び有機発光層の形成過程を時系列的に説明するための図である。
図５Ａ及び図５Ｂに示すように、基板１０上には、第１の電極３０が形成される。第１の電極３０は、サブピクセルＳＰの各々に１つずつ割り当てられることができる。以下では、サブピクセルが行方向に沿って７個が配列され、列方向に沿って６個が配列された場合を例に挙げて図示したが、これに限定されるものではない。
第１の電極３０は、第１−１の電極３０−１、第１−２の電極３０−２、第１−３の電極３０−３を含む。第１−１の電極３０−１、第１−２の電極３０−２、第１−３の電極３０−３は、互いに異なる平面形状を有する。
第１−１の電極３０−１は、第１列、第４列、第７列に配置されることができる。第１−２の電極３０−２は、第２列、第５列、第８列に配置されることができる。第１−３の電極３０−３は、第３列、第６列、第９列に配置されることができる。
図６Ａ及び図６Ｂに示すように、第１の電極３０が形成された基板１０上には、第１のバンク４１が形成される。第１のバンク４１は、第１の開口部ＯＡ１を備える。第１の開口部ＯＡ１は、１つのピクセルに対応する複数の第１の電極３０を露出する。例えば、１つの第１の開口部ＯＡ１は、一対の第１−１の電極３０−１、第１−２の電極３０−２、第１−３の電極３０−３を露出できる。
図７Ａ及び図７Ｂに示すように、第１のバンク４１が形成された基板１０上には、第２のバンク４３が形成される。第２のバンク４３は、第２の開口部ＯＡ２を備える。第２の開口部ＯＡ２は、列方向に沿って配列された複数の第１の電極３０を露出する。第１のバンクと第２のバンク４３により発光領域が定義され得る。
例えば、第２の開口部ＯＡ２は、行方向に沿って配列された第２−１の開口部ＯＡ２−１、第２−２の開口部ＯＡ２−２、第２−３の開口部ＯＡ２−３、第２−４の開口部ＯＡ２−４、第２−５の開口部ＯＡ２−５、第２−６の開口部ＯＡ２−６、第２−７の開口部ＯＡ２−７を備えることができる。第２−１の開口部ＯＡ２−１は、第１列に配列された第１−１の電極３０−１を露出する。第２−２の開口部ＯＡ２−２は、第２列に配列された第１−２の電極３０−２を露出する。第２−３の開口部ＯＡ２−３は、第３列に配列された第１−３の電極３０−３と第４列に配列された第１−１の電極３０−１とを同時に露出する。第２−４の開口部ＯＡ２−４は、第５列に配列された第１−２の電極３０−２を露出する。第２−５の開口部ＯＡ２−５は、第６列に配列された第１−３の電極３０−３と第７列に配列された第１−１の電極３０−１とを同時に露出する。第２−６の開口部ＯＡ２−６は、第８列に配列された第１−２の電極３０−２を露出する。第２−７の開口部ＯＡ２−７は、第９列に配列された第１−３の電極３０−３を露出する。
図８Ａ及び図８Ｂに示すように、第２のバンク４３が形成された基板１０上には、有機発光層５０及び第２の電極６０が順次形成される。
有機発光層５０は、第１色を発光する第１の有機発光層５０−１、第２色を発光する第２の有機発光層５０−２、第３色を発光する第３の有機発光層５０−３を備えることができる。
例えば、第１の有機発光層５０−１は、第２−１の開口部ＯＡ２−１、第２−５の開口部ＯＡ２−５上に配置されることができる。第２の有機発光層５０−２は、第２−２の開口部ＯＡ２−２、第２−４の開口部ＯＡ２−４、第２−６の開口部ＯＡ２−６上に配置されることができる。第３の有機発光層５０−３は、第２−３の開口部ＯＡ２−３、第２−７の開口部ＯＡ２−７上に配置されることができる。
＜適用例＞
図９は、有機発光表示装置の概略的なブロック図である。図１０は、サブピクセルの概略的な回路図である。図１１は、サブピクセルの具体的な回路図である。
図９に示されたように、有機発光表示装置１００には、映像処理部１１０、タイミング制御部１２０、データ駆動部１３０、スキャン駆動部１４０、及び表示パネル２００が備えられる。
映像処理部１１０は、外部から供給されたデータ信号ＤＡＴＡとともに、データイネーブル信号ＤＥなどを出力する。映像処理部１１０は、データイネーブル信号ＤＥの他にも、垂直同期信号、水平同期信号、及びクロック信号のうち、１つ以上を出力できるが、この信号等は、説明の都合上、図示省略する。
タイミング制御部１２０は、映像処理部１１０からデータイネーブル信号ＤＥまたは垂直同期信号、水平同期信号、及びクロック信号などを含む駆動信号とともに、データ信号ＤＡＴＡの供給を受ける。タイミング制御部１２０は、駆動信号に基づいてスキャン駆動部１４０の動作タイミングを制御するためのゲートタイミング制御信号ＧＤＣとデータ駆動部１３０の動作タイミングを制御するためのデータタイミング制御信号ＤＤＣとを出力する。
データ駆動部１３０は、タイミング制御部１２０から供給されたデータタイミング制御信号ＤＤＣに応答して、タイミング制御部１２０から供給されるデータ信号ＤＡＴＡをサンプリングし、ラッチしてガンマ基準電圧に変換して出力する。データ駆動部１３０は、データラインＤＬ１〜ＤＬｎを介してデータ信号ＤＡＴＡを出力する。データ駆動部１３０は、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）形態で形成されることができる。
スキャン駆動部１４０は、タイミング制御部１２０から供給されたゲートタイミング制御信号ＧＤＣに応答してスキャン信号を出力する。スキャン駆動部１４０は、ゲートラインＧＬ１〜ＧＬｍを介してスキャン信号を出力する。スキャン駆動部１４０は、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）形態で形成されるか、表示パネル２００にゲートインパネル（Ｇａｔｅ Ｉｎ Ｐａｎｅｌ；ＧＩＰ）方式で形成される。
表示パネル２００は、データ駆動部１３０及びスキャン駆動部１４０から供給されたデータ信号ＤＡＴＡ及びスキャン信号に対応して映像を表示する。表示パネル２００は、映像を表示できるように動作するサブピクセルＳＰを含む。
図１０に示されたように、１つのサブピクセルには、スイッチングトランジスタ２３０、駆動トランジスタ２３５、キャパシタ２４０、補償回路２４５、及び有機発光ダイオード２６０が備えられる。
スイッチングトランジスタ２３０は、第１のゲートライン２３２を介して供給されたスキャン信号に応答して、第１のデータライン２３６を介して供給されるデータ信号がキャパシタ２４０にデータ電圧として格納されるようにスイッチング動作する。駆動トランジスタ２３５は、キャパシタ２４０に格納されたデータ電圧によって電源ライン２４２（高電位電圧）とカソード電源ライン２４４（低電位電圧）との間に駆動電流が流れるように動作する。有機発光ダイオード２６０は、駆動トランジスタ２３５により形成された駆動電流によって光を発光するように動作する。
補償回路２４５は、駆動トランジスタ２３５の閾値電圧などを補償するために、サブピクセル内に追加された回路である。補償回路２４５は、１つ以上のトランジスタで構成される。補償回路２４５の構成は、外部補償方法によって非常に様々なところ、これに対する例示を説明すれば、次のとおりである。
図１１に示されたように、補償回路２４５には、センシングトランジスタ２６５とセンシングライン２７０（または、レファレンスライン）が含まれる。センシングトランジスタ２６５は、駆動トランジスタ２３５のソース電極と有機発光ダイオード２６０のアノード電極との間（以下、センシングノード）に接続される。センシングトランジスタ２６５は、センシングライン２７０を介して伝達される初期化電圧（または、センシング電圧）を駆動トランジスタ２３５のセンシングノードに供給するか、駆動トランジスタ２３５のセンシングノードまたはセンシングライン２７０の電圧または電流をセンシングできるように動作する。
スイッチングトランジスタ２３０は、第１のデータライン２３６に第１の電極が連結され、駆動トランジスタ２３５のゲート電極に第２の電極が連結される。駆動トランジスタ２３５は、電源ライン２４２に第１の電極が連結され、有機発光ダイオード２６０のアノード電極に第２の電極が連結される。キャパシタ２４０は、駆動トランジスタ２３５のゲート電極に第１の電極が連結され、有機発光ダイオード２６０のアノード電極に第２の電極が連結される。有機発光ダイオード２６０は、駆動トランジスタ２３５の第２の電極にアノード電極が連結され、第２の電源ライン２４４にカソード電極が連結される。センシングトランジスタ２６５は、センシングライン２７０に第１の電極が連結され、センシングノードである有機発光ダイオード２６０のアノード電極及び駆動トランジスタ２３５の第２の電極に第２の電極が連結される。
センシングトランジスタ２６５の動作時間は、外部補償アルゴリズム（または、補償回路の構成）によってスイッチングトランジスタ２３０と類似／同一であるか、異なることができる。一例として、スイッチングトランジスタ２３０は、第１のゲートライン２３２にゲート電極が連結され、センシングトランジスタ２６５は、第２のゲートライン２３４にゲート電極が連結されることができる。この場合、第１のゲートライン２３２には、スキャン信号Ｓｃａｎが伝達され、第２のゲートライン２３４には、センシング信号Ｓｅｎｓｅが伝達される。他の例として、スイッチングトランジスタ２３０のゲート電極に連結された第１のゲートライン２３２とセンシングトランジスタ２６５のゲート電極に連結された第２のゲートライン２３４とは、共通に共有されるように連結されることができる。
センシングライン２７０は、データ駆動部に連結されることができる。この場合、データ駆動部は、リアルタイム、映像の非表示期間、またはＮフレーム（Ｎは、１以上の整数）期間の間、サブピクセルのセンシングノードをセンシングし、センシング結果を生成できるようになる。一方、スイッチングトランジスタ２３０とセンシングトランジスタ２６５とは、同じ時間にターンオンされることができる。この場合、データ駆動部の時分割方式に基づいて、センシングライン２７０を介してのセンシング動作とデータ信号を出力するデータ出力動作とは相互分離（区分）される。
その他に、センシング結果による補償対象は、デジタル形態のデータ信号、アナログ形態のデータ信号、またはガンマなどになることができる。そして、センシング結果に基づいて、補償信号（または、補償電圧）などを生成する補償回路は、データ駆動部の内部、タイミング制御部の内部、または別の回路で実現されることができる。
光遮断層３０３は、駆動トランジスタ２３５のチャネル領域の下部にのみ配置されるか、駆動トランジスタ２３５のチャネル領域の下部だけでなく、スイッチングトランジスタ２３０及びセンシングトランジスタ２６５のチャネル領域の下部にも配置されることができる。光遮断層３０３は、単純に外光を遮断する目的として使用するか、光遮断層３０３を他の電極やラインとの連結を図り、キャパシタなどを構成する電極として活用することができる。したがって、光遮断層３０３は、遮光特性を有するように多層（異種金属の複層）の金属層として選択される。
その他、図１１では、スイッチングトランジスタ２３０、駆動トランジスタ２３５、キャパシタ２４０、有機発光ダイオード２６０、センシングトランジスタ２６５を備える３Ｔ（Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１Ｃ（Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）構造のサブピクセルを一例として説明したが、補償回路２４５が追加された場合、３Ｔ２Ｃ、４Ｔ２Ｃ、５Ｔ１Ｃ、６Ｔ２Ｃなどで構成されることもできる。
図１２は、本発明に係るサブピクセルの平面レイアウトを概略的に示した図である。図１３は、図１２をＶ−Ｖ’に切り取った断面図である。
図１２に示すように、基板の表示領域上には、第１のサブピクセルＳＰ１、第２のサブピクセルＳＰ２、及び第３のサブピクセルＳＰ３が形成される。第１のサブピクセルＳＰ１、第２のサブピクセルＳＰ２、及び第３のサブピクセルＳＰ３の各々には、有機発光ダイオード（発光素子）と、有機発光ダイオードを駆動するスイッチングトランジスタ２３０、センシングトランジスタ２６５、及び駆動トランジスタ２３５などを含む回路が形成される。第１のサブピクセルＳＰ１、第２のサブピクセルＳＰ２、及び第３のサブピクセルＳＰ３の各々は、スイッチングトランジスタ２３０、センシングトランジスタ２６５、及び駆動トランジスタ２３５の動作に対応して有機発光ダイオードが発光するようになる。第１のサブピクセルＳＰ１、第２のサブピクセルＳＰ２、及び第３のサブピクセルＳＰ３間には、電源ライン２４２、センシングライン２７０、第１〜第３のデータライン２３６、２３８、２５２が配置される。第１及び第２のゲートライン２３２、２３４は、第１のサブピクセルＳＰ１、第２のサブピクセルＳＰ２、及び第３のサブピクセルＳＰ３を横切って配置される。
電源ライン２４２、センシングライン２７０、第１〜第３のデータライン２３６、２３８、２５２のような配線はもちろん、薄膜トランジスタを構成する電極は、互いに異なる層に位置するが、コンタクトホール（ビアホール）を介しての接触により電気的に連結される。センシングライン２７０は、センシング連結ライン２７２を介して第１のサブピクセルＳＰ１、第２のサブピクセルＳＰ２、及び第３のサブピクセルＳＰ３の各センシングトランジスタ２６５に連結される。電源ライン２４２は、電源連結ライン７４を介して第１のサブピクセルＳＰ１、第２のサブピクセルＳＰ２、及び第３のサブピクセルＳＰ３の各駆動トランジスタ２３５に連結される。第１及び第２のゲートライン２３２、２３４は、第１のサブピクセルＳＰ１、第２のサブピクセルＳＰ２、及び第３のサブピクセルＳＰ３の各センシング及びスイッチングトランジスタ２６５、２３０に連結される。
一例として、前述した第１のサブピクセルＳＰ１は赤色サブピクセルであり、第２のサブピクセルＳＰ２は緑色サブピクセルであり、第３のサブピクセルＳＰ３は青色サブピクセルである。しかし、各サブピクセルの配置は、互いに位置が変わることもできる。
図１３を参照して、第１〜第３のサブピクセルのうち、一例として第１のサブピクセルの断面構造を説明する。
図１３を参照すれば、基板１０上に光遮断層３０３が位置する。光遮断層３０３は、外部の光の入射を遮断して、トランジスタで光電流が発生することを防止する役割をする。光遮断層３０３上にバッファ層３０５が位置する。バッファ層３０５は、光遮断層３０３から流出するアルカリイオンなどのような不純物から後続工程で形成されるトランジスタを保護する役割をする。バッファ層３０５は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、またはこれらの多重層でありうる。
バッファ層３０５上に駆動トランジスタ２３５の半導体層３１０が位置する。半導体層３１０は、シリコン半導体、酸化物半導体、または有機物半導体からなることができる。シリコン半導体は、非晶質シリコンを用いるか、非晶質シリコンを結晶化した多結晶シリコンを用いて形成されることもできる。酸化物半導体は、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩｎＺｎＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩｎＧａＺｎＯ）、または亜鉛錫酸化物（ＺｎＳｎＯ）のうち、いずれか１つからなることができる。有機物半導体は、メロシアニン、フタルロシアニン、ペンタセン、チオフェンポリマーなどの低分子系または高分子系有機物からなることもできる。半導体層３１０は、ｐ型またはｎ型の不純物を含むドレイン領域及びソース領域を含み、これらの間にチャネルを含む。
半導体層３１０上にゲート絶縁膜３１５が位置する。ゲート絶縁膜３１５は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、またはこれらの多重層でありうる。ゲート絶縁膜３１５上に前記半導体層３１０の所定領域、すなわち、不純物が注入された場合のチャネルと対応する位置にゲート電極３２０が位置する。ゲート電極３２０は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジミウム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）からなる群より選ばれたいずれか１つまたはこれらの合金で形成される。また、ゲート電極（ＧＡＴ）はモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジミウム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）からなる群より選ばれたいずれか１つまたはこれらの合金で形成される。また、ゲート電極ＧＡＴは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジミウム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）からなる群より選ばれたいずれか１つまたはこれらの合金からなる多重層でありうる。例えば、ゲート電極３２０は、モリブデン／アルミニウム−ネオジミウムまたはモリブデン／アルミニウムの２重層でありうる。
ゲート電極３２０上にゲート電極３２０を絶縁させる層間絶縁膜３２５が位置する。層間絶縁膜３２５は、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはこれらの多重層でありうる。層間絶縁膜３２５上にソース電極３３０及びドレイン電極３３５が位置する。ソース電極３３０及びドレイン電極３３５は、半導体層３１０のソース及びドレイン領域を各々露出するコンタクトホール３３７を介して半導体層３１０に連結される。ソース電極３３０及びドレイン電極３３５は、単一層または多重層からなることができ、前記ソース電極３３０及びドレイン電極３３５が単一層である場合には、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジミウム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）からなる群より選ばれたいずれか１つまたはこれらの合金からなることができる。また、前記ソース電極３３０及びドレイン電極３３５が多重層である場合には、モリブデン／アルミニウム−ネオジミウムの２重層、チタニウム／アルミニウム／チタニウム、モリブデン／アルミニウム／モリブデン、またはモリブデン／アルミニウム−ネオジミウム／モリブデンの３重層からなることができる。駆動トランジスタ２３５と離間した領域には、第１のデータライン２３６が位置し、さらに他の領域には、カソード電源ライン２４４が位置する。
したがって、半導体層３１０、ゲート電極３２０、ソース電極３３０、及びドレイン電極３３５を含む駆動トランジスタ２３５が構成される。
駆動トランジスタ２３５を備える基板１０上にパッシベーション膜３４０が位置する。パッシベーション膜３４０は、下部の素子を保護する絶縁膜であって、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはこれらの多重層でありうる。パッシベーション膜３４０の一部領域には、下部の駆動トランジスタ２３５のドレイン電極３３５を露出させる第１のビアホール３４２が位置し、カソード電源ライン２４４を露出させる第２のビアホール３４３が位置する。
パッシベーション膜３４０上にオーバーコート層３５０が位置する。オーバーコート層３５０は、下部構造の段差を緩和させるための平坦化膜でありうるし、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ベンゾシクロブテン系樹脂（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ ｓｅｒｉｅｓ ｒｅｓｉｎ）、アクリレート（ａｃｒｙｌａｔｅ）などの有機物からなる。オーバーコート層３５０の一部領域には、パッシベーション膜３４０の第１のビアホール３４２を露出してドレイン電極３３５を露出させる第３のビアホール３５２が位置し、パッシベーション膜３４０の第２のビアホール３４３を露出してカソード電源ライン２４４を露出させる第４のビアホール３５４が位置する。
オーバーコート層３５０上には、有機発光ダイオード２６０が形成される。有機発光ダイオード２６０は、駆動トランジスタ２３５に連結された第１の電極３０、第１の電極３０と対向する第２の電極６０、及び第１の電極３０と第２の電極６０との間に介在された有機発光層５０を備える。一例として、第１の電極３０は、アノード電極であり、第２の電極６０は、カソード電極である。
第１の電極３０は、オーバーコート層３５０上に位置し、オーバーコート層３５０の第３のビアホール３５２及びパッシベーション膜３４０の第１のビアホール３４２を介して駆動トランジスタ２３５のドレイン電極３３５に連結されることができる。第１の電極３０は、サブピクセル当り１つずつ割り当てられることができるが、これに限定されるものではない。第１の電極３０は、採択された発光方式に対応して、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、またはＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電物質からなり、透過電極として機能することができ、反射層を含んで反射電極として機能することができる。反射層は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、またはこれらの合金からなることができ、好ましくは、ＡＰＣ（銀／パラジウム／銅合金）からなることができる。
第１の電極３０と離間したオーバーコート層３５０上には、オーバーコート層３５０の第４のビアホール３５４及びパッシベーション膜３４０の第２のビアホール３４３を介してカソード電源ライン２４４と連結された連結パターン３６５が位置する。連結パターン３６５は、第１の電極３０と同様の構造からなる。
第１の電極３０が形成された基板１０上にバンク４０が位置する。バンク４０は、第１のバンク４１及び第２のバンク４３を含む。第１のバンク４１は、第１の電極３０を露出する第１の開口部ＯＡ１を備え、第２のバンク４３は、第１のバンク４１の一部及び第１の電極３０を露出する第２の開口部ＯＡ２を備える。第２の開口部ＯＡ２は、第１の開口部ＯＡ１より大きい面積で形成されて、第１のバンク４１の一部を露出できる。
また、第１のバンク４１は、連結パターン３６５を露出する第３の開口部ＯＡ３を備え、第２のバンク４３は、第１のバンク４１の一部及び連結パターン３６５を露出する第４の開口部ＯＡ４を備える。第４の開口部ＯＡ４は、第３の開口部ＯＡ３より大きい面積で形成されて、第１のバンク４１の一部を露出できる。
バンク４０が形成された基板１０上には、有機発光層５０が配置される。有機発光層５０は、発光層（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＬ）を備え、正孔注入層（Ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、及び電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）のうち、いずれか１つ以上をさらに備えることができる。有機発光層５０は、インクジェットプリンティングまたはノズルコーティングなどの溶液工程でコーティングされて乾燥されることにより、有機発光層５０とバンク４０とがコンタクトする上面は、丸くなった形状からなることができる。
第２の電極６０は、有機発光層５０上に配置される。第２の電極６０は、基板１０の前面に広く形成されることができる。第２の電極６０は、採択された発光方式に対応して、透過電極または反射電極として機能することができる。第２の電極６０が透過電極である場合、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）のような透明導電物質で形成されるか、光が透過され得る程度に薄い厚さを有するマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金からなることができる。第２の電極６０は、第１のバンク４１の第３の開口部ＯＡ３及び第２のバンク４３の第４の開口部ＯＡ４を介して連結パターン３６５に連結されることにより、カソード電源ライン２４４に連結される。
一方、駆動トランジスタ２３５及び有機発光ダイオード２６０が形成された基板１０と対向する対向基板１３が位置する。対向基板１３は、基板１０を封止するものであって、下部にカラーフィルタ３９５を備える。カラーフィルタ３９５は、赤色カラーフィルタでありうるし、赤色の色座標を濃くする機能をする。一例として、第１のサブピクセルが赤色サブピクセルである場合、対向基板１３は、第１のサブピクセルと対応する領域に赤色カラーフィルタを備えることができる。そして、緑色サブピクセルである第２のサブピクセル及び青色サブピクセルである第３のサブピクセルと対応する対向基板１３の領域には、いかなるカラーフィルタも備えられない場合もある。しかし、本発明は、一例を説明するものであって、各サブピクセルに当該色のカラーフィルタを全て備えることもできる。図１３に示された構造は、当該サブピクセルだけでなく、他のサブピクセルにも同様に適用されることができる。
図１４は、第１の電極の位置関係を説明するための図である。図１５は、バンクの位置関係を説明するための図である。
図１４に示すように、第１の電極３０は、行方向に沿って順次交互に配列された第１−１の電極３０−１、第１−２の電極３０−１、第１−３の電極３０−３を含む。第１−１の電極３０−１の平面形状は、第１−２の電極３０−２と隣り合う一側に形成された第１の凹部ＣＣを有する。第１−２の電極３０−２の平面形状は、第１−１の電極３０−１と隣り合う一側に形成された第１の凸部ＣＶ、及び第１−３の電極３０−３と隣り合う他側に形成された第２の凸部ＣＶを有する。第１−３の電極３０−３の平面形状は、第１−２の電極３０−２と隣り合う一側に形成された第２の凹部ＣＣを有する。第１の凸部ＣＶは、第１の凹部ＣＣに対向し、第２の凸部ＣＶは、第２の凹部ＣＣに対向する。
第１−１の電極３０−１は、第３ｎ−２のサブピクセルの駆動トランジスタに電気的に連結される。第１−２の電極３０−２は、第３ｎ−１のサブピクセルの駆動トランジスタに電気的に連結される。第１−３の電極３０−３は、第３ｎのサブピクセルの駆動トランジスタに電気的に連結される。第１の電極３０と駆動トランジスタとを連結するためのビアホール３４２、３５２（図１３）は、行方向に延びる第１のバンク４１に重なるように形成されることができる。
図１５に示すように、バンク４０は、第１のバンク４１及び第２のバンク４３を備える。第１のバンク４１は、複数の第１の電極３０を露出する第１の開口部ＯＡ１を備える。第１のバンク４１は、列方向に隣り合う第１の電極３０間に配置され、隣り合う第１−３の電極３０−３及び第１−１の電極３０−１間に配置される。
第２のバンク４３は、複数の第１の電極３０を露出する第２の開口部ＯＡ２を備える。第２のバンク４３は、第３ｎ−２列に配列された第１−１の電極３０−１と、これと隣り合う第３ｎ−１列に配列された第１−２の電極３０−２との間に配置され、第３ｎ−１列に配列された第１−２の電極３０−２と、これと隣り合う第３ｎ列に配列された第１−３の電極３０−３との間に配置される。このとき、第２のバンク４３は、延長方向に沿って進みながら、サブピクセル内に割り当てられたストレージキャパシタ２４０の上部を横切ることができる。
以上説明した内容を介して当業者であれば、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で様々に変更及び修正できるであろう。したがって、本発明の技術的範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されるものではなく、特許請求の範囲により決められるべきであろう。

Claims (24)

  1. 列方向及び行方向に沿って配列された複数のサブピクセルを有する基板と、
    前記サブピクセルに割り当てられた第１の電極と、
    前記第１の電極上に配置されて、複数の第１の電極を露出する第１の開口部を有する第１のバンクと、
    前記第１のバンク上に配置されて、複数の第１の電極と第1のバンクの一部を露出する第２の開口部を有する第２のバンクと
    を備え、
    前記第１の電極は、
    第３ｎ−２（ｎは、１以上の自然数）列に配列された第１−１の電極、
    第３ｎ−１列に配列された第１−２の電極、及び
    第３ｎ列に配列された第１−３の電極
    を含み、
    前記第１のバンクは、
    前記列方向に隣り合う前記第１の電極間に配置され、且つ
    前記行方向に隣り合う前記第１−３の電極及び前記第１−１の電極間に配置され、
    前記第２のバンクは、
    第３ｎ−２列に配列された前記第１−１の電極と、これと隣り合う第３ｎ−１列に配列された前記第１−２の電極との間に配置され、且つ
    第３ｎ−１列に配列された前記第１−２の電極と、これと隣り合う第３ｎ列に配列された前記第１−３の電極との間に配置され、
    前記第２のバンクは、第３ｎ列に配列された前記第１−３の電極と、これと前記行方向に隣り合う第３ｎ−２列に配列された前記第１−１の電極との間に配置されない、
    有機発光表示装置。
  2. 前記第１−１の電極は、前記第１−２の電極と隣り合う一側に形成された第１の凹部を有し、
    前記第１−２の電極は、前記第１−１の電極と隣り合う一側に形成され、前記第１の凹部に対向する第１の凸部及び前記第１−３の電極と隣り合う他側に形成された第２の凸部を有し、
    前記第１−３の電極は、前記第１−２の電極と隣り合う一側に形成され、前記第２の凸部に対向する第２の凹部を有する、
    請求項１に記載の有機発光表示装置。
  3. 前記第２の開口部は、第３ｎ列に配列された前記第１−３の電極と、これと前記行方向に隣り合う第３ｎ−２列に配列された前記第１−１の電極とを同時に露出する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
  4. 前記第２の開口部上に各々配置される有機発光層をさらに備え、
    前記有機発光層は、第１色を発光する第１の有機発光層、第２色を発光する第２の有機発光層、及び第３色を発光する第３の有機発光層を備える、
    請求項１に記載の有機発光表示装置。
  5. 前記第２の開口部は、前記行方向に沿って配列された第２−１の開口部、第２−２の開口部、第２−３の開口部、第２−４の開口部、第２−５の開口部、第２−６の開口部、第２−７の開口部を備え、
    前記第２−１の開口部は、第１列に配列された前記第１−１の電極を露出し、
    前記第２−１の開口部は、第２列に配列された前記第１−２の電極を露出し、
    前記第２−３の開口部は、第３列に配列された前記第１−３の電極と第４列に配列された前記第１−１の電極とを同時に露出し、
    前記第２−４の開口部は、第５列に配列された前記第１−２の電極を露出し、
    前記第２−５の開口部は、第６列に配列された前記第１−３の電極と第７列に配列された前記第１−１の電極とを同時に露出し、
    前記第２−６の開口部は、第８列に配列された前記第１−２の電極を露出し、
    前記第２−７の開口部は、第９列に配列された前記第１−３の電極を露出する、
    請求項４に記載の有機発光表示装置。
  6. 前記第１の有機発光層は、前記第２−１の開口部上及び前記第２−５の開口部上に配置され、
    前記第２の有機発光層は、前記第２−２の開口部上、前記第２−４の開口部上及び前記第２−６の開口部上に配置され、
    前記第３の有機発光層は、前記第２−３の開口部上及び前記第２−７の開口部上に配置される、
    請求項５に記載の有機発光表示装置。
  7. 前記第１−１の電極は、
    前記列方向に沿って進むほど前記行方向への幅が狭くなる第１の部分と、
    前記第１の部分から延び、前記列方向に沿って進むほど前記行方向への幅が広くなる第２の部分と、
    を含む、請求項２に記載の有機発光表示装置。
  8. 前記第１の部分と前記第２の部分は、直角台形の平面形状を有する、請求項７に記載の有機発光表示装置。
  9. 前記第１の部分と前記第２の部分は、前記行方向に延びる仮想の基準線に対して線対称である、請求項７に記載の有機発光表示装置。
  10. 前記第１−２の電極は、
    前記列方向に沿って進むほど前記行方向への幅が広くなる第１の部分と、
    前記第１の部分から延び、前記列方向に沿って進むほど前記行方向への幅が狭くなる第２の部分と、
    を含む請求項２に記載の有機発光表示装置。
  11. 前記第１の部分と前記第２の部分は、等脚台形の平面形状を有する、請求項１０に記載の有機発光表示装置。
  12. 前記第１の部分と前記第２の部分は、前記行方向に延びる仮想の基準線に対して線対称である、請求項１０に記載の有機発光表示装置。
  13. 前記第１−３の電極は、
    前記列方向に沿って進むほど前記行方向への幅が狭くなる第１の部分と、
    前記第１の部分から延び、前記列方向に沿って進むほど前記行方向への幅が広くなる第２の部分と、
    を含む請求項２に記載の有機発光表示装置。
  14. 前記第１の部分と前記第２の部分は、直角台形の平面形状を有する、請求項１３に記載の有機発光表示装置。
  15. 前記第１の部分と前記第２の部分は、前記行方向に延びる仮想の基準線に対して線対称である、請求項１３に記載の有機発光表示装置。
  16. 隣り合う前記第１−１の電極と前記第１−３の電極は、前記列方向に延びる仮想の基準線に対して線対称である、請求項２に記載の有機発光表示装置。
  17. 前記サブピクセルは、第１色を発光する第１のサブピクセル、第２色を発光する第２のサブピクセル、第３色を発光する第３のサブピクセル、第３色を発光する第４のサブピクセル、第２色を発光する第５のサブピクセル、第１色を発光する第６のサブピクセルを含む群単位に、前記行方向に沿って順次交互に配列される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
  18. 前記第１のバンクは、親水特性を有し、
    前記第２のバンクは、疎水特性を有する、
    請求項１に記載の有機発光表示装置。
  19. 前記有機発光層は、前記第２の開口部内に配置され、前記第２の開口部を介して露出された前記第1の電極及び前記第1のバンクの一部を覆う、請求項４に記載の有機発光表示装置。
  20. 前記第1のバンク及び前記第２のバンクによって露出された前記第1の電極の一部は、発光領域として定義され、
    前記発光領域の平面形状は、前記第1の電極の平面形状に対応する、
    請求項１に記載の有機発光表示装置。
  21. 前記第1の開口部は、列方向と行方向に並ぶように配置され、
    前記第１の開口部は、前記第１−１電極、前記第１−２電極、前記第１−３電極を同時に露出する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
  22. 前記第２のバンクは、列方向にジグザグの形で延長される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
  23. 前記第２の開口部は、行方向に並ぶように配置され、列方向に延びる、請求項１に記載の有機発光表示装置。
  24. 行方向に沿って連続的に配置された前記サブピクセルは、互いに異なる色の光を放出し、
    列方向に沿って連続的に配置された前記サブピクセルは、同じ色の光を放出する、
    請求項１に記載の有機発光表示装置。
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