JP2020080420A - レーザパルス繰返し周波数逓倍器 - Google Patents

レーザパルス繰返し周波数逓倍器 Download PDF

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Abstract

【課題】レーザの出力で動作するUVレーザの繰返し周波数を改善する。【解決手段】繰返し周波数(パルス)逓倍器120は、1つまたは複数のビームスプリッタとプリズムを含み、これらが、各パルスのエネルギーの一部を遅延させる、光路長の異なる1つまたは複数のリングキャビティを形成する。一連の入力レーザパルスはリングキャビティ内を循環し、各パルスのエネルギーの一部は、より短いキャビティ光路を通過した後にシステムから出て、エネルギーの別の部分はより長いキャビティ光路および/または両キャビティ光路の組合せを通過した後にシステムから出る。リングキャビティの光路長を適正に選択することによって、レーザパルスの一連の出力の繰返し周波数を入力繰返し周波数の倍数とすることができる。【選択図】図1

Description

本発明は、時間領域内でレーザパルスの光学ピークパワーを減衰させること、および任意選択により、空間領域内のビームパワー分布を均一化することに関する。このピークパワー減衰および均一化システムは、曲面ミラー、ビームスプリッタ、波長板、およびプリズムを使って、フラットトップ空間パワー分布プロファイルを持つ最適化されたパルス繰返し周波数逓倍器を生成してもよい。本発明は、半導体検査および計測システムにおいて特に有用である。
本願は、参照によって本願に援用される、2014年6月20日に出願された、“Laser Pulse Multiplication Using Prisms”と題する米国仮特許出願第62/015,016号の優先権を主張する。
本願はまた、参照によって本願に援用される、2014年8月18日に出願された、“Laser Repetition Rate Multiplier and Flat−Top Beam Profile Generators”と題する米国仮特許出願第62/038,471号の優先権も主張する。
本願は、Chuang et al.により2012年6月1日に出願された、“Semiconductor Inspection And Metrology System Using Laser Pulse Multiplier”と題する米国特許出願第13/487,075号、Chuang et al.により2012年12月11日に出願された、“Semiconductor Inspection and Metrology System Using Laser Pulse Multiplier”と題する米国特許出願第13/711,593号、Chuang et al.により2014年8月8日に出願された、“Split Gaussian Beams and Multi−Spot Flat−Top Illumination for Surface Scanning Systems”と題する米国特許出願第14/455,161号に関する。これらの出願のすべてを、参照によって本願に援用する。
検査及び計測のための照明のニーズは一般に、連続波(continuous wave)(CW)光源により最もよく満たされる。CW光源はそのパワーレベルが一定であり、それによって画像またはデータを継続的に取得できる。しかしながら、関心対象とされる多くの波長、特に紫外(UV)波長では、十分な放射輝度(単位立方角当たり単位面積当たりパワー)のCW光源は、入手不能か、高価であるか、または信頼できない。パルスレーザが、関心対象とされる波長で十分な時間平均放射強度を持つ唯一の入手可能、または費用対効果の高い光源であるとすれば、高い繰返し周波数と広いパルス幅を持つレーザを使用することが最善である。パルス繰返し周波数が高いほど、時間平均パワーレベルが同じ場合のパルス当たりの瞬間ピークパワーが低くなる。レーザパルスのピークパワーが低くなると、光学系および測定対象の試料またはウェハが受ける損傷が小さくなり、これは、ほとんどの損傷メカニズムが非線形であり、平均パワーよりピークパワーにより強く依存するからである。
検査および計測の用途において、繰返し周波数を高くする別の利点は、データ取得または画素当たりに収集されるパルスがより多くなり、その結果、パルス間のばらつきがよりよく平均化され、信号対ノイズ比が改善されることである。さらに、高速で移動する試料の場合、パルス繰返し周波数が高くなると、各パルス間での移動距離が小さくなるため、時間に対する試料位置のサンプリングが改善される。
レーザサブシステムの繰返し周波数は、レーザ媒質、ポンプシステム、および/またはその駆動電子部品を改良することによって高めることができる。残念ながら、既に所定の繰返し周波数で動作しているUVレーザを変更するには、多大な時間と資金を投じてその構成要素の1つまたは複数を改良する必要があり得、繰返し周波数の改良は少しずつしかできないかもしれない。さらに、UVレーザの基本レーザの繰返し周波数を増加させると、基本波のピークパワーが減衰する。これにより、周波数変換(必然的に非線形プロセスである)の効率が下がり、高い平均UVパワーレベルを生成するのが難しくなる。
多くの検査用途では、ガウシアンプロファイルではなく、フラットな、すなわち均一な照明プロファイルが望ましい。試料に空間的に均一な照明を当てることにより、照明された領域全体にわたって信号対ノイズ比がより均一となり、不均一な照明と比較して、ダイナミックレンジが上昇する。インコヒーレント光源は、レーザのガウシアンプロファイルより均一な照明を生成しやすいかもしれないが、このような光源は、レーザが提供できるものよりバンド幅がはるかに広く(色収差のため、光学設計が複雑化する)、パワー密度がより低い(信号対ノイズ比が低下する)。ガウシアンレーザビームから略フラットなプロファイルを実現するための1つの既知の方法は、ガウス分布のテール部を切り取り、ビームの中央部分(ピーク付近)だけを使用することである。この方法は適用が簡単であるが、かなり平坦なプロファイルが必要であると、レーザパワーの大部分が切り取られて無駄になる。例えば、照明の最大強度のばらつきを約10%とする必要がある場合、パワーの約65%が無駄になり、20%のばらつきにした場合は、パワーの約50%を無駄にせざるを得ない。
米国特許出願公開第2010/0163757号
そこで、レーザの出力で動作するUVレーザの繰返し周波数を改善するための、実用的で安価な技術に対するニーズが生じている。さらに、繰返し周波数を増大させるための光学サブシステムがコンパクトであり、大きなスペースをとらずに、それをシステムに容易に組み込むことができるようにすれば有利であろう。さらにまた、繰返し周波数逓倍器にまったく、またはほとんど追加の構成要素を加えずに、それゆえ空間を節約し、光学パワー損失を最小化する、略平坦な出力プロファイルを生成できる繰返し周波数逓倍器が求められている。
試料を検査または測定するシステムが説明される。このシステムは、光源と、光検出を行うように構成された装置と、光源からの光を試料へと案内し、試料からの光出力、反射または透過をセンサへと案内するように構成された光学系と、を含む。特に、照明器は、紫外(UV)波長(すなわち、約400nmより短い波長)を発するパルスレーザと、パルスレーザからのパルスの繰返し周波数を逓倍する繰返し周波数逓倍器と、を含む。繰返し周波数逓倍器は、単位時間当たりのレーザパルス数を増大させ、各レーザパルスのピークパワーを減衰させる。ピークパワーの減衰は、システム光学系または検査もしくは測定対象の試料に対する損傷を軽減または排除し、それによって、ある損傷閾値について、より高い平均レーザパワーレベルの使用が可能となり、それゆえ、信号対ノイズ比および/または検査または測定速度が改善される。UV高調波の生成後に繰返し周波数を逓倍することによって、レーザパルスのピークパワーが高調波変換連鎖内で減衰しないため、UV高調波変換効率が保持される。
本明細書に記載されている繰返し周波数逓倍器を内蔵する検査および測定システムは、深UV(DUV)波長、すなわち約300nm未満の波長、および真空UV(VUV)波長、すなわち約190nm未満の波長について特に有用であり、それは、これらの波長でピークパワーレベルが高いと、様々な材料に急激に損傷を与えかねないからである。
試料はステージにより支持されていてもよく、これは検査または測定中に試料を光学系に関して移動させる。
例示的検査または測定システムは、1つまたは複数の光路を含んでいてもよく、これは、異なる入射角および/または異なる方位角から、および/または異なる波長および/または偏光状態で試料を照明する。例示的検査または照明システムは、1つまたは複数の集光路を含んでいてもよく、これは試料により異なる方向に反射され、または散乱した光を集束し、および/または異なる波長および/または異なる偏光状態に対して感受性を有する。
繰返し周波数逓倍器を内蔵する検査および測定システムはさらに、時間平均された空間的に均一なビームプロファイル(すなわち、フラットトッププロファイル)を生成するように構成されていてもよい。の本明細書に記載されている逓倍器とフラットトッププロファイル生成器を内蔵する検査または測定システムは、小さい空間内の少ない光学構成要素を使って、レーザ繰返し周波数を3倍またはそれ以上に逓倍し、より均一な時間平均ビームプロファイルを提供する。本明細書に記載されている検査および計測システムは、より高い平均レーザパワーを使用することができ、それによってより高いスループット、より高い信号品質、およびより効率的なレーザエネルギーの使用を可能にする。
パルスレーザの繰返し周波数を逓倍する方法とシステムが記載されている。これらの方法とシステムは、入力レーザパルスを時間的に分離された複数のパルスに分割し、レーザ繰返し周波数を2、3、または4倍等に整数倍する。入力パルスは2つに分割され、パルスの一部がそのまま進み、パルスの一部がリングキャビティに入る。パルスは、リングキャビティの少なくとも一部を通った後に再び分割され、パルスの一部がリングキャビティから出て、一部は引き続きリングキャビティに残る。繰返し周波数逓倍器はさらに、1つの次元内で略平坦であり、それに垂直な次元においては実質的にガウス型である時間平均出力プロファイルを生成するように構成されてもよい。繰返し周波数逓倍器は、平面ミラー、曲面ミラー、偏光ビームスプリッタ、波長板、ビーム補償器、および/またはレンズを含んでいてもよい。
1つの例示的な実施形態において、入力レーザパルスは波長板と偏光ビームスプリッタによって2つに分割される。入力レーザパルスの一方の部分は短いリングキャビティループを回るように案内され、もう一方の部分は長いリングキャビティループを回るように案内される。パルスは、入力/出力結合器(これは偏光ビームスプリッタを含んでいてもよい)に戻る途中で、別の波長板に遭遇し、これがパルスエネルギーのうち、キャビティから出る部分を決定する。パルスエネルギーの残りの部分は、再びキャビティを通る。
1つの例示的な実施形態において、短いおよび長いキャビティループの長さはそれぞれ、パルスレーザのパルス間の空間分離距離の1/3と2/3に設定され、それによって出力パルスはパルス間周期の1/3、2/3、または1/3の整数倍だけ時間的に遅延する。これらの遅延パルスは、当初の入力レーザパルスのそれの3倍の繰返し周波数を有するパルストレインを形成する。2つの波長板の向きとリターダンスは、出力パルスがパルス間で実質的に等しいパルスエネルギーを有するように選択されてもよい。
同様に繰返し周波数を3倍にできる他の例示的な実施形態において、2つのミラーがリングキャビティを形成し、2つのビームスプリッタがそれらの間に設置される。パルスがビームスプリッタを通過するたびに、これは2つのパルスに分割し、パルスのうち一方はまっすぐに進み、他方は屈折する。これら2つのビームスプリッタによって、一部のパルスはより長いキャビティループを移動し、他のパルスはより短い方を移動する。1つの例示的な実施形態において、より短いループの経路の長さは、当初の入力パルス間距離の約1/3と等しく、長い方のループ経路の長さはパルス間距離の約2/3である。この実施形態において、出力パルスは、当初の入力パルスのそれの3倍の繰返し周波数を有するパルストレインを形成する。ミラー曲率、ミラー距離、およびビームスプリッタ反射率を適切に選択することにより、出力パルスはパルス間で実質的に等しいパルスエネルギーを有することができる。
1つの実施形態において、平板を含む2つのビーム補償器がキャビティ内に設置され、て、ビームスプリッタによるビーム経路のシフトを実質的に補償し、それによってビームはミラーから、キャビティの軸に関して実質的に対称なパターンで反射される。他の実施形態において、一方(または両方)のビームスプリッタの代わりにプリズム(複数の場合もある)が使用され、これが一方(または両方)のビームスプリッタのビーム経路のシフトを実質的に補償する。また別の実施形態において、プリズムまたはビーム補償器は使用されず、ビームスプリッタは、各々が他方により生じたビームシフトを補償するように位置付けられる。
また別の例示的な実施形態において、平面ミラーとプリズムがキャビティ内の光路の中に挿入されて、同じペアの曲面レンズ間に第二のキャビティループが形成され、そのループの長さは第一のキャビティループのそれの約半分である。第一のキャビティループの長さが当初の入力パルス間距離の約半分に設定された場合、第一のキャビティループはパルス繰返し周波数を2倍にすることができる。第一のキャビティループから出たパルスは第二のキャビティループに入り、これは第一のキャビティループのそれの約半分の長さを有し、それゆえ、パルス繰返し周波数を再び2倍にし、その結果出力パルスの繰返し周波数は入力レーザのそれの4倍となる。
いくつかの実施形態は、二等辺三角形プリズムまたはダブプリズムなどのプリズムを使って、キャビティ内でビームが移動する周回数を2倍にする。2つのキャビティルートは、2つの平行な出力ビームを生成する。これら2つのビーム間の偏差は、これらが重複して、時間平均された、空間的に略フラットトップのビームプロファイルを形成するように選択できる。
1つの実施形態において、2×パルス逓倍器方式がフラットトッププロファイル生成のための基礎として使用される。他の実施形態において、3×パルス逓倍器がフラットトッププロファイル生成の基礎として使用される。また別の実施形態において、上述の4×パルス逓倍器方式がフラットトッププロファイル生成のための基礎として使用される。この実施形態は、相互に所定のパワー比を有する4つの平行なビームを生成できる。ビーム間の距離とそれらの間のパワー比を選択することにより、より広い、より平坦な時間平均ビームプロファイルを実現できる。略フラットトップのプロファイルを生成するこれらの繰返し周波数逓倍器は、ビーム補償器および/またはプリズムを含んでいてもよい。
1つの実施形態において、リングキャビティは直角ミラーペアを含む。他の実施形態において、リングキャビティは全反射を利用して高い屈折率を実現するプリズムを含む。適当なプリズム設計により、プリズムを使用するリングキャビティは、高い反射率のコーティングを使用せずに低損失を実現できる。高反射率コーティングは、特に短波長で高強度のレーザパルスによって損傷を受けやすく、そのため、本明細書に記載されている方法とシステムの多くは、DUVおよびVUVレーザの繰返し周波数を逓倍するために使用される場合は特に、他のリングキャビティと比較して、動作寿命がより長く、および/または保守費用がより安価となりうる。
1つの実施形態において、リングキャビティ内の1つまたは複数のプリズムは、プリズムに入射し、射出するレーザビームの入射角がブリュースタ角に近く、レーザビームはプリズムの入射および射出面に関して実質的にP偏光とされ、それによって反射による損失が、反射防止(anti−reflection)(AR)コーティングを使用せずに小さく保たれる。ARコーティングは、特に短波長で高強度のレーザパルスにより損傷を受けやすい可能性があるため、この実施形態は、特にDUVおよびVUVレーザの繰返し周波数を逓倍するために使用された時に、ARコーティングを使用するリングキャビティと比較して、動作寿命がより長く、および/またはより安価な保守費用がより安価となり得る。
1つの実施形態において、プリズムのブリュースタカットは、同じリングキャビティ面内でビーム偏向が行われるような向きとされ、他の実施形態において、プリズムブリュースタカットは、リングキャビティ面に垂直なビーム偏向が行われるような向きとされる。
1つの実施形態において、ビームは適切な設計の1つのプリズム内で2回全反射される。このようなプリズムは、リングキャビティ内で2つの折曲ミラーの代わりに使用でき、それによって、構成要素の総数が減り、リングキャビティのアラインメントプロセスが簡単となる。
1つの実施形態において、直角プリズムがリングキャビティ内で使用される。これはビームを2回反射し、それがビームを反対方向に送り、それと同時に、また、それを空間内で変位させる。直角プリズムのこのような固有の特徴によって、直角プリズムを特定の角度だけ回転させるだけで、有効なキャビティ長さを逓倍する際の柔軟性が得られる。例えば、2つのリングキャビティは、同様の物理的長さで、ただし一方の光路長が他方の光路長の整数倍(例えば2倍)となるように構成されてもよく、2つのリングキャビティをカスケード接続することにより、パルス繰返し周波数をより大きな係数で逓倍してもよく、すると、単独のリングキャビティで好都合に達成できる。
好ましい実施形態において、各入力レーザパルスのエネルギーのうち、リングキャビティに案内される部分は、入射角と表面に関する偏光を、所望の反射および透過率を実現するために選択することによって制御される。これには、表面にコーティングが一切不要となるという利点があり、したがって、レーザ繰返し周波数逓倍器が数百mWまたはそれ以上の深UVまたは真空UVレーザに使用される時に特に問題となり得る、レーザパルスのピークパワー密度によって生じるコーティングへの損傷の可能性が回避される。このようなレーザは、半導体検査および計測システムの中で、寸法が約100nmまたはそれ以下の特徴物の検査または測定を行う際に所望の感度と信号対ノイズ比を実現するために、ますます必要とされている。
好ましい実施形態において、1つまたは複数のレンズがリングキャビティの中で使用されて、各レーザパルスを再結像し、それによってこれはキャビティを略同じ形状と大きさを保持する。1つの実施形態は、コーティングを持たないブリュースタ角レンズを使って、各レーザパルスを再合焦させ、それによってコーティングへの損傷のリスクを回避する。
好ましい実施形態において、上述の特徴の2つまたはそれ以上が1つのレーザ繰返し周波数逓倍器の中にまとめられる。例えば、1つの好ましい実施形態においてレーザ繰返し周波数逓倍器は、コーティングを持たない3つのプリズムを含むリングキャビティを含み、キャビティ内のレーザビームは、これらのプリズムの表面に関して実質的にp偏向される。プリズムのうち2つは全反射を利用して、レーザビームをリングキャビティ内で効率的に循環させる。第三のプリズムは、レーザビームがその表面に関して略s偏向され、入力パルスが、各入力パルスがリングキャビティ内に案内されるように選択された角度で入射するように向き付けられた表面を有する。
レーザパルス逓倍器を内蔵するウェハ検査システム、パターン付ウェハ検査システム、フォトマスク検査システム、および計測システムが記載されている。本明細書に記載されているレーザパルス逓倍器のサイズが小さいことにより、これらは検査および計測システムに組み込みやすい。レーザパルス逓倍器内でコーティングを持たない光学系を使用することにより、これらの検査および計測システムを、ハイパワーの深UVレーザで動作させることが可能となり、コーティングの損傷による性能の劣化または保守の問題を伴わない。
パルスレーザと、フラットトッププロファイル生成器としても構成してよいレーザパルス繰返し周波数逓倍器を内蔵する例示的な検査または測定システム図である。 フラットトッププロファイル生成器としても構成してよい繰返し周波数逓倍器を内蔵する暗視野検査システムを示す図である。 フラットトッププロファイル生成器としても構成してよい繰返し周波数逓倍器を内蔵する暗視野検査システムを示す図である。 同じくフラットトッププロファイル生成器としても構成してよい繰返し周波数逓倍器を内蔵することから利益を得られる、垂直および斜角照明ビームの両方を使用して試料上の粒子または欠陥を検出するように構成された検査システムを示す図である。 フラットトッププロファイル生成器としても構成してよい繰返し周波数逓倍器を有利に内蔵できる明視野および暗視野検査モードを有する検査システムとして構成された例示的な反射屈折イメージングシステムを示す図である。 入力パルスのそれの3倍のパルス繰返し周波数を有する出力パルストレインを生成する例示的な繰返し周波数逓倍器を示す図である。 同じく入力パルスのそれの3倍のパルス繰返し周波数を有する出力パルストレインを生成する他の例示的な繰返し周波数逓倍器を示す図である。 図6に示されるものと同様であるが、ビーム補償器を使用しない例示的な繰返し周波数逓倍器を示す図である。 図6に示されるものと同様であるが、ビーム補償器を使用しない例示的な繰返し周波数逓倍器を示す図である。 入力パルスのそれの4倍のパルス繰返し周波数を有する出力パルストレインを生成する例示的な繰返し周波数逓倍器を示す図である。 ビーム補償板の代わりに二等辺三角形プリズムを使用する例示的な2×パルス繰返し周波数逓倍器を示す図である。 ビームのシフトとビームの空間シーケンスの逆転を含む二等辺三角形プリズムの特徴を示す図である。 ビームのシフトとビームの空間シーケンスの逆転を含む二等辺三角形プリズムの特徴を示す図である。 図9に示される入力ビームのシフトによってフラットトップ出力ビームプロファイルを生成する例示的な実施形態を示す図である。 プリズムをキャビティ軸に向かってシフトさせることによってフラットトッププロファイルを生成する他の例示的な実施形態を示す図である。 2つの部分的に重複するガウシアンビームにより形成されるフラットトッププロファイルを示す図である。 少なくとも1つの補償板がプリズムに置き換えられている、図6に示される3×パルス繰返し周波数逓倍器方式に基づく例示的なフラットトッププロファイル生成器を示す図である。 図7Aに示される3×パルス繰返し周波数逓倍器方式に基づく例示的なフラットトッププロファイル生成器を示す図である。 図7Bに示される3×パルス繰返し周波数逓倍器方式に基づく他の例示的なフラットトッププロファイル生成器を示す図である。 図8に示される4×パルス繰返し周波数逓倍器方式に基づく他の例示的なフラットトッププロファイル生成器を示す図である。 図15Aに示される設計により生成される例示的なフラットトッププロファイルを示す図である。 他の実施形態による2×パルス繰返し周波数逓倍器に基づく生成器を示す正面図である。 他の実施形態による2×パルス繰返し周波数逓倍器に基づく生成器を示す側面図である。 他の実施形態による2×/4×パルス繰返し周波数逓倍器に基づく生成器を示す正面図である。 他の実施形態による2×/4×パルス繰返し周波数逓倍器に基づく生成器を示す上面図である。 2つの直角プリズムと1つのビームスプリッタを有する、ある例示的な繰返し周波数逓倍器を示す図である。 図Aと同様であるが、プリズムの1つが90°回転されて、同じプリズム間の距離についてレーザパルスの遅延時間が2倍となる、他の例示的な繰返し周波数逓倍器を示す図である。 1つの実施形態により、直角ミラーのペアまたはプリズムのうちの1つを回転させることによって、どのようにリングキャビティの長さを物理的なキャビティの長さの異なる整数倍へと変化させることができるかを示す簡略図である。 1つの実施形態により、直角ミラーのペアまたはプリズムのうちの1つを回転させることによって、どのようにリングキャビティの長さを物理的なキャビティの長さの異なる整数倍へと変化させることができるかを示す簡略図である。 1つの実施形態により、直角ミラーのペアまたはプリズムのうちの1つを回転させることによって、どのようにリングキャビティの長さを物理的なキャビティの長さの異なる整数倍へと変化させることができるかを示す簡略図である。 同様の外寸を有する2つのキャビティを使って入力パルストレインの周波数の4倍の繰返し周波数を有するパルストレインを生成する、1つの可能な実施形態を示す図である。 各パルスのレーザビーム品質をそれがリングキャビティ内を移動する際に保持するためにパルス繰返し周波数逓倍器内で使用される例示的なレンズ構成を示す図である。 プリズムの一方が他方に関して回転されている、リングキャビティ内のレーザビーム品質を保持する、図21と同様のレンズ構成を示す図である。 各パルスのレーザビーム品質をそれがリングキャビティ内を移動する際に保持するためにパルス繰返し周波数逓倍器内で使用される他の例示的なレンズ構成を示す図である。 レーザが各レンズにブリュースタ角と略等しい角度で入射する、円筒レンズを使ってレーザビーム品質を保持するためにパルス繰返し周波数逓倍器内で使用される他の例示的なレンズ構成を示す図である。 ビームスプリッタの機能をプリズムの1つに組み込む特殊なプリズム設計の2つの例示的なパルス繰返し周波数逓倍器を示す図である。キャビティ内で光を再循環させるためにブリュースタ角プリズムを使用できる。 ビームスプリッタの機能をプリズムの1つに組み込む特殊なプリズム設計の2つの例示的なパルス繰返し周波数逓倍器を示す図である。図25Bの繰返し周波数逓倍器はすべてコーティングを持たない光学系を使用して、高強度の深UVレーザパルスによるコーティング損傷の可能性を回避する。 図25のそれらと同様であるが、プリズムの1つが90°回転されてパルス遅延時間が2倍とされている、例示的な繰返し周波数逓倍器を示す図である。 図25のそれらと同様であるが、プリズムの1つが90°回転されてパルス遅延時間が2倍とされている、例示的な繰返し周波数逓倍器を示す図である。 コーティングも別のビームスプリッタも持たない、3つのプリズムを使用する例示的な繰返し周波数逓倍器を示す図である。すべてコーティングを持たない光学系を使用する他の実施形態に関して、この繰返し周波数逓倍器は、レーザパルスによるコーティング損傷の可能性を回避するため、深UVでの使用に特に適している。 コーティングも別のビームスプリッタも持たない、3つのプリズムを使用する例示的な繰返し周波数逓倍器を示す図である。すべてコーティングを持たない光学系を使用する他の実施形態に関して、この繰返し周波数逓倍器は、レーザパルスによるコーティング損傷の可能性を回避するため、深UVでの使用に特に適している。 図27Aの第一のプリズムの設計の詳細を示す図である。 図27Aの第一のプリズムの設計の詳細を示す図である。 図27Aの第一のプリズムの設計の詳細を示す図である。 図27Aの第一のプリズムの設計の詳細を示す図である。 外反射と内反射の両方についての、入射角に対するフレネル反射を示すグラフである。図27Aの第一のプリズムの1つの実施形態において使用される入射角が示されている。 外反射と内反射の両方についての、入射角に対するフレネル反射を示すグラフである。図27Aの第一のプリズムの1つの実施形態において使用される入射角が示されている。 図27Aの第二のプリズムの設計の詳細を示す図である。 図27Aの第二のプリズムの設計の詳細を示す図である。 図27Aの第二のプリズムの設計の詳細を示す図である。 図27Aの第三のプリズムの設計の詳細を示す図である。 図27Aの第三のプリズムの設計の詳細を示す図である。 図27Aの第三のプリズムの設計の詳細を示す図である。 図27Aの第三のプリズムの設計の詳細を示す図である。 2つのプリズムと1つのビームスプリッタ、または1つのプリズム、1つのミラー、および1つのビームスプリッタを使用する、他の例示的な繰返し周波数逓倍器を示す図である。 2つのプリズムと1つのビームスプリッタ、または1つのプリズム、1つのミラー、および1つのビームスプリッタを使用する、他の例示的な繰返し周波数逓倍器を示す図である。 リングキャビティの一方のプリズムが90°回転されて、その有効キャビティ長が2倍である、図32Aに示されるものと同様の2つのリングキャビティを含む例示的な4×繰返し周波数逓倍器を示す図である。
本明細書には、半導体検査および測定システムのための改良された照明システムが記載されている。以下の説明は、当業者が本発明を、特定の用途とその要求事項に関連して提供されているように製造し、使用できるようにするために提示されている。当業者にとっては、記載されている実施形態に対するさまざまな改良が明らかであり、本明細書で定義される一般的原理は、他の実施形態にも適用できる。したがって、本発明は図示され、説明されている特定の実施形態に限定されるものではなく、本明細書で開示されている原理と新規の特徴と矛盾しない、最も広い範囲が付与されるものとする。
図1は、ウェハ、レティクル、またはフォトマスク等の試料108を検査または測定するように構成された、ある例示的な検査システム100を示している。試料108は、試料108の異なる領域を光学系の下に移動させやすくするために、ステージ112に載せられる。ステージ112は、X−YステージまたはR−θステージを含んでいてもよい。いくつかの実施形態において、ステージ112は、検査中に焦点を保持するように、試料108の高さを調整できる。他の実施形態において、対物レンズ105を調整して、焦点を保持できる。
光源102は、1つまたは複数のパルスレーザと、本明細書に記載されているような繰返し周波数逓倍器を含む。光源102は、DUVおよび/またはVUV放射を発してもよい。対物レンズ105を含む光学系103は、その放射を試料108へと案内し、その上に合焦させる。光学系103はまた、ミラー、レンズ、および/またはビームスプリッタ(単純化するために詳しくは図示されていない)も含んでいてよい。試料108から反射され、または散乱した光は、光学系103によって集光され、検出器アセンブリ104の中にある検出器106へと案内され、そこに合焦される。
検出器106は、2次元アレイセンサまたは1次元ラインセンサを含んでいてもよい。1つの実施形態において、検出器106の出力はコンピューティングシステム114に供給され、これが出力を分析する。コンピューティングシステム114は、プログラム命令118によって構成され、これはキャリア媒体116に保存できる。
光源102は、パルスレーザ119と繰返し周波数逓倍器120を含む。1つの実施形態において、光源102は、アークランプ、レーザポンププラズマ光源、またはCWレーザ等の連続的光源をさらに含んでいてもよい。
検査システム100の1つの実施形態は、試料108上の1本の線を照明し、1つまたは複数の暗視野および/または明視野集光路の中で散乱および/または反射光を集光する。この実施形態において、検出器106はラインセンサまたは電子打ち込みラインセンサを含んでいてもよい。この実施形態において、光源102内の繰返し周波数逓倍器120は、実質的に均一なライン照明を生成する。
検査システム100の他の実施形態は、試料108上の複数のスポットを照明し、散乱および/または反射光を1つまたは複数の暗視野および/または明視野集光路で集光する。この実施形態において、検出器106は2次元アレイセンサまたは電子打ち込み2次元アレイセンサを含んでいてもよい。
検査システム100の各種の実施形態のさらに詳しい事項は、2012年7月9日に出願された、“Wafer inspection system”と題する米国特許出願第13/554,954号、2011年6月7日に発行された、“Split Field Inspection System Using Small Catadioptic Objectives”と題する米国特許第7,957,066号、2008年3月18日に発行された、“Beam Delivery System For Laser Dark−field Illumination in a Catadioptric Optical System”と題する米国特許第7,345,825号、1999年12月7日に発行された、“Ultra−Broadband UV Microscope Imaging System With Wide Range Zoom Capability”と題する米国特許第5,999,310号、および2009年4月28日に発行された、“Surface Inspection System Using Laser Line Illumination With Two Dimensional Imaging”と題する米国特許第7,525,649号に記載されている。これらの特許すべてを参照によって本願に援用する。
図2Aおよび2Bは、本発明の他の例示的な実施形態による、本明細書に記載されている繰返し周波数逓倍器および/または繰返し周波数逓倍方法を内蔵する暗視野検査システム200の態様を示す。図2Aにおいて、光源201はレーザシステム220を含み、これは光を生成し、それがミラーまたはレンズ203により検査対象のウェハまたはフォトマスク(試料)211の表面上のライン205に合焦される。集光光学系210は、レンズおよび/またはミラー212および213を使ってライン205から散乱した光をセンサ215へと案内する。集光光学系210の光軸214は、ライン205の照明平面内にない。幾つかの実施形態において、光軸214はライン205に略垂直である。センサ215は、例えばリニアアレイセンサ等のアレイセンサを含む。レーザシステム220は、本明細書に記載されている繰返し周波数逓倍器および/または繰返し周波数逓倍方法の1つまたは複数を取り入れている。レーザシステム220は、本発明のある実施形態によるフラットトッププロファイルを効率的に生成し、それによってライン205に沿った時間平均光強度が実質的に均一となりうるように構成されてもよい。
図2Bは、複数の暗視野集光システム231、232、および233の1つの実施形態を示しており、各集光システムは図2Aの集光光学系210と実質的に同様である。集光システム231、232、および233は、図2Aの照明光学系201と実質的に同様の照明光学系と共に使用されてもよい。試料211はステージ221上に支持され、これは検査対象領域を光学系の下へと移動させる。ステージ221は、X−YステージまたはR−θステージを含んでいてもよく、これは好ましくは、検査中に実質的に継続的に移動して、試料の大きな領域を最小限のデッドタイムで検査できるようにする。
図2Aおよび2Bに示されている実施形態による検査システムのさらに詳しい事項は、209年4月28日に発行された、“Surface inspection system using laser line illumination with two dimensional imaging”と題する米国特許第7,525,649号および2003年8月19日に発行された、“System for detecting anomalies and/or features of a surface”と題する米国特許第6,608,676号に記載されている。これらの特許の両方を参照によって本願に援用する。
図3は、垂直および斜角照明ビームの両方を使って試料上の粒子または欠陥を検出するように構成された検査システム300を示す。この構成において、レーザシステム330はレーザビーム301を提供する。レーザシステム330は、パルスレーザと、本明細書に記載されている繰返し周波数逓倍器を含む。レンズ302はビーム301を、空間フィルタ303を通るように集光する。レンズ304はビームをコリメートし、それを偏光ビームスプリッタ305へと送る。ビームスプリッタ305は第一の偏光成分を垂直照明路へと通過させ、第二の偏光成分を斜角照明路に通過させ、第一および第二の成分は直交する。斜角照明路306の中で、第一の偏光成分は光学系307によって合焦され、ミラー308により試料309へと反射される。試料309(ウェハまたはフォトマスク等)により散乱した放射は、放物面ミラー310によって集光され、センサ311に合焦される。
斜角照明路312において、第二の偏光成分はビームスプリッタ305によって、このようなビームを1/2波長板314に通すミラー313へと反射され、光学系315により試料309に合焦される。斜角照明路312の中の斜角照明ビームから発し、試料309により散乱した放射は、放物面ミラー310により集束されて、センサ311に合焦される。センサ311と被照明領域(試料309上の垂直および斜角照明路による)は、好ましくは放物面ミラー310の焦点にある。
放物面ミラー310は、試料309からの散乱放射をコリメートして、平行ビーム316とする。平行ビーム316はすると、対物レンズ317により、アナライザ318を通ってセンサ311に合焦される。放物面以外の形状の曲面ミラー表面も使用できる点に留意されたい。器具320は、ビームと試料309とを相対的に移動させて、試料309の表面全体にわたり、スポットがスキャンされるようにすることができる。
2001年3月13日に発行された,“Sample Inspection System”と題する米国特許第6,201,601号およびRomanovsky et al.により2012年7月9日に出願され、“WAFER INSPECTION SYSTEM”と題する米国特許出願第13/554,954号に、検査システム300がより詳しく説明されており、これらの両方を参照によって本願に援用する。
図4は、明視野および暗視野モードを有する検査システムとして構成された、ある例示的な反射屈折イメージングシステム400を示している。システム400は、2つの光源、レーザ401と広帯域光照明モジュール420を内蔵する。レーザ401は、本明細書に記載されているように、パルスレーザと繰返し周波数逓倍器を含む。好ましい実施形態において、レーザ401は、本明細書に記載されているように、DUVまたはVUVレーザ、パルス繰返し周波数逓倍器、および/またはフラットトッププロファイル生成器を含む。
暗視野モードでは、順応光学系402は、検査対象表面上のレーザ照明ビームサイズとプロファイルを制御する。機械的筐体404は、アパーチャおよび窓403と、試料408の表面への直角入射での光軸に沿ってレーザを方向転換するためのプリズムを含む。プリズム405はまた、試料408の表面特徴物からの鏡面反射を対物レンズ406の外に案内する。対物系406は、試料408により散乱した光を集光し、これをセンサ409に合焦させる。対物系406のレンズは、反射屈折対物レンズ512、合焦レンズ群413、およびチューブレンズ部414の一般的形態で提供でき、これは、任意選択でズーム機能を含んでいてもよい。
明視野モードでは、広帯域照明モジュール420は、広帯域光をビームスプリッタ410に案内し、これがその光を合焦レンズ群413と反射屈折対物レンズ412へと反射させる。反射屈折対物レンズ412は、試料408を広帯域光で照明する。試料から反射され、または散乱した光は、対物レンズ406によって集光されて、センサ409上で合焦される。広帯域照明モジュール420は、例えば、レーザポンププラズマ光源またはアークランプを含む。広帯域照明モジュール420はまた、オートフォーカスシステムを含んでいてもよく、これは、試料48の反射屈折対物レンズ412に関する高さを制御するための信号を供給する。
参照によって本願に援用される、2008年3月18日に発行された、“Beam Delivery System For Laser Dark−Field Illumination in a Catadioptric optical system”と題する米国特許第7,245,825号に、システム400がより詳しく説明されている。
図5は、入力レーザパルス(入力)を受け取り、入力レーザパルスのそれの3倍の繰返し周波数を有するパルストレイン(出力)を生成するように構成された、ある例示的なパルス繰返し周波数逓倍器120Aを示している。上で引用した‘075号米国特許出願に記載されている方式と同様に、偏光ビームスプリッタ(PBS)A01は、リングキャビティの入力および出力結合器の役割を果たす。入力レーザは、PBS A01に関してp偏向される。PBS A01は、入力レーザパルスを受け取り、p偏光を透過させ、S偏光を反射するように設計され、向き付けられている。さらに別の2つのPBS(A02およびA03)と3つの折曲ミラー(A04、A05、A06)がデュアルキャビティを形成する。デュアルキャビティはまた、2つの2分の1波長板も含み、一方はA01とA02の間に設置され、他方はA03とA06の間に設置される。レーザパルスはPBS A01を通じてデュアルキャビティに入ると、これはPBS A02によって2つのパルスに分割される。パルスの一方の部分はPBS A02からPBS A03に反射され、PBS A03からミラーA06へと案内され、その後、ミラーA06から反射されてPBS A02に戻る(ループAとして示される)。パルスのもう一方の部分はPBS A02からミラーA04へと透過し、ミラーA04からミラーA05に反射され、ミラーA05から反射されてA03を通ってミラーA06へと反射され、その後、ミラーA06から反射されてPBS A01に戻る(ループBとして示されている)。繰返し周波数逓倍器120Aはまた、PBS A01からPBS A02に透過する入力レーザパルス部分の偏光状態を変えるための第一の波長板A0と7、PBS A03からミラーA06へと透過する入力レーザパルスの偏光状態を変えるための第二の波長板A08も含む。ループAとループBとの間のレーザパルスエネルギー分布は、2分の1波長板A07の主軸の、入力レーザパルスの偏光に関する角度によって制御できる。2分の1波長板A08の主軸の角度を選択することにより、デュアルキャビティの中でリサイクルされるパルスエネルギーとPBS A01を通じてデュアルキャビティから出るエネルギーとの比を制御できる。
1つの好ましい実施形態において、ループAの光路長は、入力レーザパルスのパルス間距離の約3分の1に設定され、ループBの光路長はループAの約2倍に設定される。その結果、出力パルスは、入力レーザパルス間の時間間隔の約3分の1と3分の2となり、入力パルスと略一致し、それゆえ、レーザの繰返し周波数は3倍となる。この実施形態において、好ましくは、各出力パルスのエネルギーが略等しくなるように、波長板A07とA08の主軸の角度、それぞれαとβは、それぞれ約α=29°とβ=16°、またはそれぞれ約α=16°とβ=29°の何れかに設定される。用途によって各パルスのエネルギーのわずかな差(例えば、数パーセント)が容認される場合、これらの数値から1ないし2度の差のある角度も容認可能であるかもしれない。レンズ(図示せず)は、デュアルキャビティの中に組み込まれてもよく、および/またはミラーA04、A05、およびA06のうちの1つまたは複数は、各パルスのガウスビームウエストと大きさを、それが同じ位置に戻る時に同じ状態に再結像されるように湾曲されていてもよい。
このデュアルキャビティでは、3倍以外の繰返し周波数も可能である。例えば、ループAは入力パルスの距離の約4分の1と等しい光路長を有するように設定されてもよく、ループBは、ループAの長さの約2倍に設定されてもよい。その結果、入力レーザパルスの繰返し周波数は4倍となるであろう。しかしながら、このような方式は、等しい出力パルスエネルギーを生成できず、そのため、等しい出力パルスエネルギーが必要とされない場合のみ有用である。
図6は、繰返し周波数を3倍にできる、他のパルス繰返し周波数逓倍器120Bを示している。上で引用した‘593号米国特許出願の中に記載されているヘリオットセル方式と同様に、このパルス繰返し周波数トリプラは、1対の曲面ミラー(B01とB02)により形成される光学キャビティを含む。曲面ミラーB01およびB02は、好ましくは球面ミラーである。パルス繰返し周波数逓倍器120Bは、2つのビームスプリッタ(B03、B04)と2つのビーム補償器(B05、B6)をさらに含む。2つの曲面ミラーB01およびB02の曲率半径は好ましくは、どちらもそれらの間の距離と実質的に等しいものとすべきである(すなわち、キャビティは共焦点であるべきである)。
レーザ入力パルス(入力)は、ビームスプリッタB03に到達する。各パルスのエネルギーの一部は、ビームスプリッタとB03から反射され、曲面ミラーB01上の点B07へと、次に曲面ミラーB02上の点B08へと、ビームスプリッタB04を通って曲面ミラーB01上の点B09へと、その後、曲面ミラーB02上の点B10へと、そして再びビームスプリッタB03に至る。各パルスのエネルギーのもう一方の部分は、ビームスプリッタB03を透過してビームスプリッタB04に至り、ここで、反射されて曲面ミラーB01上の点B9へ、次に曲面ミラーB02上の点B10へ、そして再びビームスプリッタB03に至る。好ましい実施形態において、より短いループ(B03−B04−B09−B10−B03)の光路長は、より長ループ(B03−B07−B08−B04−B09−B10−B03)のそれの約半分である。2つの曲面ミラーB01およびB02間の距離が入力レーザビームの当初のパルス間距離の約6分の1である場合、出力パルストレインは入力パルスの繰返し周波数の3倍を有する。ビーム補償器B05およびB06の光学厚さまたは方位は、ビームスプリッタB03およびB04によりそれぞれ生じるキャビティ内でのレーザビーム変位を実質的に補償するように選択される。
上で引用した‘593号出願に記載され、同出願の図2Aおよび2Bに示されている2×繰返し周波数逓倍器の出力と同様に、パルス繰返し周波数トリプラ120Bの出力は一連のパルストレインからなり、各パルストレインは、1回または複数回、キャビティの一方または両方を逆転させた一連のパルスを含む。パルス繰返し周波数トリプラ120Bは、2×繰返し周波数逓倍器の場合の入力パルス当たり出力パルスが2つであるのと比較して、入力パルス当たりの出力パルストレインは3つである。パルス繰返し周波数トリプラの好ましい実施形態において、各出力パルストレインの中の総エネルギーは、ビームスプリッタB03およびB04を
とほぼ等しく、すなわち約0.28と約0.72に設定することによって、相互に略等しくされる。B03の反射率を約0.28にすることができ、B04の反射率を約0.72にすることができるか、またはB04の反射率を約0.28にすることができ、B03の反射率を約0.72にすることができる点に留意されたい。どちらの構成も、実質的に等しい出力パルスエネルギーを生成する。パルス間の数パーセント程度のエネルギーばらつきは多くの検査用途において容認可能であるかもしれないため、ビームスプリッタの反射率は、0.28および0.72から数パーセント異なる数値を有するように選択されてもよい。当業者であればわかるように、ビームスプリッタの反射率は、ビームスプリッタの材料、表面上にコーティングされた層の厚さと材料、およびビームスプリッタへの入射角を選択することによって制御できる。
図7Aは、他の実施形態による繰返し周波数逓倍器120B−1を示しており、これは図6に示されるものと同様の方法で曲面ミラー(B01およびB02)とビームスプリッタを利用しているが、2つのビーム補償器(B05およびB06、図6参照)が除かれている点が異なる。図7Aは、ビームスプリッタB3−1およびB4の位置を適正に調整することによって、ビームスプリッタの1つにより引き起こされるビーム変位をもう一方のビームスプリッタにより補償でき、またその逆も可能であることを示している。好ましくは、2つのビームスプリッタB4およびB03−1は、実質的に等しい光学厚さを要する。図7Bは、他の実施形態による繰返し周波数逓倍器120B−2を示しており、ビームスプリッタB03−2は、その被覆面が図7aのビームスプリッタB03−1に関して反対方向に反転された状態で設置されている。何れの実施形態においても、閉ループが存在でき、ビーム補償器は不要である。
図8は、繰返し周波数を4倍にできる他の繰返し周波数逓倍器120Dを示している。繰返し周波数逓倍器120Dは、図6に関して上述したものと同様の2つの曲面ミラーB01およびB02と、ビームスプリッタD01およびD06と、2つの折曲ミラーD05よびD07により構成される光学キャビティを含む。入力レーザの繰返し周波数はまず、上で引用した‘593号米国特許出願に記載されているものと同様の方法で、1つのビームスプリッタD01(好ましくは反射率が約2/3)と2つのビーム補償器またはプリズムD02を使って2倍にされる(第一のキャビティループ)。その後、出力ビームD03は、直角プリズムD04とミラーD04によってキャビティに戻される。すると、ビームは、点線で示される経路に沿って他のビームスプリッタD06(好ましくは反射率約1/3)に到達し、D06から、球面ミラーB01、球面ミラーB02、その後他の平面ミラーD07、および再びビームスプリッタD06に至る第二のキャビティループ(破線)が始まる。この第二のキャビティパスループの長さは、第一のループのそれの約半分であり、それゆえ、これは繰返し周波数を2回にわたって2倍にし、出力パルストレインは当初の入力パルス繰返し周波数の4倍となる。
この方式の特殊な特徴は、この第二のキャビティループは、さらに繰返し周波数を2倍にするが、第一のキャビティループと同じ曲面ミラーセット(B01およびB02)を利用する。それに加えて、平面ミラーD05およびD07は、両面に高反射率(HF)コーティングを有する1つの光学素子にまとめることができる。これらの特徴によって、相互にカスケード接続された2つの個別の2×パルス逓倍器を含む装置と比較して、設置面積がより小さくなる。ミラーD07およびD05を合体させることは、好都合ではあるものの、必要ではなく、ビームD03は、図とは異なる経路に沿って案内されてビームスプリッタD06に到達してもよい点に留意されたい。別のレイアウトも可能であり、本実施形態の範囲内に含まれる。
図9は、既に開示したような繰返し周波数を2倍にする別の繰返し周波数逓倍器120Eを示している。繰返し周波数逓倍器120Eは、図6に関して上で説明したものと同様の方法で、曲面ミラーB01およびB02とビームスプリッタB03により形成される光学キャビティを含む。ここでは、前の実施形態の補償器B05の代わりに、二等辺三角形プリズムE01が使用されている。
図10Aおよび10Bは、二等辺三角形プリズムE01の有益な特徴を示しており、すなわち、(1)それはビームをシフトさせ、シフト量はプリズムを横方向に移動させることによって調整され、(2)複数のビームが平行してプリズムに入射したとき、出力ビームの空間シーケンスは逆転される。この二等辺三角形プリズムはまた、二等辺三角錐またはダブプリズムとしても実装可能である。
図11Aおよび図11Bは、例示的実施形態による2つの同様のフラットトップビーム生成器102E−1および102E−2を示しており、これらはそれぞれ、繰返し周波数逓倍器120E−1および120E−2を使って、レーザ119E−1および119E−2から受け取った入力パルス(入力)を2つの横方向に変位された(別のラウンドトリップ光学系)出力ビーム経路に分割し、それによって入力レーザパルスのパルス繰返し周波数を倍加した(2倍)パルス繰返し周波数を有する、時間平均フラットトップビームプロファイルを有する出力レーザパルス(出力)を生成する。繰返し周波数逓倍器120E−1および120E−2は、2つの球面/キャビティ(曲面)ミラーB01およびB02、ビームスプリッタB03、および二等辺三角形プリズムE01を含み、これらは図9に関して上で説明した実施形態と同様に配置される。図11Aは、図9の垂直光路を点線で示している。図11Aに示される実施形態において、キャビティ内のビームは、入力ビームの小さい変位により(例えば、レーザ119E−1を図11Aの下の太い矢印により示される方向に変位させることによって)ルートE02にシフトされる。レーザパルスが経路E02でキャビティを1回周回した後、プリズムE01はレーザパルスを、名目経路の反対側にある経路E03に変位させる。ルートE03のパルスは、それが再びプリズムE01に戻ると、ルートE02に再び切り換えられる。したがって、レーザパルスはルートE02とE03との間で交互に切り換えられる。
レーザパルスがビームスプリッタB03に到達するたびに、パルスのエネルギーの一部が反射され、システムから出る。ルートE02を通るパルスは出口ルートE04でパルスを生成し、ルートE03上のパルスは出口ルートE05でパルスを生成する。この装置では、1つのガウスビームが空間的に2つに分かれる。E04とE05との距離を制御することによって、これら2つのレーザビームの重複度合いを制御できる。好ましい実施形態において、出力ビームプロファイルは、図12に示されるように、略フラットトップの時間平均強度を有する。略フラットトップの出力ビームプロファイルは、1つのガウスビームをもう一方に関して、ビームウエストの半径(すなわち、ビーム振幅がそのピーク値の1/eと等しい半径または、等価的に、ビームピーク密度がそのピーク値の1/eである半径)の約0.5倍だけ移動させることによって作ることができる。このフラットトッププロファイルは、均一化された空間パワー分布が必要な多くの用途において非常に望ましい。経路E04およびE05上のレーザパルスが、個々のパルスの持続時間よりはるかに長い時間だけ分離した(例えば、入力レーザパルス間の時間間隔の約半分だけ時間的に離れた)時にキャビティから出るため、一方のパルスが他方により干渉されることはなく、その結果、望ましい、比較的フラットトップのプロファイルが得られる。2つの変位したガウスパルス間の干渉は、パルス間に十分に長い時間遅延がない場合に起こる可能性があり、プロファイルがフラットトップでなくなる原因となりうる。
図11Bは、フラットトップビームプロファイルを有するレーザパルス(出力)を生成するための他の例示的実施形態により構成された繰返し周波数逓倍器120E−2でのフラットトップビーム生成器102E−2を示している。レーザ119E−2の位置をシフトさせることによって入力ビームをオフセットする代わりに、プリズムE01は、キャビティ軸に向かってシフトされ(図の下の太い矢印により示される)、それゆえ、パルスが名目経路E06(実線)から新しいルートE07(破線)に逸れる。各パルスは次に、キャビティを周回した後にプリズムE01を通るたびにルートE06およびE07間で行ったり来たりする。図11Aの実施形態と同様に、パルスが2つの異なるルートでビームスプリッタB03を通過するときに2つの出力ビームが生成され、時間平均フラットトップビームプロファイルは、ビーム分離を適正に調整することによって形成できる。
図11Aと図11Bに示されているフラットトップ方式を容易にする上述の繰返し周波数逓倍器120E−1および120E−2は、繰返し周波数を2倍にする方式(例えば、図9に関して上で説明した構成)に基づいている。したがって、それには、一方の光学キャビティがレーザパルスエネルギー分布を時間領域内で広げるだけでなく、空間領域内のエネルギー分布も均一化する。
図13は、他の実施形態による他のフラットトップビーム生成器102Fを示しており、これは繰返し周波数逓倍器120Fを使ってレーザ119Fにより生成された入力レーザパルスを受け取り、上で説明され、図6に示されているもの同様の3×パルス繰返し周波数逓倍システムを使って、時間平均フラットトップのビームプロファイルを有する出力レーザパルスF03およびF4を生成する。この実施形態において、ビームスプリッタB04は、その名目位置より(図6と比較して)下方に移動され、二等辺三角形またはダブプリズムF06がビーム補償器B06の代わりに使用され、上述の方法でビームを横方向に移動させ、2つのビーム経路を生成する。レーザパルスは、パルスがビームスプリッタB03およびB04間(キャビティ軸に垂直)の経路を通過するたびに、およびそれがプリズムF06を通過するたびに、外側ルートF01(実線)と内側ルートF03(破線)との間で切り替わる。レーザパルスがビームスプリッタB04に遭遇すると、パルスのエネルギーの一部がシステムから出る。好ましい実施形態において、ビームスプリッタの反射率は、F03の平均出力パワーがF04の平均出力パワーと略等しくなるように選択される。1つの好ましい実施形態において、ビームスプリッタの損失が最小限である場合、ビームスプリッタ反射率は、
となるように選択され、式中、RB03とRB04はそれぞれビームスプリッタB03およびB04の反射率である。好ましくは、ビームスプリッタとビーム補償器の両方の厚さはすべて同じであり、それによって光学キャビティ内で2つの閉ループを実現するための光学系のアラインメントが容易となる。
あるいは、図14Aおよび14Bは、他の実施形態による例示的なフラットトップビーム生成器102G−1および102G−2を示しており、これは、図13と同様の構成であるが、ビーム補償器またはプリズムを一切使用せず、これはそれぞれレーザ119G−1および119G−2により生成される入力レーザパルスを受け取り、フラットトップビームプロファイルを有する出力レーザパルス(出力)を生成する構成を有する。ビームスプリッタの位置を適正に配置することにより(例えば、図14Aに示されるようにビームスプリッタB04−1を右に移動させるか、図14Bに示されるようにビームスプリッタB04−2を左に移動させることによる)、3×逓倍器に基づく方式において、補償器またはプリズムを使用せずにフラットトップビームプロファイルを生成することが可能となる。それに加えて、ビームスプリッタのコーティングは、異なる方向に向けることも(図14A)、または同じ方向に向けることも(図14B)できる。また、図14Aおよび14Bの実施形態は、図7Aおよび7Bに示される構成の、ビームスプリッタの一方が位置においてずれている派生型であり、それによってビームが2つに分割され、したがって、適切なオフセットにより、時間平均フラットトップ出力プロファイルを生成できることが分かるであろう。
図15Aは、図8に示されるものと同様の方式を有する(ここでは、「名目」と呼ぶ)4×繰返し周波数逓倍器120Hを利用する、他の例示的なフラットトップビーム生成器102Hを示している。この実施形態は、3×繰返し周波数逓倍器より幅広く、扁平の出力プロファイルを生成できる。図11Bに示されるメカニズムを利用することによって、プリズムD04を下方にシフトさせると、第一段階の出力ビームD03が2つ(D03およびH01)に分割される。さらに、プリズムD04を左側に移動させると、スプリットビームD03およびH01は名目経路(破線)の片側にシフトする。これら2つのビームは、ビームスプリッタD06、ミラーB01、ミラーB02、およびミラーD07により形成される第二のキャビティに入った後に、名目の反対側に逓倍される。したがって、ビームスプリッタD06を通ってシステムから出る4つのビーム(H02、H03、H04、H05)がある。図中の点線は名目ビーム経路であり、これは直角プリズムがシフトされていない場合のみ存在し、これらはここでは参考である点に留意されたい。ビームは実際には、この状況ではこの名目経路を通らない。
フラットトップビームの組合せを生成するために、3つのパラメータを適切な関係に配置する必要がある。プリズムD02のシフト距離を適正に調整することにより、D03とH01の間の距離(a)、したがってH02とH03との間の空間、ならびにH04とH05との間の空間も同様に調整できる。プリズムD04の変位を調整することによって、H03とH04との間の空間(b)を調整できる。最後に、ビームスプリッタD01の反射率を、ビームD03およびH01が異なるパワーを所望の比で有するように選択することができる。
図15Bは、図15Aのこの装置から生成されるある例示的な出力ビームプロファイルを示している。この例示的な実施形態において、入力にガウスビーム半径w(1/e分解能)の場合、フラットトップ出力プロファイルは、a〜0.9w、b〜0.86W、ビームスプリッタD01の反射率RD01〜0.65、ビームスプリッタD06の反射率RD06〜0.33で生成される。この例は、幅約2.3wの実質的にフラットトップの時間平均出力プロファイルを生成する。どれだけフラットなプロファイルが必要かに応じて、その他の組合せも有効であるかもしれない。
上で引用され、参照によって本願に援用される‘075号および‘593号出願において、レーザパルス繰返し周波数逓倍器の代替的な実施形態が記載されている。これらの出願は、適切な長さのリングキャビティを使用することにより、ビームスプリッタを使って各入力パルスのエネルギーの約2/3をキャビティ内に誘導し、各パルスのエネルギーの約1/3を出力に誘導することによって、パルスレーザの繰返し周波数をどのように2倍にできるかを説明している。キャビティ光路長が入力レーザパルス間の時間間隔の約半分に対応した状態で、出力パルストレインは、当初のレーザパルスの2倍の繰返し周波数で繰り返す、実質的に同様のエネルギーのエンベロープを形成する。‘593号出願はまた、ビームスプリッタの透過率と反射率を調整して、ビームスプリッタとリングキャビティ内の損失を補償するために実質的に等しい出力パルスエネルギーを保持する方法を説明している。‘075号および‘593号出願に記載されている原理の何れを本明細書に記載されているパルス繰返し周波数逓倍器のさまざまな実施形態に適切に応用してもよい。
以上、本発明の1つまたは複数の実施形態の詳細な説明を、本発明の原理を例示する添付の図論に沿って提供した。本発明は、このような実施形態に関連して説明されているが、本発明は何れの実施形態にも限定されない。
例えば、1つの実施形態において、光学構成要素はレーザ波長に関する適切なコーティングで被覆できる。波長板等、何れの透過性素子の各表面にも、レーザエネルギーのうち、各表面で反射される量を最小限にする反射防止コーティングを設けることができる。ミラーは、レーザ波長での反射を最大にし、散乱を最小限にするように設計されたコーティングで被覆できる。
他の例では、1つの実施形態において、ヘリオットセル様のキャビティは、上述の例とは異なる形状または異なる数のミラーを有していてもよい。
上で例示した実施形態は1つの平面内に描かれているが、代替的な実施形態では、依然として同じミラーセットを使って、キャビティループの一方、例えば図8または図15Aの第二のキャビティループを、他のキャビティループ、例えば第一のキャビティループの平面に略垂直な、または回転させた関係にある平面に設置できる。例えば、図16Aおよび16Bは、2×パルス繰返し周波数逓倍器の構成を示す正面図および側面図であり、入力パルスと出力パルスが、ビームスプリッタD01、ビーム補償器またはプリズムD02、および曲面ミラーB1およびB02により形成されるキャビティループの平面に垂直な平面の中に誘導される。図16Cおよび16Dは、4×構成を示す正面図および側面図であり、1つまたは複数のミラーまたはプリズムをキャビティの外で使用して、プリズムD04からの光を第二のループの平面内にあるミラーD06へと誘導または屈折させることができる。図16Dにおいて、入力および出力ビーム、2×キャビティループの平面、ビームスプリッタD1およびビーム補償器またはプリズムD02が、参考のために破線で上から見た状態で示されている点に留意されたい。一方のキャビティループの光学構成要素は、これらが他方のキャビティループと交差しないように位置付けられている。異なるキャビティループを異なる平面内に設置する利点は、キャビティループの各々が曲面ミラー、例えばミラーB01およびB02等から、これらのミラーの中心から実質的に同じ距離で反射することができ(図16Cに示されるように、破線は入力および出力光路と2×ループの平面を上から見た状態で示している)、それによってキャビティループを同時に合焦させ、それによってレーザビームがキャビティループを複数回通る際の収差が最小限となることである。プリズムD02およびD04を、図15Aに示されるものと同様の方法で適切な方向に向き付け、変位させることによって、図16Cおよび16Dに示される4×レーザパルスの繰返し周波数逓倍器は、図15Aに示されているものと同様の、時間平均された実質的にフラットトップのプロファイルを有する出力を生成できる。
図17は、前述の方法でレーザ(図示せず)により生成される入力レーザパルスの周波数の2倍である繰返し周波数を有するパルストレインを生成するように構成された、ある例示的なレーザパルス繰返し周波数逓倍器120Iを示している。上で引用された‘593号米国特許出願に記載されている概念と同様に、ビームスプリッタ(I01)は、連続する2つの入力レーザパルス間の時間間隔の半分と略等しい光路長のリングキャビティ内に設置される。リングキャビティは、2つの直角反射ペア光学素子、例えばプリズム(I02およびI03)を含み、これらはレーザパルスを全反射(TIR)で反射する。直角反射ペア光学素子I02およびI03は、レーザ繰返し周波数逓倍器120Iのリングキャビティで使用された時に、ミラーに対していくつかの利点を有する。ミラーの1つの欠点は、レーザパルスがリングキャビティ内を循環する際の損失を最小限にするためには、ミラーに高い反射率コーティングが必要となることである。高反射率コーティングは、特に数百Wまたはそれ以上のパワーを持つ深UVレーザの場合に、レーザパルスのピークパワーにより損傷を受ける可能性がある。高反射率コーティングの代わりにTIRを使用することによって、このようなコーティングが高いレーザパワーで長期間動作しても損傷を受けるリスクが回避される。ミラーではなくプリズムを使用する第二の利点は、2つのミラーに基づく直角反射ペア素子を形成するために必要な4つのミラーの代わりに、2つのプリズムでよく、それによって光学構成要素の数が少なくなる点である。プリズムを使用する第三の利点は、1つのプリズムの2つのTIR面間の直角が固定され、高精度で製造できることである。プリズムの厳しい角度誤差と光学構成要素数の減少により、図17のリングキャビティのアラインメントが容易になる。
‘593号出願に記載されているように、レーザパルス繰返し周波数ダブラの中で、各出力パルスが実質的に全エネルギーを有することが望ましい場合、ビームスプリッタI01は、各入力レーザパルスのエネルギーの実質的に2/3の(第二の)部分をリングキャビティ内で反射し、各入力レーザパルスの実質的に1/3の(第一の)部分を透過させて、1/3の部分が1回目に繰返し周波数逓倍器120Iから出て、2/3の部分が、反射素子I02とI03との下で反射された後に2回目に繰返し周波数逓倍器120Iから出るように設計するべきである。これは、例えば、ビームスプリッタI01の上に適切なコーティングを使用することによって実現できる。実質的に等しい出力パルスエネルギーが必要ではない場合、ビームスプリッタI01は、各レーザパルスの2/3以外の部分を反射するように設計されてもよい。例えば、検査システムで使用されるとき、各出力パルスを実質的にピークパワーと等しくして、検査対象の物品の損傷閾値に近い動作を実行できることが望ましいかもしれない。出力パルスのピークパワーを実質的に等しくすることは、各レーザパルスの約62%をリングキャビティの中に反射するビームスプリッタを使用することにより実現できる。
‘593号出願に説明されているように、リングキャビティの光路長は、入力レーザパルス間の時間間隔の半分と等しい距離よりわずかに長い、またはわずかに短く設定して、出力パルスを広くし、各出力パルスのピークパワーを減衰させ、下流の光学系または、レーザ繰返し周波数逓倍器を内蔵するシステムにより検査または測定される物品に損傷を与える可能性を低減させてもよい。
例えば、入力レーザパルスの繰返し周波数が120MHzである場合、リングキャビティの光路長が約1.249mであると、繰返し周波数は2倍となり、出力パルスは時間において略等しく離間される。このリングキャビティ光路長を実現するために、プリズム間の物理的な距離を約0.625mとする必要がある。当業者であればわかるように、レーザパルスは各プリズムI01およびI02の内部の短い距離を移動し、プリズム材料の屈折率が1より大きいため、プリズム内の光路長はプリズム内でレーザパルスが移動する物理的距離より少し長い。所望のリングキャビティ光路長を実現するために、プリズム間の物理的距離に適切な小幅な調整を加えることにより、これを補償できる。出力パルスを入力パルスより広くし、各パルスのピークパワーを減衰させることが望ましい場合、リングキャビティの光路長は、1.25mのリングキャビティ光路長等、1.249mより少し長いか、少し短く設定でき、それによってリングキャビティを2周したパルスは次の入力パルスより6ps(ピコ秒)遅れて到達する。
好ましい実施形態において、繰返し周波数逓倍器120Iのリングキャビティは好ましくは、光学板I04を含み、レーザパルスがビームスプリッタI01を通過することによって生じるレーザビーム位置のオフセットを実質的に補償する。光学板I04は、好ましくは、ビームスプリッタI01の光学厚さと実質的に等しい光学厚さを有するべきである。光学板I04は、好ましくは、反射防止コーティングで被覆して、その表面からのレーザ光の反射を最小限にするべきである。光学板I04がリングキャビティの同じアームに設置されている場合(図のとおり)、好ましくは光学板I04を入力レーザビーム(パルス)に対して、ビームスプリッタI01のレーザビームに対する角度の実質的な鏡像である角度で向き付け、ビームスプリッタI01により生じるビーム変位を実質的に補償するべきである。光学板I04がリングキャビティのもう一方のアーム(図示せず)に接地された場合、これは好ましくは、ビームスプリッタI01に実質的に平行に向き付けるべきである。
図18は、図17のそれと同様であるが、その直角プリズムの一方(J02)がもう一方の直角プリズム(J03)に関して90°回転されている、他のレーザパルス繰返し周波数逓倍器120Jを示している。図17の構成と比較して、図18のレーザパルス繰返し周波数逓倍器120Jは、2つのプリズム間の物理的距離を実質的に半分にして、同じリングキャビティ光路長を実現でき、それによって、よりコンパクトなレーザパルス繰返し周波数逓倍器が得られる。ビームスプリッタJ01と光学板J04は、図17のビームスプリッタI01と光学板I04と同じ機能を果たす。光学板J04は、板の向きを適切に選択して、リングキャビティの4本のアームの何れの1つに設置することもできる。
図19A、19B、および19Cは例示的実施形態を示しており、リングキャビティ光路長は、直角プリズム(または透過的に直角ミラーペア)の一方を図のように他のプリズム/ミラーペアに関して適当な角度で回転させることによって、プリズムの物理的分離距離の2倍(図19A)、4倍(図19B)、6倍(図18C)、または他の偶数の整数倍と実質的に等しくされている。各パルスがその当初の出発地点(例えば、図19A〜19Cに示されていないビームスプリッタ)に戻る前にたどらなければならないリングキャビティを回るループの数は、m=180°/θであり、θは2つのプリズム(またはミラーペア)間の相対的角度である。図19Aを参照すると、θ=0、または等価的に180°であると、m=1となり、ビームは1つの平面内に留まり、ループキャビティの周囲のループを1周のみした後、その当初の位置に戻る。図19Bを参照すると、θ=90°のとき、m=2となり、各レーザパルスはリングキャビティの周囲に2つのループを作って、その当初の位置に戻る。図19Cを参照すると、θ=60°のとき、m=3となり、ビームはリングキャビティを3周してから当初の出発地点に戻る。偏光状態はビームがその当初の位置に戻る時に、常に保持される。
この設計の重要な利点は、単純にプリズムのうちの1つを回転させることによって、リングキャビティ光路長を変化させながら、実質的に同じキャビティフットプリントが保持される点である。
図20は、ある例示的実施形態による他の繰返し周波数逓倍器120Kを示しており、異なる光路長の2つのリングキャビティがカスケード接続されて、パルスレーザの繰返し周波数が4倍となる。2つのリングキャビティは、一方のリングキャビティが他方の光路長の2倍であるにも関わらず、実質的に同様の外寸を有する。第一のリングキャビティは、ビームスプリッタK01、プリズムK03およびK02、および光学板K04を含む。第一のキャビティは、リングキャビティを回る2つのループを使用して所望の光路長さを実現することにより、繰返し周波数を2倍にする。第二のリングキャビティは、ビームスプリッタK11、プリズムK12およびK13、および光学板K14を含む。第二のリングキャビティは、リングキャビティ内の1つのループを使って2回目に繰返し周波数を2倍にする。連続するパルス間の空間距離は、繰返し周波数が2倍になると半分となるため、第二のリングキャビティは好ましくは、第一のリングキャビティの光路長の実質的に半分とするべきである。
2つのリングキャビティは、同じ光学構成要素から製造できる。2つのキャビティは実施的に同様の外寸を有するため、取り付けるためのハードウェアと機械的設計の多くを同じにすることができる。一方のリングキャビティがもう一方のリングキャビティの物理的長さの約2倍である設計より、スペースを効率的に使用できる。
図21は、プリズムL02およびL03により形成されるリングキャビティに挿入された例示的なレンズ構成による繰返し周波数逓倍器120Lのリングキャビティ部分を示しており、これによってレーザビームは、リングキャビティを1周した後にその当初の位置に戻るときに、実質的にその当初のビーム状態(ウエスト位置と大きさ)に実質的に再合焦される。レンズL05およびL06は好ましくは、等しい焦点距離を有するべきであり、焦点距離は、ビームウエストがキャビティの中心に形成されるように選択され、レンズは好ましくは、ビームウエストの付近でレーザパワー密度が高くなることを回避するために、できるだけウエストから遠くに位置付けられる。レーザパルス繰返し周波数逓倍器のその他の構成要素(ビームスプリッタと光学板等)は、明瞭にするためにこの図では省かれている。
図22は、繰返し周波数逓倍器120Mの他のリングキャビティ部分を示しており、2ループキャビティ内に挿入された同じレンズ構成(すなわち、プリズムL02およびL03とレンズL05およびL06、図21参照)は、レーザビームを、それがその当初の位置に戻るときにその当初のビーム状態(ウエスト位置と大きさ)に再結像する。同様に、このレンズ構成は、リングキャビティ内のループがいくつであっても、正しくレーザビームを再結像する。
図23は、繰返し周波数逓倍器120Nの他のリングキャビティ部分を示しており、2つのプリズムN02およびN03と2つのレンズN05およびN06を使った他の例示的レンズ構成を利用し、これらはレーザビームが、それがその当初の位置に戻るときにその当初のビーム状態(ウエスト位置と大きさ)に再結像されるように配置されている。この実施形態において、レンズN05およびN06は、好ましくは、キャビティの長さと略等しい焦点距離を有し、ビームウエストがキャビティの中心近くに形成されるようにプリズムの近くに、かつ、プリズムまたはレンズ表面の何れとも近すぎないように位置付けられるべきである。
図24は、繰返し周波数逓倍器120Oの他のリングキャビティ部分を示しており、図23と同様の他の例示的レンズ構成を利用しているが、各球面レンズの代わりに1対の円筒レンズが使用されている(すなわち、球面レンズN05が円筒レンズO051およびO052に置き換えられ、球面レンズN05が円筒レンズO061およびO062に置き換えられている)点が異なる。各円筒レンズは好ましくは、レーザビームの伝播方向と偏光に関してブリュースタ角に近くなるように向き付けられる。レンズをp偏光についてブリュースタ角度に、またはそれに近い角度で向き付ける利点は、各レンズ表面の反射率が、コーティングを一切使わずに非常に小さくされ、それゆえ、コーティングのコストが削減され、レーザによるコーティングの損傷が回避される点である。各ペアのうちの一方の円筒レンズの曲率は、同じペアのもう一方の円筒レンズの曲率と垂直に向き付けられ(すなわち、曲率はサジタルおよびタンジェンシャル)、これらは協働して、図23に示される球面レンズの1つと実質的に同様の方法でビームを再結像する。
図25Aは、変形型の直角プリズムペア(P01およびP02)を有するレーザパルス繰返し周波数逓倍器120Pの他の例示的実施形態を示している。プリズムP01は、図17のプリズムI02と同じ機能を果たすが、プリズムP01は、入射角がレーザビームのp偏光に関してブリュースタ角に近くなるようにカットされ、位置付けられる点が異なる。したがって、プリズム上にARコーティングは一切不要であり、高いレーザパワーの下でのコーティング損傷の可能性が回避される。プリズムP02は、プリズムP01と同じ形状を有し、また、レーザビームのp偏光に関してブリュースタ角に近い角度に向き付けられている。プリズムP02は、点Pの周囲のみに(表面全体ではない)追加のコーティングを有し、これはキャビティの中と外の光を結合するビームスプリッタとして機能する。これにより別のビームスプリッタ構成要素が不要となり、それゆえ、光学構成要素の数が減り、リングキャビティのアラインメントが容易となる。前述のように、1つの好ましい実施形態において、コーティングは各入射レーザパルスのエネルギーの約2/3を反射して、各出力レーザパルスの中の実質的に等しいエネルギーを生成するように設計される。
図25Bは、図25Aのそれと同様の、他の例示的実施形態のレーザパルス繰返し周波数逓倍器120Qを示しており、これは同じプリズムP01を利用するが、図25AのプリズムP02の代わりに、変形型の形状を有するプリズムQ02が使用されている。この形状により、入力および出力ビームが相互に平行となり、これは、レーザパルス繰返し周波数逓倍器をシステムに組み込みやすくなることから、一般に望ましい。プリズムQ02は、プリズムのTIR面間の直角を保持し、リングキャビティ内のレーザビームについてブリュースタ角に近い入射角を用いる。プリズムP02について前述したように、プリズムがビームスプリッタ機能を果たすために、位置Pの周囲にコーティングが必要である。
図26Aおよび26Bは、他の実施形態による繰返し周波数逓倍器120Rを示しており、2つの直角プリズムR01およびR02の一方を回転させることによって、ブリュースタ角によるカットの有無に関係なく、ある物理的リングキャビティ長さについて有効ビーム経路長を2倍(または3倍、その他)にすることができる。これらの図において、ブリュースタ角カットを有するプリズムR02は、このブリュースタ角入射面に垂直な軸に関して回転させて、ビーム偏光状態と入射角(すなわち、ブリュースタ状態)が回転後も同じに保たれるようにしなければならない。
図27Aおよび27Bは、他の逓倍器設計による繰返し周波数逓倍器120Sを示す、それぞれ上面図と側面図であり、3つのプリズムS01、S02、およびS03を有し、その各々が異なる形状であり、何れの面にもコーティングが不要である。プリズムS01は、リングキャビティ内の反射器と、キャビティに入り、そこから出るビームを所望の反射率、例えば反射率約R=1/3で結合するビームスプリッタの2つの機能を果たす。図27Bに示されている側面図の中で、プリズムS02はプリズムS01の背後に隠れている点に留意されたい。各種のプリズムの平面間の各種の角度がこの図に示されている。
プリズムS01の形状が図28、28A、28B、および28Cに示されている。これは、図29A及び29Bに示されるフレネル反射特性を利用している。溶融シリカ(または同様の屈折率を有するあらゆる材料)の表面に当たるS偏光に関して、入射角が約73°であるとき、反射率は必然的に約33.3%となる。入力レーザビームb1と出力レーザビームb2は、表面S1に関してS偏光となる。しかしながら、屈折ビームが表面S2またはS3を通過するとき、これはP偏光となる。これらの表面(S2およびS3)への入射角がブリュースタ角に近いと、レーザビームは、コーティングを使用せずに最小限のパワー損失で通過でき、したがって、レーザがコーティングに損傷を与える可能性がなくなる。
繰返し周波数逓倍器120S(図27A参照)のプリズムS02が図30、30A、および30Bに示されている。このプリズムは表面S4およびS5においてブリュースタ角で反射し、表面S6では全反射を利用する。
繰返し周波数逓倍器120S(図27A参照)のプリズムS03が、図31、31A、31B、および31Cに示されている。これは、ブリュースタ角でカットされた2つの表面を有する直角プリズムの役割を果たす。これらのブリュースタ角カットは、リングキャビティ面に垂直なビーム偏向のために向き付けられており、これはリングキャビティ平面と平行な偏向のための図25AのプリズムP01と異なる。
図32Aは、リングキャビティ平面に平行な偏光を利用する他の例示的なレーザパルス繰返し周波数逓倍器の構成による繰返し周波数逓倍器120Tを示している。この構成は、長方形のレイアウトを形成し、90°のビーム結合(入射/射出)を行い、これは機器に組み込むのにより好都合でありうる。この構成は3つの素子を含む。ビームスプリッタT01は、1つの表面に入射角45°で選択された反射率、例えば反射率R=1/3のコーティングと、反対の面に反射防止(AR)コーティングを有する。図32Bに示されているように、1つの好ましい実施形態において、プリズムT02はペリンブロッカプリズムであり、これはリングキャビティ内のビームに関してブリュースタ角にある入射および射出面により合計90°でビームを偏向させるミラーとして機能する。プリズムT02は、プリズム内部の全反射を利用する。このようにして、コーティングを一切使用しなくても、p偏光について、エネルギー損失がほとんどない。代替的な実施形態において、高反射率コーティングを持つミラーがプリズムT02の代わりに使用される。素子T03は、直角プリズムとして記号的に描かれている。好ましい実施形態において、プリズムT03はリングキャビティの平面に平行とされた偏光に関して図25Aに示される設計P01のようなブリュースタカット表面を持つ形状を使用する。
上述のものと同様の方法で、直角プリズムT03は入射面に対して略垂直方向の周囲で90°回転させることにより、キャビティ内のビーム経路に長さを2倍にすることができる。
図33は、例示的実施形態による繰返し周波数逓倍器120Uを示しており、この中では、図32Aの実施形態のそれらと同様の2つのリングキャビティがカスケード接続されて、繰返し周波数が4倍になる。第一のリングキャビティU01は、90°だけ回転された1つのプリズムを有し、それによってこのキャビティの光路長は、両方のキャビティが同様の物理的寸法を有していても、第二のキャビティU02のそれの約2倍となる。これら2つのキャビティが協働して、繰返し周波数を4倍にする逓倍器を形成する。
上で引用し、参照によって本願に援用される‘075号および‘593号出願において、レーザパルス繰返し周波数逓倍器の代替的な実施形態が記載されている。これらの出願は、適当な長さのリングキャビティを使い、ビームスプリッタを使って各入力パルスにエネルギーの約2/3をキャビティの中に誘導し、各パルスのエネルギーの約1/3を出力へと誘導することによって、パルスレーザの繰返し周波数がどのように2倍にされるかを説明している。キャビティの光路長が入力レーザパルス間の時間間隔の約半分に対応する場合、出力パルストレインは、当初のレーザパルスのそれの2倍である繰返し周波数で繰り返す、実質的に同様のエネルギーのエンベロープを形成する。‘593号出願はまた、ビームスプリッタの透過率と反射率を調整して、実質的に等しい出力パルスエネルギーを保持することにより、ビームスプリッタとリングキャビティの中の損失を補償する方法を説明している。‘075号および‘593号出願において記載されている原理の何れも、本明細書に記載されているパルス繰返し周波数逓倍器の様々な実施形態に適当に応用できる。
はるかに高い繰返し周波数に到達するために、各ユニットが異なるキャビティ長さを有する、上記のレーザ繰返し周波数逓倍器の何れかの複数のユニットをカスケード接続することができる。出力繰返し周波数は、入力繰返し周波数の2×、4×、...または2×と等しくすることができ、nはレーザパルス繰返し周波数逓倍器のキャビティの数であり、各キャビティの光路長は当初のパルス間の距離の1/2、1/4、...1/2である。
上記の例示的な実施形態は、パルスレーザの繰返し周波数を逓倍することを目的として、異なる長さの光学キャビティを平面ミラー、曲面ミラー、プリズム、およびレンズの各種の組合せからどのように形成できるかを示している。繰返し周波数逓倍器または時間平均された実質的にフラットトップのプロファイルの出力を生成する繰返し周波数逓倍器は、本発明の範囲から逸脱することなく、他の組合せから構成されてもよい。例えば、平面ミラーの代わりにプリズムを使用してもよく(または多くの場合、その逆でもよく)、または曲面ミラーの代わりに平面ミラーと1つまたは複数のレンズの組合せを使用してもよい(またはその逆でもよい)。どの構成要素を使用するかは、レーザ波長、光学構成要素の位置におけるレーザパワー密度、構成要素のための適当な光学コーティングの使用可能性、物理的空間と重量を含む多くの実践上の検討事項に応じて選択される。前述のように、プリズムと、ブリュースタ角表面を有する構成要素は一般に、パワー密度が十分に高く、光学コーティングに損傷を当たる可能性がある場合に好ましい。
本発明の範囲は、特許請求の範囲によってのみ限定され、本発明は多数の代替物、改良、等価物を包含する。上の説明の中で、本発明を十分に理解できるように多くの具体的な詳細が記載されている。これらの詳細は、例として提供されており、本発明はこれらの具体的な詳細の一部または全部を用いずに、特許請求の範囲にしたがって実行することもできる。明瞭にするために付記すれば、本発明に関係する技術分野において知られている技工物や派生物については、本発明を不必要に曖昧にしないように、詳しく説明されていない。

Claims (10)

  1. 入力レーザパルスを受け取り、前記入力レーザパルスのパルス繰返し周波数の少なくとも2倍である出力パルス繰返し周波数を有する出力パルスを生成するためのレーザパルス繰返し周波数逓倍器であって、
    第一および第二の曲面ミラーと、第一および第二のビームスプリッタと、光学キャビティを形成する少なくとも2つの折曲ミラーと、前記光学キャビティの外部に位置する直角プリズムと、を含むヘリオットセルを備え、
    前記ヘリオットセルは、前記入力パルスの各々が部分的に、前記光学キャビティ内部の第一のキャビティループに沿って送られ、次に、前記直角プリズムに到達し、さらに前記光学キャビティ内部の第二のキャビティループに沿って運ばれて、前記生成された出力パルスの1つとして前記光学キャビティから出射するように構成され、
    前記2つの曲面ミラーの曲率半径が、前記入力レーザパルス間の空間分離距離の4分の1の奇数整数倍と略等しく、
    前記2つの曲面ミラーは共通の曲率半径を有し、前記曲率半径と実質的に等しい距離だけ離間されている、
    ことを特徴とするレーザパルス繰返し周波数逓倍器。
  2. 請求項1に記載のレーザパルス繰返し周波数逓倍器において、
    前記ヘリオットセルは、前記出力パルス繰返し周波数が、当初の入力パルスの繰返し周波数の4倍であるように構成されることを特徴とするレーザパルス繰返し周波数逓倍器。
  3. 請求項1に記載のレーザパルス繰返し周波数逓倍器において、
    前記ヘリオットセルは、前記入力レーザパルスの各々の少なくとも一部が、前記第一のキャビティループ上では前記第一および第二の曲面ミラーの第一部分によって反射されるように、前記第一のビームスプリッタによって方向づけられ、前記第二のキャビティループ上では前記第一および第二の曲面ミラーの第二部分によって反射されるように、前記第二のビームスプリッタによって方向づけられるように構成され、
    前記ヘリオットセルが、前記第一のキャビティループに配置されたプリズムをさらに備え、
    前記プリズム、前記少なくとも2つの折曲ミラー、および前記直角プリズムのうちの1つが、前記第一のキャビティループから出たレーザパルスを前記第二のキャビティループ内に逸らすように構成される、
    ことを特徴とするレーザパルス繰返し周波数逓倍器。
  4. 請求項3に記載のレーザパルス繰返し周波数逓倍器において、
    前記ヘリオットセルは、前記第一のキャビティループが、前記第二のキャビティループとは異なる平面内にあるように構成されることを特徴とするレーザパルス繰返し周波数逓倍器。
  5. 請求項4に記載のレーザパルス繰返し周波数逓倍器において、
    前記第一のビームスプリッタが前記入力レーザパルスを受け取り、前記入力レーザパルスの各々のエネルギーの約3分の2を前記第一のキャビティループ内に反射することを特徴とするレーザパルス繰返し周波数逓倍器。
  6. 請求項1に記載のレーザパルス繰返し周波数逓倍器において、
    前記第二のビームスプリッタが、約3分の1の反射率を有することを特徴とするレーザパルス繰返し周波数逓倍器。
  7. 請求項1に記載のレーザパルス繰返し周波数逓倍器において、
    前記ヘリオットセルは、
    前記入力レーザパルスの各々が前記第一のビームスプリッタに方向づけられ、
    前記第一のビームスプリッタが、前記各々の入力レーザパルスの少なくとも第一の部分を、該第一の部分が前記第一のキャビティループ上では第一の平面において前記第一および第二の曲面ミラーによって反射され、その後、前記直角プリズムに向けられるように方向づけるように構成され、
    前記直角プリズムが、前記第一の部分を前記第二のビームスプリッタに向けなおすように構成され、
    前記第二のビームスプリッタが、前記第一の部分の各々の少なくとも第二の部分を、該第二の部分が前記第二のキャビティループ上では前記第一の平面とは異なる第二の平面において前記第一および第二曲面ミラーによって反射されるように構成される、
    ように構成されることを特徴とするレーザパルス繰返し周波数逓倍器。
  8. 請求項1に記載のレーザパルス繰返し周波数逓倍器において、
    前記ヘリオットセルが、前記第一のビームスプリッタとともに第一の平面に配置されたビーム補償器およびプリズムのいずれかをさらに備え、
    前記第二のビームスプリッタと前記少なくとも2つの折曲ミラーとが第二の平面に配置されている、
    ことを特徴とするレーザパルス繰返し周波数逓倍器。
  9. 入力レーザパルスを受け取り、前記入力レーザパルスのパルス繰返し周波数の少なくとも2倍の出力パルス繰返し周波数を有する出力パルスを生成するための繰返し周波数逓倍器において、前記繰返し周波数逓倍器は、
    少なくとも1つのビームスプリッタと、リングキャビティを形成する2つの光反射素子とを含み、
    前記少なくとも1つのビームスプリッタは、各入力レーザパルスの第一のエネルギー部分を、該第一の部分が第一の時間に前記繰返し周波数逓倍器を出るように方向付けるように構成され、かつ、前記入力レーザパルスの前記エネルギーの第二の部分を、該第二の部分が前記2つの光反射素子の間で反射されて第二の時間に前記繰返し周波数逓倍器を出るように、前記リングキャビティへと方向付けるように構成され、
    前記2つの光反射素子が、第一曲面ミラーと第二曲面ミラーとを含み、
    前記少なくとも1つのビームスプリッタが、
    前記第一及び第二のエネルギー部分を前記リングキャビティに方向付けるように構成された第一のビームスプリッタと、
    前記入力レーザパルスの各々の前記第二のエネルギー部分を、該第二の部分が、前記第一及び第二の反射素子の間を少なくとも一度横切った後、前記繰返し周波数逓倍器から出るように方向付けるように構成された第二ビームスプリッタと、
    を備え、
    前記繰返し周波数逓倍器が、さらに、
    前記リングキャビティに配置されたプリズムと、
    前記リングキャビティに配置された少なくとも2つの折曲ミラーと、
    前記リングキャビティの外部に位置する直角プリズムと、
    を備え、
    前記第一ビームスプリッタと前記プリズムとが、前記入力パルスの各々の第一の部分が前記リングキャビティ内部の第一のキャビティループに沿って送られるように構成され、
    前記第二ビームスプリッタと前記少なくとも2つの折曲ミラーとが、前記入力パルスの各々の第二の部分が前記リングキャビティ内部の第二のキャビティループに沿って送られるように構成され、
    前記直角プリズムが、前記第一のキャビティループを離れる前記第一の部分を前記第二のキャビティループに方向付けるように構成される、
    ことを特徴とするレーザパルス繰返し周波数逓倍器。
  10. 請求項9に記載のレーザパルス繰返し周波数逓倍器において、
    前記第一のビームスプリッタは、前記入力レーザパルスの各々の前記第一の部分を、該第一の部分が、前記第一のキャビティループ上では第一の平面において前記第一および第二の曲面ミラーによって反射されるように方向づけるように構成され、
    前記直角プリズムが、前記第一のキャビティループを離れる前記第一の部分を前記第二のビームスプリッタに方向付けるように構成され、
    前記第一のビームスプリッタが、前記第二の部分を、該第二の部分が、前記第二のキャビティループ上では、前記第一の平面とは異なる第二の平面において前記第一および第二の曲面ミラーによって反射されるように方向づけるように構成される、
    ことを特徴とするレーザパルス繰返し周波数逓倍器。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9151940B2 (en) 2012-12-05 2015-10-06 Kla-Tencor Corporation Semiconductor inspection and metrology system using laser pulse multiplier
US9804101B2 (en) 2014-03-20 2017-10-31 Kla-Tencor Corporation System and method for reducing the bandwidth of a laser and an inspection system and method using a laser
US9525265B2 (en) * 2014-06-20 2016-12-20 Kla-Tencor Corporation Laser repetition rate multiplier and flat-top beam profile generators using mirrors and/or prisms
US9748729B2 (en) 2014-10-03 2017-08-29 Kla-Tencor Corporation 183NM laser and inspection system
CN104319615B (zh) * 2014-11-02 2017-12-26 中国科学院光电技术研究所 一种基于双分束元件的准分子激光脉冲展宽装置
CN105932531B (zh) * 2016-05-31 2018-08-21 中国科学院高能物理研究所 高重复频率激光脉冲生成和延迟时间校准方法
US10175555B2 (en) 2017-01-03 2019-01-08 KLA—Tencor Corporation 183 nm CW laser and inspection system
CN107966424B (zh) * 2017-11-02 2020-06-30 浙江大学 一种基于反望远系统和自由曲面反射的侧向成像方法及装置
US11476632B2 (en) * 2017-11-23 2022-10-18 Protec Co., Ltd. Laser apparatus for printed electronics system and operating method thereof
US10864042B2 (en) * 2018-02-20 2020-12-15 Koninklijke Philips N.V. Optical assembly for laser generator
CN109406454B (zh) * 2018-09-11 2021-01-15 江苏大学 一种改进的z扫描装置
KR20200120827A (ko) 2019-04-12 2020-10-22 삼성디스플레이 주식회사 레이저 장치 및 이를 이용한 표지 장치의 제조 방법
JP7320975B2 (ja) * 2019-04-16 2023-08-04 Jswアクティナシステム株式会社 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
US10921261B2 (en) 2019-05-09 2021-02-16 Kla Corporation Strontium tetraborate as optical coating material
WO2021171516A1 (ja) * 2020-02-27 2021-09-02 ギガフォトン株式会社 パルス幅伸長装置、及び電子デバイスの製造方法
GB2593456B (en) * 2020-03-18 2024-02-28 Thermo Fisher Scient Ecublens Sarl Double-pulse laser system
EP4305715A4 (en) * 2021-03-24 2024-05-22 Lumos Lazer Anonim Sirketi VARIABLE REPEAT RATE MULTIPLIER BASED ON POLARIZATION ROTATION
CN113484266B (zh) * 2021-05-28 2023-01-17 汉威科技集团股份有限公司 一种光程倍增器件和光程倍增气体吸收池
JP2024522123A (ja) * 2021-06-03 2024-06-11 ノヴァ リミテッド 半導体デバイスの時間領域光計測および検査
WO2023072880A1 (en) * 2021-10-29 2023-05-04 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus, polarization-maintaining rotatable beam displacer, and method
CN115185093A (zh) * 2022-07-25 2022-10-14 中国科学院光电技术研究所 一种平顶激光光束整形方法
US20240118556A1 (en) * 2022-10-06 2024-04-11 Kla Corporation Systems and methods for generating a flat-top illumination beam based on interlacing, incoherently overlapping spots

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3090610U (ja) * 2001-07-13 2002-12-20 東盈光電科技股▲ふん▼有限公司 光路切り換えの装置
JP2006148115A (ja) * 2004-11-19 2006-06-08 Asml Netherlands Bv パルス変調器、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
WO2007141185A2 (en) * 2006-06-09 2007-12-13 Carl Zeiss Laser Optics Gmbh Homogenizer with reduced interference
JP2009514246A (ja) * 2005-11-01 2009-04-02 サイマー インコーポレイテッド レーザシステム
JP2009532864A (ja) * 2006-03-31 2009-09-10 サイマー インコーポレイテッド 共焦点パルス伸長器
JP2010157715A (ja) * 2008-12-31 2010-07-15 Asml Holding Nv エタンデュ調整が可能なパルスモディファイア
US20120273819A1 (en) * 2011-04-29 2012-11-01 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Led package structure
WO2014089020A1 (en) * 2012-12-05 2014-06-12 Kla-Tencor Corporation Semiconductor inspection and metrology system using laser pulse multiplier
JP2017525144A (ja) * 2014-06-20 2017-08-31 ケーエルエー−テンカー コーポレイション ミラーおよび/またはプリズムを用いたレーザ繰返し周波数逓倍器およびフラットトップビームプロファイル生成器

Family Cites Families (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4718766A (en) 1985-02-05 1988-01-12 Greenstein Howard B Stabilized ring laser bias system
US4710030A (en) 1985-05-17 1987-12-01 Bw Brown University Research Foundation Optical generator and detector of stress pulses
US4999014A (en) 1989-05-04 1991-03-12 Therma-Wave, Inc. Method and apparatus for measuring thickness of thin films
US5119382A (en) 1990-12-24 1992-06-02 Mcdonnell Douglas Corporation Tetravalent chromium doped passive Q-switch
US5172382A (en) 1991-02-05 1992-12-15 Cornell Research Foundation, Inc. Ultrahigh frequency optical self-modulator
US5189481A (en) 1991-07-26 1993-02-23 Tencor Instruments Particle detector for rough surfaces
US5563702A (en) 1991-08-22 1996-10-08 Kla Instruments Corporation Automated photomask inspection apparatus and method
US5309456A (en) 1992-10-30 1994-05-03 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Pulse stretcher
US5276548A (en) 1992-12-01 1994-01-04 Eli Margalith Ring cavity optical parametric apparatus
US6271916B1 (en) 1994-03-24 2001-08-07 Kla-Tencor Corporation Process and assembly for non-destructive surface inspections
KR100483981B1 (ko) 1996-02-22 2005-11-11 가부시키가이샤 니콘 펄스폭신장광학계및이러한광학계를갖춘노광장치
US5999310A (en) 1996-07-22 1999-12-07 Shafer; David Ross Ultra-broadband UV microscope imaging system with wide range zoom capability
US6608676B1 (en) 1997-08-01 2003-08-19 Kla-Tencor Corporation System for detecting anomalies and/or features of a surface
US6201601B1 (en) 1997-09-19 2001-03-13 Kla-Tencor Corporation Sample inspection system
WO2000011766A1 (en) * 1998-08-20 2000-03-02 Orbotech Ltd. Laser repetition rate multiplier
US6067311A (en) 1998-09-04 2000-05-23 Cymer, Inc. Excimer laser with pulse multiplier
KR20000034461A (ko) 1998-11-30 2000-06-26 전주범 펄스발생장치
US6191887B1 (en) 1999-01-20 2001-02-20 Tropel Corporation Laser illumination with speckle reduction
US6184984B1 (en) 1999-02-09 2001-02-06 Kla-Tencor Corporation System for measuring polarimetric spectrum and other properties of a sample
US6233052B1 (en) 1999-03-19 2001-05-15 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Analog detection for cavity lifetime spectroscopy
US6535531B1 (en) 2001-11-29 2003-03-18 Cymer, Inc. Gas discharge laser with pulse multiplier
US6577782B1 (en) 1999-09-23 2003-06-10 Purdue Research Foundation Direct space-to-time pulse shaper and optical pulse train generator
US6879390B1 (en) 2000-08-10 2005-04-12 Kla-Tencor Technologies Corporation Multiple beam inspection apparatus and method
US7136159B2 (en) 2000-09-12 2006-11-14 Kla-Tencor Technologies Corporation Excimer laser inspection system
US20020105995A1 (en) * 2000-11-16 2002-08-08 Lambda Physik Ag Molecular fluorine laser with single spectral line and polarized output
US6693930B1 (en) 2000-12-12 2004-02-17 Kla-Tencor Technologies Corporation Peak power and speckle contrast reduction for a single laser pulse
US7453486B2 (en) 2000-12-13 2008-11-18 Orbotech Ltd Pulse light pattern writer
JP4694768B2 (ja) 2001-01-04 2011-06-08 レーザー・イメージング・システムズ・ゲーエムベーハー・ウント・カンパニー・カーゲー 直接パターンライター
US7151632B2 (en) 2001-01-12 2006-12-19 University Of Rochester Apparatus for production of an inhomogeneously polarized optical beam for use in illumination and a method thereof
US6704339B2 (en) 2001-01-29 2004-03-09 Cymer, Inc. Lithography laser with beam delivery and beam pointing control
US6678046B2 (en) 2001-08-28 2004-01-13 Therma-Wave, Inc. Detector configurations for optical metrology
US20060126682A1 (en) 2001-10-08 2006-06-15 Geola Technologies Ltd. Pulsed multiple colour laser system
US6816520B1 (en) 2001-11-30 2004-11-09 Positive Light Solid state system and method for generating ultraviolet light
US7359045B2 (en) 2002-05-06 2008-04-15 Applied Materials, Israel, Ltd. High speed laser scanning inspection system
US7957066B2 (en) 2003-02-21 2011-06-07 Kla-Tencor Corporation Split field inspection system using small catadioptric objectives
US7813406B1 (en) 2003-10-15 2010-10-12 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Temporal laser pulse manipulation using multiple optical ring-cavities
JP2005156516A (ja) 2003-11-05 2005-06-16 Hitachi Ltd パターン欠陥検査方法及びその装置
EP1692750B1 (en) 2003-11-13 2010-01-27 Cymer, Inc. Laser output light pulse stretcher
JP4416481B2 (ja) 2003-11-18 2010-02-17 ギガフォトン株式会社 光学的パルス伸長器および露光用放電励起ガスレーザ装置
US7321468B2 (en) 2003-12-15 2008-01-22 Carl Zeiss Laser Optics Gmbh Method and optical arrangement for beam guiding of a light beam with beam delay
US7035012B2 (en) 2004-03-01 2006-04-25 Coherent, Inc. Optical pulse duration extender
JP4627185B2 (ja) 2004-12-27 2011-02-09 株式会社小松製作所 光学パルスストレッチ装置における遅延光学路長の設定方法
US7528342B2 (en) 2005-02-03 2009-05-05 Laserfacturing, Inc. Method and apparatus for via drilling and selective material removal using an ultrafast pulse laser
US7275514B2 (en) 2005-04-28 2007-10-02 Gm Global Technology Operations, Inc. Method of HCCI and SI combustion control for a direct injection internal combustion engine
US7345825B2 (en) 2005-06-30 2008-03-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Beam delivery system for laser dark-field illumination in a catadioptric optical system
US7535938B2 (en) 2005-08-15 2009-05-19 Pavilion Integration Corporation Low-noise monolithic microchip lasers capable of producing wavelengths ranging from IR to UV based on efficient and cost-effective frequency conversion
US7326948B2 (en) 2005-08-15 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Beam modifying device, lithographic projection apparatus, method of treating a beam, and device manufacturing method
JP4564910B2 (ja) 2005-09-26 2010-10-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ ウェハ欠陥検査方法および装置
US7715459B2 (en) * 2005-11-01 2010-05-11 Cymer, Inc. Laser system
US7885309B2 (en) 2005-11-01 2011-02-08 Cymer, Inc. Laser system
US7528943B2 (en) 2005-12-27 2009-05-05 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and apparatus for simultaneous high-speed acquisition of multiple images
US7483146B1 (en) 2006-01-19 2009-01-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems configured to provide illumination of a specimen or to inspect a specimen
US7545838B2 (en) * 2006-06-12 2009-06-09 Coherent, Inc. Incoherent combination of laser beams
CN100530070C (zh) 2006-11-24 2009-08-19 骆建军 基于flash的硬盘
US7400658B1 (en) 2007-03-08 2008-07-15 Coherent, Inc. Quasi-CW UV laser with low peak pulse-power
US7620080B2 (en) * 2007-08-23 2009-11-17 Corning Incorporated Laser pulse conditioning
JP2009074802A (ja) 2007-09-18 2009-04-09 Lasertec Corp 検査装置、検査方法及びパターン基板の製造方法
DE102007045454B4 (de) 2007-09-24 2013-04-25 Hellma Materials Gmbh & Co. Kg Pulsstretcher mit variablen Verzögerungsstrecken
US7715101B2 (en) 2007-09-24 2010-05-11 Asml Netherlands B.V. Electromagnetic radiation pulse duration control apparatus and method
US7525649B1 (en) 2007-10-19 2009-04-28 Kla-Tencor Technologies Corporation Surface inspection system using laser line illumination with two dimensional imaging
KR20100135850A (ko) 2008-03-31 2010-12-27 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 높은 반복률 및 높은 평균 파워의 편광 레이저 빔을 형성하기 위해 복수의 레이저 빔을 결합하는 장치 및 시스템
JP2010003755A (ja) 2008-06-18 2010-01-07 Mitsubishi Electric Corp 波長変換レーザ装置
KR101036879B1 (ko) 2008-08-27 2011-05-25 주식회사 이오테크닉스 드릴링 장치 및 드릴링 방법
WO2010037106A2 (en) 2008-09-29 2010-04-01 Kla-Tencor Corporation Illumination subsystems of a metrology system, metrology systems, and methods for illuminating a specimen for metrology measurements
US9080991B2 (en) 2008-09-29 2015-07-14 Kla-Tencor Corp. Illuminating a specimen for metrology or inspection
US8509272B2 (en) 2009-06-10 2013-08-13 Lee Laser, Inc. Laser beam combining and power scaling device
WO2011041472A1 (en) 2009-10-02 2011-04-07 Imra America, Inc. Optical signal processing with modelocked lasers
WO2011060805A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e. V. Method and laser device for generating pulsed high power laser light
DE102009047098A1 (de) 2009-11-25 2011-05-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung zur Homogenisierung eines Laserpulses
KR101951410B1 (ko) 2010-01-22 2019-02-26 더 보드 어브 트러스티스 어브 더 리랜드 스탠포드 주니어 유니버시티 항-전이성 요법에서 axl 신호전달의 저해
JP4590578B1 (ja) 2010-04-01 2010-12-01 レーザーテック株式会社 光源装置、マスク検査装置、及びコヒーレント光発生方法
WO2011156283A2 (en) 2010-06-07 2011-12-15 Gsi Group Corporation Laser processing with oriented sub-arrays
JP5568444B2 (ja) 2010-11-01 2014-08-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法、微弱光検出方法および微弱光検出器
US8810902B2 (en) 2010-12-29 2014-08-19 Asml Netherlands B.V. Multi-pass optical apparatus
WO2012167310A1 (en) 2011-06-07 2012-12-13 Griffith University Optical system and method for pulse repetition rate multiplication of a laser source
US9793673B2 (en) * 2011-06-13 2017-10-17 Kla-Tencor Corporation Semiconductor inspection and metrology system using laser pulse multiplier
US8873596B2 (en) 2011-07-22 2014-10-28 Kla-Tencor Corporation Laser with high quality, stable output beam, and long life high conversion efficiency non-linear crystal
US8817827B2 (en) 2011-08-17 2014-08-26 Veralas, Inc. Ultraviolet fiber laser system
US20130077086A1 (en) 2011-09-23 2013-03-28 Kla-Tencor Corporation Solid-State Laser And Inspection System Using 193nm Laser
CA2767615C (en) 2012-02-08 2019-01-15 Nova Chemicals Corporation Multi reactor ethylene oligomerization process with recycle
US20130313440A1 (en) 2012-05-22 2013-11-28 Kla-Tencor Corporation Solid-State Laser And Inspection System Using 193nm Laser
US8964798B2 (en) 2012-07-12 2015-02-24 Kla-Tencor Corporation Reducing the spectral bandwidth of lasers
US8929406B2 (en) 2013-01-24 2015-01-06 Kla-Tencor Corporation 193NM laser and inspection system
US9494531B2 (en) 2013-08-09 2016-11-15 Kla-Tencor Corporation Multi-spot illumination for improved detection sensitivity

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3090610U (ja) * 2001-07-13 2002-12-20 東盈光電科技股▲ふん▼有限公司 光路切り換えの装置
JP2006148115A (ja) * 2004-11-19 2006-06-08 Asml Netherlands Bv パルス変調器、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2009514246A (ja) * 2005-11-01 2009-04-02 サイマー インコーポレイテッド レーザシステム
JP2009532864A (ja) * 2006-03-31 2009-09-10 サイマー インコーポレイテッド 共焦点パルス伸長器
WO2007141185A2 (en) * 2006-06-09 2007-12-13 Carl Zeiss Laser Optics Gmbh Homogenizer with reduced interference
JP2010157715A (ja) * 2008-12-31 2010-07-15 Asml Holding Nv エタンデュ調整が可能なパルスモディファイア
US20120273819A1 (en) * 2011-04-29 2012-11-01 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Led package structure
WO2014089020A1 (en) * 2012-12-05 2014-06-12 Kla-Tencor Corporation Semiconductor inspection and metrology system using laser pulse multiplier
JP2017525144A (ja) * 2014-06-20 2017-08-31 ケーエルエー−テンカー コーポレイション ミラーおよび/またはプリズムを用いたレーザ繰返し周波数逓倍器およびフラットトップビームプロファイル生成器

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