JP2020072605A - Power conversion device - Google Patents

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Abstract

To obtain a power converter capable of suppressing a variation in an output limit start current corresponding to an output current when an output limit is started.SOLUTION: The power conversion device includes: a power converter; a control unit for controlling the power converter; and an offset circuit for obtaining an offset voltage based on an input voltage detected by an input voltage detection unit and an output voltage detected by an output voltage detection unit. The control unit is configured to limit an output based on an offset voltage, a detection voltage corresponding to an input current detected by an input current detection unit, and a threshold voltage.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、電力変換装置に関する。   The present invention relates to a power conversion device.

近年、環境に優しい自動車として、電気自動車と、HEV(Hybrid Electric Vehicle)、PHEV(Plug−in Hybrid Electric Vehicle)等のハイブリッド自動車とが開発されている。このような自動車には、制御回路を動作させる補機用電池に加えて、充電された電力により走行用の電動モータを駆動させる駆動用電池が搭載されている。このような自動車の分野では、パワーエレクトロニクス技術の進歩を背景に、電力変換装置の高信頼性化が急務となっている。   In recent years, electric vehicles and hybrid vehicles such as HEVs (Hybrid Electric Vehicles) and PHEVs (Plug-in Hybrid Electric Vehicles) have been developed as eco-friendly vehicles. Such an automobile is equipped with a drive battery that drives an electric motor for traveling with the charged electric power, in addition to a battery for an auxiliary machine that operates a control circuit. In the field of such automobiles, with the progress of power electronics technology, there is an urgent need to improve the reliability of power conversion devices.

上述の電力変換装置の一例として、負荷変動によって出力電流を定格電流以上とする必要がある場合に出力電圧を低下させる出力制限機能が実装されている電力変換装置が挙げられる(例えば、特許文献1参照)。この出力制限機能は、電力変換装置から出力される出力電圧を低下させることで、電力変換装置自身に過電流が流れたり、電力変換装置に接続される外部機器に過電流が流れたりすることを抑制するための機能である。   As an example of the above-described power conversion device, there is a power conversion device that is equipped with an output limiting function that lowers the output voltage when the output current needs to be equal to or higher than the rated current due to load fluctuation (for example, Patent Document 1). reference). This output limiting function reduces the output voltage output from the power converter to prevent overcurrent from flowing into the power converter itself or from flowing into an external device connected to the power converter. This is a function for suppressing.

特許文献1に記載の電力変換装置は、入力される入力電圧の検出値に基づいてオフセット電圧を求め、求めたオフセット電圧を、入力される入力電流の検出値に対応する検出電圧に加算した値である補正検出電圧を求めるように構成されている。また、この電力変換装置は、求めた補正検出電圧と、閾値電圧とを比較し、その比較の結果、補正検出電圧が閾値電圧以上である場合、出力制限を行うように構成されている。具体的には、この電力変換装置は、出力制限として、インバータ回路の全てのスイッチング素子をオフにすることで平滑リアクトルに流れるリアクトル電流を低減させて出力電圧を低下させる。   The power conversion device described in Patent Document 1 obtains an offset voltage based on a detected value of an input voltage that is input, and adds the obtained offset voltage to a detected voltage that corresponds to a detected value of an input current that is input. Is calculated. In addition, the power conversion device is configured to compare the obtained correction detection voltage and the threshold voltage, and perform output limitation when the correction detection voltage is equal to or higher than the threshold voltage as a result of the comparison. Specifically, this power converter reduces the output voltage by reducing the reactor current flowing in the smoothing reactor by turning off all the switching elements of the inverter circuit as an output limit.

特開2016−226225号公報JP, 2016-226225, A

しかしながら、従来技術には以下のような課題がある。すなわち、特許文献1に記載の従来技術では、入力電圧のみに基づいてオフセット電圧が求められるので、入力電圧以外のパラメータの変動に起因して、上述の出力制限が開始される時の出力電流に相当する出力制限開始電流が変動してしまう。   However, the related art has the following problems. That is, in the conventional technique described in Patent Document 1, since the offset voltage is obtained based only on the input voltage, the output current at the time when the above-mentioned output limitation is started is caused by the fluctuation of parameters other than the input voltage. The corresponding output limit start current fluctuates.

本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、出力制限が開始される時の出力電流に相当する出力制限開始電流の変動を抑制することができる電力変換装置を得ることを目的とする。   The present invention has been made to solve the above problems, and obtains a power conversion device capable of suppressing a variation in the output limit start current corresponding to the output current when the output limit is started. The purpose is to

本発明における電力変換装置は、入力される直流電圧を交流電圧に変換するインバータ回路、インバータ回路によって変換される交流電圧を変圧するトランス、トランスによって変圧される交流電圧を整流する整流回路、平滑リアクトルを含み、整流回路の出力を平滑化する平滑回路、インバータ回路に入力される入力電流を検出する入力電流検出部、インバータ回路に入力される入力電圧を検出する入力電圧検出部、および平滑回路から出力される出力電圧を検出する出力電圧検出部を有する電力変換器と、電力変換器を制御する制御部と、入力電圧検出部によって検出される入力電圧と、出力電圧検出部によって検出される出力電圧とに基づいて、オフセット電圧を求めるオフセット回路と、を備え、制御部は、オフセット回路によって求められるオフセット電圧と、入力電流検出部によって検出される入力電流に対応する検出電圧と、閾値電圧とに基づいて、インバータ回路を制御することで平滑リアクトルに流れるリアクトル電流を低減させて出力電圧を低下させる出力制限を行うものである。   The power converter in the present invention includes an inverter circuit that converts an input DC voltage into an AC voltage, a transformer that transforms the AC voltage converted by the inverter circuit, a rectifier circuit that rectifies the AC voltage transformed by the transformer, and a smoothing reactor. From a smoothing circuit that smoothes the output of the rectifier circuit, an input current detection unit that detects the input current input to the inverter circuit, an input voltage detection unit that detects the input voltage input to the inverter circuit, and a smoothing circuit. A power converter having an output voltage detector that detects the output voltage that is output, a controller that controls the power converter, an input voltage detected by the input voltage detector, and an output detected by the output voltage detector. An offset circuit that obtains an offset voltage based on the voltage and Based on the offset voltage generated, the detection voltage corresponding to the input current detected by the input current detection unit, and the threshold voltage, the inverter circuit is controlled to reduce the reactor current flowing in the smoothing reactor to reduce the output voltage. This is to limit the output to be lowered.

本発明における電力変換装置は、入力される直流電圧を交流電圧に変換するインバータ回路、インバータ回路によって変換される交流電圧を変圧するトランス、トランスによって変圧される交流電圧を整流する整流回路、平滑リアクトルを含み、整流回路の出力を平滑化する平滑回路、およびインバータ回路に入力される入力電流を検出する入力電流検出部を有する電力変換器と、電力変換器を制御する制御部と、電力変換器の温度を、対象温度として検出する温度検出部と、温度検出部によって検出される対象温度に基づいて、オフセット電圧を求めるオフセット回路と、を備え、制御部は、オフセット回路によって求められるオフセット電圧と、入力電流検出部によって検出される入力電流に対応する検出電圧と、閾値電圧とに基づいて、インバータ回路を制御することで平滑リアクトルに流れるリアクトル電流を低減させて平滑回路から出力される出力電圧を低下させる出力制限を行うものである。   The power converter in the present invention includes an inverter circuit that converts an input DC voltage into an AC voltage, a transformer that transforms the AC voltage converted by the inverter circuit, a rectifier circuit that rectifies the AC voltage transformed by the transformer, and a smoothing reactor. And a power converter having a smoothing circuit for smoothing the output of the rectifier circuit, and an input current detector for detecting an input current input to the inverter circuit, a controller for controlling the power converter, and a power converter. The temperature detection unit that detects the temperature as a target temperature, and an offset circuit that determines an offset voltage based on the target temperature detected by the temperature detection unit, and the control unit includes an offset voltage that is determined by the offset circuit. , Based on the detection voltage corresponding to the input current detected by the input current detection unit and the threshold voltage And performs output restriction to decrease the output voltage outputted from the smoothing circuit by reducing the reactor current flowing through the smoothing reactor by controlling the inverter circuit.

本発明によれば、出力制限が開始される時の出力電流に相当する出力制限開始電流の変動を抑制することができる電力変換装置を得ることができる。   According to the present invention, it is possible to obtain the power conversion device capable of suppressing the variation in the output limit start current corresponding to the output current when the output limit is started.

本発明の実施の形態1における電力変換装置を示す構成図である。It is a block diagram which shows the power converter device in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1における電力変換装置の動作モードがモード1である場合の電流経路を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the electric current path in case the operation mode of the power converter device in Embodiment 1 of this invention is mode 1. 本発明の実施の形態1における電力変換装置の動作モードがモード2である場合の電流経路を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the current path in case the operation mode of the power converter device in Embodiment 1 of this invention is mode 2. 本発明の実施の形態1における電力変換装置の動作モードがモード3である場合の電流経路を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the electric current path in case the operation mode of the power converter device in Embodiment 1 of this invention is mode 3. 本発明の実施の形態1における電力変換装置の動作モードがモード4である場合の電流経路を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the current path in case the operation mode of the power converter device in Embodiment 1 of this invention is mode 4. 本発明の実施の形態1における電力変換装置の動作モードが切り替わる様子を示すタイミングチャートである。5 is a timing chart showing how the operation modes of the power conversion device according to Embodiment 1 of the present invention are switched. 本発明の実施の形態1における電力変換装置の制御部によって行われる出力制限を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the output limitation performed by the control part of the power converter device in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1における電力変換装置の制御部およびオフセット回路のそれぞれを示す構成図である。It is a block diagram which shows each of the control part and offset circuit of the power converter device in Embodiment 1 of this invention. 比較例における電力変換装置によって入出力電圧条件が異なる場合にそれぞれ出力される出力電流を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the output current each output when input / output voltage conditions differ with the power converter device in a comparative example. 本発明の実施の形態1における電力変換装置によって入出力電圧条件が異なる場合にそれぞれ出力される出力電流を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the output current each output when input / output voltage conditions differ with the power converter device in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態2における電力変換装置を示す構成図である。It is a block diagram which shows the power converter device in Embodiment 2 of this invention. 比較例における電力変換装置によって温度条件が異なる場合にそれぞれ出力される出力電流を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the output current each output when temperature conditions differ with the power converter device in a comparative example. 本発明の実施の形態2における電力変換装置によって温度条件が異なる場合にそれぞれ出力される出力電流を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the output current each output when temperature conditions differ by the power converter device in Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態1、2における電力変換装置の変形例の動作モードが切り替わる様子を示すタイミングチャートである。9 is a timing chart showing how the operation modes of the modified examples of the power conversion devices according to the first and second embodiments of the present invention are switched.

以下、本発明による電力変換装置を、好適な実施の形態にしたがって図面を用いて説明する。なお、図面の説明においては、同一部分または相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。   Hereinafter, a power converter according to the present invention will be described with reference to the drawings according to a preferred embodiment. In the description of the drawings, the same portions or corresponding portions will be denoted by the same reference symbols, without redundant description.

実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1における電力変換装置を示す構成図である。なお、図1では、電力変換器1の入力側に接続される高圧バッテリ2と、電力変換器1の出力側に接続される負荷3および低圧バッテリ4とが併せて図示されている。図1に示す電力変換装置は、DC−DCコンバータとして機能する電力変換器1と、電力変換器1を制御する制御部13と、オフセット回路14とを備える。
Embodiment 1.
1 is a configuration diagram showing a power conversion device according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, the high voltage battery 2 connected to the input side of the power converter 1, the load 3 and the low voltage battery 4 connected to the output side of the power converter 1 are also shown. The power converter shown in FIG. 1 includes a power converter 1 that functions as a DC-DC converter, a control unit 13 that controls the power converter 1, and an offset circuit 14.

電力変換器1は、複数の半導体スイッチング素子5a〜5dによって構成されるインバータ回路5と、一次巻線6aおよび二次巻線6bによって構成されるトランス6と、ダイオード7aおよび7bによって構成される整流回路7と、平滑リアクトル8aおよび平滑コンデンサ8bによって構成される平滑回路8と、入力電圧検出部10と、入力電流検出部11と、出力電圧検出部12とを備える。   The power converter 1 includes an inverter circuit 5 including a plurality of semiconductor switching elements 5a to 5d, a transformer 6 including a primary winding 6a and a secondary winding 6b, and a rectifier including diodes 7a and 7b. The circuit 7 includes a smoothing circuit 8 including a smoothing reactor 8a and a smoothing capacitor 8b, an input voltage detector 10, an input current detector 11, and an output voltage detector 12.

インバータ回路5は、入力される直流電圧を交流電圧に変換する。すなわち、インバータ回路5は、制御部13によって半導体スイッチング素子5a〜5dのそれぞれがオンとオフとにスイッチング制御されることで、入力される直流電圧を交流電圧に変換する。   The inverter circuit 5 converts the input DC voltage into AC voltage. That is, in the inverter circuit 5, each of the semiconductor switching elements 5a to 5d is controlled to be turned on and off by the control unit 13, so that the input DC voltage is converted into an AC voltage.

半導体スイッチング素子5aおよび5cは、高圧側である上アームに設けられ、半導体スイッチング素子5bおよび5dは、低圧側である下アームに設けられる。半導体スイッチング素子5aのソースと、半導体スイッチング素子5bのドレインとの接続点は、一次巻線6aの一端に接続される。半導体スイッチング素子5cのソースと、半導体スイッチング素子5dのドレインとの接続点は、一次巻線6aの他端に接続される。   The semiconductor switching elements 5a and 5c are provided on the upper arm on the high voltage side, and the semiconductor switching elements 5b and 5d are provided on the lower arm on the low voltage side. The connection point between the source of the semiconductor switching element 5a and the drain of the semiconductor switching element 5b is connected to one end of the primary winding 6a. The connection point between the source of the semiconductor switching element 5c and the drain of the semiconductor switching element 5d is connected to the other end of the primary winding 6a.

半導体スイッチング素子5a〜5dとしては、例えば、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)を用いることができる。   As the semiconductor switching elements 5a to 5d, for example, MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) can be used.

トランス6は、インバータ回路5によって変換される交流電圧を変圧する。トランス6の二次巻線6bは、第1の二次巻線および第2の二次巻線の2つの巻線が直列に接続されて構成される。   The transformer 6 transforms the AC voltage converted by the inverter circuit 5. The secondary winding 6b of the transformer 6 is configured by connecting two windings of a first secondary winding and a second secondary winding in series.

整流回路7は、ダイオード整流回路であり、トランス6によって変圧される交流電圧を整流する。整流回路7のダイオード7aは、高圧側である上アームに設けられ、ダイオード7bは、低圧側である下アームに設けられる。ダイオード7aのアノードは、トランス6の二次巻線6bの一端に接続され、そのカソードは、平滑リアクトル8aに接続される。ダイオード7bのアノードは、トランス6の二次巻線6bの他端に接続され、そのカソードは、平滑リアクトル8aに接続される。   The rectifier circuit 7 is a diode rectifier circuit, and rectifies the AC voltage transformed by the transformer 6. The diode 7a of the rectifier circuit 7 is provided on the upper arm on the high voltage side, and the diode 7b is provided on the lower arm on the low voltage side. The anode of the diode 7a is connected to one end of the secondary winding 6b of the transformer 6, and the cathode thereof is connected to the smoothing reactor 8a. The anode of the diode 7b is connected to the other end of the secondary winding 6b of the transformer 6, and the cathode thereof is connected to the smoothing reactor 8a.

平滑回路8は、整流回路7の出力を平滑化する。平滑リアクトル8aの一端は、ダイオード7aおよび7bのそれぞれのカソードと接続され、平滑リアクトル8aの他端は、平滑コンデンサ8bの一端と接続される。平滑コンデンサ8bの他端は、トランス6の二次巻線6bを構成する2つの巻線の接続点と接続される。   The smoothing circuit 8 smoothes the output of the rectifier circuit 7. One end of smoothing reactor 8a is connected to each cathode of diodes 7a and 7b, and the other end of smoothing reactor 8a is connected to one end of smoothing capacitor 8b. The other end of the smoothing capacitor 8b is connected to the connection point of the two windings that form the secondary winding 6b of the transformer 6.

以下、インバータ回路5に入力される電圧を入力電圧Vinと表記し、インバータ回路5に入力される電流を入力電流Iinと表記する。また、平滑回路8から出力される電圧を出力電圧Voutと表記し、平滑回路8から出力される電流を出力電流Ioutと表記する。さらに、平滑回路8の平滑リアクトル8aに流れる電流をリアクトル電流ILfと表記する。   Hereinafter, the voltage input to the inverter circuit 5 will be referred to as an input voltage Vin, and the current input to the inverter circuit 5 will be referred to as an input current Iin. Further, the voltage output from the smoothing circuit 8 is referred to as an output voltage Vout, and the current output from the smoothing circuit 8 is referred to as an output current Iout. Further, the current flowing through the smoothing reactor 8a of the smoothing circuit 8 will be referred to as the reactor current ILf.

入力電圧検出部10は、高圧バッテリ2と並列に接続され、高圧バッテリ2からインバータ回路5に入力される入力電圧Vinを検出する。入力電流検出部11は、高圧バッテリ2と直列に接続され、高圧バッテリ2からインバータ回路5に入力される入力電流Iinを検出する。出力電圧検出部12は、負荷3および低圧バッテリ4と並列に接続され、平滑回路8から負荷3および低圧バッテリ4に出力される出力電圧Voutを検出する。なお、入力電圧検出部10および出力電圧検出部12としては、例えば、電圧センサが用いられる。入力電流検出部11としては、例えば、電流センサが用いられる。   The input voltage detection unit 10 is connected in parallel with the high voltage battery 2 and detects the input voltage Vin input from the high voltage battery 2 to the inverter circuit 5. The input current detection unit 11 is connected in series with the high voltage battery 2 and detects the input current Iin input from the high voltage battery 2 to the inverter circuit 5. The output voltage detection unit 12 is connected in parallel with the load 3 and the low voltage battery 4, and detects the output voltage Vout output from the smoothing circuit 8 to the load 3 and the low voltage battery 4. A voltage sensor is used as the input voltage detection unit 10 and the output voltage detection unit 12, for example. As the input current detection unit 11, for example, a current sensor is used.

制御部13は、入力電圧検出部10から入力電圧Vinを取得し、出力電圧検出部12から出力電圧Voutを取得する。また、制御部13は、インバータ回路5の半導体スイッチング素子5a〜5dのそれぞれをスイッチング制御する。   The control unit 13 acquires the input voltage Vin from the input voltage detection unit 10 and acquires the output voltage Vout from the output voltage detection unit 12. The control unit 13 also controls switching of each of the semiconductor switching elements 5a to 5d of the inverter circuit 5.

オフセット回路14は、入力電圧検出部10から入力電圧Vinを取得し、入力電流検出部11から入力電流Iinを取得し、出力電圧検出部12から出力電圧Voutを取得する。オフセット回路14は、入力電圧検出部10によって検出される入力電圧Vinと、出力電圧検出部12によって検出される出力電圧Voutとに基づいて、オフセット電圧Voffsetを求める。   The offset circuit 14 acquires the input voltage Vin from the input voltage detection unit 10, acquires the input current Iin from the input current detection unit 11, and acquires the output voltage Vout from the output voltage detection unit 12. The offset circuit 14 determines the offset voltage Voffset based on the input voltage Vin detected by the input voltage detection unit 10 and the output voltage Vout detected by the output voltage detection unit 12.

制御部13は、オフセット回路14によって求められるオフセット電圧Voffsetと、入力電流検出部11によって検出される入力電流Iinに対応する検出電圧Vdと、閾値電圧Vthとに基づいて、出力制限を行う。ここでいう出力制限は、インバータ回路5を制御することで平滑リアクトル8aに流れるリアクトル電流ILfを低減させて出力電圧Voutを低下させる処理である。入力電流Iinに対応する検出電圧Vdは、例えば、以下のように入力電流Iinを電圧に変換することによって求められる。すなわち、カレントトランスを用いて、入力電流Iinは、カレントトランスの巻数比に比例した電流Iに変換され、その電流Iが抵抗Rに流れることで電圧Vに変換される。つまり、V=I×Rで表される関係が成り立つ。この電圧Vが検出電圧Vdに相当する。   The control unit 13 limits the output based on the offset voltage Voffset obtained by the offset circuit 14, the detection voltage Vd corresponding to the input current Iin detected by the input current detection unit 11, and the threshold voltage Vth. The output limitation mentioned here is a process of controlling the inverter circuit 5 to reduce the reactor current ILf flowing through the smoothing reactor 8a to lower the output voltage Vout. The detection voltage Vd corresponding to the input current Iin is obtained by converting the input current Iin into a voltage as described below, for example. That is, using the current transformer, the input current Iin is converted into a current I proportional to the turns ratio of the current transformer, and the current I flows through the resistor R to be converted into a voltage V. That is, the relationship represented by V = I × R is established. This voltage V corresponds to the detection voltage Vd.

具体的には、オフセット回路14は、求めたオフセット電圧Voffsetを検出電圧Vdに加算した値である補正検出電圧Vd’を制御部13に出力する。制御部13は、オフセット回路14によって出力される補正検出電圧Vd’と、閾値電圧Vthとを比較し、補正検出電圧Vd’が閾値電圧Vth以上である場合、出力制限を行う。   Specifically, the offset circuit 14 outputs the correction detection voltage Vd ′, which is a value obtained by adding the obtained offset voltage Voffset to the detection voltage Vd, to the control unit 13. The control unit 13 compares the correction detection voltage Vd ′ output by the offset circuit 14 with the threshold voltage Vth, and when the correction detection voltage Vd ′ is equal to or higher than the threshold voltage Vth, limits the output.

次に、電力変換装置の基本的な動作について、図2〜図6を参照しながら説明する。図2は、本発明の実施の形態1における電力変換装置の動作モードがモード1である場合の電流経路を示す説明図である。図3は、本発明の実施の形態1における電力変換装置の動作モードがモード2である場合の電流経路を示す説明図である。   Next, the basic operation of the power conversion device will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is an explanatory diagram showing a current path when the operation mode of the power conversion device according to Embodiment 1 of the present invention is mode 1. FIG. 3 is an explanatory diagram showing current paths when the operation mode of the power conversion device according to Embodiment 1 of the present invention is mode 2.

図4は、本発明の実施の形態1における電力変換装置の動作モードがモード3である場合の電流経路を示す説明図である。図5は、本発明の実施の形態1における電力変換装置の動作モードがモード4である場合の電流経路を示す説明図である。   FIG. 4 is an explanatory diagram showing current paths when the operation mode of the power conversion device according to Embodiment 1 of the present invention is mode 3. FIG. 5 is an explanatory diagram showing current paths when the operation mode of the power conversion device according to Embodiment 1 of the present invention is mode 4.

図6は、本発明の実施の形態1における電力変換装置の動作モードが切り替わる様子を示すタイミングチャートである。なお、図6では、半導体スイッチング素子5a〜5dのオンとオフの状態、トランス6の一次側電圧、入力電流Iin、およびリアクトル電流ILfの各時間変化が図示されている。   FIG. 6 is a timing chart showing how the operation modes of the power conversion device according to Embodiment 1 of the present invention are switched. Note that FIG. 6 illustrates the on / off states of the semiconductor switching elements 5 a to 5 d, the primary side voltage of the transformer 6, the input current Iin, and the reactor current ILf with time.

電力変換装置の動作モードは、各半導体スイッチング素子5a〜5dのスイッチング状態に応じて、モード1、モード2、モード3およびモード4の4つの動作モード間で切り替わる。また、これら4つの動作モードからなる一連の動作は、スイッチング周期Tswごとに行われる。   The operation mode of the power conversion device is switched among four operation modes of mode 1, mode 2, mode 3 and mode 4 according to the switching states of the semiconductor switching elements 5a to 5d. Further, a series of operations consisting of these four operation modes is performed every switching cycle Tsw.

図2に示すモード1では、半導体スイッチング素子5aおよび5dがオンの状態であり、半導体スイッチング素子5bおよび5cがオフの状態である。この場合、トランス6の一次側に流れる電流は、高圧バッテリ2、半導体スイッチング素子5a、一次巻線6aおよび半導体スイッチング素子5dの経路で流れる。トランス6は、一次側から二次側に電力を伝達する。トランス6の二次側に流れる電流は、二次巻線6b、ダイオード7a、平滑リアクトル8aおよび負荷3の経路で流れる。   In mode 1 shown in FIG. 2, the semiconductor switching elements 5a and 5d are on, and the semiconductor switching elements 5b and 5c are off. In this case, the current flowing through the primary side of the transformer 6 flows through the path of the high voltage battery 2, the semiconductor switching element 5a, the primary winding 6a and the semiconductor switching element 5d. The transformer 6 transfers electric power from the primary side to the secondary side. The current flowing on the secondary side of the transformer 6 flows through the path of the secondary winding 6b, the diode 7a, the smoothing reactor 8a and the load 3.

図3に示すモード2では、半導体スイッチング素子5a〜5dが全てオフの状態である。この場合、トランス6の一次側には電流が流れず、トランス6の一次側から二次側に電力が伝達されない。ただし、二次側では、平滑リアクトル8aの自己誘導によって、負荷3、二次巻線6b、ダイオード7a、ダイオード7bおよび平滑リアクトル8aの経路で電流が流れる。この場合、トランス6の二次側には、電圧が発生しないので、リアクトル電流ILfが減少する。   In mode 2 shown in FIG. 3, the semiconductor switching elements 5a to 5d are all in the off state. In this case, no current flows in the primary side of the transformer 6, and no power is transmitted from the primary side of the transformer 6 to the secondary side. However, on the secondary side, current flows through the path of the load 3, the secondary winding 6b, the diode 7a, the diode 7b, and the smoothing reactor 8a due to the self-induction of the smoothing reactor 8a. In this case, since no voltage is generated on the secondary side of the transformer 6, the reactor current ILf decreases.

図4に示すモード3では、半導体スイッチング素子5bおよび5cがオンの状態であり、半導体スイッチング素子5aおよび5dがオフの状態である。この場合、トランス6の一次側に流れる電流は、高圧バッテリ2、半導体スイッチング素子5c、一次巻線6aおよび半導体スイッチング素子5bの経路で流れる。トランス6は、一次側から二次側に電力を伝達する。トランス6の二次側に流れる電流は、二次巻線6b、ダイオード7b、平滑リアクトル8aおよび負荷3の経路で流れる。   In mode 3 shown in FIG. 4, the semiconductor switching elements 5b and 5c are on, and the semiconductor switching elements 5a and 5d are off. In this case, the current flowing through the primary side of the transformer 6 flows through the path of the high voltage battery 2, the semiconductor switching element 5c, the primary winding 6a and the semiconductor switching element 5b. The transformer 6 transfers electric power from the primary side to the secondary side. The current flowing on the secondary side of the transformer 6 flows through the path of the secondary winding 6b, the diode 7b, the smoothing reactor 8a and the load 3.

図5に示すモード4では、半導体スイッチング素子5a〜5dが全てオフの状態である。この場合、トランス6の一次側には電流が流れず、トランス6の一次側から二次側に電力が伝達されない。ただし、二次側では、平滑リアクトル8aの自己誘導によって、負荷3、二次巻線6b、ダイオード7a、ダイオード7bおよび平滑リアクトル8aの経路で電流が流れる。この場合、トランス6の二次側には、電圧が発生しないので、リアクトル電流ILfが減少する。   In mode 4 shown in FIG. 5, all the semiconductor switching elements 5a to 5d are in the off state. In this case, no current flows in the primary side of the transformer 6, and no power is transmitted from the primary side of the transformer 6 to the secondary side. However, on the secondary side, current flows through the path of the load 3, the secondary winding 6b, the diode 7a, the diode 7b, and the smoothing reactor 8a due to the self-induction of the smoothing reactor 8a. In this case, since no voltage is generated on the secondary side of the transformer 6, the reactor current ILf decreases.

図6に示すように、制御部13は、半導体スイッチング素子5a〜5dのそれぞれをスイッチング制御しながら、各半導体スイッチング素子5a〜5dのオンデューティDを調整することで、出力電圧Voutが目標値Vtになるように制御する。   As shown in FIG. 6, the control unit 13 adjusts the on-duty D of each of the semiconductor switching elements 5a to 5d while controlling the switching of each of the semiconductor switching elements 5a to 5d, so that the output voltage Vout is equal to the target value Vt. Control to become.

ここで、モード1およびモード3では、以下の式(1)で表される関係が成り立つ。ただし、V1は、トランス6の一次巻線6aに印加される電圧であり、N1は、一次巻線6aの巻数であり、I1は、一次巻線6aに流れる電流である。また、V2は、二次巻線6bに印加される電圧であり、N2は、二次巻線6bの巻数であり、I2は、二次巻線6bに流れる電流である。N1/N2は、トランス6の巻数比である。   Here, in mode 1 and mode 3, the relationship expressed by the following equation (1) is established. However, V1 is a voltage applied to the primary winding 6a of the transformer 6, N1 is the number of turns of the primary winding 6a, and I1 is a current flowing through the primary winding 6a. V2 is a voltage applied to the secondary winding 6b, N2 is the number of turns of the secondary winding 6b, and I2 is a current flowing through the secondary winding 6b. N1 / N2 is the winding ratio of the transformer 6.

N1/N2=V1/V2=I2/I1 (1)     N1 / N2 = V1 / V2 = I2 / I1 (1)

トランス6の一次側には、入力電圧Vinが印加されているので、V1=Vinで表される関係が成り立つ。したがって、式(1)から、以下の式(2)が得られる。   Since the input voltage Vin is applied to the primary side of the transformer 6, the relationship represented by V1 = Vin is established. Therefore, the following equation (2) is obtained from the equation (1).

N1/N2=Vin/V2 (2)     N1 / N2 = Vin / V2 (2)

式(2)に示されるように、トランス6の二次側には、トランス6の一次側に印加された入力電圧Vinを、巻数比(N1/N2)で除した値である電圧V2が発生する。すなわち、V2=(1/(N1/N2))×Vin=(N2/N1)×Vinで表される関係が成り立つ。   As shown in the equation (2), a voltage V2, which is a value obtained by dividing the input voltage Vin applied to the primary side of the transformer 6 by the turn ratio (N1 / N2), is generated on the secondary side of the transformer 6. To do. That is, the relationship expressed by V2 = (1 / (N1 / N2)) × Vin = (N2 / N1) × Vin holds.

平滑リアクトル8aの両端には、電圧V2と出力電圧Voutとの差分の大きさ、すなわち、|V2−Vout|で表される電圧が印加される。したがって、図6から分かるように、モード1およびモード3では、リアクトル電流ILfが増加する。また、トランス6の一次側には、リアクトル電流ILfを、巻数比(N1/N2)で除した値である入力電流Iinが流れる。すなわち、Iin=(1/(N1/N2))×ILf=(N2/N1)×ILfで表される関係が成り立つ。   A magnitude of a difference between the voltage V2 and the output voltage Vout, that is, a voltage represented by | V2-Vout | is applied to both ends of the smoothing reactor 8a. Therefore, as can be seen from FIG. 6, in mode 1 and mode 3, the reactor current ILf increases. An input current Iin, which is a value obtained by dividing the reactor current ILf by the turn ratio (N1 / N2), flows through the primary side of the transformer 6. That is, the relationship expressed by Iin = (1 / (N1 / N2)) × ILf = (N2 / N1) × ILf is established.

モード2およびモード4では、半導体スイッチング素子5a〜5dは、制御部13によってオフに制御される。したがって、トランス6の一次側では、電圧が発生しない。すなわち、V1=Vin=0で表される関係が成り立つ。また、トランス6の一次側では、電流が流れない。すなわち、Iin=0で表される関係が成り立つ。   In modes 2 and 4, the semiconductor switching elements 5a to 5d are controlled to be off by the control unit 13. Therefore, no voltage is generated on the primary side of the transformer 6. That is, the relationship represented by V1 = Vin = 0 holds. Further, no current flows on the primary side of the transformer 6. That is, the relationship represented by Iin = 0 holds.

モード2およびモード4では、平滑リアクトル8aに出力電圧Voutが印加され、さらに、図6から分かるように、リアクトル電流ILfが減少する。また、トランス6の二次側には、センタータップによって、リアクトル電流ILfと同値の電流が流入する。すなわち、I2=ILfで表される関係が成り立つ。また、トランス6の二次側では、電圧が発生しない。すなわち、V2=0で表される関係が成り立つ。   In mode 2 and mode 4, the output voltage Vout is applied to the smoothing reactor 8a, and as can be seen from FIG. 6, the reactor current ILf decreases. Further, a current having the same value as the reactor current ILf flows into the secondary side of the transformer 6 by the center tap. That is, the relationship expressed by I2 = ILf is established. Further, no voltage is generated on the secondary side of the transformer 6. That is, the relationship represented by V2 = 0 holds.

次に、制御部13の出力制限機能について、図7を参照しながら説明する。図7は、本発明の実施の形態1における電力変換装置の制御部13によって行われる出力制限を示す説明図である。なお、図7では、横軸の出力電流Ioutと、縦軸の出力電圧Voutとの関係が図示されている。   Next, the output limiting function of the control unit 13 will be described with reference to FIG. FIG. 7: is explanatory drawing which shows the output limitation performed by the control part 13 of the power converter device in Embodiment 1 of this invention. Note that FIG. 7 shows the relationship between the output current Iout on the horizontal axis and the output voltage Vout on the vertical axis.

ここで、制御部13の出力制限機能では、負荷変動によって出力電流Ioutを定格電流以上とする必要がある場合、出力制限が開始される。ここで、出力制限が開始される時の出力電流Ioutを出力制限開始電流と表記する。   Here, in the output limiting function of the control unit 13, when the output current Iout needs to be equal to or higher than the rated current due to the load change, the output limiting is started. Here, the output current Iout when the output limitation is started will be referred to as an output limitation start current.

図7に示すように、出力電流Ioutが定格電流未満である場合、制御部13は、出力電圧検出部12によって検出される出力電圧Voutが目標値Vtになるように、各半導体スイッチング素子5a〜5dをスイッチング制御する。なお、目標値Vtは、例えば、予め設定された固定値である。   As shown in FIG. 7, when the output current Iout is less than the rated current, the control unit 13 controls each of the semiconductor switching elements 5a to 5a so that the output voltage Vout detected by the output voltage detection unit 12 becomes the target value Vt. 5d is switching-controlled. The target value Vt is, for example, a preset fixed value.

このように、出力電流Ioutが定格電流未満の領域では、制御部13は、出力電圧Voutが定電圧になるように制御する出力電圧安定化制御を行う。   As described above, in the region where the output current Iout is less than the rated current, the control unit 13 performs the output voltage stabilization control for controlling the output voltage Vout to be the constant voltage.

続いて、制御部13が出力制限を行う場合について説明する。図7に示すように、出力電流Ioutが定格電流以上の場合、制御部13は、出力制限を行う。   Next, a case where the control unit 13 limits the output will be described. As shown in FIG. 7, when the output current Iout is equal to or higher than the rated current, the control unit 13 limits the output.

制御部13は、出力制限を行う場合、半導体スイッチング素子5a〜5dの全てをオフに制御する。これにより、図6から分かるように、リアクトル電流ILfが減少する。このように、制御部13は、半導体スイッチング素子5a〜5dの全てをオフに制御することによって、リアクトル電流ILfのピークを制限する。その結果、出力電圧Voutが低下するので、出力制限機能が実現される。   When limiting the output, the control unit 13 controls all of the semiconductor switching elements 5a to 5d to be turned off. As a result, as can be seen from FIG. 6, the reactor current ILf decreases. In this way, the control unit 13 limits the peak of the reactor current ILf by controlling all of the semiconductor switching elements 5a to 5d to be off. As a result, the output voltage Vout drops, and the output limiting function is realized.

制御部13が出力制限を行った場合の出力電圧Voutの変化は、図7に示すようになる。すなわち、図7から分かるように、出力電流Ioutが定格電流を超えることをトリガとして、出力制限が開始される。この出力制限によって、出力電圧Voutが低減されていることが分かる。   The change in the output voltage Vout when the control unit 13 limits the output is as shown in FIG. 7. That is, as can be seen from FIG. 7, the output limitation is started when the output current Iout exceeds the rated current as a trigger. It can be seen that the output voltage Vout is reduced due to this output limitation.

なお、図7では、出力電流Ioutが定格電流以上になったタイミングですぐに出力制限が行われないようにヒステリシスが設けられている場合を例示しているが、ヒステリシスが設けられていなくてもよい。   Although FIG. 7 exemplifies the case where the hysteresis is provided so that the output limitation is not performed immediately at the timing when the output current Iout becomes the rated current or more, the hysteresis is not provided. Good.

次に、制御部13およびオフセット回路14のそれぞれの構成について、図8を参照しながら説明する。図8は、本発明の実施の形態1における電力変換装置の制御部13およびオフセット回路14のそれぞれを示す構成図である。   Next, the respective configurations of the control unit 13 and the offset circuit 14 will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a configuration diagram showing each of control unit 13 and offset circuit 14 of the power conversion device according to Embodiment 1 of the present invention.

図8において、制御部13は、閾値発生器131および比較器132を有する。閾値発生器131は、閾値電圧Vthを発生させる。   In FIG. 8, the control unit 13 has a threshold value generator 131 and a comparator 132. The threshold generator 131 generates a threshold voltage Vth.

比較器132には、閾値発生器131によって発生した閾値電圧Vthと、オフセット回路14によって出力される後述する補正検出電圧Vd’とが入力される。この補正検出電圧Vd’は、入力電流検出部11によって検出された入力電流Iinに対応する検出電圧Vdにオフセット電圧Voffsetを加算した値である。なお、オフセット電圧Voffsetについては後述する。   The threshold voltage Vth generated by the threshold generator 131 and the correction detection voltage Vd ′ described later output from the offset circuit 14 are input to the comparator 132. The corrected detection voltage Vd ′ is a value obtained by adding the offset voltage Voffset to the detection voltage Vd corresponding to the input current Iin detected by the input current detection unit 11. The offset voltage Voffset will be described later.

比較器132は、オフセット回路14によって出力される補正検出電圧Vd’と、閾値電圧Vthとを比較する。比較器132による比較は、一定周期で繰り返し行われる。比較器132による比較の結果、補正検出電圧Vd’が閾値電圧Vth未満である場合、制御部13は、上述した出力電圧安定化制御を行う。一方、補正検出電圧Vd’が閾値電圧Vth以上になった場合、制御部13は、出力制限を行う。   The comparator 132 compares the correction detection voltage Vd ′ output by the offset circuit 14 with the threshold voltage Vth. The comparison by the comparator 132 is repeatedly performed at a constant cycle. As a result of the comparison by the comparator 132, when the corrected detection voltage Vd 'is less than the threshold voltage Vth, the control unit 13 performs the above-described output voltage stabilization control. On the other hand, when the correction detection voltage Vd 'becomes equal to or higher than the threshold voltage Vth, the control unit 13 limits the output.

オフセット回路14は、加算器141を有する。加算器141は、基準電位Vrefとなるグランドと、入力電流検出部11との間に設けられている。加算器141は、基準電位Vrefと、入力電流Iinに対応する検出電圧Vdと、オフセット電圧Voffsetとを加算した値を、補正検出電圧Vd’として出力する。   The offset circuit 14 has an adder 141. The adder 141 is provided between the input current detection unit 11 and the ground that serves as the reference potential Vref. The adder 141 outputs a value obtained by adding the reference potential Vref, the detection voltage Vd corresponding to the input current Iin, and the offset voltage Voffset as a corrected detection voltage Vd '.

このような加算器141の構成によって、基準電位Vrefに対して、検出電圧Vdがオフセット電圧Voffsetの分だけ上昇する。   With such a configuration of the adder 141, the detection voltage Vd rises above the reference potential Vref by the offset voltage Voffset.

制御部13は、上述したとおり、オフセット回路14によって出力される補正検出電圧Vd’と、閾値電圧Vthとを比較し、補正検出電圧Vd’が閾値電圧Vth以上になった場合、出力制限を行う。これにより、リアクトル電流ILfが低減し、その結果、図7に示すように、出力電圧Voutが低減する。   As described above, the control unit 13 compares the correction detection voltage Vd ′ output by the offset circuit 14 with the threshold voltage Vth, and when the correction detection voltage Vd ′ is equal to or higher than the threshold voltage Vth, limits the output. .. As a result, the reactor current ILf is reduced, and as a result, the output voltage Vout is reduced as shown in FIG. 7.

このように、制御部13が出力制限を行うことで、電力変換装置自身に過電流が流れたり、電力変換装置に接続される外部機器に過電流が流れたりすることを抑制することが可能となる。また、後述するように出力電流Ioutがデューティ比によって変化した場合、出力制限が開始される出力制限開始電流の値にばらつきが生じてしまう。   In this way, the control unit 13 limits the output, so that it is possible to prevent an overcurrent from flowing through the power conversion device itself or an overcurrent through an external device connected to the power conversion device. Become. In addition, as will be described later, when the output current Iout changes depending on the duty ratio, the value of the output limit start current at which the output limit is started varies.

これに対して、実施の形態1では、制御部13は、検出電圧Vdにオフセット電圧Voffsetを加算した値である補正検出電圧Vd’と、閾値電圧Vthとの比較に基づいて、出力制限を行うように構成されている。したがって、オフセット電圧Voffsetによって、入力電圧Vinおよび出力電圧Voutの変化分を補償することができる。その結果、入力電圧Vinおよび出力電圧Voutの変動に起因して出力制限開始電流が変動することを抑制することができる。   On the other hand, in the first embodiment, the control unit 13 limits the output based on the comparison between the corrected detection voltage Vd ′, which is a value obtained by adding the offset voltage Voffset to the detection voltage Vd, and the threshold voltage Vth. Is configured. Therefore, the offset voltage Voffset can compensate for changes in the input voltage Vin and the output voltage Vout. As a result, it is possible to suppress the fluctuation of the output limit start current due to the fluctuations of the input voltage Vin and the output voltage Vout.

次に、補正検出電圧Vd’と、閾値電圧Vthとの比較に基づいて、出力制限を行う構成によって得られる効果について、図9および図10を参照しながら説明する。   Next, based on the comparison between the correction detection voltage Vd 'and the threshold voltage Vth, the effect obtained by the configuration for limiting the output will be described with reference to FIGS. 9 and 10.

図9は、比較例における電力変換装置によって入出力電圧条件が異なる場合にそれぞれ出力される出力電流Ioutを示す説明図である。図10は、本発明の実施の形態1における電力変換装置によって入出力電圧条件が異なる場合にそれぞれ出力される出力電流Ioutを示す説明図である。   FIG. 9: is explanatory drawing which shows the output current Iout each output when input / output voltage conditions differ with the power converter device in a comparative example. FIG. 10 is an explanatory diagram showing the output current Iout output when the input / output voltage conditions are different depending on the power conversion device according to the first embodiment of the present invention.

なお、比較例における電力変換装置は、オフセット回路14が設けられておらず、検出電圧Vdと閾値電圧Vthとの比較に基づいて、出力制限を行うように構成されているものとする。   It is assumed that the power converter in the comparative example is not provided with the offset circuit 14 and is configured to limit the output based on the comparison between the detection voltage Vd and the threshold voltage Vth.

図9の左側では、入出力電圧条件が条件(I)である場合に、比較例における電力変換装置によって得られるリアクトル電流ILf、閾値電圧Vthおよび検出電圧Vdの各時間変化が図示されている。図9の右側では、入出力電圧条件が条件(II)である場合に、比較例における電力変換装置によって得られるリアクトル電流ILf、閾値電圧Vthおよび検出電圧Vdの各時間変化が図示されている。   On the left side of FIG. 9, when the input / output voltage condition is the condition (I), temporal changes of the reactor current ILf, the threshold voltage Vth, and the detection voltage Vd obtained by the power conversion device in the comparative example are illustrated. On the right side of FIG. 9, when the input / output voltage condition is the condition (II), temporal changes of the reactor current ILf, the threshold voltage Vth, and the detection voltage Vd obtained by the power conversion device in the comparative example are illustrated.

図10の左側では、入出力電圧条件が条件(I)である場合に、実施の形態1における電力変換装置によって得られるリアクトル電流ILf、閾値電圧Vth、検出電圧Vdおよび補正検出電圧Vd’の各時間変化が図示されている。図10の右側では、入出力電圧条件が条件(II)である場合に、実施の形態1における電力変換装置によって得られるリアクトル電流ILf、閾値電圧Vth、検出電圧Vdおよび補正検出電圧Vd’の各時間変化が図示されている。   On the left side of FIG. 10, when the input / output voltage condition is the condition (I), each of the reactor current ILf, the threshold voltage Vth, the detection voltage Vd, and the correction detection voltage Vd ′ obtained by the power conversion device according to the first embodiment. The time variation is shown. On the right side of FIG. 10, each of the reactor current ILf, the threshold voltage Vth, the detection voltage Vd, and the correction detection voltage Vd ′ obtained by the power conversion device in the first embodiment when the input / output voltage condition is the condition (II). The time variation is shown.

上述の条件(I)は、入力電圧Vinが低い、または、出力電圧Voutが高いという条件である。このような条件(I)では、デューティ比が大きくなる。上述の条件(II)は、条件(I)と比べて、入力電圧Vinが高い、または、出力電圧Voutが低いという条件である。このような条件(II)では、条件(I)と比べて、デューティ比が小さくなる。   The above condition (I) is a condition that the input voltage Vin is low or the output voltage Vout is high. Under such a condition (I), the duty ratio becomes large. The condition (II) described above is a condition that the input voltage Vin is higher or the output voltage Vout is lower than the condition (I). Under such a condition (II), the duty ratio becomes smaller than that under the condition (I).

比較器132で用いられる閾値電圧Vthは、サブハーモニック発振を抑制するために、スロープ補償を考慮して設定されている。閾値電圧Vthの波形は、図9および図10に示すように、鋸歯のような形状となっている。   The threshold voltage Vth used in the comparator 132 is set in consideration of slope compensation in order to suppress subharmonic oscillation. The waveform of the threshold voltage Vth has a sawtooth-like shape as shown in FIGS. 9 and 10.

図9に示すように、検出電圧Vdがデューティ比によって変化し、結果として、リアクトル電流ILfを平滑コンデンサ8bによって直流化した出力電流Ioutがデューティ比によって変化してしまう。   As shown in FIG. 9, the detection voltage Vd changes depending on the duty ratio, and as a result, the output current Iout obtained by converting the reactor current ILf into the direct current by the smoothing capacitor 8b changes depending on the duty ratio.

そのため、比較例では、図9から分かるように、条件(I)と、条件(II)とを比べると、直流化した出力電流Ioutの間で、ばらつきが生じている。   Therefore, in the comparative example, as can be seen from FIG. 9, when the condition (I) and the condition (II) are compared, there is a variation between the DC-converted output currents Iout.

ここで、出力電圧Voutが一定であると仮定すると、デューティ比は、入力電圧Vinが高いほど小さく、入力電圧Vinが低いほど大きい。また、図10に示すように、スロープ補償は、デューティ比が大きいほど大きく補償される。   Here, assuming that the output voltage Vout is constant, the duty ratio is smaller as the input voltage Vin is higher, and is larger as the input voltage Vin is lower. Further, as shown in FIG. 10, the slope compensation is largely compensated as the duty ratio increases.

同様に、入力電圧Vinが一定であると仮定すると、デューティ比は、出力電圧Voutが低いほど小さく、出力電圧Voutが高いほど大きくなる。また、図10に示すように、スロープ補償は、デューティ比が大きいほど大きく補償される。   Similarly, assuming that the input voltage Vin is constant, the duty ratio becomes smaller as the output voltage Vout becomes lower and becomes larger as the output voltage Vout becomes higher. Further, as shown in FIG. 10, the slope compensation is largely compensated as the duty ratio increases.

以上から分かるように、入力電圧Vinが低くなるほど、または、出力電圧Voutが高くなるほど、スロープ補償量が大きくなる。また、入力電圧Vinが高くなるほど、または、出力電圧Voutが低くなるほど、スロープ補償量が小さくなる。   As can be seen from the above, the slope compensation amount increases as the input voltage Vin decreases or the output voltage Vout increases. The slope compensation amount decreases as the input voltage Vin increases or the output voltage Vout decreases.

このように、入力電圧Vinおよび出力電圧Voutによって、スロープ補償量が変化する。そのため、実施の形態1では、オフセット回路14は、入力電圧Vinが高いほどオフセット電圧Voffsetが大きくなり、出力電圧Voutが低いほどオフセット電圧Voffsetが大きくなるように、オフセット電圧Voffsetを求める。このオフセット電圧Voffsetは、検出電圧Vdに加算される。このような構成によって、入力電圧Vinおよび出力電圧Voutの変動に起因した出力制限開始電流の変動を抑制することができる。その結果、出力制限を高精度に行うことが可能となる。   In this way, the slope compensation amount changes depending on the input voltage Vin and the output voltage Vout. Therefore, in the first embodiment, the offset circuit 14 obtains the offset voltage Voffset such that the higher the input voltage Vin, the larger the offset voltage Voffset, and the lower the output voltage Vout, the larger the offset voltage Voffset. This offset voltage Voffset is added to the detection voltage Vd. With such a configuration, it is possible to suppress the fluctuation of the output limit start current due to the fluctuations of the input voltage Vin and the output voltage Vout. As a result, the output can be restricted with high accuracy.

続いて、オフセット電圧Voffsetを求める方法の一例について説明する。オフセット回路14は、入力電圧Vinおよび出力電圧Voutをパラメータとする関数に従って、オフセット電圧Voffsetを算出する。具体的には、オフセット回路14は、例えば以下の式(3)に従って、入力電圧検出部10によって検出された入力電圧Vinと、出力電圧検出部12によって検出された出力電圧Voutとから、オフセット電圧Voffsetを算出する。ただし、α、βおよびγは係数である。   Next, an example of a method of obtaining the offset voltage Voffset will be described. The offset circuit 14 calculates the offset voltage Voffset according to a function having the input voltage Vin and the output voltage Vout as parameters. Specifically, the offset circuit 14 calculates the offset voltage from the input voltage Vin detected by the input voltage detection unit 10 and the output voltage Vout detected by the output voltage detection unit 12 according to the following equation (3), for example. Calculate Voffset. However, α, β and γ are coefficients.

Voffset=α×Vin−β×Vout+γ (3)
αおよびβは、入力電圧Vinが高いほどオフセット電圧Voffsetが高くなり、出力電圧Voutが高いほどオフセット電圧Voffsetが低くなるように予め定められる。また、γは、補正項として予め定められる。
Voffset = α × Vin−β × Vout + γ (3)
α and β are predetermined such that the higher the input voltage Vin, the higher the offset voltage Voffset, and the higher the output voltage Vout, the lower the offset voltage Voffset. Further, γ is predetermined as a correction term.

このように、オフセット回路14は、入力電圧Vinと出力電圧Voutとに基づいて、オフセット電圧Voffsetを求める。また、オフセット回路14は、求めたオフセット電圧Voffsetを検出電圧Vdに加算した値である補正検出電圧Vd’を、制御部13の比較器132に出力する。   In this way, the offset circuit 14 obtains the offset voltage Voffset based on the input voltage Vin and the output voltage Vout. Further, the offset circuit 14 outputs a corrected detection voltage Vd ′, which is a value obtained by adding the obtained offset voltage Voffset to the detection voltage Vd, to the comparator 132 of the control unit 13.

これにより、入力電圧Vinおよび出力電圧Voutに応じて、スロープ補償分による差分を吸収することができるので、入力電圧Vinおよび出力電圧Voutの変動に起因した出力制限開始電流の変動を抑制することができる。   As a result, the difference due to the slope compensation can be absorbed according to the input voltage Vin and the output voltage Vout, and thus the fluctuation of the output limit start current due to the fluctuation of the input voltage Vin and the output voltage Vout can be suppressed. it can.

なお、入力電圧Vinおよび出力電圧Voutをパラメータとする関数として、上述の式(3)に示すように一次式を用いる場合を例示したが、これに限定されない。すなわち、入力電圧Vinおよび出力電圧Voutをパラメータとする関数として、二次式、または三次以上の高次数式を用いてもよい。   In addition, although the case where the linear equation is used as shown in the above-described equation (3) is exemplified as the function having the input voltage Vin and the output voltage Vout as parameters, the present invention is not limited to this. That is, as a function having the input voltage Vin and the output voltage Vout as parameters, a quadratic expression or a higher-order mathematical expression of a third order or higher may be used.

図10に示すように、検出電圧Vdにオフセット電圧Voffsetを加算することによって、スロープ補償分による差分を吸収することができる。つまり、図10から分かるように、検出電圧Vdは、オフセット電圧Voffsetの分だけ、オフセットされている。したがって、図10から分かるように、条件(I)と、条件(II)とを比べると、直流化した出力電流Ioutの間で、ばらつきが生じていない。   As shown in FIG. 10, by adding the offset voltage Voffset to the detection voltage Vd, the difference due to the slope compensation can be absorbed. That is, as can be seen from FIG. 10, the detection voltage Vd is offset by the offset voltage Voffset. Therefore, as can be seen from FIG. 10, when the condition (I) and the condition (II) are compared, there is no variation between the DC-converted output currents Iout.

また、図10において、条件(I)と、条件(II)とを比べると、入力電圧Vinが低いほどオフセット電圧Voffsetの値が小さく、入力電圧Vinが高いほどオフセット電圧Voffsetの値が大きくなっている。   Further, comparing the condition (I) with the condition (II) in FIG. 10, the value of the offset voltage Voffset is smaller as the input voltage Vin is lower, and the value of the offset voltage Voffset is larger as the input voltage Vin is higher. There is.

このように、オフセット電圧Voffsetを検出電圧Vdに加算することで、スロープ補償分による差分を吸収することができる。したがって、入力電圧Vinおよび出力電圧Voutの変動に起因した出力制限開始電流の変動を抑制することができる。その結果、入力電圧Vinおよび出力電圧Voutの変動に起因して出力電流Ioutにばらつきが生じることを抑制することができ、電力変換装置の高信頼性化を実現できる。   In this way, by adding the offset voltage Voffset to the detection voltage Vd, the difference due to the slope compensation can be absorbed. Therefore, it is possible to suppress the fluctuation of the output limit start current due to the fluctuations of the input voltage Vin and the output voltage Vout. As a result, it is possible to suppress variations in the output current Iout due to variations in the input voltage Vin and the output voltage Vout, and it is possible to achieve high reliability of the power conversion device.

なお、実施の形態1では、制御部13は、出力制限を行う場合、半導体スイッチング素子5a〜5dの全てをオフに制御するように構成される場合を例示したが、半導体スイッチング素子5a〜5dの全てを必ずしもオフにする必要はない。すなわち、入力電流Iinの値が0になるような半導体スイッチング素子5a〜5dの組み合わせに従って、半導体スイッチング素子5a〜5dのうちの1つ以上の半導体スイッチング素子をオフにすれば、リアクトル電流ILfを減少させて出力電圧Voutを低下させることができる。   In the first embodiment, the control unit 13 is configured to control all of the semiconductor switching elements 5a to 5d to be turned off when the output is limited, but the semiconductor switching elements 5a to 5d are controlled. Not all have to be turned off. That is, if one or more semiconductor switching elements of the semiconductor switching elements 5a to 5d are turned off according to the combination of the semiconductor switching elements 5a to 5d such that the value of the input current Iin becomes 0, the reactor current ILf decreases. As a result, the output voltage Vout can be reduced.

以上、本実施の形態1の電力変換装置によれば、オフセット回路14は、入力電圧検出部10によって検出される入力電圧Vinと、出力電圧検出部12によって検出される出力電圧Voutとに基づいて、オフセット電圧Voffsetを求めるように構成されている。また、制御部13は、オフセット回路14によって求められるオフセット電圧Voffsetと、入力電流検出部11によって検出される入力電流Iinに対応する検出電圧Vdと、閾値電圧Vthとに基づいて、出力制限を行うように構成されている。   As described above, according to the power conversion device of the first embodiment, the offset circuit 14 is based on the input voltage Vin detected by the input voltage detection unit 10 and the output voltage Vout detected by the output voltage detection unit 12. , The offset voltage Voffset is obtained. Further, the control unit 13 limits the output based on the offset voltage Voffset obtained by the offset circuit 14, the detection voltage Vd corresponding to the input current Iin detected by the input current detection unit 11, and the threshold voltage Vth. Is configured.

より具体的には、オフセット回路14および制御部13は、それぞれ以下のように構成されている。すなわち、オフセット回路14は、求めたオフセット電圧Voffsetを、検出電圧Vdに加算した値である補正検出電圧Vd’を出力するように構成されている。また、制御部13は、オフセット回路14によって出力される補正検出電圧Vd’と、閾値電圧Vthとを比較し、補正検出電圧Vd’が閾値電圧Vth以上である場合、出力制限を行うように構成されている。   More specifically, the offset circuit 14 and the control unit 13 are configured as follows, respectively. That is, the offset circuit 14 is configured to output the corrected detection voltage Vd ′ that is a value obtained by adding the obtained offset voltage Voffset to the detection voltage Vd. Further, the control unit 13 compares the correction detection voltage Vd ′ output by the offset circuit 14 with the threshold voltage Vth, and when the correction detection voltage Vd ′ is equal to or higher than the threshold voltage Vth, the output is limited. Has been done.

これにより、入力電圧Vinおよび出力電圧Voutの変動に起因した出力制限開始電流の変動を抑制することができる。つまり、オフセット電圧Voffsetによって、入力電圧Vinの変化分の補償および出力電圧Voutの変化分の補償を行うことができるので、入力電圧Vinの変動および出力電圧Voutの変動に起因して出力制限開始電流が変動することを抑制することができる。その結果、電力変換装置の高信頼性化を実現することができる。   Accordingly, it is possible to suppress the fluctuation of the output limit start current due to the fluctuations of the input voltage Vin and the output voltage Vout. That is, since the offset voltage Voffset can compensate the change in the input voltage Vin and the change in the output voltage Vout, the output limit start current is caused by the change in the input voltage Vin and the change in the output voltage Vout. Can be suppressed. As a result, high reliability of the power conversion device can be realized.

実施の形態2.
本発明の実施の形態2では、先の実施の形態1とは異なり、電力変換器1の温度を、対象温度として検出する温度検出部15の検出値を考慮してオフセット電圧Voffsetを求めるように構成された電力変換装置について説明する。なお、実施の形態2では、先の実施の形態1と同様である点の説明を省略し、先の実施の形態1と異なる点を中心に説明する。
Embodiment 2.
In the second embodiment of the present invention, unlike the first embodiment, the offset voltage Voffset is obtained in consideration of the detection value of the temperature detection unit 15 that detects the temperature of the power converter 1 as the target temperature. The configured power converter will be described. In the second embodiment, description of the same points as those in the first embodiment will be omitted, and points different from the first embodiment will be mainly described.

図11は、本発明の実施の形態2における電力変換装置を示す構成図である。図11に示す電力変換装置は、電力変換器1、制御部13およびオフセット回路14に加えて、温度検出部15をさらに備える。   FIG. 11: is a block diagram which shows the power converter device in Embodiment 2 of this invention. The power conversion device shown in FIG. 11 further includes a temperature detection unit 15 in addition to the power converter 1, the control unit 13, and the offset circuit 14.

温度検出部15は、電力変換器1の内部に設けられており、電力変換器1の温度を、対象温度である温度TLとして検出する。電力変換器の温度は、より具体的には、例えば、整流回路7の温度、または平滑回路8の平滑リアクトル8aの温度である。なお、温度検出部15としては、例えば、温度センサが用いられる。   The temperature detection unit 15 is provided inside the power converter 1 and detects the temperature of the power converter 1 as the temperature TL that is the target temperature. More specifically, the temperature of the power converter is, for example, the temperature of the rectifier circuit 7 or the temperature of the smoothing reactor 8a of the smoothing circuit 8. A temperature sensor, for example, is used as the temperature detector 15.

オフセット回路14は、温度検出部15によって検出される温度TLに基づいて、オフセット電圧Voffsetを求める。なお、別例として、オフセット回路14は、入力電圧検出部10によって検出される入力電圧Vinと、出力電圧検出部12によって検出される出力電圧Voutと、温度検出部15によって検出される温度TLとに基づいて、オフセット電圧Voffsetを求めるように構成されていてもよい。   The offset circuit 14 calculates the offset voltage Voffset based on the temperature TL detected by the temperature detection unit 15. As another example, the offset circuit 14 includes an input voltage Vin detected by the input voltage detection unit 10, an output voltage Vout detected by the output voltage detection unit 12, and a temperature TL detected by the temperature detection unit 15. The offset voltage Voffset may be obtained based on the above.

続いて、温度TLについて説明する。ここで、例えば、電気自動車またはハイブリッド自動車に電力変換装置が適用された場合、高圧バッテリ2としてリチウムイオンバッテリが用いられ、低圧バッテリ4として鉛バッテリが用いられる。鉛バッテリと比べると、電圧範囲は、リチウムイオンバッテリの方が大きい。したがって、同じ負荷条件、すなわち同じ出力電流であっても、高圧バッテリ2の電圧によっては、電力変換器1に入力される入力電流Iinが異なり、電力変換器1の損失も異なる。   Next, the temperature TL will be described. Here, for example, when the power conversion device is applied to an electric vehicle or a hybrid vehicle, a lithium ion battery is used as the high voltage battery 2 and a lead battery is used as the low voltage battery 4. The voltage range of the lithium-ion battery is larger than that of the lead battery. Therefore, even under the same load condition, that is, the same output current, the input current Iin input to the power converter 1 differs depending on the voltage of the high voltage battery 2, and the loss of the power converter 1 also varies.

つまり、トランス6の一次側の温度、例えば半導体スイッチング素子5a〜5dのいずれかの温度を温度TLとした場合、同じ負荷条件であっても、入力電圧Vinによって、温度検出部15によって検出される温度TLが変わってしまう。したがって、入力電圧Vinに依存せずに、負荷の大きさに比例した温度を正確に検出できるようにするため、トランス6の二次側の温度、すなわち、整流回路7の温度、または平滑回路8の温度を、温度TLとすることが望ましい。   That is, when the temperature on the primary side of the transformer 6, for example, the temperature of any of the semiconductor switching elements 5a to 5d is set to the temperature TL, the temperature detection unit 15 detects the input voltage Vin even under the same load condition. The temperature TL changes. Therefore, in order to accurately detect the temperature proportional to the magnitude of the load without depending on the input voltage Vin, the temperature of the secondary side of the transformer 6, that is, the temperature of the rectifier circuit 7 or the smoothing circuit 8 is set. It is desirable that the temperature of is the temperature TL.

ここで、整流回路7を構成するダイオード7aおよび7bは、一般的に、Si系の半導体によって形成されているので、高温環境下では、順方向電圧Vfが低下する。したがって、同一の入力電圧Vinおよび同一の出力電圧Voutであっても、高温環境下では、順方向電圧Vfが低下しているので、電圧降下が小さい。その結果、高温環境下では、デューティ比は、通常の環境下、例えば常温の環境下よりも小さくなる。つまり、高温環境下では、デューティ比が小さくなるほど、スロープ補償量が小さくなってしまう。   Here, since the diodes 7a and 7b that form the rectifier circuit 7 are generally formed of a Si-based semiconductor, the forward voltage Vf decreases in a high temperature environment. Therefore, even with the same input voltage Vin and the same output voltage Vout, the forward voltage Vf is reduced in a high temperature environment, so that the voltage drop is small. As a result, under a high temperature environment, the duty ratio becomes smaller than in a normal environment, for example, a room temperature environment. That is, in a high temperature environment, the smaller the duty ratio, the smaller the slope compensation amount.

このように、電力変換器1において、同一の入力電圧Vinおよび同一の出力電圧Voutであっても、温度TLによっては、スロープ補償量が変化する。したがって、実施の形態2では、オフセット回路14は、温度検出部15によって検出される温度TLが高いほどオフセット電圧Voffsetが大きくなるように、オフセット電圧Voffsetを求める。これにより、温度条件を考慮した出力制限を高精度に行うことが可能となる。   As described above, in the power converter 1, the slope compensation amount changes depending on the temperature TL even with the same input voltage Vin and the same output voltage Vout. Therefore, in the second embodiment, the offset circuit 14 obtains the offset voltage Voffset so that the offset voltage Voffset increases as the temperature TL detected by the temperature detection unit 15 increases. As a result, it becomes possible to perform the output restriction with high accuracy in consideration of the temperature condition.

次に、補正検出電圧Vd’と、閾値電圧Vthとの比較に基づいて、出力制限を行う構成によって得られる効果について、図12および図13を参照しながら説明する。   Next, based on the comparison between the correction detection voltage Vd 'and the threshold voltage Vth, the effect obtained by the configuration for limiting the output will be described with reference to FIGS. 12 and 13.

図12は、比較例における電力変換装置によって温度条件が異なる場合にそれぞれ出力される出力電流Ioutを示す説明図である。図13は、本発明の実施の形態2における電力変換装置によって温度条件が異なる場合にそれぞれ出力される出力電流Ioutを示す説明図である。   FIG. 12 is an explanatory diagram showing the output current Iout that is output when the temperature conditions differ depending on the power conversion device in the comparative example. FIG. 13 is an explanatory diagram showing the output current Iout that is output when the temperature conditions differ depending on the power conversion device according to the second embodiment of the present invention.

なお、比較例における電力変換装置は、オフセット回路14が設けられておらず、検出電圧Vdと閾値電圧Vthとの比較に基づいて、出力制限を行うように構成されているものとする。   It is assumed that the power converter in the comparative example is not provided with the offset circuit 14 and is configured to limit the output based on the comparison between the detection voltage Vd and the threshold voltage Vth.

図12の左側では、温度条件が条件(i)である場合に、比較例における電力変換装置によって得られるリアクトル電流ILf、閾値電圧Vthおよび検出電圧Vdの各時間変化が図示されている。図12の右側では、温度条件が条件(ii)である場合に、比較例における電力変換装置によって得られるリアクトル電流ILf、閾値電圧Vthおよび検出電圧Vdの各時間変化が図示されている。   On the left side of FIG. 12, the temporal changes of the reactor current ILf, the threshold voltage Vth, and the detection voltage Vd obtained by the power conversion device in the comparative example are illustrated when the temperature condition is the condition (i). On the right side of FIG. 12, the temporal changes of the reactor current ILf, the threshold voltage Vth, and the detection voltage Vd obtained by the power conversion device in the comparative example are illustrated when the temperature condition is the condition (ii).

図13の左側では、温度条件が条件(i)である場合に、実施の形態2における電力変換装置によって得られるリアクトル電流ILf、閾値電圧Vth、検出電圧Vdおよび補正検出電圧Vd’の各時間変化が図示されている。図13の右側では、温度条件が条件(ii)である場合に、実施の形態2における電力変換装置によって得られるリアクトル電流ILf、閾値電圧Vth、検出電圧Vdおよび補正検出電圧Vd’の各時間変化が図示されている。   On the left side of FIG. 13, when the temperature condition is the condition (i), the reactor current ILf, the threshold voltage Vth, the detection voltage Vd, and the correction detection voltage Vd ′ obtained with the power conversion device according to the second embodiment change with time. Are shown. On the right side of FIG. 13, when the temperature condition is the condition (ii), the reactor current ILf, the threshold voltage Vth, the detection voltage Vd, and the correction detection voltage Vd ′ obtained with the power converter according to the second embodiment change with time. Are shown.

上述の条件(i)は、電力変換器1が低温環境下にある、すなわち、温度TLが低いという条件である。このような条件(i)では、デューティ比が大きくなる。上述の条件(ii)は、条件(i)と比べて、電力変換器1が高温環境下にある、すなわち、温度TLが高いという条件である。このような条件(ii)では、条件(i)と比べて、デューティ比が小さくなる。また、条件(i)と、条件(ii)との間では、入力電圧Vinおよび出力電圧Voutがそれぞれ同一の条件であるものとする。   The above-mentioned condition (i) is a condition that the power converter 1 is in a low temperature environment, that is, the temperature TL is low. Under such a condition (i), the duty ratio becomes large. The condition (ii) described above is a condition that the power converter 1 is in a high temperature environment, that is, the temperature TL is higher than the condition (i). Under such a condition (ii), the duty ratio is smaller than that under the condition (i). Further, between the condition (i) and the condition (ii), the input voltage Vin and the output voltage Vout are assumed to be the same condition.

図12に示すように、温度条件に起因したデューティ比の変化によって、検出電圧Vdが変化し、結果として、リアクトル電流ILfを平滑コンデンサ8bによって直流化した出力電流Ioutがデューティ比によって変化してしまう。   As shown in FIG. 12, the detection voltage Vd changes due to the change of the duty ratio due to the temperature condition, and as a result, the output current Iout obtained by converting the reactor current ILf into the direct current by the smoothing capacitor 8b changes according to the duty ratio. ..

そのため、比較例では、図12から分かるように、条件(i)と、条件(ii)とを比べると、直流化した出力電流Ioutの間で、ばらつきが生じている。なお、条件(i)では、ダイオード7aおよび7bの順方向電圧Vfが大きく、電圧降下が大きいので、オンデューティDが大きい。条件(ii)では、ダイオード7aおよび7bの順方向電圧Vfが小さく、電圧降下が小さいので、オンデューティDが小さい。   Therefore, in the comparative example, as can be seen from FIG. 12, when the condition (i) and the condition (ii) are compared, there is a variation between the DC-converted output currents Iout. Under the condition (i), since the forward voltage Vf of the diodes 7a and 7b is large and the voltage drop is large, the on-duty D is large. Under the condition (ii), the forward voltage Vf of the diodes 7a and 7b is small and the voltage drop is small, so the on-duty D is small.

ここで、入力電圧Vinおよび出力電圧Voutのそれぞれが一定であると仮定すると、デューティ比は、温度TLが高いほど小さく、温度TLが低いほど大きくなる。また、先の実施の形態1と同様、図13に示すように、スロープ補償は、デューティ比が大きいほど大きく補償される。   Here, assuming that each of the input voltage Vin and the output voltage Vout is constant, the duty ratio becomes smaller as the temperature TL is higher and becomes larger as the temperature TL is lower. Further, as in the first embodiment, as shown in FIG. 13, the slope compensation is larger as the duty ratio is larger.

以上から分かるように、温度TLが低くなるほど、スロープ補償量が大きくなり、温度TLが高くなるほど、スロープ補償量が小さくなる。   As can be seen from the above, the lower the temperature TL, the larger the slope compensation amount, and the higher the temperature TL, the smaller the slope compensation amount.

このように、温度TLによって、スロープ補償量が変化する。そのため、実施の形態2では、オフセット回路14は、温度TLが高いほどオフセット電圧Voffsetが大きくなるように、オフセット電圧Voffsetを求める。このオフセット電圧Voffsetは、検出電圧Vdに加算される。このような構成によって、温度TLに起因した出力制限開始電流の変動を抑制することができる。その結果、出力制限を高精度に行うことが可能となる。また、電力変換器1が例えば高温環境下にある場合に出力制限開始電流が変動してしまい、出力電流Ioutが過電流になることで部品が故障してしまう状況が発生することを抑制することができる。   Thus, the slope compensation amount changes depending on the temperature TL. Therefore, in the second embodiment, the offset circuit 14 obtains the offset voltage Voffset so that the offset voltage Voffset increases as the temperature TL increases. This offset voltage Voffset is added to the detection voltage Vd. With such a configuration, it is possible to suppress the fluctuation of the output limit start current due to the temperature TL. As a result, the output can be restricted with high accuracy. Further, it is possible to prevent a situation in which the output limit start current fluctuates when the power converter 1 is in a high temperature environment, for example, and the output current Iout becomes an overcurrent, which causes a component failure. You can

続いて、オフセット電圧Voffsetを求める方法の一例について説明する。オフセット回路14は、温度TLをパラメータとする関数に従って、オフセット電圧Voffsetを算出する。具体的には、オフセット回路14は、例えば以下の式(4)に従って、温度検出部15によって検出された温度TLから、オフセット電圧Voffsetを算出する。ただし、T0は、基準温度であり、例えば25℃である。また、δおよびγは係数である。   Next, an example of a method of obtaining the offset voltage Voffset will be described. The offset circuit 14 calculates the offset voltage Voffset according to a function having the temperature TL as a parameter. Specifically, the offset circuit 14 calculates the offset voltage Voffset from the temperature TL detected by the temperature detection unit 15, for example, according to the following equation (4). However, T0 is a reference temperature, for example, 25 degreeC. Further, δ and γ are coefficients.

Voffset=δ×(TL−T0)+γ (4)
δは、温度TLが高いほどオフセット電圧Voffsetが高くなるように予め定められる。また、γは、補正項として予め定められる。
Voffset = δ × (TL-T0) + γ (4)
δ is set in advance so that the offset voltage Voffset increases as the temperature TL increases. Further, γ is predetermined as a correction term.

このように、オフセット回路14は、温度TLに基づいて、オフセット電圧Voffsetを求める。また、オフセット回路14は、求めたオフセット電圧Voffsetを検出電圧Vdに加算した値である補正検出電圧Vd’を、制御部13の比較器132に出力する。   In this way, the offset circuit 14 obtains the offset voltage Voffset based on the temperature TL. Further, the offset circuit 14 outputs a corrected detection voltage Vd ′, which is a value obtained by adding the obtained offset voltage Voffset to the detection voltage Vd, to the comparator 132 of the control unit 13.

これにより、温度TLに応じて、スロープ補償分による差分を吸収することができるので、温度特性に起因した出力制限開始電流の変動を抑制することができる。   As a result, the difference due to the slope compensation can be absorbed according to the temperature TL, so that the fluctuation of the output limit start current due to the temperature characteristic can be suppressed.

なお、温度TLをパラメータとする関数として、上述の式(4)に示すように一次式を用いる場合を例示したが、これに限定されない。すなわち、温度TLをパラメータとする関数として、二次式、または三次以上の高次数式を用いてもよい。   In addition, although the case where the linear equation is used as shown in the above equation (4) is illustrated as the function having the temperature TL as a parameter, the function is not limited to this. That is, a quadratic expression or a higher-order mathematical expression of a third order or higher may be used as the function having the temperature TL as a parameter.

図13に示すように、検出電圧Vdにオフセット電圧Voffsetを加算することによって、スロープ補償分による差分を吸収することができる。したがって、図13から分かるように、条件(i)と、条件(ii)とを比べると、直流化した出力電流Ioutの間で、ばらつきが生じていない。   As shown in FIG. 13, by adding the offset voltage Voffset to the detection voltage Vd, the difference due to the slope compensation can be absorbed. Therefore, as can be seen from FIG. 13, when the condition (i) and the condition (ii) are compared, there is no variation between the DC-converted output currents Iout.

また、図13において、条件(i)と、条件(ii)とを比べると、温度TLが低いほどオフセット電圧Voffsetの値が小さく、温度TLが高いほどオフセット電圧Voffsetの値が大きくなっている。   Further, comparing the condition (i) with the condition (ii) in FIG. 13, the value of the offset voltage Voffset is smaller as the temperature TL is lower, and the value of the offset voltage Voffset is larger as the temperature TL is higher.

なお、上述したように、オフセット回路14は、入力電圧Vinと、出力電圧Voutと、温度TLとに基づいて、オフセット電圧Voffsetを求めるように構成されていてもよい。具体的には、オフセット回路14は、入力電圧Vinが高いほどオフセット電圧Voffsetが大きくなり、出力電圧Voutが低いほどオフセット電圧Voffsetが大きくなり、温度TLが高いほどオフセット電圧Voffsetが大きくなるように、オフセット電圧Voffsetを求める。   In addition, as described above, the offset circuit 14 may be configured to obtain the offset voltage Voffset based on the input voltage Vin, the output voltage Vout, and the temperature TL. Specifically, in the offset circuit 14, the higher the input voltage Vin, the larger the offset voltage Voffset, the lower the output voltage Vout, the larger the offset voltage Voffset, and the higher the temperature TL, the larger the offset voltage Voffset. The offset voltage Voffset is calculated.

上述の場合、オフセット回路14は、入力電圧Vin、出力電圧Voutおよび温度TLをパラメータとする関数に従って、オフセット電圧Voffsetを算出する。具体的には、オフセット回路14は、例えば以下の式(5)に従って、入力電圧検出部10によって検出された入力電圧Vinと、出力電圧検出部12によって検出された出力電圧Voutと、温度検出部15によって検出された温度TLとから、オフセット電圧Voffsetを算出する。ただし、T0は、基準温度であり、例えば25℃である。また、α、β、γおよびδは係数である。   In the above case, the offset circuit 14 calculates the offset voltage Voffset according to a function having the input voltage Vin, the output voltage Vout, and the temperature TL as parameters. Specifically, the offset circuit 14 includes an input voltage Vin detected by the input voltage detection unit 10, an output voltage Vout detected by the output voltage detection unit 12, and a temperature detection unit, for example, according to the following equation (5). The offset voltage Voffset is calculated from the temperature TL detected by 15. However, T0 is a reference temperature, for example, 25 degreeC. Further, α, β, γ and δ are coefficients.

Voffset=α×Vin−β×Vout+δ×(TL−T0)+γ (5)
α、βおよびδは、入力電圧Vinが高いほどオフセット電圧Voffsetが高くなり、出力電圧Voutが高いほどオフセット電圧Voffsetが低くなり、温度TLが高いほどオフセット電圧Voffsetが高くなるように予め定められる。また、γは、補正項として予め定められる。
Voffset = α × Vin−β × Vout + δ × (TL-T0) + γ (5)
α, β, and δ are predetermined such that the higher the input voltage Vin, the higher the offset voltage Voffset, the higher the output voltage Vout, the lower the offset voltage Voffset, and the higher the temperature TL, the higher the offset voltage Voffset. Further, γ is predetermined as a correction term.

なお、入力電圧Vin、出力電圧Voutおよび温度TLをパラメータとする関数として、上述の式(5)に示すように一次式を用いる場合を例示したが、これに限定されない。すなわち、入力電圧Vin、出力電圧Voutおよび温度TLをパラメータとする関数として、二次式、または三次以上の高次数式を用いてもよい。   In addition, although the case where a linear expression is used as shown in Expression (5) above is illustrated as a function having the input voltage Vin, the output voltage Vout, and the temperature TL as parameters, the present invention is not limited to this. That is, as a function having the input voltage Vin, the output voltage Vout, and the temperature TL as parameters, a quadratic expression or a higher-order mathematical expression of a third order or higher may be used.

これにより、入力電圧Vin、出力電圧Voutおよび温度TLに応じて、スロープ補償分による差分を吸収することができるので、入出力電圧および温度特性に起因した出力制限開始電流の変動を抑制することができる。すなわち、入力電圧Vinおよび出力電圧Voutの変動に加えて、温度TLの変動に起因した出力制限開始電流の変動を抑制することができる。その結果、出力制限を高精度に行うことが可能となる。   As a result, the difference due to the slope compensation can be absorbed according to the input voltage Vin, the output voltage Vout, and the temperature TL, so that the fluctuation of the output limit start current due to the input / output voltage and the temperature characteristic can be suppressed. it can. That is, in addition to the fluctuations in the input voltage Vin and the output voltage Vout, fluctuations in the output limit start current due to fluctuations in the temperature TL can be suppressed. As a result, the output can be restricted with high accuracy.

なお、整流回路7がダイオード整流回路である場合を例示したが、これに限定されず、整流回路7が同期整流回路であってもよい。整流回路7がMOSFETを使用した同期整流回路である場合、温度TLが高くなるほど、MOSFETのオン抵抗が増加する。したがって、ダイオードとは逆に電圧降下のロスが大きく、同様の出力電圧Voutを出力するには、デューティ比を大きくする必要があり、オフセット電圧Voffsetを下げる必要がある。   Although the case where the rectifier circuit 7 is a diode rectifier circuit is illustrated, the present invention is not limited to this, and the rectifier circuit 7 may be a synchronous rectifier circuit. When the rectifier circuit 7 is a synchronous rectifier circuit using a MOSFET, the higher the temperature TL, the higher the on-resistance of the MOSFET. Therefore, the loss of the voltage drop is large contrary to the diode, and in order to output the same output voltage Vout, the duty ratio needs to be increased and the offset voltage Voffset needs to be decreased.

なお、温度検出部15は、電力変換器1の温度の代わりに、電力変換器1を冷却する冷却器の温度を、温度TLとして検出するように構成されていてもよい。   The temperature detection unit 15 may be configured to detect the temperature of the cooler that cools the power converter 1 as the temperature TL instead of the temperature of the power converter 1.

この場合、冷却器は、例えば、水冷式冷却器であり、冷却水を循環させるウォーターポンプを含んで構成される。また、冷却器の温度は、冷却水の温度である。より具体的には、温度検出部15は、冷却器を監視しているECU(Electronic Control Unit)から、CAN(Controller Area Network)等の通信線を介して冷却水の温度を取得する。温度検出部15は、取得した冷却水の温度を、温度TLとして検出する。   In this case, the cooler is, for example, a water-cooled cooler and includes a water pump for circulating cooling water. The temperature of the cooler is the temperature of the cooling water. More specifically, the temperature detection unit 15 acquires the temperature of the cooling water from an ECU (Electronic Control Unit) that monitors the cooler via a communication line such as a CAN (Controller Area Network). The temperature detection unit 15 detects the acquired temperature of the cooling water as the temperature TL.

以上、本実施の形態2の電力変換装置によれば、オフセット回路14は、温度検出部15によって検出される温度TLに基づいて、オフセット電圧Voffsetを求めるように構成されている。これにより、温度TLの変動に起因して出力制限開始電流が変動することを抑制することができる。その結果、電力変換装置の高信頼性化を実現することができる。   As described above, according to the power converter of Embodiment 2, the offset circuit 14 is configured to obtain the offset voltage Voffset based on the temperature TL detected by the temperature detection unit 15. As a result, it is possible to prevent the output limit start current from changing due to the change in the temperature TL. As a result, high reliability of the power conversion device can be realized.

また、本実施の形態2の電力変換装置の別例によれば、オフセット回路14は、入力電圧検出部10によって検出される入力電圧Vinと、出力電圧検出部12によって検出される出力電圧Voutとに加えて、温度検出部15によって検出される温度TLに基づいて、オフセット電圧Voffsetを求めるように構成されている。これにより、入力電圧Vin、出力電圧Voutおよび温度TLのそれぞれの変動に起因して出力制限開始電流が変動することを抑制することができる。その結果、電力変換装置の高信頼性化を実現することができる。   Further, according to another example of the power conversion device of the second embodiment, the offset circuit 14 includes the input voltage Vin detected by the input voltage detection unit 10 and the output voltage Vout detected by the output voltage detection unit 12. In addition to the above, the offset voltage Voffset is obtained based on the temperature TL detected by the temperature detection unit 15. As a result, it is possible to prevent the output limit start current from varying due to variations in the input voltage Vin, the output voltage Vout, and the temperature TL. As a result, high reliability of the power conversion device can be realized.

なお、各実施の形態1、2では、電力変換器1のトランス6がセンタータップ方式の構成であるが、これに限定されない。例えば、トランス6は、二次巻線の両端がそれぞれフルブリッジ構成のダイオードの中点に接続される構成であってもよい。   In each of the first and second embodiments, the transformer 6 of the power converter 1 has a center tap type configuration, but the present invention is not limited to this. For example, the transformer 6 may have a configuration in which both ends of the secondary winding are connected to the middle point of a diode having a full bridge configuration.

なお、各実施の形態1、2では、トランス6の二次巻線6bの中点が低圧バッテリ4の負極側に接続され、二次巻線6bの両端がそれぞれダイオード7aおよび7bのアノード側に接続されているが、これに限定されない。例えば、二次巻線6bの中点が平滑リアクトル8aに接続され、二次巻線6bの両端がそれぞれダイオード7aおよび7bのカソード側に接続され、ダイオード7aおよび7bのアノードが低圧バッテリ4の負極側に接続されていてもよい。   In each of the first and second embodiments, the middle point of the secondary winding 6b of the transformer 6 is connected to the negative electrode side of the low voltage battery 4, and both ends of the secondary winding 6b are connected to the anode sides of the diodes 7a and 7b, respectively. Connected, but not limited to. For example, the middle point of the secondary winding 6b is connected to the smoothing reactor 8a, both ends of the secondary winding 6b are connected to the cathode sides of the diodes 7a and 7b, respectively, and the anodes of the diodes 7a and 7b are the negative electrodes of the low voltage battery 4. It may be connected to the side.

なお、各実施の形態1、2では、電力変換器1は、入力側の電圧よりも出力側の電圧が低い降圧型のコンバータの形態としたが、これに限定されない。例えば、電力変換器1は、入力側の電圧よりも出力側の電圧が高い昇圧型のコンバータの形態であってもよい。   In each of the first and second embodiments, power converter 1 is in the form of a step-down converter in which the voltage on the output side is lower than the voltage on the input side, but the present invention is not limited to this. For example, the power converter 1 may be in the form of a boost converter in which the voltage on the output side is higher than the voltage on the input side.

なお、各実施の形態1、2では、電力変換器1のスイッチング方式は、ハードスイッチング方式としたが、これに限定されない。例えば、電力変換器1のスイッチング方式は、位相シフト制御方式であってもよい。この場合、制御部13は、半導体スイッチング素子5aおよび半導体スイッチング素子5dを1つのスイッチング素子対として制御し、各半導体スイッチング素子5bおよび5cの位相を半周期ずらして制御する。   In each of the first and second embodiments, the switching method of power converter 1 is the hard switching method, but the invention is not limited to this. For example, the switching method of the power converter 1 may be a phase shift control method. In this case, the control unit 13 controls the semiconductor switching element 5a and the semiconductor switching element 5d as one switching element pair and shifts the phases of the respective semiconductor switching elements 5b and 5c by a half cycle for control.

図14は、本発明の実施の形態1、2における電力変換装置の変形例の動作モードが切り替わる様子を示すタイミングチャートである。図14に示すように、半導体スイッチング素子5aおよび5bと、半導体スイッチング素子5cおよび5dは、それぞれ、上下アームが短絡しないようにデッドタイムTdを設けてスイッチング制御される。この場合、図14に示すように、モード2およびモード4において、半導体スイッチング素子5a〜5dの全てがオフでないにもかかわらず、入力電流Iinが0になり、リアクトル電流ILfが減少している。このことは、電力変換器1のスイッチング方式が図14に示す方式であっても、上述した効果が得られることを示している。   FIG. 14 is a timing chart showing how the operation modes of the modified examples of the power conversion devices according to Embodiments 1 and 2 of the present invention are switched. As shown in FIG. 14, the semiconductor switching elements 5a and 5b and the semiconductor switching elements 5c and 5d are switching-controlled by providing a dead time Td so that the upper and lower arms are not short-circuited. In this case, as shown in FIG. 14, in mode 2 and mode 4, the input current Iin becomes 0 and the reactor current ILf decreases although all the semiconductor switching elements 5a to 5d are not turned off. This indicates that the above-described effects can be obtained even if the switching method of the power converter 1 is the method shown in FIG.

なお、各実施の形態1、2では、制御部13は、オフセット電圧Voffsetを検出電圧Vdに加算した値である補正検出電圧Vd’と、閾値電圧Vthとを比較するように構成されているが、これに限定されない。例えば、制御部13は、閾値電圧Vthからオフセット電圧Voffsetを減算した値である補正閾値電圧Vth’と、検出電圧Vdとを比較するように構成されていてもよい。   In each of the first and second embodiments, the control unit 13 is configured to compare the corrected detection voltage Vd ′, which is a value obtained by adding the offset voltage Voffset to the detection voltage Vd, with the threshold voltage Vth. , But is not limited to this. For example, the control unit 13 may be configured to compare the detected voltage Vd with the corrected threshold voltage Vth ′, which is a value obtained by subtracting the offset voltage Voffset from the threshold voltage Vth.

この場合、オフセット回路14は、求めたオフセット電圧Voffsetを、閾値電圧Vthから減算した値である補正閾値電圧Vth’を出力する。制御部13は、入力電流検出部11によって検出される入力電流Iinに対応する検出電圧Vdと、オフセット回路14によって出力される補正閾値電圧Vth’とを比較する。制御部13は、その比較の結果、検出電圧Vdが補正閾値電圧Vth’以上である場合、出力制限を行う。   In this case, the offset circuit 14 outputs the corrected threshold voltage Vth 'which is a value obtained by subtracting the obtained offset voltage Voffset from the threshold voltage Vth. The control unit 13 compares the detection voltage Vd corresponding to the input current Iin detected by the input current detection unit 11 with the correction threshold voltage Vth ′ output by the offset circuit 14. As a result of the comparison, the control unit 13 limits the output when the detected voltage Vd is equal to or higher than the correction threshold voltage Vth '.

なお、上述した各実施の形態1、2における制御部13およびオフセット回路14の各機能は、処理回路によって実現される。処理回路は、専用のハードウェアであってもよく、メモリに格納されるプログラムを実行するプロセッサであってもよい。   Each function of the control unit 13 and the offset circuit 14 in each of the first and second embodiments described above is realized by a processing circuit. The processing circuit may be dedicated hardware or a processor that executes a program stored in the memory.

処理回路が専用のハードウェアである場合、処理回路は、例えば、単一回路、複合回路、プログラム化したプロセッサ、並列プログラム化したプロセッサ、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)、FPGA(Field Programmable Gate Array)、またはこれらを組み合わせたものが該当する。   When the processing circuit is dedicated hardware, the processing circuit is, for example, a single circuit, a composite circuit, a programmed processor, a parallel programmed processor, an ASIC (Application Specific Integrated Circuit), or an FPGA (Field Programmable Gate Array). , Or a combination of these.

一方、処理回路がプロセッサの場合、制御部13およびオフセット回路14の各機能は、ソフトウェア、ファームウェア、またはソフトウェアとファームウェアとの組み合わせにより実現される。ソフトウェアおよびファームウェアは、プログラムとして記述され、メモリに格納される。プロセッサは、メモリに記憶されたプログラムを読み出して実行することにより、上述した各機能を実現する。   On the other hand, when the processing circuit is a processor, each function of the control unit 13 and the offset circuit 14 is realized by software, firmware, or a combination of software and firmware. Software and firmware are described as programs and stored in memory. The processor realizes each function described above by reading and executing the program stored in the memory.

なお、上述した各機能について、一部を専用のハードウェアで実現し、一部をソフトウェアまたはファームウェアで実現するようにしてもよい。   Note that each of the above-described functions may be partially implemented by dedicated hardware and partially implemented by software or firmware.

このように、処理回路は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、またはこれらの組み合わせによって、上述した各機能を実現することができる。   As described above, the processing circuit can realize each function described above by hardware, software, firmware, or a combination thereof.

なお、本発明の実施例として実施の形態1、2を説明したが、本発明は実施の形態1、2の各構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、実施の形態1、2の各構成を適宜組み合わせたり、各構成に一部変形を加えたり、各構成を一部省略したりすることが可能である。   Although the first and second embodiments have been described as examples of the present invention, the present invention is not limited to the respective configurations of the first and second embodiments, and may be carried out within a range not departing from the spirit of the present invention. It is possible to appropriately combine the respective configurations of the first and second embodiments, to partially modify the respective configurations, and to partially omit the respective configurations.

1 電力変換器、2 高圧バッテリ、3 負荷、4 低圧バッテリ、5 インバータ回路、5a〜5d 半導体スイッチング素子、6 トランス、6a 一次巻線、6b 二次巻線、7 整流回路、7a,7b ダイオード、8 平滑回路、8a 平滑リアクトル、8b 平滑コンデンサ、10 入力電圧検出部、11 入力電流検出部、12 出力電圧検出部、13 制御部、131 閾値発生器、132 比較器、14 オフセット回路、141 加算器、15 温度検出部。   1 power converter, 2 high voltage battery, 3 load, 4 low voltage battery, 5 inverter circuit, 5a-5d semiconductor switching element, 6 transformer, 6a primary winding, 6b secondary winding, 7 rectifier circuit, 7a, 7b diode, 8 smoothing circuit, 8a smoothing reactor, 8b smoothing capacitor, 10 input voltage detecting section, 11 input current detecting section, 12 output voltage detecting section, 13 control section, 131 threshold value generator, 132 comparator, 14 offset circuit, 141 adder , 15 Temperature detector.

本発明における電力変換装置は、入力される直流電圧を交流電圧に変換するインバータ回路、インバータ回路によって変換される交流電圧を変圧するトランス、トランスによって変圧される交流電圧を整流する整流回路、平滑リアクトルを含み、整流回路の出力を平滑化する平滑回路、インバータ回路に入力される入力電流を検出する入力電流検出部、インバータ回路に入力される入力電圧を検出する入力電圧検出部、および平滑回路から出力される出力電圧を検出する出力電圧検出部を有する電力変換器と、電力変換器を制御する制御部と、入力電圧検出部によって検出される入力電圧と、出力電圧検出部によって検出される出力電圧とに基づいて、オフセット電圧を求めるオフセット回路と、を備え、制御部は、オフセット回路によって求められるオフセット電圧と、入力電流検出部によって検出される入力電流に対応する検出電圧と、閾値電圧とに基づいて、オフセット電圧を、検出電圧に加算した値である補正検出電圧を算出し、補正検出電圧が閾値電圧以上である場合、または、オフセット電圧を、閾値電圧から減算した値である補正閾値電圧を算出し、検出電圧が補正閾値電圧以上である場合に、インバータ回路を制御することで平滑リアクトルに流れるリアクトル電流を低減させて出力電圧を低下させる出力制限を行うものである。 The power converter according to the present invention includes an inverter circuit that converts an input DC voltage into an AC voltage, a transformer that transforms the AC voltage converted by the inverter circuit, a rectifier circuit that rectifies the AC voltage transformed by the transformer, and a smoothing reactor. From a smoothing circuit that smoothes the output of the rectifier circuit, an input current detection unit that detects the input current input to the inverter circuit, an input voltage detection unit that detects the input voltage input to the inverter circuit, and a smoothing circuit. A power converter having an output voltage detector that detects the output voltage that is output, a controller that controls the power converter, an input voltage detected by the input voltage detector, and an output detected by the output voltage detector. An offset circuit that obtains an offset voltage based on the voltage and An offset voltage is because, a detection voltage corresponding to the input current detected by the input current detecting unit, based on the threshold voltage, the offset voltage, calculates a correction detection voltage is a value obtained by adding the detected voltage correction When the detected voltage is equal to or higher than the threshold voltage, or the offset voltage is subtracted from the threshold voltage to calculate a corrected threshold voltage, and when the detected voltage is equal to or higher than the corrected threshold voltage, the inverter circuit is controlled. The output current is limited by reducing the reactor current flowing in the smoothing reactor and lowering the output voltage.

本発明における電力変換装置は、入力される直流電圧を交流電圧に変換するインバータ回路、インバータ回路によって変換される交流電圧を変圧するトランス、トランスによって変圧される交流電圧を整流する整流回路、平滑リアクトルを含み、整流回路の出力を平滑化する平滑回路、インバータ回路に入力される入力電流を検出する入力電流検出部、インバータ回路に入力される入力電圧を検出する入力電圧検出部、および平滑回路から出力される出力電圧を検出する出力電圧検出部を有する電力変換器と、電力変換器を制御する制御部と、入力電圧検出部によって検出される入力電圧、および出力電圧検出部によって検出される出力電圧のみに基づいて、オフセット電圧を求めるオフセット回路と、を備え、制御部は、オフセット回路によって求められるオフセット電圧と、入力電流検出部によって検出される入力電流に対応する検出電圧と、閾値電圧とに基づいて、オフセット電圧を、検出電圧に加算した値である補正検出電圧を算出し、補正検出電圧が閾値電圧以上である場合、または、オフセット電圧を、閾値電圧から減算した値である補正閾値電圧を算出し、検出電圧が補正閾値電圧以上である場合に、インバータ回路を制御することで平滑リアクトルに流れるリアクトル電流を低減させて出力電圧を低下させる出力制限を行うものである。
また、本発明における電力変換装置は、入力される直流電圧を交流電圧に変換するインバータ回路、インバータ回路によって変換される交流電圧を変圧するトランス、トランスによって変圧される交流電圧を整流する整流回路、平滑リアクトルを含み、整流回路の出力を平滑化する平滑回路、インバータ回路に入力される入力電流を検出する入力電流検出部、インバータ回路に入力される入力電圧を検出する入力電圧検出部、および平滑回路から出力される出力電圧を検出する出力電圧検出部を有する電力変換器と、電力変換器を制御する制御部と、入力電圧検出部によって検出される入力電圧と、出力電圧検出部によって検出される出力電圧とに基づいて、オフセット電圧を求めるオフセット回路と、を備え、制御部は、オフセット回路によって求められるオフセット電圧と、入力電流検出部によって検出される入力電流に対応する検出電圧と、閾値電圧とに基づいて、オフセット電圧を、検出電圧に加算した値である補正検出電圧を算出し、補正検出電圧が閾値電圧以上である場合、または、オフセット電圧を、閾値電圧から減算した値である補正閾値電圧を算出し、検出電圧が補正閾値電圧以上である場合に、インバータ回路を制御することで平滑リアクトルに流れるリアクトル電流を低減させて出力電圧を低下させる出力制限を行う電力変換装置であって、電力変換器の温度を、対象温度として検出する温度検出部をさらに備え、オフセット回路は、入力電圧検出部によって検出される入力電圧と、出力電圧検出部によって検出される出力電圧とに加えて、温度検出部によって検出される対象温度に基づいて、オフセット電圧を求めるものである。
The power converter according to the present invention includes an inverter circuit that converts an input DC voltage into an AC voltage, a transformer that transforms the AC voltage converted by the inverter circuit, a rectifier circuit that rectifies the AC voltage transformed by the transformer, and a smoothing reactor. From a smoothing circuit that smoothes the output of the rectifier circuit, an input current detection unit that detects the input current input to the inverter circuit, an input voltage detection unit that detects the input voltage input to the inverter circuit, and a smoothing circuit. A power converter having an output voltage detector that detects an output voltage that is output, a controller that controls the power converter, an input voltage detected by the input voltage detector , and an output detected by the output voltage detector. based only on the voltage, it includes an offset circuit for obtaining an offset voltage, a control unit, the offset circuit Based on the offset voltage obtained by the above, the detection voltage corresponding to the input current detected by the input current detection unit, and the threshold voltage, a corrected detection voltage that is a value obtained by adding the offset voltage to the detection voltage is calculated. If the corrected detection voltage is equal to or higher than the threshold voltage, or if the offset voltage is subtracted from the threshold voltage to calculate a corrected threshold voltage, and the detected voltage is equal to or higher than the correction threshold voltage, the inverter circuit is controlled. This reduces the reactor current flowing in the smoothing reactor and limits the output voltage to reduce the output voltage.
Further, the power conversion device according to the present invention includes an inverter circuit that converts an input DC voltage into an AC voltage, a transformer that transforms the AC voltage converted by the inverter circuit, a rectifier circuit that rectifies the AC voltage transformed by the transformer, A smoothing circuit that includes a smoothing reactor to smooth the output of the rectifier circuit, an input current detection unit that detects an input current input to the inverter circuit, an input voltage detection unit that detects an input voltage input to the inverter circuit, and a smoothing A power converter having an output voltage detector that detects the output voltage output from the circuit, a controller that controls the power converter, an input voltage detected by the input voltage detector, and an output voltage detector detected by the output voltage detector. And an offset circuit that obtains an offset voltage based on the output voltage Based on the offset voltage obtained by the above, the detection voltage corresponding to the input current detected by the input current detection unit, and the threshold voltage, a corrected detection voltage that is a value obtained by adding the offset voltage to the detection voltage is calculated. If the corrected detection voltage is equal to or higher than the threshold voltage, or if the offset voltage is subtracted from the threshold voltage to calculate a corrected threshold voltage, and the detected voltage is equal to or higher than the correction threshold voltage, the inverter circuit is controlled. A power converter that limits the reactor current flowing in the smoothing reactor to reduce the output voltage, and further includes a temperature detector that detects the temperature of the power converter as a target temperature, and the offset circuit In addition to the input voltage detected by the input voltage detection unit and the output voltage detected by the output voltage detection unit, Based on the target temperature detected Te, and requests the offset voltage.

Claims (12)

入力される直流電圧を交流電圧に変換するインバータ回路、
前記インバータ回路によって変換される前記交流電圧を変圧するトランス、
前記トランスによって変圧される前記交流電圧を整流する整流回路、
平滑リアクトルを含み、前記整流回路の出力を平滑化する平滑回路、
前記インバータ回路に入力される入力電流を検出する入力電流検出部、
前記インバータ回路に入力される入力電圧を検出する入力電圧検出部、および
前記平滑回路から出力される出力電圧を検出する出力電圧検出部
を有する電力変換器と、
前記電力変換器を制御する制御部と、
前記入力電圧検出部によって検出される前記入力電圧と、前記出力電圧検出部によって検出される前記出力電圧とに基づいて、オフセット電圧を求めるオフセット回路と、
を備え、
前記制御部は、
前記オフセット回路によって求められる前記オフセット電圧と、前記入力電流検出部によって検出される前記入力電流に対応する検出電圧と、閾値電圧とに基づいて、前記インバータ回路を制御することで前記平滑リアクトルに流れるリアクトル電流を低減させて前記出力電圧を低下させる出力制限を行う
電力変換装置。
An inverter circuit that converts an input DC voltage into an AC voltage,
A transformer for transforming the AC voltage converted by the inverter circuit,
A rectifying circuit for rectifying the AC voltage transformed by the transformer,
A smoothing circuit that includes a smoothing reactor and that smoothes the output of the rectifier circuit;
An input current detection unit that detects an input current input to the inverter circuit,
An input voltage detection unit that detects an input voltage that is input to the inverter circuit; and a power converter that includes an output voltage detection unit that detects an output voltage output from the smoothing circuit,
A control unit for controlling the power converter,
An offset circuit that obtains an offset voltage based on the input voltage detected by the input voltage detection unit and the output voltage detected by the output voltage detection unit,
Equipped with
The control unit is
Based on the offset voltage obtained by the offset circuit, a detection voltage corresponding to the input current detected by the input current detection unit, and a threshold voltage, the inverter circuit is controlled to flow into the smoothing reactor. An electric power conversion device that limits an output by reducing a reactor current to reduce the output voltage.
前記オフセット回路は、
前記入力電圧が高いほど前記オフセット電圧が大きくなり、前記出力電圧が低いほど前記オフセット電圧が大きくなるように、前記オフセット電圧を求める
請求項1に記載の電力変換装置。
The offset circuit is
The power converter according to claim 1, wherein the offset voltage is calculated such that the higher the input voltage is, the larger the offset voltage is, and the lower the output voltage is, the larger the offset voltage is.
前記電力変換器の温度を、対象温度として検出する温度検出部をさらに備え、
前記オフセット回路は、
前記入力電圧検出部によって検出される前記入力電圧と、前記出力電圧検出部によって検出される前記出力電圧とに加えて、前記温度検出部によって検出される前記対象温度に基づいて、前記オフセット電圧を求める
請求項1に記載の電力変換装置。
The temperature of the power converter, further comprising a temperature detection unit for detecting as a target temperature,
The offset circuit is
In addition to the input voltage detected by the input voltage detection unit and the output voltage detected by the output voltage detection unit, the offset voltage is set based on the target temperature detected by the temperature detection unit. The power converter according to claim 1.
前記オフセット回路は、
前記入力電圧が高いほど前記オフセット電圧が大きくなり、前記出力電圧が低いほど前記オフセット電圧が大きくなり、前記対象温度が高いほど前記オフセット電圧が大きくなるように、前記オフセット電圧を求める
請求項3に記載の電力変換装置。
The offset circuit is
The offset voltage is calculated such that the offset voltage increases as the input voltage increases, the offset voltage increases as the output voltage decreases, and the offset voltage increases as the target temperature increases. The power converter described.
入力される直流電圧を交流電圧に変換するインバータ回路、
前記インバータ回路によって変換される前記交流電圧を変圧するトランス、
前記トランスによって変圧される前記交流電圧を整流する整流回路、
平滑リアクトルを含み、前記整流回路の出力を平滑化する平滑回路、および
前記インバータ回路に入力される入力電流を検出する入力電流検出部
を有する電力変換器と、
前記電力変換器を制御する制御部と、
前記電力変換器の温度を、対象温度として検出する温度検出部と、
前記温度検出部によって検出される前記対象温度に基づいて、オフセット電圧を求めるオフセット回路と、
を備え、
前記制御部は、
前記オフセット回路によって求められる前記オフセット電圧と、前記入力電流検出部によって検出される前記入力電流に対応する検出電圧と、閾値電圧とに基づいて、前記インバータ回路を制御することで前記平滑リアクトルに流れるリアクトル電流を低減させて前記平滑回路から出力される出力電圧を低下させる出力制限を行う
電力変換装置。
An inverter circuit that converts an input DC voltage into an AC voltage,
A transformer for transforming the AC voltage converted by the inverter circuit,
A rectifying circuit for rectifying the AC voltage transformed by the transformer,
A power converter including a smoothing reactor, a smoothing circuit that smoothes an output of the rectifier circuit, and an input current detection unit that detects an input current input to the inverter circuit;
A control unit for controlling the power converter,
A temperature detector that detects the temperature of the power converter as a target temperature;
An offset circuit that obtains an offset voltage based on the target temperature detected by the temperature detection unit,
Equipped with
The control unit is
Based on the offset voltage obtained by the offset circuit, a detection voltage corresponding to the input current detected by the input current detection unit, and a threshold voltage, the inverter circuit is controlled to flow into the smoothing reactor. An electric power conversion device that limits the reactor current to reduce the output voltage output from the smoothing circuit.
前記オフセット回路は、
前記対象温度が高いほど前記オフセット電圧が大きくなるように、前記オフセット電圧を求める
請求項5に記載の電力変換装置。
The offset circuit is
The power conversion device according to claim 5, wherein the offset voltage is calculated such that the offset voltage increases as the target temperature increases.
前記電力変換器の温度は、前記整流回路の温度、または前記平滑回路の温度である
請求項3から6のいずれか1項に記載の電力変換装置。
The power converter according to any one of claims 3 to 6, wherein the temperature of the power converter is the temperature of the rectifier circuit or the temperature of the smoothing circuit.
前記温度検出部は、
前記電力変換器の温度の代わりに、前記電力変換器を冷却する冷却器の温度を、前記対象温度として検出する
請求項3から6のいずれか1項に記載の電力変換装置。
The temperature detection unit,
The power conversion device according to claim 3, wherein instead of the temperature of the power converter, a temperature of a cooler that cools the power converter is detected as the target temperature.
前記冷却器は、水冷式冷却器であり、
前記冷却器の温度は、冷却水の温度である
請求項8に記載の電力変換装置。
The cooler is a water-cooled cooler,
The power converter according to claim 8, wherein the temperature of the cooler is a temperature of cooling water.
前記オフセット回路は、
求めた前記オフセット電圧を、前記検出電圧に加算した値である補正検出電圧を出力し、
前記制御部は、
前記オフセット回路によって出力される前記補正検出電圧と、前記閾値電圧とを比較し、前記補正検出電圧が前記閾値電圧以上である場合、前記出力制限を行う
請求項1から9のいずれか1項に記載の電力変換装置。
The offset circuit is
The offset voltage thus obtained is output as a corrected detection voltage that is a value obtained by adding the detection voltage,
The control unit is
The correction detection voltage output by the offset circuit is compared with the threshold voltage, and when the correction detection voltage is equal to or higher than the threshold voltage, the output limitation is performed. The power converter described.
前記オフセット回路は、
求めた前記オフセット電圧を、前記閾値電圧から減算した値である補正閾値電圧を出力し、
前記制御部は、
前記検出電圧と、前記オフセット回路によって出力される前記補正閾値電圧とを比較し、前記検出電圧が前記補正閾値電圧以上である場合、前記出力制限を行う
請求項1から9のいずれか1項に記載の電力変換装置。
The offset circuit is
The corrected offset voltage, which is a value obtained by subtracting the offset voltage obtained from the threshold voltage,
The control unit is
The output limit is compared when the detected voltage is compared with the correction threshold voltage output by the offset circuit, and when the detected voltage is equal to or higher than the correction threshold voltage. The power converter described.
前記整流回路は、ダイオード整流回路である
請求項1から11のいずれか1項に記載の電力変換装置。
The power conversion device according to any one of claims 1 to 11, wherein the rectifier circuit is a diode rectifier circuit.
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