JP2020066667A - Protective film-forming composition - Google Patents

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Abstract

To provide a novel protective film-forming composition.SOLUTION: A composition contains a polyvinylpyrrolidone resin, a solvent and a laser light absorbent.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、新規な保護膜形成用組成物などに関する。   The present invention relates to a novel composition for forming a protective film and the like.

基材(例えば、ガラス、半導体ウェーハ、樹脂成形品など)に対して加工を行う際に、基材表面に保護膜を形成させて非加工箇所を保護した状態で加工を行い、加工後に保護膜を除去する方法が知られている。   When processing a substrate (for example, glass, semiconductor wafer, resin molded product, etc.), a protective film is formed on the surface of the substrate to protect the non-processed part, and after processing, the protective film There is known a method of removing.

このような方法は、例えば、半導体ウェーハの加工において使用されている。
半導体ウェーハは、シリコンなどの半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体であるが、この半導体ウェーハに、レーザー光を照射して溝を作製した後、溝に添った切断を行うことによって、半導体チップが製造される。
しかしながら、半導体ウェーハにレーザー光を照射すると、レーザー光が半導体基板に吸収されてしまうため、半導体基板の溶融物や熱分解物が発生し、これら溶融物や熱分解物が、付着物(デブリ)として半導体ウェーハや半導体チップ表面に付着してしまうという問題があった。
Such a method is used, for example, in the processing of semiconductor wafers.
A semiconductor wafer is a laminated body in which an insulating film and a functional film are laminated on the surface of a semiconductor substrate such as silicon. This semiconductor wafer is irradiated with laser light to form a groove, and then cut along the groove. By doing so, a semiconductor chip is manufactured.
However, when a semiconductor wafer is irradiated with a laser beam, the laser beam is absorbed by the semiconductor substrate, so that a melt or a thermal decomposition product of the semiconductor substrate is generated, and the melt or the thermal decomposition product is a deposit (debris). As a result, there is a problem that it adheres to the surface of a semiconductor wafer or a semiconductor chip.

このような中、半導体ウェーハ表面に、水洗による除去が可能な保護膜を形成させ、レーザー光を照射して加工を行う方法(レーザーダイシング)が知られている。保護膜を介してレーザー光を照射することにより、デブリを保護膜表面上に付着させ、水洗によって保護膜と共にデブリを除去することができる。   Under such circumstances, there is known a method (laser dicing) in which a protective film that can be removed by washing with water is formed on the surface of a semiconductor wafer, and a laser beam is applied to perform processing (laser dicing). By irradiating a laser beam through the protective film, the debris can be attached to the surface of the protective film and washed with water to remove the debris together with the protective film.

このような保護膜を形成する剤として、例えば、特許文献1には、水溶性樹脂と、特定の範囲の吸光度を有する水溶性のレーザー光吸収剤とを含む保護膜剤が記載されている。
なお、特許文献1には、ポリビニルピロリドン系樹脂を含む具体的な保護膜剤は、開示されていない。
As an agent for forming such a protective film, for example, Patent Document 1 describes a protective film agent containing a water-soluble resin and a water-soluble laser light absorber having an absorbance in a specific range.
Note that Patent Document 1 does not disclose a specific protective film agent containing a polyvinylpyrrolidone resin.

特許第4571850号Patent No. 4571850

本発明の目的は、新規な保護膜形成用組成物を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a novel protective film forming composition.

本発明の他の目的は、効率良く除去できる保護膜を形成する、保護膜形成用組成物を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a protective film-forming composition that forms a protective film that can be efficiently removed.

本発明の他の目的は、効率良く付着物を除去できる保護膜を形成する、保護膜形成用組成物を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a composition for forming a protective film, which forms a protective film capable of efficiently removing deposits.

本発明のさらに他の目的は、このような組成物の製造方法を提供することにある。   Yet another object of the present invention is to provide a method of making such a composition.

本発明者は、特許文献1の実施例に記載の保護膜剤は、理由は定かではないが、塗布性や保管安定性が悪い場合があることを見出した。   The present inventor has found that the protective film agent described in Examples of Patent Document 1 has poor coating properties and storage stability in some cases, although the reason is not clear.

このような中、本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、ポリビニルピロリドン系樹脂に着目し、ポリビニルピロリドン系樹脂、溶媒及びレーザー光吸収剤の組み合わせが、塗布性に優れることなどを見出し、さらに鋭意検討を重ねて本発明を完成するに至った。   Among these, the present inventor, as a result of repeated studies to solve the above problems, paying attention to polyvinylpyrrolidone-based resin, a combination of polyvinylpyrrolidone-based resin, a solvent and a laser light absorber, in coating properties. The inventors have found that they are excellent, and have conducted intensive studies to complete the present invention.

すなわち、本発明は、次の発明などに関する。
[1]
ポリビニルピロリドン系樹脂、溶媒及びレーザー光吸収剤を含む、保護膜形成用組成物。
[2]
ポリビニルピロリドン系樹脂のK値がK30〜K90である[1]に記載の組成物。
[3]
ポリビニルピロリドン系樹脂における金属不純物の含有量が10ppm以下である[1]又は[2]に記載の組成物。
[4]
レーザー光吸収剤が、フェルラ酸及びベンゾフェノン系紫外線吸収剤から選択される少なくとも1種を含む[1]〜[3]のいずれかに記載の組成物。
[5]
ベンゾフェノン系紫外線吸収剤が、ポリヒドロキシベンゾフェノンである[4]に記載の組成物。
[6]
溶媒が、プロピレングリコール誘導体を含む[1]〜[5]のいずれかに記載の組成物。
[7]
プロピレングリコール誘導体が、プロピレングリコールモノアルキルエーテルを含む[6]に記載の組成物。
[8]
プロピレングリコールモノアルキルエーテルが、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル及びプロピレングリコールモノブチルエーテルから選択される少なくとも1種を含む[7]に記載の組成物。
[9]
溶媒がプロピレングリコール誘導体を含み、レーザー光吸収剤がフェルラ酸を含む[1]〜[8]のいずれかに記載の組成物。
[10]
半導体加工用である[1]〜[9]のいずれかに記載の組成物。
[11]
半導体レーザー加工用である[1]〜[10]のいずれかに記載の組成物。
[12]
[1]〜[11]のいずれかに記載の組成物の製造方法であって、各成分の混合液をイオン交換処理する工程を含む製造方法。
[13]
[1]〜[11]のいずれかに記載の組成物の製造方法であって、各成分の混合液を孔径1μm以下のフィルターで濾過する工程を含む製造方法。
That is, the present invention relates to the following inventions.
[1]
A protective film-forming composition comprising a polyvinylpyrrolidone-based resin, a solvent, and a laser light absorber.
[2]
The composition according to [1], wherein the polyvinyl pyrrolidone resin has a K value of K30 to K90.
[3]
The composition according to [1] or [2], wherein the content of metal impurities in the polyvinylpyrrolidone-based resin is 10 ppm or less.
[4]
The composition according to any one of [1] to [3], wherein the laser light absorber contains at least one selected from ferulic acid and a benzophenone-based ultraviolet absorber.
[5]
The composition according to [4], wherein the benzophenone-based ultraviolet absorber is polyhydroxybenzophenone.
[6]
The composition according to any one of [1] to [5], wherein the solvent contains a propylene glycol derivative.
[7]
The composition according to [6], wherein the propylene glycol derivative comprises propylene glycol monoalkyl ether.
[8]
The composition according to [7], wherein the propylene glycol monoalkyl ether contains at least one selected from propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether and propylene glycol monobutyl ether.
[9]
The composition according to any one of [1] to [8], wherein the solvent contains a propylene glycol derivative and the laser light absorber contains ferulic acid.
[10]
The composition according to any one of [1] to [9], which is for semiconductor processing.
[11]
The composition according to any one of [1] to [10], which is used for semiconductor laser processing.
[12]
A method for producing the composition according to any one of [1] to [11], comprising a step of subjecting a mixed solution of the respective components to an ion exchange treatment.
[13]
A method for producing the composition according to any one of [1] to [11], comprising a step of filtering a mixed solution of each component with a filter having a pore size of 1 μm or less.

本発明によれば、新規な保護膜形成用組成物を提供できる。
このような組成物によれば、形成された保護膜や、加工などで発生した付着物を、水洗によって容易に除去することができる。
また、本発明の組成物は、基材への塗布性や、形成された保護膜の加工性に優れるため、基材への加工を効率良く行うことができる。
また、本発明の組成物は、保管安定性に優れるため、長期保管後も上記のような特性を発揮し得る。
According to the present invention, a novel composition for forming a protective film can be provided.
With such a composition, it is possible to easily remove the formed protective film and the deposits generated during processing by washing with water.
Further, since the composition of the present invention has excellent coatability on a substrate and workability of the formed protective film, it can be efficiently processed on a substrate.
Moreover, since the composition of the present invention has excellent storage stability, it can exhibit the above properties even after long-term storage.

そして、本発明では、上記のような組成物の製造方法を提供できる。   And in this invention, the manufacturing method of the above composition can be provided.

(組成物)
本発明の組成物は、通常、ポリビニルピロリドン系樹脂、溶媒及びレーザー光吸収剤を含む。本発明の組成物は、特に、保護膜形成用に使用することができる。
(Composition)
The composition of the present invention usually contains a polyvinylpyrrolidone-based resin, a solvent and a laser light absorber. The composition of the present invention can be used especially for forming a protective film.

(ポリビニルピロリドン系樹脂)
ポリビニルピロリドン系樹脂(PVP系樹脂、PVPなどということがある)は、通常、N−ビニル−2−ピロリドン系重合体(少なくともN−ビニル−2−ピロリドンを重合成分とする重合体)である。
PVP系樹脂は、N−ビニル−2−ピロリドン単位を有していればよく、必要に応じて、他の単量体(N−ビニル−2−ピロリドンと共重合可能な単量体)由来の単位を有していてもよい(他の単量体により変性されていてもよい)。
(Polyvinylpyrrolidone resin)
The polyvinylpyrrolidone-based resin (sometimes referred to as PVP-based resin, PVP, etc.) is usually an N-vinyl-2-pyrrolidone-based polymer (a polymer containing at least N-vinyl-2-pyrrolidone as a polymerization component).
The PVP-based resin may have an N-vinyl-2-pyrrolidone unit, and may be derived from another monomer (a monomer copolymerizable with N-vinyl-2-pyrrolidone) if necessary. It may have a unit (may be modified with another monomer).

他の単量体としては、特に限定されず、例えば、α−オレフィン類(例えば、エチレン、プロピレンなど)、(メタ)アクリル酸エステル類[例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシルなどの(メタ)アクリル酸アルキルエステル]、不飽和アミド類[例えば、(メタ)アクリルアミド、ダイアセトンアクリルアミド、N−メチロールアクリルアミドなど]、不飽和酸類{例えば、不飽和酸[例えば、(メタ)アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、フマル酸など]、不飽和酸エステル[(メタ)アクリル酸以外の不飽和酸エステル、例えば、アルキル(メチル、エチル、プロピルなど)エステルなど]、不飽和酸無水物(無水マレイン酸など)、不飽和酸の塩[例えば、アルカリ金属塩(例えば、ナトリウム塩、カリウム塩など)、アンモニウム塩など]など}、グリシジル基含有単量体[例えば、アリルグリシジルエーテル、グリシジル(メタ)アクリレートなど]、スルホン酸基含有単量体(例えば、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、その塩類など)、リン酸基含有単量体[例えば、アシッドホスホオキシエチル(メタ)アクリレート、アシッドホスホオキシプロピル(メタ)アクリレートなど]、ビニルエーテル類(例えば、アルキルビニルエーテル類)、アリルアルコール、ビニルエステル類{例えば、脂肪酸ビニルエステル[例えば、ギ酸ビニル、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、カプリル酸ビニル、バーサチック酸ビニル、モノクロロ酢酸ビニルなどのC1−20脂肪酸ビニルエステル(例えば、C1−16アルカン酸−ビニルエステル)など]、芳香族カルボン酸ビニルエステル[例えば、安息香酸ビニルなどのアレーンカルボン酸ビニル(例えば、C7−12アレーンカルボン酸−ビニルエステル)など]など}などが挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。
なお、他の単量体は、1種で又は2種以上組み合わせて使用してもよい。
Other monomers are not particularly limited, and include, for example, α-olefins (for example, ethylene, propylene, etc.), (meth) acrylic acid esters [for example, methyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid. Ethyl, butyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid 2-ethylhexyl and other (meth) acrylic acid alkyl esters], unsaturated amides [eg (meth) acrylamide, diacetone acrylamide, N-methylol acrylamide, etc.] , Unsaturated acids {eg, unsaturated acids [eg (meth) acrylic acid, crotonic acid, maleic acid, itaconic acid, fumaric acid, etc.], unsaturated acid esters [unsaturated acid esters other than (meth) acrylic acid, For example, alkyl (methyl, ethyl, propyl, etc.) esters, etc.], unsaturated acid anhydrides (maleic anhydride Acid etc.), salts of unsaturated acids [eg alkali metal salts (eg sodium salts, potassium salts etc.), ammonium salts etc.]}, glycidyl group-containing monomers [eg allyl glycidyl ether, glycidyl (meth) Acrylate, etc.], sulfonic acid group-containing monomer (eg, 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, salts thereof, etc.), phosphoric acid group-containing monomer [eg, acid phosphooxyethyl (meth) acrylate, acid Phosphooxypropyl (meth) acrylate, etc.], vinyl ethers (eg, alkyl vinyl ethers), allyl alcohol, vinyl esters {eg, fatty acid vinyl esters [eg, vinyl formate, vinyl acetate, vinyl propionate, vinyl butyrate, caprylic acid] Vinyl, vinyl versatate, C 1-20 fatty acid vinyl ester such as monochlorovinyl acetate (for example, C 1-16 alkanoic acid-vinyl ester) and the like, aromatic carboxylic acid vinyl ester [for example, arene carboxylic acid vinyl ester such as vinyl benzoate (for example, C 7-12 arenecarboxylic acid-vinyl ester) and the like], etc., but the invention is not particularly limited thereto.
The other monomers may be used alone or in combination of two or more.

PVP系樹脂は、1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。   You may use PVP type resin 1 type or in combination of 2 or more types.

なお、PVP系樹脂としては、市販品を使用してもよい。   A commercially available product may be used as the PVP-based resin.

PVP系樹脂の製造方法としては、特に限定されず、公知の方法を用いてよい。
PVP系樹脂は、例えば、アセチレン、アンモニア及びホルムアルデヒドからN−ビニル−2−ピロリドンを合成し、これを酸化剤などの存在下で重合させることによって製造することができる。
The method for producing the PVP-based resin is not particularly limited, and a known method may be used.
The PVP-based resin can be produced, for example, by synthesizing N-vinyl-2-pyrrolidone from acetylene, ammonia and formaldehyde, and polymerizing it in the presence of an oxidizing agent or the like.

PVP系樹脂のK値は、特に限定されないが、例えば、K12〜120であり、形成した保護膜を効率良く除去できるなどの観点から、K20〜K100が好ましく、K30〜K90がより好ましい。   The K value of the PVP-based resin is not particularly limited, but is, for example, K12 to 120, preferably K20 to K100, and more preferably K30 to K90 from the viewpoint of efficiently removing the formed protective film.

なお、PVP系樹脂のK値は、フィケンチャー法によるK値であってよい。K値の測定方法は、特に限定されず、公知の方法に従って測定してよい。   The K value of the PVP-based resin may be the K value according to the Fikentscher method. The method for measuring the K value is not particularly limited and may be measured according to a known method.

PVP系樹脂において、金属不純物(例えば、Na、K、Fe、Cu、Ni、Crなど)の含有量は、特に限定されないが、例えば、20ppm以下、好ましくは10ppm以下であってもよい。   The content of metal impurities (eg, Na, K, Fe, Cu, Ni, Cr, etc.) in the PVP-based resin is not particularly limited, but may be, for example, 20 ppm or less, preferably 10 ppm or less.

なお、PVP系樹脂における金属不純物の含有量は、例えば、ICP−MS(誘導結合プラズマ質量分析法)などを用いた公知の方法によって、測定してもよい。   The content of metal impurities in the PVP-based resin may be measured by a known method using ICP-MS (inductively coupled plasma mass spectrometry) or the like.

(溶媒)
本発明の組成物において、溶媒としては、特に限定されないが、水、アルコール{例えば、1価アルコール(例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール)、多価アルコール(例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール)}、多価アルコール誘導体{例えば、プロピレングリコール誘導体[例えば、プロピレングリコールモノアルキルエーテル(例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテルなどのプロピレングリコールモノC1−4アルキルエーテル)、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート(例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテートなどのプロピレングリコールモノC1−4アルキルエーテルアセテート)]、エチレングリコール誘導体[例えば、エチレングリコールモノアルキルエーテル(例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルなどのエチレングリコールモノC1−4アルキルエーテル)、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート(例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートなどのエチレングリコールモノC1−4アルキルエーテルアセテート)]}、エステル類(例えば、メチル−3−メトキシプロピオネート、エチル−3−エトキシプロピオネートなどのカルボン酸アルキルエステル)などが挙げられる。
(solvent)
In the composition of the present invention, the solvent is not particularly limited, but water, alcohol (for example, monohydric alcohol (for example, methanol, ethanol, propanol, butanol), polyhydric alcohol (for example, ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol). )}, Polyhydric alcohol derivative {eg, propylene glycol derivative [eg, propylene glycol monoalkyl ether (eg, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monobutyl ether, etc. C 1-4 alkyl ether), propylene glycol monoalkyl ether acetate (eg, propylene glycol model). Nomyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, and other propylene glycol mono C 1-4 alkyl ether acetates)], ethylene glycol derivatives [eg, ethylene glycol monoalkyl ether (For example, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether and other ethylene glycol mono C 1-4 alkyl ethers), ethylene glycol monoalkyl ether acetate (for example, ethylene glycol monomethyl ether) Acetate, ethylene glycol Ethyl ethylene glycol mono C 1-4 alkyl ether acetates such as ether acetate)]}, esters (e.g., methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-carboxylic acid alkyl ester such as ethoxyethyl propionate) and the like Can be mentioned.

これらの溶媒の中でも、水、プロピレングリコール誘導体などが好ましく、水、プロピレングリコールモノアルキルエーテルなどがより好ましく、水、プロピレングリコールモノメチルエーテル(以下、PGMEということがある)、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテルなどが特に好ましい。   Among these solvents, water, propylene glycol derivatives and the like are preferable, water and propylene glycol monoalkyl ether and the like are more preferable, and water, propylene glycol monomethyl ether (hereinafter sometimes referred to as PGME), propylene glycol monoethyl ether and propylene. Particularly preferred are glycol monopropyl ether and propylene glycol monobutyl ether.

溶媒は、1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。   The solvent may be used alone or in combination of two or more.

(レーザー光吸収剤)
レーザー光吸収剤としては、特に限定されず、例えば、紫外線吸収剤、色素などが挙げられ、水溶性のものが好ましい。
(Laser light absorber)
The laser light absorber is not particularly limited, and examples thereof include an ultraviolet absorber and a dye, and water-soluble ones are preferable.

紫外線吸収剤としては、例えば、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤{例えば、ポリヒドロキシベンゾフェノン(例えば、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4,4’−ジメトキシベンゾフェノン、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン)}、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤(例えば、2,2’−メチレンビス[6−(ベンゾトリアゾール−2−イル)−4−tert−オクチルフェノール])、フェルラ酸などが挙げられる。   Examples of the ultraviolet absorber include benzophenone-based ultraviolet absorbers {for example, polyhydroxybenzophenone (eg, 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,2′-dihydroxy-4,4′-dimethoxybenzophenone. , 2,4-dihydroxybenzophenone, 2,2'-dihydroxy-4-methoxybenzophenone)}, a benzotriazole-based ultraviolet absorber (for example, 2,2'-methylenebis [6- (benzotriazol-2-yl) -4) -Tert-octylphenol]), ferulic acid and the like.

色素としては、例えば、食品添加用色素{例えば、食用赤色色素(例えば、食用赤色2号、食用赤色40号、食用赤色102号、食用赤色104号、食用赤色105号、食用赤色106号)、食用黄色色素(例えば、食用黄色NY、食用黄色4号タートラジン、食用黄色5号)、食用青色色素(例えば、食用青色1号、食用青色2号)、食用緑色色素(例えば、食用緑色3号)}などが挙げられる。   Examples of the pigment include food additive pigments (for example, food red pigment (for example, food red No. 2, food red No. 40, food red No. 102, food red No. 104, food red No. 105, food red No. 106), Food yellow pigments (for example, food yellow NY, food yellow No. 4 tartrazine, food yellow No. 5), food blue pigments (for example food blue No. 1, food blue No. 2), food green pigments (for example food green No. 3) } Etc. are mentioned.

これらの紫外線吸収剤の中でも、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、フェルラ酸などが好ましく、ポリヒドロキシベンゾフェノン、フェルラ酸などが特に好ましい。   Among these UV absorbers, benzophenone-based UV absorbers, ferulic acid and the like are preferable, and polyhydroxybenzophenone and ferulic acid are particularly preferable.

レーザー光吸収剤は、1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。   The laser light absorbers may be used alone or in combination of two or more.

(他の成分)
本発明の組成物は、ポリビニルピロリドン系樹脂、溶媒及びレーザー光吸収剤の他に、他の成分を含んでいてもよい。
(Other ingredients)
The composition of the present invention may contain other components in addition to the polyvinylpyrrolidone resin, the solvent and the laser light absorber.

他の成分としては、特に限定されず、例えば、可塑剤などの添加剤、塩基性化合物[例えば、アンモニア、水酸化第4級アンモニウム{例えば、水酸化テトラアルキルアンモニウム(例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラペンチルアンモニウム、水酸化テトラヘキシルアンモニウムなどの水酸化テトラC1−8アルキルアンモニウム)}]、ポリビニルピロリドン系樹脂以外の水溶性高分子{例えば、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサイド、セルロース誘導体(例えば、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロースなど)、ポリグリセリン(例えば、ジグリセリン、トリグリセリンなどのポリアルカントリオール)、ポリアクリル酸及びそのブロック共重合体(例えば、ポリビニルアルコールポリアクリル酸ブロック共重合体など)など}などが挙げられる。 Other components are not particularly limited, and examples thereof include additives such as plasticizers, basic compounds [eg, ammonia, quaternary ammonium hydroxide {eg, tetraalkylammonium hydroxide (eg, tetramethylammonium hydroxide, , Tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrapentylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, etc. tetra C 1-8 alkylammonium hydroxide)}], and polyvinylpyrrolidone-based resins other than Water-soluble polymer (eg, polyvinyl alcohol resin, polyethylene glycol, polyethylene oxide, cellulose derivative (eg, methyl cellulose, ethyl cellulose, hydroxypropyl cellulose, etc.), polyglycerin (example If, diglycerol, positive real country all such triglycerol), polyacrylic acid and block copolymers (e.g., polyvinyl alcohol polyacrylic acid block copolymer), etc.} and the like.

他の成分は、1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。   Other components may be used alone or in combination of two or more.

(組成物の態様)
組成物において、PVP系樹脂の割合(組成物全体に対するPVP系樹脂の割合)は、特に限定されないが、例えば、1〜30質量%(例えば、5〜30質量%)、好ましくは1〜25質量%(例えば、5〜25質量%)、より好ましくは1〜20質量%(例えば、5〜20質量%)、1〜15質量%であってもよい。
(Aspect of composition)
In the composition, the ratio of the PVP-based resin (the ratio of the PVP-based resin to the entire composition) is not particularly limited, but is, for example, 1 to 30 mass% (e.g., 5 to 30 mass%), preferably 1 to 25 mass. % (For example, 5 to 25% by mass), more preferably 1 to 20% by mass (for example, 5 to 20% by mass), and 1 to 15% by mass.

組成物において、溶媒の割合(組成物全体に対する溶媒の割合)は、特に限定されないが、例えば、50〜99質量%(例えば、50〜95質量%)、好ましくは60〜99質量%(例えば、60〜95質量%)、より好ましくは70〜99質量%(例えば、70〜95質量%)であってもよい。   In the composition, the ratio of the solvent (ratio of the solvent to the entire composition) is not particularly limited, but is, for example, 50 to 99% by mass (e.g., 50 to 95% by mass), preferably 60 to 99% by mass (e.g., 60 to 95% by mass), more preferably 70 to 99% by mass (for example, 70 to 95% by mass).

特に、溶媒が水とプロピレングリコール誘導体を含む場合、溶媒において、水とプロピレングリコール誘導体との割合は、水:プロピレングリコール誘導体(質量比)が、9:1〜1:9が好ましく、9:1〜2:8がより好ましく、9:1〜3:7(例えば、9:1〜4:6)が特に好ましい。   In particular, when the solvent contains water and a propylene glycol derivative, the ratio of water to the propylene glycol derivative in the solvent is preferably 9: 1 to 1: 9, and water: propylene glycol derivative (mass ratio) is preferably 9: 1. To 2: 8 are more preferable, and 9: 1 to 3: 7 (for example, 9: 1 to 4: 6) are particularly preferable.

組成物において、レーザー光吸収剤の割合(組成物全体に対するレーザー光吸収剤の割合)は、特に限定されないが、例えば、0.01〜5質量%(例えば、0.01〜3質量%)、好ましくは0.01〜1質量%(例えば、0.01〜0.5質量%)、より好ましくは0.05〜0.5質量%であってもよい。   In the composition, the ratio of the laser light absorber (the ratio of the laser light absorber to the entire composition) is not particularly limited, but is, for example, 0.01 to 5% by mass (e.g., 0.01 to 3% by mass), It may be preferably 0.01 to 1% by mass (for example, 0.01 to 0.5% by mass), and more preferably 0.05 to 0.5% by mass.

組成物が他の成分を含む場合、組成物において、他の成分の割合(組成物全体に対する他の成分の割合)は、特に限定されないが、例えば、0.01〜30質量%、好ましくは0.01〜20質量%、より好ましくは0.01〜10質量%であってもよい。   When the composition contains other components, the ratio of the other components in the composition (ratio of the other components to the entire composition) is not particularly limited, but is, for example, 0.01 to 30% by mass, preferably 0. It may be 0.01 to 20% by mass, more preferably 0.01 to 10% by mass.

組成物において、PVP系樹脂と溶媒との割合は、特に限定されないが、PVP系樹脂:溶媒(質量比)が、例えば、1:99〜40:60(例えば、5:95〜30:70)、好ましくは1:99〜25:75(例えば、5:95〜25:75)、より好ましくは5:95〜20:80であってもよい。   In the composition, the ratio of the PVP resin and the solvent is not particularly limited, but the PVP resin: solvent (mass ratio) is, for example, 1:99 to 40:60 (for example, 5:95 to 30:70). , Preferably 1:99 to 25:75 (for example, 5:95 to 25:75), and more preferably 5:95 to 20:80.

組成物において、PVP系樹脂とレーザー光吸収剤との割合は、特に限定されないが、PVP系樹脂100質量部に対して、レーザー光吸収剤が、例えば、0.01〜20質量部(例えば、0.05〜15質量部)、好ましくは0.01〜10質量部(例えば、0.05〜10質量部、0.1〜10質量部、0.1〜8質量部)であってもよい。   In the composition, the ratio of the PVP-based resin and the laser light absorbent is not particularly limited, but the laser light-absorbent is, for example, 0.01 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the PVP-based resin (for example, 0.05 to 15 parts by mass), preferably 0.01 to 10 parts by mass (eg, 0.05 to 10 parts by mass, 0.1 to 10 parts by mass, 0.1 to 8 parts by mass). .

組成物が他の成分を含む場合、組成物において、PVP系樹脂と他の成分との割合は、特に限定されないが、PVP系樹脂100質量部に対して、他の成分が、例えば、0.01〜20質量部、好ましくは0.01〜10質量部であってもよい。   When the composition contains other components, the ratio of the PVP-based resin to the other components in the composition is not particularly limited, but the other components may be, for example, 0. The amount may be 01 to 20 parts by mass, preferably 0.01 to 10 parts by mass.

本発明の組成物の粘度は、組成物の用途などに応じて適宜選択でき、特に限定されないが、例えば、B型回転粘度計を用いて測定した200℃における粘度が、例えば、10〜800mPa・s、好ましくは20〜700mPa・sであってもよい。   The viscosity of the composition of the present invention can be appropriately selected depending on the use of the composition and is not particularly limited. For example, the viscosity at 200 ° C. measured using a B-type rotational viscometer is, for example, 10 to 800 mPa · s. s, preferably 20 to 700 mPa · s.

組成物は、レーザー光の吸収波長における吸光度が、高過ぎず低過ぎない範囲であってよい。
例えば、組成物は、水で100倍希釈した水溶液の355nmにおける吸光度が、加工(特に、レーザー加工)部周辺の剥がれを低減できるなどの観点から、例えば、0.1〜0.9abs、好ましくは0.2〜0.8abs、より好ましくは0.2〜0.7absなどであってもよい。
組成物の吸光度は、レーザー光吸収剤と水溶性高分子の種類やそれらの含有割合などによって調整することができる。特に、本発明で使用されるPVP系樹脂によれば、上記吸光度の範囲に調整しやすい。
なお、上記吸光度は、例えば、後述の実施例に記載の方法などによって測定してもよい。
The composition may have an absorbance at the absorption wavelength of laser light in a range not too high or too low.
For example, the composition is, for example, 0.1 to 0.9 abs, preferably, from the viewpoint that the absorbance at 355 nm of an aqueous solution diluted 100 times with water can reduce peeling around the processed (in particular, laser processed) portion. It may be 0.2 to 0.8 abs, more preferably 0.2 to 0.7 abs.
The absorbance of the composition can be adjusted by the types of the laser light absorber and the water-soluble polymer, the content ratio thereof, and the like. Particularly, according to the PVP-based resin used in the present invention, it is easy to adjust the absorbance within the above range.
The absorbance may be measured, for example, by the method described in Examples below.

(組成物の製造方法)
組成物の製造方法は、特に限定されないが、例えば、ポリビニルピロリドン系樹脂、溶媒及びレーザー光吸収剤(さらに、必要に応じて他の成分)を混合してもよい。混合は、常温で行ってもよいし、加熱しながら行ってもよい。また、混合は、撹拌しながら行ってもよい。
なお、組成物中の各成分の添加順序は、特に限定されない。
(Method for producing composition)
The method for producing the composition is not particularly limited, but, for example, a polyvinylpyrrolidone-based resin, a solvent, and a laser light absorber (and, if necessary, other components) may be mixed. The mixing may be performed at room temperature or while heating. Further, the mixing may be performed with stirring.
The order of addition of each component in the composition is not particularly limited.

また、組成物の製造方法の好ましい一態様として、レーザー光吸収剤を使用する場合、溶解性などの観点から、例えば、プロピレングリコール誘導体にレーザー光吸収剤を溶解させた溶液を得てから、これを別途作製した水溶性高分子の水溶液と混合してもよい。   Further, as a preferred embodiment of the method for producing the composition, when a laser light absorber is used, from the viewpoint of solubility, for example, a solution obtained by dissolving the laser light absorber in a propylene glycol derivative is obtained, May be mixed with a separately prepared aqueous solution of a water-soluble polymer.

組成物の製造工程では、組成物をイオン交換処理してもよい。
組成物のイオン交換処理は、組成物に含まれる各成分をイオン交換処理してもよいし、各成分の混合液をイオン交換処理してもよい。
イオン交換処理方法としては、特に限定されないが、例えば、イオン交換樹脂(例えば、陽イオン交換樹脂、陰イオン交換樹脂、陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂を含むミックス型イオン交換樹脂)を充填したカラムに、上記混合液を通液させることによって行ってもよい。
In the step of producing the composition, the composition may be subjected to an ion exchange treatment.
In the ion exchange treatment of the composition, each component contained in the composition may be subjected to an ion exchange treatment, or a mixed liquid of each component may be subjected to an ion exchange treatment.
The ion exchange treatment method is not particularly limited, but for example, an ion exchange resin (for example, a cation exchange resin, an anion exchange resin, or a mixed ion exchange resin containing a cation exchange resin and an anion exchange resin) is filled. Alternatively, the mixture may be passed through the column.

また、組成物の製造工程では、組成物に含まれる各成分の混合液を濾過してもよい。
濾過方法としては、特に限定されず、例えば、フィルターを用いて濾過してもよい。
フィルターとしては、特に限定されず、組成物の用途などに応じて適宜選択し得る。
フィルターの孔径は、例えば、10μm以下、好ましくは1μm以下などであってもよい。
Further, in the process of producing the composition, a mixed liquid of each component contained in the composition may be filtered.
The filtration method is not particularly limited, and for example, a filter may be used for filtration.
The filter is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the application of the composition.
The pore size of the filter may be, for example, 10 μm or less, preferably 1 μm or less.

また、組成物中の他の成分として塩基性化合物を使用する場合、上記したイオン交換処理や濾過を経た混合液に、塩基性化合物を添加することによって、組成物のpHを、組成物の用途に適したpHに調整してもよい。   When a basic compound is used as the other component in the composition, the pH of the composition can be adjusted by adding the basic compound to the mixed solution that has been subjected to the above-mentioned ion exchange treatment or filtration. The pH may be adjusted to a suitable value.

(保護膜)
本発明の組成物を、基材表面に塗布することによって、保護膜を形成することができる。
(Protective film)
A protective film can be formed by applying the composition of the present invention to the surface of a substrate.

基材としては、特に限定されず、例えば、ガラス、合成石英、樹脂成形品、半導体(例えば、半導体ウェーハ)などが挙げられる。   The substrate is not particularly limited, and examples thereof include glass, synthetic quartz, resin molded products, semiconductors (for example, semiconductor wafers), and the like.

塗布方法としては、特に限定されず、基材の種類などによって適宜選択することができるが、例えば、スピンコーター法、スクリーン印刷法、コンマコーター法、バーコーター法、ダイコーター法、グラビアコーター法などが挙げられる。   The coating method is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the type of the base material. For example, spin coater method, screen printing method, comma coater method, bar coater method, die coater method, gravure coater method, etc. Is mentioned.

保護膜の厚みは、特に限定されず、組成物の用途に応じて適宜選択し得るが、例えば、0.01〜50μm(例えば、0.01〜30μm)であり、好ましくは0.01〜20μm(例えば、0.01〜15μm)、より好ましくは0.01〜10μmであってもよい。   The thickness of the protective film is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the application of the composition, but is, for example, 0.01 to 50 μm (for example, 0.01 to 30 μm), preferably 0.01 to 20 μm. (For example, 0.01 to 15 μm), and more preferably 0.01 to 10 μm.

(組成物の用途)
上記のようにして基材表面に形成された保護膜を介して、基材の加工を行うことにより、非加工箇所を保護した状態で基材の加工を行うことができる。
(Use of the composition)
By processing the base material through the protective film formed on the surface of the base material as described above, the base material can be processed in a state where the unprocessed portion is protected.

加工方法は、特に限定されず、基材の種類などによって適宜選択できるが、例えば、機械加工(例えば、切削加工、研削加工)、レーザー加工(例えば、レーザーダイシング)などが挙げられる。   The processing method is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the type of the base material, and examples thereof include mechanical processing (for example, cutting processing, grinding processing), laser processing (for example, laser dicing), and the like.

特に、レーザー加工を行う場合、レーザー光の波長は、例えば、355nm、532nmなどであってもよい。なお、レーザー光の波長は、レーザー光吸収剤の吸収波長であってもよい。   In particular, when laser processing is performed, the wavelength of laser light may be, for example, 355 nm or 532 nm. The wavelength of the laser light may be the absorption wavelength of the laser light absorber.

上記加工を行った後、保護膜を洗浄することにより、保護膜を除去することができる。
洗浄方法は、特に限定されないが、本発明の組成物で形成された保護膜は、水洗{例えば、水、温水(例えば、40〜90℃の温水)など}によって効率良く除去することができる。
また、このような保護膜の洗浄を行うことによって、加工の際に発生した付着物(例えば、溶融物、熱分解物など)も効率良く除去することができる。
After performing the above processing, the protective film can be removed by washing the protective film.
The washing method is not particularly limited, but the protective film formed from the composition of the present invention can be efficiently removed by washing with water {eg, water, warm water (eg, warm water at 40 to 90 ° C.)}.
Further, by cleaning the protective film in this way, it is possible to efficiently remove deposits (for example, melts and pyrolysates) generated during processing.

以下、本発明について実施例をあげて具体的に説明するが本発明はこれらに限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

(組成物の作製)
後述の表1及び表3に記載の各組成となる様に、水溶性高分子、溶媒及びレーザー光吸収剤を混合した液を、撹拌しながら90℃で1時間加熱し、水溶性高分子及びレーザー光吸収剤を溶媒に溶解させた。
なお、表1及び表3に記載の水溶性高分子としては、以下のものを使用した。
PVA−1:日本酢ビ・ポバール製 JP−03(ケン化度88モル%、重合度300、酢酸ナトリウム0.7wt%(ナトリウム換算濃度1963ppm)
PVA−2:日本酢ビ・ポバール製 PXP−18(ケン化度88モル%、重合度1800、ナトリウム1ppm未満
PVP−1:和光純薬製PVP K−30(K値30)
PVP−2:和光純薬製PVP K−90(K値90)
(Preparation of composition)
A liquid in which a water-soluble polymer, a solvent and a laser light absorber were mixed so as to have the respective compositions shown in Table 1 and Table 3 described below was heated at 90 ° C. for 1 hour while stirring to give the water-soluble polymer and The laser light absorber was dissolved in the solvent.
The water-soluble polymers shown in Tables 1 and 3 were as follows.
PVA-1: Japan Vinegar Poval JP-03 (saponification degree 88 mol%, degree of polymerization 300, sodium acetate 0.7 wt% (concentration of sodium 1963 ppm)
PVA-2: PVP-18 made by Nippon Viet Nam Poval (saponification degree 88 mol%, degree of polymerization 1800, sodium less than 1 ppm PVP-1: Wako Pure Chemical Industries PVP K-30 (K value 30)
PVP-2: PVP K-90 (K value 90) manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.

なお、上記PVPについて、金属不純物(Na、K、Fe、Cu、Ni、Cr)の含有量を、ICP−MS法によって測定した。
金属不純物の含有量は、以下の通りであった。
PVP−1:Na 1.1ppm、K 0.2ppm、Fe 0.1ppm、Cu 0.1ppm、Ni 0.1ppm未満、Cr 0.1ppm未満
PVP−2:Na 0.1ppm、K 0.2ppm、Fe 0.1ppm未満、Cu 0.1ppm未満、Ni 0.1ppm未満、Cr 0.1ppm未満
The content of metal impurities (Na, K, Fe, Cu, Ni, Cr) in the PVP was measured by the ICP-MS method.
The content of metal impurities was as follows.
PVP-1: Na 1.1 ppm, K 0.2 ppm, Fe 0.1 ppm, Cu 0.1 ppm, Ni less than 0.1 ppm, Cr less than 0.1 ppm PVP-2: Na 0.1 ppm, K 0.2 ppm, Fe Less than 0.1 ppm, Cu less than 0.1 ppm, Ni less than 0.1 ppm, Cr less than 0.1 ppm

上記のようにして溶解させた溶液を室温まで冷却したものを原液タンクに入れ、原液タンクからポンプで送液して、陽イオン交換樹脂(オルガノ社製 Amber-JET 1024(H)-HG)を詰めたカラムを通過させ、更に濾過フィルター(アドバンテック社製 孔径1μm PP製フィルター(型番:MCP-JX-D10S))を通過させ、原液タンクへと戻る方法で、イオン交換処理と濾過処理とを3時間循環処理して行い、精製処理された組成物を得た。
なお、カラム通液時は、組成物の組成が変化しない様に、カラムに充填された樹脂容量の2倍量の初流液(通液時に最初に出てきた液)を処分してから、循環処理を行った。
The solution dissolved as described above was cooled to room temperature, placed in a stock solution tank, and pumped from the stock solution tank to remove the cation exchange resin (Organo Amber-JET 1024 (H) -HG). After passing through the packed column and then through a filtration filter (Advantech Co., Ltd., pore size 1 μm PP filter (model number: MCP-JX-D10S)) and returning to the stock solution tank, ion exchange treatment and filtration treatment are performed. It was circulated for a time to obtain a purified composition.
In addition, at the time of passing through the column, in order not to change the composition of the composition, after discarding the first-flow liquid (the liquid that first came out at the time of passing) twice the volume of the resin packed in the column, Circulation treatment was performed.

(355nm吸光度)
組成物を超純水で100倍希釈した水溶液の吸光スペクトルを測定した。355nmにおける吸光度を表1に示す。なお、吸光スペクトルの測定は、ジャスコエンジニアリング株式会社製の紫外可視分光高度計V−750を用い、光路長1cmで測定した。
(355 nm absorbance)
The absorption spectrum of an aqueous solution obtained by diluting the composition 100 times with ultrapure water was measured. The absorbance at 355 nm is shown in Table 1. The absorption spectrum was measured using an ultraviolet-visible spectrophotometer V-750 manufactured by Jusco Engineering Co., Ltd. with an optical path length of 1 cm.

(スピン塗布)
直径6インチのシリコン半導体ミラーウェーハのミラー面側に、各組成物を滴下し、膜厚が0.5〜1.5μmとなる様にスピン塗布条件(滴下量、回転数、保持時間、スピンカップの排気量)を調整し、保護膜を形成した。
(Spin coating)
Each composition was dropped onto the mirror surface side of a silicon semiconductor mirror wafer having a diameter of 6 inches, and spin coating conditions (dropping amount, rotation speed, holding time, spin cup) so that the film thickness was 0.5 to 1.5 μm. Was adjusted to form a protective film.

(レーザー加工)
上記半導体ミラーウェーハの保護膜面側に、以下の仕様のレーザー加工機を用いて、レーザー加工を行った。
レーザー光の光源 :YVO4レーザー
波長 :355nm
繰り返し周波数 :50〜100kHz
出力 :0.3〜4.0W
集光スポット径 :φ9.2μm
加工送り速度 :1〜800mm/秒
(Laser processing)
Laser processing was performed on the protective film surface side of the semiconductor mirror wafer using a laser processing machine with the following specifications.
Laser light source: YVO4 laser Wavelength: 355 nm
Repetition frequency: 50 to 100 kHz
Output: 0.3-4.0W
Focus spot size: φ9.2 μm
Processing feed rate: 1 to 800 mm / sec

(水洗)
上記レーザー加工後の半導体ミラーウェーハの保護膜塗布面に、20℃の冷水を、60秒間掛け流しながらスピン洗浄を行った。
(Washing with water)
Spin cleaning was performed while flowing cold water at 20 ° C. for 60 seconds on the protective film coated surface of the semiconductor mirror wafer after the laser processing.

各組成物について、塗布性、レーザー加工性、水洗後の塗膜残渣、水洗後のデブリを、以下の評価基準によって評価した。   For each composition, coatability, laser processability, coating film residue after washing with water, and debris after washing with water were evaluated according to the following evaluation criteria.

(塗布性)
目視により、以下のように評価した。
○:面内均一に塗布できた。
△:放射線状のスジや塗布ムラが若干見られたが、概ね面内均一に塗布できた。
×:放射線状のスジや塗布ムラが酷く発生し、面内均一には塗布できなかった。
(Applicability)
It was visually evaluated as follows.
◯: In-plane uniform coating was possible.
Δ: Radial streaks and coating unevenness were slightly observed, but the coating was almost uniform in the plane.
X: Radial streaks and coating unevenness were severely generated, and the coating could not be performed uniformly in the plane.

(レーザー加工性)
目視により、半導体ミラーウェーハのレーザー加工性部周辺の剥がれを以下のように評価した。
○:加工部周辺に剥がれ無し。
△:加工部周辺に若干の剥がれ有り。
×:加工部周辺に明らかな剥がれ有り。
(Laser processability)
The peeling around the laser processable portion of the semiconductor mirror wafer was visually evaluated as follows.
○: No peeling around the processed part.
Δ: There was some peeling around the processed part.
X: There is obvious peeling around the processed part.

(水洗後の塗膜残渣)
目視により、以下のように評価した。
○:水洗後、塗膜は綺麗に除去された。
△:水洗後、塗膜が除去されず残った部分があった。
×:水洗後、塗膜が殆ど溶けずに全面に残った。
(Coating residue after washing with water)
It was visually evaluated as follows.
◯: The coating film was removed cleanly after washing with water.
Δ: After washing with water, there was a portion where the coating film was not removed and remained.
X: After washing with water, the coating film was hardly dissolved and remained on the entire surface.

(水洗後のデブリ)
水洗後、半導体ミラーウェーハのレーザー加工箇所周辺部を、レーザー顕微鏡(キーエンス社製 VK-X200、対物レンズ倍率150倍)で観察し、以下のように評価した。
○:水洗後、デブリの付着は観察されなかった。
△:水洗後、塗膜が残った部分に、若干デブリの付着が観察された。
×:水洗後、デブリの付着が観察された。
(Debris after washing with water)
After washing with water, the periphery of the laser-processed portion of the semiconductor mirror wafer was observed with a laser microscope (VK-X200 manufactured by Keyence Corporation, objective lens magnification 150 times), and evaluated as follows.
◯: No adhesion of debris was observed after washing with water.
Δ: After washing with water, some debris was observed to be attached to the portion where the coating film remained.
X: Debris adhesion was observed after washing with water.

上記のようにして各実施例及び参考例の組成物を評価した結果を、表2に示す。
また、各組成物の外観を目視で評価した結果と、各組成物をポリプロピレン製ボトルに充填、密閉し65℃で6ヶ月保管し、保管後の物性について評価した結果を表2に示す。
Table 2 shows the results of evaluating the compositions of Examples and Reference Examples as described above.
Table 2 shows the results of visual evaluation of the appearance of each composition and the results of evaluating the physical properties after storage by filling each composition with polypropylene bottles, sealing the bottles, and storing at 65 ° C for 6 months.

表2が示すように、実施例の組成物は、塗布性に優れた。
また、実施例の組成物で形成された保護膜は、加工性に優れた。
そして、実施例では、水洗によって、保護膜とデブリを綺麗に除去することができた。
As Table 2 shows, the composition of the Example was excellent in coating property.
Moreover, the protective film formed of the composition of the example was excellent in processability.
Then, in the example, the protective film and debris could be cleanly removed by washing with water.

一方、参考例1〜2の組成物は、塗布性などが悪く、参考例2の組成物では濁りが見られた。   On the other hand, the compositions of Reference Examples 1 and 2 had poor coatability, and the composition of Reference Example 2 showed turbidity.

また、実施例の組成物は保管安定性が優れていたのに対して、参考例1〜2の組成物は、保管安定性が悪く、高温で長期保管後は保護膜を形成することができなかった。   In addition, the compositions of Examples had excellent storage stability, whereas the compositions of Reference Examples 1 and 2 had poor storage stability and could form a protective film after long-term storage at high temperature. There wasn't.

また、下記表3に示す組成の組成物について、ポリプロピレン製ボトルに充填、密閉し65℃で6ヶ月保管し、保管後の物性について評価した結果を表4に示す。   Further, with respect to the composition having the composition shown in Table 3 below, it is filled in a polypropylene bottle, sealed, stored at 65 ° C. for 6 months, and evaluated for physical properties after storage.

表4が示すように、参考例3〜6の組成物では、高温で長期保管後は保護膜を形成することができなかった。   As shown in Table 4, the compositions of Reference Examples 3 to 6 could not form a protective film after long-term storage at high temperature.

本発明の組成物は、基材への塗布性などが優れるため、表面に保護膜を形成させた基材の加工を効率良く行うことができ、工業的に極めて有用である。   Since the composition of the present invention is excellent in coating properties on a substrate, the substrate having a protective film formed on the surface thereof can be efficiently processed, and is industrially very useful.

Claims (13)

ポリビニルピロリドン系樹脂、溶媒及びレーザー光吸収剤を含む、保護膜形成用組成物。   A protective film-forming composition comprising a polyvinylpyrrolidone-based resin, a solvent, and a laser light absorber. ポリビニルピロリドン系樹脂のK値がK30〜K90である請求項1に記載の組成物。   The composition according to claim 1, wherein the polyvinyl pyrrolidone resin has a K value of K30 to K90. ポリビニルピロリドン系樹脂における金属不純物の含有量が10ppm以下である請求項1又は2に記載の組成物。   The composition according to claim 1 or 2, wherein the content of metal impurities in the polyvinylpyrrolidone resin is 10 ppm or less. レーザー光吸収剤が、フェルラ酸及びベンゾフェノン系紫外線吸収剤から選択される少なくとも1種を含む請求項1〜3のいずれかに記載の組成物。   The composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the laser light absorber comprises at least one selected from ferulic acid and a benzophenone-based ultraviolet absorber. ベンゾフェノン系紫外線吸収剤が、ポリヒドロキシベンゾフェノンである請求項4に記載の組成物。   The composition according to claim 4, wherein the benzophenone-based ultraviolet absorber is polyhydroxybenzophenone. 溶媒が、プロピレングリコール誘導体を含む請求項1〜5のいずれかに記載の組成物。   The composition according to claim 1, wherein the solvent comprises a propylene glycol derivative. プロピレングリコール誘導体が、プロピレングリコールモノアルキルエーテルを含む請求項6に記載の組成物。   The composition according to claim 6, wherein the propylene glycol derivative comprises propylene glycol monoalkyl ether. プロピレングリコールモノアルキルエーテルが、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル及びプロピレングリコールモノブチルエーテルから選択される少なくとも1種を含む請求項7に記載の組成物。   The composition according to claim 7, wherein the propylene glycol monoalkyl ether comprises at least one selected from propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether and propylene glycol monobutyl ether. 溶媒がプロピレングリコール誘導体を含み、レーザー光吸収剤がフェルラ酸を含む請求項1〜8のいずれかに記載の組成物。   The composition according to claim 1, wherein the solvent comprises a propylene glycol derivative, and the laser light absorber comprises ferulic acid. 半導体加工用である請求項1〜9のいずれかに記載の組成物。   The composition according to any one of claims 1 to 9, which is for semiconductor processing. 半導体レーザー加工用である請求項1〜10のいずれかに記載の組成物。   The composition according to claim 1, which is used for semiconductor laser processing. 請求項1〜11のいずれかに記載の組成物の製造方法であって、各成分の混合液をイオン交換処理する工程を含む製造方法。   It is a manufacturing method of the composition in any one of Claims 1-11, Comprising: The manufacturing method including the process of ion-exchange-treating the mixed liquid of each component. 請求項1〜11のいずれかに記載の組成物の製造方法であって、各成分の混合液を孔径1μm以下のフィルターで濾過する工程を含む製造方法。   It is a manufacturing method of the composition in any one of Claims 1-11, Comprising: The manufacturing method including the process of filtering the mixed liquid of each component with the filter whose pore diameter is 1 micrometer or less.
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