JP2020054024A - 充電制御回路 - Google Patents

Abstract

【課題】充電動作を停止している状態におけるバッテリの無駄な放電を防止する。【解決手段】プラス側の電源ラインＬａに直列接続されて配設された逆接保護素子４および電流制御素子５と、バッテリ４２からコンバータ４１に向かう放電電流Ｉ２の大きさを検出して検出信号Ｓ１を出力する電流検出部６と、検出信号Ｓ１の出力を検出したときに、オン状態に駆動していた各素子４，５を放電電流Ｉ２の通過を阻止するオフ状態に駆動する制御部７とを備え、電流制御素子５は逆接保護素子４に対してバッテリ４２側に配設され、電流検出部６は、逆接保護素子４の一端および他端に接続された検出ラインＬｓ１，Ｌｓ２を介して検出される電位差Ｖｄｓに基づいて放電電流Ｉ２の大きさを検出すると共に、バッテリ４２に充電電流Ｉ１を供給する充電状態において、放電電流Ｉ２の大きさが予め規定された低側電流閾値Ｖｔｈ１以上であるときに検出信号Ｓ１を出力する。【選択図】図１

Description

本発明は、電源装置からバッテリへの充電動作を制御する充電制御回路に関するものである。

この種の充電制御回路として、下記特許文献１に開示された充電装置の制御回路（充電制御回路）が知られている。この充電制御回路は、充電装置と二次電池（バッテリ）とを接続する一対の接続線のうちの一方の接続線に配設された２つのＦＥＴと、２つのＦＥＴのオン・オフを制御する制御回路とを備えている。この２つのＦＥＴは、ｐチャネル・エンハンスメント型の電界効果トランジスタで構成されて、ソース端子同士が接続されるバック・ツー・バック接続状態で一方の接続線に配設されている。また、各ＦＥＴには、カソード端子がソース端子に接続され、かつアノード端子がドレイン端子に接続された状態でダイオードが並列接続されている。また、二次電池側に配設されたＦＥＴおよびダイオードの一方の並列回路は、二次電池の充電制御に使用され、ＦＥＴおよびダイオードの他方の並列回路は、二次電池の放電防止に使用される。この充電制御回路では、制御回路は、充電装置から出力される電圧（２つのＦＥＴを介して二次電池に印加される充電電圧）と二次電池の電池端子電圧とを測定して比較すると共に、比較結果に応じて、充電処理を継続するか（２つのＦＥＴをオン状態に制御するか）、または充電処理を終了するか（２つのＦＥＴをオフ状態に制御するか）を決定する。

特開平９−２７５６３９号公報（第６−１０頁、第１図）

ところが、上記した従来の充電制御回路には、以下のような課題が存在している。具体的には、この充電制御回路では、制御回路が、電池端子電圧の測定のために、二次電池の陽極に接続される出力端子に電圧検出用の接続ラインを介して直接接続される構成（つまり、制御回路が二次電池に接続ラインを介して常時接続される構成）となっている。このことから、この充電制御回路では、２つのＦＥＴをオフ状態に制御している状態においても、二次電池から上記の接続ラインを介して制御回路に微少な電流（暗電流）が常時流れ込む。したがって、この充電制御回路には、この電圧検出用の接続ラインを介して制御回路に流れ込む電流により、二次電池が無駄に放電されるという解決すべき課題が存在している。

本発明は、かかる課題を解決するためになされたものであり、充電動作を停止している状態におけるバッテリの無駄な放電を防止し得る充電制御回路を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく、本発明に係る充電制御回路は、電源装置とバッテリとを接続するプラス側の電源ラインに直列接続された状態で配設された逆接保護素子および電流制御素子と、前記バッテリから前記電源ラインを経由して前記電源装置に向かう放電電流の大きさを検出すると共に検出結果に基づいて検出信号を出力する電流検出部と、当該電流検出部からの前記検出信号の出力を検出したときに、電流の双方向での通過を許容するオン状態に駆動していた前記逆接保護素子および前記電流制御素子のうちの少なくとも当該電流制御素子を、前記放電電流の通過を阻止するオフ状態に駆動する制御部とを備えている充電制御回路であって、前記逆接保護素子および前記電流制御素子は、当該逆接保護素子に対して当該電流制御素子が前記バッテリ側に位置する状態で配設され、前記電流検出部は、前記逆接保護素子の一端および他端に接続された一対の検出ラインを介して検出される当該逆接保護素子の両端間の電位差に基づいて前記放電電流の大きさを検出すると共に、前記電源装置から前記電源ラインを経由して前記バッテリに充電電流が供給される充電状態において、前記放電電流の大きさが予め規定された低側電流閾値以上であるとの前記検出結果のときに前記検出信号を出力する。

本発明に係る充電制御回路は、電源装置とバッテリとを接続するプラス側およびマイナス側の各電源ラインのうちのプラス側の電源ラインに配設された電流制御素子と、前記マイナス側の電源ラインに配設された逆接保護素子と、前記バッテリから前記電源ラインを経由して前記電源装置に向かう放電電流の大きさを検出すると共に検出結果に基づいて検出信号を出力する電流検出部と、当該電流検出部からの前記検出信号の出力を検出したときに、電流の双方向での通過を許容するオン状態に駆動していた前記逆接保護素子および前記電流制御素子のうちの少なくとも当該電流制御素子を、前記放電電流の通過を阻止するオフ状態に駆動する制御部とを備えている充電制御回路であって、前記電流検出部は、前記逆接保護素子の一端および他端に接続された一対の検出ラインを介して検出される当該逆接保護素子の両端間の電位差に基づいて前記放電電流の大きさを検出すると共に、前記電源装置から前記電源ラインを経由して前記バッテリに充電電流が供給される充電状態において、前記放電電流の大きさが予め規定された低側電流閾値以上であるとの前記検出結果のときに前記検出信号を出力する。

これらの充電制御回路によれば、電源装置が正常動作していて、電源装置から出力される直流電圧がバッテリの充電電圧よりも高い電圧であるときには、逆接保護素子および電流制御素子をオン状態に駆動して、電源装置からバッテリに充電電流を供給し（バッテリに対する充電動作を実行し）、電源装置側にトラブルが発生して、出力される直流電圧がバッテリの充電電圧よりも低くなり、放電電流が発生したときには、逆接保護素子および電流制御素子をオフ状態に駆動して、バッテリから電源装置への放電を迅速に阻止することができる。また、充電制御回路では、電流検出部が逆接保護素子の一端および他端に接続された一対の検出ラインを介して検出される逆接保護素子の両端間の電位差に基づいて放電電流の大きさを検出する構成であることから、電流検出部および制御部のいずれも、プラス側の電源ラインにおけるバッテリと電流制御素子との間の部位に配線を介して直接接続されない構成となっている。したがって、この充電制御回路によれば、逆接保護素子および電流制御素子をオフ状態に駆動して、バッテリから電源装置への放電を阻止している状態において、バッテリから充電制御回路（具体的には電流検出部および制御部）に流れ込む微少な電流（暗電流）の発生を回避できるため、バッテリの放電を完全に防止（阻止）することができる。

本発明に係る充電制御回路は、前記逆接保護素子の温度を検出すると共に当該温度を示す温度検出信号を出力する温度検出部と、前記温度検出信号で示される前記温度が予め決められた温度よりも低いときには、前記低側電流閾値を低下させる補正部とを備えている。

低側電流閾値を逆接保護素子の温度の変化に拘わらず一定とする構成では、逆接保護素子（通常はＭＯＳＦＥＴ）のオン抵抗が温度の低下に伴い低くなったときに放電電流の検出感度が低下するという問題が生じるが、この充電制御回路によれば、逆接保護素子の温度が予め決められた温度よりも低いときには、補正部が低側電流閾値を低下させる構成のため、放電電流の検出感度の低下を防止することができる。

本発明に係る充電制御回路は、前記補正部は、前記温度検出信号で示される前記温度が前記予め決められた温度よりも高いときには、前記低側電流閾値を上昇させる。

この充電制御回路によれば、さらに、逆接保護素子の温度が予め決められた温度よりも高いときには、補正部が低側電流閾値を上昇させる構成のため、逆接保護素子の温度変動に伴って、放電電流の発生の検出感度がばらつくことを大幅に低減することができる。

本発明に係る充電制御回路は、前記電流検出部は、前記バッテリから前記電源ラインを経由して前記電源装置に前記放電電流が供給される放電状態において、当該放電電流の大きさが前記低側電流閾値よりも高く予め規定された高側電流閾値以上であるとの前記検出結果のときに前記検出信号を出力する。

この充電制御回路によれば、電源装置が双方向コンバータであるときのように、バッテリへの充電とバッテリからの放電を行うものであるときに、電源装置が正常動作（バッテリ側への電流出力動作）している状態において、出力される直流電圧がバッテリの充電電圧よりも高い電圧であるときには、逆接保護素子および電流制御素子をオン状態に駆動して、電源装置からバッテリに充電電流を供給し（バッテリに対する充電動作を実行し）、電源装置側にトラブルが発生して、出力される直流電圧がバッテリの充電電圧よりも低くなり、放電電流が発生したときには、逆接保護素子および電流制御素子をオフ状態に駆動して、バッテリから電源装置への放電を迅速に阻止することができる。また、電源装置が正常動作（バッテリからの電流入力動作）している状態においては、逆接保護素子および電流制御素子をオン状態に駆動して、バッテリから電源装置に放電電流を供給し（バッテリに対する放電動作を実行し）、電源装置側にトラブルが発生して、放電電流が高側電流閾値（例えばバッテリの最大放電電流値）に達したときには、逆接保護素子および電流制御素子をオフ状態に駆動して、バッテリから電源装置への放電を停止することができる。

本発明によれば、逆接保護素子および電流制御素子をオフ状態に駆動して、バッテリから電源装置への放電を阻止している状態において、バッテリから充電制御回路に流れ込む微少な電流（暗電流）の発生を回避できるため、バッテリの無駄な放電を完全に防止することができる。

充電制御回路１Ａの構成を示す構成図である。 温度検出部３１を備えた充電制御回路１Ｂの構成を示す構成図である。 コンバータ４１が双方向コンバータのときの充電制御回路１Ｃの構成を示す構成図である。 充電制御回路１Ｄの構成を示す構成図である。

以下、充電制御回路の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。本例では、一例として、電源装置としてのコンバータとバッテリとを接続する電源ラインに接続されて、コンバータによるバッテリの充電を制御する充電制御回路を例に挙げて説明する。

最初に、充電制御回路としての充電制御回路１Ａの構成について図面を参照して説明する。

充電制御回路１Ａは、図１に示すように、一対の第１端子２ａ，２ｂ（特に区別しないときには、「第１端子２」ともいう）、一対の第２端子３ａ，３ｂ（特に区別しないときには、「第２端子３」ともいう）、逆接保護素子４、電流制御素子５、電流検出部６、および制御部７を備えて、第１端子２に接続されたコンバータ４１から出力される直流電圧Ｖ１に基づいて、第２端子３に接続されたバッテリ４２に充電電流Ｉ１を出力（供給）してバッテリ４２を充電する充電動作を実行する。

具体的には、第１端子２ａ，２ｂのうちの第１端子２ａは、コンバータ４１の一対の出力端子のうちの一方の出力端子（プラス端子）に接続され、第１端子２ｂは、コンバータ４１の他方の出力端子（マイナス端子）に接続される。第２端子３ａ，３ｂのうちの第２端子３ａは、バッテリ４２の陽極に接続され、第２端子３ｂは、バッテリ４２の陰極に接続される。

逆接保護素子４および電流制御素子５は、コンバータ４１とバッテリ４２とを接続する電源ライン（本例ではコンバータ４１に接続される第１端子２ａとバッテリ４２に接続される第２端子３ａとを接続するプラス側の電源ラインＬａ）に、直列接続された状態で配設されている。また、本例では、逆接保護素子４は、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor ）４ａと、これに並列接続されたダイオード４ｂとの並列回路で構成され、電流制御素子５は、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ５ａと、これに並列接続されたダイオード５ｂとの並列回路で構成されている。この場合、各ダイオード４ｂ，５ｂは、アノード端子が対応するｎ型ＭＯＳＦＥＴのソース端子に接続され、かつカソード端子が対応するｎ型ＭＯＳＦＥＴのドレイン端子に接続された状態で対応するｎ型ＭＯＳＦＥＴに並列接続されている。

また、逆接保護素子４および電流制御素子５は、逆接保護素子４に対して電流制御素子５がバッテリ４２側（第２端子３側）に位置する状態で、かつ逆接保護素子４および電流制御素子５の各ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａのソース端子同士が互いに接続された状態（バック・ツー・バック接続された状態）で配設されている。なお、各ダイオード４ｂ，５ｂは、対応するｎ型ＭＯＳＦＥＴのボディダイオードで代用することができ、この場合には、逆接保護素子４および電流制御素子５は、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ単体で構成することが可能となる。

また、逆接保護素子４は、充電制御回路１Ａの停止状態において（つまり、逆接保護素子４のｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａがオフ状態のとき）に、第２端子３間にバッテリ４２が逆極性で接続されたときのバッテリ４２の放電を防止する機能を有すると共に、逆接保護素子４がオン状態（逆接保護素子４のｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａがオン状態）のときに、流れる放電電流Ｉ２の大きさ（電流値）に応じた電位差Ｖｄｓを両端間（ドレイン−ソース端子間）に生じさせる機能（電流検出機能）を有している。

電流検出部６は、一例として図１に示すように、電位差検出部２１および比較部２２を備えて構成されて、バッテリ４２から電源ラインＬａ，Ｌｂを経由してコンバータ４１に向かう放電電流Ｉ２の大きさを検出すると共にこの検出の結果（検出結果）に基づいて検出信号Ｓ１を生成して制御部７に出力する。

具体的には、電位差検出部２１は、不図示の演算増幅器などで構成されて、逆接保護素子４の一端（ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａのドレイン端子）および他端（ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａのソース端子）に一対の検出ラインＬｓ１，Ｌｓ２を介して接続されている。また、電位差検出部２１は、逆接保護素子４の両端間（ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａのドレイン−ソース端子間）の電位差Ｖｄｓを増幅して出力することにより、電位差Ｖｄｓに比例して電圧値が変化する電流検出信号Ｖｉを出力する。なお、この電位差Ｖｄｓは、逆接保護素子４の一端（ドレイン端子）の電位に対して他端（ソース端子）が高電位のときには正（プラス）電圧となり、逆接保護素子４の一端（ドレイン端子）の電位に対して他端（ソース端子）が低電位のときには負（マイナス）電圧となる。

通常、ｎ型ＭＯＳＦＥＴは、オン状態（飽和領域での動作状態）では、そのオン抵抗は十分に低い一定値であり、また電流の双方向での通過を許容（ドレイン端子からソース端子に向かう方向での通過、およびソース端子からドレイン端子に向かう方向での通過の双方を許容）する状態となっている。このため、このオン状態のときにソース端子からドレイン端子に向けて流れる電流に起因してｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａの両端間（ドレイン−ソース端子間）に発生する電位差Ｖｄｓ（電圧降下）は、ダイオード４ｂの順方向電圧よりも低い状態で、かつ電流の大きさに比例して変化する正電圧となる。したがって、電位差検出部２１は、実質的に、電位差Ｖｄｓに基づいて、放電電流Ｉ２（充電電流Ｉ１とは逆に、バッテリ４２からコンバータ４１に向けて流れる電流）の大きさを検出すると共に、検出した大きさに比例して電圧値が変化する電流検出信号Ｖｉ（放電電流Ｉ２の大きさを示す信号）を出力する。

比較部２２は、例えば、コンパレータで構成されて、電位差検出部２１から出力される電流検出信号Ｖｉと、予め規定された電流閾値Ｖｔｈ（予め規定された電流値の放電電流Ｉ２がオン状態の逆接保護素子４に流れたときに発生する電位差Ｖｄｓに対応する電圧値）とを比較して、電流検出信号Ｖｉの大きさがこの電流閾値以上（つまり、放電電流Ｉ２の大きさがこの予め規定された電流値以上）であるとの比較結果（検出結果）のときに、この比較結果を示す検出信号Ｓ１を制御部７に出力する。

本例では、この電流閾値Ｖｔｈの一例として、コンバータ４１から電源ラインＬａ，Ｌｂを経由してバッテリ４２に充電電流Ｉ１が供給される充電状態において、例えば、コンバータ４１側（コンバータ４１自体またはコンバータ４１に電力を供給する外部電力源）に何らかのトラブルが発生することによって直流電圧Ｖ１がバッテリ４２の充電電圧Ｖ２よりも低下した際に発生する放電電流Ｉ２を、低い電流値の状態から電流検出部６で検出し得るように、低電圧値（ゼロボルトまたはゼロボルトに近い低電圧値）の電流閾値（低側電流閾値Ｖｔｈ１）が規定されている。

制御部７は、例えば、ＣＰＵおよびメモリなどで構成された処理回路と、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａを駆動するための駆動回路（いずれも図示せず）とを備えて構成されている。本例では一例として、制御部７は、充電制御回路１Ａの内部または外部に配設された不図示の入力部（キーボードや操作パネルなど）から入力される動作指示Ｓｓの内容が、充電動作を示すものであるときには、充電制御回路１Ａを充電状態で動作させる。

また、制御部７は、この充電状態において、電流検出部６からの検出信号Ｓ１の出力を検出したときに、電流の双方向での通過を許容（つまり、充電電流Ｉ１および放電電流Ｉ２のいずれについても通過を許容）するオン状態に駆動していた逆接保護素子４および電流制御素子５の各ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａのうちの少なくとも電流制御素子５のｎ型ＭＯＳＦＥＴ５ａ（本例では、逆接保護素子４および電流制御素子５双方のｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａ）を、放電電流Ｉ２の通過を阻止するオフ状態に駆動する。

また、制御部７では、駆動回路は、図１に示すように、逆接保護素子４および電流制御素子５を構成する各ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａのソース端子と共通の１本の駆動ラインＬｄ１を介して接続されると共に、各ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａのゲート端子と共通の１本の駆動ラインＬｄ２を介して接続されている。また、駆動回路は、処理回路によって制御されることにより、逆接保護素子４および電流制御素子５を構成する各ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａをオン状態（飽和領域での動作状態）に移行させるときには、ゲート閾値電圧値を超える電圧値の駆動電圧Ｖｄｖを駆動ラインＬｄ１，Ｌｄ２間に出力し、各ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａをオフ状態に移行させるときには、駆動電圧Ｖｄｖの出力を停止する（駆動電圧Ｖｄｖの電圧値をゲート閾値電圧値未満にする）。

また、以上のことから、充電制御回路１Ａでは、電流検出部６および制御部７のいずれも、電源ラインＬａにおける第２端子３ａと電流制御素子５を構成するｎ型ＭＯＳＦＥＴ５ａのドレイン端子との間の部位に配線を介して直接接続されない構成となっている。

次いで、充電制御回路１Ａの動作について、添付図面を参照して説明する。なお、第１端子２には、コンバータ４１が接続され、第２端子３には、バッテリ４２が接続されているものとする。また、正常動作時にコンバータ４１から出力される直流電圧Ｖ１は、満充電状態におけるバッテリ４２の充電電圧Ｖ２よりも高い電圧に規定されているものとする。

この状態において、充電動作を示す動作指示Ｓｓが入力されたときには、制御部７では、処理回路が、駆動回路に対する制御を実行して、ゲート閾値電圧値を超える電圧値の駆動電圧Ｖｄｖを駆動ラインＬｄ１，Ｌｄ２間に出力させる。これにより、逆接保護素子４および電流制御素子５（を構成する各ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａ）は、共にオン状態（電流の双方向での通過を許容する状態）に移行する。

したがって、コンバータ４１が正常動作しているときには、出力される直流電圧Ｖ１がバッテリ４２の充電電圧Ｖ２よりも高い電圧であることから、充電制御回路１Ａは、オン状態の逆接保護素子４および電流制御素子５の各ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａを経由して、コンバータ４１からバッテリ４２に充電電流Ｉ１を供給する（バッテリ４２に対する充電動作を実行する）。この場合、電流検出部６の電位差検出部２１が検出する電位差Ｖｄｓは負電圧となり、これにより、電流検出信号Ｖｉも、負電圧となる（低側電流閾値Ｖｔｈ１未満となる）。このため、比較部２２は、制御部７への検出信号Ｓ１の出力を停止した状態となっている。したがって、制御部７は、逆接保護素子４および電流制御素子５のｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａに対する駆動電圧Ｖｄｖの出力を継続することから、バッテリ４２に対する充電動作が継続される。

また、この充電状態において、コンバータ４１側に何らかのトラブルが発生して、直流電圧Ｖ１がバッテリ４２の充電電圧Ｖ２よりも低下した際には、オン状態の逆接保護素子４および電流制御素子５の各ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａには、バッテリ４２からコンバータ４１に向かう放電電流Ｉ２が流れる（発生する）。この場合、電流検出部６の電位差検出部２１が検出する電位差Ｖｄｓは正電圧となり、これにより、電流検出信号Ｖｉも正電圧となる。

本例では、上記したように、この放電電流Ｉ２の発生を、低い電流値の状態から電流検出部６で検出し得るように、低電圧値の電流閾値（低側電流閾値Ｖｔｈ１）が規定されている。このため、低い電流値の放電電流Ｉ２が発生した時点で、正電圧の電流検出信号Ｖｉは低側電流閾値Ｖｔｈ１に達する。これにより、比較部２２は、制御部７へ検出信号Ｓ１を出力する。また、制御部７は、電流検出部６（の比較部２２）からの検出信号Ｓ１の出力を検出して、逆接保護素子４および電流制御素子５の各ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａに対する駆動電圧Ｖｄｖの出力を停止すると共に、この停止状態を継続させる。したがって、電流の双方向での通過を許容（つまり、充電電流Ｉ１および放電電流Ｉ２のいずれについても通過を許容）するオン状態に駆動されていた逆接保護素子４および電流制御素子５の各ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａは、電流の双方向での通過を阻止するオフ状態に駆動される。これにより、トラブルの発生下での、バッテリ４２からコンバータ４１への放電が阻止される。

このように、この充電制御回路１Ａによれば、コンバータ４１が正常動作していて、出力される直流電圧Ｖ１がバッテリ４２の充電電圧Ｖ２よりも高い電圧であるときには、逆接保護素子４および電流制御素子５をオン状態に駆動して、コンバータ４１からバッテリ４２に充電電流Ｉ１を供給し（バッテリ４２に対する充電動作を実行し）、コンバータ４１側にトラブルが発生して、出力される直流電圧Ｖ１がバッテリ４２の充電電圧Ｖ２よりも低くなり、放電電流Ｉ２が発生したときには、逆接保護素子４および電流制御素子５をオフ状態に駆動して、バッテリ４２からコンバータ４１への放電を迅速に阻止することができる。また、充電制御回路１Ａでは、上記したように、電流検出部６および制御部７のいずれも、プラス側の電源ラインＬａにおける第２端子３ａと電流制御素子５を構成するｎ型ＭＯＳＦＥＴ５ａのドレイン端子との間の部位に配線を介して直接接続されない構成となっている。したがって、この充電制御回路１Ａによれば、逆接保護素子４および電流制御素子５をオフ状態に駆動して、バッテリ４２からコンバータ４１への放電を阻止している状態において、バッテリ４２から充電制御回路１Ａ（具体的には電流検出部６および制御部７）に流れ込む微少な電流（暗電流）の発生を回避できるため、バッテリ４２の無駄な放電を完全に防止（阻止）することができる。

なお、この充電制御回路１Ａでは、放電電流Ｉ２の大きさを、逆接保護素子４の両端間（ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａのドレイン−ソース端子間）に発生する電位差Ｖｄｓ（飽和領域でのオン抵抗と放電電流Ｉ２の電流値とで決定される電圧）で検出する構成を採用しているが、ＭＯＳＦＥＴのオン抵抗は、ＭＯＳＦＥＴの温度で変化するという温度特性（具体的には、温度係数が正の温度特性）を有している。このため、ＭＯＳＦＥＴの温度が標準的な温度（例えば、３０°〜４０°程度）よりも高いときには、オン抵抗がより高くなることから、放電電流Ｉ２の検出感度が向上する（より低い電流値の放電電流Ｉ２において、電流検出信号Ｖｉが低側電流閾値Ｖｔｈ１を上回る）ので問題は生じないが、ＭＯＳＦＥＴの温度が標準的な温度よりも低いときには、オン抵抗がより低くなることから、放電電流Ｉ２の検出感度が低下する（より高い電流値の放電電流Ｉ２が発生しなければ、電流検出信号Ｖｉが低側電流閾値Ｖｔｈ１を上回らない）ことから問題が生じる。

そこで、この問題の発生を回避するため、図２に示す充電制御回路１Ｂでは、逆接保護素子４の温度を検出すると共にこの温度を示す温度検出信号Ｖｔｐを出力する温度検出部３１と、温度検出信号Ｖｔｐで示される温度が標準的な温度（予め決められた温度：例えば３０°）よりも高いときには、低側電流閾値Ｖｔｈ１を変えずに、温度検出信号Ｖｔｐで示される温度が標準的な温度よりも低いときには、標準的な温度からの温度低下分だけ低側電流閾値Ｖｔｈ１を標準的な温度のときの値から低下させる補正部（本例では、制御部７が補正部を兼ねる構成であるが、制御部７と別体とする構成であってもよい）とを備える構成を採用している。なお、図１に示す充電制御回路１Ａと同一の構成については同一の符号を付して重複する説明を省略する。

この構成の充電制御回路１Ｂによれば、逆接保護素子４の温度が標準的な温度よりも低くなって、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａのオン抵抗がより低くなり、標準的な温度のときと同じ電流値の放電電流Ｉ２が流れたときの電位差Ｖｄｓも低くなる状態では、低側電流閾値Ｖｔｈ１がその分だけ低下させられていることから、逆接保護素子４の温度が標準的な温度よりも低下したときに生じる上記の問題（放電電流Ｉ２の検出感度が低下する（より高い電流値の放電電流Ｉ２が発生しなければ、電流検出信号Ｖｉが低側電流閾値Ｖｔｈ１を上回らない）という問題）の発生を防止することができる。

さらに、この充電制御回路１Ｂにおいて、温度検出信号Ｖｔｐで示される温度が標準的な温度（予め決められた温度：この例では３０°）よりも高いときには、補正部が、標準的な温度からの温度上昇分だけ低側電流閾値Ｖｔｈ１を標準的な温度のときの値から上昇させる構成を採用することもできる。この構成の充電制御回路１Ｂによれば、比較部２２が検出信号Ｓ１の制御部７への出力を開始する放電電流Ｉ２の電流値について、逆接保護素子４の温度変動に伴ってばらつく（放電電流Ｉ２の発生の検出感度がばらつく）ことを大幅に低減することができる。

また、上記のコンバータ４１が、外部電力源から供給される電力を直流電圧Ｖ１に変換してバッテリ４２に出力する機能に加えて、バッテリ４２の充電電圧Ｖ２を直流電圧に変換して不図示の外部機器に出力する機能を有する構成（コンバータ４１が双方向コンバータの構成）では、充電制御回路１Ａ，１Ｂは、コンバータ４１からバッテリ４２に充電電流Ｉ１を供給する充電動作を、バッテリ４２からコンバータ４１への放電電流Ｉ２の発生の有無を検出しつつ実行する上記の構成に加えて、バッテリ４２からコンバータ４１に放電電流Ｉ２を供給する放電動作を、放電電流Ｉ２の電流値が予め規定された電流値以上になる事態（放電電流Ｉ２が大きくなり過ぎる事態）の発生を検出しつつ実行する新たな構成を備えるのが好ましい。

この２つの構成を備えた充電制御回路１Ｃについて、図３を参照して説明する。なお、充電制御回路１Ｃは、一例として、図２に示す充電制御回路１Ｂをベースとする構成を採用しているが、図示はしないが、図１に示す充電制御回路１Ａをベースとする構成を採用することもできる。また、充電制御回路１Ｂと同一の構成については同一の符号を付して重複する説明を省略し、主として異なる構成について説明する。

制御部７は、不図示の入力部から入力される動作指示Ｓｓの内容が、充電動作を示すものであるときには、充電制御回路１Ｃを充電状態で動作させる。この際には、制御部７は、比較部２２で使用する電流閾値Ｖｔｈとして、上記の低側電流閾値Ｖｔｈ１を規定する。また、入力される動作指示Ｓｓの内容が、放電動作を示すものであるときには、充電制御回路１Ｃを放電状態で動作させる。この際には、制御部７は、比較部２２で使用する電流閾値Ｖｔｈとして、上記の低側電流閾値Ｖｔｈ１に代えて、低側電流閾値Ｖｔｈ１よりも高電圧値の電流閾値（高側電流閾値Ｖｔｈ２）を規定する。なお、制御部７には、低側電流閾値Ｖｔｈ１および高側電流閾値Ｖｔｈ２が予め記憶されている。

バッテリ４２には、最大放電電流値が製品仕様で規定されている場合があることから、放電電流Ｉ２は、この電流値以下に抑える必要がある。このため、この高側電流閾値Ｖｔｈ２については、この電流値の放電電流Ｉ２が逆接保護素子４に流れたときに電位差検出部２１から出力される電流検出信号Ｖｉの電圧値と同じになるように予め規定されている。

次に、この充電制御回路１Ｃの動作について説明する。

まず、充電制御回路１Ｃに充電動作させる場合には、充電動作を示す動作指示Ｓｓを制御部７に入力する。この際には、制御部７は、比較部２２で使用する電流閾値Ｖｔｈとして、低側電流閾値Ｖｔｈ１を比較部２２に対して規定する。これにより、制御部７は、充電制御回路１Ａと同様にして、充電制御回路１Ｃを充電状態で動作させる。つまり、充電制御回路１Ｃは、コンバータ４１からバッテリ４２に充電電流Ｉ１を供給する充電動作を、バッテリ４２からコンバータ４１への放電電流Ｉ２の発生の有無を検出しつつ実行する。

次いで、充電制御回路１Ｃに放電動作させる場合には、放電動作を示す動作指示Ｓｓを制御部７に入力する。この際には、制御部７は、比較部２２で使用する電流閾値Ｖｔｈとして、高側電流閾値Ｖｔｈ２を比較部２２に対して規定して、充電制御回路１Ｃを放電状態で動作させる。つまり、充電制御回路１Ｃは、バッテリ４２からコンバータ４１に放電電流Ｉ２を供給する放電動作を、放電電流Ｉ２がバッテリ４２の最大放電電流値に達したか否かを検出しつつ実行する。

この状態において、放電電流Ｉ２の電流値がバッテリ４２の最大放電電流値未満のときには、電流検出部６の電位差検出部２１が検出する電位差Ｖｄｓは正電圧であるが、この最大放電電流値の放電電流Ｉ２が流れたときの電位差Ｖｄｓよりも低いことから、電位差検出部２１が出力する電流検出信号Ｖｉも高側電流閾値Ｖｔｈ２未満の正電圧となっている。このため、比較部２２は、制御部７への検出信号Ｓ１の出力を停止した状態となっている。したがって、制御部７は、逆接保護素子４および電流制御素子５の各ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａに対する駆動電圧Ｖｄｖの出力を継続することから、バッテリ４２からの放電動作が継続される。

この放電動作中に、例えばコンバータ４１側に何らかのトラブルが発生することによって放電電流Ｉ２が増加してバッテリ４２の最大放電電流値に達したときには、電位差検出部２１が検出する電位差Ｖｄｓは、この最大放電電流値の放電電流Ｉ２が流れたときの電位差Ｖｄｓに達する。また、電位差検出部２１が出力する電流検出信号Ｖｉも高側電流閾値Ｖｔｈ２に達する。このため、比較部２２は、制御部７への検出信号Ｓ１の出力を開始する。したがって、制御部７は、電流検出部６（の比較部２２）からの検出信号Ｓ１の出力を検出して、逆接保護素子４および電流制御素子５の各ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａに対する駆動電圧Ｖｄｖの出力を停止すると共に、この停止状態を継続させる。これにより、トラブルの発生下での、バッテリ４２からの放電が停止される。

このように、この充電制御回路１Ｃによれば、双方向コンバータとしてのコンバータ４１が正常動作（バッテリ４２側への電流出力動作）している状態において、出力される直流電圧Ｖ１がバッテリ４２の充電電圧Ｖ２よりも高い電圧であるときには、逆接保護素子４および電流制御素子５をオン状態に駆動して、コンバータ４１からバッテリ４２に充電電流Ｉ１を供給し（バッテリ４２に対する充電動作を実行し）、コンバータ４１側にトラブルが発生して、出力される直流電圧Ｖ１がバッテリ４２の充電電圧Ｖ２よりも低くなり、放電電流Ｉ２が発生したときには、逆接保護素子４および電流制御素子５をオフ状態に駆動して、バッテリ４２からコンバータ４１への放電を迅速に阻止することができる。

また、この充電制御回路１Ｃによれば、双方向コンバータとしてのコンバータ４１が正常動作（バッテリ４２からの電流入力動作）している状態においては、逆接保護素子４および電流制御素子５をオン状態に駆動して、バッテリ４２からコンバータ４１に放電電流Ｉ２を供給し（バッテリ４２に対する放電動作を実行し）、コンバータ４１側にトラブルが発生して、放電電流Ｉ２がバッテリ４２の最大放電電流値に達したときには、逆接保護素子４および電流制御素子５をオフ状態に駆動して、バッテリ４２からコンバータ４１への放電を停止することができる。

また、充電制御回路１Ｃにおいても、電流検出部６および制御部７のいずれも、プラス側の電源ラインＬａにおける第２端子３ａと電流制御素子５を構成するｎ型ＭＯＳＦＥＴ５ａのドレイン端子との間の部位に配線を介して直接接続されない構成となっている。したがって、この充電制御回路１Ｃによっても、逆接保護素子４および電流制御素子５をオフ状態に駆動して、バッテリ４２からコンバータ４１への放電を停止している状態において、バッテリ４２から充電制御回路１Ｃ（具体的には電流検出部６および制御部７）に流れ込む微少な電流（暗電流）の発生を回避できるため、バッテリ４２の無駄な放電を完全に防止することができる。

また、この充電制御回路１Ｃにおいても、充電制御回路１Ｂと同等の構成（温度検出部３１と補正部とを備えた構成）であることから、上記した充電制御回路１Ｂの効果と同等の効果を奏することができる。

また、上記の充電制御回路１Ａ，１Ｂ，１Ｃでは、コンバータ４１の一方の出力端子（プラス端子）に接続される第１端子２ａと、バッテリ４２の陽極に接続される第２端子３ａとを接続するプラス側の電源ラインＬａに、逆接保護素子４および電流制御素子５を直列接続した状態で配設する構成を採用しているが、この構成に限定されるものではない。例えば、図４に示す充電制御回路１Ｄのように、逆接保護素子４については、コンバータ４１の他方の出力端子（マイナス端子）に接続される第１端子２ｂと、バッテリ４２の陰極に接続される第２端子３ｂとを接続するマイナス側の電源ラインＬｂに配設する構成を採用することもできる。

この充電制御回路１Ｄについて、図４を参照して説明する。なお、充電制御回路１Ｄは、一例として、図１に示す充電制御回路１Ａをベースとする構成を採用しているが、図示はしないが、図２，３に示す充電制御回路１Ｂ，１Ｃをベースとする構成を採用することもできる。また、充電制御回路１Ａと同一の構成については同一の符号を付して重複する説明を省略し、主として異なる構成について説明する。

充電制御回路１Ｄは、一対の第１端子２ａ，２ｂ、一対の第２端子３ａ，３ｂ、逆接保護素子４、電流制御素子５、電流検出部６、および制御部７Ａを備えて、第１端子２に接続されたコンバータ４１から出力される直流電圧Ｖ１に基づいて、第２端子３に接続されたバッテリ４２に充電電流Ｉ１を出力（供給）してバッテリ４２を充電する充電動作を実行する。

逆接保護素子４は、電源ラインＬｂに配設され、電流制御素子５は、電源ラインＬａに配設されている。また、本例では、逆接保護素子４は、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａと、これに並列接続されたダイオード４ｂとの並列回路で構成されて、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａのドレイン端子が電源ラインＬｂを介して第２端子３ｂに接続され、ソース端子が電源ラインＬｂを介して第１端子１ｂに接続された状態で、電源ラインＬｂに配設されている。また、電流制御素子５は、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ５ａと、これに並列接続されたダイオード５ｂとの並列回路で構成されて、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ５ａのドレイン端子が電源ラインＬａを介して第２端子３ａに接続され、ソース端子が電源ラインＬａを介して第１端子１ａに接続された状態で、電源ラインＬａに配設されている。

電流検出部６の電位差検出部２１は、逆接保護素子４の一端（ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａのドレイン端子）および他端（ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａのソース端子）に一対の検出ラインＬｓ１，Ｌｓ２を介して接続されている。また、電位差検出部２１は、逆接保護素子４の両端間（ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａのドレイン−ソース端子間）の電位差Ｖｄｓを増幅して出力することにより、電位差Ｖｄｓに比例して電圧値が変化する電流検出信号Ｖｉを出力する。この電位差Ｖｄｓは、逆接保護素子４の一端（ドレイン端子）の電位に対して他端（ソース端子）が高電位のときには正（プラス）電圧となり、逆接保護素子４の一端（ドレイン端子）の電位に対して他端（ソース端子）が低電位のときには負（マイナス）電圧となる。これにより、電位差検出部２１は、この電位差Ｖｄｓに基づいて、放電電流Ｉ２の大きさを検出すると共に、検出した大きさに比例して電圧値が変化する電流検出信号Ｖｉ（放電電流Ｉ２の大きさを示す信号）を出力する。

比較部２２は、この電流検出信号Ｖｉと上記の電流閾値Ｖｔｈとを比較して、電流検出信号Ｖｉの大きさがこの電流閾値以上（つまり、放電電流Ｉ２の大きさがこの予め規定された電流値以上）であるとの比較結果（検出結果）のときに、この比較結果を示す検出信号Ｓ１を制御部７Ａに出力する。

制御部７Ａは、例えば、ＣＰＵおよびメモリなどで構成された処理回路５１と、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａを駆動するための第１駆動回路５２と、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ５ａを駆動するための第２駆動回路５３とを備えて構成されている。本例では一例として、制御部７Ａは、充電制御回路１Ｄの内部または外部に配設された不図示の入力部から入力される動作指示Ｓｓの内容が、充電動作を示すものであるときには、充電制御回路１Ｄを充電状態で動作させる。

また、制御部７Ａは、この充電状態において、電流検出部６からの検出信号Ｓ１の出力を検出したときに、電流の双方向での通過を許容（つまり、充電電流Ｉ１および放電電流Ｉ２のいずれについても通過を許容）するオン状態に駆動していた逆接保護素子４および電流制御素子５の各ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａのうちの少なくとも電流制御素子５のｎ型ＭＯＳＦＥＴ５ａ（本例では、逆接保護素子４および電流制御素子５双方のｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａ）を、放電電流Ｉ２の通過を阻止するオフ状態に駆動する。

また、制御部７Ａでは、第１駆動回路５２は、逆接保護素子４を構成するｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａのソース端子と１本の駆動ラインＬｄ１を介して接続されると共に、ゲート端子と１本の駆動ラインＬｄ２を介して接続されている。また、第１駆動回路５２は、処理回路５１によって制御されることにより、逆接保護素子４を構成するｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａをオン状態（飽和領域での動作状態）に移行させるときには、ゲート閾値電圧値を超える電圧値の駆動電圧Ｖｄｖ１を駆動ラインＬｄ１，Ｌｄ２間に出力し、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａをオフ状態に移行させるときには、駆動電圧Ｖｄｖ１の出力を停止する（駆動電圧Ｖｄｖ１の電圧値をゲート閾値電圧値未満にする）。

また、第２駆動回路５３は、電流制御素子５を構成するｎ型ＭＯＳＦＥＴ５ａのソース端子と１本の駆動ラインＬｄ３を介して接続されると共に、ゲート端子と１本の駆動ラインＬｄ４を介して接続されている。また、第２駆動回路５３は、処理回路５１によって制御されることにより、電流制御素子５を構成するｎ型ＭＯＳＦＥＴ５ａをオン状態（飽和領域での動作状態）に移行させるときには、ゲート閾値電圧値を超える電圧値の駆動電圧Ｖｄｖ２を駆動ラインＬｄ３，Ｌｄ４間に出力し、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ５ａをオフ状態に移行させるときには、駆動電圧Ｖｄｖ２の出力を停止する（駆動電圧Ｖｄｖ２の電圧値をゲート閾値電圧値未満にする）。

また、以上のことから、充電制御回路１Ｄでは、電流検出部６および制御部７Ａのいずれも、プラス側の電源ラインＬａにおける第２端子３ａと電流制御素子５を構成するｎ型ＭＯＳＦＥＴ５ａのドレイン端子との間の部位に配線を介して直接接続されない構成となっている。

次に、充電制御回路１Ｄの動作について、図４を参照して説明する。なお、第１端子２には、コンバータ４１が接続され、第２端子３には、バッテリ４２が接続されているものとする。また、正常動作時にコンバータ４１から出力される直流電圧Ｖ１は、満充電状態におけるバッテリ４２の充電電圧Ｖ２よりも高い電圧に規定されているものとする。

この状態において、充電動作を示す動作指示Ｓｓが入力されたときには、制御部７Ａでは、処理回路５１が、第１駆動回路５２に対する制御を実行して、ゲート閾値電圧値を超える電圧値の駆動電圧Ｖｄｖ１を駆動ラインＬｄ１，Ｌｄ２間に出力させると共に、第２駆動回路５３に対する制御を実行して、ゲート閾値電圧値を超える電圧値の駆動電圧Ｖｄｖ１を駆動ラインＬｄ３，Ｌｄ４間に出力させる。これにより、逆接保護素子４および電流制御素子５を構成する各ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａは、共にオン状態（電流の双方向での通過を許容する状態）に移行する。

したがって、コンバータ４１が正常動作しているときには、出力される直流電圧Ｖ１がバッテリ４２の充電電圧Ｖ２よりも高い電圧であることから、充電制御回路１Ｄは、オン状態の逆接保護素子４および電流制御素子５の各ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａを経由して、コンバータ４１からバッテリ４２に充電電流Ｉ１を供給する（バッテリ４２に対する充電動作を実行する）。この場合、電流検出部６の電位差検出部２１が検出する電位差Ｖｄｓは負電圧となり、これにより、電流検出信号Ｖｉも、負電圧となる（低側電流閾値Ｖｔｈ１未満となる）。このため、比較部２２は、制御部７Ａへの検出信号Ｓ１の出力を停止した状態となっている。したがって、制御部７Ａでは、処理回路５１が、逆接保護素子４および電流制御素子５のｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａに対する駆動電圧Ｖｄｖ１，Ｖｄｖ２の出力を継続させる制御を各駆動回路５２，５３に対して実行する。これにより、バッテリ４２に対する充電動作が継続される。

また、この充電状態において、コンバータ４１側に何らかのトラブルが発生して、直流電圧Ｖ１がバッテリ４２の充電電圧Ｖ２よりも低下した際には、オン状態の逆接保護素子４および電流制御素子５の各ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａには、バッテリ４２からコンバータ４１に向かう放電電流Ｉ２が流れる（発生する）。この場合、電流検出部６の電位差検出部２１が検出する電位差Ｖｄｓは正電圧となり、これにより、電流検出信号Ｖｉも正電圧となる。

本例では、上記したように、この放電電流Ｉ２の発生を、低い電流値の状態から電流検出部６で検出し得るように、低電圧値の電流閾値（低側電流閾値Ｖｔｈ１）が規定されている。このため、低い電流値の放電電流Ｉ２が発生した時点で、正電圧の電流検出信号Ｖｉは低側電流閾値Ｖｔｈ１に達する。これにより、比較部２２は、制御部７Ａへ検出信号Ｓ１を出力する。また、制御部７Ａでは、処理回路５１が、電流検出部６（の比較部２２）からの検出信号Ｓ１の出力を検出して、逆接保護素子４および電流制御素子５の各ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａに対する駆動電圧Ｖｄｖの出力を停止させる制御を各駆動回路５２，５３に対して実行すると共に、この各駆動回路５２，５３に対する制御を継続する。したがって、電流の双方向での通過を許容（つまり、充電電流Ｉ１および放電電流Ｉ２のいずれについても通過を許容）するオン状態に駆動されていた逆接保護素子４および電流制御素子５の各ｎ型ＭＯＳＦＥＴ４ａ，５ａは、電流の双方向での通過を阻止するオフ状態に駆動される。これにより、トラブルの発生下でのバッテリ４２からコンバータ４１への放電が阻止される。

このように、この充電制御回路１Ｄによれば、コンバータ４１が正常動作していて、出力される直流電圧Ｖ１がバッテリ４２の充電電圧Ｖ２よりも高い電圧であるときには、逆接保護素子４および電流制御素子５をオン状態に駆動して、コンバータ４１からバッテリ４２に充電電流Ｉ１を供給し（バッテリ４２に対する充電動作を実行し）、コンバータ４１側にトラブルが発生して、出力される直流電圧Ｖ１がバッテリ４２の充電電圧Ｖ２よりも低くなり、放電電流Ｉ２が発生したときには、逆接保護素子４および電流制御素子５をオフ状態に駆動して、バッテリ４２からコンバータ４１への放電を迅速に阻止することができる。また、充電制御回路１Ｄでは、上記したように、電流検出部６および制御部７Ａのいずれも、プラス側の電源ラインＬａにおける第２端子３ａと電流制御素子５を構成するｎ型ＭＯＳＦＥＴ５ａのドレイン端子との間の部位に配線を介して直接接続されない構成となっている。したがって、この充電制御回路１Ｄによれば、逆接保護素子４および電流制御素子５をオフ状態に駆動して、バッテリ４２からコンバータ４１への放電を阻止している状態において、バッテリ４２から充電制御回路１Ｄ（具体的には電流検出部６および制御部７Ａ）に流れ込む微少な電流（暗電流）の発生を回避できるため、バッテリ４２の無駄な放電を完全に防止（阻止）することができる。

なお、電源装置の一例としてコンバータ４１を挙げて説明したが、これに限定されるものではなく、電源装置はスイッチング電源装置や他のバッテリであってもよい。

１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ 充電制御回路
４ 逆接保護素子
５ 電流制御素子
６ 電流検出部
７，７Ａ 制御部
４１ コンバータ
４２ バッテリ
Ｉ１ 充電電流
Ｉ２ 放電電流
Ｌａ，Ｌｂ 電源ライン
Ｌｓ１，Ｌｓ２ 検出ライン
Ｓ１ 検出信号
Ｖｄｓ 電位差
Ｖｔｈ１ 低側電流閾値

Claims (5)

1. 電源装置とバッテリとを接続するプラス側の電源ラインに直列接続された状態で配設された逆接保護素子および電流制御素子と、前記バッテリから前記電源ラインを経由して前記電源装置に向かう放電電流の大きさを検出すると共に検出結果に基づいて検出信号を出力する電流検出部と、当該電流検出部からの前記検出信号の出力を検出したときに、電流の双方向での通過を許容するオン状態に駆動していた前記逆接保護素子および前記電流制御素子のうちの少なくとも当該電流制御素子を、前記放電電流の通過を阻止するオフ状態に駆動する制御部とを備えている充電制御回路であって、
   前記逆接保護素子および前記電流制御素子は、当該逆接保護素子に対して当該電流制御素子が前記バッテリ側に位置する状態で配設され、
   前記電流検出部は、前記逆接保護素子の一端および他端に接続された一対の検出ラインを介して検出される当該逆接保護素子の両端間の電位差に基づいて前記放電電流の大きさを検出すると共に、前記電源装置から前記電源ラインを経由して前記バッテリに充電電流が供給される充電状態において、前記放電電流の大きさが予め規定された低側電流閾値以上であるとの前記検出結果のときに前記検出信号を出力する充電制御回路。
2. 電源装置とバッテリとを接続するプラス側およびマイナス側の各電源ラインのうちのプラス側の電源ラインに配設された電流制御素子と、前記マイナス側の電源ラインに配設された逆接保護素子と、前記バッテリから前記電源ラインを経由して前記電源装置に向かう放電電流の大きさを検出すると共に検出結果に基づいて検出信号を出力する電流検出部と、当該電流検出部からの前記検出信号の出力を検出したときに、電流の双方向での通過を許容するオン状態に駆動していた前記逆接保護素子および前記電流制御素子のうちの少なくとも当該電流制御素子を、前記放電電流の通過を阻止するオフ状態に駆動する制御部とを備えている充電制御回路であって、
   前記電流検出部は、前記逆接保護素子の一端および他端に接続された一対の検出ラインを介して検出される当該逆接保護素子の両端間の電位差に基づいて前記放電電流の大きさを検出すると共に、前記電源装置から前記電源ラインを経由して前記バッテリに充電電流が供給される充電状態において、前記放電電流の大きさが予め規定された低側電流閾値以上であるとの前記検出結果のときに前記検出信号を出力する充電制御回路。
3. 前記逆接保護素子の温度を検出すると共に当該温度を示す温度検出信号を出力する温度検出部と、
   前記温度検出信号で示される前記温度が予め決められた温度よりも低いときには、前記低側電流閾値を低下させる補正部とを備えている請求項１または２記載の充電制御回路。
4. 前記補正部は、前記温度検出信号で示される前記温度が前記予め決められた温度よりも高いときには、前記低側電流閾値を上昇させる請求項３記載の充電制御回路。
5. 前記電流検出部は、前記バッテリから前記電源ラインを経由して前記電源装置に前記放電電流が供給される放電状態において、当該放電電流の大きさが前記低側電流閾値よりも高く予め規定された高側電流閾値以上であるとの前記検出結果のときに前記検出信号を出力する請求項１から４のいずれかに記載の充電制御回路。

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