JP2020050907A - 成膜装置 - Google Patents

Abstract

【課題】処理部間での反応ガスの混入を抑制できる成膜装置を提供する。【解決手段】内部を真空とすることが可能なチャンバ１と、回転することにより円周の搬送経路Ｌに沿ってワークＷを搬送する搬送部と、少なくとも成膜部４ａを含み、ワークＷに対して導入された反応ガスＧをプラズマ化して所定の処理を行う複数の処理部４と、処理部４に設けられ、チャンバ１の内部の搬送経路Ｌに向かう開口１３ａを有するシールド部材Ｓと、チャンバ１の内部における隣り合うシールド部材Ｓの間に設けられ、隣り合うシールド部材Ｓのガス空間を離隔させるバッファ空間ＢＦと、バッファ空間ＢＦを排気する排気部４０と、バッファ空間ＢＦに、搬送部の回転の軸方向に突出して設けられることにより容積を低減した部分空間Ｂｆを形成する突出部３０とを有する。【選択図】図４

Description

本発明は、成膜装置に関する。

半導体やディスプレイあるいは光ディスクなど各種の製品の製造工程において、例えばウエーハやガラス基板等のワーク上に光学膜等の薄膜を成膜することがある。薄膜は、ワークに対して金属等の膜を形成する成膜と、形成した膜に対してエッチング、酸化又は窒化等の膜処理を繰り返すことによって、作成することができる。

成膜及び膜処理は様々な方法で行うことができるが、その一つとして、プラズマ処理による方法がある。成膜では、ターゲットを配置した真空容器であるチャンバ内にスパッタガスを導入し、ターゲットに直流電圧を印加する。プラズマ化したスパッタガスのイオンをターゲットに衝突させ、ターゲットから叩き出された材料をワークに堆積させて成膜を行う。膜処理では、電極を配置したチャンバ内にプロセスガスを導入し、電極に高周波電圧を印加する。プラズマ化したプロセスガスのイオンをワーク上の膜に衝突させることによって膜処理を行う。

このような成膜と膜処理（以下、両者を含めてプラズマ処理とする）を連続して行えるように、一つのチャンバの内部に回転テーブルを取り付け、チャンバの天井、つまり回転テーブルの上方の周方向に、成膜部と膜処理部を複数配置した成膜装置がある（例えば、特許文献１参照）。これにより、ワークを回転テーブル上に保持して搬送し、成膜部と膜処理部の直下を通過させることによって、光学膜等を形成できる。

特許第４４２８８７３号公報

上記のような成膜装置は、チャンバ内に、プラズマ処理を行う空間である処理室を有する。この処理室の一部は、シールド部材によって構成される。シールド部材は、ターゲットからの成膜材料が飛散してチャンバ内壁へ付着したり、導入されるスパッタガスやプロセスガス（以下、両者を含めて反応ガスとする）が各処理室から流出する等を防ぐために設けられる。

シールド部材の縁部は、ワークの通過を許容するために、隙間を空けてワークに近接している。反応ガスの漏れを極力少なくするためには、シールド部材とワークとの隙間はできるだけ小さくすることが好ましい。例えば、シールド部材の縁部と、ワークとの間に、数ｍｍ程度の隙間が形成されるように設定されている。

しかしながら、回転テーブル上のワークとシールド部材との間の隙間を小さくしたとしても、隙間は必ず存在する。また、この隙間には、回転する回転テーブルによって搬送されるワークが移動し続けるために、シールド部材の内部と外部との間で、反応ガスの流れが発生する。このため、反応ガスの漏れを完全に防ぐことはできない。

また、単位時間当たりの成膜量である成膜レートを向上させたり、複数種の材料によるプラズマ処理を行うために、複数の処理室を設ける場合もある。このように、処理室が複数存在すると、複数の処理室の間での圧力差が存在する。このため、隣接する処理室のうち、一方の処理室の反応ガスが他方の処理室に流入したり、他方の処理室の反応ガスが一方の処理室に流入したりすることにより、反応ガスの混入が生じる。このような混入が生じると、成膜される膜の材質の面内での均一性が損なわれる場合が生じる。

本発明の目的は、処理部間での反応ガスの混入を抑制できる成膜装置を提供することにある。

上記の目的を達成するために、本発明の成膜装置は、内部を真空とすることが可能なチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、回転することにより円周の搬送経路に沿ってワークを搬送する搬送部と、前記搬送部により搬送される前記ワークに対して、導入された反応ガスをプラズマ化して所定の処理を行う複数の処理部と、前記処理部に設けられ、前記反応ガスが導入されるガス空間の一部を画成し、前記チャンバの内部の前記搬送経路に向かう開口を有するシールド部材と、前記チャンバの内部における隣り合う前記シールド部材の間に設けられ、隣り合う前記シールド部材の前記ガス空間を離隔させるバッファ空間と、前記バッファ空間を排気する排気部と、を有し、少なくとも１つの前記処理部は、前記ワークに、スパッタリングにより成膜材料を堆積させて膜を形成する成膜部を含み、前記バッファ空間に、前記搬送部の回転の軸方向に突出して設けられることにより、前記バッファ空間の容積を低減した部分空間を形成する突出部を有する。

前記突出部は、隣り合う前記シールド部材の一方から他方の間に、前記搬送部の回転方向に延びた部分を有していてもよい。前記突出部は、前記バッファ空間を区切ることにより複数の部分空間を形成する隔壁を含んでいてもよい。前記排気部の排気位置は、前記複数の部分空間にそれぞれ設けられていてもよい。

前記突出部は、前記搬送部の回転の軸方向の長さが、前記搬送部の外周から前記搬送部の回転の軸に向かうに従って短く形成される部分を有していてもよい。前記排気部の排気位置は、前記搬送部の外周よりも前記搬送部の回転の軸に寄った位置に設けられていてもよい。

前記突出部は、前記軸方向の長さが、前記搬送部の回転の軸から前記搬送部の外周に向かうに従って短く形成されていてもよい。前記排気部の排気位置は、前記搬送部の回転の軸よりも前記外周に寄った位置に設けられていてもよい。

本発明によれば、処理部間での反応ガスの混入を抑制できる成膜装置を提供することができる。

実施形態に係る成膜装置の構成を模式的に示す透視平面図である。 図１のＡ−Ａ断面図である。 図１の実施形態のシールド部材を示す斜視図である。 図１のＢ−Ｂ断面図である。 図１の突出部を示す平面図である。 図５の突出部を示す斜視図である。 異なる長さの隔壁を用いた変形例である。 隔壁の変形例を示す平面図である。 突出部の変形例を示す断面図である。 図９の突出部の階段面を示す斜視図である。

［構成］
本発明の実施形態について、図面を参照して具体的に説明する。以下の説明では、重力に従う方向を下方、これとは逆に重力に抗する方向を上方とする。
［チャンバ］
図１及び図２に示すように、成膜装置１００はチャンバ１を有する。チャンバ１は、略円筒形状の有底の容器である。チャンバ１は、内部を真空とすることが可能である。チャンバ１の開口には、開閉可能な蓋体１ａが設けられている。蓋体１ａは、円形の板状部材であり、チャンバ１の上部を気密に封止する。また、チャンバ１には排気部２が設けられており、チャンバ１の内部を真空に排気可能になっている。すなわち、チャンバ１は真空容器として機能する。排気部２は、図示しない真空源を含む空気圧回路に接続された配管を有する。この空気圧回路の接続箇所が排気位置である。本実施形態では、排気位置は、チャンバ１の底部である。なお、本実施形態では、チャンバ１の蓋体１ａは上、底部は下となっているが、蓋体１ａが下、底部が上となってもよい。

［回転テーブル］
チャンバ１内には、回転することにより円周の搬送経路Ｌに沿ってワークＷを搬送する搬送部として、回転テーブル３が設けられている。つまり、中空の回転筒３ｂが、チャンバ１の底部を貫通してチャンバ１の内部に立設し、回転筒３ｂには、略円形の回転テーブル３が取り付けられている。回転筒３ｂには不図示の駆動機構が連結される。駆動機構の駆動によって回転テーブル３は回転筒３ｂを中心に回転する。中空の回転筒３ｂの内部には、不動の支柱３ｃが配置されている。支柱３ｃは、チャンバ１の外部に設けられた不図示の基台に固定され、チャンバ１の底部を貫通してチャンバ１の内部に立設される。回転テーブル３の中心には開口部が設けられている。支柱３ｃは回転テーブル３の開口部を貫通し、先端は回転テーブル３の上面と、チャンバ１の上面の間に位置する。なお、以下の説明では、回転筒３ｂの回転軸を、回転テーブル３の回転の軸とする。また、回転テーブル３の回転軸に近い側を内周側、軸から離れる側を外周側とする。

回転テーブル３の開口部と支柱３ｃとの間にはボールベアリング３ｄが配置されている。すなわち、回転テーブル３は、ボールベアリング３ｄを介して支柱３ｃに回転可能に支持されている。なお、支柱３ｃの先端は、後述する内周支持部ＩＰを構成している。

回転テーブル３の上面には、ワークＷを保持する保持部３ａが複数設けられる。複数の保持部３ａは、回転テーブル３の周方向に沿って等間隔に設けられる。回転テーブル３が回転することによって、保持部３ａに保持されたワークＷが回転テーブル３の周方向に移動する。言い替えると、回転テーブル３の面上には、ワークＷの円周の移動軌跡である搬送経路Ｌが形成される。保持部３ａは、例えばワークＷを載置する窪み、トレイ等とすることができる。保持部３ａに、ワークＷを把持する静電チャック、メカチャック等のチャック部材を設けてもよい。

本実施形態ではワークＷの例として、中央に凸部を有する基板を用いているが、プラズマ処理を行うワークＷの種類、形状及び材料は特定のものに限定されない。例えば、平板状の基板を用いてもよいし、凹部あるいは凸部を有する湾曲した基板を用いても良い。また、金属、カーボン等の導電性材料を含むもの、ガラスやゴム等の絶縁物を含むもの、シリコン等の半導体を含むものを用いても良い。

［処理部］
回転テーブル３の保持部３ａに対向する位置には、成膜装置１００における各工程の処理を行う処理部４が設けられている。各処理部４は、回転テーブル３の面上に形成されるワークＷの搬送経路Ｌに沿って、互いに所定の間隔を空けて隣接するように配置されている。保持部３ａに保持されたワークＷが各処理部４に対向する位置を通過することで、各工程の処理が行われる。なお、排気部２は、回転テーブル３を挟んで、処理部４と反対側に設けられている。

図１の例では、回転テーブル３上の搬送経路Ｌに沿って７つの処理部４が配置されている。本実施形態では、ワークＷに成膜処理を行う処理部４が、成膜部４ａである。成膜部４ａによってワークＷ上に形成された膜に対して処理を行う処理部４が、膜処理部４ｂである。本実施形態では、成膜部４ａは、回転テーブル３により搬送されるワークＷに、プラズマを用いたスパッタリングにより、成膜材料を堆積させて成膜する。

また、膜処理部４ｂは、後酸化を行う処理部４として説明する。後酸化とは、成膜部４ａで成膜された金属膜に対して、プラズマにより生成された酸素イオンによって金属膜を酸化させる処理である。なお、膜処理部４ｂの処理は、これには限定されない。例えば、プラズマにより生成された窒素イオン等によって金属膜を窒化させる後窒化を行ってもよい。また、酸素イオン、窒素イオンによる酸窒化を行ってもよい。成膜部４ａ、膜処理部４ｂは、周方向に間隔を空けて、配置されている。本実施形態では、成膜部４ａは６つ、膜処理部４ｂは１つである。但し、複数の処理部４のうち、少なくとも成膜部４ａが１つあればよい。

（成膜部）
成膜部４ａは、図２に示すように、スパッタ源６を有する。スパッタ源６は、成膜材料の供給源である。スパッタ源６は、ターゲット６１、バッキングプレート６２、電極６３を有する。ターゲット６１は、ワークＷ上に堆積されて膜となる成膜材料で構成された板状の部材である。ターゲット６１は、ワークＷが成膜部４ａに対向する位置を通過する際に、ワークＷと対向する位置に設置される。本実施形態のターゲット６１は、円形のものが３つ設けられている。２つのターゲット６１は、中心が回転テーブル３の半径方向に並んでいる。１つのターゲット６１は、その中心が、他の２つのターゲット６１の中心と二等辺三角形の頂点を形成する位置に配置されている（図１参照）。

バッキングプレート６２は、ターゲット６１を保持する部材である。電極６３は、チャンバ１の外部からターゲット６１に電力を印加するための導電性の部材である。なお、スパッタ源６には、必要に応じてマグネット、冷却機構などが適宜具備されている。

ターゲット６１には、電極６３を介して直流電圧を印加するＤＣ電源７が接続されている。また、チャンバ１の底部には、ターゲット６１に対向する位置にスパッタガスＧ１をチャンバ１の内部に導入するために、スパッタガス導入部８が設置されている。スパッタガスＧ１は、電力の印加によって生じるプラズマにより、発生するイオンをターゲット６１に衝突させて、ターゲット６１の材料をワークＷの表面に堆積させるためのガスである。スパッタガスＧ１は、例えば、アルゴン等の不活性ガスを用いることができる。

以上のようなスパッタ源６のターゲット６１を囲む位置には、シールド部材Ｓ１が設けられている。シールド部材Ｓ１は、スパッタガスＧ１が導入されるガス空間の一部を画成し、チャンバ１の内部の搬送経路Ｌに向かう開口９１を有する部材である。ここでいうガス空間は、成膜部４ａによる成膜が行われる成膜室Ｄｐである。「ガス空間の一部を画成」とは、ガス空間の一部の境界を形成することをいう。このため、シールド部材Ｓ１は、ガス空間の全てを形成するように覆うものではなく、シールド部材Ｓ１の回転テーブル３に対向する端面と回転テーブル３との間のガス空間は覆っていない。

シールド部材Ｓ１は、カバー部９２、側面部９３を有する。カバー部９２は、成膜室Ｄｐの天井を形成する部材である。カバー部９２は、図２及び図３に示すように、回転テーブル３の平面と平行に配置された略扇形の板状体である。ここでいう略扇形とは、扇子の扇面の部分の形を意味する。カバー部９２には、成膜室Ｄｐ内に各ターゲット６１が露出するように、各ターゲット６１に対応する位置に、ターゲット６１の大きさ及び形状と同じターゲット孔９２ａが形成されている。また、シールド部材Ｓ１の内部には、ターゲット６１の近傍までスパッタガス導入部８の先端が延びている。つまり、スパッタガス導入部８は、スパッタガスＧ１が導入される成膜室Ｄｐ内に、スパッタガスＧ１を供給するガス供給部である。

側面部９３は、成膜室Ｄｐの周縁の側面を形成する部材である。側面部９３は、外周壁９３ａ、内周壁９３ｂ、隔壁９３ｃ、９３ｄを有する。外周壁９３ａ及び内周壁９３ｂは、円弧状に湾曲した直方体形状で、回転テーブル３の軸方向に延びた板状体である。外周壁９３ａの上縁は、カバー部９２の外縁に取り付けられている。内周壁９３ｂの上縁は、カバー部９２の内縁に取り付けられている。

隔壁９３ｃ、９３ｄは、平坦な直方体形状で、回転テーブル３の軸方向に延びた板状体である。隔壁９３ｃ、９３ｄの上縁は、それぞれが、カバー部９２の一対の半径方向の縁部に取り付けられている。カバー部９２と側面部９３との接合部は、気密に封止されている。なお、カバー部９２と側面部９３を、一体的に、つまり共通の材料により連続して形成してもよい。このようなシールド部材Ｓ１により、上部及び周縁の側面がカバー部９２及び側面部９３によって覆われ、ワークＷに向かう側が開口した成膜室Ｄｐが形成される。

この成膜室Ｄｐは、成膜の大半が行われる領域であるが、成膜室Ｄｐから外れる領域であっても、成膜室Ｄｐからの成膜材料の漏れはあるため、全く膜の堆積がないわけではない。つまり、成膜部４ａにおいて成膜が行われる成膜領域は、シールド部材Ｓ１で画される成膜室Ｄｐよりもやや広い領域となる。

シールド部材Ｓ１は、平面視で回転テーブル３の半径方向における中心側から外側に向けて拡径する略扇形になっている。シールド部材Ｓ１の開口９１も、同様に略扇形である。回転テーブル３上に保持されるワークＷが開口９１に対向する位置を通過する速度は、回転テーブル３の半径方向において中心側に向かうほど遅くなり、外側へ向かうほど速くなる。そのため、開口９１が単なる長方形又は正方形であると、半径方向における中心側と外側とでワークＷが開口９１に対向する位置を通過する時間に差が生じる。開口９１を半径方向における中心側から外側に向けて拡径させることで、ワークＷが開口９１を通過する時間を一定とすることができ、後述するプラズマ処理を均等にできる。ただし、通過する時間の差が製品上問題にならない程度であれば、長方形又は正方形でもよい。シールド部材Ｓ１の材質としては、例えば、アルミニウムやＳＵＳを用いることができる。

シールド部材Ｓ１は、支持部Ｐによって支持されている。支持部Ｐは、チャンバ１に対して不動で且つ蓋体１ａから独立した部材である。本実施形態では、支持部Ｐは、外周支持部ＯＰ、内周支持部ＩＰを有する。外周支持部ＯＰは、チャンバ１の底部から立設された複数の柱状の部材であり、回転テーブル３の外側であって、回転テーブル３に搭載されたワークＷよりも僅かに高い位置まで延びている。内周支持部ＩＰは、支柱３ｃの先端に設けられた平坦面である。この内周支持部ＩＰは、回転テーブル３の軸方向の長さ、つまり高さが、外周支持部ＯＰと同等となるように設定されている。

このような外周支持部ＯＰと内周支持部ＩＰの上に、シールド部材Ｓ１が搭載されている。これにより、外周支持部ＯＰの上端が、シールド部材Ｓ１の外周壁９３ａを支持し、内周支持部ＩＰが、シールド部材Ｓ１の内周壁９３ｂを支持する。隔壁９３ｃ、９３ｄと回転テーブル３との間には、回転する回転テーブル３上のワークＷが通過可能な間隔が形成されている。つまり、シールド部材Ｓ１とワークＷとの間に、僅かな隙間が生じるように、支持部Ｐの高さが設定されている。

（膜処理部）
膜処理部４ｂは、チャンバ１の蓋体１ａに設置され、筒形に形成された電極（以下、「筒形電極」という。）１０を備えている。筒形電極１０は、プロセスガスＧ２が導入されるガス空間に、搬送経路Ｌを通過するワークＷをプラズマ処理するためのプラズマを発生させるプラズマ源である。ここでいうガス空間は、膜処理部４ｂによる膜処理が行われる膜処理室Ｃｐである。

本実施形態の筒形電極１０は角筒状であり、一端に開口部１１を有し、他端は閉塞されている。筒形電極１０はチャンバ１の蓋体１ａに設けられた貫通孔を貫通して、開口部１１側の端部がチャンバ１の内部に位置し、閉塞された端部がチャンバ１の外部に位置するように配置される。筒形電極１０は、絶縁材を介してチャンバ１の貫通孔の周縁に支持されている。筒形電極１０の開口部１１は、回転テーブル３上に形成された搬送経路Ｌと向かい合う位置に配置される。すなわち、回転テーブル３は、ワークＷを搬送して開口部１１に対向する位置を通過させる。そして、開口部１１に対向する位置が、ワークＷの通過位置となる。

図１及び図２に示すように、筒形電極１０及びその開口部１１は、シールド部材Ｓ１と同様に、上から見ると回転テーブル３の半径方向における中心側から外側に向けて拡径する略扇形になっている。略扇形としている理由は、シールド部材Ｓ１と同様であり、通過する時間の差が製品上問題にならない程度であれば、長方形又は正方形でもよい。

筒形電極１０は、シールド部材Ｓ２の内部に収容されている。シールド部材Ｓ２は、プロセスガスＧ２が導入されるガス空間の一部を画成し、チャンバ１の内部の搬送経路Ｌに向かう開口１３ａを有するシールド部材Ｓとして捉えることができる。「ガス空間の一部を画成」とは、ガス空間の一部の境界を形成することをいう。このため、シールド部材Ｓ２は、ガス空間の全てを形成するように覆うものではなく、シールド部材Ｓ２の回転テーブル３に対向する端面と回転テーブル３との間のガス空間は覆っていない。なお、以下の説明では、シールド部材Ｓ１、Ｓ２を区別しない場合には、シールド部材Ｓと呼ぶ場合がある。

プロセスガスＧ２は、高周波の印加により生じるプラズマにより発生する活性種を、ワークＷの表面に堆積された膜に浸透させて、化合物膜を形成するためのガスである。プロセスガスＧ２は、処理の目的によって適宜変更可能である。例えば、膜の酸化を行う場合には酸素、膜の窒化を行う場合には窒素、膜の酸窒化を行う場合には、酸素と窒素の混合ガスを用いる。さらに、エッチングを行う場合は、エッチングガスとしてアルゴン等の不活性ガスを用いることができる。なお、以下の説明では、スパッタガスＧ１、プロセスガスＧ２を区別しない場合には、反応ガスＧと呼ぶ場合がある。

シールド部材Ｓ２は、外部シールド１２、内部シールド１３を有する。上述したように、筒形電極１０はチャンバ１の貫通孔を貫通し、一部がチャンバ１の外部に露出している。この筒形電極１０におけるチャンバ１の外部に露出した部分が、図２に示すように、外部シールド１２に覆われている。外部シールド１２によってチャンバ１の内部の空間が気密に保たれる。筒形電極１０のチャンバ１の内部に位置する部分の周囲は、内部シールド１３によって覆われている。

内部シールド１３は、筒形電極１０と相似形の角筒状であり、チャンバ１の内部の蓋体１ａに支持されている。内部シールド１３の筒の各側面は、筒形電極１０の各側面と略平行に設けられる。内部シールド１３の回転テーブル３に対向する端面は筒形電極１０の開口部１１と高さ方向において同じ位置であるが、内部シールド１３の端面は、開口１３ａとなっている。この開口１３ａには、回転テーブル３の平面と平行に延びたフランジ１４が設けられている。このフランジ１４によって、筒形電極１０の内部で発生したプラズマが内部シールド１３の外部に流出することが抑制される。回転テーブル３によって搬送されるワークＷは、回転テーブル３と開口１３ａの間の隙間を通って筒形電極１０の開口部１１に対向する位置に搬入され、再び回転テーブル３と開口１３ａの間の隙間を通って筒形電極１０の開口部１１の対向する位置から搬出される。

筒形電極１０には、高周波電圧を印加するためのＲＦ電源１５が接続されている。ＲＦ電源１５の出力側には整合回路であるマッチングボックス２１が直列に接続されている。ＲＦ電源１５はチャンバ１にも接続されている。筒形電極１０がアノード、チャンバ１から立設する回転テーブル３がカソードとして作用する。マッチングボックス２１は、入力側及び出力側のインピーダンスを整合させることで、プラズマの放電を安定化させる。なお、チャンバ１や回転テーブル３は接地されている。フランジ１４を有する内部シールド１３も接地される。

また、筒形電極１０にはプロセスガス導入部１６が接続されており、プロセスガス導入部１６を介して外部のプロセスガス供給源から、シールド部材Ｓ２の内部の筒形電極１０の内部に、プロセスガスＧ２が導入される。プロセスガス導入部１６は、膜処理室Ｃｐ内に、プロセスガスＧ２を供給するガス供給部である。ＲＦ電源１５及びプロセスガス導入部１６はともに、外部シールド１２に設けられた貫通孔を介して筒形電極１０に接続される。

［ロードロック部］
いずれかの一組の処理部４の間には、チャンバ１内の真空を維持した状態で、外部から未処理のワークＷをチャンバ１の内部に搬入し、処理済みのワークＷをチャンバ１の外部へ搬出するロードロック部５が設けられている。なお、本実施形態では、ワークＷの搬送方向を、平面視で時計回りとする。もちろん、これは一例であり、搬送方向、処理部４の種類、並び順及び数は特定のものに限定されず、適宜決定することができる。

［バッファ空間］
バッファ空間ＢＦは、図１及び図４の二点鎖線に示すように、チャンバ１の内部における隣り合うシールド部材Ｓのガス空間を離隔させる空間である。本実施形態においては、バッファ空間ＢＦは、図１に示すように平面視で略扇形、図４に示すように側面視で長方形状の空間である。ここでいうシールド部材Ｓは、シールド部材Ｓ１及びシールド部材Ｓ２も含む。つまり、バッファ空間ＢＦは、隣り合う成膜部４ａの間、隣り合う成膜部４ａと膜処理部４ｂの間の空間である。

［突出部］
突出部３０は、図４に示すように、バッファ空間ＢＦに、回転テーブル３の回転の軸方向に突出して設けられることにより、バッファ空間ＢＦの容積を低減した部分空間Ｂｆを形成する部材である。また、突出部３０は、図１及び図４に示すように、隣り合うシールド部材Ｓの一方から他方の間に、回転テーブル３の回転方向に延びた部分を有する。回転方向とは、回転テーブル３と同心円の円周に沿う方向又は円周の接線方向である。但し、回転方向に延びた部分を有していればよく、隣り合うシールド部材Ｓに接していても、接していなくてもよい。本実施形態では、後述するように、隔壁３１１ａ〜３１１ｄが、回転方向に連続した部分を構成している。

本実施形態の突出部３０は、回転テーブル３に対向する側が開口した箱状の部材を有する。突出部３０の外形は、図１、図４及び図５に示すように、バッファ空間ＢＦと略同一の形状であり、平面視でシールド部材Ｓとシールド部材Ｓとの間を埋める略扇形で、側面視でシールド部材Ｓの高さと同等の長方形である。また、突出部３０は、バッファ空間ＢＦを複数の部分空間Ｂｆ１〜Ｂｆ３に区切る隔壁３１１ａ、３１１ｂ、３１１ｃ、３１１ｄを含む。隔壁３１１ａ〜３１１ｄは、内周側から外周側へ、回転テーブル３と半径が異なる同心円上に配置されている。回転テーブル３の軸に最も近い隔壁３１１ａは、隣り合うシールド部材Ｓの内周側に配置される。隔壁３１１ａは、略円弧状の部材であり、隔壁３１１ａを境としてバッファ空間ＢＦを内周側の空間と外周側の空間とに区切る。これにより、隔壁３１１ａは、バッファ空間ＢＦの容積を低減する。回転テーブル３の軸に最も遠い隔壁３１１ｄは、隣り合うシールド部材Ｓの外周側に配置される。隔壁３１１ｄは、略円弧状の部材であり、隔壁３１１ｄを境としてバッファ空間ＢＦを内周側の空間と外周側の空間とに区切る。これにより、隔壁３１１ｄは、バッファ空間ＢＦの容積を低減する。

隔壁３１１ｂ、隔壁３１１ｃは、隣り合うシールド部材Ｓに亘る位置に配置され、隔壁３１１ａと隔壁３１１ｄの間の空間を区切る。隔壁３１１ｂ、３１１ｃは、バッファ空間ＢＦの容積を低減する。このような隔壁３１１ａ〜３１１ｄによって、バッファ空間ＢＦが、３つの部分空間Ｂｆ１〜Ｂｆ３に区切られる。各部分空間Ｂｆ１〜Ｂｆ３は、容積が異なっている。本実施形態の部分空間Ｂｆは、回転テーブル３の軸に最も近い部分空間Ｂｆ１が最も容積が小さく、回転テーブル３の軸に最も遠い部分空間Ｂｆ３が最も容積が大きくなっている。

また、突出部３０は、図５及び図６に示すように、接続板３１２、３１３ａ、３１３ｂを有する。接続板３１２は、平面視で略扇形の板状部材であり、隣り合うシールド部材Ｓの間に連続するようにバッファ空間ＢＦに介在している。接続板３１２は、蓋体１ａと平行に配置され、隔壁３１１ａ〜３１１ｄの蓋体１ａ側の端部に接続している。これにより、接続板３１２は、バッファ空間ＢＦの容積を、蓋体１ａと接続板３１２との間にある空間と回転テーブル３と接続板３１２との間にある空間とに区切る。つまり、接続板３１２は、回転テーブル３と接続板３１２との間にある空間の高さを制限する。

接続板３１３ａ、３１３ｂは、シールド部材Ｓの側面と略同一の形状の板状の部材である。接続板３１３ａ、３１３ｂは、それぞれシールド部材Ｓの側面に沿って設けられ、隔壁３１１ａ〜３１１ｄの側縁に接続されている。これにより、接続板３１３ａ、３１３ｂは、バッファ空間ＢＦの容積を、シールド部材Ｓと接続板３１３ａとの間にある空間と、接続板３１３ａと接続板３１３ｂとの間にある空間と、接続板３１３ｂとシールド部材Ｓとの間にある空間とに区切る。つまり、接続板３１３ａ、３１３ｂは、接続板３１３ａと接続板３１３ｂとの間にある空間における回転方向の幅を制限する。本実施形態では、接続板３１３ａ、３１３ｂがシールド部材Ｓと接することにより、反応ガスＧが流入する隙間を極力排除している。このようにすることで、シールド部材Ｓと回転テーブル３との間に形成されたワークＷが通過可能な間隔は、接続板３１３ａ、３１３ｂの板厚分だけ回転テーブル３の回転方向に長くなる。このため、反応ガスＧが成膜室Ｄｐあるいは膜処理室Ｃｐから漏れる量を抑えることができる。

なお、本実施形態においては、隔壁３１１ａ、接続板３１３ａ、隔壁３１１ｄ、接続板３１３ｂが連続して形成されることにより、回転テーブル３の軸に直交する断面が、略扇形である角筒形状の枠３１５を構成している。この枠３１５の回転テーブル３に対向する側は、突出部３０の開口３１５ａとなっている。開口３１５ａには、図４及び図５に示すように、縁部に沿って帯状に内側に突出した折込部３１５ｂが設けられている。折込部３１５ｂを設けることで、シールド部材Ｓと回転テーブル３との間に形成されたワークＷが通過可能な間隔は、折込部３１５ｂの突出した分だけ回転テーブル３の回転方向に長くなる。このため、反応ガスＧが成膜室Ｄｐあるいは膜処理室Ｃｐから漏れる量を抑えることができる。

突出部３０は、図４及び図６に示すように、シールド部材Ｓ１と同様の支持部Ｐによって支持されている。本実施形態においては、枠３１５の開口３１５ａの端面が外周支持部ＯＰ、内周支持部ＩＰによって支持されている。つまり、突出部３０は、回転テーブル３の軸に最も遠い位置が、外周支持部ОＰによって支持され、回転テーブル３の軸に最も近い位置が、内周支持部ＩＰによって支持されている。これにより、突出部３０は、ワークＷが通過可能な間隔を空けて支持される。

［排気部］
排気部４０は、図４に示すように、バッファ空間ＢＦを排気する装置である。本実施形態の排気部４０は、真空ポンプである。排気部４０は、複数の部分空間Ｂｆ１〜Ｂｆ３にそれぞれ設けられている。つまり、蓋体１ａ、接続板３１２には、部分空間Ｂｆ１〜Ｂｆ３に対応してそれぞれ貫通孔Ｈ１〜Ｈ３、ｈ１〜ｈ３が形成され、貫通孔Ｈ１〜Ｈ３、ｈ１〜ｈ３に排気部４０が接続されている。なお、排気部４０は、真空ポンプを含む空気圧回路によって構成してもよい。この場合、各貫通孔Ｈ１〜Ｈ３に空気圧回路の配管の端部が接続される。このように排気部４０が接続された箇所が、排気位置である。このように、バッファ空間ＢＦ内に形成される複数の部分空間Ｂｆは、バッファ空間ＢＦ内の圧力を調整する圧力調整室として機能する。なお、図４では、Ｂ−Ｂ断面では表れないチャンバ１の排気部２を点線で示している。この排気部２による排気箇所も、バッファ空間ＢＦからの排気位置として機能する。

［制御部］
成膜装置１００は、さらに制御部２０を備えている。制御部２０はＰＬＣやＣＰＵなどを含むプロセッサと呼ばれる演算処理装置から構成される。制御部２０は、チャンバ１へのスパッタガスＧ１およびプロセスガスＧ２の導入および排気に関する制御、ＤＣ電源７及びＲＦ電源１５の制御、および、回転テーブル３の回転速度の制御、排気部４０の排気の制御などの制御を行う。

［動作］
本実施形態の成膜装置１００の動作を説明する。蓋体１ａによって封止されたチャンバ１の内部は、図２の黒塗りの矢印に示すように、排気部２によって排気されて真空状態にされる。チャンバ１内の真空状態を維持しつつ、ロードロック部５から、未処理のワークＷをチャンバ１内に搬入する。搬入されたワークＷは、ロードロック部５に順次位置決めされる回転テーブル３の保持部３ａによって保持される。さらに、回転テーブル３を連続して回転させることにより、ワークＷを搬送経路Ｌに沿って回転搬送して、各処理部４に対向する位置を通過させる。

成膜部４ａでは、スパッタガス導入部８からスパッタガスＧ１を導入し、ＤＣ電源７からスパッタ源６に直流電圧を印加する。直流電圧の印加によってスパッタガスＧ１がプラズマ化され、イオンが発生する。発生したイオンがターゲット６１に衝突すると、ターゲット６１の材料が飛び出す。飛び出した材料が成膜部４ａに対向する位置を通過するワークＷに堆積することで、ワークＷ上に薄膜が形成される。ただし、必ずしもすべての成膜部４ａで成膜する必要はない。一例として、ここでは、１つの成膜部４ａを用いてワークＷに対してＳｉ等の金属膜をＤＣスパッタリングにより成膜する。

成膜部４ａで成膜が行われたワークＷは、引き続き搬送経路Ｌ上を回転テーブル３によって搬送され、膜処理部４ｂにおいて、筒形電極１０の開口部１１に対向する位置、すなわち膜処理位置を通過する。本実施形態では、膜処理部４ｂにおいて後酸化を行う例を説明する。膜処理部４ｂでは、プロセスガス導入部１６から筒形電極１０内にプロセスガスＧ２である酸素ガスを導入し、ＲＦ電源１５から筒形電極１０に高周波電圧を印加する。高周波電圧の印加によって酸素ガスがプラズマ化され、電子、イオン及びラジカル等が発生する。プラズマはアノードである筒形電極１０の開口部１１から、カソードである回転テーブル３へ流れる。プラズマ中のイオンが開口部１１の下を通過するワークＷ上の薄膜に衝突することで、薄膜が後酸化される。

以上のような処理の過程において、バッファ空間ＢＦは、部分空間Ｂｆ１〜Ｂｆ３毎に排気部４０によって減圧され、図４の白塗りの矢印に示すように、処理部４から流出した反応ガスＧが排気される。つまり、成膜部４ａのシールド部材Ｓ１から流出したスパッタガスＧ１、膜処理部４ｂのシールド部材Ｓ２から流出したプロセスガスＧ２は、バッファ空間ＢＦに流入するが、排気部４０によって排出される。このため、隣り合う処理部４の相互間で、スパッタガスＧ１とプロセスガスＧ２又はスパッタガスＧ１同士が干渉し合って、膜質の面内の均一性が損なわれることが防止される。なお、排気部２によっても、反応ガスＧが排気される。

［作用効果］
（１）本実施形態の成膜装置１００は、内部を真空とすることが可能なチャンバ１と、チャンバ１内に設けられ、回転することにより円周の搬送経路Ｌに沿ってワークＷを搬送する搬送部である回転テーブル３と、回転テーブル３により搬送されるワークＷに対して、導入された反応ガスＧをプラズマ化して所定の処理を行う複数の処理部４と、処理部４に設けられ、反応ガスＧが導入されるガス空間の一部を画成し、チャンバ１の内部の搬送経路Ｌに向かう開口１３ａを有するシールド部材Ｓと、チャンバ１の内部における隣り合うシールド部材Ｓの間に設けられ、隣り合うシールド部材Ｓのガス空間を離隔させるバッファ空間ＢＦと、バッファ空間ＢＦを排気する排気部４０と、を有する。

そして、少なくとも１つの処理部４は、ワークＷに、スパッタリングにより成膜材料を堆積させて膜を形成する成膜部４ａを含み、バッファ空間ＢＦに、回転テーブル３の回転の軸方向に突出して設けられることにより、バッファ空間ＢＦの容積を低減した部分空間Ｂｆを形成する突出部３０を有する。

ここで、排気の効率を高めるためには、回転テーブル３の周方向に隣り合うシールド部材Ｓ間の間隔を狭めて、バッファ空間ＢＦの容積を小さくすることが考えられる。しかし、隣り合うシールド部材Ｓ間の間隔を周方向に狭めると、隣り合うシールド部材Ｓから排出された反応ガスＧが干渉しやすくなる。本実施形態では、突出部３０によって、バッファ空間ＢＦの容積が、回転テーブル３の回転の軸方向に突出することにより低減される。このため、回転テーブル３の周方向に距離を狭めることなく、バッファ空間ＢＦの容積を低減して排気効率を高めることができ、処理部４間で互いに反応ガスＧが流入することによる混入を抑制できる。

（２）突出部３０は、隣り合うシールド部材Ｓの一方から他方の間に、回転テーブル３の回転方向に延びた部分を有する。このため、シールド部材Ｓ１から流入する反応ガスＧが、回転テーブル３の周方向に流れ、反応ガスＧの排出が促進される。

（３）突出部３０は、バッファ空間ＢＦを区切る隔壁３１１ａ〜３１１ｄを含む。このため、バッファ空間ＢＦのうち、反応ガスＧの流入が多い箇所に対応するいずれかの部分空間Ｂｆ１〜Ｂｆ３について、容積が細分化されるため、反応ガスＧの排出を高速化できる。蓋体１ａの回転テーブル３の回転軸と対向する部分にチャンバ１全体を排気する排気部２を設けた場合、バッファ空間ＢＦおよびロードロック部５は、真空排気されやすい。しかし、成膜室Ｄｐおよび膜処理室Ｃｐは、シールド部材Ｓによって囲まれており、特にシールド部材Ｓ１の内周壁９３ｂは、支柱３ｃに保持されているため、内周側からの排気は望めない。すると、成膜室Ｄｐおよび膜処理室Ｃｐの排気は、シールド部材Ｓの端部と回転テーブル３との間の隙間からのみとなる。この場合、チャンバ１内を大気圧と同等の圧力にしてからメンテナンスを行った後、チャンバ１内を再び減圧する際に、成膜室Ｄｐおよび膜処理室Ｃｐの排気に時間がかかってしまう。また、蓋体１ａの回転テーブル３の回転軸と対向する部分以外に排気部２を設ける場合も考えられる。しかし、蓋体１ａには複数の処理部４を設ける必要がある。そして、チャンバ１全体を排気できる排気能力が高い真空ポンプは、大型となる。隣り合う処理部４間に排気部２である大型の真空ポンプを設置しようとすると、排気部２を設置するスペースを確保しなければならない。結果的に、蓋体１ａに設けられる処理部４の数に制限がかかる。このため、排気部２は、回転テーブル３を挟んで、複数の処理部４と反対側に設けられている。すると、チャンバ１の排気部２によって排気しても、バッファ空間ＢＦの外周側からは排気され易いが、内周側からは排気され難く反応ガスＧが回転方向に拡散し易い。また、バッファ空間ＢＦの内周側は、外周側と比べると、隣接するシールド部材Ｓ間の距離が短い。このため、シールド部材Ｓの内周側で処理部４の一方から他方へと反応ガスＧがより流入してしまう。

本実施形態では、回転テーブル３の回転軸近傍に容積が小さな部分空間Ｂｆ１が設けられ、この部分空間Ｂｆを排気部４０で排気する。このため、最も排気し難く反応ガスＧが混入しやすい箇所の排気が高速化され、反応ガスＧの干渉を抑制できる。また、排気する容積を小さくしたことで、部分空間Ｂｆ１を排気するための排気部４０は、小型のポンプを用いることができる。このため、複数の処理部４が設けられた蓋体１ａに排気部４０を配置することができる。

（４）排気部４０は、複数の部分空間Ｂｆ１〜Ｂｆ３にそれぞれ設けられている。このため、バッファ空間ＢＦの全体からの排気を高速化できる。

［変形例］
本発明の実施形態は、上記の態様に限定されるものではなく、以下のような変形例も含む。

（１）突出部３０は、回転テーブル３の回転の軸方向の長さが異なる部分を有していてもよい。例えば、突出部３０の回転テーブル３の回転の軸方向の長さが、回転テーブル３の外周から軸に向かうに従って短く形成されていてもよい。つまり、図７に示すように、突出部３０の隔壁３１１ｃ、３１１ｂを、回転テーブル３の回転の軸に向かうに従って短く形成する。この場合、排気部４０の排気位置を、回転テーブル３の外周側よりも軸側に寄った位置、例えば、部分空間Ｂｆ１にのみ設けてもよい。これにより、外周側から内周側への反応ガスＧの流れが生じやすくなるとともに、反応ガスＧが滞留し易い軸側が最も排気が促進される。

また、部分空間Ｂｆ２内の圧力を部分空間Ｂｆ１内の圧力よりも低い圧力としてもよい。こうすることで、差圧により部分空間Ｂｆ１内の反応ガスＧの一部が部分空間Ｂｆ２へと流入し、部分空間Ｂｆ２から排気される。部分空間Ｂｆ１での反応ガスＧが処理部４の一方から他方へと流入することをより防ぐことができる。

（２）隔壁３１１ａ〜３１１ｄは、円弧状でなくてもよい。例えば、回転テーブル３の同心円の接線方向に延びた直線状であってもよい。また、同心円に沿った円弧状、接線方向に延びた直線状でなくてもよい。バッファ空間ＢＦを部分空間Ｂｆ１〜Ｂｆ３に区切るためには、最低限、隔壁３１１ｂ、３１１ｃを有していればよい。つまり、内周側の隔壁３１１ａと外周側の隔壁３１１ｄは、これに代替されるものがあれば、省略してもよい。例えば、隔壁３１１ａについては、支柱３ｃが蓋体１ａと接していれば省略できる。隔壁３１１ｄについては、チャンバ１の内周がシールド部材Ｓの外周に接していれば省略できる。また、接続板３１２、接続板３１３ａ及び接続板３１３ｂも省略してもよい。この場合、支持部Ｐによる支持ができないので、隔壁３１１ｂ、３１１ｃを、蓋体１ａに取り付けるとよい。あるいは、隣り合うシールド部材Ｓに接続してもよい。なお、隔壁３１１ａ〜３１１ｄのいずれかに、貫通孔を形成して、反応ガスＧの流れを生じやすくしてもよい。また、外周側の反応ガスＧの流入量が膜質分布に影響を与えない程度であったなら、隔壁３１１ｂのみとしてもよい。つまり、隔壁は複数であっても１つであってもよい。この場合、部分空間Ｂｆ１のみ排気する排気部４０を設ければよい。

さらに、図８に示すように、隔壁３１１ｅを回転テーブル３の半径方向に設けてもよい。この場合、バッファ空間ＢＦを、一方のシールド部材Ｓ側の部分空間Ｂｆ４と他方のシールド部材Ｓ側の部分空間Ｂｆ５に分けることができ、それぞれに排気部４０を設けることができる。これにより、それぞれのシールド部材Ｓから流出した反応ガスＧが混合する前に、排気することができる。また、部分空間Ｂｆ４の圧力と部分空間Ｂｆ５の圧力に差を設けてもよい。例えば、一方のシールド部材Ｓで形成されるガス空間Ｇｓ４（以下、単にガス空間Ｇｓ４と称する。）の圧力が他方のシールド部材Ｓで形成されるガス空間Ｇｓ５（以下、単にガス空間Ｇｓ５と称する。）の圧力よりも低い場合、ガス空間Ｇｓ５からガス空間Ｇｓ４へと反応ガスＧが流入しやすい。ここで、ガス空間Ｇｓ４で使用される反応ガスＧがガス空間Ｇｓ５に流入したとしても膜質に影響を与えない場合がある。この場合、部分空間Ｂｆ４の圧力を部分空間Ｂｆ５の圧力よりも高くすることによっても、ガス空間Ｇｓ５から流出した反応ガスＧがガス空間Ｇｓ４へと流入することを防ぐことができる。

（３）突出部３０は、回転テーブル３の回転の軸方向に突出して設けられることにより、複数の部分空間Ｂｆを形成する構成であればよい。このため、突出部３０は、隔壁３１１ａ〜３１１ｄのような板状の部材を有する場合には限定されない。

例えば、図９、図１０に示すように、突出部３０が段差を有する突出部材３１６を有していてもよい。この突出部材３１６は、隣り合うシールド部材Ｓの一方から他方の間に、回転テーブル３の周方向に連続して設けられている。突出部材３１６は、回転テーブル３の軸側から外周側に向かって、軸方向の長さが短くなることにより、階段状の面を形成する階段面３１６ａを有している。この例では、段数は３段となっている。

突出部材３１６は、枠３１５内のバッファ空間ＢＦに突出するように固定された中実の扇形のブロック状部材であり、その階段面３１６ａが回転テーブル３に対向している。これにより、回転テーブル３の軸側から外周側に向かって容積が大きくなるように、複数の部分空間Ｂｆ１〜Ｂｆ３が形成される。この部分空間Ｂｆ１〜Ｂｆ３は、反応ガスＧが流通可能となるように連通している。この場合、排気部２からの排気によって、内周側から外周側への気流が生じて、反応ガスＧの排気が促進される。さらに、チャンバ１の外周側の側面に、開口Ｈ４を形成し、排気部４０を配設することにより、反応ガスＧをより高速に排気できる。

なお、突出部材３１６は、回転テーブル３の外周側から軸側に向かって、軸方向の長さが短くなることにより、階段状の面が形成されていてもよい。これにより、容積が異なるバッファ空間ＢＦを形成してもよい。この場合、軸方向の長さによっては、バッファ空間ＢＦの容積が、回転テーブル３の外周側が大きくなる、内周側が大きくなる、均等になる等、種々の態様が考えられる。この場合には、排気部４０の排気位置を、回転テーブル３の外周側よりも軸側に寄った位置、例えば、図７に示した位置としてもよい。これにより、外周側から内周側への反応ガスＧの流れが生じやすくなるとともに、反応ガスＧが滞留し易い軸側が最も排気が促進される。

（４）部分空間の数は、３つには限定されない。２つであっても、４つ以上であってもよく、これに応じて隔壁の数を設ける。突出部材３１６に階段面３１６ａを設ける場合、その段数は３段には限定されない。２段であっても、４段以上であってもよい。さらに、突出部材３１６は、全体として段差を有しない傾斜面によって、回転テーブル３の回転の軸方向の長さが異なる形状としてもよい。この場合、部分空間Ｂｆは、バッファ空間ＢＦの容積が低減された単一の空間となる。但し、階段面３１６ａを有する方が、段数によって圧力を調整しやすい。

（５）上記の態様では、搬送部を回転テーブル３としているが、搬送部は回転テーブル３には限定されない。回転中心から放射状に延びたアームにトレイやワークを保持して回転する態様であってもよい。また、処理部４がチャンバ１の底部側にあり、処理部４と回転テーブル３との上下関係が逆となっていてもよい。この場合、保持部３ａが配設される回転テーブル３の表面は、回転テーブル３が水平方向である場合に下方を向く面、つまり下面となる。シールド部材Ｓの開口９１、１３ａ、突出部３０の開口３１５ａは上方を向く。

成膜装置１００の設置面は、床面であっても、天井であっても、側壁面であってもよい。上記の態様では、水平に配置した回転テーブル３の上面に保持部３ａを設け、この回転テーブル３を水平面内で回転させ、この回転テーブル３の上方に処理部４、突出部３０を配置するものとして説明したが、これに限定されるものではない。例えば、回転テーブル３の配置は、水平に限らず垂直の配置でも傾斜した配置でもよい。また、保持部３ａを、回転テーブル３の相反する面に設けるようにしてもよい。つまり、本発明は、搬送部の回転平面の方向はどのような方向であってもよく、保持部３ａの位置、処理部４の位置は、保持部３ａに保持されたワークＷに処理部４が対向する位置であればよい。これに応じて、処理部４の間にバッファ空間ＢＦ及び突出部３０を設ければよい。

（６）処理部４において、プラズマを発生させる装置は、上記の態様には限定されない。反応ガスＧを用いたプラズマ処理により成膜、膜処理を行うことができる装置であればよい。

（７）シールド部材Ｓ、突出部３０の軸に直交する方向の断面は、略扇形には限定されない。断面が長方形状となる角筒形状であってもよいし、断面が角丸長方形状となる円筒形状であってもよい。但し、シールド部材Ｓの断面を略扇形とする方が、半径方向の速度差による処理量の相違を周長差によって補うことができる。また、突出部３０の断面を略扇形とする方が、シールド部材Ｓとの隙間を低減して、余分な隙間に反応ガスＧが流入することを防止できる。

（８）以上、本発明の実施形態及び各部の変形例を説明したが、この実施形態や各部の変形例は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上述したこれら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明に含まれる。各請求項の発明をどのように組み合わせた態様とするかは自由である。

１ チャンバ
１ａ 蓋体
２ 排気部
３ 回転テーブル
３ａ 保持部
３ｂ 回転筒
３ｃ 支柱
３ｄ ボールベアリング
４ 処理部
４ａ 成膜部
４ｂ 膜処理部
５ ロードロック部
６ スパッタ源
７ ＤＣ電源
８ スパッタガス導入部
１０ 筒形電極
１１ 開口部
１２ 外部シールド
１３ 内部シールド
１３ａ 開口
１４ フランジ
１５ ＲＦ電源
１６ プロセスガス導入部
２０ 制御部
２１ マッチングボックス
３０ 突出部
４０ 排気部
６１ ターゲット
６２ バッキングプレート
６３ 電極
９１ 開口
９２ カバー部
９２ａ ターゲット孔
９３ 側面部
９３ａ 外周壁
９３ｂ 内周壁
９３ｃ 隔壁
９３ｄ 隔壁
３１６ 突出部材
３１１ａ〜３１１ｅ 隔壁
３１２、３１３ａ、３１３ｂ ：接続板
３１５ａ 開口
３１５ｂ 折込部
３１５ 枠
３１６ａ 階段面
ＢＦ バッファ空間
Ｂｆ１〜Ｂｆ５ 部分空間
Ｃｐ 膜処理室
１００ 成膜装置
Ｄｐ 成膜室
Ｇ 反応ガス
Ｇ１ スパッタガス
Ｇ２ プロセスガス
Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３ 貫通孔
ＩＰ 内周支持部
Ｌ 搬送経路
ＯＰ 外周支持部
Ｐ 支持部
Ｓ、Ｓ１、Ｓ２ シールド部材
Ｗ ワーク

Claims (8)

1. 内部を真空とすることが可能なチャンバと、
   前記チャンバ内に設けられ、回転することにより円周の搬送経路に沿ってワークを搬送する搬送部と、
   前記搬送部により搬送される前記ワークに対して、導入された反応ガスをプラズマ化して所定の処理を行う複数の処理部と、
   前記処理部に設けられ、前記反応ガスが導入されるガス空間の一部を画成し、前記チャンバの内部の前記搬送経路に向かう開口を有するシールド部材と、
   前記チャンバの内部における隣り合う前記シールド部材の間に設けられ、隣り合う前記シールド部材の前記ガス空間を離隔させるバッファ空間と、
   前記バッファ空間を排気する排気部と、
   を有し、
   少なくとも１つの前記処理部は、前記ワークに、スパッタリングにより成膜材料を堆積させて膜を形成する成膜部を含み、
   前記バッファ空間に、前記搬送部の回転の軸方向に突出して設けられることにより、前記バッファ空間の容積を低減した部分空間を形成する突出部を有することを特徴とする成膜装置。
2. 前記突出部は、隣り合う前記シールド部材の一方から他方の間に、前記搬送部の回転方向に延びた部分を有することを特徴とすることを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
3. 前記突出部は、前記バッファ空間を区切ることにより複数の部分空間を形成する隔壁を含むことを特徴とする請求項２記載の成膜装置。
4. 前記排気部の排気位置は、前記複数の部分空間にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項３記載の成膜装置。
5. 前記突出部は、前記搬送部の回転の軸方向の長さが、前記搬送部の外周から前記搬送部の回転の軸に向かうに従って短く形成される部分を有することを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の成膜装置。
6. 前記排気部の排気位置は、前記搬送部の外周よりも前記搬送部の回転の軸に寄った位置に設けられていることを特徴とする請求項５記載の成膜装置。
7. 前記突出部は、前記軸方向の長さが、前記搬送部の回転の軸から前記搬送部の外周に向かうに従って短く形成された部分を有することを特徴とする請求項２又は請求項３記載の成膜装置。
8. 前記排気部の排気位置は、前記搬送部の回転の軸よりも前記外周に寄った位置に設けられていることを特徴とする請求項７記載の成膜装置。

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