JP2020024912A - 荷電粒子ビーム装置、荷電粒子ビーム装置のためのマルチビームブランカ、および荷電粒子ビーム装置を動作させるための方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム装置、荷電粒子ビーム装置のためのマルチビームブランカ、および荷電粒子ビーム装置を動作させるための方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020024912A JP2020024912A JP2019130828A JP2019130828A JP2020024912A JP 2020024912 A JP2020024912 A JP 2020024912A JP 2019130828 A JP2019130828 A JP 2019130828A JP 2019130828 A JP2019130828 A JP 2019130828A JP 2020024912 A JP2020024912 A JP 2020024912A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged particle
- beamlet
- particle beam
- blanking
- annular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
- H01J37/265—Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/043—Beam blanking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/043—Beam blanking
- H01J2237/0435—Multi-aperture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/045—Diaphragms
- H01J2237/0451—Diaphragms with fixed aperture
- H01J2237/0453—Diaphragms with fixed aperture multiple apertures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2448—Secondary particle detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2801—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
6A 偏向器
6B 偏向器
7 サンプルステージ
8 サンプル
10 対物レンズ
12 走査偏向器
14 荷電粒子ビーム
14A ビームレット
14B ビームレット
14C ビームレット
15A ブランカ
15B ブランカ
20 荷電粒子源
21 平面
100 荷電粒子ビーム装置
101 カラムハウジング
110 コンデンサレンズ装置
114 ビーム分離器
115 磁気偏向器
120 開孔装置、開孔アレイ
122 開口部
130 多重極装置
150 ブランキング装置
154 出口側
155 シールドアセンブリ
160 ビームストップ、ビームダンプ
170 検出器アセンブリ
172 集束レンズ
174 偏向器
176 偏向器
201 ウエハ
202 ウエハ
203 ウエハ
204 ウエハ
211 偏向器
214 開孔
222 孔
231 ブランキング偏向器
242 孔
244 開孔
245 シールド要素
255 シールド要素
330 ビームスプリッタ
344 ビーム制限開孔
412 ブランカ電極
414 調整電極
500 多重極装置
505 支持装置
510 高抵抗層
521 電気コンタクト
522 電気コンタクト
531 円周方向位置
532 円周方向位置
540 主表面
551 導電線
553 導電線
602 ボックス
604 ボックス
606 ボックス
608 ボックス
610 環状電極
612 外周側
618 直径
620 外周壁
630 底部壁
632 傾斜部分
640 内周壁
642 直径
650 電極
652 電源
A 光軸
P1 電位
P2 電位
Claims (15)
- 一次荷電粒子ビームレットを通過させるための開口部を画定する内周壁を有する環状本体であって、外周壁および底部壁をさらに有する、環状本体と、
内周側および外周側を有する、前記環状本体の一部上方に設けられた環状電極であって、前記内周側が前記環状本体の前記内周壁の半径の外側にある、環状電極と、
を備える荷電粒子ビーム装置のための荷電粒子ビームダンプ。 - 前記底部壁が前記環状本体の底部側で前記環状本体を閉じ、および/または半径方向外向きに傾斜した傾斜面を有する、請求項1に記載の荷電粒子ビームダンプ。
- 前記環状電極の前記外周側が前記環状本体の前記外周壁の前記半径まで、または前記外周壁の前記半径を越えて延在する、請求項1または2に記載の荷電粒子ビームダンプ。
- 前記環状本体の内部に、かつ前記環状電極の完全にまたは部分的に下方に設けられた電極であって、特に、円筒形もしくはリング状であり、および/または前記電極に電位を供給する電源に接続されている、電極
をさらに備える、請求項1から3までのいずれか1項に記載の荷電粒子ビームダンプ。 - 前記環状本体の内面が後方散乱された粒子または二次粒子の生成を低減させる材料でコーティングされている、請求項1から4までのいずれか1項に記載の荷電粒子ビームダンプ。
- 前記内周壁の壁厚さが0.5mm以下であり、および/または前記環状本体が、リング形、円形、楕円形、多角形、および六角形のグループから選択された形状を有する、請求項1から5までのいずれか1項に記載の荷電粒子ビームダンプ。
- 請求項1から6までのいずれか1項に記載の荷電粒子ビームダンプ
を備える、マルチビーム荷電粒子ビーム装置。 - 一次荷電粒子ビームを放出するように構成された荷電粒子源と、
前記一次荷電粒子ビームの少なくとも第1のビームレットおよび第2のビームレットを生成するように構成された開口部を有する開孔装置と、
ブランキング装置であって、
少なくとも前記第1のビームレット用の第1のブランキング偏向器および前記第2のビームレット用の第2のブランキング偏向器、ならびに
前記第1のブランキング偏向器を部分的にまたは完全に取り囲む第1のシールド要素を有するシールドアセンブリを備える、ブランキング装置と、
をさらに備える、請求項7に記載のマルチビーム荷電粒子ビーム装置。 - 前記ブランキング装置が前記荷電粒子ビームダンプの上流にあり、特に、前記荷電粒子ビームダンプの環状開口部内への前記ブランキング装置の偏向角が30mrad以下である、請求項8に記載のマルチビーム荷電粒子ビーム装置。
- 前記少なくとも第1のブランキング偏向器が前記第1のビームレットを前記第2のビームレットから分割するための多重極装置を含む、請求項7から9までのいずれか1項に記載のマルチビーム荷電粒子ビーム装置。
- 前記第1のビームレットおよび前記第2のビームレットに別々に作用するように構成された多重極装置をさらに備える、
請求項7から10までのいずれか1項に記載のマルチビーム荷電粒子ビーム装置。 - 前記第1のビームレットによって生成された第1の信号ビームレットを検出するための第1のセンサと、前記第2のビームレットによって生成された第2の信号ビームレットを検出するための第2のセンサと、を有する検出器アセンブリを
さらに備える、請求項7から11までのいずれか1項に記載のマルチビーム荷電粒子ビーム装置。 - 一次荷電粒子ビームを生成するステップと、
前記一次荷電粒子ビームから第1のビームレットを、および前記一次荷電粒子ビームから第2のビームレットを生成するステップと、
試料上で前記第1のビームレットおよび前記第2のビームレットを走査するステップと、
第1のブランキング偏向器の第1の偏向場を用いて前記第1のビームレットを荷電粒子ビームダンプの環状本体に誘導するステップと、
を含む荷電粒子ビーム装置を動作させるための方法。 - 前記第2のビームレットへのクロストークを低減させるために前記第1のブランキング偏向器の前記第1の偏向場をシールドするステップと、
前記第1のビームレットの、または前記第1のビームレットによって生成された荷電粒子を前記環状本体に設けられた電極に向かって引きつけるステップと、
のうちの少なくとも1つをさらに含む、請求項13に記載の方法。 - 内周側および外周側を有する、前記環状本体の一部上方に設けられた環状電極であって、前記内周側が前記環状本体の前記内周壁の前記半径の外側にある、環状電極、
半径方向外向きに傾斜している傾斜面を有する前記環状本体の底部壁の傾斜面、および
後方散乱粒子または二次粒子の生成を低減させる材料による前記環状本体の内面上のコーティング、
のうちの少なくとも1つによって前記第1のビームレットの、または前記第1のビームレットによって生成された荷電粒子をトラップするステップをさらに含む、
請求項13または14に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/037,815 US10483080B1 (en) | 2018-07-17 | 2018-07-17 | Charged particle beam device, multi-beam blanker for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device |
US16/037,815 | 2018-07-17 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020024912A true JP2020024912A (ja) | 2020-02-13 |
JP2020024912A5 JP2020024912A5 (ja) | 2020-04-23 |
JP6905555B2 JP6905555B2 (ja) | 2021-07-21 |
Family
ID=68536150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019130828A Active JP6905555B2 (ja) | 2018-07-17 | 2019-07-16 | 荷電粒子ビーム装置、荷電粒子ビーム装置のためのマルチビームブランカ、および荷電粒子ビーム装置を動作させるための方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10483080B1 (ja) |
JP (1) | JP6905555B2 (ja) |
KR (1) | KR102130512B1 (ja) |
CN (2) | CN210136840U (ja) |
TW (1) | TWI706430B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI794767B (zh) * | 2020-03-11 | 2023-03-01 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 用於信號電子偵測的系統及方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10483080B1 (en) * | 2018-07-17 | 2019-11-19 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device, multi-beam blanker for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device |
KR20230170145A (ko) * | 2018-08-09 | 2023-12-18 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 다수 하전-입자 빔들을 위한 장치 |
KR102596926B1 (ko) * | 2018-12-31 | 2023-11-01 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 다중 빔 검사 장치 |
DE102019008249B3 (de) * | 2019-11-27 | 2020-11-19 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Teilchenstrahl-System mit einer Multistrahl-Ablenkeinrichtung und einem Strahlfänger, Verfahren zum Betreiben des Teilchenstrahl-Systems und zugehöriges Computerprogrammprodukt |
US20230052445A1 (en) * | 2021-08-12 | 2023-02-16 | Ims Nanofabrication Gmbh | Beam Pattern Device Having Beam Absorber Structure |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05266848A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Hitachi Ltd | イオンビーム装置 |
JP2001526823A (ja) * | 1997-05-16 | 2001-12-18 | ライカ マイクロシステムズ リトグラフィー リミテッド | 電子ビーム開口要素 |
US20120241606A1 (en) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | Liqun Han | Multiple-beam system for high-speed electron-beam inspection |
JP2017216338A (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム照射装置 |
Family Cites Families (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0141525B1 (en) * | 1983-09-30 | 1991-01-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gyrotron device |
US5502356A (en) * | 1994-05-02 | 1996-03-26 | Plex Corporation | Stabilized radial pseudospark switch |
US6635891B1 (en) * | 1999-09-22 | 2003-10-21 | Nikon Corporation | Hollow-beam apertures for charged-particle-beam microlithography apparatus and methods for making and using same |
US6639221B2 (en) * | 2002-01-18 | 2003-10-28 | Nikon Corporation | Annular illumination method for charged particle projection optics |
EP3671804A1 (en) * | 2002-10-30 | 2020-06-24 | ASML Netherlands B.V. | Electron beam exposure system |
GB2413694A (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-02 | Ims Nanofabrication Gmbh | Particle-beam exposure apparatus |
JP4964413B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2012-06-27 | 株式会社Sen | イオンビーム/荷電粒子ビーム照射装置 |
US7868300B2 (en) * | 2005-09-15 | 2011-01-11 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system, sensor and measuring method |
US7781748B2 (en) * | 2006-04-03 | 2010-08-24 | Ims Nanofabrication Ag | Particle-beam exposure apparatus with overall-modulation of a patterned beam |
US20080017811A1 (en) * | 2006-07-18 | 2008-01-24 | Collart Erik J H | Beam stop for an ion implanter |
JP5491704B2 (ja) * | 2007-05-14 | 2014-05-14 | イーエムエス ナノファブリカツィオン アーゲー | 対向電極アレイ板を有するパターン定義装置 |
JP5743886B2 (ja) * | 2008-06-04 | 2015-07-01 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | ターゲットを露光するための方法およびシステム |
NL2003304C2 (en) * | 2008-08-07 | 2010-09-14 | Ims Nanofabrication Ag | Compensation of dose inhomogeneity and image distortion. |
EP2187427B1 (en) * | 2008-11-17 | 2011-10-05 | IMS Nanofabrication AG | Method for maskless particle-beam exposure |
EP2194565A1 (en) * | 2008-12-03 | 2010-06-09 | FEI Company | Dark field detector for use in a charged-particle optical apparatus |
TWI497557B (zh) * | 2009-04-29 | 2015-08-21 | Mapper Lithography Ip Bv | 包含靜電偏轉器的帶電粒子光學系統 |
CN102460633B (zh) * | 2009-05-20 | 2014-12-17 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 用于光刻系统的图案数据转换器 |
KR101605832B1 (ko) * | 2009-05-20 | 2016-03-23 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 리소그래픽 처리를 위한 2―레벨 패턴 발생 방법 및 이를 이용한 패턴 발생기 |
US8362441B2 (en) * | 2009-10-09 | 2013-01-29 | Mapper Lithography Ip B.V. | Enhanced integrity projection lens assembly |
JP2013516079A (ja) * | 2009-12-29 | 2013-05-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 照明システム、リソグラフィ装置および照明方法 |
CN103843105A (zh) * | 2010-02-10 | 2014-06-04 | 摩奇有限公司(d/b/aVoxa) | 暗视野像差矫正电子显微镜 |
WO2011156421A2 (en) * | 2010-06-07 | 2011-12-15 | Christopher Su-Yan Own | Incoherent transmission electron microscopy |
WO2012062934A1 (en) * | 2010-11-13 | 2012-05-18 | Mapper Lithography Ip B.V. | Charged particle beam modulator |
US8884255B2 (en) * | 2010-11-13 | 2014-11-11 | Mapper Lithography Ip B.V. | Data path for lithography apparatus |
US9305747B2 (en) * | 2010-11-13 | 2016-04-05 | Mapper Lithography Ip B.V. | Data path for lithography apparatus |
TW201248336A (en) * | 2011-04-22 | 2012-12-01 | Mapper Lithography Ip Bv | Lithography system for processing a target, such as a wafer, and a method for operating a lithography system for processing a target, such as a wafer |
NL2007392C2 (en) * | 2011-09-12 | 2013-03-13 | Mapper Lithography Ip Bv | Assembly for providing an aligned stack of two or more modules and a lithography system or a microscopy system comprising such an assembly. |
US9383662B2 (en) * | 2011-05-13 | 2016-07-05 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system for processing at least a part of a target |
NL2006868C2 (en) * | 2011-05-30 | 2012-12-03 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle multi-beamlet apparatus. |
TWI604499B (zh) * | 2012-02-27 | 2017-11-01 | 尼可拉斯 懷特 | 用於聚焦帶狀離子束之方法,用於同時產生分立離子束之質量分析對的方法,設備,及總成 |
US9535100B2 (en) * | 2012-05-14 | 2017-01-03 | Bwxt Nuclear Operations Group, Inc. | Beam imaging sensor and method for using same |
US9383460B2 (en) * | 2012-05-14 | 2016-07-05 | Bwxt Nuclear Operations Group, Inc. | Beam imaging sensor |
JP6367209B2 (ja) * | 2012-10-26 | 2018-08-01 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | リソグラフィシステムにおいて基板の位置を測定すること |
NL2010760C2 (en) * | 2013-05-03 | 2014-11-04 | Mapper Lithography Ip Bv | Beam grid layout. |
EP2816585A1 (en) * | 2013-06-17 | 2014-12-24 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam system and method of operating thereof |
JP6184793B2 (ja) * | 2013-07-31 | 2017-08-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
US9460260B2 (en) * | 2014-02-21 | 2016-10-04 | Mapper Lithography Ip B.V. | Enhanced stitching by overlap dose and feature reduction |
EP2950325B1 (en) * | 2014-05-30 | 2018-11-28 | IMS Nanofabrication GmbH | Compensation of dose inhomogeneity using overlapping exposure spots |
TW201618153A (zh) * | 2014-09-03 | 2016-05-16 | Nuflare Technology Inc | 多重帶電粒子束的遮沒裝置,多重帶電粒子束描繪裝置,及多重帶電粒子束的不良射束遮蔽方法 |
DE102015202172B4 (de) * | 2015-02-06 | 2017-01-19 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlsystem und Verfahren zur teilchenoptischen Untersuchung eines Objekts |
IL294759B1 (en) * | 2015-07-22 | 2024-05-01 | Asml Netherlands Bv | Device for multiple charged particle beams |
US10096450B2 (en) * | 2015-12-28 | 2018-10-09 | Mapper Lithography Ip B.V. | Control system and method for lithography apparatus |
US10325756B2 (en) * | 2016-06-13 | 2019-06-18 | Ims Nanofabrication Gmbh | Method for compensating pattern placement errors caused by variation of pattern exposure density in a multi-beam writer |
US20190066972A1 (en) * | 2017-08-29 | 2019-02-28 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device, aperture arrangement for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device |
US10483080B1 (en) * | 2018-07-17 | 2019-11-19 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device, multi-beam blanker for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device |
-
2018
- 2018-07-17 US US16/037,815 patent/US10483080B1/en active Active
-
2019
- 2019-07-16 JP JP2019130828A patent/JP6905555B2/ja active Active
- 2019-07-16 CN CN201921119387.7U patent/CN210136840U/zh not_active Withdrawn - After Issue
- 2019-07-16 TW TW108125014A patent/TWI706430B/zh active
- 2019-07-16 CN CN201910644415.5A patent/CN110729164B/zh active Active
- 2019-07-17 KR KR1020190086136A patent/KR102130512B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05266848A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Hitachi Ltd | イオンビーム装置 |
JP2001526823A (ja) * | 1997-05-16 | 2001-12-18 | ライカ マイクロシステムズ リトグラフィー リミテッド | 電子ビーム開口要素 |
US20120241606A1 (en) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | Liqun Han | Multiple-beam system for high-speed electron-beam inspection |
JP2017216338A (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム照射装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI794767B (zh) * | 2020-03-11 | 2023-03-01 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 用於信號電子偵測的系統及方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6905555B2 (ja) | 2021-07-21 |
TWI706430B (zh) | 2020-10-01 |
US10483080B1 (en) | 2019-11-19 |
TW202015089A (zh) | 2020-04-16 |
KR20200008972A (ko) | 2020-01-29 |
CN210136840U (zh) | 2020-03-10 |
CN110729164B (zh) | 2021-04-02 |
KR102130512B1 (ko) | 2020-07-06 |
CN110729164A (zh) | 2020-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6845900B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置、荷電粒子ビーム装置のためのマルチビームブランカ、および荷電粒子ビーム装置を動作させるための方法 | |
JP6905555B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置、荷電粒子ビーム装置のためのマルチビームブランカ、および荷電粒子ビーム装置を動作させるための方法 | |
US10522327B2 (en) | Method of operating a charged particle beam specimen inspection system | |
US9035249B1 (en) | Multi-beam system for high throughput EBI | |
US8378299B2 (en) | Twin beam charged particle column and method of operating thereof | |
EP3457426A1 (en) | Charged particle beam device, aperture arrangement for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device | |
EP1150327B1 (en) | Multi beam charged particle device | |
US7825386B2 (en) | System and method for a charged particle beam | |
US9754759B2 (en) | Electrostatic multipole device, electrostatic multipole arrangement, and method of manufacturing an electrostatic multipole device | |
KR20190091318A (ko) | 1차 하전 입자 빔렛들의 어레이를 이용하여 시료를 검사하기 위한 방법, 1차 하전 입자 빔렛들의 어레이를 이용한 시료의 검사를 위한 하전 입자 빔 디바이스, 및 시료의 검사를 위한 다중-컬럼 현미경 | |
JP2010519698A (ja) | 高スループットsemツール | |
US9620329B1 (en) | Electrostatic multipole device, electrostatic multipole arrangement, charged particle beam device, and method of manufacturing an electrostatic multipole device | |
US9620328B1 (en) | Electrostatic multipole device, electrostatic multipole arrangement, charged particle beam device, and method of operating an electrostatic multipole device | |
US7132301B1 (en) | Method and apparatus for reviewing voltage contrast defects in semiconductor wafers | |
US20240006147A1 (en) | Flood column and charged particle apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191118 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20200304 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200304 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20200728 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201104 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210114 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210414 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210527 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210625 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6905555 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |