JP2020017812A - amplifier - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、増幅器に関する。 The present disclosure relates to amplifiers.
マイクロ波帯やミリ波帯の高周波信号を送信する送信機や通信機には、高周波信号を増幅する高周波用の増幅器が設けられている。高周波用の増幅器に対しては、所望の周波数帯域で高い効率（電力効率）が得られる高効率化が要求されている。そのため、高周波用の増幅器として、ドハティ増幅器が広く利用されている。ドハティ増幅器は、Ａ級、ＡＢ級、又はＢ級動作を行うキャリアアンプと、Ｃ級動作を行うピークアンプと、の２種類の増幅器で構成される。 2. Description of the Related Art A transmitter or a communication device for transmitting a high frequency signal in a microwave band or a millimeter wave band is provided with a high frequency amplifier for amplifying the high frequency signal. High-frequency amplifiers are required to have high efficiency (high power efficiency) in a desired frequency band. Therefore, Doherty amplifiers are widely used as high frequency amplifiers. The Doherty amplifier is composed of two types of amplifiers, a carrier amplifier that performs class A, class AB, or class B operation, and a peak amplifier that performs class C operation.
また、近年、高周波用の増幅器に対しては、広い周波数帯域にわたって高い効率が得られる広帯域化も要求されている。そのため、広帯域化を実現するドハティ増幅器の検討が進められている。 In recent years, high-frequency amplifiers have also been required to have a wide band capable of obtaining high efficiency over a wide frequency band. Therefore, studies are being made on Doherty amplifiers for realizing a wider band.
以下、広帯域化を実現するドハティ増幅器の例として、図１を参照して、関連技術に係るドハティ増幅器９の構成について説明する。図１は、関連技術に係るドハティ増幅器９の構成例を示す図である。なお、以下の記載及び図面は、適宜、省略、及び簡略化がなされている。また、各図面において、同一の要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略されている。
Hereinafter, a configuration of a Doherty
図１に示されるように、関連技術に係るドハティ増幅器９は、電力分配器１０、ＦＥＴ（Field Effect Transistor）で構成されたキャリアアンプ２０、λ／４伝送線路３１、ＦＥＴで構成されたピークアンプ３０、λ／４伝送線路４０−１，４０−２、及びスイッチ５０−１，５０−２等を備えている。キャリアアンプ２０は、第１の増幅回路の一例であり、キャリアアンプ２０を構成するＦＥＴは、第１のＦＥＴの一例である。また、ピークアンプ３０は、第２の増幅回路の一例であり、ピークアンプ３０を構成するＦＥＴは、第２のＦＥＴの一例である。なお、図１においては、ドハティ増幅器９の出力段に２つのλ／４伝送線路４０−１，４０−２を設けているが、出力段に設けるλ／４伝送線路の数は複数であれば良く、２つには限定されない。
As shown in FIG. 1, a Doherty
電力分配器１０は、入力端子ＩＮを介して入力された信号を、２経路に分配して出力する。電力分配器１０で分配された一方の信号は、ＤＣブロックコンデンサ２２を介して、キャリアアンプ２０を構成するＦＥＴのゲートに供給される。また、電力分配器１０で分配された他方の信号は、λ／４伝送線路３１及びＤＣブロックコンデンサ３２を介して、ピークアンプ３０を構成するＦＥＴのゲートに供給される。
The
キャリアアンプ２０は、ＦＥＴで構成され、電力分配器１０で分配された一方の信号を、常時、増幅して出力する。キャリアアンプ２０を構成するＦＥＴのゲートには、チョークコイル２３を介して、Ａ級、ＡＢ級、又はＢ級バイアスに設定されたゲート電圧Ｖｇ１が印加され、キャリアアンプ２０は、Ａ級、ＡＢ級、又はＢ級動作を行う。また、キャリアアンプ２０を構成するＦＥＴのドレインには、チョークコイル２４を介して、直流電圧であるドレイン電圧Ｖｄ１が印加され、キャリアアンプ２０を構成するＦＥＴのソースは、グランドに接続されている。キャリアアンプ２０の出力信号は、ＤＣブロックコンデンサ２５を介して、スイッチ５０−１に供給される。
The
ピークアンプ３０は、ＦＥＴで構成され、電力分配器１０で分配された他方の信号のうち所定レベル以上の信号のみを増幅して出力する。ピークアンプ３０を構成するＦＥＴのゲートには、チョークコイル３３を介して、Ｃ級バイアスに設定されたゲート電圧Ｖｇ２が印加され、ピークアンプ３０は、Ｃ級動作を行う。また、ピークアンプ３０を構成するＦＥＴのドレインには、チョークコイル３４を介して、直流電圧であるドレイン電圧Ｖｄ２が印加され、ピークアンプ３０を構成するＦＥＴのソースは、グランドに接続されている。ピークアンプ３０の出力信号は、ＤＣブロックコンデンサ３５を介して、スイッチ５０−２に供給される。
The
スイッチ５０−１は、キャリアアンプ２０を構成するＦＥＴのドレインを、ＤＣブロックコンデンサ２５を介して、λ／４伝送線路４０−１，４０−２のいずれかに選択的に接続するスイッチである。また、スイッチ５０−２は、ピークアンプ３０を構成するＦＥＴのドレインを、ＤＣブロックコンデンサ３５を介して、λ／４伝送線路４０−１，４０−２のいずれかに選択的に接続するスイッチである。なお、スイッチ５０−１，５０−２は、ドハティ増幅器９を使用する周波数帯域に応じて、λ／４伝送線路４０−１又はλ／４伝送線路４０−２のいずれかを選択するように制御される。
The switch 50-1 is a switch for selectively connecting the drain of the FET constituting the
λ／４伝送線路４０−１は、周波数帯域Ｂ１に応じた線路長を有する伝送線路である。ドハティ増幅器９を周波数帯域Ｂ１で使用する場合、スイッチ５０−１，５０−２を制御して、キャリアアンプ２０を構成するＦＥＴのドレイン及びピークアンプ３０を構成するＦＥＴのドレインを、λ／４伝送線路４０−１に接続し、キャリアアンプ２０の出力信号及びピークアンプ３０の出力信号をλ／４伝送線路４０−１に供給する。この場合、キャリアアンプ２０の出力信号は、λ／４伝送線路４０−１を通過した後に、ピークアンプ３０の出力信号と合成される。この合成信号は、出力端子ＯＵＴ１を介して出力される。
The λ / 4 transmission line 40-1 is a transmission line having a line length according to the frequency band B1. When the Doherty
λ／４伝送線路４０−２は、周波数帯域Ｂ１に隣接し周波数帯域Ｂ１とは異なる周波数帯域Ｂ２に応じた線路長を有する伝送線路である。ドハティ増幅器９を周波数帯域Ｂ２で使用する場合、スイッチ５０−１，５０−２を制御して、キャリアアンプ２０を構成するＦＥＴのドレイン及びピークアンプ３０を構成するＦＥＴのドレインを、λ／４伝送線路４０−２に接続し、キャリアアンプ２０の出力信号及びピークアンプ３０の出力信号をλ／４伝送線路４０−２に供給する。この場合、キャリアアンプ２０の出力信号は、λ／４伝送線路４０−２を通過した後に、ピークアンプ３０の出力信号と合成される。この合成信号は、出力端子ＯＵＴ２を介して出力される。
The λ / 4 transmission line 40-2 is a transmission line adjacent to the frequency band B1 and having a line length corresponding to a frequency band B2 different from the frequency band B1. When the Doherty
関連技術に係るドハティ増幅器９においては、ドハティ増幅器９を周波数帯域Ｂ１で使用する場合、スイッチ５０−１，５０−２を制御して、キャリアアンプ２０の出力信号及びピークアンプ３０の出力信号をλ／４伝送線路４０−１に供給し、増幅動作を行う。これにより、周波数帯域Ｂ１において、効率が最大化（最適化）される。また、ドハティ増幅器９を周波数帯域Ｂ２で使用する場合、スイッチ５０−１，５０−２を制御して、キャリアアンプ２０の出力信号及びピークアンプ３０の出力信号をλ／４伝送線路４０−２に供給し、増幅動作を行う。これにより、周波数帯域Ｂ２において、効率が最大化（最適化）される。よって、関連技術に係るドハティ増幅器９は、周波数帯域Ｂ１及び周波数帯域Ｂ２にわたって高い効率が得られるため、広帯域化が実現可能となる。
In the Doherty
なお、図１に示される関連技術に係るドハティ増幅器９のように、出力段に複数のλ／４伝送線路を設け、キャリアアンプ及びピークアンプに接続するλ／４伝送線路を切り替えるドハティ増幅器は、例えば、特許文献１に開示されている。
As in the Doherty
しかし、図１に示される関連技術に係るドハティ増幅器は、広帯域化を実現することはできるものの、広帯域化の実現のためには、出力段に複数のλ／４伝送線路を設ける必要があるため、回路規模が大きくなってしまうという問題がある。 However, although the Doherty amplifier according to the related art shown in FIG. 1 can realize a wide band, it is necessary to provide a plurality of λ / 4 transmission lines in an output stage in order to realize a wide band. However, there is a problem that the circuit scale becomes large.
そこで本開示の目的は、上述した課題を解決し、回路規模を大きくすることなく、広帯域化を実現可能な増幅器を提供することにある。 Therefore, an object of the present disclosure is to solve the above-described problem and to provide an amplifier that can realize a wide band without increasing the circuit scale.
一態様による増幅器は、
第１のＦＥＴ（Field Effect Transistor）で構成された第１の増幅回路と、
前記第１の増幅回路に並列に接続され、第２のＦＥＴで構成された第２の増幅回路と、
前記第１のＦＥＴのソースに接続され、インダクタンスが可変である第１のインダクタンス可変回路と、
前記第２のＦＥＴのソースに接続され、インダクタンスが可変である第２のインダクタンス可変回路と、
を備える。
An amplifier according to one aspect comprises:
A first amplifier circuit composed of a first FET (Field Effect Transistor);
A second amplifier circuit connected in parallel to the first amplifier circuit and configured by a second FET;
A first inductance variable circuit connected to the source of the first FET and having a variable inductance;
A second inductance variable circuit connected to a source of the second FET and having a variable inductance;
Is provided.
上述の態様によれば、回路規模を大きくすることなく、広帯域化を実現可能な増幅器を提供できるという効果が得られる。 According to the above aspect, it is possible to provide an amplifier capable of realizing a wide band without increasing the circuit scale.
以下、図面を参照して本開示の実施の形態について説明する。
＜実施の形態１＞
以下、図２を参照して、本実施の形態１に係るドハティ増幅器１の構成について説明する。図２は、本実施の形態１に係るドハティ増幅器１の構成例を示す図である。
Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described with reference to the drawings.
<First Embodiment>
Hereinafter, the configuration of the
図２に示されるように、本実施の形態１に係るドハティ増幅器１は、関連技術に係るドハティ増幅器９と比較して、キャリアアンプ２０を構成するＦＥＴのソースにインダクタンス可変回路２６を接続した点と、ピークアンプ３０を構成するＦＥＴのソースにインダクタンス可変回路３６を接続した点と、λ／４伝送線路４０−１，４０−２及びスイッチ５０−１，５０−２を、λ／４伝送線路４０に置き換えた点と、が異なる。インダクタンス可変回路２６は、第１のインダクタンス可変回路の一例であり、インダクタンス可変回路３６は、第２のインダクタンス可変回路の一例である。以下、本実施の形態１に係るドハティ増幅器１について、関連技術に係るドハティ増幅器９と異なる点を中心に説明する。
As shown in FIG. 2, the
インダクタンス可変回路２６は、インダクタンスが可変である可変インダクタ２６１を含む。可変インダクタ２６１は、一端がキャリアアンプ２０を構成するＦＥＴのソースに接続され、他端がグランドに接続されている。可変インダクタ２６１は、第１の可変インダクタの一例である。
The
インダクタンス可変回路３６は、インダクタンスが可変である可変インダクタ３６１を含む。可変インダクタ３６１は、一端がピークアンプ３０を構成するＦＥＴのソースに接続され、他端がグランドに接続されている。可変インダクタ３６１は、第２の可変インダクタの一例である。
The
λ／４伝送線路４０は、キャリアアンプ２０を構成するＦＥＴのドレインにＤＣブロックコンデンサ２５を介して接続されると共に、及びピークアンプ３０を構成するＦＥＴのドレインにＤＣブロックコンデンサ３５を介して接続され、キャリアアンプ２０の出力信号及びピークアンプ３０の出力信号が供給される。キャリアアンプ２０の出力信号は、λ／４伝送線路４０を通過した後に、ピークアンプ３０の出力信号と合成される。この合成信号は、出力端子ＯＵＴを介して出力される。
The λ / 4
可変インダクタ２６１，３６１は、ドハティ増幅器１を使用する周波数帯域に応じて、インダクタンスが制御される。また、可変インダクタ２６１，３６１は、互いに同じインダクタンスになるように制御される。
The inductance of the
なお、可変インダクタ２６１，３６１は、不図示の制御部からの制御信号により上記のように制御されるものとする。この制御部は、ドハティ増幅器１の内部に設けても良いし、外部に設けても良い。
The
可変インダクタ２６１のインダクタンスを変更すると、キャリアアンプ２０を構成するＦＥＴの出力インピーダンスが変化する。同様に、可変インダクタ３６１のインダクタンスを変更すると、ピークアンプ３０を構成するＦＥＴの出力インピーダンスが変化する。そのため、ドハティ増幅器１を使用する周波数帯域に応じて、可変インダクタ２６１，３６１のインダクタンスを制御することで、キャリアアンプ２０及びピークアンプ３０を構成するＦＥＴの出力インピーダンスが変化し、それにより、その周波数帯域において、効率を最大化（最適化）することが可能となる。
When the inductance of the
ここで、図３を参照して、本実施の形態１に係るドハティ増幅器１の周波数に対する効率特性について説明する。図３は、本実施の形態１に係るドハティ増幅器１の周波数に対する効率特性の例を示す図である。なお、図３は、ドハティ増幅器１を、２つの周波数帯域Ｂ１，Ｂ２のいずれかで使用する例を示している。
Here, with reference to FIG. 3, the efficiency characteristic with respect to frequency of the
図３に示されるように、ドハティ増幅器９を周波数帯域Ｂ１で使用する場合、可変インダクタ２６１，３６１のインダクタンスの値Ｌが共にＬ１になるように制御し、増幅動作を行う。これにより、周波数帯域Ｂ１において、効率が最大化（最適化）される。また、ドハティ増幅器９を周波数帯域Ｂ２で使用する場合、可変インダクタ２６１，３６１のインダクタンスの値Ｌが共にＬ２になるように制御し、増幅動作を行う。これにより、周波数帯域Ｂ２において、効率が最大化（最適化）される。よって、周波数帯域Ｂ１及び周波数帯域Ｂ２にわたって高い効率が得られるため、広帯域化が実現可能となる。なお、図３において、Ｌ１，Ｌ２の大小は、Ｌ１＞Ｌ２のケースもあり、Ｌ１＜Ｌ２のケースもある。
As shown in FIG. 3, when the
上述のように本実施の形態１に係るドハティ増幅器１は、キャリアアンプ２０を構成するＦＥＴのソースに可変インダクタ２６１を接続し、ピークアンプ３０を構成するＦＥＴのソースに可変インダクタ３６１を接続する構成となっている。
As described above, the
そのため、本実施の形態１に係るドハティ増幅器１は、ドハティ増幅器１を使用する周波数帯域に応じて、可変インダクタ２６１，３６１のインダクタンスを制御することで、キャリアアンプ２０及びピークアンプ３０を構成するＦＥＴの出力インピーダンスを変化させることが可能となり、それにより、その周波数帯域において、効率を最大化（最適化）することが可能となる。よって、本実施の形態１に係るドハティ増幅器１は、広い周波数帯域にわたって高い効率が得られるため、広帯域化が実現可能となる。
Therefore, the
また、本実施の形態１に係るドハティ増幅器１は、上記の構成で広帯域化が実現可能であるため、出力段に１つのλ／４伝送線路４０を設ければ良く、関連技術に係るドハティ増幅器９のように、λ／４伝送線路４０を複数設ける必要はない。よって、本実施の形態１に係るドハティ増幅器１は、回路規模を大きくすることなく、広帯域化が実現可能となる。
In addition, the
＜実施の形態２＞
以下、図４を参照して、本実施の形態２に係るドハティ増幅器２の構成について説明する。図４は、本実施の形態２に係るドハティ増幅器２の構成例を示す図である。
<
Hereinafter, the configuration of the
図４に示されるように、本実施の形態２に係るドハティ増幅器２は、実施の形態１に係るドハティ増幅器１と比較して、インダクタンス可変回路２６，３６を、インダクタンス可変回路２６Ａ，３６Ａに置き換えた点が異なる。インダクタンス可変回路２６Ａは、第１のインダクタンス可変回路の一例であり、インダクタンス可変回路３６Ａは、第２のインダクタンス可変回路の一例である。以下、本実施の形態２に係るドハティ増幅器２について、実施の形態１に係るドハティ増幅器１と異なる点を中心に説明する。
As shown in FIG. 4, the
インダクタンス可変回路２６Ａは、互いにインダクタンスが異なる２つのインダクタ２６２−１，２６２−２（以下、インダクタ２６２−１，２６２−２を特に区別することなく言及する場合には、単に「インダクタ２６２」と呼ぶことがある）と、キャリアアンプ２０を構成するＦＥＴのソースを、インダクタ２６２−１，２６２−２のいずれかに選択的に接続するスイッチ２６３と、を含む。インダクタ２６２は、第１のインダクタの一例であり、スイッチ２６３は、第１のスイッチの一例である。なお、インダクタ２６２−１，２６２−２の、スイッチ２６３と接続されない側の他端は、グランドに接続されている。また、図４においては、２つのインダクタ２６２−１，２６２−２を設けているが、インダクタ２６２の数は複数であれば良く、２つには限定されない。
Inductance
インダクタンス可変回路３６Ａは、互いにインダクタンスが異なる２つのインダクタ３６２−１，３６２−２（以下、インダクタ３６２−１，３６２−２を特に区別することなく言及する場合には、単に「インダクタ３６２」と呼ぶことがある）と、ピークアンプ３０を構成するＦＥＴのソースを、インダクタ３６２−１，３６２−２のいずれかに選択的に接続するスイッチ３６３と、を含む。インダクタ３６２は、第２のインダクタの一例であり、スイッチ３６３は、第２のスイッチの一例である。なお、インダクタ３６２−１，３６２−２の、スイッチ３６３と接続されない側の他端は、グランドに接続されている。また、図４においては、２つのインダクタ３６２−１，３６２−２を設けているが、インダクタ３６２の数は複数であれば良く、２つには限定されない。
The
スイッチ２６３は、ドハティ増幅器２を使用する周波数帯域に応じて、選択するインダクタ２６２が制御される。また、スイッチ３６３は、ドハティ増幅器２を使用する周波数帯域に応じて、選択するインダクタ３６２が制御される。
The
また、インダクタンス可変回路２６Ａが備える２つのインダクタ２６２−１，２６２−２のインダクタンスの組み合わせと、インダクタンス可変回路３６Ａが備える２つのインダクタ３６２−１，３６２−２のインダクタンスの組み合わせと、は互いに同じである。すなわち、本実施の形態２においては、２つのインダクタ２６２−１，２６２−２は、インダクタンスの値がそれぞれＬ１，Ｌ２であり、これと同様に、２つのインダクタ３６２−１，３６２−２も、インダクタンスの値がそれぞれＬ１，Ｌ２である。
The combination of the inductances of the two inductors 262-1 and 262-2 included in the
また、スイッチ２６３が選択するインダクタ２６２と、スイッチ３６３が選択するインダクタ３６２と、は互いに同じインダクタンスになるように制御される。すなわち、本実施の形態２においては、例えば、スイッチ２６３が、ドハティ増幅器２を使用する周波数帯域に応じて、インダクタンスの値がＬ１のインダクタ２６２−１を選択する場合は、スイッチ３６３も、インダクタンスの値がＬ１のインダクタ３６２−１を選択するように制御される。
The
なお、スイッチ２６３，３６３は、不図示の制御部からの制御信号により上記のように制御されるものとする。この制御部は、ドハティ増幅器２の内部に設けても良いし、外部に設けても良い。
The
スイッチ２６３が選択するインダクタ２６２を変更すると、キャリアアンプ２０を構成するＦＥＴの出力インピーダンスが変化する。同様に、スイッチ３６３が選択するインダクタ３６２を変更すると、ピークアンプ３０を構成するＦＥＴの出力インピーダンスが変化する。そのため、ドハティ増幅器２を使用する周波数帯域に応じて、スイッチ２６３，３６３の選択を制御することで、キャリアアンプ２０及びピークアンプ３０を構成するＦＥＴの出力インピーダンスが変化し、それにより、その周波数帯域において、効率を最大化（最適化）することが可能となる。
When the
本実施の形態２に係るドハティ増幅器２は、２つのインダクタ２６２−１，２６２−２及び２つのインダクタ３６２−１，３６２−２を備えるため、例えば、図３に示されるように、ドハティ増幅器２を２つの周波数帯域Ｂ１，Ｂ２のいずれかで使用する場合に適用される。
Since the
図３の例において、ドハティ増幅器９を周波数帯域Ｂ１で使用する場合、スイッチ２６３，３６３が、インダクタンスの値がＬ１のインダクタ２６２−１，３６２−１をそれぞれ選択するように制御し、増幅動作を行う。これにより、周波数帯域Ｂ１において、効率が最大化（最適化）される。また、ドハティ増幅器９を周波数帯域Ｂ２で使用する場合、スイッチ２６３，３６３が、インダクタンスの値がＬ２のインダクタ２６２−１，３６２−１をそれぞれ選択するように制御し、増幅動作を行う。これにより、周波数帯域Ｂ２において、効率が最大化（最適化）される。よって、周波数帯域Ｂ１及び周波数帯域Ｂ２にわたって高い効率が得られるため、広帯域化が実現可能となる。
In the example of FIG. 3, when the
上述のように本実施の形態２に係るドハティ増幅器２は、キャリアアンプ２０を構成するＦＥＴのソースを、スイッチ２６３により、互いにインダクタンスが異なる２つのインダクタ２６２−１，２６２−２のいずれかに選択的に接続し、また、ピークアンプ３０を構成するＦＥＴのソースを、スイッチ３６３により、互いにインダクタンスが異なる２つのインダクタ３６２−１，３６２−２のいずれかに選択的に接続する構成となっている。
As described above, in the
そのため、本実施の形態２に係るドハティ増幅器２は、ドハティ増幅器２を使用する周波数帯域に応じて、スイッチ２６３，３６３の選択を制御することで、キャリアアンプ２０及びピークアンプ３０を構成するＦＥＴの出力インピーダンスを変化させることが可能となり、それにより、その周波数帯域において、効率を最大化（最適化）することが可能となる。よって、本実施の形態２に係るドハティ増幅器２は、実施の形態１に係るドハティ増幅器１と同様に、広帯域化が実現可能となる。
For this reason, the
また、本実施の形態２に係るドハティ増幅器２は、上記の構成で広帯域化が実現可能であるため、出力段に１つのλ／４伝送線路４０を設ければ良い。よって、本実施の形態２に係るドハティ増幅器２は、実施の形態１に係るドハティ増幅器１と同様に、回路規模を大きくすることなく、広帯域化が実現可能となる。
Further, the
＜実施の形態の変形例＞
上記の実施の形態１，２においては、ドハティ増幅器を２つの周波数帯域で使用する例について説明したが、本開示はこれには限定されない。本開示は、ドハティ増幅器を３つ以上の周波数帯域で使用する場合にも適用可能である。この場合、上記の実施の形態２においては、使用する周波数帯域の数分のインダクタ２６２，３６２を設ければ良い。
<Modification of Embodiment>
In the first and second embodiments, an example has been described in which the Doherty amplifier is used in two frequency bands, but the present disclosure is not limited to this. The present disclosure is also applicable to a case where the Doherty amplifier is used in three or more frequency bands. In this case, in the second embodiment,
また、上記の実施の形態１，２においては、ドハティ増幅器を例に挙げて説明したが、本開示はこれには限定されない。本開示は、ドハティ増幅器以外の増幅器にも適用可能である。 Further, in the first and second embodiments, the description has been given by taking the Doherty amplifier as an example, but the present disclosure is not limited to this. The present disclosure is also applicable to amplifiers other than the Doherty amplifier.
＜実施の形態の概念＞
以下、図５を参照して、上記の実施の形態１，２に係るドハティ増幅器１，２を概念的に示した構成について説明する。図５は、上記の実施の形態１，２に係るドハティ増幅器１，２を概念的に示した増幅器３の構成例を示す図である。
<Concept of Embodiment>
Hereinafter, a configuration conceptually showing the
図５に示されるように、増幅器３は、第１の増幅回路６０、第１のインダクタンス可変回路６１、第２の増幅回路７０、及び、第２のインダクタンス可変回路７１を備えている。
As shown in FIG. 5, the
第１の増幅回路６０は、ＦＥＴ（第１のＦＥＴ）で構成された増幅回路である。第１の増幅回路６０は、キャリアアンプ２０に相当する。
第２の増幅回路７０は、第１の増幅回路６０に並列に接続され、ＦＥＴ（第２のＦＥＴ）で構成された増幅回路である。第２の増幅回路７０は、ピークアンプ３０に相当する。
The
The
第１のインダクタンス可変回路６１は、第１の増幅回路６０を構成するＦＥＴのソースに接続され、インダクタンスが可変の回路である。第１のインダクタンス可変回路６１は、インダクタンス可変回路２６，２６Ａに相当する。
The first
第２のインダクタンス可変回路７１は、第２の増幅回路７０を構成するＦＥＴのソースに接続され、インダクタンスが可変の回路である。第２のインダクタンス可変回路７１は、インダクタンス可変回路３６，３６Ａに相当する。
The second
以上、実施の形態を参照して本開示を説明したが、本開示は上記の実施の形態に限定されるものではない。本開示の構成や詳細には、本開示のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。 As described above, the present disclosure has been described with reference to the embodiments, but the present disclosure is not limited to the above embodiments. Various changes that can be understood by those skilled in the art can be made to the configuration and details of the present disclosure within the scope of the present disclosure.
１，２ ドハティ増幅器
１０ 電力分配器
２０ キャリアアンプ
２２，２５ ＤＣブロックコンデンサ
２３，２４ チョークコイル
２６，２６Ａ インダクタンス可変回路
２６１ 可変インダクタ
２６２−１，２６２−２ インダクタ
２６３ スイッチ
３０ ピークアンプ
３１ λ／４伝送線路
３２，３５ ＤＣブロックコンデンサ
３３，３４ チョークコイル
３６，３６Ａ インダクタンス可変回路
３６１ 可変インダクタ
３６２−１，３６２−２ インダクタ
３６３ スイッチ
４０ λ／４伝送線路
３ 増幅器
６０ 第１の増幅回路
６１ 第１のインダクタンス可変回路
７０ 第２の増幅回路
７１ 第２のインダクタンス可変回路
1, 2
Claims (8)
前記第１の増幅回路に並列に接続され、第２のＦＥＴで構成された第２の増幅回路と、
前記第１のＦＥＴのソースに接続され、インダクタンスが可変である第１のインダクタンス可変回路と、
前記第２のＦＥＴのソースに接続され、インダクタンスが可変である第２のインダクタンス可変回路と、
を備える増幅器。 A first amplifier circuit composed of a first FET (Field Effect Transistor);
A second amplifier circuit connected in parallel to the first amplifier circuit and configured by a second FET;
A first inductance variable circuit connected to the source of the first FET and having a variable inductance;
A second inductance variable circuit connected to a source of the second FET and having a variable inductance;
An amplifier comprising:
前記第２のインダクタンス可変回路は、インダクタンスが可変である第２の可変インダクタを含む、
請求項１に記載の増幅器。 The first inductance variable circuit includes a first variable inductor having a variable inductance,
The second variable inductance circuit includes a second variable inductor having a variable inductance.
The amplifier according to claim 1.
前記増幅器を使用する周波数帯域に応じて、インダクタンスが制御される、
請求項２に記載の増幅器。 The first variable inductor and the second variable inductor are:
The inductance is controlled according to the frequency band in which the amplifier is used.
The amplifier according to claim 2.
互いに同じインダクタンスになるように制御される、
請求項３に記載の増幅器。 The first variable inductor and the second variable inductor are:
Are controlled so that they have the same inductance,
The amplifier according to claim 3.
互いにインダクタンスが異なる複数の第１のインダクタと、
前記第１のＦＥＴのソースを、前記複数の第１のインダクタのいずれかに選択的に接続する第１のスイッチと、を含み、
前記第２のインダクタンス可変回路は、
互いにインダクタンスが異なる複数の第２のインダクタと、
前記第２のＦＥＴのソースを、前記複数の第２のインダクタのいずれかに選択的に接続する第２のスイッチと、を含む、
請求項１に記載の増幅器。 The first inductance variable circuit includes:
A plurality of first inductors having different inductances from each other;
A first switch for selectively connecting a source of the first FET to any of the plurality of first inductors;
The second inductance variable circuit includes:
A plurality of second inductors having different inductances from each other;
A second switch for selectively connecting a source of the second FET to one of the plurality of second inductors.
The amplifier according to claim 1.
前記増幅器を使用する周波数帯域に応じて、選択する前記第１のインダクタが制御され、
前記第２のスイッチは、
前記増幅器を使用する周波数帯域に応じて、選択する前記第２のインダクタが制御される、
請求項５に記載の増幅器。 The first switch includes:
The first inductor to be selected is controlled according to a frequency band in which the amplifier is used,
The second switch is
The second inductor to be selected is controlled according to a frequency band in which the amplifier is used.
The amplifier according to claim 5.
前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチは、
前記第１のスイッチが選択する前記第１のインダクタと、前記第２のスイッチが選択する前記第２のインダクタと、が互いに同じインダクタンスになるように制御される、
請求項６に記載の増幅器。 A combination of each of the plurality of first inductors and a combination of each of the plurality of second inductors are the same,
The first switch and the second switch include:
The first inductor selected by the first switch and the second inductor selected by the second switch are controlled to have the same inductance.
The amplifier according to claim 6.
前記第１の増幅回路としてキャリアアンプを備えると共に、前記第２の増幅回路としてピークアンプを備えるドハティ増幅器である、
請求項１から７のいずれか１項に記載の増幅器。 The amplifier comprises:
A Doherty amplifier including a carrier amplifier as the first amplifier circuit and a peak amplifier as the second amplifier circuit.
The amplifier according to any one of claims 1 to 7.
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2018
- 2018-07-24 JP JP2018138185A patent/JP2020017812A/en active Pending
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