JP2020016508A - 放射線検出器 - Google Patents
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Abstract
Description
図1の断面図部分で示すように、X線検出器1は、X線2(2a、2b)の有感層である半導体基板3と、半導体基板3の両面に形成された電極4、9からなる。半導体基板3のX線入射面(放射線入射側)には、表面電極4(4a、4b)が複数配置されている。X線検出器1は、CMOSやCCDのような、Si基板を用いた2次元の半導体素子である。表面電極4は、電流計5(5a,5b)、電圧源6(6a,6b)を通してアースに接続されている。電圧源6a、6bは、共通化してもよい。X線2aが入射し、半導体基板3で光電吸収されると、光電効果によりX線のエネルギーに対応した数の光電子7が発生する。光電子7は、半導体基板3内を電子11と正孔12を生成しながら移動し、全エネルギーを失い停止する。発生した電子11と正孔12の数は、光電子のエネルギーに比例するため、電子数または正孔数が分かれば、入射X線エネルギーが分かる。半導体基板3には電圧源6を通して電場が形成されているので、正孔はX線2aの入射面に移動し、電流計5aを通してアースに流れ、検出された時刻Taと電流Iaが記録される。一方、電子11はX線2aの入射面と反対面に移動し、マトリクス状に配置されたコンデンサー(電荷蓄積部)8に蓄積される。X線2の入射面の反対面(放射線入射側に対向する側)には、裏面電極9が形成されアースに繋がっており、コンデンサー8に蓄積された量の電子と同数の正孔がアースから裏面電極9に供給される。コンデンサー8に蓄積された電子数と表面電極4aに流れた正孔数は同数なので、コンデンサー8に蓄積された電子数は、電流量Iaから計測される。更に、X線2aが入射する前にX線2bが入射し、コンデンサー8bに電子が蓄積されているが、X線2aと同様に、電流計5bでX線2bの入射時刻Tbと電流Ibが記録されている。
〔1〕 X線入射の領域の画像だけを読み出すことができるため、読み出し時間の短縮化と、読み出していない画素では、読み出し中も継続的に測定ができる。
〔2〕 実時間でX線が入射したことが検知されるので、X線入射後直ちに、その位置が求められる他、不必要な画像読み出しがなくなる。
〔3〕 電極4に流れる電流を積算することで、必要な露光量に達したか否かが判定できるので、実時間で露光時間を決定できる。
図3に示すように、本実施形態では、表面電極4と裏面電極9との両方を、短冊状に分割し、かつ長手方向で互いに直交させて配置する。表面電極4と裏面電極9とに流れる電流を、それぞれ測定することにより、その交点にX線が入射したことがわかるので、実時間でX線入射位置を高精度で特定できる。
図4に示すように、本実施形態では、表面電極4に代えて、4つの角を有する形状の抵抗層13を配置する。これは、いわゆるPosition Sensitive Device(PSD)と呼ばれる。X線の入射位置に応じて、抵抗層13の各角に接続された信号線に流れる電流(IX1,IX2,Iy1,Iy2)が変化することを利用して、X線の入射位置を測定するものである。図4では2次元のPSDを示したが、どちらかの相対する辺に端子を付けて、1次元のPSDとしてもよい。
実施形態1〜3では、直接変換型の検出器で説明したが、間接型の検出器でもよい。図5に示すように、X線の入射面には、可視光を透過する電極4が設けられ、電極4の表面にシンチレータが配置されることにより、X線は可視光に変換される。シンチレータとしては、CsIのような柱状結晶やシンチレーションファイバーが好適である。
本実施形態は、本発明に係る放射線検出器を用いたコンプトンカメラである。図6に示すように、第1検出器1は、ガンマ線を散乱させる散乱体として機能し、散乱位置と散乱で失うエネルギー(反跳電子のエネルギー)とを測定する。第2検出器21は、散乱ガンマ線の吸収位置とエネルギーとを測定する。第2検出器は、第1検出器の裏面電極側に配置されている。1回のコンプトン散乱で、入射ガンマ線の方向を算出するために、第1と第2の検出器での測定データの対応を取る必要がある。そのため、第1検出器1に、本発明に係る放射線検出器を適用するものである。
実施形態5では、散乱ガンマ線23がシンチレータ24で光電吸収されるとしたが、シンチレータ24でコンプトン散乱する場合がある。その場合、シンチレータ24内で反跳電子と散乱ガンマ線が発生し、反跳電子のエネルギーが光電子増倍管に入射し記録され、散乱ガンマ線のエネルギーは外部へ放出される。更に、第1検出器1でコンプトン散乱を起こした際に発生する反跳電子が、第1検出器1内で停止せずに外部に出ていく場合がある。このような場合、測定された反跳電子又は散乱ガンマ線のエネルギーが不正確であるため、入射ガンマ線の方向が正しく求められない。そこで、第1検出器1と第2検出器21とで得られた反跳電子のエネルギーEeと散乱ガンマ線のエネルギーEgの和が、入射ガンマ線のエネルギーE0に、測定誤差範囲内で等しくならない場合、即ち、
(1)実施形態1〜4では、以下の形態を含む。
〔1〕 電極に流れる電流または電極にかかる電圧が、予め決められた値を超えたときに露光を終了する、又は2次元画像を読み出す。これにより、一定値以下の信号は、反跳電子の個数が所定の値に達したときに、2次元画像を読み出すことができ、不要な読み出しを回避できる。更に、ノイズレベル以下信号を無視できる。
〔2〕 表面電極6を分割せずに電流を測定するだけでもよく、電流Iaとコンデンサー蓄積電荷量から、各X線の入射時刻がわかる。
〔3〕 表面電極の代わりに裏面電極9に流れる電流と時刻を測定してもよい。
〔4〕 電極に流れる電流を測定するために電圧を測定してもよい。更に、個々のX線エネルギーは小さいため、所定のX線量入射後画像を読み出す場合、放射線測定器の前置増幅器の様に、個々のX線によって発生した電圧値を積分し、所定の電圧に達した後画像を読み出してもよい。
2a・2b ガンマ線
3 半導体基板
4 電極
8 コンデンサー
Claims (9)
- 半導体基板と、前記半導体基板の両面に配置された電極とを有する放射線検出器であって、
前記半導体基板に入射した放射線により生成された電荷を蓄積する電荷蓄積部を、前記半導体基板の内部に複数有し、
前記電荷蓄積部に蓄積された電荷は、少なくとも一方の前記電極を通して、外部に読出し可能であることを特徴とする放射線検出器。 - 前記半導体基板の両面に配置された電極は、前記半導体基板の放射線入射側に配置された表面電極と、前記半導体基板の放射線入射側と対向する側に配置された裏面電極とからなり、前記表面電極は、複数配置され、各電極は、それぞれ電流計に接続されている請求項1に記載の放射線検出器。
- 前記表面電極と前記電荷蓄積部とは、それぞれの位置関係が対応付けされ、
前記表面電極の各々に電流が流れた時刻を計測することにより、前記表面電極の各々への放射線の入射時刻が特定される請求項2に記載の放射線検出器。 - 前記裏面電極は、複数配置され、前記表面電極とは、その長手方向が直交するように配置されている請求項2に記載の放射線検出器。
- 前記表面電極は、4つの角を有する形状の抵抗層であり、前記4つの角のうち、互いに対向する少なくとも2つの角には、信号線が接続されている請求項1に記載の放射線検出器。
- 前記表面電極の表面には、シンチレータが配置され、前記放射線は可視光である請求項1に記載の放射線検出器。
- 請求項1〜6の何れか1項に記載の放射線検出器と、
前記放射線検出器の前記裏面電極側に配置された第2の放射線検出器とからなるコンプトンカメラであって、
前記放射線検出器は、入射した放射線のコンプトン散乱により発生する反跳電子のエネルギーを検出し、
前記第2の放射線検出器は、前記コンプトン散乱による散乱ガンマ線のエネルギーを検出し、
前記反跳電子のエネルギーと前記散乱ガンマ線のエネルギーとから、入射した放射線の入射方向を特定し、画像化するコンプトンカメラ。 - 前記電極に流れる電流又は前記電極にかかる電圧が、予め決められた値を超えたときに露光を終了する請求項7に記載のコンプトンカメラ。
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