JP2020013130A - 基板処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】パーティクルや汚染物の発生を抑制し、基板処理効率を向上させることができる基板処理方法を提供する。【解決手段】本発明の基板処理方法は、露光処理及びポストベーク処理された基板に対して現像流体を塗布して現像処理する段階と、現像処理された基板に対してリンス流体を塗布する段階と、リンス流体が塗布された基板を高圧チャンバーに移動させて超臨界流体を利用して処理する段階と、を遂行する。【選択図】図６

Description

本発明は基板処理方法に関する。
半導体素子又は液晶ディスプレイを製造するために、基板にフォトリソグラフィー、蝕刻、アッシング、イオン注入、薄膜蒸着、及び洗浄等の多様な工程が遂行される。この中で写真工程は基板上に望む回路パタ−ンを形成するための工程であって、塗布工程、露光工程、及び現像工程が順次的に進行される。塗布工程には基板上にフォトレジストのような感光液を塗布し、露光工程には感光膜が形成された基板上に回路パタ−ンを露光し、現像工程には基板上に露光処理された領域を選択的に現像処理する。以後、基板は現像工程で使用された現像流体を基板から除去した後、基板を乾燥させる（たとえば特許文献１参照）。
韓国特許第１０−１４２２３３２号公報
本発明の一目的はパーティクルや汚染物の発生を抑制し、基板処理効率を向上させることができる基板処理方法を提供することにある。
本発明は基板処理方法を提供する。一実施形態によれば、基板処理方法は、露光処理及びポストベーク処理された基板に対して現像流体を塗布して現像処理する段階と、現像処理された基板に対してリンス流体を塗布する段階と、前記リンス流体が塗布された基板を高圧チャンバーに移動させて超臨界流体を利用して処理する段階と、を遂行する。
一例によれば、前記リンス流体はフルオロ化水素エーテル（ＨＹＤＲＯＦＬＵＯＲＯＥＴＨＥＲ；ＨＦＥ）である。
一例によれば、前記リンス流体はＮ−ブチルアセテート（Ｎ−ＢＵＴＹＬ ＡＣＥＴＡＴＥ）である。
一例によれば、前記リンス流体は２−ヘプタノン（２−ＨＥＰＴＡＮＯＮＥ）である。
一例によれば、前記リンス流体はイソプロパノールアルコール（ＩＰＡ）である。
一例によれば、前記現像流体はネガティブ感光液の現像に使用される。
一例によれば、前記現像流体はＮ−ブチルアセテート（Ｎ−ＢＵＴＹＬ ＡＣＥＴＡＴＥ）又はイソプロパノールアルコール（ＩＰＡ）である。
一例によれば、前記超臨界流体は二酸化炭素である。
他の実施形態によれば、基板処理方法は、露光処理及びポストベーク処理された基板を第１チャンバーに移送する段階と、前記第１チャンバーで現像流体を塗布して現像処理する段階と、前記現像処理された基板を第２チャンバーに移送する段階と、前記第２チャンバーでリンス流体を塗布する段階と、前記リンス流体が塗布された基板を高圧チャンバーに移動させる段階と、前記高圧チャンバーで超臨界流体を利用して処理する段階と、を遂行する。
一例によれば、前記リンス流体はフルオロ化水素エーテル（ＨＹＤＲＯＦＬＵＯＲＯＥＴＨＥＲ；ＨＦＥ）、Ｎ−ブチルアセテート（Ｎ−ＢＵＴＹＬ ＡＣＥＴＡＴＥ）、２−ヘプタノン（２−ＨＥＰＴＡＮＯＮＥ）、又はイソプロパノールアルコール（ＩＰＡ）の中から選択される。
一例によれば、前記現像流体はＮ−ブチルアセテート（Ｎ−ＢＵＴＹＬ ＡＣＥＴＡＴＥ）又はイソプロパノールアルコール（ＩＰＡ）である。
本発明によれば、パーティクルや汚染物発生を抑制し、基板処理効率を向上させることができる。
本発明の一実施形態に係る基板処理装置を示す平面図である。 図１の第１液処理チャンバーの断面図である。 図１の第２液処理チャンバーの一実施形態の断面図である。 図１の液処理チャンバーの他の実施形態に係る断面図である。 図１の高圧チャンバーの一実施形態の断面図である。 一実施形態に係って基板が処理される過程を示す図面である。 他の実施形態に係って基板が処理される過程を示す図面である。
以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してより詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形態に変形でき、本発明の範囲は以下の実施形態に限定されない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されている。
図１は本発明の一実施形態に係る基板処理装置を示す平面図である。本発明に係る基板処理装置１００を説明する。ここで、基板Ｓは半導体素子や平板ディスプレイ（ＦＰＤ：ＦＬＡＴ ＰＡＮＥＬ ＤＩＳＰＬＡＹ）及びその他の薄膜に回路パターンが形成された物の製造に利用される基板を全て含む包括的な概念である。このような基板Ｓの例としては、シリコンウエハー、ガラス基板、有機基板等がある。外部から基板処理装置１００に搬入される基板Ｓは感光液塗布工程、露光工程、ポストベーク工程が遂行された状態である。
基板処理装置１００はインデックスモジュール１０００と工程モジュール２０００を含む。
インデックスモジュール１０００は外部から基板Ｓが搬送されて工程モジュール２０００に基板Ｓを搬送する。工程モジュール２０００は基板に対して洗浄及び乾燥工程を遂行する。
インデックスモジュール１０００は設備前方端部モジュール（ＥＦＥＭ：ＥＱＵＩＰＭＥＮＴ ＦＲＯＮＴ ＥＮＤ ＭＯＤＵＬＥ）として、ロードポート１１００と移送フレーム１２００を含む。
ロードポート１１００には基板Ｓが収容される容器Ｃが置かれる。容器Ｃとしては前面開放一体形ポッド（ＦＯＵＰ：ＦＲＯＮＴ ＯＰＥＮＩＮＧ ＵＮＩＦＩＥＤ ＰＯＤ）を使用できる。容器Ｃはオーバーヘッドトランスファー（ＯＨＴ：ＯＶＥＲＨＥＡＤ ＴＲＡＮＳＦＥＲ）によって外部からロードポート１１００に搬入されるか、あるいはロードポート１１００から外部へ搬出できる。
移送フレーム１２００はロードポート１１００に置かれた容器Ｃと工程モジュール２０００との間に基板Ｓを移送する。移送フレーム１２００はインデックスロボット１２１０とインデックスレール１２２０を含む。インデックスロボット１２１０はインデックスレール１２２０上で移動し、基板Ｓを搬送する。
工程モジュール２０００はバッファチャンバー２１００、移送チャンバー２２００、液処理チャンバー３０００、及び高圧チャンバー４０００を含む。
バッファチャンバー２１００はインデックスモジュール１０００と工程モジュール２０００との間に搬送される基板Ｓが臨時的に留まる空間を提供する。バッファチャンバー２１００にはバッファスロットを提供できる。バッファスロットには基板Ｓが置かれる。例えば、インデックスロボット１２１０は基板Ｓを容器Ｃから引き出してバッファスロットに置くことができる。移送チャンバー２２００の移送ロボット２２１０はバッファスロットに置かれる基板Ｓを引き出してこれを液処理チャンバー３０００や高圧チャンバー４０００に搬送する。バッファチャンバー２１００には複数のバッファスロットが提供されて複数の基板Ｓを置くことができる。
移送チャンバー２２００はその周囲に配置されたバッファチャンバー２１００、液処理チャンバー３０００、及び高圧チャンバー４０００の間に基板Ｓを伝達する。移送チャンバー２２００は移送ロボット２２１０と移送レール２２２０を含む。移送ロボット２２１０は移送レール２２２０上で移動し、基板Ｓを搬送する。
液処理チャンバー３０００と高圧チャンバー４０００は基板を処理する。液処理チャンバー３０００と高圧チャンバー４０００は移送チャンバー２２００の側面に配置される。例えば、液処理チャンバー３０００と高圧チャンバー４０００は移送チャンバー２２００の他の側面に互いに対向するように配置できる。
液処理チャンバー３０００は第１液処理チャンバー３０１０と、第２液処理チャンバー３０２０を含む。第１液処理チャンバー３０１０は基板Ｓに現像流体を塗布する。第２液処理チャンバー３０２０は基板Ｓにリンス流体を塗布する。第１液処理チャンバー３０１０と第２液処理チャンバー３０２０の配置は上述した例に限定されなく、基板処理装置１００のフットプリントや工程効率等を考慮して変更できる。
工程モジュール２０００には液処理チャンバー３０００と高圧チャンバー４０００を複数提供できる。液処理チャンバー３０００と高圧チャンバー４０００の配置は上述した例に限定されなく、基板処理装置１００のフットプリントや工程効率等を考慮して変更できる。例えば、複数の液処理チャンバー３０００と高圧チャンバー４０００は移送チャンバー２２００の側面に一列に配置されるか、上下に積層されて配置されるか、又はこれらの組み合わせによって配置できる。
基板処理装置１００は制御器（図２の５０００）によって制御できる。
図２は図１の第１液処理チャンバーの断面図である。第１液処理チャンバー３０１０は支持部材３１００、ノズル部材３２００、及び回収部材３３００を含む。
第１液処理チャンバー３０１０は露光及びポストベークされた基板に対して現像流体を塗布して基板Ｓを現像処理する。
支持部材３１００は基板Ｓを支持する。支持部材３１００は支持された基板Ｓを回転させることができる。支持部材３１００は支持プレート３１１０、支持ピン３１１１、チャックピン３１１２、回転軸３１２０、及び回転駆動器３１３０を含む。
支持プレート３１１０は基板Ｓと同一又は類似な形状の上面を有する。支持プレート３１１０の上面には支持ピン３１１１とチャックピン３１１２が提供される。支持ピン３１１１は基板Ｓの底面を支持する。チャックピン３１１２は支持された基板Ｓを固定できる。
支持プレート３１１０の下部には回転軸３１２０が連結される。回転軸３１２０は回転駆動器３１３０から回転力が伝達されて支持プレート３１１０を回転させる。したがって、支持プレート３１１０に安着された基板Ｓが回転できる。チャックピン３１１２は基板Ｓが正位置を離脱することを防止する。
ノズル部材３２００は基板Ｓに工程流体を噴射する。ノズル部材３２００はノズル３２１０、ノズルバー３２２０、ノズル軸３２３０、及びノズル軸駆動器３２４０を含む。
ノズル３２１０は支持プレート３１１０に安着された基板Ｓに現像流体を供給する。ノズル３２１０はノズルバー３２２０の一端の底面に形成される。ノズルバー３２２０はノズル軸３２３０に結合される。ノズル軸３２３０は昇降又は回転できるように提供される。ノズル軸駆動器３２４０はノズル軸３２３０を昇降又は回転させてノズル３２１０の位置を調節できる。ノズル３２１０は現像流体供給ライン３０１１と連結される。現像流体供給ライン３０１１は現像流体供給源３０１２に連結される。現像流体供給ライン３０１１にはバルブ３０１３が設置される。供給される現像流体はＮ−ブチルアセテート（Ｎ−ＢＵＴＹＬ ＡＣＥＴＡＴＥ）又はイソプロパノールアルコール（ＩＰＡ）である。
回収部材３３００は基板Ｓに供給された工程流体を回収する。ノズル部材３２００によって基板Ｓに工程流体が供給されれば、支持部材３１００は基板Ｓを回転させて基板Ｓの全領域に工程流体が均一に供給できる。基板Ｓが回転すれば、基板Ｓから工程流体が飛散する。飛散する工程流体は回収部材３３００によって回収できる。
回収部材３３００は回収筒３３１０、回収ライン３３２０、昇降バー３３３０、及び昇降駆動器３３４０を含む。
回収筒３３１０は支持プレート３１１０を囲む環形のリング形状に提供される。回収筒３３１０は複数提供できる。複数の回収筒３３１０は上部から見る時、順に支持プレート３１１０から遠くなるリング形状に提供される。支持プレート３１１０から遠い距離にある回収筒３３１０であるほど、その高さが高く提供される。回収筒３３１０の間の空間には基板Ｓから飛散される基板洗浄組成物が流れ込む回収口３３１１が形成される。回収筒３３１０の下面には回収ライン３３２０が形成される。
昇降バー３３３０は回収筒３３１０に連結される。昇降バー３３３０は昇降駆動器３３４０から動力が伝達されて回収筒３３１０を上下に移動させる。昇降バー３３３０は回収筒３３１０が複数である場合、最外側に配置された回収筒３３１０に連結できる。昇降駆動器３３４０は昇降バー３３３０を通じて回収筒３３１０を昇降させて複数の回収口３３１１の中で飛散する工程流体が流れ込む回収口３３１１を調節できる。
図３は図１の第２液処理チャンバーの一実施形態の断面図である。
第２液処理チャンバー３０２０の構成で第１液処理チャンバー３０１０と同一の構成は同一の参照番号を記載し、説明は図２の説明に置き換える。
第２液処理チャンバー３０２０は現像流体処理した基板Ｓに対してリンス流体を塗布する。ノズル３２１０は支持プレート３１１０に安着された基板Ｓにリンス流体を供給する。第２液処理チャンバー３０２０のノズル３２１０はリンス流体供給ライン３０２１と連結される。リンス流体供給ライン３０２１はリンス流体供給源３０２２に連結される。リンス流体供給ライン３０２１にはバルブ３０２３が設置される。供給されるリンス流体はフルオロ化水素エーテル（ＨＹＤＲＯＦＬＵＯＲＯＥＴＨＥＲ；ＨＦＥ）、Ｎ−ブチルアセテート（Ｎ−ＢＵＴＹＬ ＡＣＥＴＡＴＥ）、２−ヘプタノン（２−ＨＥＰＴＡＮＯＮＥ）、又はイソプロパノールアルコール（ＩＰＡ）の中から選択される。
図４は図１の液処理チャンバー３０００の他の実施形態に係る断面図である。
図４を参照すれば、図２の第１液処理チャンバー３０１０と図３の第２液処理チャンバー３０２０の機能は統合されて１つの液処理チャンバーで提供できる。
統合された液処理チャンバー３０００の構成で第１液処理チャンバー３０１０と同一の構成は同一の参照番号を記載し、説明は図２の説明に置き換える。
液処理チャンバー３０００は、露光処理及びポストベーク処理された基板Ｓに対して現像流体を塗布して現像処理した後、基板Ｓリンス流体を塗布する。
統合された液処理チャンバー３０００のノズル３２１０は液供給ライン３００１と連結される。液供給ライン３００１は現像流体供給ライン３０１１及びリンス流体供給ライン３０２１と連結される。現像流体供給ライン３０１１及びリンス流体供給ライン３０２１は所定の地点で接続されて液供給ライン３００１と連結される。現像流体供給ライン３０１１は現像流体供給源３０１２に連結される。リンス流体供給ライン３０２１はリンス流体供給源３０２２に連結される。現像流体供給ライン３０１１にはバルブ３０１３が設置され、リンス流体供給ライン３０２１にはバルブ３０２３が設置される。
供給される現像流体はＮ−ブチルアセテート（Ｎ−ＢＵＴＹＬ ＡＣＥＴＡＴＥ）又はイソプロパノールアルコール（ＩＰＡ）であり、供給されるリンス流体はフルオロ化水素エーテル（ＨＹＤＲＯＦＬＵＯＲＯＥＴＨＥＲ；ＨＦＥ）、Ｎ−ブチルアセテート（Ｎ−ＢＵＴＹＬ ＡＣＥＴＡＴＥ）、２−ヘプタノン（２−ＨＥＰＴＡＮＯＮＥ）、又はイソプロパノールアルコール（ＩＰＡ）の中から選択される。
図５は図１の高圧チャンバーの一実施形態の断面図である。
図５を参照すれば、高圧チャンバー４０００はチャンバー４１００、昇降ユニット４２００、支持ユニット（図示せず）、加熱部材４４００、流体供給ユニット４５００、遮断部材（図示せず）、及び排気部材４７００を含む。高圧チャンバー４０００は超臨界流体を利用して基板を処理する工程を遂行する。
チャンバー４１００は内部に超臨界洗浄又は乾燥工程が遂行される処理空間を提供する。チャンバー４１００は臨界圧力以上の高圧を耐えられる材質で提供される。
チャンバー４１００は上体４１１０と下体４１２０を含む。上体４１１０は下体４１２０と組合されて内部に処理空間を形成する。上体４１１０は下体４１２０の上に位置される。上体４１１０は方形の板形状に提供され、下体４１２０は上部が開放された方形のカップ形状を有することができる。
上体４１１０は下体４１２０と中心軸が互いに一致する位置で、その下端が下体４１２０の上端と対向するように提供できる。一例によれば、上体４１１０及び下体４１２０の各々は金属材質で提供できる。
上体４１１０は外部構造物に固定されるように設置される。下体４１２０は上体４１１０に対して昇降可能であるように提供される。下体４１２０は下降して上体４１１０から離隔されれば、高圧チャンバー４０００の内部に処理空間が開放される。開放された処理空間に基板Ｓが高圧チャンバー４０００の内部空間に搬入されるか、あるいは内部空間から搬出できる。ここで、高圧チャンバー４０００に搬入される基板Ｓは塗布されたリンス流体が残留する状態である。
下体４１２０が上昇して上体４１１０に密着されれば、高圧チャンバー４０００の内部に処理空間が密閉される。密閉された処理空間では超臨界流体を通じて基板を処理できる。上述した例と異なりにチャンバー４１００で下体４１２０が固定設置され、上体４１１０が昇降される構造で提供されてもよい。
昇降ユニット４２００は下体４１２０を昇降させる。昇降ユニット４２００は昇降シリンダー４２１０と昇降ロード４２２０を含む。昇降シリンダー４２１０は下体４１２０に結合されて上下方向の駆動力を発生させる。昇降シリンダー４２１０は超臨界流体を利用する基板処理が遂行される間に、高圧チャンバー４０００の内部の臨界圧力以上の高圧を耐え、上体４１１０と下体４１２０を密着させて高圧チャンバー４０００を密閉させることができる程度の駆動力を発生させる。昇降ロード４２２０はその一端が昇降シリンダー４２１０に挿入されて垂直上方に延長されて他端が上体４１１０に結合される。昇降シリンダー４２１０で駆動力の発生の時、昇降シリンダー４２１０と昇降ロード４２２０が相対的に昇降されて昇降シリンダー４２１０に結合された下体４１２０を昇降できる。昇降シリンダー４２１０によって下体４１２０が昇降する間に、昇降ロード４２２０は上体４１１０と下体４１２０が水平方向に動くことを防止し、昇降方向を案内して、上体４１１０と下体４１２０が互いに正位置で離脱することを防止できる。
一方、図面に図示されなかったが、処理空間の内部には基板Ｓを支持する基板支持ユニット（図示せず）を設けることができる。基板支持ユニット（図示せず）は基板Ｓの処理面が上に向かうように基板Ｓを支持する。
支持ユニット（図示せず）はチャンバー４１００の処理空間に位置し、基板Ｓを支持する。支持ユニット（図示せず）は上体４１１０に結合できる。支持ユニット（図示せず）が上体４１１０に結合されることによって、支持ユニット４３００は下体４１２０が昇降する間に、安定的に基板Ｓを支持できる。
支持ユニット（図示せず）が基板Ｓの縁領域に接触し、基板Ｓを支持して基板Ｓ上面の全体領域と下面の大部分の領域に対して超臨界流体を通じた基板処理が遂行できる。ここで、基板Ｓはその上面がパターン面であり、下面が非パターン面である。
加熱部材４４００は高圧チャンバー４０００の内部を加熱する。加熱部材４４００は高圧チャンバー４０００の内部に供給された超臨界流体を臨界温度以上に加熱して超臨界流体の上に維持する。加熱部材４４００は超臨界流体が液化された場合には再び超臨界流体になるように超臨界流体を加熱できる。加熱部材４４００は上体４１１０及び下体４１２０の中で少なくとも１つの壁内に埋め込まれて設置される。加熱部材４４００は外部から電源を受けて熱を発生させる。一例として、加熱部材４４００はヒーターとして提供できる。
流体供給ユニット４５００は高圧チャンバー４０００に流体を供給する。供給される流体は超臨界流体である。一例として、供給される超臨界流体は二酸化炭素である。
流体供給ユニット４５００は上部供給ポート４５１０、流体供給ライン４５５０、及びバルブ４５５１を含む。
上部供給ポート４５１０は処理空間に超臨界流体が供給される流路として機能する。一例として、上部供給ポート４５１０は上体４１１０に形成でき、さらに上体４１１０の中央に位置させることができる。
又は上部供給ポート４５１０は上体４１１０に形成される上部供給ポート４５１０と下体４１２０に形成される下部供給ポート（図示せず）を含むことができる。後述する流体供給ライン４５５０は途中に分岐されて上部供給ポート４５１０と下部供給ポート（図示せず）に連通できる。そして、上部供給ポート４５１０に分岐される供給ラインと下部供給ポート（図示せず）に分岐される供給ラインには各々バルブ４５５１が設置できる。
上部供給ポート４５１０から噴射される超臨界流体は基板Ｓの中央領域に到達して縁領域に散らしながら、基板Ｓの全領域に均一に提供される。
流体供給ライン４５５０は上部供給ポート４５１０と連結される。供給ラインは外部に別の超臨界流体格納部４５６０から超臨界流体が供給されて上部供給ポート４５１０に超臨界流体を供給する。
バルブ４５５１は流体供給ライン４５５０に設置される。バルブ４５５１は供給ラインに複数提供できる。各々のバルブ４５５１は上部供給ポート４５１０に供給される超臨界流体の流量を調節する。バルブ４５５１は制御器５０００によってチャンバー４１００の内部に供給される流量調節が可能である。
排気部材４７００は高圧チャンバー４０００から超臨界流体を排気する。排気部材４７００を通じて排気される超臨界流体は大気中に放出されるか、又は超臨界流体再生システム（図示せず）に供給できる。排気部材４７００は下体４１２０に結合できる。排気部材４７００は処理空間内の超臨界流体が排気される排気ポート（図示せず）を含む。一例として、排気ポート（図示せず）は下体４１２０に形成でき、さらに下体４１２０の中央に位置させることができる。
そして、下体４１２０に下部供給ポート（図示せず）が形成される場合、下部供給ポート（図示せず）は排気部材４７００と干渉されない位置に設けることができる。例えば、排気部材４７００が下体４１２０の中央に提供される場合、排気ポート（図示せず）は中央から所定距離離隔されて位置することができる。
超臨界流体を通じた基板処理工程の後期には高圧チャンバー４０００から超臨界流体が排気されてその内部圧力が臨界圧力以下に減圧されて超臨界流体を液化できる。液化された超臨界流体は重力によって下体４１２０に形成された排気部材４７００を通じて排出できる。
図６は一実施形態に係って基板が処理される過程を示す図面である。
図６を参照すれば、基板処理装置１００は感光液が塗布され、露光された後、ポストベークされた状態に搬入（Ｓ１１０、Ｓ１２０）された基板Ｓを設定過程に応じて処理する。基板Ｓに塗布された感光液はネガティブ感光液である。
基板Ｓには現像流体が供給される（Ｓ１３０）。現像流体は基板Ｓを現像処理できる。現像流体はＮ−ブチルアセテート（Ｎ−ＢＵＴＹＬ ＡＣＥＴＡＴＥ）又はイソプロパノールアルコール（ＩＰＡ）である。
以後、現像処理された基板Ｓに対してリンス流体が供給される（Ｓ１４０）。リンス流体は現像された感光液の部産物と残留する現像液を除去する。リンス流体は現像流体と混じり、後述する超臨界流体で溶解されて抽出でき、現像工程で形成された感光液パターンに損傷を与えない特性を有する有機溶剤である。リンス流体はフルオロ化水素エーテル（ＨＹＤＲＯＦＬＵＯＲＯＥＴＨＥＲ；ＨＦＥ）、Ｎ−ブチルアセテート（Ｎ−ＢＵＴＹＬ ＡＣＥＴＡＴＥ）、２−ヘプタノン（２−ＨＥＰＴＡＮＯＮＥ）、又はイソプロパノールアルコール（ＩＰＡ）の中から選択される。以後、基板Ｓにリンス流体が残留する状態に超臨界流体を供給して、リンス流体を溶解して抽出することによって基板Ｓでリンス流体を除去する（Ｓ１５０）。
図７は他の実施形態に係って基板が処理される過程を示す図面である。
基板Ｓはネガティブ感光液が塗布され、露光された後、ポストベークされた状態に図４の液処理チャンバー３０００に移送される（Ｓ２１０）。
液処理チャンバーで基板Ｓに現像流体を供給する（Ｓ２２０）。供給される現像流体はＮ−ブチルアセテート（Ｎ−ＢＵＴＹＬ ＡＣＥＴＡＴＥ）又はイソプロパノールアルコール（ＩＰＡ）である。
現像処理が完了されれば、連続して基板Ｓにリンス流体を供給する（Ｓ２３０）。リンス流体はフルオロ化水素エーテル（ＨＹＤＲＯＦＬＵＯＲＯＥＴＨＥＲ；ＨＦＥ）、Ｎ−ブチルアセテート（Ｎ−ＢＵＴＹＬ ＡＣＥＴＡＴＥ）、２−ヘプタノン（２−ＨＥＰＴＡＮＯＮＥ）、又はイソプロパノールアルコール（ＩＰＡ）の中から選択される。
以後、基板Ｓはリンス流体が残留する状態に高圧チャンバー４０００に移送される（Ｓ２４０）。高圧チャンバー４０００に移送された基板に超臨界流体を供給してリンス流体を溶解して抽出することによって除去する（Ｓ２５０）。
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を例として説明したものであり、本発明は多様な他の組み合わせ、変更、及び環境で使用できる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明したものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むこととして解析されるべきである。
１００ 基板処理装置
１０００ インデックスモジュール
２０００ 工程モジュール
３０００ 液処理チャンバー
３０１０ 第１液処理チャンバー
３０２０ 第２液処理チャンバー
４０００ 高圧チャンバー

Claims (11)

  1. 露光処理及びポストベーク処理された基板に対して現像流体を塗布して現像処理する段階と、
    現像処理された基板に対してリンス流体を塗布する段階と、
    前記リンス流体が塗布された基板を高圧チャンバーに移動させて超臨界流体を利用して処理する段階と、
    を遂行する基板処理方法。
  2. 前記リンス流体は、フルオロ化水素エーテル（ＨＹＤＲＯＦＬＵＯＲＯＥＴＨＥＲ；ＨＦＥ）である請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 前記リンス流体は、Ｎ−ブチルアセテート（Ｎ−ＢＵＴＹＬ ＡＣＥＴＡＴＥ）である請求項１に記載の基板処理方法。
  4. 前記リンス流体は、２−ヘプタノン（２−ＨＥＰＴＡＮＯＮＥ）である請求項１に記載の基板処理方法。
  5. 前記リンス流体は、イソプロパノールアルコール（ＩＰＡ）である請求項１に記載の基板処理方法。
  6. 前記現像流体は、ネガティブ感光液の現像に使用される請求項１に記載の基板処理方法。
  7. 前記現像流体は、Ｎ−ブチルアセテート（Ｎ−ＢＵＴＹＬ ＡＣＥＴＡＴＥ）又はイソプロパノールアルコール（ＩＰＡ）である請求項１に記載の基板処理方法。
  8. 前記超臨界流体は、二酸化炭素である請求項１に記載の基板処理方法。
  9. 露光処理及びポストベーク処理された基板を第１チャンバーに移送する段階と、
    前記第１チャンバーで現像流体を塗布して現像処理する段階と、
    前記現像処理された基板を第２チャンバーに移送する段階と、
    前記第２チャンバーでリンス流体を塗布する段階と、
    前記リンス流体が塗布された基板を高圧チャンバーに移動させる段階と、
    前記高圧チャンバーで超臨界流体を利用して処理する段階と、
    を遂行する基板処理方法。
  10. 前記リンス流体は、フルオロ化水素エーテル（ＨＹＤＲＯＦＬＵＯＲＯＥＴＨＥＲ；ＨＦＥ）、Ｎ−ブチルアセテート（Ｎ−ＢＵＴＹＬ ＡＣＥＴＡＴＥ）、２−ヘプタノン（２−ＨＥＰＴＡＮＯＮＥ）、又はイソプロパノールアルコール（ＩＰＡ）の中から選択される請求項９に記載の基板処理方法。
  11. 前記現像流体は、Ｎ−ブチルアセテート（Ｎ−ＢＵＴＹＬ ＡＣＥＴＡＴＥ）又はイソプロパノールアルコール（ＩＰＡ）である請求項９に記載の基板処理方法。
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