JP2020012977A - Display - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、表示装置に関する。 The present invention relates to a display device.
表示装置において単純に表示領域を拡大すると、表示領域に配置された複数の画素の各々に対する信号伝送のための配線長が長くなる。配線長が長くなると、安定した信号伝送のために必要な電力がより大きくなる等の問題が生じる。そこで、屋外に設置する表示装置において、太陽電池を設けて表示のための電力を補填する方法がある(例えば、特許文献1)。 When the display area is simply enlarged in the display device, the wiring length for signal transmission to each of the plurality of pixels arranged in the display area becomes longer. When the wiring length is long, problems such as an increase in power required for stable signal transmission occur. Therefore, there is a method of providing a solar cell in a display device installed outdoors to supplement power for display (for example, Patent Document 1).
しかしながら、気象条件等によって発電量が変化する太陽電池による電力供給は不安定であった。また、太陽電池は、表示領域の拡大に伴う配線長の長大化による他の問題を解決するものでなかった。従って、従来技術では、表示領域の拡大に伴う配線長の長大化による問題の解決が困難であった。 However, power supply by solar cells whose power generation amount changes due to weather conditions and the like has been unstable. Further, the solar cell has not been able to solve other problems caused by the increase in the length of the wiring accompanying the expansion of the display area. Therefore, in the related art, it has been difficult to solve the problem due to the increase in the wiring length due to the enlargement of the display area.
本発明は、表示領域の拡大に伴う配線長の長大化をより抑制することができる表示装置を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a display device that can further suppress an increase in wiring length due to an increase in a display area.
本発明の一態様の表示装置は、複数の反射電極が配列された電極層と、前記電極層よりも下層に設けられる回路層とを備え、前記回路層は、各反射電極に対応して設けられる複数のメモリと、各メモリに書き込まれるデータを出力する信号出力回路と、外部からの信号に基づいて前記信号出力回路を制御するインタフェース回路とを備え、前記複数の反射電極が複数のグループに分けられると共に、前記信号出力回路は、各グループごとに設けられ、且つ、前記インタフェース回路は、隣り合う前記グループで共用されている。 A display device of one embodiment of the present invention includes an electrode layer in which a plurality of reflective electrodes are arranged, and a circuit layer provided below the electrode layer, and the circuit layer is provided corresponding to each reflective electrode. A plurality of memories, a signal output circuit that outputs data written to each memory, and an interface circuit that controls the signal output circuit based on an external signal, wherein the plurality of reflective electrodes are grouped into a plurality of groups. In addition, the signal output circuits are provided for each group, and the interface circuits are shared by the adjacent groups.
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。 An embodiment (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. The components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the components described below can be appropriately combined. It should be noted that the disclosure is merely an example, and those skilled in the art can easily conceive of appropriate changes while maintaining the gist of the invention, which are naturally included in the scope of the present invention. In addition, in order to make the description clearer, the width, thickness, shape, and the like of each part may be schematically illustrated as compared with actual embodiments, but this is merely an example, and the interpretation of the present invention is not limited thereto. It is not limited. In the specification and the drawings, components similar to those described in regard to a drawing thereinabove are marked with like reference numerals, and a detailed description is omitted as appropriate.
(実施形態)
図1は、実施形態の表示装置1が備える主要構成例を示す模式図である。表示装置1は、インタフェース回路4、ソース線駆動回路5、共通電極駆動回路6、反転駆動回路7、メモリ選択回路8、ゲート線駆動回路9、ゲート線選択回路10、静電保護回路20、静電保護回路40、クロックバッファ80、副画素アレイ90、フレキシブルプリント基板FPC等を備える。表示装置1において、共通電極駆動回路6は1つ設けられ、他の構成は複数設けられる。
(Embodiment)
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an example of a main configuration of a
以下の説明において、副画素アレイ90に設けられた副画素SPix(図9参照)が並ぶ平面に沿う2方向をX方向及びY方向とし、当該X方向及びY方向に直交する方向をZ方向とする。X方向とY方向は直交する。
In the following description, two directions along a plane on which the sub-pixels SPix (see FIG. 9) provided in the
副画素アレイ90は、副画素SPixの数に応じた副画素回路70と、反射電極15(図5等参照)を有する。副画素回路70及び反射電極15は、X方向及びY方向に沿ってマトリクス状に配列される。
The
図1では、X方向×Y方向=2×3、すなわち計6つの副画素アレイ90が設けられた表示装置1を例示している。各副画素アレイ90は、個別のソース線駆動回路5、メモリ選択回路8、ゲート線駆動回路9及びゲート線選択回路10とグループを構成している。すなわち、図1に示す表示装置1において、ソース線駆動回路5、メモリ選択回路8、ゲート線駆動回路9及びゲート線選択回路10は、6つ設けられている。図1及び後述する図5では、6つのソース線駆動回路5、メモリ選択回路8、ゲート線駆動回路9、ゲート線選択回路10及び副画素アレイ90の位置を区別する目的で、小文字アルファベット(a,b,c,d,e,f)を符号の末尾に付している。例えば、ソース線駆動回路5aと、メモリ選択回路8aと、ゲート線駆動回路9aと、ゲート線選択回路10aと、副画素アレイ90aが1つのグループを構成する。他の小文字アルファベット(b,c,d,e,f)が末尾に付されたソース線駆動回路5、メモリ選択回路8、ゲート線駆動回路9、ゲート線選択回路10及び副画素アレイ90についても同様であり、符号の末尾を置換することで読み替え可能である。すなわち、副画素アレイ90は、複数のグループに分けられる。そして、各グループに、ソース線駆動回路5、メモリ選択回路8、ゲート線駆動回路9、ゲート線選択回路10が設けられている。
FIG. 1 illustrates the
また、図1では、X方向×Y方向=1×3、すなわち計3つのインタフェース回路4、反転駆動回路7、静電保護回路20、静電保護回路40、クロックバッファ80及びフレキシブルプリント基板FPCが設けられた表示装置1を例示している。Y方向に設けられた2つの副画素アレイ90は、インタフェース回路4、反転駆動回路7、静電保護回路20、静電保護回路40、クロックバッファ80及びフレキシブルプリント基板FPCを共有する。図1及び図5では、3つのインタフェース回路4、反転駆動回路7、静電保護回路20、静電保護回路40、クロックバッファ80の位置を区別する目的で、大文字アルファベット(A,B,C)を符号の末尾に付している。また、共有される構成に付された大文字アルファベットをα、1つの構成を共有する2つの構成に付された小文字アルファベットをβ,γとして(α:β,γ)のように共有関係を示した場合、(A:a,b)、(B:c,d)、(C:e,f)が成立する。例えば、副画素アレイ90aと副画素アレイ90bは、インタフェース回路4A、反転駆動回路7A、静電保護回路20A、静電保護回路40A、クロックバッファ80A及びフレキシブルプリント基板FPCAを共有する。他の共有関係についても同様であり、符号の末尾を置換することで読み替え可能である。
In FIG. 1, the X direction × Y direction = 1 × 3, that is, a total of three interface circuits 4, an inversion drive circuit 7, an
実施形態の説明のうち、末尾の小文字アルファベット又は大文字アルファベットが省略された符号が用いられている説明は、構成の機能的に関する説明であり、構成が設けられた位置を区別しない。 In the description of the embodiment, the description in which the reference numerals in which the lowercase alphabet or the uppercase alphabet is omitted is used for the function of the configuration, and does not distinguish the position where the configuration is provided.
1つの副画素アレイ90と同じグループに含まれる構成における信号の流れについて説明する。副画素SPixの階調制御に関する信号(コマンドデータCMD、画像データID)は、フレキシブルプリント基板FPCから入力されて静電保護回路20を経由してインタフェース回路4に伝送される。静電保護回路20は、入力バッファとして機能する。インタフェース回路4は、入力された信号に基づいてソース線駆動回路5、反転駆動回路7、メモリ選択回路8、ゲート線駆動回路9、ゲート線選択回路10を動作させるための各種の信号を出力する。ソース線駆動回路5、反転駆動回路7、メモリ選択回路8、ゲート線駆動回路9、ゲート線選択回路10は、インタフェース回路4からの信号に応じて動作し、副画素アレイ90の階調制御を行う。また、基準クロック信号CLKは、フレキシブルプリント基板FPCから入力されて静電保護回路40を経由してクロックバッファ80に伝送される。静電保護回路40は、入力バッファとして機能する。クロックバッファ80は、基準クロック信号CLKをバッファリングし、反転駆動回路7及びメモリ選択回路8に出力する。反転駆動回路7とメモリ選択回路8は、クロックバッファ80から出力された基準クロック信号CLKに基づいて同期制御される。
A signal flow in a configuration included in the same group as one
なお、図1においてY方向に設けられた2つの副画素アレイ90は、インタフェース回路4及び反転駆動回路7を共有する。すなわち、インタフェース回路4には2つの副画素アレイ90に設けられている副画素SPixの階調制御に関する信号(コマンドデータCMD、画像データID)が入力され、2つの副画素アレイ90の各々と個別にグループを構成しているソース線駆動回路5、メモリ選択回路8、ゲート線駆動回路9、ゲート線選択回路10に対して個別に信号が出力される。また、当該2つの副画素アレイ90は、クロックバッファ80を共有する。すなわち、当該2つの副画素アレイ90の各々と個別にグループを構成しているメモリ選択回路8は、共有する1つのクロックバッファ80から出力される基準クロック信号CLKに基づいて同期して動作する。また、当該2つの副画素アレイ90は、反転駆動回路7を共有する。すなわち、反転駆動回路7による副画素SPixの反転駆動周期も、共有する1つのクロックバッファ80から出力される基準クロック信号CLKに基づいて同期する。
In FIG. 1, two
以上、説明した信号の流れを図1における矢印で示している。表示装置1は、図1における矢印で示す信号の流れを実現するための電気的な接続のための構成(配線、スイッチ等)を有する。以下の説明における「接続」という記載は、特に断りがない限り、配線、スイッチ等を介した「電気的な接続」をさす。
The flow of the signals described above is indicated by arrows in FIG. The
ソース線駆動回路5及びゲート線選択回路10は、同一のグループに含まれる副画素アレイ90の副画素回路70が配列された矩形状の領域の一辺に隣接するように配置される。ソース線駆動回路5は、長手方向が副画素回路70が並ぶ一方向(例えば、X方向)に沿うよう設けられる。ゲート線選択回路10は、長手方向が副画素回路70が並ぶ他方向(例えば、Y方向)に沿うよう設けられる。メモリ選択回路8、ゲート線駆動回路9は、同一のグループのゲート線選択回路10と並列するよう設けられる。メモリ選択回路8は、各グループごとに設けられると共に、少なくとも一部が同じグループのメモリ群と、当該グループに隣り合うグループのメモリ群との間に配置されている。例えば、メモリ選択回路8cは、同一のグループに含まれる副画素アレイ90cの副画素回路70と、副画素アレイ90aの副画素回路70との間に配置されている。また、メモリ選択回路8dは、同一のグループに含まれる副画素アレイ90dの副画素回路70と、副画素アレイ90bの副画素回路70との間に配置されている。
The source
また、反転駆動回路7A及びクロックバッファ80Aは、当該反転駆動回路7A及びクロックバッファ80Aを共有する2つのグループが夫々有するメモリ選択回路8、ゲート線駆動回路9及びゲート線選択回路10を含む回路群の間(例えば、メモリ選択回路8a、ゲート線駆動回路9a及びゲート線選択回路10aが並ぶ領域と、メモリ選択回路8b、ゲート線駆動回路9b及びゲート線選択回路10bが並ぶ領域との間)に位置する。他の共有関係についても同様であり、符号の末尾を置換することで読み替え可能である。
Further, the
クロックバッファ80を共有する2つのグループが有するメモリ選択回路8とクロックバッファ80との距離は、グループ毎の差が「基準クロック信号CLKに基づいた同期制御のずれを副画素アレイ90の表示制御タイミングのずれとして視認することが困難である程度の差(理想的には、0)」になるよう設けられている。言い換えれば、クロックバッファ80は、フレキシブルプリント基板FPCから入力されて静電保護回路40を経由した基準クロック信号CLKを、2つのグループのメモリ選択回路8の同期制御に使用可能な位置及び配線となるよう、基準クロック信号CLKをバッファリング及び中継する。
The difference between the
上記のメモリ選択回路8とクロックバッファ80との関係と同様、インタフェース回路4及び反転駆動回路7を共有する2つのグループのソース線駆動回路5、メモリ選択回路8、ゲート線駆動回路9、ゲート線選択回路10、副画素アレイ90は、グループ毎の信号伝送時間の差ができるだけ小さくなるよう、信号伝送経路長の差が最小限になるよう設けられている。例えば、インタフェース回路4は、当該インタフェース回路4を共有する2つの副画素アレイ90の間に位置する。具体的には、インタフェース回路4は、例えば当該インタフェース回路4を共有する2つの副画素アレイ90のグループに含まれる2つのソース線駆動回路5の間に位置するよう設けられる。例えば、インタフェース回路4Aは、ソース線駆動回路5aとソース線駆動回路5bとの間に位置するよう設けられる。また、回路層17Lにおけるこれらの構成は、フレキシブルプリント基板FPCAの反対側からY方向に沿って、副画素アレイ90a、ソース線駆動回路5a、インタフェース回路4A、ソース線駆動回路5b、副画素アレイ90bの順に配置されている。また、静電保護回路20A及び静電保護回路40DのY方向の位置は、副画素アレイ90bとフレキシブルプリント基板FPCAとの間である。他の共有関係についても同様であり、符号の末尾を置換することで読み替え可能である。これによって、Y方向に並ぶ2つのグループの同期制御をより容易にすることができる。
Similar to the relationship between the
副画素アレイ90は、X方向×Y方向に配列された複数の副画素SPixを含む。各副画素SPixは、反射電極15及び副画素回路70を備える。副画素回路70は、インタフェース回路4、ソース線駆動回路5、共通電極駆動回路6、反転駆動回路7、メモリ選択回路8、ゲート線駆動回路9、ゲート線選択回路10、静電保護回路20、静電保護回路40及びクロックバッファ80等の回路と同一の層に設けられる。反射電極15は、これらの回路と異なる層に設けられる。
The
図2及び図3は、表示装置1の概略的な積層構造を示す模式図である。表示装置1は、第1パネル2及び第2パネル3を有する。第1パネル2と第2パネル3とは対向するよう配置されている。第1パネル2と第2パネル3の間には、液晶層30が設けられている。液晶層30は、シール部材SMによって封止されている。
FIG. 2 and FIG. 3 are schematic diagrams illustrating a schematic stacked structure of the
フレキシブルプリント基板FPCは、FOG(Film On Glass)を介して第1パネル2の一端側に設けられる。また、第1パネル2には、絶縁層12と、絶縁層12の上側に積層された配向膜18とが設けられている。副画素回路70は、絶縁層12の下方に設けられている。反射電極15は、絶縁層12の上側であって、配向膜18の下側に設けられている。表示装置1は、画像を表示する一面(表示面1a)側に光を反射する反射電極15を有する副画素SPixが複数配列された表示装置である。
The flexible printed circuit board FPC is provided on one end side of the
図4は、反射電極15と副画素回路70を接続する配線の例を示す模式図である。各反射電極15は、夫々異なる副画素回路70と積層配線16を介して接続されている。図3及び図4では例示的に、3つの反射電極15、積層配線16及び副画素回路70に数字の下付き符号を付している。例えば、反射電極151は、積層配線161を介して副画素回路701と接続されている。他の積層配線16による反射電極15と副画素回路70の接続についても同様である(下付き符号の置換による読み替え)。反射電極151−積層配線161−副画素回路701の接続経路と、反射電極152−積層配線162−副画素回路702の接続経路と、反射電極153−積層配線163−副画素回路703の接続経路は夫々独立しており、これらの接続経路は非接続である。具体的には、例えば図4に示すように、平面視した場合の積層配線16は互いに非接触となるように設けられている。ここでは下付き符号を付した3つの反射電極15−積層配線16−副画素回路70間の接続経路について例示したが、他の反射電極15−積層配線16−副画素回路70間の接続経路についても同様であり、接続経路同士は非接続である。
FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an example of a wiring connecting the
なお、図4では反射電極15−積層配線16−副画素回路70間の接続関係を明示する目的で反射電極15と積層配線16と副画素回路70の位置をずらして図示しているが、実際には、X−Y平面においてX方向の基準位置CPが一致するように反射電極15、積層配線16、副画素回路70が積層される位置関係にある(図3参照)。
In FIG. 4, the positions of the
なお、図3及び図4に示す例では、積層配線16がコンタクトホールCHを含む複数の配線層を用いて形成されている例を示しているが、積層配線16は単一の配線層を用いて形成されていてもよい。また、積層配線16どうしの短絡を防止するため、絶縁層を複数層とし、各層間に積層配線16を設け、コンタクト部で接続するといった構成も採用可能である。
3 and 4 show an example in which the
図5は、反射電極15の配置例を示す模式図である。電極層15Lには、複数の反射電極15が配列されている。具体的には、図3に示すように、反射電極15は、インタフェース回路4、ソース線駆動回路5、静電保護回路20、副画素回路70等の回路よりも表示面1a側に積層される。複数の反射電極15は、配置に応じて複数のグループ(例えば、副画素アレイ90aから副画素アレイ90f)のいずれかに含まれる。また、表示面1a側から見た場合、図5に示すように、インタフェース回路4、ソース線駆動回路5、静電保護回路20、副画素回路70等の回路が設けられた回路層17Lは、X−Y平面に沿って配列される複数の反射電極15が設けられた電極層15Lに覆われている。すなわち、実施形態の表示装置1では、反射電極15が設けられている表示領域において、回路を設けるための額縁領域を必要としない。このため、表示面1aのより広い範囲に画像を表示することができる。
FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of the arrangement of the
積層配線16を介して接続される反射電極15と副画素回路70は、Z方向に重なる位置にあってもよいし、Z方向に重ならない位置にあってもよい。図4及び図5に示す例では、反射電極151と副画素回路701は、Y方向の位置がずれていてZ方向に重ならない位置関係にある。図4では、X方向の位置関係については一致する例を示しているが、X方向についても反射電極15と副画素回路70の位置関係は適宜変更可能である。
The
図6は、表示装置1の頂点付近の反射電極15、積層配線16及び副画素回路70の位置関係の一例を示す模式図である。図6では、X方向×Y方向=6×7の反射電極15が設けられた電極部150と、X方向×Y方向=6×7の副画素回路70が設けられた回路部170と、これらX方向×Y方向=6×7の反射電極15と副画素回路70を個別に接続する42の積層配線16を含む配線層160との関係を例示している。図6に例示するように、積層配線16を介して接続される反射電極15と副画素回路70とは、X方向及びY方向の位置がずれていてZ方向に重ならない位置関係にあってもよい。積層配線16を用いて反射電極15と副画素回路70とを接続することで、副画素回路70の配置に制限されることなく反射電極15を設けることができる。
FIG. 6 is a schematic diagram illustrating an example of the positional relationship between the
図7は、図6と同一の表示装置1の頂点付近において回路部170と同一の層に設けられた回路の配置例を示す図である。共通電極駆動回路6は、例えば表示装置1の頂点付近に配置される。また、例えば回路部170に対してY方向に隣接するように静電保護回路20Aが配置される。また、例えば回路部170に対してX方向に隣接するようにゲート線選択回路10bが配置される。また、例えばゲート線選択回路10bとX方向に並ぶように、ゲート線駆動回路9b、メモリ選択回路8bが配置される。また、例えば共通電極駆動回路6と静電保護回路20Aとの間に位置するように静電保護回路40Aが配置される。共通電極駆動回路6及び静電保護回路40Aと、メモリ選択回路8b、ゲート線駆動回路9b、ゲート線選択回路10b及び静電保護回路20Aの一部分は、電極部150と重なる位置に配置されている。積層配線16を用いて反射電極15と副画素回路70とを接続することで、表示面1aに対して反射電極15の背面側における各種の回路の配置の自由度がより向上する。
FIG. 7 is a diagram illustrating an example of the arrangement of circuits provided on the same layer as the
図7では図示しないが、符号の末尾(小文字アルファベット又は大文字アルファベット)が異なるメモリ選択回路8、ゲート線駆動回路9、ゲート線選択回路10、静電保護回路20、静電保護回路40等も、表示面1aに対して反射電極15の背面側であって、副画素回路70と同一の層に配置される。また、図3及び図7では図示しないが、反転駆動回路7及びクロックバッファ80も、表示面1aに対して反射電極15の背面側であって、副画素回路70と同一の層に配置される。
Although not shown in FIG. 7, the
1つの反射電極15は、例えば1[mm]四方の矩形の反射電極であるが、これは反射電極15の寸法の一例であってこれに限られるものでなく、適宜変更可能である。
One
図8は、実施形態の表示装置の断面図である。表示面1a側の外部から入射した光は、第1パネル2の反射電極15によって反射されて表示面1aから出射する。実施形態の表示装置1は、この反射光を利用して、表示面1aに画像を表示する反射型の液晶表示装置である。第1パネル2は、第1基板11の回路層17Lの上側(表示面1a側)に積層された絶縁層12、反射電極15、配向膜18等を有する。
FIG. 8 is a sectional view of the display device of the embodiment. Light incident from the outside on the
絶縁層12は、第1基板11の上に設けられ、回路層17Lに含まれる回路素子や各種配線等の表面を全体として平坦化している。反射電極15は、絶縁層12の上に複数設けられる。配向膜18は、反射電極15と液晶層30との間に設けられる。反射電極15及び積層配線16は、アルミニウム(Al)又は銀(Ag)で例示される金属で形成されている。また、反射電極15は、これらの金属材料と、ITO(Indium Tin Oxide)で例示される透光性導電材料と、を積層した構成としてもよい。反射電極15は、良好な反射率を有する材料が用いられ、外部から入射する光を拡散反射させる反射板として機能する。
The insulating
反射電極15によって反射された光は、拡散反射によって散乱されるものの、表示面1a側に向かって一様な方向に進む。また、反射電極15に印加される電圧レベルが変化することにより、当該反射電極上の液晶層30における光の透過状態、すなわち副画素毎の光の透過状態が変化する。すなわち、反射電極15は、副画素電極としての機能も有する。
Although the light reflected by the
第2パネル3は、第2基板21と、カラーフィルタ22と、共通電極23と、配向膜28と、1/4波長板24と、1/2波長板25と、偏光板26とを含む。第2基板21の両面のうち、第1パネル2と対向する面に、カラーフィルタ22及び共通電極23が、この順で設けられる。共通電極23と液晶層30との間に配向膜28が設けられる。第2基板21の、表示面1a側の面に、1/4波長板24、1/2波長板25及び偏光板26が、この順で積層されている。
The
共通電極23は、ITOで例示される透光性導電材料で形成されている。共通電極23は、複数の反射電極15と対向して配置され、各副画素SPixに対する共通の電位を供給する。カラーフィルタ22は、例えばR(赤)、G(緑)、及び、B(青)の3色のフィルタを有するが、本開示はこれに限定されるものでなく、適宜変更可能である。
The
液晶層30は、例えばネマティック(Nematic)液晶を含んでいる。液晶層30は、共通電極23と反射電極15との間の電圧レベルが変更されることにより、液晶分子の配向状態が変化する。これによって、液晶層30を透過する光を副画素SPix毎に変調する。
The
外光等が表示装置1の表示面1a側から入射する入射光となり、第2パネル3及び液晶層30を透過して反射電極15に到達する。そして、入射光は各副画素SPixの反射電極15で反射される。かかる反射光は、副画素SPix毎に変調されて表示面1aから出射される。これにより、画像の表示が行われる。なお、第1基板11及び第2基板21は、例えばガラス基板又は樹脂基板であるが、これに限られるものでなく、適宜変更可能である。
External light or the like becomes incident light that enters from the
次に、1つの副画素アレイ90が含む副画素SPix及び副画素SPixの階調制御に関する説明を行う。図9は、1つの副画素アレイ90が含む副画素SPix及び副画素SPixの階調制御に関する構成を示す概略説明図である。
Next, the sub-pixel SPix included in one
実施形態では、1つの副画素アレイ90内における所定数の副画素SPixによって1つの画素Pixが構成される。実施形態では、1つの画素Pixを構成する副画素SPixは、X方向に並ぶR(赤)、G(緑)及びB(青)の3個とするが、本開示はこれに限定されない。1つの画素Pixを構成する副画素SPixは、R(赤)、G(緑)及びB(青)にW(白)を加えた4個であってもよい。或いは、1つの画素Pixを構成する副画素SPixは、色が異なる5個以上であってもよいし、2個であってもよい。
In the embodiment, one pixel Pix is constituted by a predetermined number of sub-pixels SPix in one
実施形態では、1つの画素Pixを構成する副画素SPixがX方向に並ぶ3個の副画素SPixであるので、画素Pixの数がX方向×Y方向=M×N個だとすると、1つの副画素アレイ90内には、M×N×3個の副画素SPixが配置されていることになる。
In the embodiment, since the sub-pixels SPix constituting one pixel Pix are three sub-pixels SPix arranged in the X direction, if the number of pixels Pix is X direction × Y direction = M × N, one sub pixel SPix In the
各副画素SPixは、複数(n個)のメモリを含む(図10参照)。後述する図11から図15を参照した説明では、n=3の場合を例とするが、本開示はこれに限定されない。nは、2以上の自然数であればよい。n個のメモリは、副画素回路70に設けられる。このように、副画素回路70が配置される回路層17Lには、副画素SPixを駆動するためのデータが記憶されるメモリ及びメモリに書き込まれるデータを出力するソース線駆動回路5が設けられる。各副画素SPixは、n個のメモリまでのうちの選択された1個のメモリに格納されている副画素データに基づいて階調制御される。
Each sub-pixel SPix includes a plurality (n) of memories (see FIG. 10). In the following description with reference to FIGS. 11 to 15, the case where n = 3 is taken as an example, but the present disclosure is not limited to this. n may be a natural number of 2 or more. The n memories are provided in the
インタフェース回路4は、シリアル−パラレル変換回路4aと、タイミングコントローラ4bと、を含む。タイミングコントローラ4bは、設定レジスタ4cを含む。シリアル−パラレル変換回路4aには、コマンドデータCMD及び画像データIDが、外部回路からシリアルに供給される。インタフェース回路4は、外部からの信号に基づいてソース線駆動回路5を制御する。外部回路は、ホストCPU(Central Processing Unit)又はアプリケーションプロセッサが例示されるが、本開示はこれらに限定されない。
The interface circuit 4 includes a serial-parallel conversion circuit 4a and a timing controller 4b. The timing controller 4b includes a setting register 4c. Command data CMD and image data ID are serially supplied from an external circuit to the serial-parallel conversion circuit 4a. The interface circuit 4 controls the source
シリアル−パラレル変換回路4aは、供給されたコマンドデータCMDをパラレルに変換して、設定レジスタ4cに出力する。設定レジスタ4cには、ソース線駆動回路5、反転駆動回路7、メモリ選択回路8、ゲート線駆動回路9及びゲート線選択回路10を制御するための値がコマンドデータCMDに基づいて設定される。
The serial-parallel conversion circuit 4a converts the supplied command data CMD into parallel and outputs it to the setting register 4c. In the setting register 4c, values for controlling the source
シリアル−パラレル変換回路4aは、供給された画像データIDをパラレルに変換して、タイミングコントローラ4bに出力する。タイミングコントローラ4bは、設定レジスタ4cに設定された値に基づいて、画像データIDをソース線駆動回路5に出力する。また、タイミングコントローラ4bは、設定レジスタ4cに設定された値に基づいて、反転駆動回路7、メモリ選択回路8、ゲート線駆動回路9及びゲート線選択回路10を制御する。
The serial-parallel conversion circuit 4a converts the supplied image data ID into parallel and outputs it to the timing controller 4b. The timing controller 4b outputs the image data ID to the source
共通電極駆動回路6、反転駆動回路7及びメモリ選択回路8には、基準クロック信号CLKが、外部回路から静電保護回路40、クロックバッファ80経由で供給される。外部回路は、クロックジェネレータが例示されるが、本開示はこれに限定されない。
A reference clock signal CLK is supplied from an external circuit to the common
表示装置にて画像を表示させるべく、各副画素SPixの第1メモリから第3メモリまでに副画素データを格納する必要がある。各メモリに副画素データを格納するために、ゲート線駆動回路9は、タイミングコントローラ4bの制御下で、M×N個の画素Pixのうちの1つの行を選択するためのゲート信号を出力する。
In order to display an image on the display device, it is necessary to store subpixel data in the first to third memories of each subpixel SPix. In order to store the sub-pixel data in each memory, the gate
実施形態では、1つの行当たり、n本のゲート線が配置されている。n本のゲート線は、1つの行に含まれる副画素SPixの各々の第1メモリから第nメモリまでに夫々接続されている。なお、副画素SPixが、ゲート信号に加えて、後述する反転駆動のためにゲート信号を反転した反転ゲート信号とで動作する場合には、1つの行当たり、(2n)本のゲート線が配置される。 In the embodiment, n gate lines are arranged per row. The n gate lines are respectively connected from the first memory to the n-th memory of each of the sub-pixels SPix included in one row. In the case where the sub-pixel SPix operates not only with the gate signal but also with an inverted gate signal obtained by inverting the gate signal for inversion driving described later, (2n) gate lines are arranged per row. Is done.
1つの行当たりに配置されているn本又は(2n)本のゲート線が、ゲート線群を構成する。実施形態では、表示装置1は、M行の画素Pixを有するので、M群のゲート線群が配置されている。
The n or (2n) gate lines arranged per one row constitute a gate line group. In the embodiment, since the
ゲート線駆動回路9は、タイミングコントローラ4bの制御下で、M行のうちの1つの行を選択するためのゲート信号を、M個の出力端子から順次出力する。
The gate
ゲート線選択回路10は、タイミングコントローラ4bの制御下で、1つの行に配置された3本のゲート線のうちの1本を選択する。これにより、ゲート線駆動回路9から出力されたゲート信号は、1つの行に配置された3本のゲート線のうちの選択された1本に、供給される。
The gate
ソース線駆動回路5は、タイミングコントローラ4bの制御下で、ゲート信号によって選択されているメモリに副画素データを夫々出力する。これにより、各副画素の第1メモリ〜第3メモリに順次副画素データが夫々格納される。
The source
表示装置1は、M行の画素Pixを線順次走査することによって、1個のフレームデータの副画素データが各副画素SPixの第1メモリにされる。そして、表示装置1は、線順次走査をn回実行することによって、各副画素SPixの第1メモリから第nメモリにn個のフレームデータが格納される。かかる走査を第1列から第M列まで実施することにより、一度の線順次走査で各副画素SPixの第1メモリから第nメモリまでに副画素データを格納することができる。
The
実施形態では、1つの行当たり、n本のメモリ選択線が配置されている。n本のメモリ選択線は、1つの行に含まれるN×n個の副画素SPixの各々の第1メモリから第nメモリまでに夫々接続されている。なお、反転駆動が採用される場合、1つの行当たり、(2n)本のメモリ選択線が配置される。 In the embodiment, n memory selection lines are arranged for one row. The n memory selection lines are respectively connected from the first memory to the n-th memory of each of the N × n sub-pixels SPix included in one row. When the inversion driving is adopted, (2n) memory selection lines are arranged per one row.
1つの行当たりに配置されているn本又は(2n)本のメモリ選択線が、メモリ選択線群を構成する。実施形態では、表示装置1は、M行の画素Pixを有するので、M群のメモリ選択線群が配置されている。
The n or (2n) memory selection lines arranged for one row constitute a memory selection line group. In the embodiment, since the
メモリ選択回路8は、タイミングコントローラ4bの制御下で、基準クロック信号CLKに同期して、各副画素SPixの第1メモリから第nメモリまでのうちの1個を、同時に選択する。例えば、1つの副画素アレイ90に含まれる全ての副画素SPixの第1メモリが同時に選択される。或いは、1つの副画素アレイ90に含まれる全ての副画素SPixの第2メモリが同時に選択される。これらの例が示すように、表示装置1は、各副画素SPixの第1メモリから第nメモリまでの選択を切り替えることによって、n個のメモリに格納されたnパターンの画像のうちの1つの画像を表示させることができる。これにより、表示装置1は、画像を一斉に変化させることができ、画像を短時間で変化させることができる。また、表示装置1は、各副画素SPixの第1メモリから第nメモリまでの選択を順次切り替えることによって、アニメーション表示(動画像表示)を行うことができる。このように、メモリ選択回路8は、1つの副画素SPixに対して複数設けられたメモリのうち1つのメモリを当該1つの副画素SPixの駆動に用いるよう選択する。
Under the control of the timing controller 4b, the
図10は、実施形態の表示装置の画素内での副画素の配置を示す図である。画素Pixは、R(赤)の副画素SPixRと、G(緑)の副画素SPixGと、B(青)の副画素SPixBと、を含む。副画素SPixR、SPixG及びSPixBは、X方向に配列されている。 FIG. 10 is a diagram illustrating an arrangement of sub-pixels in a pixel of the display device according to the embodiment. The pixel Pix includes an R (red) sub-pixel SPix R , a G (green) sub-pixel SPix G, and a B (blue) sub-pixel SPix B. The sub-pixels SPix R , SPix G and SPix B are arranged in the X direction.
副画素SPixRは、メモリブロック50と、反転スイッチ61と、を含む。メモリブロック50は、第1メモリ51から第nメモリ5nまでのn個のメモリを含む。反転スイッチ61とn個のメモリは、例えばY方向に配列されている。
Subpixel SPix R includes a
n個のメモリの各々は、1ビットのデータを格納するメモリセルとするが、本開示はこれに限定されるものでない。n個のメモリの各々は、2ビット以上のデータを格納するメモリセルであってもよい。 Each of the n memories is a memory cell that stores 1-bit data, but the present disclosure is not limited to this. Each of the n memories may be a memory cell storing data of 2 bits or more.
反転スイッチ61は、反転駆動のためのスイッチとして機能し、n個のメモリと、反射電極15との間に接続されている。
The inversion switch 61 functions as a switch for inversion driving, and is connected between the n memories and the
図11は、実施形態の表示装置の回路構成を示す図である。図11から図15を参照した説明では、n=3を例とする。すなわち、メモリブロック50が、第1メモリ51、第2メモリ52、第3メモリ53を含む場合について例示的に説明する。図11は、各副画素SPixのうちの2×2個の副画素SPixを示している。副画素SPixは、メモリブロック50及び反転スイッチ61に加えて、液晶LQと、保持容量Cと、反射電極15と、を含む。
FIG. 11 is a diagram illustrating a circuit configuration of the display device of the embodiment. In the description with reference to FIGS. 11 to 15, n = 3 is taken as an example. That is, a case where the
共通電極駆動回路6は、各副画素SPixに共通するコモン電位VCOMを、基準クロック信号CLKに同期して反転させて、共通電極23に出力する。共通電極駆動回路6は、基準クロック信号CLKを共通電極23にそのままコモン電位VCOMとして出力してもよいし、電流駆動能力を増幅するバッファ回路を介して共通電極23にコモン電位VCOMとして出力してもよい。
The common
ゲート線駆動回路9は、タイミングコントローラ4bから供給される制御信号Sig4に基づいて、M行のうちの1つの行を選択するためのゲート信号を、M個の出力端子から順次出力する。
Gate
ゲート線駆動回路9は、制御信号Sig4(スキャン開始信号及びクロックパルス信号)に基づいて、ゲート信号をM個の出力端子から順次出力するスキャナ回路であってもよい。或いは、ゲート線駆動回路9は、符号化された制御信号Sig4を復号化し、該制御信号Sig4で指定された出力端子にゲート信号を出力するデコーダ回路であってもよい。
The gate
ゲート線選択回路10は、M行の画素Pixに対応して、M個のスイッチSW4_1、SW4_2、・・・を含む。M個のスイッチSW4_1、SW4_2、・・・は、タイミングコントローラ4bから供給される制御信号Sig5によって共通に制御される。
The gate
第1パネル2上には、M行の画素Pixに対応して、M群のゲート線群GL1、GL2、・・・が配置されている。M群のゲート線群GL1、GL2、・・・の各々は、当該行の第1メモリ51に接続された第1ゲート線GCL1と、第2メモリ52に接続された第2ゲート線GCL2と、第3メモリ53に接続された第3ゲート線GCL3と、を含む。M群のゲート線群GL1、GL2、・・・の各々は、副画素アレイ90内において、X方向に沿う。
On the
M個のスイッチSW4_1、SW4_2、・・・の各々は、制御信号Sig5に応じて接続対象とするゲート線を切り替える。例えば、制御信号Sig5が第1ゲート線GCL1を選択するための値の場合には、ゲート線駆動回路9の出力端子と、第1ゲート線GCL1と、を接続する。この場合、ゲート信号が、各副画素SPixの第1メモリ51に供給される。このように、制御信号Sig5に応じて、M個のスイッチSW4_1、SW4_2、・・・の各々が、第1ゲート線GCL1、第2ゲート線GCL2又は第3ゲート線GCL3のいずれかと、ゲート線駆動回路9の出力端子とを接続する。ゲート信号は、ゲート線駆動回路9の出力端子と接続されたメモリに供給される。
M switches SW 4_1, SW 4_2, each ... switches the gate lines and the connection target in accordance with the control signal Sig 5. For example, the control signal Sig 5 in the case of a value for selecting the first gate line GCL 1 is connected to the output terminal of the gate
第1パネル2上には、N×3列の副画素SPixに対応して、N×3本のソース線SGL1、SGL2、・・・が配置されている。各ソース線SGL1、SGL2、・・・の各々は、副画素アレイ90内において、Y方向に沿う。ソース線駆動回路5は、ゲート信号によって選択されている各副画素SPixの3個のメモリに対して、ソース線SGL1、SGL2、・・・を介して、副画素データを夫々出力する。
On the
ゲート信号が供給された行の副画素SPixは、ゲート信号が供給されたゲート線GCLに応じて、ソース線SGLに供給されている副画素データを、第1メモリ51から第3メモリ53までのうちの1つのメモリに格納する。
The sub-pixel SPix in the row to which the gate signal has been supplied reads the sub-pixel data supplied to the source line SGL from the
メモリ選択回路8は、スイッチSW2と、ラッチ71と、スイッチSW3と、を含む。スイッチSW2は、タイミングコントローラ4bから供給される制御信号Sig2によって制御される。
画像を表示する場合、つまり、M×N×3個の第1メモリ51、第2メモリ52及び第3メモリ53のうちのいずれかから画像データを読み出す場合について説明する。この場合には、タイミングコントローラ4bは、第1の値の制御信号Sig2をスイッチSW2に出力する。スイッチSW2は、タイミングコントローラ4bから供給される第1の値の制御信号Sig2に基づいて、オン状態になる。これにより、基準クロック信号CLKがラッチ71に供給される。
A case where an image is displayed, that is, a case where image data is read from any one of the M × N × 3
画像を表示しない場合、つまり、M×N×3個の第1メモリ51、M×N×3個の第2メモリ52及びM×N×3個の第3メモリ53のうちのいずれからも画像データを読み出さない場合について説明する。この場合には、タイミングコントローラ4bは、第2の値の制御信号Sig2をスイッチSW2に出力する。スイッチSW2は、タイミングコントローラ4bから供給される第2の値の制御信号Sig2に基づいて、オフ状態になる。これにより、基準クロック信号CLKがラッチ71に供給されない。
In the case where the image is not displayed, that is, the image is displayed from any of the M × N × 3
ラッチ71は、スイッチSW2がオン状態で基準クロック信号CLKが供給される場合には、基準クロック信号CLKのハイレベルを基準クロック信号CLKの1周期保持する。ラッチ71は、スイッチSW2がオフ状態で基準クロック信号CLKが供給されない場合には、ハイレベルを保持する。
Latch 71, the switch SW 2 is when the reference clock signal CLK is supplied in the on state, the high level of the reference
第1パネル2上には、M行の画素Pixに対応して、M群のメモリ選択線群SL1、SL2、・・・が配置されている。M群のメモリ選択線群SL1、SL2、・・・の各々は、当該行の第1メモリ51に接続された第1メモリ選択線SEL1と、第2メモリ52に接続された第2メモリ選択線SEL2と、第3メモリ53に接続された第3メモリ選択線SEL3と、を含む。M群のメモリ選択線群SL1、SL2、・・・の各々は、副画素アレイ90内において、X方向に沿う。
On the
スイッチSW3は、タイミングコントローラ4bから供給される制御信号Sig3によって制御される。スイッチSW3は、例えば制御信号Sig3が第1メモリ選択線SEL1を選択するための値の場合には、ラッチ71の出力端子と、M群のメモリ選択線群SL1、SL2、・・・の各々の第1メモリ選択線SEL1と、を接続する。このように、制御信号Sig3に応じて、ラッチ71の出力端子と、第1メモリ選択線SEL1、第2メモリ選択線SEL2又は第3メモリ選択線SEL3とが接続される。 Switch SW 3 is controlled by the control signal Sig 3 supplied from the timing controller 4b. When the control signal Sig 3 is a value for selecting the first memory selection line SEL 1 , for example, the switch SW 3 outputs the output terminal of the latch 71 and the M group of memory selection line groups SL 1 , SL 2 ,. a first memory select line SEL 1 each ..., connecting. As described above, the output terminal of the latch 71 is connected to the first memory selection line SEL 1 , the second memory selection line SEL 2, or the third memory selection line SEL 3 according to the control signal Sig 3 .
各副画素SPixは、メモリ選択信号が供給されたメモリ選択線SELに応じて、第1メモリ51から第3メモリ53までのうちの1つのメモリに格納されている副画素データに基づいて、液晶層を変調する。このように、副画素SPixの階調制御が行われる。その結果、表示面に画像(フレーム)が表示される。
Each of the sub-pixels SPix is provided with a liquid crystal based on sub-pixel data stored in one of the first to
第1パネル2上には、M行の画素Pixに対応して、M本の表示信号線FRP1、FRP2、・・・が配置されている。M本の表示信号線FRP1、FRP2、・・・の各々は、副画素アレイ90内において、X方向に延在している。なお、反転駆動が採用される場合、1つの行当たり、表示信号線FRP及び第2表示信号線xFRPが設けられる。例えば、入力端子が表示信号線FRPに電気的に接続され、出力端子が第2表示信号線xFRPに電気的に接続されたインバータ回路を設けることで、反転表示信号を第2表示信号線xFRPに供給することが可能である。表示信号線FRPには、コモン電位VCOMと同相の信号が供給される。第2表示信号線xFRPには、コモン電位VCOMと位相差πとなる電位(xVCOM)が供給される。
On the
反転駆動回路7は、スイッチSW1を含む。スイッチSW1は、タイミングコントローラ4bから供給される制御信号Sig1によって制御される。スイッチSW1は、制御信号Sig1が第1の値の場合には、基準クロック信号CLKを各表示信号線FRP1、FRP2、・・・に供給する。スイッチSW1は、制御信号Sig1が第2の値の場合には、基準電位(接地電位)GNDを各表示信号線FRP1、FRP2、・・・に供給する。
Inversion drive circuit 7 includes a switch SW 1. Switch SW 1 is controlled by a control signal Sig 1 supplied from the timing controller 4b. Switch SW 1, when the control signal Sig 1 is the first value, the reference clock signal CLK the FRP respective
図12は、実施形態の表示装置の副画素の回路構成を示す図である。図12では、1個の副画素SPixを示している。副画素SPixは、メモリブロック50を含む。メモリブロック50は、第1メモリ51と、第2メモリ52と、第3メモリ53と、スイッチGsw1からGsw3までと、スイッチMsw1からMsw3までと、を含む。
FIG. 12 is a diagram illustrating a circuit configuration of a sub-pixel of the display device of the embodiment. FIG. 12 shows one sub-pixel SPix. The sub-pixel SPix includes a
スイッチGsw1の制御入力端子は、第1ゲート線GCL1に接続されている。スイッチGsw1は、第1ゲート線GCL1にハイレベルのゲート信号が供給されたらオン状態になり、ソース線SGL1と、第1メモリ51の入力端子と、の間を接続する。これにより、第1メモリ51に、ソース線SGL1に供給される副画素データが格納される。以上、スイッチGsw1と第1ゲート線GCL1と第1メモリ51との関係について説明したが、スイッチGsw2と第2ゲート線GCL2と第2メモリ52との関係及びスイッチGsw3と第3ゲート線GCL3と第3メモリ53との関係についても同様である。
The control input of the switch gsw 1 is connected to the first gate line GCL 1. The switch Gsw 1 is turned on when a high-level gate signal is supplied to the first gate line GCL 1 , and connects the source line SGL 1 and the input terminal of the
スイッチGsw1からGsw3までがハイレベルのゲート信号で動作する場合には、図12に示すように、ゲート線群GL1は、第1ゲート線GCL1から第3ゲート線GCL2までを含む。ハイレベルのゲート信号で動作するスイッチは、Nチャネルトランジスタが例示されるが、本開示はこれに限定されない。 When the switch gsw 1 until gsw 3 is operated in a gate signal of a high level, as shown in FIG. 12, the gate line group GL 1 includes a first gate line GCL 1 to the third gate line GCL 2 . An N-channel transistor is exemplified as a switch that operates with a high-level gate signal, but the present disclosure is not limited to this.
スイッチMsw1の制御入力端子は、第1メモリ選択線SEL1に接続されている。スイッチMsw1は、第1メモリ選択線SEL1にハイレベルのメモリ選択信号が供給されたらオン状態になり、第1メモリ51の出力端子と、反転スイッチ61の入力端子と、の間を接続する。これにより、第1メモリ51に格納されている副画素データが、反転スイッチ61に供給される。以上、スイッチMsw1と第1メモリ選択線SEL1と第1メモリ51との関係について説明したが、スイッチMsw2と第2メモリ選択線SEL2と第2メモリ52との関係及びスイッチMsw3と第3メモリ選択線SEL3と第3メモリ53との関係についても同様である。
The control input of the switch Msw 1 is connected to the first memory select line SEL 1. The switch Msw 1 is turned on when a high-level memory selection signal is supplied to the first memory selection line SEL 1 , and connects between the output terminal of the
次に、副画素SPixの反転駆動について説明する。液晶表示装置の画面の焼き付きを抑制するための駆動方式として、コモン反転、カラム反転、ライン反転、ドット反転、フレーム反転などの駆動方式が知られている。 Next, inversion driving of the sub-pixel SPix will be described. Driving methods such as common inversion, column inversion, line inversion, dot inversion, and frame inversion are known as driving methods for suppressing screen burn-in of a liquid crystal display device.
表示装置1は、上記の各駆動方式のいずれを採用することも可能である。実施形態では、表示装置1は、コモン反転駆動方式を採用する。表示装置1がコモン反転駆動方式を採用するので、共通電極駆動回路6は、基準クロック信号CLKに同期して、共通電極の電位(コモン電位)を反転する。反転駆動回路7は、タイミングコントローラ4bの制御下で、基準クロック信号CLKに同期して、反射電極の電位を反転させる。これにより、表示装置1は、コモン反転駆動方式を実現することができる。実施形態では、表示装置1は、液晶に電圧が印加されていない場合に黒色を表示し、液晶に電圧が印加されている場合に白色を表示する、いわゆるノーマリーブラック液晶表示装置とする。ノーマリーブラック液晶表示装置では、反射電極の電位とコモン電位とが同相の場合には、黒色が表示され、反射電極の電位とコモン電位とが異相の場合には、白色が表示される。
The
反転スイッチ61は、反転駆動回路7から供給される、基準クロック信号CLKに同期して反転する表示信号に基づいて、n個のメモリのうちの選択された1個のメモリから出力される副画素データを一定周期毎に反転して、反射電極15に出力する。表示信号が反転する周期は、例えば、共通電極23の電位(コモン電位)が反転する周期と同じである。分周回路等を用いて基準クロック信号CLKから複数種類の周期を有する信号を生成して表示信号が反転する周期とコモン電位が反転する周期とを別個の周期とするようにしてもよい。
The
図13は、実施形態の表示装置の副画素のメモリの回路構成を示す図である。図13は、第1メモリ51の回路構成を示す図である。なお、第2メモリ52及び第3メモリ53の回路構成は、第1メモリ51の回路構成と同様であるので、図示及び説明を省略する。
FIG. 13 is a diagram illustrating a circuit configuration of a memory of a sub-pixel of the display device of the embodiment. FIG. 13 is a diagram showing a circuit configuration of the
第1メモリ51は、インバータ回路81と、インバータ回路81に逆方向に並列接続されたインバータ回路82と、を含むSRAM(Static Random Access Memory)セル構造を有する。インバータ回路81の入力端子及びインバータ回路82の出力端子が、ノードN1を構成し、インバータ回路81の出力端子及びインバータ回路82の入力端子が、ノードN2を構成する。インバータ回路81及び82は、高電位側の電源供給線VDD及び低電位側の電源供給線VSSから供給される電力を使用して、動作する。
The
また、メモリブロック50は、ソース線SGL1と、ゲート線GCL1と、選択信号線SEL1と、高電位側の電源供給線VDDに加えて、ゲート線xGCL1と、選択信号線xSEL1と、低電位側の電源供給線VSSと接続されている。
Further, the
ノードN1は、スイッチGsw1の出力端子に接続されている。図13では、スイッチGsw1として、トランスファーゲートが用いられている例を示している。スイッチGsw1の一方の制御入力端子は、ゲート線GCL1に接続されている。スイッチGsw1の他方の制御入力端子は、ゲート線xGCL1に接続されている。ゲート線xGCL1には、ゲート線GCL1に供給されるゲート信号を反転した、反転ゲート信号が供給される。 Node N1 is connected to the output terminal of the switch gsw 1. FIG. 13 shows an example in which a switch gsw 1, transfer gate is used. One control input terminal of the switch gsw 1 is connected to the gate line GCL 1. The other control input of the switch gsw 1 is connected to the gate line xGCL 1. The gate line XGCL 1 is a gate signal supplied to the gate line GCL 1 inverted, the inverted gate signal is supplied.
スイッチGsw1からGsw3までが、ゲート信号に加えて、反転駆動のためにゲート信号を反転した反転ゲート信号とで動作する場合には、ゲート線群GL1は、さらに、反転ゲート信号が供給される第4ゲート線xGCL1から第6ゲート線xGCL3までをさらに含む。ゲート信号と、反転ゲート信号と、で動作するスイッチは、トランスファーゲートが例示されるが、本開示はこれに限定されない。 The switch gsw 1 until gsw 3, in addition to the gate signal, when operating in the inverted gate signal obtained by inverting the gate signal for the inversion driving, gate line group GL 1 further inverting gate signal supply further comprising a fourth gate line XGCL 1 is up to the sixth gate line xGCL 3. A switch operated by the gate signal and the inverted gate signal is exemplified by a transfer gate, but the present disclosure is not limited to this.
入力端子が第1ゲート線GCL1に接続され、出力端子が第4ゲート線xGCL1に接続されたインバータ回路を設けることで、反転ゲート信号を第4ゲート線xGCLaに供給することが可能である。第2ゲート線GCL2と第5ゲート線xGCL2及び第3ゲート線GCL3と第6ゲート線xGCL3についても同様である。 Input terminal connected to the first gate line GCL 1, the output terminal by providing the inverter circuit connected to the fourth gate line XGCL 1, can supply the inverted gate signal to the fourth gate line XGCL a is there. The same applies to the second gate line GCL 2 and the fifth gate line XGCL 2 and the third gate line GCL 3 sixth gate line XGCL 3.
スイッチGsw1の入力端子は、ソース線SGL1に接続されている。スイッチGsw1の出力端子は、ノードN1に接続されている。スイッチGsw1は、ゲート線GCL1に供給されるゲート信号がハイレベル且つゲート線xGCL1に供給される反転ゲート信号がローレベルになると、接続状態になり、ソース線SGL1と、ノードN1との間を接続する。これにより、ソース線SGL1に供給される副画素データが、第1メモリ51に格納される。
Input terminal of the switch gsw 1 is connected to a source line SGL 1. Output terminals of the switch gsw 1 is connected to the node N1. The switch Gsw 1 is connected when the gate signal supplied to the gate line GCL 1 is at a high level and the inverted gate signal supplied to the gate line xGCL 1 is at a low level, and the switch Gsw 1 is connected to the source line SGL 1 and the
ノードN2は、スイッチMsw1の入力端子に接続されている。図13では、スイッチMsw1として、トランスファーゲートが用いられている例を示している。スイッチMsw1の一方の制御入力端子は、選択信号線SEL1に接続されている。スイッチMsw1の他方の制御入力端子は、選択信号線xSEL1に接続されている。選択信号線xSEL1には、選択信号線SEL1に供給される信号の電位を反転した電位が供給される。例えば、入力端子が第1メモリ選択線SEL1に接続され、出力端子が第4メモリ選択線xSEL1に接続されたインバータ回路を設けることで、反転メモリ選択信号を第4メモリ選択線xSEL1に供給することが可能である。第2メモリ選択線SEL2と第5メモリ選択線xSEL5及び第3メモリ選択線SEL3と第6メモリ選択線xSEL6についても同様である。 Node N2 is connected to the input terminal of the switch Msw 1. FIG. 13 shows an example in which a switch Msw 1, transfer gate is used. One control input terminal of the switch Msw 1 is connected to the selection signal line SEL 1 . The other control input of the switch Msw 1 is connected to a selection signal line XSEL 1. The selection signal lines XSEL 1, it is inverted potential of the signal supplied to the selection signal line SEL 1 potential is supplied. For example, the input terminal is connected to the first memory select line SEL 1, the output terminal by providing the inverter circuit connected to the fourth memory selection lines XSEL 1, the inverted memory select signal to the fourth memory selection lines XSEL 1 It is possible to supply. The same applies to the second memory selection line SEL 2 and the fifth memory selection lines XSEL 5 and the third memory selection line SEL 3 sixth memory selection lines XSEL 6.
スイッチMsw1の入力端子は、ノードN2に接続されている。スイッチMsw1の出力端子は、ノードN3に接続されている。ノードN3は、第1メモリ51の出力ノードであり、反転スイッチ61に接続されている。スイッチMsw1は、選択信号線SEL1に供給される信号の電位がハイレベル且つ選択信号線xSEL1に供給される信号の電位がローレベルになると、接続状態になる。これにより、ノードN2が、スイッチMsw1及びノードN3を経由して、反転スイッチ61の入力端子に接続される。これにより、第1メモリ51に格納されている副画素データが、反転スイッチ61に供給される。なお、スイッチGsw1及びスイッチMsw1の両方が非接続状態の場合には、副画素データが、インバータ回路81及び82で構成されるループを循環する。従って、第1メモリ51は、副画素データを保持し続ける。
Input terminal of the switch Msw 1 is connected to the node N2. Output terminals of the switch Msw 1 is connected to the node N3. The node N3 is an output node of the
なお、実施形態では、第1メモリ51がSRAMである場合を例に挙げて説明したが、本開示はこれに限定されない。第1メモリ51は、例えばDRAM(Dynamic Random Access Memory)であってもよい。
In the embodiment, the case where the
図14は、実施形態の表示装置の副画素の反転スイッチの回路構成を示す図である。反転スイッチ61は、インバータ回路91と、Nチャネルトランジスタ92及び95と、Pチャネルトランジスタ93及び94と、を含む。
FIG. 14 is a diagram illustrating a circuit configuration of an inversion switch of a sub-pixel of the display device of the embodiment. Inverting
インバータ回路91の入力端子、Pチャネルトランジスタ94のゲート端子及びNチャネルトランジスタ95のゲート端子は、ノードN4に接続されている。ノードN4は、反転スイッチ61の入力ノードであり、ノードN3に接続されている。ノードN4には、ノードN3から副画素データが供給される。インバータ回路91は、高電位側の電源供給線VDD及び低電位側の電源供給線VSSから供給される電力を使用して動作する。
The input terminal of the
Nチャネルトランジスタ92は、ソース及びドレインのうちの一方が信号線xFRP1に接続されている。Pチャネルトランジスタ93は、ソース及びドレインのうちの一方が信号線FRP1に接続されている。Pチャネルトランジスタ94は、ソース及びドレインのうちの一方が信号線xFRP1に接続されている。Nチャネルトランジスタ95は、ソース及びドレインのうちの一方が信号線FRP1に接続されている。Nチャネルトランジスタ92、Pチャネルトランジスタ93、Pチャネルトランジスタ94及びNチャネルトランジスタ95は、他方がノードN5に接続されている。
N-
ノードN5は、反転スイッチ61の出力ノードであり、反射電極15に接続されている。ノードN3から供給される副画素データがハイレベルである場合には、インバータ回路91の出力信号は、ローレベルになる。インバータ回路91の出力信号がローレベルであると、Nチャネルトランジスタ92は非接続状態になり、Pチャネルトランジスタ93は接続状態になる。
The node N5 is an output node of the
また、ノードN3から供給される副画素データがハイレベルである場合には、Pチャネルトランジスタ94は非接続状態になり、Nチャネルトランジスタ95は接続状態になる。従って、ノードN3から供給される副画素データがハイレベルである場合には、信号線FRP1に供給される表示信号が、Pチャネルトランジスタ93及びNチャネルトランジスタ95を介して、反射電極15に供給される。
When the sub-pixel data supplied from the node N3 is at a high level, the P-
信号線FRP1に供給される表示信号及び共通電極23に供給されるコモン電位VCOMは、例えば基準クロック信号CLKに同期して反転する。表示信号とコモン電位VCOMとが同相である場合、液晶LQは、電圧が印加されないので、分子の方向が変化しない。これにより、副画素は、黒表示(反射光を透過させない状態。反射光がカラーフィルタを透過せず、色が表示されない状態)となる。
Common potential is supplied to the display signal and the
ノードN3から供給される副画素データがローレベルである場合には、インバータ回路91の出力信号は、ハイレベルになる。インバータ回路91の出力信号がハイレベルであると、Nチャネルトランジスタ92は接続状態になり、Pチャネルトランジスタ93は非接続状態になる。
When the sub-pixel data supplied from the node N3 is at a low level, the output signal of the
また、ノードN3から供給される副画素データがローレベルである場合には、Pチャネルトランジスタ94は接続状態になり、Nチャネルトランジスタ95は非接続状態になる。従って、ノードN3から供給される副画素データがローレベルである場合には、信号線xFRP1に供給される反転表示信号が、Nチャネルトランジスタ92及びPチャネルトランジスタ94を介して、反射電極15に供給される。
When the sub-pixel data supplied from the node N3 is at a low level, the P-
信号線xFRP1に供給される反転表示信号は、基準クロック信号CLKに同期して反転する。表示信号とコモン電位VCOMとが異相である場合、液晶LQは、電圧が印加されるので、分子の方向が変化する。これにより、副画素は、白表示(反射光を透過させる状態。反射光がカラーフィルタを透過して色が表示される状態)となる。 Highlight signal supplied to the signal line XFRP 1 in synchronization with inverted reference clock signal CLK. When the display signal and the common potential VCOM are out of phase, a voltage is applied to the liquid crystal LQ, so that the direction of the molecule changes. As a result, the sub-pixel is in a white display (a state in which reflected light is transmitted; a state in which the reflected light is transmitted through the color filter and a color is displayed).
基準クロック信号CLKは、反転駆動回路7に入力される。反転駆動回路7は、図11に示すように、スイッチSW1を含む。スイッチSW1は、タイミングコントローラ4bから供給される制御信号Sig1によって制御される。反転駆動回路7は、基準クロック信号CLKを増幅する増幅回路等の構成を含む。反転駆動回路7は、基準クロック信号CLKを増幅した信号を表示信号線FRPに供給する。 The reference clock signal CLK is input to the inversion driving circuit 7. Inversion driving circuit 7, as shown in FIG. 11, a switch SW 1. Switch SW 1 is controlled by a control signal Sig 1 supplied from the timing controller 4b. The inversion drive circuit 7 includes a configuration such as an amplifier circuit for amplifying the reference clock signal CLK. The inversion drive circuit 7 supplies a signal obtained by amplifying the reference clock signal CLK to the display signal line FRP.
図15は、実施形態の表示装置の動作タイミングを示すタイミング図である。図15の全体にわたって、共通電極駆動回路6は、基準クロック信号CLKに同期して反転するコモン電位を、共通電極23に供給する。
FIG. 15 is a timing chart showing the operation timing of the display device of the embodiment. 15, the common
タイミングt0からタイミングt3までは、1つの行のN×3個の副画素SPixの各々に含まれる第1メモリ51から第3メモリ53までへの副画素データの書き込み期間である。
From the timing t 0 to time t 3 is a period for writing the sub-pixel data to the
タイミングt0において、タイミングコントローラ4bは、第1ゲート線GCL1を選択するための値の制御信号Sig5を、ゲート線選択回路10内のスイッチSW4に出力する。スイッチSW4は、ゲート線駆動回路9の出力端子と、第1ゲート線GCL1と、を接続する。ゲート線駆動回路9は、ゲート信号を各行の第1ゲート線GCL1に出力する。第1ゲート線GCL1にハイレベルのゲート信号が供給されると、当該行に属する副画素SPixの各々の第1メモリ51が、副画素データの書き込み先として選択される。
At timing t 0, the timing controller 4b is a control signal Sig 5 of the values to select the first gate line GCL 1, and outputs to the switch SW 4 of the gate
また、タイミングt0において、ソース線駆動回路5は、「A」という画像(フレーム)を表示するための副画素データを、ソース線SGLに出力する。これにより、各行に属する副画素SPixの各々の第1メモリ51には、「A」という画像を表示するための副画素データが、夫々書き込まれる。また、タイミングt0から次のタイミング(タイミングt1)にわたって、かかる動作が第1行から第M行まで線順次により実施される。これにより、全副画素SPixの第1メモリには、画像「A」を形成するための信号が書き込まれ、保存される。
Further, at timing t 0, the source
タイミングt1,t2においても、タイミングt0と同様の処理が行われる。ただし、タイミングt1の場合、上述のタイミングt0における第1ゲート線GCL1、第1メモリ51及び「A」を第2ゲート線GCL2、第2メモリ52及び「B」に読み替える。また、タイミングt2の場合、上述のタイミングt0における第1ゲート線GCL1、第1メモリ51及び「A」を第3ゲート線GCL3、第3メモリ53及び「C」に読み替える。
At timings t 1 and t 2 , the same processing as at timing t 0 is performed. However, if the timing t 1, a first gate line GCL 1 at the timing t 0 of the above, the
タイミングt4からタイミングt10までは、「A」、「B」及び「C」という3つの画像(3つのフレーム)を順次切り替えて表示するアニメーション表示(動画像表示)期間である。 From time t 4 to time t 10, "A", "B" and sequentially switch and animation display for displaying the three images (three frames) "C" (moving image display) period.
タイミングt4において、タイミングコントローラ4bは、第1の値の制御信号Sig2を、メモリ選択回路8内のスイッチSW2に出力する。スイッチSW2は、タイミングコントローラ4bから供給される第1の値の制御信号Sig2に基づいて、オン状態になる。これにより、基準クロック信号CLKが、ラッチ71に供給される。
At timing t 4, the timing controller 4b is a control signal Sig 2 for the first value, and outputs to the switch SW 2 in the
また、タイミングt4において、タイミングコントローラ4bは、第1メモリ選択線SEL1を選択するための値の制御信号Sig3を、メモリ選択回路8内のスイッチSW3に出力する。スイッチSW3は、ラッチ71の出力端子と、M群のメモリ選択線群SL1、SL2、・・・の各々の第1メモリ選択線SEL1と、を接続する。これにより、メモリ選択信号が、M群のメモリ選択線群SL1、SL2、・・・の各々の第1メモリ選択線SEL1に供給される。
Further, at the timing t 4, the timing controller 4b is a control signal Sig 3 of values for selecting the first memory select line SEL 1, and outputs to the switch SW 3 in the
各々の第1メモリ選択線SEL1に接続されている各第1メモリ51は、「A」という画像を表示するための副画素データを、反転スイッチ61に出力する。これにより、タイミングt4において、表示装置1は、「A」という画像を表示する。
Each
タイミングt5,t6においても、タイミングt4と同様の処理が行われる。ただし、タイミングt5の場合、上述のタイミングt4における第1メモリ選択線SEL1、第1メモリ51及び「A」を第2メモリ選択線SEL2、第2メモリ52及び「B」に読み替える。また、タイミングt2の場合、上述のタイミングt0における第1メモリ選択線SEL1、第1メモリ51及び「A」を第3メモリ選択線SEL3、第3メモリ53及び「C」に読み替える。タイミングt7からタイミングt9までの各部の動作は、タイミングt4からタイミングt6までの各部の動作と同様である。
At timings t 5 and t 6 , the same processing as at timing t 4 is performed. However, if the timing t 5, the first memory select line SEL 1 at the timing t 4 of the above, the
上記したように、表示装置1は、タイミングt4からタイミングt10までの期間において、「A」、「B」及び「C」という3つの画像(3つのフレーム)を順次切り替えて表示するアニメーション表示(動画像表示)を行うことができる。
As described above, the
タイミングt10からタイミングt12までは、「A」という画像を表示する静止画表示期間である。 From the timing t 10 to the timing t 12 is a still-image display period for displaying an image of "A".
タイミングt10において、タイミングコントローラ4bは、第2の値の制御信号Sig2を、メモリ選択回路8内のスイッチSW2に出力する。スイッチSW2は、タイミングコントローラ4bから供給される第2の値の制御信号Sig2に基づいて、オフ状態になる。これにより、基準クロック信号CLKが、ラッチ71に供給されない。ラッチ71は、ハイレベルを保持する。
At timing t 10, the timing controller 4b is a control signal Sig 2 for the second value, and outputs to the switch SW 2 in the
また、タイミングt10において、タイミングコントローラ4bは、第1メモリ選択線SEL1を選択するための値の制御信号Sig3を、メモリ選択回路8内のスイッチSW3に出力する。スイッチSW3は、ラッチ71の出力端子と、M群のメモリ選択線群SL1、SL2、・・・の各々の第1メモリ選択線SEL1と、を接続する。上記と同様の駆動により、タイミングt10からタイミングt12までにおいて、表示装置1は、「A」という画像を静止画表示する。
Further, at a timing t 10, the timing controller 4b is a control signal Sig 3 of values for selecting the first memory select line SEL 1, and outputs to the switch SW 3 in the
なお、「A」という画像を静止画表示している静止画表示期間内のタイミングt11において、各副画素SPixに含まれる第2メモリ52に、「X」という画像(フレーム)を表示するための副画素データを書き込むことができる。
Incidentally, at the timing t 11 in the still-image display period displaying still picture images "A", the
タイミングt11において、タイミングコントローラ4bは、第2ゲート線GCL2を選択するための値の制御信号Sig5を、ゲート線選択回路10内のスイッチSW4に出力する。スイッチSW4は、ゲート線駆動回路9の出力端子と、第2ゲート線GCL2と、を接続する。ゲート線駆動回路9は、ゲート信号を、各行の第2ゲート線GCL2に出力する。第2ゲート線GCL2にハイレベルのゲート信号が供給されると、当該行に属する副画素SPixの各々の第2メモリ52が、副画素データの書き込み先として選択される。
At timing t 11, the timing controller 4b is a control signal Sig 5 of the values to select the second gate line GCL 2, and outputs to the switch SW 4 of the gate
また、タイミングt11において、ソース線駆動回路5は、「X」という画像を表示するための副画素データを、ソース線SGLに出力する。これにより、各行に属する副画素SPixの各々の第2メモリ52には、「X」という画像を表示するための副画素データが、夫々書き込まれる。
Further, at a timing t 11, the source
なお、図15では、「A」という画像を静止画表示している静止画表示期間内のタイミングt11において、各副画素SPixに含まれる第2メモリ52に、「X」という画像を表示するための副画素データを書き込む場合について説明した。しかしながら、例えば、アニメーション表示(動画像表示)期間内の、「C」及び「A」という画像をアニメーション表示(動画像表示)しているタイミングt6からタイミングt8までにおいて、各副画素SPixに含まれる第2メモリ52に、「X」という画像を表示するための副画素データを書き込むことも可能である。
In FIG. 15, at the timing t 11 in the still-image display period displaying still picture images "A", the
タイミングt12以降は、「X」、「C」及び「A」という3つの画像(3つのフレーム)を順次切り替えて表示するアニメーション表示(動画像表示)期間である。タイミングt12以降については、「B」が「X」に置換される点を除いて、タイミングt5,t6,t4と同様である。 Timing t 12 after the "X", "C" and animated sequentially switching and displaying the three images of "A" (three frames) (moving image display) period. Timing t 12 later, except that the "B" is replaced with "X", it is similar to the timing t 5, t 6, t 4 .
次に、1つの副画素SPixに含まれるメモリの数に関する説明を行う。実施形態において、例えばn=20、すなわち、1つの副画素SPixに含まれるメモリの数が20であった場合について説明する。この場合、動画像の表示等のために使用したいメモリの数を20以下の範囲内で任意に決定することができるようになる。また、使用したいメモリの数が20に満たない用途において、一部のメモリを意図的に不使用にすることができる余裕が生じる。 Next, the number of memories included in one sub-pixel SPix will be described. In the embodiment, a case where, for example, n = 20, that is, the number of memories included in one sub-pixel SPix is 20 will be described. In this case, the number of memories to be used for displaying moving images and the like can be arbitrarily determined within a range of 20 or less. Also, in applications where the number of memories to be used is less than 20, there is a margin that some memories can be intentionally made unused.
一例として、n=20であり、且つ、使用したいメモリの数が10である場合を想定する。この場合、1つの副画素SPixに含まれる20のメモリの一部(10未満)が使用に適さない何らかの不具合を生じたとしても、当該一部のメモリを除くメモリで十分に使用したいメモリの数を確保することができる。すなわち、1つの副画素SPixに含まれるメモリの数をより多くすることで、冗長性を持たせることができる。 As an example, it is assumed that n = 20 and the number of memories desired to be used is 10. In this case, even if a part (less than 10) of the 20 memories included in one sub-pixel SPix causes some unsuitable use, the number of memories to be sufficiently used in the memory excluding the partial memory Can be secured. That is, redundancy can be provided by increasing the number of memories included in one sub-pixel SPix.
なお、1つの副画素SPixに含まれる複数のメモリのうちどのメモリを使用し、どのメモリを使用しないかは、例えば制御信号Sig5によって副画素アレイ90のグループ単位で制御するようにしてもよいし、各副画素SPix行に対応するスイッチSW4毎に個別の制御信号Sig5を供給するようにして副画素SPix行単位で制御可能としてもよい。また、ソース線駆動回路5やゲート線選択回路10の接続を各副画素SPix毎に独立制御する機能を搭載することで、使用するメモリを副画素SPix毎に設定可能にしてもよい。これらの場合、使用するメモリの設定は、例えば、表示装置1の検査結果情報を元に、制御信号Sig5を含む各種の設定に関する情報を含むコマンドデータCMDを表示装置1に出力するためのパネル駆動プログラムに当該検査結果情報をフィードバックする等の方法により実現することができる。
Note that use any memory of the plurality of memory included in one sub-pixel SPix, either does not use any memory, for example, by the control signal Sig 5 may be controlled in groups of
以上、実施形態によれば、副画素アレイ90を複数グループ設けてグループ単位で分割配置し、グループ毎にソース線駆動回路5を第1パネル2の回路層17Lの内側に配置することで、1つのソース線駆動回路5から全てのグループの副画素SPixに対して信号線を延出する場合に比して、ソース線駆動回路5−副画素SPix間のソース線SGLの長さをより短くすることができる。すなわち、実施形態によれば、副画素データをソース線SGL経由で伝送する際の負荷をより低減することができる。これによって、ソース線SGLが有する電気抵抗に基づいてソース線駆動回路5に求められる信号の出力電圧の高さに関する要件をより低くすることができる。このため、副画素データをより安定してメモリブロック50に書き込むことができる。また、信号の出力電圧が相対的に低くてもよいということは、同一の出力電圧による安定動作のマージンが向上することでもある。このため、万が一ソース線SGLにおいて若干のリークが生じたとしても副画素データの書き込みを無事に行うことが可能になる。従って、第1パネル2におけるソース線SGLの精度要求をより緩和することができることから、表示装置1の歩留りをより向上させることができる。
As described above, according to the embodiment, the
また、一般的に配線を細くすると配線の電気抵抗が上がることが知られている。一方、実施形態のようにソース線SGLの長さを相対的に短くすることができるということは、単位距離あたりのソース線SGLの抵抗が若干高まっても副画素データの書き込みを行うことができるということである。従って、1つのソース線駆動回路5から全てのグループの副画素SPixに対して信号線を延出する場合に比して、ソース線SGLをより細くすることができる。従って、ソース線SGL同士の間隔をより大きく確保することができるようになる。これによって、ソース線SGL同士の間に異物等が混入することによるショートの発生をより抑制しやすくなる。すなわち、第1パネル2におけるソース線SGLの精度要求をより緩和することができることから、表示装置1の歩留りをより向上させることができる。また、精度要求をより緩和することができることから、表示装置1の設計がより容易になる。
Also, it is generally known that the thinner the wiring, the higher the electrical resistance of the wiring. On the other hand, the fact that the length of the source line SGL can be relatively shortened as in the embodiment means that sub-pixel data can be written even if the resistance of the source line SGL per unit distance is slightly increased. That's what it means. Therefore, the source line SGL can be made thinner than when a signal line is extended from one source
また、副画素データをソース線SGL経由で伝送する際の負荷をより低減することができるということは、表示装置1の大型化によるソース線駆動回路5−副画素SPix間のソース線SGLの長大化に対する耐性がより大きくなるということである。従って、表示装置1の大型化が容易になる。
Further, the fact that the load when transmitting the sub-pixel data via the source line SGL can be further reduced means that the length of the source line SGL between the source
以上、副画素アレイ90を複数グループ設けてグループ単位で分割配置し、グループ毎にソース線駆動回路5を第1パネル2の回路層17Lの内側に配置することによる負荷の低減によるメリットについて説明したが、これはグループ毎にゲート線選択回路10を第1パネル2の回路層17Lの内側に配置することについても同様である。すなわち、実施形態によれば、1つのゲート線選択回路10から全てのグループの副画素SPixに対して信号線を延出する場合に比して、ゲート線選択回路10−副画素SPix間のゲート線GCLの長さをより短くすることができる。このため、ゲート線選択回路10及びゲート線GCLについても、ソース線駆動回路5及びソース線SGLに関するメリットと同様のメリットを得ることができる。
As described above, the merits of reducing the load by providing a plurality of groups of
また、回路層17Lが表示面1a側から見て電極層15Lに覆われている。このため、表示面1aに回路を配置するための領域を露出させず、表示面1aを反射電極15による画像の表示領域として占有することができる。このため、複数の表示装置1を並べた場合に表示装置1同士の間に回路のための額縁領域が介在するような「画像の隙間」が生じることを抑制することができる。従って、複数の表示装置1の組み合わせによるより大きな画像の表示領域の実現がより容易になる。
The
また、2つのグループで共有されるインタフェース回路4が当該2つのグループのソース線駆動回路5の間に位置することで、2つのグループのソース線駆動回路5の各々とインタフェース回路4との間の信号伝送経路長の差をより近似させやすくなる。このため、2つのグループのソース線駆動回路5の同期制御がより容易になる。
Further, since the interface circuit 4 shared by the two groups is located between the source
(変形例)
次に、実施形態の変形例について、図16、図17を参照して順次説明する。変形例の説明において、実施形態と同様の機能を有する構成については、同じ符号を付して説明を省略する。
(Modification)
Next, modified examples of the embodiment will be sequentially described with reference to FIGS. In the description of the modification, components having the same functions as those of the embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
(変形例1)
図16は、変形例1の表示装置100が備える回路構成例を示す模式図である。図16では、X方向に4つの副画素アレイ90が設けられた表示装置1Aを例示している。変形例においても、実施形態と同様、副画素アレイ90は、個別のソース線駆動回路5、メモリ選択回路8、ゲート線駆動回路9及びゲート線選択回路10とグループを構成している。例えば、ソース線駆動回路5gと、メモリ選択回路8gと、ゲート線駆動回路9gと、ゲート線選択回路10gと、副画素アレイ90gが1つのグループを構成する。他の小文字アルファベット(h,i,j)が末尾に付されたソース線駆動回路5、メモリ選択回路8、ゲート線駆動回路9、ゲート線選択回路10及び副画素アレイ90についても同様であり、符号の末尾を置換することで読み替え可能である。
(Modification 1)
FIG. 16 is a schematic diagram illustrating a circuit configuration example included in the
また、図16では、X方向に3つのインタフェース回路4、反転駆動回路7が設けられた表示装置1Aを例示している。図16では、3つのインタフェース回路4、反転駆動回路7の位置を区別する目的で、大文字アルファベット(D,E,F)を符号の末尾に付している。2つの副画素アレイ90h,90iのグループは、インタフェース回路4E及び反転駆動回路7Eを共有する。インタフェース回路4D及び反転駆動回路7Dは、副画素アレイ90gと同一のグループである。インタフェース回路4F及び反転駆動回路7Fは、副画素アレイ90jと同一のグループである。回路層17Lにおけるこれらの構成は、フレキシブルプリント基板FPCDの反対側からY方向に沿って、副画素アレイ90g、ソース線駆動回路5g、インタフェース回路4D、副画素アレイ90h、ソース線駆動回路5h、インタフェース回路4E、ソース線駆動回路5i、副画素アレイ90i、インタフェース回路4F、ソース線駆動回路5j、副画素アレイ90jの順に配置されている。
FIG. 16 illustrates a
静電保護回路20D及び静電保護回路40DのY方向の位置は、副画素アレイ90jとフレキシブルプリント基板FPCDとの間である。4つの副画素アレイ90g,90h,90i,90jのグループは、静電保護回路20D、静電保護回路40D及びクロックバッファ80Dを共有する。
The positions of the
変形例1における各グループの副画素アレイ90とメモリ選択回路8、ゲート線駆動回路9、ゲート線選択回路10との位置関係は、実施形態と同様である。反転駆動回路7Dは、メモリ選択回路8g、ゲート線駆動回路9g及びゲート線選択回路10gが並ぶ領域と、メモリ選択回路8h、ゲート線駆動回路9h及びゲート線選択回路10hが並ぶ領域との間に位置する。反転駆動回路7E及びクロックバッファ80Dは、メモリ選択回路8h、ゲート線駆動回路9h及びゲート線選択回路10hが並ぶ領域と、メモリ選択回路8i、ゲート線駆動回路9i及びゲート線選択回路10iが並ぶ領域との間に位置する。反転駆動回路7Fは、メモリ選択回路8i、ゲート線駆動回路9i及びゲート線選択回路10iが並ぶ領域と、メモリ選択回路8j、ゲート線駆動回路9j及びゲート線選択回路10jが並ぶ領域との間に位置する。
The positional relationship among the
変形例1によれば、Y方向に3以上の副画素アレイ90を設ける場合であっても、各副画素アレイ90の階調制御に関する回路の動作をより確実に同期させることができる。また、Y方向に3以上の副画素アレイ90を設ける場合であっても、実施形態と同様、ソース線駆動回路5−副画素SPix間のソース線SGL及びゲート線選択回路10−副画素SPix間のゲート線GCLの長さを短くできることによるメリットを得られる。
According to the first modification, even when three or more
なお、図16では、Y方向に設けられた4つのグループのうち、2つのグループが1つのインタフェース回路4及び反転駆動回路7を共有し、他の2つのグループが個別のインタフェース回路4及び反転駆動回路7を有している例を示しているが、これは回路の具体的構成の一例であってこれに限られるものでない。例えば、1つのインタフェース回路4及び反転駆動回路7を共有する2つのグループがY方向に2セット設けられていてもよい。 In FIG. 16, two of the four groups provided in the Y direction share one interface circuit 4 and the inversion drive circuit 7, and the other two groups have the individual interface circuit 4 and the inversion drive circuit 7. Although an example having the circuit 7 is shown, this is an example of a specific configuration of the circuit and is not limited to this. For example, two sets sharing one interface circuit 4 and one inversion drive circuit 7 may be provided in the Y direction.
(変形例2)
図17は、変形例2の回路構成の一例を示す模式図である。信号線選択回路130は、複数の選択線(例えば、選択線SG1,SG2,SG3)のいずれか1つに信号を出力する回路である。スイッチSSW1は、選択線SG1に出力された信号に応じて幹ソース線MSGLと枝ソース線SSGL1とを接続する。スイッチSSW2は、選択線SG2に出力された信号に応じて幹ソース線MSGLと枝ソース線SSGL2とを接続する。スイッチSSW3は、選択線SG3に出力された信号に応じて幹ソース線MSGLと枝ソース線SSGL3とを接続する。すなわち、信号線選択回路130及びスイッチSSW1,SSW2,SSW3は、複数のサブ信号線(枝ソース線SSGL1、枝ソース線SSGL2又は枝ソース線SSGL3)のいずれかを幹ソース線MSGLと接続する回路として機能する。複数のサブ信号線(枝ソース線SSGL1、枝ソース線SSGL2、枝ソース線SSGL3)は夫々、異なる列(X方向の位置)の副画素SPixが有する副画素回路70と接続される。
(Modification 2)
FIG. 17 is a schematic diagram illustrating an example of a circuit configuration of Modification Example 2. The signal
信号線選択回路130は、例えばソース線駆動回路5と副画素アレイ90との間で副画素データを中継する構成として設けられる。この場合、信号線選択回路130は、選択線SG1,SG2,SG3のいずれか1つに信号を出力し、枝ソース線SSGL1、枝ソース線SSGL2又は枝ソース線SSGL3のいずれかを幹ソース線MSGLと接続する。ソース線駆動回路5は、幹ソース線MSGLに対して副画素データを出力する。副画素データは、幹ソース線MSGLと接続された枝ソース線SSGL1、枝ソース線SSGL2又は枝ソース線SSGL3のいずれかと接続された副画素SPixの副画素回路70に含まれるメモリに伝送される。このように、信号線選択回路130は、複数の副画素SPixに対して設けられた複数のメモリに個別に副画素データを伝送する複数の枝ソース線SSGLのうち副画素データを伝送させる一部の枝ソース線SSGLを選択する。
The signal
信号線選択回路130は、複数のグループで共有されるソース線駆動回路5と副画素アレイ90との間に介在して副画素データを中継する構成として設けられてもよい。この場合、副画素データは、いずれかのグループの副画素アレイ90における副画素SPixの副画素回路70に含まれるメモリに伝送される。
The signal
なお、図17及び図17を参照した説明では、選択線及び選択線に出力される信号に応じて動作するスイッチ並びにサブ信号線の数が3である場合を一例としているが、この数は2であってもよいし、4以上であってもよい。 In the description with reference to FIG. 17 and FIG. 17, an example is given in which the number of selection lines and the number of switches and sub-signal lines that operate according to the signals output to the selection lines is three, but this number is two. Or four or more.
変形例2によれば、1つの幹ソース線MSGLから複数の枝ソース線SSGLを経由して副画素データを伝送することができる。このため、1つのソース線駆動回路5から副画素データを得る全ての副画素SPixの列に対して直接ソース線SGLを設ける場合に比して、幹ソース線MSGL−枝ソース線SSGLを経る経路を採用することで、ソース線駆動回路5から延出される配線をより少ない数の幹ソース線MSGLにすることができる。また、1つの幹ソース線MSGLと接続可能な複数の枝ソース線SSGLのうち1つの枝ソース線SSGLに副画素データを出力する際に他の枝ソース線SSGLには信号が流れない。このため、他の枝ソース線SSGLによる負荷がソース線駆動回路5に及ばなくなり、ソース線駆動回路5の動作をより安定させることができるようになる。
According to the second modification, sub-pixel data can be transmitted from one trunk source line MSGL via a plurality of branch source lines SSGL. Therefore, as compared with the case where the source lines SGL are provided directly for the columns of all the sub-pixels SPix that obtain the sub-pixel data from one source
さらに、実施形態の表示装置1では、副画素アレイ90外に設けられるメモリ選択回路8が、各副画素SPixの第1メモリ51から第nメモリnまでのうちの1個を、同時に選択する。従って、表示装置1は、n通りの画像(nフレーム)のうちの1つを表示することができる。これにより、表示装置1は、画像を一斉に変化させることができ、画像を短時間で変化させることができる。また、表示装置1は、各副画素SPixのn個のメモリの選択を順次切り替えることによって、アニメーション表示(動画像表示)を行うことができる。
Further, in the
さらに、実施形態の表示装置1では、副画素データの書き込み時には、ゲート線選択回路10が、第1メモリ51から第nメモリ5nまでのいずれかを選択する。また、副画素データの読み出し時には、額縁領域GDに配置されたメモリ選択回路8が、第1メモリ51から第nメモリ5nまでのいずれかを選択する。従って、各画素Pixが、メモリを切り替えるための回路を含む必要がない。これにより、表示装置1は、上記の如き効果に加えて、さらに画像表示パネルの微細化及び高精細化の要請に応えることが可能である。
Furthermore, in the
さらに、実施形態の表示装置1では、第1メモリ51から第nメモリ5nまでのいずれか1つに格納されている副画素データに基づいて画像を表示している期間に、第1メモリ51から第nメモリ5nまでの他のいずれか1つに、副画素データを書き込むこともできる。これにより、表示装置1は、画像を表示しながら、他の画像の副画素データを書き込むことも可能である。
Further, in the
(適用例)
図18は、実施形態等の適用例を示す図である。図19は、図18のV−V断面図である。図18では、位置が異なる複数の表示装置1を区別する目的で符号1A,1B,1C,1D,1E,1Fを用いているが、これらの符号が付された構成は表示装置1(又は変形例が適用された表示装置)と同様の構成である。図18に示すように、複数の表示装置1を配列するタイリングによって、より大きな画像を表示可能な表示領域を形成することができる。また、図19に示すように、フレキシブルプリント基板FPCをほぼ垂直に曲げて表示装置1をY方向にパネルを敷き詰めることでY方向に並ぶ表示装置1間の隙間をより小さくしたタイリングが可能になる。
(Application example)
FIG. 18 is a diagram illustrating an application example of the embodiment and the like. FIG. 19 is a sectional view taken along line VV of FIG. In FIG. 18,
以上、本発明の好適な実施形態等を説明したが、本発明はこのような実施形態等に限定されるものではない。実施形態等で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。上述した実施形態等の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の種々の省略、置換及び変更のうち少なくとも1つを行うことができる。 The preferred embodiments and the like of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to such embodiments and the like. The contents disclosed in the embodiments and the like are merely examples, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. Appropriate changes made without departing from the spirit of the present invention naturally belong to the technical scope of the present invention. At least one of various omissions, replacements, and changes of the components can be performed without departing from the gist of the above-described embodiment and the like.
1,100 表示装置
1a 表示面
2 第1パネル
3 第2パネル
4 インタフェース回路
5 ソース線駆動回路
6 共通電極駆動回路
7 反転駆動回路
8 メモリ選択回路
9 ゲート線駆動回路
10 ゲート線選択回路
11 第1基板
15 反射電極
15L 電極層
16 積層配線
17L 回路層
20,40 静電保護回路
21 第2基板
23 共通電極
30 液晶層
41 シリアル−パラレル変換回路
42 タイミングコントローラ
43 設定レジスタ
50 メモリブロック
51 第1メモリ
52 第2メモリ
53 第3メモリ
5n 第nメモリ
61 反転スイッチ
70 副画素回路
80 クロックバッファ
90 副画素アレイ
FPC フレキシブルプリント基板
FRP 表示信号線
GL ゲート線群
GCL ゲート線
Pix 画素
SPix 副画素
SL メモリ選択線群
SEL メモリ選択線
1,100
Claims (8)
前記電極層よりも下層に設けられる回路層とを備え、
前記回路層は、各反射電極に対応して設けられる複数のメモリと、各メモリに書き込まれるデータを出力する信号出力回路と、外部からの信号に基づいて前記信号出力回路を制御するインタフェース回路とを備え、
前記複数の反射電極が複数のグループに分けられると共に、前記信号出力回路は、各グループごとに設けられ、且つ、
前記インタフェース回路は、隣り合う前記グループで共用されている
表示装置。 An electrode layer on which a plurality of reflective electrodes are arranged,
A circuit layer provided below the electrode layer,
The circuit layer, a plurality of memories provided corresponding to each reflective electrode, a signal output circuit that outputs data written to each memory, and an interface circuit that controls the signal output circuit based on an external signal With
The plurality of reflective electrodes are divided into a plurality of groups, and the signal output circuit is provided for each group, and
The display device, wherein the interface circuit is shared by the adjacent groups.
請求項1に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the interface circuit is located between the signal output circuits of the adjacent groups.
前記信号線選択回路は、前記信号出力回路と前記メモリとの間に介在する
請求項2に記載の表示装置。 A plurality of signal lines for individually transmitting the data to the plurality of memories, and a signal line selection circuit for selecting some of the plurality of signal lines to transmit the data,
The display device according to claim 2, wherein the signal line selection circuit is interposed between the signal output circuit and the memory.
前記選択回路は、前記グループ毎に設けられ、前記回路層に配置されている
請求項1から3のいずれか一項に記載の表示装置。 A selecting circuit for selecting one of the memories provided for the one reflecting electrode;
4. The display device according to claim 1, wherein the selection circuit is provided for each of the groups and is disposed on the circuit layer. 5.
2つの前記グループの前記選択回路は、前記クロックバッファから出力された前記基準クロック信号に基づいて同期制御される
請求項4に記載の表示装置。 A clock buffer that buffers and outputs an external reference clock signal,
The display device according to claim 4, wherein the selection circuits of the two groups are synchronously controlled based on the reference clock signal output from the clock buffer.
請求項1から5のいずれか一項に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the circuit layer includes the memory, the signal output circuit, and the interface circuit covered by the electrode layer.
前記反射電極に対応して設けられる複数のメモリと、各メモリに書き込まれるデータを出力する信号出力回路が設けられた回路層とを備え、
前記複数の反射電極は、配置に応じて複数のグループのいずれかに含まれ、
前記信号出力回路は、前記グループに設けられ、
前記回路層は、前記電極層に覆われている
表示装置。 An electrode layer on which a plurality of the reflective electrodes are arranged,
A plurality of memories provided corresponding to the reflective electrode, and a circuit layer provided with a signal output circuit that outputs data written to each memory,
The plurality of reflective electrodes are included in any of a plurality of groups depending on the arrangement,
The signal output circuit is provided in the group,
The display device, wherein the circuit layer is covered with the electrode layer.
該電極層よりも下層に設けられる回路層とを備え、
該回路層は、各反射電極に対応して設けられる複数のメモリと、各メモリに書き込まれるデータを出力する信号出力回路と、これら複数のメモリのいずれかを選択するメモリ選択回路とを備え、
前記複数の反射電極が複数のグループに分けられると共に、前記メモリ選択回路は、各グループごとに設けられると共に、少なくとも一部が同じグループのメモリ群と、当該グループに隣り合うグループのメモリ群との間に配置されている
表示装置。 An electrode layer on which a plurality of reflective electrodes are arranged,
A circuit layer provided below the electrode layer,
The circuit layer includes a plurality of memories provided corresponding to each reflective electrode, a signal output circuit that outputs data written to each memory, and a memory selection circuit that selects any of the plurality of memories.
The plurality of reflective electrodes are divided into a plurality of groups, and the memory selection circuit is provided for each group, and at least a part of the memory group of the same group and a memory group of a group adjacent to the group are included. Display device placed between.
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