JP2020011204A - 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】パターン形成に影響を与えることなく、膜の平坦化を実現すること。【解決手段】平坦化装置は、処理液が塗布されることによりウェハＷに形成された下層膜ＬＦを加圧する加圧ローラーと、加圧ローラーとの間にウェハＷを挟むように設けられた支持ローラーと、を備え、支持ローラーは、ウェハＷの一端部から他端部にかけて順次、ウェハＷに形成された下層膜を加圧する。【選択図】図１

Description

本開示の例示的実施形態は、基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関するものである。

ウェハ上にパターンが繰り返し形成される場合、ｎ層目にパターンが形成された後にｎ＋１層目の膜が適切な高さに形成されるためには、ｎ＋１層目において処理液が塗布される面（すなわちｎ層目の膜（下層膜）の高さ）が平坦である必要がある。

特開２００８−２５１９１８号公報

特許文献１に記載された技術では、平坦プレス機によりウェハが押圧されて、ウェハ上に形成された膜を平坦化している。ここで、膜の平坦化処理においては、ウェハと膜との間に気泡が発生しパターン形成に影響を与えることを抑制したい。

本開示は上記実情に鑑みてなされたものであり、パターン形成に影響を与えることなく、膜の平坦化を実現する。

本開示の一態様に係る基板処理装置は、処理液が塗布されることにより基板に形成された膜を加圧する加圧ローラーと、加圧ローラーとの間に基板を挟むように設けられた支持部と、を備える。加圧ローラーは、基板の一端部から他端部にかけて順次、基板に形成された膜を加圧する。

本開示に係る基板処理装置では、支持部との間に基板を挟んだ状態において、加圧ローラーが、基板の一端部から他端部に向けて基板に形成された膜を加圧している。このように、加圧ローラーが、基板の一端部から他端部に向かってスキャン動作をするようにして基板に形成された膜を加圧することにより、基板と膜との間に生じる気泡を抜きながら（押し出しながら）、膜を平坦化することができる。これにより、基板と膜との間に気泡が残ることが抑制され、基板のパターン形成に影響を与えることなく、基板に形成される膜の平坦化を実現することができる。

本開示によれば、パターン形成に影響を与えることなく、膜の平坦化を実現することができる。

図１は、第１実施形態に係る平坦化装置の一例を模式的に示す図である。 図２は、コントローラのハードウェハ構成を示すブロック図である。 図３は、平坦化処理手順を示すフローチャートである。 図４は、平坦化イメージを模式的に示す図であり、（ａ）は平坦化前のウェハ、（ｂ）は平坦化後のウェハを模式的に示している。 図５は、第２実施形態に係る平坦化装置の一例を模式的に示す図である。 図６は、第３実施形態に係る平坦化装置の一例を模式的に示す図である。 図７は、変形例に係る平坦化装置を模式的に示す図である。

［第１実施形態］
以下に、本開示に係る第１実施形態について、図面を参照しつつより詳細に説明する。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

（平坦化装置）
図１は、第１実施形態に係る平坦化装置１の一例を模式的に示す図である。平坦化装置１（基板処理装置）は、処理液が塗布されることによりウェハＷの表面に形成された下層膜ＬＦを平坦化するための装置である。下層膜ＬＦとは、ウェハＷ上に複数の膜が積層される構成における、最上部の膜以外の膜である。よって、例えばウェハ上に三階層の膜が形成される構成においては、下層膜ＬＦとは、最下部の膜、及び、中間の膜（中間膜）のいずれも含みうるものである。下層膜ＬＦは、例えばＳＯＣ（Spin on Carbon）膜、アモルファスカーボン膜等である。以下では、下層膜ＬＦ形成用の処理液が、紫外線硬化性を有しているとして説明する。

平坦化装置１を含む基板処理システムでは、ウェハＷが平坦化装置１に搬入される前段階において、下層膜ＬＦ形成用の処理液がウェハＷの表面に塗布されている。また、平坦化装置１を含む基板処理システムでは、平坦化装置１において下層膜ＬＦの平坦化処理行われた後に、最上部の膜（例えばレジスト膜）形成用の処理液がウェハＷの表面に塗布され、最上部の膜が形成される。

図１に示されるように、平坦化装置１は、平坦化処理ユニット２と、コントローラ１００とを備える。なお、以下の説明において、「上」「下」の語は平坦化装置１の設置面に対して鉛直方向における「上」「下」を意味している。

平坦化処理ユニット２は、センダーアーム１０と、予備加熱ランプ２０と、加圧ローラー３０と、温度センサー４０と、フィルムローラー５０と、支持ローラー６０と、ＵＶ（Ultra Violet）硬化用ランプ７０と、レシーバーアーム８０と、を備える。

センダーアーム１０（センダー）は、ウェハＷを加圧ローラー３０方向に送り込む搬送機構であり、例えばバキューム吸着によりウェハＷを保持すると共に、コントローラ１００の制御に応じて、ウェハＷを加圧ローラー３０の直下にまで搬送する。なお、センダーアーム１０が搬送するウェハＷは、表面に下層膜ＬＦ形成用の処理液が塗布され、且つ、加圧ローラー３０に加圧される前のウェハである。

レシーバーアーム８０（レシーバー）は、加圧ローラー３０によって加圧されたウェハＷを受け取る搬送機構である。レシーバーアーム８０は、ウェハＷを他の搬送機構（平坦化処理ユニット２の外部の搬送機構）に受け渡す。このように、センダーアーム１０及びレシーバーアーム８０は、ウェハＷを搬送する搬送部としての機能を有する。

予備加熱ランプ２０（予備加熱部）は、加圧ローラー３０に加圧される前のウェハＷを加熱する。予備加熱ランプ２０は、コントローラ１００の制御に応じて、予め定められた加熱温度でウェハＷを加熱する。加熱温度は、下層膜ＬＦの性質に応じて決められている。加熱温度は、下層膜ＬＦが架橋反応を起こさず且つ加圧ローラー３０の加圧によって下層膜ＬＦを十分に変形させることができる程度に下層膜ＬＦが柔らかくなる温度とされる。例えば下層膜ＬＦがＳＯＣ膜である場合には、加熱温度は２００℃程度とされてもよい。

加圧ローラー３０は、ウェハＷの表面に形成された下層膜ＬＦを加圧する。加圧ローラー３０は、第１ロール３１と、温調部３２とを有する。第１ロール３１は、支持ローラー６０の第２ロール６１との間にウェハＷを挟むように設けられている。加圧ローラー３０は、センダーアーム１０によって搬送されてくるウェハＷの表面（下層膜ＬＦの形成面）側に設けられている。第１ロール３１は、駆動部（不図示）を有しており、該駆動部がコントローラ１００に制御される。加圧ローラー３０は、駆動部がコントローラ１００に制御されることによって、第２ロール６１との間にウェハＷを挟んだ状態で回転（図１中における反時計回りに回転）する。第１ロール３１及び第２ロール６１に挟まれたウェハＷは、第１ロール３１及び第２ロール６１の回転に応じて搬送される。これにより、加圧ローラー３０の第１ロール３１は、ウェハＷの一端部から他端部にかけて順次、ウェハＷに形成された下層膜ＬＦを加圧する。第１ロール３１は、ローラー押下手段（不図示）によって下方向への力を加えられ、該下方向の力に応じて下層膜ＬＦを加圧する。第１ロール３１は、フィルムＦＦを介して下層膜ＬＦを加圧する（詳細は後述）。第１ロール３１の幅（軸方向の長さ）は、例えばウェハＷに形成された下層膜ＬＦの幅と同程度とされてもよい。

温調部３２は、加圧ローラー３０自身（第１ロール３１）の温度を、予備加熱ランプ２０による加熱温度に応じた温度に調整するヒーターである。温調部３２は、コントローラ１００の制御に応じて、例えば、第１ロール３１の表面温度を、予備加熱ランプ２０による加熱温度と同程度の温度となるように調整する。

温度センサー４０は、加圧ローラー３０の第１ロール３１の表面温度を測定するセンサーである。温度センサー４０は、測定した温度をコントローラ１００に送信する。これにより、コントローラ１００は、第１ロール３１の目標温度と、第１ロール３１の測定温度とに基づき、加圧ローラー３０の温調部３２に対して温度調整量を出力することが可能となる。

フィルムローラー５０は、第１ロール３１とウェハＷの下層膜ＬＦとの間にフィルムＦＦが介在するように、第１ロール３１に向かってフィルムＦＦを送り込むと共に、加圧後のフィルムＦＦを巻き取る。フィルムＦＦは、例えばフッ素系のフィルムである。フィルムローラー５０は、第３ロール５１と、第４ロール５２とを有する。フィルムＦＦは、少なくともその一端部が第３ロール５１に巻き付けられており、少なくともその他端部が第４ロール５２に巻き付けられている。第１ロール３１が回転を始める状態において、フィルムＦＦは、第３ロール５１から、第１ロール３１及び下層膜ＬＦ間を経て、第４ロール５２にまで延びている。このようにフィルムＦＦが第１ロール３１とウェハＷの下層膜ＬＦとの間に介在している状態において、第１ロール３１が回転（図１中における反時計回りに回転）を始めると、該回転に応じてフィルムＦＦが移動する。そして、フィルムＦＦの移動に応じて第３ロール５１及び第４ロール５２が回転（図１中における時計回りに回転）する。第３ロール５１からはフィルムＦＦが第１ロール３１に向かって送り込まれ、第４ロール５２は加圧後のフィルムＦＦを巻き取る。このように、第１ロール３１の回転に応じて第３ロール５１及び第４ロール５２が回転することにより、第１ロール３１及び下層膜ＬＦの間には常にフィルムＦＦが介在している状態とすることができる。なお、第３ロール５１及び第４ロール５２は、双方又はいずれか一方が駆動部を有していてもよい。

支持ローラー６０（支持部）は、加圧ローラー３０との間にウェハＷを挟むように設けられている。支持ローラー６０は、第２ロール６１と、温調部６２とを有する。第２ロール６１は、加圧ローラー３０の第１ロール３１との間にウェハＷを挟むように設けられており、センダーアーム１０によって搬送されてくるウェハＷの裏面（下層膜ＬＦの形成面の反対の面）側に設けられている。第２ロール６１は、駆動部を有する第１ロール３１が回転しウェハＷが搬送されることに応じて回転（図１中における時計回りに回転）する。第２ロール６１は、ローラー押下手段（不図示）によって上方向への力を加えられる。第２ロール６１は、ローラー押下手段（不図示）からの上方向の力に応じて第１ロール３１との間にウェハＷを挟み込む。

温調部６２は、支持ローラー６０自身（詳細には第２ロール６１）の温度を、予備加熱ランプ２０による加熱温度に応じた温度に調整するヒーターである。温調部６２は、コントローラ１００の制御に応じて、例えば第２ロール６１の表面温度を、予備加熱ランプ２０による加熱温度と同程度の温度となるように調整する。

ＵＶ硬化用ランプ７０（硬化処理部）は、加圧ローラー３０による加圧後の、ウェハＷに形成された下層膜ＬＦに対して硬化処理を行う。具体的には、ＵＶ硬化用ランプ７０は、フィルムＦＦを介した第１ロール３１による加圧が完了した直後のウェハＷの下層膜ＬＦに対して、コントローラ１００の制御に応じてＵＶ露光を行うことにより、下層膜ＬＦを硬化させる。ＵＶ硬化用ランプ７０によってＵＶ露光が開始される際のウェハＷの温度は、例えば常温よりも高い温度とされている。硬化処理を行う際の基板位置は、加圧ローラー３０による加圧以降の時間経過や搬送時の慣性力などによる膜面平坦度の悪化等を極力抑えたほうがよいため、平坦化処理ユニット２が設けられた同一空間内が好ましく、平坦化処理ユニット内での実施がより好ましい。

コントローラ１００は、ウェハＷの表面に形成された下層膜ＬＦの平坦化処理が行われるように、平坦化処理ユニット２の各構成を制御する。

具体的には、コントローラ１００は、ウェハＷが加圧ローラー３０方向に送り込まれるようにセンダーアーム１０を制御する。コントローラ１００は、加圧ローラー３０に加圧される前のウェハＷが加熱されるように予備加熱ランプ２０を制御する。コントローラ１００は、加圧ローラー３０の第１ロール３１と支持ローラー６０の第２ロール６１との間にウェハＷが挟まれた状態で第１ロール３１が回転するように、加圧ローラー３０の駆動部（不図示）を制御する。コントローラ１００は、温度センサー４０から第１ロール３１の表面温度（測定温度）を取得し、第１ロール３１の目標温度と第１ロール３１の測定温度とに基づき、加圧ローラー３０の温調部３２及び支持ローラー６０の温調部６２に温度調整量を出力する。コントローラ１００は、加圧ローラー３０による加圧後のウェハＷの下層膜ＬＦに対してＵＶ露光が行われるように、ＵＶ硬化用ランプ７０を制御する。コントローラ１００は、加圧ローラー３０によって加圧されたウェハＷが他の搬送機構（平坦化処理ユニット２の外部の搬送機構）に受け渡されるように、レシーバーアーム８０を制御する。

コントローラ１００のハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成される。コントローラ１００は、ハードウェア上の構成として、例えば図２に示される回路１００Ａを有する。回路１００Ａは、電気回路要素（circuitry）で構成されていてもよい。回路１００Ａは、具体的には、プロセッサ１００Ｂと、メモリ１００Ｃと、ストレージ１００Ｄと、入出力ポート１００Ｅとを有する。プロセッサ１００Ｂは、メモリ１００Ｃ及びストレージ１００Ｄの少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポート１００Ｅを介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１００Ｅは、プロセッサ１００Ｂ、メモリ１００Ｃ及びストレージ１００Ｄと、平坦化処理ユニット２の各構成との間で、信号の入出力を行う。

（平坦化処理手順）
次に、図３を参照し、基板処理方法の一例として、平坦化処理手順を説明する。以下の処理は、コントローラ１００が、平坦化処理ユニット２の各構成を制御することにより実行される。

平坦化処理手順では、最初に、センダーアーム１０によってウェハＷが搬入される（加圧ローラー３０方向に送り込まれる）（ステップＳ１）。続いて、加圧ローラー３０に加圧される前のウェハＷが予備加熱ランプ２０によって加熱される（ステップＳ２）。

続いて、加圧ローラー３０の第１ロール３１と支持ローラー６０の第２ロール６１との間にウェハＷが挟まれた状態で第１ロール３１が回転することによって、ウェハＷの表面に形成された下層膜ＬＦが加圧される（ステップＳ３）。加圧ローラー３０の第１ロール３１は、ウェハＷの一端部から他端部にかけて順次、ウェハＷに形成された下層膜ＬＦを加圧する。

続いて、ＵＶ硬化用ランプ７０によって、加圧ローラー３０による加圧後のウェハＷに形成された下層膜ＬＦに対してＵＶ露光が行われることにより、下層膜ＬＦの硬化処理が行われる（ステップＳ４）。

最後に、レシーバーアーム８０によって加圧ローラー３０によって加圧されたウェハＷが受け取られ、ウェハＷが他の搬送機構（平坦化処理ユニット２の外部の搬送機構）に搬出される（ステップＳ５）。以上が、平坦化処理手順である。

（作用効果）
次に、本実施形態の作用効果について説明する。例えば段差ウェハ上で処理液を回転塗布したような場合には、図４（ａ）に示されるように、処理液の塗布によって形成される下層膜ＬＦがウェハＷの段差に応じて凸凹形状となってしまう。下層膜ＬＦを平坦化する手法として、処理液の塗布後に下層膜ＬＦを研磨する方法が考えられる。しかしながら、下層膜ＬＦを全面的に均一に研磨することは容易ではなく、このような方法によって下層膜ＬＦを平坦化することは難しい。また、例えば、加熱した一対の平板を並行にセットして、該一対の平板によりウェハＷをプレスすることにより下層膜ＬＦを平坦化する方法が考えられる。しかしながら、例えば仮に減圧環境下において一対の平板によるウェハＷのプレスが行われた場合であっても、ウェハＷと下層膜ＬＦとの間に気泡が発生してしまい、適切なパターン形成に影響が出るおそれがある。

このように、従来、パターン形成に影響を与えることなく、ウェハＷの下層膜ＬＦの平坦化を実現することが困難であった。

上述した課題を解決すべく、本実施形態に係る平坦化装置１は、処理液が塗布されることによりウェハＷに形成された下層膜ＬＦを加圧する加圧ローラー３０と、加圧ローラー３０との間にウェハＷを挟むように設けられた支持ローラー６０と、を備える。そして、支持ローラー６０は、ウェハＷの一端部から他端部にかけて順次、ウェハＷに形成された下層膜ＬＦを加圧する。

このような平坦化装置１では、支持ローラー６０の第２ロール６１との間にウェハＷを挟んだ状態において、加圧ローラー３０の第１ロール３１が、ウェハＷの一端部から他端部に向けてウェハＷに形成された下層膜ＬＦを加圧している。第１ロール３１が、ウェハＷの一端部から他端部に向かってスキャン動作をするようにして下層膜ＬＦを線上に加圧することにより、ウェハＷと下層膜ＬＦとの間に生じる気泡を抜きながら（押し出し、巻き込むことなく）、下層膜ＬＦを平坦化することができる。これにより、ウェハＷと下層膜ＬＦとの間に気泡が残ることが抑制され、ウェハＷのパターン形成に影響を与えることなく、ウェハＷに形成される下層膜ＬＦの平坦化（図４（ｂ）参照）を実現することができる。

また、平坦化装置１は、加圧ローラー３０に加圧される前のウェハＷを加熱する予備加熱ランプ２０を更に備え、加圧ローラー３０及び支持ローラー６０は、自身の温度を、予備加熱ランプ２０による加熱温度に応じた温度に調整する温調部３２，６２を有する。これにより、ウェハＷに形成された下層膜ＬＦを適切に加熱して、該下層膜ＬＦの流動性を高めた状態で、加圧ローラー３０による下層膜ＬＦの平坦化作業を行うことができる。すなわち、より確実且つ容易に下層膜ＬＦの平坦化を実現することができる。

また、加圧ローラー３０は、フィルムＦＦを介して、ウェハＷに形成された下層膜ＬＦを加圧する。例えばフッ素系フィルム等を介して、加圧ローラー３０がウェハＷに形成された下層膜ＬＦを加圧することにより、加圧後の剥離性を向上させることができる。これにより、容易に下層膜ＬＦの平坦化を実現することができる。なお、剥離性を担保すべく第１ロールの素材を剥離性が高いものとすることが考えられるが、この場合と比較して、フィルムＦＦを用いる構成は、第１ロール３１の設計難易度を下げることができる。

また、平坦化装置１は、加圧ローラー３０に加圧される前のウェハＷを加圧ローラー３０方向に送り込むセンダーアーム１０と、加圧ローラー３０によって加圧されたウェハＷを受け取るレシーバーアーム８０とを備える。これにより、加圧ローラー３０による加圧前後においてウェハＷを容易に受け渡しすることができる。

また、平坦化装置１は、加圧ローラー３０による加圧後の、ウェハＷに形成された下層膜ＬＦに対して、硬化処理を行うＵＶ硬化用ランプ７０備える。これにより、平坦化された下層膜ＬＦを硬化させ、平坦化した形状を適切に維持することができる。

［第２実施形態］
以下に、本開示に係る第２実施形態について、図５を参照して説明する。なお、以下では、第１実施形態と異なる点について主に説明する。

第２実施形態に係る平坦化装置２０１は、第１実施形態に係る平坦化装置１と異なり、フィルムローラー５０が設けられておらず、加圧ローラー３０による下層膜ＬＦの加圧時において、第１ロール３１と下層膜ＬＦとの間にフィルムＦＦが介在していない。フィルムＦＦを介さずに加圧ローラー３０の第１ロール３１で直接、下層膜ＬＦを加圧する構成であっても、第１ロール３１が、ウェハＷの一端部から他端部に向かってスキャン動作をするようにしてウェハＷに形成された下層膜ＬＦを加圧する。このことにより、ウェハＷと下層膜ＬＦとの間に生じる気泡を抜きながら、下層膜ＬＦを平坦化することができる。

なお、フィルムＦＦを介さずに第１ロール３１が直接下層膜ＬＦを加圧する構成においては、第１ロール３１及び下層膜ＬＦ間の剥離性が悪くなるおそれがあるが、例えば第１ロール３１を剥離し易い素材とすることにより、剥離性の悪化を回避することができる。

［第３実施形態］
以下に、本開示に係る第３実施形態について、図６を参照して説明する。なお、以下では、第１及び第２実施形態と異なる点について主に説明する。

第３実施形態に係る平坦化装置３０１は、第１実施形態に係る平坦化装置１と異なり、第５ロール３３１を有する下流側加圧ローラー３３０、及び第６ロール３６１を有する下流側支持ローラー３６０を備えている。

下流側加圧ローラー３３０及び下流側支持ローラー３６０は、加圧ローラー３０の下流であってレシーバーアーム８０の上流に設けられている。下流側加圧ローラー３３０の第５ロール３３１は、下流側支持ローラー３６０の第６ロール３６１との間にウェハＷを挟むように設けられており、コントローラ１００の制御に応じて回転することにより、ウェハＷをレシーバーアーム８０方向に搬送する。

平坦化装置３０１では、フィルムＦＦが、第３ロール５１から、第１ロール３１及び下層膜ＬＦ間を経て、更に、第５ロール３３１及び下層膜ＬＦ間を経て、第４ロール５２にまで延びている。このため、下層膜ＬＦに接するフィルムＦＦが下層膜ＬＦから剥がれるタイミングは、第５ロール３３１による下層膜ＬＦの加圧が終了した後となる。なお、第１ロール３１及び第５ロール３３１は、図６に示される例のように異なるウェハＷの下層膜ＬＦを加圧するものであってもよいし、同時に同じウェハＷの下層膜ＬＦを加圧するものであてもよい。

平坦化装置３０１では、ＵＶ硬化用ランプ７０が、加圧ローラー３０の第１ロール３１及び下流側加圧ローラー３３０の第５ロール３３１に挟まれた位置に設けられており、加圧ローラー３０による加圧後のウェハＷに形成された下層膜ＬＦに対してＵＶ露光を行う。すなわち、平坦化装置３０１においては、ＵＶ硬化用ランプ７０が、フィルムＦＦが接した状態の下層膜ＬＦに対してＵＶ露光を行っている。

剥離性を考慮してフィルムＦＦを用いる場合、フィルムＦＦを剥がす際に、表面張力や加圧からの時間の経過によって下層膜ＬＦの形状が変化し下層膜ＬＦの平坦化を十分に行えないおそれがある。この点、本実施形態の平坦化装置３０１のように、フィルムＦＦが剥がされる前の下層膜ＬＦに対してＵＶ露光が行われ下層膜ＬＦが硬化させられることにより、フィルムＦＦを剥がす前段階において平坦化した形状を確定することができる。このことで、上述した、フィルムＦＦを剥がす際の形状変化を抑制することができる。なお、ＵＶ剥離型のフィルムＦＦを用いる場合には、フィルムＦＦの剥離前にＵＶ露光が行われることによって、フィルムＦＦを剥がしやすくすることができる。

［変形例］
以上、本開示に係る実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されない。例えば、平坦化装置は、図７に示すローラー押下部４０１（ローラー押下手段）を備えていてもよい。ローラー押下部４０１は、加圧ローラー３０によってウェハＷに形成された下層膜ＬＦが加圧されるように加圧ローラー３０を下方に押下する機構である。なお、ローラー押下部４０１は、加圧ローラー３０に対向する支持ローラー６０の第２ロール６１に対しても、上方への力を加えるが、以下ではその説明を省略する。

ローラー押下部４０１は、第１押下部ａ，ｂと、第２押下部Ａ，Ｂと、を有する。第１押下部ａ，ｂは、コントローラ１００の制御に応じて、第１ロール３１の軸方向における両端部分を押下する。第２押下部Ａ，Ｂは、コントローラ１００の制御に応じて、第１ロール３１の軸方向における中央部分を押下する。ローラー押下部４０１は、コントローラ１００の制御に応じて、第１ロール３１の軸方向における両端部分及び中央部分を押下することができる構成であればどのような構成でもよく、例えば複数位置への加圧バランスを調整可能なリンク機構を有していてもよい。

例えば、加圧ローラー３０の第１ロール３１の軸方向の両端部分のみが押下される場合には、軸方向の中央部分の面圧が小さくなり、ウェハＷに形成された下層膜ＬＦを均等に加圧することができないおそれがある。この点、上述した構成では、ローラー押下部４０１が、第１ロール３１の軸方向における両端部分を押下する第１押下部ａ，ｂと、第１ロール３１の軸方向における中央部分を押下する第２押下部Ａ，Ｂと、を有する。このことにより、加圧ローラー３０における軸方向の面圧を均等にし、ウェハＷに形成された下層膜ＬＦを均等に加圧することができる。

また、平坦化装置では、加圧ローラー３０によって下層膜ＬＦを加圧する工程の後に、ウェハＷの向きを変更して、再度、予備加熱ランプ２０によりウェハＷを加熱する工程と、加圧ローラー３０によりウェハＷを加圧する工程とを行ってもよい。例えば、ウェハＷ上のパターンのＬ／Ｓ（Line & Space）の形状が非等方的である場合において、ウェハＷを一度加圧した後に、該ウェハＷの向きを変えて（例えば９０度回転させて）、該ウェハＷをもう一度加圧する。このことにより、ウェハＷに形成された下層膜ＬＦを適切に平坦化することができる。該ウェハＷの向きを変える手段の一例としては、ローラーとは別に設けられたセンダーとレシーバー両方との基板受渡しが可能なステージ又はアームを備える搬送補助部（図示せず）が考えられる。該搬送補助部を介してレシーバーからセンダーへ戻す過程の中でウェハの向きを変えればよく、搬送補助部、センダー、レシーバーの少なくともいずれかが回転機構を備えることがより好ましい。

また、ウェハＷに形成された下層膜ＬＦの硬化処理を行う硬化処理部として、ＵＶ硬化用ランプ７０を用いるとして説明したがこれに限定されず、例えば、下層膜ＬＦを形成する処理液が熱硬化性を有する場合には、効果処理部として加熱ランプ等を用いてもよい。

１，２０１，３０１…平坦化装置（基板処理装置）、１０…センダーアーム（センダー）、２０…予備加熱ランプ（予備加熱部）、３０…加圧ローラー、３２…温調部、３２，６２…温調部、６０…支持ローラー（支持部）、７０…ＵＶ硬化用ランプ（硬化処理部）、８０…レシーバーアーム（レシーバー）、４０１…ローラー押下部（ローラー押下手段）、Ａ，Ｂ…第１押下部、ａ，ｂ…第２押下部、ＦＦ…フィルム、ＬＦ…下層膜、Ｗ…ウェハ（基板）。

Claims (10)

1. 処理液が塗布されることにより基板に形成された膜を加圧する加圧ローラーと、
   前記加圧ローラーとの間に前記基板を挟むように設けられた支持部と、を備え、
   前記加圧ローラーは、前記基板の一端部から他端部にかけて順次、前記基板に形成された膜を加圧する、基板処理装置。
2. 前記加圧ローラーに加圧される前の前記基板を加熱する予備加熱部を更に備え、
   前記加圧ローラー及び前記支持部は、自身の温度を、前記予備加熱部による加熱温度に応じた温度に調整する温調部を有する、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記加圧ローラーは、フィルムを介して、前記基板に形成された膜を加圧する、請求項１又は２記載の基板処理装置。
4. 前記加圧ローラーに加圧される前の前記基板を前記加圧ローラー方向に送り込むセンダーと、前記加圧ローラーによって加圧された前記基板を受け取るレシーバーとを有する搬送部を更に備える、請求項１〜３のいずれか一項記載の基板処理装置。
5. 前記加圧ローラーによる加圧後の、前記基板に形成された膜に対して、硬化処理を行う硬化処理部を更に備える、請求項１〜４のいずれか一項記載の基板処理装置。
6. 前記基板において膜を形成する前記処理液は、紫外線硬化性を有し、
   前記加圧ローラーは、フィルムを介して、前記基板に形成された膜を加圧し、
   前記硬化処理部は、前記フィルムが接した状態の前記基板に形成された膜に対して、紫外線露光を行う、請求項５記載の基板処理装置。
7. 前記加圧ローラーによって前記基板に形成された膜が加圧されるように前記加圧ローラーを押下するローラー押下手段を更に備え、
   前記ローラー押下手段は、前記加圧ローラーの軸方向における両端部分を押下する第１押下部と、前記加圧ローラーの前記軸方向における中央部分を押下する第２押下部と、を有する、請求項１〜６のいずれか一項記載の基板処理装置。
8. 処理液が塗布されることにより膜が形成された基板を加熱する工程と、
   前記加熱する工程の後に、前記基板の一端部から他端部にかけて順次、加圧ローラーにより前記基板に形成された膜を加圧する工程と、を含む基板処理方法。
9. 前記加圧する工程の後に、前記基板の向きを変更して、再度、前記加熱する工程及び前記加圧する工程を行う、請求項８記載の基板処理方法。
10. 請求項８又は９記載の基板処理方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。

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