JP2020005017A - 動的可変容量メモリ装置及び記憶容量動的可変方法 - Google Patents

動的可変容量メモリ装置及び記憶容量動的可変方法 Download PDF

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Abstract

【課題】通信装置に搭載され、この通信装置を停止すること無くデータの記憶容量を可変して記憶領域を増設又は減設する。【解決手段】動的可変容量メモリ装置40は、双方向のパスを介して互いに通信を行う複数の通信装置20a〜20dに搭載され、回路構成を可変でき且つデータを記憶可能なゲートアレイである電子回路により構成されている。動的可変容量メモリ装置40は、データを記憶可能なゲートアレイである電子回路による記憶回路(FPGA)を用いた記憶部を備える。また、通信装置20a〜20d間のパスを伝送可能なデータ容量に対応する割当量を求め、当該割当量に応じて、記憶部に該当パスのデータを記憶する記憶容量の記憶領域を、記憶回路で形成する容量可変制御を行う制御部を備える構成とする。【選択図】図1

Description

本発明は、通信ネットワークにおいて通信装置に搭載されるメモリ装置の記憶容量を変えることが可能な動的可変容量メモリ装置及び記憶容量動的可変方法に関する。
従来、通信ネットワークにおいて互いに通信を行う複数の通信装置は個々にメモリ装置を備え、メモリ装置に通信用のデータを読み書きする処理を行っている。
例えば、メモリ装置としての特許文献1に記載のパケットバッファ装置は、メモリ部、書込ブロックバッファ及び読出ブロックバッファを備える。メモリ部には、SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)や、SRAM(Static Random Access Memory)が適用されている。
このようなパケットバッファ装置において、入力パケットデータを書込ブロックバッファへ順次格納し、書込ブロックバッファに所定量のデータが格納された時点で、当該データをメモリ部へ書き込む。また、出力指示に応じて、メモリ部からデータを読み出して読出ブロックバッファへ格納し、この格納データに含まれる各パケットデータを読み出して出力する動作が行われている。
特開2013−135383号公報
しかし、上記特許文献1のパケットバッファ装置において通信用のデータを記憶するメモリ部は、SDRAMやSRAMで構成されているため記憶容量が固定となっている。このため、通信のデータ量の増加に伴いメモリ部の記憶容量が不足すると通信データを保持できなくなってデータを失うことになる。
そこで、メモリ部の記憶容量の増設が必要な場合、パケットバッファ装置を含む通信装置自体の動作を一旦停止する。この後、SDRAMやSRAMを追加して増設したり、現在よりも大容量のSDRAMやSRAMに交換したりする等の増設処理を行う必要がある。従って、メモリ部の記憶容量増設のために通信装置を一旦停止しなければならない問題がある。通信装置を停止すると通信動作に支障を来す不具合が生じる。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、通信装置に搭載され、この通信装置を停止すること無くデータの記憶容量を可変して記憶領域を増設又は減設できる動的可変容量メモリ装置及び記憶容量動的可変方法を提供することを課題とする。
上記課題を解決するための手段として、請求項1に係る発明は、双方向のパスを介して互いに通信を行う複数の通信装置に搭載され、データを記憶可能な回路構成を可変できる電子回路により構成された動的可変容量メモリ装置であって、前記電子回路による記憶回路を用いた記憶部と、前記通信装置間のパスを伝送可能なデータ容量に対応する割当量を求め、当該割当量に応じた記憶容量の記憶領域を前記記憶部に記憶回路で形成する容量可変制御を行う制御部とを備えることを特徴とする動的可変容量メモリ装置である。
請求項5に係る発明は、双方向のパスを介して互いに通信を行う複数の通信装置に搭載され、データを記憶可能な回路構成を可変できる電子回路により構成された動的可変容量メモリ装置による記憶容量動的可変方法であって、前記動的可変容量メモリ装置は、前記電子回路による記憶回路を搭載し、当該記憶回路の構成が可変できる記憶部を備え、前記通信装置間のパスを伝送するデータ容量に対応する割当量を求めるステップと、前記割当量に応じた記憶容量の記憶領域を前記記憶部に記憶回路で形成する容量可変制御を行うステップとを実行することを特徴とする記憶容量動的可変方法である。
請求項1の構成及び請求項5の方法によれば、動的可変容量メモリ装置は、データを記憶する記憶回路の構成が可変できる記憶部を備える。そして、制御部で、通信装置間のパスを伝送可能なデータ容量に対応する割当量を求める。更に、制御部で、その割当量に応じた容量可変制御によって、記憶部に当該パスのデータを記憶する記憶領域を記憶回路で形成することが可能となる。このため、通信装置を停止すること無く、動的可変容量メモリ装置のデータの記憶容量を可変して記憶領域を増設又は減設することができる。
請求項2に係る発明は、前記記憶回路は、電子記憶素子を複数纏めた単位メモリを複数用いて構成され、前記割当量に応じた記憶容量に対応する数の単位メモリが接続されて記憶領域が形成されることを特徴とする請求項1に記載の動的可変容量メモリ装置である。
この構成によれば、通信装置間のパスを伝送可能なデータ容量に対応する割当量に応じて、記憶部に該当パスのデータ容量を収容可能な記憶領域を容易に形成できる。
請求項3に係る発明は、前記容量可変制御が可能な場合において、固有番号を付けた特定パケットを生成して前記双方向のパスへ送信する挿入部と、前記双方向のパスから送信されてきた固有番号付きの特定パケットを受信時に、当該双方向のパス毎の受信時刻を前記制御部へ通知し、この通知後に特定パケットを削除する削除部とを備え、前記制御部は、前記双方向のパス毎の受信時刻から受信時刻差を求め、この受信時刻差に応じたパスのデータ容量を求め、このデータ容量に対応する割当量を求めることを特徴とする請求項1又は2に記載の動的可変容量メモリ装置である。
この構成によれば、通信装置間のパスをデータが伝送中に、このパスのデータ容量に対応する割当量を求めることができる。このため、実際のパスのデータ容量に応じて記憶部の記憶容量を可変できるので、記憶部の記憶サイズを最小限で構成できる。
請求項4に係る発明は、前記記憶部以外の未使用の電子回路を他記憶部として用い、前記制御部は、前記割当量に応じて、前記他記憶部に前記パスのデータを記憶する記憶容量の記憶領域を形成することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の動的可変容量メモリ装置である。
この構成によれば、動的可変容量メモリ装置内の記憶部以外の未使用の他記憶部に、パス量に応じた記憶容量の記憶領域を割り当てることができるので、記憶容量を容易に増加することができる。
本発明によれば、通信装置に搭載され、この通信装置を停止すること無くデータの記憶容量を可変して記憶領域を増設又は減設する動的可変容量メモリ装置及び記憶容量動的可変方法を提供することができる。
本発明の実施形態に係る動的可変容量メモリ装置を搭載した通信装置を有する通信NWの構成を示すブロック図である。 動的可変容量メモリ装置の構成を示すブロック図である。 右回り経路及び左回り経路で接続された通信装置の無瞬断送受信部の構成を示すブロック図である。 通常動作時の無瞬断送受信部の構成を示すブロック図である。 容量可変制御時の無瞬断送受信部の構成を示すブロック図である。 ブロックSRAM及び単位SRAMを示す図である。 可変容量記憶部の構成を示すブロック図である。 可変容量記憶部の単位SRAMを接続して記憶領域を形成する構成を示すブロック図である。 入力ポートから出力ポートへ抜ける間の単位SRAMによる記憶領域を示し、(a)は入力ポートi1から出力ポートo1間の2つの単位SRAMを示す図、(b)は入力ポートi2から出力ポートo2間の1つの単位SRAMを示す図、(c)は入力ポートi3から出力ポートo3間の1つの単位SRAMを示す図、(d)は入力ポートi4から出力ポートo4間の1つの単位SRAMを示す図である。 動的可変容量メモリ装置によるメモリ容量動的可変の動作を説明するためのフローチャートである。 動的可変容量メモリ装置に他GA回路記憶部を追加使用する際の構成を示すブロック図である。
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。但し、本明細書の全図において対応する構成部分には同一符号を付し、その説明を適宜省略する。
<実施形態の構成>
図1は、本発明の実施形態に係る動的可変容量メモリ装置を搭載した通信装置を有する通信NW(ネットワーク)の構成を示すブロック図である。
図1に示す通信NW10は、複数(4つ)の通信装置20a,20b,20c,20dが双方向2系統の伝送路によりリング状に接続されている。伝送路は、左回り経路と右回り経路とに分かれており、光ファイバを用いた光ケーブルや導電線等を用いた電気ケーブルを用いて構成されている。
通信装置20a〜20dは、通信装置20a〜20d同士の通信並びに図示せぬパーソナルコンピュータ等の通信端末機との通信処理を行う。この通信装置20a〜20dは、コンピュータを用いた通信制御部30と、本実施形態の特徴要素である動的可変容量メモリ装置40とを備える。
動的可変容量メモリ装置(メモリ装置ともいう)40は、電子回路による記憶回路の構成が可変できるゲートアレイによるFPGA(Field-Programmable Gate Array)を用いて構成されている。FPGAには所定記憶容量の記憶領域を割り当てることができる。この記憶領域は、一般的に、メモリ装置40のFPGAをコンフィグレーション(設定)する際に行われ、通信装置20a〜20dの動作中に変更することはできない。しかし、本実施形態では、後述のようにその動作中に変更可能とした。
メモリ装置40は、図2に示すように、可変容量記憶部41と、容量可変制御部42と、ラベルスイッチ43と、無瞬断送受信部44a,44b,44cと、イーサネット(登録商標)スイッチ45とを備えて構成されている。
ラベルスイッチ43は、MPLS−TP(Multi-Protocol Label Switching-Transport Profile)と呼ばれるパケットトランスポート技術に基づき、固定長識別識のラベルで示される宛先に、無瞬断送受信部44a〜44cから入力されるデータを左右の経路へ転送するスイッチング動作を行う。また、ラベルスイッチ43は、左右の経路から受信されたデータを可変容量記憶部(記憶部ともいう)41へ書き込み、この書き込まれたデータを読み出して無瞬断送受信部44a〜44cへ出力する。
イーサネットスイッチ45は、通信制御部30が通信端末機(図示せず)から受信したデータを、このデータの先頭に固有のMAC(Media Access Control)アドレスを付けてイーサネットフレーム信号(フレーム信号ともいう)に変換する。更に、イーサネットスイッチ45は、その変換されたフレーム信号のMACアドレスが示す宛先へ、フレーム信号を転送するスイッチング動作を行う。
無瞬断送受信部44a〜44cは、何れも同構成であり、MPLS−TPのパケットトランスポート技術に基づき、通信相手側の通信装置からの信号を無瞬断で受信し、また相手側の通信装置へ信号を無瞬断で送信する動作を行う。この無瞬断送受信部44a〜44cは、通信装置20a〜20d間を接続する2系統の伝送路(パス)に伝送されるデータの状態(パス状態)を検出して容量可変制御部(制御部ともいう)42へ通知する。なお、パス状態とは、データ受信時刻等である。
また、無瞬断送受信部44a〜44cは、図3に無瞬断送受信部44aを代表して示すように、シーケンスナンバ挿入部51と、2レーンデータ複製部52と、特定パケット挿入部53a,53bと、特定パケット削除部54a,54bと、ヒットレス切替部55と、シーケンスナンバ削除部56とを備えて構成されている。なお、特定パケット挿入部53a,53bは、請求項記載の挿入部を構成する。特定パケット削除部54a,54bは、請求項記載の削除部を構成する。
但し、図3には、通信装置20aの無瞬断送受信部44a1と、通信装置20bの無瞬断送受信部44a2とが、パス番号P4(図2参照)の左右の経路で接続された状態を示す。なお、パス番号P4はパスP4とも称す。
最初に、メモリ装置40で通常動作が行われる場合に、無瞬断送受信部44a1,44a2が行う処理動作について説明する。なお、通常動作とは、後述の記憶容量を可変する動作を含まない動作である。
無瞬断送受信部44a2において、シーケンスナンバ挿入部51は、イーサネットスイッチ45(図2)からのフレーム信号の先頭にシーケンス番号(シーケンスナンバ)を付けて、複製部52へ出力する。そのシーケンス番号は、新たなイーサネットフレームに付けられる都度、1つずつ番号が上がるようになっている。なお、シーケンス番号を、単に番号とも称す。
2レーンデータ複製部(複製部ともいう)52は、番号付のフレーム信号を2つに複製(図4の矢印Y1a,Y1b参照)し、特定パケット挿入部53a,53bを介して左回り経路と右回り経路とに送信する。なお、特定パケット挿入部53a,53bは、通常動作時に信号を通過させる動作のみを行う。
次に、無瞬断送受信部44a1において、特定パケット削除部54a,54bは、通常動作時において、左右の経路から送信されてきた番号付のフレーム信号を通過させてヒットレス切替部55へ出力する動作を行う。
ヒットレス切替部(切替部ともいう)55は、通常動作時において、図4に矢印Y2,Y3で示すように左右の経路から受信されるフレーム信号を、番号順にシーケンスナンバ削除部56へ出力する。この際、切替部55は、左右何れかの経路から受信(例えば矢印Y2)したフレーム信号の番号が、先に受信(例えば矢印Y3)したフレーム信号の番号と同じか、又は小さい場合、このフレーム信号を削除(破棄)する。切替部55は、このように番号が重複するフレーム信号の削除を行って、1つの番号順にフレーム信号を次のシーケンスナンバ削除部56へ出力する。この削除部56は、フレーム信号の番号を削除してイーサネットスイッチ45(図2)へ出力する。
また、図3に示す切替部55は、例えば、右回り経路(図4の矢印Y2)から番号「5」が入力された後に、1つ飛んだ番号「7」が入力された場合、「6」が飛んだ可能性があるので「7」の出力を待つ。この待ち時に左回り経路(図4の矢印Y3)から番号「6」が入力されると、この「6」を出力する。この際、右回り経路では、番号「5」の次に「7」が来たので、右回り経路で何らかの不具合が発生したことを示唆する。
このように切替部55は、左右の経路から受信された同じ番号又は既に受信した番号よりも小さい番号を出力しない機能と、一方の経路が正常であれば、番号順にパケットを出力し続けることが可能な機能を有する。
次に、容量可変制御部42の容量可変制御によって、メモリ装置40において記憶容量可変動作が行われる場合において、無瞬断送受信部44a1,44a2が行う処理動作について説明する。
但し、容量可変制御部42は、外部から記憶容量の可変を行う指示信号が入力された場合に、容量可変制御が可能となる。制御部42は、メモリ装置40に記憶容量が割り当てられていない初期状態であれば、パス毎に必要な記憶容量を割り当てる制御を行い、記憶容量が割り当てられていれば、必要な容量となるように、記憶容量を増設又は減設する容量可変制御を行うことになる。
また、上記記憶容量可変動作が可能となった場合、無瞬断送受信部44aは、制御部42との連携によって切替部55及び複製部52を、後述のように容量可変制御に対応した状態に切り替え、特定パケット削除部54a,54bの削除処理及び特定パケット挿入部53a,53bの挿入処理を有効とする。また、切替部55及び複製部52は、容量可変制御の終了が通知(制御状態通知)された際に通常動作の状態に戻る。
図5に示すように、無瞬断送受信部44aにおいて、切替部55は、一方の経路(例えば右回り経路)の選択を矢印Y2で示すように有効とし、他方の経路(左回り経路)の選択を矢印Y3の先に×印を付けて示すように無効とする処理を行う。また、複製部52は、シーケンス番号が付されたフレーム信号を矢印Y1の先に×印を付けて示すように、そのフレーム信号の出力を無効とする処理を行う。
このような設定後、例えば図3に示す無瞬断送受信部44a2において、特定パケット挿入部53a,53bは、シーケンス番号(例えば5番)を付けた特定パケットを生成し、この特定パケットを同時に左右の経路へ送信する。この送信は定期的に行われる。但し、特定パケットは、例えば、ネットワークの運用、管理、保守を行うためのOAM(Operations Administration Maintenance)パケットであるとする。
次に、無瞬断送受信部44a1において、特定パケット削除部54a,54bは、右回り経路と左回り経路との双方から送信されてきたシーケンス番号付きのOAMパケットを受信した際に、双方の受信時刻を容量可変制御部42へ出力し、この出力後にOAMパケットを削除する。なお、受信時刻は、パス状態として制御部42へ通知される。
制御部42は、双方のOAMパケットの受信時刻から受信時刻差を求める。例えば、右回りの5番OAMパケットの受信時刻から10秒後に左回りの5番OAMパケットが受信されたとすると、受信時刻差が10秒と求められる。
制御部42は、その受信時刻差に応じて、このパスのデータ容量(パス量)を示すbit(ビット)を求める。これは、まず受信時刻差を距離差(例えば1km)に換算する。次に、パスの速度の最大値(例えば1Gbps)と、経路である光ファイバの遅延値(例えば5ns/m)を乗算し、この乗算結果に上記距離差(1km)を乗算してデータ容量を求める。即ち、1Gbit×5ns/m×1km=5kbitとデータ容量(パス量)が求められる。
この5kbitのデータ容量は、右回り経路と、これよりも1km距離が長い左回り経路との距離差に対応している。そこで、制御部42は、可変容量記憶部(記憶部ともいう)41に、そのデータ容量と同じ記憶容量の記憶領域(例えば図2の記憶領域41a)を、パス4の右回り経路のデータ記憶用のものとして割り当てる。この割り当てられた記憶領域41aには、ラベルスイッチ43(図2)でパスP4の右回り経路から受信した5番のデータが一旦保持される。この保持後、左回り経路からの同じ5番のデータが受信されるまで待てば、パスP4の左右経路の距離差を吸収可能となる。
制御部42は、上記のように求められるパス(例えばパスP4)のパス量が、記憶部41に割当済みの同パスP4の記憶領域41aの記憶容量よりも多い場合、多い分の記憶容量を割り当てる割当量を求める。また、パスP4のパス量を新規に割り当てる必要がある場合、割当量で示されるパス量のパスP4の記憶領域41aを、記憶部41に新規に割り当てることになる。
割当量は、言い換えれば、パス量に対応する単位SRAM(後述)を割り当てるために必要なデータ容量を示す。この割当量による記憶部41への記憶容量の動的割当について説明する。
前述したように、メモリ装置40はFPGA(図2参照)を用いて構成されている。可変容量記憶部41は、図6に示すように、FPGAにおいて8bit等の最小記憶単位と定めるブロックSRAM61を多数備える。なお、FPGAは、請求項記載の記憶回路を構成する。また、ブロックSRAM61は、請求項記載の電子記憶素子を構成する。
ブロックSRAM61を所定数(例えば8個)一纏めにして単位メモリとしての単位SRAM62が構成されている。この単位SRAM62は、例えば64bitのデータを入出力するポートを有する。単位SRAM62の記憶容量は、例えば64bit×512レコードであるとする。
可変容量記憶部41には、単位SRAM62を、所定ロジックに応じて複数組み合わせることで小容量から大容量まで任意の記憶容量の記憶領域を構成可能となっている。図7に示すように、記憶部41は、複数の単位SRAM62a,62b,62c,62d,62eと、各単位SRAM62a〜62eを接続するための1×2セレクタ63と、2×1セレクタ64と、入力ポートi1〜i4側のクロスバーSW(switch)65と、出力ポートo1〜o4側のクロスバーSW66とを備えて構成されている。
1×2セレクタ63は、データ入力側の1つの可動部63aが、第1固定部63b及び第2固定部63cの何れかに接続されて、データを第1固定部63bから出力するか、第2固定部63cから出力するかを選択できる構成となっている。なお、可動部63a、第1固定部63b及び第2固定部63cの符号63a〜63cは、図面最左側の1×2セレクタ63に代表して示す。
2×1セレクタ64は、データ入力側の第1固定部64a及び第2固定部64bの何れかに、データ出力側の1つの可動部64cを接続して、第1固定部64aから入力されたデータを可動部64cから出力するか、第2固定部64bから入力されたデータを可動部64cから出力するかを選択できる構成となっている。なお、第1固定部64a及び第2固定部64b、可動部64cの符号64a〜64cは、図面最左側の2×1セレクタ64に代表して示す。
クロスバーSW65は、4つのパスP1〜P4のデータが入力される入力ポートi1〜i4に接続された4本の入力バーと、データを出力する5本の出力バーとが離間状に交差した構成を備える。その4本の入力バーは、図面上側から順に、第1入力バー、第2入力バー、第3入力バー、第4入力バーという。5本の出力バーは、図面左側から順に、第1出力バー、第2出力バー、第3出力バー、第4出力バー、第5出力バーという。このクロスバーSW65は、容量可変制御に係る割当量が入力されると、割当量に応じて交差するバーが接続され、この接続により、何れかの入力ポートi1〜i4から入力されたデータを、何れかの出力バーから出力する構成となっている。
クロスバーSW66は、4つのパスP1〜P4のデータが出力される出力ポートo1〜o4に接続された4本の出力バーと、データを入力する5本の入力バーとが離間状に交差した構成を備える。その4本の出力バーは、図面上側から順に、第1出力バー、第2出力バー、第3出力バー、第4出力バーという。また、5本の入力バーは、図面左側から順に、第1入力バー、第2入力バー、第3入力バー、第4入力バー、第5入力バーという。このクロスバーSW66は、割当量に応じて交差するバーが接続されることにより、何れかの入力バーから入力されたデータを、何れかの出力バーを介して出力ポートo1〜o4へ出力する構成となっている。
各単位SRAM62a〜62eは、隣り合う2つの単位SRAM62が、1組の1×2セレクタ63及び2×1セレクタ64を介して接続されている。全ての1×2セレクタ63の第1固定部63bと、2×1セレクタ64の第1固定部64aとは導電接続されている。単位SRAM62aのデータ入力端は、クロスバーSW65の第1出力バーに接続されている。単位SRAM62eのデータ出力端は、クロスバーSW66の第5入力バーに接続されている。
単位SRAM62a,62b間の1×2セレクタ63の第2固定部63cは、クロスバーSW66の第1入力バーに接続され、2×1セレクタ64の第2固定部64bは、クロスバーSW65の第2出力バーに接続されている。
単位SRAM62b,62c間の1×2セレクタ63の第2固定部63cは、クロスバーSW66の第2入力バーに接続され、2×1セレクタ64の第2固定部64bは、クロスバーSW65の第3出力バーに接続されている。
単位SRAM62c,62d間の1×2セレクタ63の第2固定部63cは、クロスバーSW66の第3入力バーに接続され、2×1セレクタ64の第2固定部64bは、クロスバーSW65の第4出力バーに接続されている。
単位SRAM62d,62e間の1×2セレクタ63の第2固定部63cは、クロスバーSW66の第4入力バーに接続され、2×1セレクタ64の第2固定部64bは、クロスバーSW65の第5出力バーに接続されている。
割当量が、例えばパスP1の2つの単位SRAM62のパス量を示すものである場合、可変容量記憶部41は、図7に示す状態から図8に示す状態に次のように切り替えて設定する。即ち、単位SRAM62b,62c間の1×2セレクタ63の可動部63aを第2固定部63cに接続する。また、クロスバーSW65を●k1で示すように、入力ポートi1に繋がる第1入力バーと、第1出力バーとを接続する(接続点k1)と共に、クロスバーSW66を●k5で示すように、前記第2固定部63cに繋がる第2入力バーと、出力ポートo1に繋がる第1出力バーとを接続する(接続点k5)。
この接続によって、パスP1のデータ伝送経路が、入力ポートi1からクロスバーSW65の接続点k1を通って2つの単位SRAM62a,62bを経由し、1×2セレクタ63からクロスバーSW66の接続点k5を通って出力ポートo1へ抜けるように形成される。つまり、図9(a)に示すように、可変容量記憶部41に、入力ポートi1から出力ポートo1へ抜ける間の2つの単位SRAM62a,62bによる記憶領域が形成される。この形成は、通信中の通信装置20a,20bを停止することなく動的に行われる。以降の記憶領域の形成も同様に動的に行われる。
次に、割当量が、例えばパスP2の1つの単位SRAM62のパス量を示すものである場合、記憶部41は、単位SRAM62cの入力側の2×1セレクタ64の可動部63aを第2固定部63cに接続し、単位SRAM62cの出力側の1×2セレクタ63の可動部63aを第2固定部63cに接続する。また、クロスバーSW65を●k2で示すように、入力ポートi2に繋がる第2入力バーと、第3出力バーとを接続する(接続点k2)と共に、クロスバーSW66を●k6で示すように、前記第2固定部63cに繋がる第3入力バーと、出力ポートo2に繋がる第2出力バーとを接続する(接続点k6)。
この接続によって、パスP2のデータ伝送経路が、入力ポートi2からクロスバーSW65の接続点k2を通って1つの単位SRAM62cを経由し、この単位SRAM62cの出力側の1×2セレクタ63からクロスバーSW66の接続点k6を通って出力ポートo2へ抜けるように形成される。つまり、図9(b)に示すように、記憶部41に、入力ポートi2から出力ポートo2へ抜ける間の1つの単位SRAM62cによる記憶領域が動的に形成される。
同様に、割当量が、パスP3の1つの単位SRAM62のパス量を示すものである場合、記憶部41は、単位SRAM62dの入力側が2×1セレクタ64を介してクロスバーSW65の接続点k3に接続され、単位SRAM62dの出力側が1×2セレクタ63を介してクロスバーSW66の接続点k7に接続される。
この接続によって、パスP3のデータ伝送経路が、入力ポートi3から接続点k3を通って1つの単位SRAM62dを介してこの出力側の1×2セレクタ63から接続点k7を通って出力ポートo2へ抜けるように形成される。つまり、図9(c)に示すように、記憶部41に、入力ポートi3から出力ポートo3へ抜ける間の1つの単位SRAM62dによる記憶領域が動的に形成される。
また、割当量が、パスP4の1つの単位SRAM62のパス量を示すものである場合、記憶部41は、単位SRAM62eの入力側が2×1セレクタ64を介してクロスバーSW65の接続点k4に接続され、単位SRAM62eの出力側がクロスバーSW66の接続点k8に接続される。
この接続によって、パスP4のデータ伝送経路が、入力ポートi4から接続点k4を通って1つの単位SRAM62eを介して接続点k8を通って出力ポートo4へ抜けるように形成される。つまり、図9(d)に示すように、記憶部41に、入力ポートi4から出力ポートo4へ抜ける間の1つの単位SRAM62eによる記憶領域が動的に形成される。
このような記憶領域の動的な形成によれば、図2に示すように、容量可変制御部42は、パス番号P4に係る無瞬断送受信部44aからのパスP4状態のパス量に応じた割当量で容量可変制御を行うことにより、可変容量記憶部41にパスP4の記憶領域41aを増設又は減設して割り当てることが可能となる。
同様に、制御部42は、パス番号P3に係る無瞬断送受信部44bからのパスP3状態のパス量に応じた割当量により、記憶部41にパスP3の記憶領域41bを割り当てることが可能となる。同様に、制御部42は、パス番号P1に係る無瞬断送受信部44cからのパスP1状態のパス量に応じた割当量により、記憶部41にパスP1の記憶領域41cを割り当てることが可能となる。
つまり、単位SRAM62の数を変えて記憶容量を可変できるので、記憶部41の最大記憶容量内であれば、記憶容量の増設又は減設を自由に行うことが可能となる。なお、単位SRAM62に代え、単位SDRAMを用いてもよい。
<実施形態の動作>
上述した構成のメモリ装置40によるメモリ容量動的可変の動作を、図10のフローチャートを参照して説明する。
前提条件として、図1に示す通信装置20a,20bの双方で新たに通信を行う場合、双方でメモリ装置40の記憶領域を増設する。この際、双方はパスP4の左回り経路と右回り経路とで接続されている。但し、通信装置20a側での増設を代表して説明する。
ステップS1において、通信装置20a,20bの容量可変制御部42に、外部から記憶容量の可変を行う指示信号が入力される。これによって制御部42が容量可変制御を行うことが可能となる。
ステップS2において、制御部42は、容量可変制御の可能を無瞬断送受信部44aへ通知し、無瞬断送受信部44aが切替部55及び複製部52を容量可変制御対応状態(図5参照)に切り替える。
ステップS3において、無瞬断送受信部44aは、特定パケット削除部54a,54bの削除処理及び特定パケット挿入部53a,53bの挿入処理を有効とする。
次に、ステップS4において、例えば通信装置20bにおける無瞬断送受信部44a2(図3)の特定パケット挿入部53a,53bが、シーケンス番号(例えば5番)を付けた特定パケットを生成し、この特定パケットを同時に左右の経路へ送信する。
次に、ステップS5において、通信装置20aにおける無瞬断送受信部44a1(図3)の特定パケット削除部54a,54bが、左右の経路から送信されてきた番号付きの特定パケットを受信し、この双方の受信時刻を容量可変制御部42へ通知する。この出力後に特定パケットを削除する。
ステップS6において、制御部42は、右左双方の特定パケット受信時刻から受信時刻差を求め、この受信時刻差に応じてパス量(データ容量)を求め、このパス量に対応する割当量を求める。この割当量は、パスP1の2つの単位SRAM62a,62b{図9(a)参照}のパス量であるとする。
次に、ステップS7において、制御部42は、その割当量でメモリ装置40の可変容量記憶部41に対して容量可変制御を行う。
ステップS8において、可変容量記憶部41は、その容量可変制御に応じてパスP1の記憶領域41c(図2)を次のように増設する。即ち、図8に示す可変容量記憶部41は、容量可変制御に応じて、単位SRAM62b,62c間の1×2セレクタ63の可動部63aを第2固定部63cに接続する。更に、クロスバーSW65の交点を接続して接続点k1を形成し、クロスバーSW66の交点を接続して接続点k5を形成する。
この接続によって、パスP4のデータ伝送経路が、入力ポートi1から接続点k1を通って2つの単位SRAM62a,62bを経由し、1×2セレクタ63から接続点k5を通って出力ポートo1へ抜けるように形成される。つまり、可変容量記憶部41に、入力ポートi1から出力ポートo1へ抜ける間の2つの単位SRAM62a,62bによるパスP1の記憶領域41cが形成される。
この記憶領域41aの形成完了後、ステップS9において、制御部42は、容量可変制御の終了を無瞬断送受信部44aへ通知する。
ステップS10において、上記通知により、無瞬断送受信部44aは、切替部55及び複製部52を通常動作状態に戻し、特定パケット挿入部53a,53bの特定パケットの挿入処理を停止し、特定パケット削除部54a,54bの特定パケットの削除処理を停止する。
<実施形態の効果>
本実施形態に係る動的可変容量メモリ装置40の効果について説明する。動的可変容量メモリ装置40は、双方向のパスを介して互いに通信を行う複数の通信装置20a〜20dに搭載され、データを記憶可能な回路構成を可変できるゲートアレイである電子回路により構成されている。このメモリ装置40を次のように構成した。
(1)動的可変容量メモリ装置40は、データを記憶可能なゲートアレイである電子回路による記憶回路(FPGA)を用いた記憶部41を備える。また、通信装置20a〜20d間のパスを伝送可能なデータ容量に対応する割当量を求め、当該割当量に応じた記憶容量の記憶領域を、記憶部41に記憶回路で形成する容量可変制御を行う制御部42を備える構成とした。
この構成によれば、メモリ装置40は、データを記憶する記憶回路の構成が可変できる記憶部41を備える。そして、制御部42で、通信装置20a〜20d間のパスを伝送可能なデータ容量に対応する割当量を求める。更に、制御部42で、その割当量に応じた容量可変制御によって、記憶部41に当該パスのデータを記憶する記憶領域を記憶回路で形成することが可能となる。このため、通信装置20a〜20dを停止すること無くデータの記憶容量を可変して記憶領域を増設又は減設することができる。
従来ではメモリ容量が固定だった為に、宛先のノードである通信装置数が固定となっていた。しかし、本実施形態では、宛先の通信装置数が増加しても、増加に応じて記憶容量を拡張できる。
(2)記憶回路は、ブロックSRAM等の電子記憶素子を複数纏めた単位SRAM62等の単位メモリを複数用いて構成されている。この記憶回路において、割当量に応じた記憶容量に対応する数の単位メモリが接続されて記憶領域が形成される構成とした。
この構成によれば、通信装置20a〜20d間のパスを伝送可能なデータ容量に対応する割当量に応じて、記憶部41に該当パスのデータ容量を収容可能な記憶領域を容易に形成できる。
(3)動的可変容量メモリ装置40は、挿入部(特定パケット挿入部53a,53b)と、削除部(特定パケット削除部54a,54b)とを備える。挿入部は、容量可変制御が可能な場合において、固有番号(シーケンス番号)を付けた特定パケットを生成して双方向のパスへ送信する。削除部は、容量可変制御が可能な場合において、双方向のパスから送信されてきた固有番号付きの特定パケットを受信時に、当該双方向のパス毎の受信時刻を制御部42へ通知し、この通知後に特定パケットを削除する。更に、制御部42は、双方向のパス毎の受信時刻から受信時刻差を求め、この受信時刻差に応じてパスのデータ容量を求め、このデータ容量に対応する割当量を求める構成とした。
この構成によれば、通信装置20a〜20d間のパスをデータが伝送中に、このパスのデータ容量に対応する割当量を求めることができる。このため、実際のパスのデータ容量に応じて記憶部41の記憶容量を可変できるので、記憶部41の記憶サイズを最小限で構成できる。
この他、図11に示すように、容量可変制御部42は、動的可変容量メモリ装置40内の可変容量記憶部41以外のFPGAによる他GA回路記憶部47を、データ記憶用の記憶部として用いてもよい。つまり、他GA回路記憶部47は、動的可変容量メモリ装置40内の未使用のFPGAを記憶部として用いたものである。なお、他GA回路記憶部47は、請求項記載の他記憶部を構成する。
他GA回路記憶部47に、パス量に応じた記憶容量の記憶領域を割り当てる場合の動作制御も、上述した記憶部41における制御と同じである。この構成によれば、記憶部41の記憶領域を全て使用した場合等に他GA回路記憶部47に記憶領域を割り当てることができる。このため、メモリ装置40において記憶容量を動的に容易に増加することができる。
その他、具体的な構成について、本発明の主旨を逸脱しない範囲で適宜変更が可能である。
10 通信NW
20a〜20d 通信装置
30 通信制御部
40 動的可変容量メモリ装置
41 可変容量記憶部
42 容量可変制御部
43 ラベルスイッチ
44a〜44c 無瞬断送受信部
45 イーサネットスイッチ
47 他GA回路記憶部
51 シーケンスナンバ挿入部
52 2レーンデータ複製部
53a,53b 特定パケット挿入部
54a,54b 特定パケット削除部
55 ヒットレス切替部
56 シーケンスナンバ削除部
61 ブロックSRAM
62,62a〜62e 単位SRAM
63 1×2セレクタ
64 2×1セレクタ
65,55 クロスバーSW

Claims (5)

  1. 双方向のパスを介して互いに通信を行う複数の通信装置に搭載され、データを記憶可能な回路構成を可変できる電子回路により構成された動的可変容量メモリ装置であって、
    前記電子回路による記憶回路を用いた記憶部と、
    前記通信装置間のパスを伝送可能なデータ容量に対応する割当量を求め、当該割当量に応じた記憶容量の記憶領域を前記記憶部に記憶回路で形成する容量可変制御を行う制御部と
    を備えることを特徴とする動的可変容量メモリ装置。
  2. 前記記憶回路は、電子記憶素子を複数纏めた単位メモリを複数用いて構成され、前記割当量に応じた記憶容量に対応する数の単位メモリが接続されて記憶領域が形成される
    ことを特徴とする請求項1に記載の動的可変容量メモリ装置。
  3. 前記容量可変制御が可能な場合において、固有番号を付けた特定パケットを生成して前記双方向のパスへ送信する挿入部と、
    前記双方向のパスから送信されてきた固有番号付きの特定パケットを受信時に、当該双方向のパス毎の受信時刻を前記制御部へ通知し、この通知後に特定パケットを削除する削除部と
    を備え、
    前記制御部は、前記双方向のパス毎の受信時刻から受信時刻差を求め、この受信時刻差に応じたパスのデータ容量を求め、このデータ容量に対応する割当量を求める
    ことを特徴とする請求項1又は2に記載の動的可変容量メモリ装置。
  4. 前記記憶部以外の未使用の電子回路を他記憶部として用い、
    前記制御部は、前記割当量に応じて、前記他記憶部に前記パスのデータを記憶する記憶容量の記憶領域を形成する
    ことを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の動的可変容量メモリ装置。
  5. 双方向のパスを介して互いに通信を行う複数の通信装置に搭載され、データを記憶可能な回路構成を可変できる電子回路により構成された動的可変容量メモリ装置による記憶容量動的可変方法であって、
    前記動的可変容量メモリ装置は、
    前記電子回路による記憶回路を搭載し、当該記憶回路の構成が可変できる記憶部を備え、
    前記通信装置間のパスを伝送するデータ容量に対応する割当量を求めるステップと、
    前記割当量に応じた記憶容量の記憶領域を前記記憶部に記憶回路で形成する容量可変制御を行うステップと
    を実行することを特徴とする記憶容量動的可変方法。
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