JP2020002440A - Sputtering device - Google Patents

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Abstract

To provide a sputtering device in which plasma is not spread to a film deposition tank.SOLUTION: A hole 35 is formed on a bottom surface 34 of an anode electrode 7 positioned on the side of a sputtering space 18 sandwiched by first and second sputtering targets 5, 5, to thereby provide irregularities. Since an area of the anode electrode 7 is increased by the irregularities, a current flowing between cathode electrodes 46, 46and the anode electrode 7 is increased, and plasma is not spread to a film deposition tank 11b on a position on the opposite side to the anode electrode 7.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明はスパッタリング装置の技術分野にかかり、特に、一対のスパッタリングターゲットを対向させて高周波電源を用いて放電させることにより成膜を行うスパッタ成膜装置の技術に関する。   The present invention relates to the technical field of a sputtering apparatus, and in particular, to a technique of a sputtering film forming apparatus that forms a film by discharging a pair of sputtering targets using a high-frequency power supply while facing the pair of sputtering targets.

図４の符号１０２は従来技術のスパッタリング装置であり、真空槽１１１を有している。真空槽１１１は、第一、第二のスパッタリングターゲット１０５1、１０５2のスパッタリングが行われるスパッタ槽１１１ａと基板１１０が配置される成膜槽１１１ｂとを有しており、第一、第二のスパッタリングターゲット１０５1、１０５2は、第一、第二のカソード電極１４６1、１４６2にそれぞれ設けられ、互いに対向して配置されている。 Reference numeral 102 in FIG. 4 denotes a conventional sputtering apparatus, which has a vacuum chamber 111. The vacuum chamber 111 has a sputtering chamber 111a for performing sputtering of the first and second sputtering targets 105 1 and 105 2 and a film forming chamber 111b on which the substrate 110 is arranged. The sputtering targets 105 1 and 105 2 are provided on the first and second cathode electrodes 146 1 and 146 2 , respectively, and are arranged to face each other.

真空槽１１１の外部には高周波スパッタ電源１１３とマッチングボックス１１６とが配置されている。スパッタ電源１１３は電源端子１１３ａと接地端子１１３ｂとを有しており、マッチングボックス１１６は入力端子１１４ａと接続端子１１４ｂと出力端子１３８とを有している。   A high frequency sputtering power supply 113 and a matching box 116 are arranged outside the vacuum chamber 111. The sputtering power supply 113 has a power supply terminal 113a and a ground terminal 113b, and the matching box 116 has an input terminal 114a, a connection terminal 114b, and an output terminal 138.

電源端子１１３ａは入力端子１１４ａに接続され、出力端子１３８が第一、第二のカソード電極１４６1，１４６2に接続されており、電源端子１１３ａは、マッチングボックス１１６を介して第一、第二のカソード電極１４６1，１４６2に接続されている。 The power terminal 113a is connected to the input terminal 114a, the output terminal 138 is connected to the first and second cathode electrodes 146 1 and 146 2 , and the power terminal 113a is connected to the first and second cathodes via the matching box 116. Are connected to the cathode electrodes 146 1 and 146 2 .

スパッタ槽１１１ａは高周波シールドカバー１０４の内部に配置されている。スパッタ槽１１１ａは成膜槽１１１ｂに接触されて成膜槽１１１ｂに電気的・機械的に接続されており、成膜槽１１１ｂは高周波シールドカバー１０４に接触されて高周波シールドカバー１０４に電気的・機械的に接続されている。   The sputtering tank 111a is disposed inside the high-frequency shield cover 104. The sputtering chamber 111a is in contact with the film forming chamber 111b and is electrically and mechanically connected to the film forming chamber 111b. The film forming chamber 111b is in contact with the high frequency shield cover 104 and is electrically and mechanically connected to the high frequency shield cover 104. Connected.

接地端子１１３ｂは、接続端子１１４ｂと高周波シールドカバー１０４に接続されており、スパッタ槽１１１ａは、成膜槽１１１ｂと高周波シールドカバー１０４とを介して接地端子１１３ｂに接続されており、高周波スパッタ電源１１３が動作して、接地端子１１３ｂと電源端子１１３ａとの間に交流のスパッタ電圧が出力されると、スパッタ電圧はスパッタ槽１１１ａと第一、第二のカソード電極１４６1，１４６2との間に印加される。 The ground terminal 113b is connected to the connection terminal 114b and the high-frequency shield cover 104, and the sputter tank 111a is connected to the ground terminal 113b via the film forming tank 111b and the high-frequency shield cover 104. Operates, and an alternating sputtering voltage is output between the ground terminal 113b and the power supply terminal 113a, the sputtering voltage is applied between the sputtering tank 111a and the first and second cathode electrodes 146 1 and 146 2. Applied.

真空排気装置１４２によって真空槽１１１の内部を真空排気し、スパッタリングガス導入装置１４１から真空槽１１１の内部にスパッタリングガスを導入し、高周波スパッタ電源１１３からスパッタ電圧を出力させるとスパッタ槽１１１ａがアノード電極となって、第一、第二のスパッタリングターゲット１０５1、１０５2が対面するスパッタ空間１１８にプラズマが形成され、第一、第二のスパッタリングターゲット１０５1、１０５2がスパッタリングされる。 When the inside of the vacuum chamber 111 is evacuated by the vacuum exhaust device 142, a sputtering gas is introduced into the vacuum chamber 111 from the sputtering gas introducing device 141, and a sputtering voltage is output from the high-frequency sputtering power supply 113, the sputtering chamber 111a becomes an anode electrode. becomes, first, plasma is formed in the second sputtering target 105 1, 105 sputtering space 118 2 are face to face with the first and second sputtering target 105 1, 105 2 is sputtered.

第一、第二のスパッタリングターゲット１０５1、１０５2は、それぞれリング上の第一、第二の磁石装置１４３1、１４３2によって取り囲まれており、第一、第二の磁石装置１４３1、１４３2は異なる磁極が互いに向けられ、筒形形状の磁力線が形成され、スパッタ空間１１８は、その筒型形状の磁力線の中に配置され、スパッタリングによって磁力線の中でスパッタリング粒子が生成される。 The first and second sputtering targets 105 1 and 105 2 are respectively surrounded by first and second magnet devices 143 1 and 143 2 on the ring, and the first and second magnet devices 143 1 and 143 are provided. 2, two different magnetic poles are directed to each other to form a cylindrical magnetic field line, and the sputter space 118 is disposed in the cylindrical magnetic field line, and sputtered particles are generated in the magnetic field line by sputtering.

スパッタリングによって生成されたスパッタリング粒子は、スパッタ槽１１１ａの内部と成膜槽１１１ｂの内部とを接続する放出口１３７から成膜槽１１１ｂの内部に放出され、成膜槽１１１ｂの内部の放出口１３７と対面する場所に位置する基板１１０の表面に到達し、薄膜が成長する。   Sputtered particles generated by sputtering are released from the discharge port 137 connecting the inside of the sputtering tank 111a and the inside of the film formation tank 111b into the inside of the film formation tank 111b. The thin film reaches the surface of the substrate 110 located at the facing position, and grows.

従来の高周波電源を用いた対向ターゲット式スパッタ装置では高周波スパッタ電源１１３から供給される高周波電流の大部分はマッチングボックス１１６を経由し第一、第二のカソード電極１４６1、１４６2に供給され、プラズマを通ってアノード電極に流れるが、スパッタ槽１１１ａ内のアノード電極面積が成膜槽１１１ｂ内のアノード電極面積より小さいためスパッタ槽１１１ａ内で発生したプラズマが成膜槽１１１ｂ内側に広がり、基板１１０がプラズマに曝されることによりダメージを受ける虞がある。 Most of the high-frequency current supplied from the high-frequency sputtering power supply 113 is supplied to the first and second cathode electrodes 146 1 and 146 2 via the matching box 116 in the facing target type sputtering apparatus using the conventional high-frequency power supply, Although the plasma flows to the anode electrode through the plasma, the area of the anode electrode in the sputtering chamber 111a is smaller than the area of the anode electrode in the film forming chamber 111b, so that the plasma generated in the sputtering chamber 111a spreads inside the film forming chamber 111b and the substrate 110 May be damaged by exposure to plasma.

特開２００２−３８２６３号公報JP-A-2002-38263

本発明は上記従来技術の問題点を解決するために創作されたものであり、プラズマが成膜槽に広がるのを抑制するスパッタリング装置を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the related art, and it is an object of the present invention to provide a sputtering apparatus that suppresses plasma from spreading to a film forming tank.

本発明は、第一、第二のカソード電極と、前記第一のカソード電極に配置された第一のスパッタリングターゲットと、前記第二のカソード電極に配置された第二のスパッタリングターゲットと、前記第一、第二のスパッタリングターゲットで挟まれたスパッタリング空間の側方位置に配置されたアノード電極と、接地端子と電源端子とを有し、前記接地端子と前記電源端子との間に交流のスパッタ電圧を出力するスパッタ電源と、を有し、前記第一、第二のスパッタリングターゲットは対向配置され、前記第一、第二のカソード電極と接地電位の間には前記スパッタ電圧が印加されて前記第一、第二のスパッタリングターゲットがスパッタリングされ、前記スパッタリング空間を間にして前記アノード電極とは反対側に位置する成膜槽の内部に配置された基板の表面に薄膜が成長されるスパッタリング装置であって、前記アノード電極の前記スパッタリング空間に対面する表面には凹凸が形成されたスパッタリング装置である。
本発明は、前記アノード電極と前記接地端子との間のインピーダンスは、前記成膜槽と前記接地端子との間のインピーダンスよりも小さくされたスパッタリング装置である。
本発明は、前記アノード電極と前記接地端子とを電気的に接続させる接地配線が設けられたスパッタリング装置である。
本発明は、前記接地配線の少なくとも一部には、前記同軸ケーブルの外部導体が用いられたスパッタリング装置である。
本発明は、前記成膜槽に、前記成膜槽から電気的に浮遊した防着板を設けたスパッタリング装置である。
本発明は、前記第一、第二のスパッタリングターゲットが配置されたスパッタ槽の開口に、前記成膜槽から電気的に浮遊したプラズマ制限シールド筒を設けたスパッタリング装置である。
本発明は、前記成膜槽の内部表面を覆い前記成膜槽から電気的に浮遊した防着板が形成されたスパッタリング装置である。 The present invention provides a first and a second cathode electrode, a first sputtering target disposed on the first cathode electrode, a second sputtering target disposed on the second cathode electrode, An anode electrode disposed at a side position of a sputtering space sandwiched between first and second sputtering targets, a ground terminal and a power terminal, and an AC sputtering voltage between the ground terminal and the power terminal. The first and second sputtering targets are disposed to face each other, and the sputter voltage is applied between the first and second cathode electrodes and a ground potential, The first and second sputtering targets are sputtered, and inside the film forming tank located on the opposite side to the anode electrode with the sputtering space therebetween. A sputtering apparatus in which a thin film is grown on the arrangement surface of the substrate, the surface facing said sputtering space of the anode electrode is a sputtering apparatus which irregularities are formed.
The present invention is the sputtering apparatus, wherein an impedance between the anode electrode and the ground terminal is smaller than an impedance between the film forming tank and the ground terminal.
The present invention is a sputtering apparatus provided with a ground wiring for electrically connecting the anode electrode and the ground terminal.
The present invention is the sputtering apparatus, wherein the outer conductor of the coaxial cable is used for at least a part of the ground wiring.
The present invention is a sputtering apparatus in which a deposition-preventing plate electrically floating from the film-forming tank is provided in the film-forming tank.
The present invention is a sputtering apparatus in which a plasma limiting shield tube electrically floating from the film forming tank is provided at an opening of a sputtering tank in which the first and second sputtering targets are arranged.
The present invention is a sputtering apparatus in which an inner surface of the film forming tank is covered and a deposition preventing plate electrically floating from the film forming tank is formed.

なお、入力端子が同軸ケーブルの内部導体によって前記電源端子に接続され、出力端子が前記第一、第二のカソード電極に接続され、前記スパッタ電源の出力インピーダンスと前記スパッタ電源の負荷のインピーダンスとを整合させるマッチングボックスを本発明に設け、前記接地配線の少なくとも一部に、前記同軸ケーブルの外部導体を用いることができる。   An input terminal is connected to the power supply terminal by an inner conductor of a coaxial cable, an output terminal is connected to the first and second cathode electrodes, and an output impedance of the sputter power supply and an impedance of a load of the sputter power supply are connected. A matching box for matching may be provided in the present invention, and the outer conductor of the coaxial cable may be used for at least a part of the ground wiring.

また、前記第一、第二のカソード電極は高周波シールドカバーの内部に配置され、前記薄膜が成長中の前記基板は前記成膜槽の内部に位置しており、前記成膜槽と前記高周波シールドカバーとは導電性を有し、前記成膜槽は前記高周波シールドカバーを介して前記接地端子に電気的に接続され、前記アノード電極と前記接地端子との間のインピーダンスは、前記成膜槽と前記接地端子との間のインピーダンスよりも小さくされてもよい。   Further, the first and second cathode electrodes are disposed inside a high-frequency shield cover, and the substrate on which the thin film is growing is located inside the film-forming tank, and the film-forming tank and the high-frequency shield are The cover has conductivity, the film forming tank is electrically connected to the ground terminal via the high-frequency shield cover, and the impedance between the anode electrode and the ground terminal is the same as that of the film forming tank. The impedance may be smaller than the impedance between the ground terminal.

基板が配置される成膜槽とは反対側に位置するアノード電極とスパッタ電源の接地端子との間のインピーダンスは、成膜槽と接地端子との間のインピーダンスよりも小さいので、スパッタリングの際には成膜槽よりもアノード電極に大きな電流が流れ、プラズマが成膜槽側に広がらない。   Since the impedance between the anode electrode located on the side opposite to the film-forming tank where the substrate is arranged and the ground terminal of the sputtering power supply is smaller than the impedance between the film-forming tank and the ground terminal, during sputtering, In this case, a larger current flows in the anode electrode than in the film forming tank, and the plasma does not spread to the film forming tank side.

成膜槽内のアノード電極の表面に電気的絶縁状態のシールドを設置し高周波電流が成膜槽内のアノード電極に流れにくくし、スパッタ槽内のアノード電極に高周波電流が流れ易くするためアノード電極表面に凹凸形状を形成し表面積を広げ、スパッタ槽内のアノード電極に流れる高周波電流を成膜槽を経由せず高周波電源に戻す電気回路を形成することでプラズマが成膜槽側に広がるのを抑制する。   An electrically insulating shield is installed on the surface of the anode electrode in the film forming tank to prevent high-frequency current from flowing to the anode electrode in the film forming tank and to facilitate the flow of high-frequency current to the anode electrode in the sputtering tank. By forming an electrical circuit that returns the high-frequency current flowing through the anode electrode in the sputtering tank to the high-frequency power supply without passing through the film-forming tank, the plasma spreads to the film-forming tank side by forming an uneven shape on the surface and expanding the surface area. Suppress.

本発明のスパッタリング装置を説明するための図Diagram for explaining the sputtering apparatus of the present invention 同軸ケーブルを説明するための図Diagram for explaining coaxial cable (ａ)：アノード電極の平面図 (ｂ)：アノード電極の断面図(a): plan view of anode electrode (b): cross-sectional view of anode electrode 従来技術のスパッタリング装置を説明するための図Diagram for explaining a conventional sputtering apparatus

図１の符号２は、本発明の一例のスパッタリング装置を示している。
このスパッタリング装置２は真空槽１１と高周波シールドカバー４とを有している。 Reference numeral 2 in FIG. 1 indicates a sputtering apparatus according to an example of the present invention.
This sputtering device 2 has a vacuum chamber 11 and a high-frequency shield cover 4.

真空槽１１はスパッタ槽１１ａと成膜槽１１ｂとを有しており、スパッタ槽１１ａは高周波シールドカバー４の中に配置されている。   The vacuum chamber 11 has a sputtering chamber 11a and a film forming chamber 11b, and the sputtering chamber 11a is disposed in the high-frequency shield cover 4.

スパッタ槽１１ａは有底の四角筒体形形状であり、スパッタ槽１１ａは、四角筒体形形状の底面を構成するアノード電極７と、四角筒体形形状の壁面を構成する平板状の第一、第二のターゲット装置１５1、１５2と、同様に四角筒体形形状の壁面を構成する第一、第二の壁部材１７1、１７2とを有している。 The sputtering tank 11a has a bottomed rectangular cylindrical shape, and the sputter tank 11a has an anode electrode 7 forming a bottom surface of the rectangular cylindrical shape, and first and second flat plates forming the wall surface of the rectangular cylindrical shape. the target device 15 1, 15 2, first constitutes the wall surface of the square tube form the shape in the same manner, and a 2 second wall member 17 1, 17.

第一、第二のターゲット装置１５1、１５2には、スパッタ槽１１ａを気密にさせる第一、第二の外装部４５1、４５2が取り付けられている。 First, the second target device 15 1, 15 2, first to the sputtering chamber 11a in an airtight, the second exterior portion 45 1, 45 2 are mounted.

第一のターゲット装置１５1と第二のターゲット装置１５2とは、スパッタ槽１１ａの四側面のうちの対面する二面に配置されており、また、第一の壁部材１７1と第二の壁部材１７2とは、四側面のうちの他の対面する二面に配置されている。 A first target device 15 1 and the second target device 15 2 is disposed on the facing two surfaces of the four side surfaces of the sputtering chamber 11a, also, the first wall member 17 1 and the second the wall member 17 2 is disposed in addition to the facing two surfaces of the four side surfaces.

スパッタ槽１１ａの内部の、第一、第二のターゲット装置１５1、１５2で挟まれた領域をスパッタリング空間１８とすると、スパッタ槽１１ａの、スパッタリング空間１８を挟んでアノード電極７とは反対側には開口３７1が設けられており、その開口３７1には中空筒形形状のプラズマ制限シールド筒４７の一端である入射口３７2が接続されている。 Assuming that a region sandwiched between the first and second target devices 15 1 and 15 2 inside the sputtering tank 11 a is a sputtering space 18, a side of the sputtering tank 11 a opposite to the anode electrode 7 across the sputtering space 18. opening 37 1 is provided, which is one end entrance 37 and second hollow cylindrical shape of the plasma confinement shield tube 47 is connected to the opening 37 1 in.

プラズマ制限シールド筒４７の他端は放出口３７3にされ、成膜槽１１ｂの内部に配置されており、スパッタリング空間１８はスパッタ槽１１ａの開口３７1とプラズマ制限シールド筒４７の入射口３７2と、プラズマ制限シールド筒４７の中空内部と、放出口３７3とによって成膜槽１１ｂの内部に接続されている。 The other end of the plasma confinement shield tube 47 is in the discharge port 37 3 is disposed inside the film forming chamber 11b, the sputtering space 18 enters opening 37 second opening 37 1 and the plasma confinement shield tube 47 of the sputtering chamber 11a When, it is connected to the inside of the deposition chamber 11b by the hollow interior of the plasma confinement shield tube 47, a discharge port 37 3.

第一のターゲット装置１５1は、第一のカソード電極４６1と、第一のスパッタリングターゲット５1と、第一の磁石装置４３1と、第一のヨーク４４1とを有しており、同様に、第二のターゲット装置１５2は、第二のカソード電極４６2と、第二のスパッタリングターゲット５2と、第二の磁石装置４３2と、第二のヨーク４４2とを有している。 First target device 15 1 has 1 and the first cathode electrode 46, a first sputtering target 5 1, 1 and the first magnet unit 43, a 1 and a first yoke 44, similar , the second target device 15 2 has 2 and the second cathode electrodes 46, the second sputtering target 5 2, and the second magnet system 43 2, a 2 second yoke 44 .

第一、第二のカソード電極４６1、４６2は第一、第二の外装部４５1、４５2にそれぞれ固定されてスパッタ槽１１ａが気密にされており、第一のスパッタリングターゲット５1は第一のカソード電極４６1のスパッタリング空間１８に向いた面に配置され、第一のカソード電極４６1の反対側の面には、第一の磁石装置４３1が配置されている。 First, 1 second cathode electrodes 46, 46 2 first, second exterior portion 45 1, 45 2 are respectively fixed sputter chamber 11a are hermetically first sputtering target 5 1 are arranged on the surface facing the first cathode electrode 46 1 of the sputtering space 18, on the surface of the first cathode electrode 46 1 of the opposite side, the first magnet system 43 1 is disposed.

同様に、第二のスパッタリングターゲット５2は第二のカソード電極４６2のスパッタリング空間１８に向いた面に配置され、第二のカソード電極４６2の反対側の面には、第二の磁石装置４３2が配置されている。 Similarly, the second sputtering target 5 2 are arranged on the surface facing the second cathode electrode 46 2 of the sputtering space 18, the opposite surface of the second cathode electrodes 46 2, the second magnet system 43 2 is disposed.

第一、第二の磁石装置４３1、４３2はリング形形状にされており、リング形形状の外周側面と内周側面とを除いた二個の底面が、第一、第二のスパッタリングターゲット５1、５2の表面と平行になるように配置されている。 First, the second magnet system 43 1, 43 2 are in a ring shape, the two bottom except for the inner peripheral side and outer peripheral side surface of the ring-shape, the first and second sputtering targets 5 and 1, 5 2 of the surface are arranged in parallel.

そしてＮ極とＳ極とのうち、いずれか一方を第一の磁極とし他方を第二の磁極とすると、第一の磁石装置４３1の第一のスパッタリングターゲット５1に向けられた底面には第一の磁極が設けられ、第二の磁石装置４３2の第二のスパッタリングターゲット５2に向けられた底面には第二の磁極が設けられており、第一、第二の磁石装置４３1、４３2は、第一の磁石装置４３1の第一の磁極と、第二の磁石装置４３2の第二の磁極とは向かい合って配置されている。 And out of the N pole and S pole, when either one and the other as the first pole the second pole, the bottom surface directed to the first of the first sputtering target 5 first magnet device 43 1 It provided the first magnetic pole, the second magnet system 43 2 of the second bottom surface that is directed to a sputtering target 5 2 is provided with a second magnetic pole, the first and second magnet system 43 1 , 43 2, a first of the first magnetic poles of the magnet device 43 1 and the second magnet system 43 2 of the second magnetic pole are arranged opposite.

第一の磁石装置４３1の第一の磁極と、第二の磁石装置４３2の第二の磁極との間には、第一の磁石装置４３1のリング形形状を一方の底面の外周とし、第二の磁石装置４３2のリング形形状を他方の底面の外周とする筒形形状の磁力線が形成されている。 A first first pole of the magnet device 43 1, between the second magnet system 43 2 of the second magnetic poles, a first magnet device 43 1 of the ring-shape as the outer periphery of one of the bottom surface , the magnetic field lines of the cylindrical shape of the second magnet unit 43 2 of the ring-shape with the outer periphery of the other of the bottom surface is formed.

第一、第二のスパッタリングターゲット５1、５2は第一の磁石装置４３1と第二の磁石装置４３2との間に位置しており、スパッタリング空間１８は第一、第二のスパッタリングターゲット５1、５2に挟まれている。 First, the second sputtering target 5 1, 5 2 is located between 1 and the first magnet system 43 and the second magnet system 43 2, the sputtering space 18 first, second sputtering target 5 1, are sandwiched 5 2.

第一の磁石装置４３1と第二の磁石装置４３2との間に形成される筒形形状の磁力線は、第一、第二のスパッタリングターゲット５1、５2とスパッタリング空間１８とを貫通するから、スパッタリング空間１８の少なくとも一部は筒形形状の磁力線によって囲まれており、スパッタリング空間１８にプラズマが形成されたときに、筒形形状の磁力線によってプラズマが閉じ込められ、プラズマがスパッタリング空間１８の外部に広がりにくいようになっている。 Magnetic lines of cylindrical shape formed between the first magnet device 43 1 and the second magnet system 43 2, through first and a second sputtering target 5 1, 5 2 and the sputtering space 18 Therefore, at least a part of the sputtering space 18 is surrounded by the cylindrical magnetic field lines, and when plasma is formed in the sputtering space 18, the plasma is confined by the cylindrical magnetic field lines, and the plasma is generated in the sputtering space 18. It is difficult to spread outside.

真空槽１１の外部にはスパッタ電源１３とマッチングボックス１６とが配置されている。
マッチングボックス１６は入力端子１４ａと接続端子１４ｂと出力端子３８とを有している。マッチングボックス１６の内部には、入力端子１４ａと出力端子３８との間を所定の第一のインピーダンスで接続すると共に、入力端子１４ａと接続端子１４ｂとの間を所定の第二のインピーダンスで接続する電子回路２０が設けられている。第一、第二のインピーダンスの大きさは変更できるようにされている。 A sputtering power supply 13 and a matching box 16 are arranged outside the vacuum chamber 11.
The matching box 16 has an input terminal 14a, a connection terminal 14b, and an output terminal 38. Inside the matching box 16, the input terminal 14a and the output terminal 38 are connected with a predetermined first impedance, and the input terminal 14a and the connection terminal 14b are connected with a predetermined second impedance. An electronic circuit 20 is provided. The magnitudes of the first and second impedances can be changed.

スパッタリング装置２には制御装置が設けられており、電子回路２０の第一、第二のインピーダンスの大きさは制御装置によって制御される。   The sputtering device 2 is provided with a control device, and the magnitudes of the first and second impedances of the electronic circuit 20 are controlled by the control device.

電子回路２０は、第一、第二の可変コンデンサ１９1、１９3と、コイル１９2とを有している。入力端子１４ａと出力端子３８とは、第一の可変コンデンサ１９1とコイル１９2の直列接続回路によって接続されており、この直列接続回路のインピーダンスが第一のインピーダンスになり、また、入力端子１４ａと接続端子１４ｂとの間は、第二の可変コンデンサ１９3によって接続されており、第二の可変コンデンサ１９3のインピーダンスが第二のインピーダンスになっている。 The electronic circuit 20 has first and second variable capacitors 19 1 and 19 3 and a coil 19 2 . An input terminal 14a and the output terminal 38 is connected by a first variable capacitor 19 1 and series circuit of the coil 19 2, the impedance of the series connection circuit is the first impedance and the input terminal 14a between the connection terminal 14b is connected by a second variable capacitor 19 3, the impedance of the second variable capacitor 19 3 is in the second impedance.

スパッタ電源１３は、電源端子１３ａと接地端子１３ｂとを有しており、スパッタ電源１３が動作すると、電源端子１３ａと接地端子１３ｂとの間に負の交流電圧であるスパッタ電圧が出力される。   The sputter power source 13 has a power terminal 13a and a ground terminal 13b. When the sputter power source 13 operates, a sputter voltage that is a negative AC voltage is output between the power terminal 13a and the ground terminal 13b.

マッチングボックス１６内部の第一、第二のインピーダンスの大きさは、スパッタ電源１３の出力インピーダンスと、スパッタ電源１３に接続される負荷のインピーダンスとが整合するように調整される。
スパッタ電源１３とマッチングボックス１６とは同軸ケーブル６によって電気的に接続されている。 The magnitudes of the first and second impedances inside the matching box 16 are adjusted so that the output impedance of the sputtering power supply 13 matches the impedance of the load connected to the sputtering power supply 13.
The sputtering power supply 13 and the matching box 16 are electrically connected by the coaxial cable 6.

同軸ケーブル６を説明すると、図２を参照し、同軸ケーブル６は柔軟性を有する金属線やより線で構成された内部導体２３を有している。内部導体２３は「芯線」とも呼ばれており、絶縁性のチューブである内部絶縁チューブ２１に挿通されている。内部絶縁チューブ２１は、金属細線が筒編みされ、導電性を有する外部導体２４に挿通されている。外部導体２４は、内部絶縁チューブ２１と内部導体２３とが挿入された状態で、絶縁性のチューブである外部絶縁チューブ２５に挿通されている。   To explain the coaxial cable 6, referring to FIG. 2, the coaxial cable 6 has an inner conductor 23 formed of a flexible metal wire or stranded wire. The internal conductor 23 is also called a “core wire” and is inserted through the internal insulating tube 21 which is an insulating tube. The inner insulating tube 21 is formed by knitting a thin metal wire into a tube, and is inserted into an outer conductor 24 having conductivity. The outer conductor 24 is inserted through an outer insulating tube 25 which is an insulating tube with the inner insulating tube 21 and the inner conductor 23 inserted.

内部導体２３と外部導体２４とは、同軸ケーブル６の両端で、互いに接触しない状態で露出されており、互いに絶縁された状態が維持されている。そして同軸ケーブル６の一端では、露出された内部導体２３が電源端子１３ａに電気的に接続され、露出された外部導体２４が接地端子１３ｂに電気的に接続されている。接地端子１３ｂには接続端子１４ｂも電気的に接続されている。   The inner conductor 23 and the outer conductor 24 are exposed at both ends of the coaxial cable 6 without being in contact with each other, and are kept insulated from each other. At one end of the coaxial cable 6, the exposed inner conductor 23 is electrically connected to the power terminal 13a, and the exposed outer conductor 24 is electrically connected to the ground terminal 13b. The connection terminal 14b is also electrically connected to the ground terminal 13b.

同軸ケーブル６の他端では、露出された内部導体２３が入力端子１４ａに電気的に接続され、露出された外部導体２４は接地配線８によってアノード電極７に電気的に接続されている。   At the other end of the coaxial cable 6, the exposed inner conductor 23 is electrically connected to the input terminal 14a, and the exposed outer conductor 24 is electrically connected to the anode electrode 7 by the ground wiring 8.

出力端子３８は電源配線３１によって第一、第二のカソード電極４６1、４６2に接続されており、スパッタ電源１３が電源端子１３ａと接地端子１３ｂとの間にスパッタ電圧を出力すると、スパッタ電圧はマッチングボックス１６を介して第一、第二のカソード電極４６1、４６2に印加される。アノード電極７は接地配線８と同軸ケーブル６とによって接地端子１３ｂに接続されており、スパッタ電圧は接地電位に対して負の交流電圧である。 The output terminal 38 is first by the power supply wiring 31 is connected to the second cathode electrodes 46 1, 46 2, and outputs a sputtering voltage during the sputtering power source 13 is a power supply terminal 13a and a ground terminal 13b, sputtering voltage first, it is applied to the second cathode electrodes 46 1, 46 2 via a matching box 16. The anode electrode 7 is connected to the ground terminal 13b by the ground wire 8 and the coaxial cable 6, and the sputter voltage is a negative AC voltage with respect to the ground potential.

成膜槽１１ｂにはスパッタリングガス供給装置４１と、真空排気装置４２とが接続されている。
第一、第二のスパッタリングターゲット５1、５2をスパッタリングする際には、真空排気装置４２によって真空槽１１の内部(本例では成膜槽１１ｂの内部とスパッタ槽１１ａの内部)を真空排気して真空雰囲気を形成する。 A sputtering gas supply device 41 and a vacuum exhaust device 42 are connected to the film forming tank 11b.
First, when sputtering the second sputtering target 5 1, 5 2, evacuates the interior (interior of the inner and the sputtering chamber 11a of the film forming chamber 11b in this example) of the vacuum chamber 11 by the vacuum exhaust device 42 To form a vacuum atmosphere.

次いで、真空雰囲気を維持しながら成膜槽１１ｂの内部に基板１０が搬入され、放出口３７3と対面する場所で静止される。次いで、スパッタリングガス供給装置４１によって真空槽１１の内部にスパッタリングガスが導入され、真空槽１１の内部が所定圧力のスパッタリングガス雰囲気にされた後、スパッタ電源１３が動作し、第一、第二のカソード電極４６1、４６2とアノード電極７との間にスパッタ電圧が印加され、磁力線で囲まれたスパッタリング空間１８にプラズマが形成され、スパッタリングガスイオンや分子が第一、第二のスパッタリングターゲット５1、５2に入射し、第一、第二のスパッタリングターゲット５1、５2がスパッタリングされる。スパッタリングにより、第一、第二のスパッタリングターゲット５1、５2の表面からスパッタリング粒子が飛び出す。 Then, inside the substrate 10 of the film forming chamber 11b is loaded while maintaining a vacuum atmosphere, it is still at the location facing the outlet 37 3. Next, a sputtering gas is introduced into the vacuum chamber 11 by the sputtering gas supply device 41, and the inside of the vacuum chamber 11 is set to a sputtering gas atmosphere of a predetermined pressure. A sputtering voltage is applied between the cathode electrodes 46 1 and 46 2 and the anode electrode 7, plasma is formed in a sputtering space 18 surrounded by lines of magnetic force, and sputtering gas ions and molecules are removed from the first and second sputtering targets 5. 1, 5 2 enters the first, second sputtering target 5 1, 5 2 is sputtered. By sputtering, first, the sputtered particles fly out from the second sputtering target 5 1, 5 2 of the surface.

スパッタリング粒子の一部は対向する第一又は第二のスパッタリングターゲット５1、５2に入射し、また、他の一部は放出口３７3から放出され、放出口３７3と対面する場所に位置する基板１０の表面に到達する。 Some of the sputtered particles incident on the first or second sputtering target 5 1, 5 2 opposed, also, another portion is discharged from the discharge port 37 3, Located facing the discharge port 37 3 To the surface of the substrate 10 to be processed.

なお、基板１０は放出口３７3と対面する位置で静止する場合に限定されず、放出口３７3と対面する場所を通過するように移動しながらスパッタリング粒子が基板１０に到達する場合も本発明に含まれる。 The substrate 10 is not limited to the case of stationary position facing the discharge port 37 3, The present invention is also moved while the sputtered particles to pass through a location facing the outlet 37 3 reaches the substrate 10 include.

スパッタリング粒子が静止又は移動中の基板１０の表面に到達すると、到達した表面に薄膜が成長する。
アノード電極７は、外部導体２４と接地配線８とによって接地端子１３ｂに接続されている。 When the sputtered particles reach the surface of the stationary or moving substrate 10, a thin film grows on the surface that has reached.
The anode electrode 7 is connected to the ground terminal 13b by the external conductor 24 and the ground wiring 8.

ここで、接地端子１３ｂの電位を接地電位とすると、アノード電極７は接地電位に接続され、スパッタリング空間１８に対面しているから、第一、第二のカソード電極４６1、４６2にスパッタ電圧が印加されてスパッタリング空間１８にプラズマが形成されると、プラズマを通ってアノード電極７と第一、第二のカソード電極４６1、４６2との間に電流が流れる。 Here, when the potential of the ground terminal 13b and the ground potential, the anode electrode 7 is connected to the ground potential, because they face the sputtering space 18, first, second cathode electrodes 46 1, 46 2 in the sputtering voltage If There plasma sputtering space 18 is formed is applied, the anode electrode 7 and the first through the plasma, a current flows between the second cathode electrodes 46 1, 46 2.

アノード電極７は電圧降下が小さいアルミニウム等の低インピーダンスの材料で構成されており、プラズマが形成され、アノード電極７と第一、第二のカソード電極４６1、４６2との間に流れる電流が、外部導体２４と接地配線８とを電流経路として流れても、アノード電極７に発生する電圧降下は小さい。 The anode electrode 7 is made of a material having a low impedance such as aluminum voltage drop is small, the plasma is formed, the anode electrode 7 and the first, the current flowing between the second cathode electrodes 46 1, 46 2 Even if the current flows through the external conductor 24 and the ground wiring 8 as a current path, the voltage drop generated at the anode electrode 7 is small.

成膜槽１１ｂは、アノード電極７とは反対側でスパッタリング空間１８に対面しており、高周波シールドカバー４と成膜槽１１ｂとは金属材料で構成され、導電性を有しており、成膜槽１１ｂは高周波シールドカバー４に接触され、高周波シールドカバー４はシールド用配線３２によって接地配線８に接続されている。   The film forming tank 11b faces the sputtering space 18 on the side opposite to the anode electrode 7, and the high-frequency shield cover 4 and the film forming tank 11b are made of a metal material and have conductivity. The tank 11b is in contact with the high-frequency shield cover 4, and the high-frequency shield cover 4 is connected to the ground wiring 8 by the shield wiring 32.

従って、成膜槽１１ｂは接地電位に接続されており、第一、第二のカソード電極４６1、４６2に負の交流電圧が印加されると、成膜槽１１ｂと第一、第二のカソード電極４６1、４６2との間にも電流が流れる。 Accordingly, the film forming chamber 11b is connected to the ground potential, the first and second cathode electrodes 46 1, 46 2 to the negative AC voltage is applied, the film forming chamber 11b and the first, second current also flows between the cathode electrode 46 1, 46 2.

スパッタ電源１３から成膜槽１１ｂに供給される電流は、高周波シールドカバー４と成膜槽１１ｂとを通る電流経路を流れることになるが、高周波シールドカバー４と成膜槽１１ｂとのインピーダンスは、外部導体２４と接地配線８とアノード電極７とのインピーダンスよりも大きく、成膜槽１１ｂの電圧降下はアノード電極７よりも大きい。   The current supplied from the sputtering power supply 13 to the film forming tank 11b flows through a current path passing through the high-frequency shield cover 4 and the film forming tank 11b, but the impedance between the high-frequency shield cover 4 and the film forming tank 11b is The impedance is larger than the impedance of the external conductor 24, the ground wiring 8, and the anode electrode 7, and the voltage drop of the film forming tank 11b is larger than that of the anode electrode 7.

従って、接地電位と第一、第二のカソード電極４６1、４６2との間に流れる電流の大部分はアノード電極７を通って流れ、接地配線８が設けられなかったとしても成膜槽１１ｂに流れる電流は少ないから、プラズマは成膜槽１１ｂの内部に広がらず、プラズマによる基板１０へのダメージは少なくなる。 Therefore, the ground potential and the first, second most of the current flowing between the cathode electrode 46 1, 46 2 flows through the anode electrode 7, even deposition chamber 11b as the ground line 8 was not provided Is small, the plasma does not spread inside the film forming tank 11b, and the plasma damage to the substrate 10 is reduced.

なお、ここでは高周波シールドカバー４にはシールド用配線３２の一端が電気的・機械的に接続されており、高周波シールドカバー４は、シールド用配線３２によって接地配線８に接続されているが、別のシールド用配線によって外部導体２４に接続するようにしてもよい。   Here, one end of the shield wiring 32 is electrically and mechanically connected to the high-frequency shield cover 4, and the high-frequency shield cover 4 is connected to the ground wiring 8 by the shield wiring 32. May be connected to the external conductor 24 by the shield wiring.

また、上記例では成膜槽１１ｂの内部には、成膜槽１１ｂの金属製の壁面が露出されていたが、成膜槽１１ｂの内部表面を電気的に浮遊した防着板で覆い、成膜槽１１ｂをフローティング電位にしておくと、成膜槽１１ｂに電流を流さずに済む。   Further, in the above example, the metal wall surface of the film forming tank 11b is exposed inside the film forming tank 11b, but the inner surface of the film forming tank 11b is covered with an electrically floating prevention plate. If the film tank 11b is set to the floating potential, it is not necessary to supply a current to the film forming tank 11b.

本例では、平面図の図３(ａ)と断面図の図３(ｂ)に示すように、アノード電極７のスパッタリング空間１８に向く底面３４には、有底の孔３５が複数個形成されており、孔３５が形成されておらず、スパッタリング空間１８に対面する底面３４が平坦な場合に比べて２倍以上の面積を有するようにされている。   In this example, as shown in FIG. 3A in a plan view and FIG. 3B in a cross-sectional view, a plurality of bottomed holes 35 are formed in the bottom surface 34 of the anode electrode 7 facing the sputtering space 18. In this case, no hole 35 is formed, and the bottom surface 34 facing the sputtering space 18 has an area twice or more as compared with a case where the bottom surface 34 is flat.

孔３５に替え、又は孔３５と共に突条を設けて底面３４が平坦な場合に比べて２倍以上の面積を有するようにしてもよく、要するに、底面３４に凹凸を設け、平坦な場合に比べて２倍以上の面積を有するようにすればよい。   Instead of the hole 35, or by providing a ridge with the hole 35, the bottom surface 34 may have an area twice or more as compared with the case where the bottom surface is flat. In this case, the area may be twice or more.

なお第一、第二の壁部材１７1、１７2のいずれか若しくは両方に凹凸を設け、第２、第３のアノード電極とされてもよい。その場合アノード電極７（第１のアノード電極）は省略することもできるが、基板に対するプラズマ均一性が損なわれる恐れがある。 Note that one or both of the first and second wall members 17 1 and 17 2 may be provided with irregularities to serve as second and third anode electrodes. In this case, the anode electrode 7 (first anode electrode) can be omitted, but there is a possibility that the uniformity of plasma with respect to the substrate is impaired.

他方、成膜槽１１ｂの内壁面は平坦であり、スパッタリング空間１８と対面する内壁面の表面積とアノード電極７の表面積とはアノード電極７の方が大きくされており、成膜槽１１ｂよりもアノード電極７の方に電流が流れ易いから、第一、第二のスパッタリングターゲット５1、５2に流れた電流は大部分がアノード電極７と接地配線８とを流れ、成膜槽１１ｂと高周波シールドカバー４とに流れる電流は少ない。このことからも、プラズマが成膜槽１１ｂの内部に広がらず、基板１０がプラズマに曝されにくいようになっている。 On the other hand, the inner wall surface of the film forming tank 11b is flat, and the surface area of the inner wall surface facing the sputtering space 18 and the surface area of the anode electrode 7 are larger in the anode electrode 7 than in the film forming tank 11b. Most of the current flowing through the first and second sputtering targets 5 1 and 5 2 flows through the anode electrode 7 and the ground wiring 8 because the current flows more easily to the electrode 7, and the film forming tank 11 b and the high-frequency shield The current flowing to the cover 4 is small. For this reason, the plasma does not spread inside the film forming tank 11b, and the substrate 10 is hardly exposed to the plasma.

なお、カソード電極４６1、４６2とアノード電極７との間や、カソード電極４６1、４６2と成膜槽１１ｂとの間には絶縁部材１２ａ1、１２ａ2、１２ｂ1、１２ｂ2が設けられており、カソード電極４６1、４６2とアノード電極７の間やカソード電極４６1、４６2と成膜槽１１ｂとの間は絶縁されている。 Note that insulating members 12a 1 , 12a 2 , 12b 1 , 12b 2 are provided between the cathode electrodes 46 1 , 46 2 and the anode electrode 7 and between the cathode electrodes 46 1 , 46 2 and the film forming tank 11b. It is and the cathode electrode 46 1, 46 2 and between and cathode electrodes 46 1 of anode electrode 7, 46 2 and between the film forming chamber 11b are insulated.

プラズマ制限シールド筒４７は導電性を有しておらず、電流が流れないか、又は微少量の電流しか流れないようになっている。スパッタ槽１１ａの開口３７1の近傍には成膜槽１１ｂの壁が位置しているが、開口３７1にはプラズマ制限シールド筒４７が設けられており、スパッタ槽１１ａは成膜槽１１ｂから離間されている。プラズマ制限シールド筒４７は導電率が低い材料で構成されており、電流が流れにくいから、アノード電極７に流れる電流が大きい。 The plasma limiting shield cylinder 47 has no conductivity, and does not allow current to flow, or allows only a very small amount of current to flow. While the walls of the film forming chamber 11b in the vicinity of the opening 37 1 of the sputtering chamber 11a is positioned spaced apart, the opening 37 1 is provided with plasma confinement shield tube 47, the sputtering chamber 11a from the film forming chamber 11b Have been. The plasma limiting shield cylinder 47 is made of a material having a low conductivity, and the current does not easily flow, so that the current flowing to the anode electrode 7 is large.

２……スパッタリング装置
４……高周波シールドカバー
５1……第一のスパッタリングターゲット
５2……第二のスパッタリングターゲット
６……同軸ケーブル
７……アノード電極
８……接地配線
１０……基板
１１ａ……スパッタ槽
１１ｂ……成膜槽
１３……スパッタ電源
１３ａ……電源端子
１３ｂ……接地端子
１４ａ……入力端子
１４ｂ……接続端子
１６……マッチングボックス
１８……スパッタリング空間
２３……内部導体
２４……外部導体
３８……出力端子
４６1……第一のカソード電極
４６2……第二のカソード電極
2 ... Sputtering apparatus 4 ... High frequency shield cover 5 1 ... First sputtering target 5 2 ... Second sputtering target 6 ... Coaxial cable 7 ... Anode electrode 8 ... Ground wiring 10 ... Substrate 11a ... Sputtering tank 11b ... Film forming tank 13 ... Sputtering power supply 13a ... Power supply terminal 13b ... Grounding terminal 14a ... Input terminal 14b ... Connection terminal 16 ... Matching box 18 ... Sputtering space 23 ... Internal conductor 24 ... external conductor 38 ... output terminal 46 1 ... first cathode electrode 46 2 ... second cathode electrode

Claims (7)

第一、第二のカソード電極と、
前記第一のカソード電極に配置された第一のスパッタリングターゲットと、
前記第二のカソード電極に配置された第二のスパッタリングターゲットと、
前記第一、第二のスパッタリングターゲットで挟まれたスパッタリング空間の側方位置に配置されたアノード電極と、接地端子と電源端子とを有し、前記接地端子と前記電源端子との間に交流のスパッタ電圧を出力するスパッタ電源と、を有し、
前記第一、第二のスパッタリングターゲットは対向配置され、前記第一、第二のカソード電極と接地電位の間には前記スパッタ電圧が印加されて前記第一、第二のスパッタリングターゲットがスパッタリングされ、前記スパッタリング空間を間にして前記アノード電極とは反対側に位置する成膜槽の内部に配置された基板の表面に薄膜が成長されるスパッタリング装置であって、
前記アノード電極の前記スパッタリング空間に対面する表面には凹凸が形成されたスパッタリング装置。 First and second cathode electrodes,
A first sputtering target disposed on the first cathode electrode,
A second sputtering target disposed on the second cathode electrode,
An anode electrode disposed at a side position of a sputtering space interposed between the first and second sputtering targets, a ground terminal and a power terminal, and an alternating current between the ground terminal and the power terminal. A sputter power supply for outputting a sputter voltage,
The first and second sputtering targets are disposed to face each other, and the first and second sputtering targets are applied by applying the sputtering voltage between the first and second cathode electrodes and a ground potential, A sputtering apparatus in which a thin film is grown on a surface of a substrate disposed inside a film forming tank located on a side opposite to the anode electrode with the sputtering space therebetween,
A sputtering apparatus in which irregularities are formed on a surface of the anode electrode facing the sputtering space. 前記アノード電極と前記接地端子との間のインピーダンスは、前記成膜槽と前記接地端子との間のインピーダンスよりも小さくされた請求項１記載のスパッタリング装置。   2. The sputtering apparatus according to claim 1, wherein an impedance between the anode electrode and the ground terminal is smaller than an impedance between the film forming tank and the ground terminal. 前記アノード電極と前記接地端子とを電気的に接続させる接地配線が設けられた請求項１又は２記載のスパッタリング装置。   The sputtering apparatus according to claim 1, further comprising a ground wire that electrically connects the anode electrode and the ground terminal. 前記接地配線の少なくとも一部には、前記同軸ケーブルの外部導体が用いられた請求項３記載のスパッタリング装置。   The sputtering apparatus according to claim 3, wherein an outer conductor of the coaxial cable is used for at least a part of the ground wiring. 前記成膜槽に、前記成膜槽から電気的に浮遊した防着板を設けた請求項１乃至４のいずれか１項記載のスパッタリング装置。   The sputtering apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the deposition tank is provided with a deposition preventing plate electrically floating from the deposition tank. 前記第一、第二のスパッタリングターゲットが配置されたスパッタ槽の開口に、前記成膜槽から電気的に浮遊したプラズマ制限シールド筒を設けた請求項１乃至５のいずれか１項記載のスパッタリング装置。   The sputtering apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein a plasma limiting shield tube electrically floating from the film forming tank is provided at an opening of the sputtering tank in which the first and second sputtering targets are arranged. . 前記成膜槽の内部表面には、前記成膜槽の内部表面を覆う前記成膜槽から電気的に浮遊した防着板が形成された請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載のスパッタリング装置。
7. The anti-deposition plate according to claim 1, wherein an anti-adhesion plate electrically floating from the film forming tank is formed on the inner surface of the film forming tank to cover the inner surface of the film forming tank. 8. Sputtering equipment.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111041434A (en) * 2020-03-17 2020-04-21 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 Physical vapor deposition apparatus for depositing insulating film

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4752U (en) * 1971-06-25 1972-02-23
JP2001335924A (en) * 2000-05-23 2001-12-07 Canon Inc Sputtering system
JP2002038263A (en) * 2000-07-25 2002-02-06 Ulvac Japan Ltd Sputtering device
JP2007131930A (en) * 2005-11-11 2007-05-31 Canon Inc Reactive magnetron sputtering system
JP2010013724A (en) * 2008-07-07 2010-01-21 Ulvac Japan Ltd Penning type sputtering system
JP2012193410A (en) * 2011-03-16 2012-10-11 Japan Steel Works Ltd:The Sputtering apparatus

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4752U (en) * 1971-06-25 1972-02-23
JP2001335924A (en) * 2000-05-23 2001-12-07 Canon Inc Sputtering system
JP2002038263A (en) * 2000-07-25 2002-02-06 Ulvac Japan Ltd Sputtering device
JP2007131930A (en) * 2005-11-11 2007-05-31 Canon Inc Reactive magnetron sputtering system
JP2010013724A (en) * 2008-07-07 2010-01-21 Ulvac Japan Ltd Penning type sputtering system
JP2012193410A (en) * 2011-03-16 2012-10-11 Japan Steel Works Ltd:The Sputtering apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111041434A (en) * 2020-03-17 2020-04-21 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 Physical vapor deposition apparatus for depositing insulating film

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