JP2002012969A - Method for controlling sputtering apparatus - Google Patents
Method for controlling sputtering apparatusInfo
- Publication number
- JP2002012969A JP2002012969A JP2000200566A JP2000200566A JP2002012969A JP 2002012969 A JP2002012969 A JP 2002012969A JP 2000200566 A JP2000200566 A JP 2000200566A JP 2000200566 A JP2000200566 A JP 2000200566A JP 2002012969 A JP2002012969 A JP 2002012969A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- targets
- sputtering apparatus
- voltage
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、特に大面積の基板
に精度のよい膜を連続して成膜するのに適したスパッタ
リング装置の制御方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for controlling a sputtering apparatus which is particularly suitable for continuously depositing high-precision films on a large-area substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、例えば、高周波スパッタリング装
置は、真空チャンバ内に支持された基板をゼロ電位のア
ース電極とし、ターゲットをＲＦ電極として高周波電圧
をマッチング回路及びコンデンサを含む伝送路を介して
ＲＦ電極たるターゲットに印加することで、アース電極
とＲＦ電極間にグロー放電を生じさせて両電極間の雰囲
気をプラズマ化していた。2. Description of the Related Art Conventionally, for example, in a high frequency sputtering apparatus, a substrate supported in a vacuum chamber is used as a ground electrode of zero potential, a target is used as an RF electrode, and a high frequency voltage is transmitted through a transmission line including a matching circuit and a capacitor. By applying a voltage to the target as an electrode, a glow discharge is generated between the ground electrode and the RF electrode, and the atmosphere between the two electrodes is turned into plasma.
【０００３】このようなグロー放電中において、何らか
の原因により、陰極からの熱電子放出であるアーク放電
が発生することがある。又、アース電極のうち基板に電
流が流れることにより、基板に発熱が生じそれが基板の
温度制御を困難にする。このため、大面積の基板に精度
のよい膜を連続して成膜するのが困難となる。[0003] During such a glow discharge, an arc discharge, which is thermionic emission from the cathode, may occur for some reason. Further, when a current flows through the substrate among the ground electrodes, heat is generated on the substrate, which makes it difficult to control the temperature of the substrate. For this reason, it is difficult to continuously form an accurate film on a large-area substrate.
【０００４】そこで、図５（イ）に示すようなスパッタ
リング装置が提案された。即ち、真空チャンバ内に並設
された複数のターゲットと、ターゲットに高周波電圧を
印加すべく伝送路を介して設けられた単一の高周波電圧
発生器とからなり、伝送路は、トランス、電圧増幅器及
びマッチングボックスがケーブルで連結された構成であ
る。Therefore, a sputtering apparatus as shown in FIG. 5A has been proposed. That is, it comprises a plurality of targets arranged side by side in a vacuum chamber, and a single high-frequency voltage generator provided via a transmission line to apply a high-frequency voltage to the targets, wherein the transmission line is a transformer and a voltage amplifier. And the matching box are connected by a cable.
【０００５】係るスパッタリング装置は、前記トランス
により電圧発生器の出力を分配し、電圧増幅器により分
配された高周波電圧を所望レベルの高電圧に増幅し、マ
ッチングボックスにより高周波電力を最大能率で印加で
きるようにインピーダンスを整合するものである。In such a sputtering apparatus, the output of the voltage generator is distributed by the transformer, the high frequency voltage distributed by the voltage amplifier is amplified to a high voltage of a desired level, and the high frequency power can be applied at the maximum efficiency by the matching box. Impedance matching.
【０００６】よって、前記装置によれば、複数のターゲ
ットによって同時にスパッタするために、高周波電流を
それぞれ断続的に通電しなければならず、各ターゲット
電極に通電される高周波電流に位相のずれが発生するこ
とになる。（通常、隣接のターゲット間で１８０度の位
相差を有する高周波電圧が印加され、これにより、隣接
したターゲット間でグロー放電が生じプラズマを形成す
る。隣接のターゲットは交互に陰極と陽極とになるた
め、スパッタ蒸発は隣接のターゲットの一方と他方とで
交互に生じる。）Therefore, according to the above-mentioned apparatus, high-frequency currents must be intermittently supplied in order to simultaneously sputter by a plurality of targets, and a phase shift occurs in the high-frequency current supplied to each target electrode. Will be. (Usually, a high-frequency voltage having a phase difference of 180 degrees is applied between adjacent targets, whereby a glow discharge is generated between adjacent targets to form plasma. The adjacent targets alternately become a cathode and an anode. Therefore, sputter evaporation occurs alternately between one of the adjacent targets and the other.)
【０００７】そこで、前記装置を用いる場合には、各タ
ーゲット間の位相のずれを調整するために、電圧発生器
に位相回路を設ける必要があるが、１２０度、９０度と
いうような特定の位相を設定する場合は必ずしも適さな
い。In order to adjust the phase shift between the respective targets when using the above-mentioned apparatus, it is necessary to provide a phase circuit in the voltage generator. Is not always suitable.
【０００８】又、別のやり方として出力ケーブルの長さ
を変えることにより位相のずれを調整することもできる
が、ケーブルの長さによって放電の安定性、増幅器の過
負荷特性が変化するので実用的には適さないという欠点
があった。As another method, the phase shift can be adjusted by changing the length of the output cable. However, since the stability of discharge and the overload characteristic of the amplifier change depending on the length of the cable, it is practical. Had the disadvantage that it was not suitable.
【０００９】よって、前記不都合を解決するために、図
５（ロ）に示すようなスパッタリング装置が考えられ
た。即ち、真空チャンバ内の各ターゲットを一対にし
て、対になるターゲット間でグロー放電が良好に生じる
ように配置する。Therefore, in order to solve the above-mentioned inconvenience, a sputtering apparatus as shown in FIG. That is, each target in the vacuum chamber is paired, and the targets are arranged so that a glow discharge is favorably generated between the paired targets.
【００１０】この際、各対となるターゲット間はそれぞ
れのプラズマが相互干渉しないように所定の距離をおい
て設けられ、各対のターゲットにはそれぞれ独立した電
圧発生器が設けられ、電圧増幅器、マッチングボック
ス、トランスを介して連結された構成にしてなるもので
ある。At this time, each pair of targets is provided at a predetermined distance so that the respective plasmas do not interfere with each other. Each pair of targets is provided with an independent voltage generator, and a voltage amplifier, It is configured to be connected via a matching box and a transformer.
【００１１】そして、それぞれの電圧発生器から出力さ
れた高周波電圧はトランスにより１８０度の位相差を持
つ高周波電圧に変換され、それぞれターゲットに印加さ
れるが、この時、それぞれの電圧の位相差によってター
ゲット間でグロー放電が発生しプラズマを形成すること
になる。The high-frequency voltages output from the respective voltage generators are converted by a transformer into high-frequency voltages having a phase difference of 180 degrees and applied to the respective targets. Glow discharge occurs between the targets to form plasma.
【００１２】このように放電は対のターゲット間で独立
して発生するために、各電圧発生器間で周波数、及び位
相を合わせる必要がない。As described above, since the discharge is generated independently between the pair of targets, it is not necessary to adjust the frequency and the phase between the voltage generators.
【００１３】[0013]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の装置は下記のような問題点があった。即ち、真空チ
ャンバ内に一対のターゲットを複数セットとして、それ
ぞれの対のターゲットに独立のグロー放電を発生するた
めに、各対のターゲット間の距離を開けて設けなければ
対のターゲットに独立のグロー放電を発生することがで
きない。よって、装置が大型化するだけでなく、装置設
置スペースも必然的に拡大化してしまうという問題があ
った。However, the above-mentioned conventional apparatus has the following problems. In other words, a plurality of sets of a pair of targets are set in the vacuum chamber, and independent glow discharges are generated for each pair of targets unless an interval is provided between each pair of targets in order to generate an independent glow discharge. No discharge can occur. Therefore, there is a problem that not only the size of the device is increased, but also the installation space of the device is inevitably increased.
【００１４】また、係る装置によれば、電圧発生器を複
数有することから、装置構成が複雑となり、しいては製
造コストが高騰するという問題も生じていたIn addition, according to such a device, since a plurality of voltage generators are provided, there has been a problem that the device configuration becomes complicated, and the production cost rises.
【００１５】そこで、本発明は、上記前者及び後者の問
題点を共に解消し、基板の表面に低インピーダンスで精
度の良い膜を、連続して成膜することができるスパッタ
リング装置の制御方法を提供することを課題とするもの
である。Therefore, the present invention solves both the former and the latter problems, and provides a method of controlling a sputtering apparatus capable of continuously forming a low-impedance and high-accuracy film on the surface of a substrate. The task is to do so.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は上記課題
を解決すべくなされたものであり、真空チャンバ内に設
けられた複数のターゲットと、ターゲットに連結された
電源回路とからなるスパッタリング装置の制御方法にお
いて、各ターゲットが主ターゲットと、主ターゲットの
近傍、又は外周に配置された従ターゲットとからなり、
且つターゲットへの電源回路には、主ターゲットと従タ
ーゲットとに交互に電圧を印加すべくスイッチング回路
が設けられ、しかも各ターゲットの電圧の周波数をオシ
レーターを介して同期させることを特徴とするものであ
る。That is, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and has a sputtering apparatus comprising a plurality of targets provided in a vacuum chamber and a power supply circuit connected to the targets. In the control method, each target consists of a main target, a sub-target placed near or around the main target,
In addition, the power supply circuit to the target is provided with a switching circuit for alternately applying a voltage to the main target and the slave target, and further synchronizes the frequency of the voltage of each target via an oscillator. is there.
【００１７】[0017]
【作用】係るスパッタリング装置の制御方法によれば、
真空チャンバ内に設けられた基板ホルダーをどこにも接
続されていないフローティング状態にして移動し、主タ
ーゲットと、主ターゲットの近傍、又は外周に配置され
た従ターゲットとに電圧をスイッチング回路を介して交
互に印加することにより、スパッタ粒子やプラズマ中の
イオン、粒子が電圧を印加されたターゲットから印加さ
れていないターゲット側に移動し、粒子等がチャンバ内
の側壁等に衝突する二次スパッタを起こすことなく移動
することになる。According to the control method of the sputtering apparatus,
The substrate holder provided in the vacuum chamber is moved to a floating state where it is not connected to anywhere, and the voltage is alternately applied to the main target and the sub-target located near or at the outer periphery of the main target via a switching circuit. When ions are applied to the target, ions and particles in the plasma move from the target to which the voltage is applied to the target to which the voltage is not applied, causing secondary sputtering in which the particles and the like collide with the side walls and the like in the chamber. Would move without.
【００１８】従って、基板の温度上昇を防ぎ、同時に高
い付着速度を得て、低インピーダンスで、スパッタレー
トを高め、基板へのダメージの少ない、精度（ヒロッ
ク、ボイドのない、又は少ない）の良い膜を成膜するこ
とができるのである。Therefore, a film having a high precision (without or with no hillocks or voids), which prevents a rise in the temperature of the substrate, at the same time obtains a high deposition rate, has a low impedance, increases the sputter rate, and has little damage to the substrate. Can be formed.
【００１９】また、各ターゲットの電圧の周波数はオシ
レーターを介して同期させているために、位相等を合わ
せることなく簡易な構成でターゲットへ電圧を印加する
ことができる。Further, since the frequency of the voltage of each target is synchronized via the oscillator, the voltage can be applied to the target with a simple configuration without adjusting the phase or the like.
【００２０】[0020]
【実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図面に沿
って説明する。図１は、本発明のスパッタリング装置の
概略説明図を示し、図２はターゲットへの配線図を示
す。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic explanatory view of a sputtering apparatus of the present invention, and FIG. 2 is a wiring diagram to a target.
【００２１】この図のおいて、インラン型のスパッタリ
ング装置１１の真空チャンバ１２の両側面に複数のター
ゲット１が設置されている。このターゲット１は、第１
のターゲット１ａと、第１のターゲット１ａの外周に設
けられた第２のターゲット１ｂとからなる。In this figure, a plurality of targets 1 are installed on both sides of a vacuum chamber 12 of an in-run type sputtering apparatus 11. This target 1 is the first
And a second target 1b provided on the outer periphery of the first target 1a.
【００２２】第１のターゲット１ａに対向して、空間部
３を介して基板４を保持する基板ホルダー５が設けられ
ている。この基板ホルダー５は、真空チャンバ１２内を
直線移動すべく設けられている。A substrate holder 5 for holding a substrate 4 via a space 3 is provided facing the first target 1a. The substrate holder 5 is provided to move linearly in the vacuum chamber 12.
【００２３】また、第１のターゲット１ａの後方には、
ターゲット１ａ側の極をＳ極を中心にその外周にＮ極が
配置された磁石体２が設けられ、Ｎ極からＳ極への２つ
の磁場が形成されている。Further, behind the first target 1a,
A magnet body 2 having an N pole arranged on the outer periphery of the pole on the target 1a centering on the S pole is provided, and two magnetic fields from the N pole to the S pole are formed.
【００２４】さらに、第２のターゲット１ｂ側の極をＮ
極、Ｓ極の順に配置した第２の磁石体７が設けられてい
る。Further, the pole on the second target 1b side is set to N
A second magnet body 7 arranged in the order of a pole and an S pole is provided.
【００２５】第１のターゲット１ａと第２のターゲット
１ｂとをスパッタするスパッタ電源９には、各ターゲッ
ト１ａ，１ｂに対して所定の高周波電力を交互に印加す
るためのスイッチング回路９ａが設けられている。The sputtering power supply 9 for sputtering the first target 1a and the second target 1b is provided with a switching circuit 9a for alternately applying a predetermined high-frequency power to each of the targets 1a and 1b. I have.
【００２６】これにより、（交互に電力を印加する構成
は、図３に示すようにスイッチ１とスイッチ３をＯＮに
する場合と、スイッチ２とスイッチ４をＯＮにする場合
とを交互に繰り返すことにより行う）各ターゲット１
ａ，１ｂはフローティング状態（即ち、ターゲットのカ
ソードに対して基板ホルダー５が対向電極とならないよ
うにする構成。）となり、スパッタ粒子、プラズマ中の
イオン粒子は、粒子が電力の印加されたターゲットより
印加されていないターゲット側、即ち、第１のターゲッ
ト１ａから第２のターゲット１ｂへと移動、又は第２の
ターゲット１ｂから第１のターゲット１ａと移動するこ
ととなる。Thereby, (the configuration in which power is alternately applied is such that, as shown in FIG. 3, the case where the switches 1 and 3 are turned on and the case where the switches 2 and 4 are turned on are alternately repeated. By each target 1
a and 1b are in a floating state (that is, a configuration in which the substrate holder 5 does not serve as a counter electrode with respect to the cathode of the target). The target that is not applied, that is, moves from the first target 1a to the second target 1b, or moves from the second target 1b to the first target 1a.
【００２７】従って、粒子等がチャンバ内の側壁等に衝
突する二次スパッタを起こすことなく移動することがで
きる。Therefore, the particles and the like can be moved without causing secondary sputtering that collides with the side walls and the like in the chamber.
【００２８】ターゲット１のスパッタ電源９（電源の周
波数を１０ＫＨZ 〜３００ＫＨZ の交流とする。）の周
波数は、それぞれオシレーター１４を介して同期してい
る。このため、各ターゲット１は位相等の制御を必要と
することがなく、それぞれ独立したグロー放電が発生し
プラズマを形成することができる。The frequencies of the sputtering power supply 9 of the target 1 (the frequency of the power supply is an alternating current of 10 KHz to 300 KHz) are synchronized via the oscillator 14. For this reason, each target 1 does not need to control the phase and the like, and independent glow discharges are generated to form plasma.
【００２９】従って、連続して真空チャンバ１内に設置
することができ、スパッタ電源９回路の構成も簡易に構
成することができる。Accordingly, the sputtering power supply 9 can be continuously installed in the vacuum chamber 1, and the configuration of the sputter power supply 9 circuit can be simplified.
【００３０】そして、第１の磁石体２と第２の磁石体７
との磁場により、空間部３には図４に示すようなアンバ
ランスな磁場が形成され、放電によって発生するプラズ
マ中の電子をその磁場の中に閉じ込め、電離効率を上げ
てプラズマ密度を上げることができる。Then, the first magnet body 2 and the second magnet body 7
Due to the above magnetic field, an unbalanced magnetic field is formed in the space 3 as shown in FIG. 4, and the electrons in the plasma generated by the discharge are confined in the magnetic field to increase the ionization efficiency and increase the plasma density. Can be.
【００３１】これにより、空間部３でスパッタレートを
高くすることができ、且つ基板４への導入されたＡｒ等
のガスイオンのダメージを少なくすることができる。As a result, the sputtering rate in the space 3 can be increased, and the damage of gas ions such as Ar introduced into the substrate 4 can be reduced.
【００３２】前記第１のターゲット１ａの断面の横方向
の長さをｄに対して、第２のターゲット１ｂの断面の横
方向の長さを１／２〜１／４ｄと形成することは、第１
のターゲット１ａと基板４との間のスパッタ粒子の飛行
経路により決定される。Forming the horizontal length of the cross section of the first target 1a as d and the horizontal length of the cross section of the second target 1b as 1/2 to 1 / 4d, First
Is determined by the flight path of the sputtered particles between the target 1 a and the substrate 4.
【００３３】この際、さらに、第１のターゲット１ａの
放電面積と、第２のターゲット１ｂの放電面積との電
力、又は電流密度が等しいことが望ましい。At this time, it is desirable that the discharge area of the first target 1a and the discharge area of the second target 1b have the same power or current density.
【００３４】第１のターゲット１ａと第２のターゲット
１ｂとの隙間には、Ａｒ等のガスを各ターゲットの近傍
に導入すべく、ガス導入管１５が設けられている。A gas introduction pipe 15 is provided in a gap between the first target 1a and the second target 1b so as to introduce a gas such as Ar into the vicinity of each target.
【００３５】以上のように、本発明のスパッタリング装
置１１は構成されている。次に、上記インラン型のスパ
ッタリング装置１１を用いて、例えば、ＴＦＴ用のゲー
ト膜を成膜する場合について説明する。As described above, the sputtering apparatus 11 of the present invention is configured. Next, a case where a gate film for a TFT is formed using the in-run type sputtering apparatus 11 will be described.
【００３６】先ず、スパッタリング装置１１内の最初の
ターゲット１により、Ａｌ膜を基板４に成膜した後、Ａ
ｌ膜を所定の形状にエッチングする。First, an Al film is formed on the substrate 4 by the first target 1 in the sputtering apparatus 11, and then an Al film is formed.
1 film is etched into a predetermined shape.
【００３７】そして、次のターゲット１にＳｉを用い、
導入するガスをＡｒ、Ｎ2 にすることにより、ＡＩ膜の
上方にＳｉＮ膜を成膜し、その後、次のターゲット１に
ガスＡｒ、Ｈ2 を導入することによりＳｉＮ膜の上方に
α−Ｓｉ：Ｈ膜を成膜し、次のターゲット１にガスをＡ
ｒ、Ｎ2 にすることにより、α−Ｓｉ：Ｈ膜の上方にＳ
ｉＮ膜を成膜し、さらに次のターゲット１にガスをＡ
ｒ、Ｏ2 を導入することにより、ＳｉＯ2 膜を成膜する
ことで、ゲート絶縁膜を連続して成膜することが可能と
なる。Then, using Si for the next target 1,
A gas to be introduced is Ar and N 2 to form a SiN film above the AI film, and then a gas Ar and H 2 is introduced to the next target 1 to form α-Si above the SiN film. : An H film is formed and gas is supplied to the next target 1
By forming r and N 2 , S is formed above the α-Si: H film.
An iN film is formed, and gas is supplied to the next target 1 by A
By introducing r and O 2 to form a SiO 2 film, a gate insulating film can be formed continuously.
【００３８】その後、次のターゲット１を用いてＡｌ膜
を上記膜上に成膜し、さらにエッチングすることにより
ドレイン、ソース電極を形成することで、ＴＦＴ用のゲ
ート膜が構築されることとなる。Thereafter, an Al film is formed on the above film using the next target 1, and the drain and source electrodes are formed by etching, thereby forming a gate film for TFT. .
【００３９】この際、各ターゲット１…のスパッタ電源
９（電源の周波数を１０ＫＨZ 〜３００ＫＨZ の交流と
する。）の周波数は、それぞれオシレーター１４を介し
て同期している。At this time, the frequencies of the sputtering power sources 9 (the frequency of the power source is an alternating current of 10 KHz to 300 KHz) of the respective targets 1... Are synchronized via the oscillators 14.
【００４０】このため、各ターゲット１は、位相等の制
御を必要とすることがないので、連続して設置すること
ができ、装置の簡易化を図ることが可能となる。よっ
て、上記のようなＴＦＴ用のゲート膜を容易に成膜する
ことが可能となるのである。For this reason, since each target 1 does not need to control the phase and the like, it can be installed continuously, and the apparatus can be simplified. Therefore, it is possible to easily form the gate film for the TFT as described above.
【００４１】[0041]
【発明の効果】叙上のように、本発明によるスパッタリ
ング装置の制御方法によれば、スイッチング回路を介し
て２つのターゲットへ交互に電力を印加して、スパッタ
粒子等をターゲット間で移動し、各ターゲット間に独立
のグロー放電によるプラズマを形成することができ、ま
た、真空チャンバ内の各ターゲットのスパッタ電源の周
波数は、それぞれオシレーターを介して同期させること
により、連続したターゲットを簡易な構成で設けること
が可能となり、連続した基板への成膜を可能ならしめる
ことが出来るという顕著な効果を得るに至った。As described above, according to the method for controlling a sputtering apparatus according to the present invention, power is alternately applied to two targets via a switching circuit to move sputter particles and the like between the targets, Plasma can be formed by an independent glow discharge between each target, and the frequency of the sputter power supply of each target in the vacuum chamber is synchronized with each other via an oscillator, so that a continuous target can be formed with a simple configuration. Thus, a remarkable effect that a film can be continuously formed on a substrate can be obtained.
【００４２】[0042]
【図１】は、本発明のスパッタリング装置の一実施例を
示す概略構成図。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing one embodiment of a sputtering apparatus of the present invention.
【図２】は、本発明のターゲットへのスイッチング回路
を示す回路図。FIG. 2 is a circuit diagram showing a switching circuit for a target according to the present invention.
【図３】は、ターゲットへのスイッチの切替え状態を示
す説明図。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a switching state of a switch to a target.
【図４】は、ターゲットを示す概略断面図。FIG. 4 is a schematic sectional view showing a target.
【図５】（イ）、（ロ）は従来例を示す概略構成図。FIGS. 5A and 5B are schematic diagrams showing a conventional example.
１，…ターゲット 1, ... Target
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 DC16 EA09 KA00 4M104 BB02 CC05 DD39 EE17 GG08 HH20 5F103 AA08 BB60 DD16 DD27 DD28 GG03 HH04 LL13 PP18 RR03 RR04 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4K029 DC16 EA09 KA00 4M104 BB02 CC05 DD39 EE17 GG08 HH20 5F103 AA08 BB60 DD16 DD27 DD28 GG03 HH04 LL13 PP18 RR03 RR04
Claims (1)
ゲットと、ターゲットに連結された電源回路とからなる
スパッタリング装置の制御方法において、各ターゲット
が主ターゲットと、主ターゲットの近傍、又は外周に配
置された従ターゲットとからなり、且つターゲットへの
電源回路には、主ターゲットと従ターゲットとに交互に
電圧を印加すべくスイッチング回路が設けられ、しかも
各ターゲットの電圧の周波数をオシレーターを介して同
期させることを特徴とするスパッタリング装置の制御方
法。1. A method for controlling a sputtering apparatus comprising a plurality of targets provided in a vacuum chamber and a power supply circuit connected to the targets, wherein each target is disposed on a main target and near or on the outer periphery of the main target. In the power supply circuit to the target, a switching circuit is provided for alternately applying a voltage to the main target and the slave target, and the voltage frequency of each target is synchronized via an oscillator. A method for controlling a sputtering apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000200566A JP2002012969A (en) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | Method for controlling sputtering apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000200566A JP2002012969A (en) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | Method for controlling sputtering apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002012969A true JP2002012969A (en) | 2002-01-15 |
Family
ID=18698423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000200566A Pending JP2002012969A (en) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | Method for controlling sputtering apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002012969A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007080905A1 (en) * | 2006-01-11 | 2007-07-19 | Ulvac, Inc. | Sputtering method and sputtering system |
| JP2009124100A (en) * | 2007-10-25 | 2009-06-04 | Showa Denko Kk | Apparatus for manufacturing group-iii nitride semiconductor layer, method of manufacturing group-iii nitride semiconductor layer, method of manufacturing group-iii nitride semiconductor light-emitting device, group-iii nitride semiconductor light-emitting device, and lamp |
| KR101100366B1 (en) | 2009-04-24 | 2011-12-30 | 주식회사 코리아 인스트루먼트 | Magnetron Sputtering Apparatus for Thick Layer |
| KR101192782B1 (en) * | 2005-08-29 | 2012-10-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | Equipment for fabricating alloy film and method for fabricating alloy film by using the same |
| JP2014159614A (en) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Ulvac Japan Ltd | Sputtering apparatus and sputtering method |
| DE112005001299B4 (en) * | 2004-06-07 | 2016-09-29 | Ulvac, Inc. | Magnetron sputtering method and magnetron sputtering apparatus |
-
2000
- 2000-07-03 JP JP2000200566A patent/JP2002012969A/en active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112005001299B4 (en) * | 2004-06-07 | 2016-09-29 | Ulvac, Inc. | Magnetron sputtering method and magnetron sputtering apparatus |
| KR101192782B1 (en) * | 2005-08-29 | 2012-10-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | Equipment for fabricating alloy film and method for fabricating alloy film by using the same |
| WO2007080905A1 (en) * | 2006-01-11 | 2007-07-19 | Ulvac, Inc. | Sputtering method and sputtering system |
| JP2007186725A (en) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Ulvac Japan Ltd | Sputtering method and sputtering apparatus |
| KR101028050B1 (en) | 2006-01-11 | 2011-04-08 | 가부시키가이샤 알박 | Sputtering method and sputtering system |
| JP2009124100A (en) * | 2007-10-25 | 2009-06-04 | Showa Denko Kk | Apparatus for manufacturing group-iii nitride semiconductor layer, method of manufacturing group-iii nitride semiconductor layer, method of manufacturing group-iii nitride semiconductor light-emitting device, group-iii nitride semiconductor light-emitting device, and lamp |
| KR101100366B1 (en) | 2009-04-24 | 2011-12-30 | 주식회사 코리아 인스트루먼트 | Magnetron Sputtering Apparatus for Thick Layer |
| JP2014159614A (en) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Ulvac Japan Ltd | Sputtering apparatus and sputtering method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6238528B1 (en) | Plasma density modulator for improved plasma density uniformity and thickness uniformity in an ionized metal plasma source | |
| KR101993880B1 (en) | Plasma-treatment apparatus | |
| US6368469B1 (en) | Coils for generating a plasma and for sputtering | |
| US6042700A (en) | Adjustment of deposition uniformity in an inductively coupled plasma source | |
| US3763031A (en) | Rf sputtering apparatus | |
| US4950956A (en) | Plasma processing apparatus | |
| JPH07188917A (en) | Collimation device | |
| KR100552641B1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JP2008147659A (en) | Method and system for controlling uniformity in ballistic electron beam accelerating plasma processing system | |
| US6231725B1 (en) | Apparatus for sputtering material onto a workpiece with the aid of a plasma | |
| US6167835B1 (en) | Two chamber plasma processing apparatus | |
| US20060070875A1 (en) | Coils for generating a plasma and for sputtering | |
| JP3269834B2 (en) | Sputtering apparatus and sputtering method | |
| US6235169B1 (en) | Modulated power for ionized metal plasma deposition | |
| JP2002012969A (en) | Method for controlling sputtering apparatus | |
| US6248220B1 (en) | Radio frequency sputtering apparatus and film formation method using same | |
| JP4408987B2 (en) | Plasma processing equipment for sputter processing | |
| JP2001015495A (en) | Device and method for plasma treatment | |
| JP2001348662A (en) | Method and apparatus for depositing film | |
| KR102340365B1 (en) | An antenna structure for a high density linear ICP source | |
| JP2761875B2 (en) | Deposition film forming equipment by bias sputtering method | |
| JP4171590B2 (en) | Etching method | |
| JPH03162583A (en) | Vacuum process device | |
| JP2005175503A (en) | Plasma processing device and plasma processing method | |
| JPH01240645A (en) | Vacuum deposition apparatus |