JP2019536259A - バイオセンサー - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2016年11月23日に出願された大韓民国特許出願第10−2016−0156375号に基づく優先権の利益を主張し、該当大韓民国特許出願の文献に開示されたすべての内容は本明細書の一部として組み込まれる。
本発明は、バイオセンサーに関する。
基板;
基板上に設けられたゲート電極;
ゲート電極上に設けられた絶縁層;
絶縁層上に設けられたn−typeチャンネル;
n−typeチャンネル上にソース電極及びドレイン電極をそれぞれ形成する第1電極層;
第1電極層を取り囲むように設けられた第2電極層;
基板上に位置し、第1電極層と同一の材質で形成された第3電極層;
第3電極層を取り囲むように設けられ、第2電極層と同一の材質で形成され、基準電極を提供する第4電極層;及び
第1電極層のソース電極とドレイン電極との間に露出したn−typeチャンネルと基準電極の一部領域を共に取り囲む内周面を有し、n−typeチャンネルと内周面との間の空間及び基準電極と内周面との間の空間に流体が進入可能に設けられた流体チャンネルを形成するカバー部材を含む、バイオセンサー。
[項目2]
第1電極層と第2電極層は、互いに異なる材質で形成される、項目1に記載のバイオセンサー。
[項目3]
第2電極層は、金(Au)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、銀(Au)、及びルテニウム(Ru)からなるグループより選択された一つ以上で形成される、項目2に記載のバイオセンサー。
[項目4]
n−typeチャンネルは、IGZO、ZnO、ZTO、IZO、IHZO、AIN、InN、GaN及びInGaNで構成される群より選択されるいずれか一つのn−type物質からなる、項目1から3のいずれか一項に記載のバイオセンサー。
[項目5]
第1電極層であるソース電極及びドレイン電極は、流体チャンネルの外部に位置する、項目1から4のいずれか一項に記載のバイオセンサー。
[項目6]
ゲート電極及び絶縁層は、基板と第3電極層との間に順に位置する、項目1から4のいずれか一項に記載のバイオセンサー。
[項目7]
n−typeチャンネルは、絶縁層と第3電極層との間に位置する、項目6に記載のバイオセンサー。
[項目8]
基板;
基板上に第1方向に沿って長く延びるゲート電極;
ゲート電極上に設けられた絶縁層;
絶縁層上に設けられたn−typeチャンネル;
n−typeチャンネル上に第1方向とは異なる第2方向に沿って離れて設けられた第1ソース電極及び第1ドレイン電極と、第1ソース電極及び第1ドレイン電極と第1方向に沿って離れて位置し、n−typeチャンネル上に第2方向に沿って所定間隔で離れて設けられた第2ソース電極及び第2ドレイン電極と、をそれぞれ形成する第1電極層;
第1電極層を取り囲む第2電極層;
基板上に位置し、第1電極層と同一の材質で形成された第3電極層;
第1ソース電極及び第1ドレイン電極と第1方向に沿って離れて位置し、第2電極層と同一の材質で第3電極層を取り囲むように形成される第1基準電極と、第2ソース電極及び第2ドレイン電極と第1方向に沿って離れて位置し、第2電極層と同一の材質で第3電極層を取り囲むように形成される第2基準電極と、をそれぞれ提供する第4電極層;及び
第1ソース電極と第1ドレイン電極との間に露出したn−typeチャンネルと、第2ソース電極と第2ドレイン電極との間に露出したn−typeチャンネル及び第1及び第2基準電極のそれぞれの一部領域を共に取り囲む内周面を有し、露出したn−typeチャンネルと内周面との間の空間と、第1及び第2基準電極と内周面との間の空間に流体が進入可能に設けられた流体チャンネルを形成するカバー部材を含む、バイオセンサー。
[項目9]
第1ソース電極と第1ドレイン電極及び第1基準電極は、第1感知部を構成するように設けられ、
第2ソース電極と第2ドレイン電極及び第2基準電極は、第2感知部を構成するように設けられる、項目8に記載のバイオセンサー。
[項目10]
第1感知部と第2感知部は、独立的に駆動可能である、項目9に記載のバイオセンサー。
[項目11]
第1電極層と第2電極層は、互いに異なる材質で形成される、項目8から10のいずれか一項に記載のバイオセンサー。
[項目12]
第2電極層は、金(Au)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、銀(Au)及びルテニウム(Ru)からなるグループより選択された一つ以上で形成される、項目11に記載のバイオセンサー。
[項目13]
第1電極層である第1及び第2ソース電極と第1及び第2ドレイン電極は、それぞれ流体チャンネルの外部に位置する、項目8から12のいずれか一項に記載のバイオセンサー。
Claims (13)
- 基板;
基板上に設けられたゲート電極;
ゲート電極上に設けられた絶縁層;
絶縁層上に設けられたn−typeチャンネル;
n−typeチャンネル上にソース電極及びドレイン電極をそれぞれ形成する第1電極層;
第1電極層を取り囲むように設けられた第2電極層;
基板上に位置し、第1電極層と同一の材質で形成された第3電極層;
第3電極層を取り囲むように設けられ、第2電極層と同一の材質で形成され、基準電極を提供する第4電極層;及び
第1電極層のソース電極とドレイン電極との間に露出したn−typeチャンネルと基準電極の一部領域を共に取り囲む内周面を有し、n−typeチャンネルと内周面との間の空間及び基準電極と内周面との間の空間に流体が進入可能に設けられた流体チャンネルを形成するカバー部材を含む、バイオセンサー。 - 第1電極層と第2電極層は、互いに異なる材質で形成される、請求項1に記載のバイオセンサー。
- 第2電極層は、金(Au)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、銀(Au)、及びルテニウム(Ru)からなるグループより選択された一つ以上で形成される、請求項2に記載のバイオセンサー。
- 前記n−typeチャンネルは、IGZO、ZnO、ZTO、IZO、IHZO、AIN、InN、GaN及びInGaNで構成される群より選択されるいずれか一つのn−type物質からなる、請求項1から3のいずれか一項に記載のバイオセンサー。
- 第1電極層であるソース電極及びドレイン電極は、流体チャンネルの外部に位置する、請求項1から4のいずれか一項に記載のバイオセンサー。
- ゲート電極及び絶縁層は、基板と第3電極層との間に順に位置する、請求項1から4のいずれか一項に記載のバイオセンサー。
- n−typeチャンネルは、絶縁層と第3電極層との間に位置する、請求項6に記載のバイオセンサー。
- 基板;
基板上に第1方向に沿って長く延びるゲート電極;
ゲート電極上に設けられた絶縁層;
絶縁層上に設けられたn−typeチャンネル;
n−typeチャンネル上に第1方向とは異なる第2方向に沿って離れて設けられた第1ソース電極及び第1ドレイン電極と、第1ソース電極及び第1ドレイン電極と第1方向に沿って離れて位置し、n−typeチャンネル上に第2方向に沿って所定間隔で離れて設けられた第2ソース電極及び第2ドレイン電極と、をそれぞれ形成する第1電極層;
第1電極層を取り囲む第2電極層;
基板上に位置し、第1電極層と同一の材質で形成された第3電極層;
第1ソース電極及び第1ドレイン電極と第1方向に沿って離れて位置し、第2電極層と同一の材質で第3電極層を取り囲むように形成される第1基準電極と、第2ソース電極及び第2ドレイン電極と第1方向に沿って離れて位置し、第2電極層と同一の材質で第3電極層を取り囲むように形成される第2基準電極と、をそれぞれ提供する第4電極層;及び
第1ソース電極と第1ドレイン電極との間に露出したn−typeチャンネルと、第2ソース電極と第2ドレイン電極との間に露出したn−typeチャンネル及び第1及び第2基準電極のそれぞれの一部領域を共に取り囲む内周面を有し、露出したn−typeチャンネルと前記内周面との間の空間と、第1及び第2基準電極と前記内周面との間の空間に流体が進入可能に設けられた流体チャンネルを形成するカバー部材を含む、バイオセンサー。 - 第1ソース電極と第1ドレイン電極及び第1基準電極は、第1感知部を構成するように設けられ、
第2ソース電極と第2ドレイン電極及び第2基準電極は、第2感知部を構成するように設けられる、請求項8に記載のバイオセンサー。 - 第1感知部と第2感知部は、独立的に駆動可能である、請求項9に記載のバイオセンサー。
- 第1電極層と第2電極層は、互いに異なる材質で形成される、請求項8から10のいずれか一項に記載のバイオセンサー。
- 第2電極層は、金(Au)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、銀(Au)及びルテニウム(Ru)からなるグループより選択された一つ以上で形成される、請求項11に記載のバイオセンサー。
- 第1電極層である第1及び第2ソース電極と第1及び第2ドレイン電極は、それぞれ流体チャンネルの外部に位置する、請求項8から12のいずれか一項に記載のバイオセンサー。
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