JP2019522206A - ブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ及びその使用方法 - Google Patents

ブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ及びその使用方法 Download PDF

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Abstract

ブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ、及び上記ブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサの使用方法を本明細書に記載する。一例では、上記ブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサは特に、配備済みのファイバ(例えば4コアファイバ)に沿った温度分布(ΔT)、曲げ角度β、及び曲げ半径Rを測定するよう構成される。

Description

優先権
本出願は、米国特許法第119条の下で、2016年7月19日出願の米国仮特許出願第62/364,012号の優先権の利益を主張するものであり、上記仮特許出願の内容は信頼できるものであり、参照によりその全体が本出願に援用される。
本開示は、ブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ、並びに配備済みのファイバ(例えば4コアファイバ)に沿った温度分布(ΔT)、曲げ角度β、及び曲げ半径Rを測定するための、上記ブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサの使用方法に関する。
極めて長い距離にわたって歪み及び温度を測定するファイバ光学センサは、例えば構造ヘルスモニタリング(structural health monitoring:SHM)、地盤工学(例えば壊滅的な地滑りの監視)、電力線監視、パイプライン監視、石油掘削監視、橋梁監視、ダム監視、及び国境警備監視といった多数の用途での使用のためにますます採用されている。改良されたファイバ光学センサ、並びに歪み及び温度を測定するための上記改良されたファイバ光学センサの使用方法が、本開示の主題である。
ブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ、及び上記ブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサの使用方法は、本開示の独立請求項に記載される。上記ブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ、及び上記ブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサの上記使用方法の有利な実施形態は、従属請求項に記載される。
ある態様では、本開示はブリルアンベース分布型ファイバセンサを提供する。上記ブリルアンベース分布型ファイバセンサは、第1のコア、第2のコア、第3のコア及び第4のコアを有するファイバを備え、上記第1のコア、上記第2のコア及び上記第3のコアは、上記ファイバ内の円形経路に沿った3つの異なる位置にあり、上記円形経路は、上記ファイバの中心に対する半径(r)を有し、上記第4のコアは上記ファイバの上記中心にある。上記ブリルアンベース分布型ファイバセンサは更に、上記第1のコア、上記第2のコア、上記第3のコア及び上記第4のコアに連結されたブリルアン後方散乱感知機構を備える。上記ブリルアンベース分布型ファイバセンサは:(a)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに、上記ブリルアン後方散乱感知機構から、上記第1のコアに沿った第1のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値(νB1)、上記第2のコアに沿った第2のBFSベースライン測定値(νB2)、上記第3のコアに沿った第3のBFSベースライン測定値(νB3)、及び上記第4のコアに沿った第4のBFSベースライン測定値(νB4)を取得し;(b)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに、上記ブリルアン後方散乱感知機構から、上記第1のコアに沿った第1のBFS曲げ測定値(ν’B1)、上記第2のコアに沿った第2のBFS曲げ測定値(ν’B2)、上記第3のコアに沿った第3のBFS曲げ測定値(ν’B3)、及び上記第4のコアに沿った第4のBFS曲げ測定値(ν’B4)を取得し;(c)上記第1、第2、第3及び第4のコアそれぞれに沿った第1、第2、第3及び第4のBFS分布(ΔνB1、ΔνB2、ΔνB3、ΔνB4)を算出し;(d)配備済みの上記ファイバに沿った温度分布(ΔT)を算出し;(e)上記第1、第2及び第3のコアそれぞれに沿った第1、第2及び第3の曲げ誘発型歪み分布(Δε、Δε、Δε)を算出し;(f)上記配備済みのファイバに沿った曲げ角度βを算出し;(g)上記配備済みのファイバに沿った曲げ半径Rを算出するよう構成された、処理システムを備えることができる。
別の態様では、本開示はブリルアンベース分布型ファイバセンサの使用方法を提供し、上記ブリルアンベース分布型ファイバセンサは:第1のコア、第2のコア、第3のコア及び第4のコアを有するファイバであって、上記第1のコア、上記第2のコア及び上記第3のコアは、上記ファイバ内の円形経路に沿った3つの異なる位置にあり、上記円形経路は、上記ファイバの中心に対する半径(r)を有し、上記第4のコアは上記ファイバの上記中心にある、ファイバ;並びに上記第1のコア、上記第2のコア、上記第3のコア及び上記第4のコアに連結されたブリルアン後方散乱感知機構を備える。上記方法は:(a)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに、上記ブリルアン後方散乱感知機構から、上記第1のコアに沿った第1のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値(νB1)、上記第2のコアに沿った第2のBFSベースライン測定値(νB2)、上記第3のコアに沿った第3のBFSベースライン測定値(νB3)、及び上記第4のコアに沿った第4のBFSベースライン測定値(νB4)を取得するステップ;(b)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに、上記ブリルアン後方散乱感知機構から、上記第1のコアに沿った第1のBFS曲げ測定値(ν’B1)、上記第2のコアに沿った第2のBFS曲げ測定値(ν’B2)、上記第3のコアに沿った第3のBFS曲げ測定値(ν’B3)、及び上記第4のコアに沿った第4のBFS曲げ測定値(ν’B4)を取得するステップ;(c)上記第1、第2、第3及び第4のコアそれぞれに沿った第1、第2、第3及び第4のBFS分布(ΔνB1、ΔνB2、ΔνB3、ΔνB4)を算出するステップ;(d)配備済みの上記ファイバに沿った温度分布(ΔT)を算出するステップ;(e)上記第1、第2及び第3のコアそれぞれに沿った第1、第2及び第3の曲げ誘発型歪み分布(Δε、Δε、Δε)を算出するステップ;(f)上記配備済みのファイバに沿った曲げ角度βを算出するステップ;並びに(g)上記配備済みのファイバに沿った曲げ半径Rを算出するステップを含む。
本開示の更なる態様は、その一部が以下の「発明を実施するための形態」、図面及びいずれの請求項に記載され、またその一部が、以下の「発明を実施するための形態」から導出されるか、又は本開示の実施によって習得できる。上述の「発明の概要」及び以下の「発明を実施するための形態」はいずれも例示及び説明のみを目的としたものであり、本開示をここで開示されているように限定するものではないことを理解されたい。
本開示のより完全な理解は、以下の「発明を実施するための形態」を、添付の図面と共に参照することによって得ることができる。
本開示のある実施形態によるブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサの基本的な構成部品を示す図 本開示のある実施形態による、ブリルアン光時間領域反射測定法(BOTDR)に基づくブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ 本開示のある実施形態による、ブリルアン光時間領域解析法(BOTDA)に基づくブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100 本開示のある実施形態による、ある例示的なBOTDRブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサの構成部品を示す図 本開示のある実施形態による、別の例示的なBOTDRブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサの構成部品を示す図 図3Aの続きを示す図 本開示のある実施形態による、ある例示的なBOTDAブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサの構成部品を示す図 本開示のある実施形態による、別の例示的なBOTDAブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサの構成部品を示す図 本開示のある実施形態による、ブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサに関連付けられた4コアシングルモード光ファイバの断面図 本開示のある実施形態による、ブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサに関連付けられた屈曲4コアファイバのジオメトリを示す図 本開示のある実施形態による、ブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサに関連付けられた屈曲4コアファイバのジオメトリを示す別の図 本開示のある実施形態による、ブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサに関連付けられた屈曲4コアファイバの断面図を示す図 本開示のある実施形態による、ブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサのある例示的な使用方法の複数のステップを示すフローチャート
図1Aを参照すると、本開示のある実施形態によるブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100の基本的な構成部品を示す図が示されている。ブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100は、ファイバ102、ブリルアン後方散乱感知機構114、及び処理システム116を含む。ある例では、ファイバ102は、クラッド半径rを有する円形であり、第1のコア104(コア1)、第2のコア106(コア2)、第3のコア108(コア3)及び第4のコア110(コア4)を含む(拡大図を参照)。第1のコア104、第2のコア106及び第3のコア108は、ファイバ102の中心に対する半径rを有する円形経路112に沿った、3つの異なる位置にある。第4のコア110はファイバ102の上記中心にある。図1Bに示す例では、ブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100はブリルアン光時間領域反射測定法(BOTDR)に基づくものであり、ここではブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100は、ファンアウトデバイス208を介してファイバ102の第1のコア104、第2のコア106、第3のコア108及び第4のコア110にそれぞれ連結されたチャネル1、チャネル2、チャネル3及びチャネル4を有する、BOTDRブリルアン後方散乱感知機構114’を有する(例えば図2、3A及び3Bも参照)。図1Cに示す別の例では、ブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100はブリルアン光時間領域解析法(BOTDA)に基づくものであり、ここではブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100は、第1のファンアウトデバイス410を介してファイバ102の第1のコア104及び第2のコア106(チャネル1)並びに第3のコア108及び第4のコア110(チャネル2)にそれぞれ連結されたチャネル1及びチャネル2を有する、BOTDAブリルアン後方散乱感知機構114’’を有する。更に、BOTDAブリルアン後方散乱感知機構114’’を有するブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100は、第1のコア104と第2のコア106、及び第3のコア108と第4のコア110を、ファイバ102の端部において連結する、第2のファンアウトデバイス414を有する(例えば図4〜5も参照)。
本開示に関連する様々なBOTDR及びBOTDAベースのブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100を詳細に説明する前に、1つのコア(1つのチャネル)のみを有する従来のブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサの基本動作原理を説明するために、簡潔な議論をまず提供する。
分布型ブリルアンセンサの原理
単一のコア(1つのチャネル)を有する従来の分布型ブリルアンセンサは、ブリルアン散乱に基づくものであり、これは音響フォノンによる非弾性散乱光であり、上記光は、ファイバとの衝突中に周波数シフト(ブリルアン周波数シフトとして公知)を受ける。このブリルアン周波数シフト(BFS)は光が後方散乱するときに最大となり:
Figure 2019522206
で表され、nは屈折率であり、Vは音の速度であり、λは光の波長である。ブリルアン周波数シフト(BFS)は、ファイバに印加される歪み及び温度と共に線形に増大することが分かっている。従ってBFS(Δν)の変化は、歪み変動(Δε)及び温度変動(ΔT)に依存する。BFS(Δν)は:
Figure 2019522206
として記述でき、Kε及びKはそれぞれ、BFSの歪み及び温度係数である。よってファイバ内の温度及び歪みの変化は、BFSの変化の分析によって測定できる。しかしながら、ブリルアン周波数シフトは温度及び歪み両方の関数であるため、多くの分布型ブリルアンファイバセンサに共通する問題は、ファイバに発生する歪みの変化と温度の変化とを区別できないことである。この問題は、本開示に関連付けられたブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100によって解決される。
一般的な観点から、分布型ブリルアンファイバセンサは、以下の主要な2種類のうちの1つとして分類できる:(1)自発的なブリルアン散乱を利用するブリルアン光時間領域反射測定法(BOTDR);及び(2)誘導ブリルアン散乱に基づくブリルアン光時間領域解析法(BOTDA)。
BOTDRでは、パルス光波(ポンプ)のみが光ファイバに入射し、フォノン生成に対するいずれの追加の刺激も存在せず、ポンプ波の出力は誘導ブリルアン散乱閾値より低い。光ファイバに沿った分布型νである分布型歪みを得るために、BOTDRは、OTDR技法を利用して、光ファイバに沿ったブリルアン後方散乱スペクトルの分布を観察する。簡潔に述べると、OTDR技法は以下のようなものである:一連の光パルスを試験下のファイバの一方の端部に注入し、ファイバに沿った複数の点から散乱又は反射されて戻る光を、ファイバの同一の端部から抽出する。ある特定の位置における散乱又は反射光は、損失、温度といった、測定するべき情報を含む。異なる複数の時点において散乱した光を測定することにより、ファイバに沿って測定するべき情報を得ることができる。
BOTDAはブリルアン利得(又は損失)分光法を使用し、パルス光波(ポンプ)と、通常は連続波である逆伝播光(プローブ)との両方が、光ファイバに注入される。パルス光と連続光との間の周波数の差異をファイバのブリルアン周波数νへと調整すると、連続光は、誘導ブリルアン散乱プロセスによって増幅される。即ちOTDR技法を用いた場合と同様に、増大した連続光が時間の関数として測定される。
新規のブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100
複数の新規のブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100が、図1A〜1Cに概略図で示されている。これらのブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100では、曲げ及び温度の同時測定を可能とするための感知媒体として、4コア光ファイバ102が使用される。各ファイバコア104、106、108及び110は、ブリルアンセンサ100の動作波長においてシングルモードであり、独立した感知媒体として動作する。
図1Bを再び参照すると、従来のBOTDRブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサが、単一コアファイバに対応する1つのチャネルしか有しないのに対して、BOTDRブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100は、ファイバ102のコア1、2、3及び4に対応する4つの感知用チャネル1、2、3及び4を有する。BOTDRブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100はBOTDRに基づくものであり、ここでは、ポンプパルスがファンアウトデバイス208を通して4コアファイバ102の各コア1、2、3及び4(又はチャネル1、2、3及び4)に入射し、異なる複数の位置の温度及び歪み情報を含む各コア1、2、3及び4のブリルアン後方散乱光が、ファンアウトデバイス208によって収集され、処理システム116によって分析される。より具体的には、コア1、2及び3の曲げ誘発型歪みはチャネル1、2及び3によって測定され、ファイバ温度は、チャネル4によって監視されるコア4によって測定される。各コア1、2、3及び4(又はチャネル1、2、3及び4)に関するポンプパルスの波長は、同一であっても異なっていてもよい。しかしながら、コア4(チャネル4)とコア1、2及び3(チャネル1、2及び3)との間のクロストークを最小化するために、コア4(チャネル4)のポンプパルスの波長は、他のコア1、2及び3(又はチャネル1、2及び3)の波長とは異なるものとすることができる。2つの例示的なBOTDRブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100a及び100bについて、図2、3A及び3Bを参照して以下に詳細に説明する。
図2を参照すると、本開示のある実施形態による、BOTDRブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100aの構成部品を示す図が示されている。BOTDRブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100aは、ファイバ102、BOTDRブリルアン後方散乱感知機構114a、処理システム116、及びファンアウトデバイス208を含む。図示されているように、BOTDRブリルアン後方散乱感知機構114aは、第1のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構200、第2のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構200、第3のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構200、及び第4のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構200を備え、これらはそれぞれ、ファンアウトデバイス208を介して、ファイバ102の第1のコア104、第2のコア106、第3のコア108及び第4のコア110に接続される。
第1のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構200は、周波数νのポンプパルス204を、第1の光サーキュレータ206及びファンアウトデバイス208を通して第1のコア104に入射させる、第1のポンプレーザ202を備える。第1の光サーキュレータ206から出力された、周波数ν−νB1の、第1のコア104からのブリルアン後方散乱光210は、第1の光結合器212によって、第1の局部発振器216(例えば、レーザ216)が生成した固定周波数ν1L≒ν−νB1の連続波光214と混合される。第1の光結合器212からの混合光信号218は、第1の光コヒーレントレシーバ220によって検出される。その後、第1の光コヒーレントレシーバ220からの電気出力222が第1の電気信号プロセッサ224によって分析され、これは:(i)ファイバ102の配備前の、ファイバ102に曲げが印加されていないときに得られる、第1のBFSベースライン測定値νB1(図10のステップ1002を参照);又は(ii)ファイバ102の配備後の、ファイバ102に曲げが印加されているときに得られる、第1のBFS曲げ測定値ν’B1(図10のステップ1004を参照)を出力する。
第2のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構200は、周波数νのポンプパルス204を、第2の光サーキュレータ206及びファンアウトデバイス208を通して第2のコア106に入射させる、第2のポンプレーザ202を備える。第2の光サーキュレータ206から出力された、周波数ν−νB2の、第2のコア106からのブリルアン後方散乱光210は、第2の光結合器212によって、第2の局部発振器216(例えば、レーザ216)が生成した固定周波数ν2L≒ν−νB2の連続波光214と混合される。第2の光結合器212からの混合光信号218は、第2の光コヒーレントレシーバ220によって検出される。その後、第2の光コヒーレントレシーバ220からの電気出力222が第2の電気信号プロセッサ224によって分析され、これは:(i)ファイバ102の配備前の、ファイバ102に曲げが印加されていないときに得られる、第2のBFSベースライン測定値νB2(図10のステップ1002を参照);又は(ii)ファイバ102の配備後の、ファイバ102に曲げが印加されているときに得られる、第2のBFS曲げ測定値ν’B2(図10のステップ1004を参照)を出力する。
第3のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構200は、周波数νのポンプパルス204を、第3の光サーキュレータ206及びファンアウトデバイス208を通して第3のコア108に入射させる、第3のポンプレーザ202を備える。第3の光サーキュレータ206から出力された、周波数ν−νB3の、第3のコア108からのブリルアン後方散乱光210は、第3の光結合器212によって、第3の局部発振器216(例えば、レーザ216)が生成した固定周波数ν3L≒ν−νB3の連続波光214と混合される。第3の光結合器212からの混合光信号218は、第3の光コヒーレントレシーバ220によって検出される。その後、第3の光コヒーレントレシーバ220からの電気出力222が第3の電気信号プロセッサ224によって分析され、これは:(i)ファイバ102の配備前の、ファイバ102に曲げが印加されていないときに得られる、第3のBFSベースライン測定値νB3(図10のステップ1002を参照);又は(ii)ファイバ102の配備後の、ファイバ102に曲げが印加されているときに得られる、第3のBFS曲げ測定値ν’B3(図10のステップ1004を参照)を出力する。
第4のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構200は、周波数νのポンプパルス204を、第4の光サーキュレータ206及びファンアウトデバイス208を通して第4のコア110に入射させる、第4のポンプレーザ202を備える。第4の光サーキュレータ206から出力された、周波数ν−νB4の、第4のコア110からのブリルアン後方散乱光210は、第4の光結合器212によって、第4の局部発振器216(例えば、レーザ216)が生成した固定周波数ν4L≒ν−νB4の連続波光214と混合される。第4の光結合器212からの混合光信号218は、第4の光コヒーレントレシーバ220によって検出される。その後、第4の光コヒーレントレシーバ220からの電気出力222が第4の電気信号プロセッサ224によって分析され、これは:(i)ファイバ102の配備前の、ファイバ102に曲げが印加されていないときに得られる、第4のBFSベースライン測定値νB4(図10のステップ1002を参照);又は(ii)ファイバ102の配備後の、ファイバ102に曲げが印加されているときに得られる、第4のBFS曲げ測定値ν’B4(図10のステップ1004を参照)を出力する。
図3A〜3Bを参照すると、本開示のある実施形態による、BOTDRブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100bの構成部品を示す図が示されている。BOTDRブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100bは、ファイバ102、BOTDRブリルアン後方散乱感知機構114b、処理システム116、及びファンアウトデバイス208を含む。図示されているように、BOTDRブリルアン後方散乱感知機構114bは、第1のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構300、第2のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構300、第3のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構300、及び第4のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構300を備え、これらはそれぞれ、ファンアウトデバイス208を介して、ファイバ102の第1のコア104、第2のコア106、第3のコア108及び第4のコア110に接続される。
第1のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構300は、周波数ν1Lの連続波光304を、この連続波光304を2つの部分3041a及び3041bに分割する第1の光結合器306に入射させる、第1のレーザ302を備える。第1の光強度変調器308は、連続波光304の一方の部分3041aを、周波数νのポンプパルス310に変換し、これは第1の光サーキュレータ312及びファンアウトデバイス208によって、第1のコア104に導入される。第1の周波数シフタ316は、連続波光304のもう一方の部分3041bの周波数ν1Lを、固定周波数ν1L≒ν−νB1へとシフトさせる。周波数ν−νB1の、第1のコア104からのブリルアン後方散乱光318は、第1の光結合器320によって、第1の周波数シフタ316が提供する固定周波数ν1L≒ν−νB1のシフト済み連続波光315と混合される。第1の光結合器320からの混合光信号322は、第1の光コヒーレントレシーバ324によって検出される。第1の光コヒーレントレシーバ324からの電気出力326は、第1の電気信号プロセッサ328によって分析され、これは:(i)ファイバ102の配備前の、ファイバ102に曲げが印加されていないときに得られる、第1のBFSベースライン測定値νB1(図10のステップ1002を参照);又は(ii)ファイバ102の配備後の、ファイバ102に曲げが印加されているときに得られる、第1のBFS曲げ測定値ν’B1(図10のステップ1004を参照)を出力する。
第2のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構300は、周波数ν2Lの連続波光304を、この連続波光304を2つの部分3042a及び3042bに分割する第2の光結合器306に入射させる、第2のレーザ302を備える。第2の光強度変調器308は、連続波光304の一方の部分3042aを、周波数νのポンプパルス310に変換し、これは第2の光サーキュレータ312及びファンアウトデバイス208によって、第2のコア106に導入される。第2の周波数シフタ316は、連続波光304のもう一方の部分3042bの周波数ν2Lを、固定周波数ν2L≒ν−νB2へとシフトさせる。周波数ν−νB2の、第2のコア106からのブリルアン後方散乱光318は、第2の光結合器320によって、第2の周波数シフタ316が提供する固定周波数ν2L≒ν−νB2のシフト済み連続波光315と混合される。第2の光結合器320からの混合光信号322は、第2の光コヒーレントレシーバ324によって検出される。第2の光コヒーレントレシーバ324からの電気出力326は、第2の電気信号プロセッサ328によって分析され、これは:(i)ファイバ102の配備前の、ファイバ102に曲げが印加されていないときに得られる、第2のBFSベースライン測定値νB2(図10のステップ1002を参照);又は(ii)ファイバ102の配備後の、ファイバ102に曲げが印加されているときに得られる、第2のBFS曲げ測定値ν’B2(図10のステップ1004を参照)を出力する。
第3のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構300は、周波数ν3Lの連続波光304を、この連続波光304を2つの部分3043a及び3043bに分割する第3の光結合器306に入射させる、第3のレーザ302を備える。第3の光強度変調器308は、連続波光304の一方の部分3043aを、周波数νのポンプパルス310に変換し、これは第3の光サーキュレータ312及びファンアウトデバイス208によって、第3のコア108に導入される。第3の周波数シフタ316は、連続波光304のもう一方の部分3043bの周波数ν3Lを、固定周波数ν3L≒ν−νB3へとシフトさせる。周波数ν−νB3の、第3のコア108からのブリルアン後方散乱光318は、第3の光結合器320によって、第3の周波数シフタ316が提供する固定周波数ν3L≒ν−νB3のシフト済み連続波光315と混合される。第3の光結合器320からの混合光信号322は、第3の光コヒーレントレシーバ324によって検出される。第3の光コヒーレントレシーバ324からの電気出力326は、第3の電気信号プロセッサ328によって分析され、これは:(i)ファイバ102の配備前の、ファイバ102に曲げが印加されていないときに得られる、第3のBFSベースライン測定値νB3(図10のステップ1002を参照);又は(ii)ファイバ102の配備後の、ファイバ102に曲げが印加されているときに得られる、第3のBFS曲げ測定値ν’B3(図10のステップ1004を参照)を出力する。
第4のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構300は、周波数ν4Lの連続波光304を、この連続波光304を2つの部分3044a及び3044bに分割する第4の光結合器306に入射させる、第4のレーザ302を備える。第4の光強度変調器308は、連続波光304の一方の部分3044aを、周波数νのポンプパルス310に変換し、これは第4の光サーキュレータ312及びファンアウトデバイス208によって、第4のコア110に導入される。第4の周波数シフタ316は、連続波光304のもう一方の部分3044bの周波数ν4Lを、固定周波数ν4L≒ν−νB4へとシフトさせる。周波数ν−νB4の、第4のコア110からのブリルアン後方散乱光318は、第4の光結合器320によって、第4の周波数シフタ316が提供する固定周波数ν4L≒ν−νB4のシフト済み連続波光315と混合される。第4の光結合器320からの混合光信号322は、第4の光コヒーレントレシーバ324によって検出される。第4の光コヒーレントレシーバ324からの電気出力326は、第4の電気信号プロセッサ328によって分析され、これは:(i)ファイバ102の配備前の、ファイバ102に曲げが印加されていないときに得られる、第4のBFSベースライン測定値νB4(図10のステップ1002を参照);又は(ii)ファイバ102の配備後の、ファイバ102に曲げが印加されているときに得られる、第4のBFS曲げ測定値ν’B4(図10のステップ1004を参照)を出力する。
再び図1Cを参照すると、BOTDAブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100は2つのチャネルを有し、チャネル1はコア1及び2からなり、チャネル2はコア3及び4からなる。BOTDAブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100はBOTDAに基づくものであり、各チャネル1(又は2)に対するポンプ光及びプローブ光は、ファイバ102の一方の端部において、第1のファンアウトデバイス410を通してコア1及び2(又はコア3及び4)に入射し、その一方で、ファイバ102のもう一方の端部では、コア1及び2(又はコア3及び4)は、別のファンアウトデバイス414を通って、一体となってループを形成する。コア1及び2の曲げ誘発型歪みはチャネル1によって測定され、コア3及び4の曲げ誘発型歪みはチャネル2によって測定され、その一方でファイバ温度は、チャネル2によって監視されるコア4によって測定される。チャネル1とチャネル2との間のクロストークを最小化するために、チャネル1のポンプ光及びプローブ光の波長は、チャネル2のポンプ光及びプローブ光の波長と異なるものとしてよい。2つの例示的なBOTDAブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100c及び100dについて、図4〜5を参照して以下に詳細に説明する。
図4を参照すると、本開示のある実施形態による、BOTDAブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100cの構成部品を示す図が示されている。BOTDAブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100cは、ファイバ102、BOTDAブリルアン後方散乱感知機構114c、処理システム116、第1のファンアウトデバイス410、及び第2のファンアウトデバイス414を含む。図示されているように、ブリルアン後方散乱感知機構114cは、第1のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構400、及び第2のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構400を備える。第1のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構400は、第1のファンアウトデバイス410を介して、第1のコア104及び第2のコア106それぞれの第1の端部に接続される。第2のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構400は、第1のファンアウトデバイス410を介して、第3のコア108及び第4のコア110それぞれの第1の端部に接続される。第2のファンアウトデバイス414は、第1のコア104のもう一方の端部と第2のコア106のもう一方の端部とを接続し、また第3のコア108のもう一方の端部と第4のコア110のもう一方の端部とを接続する。
第1のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構400は、第1のポンプレーザ402及び第1のプローブレーザ404を備える。第1のポンプレーザ402は、周波数νのポンプパルス406を、第1の光サーキュレータ408及び第1のファンアウトデバイス410を通して第1のコア104に入射させる。第1のプローブレーザ404は、周波数ν1L≒ν−νB1(又はν−νB2)の連続波光412を、第1のファンアウトデバイス410を通して第2のコア106に入射させる。プローブ信号416は、第1の光サーキュレータ408に連結された第1の光検出器418によって検出される。第1の光検出器418が出力した電気信号420は、第1の電気信号プロセッサ422によって分析され、これは:(i)ファイバ102の配備前の、ファイバ102に曲げが印加されていないときに得られる、(第1のコア104に関連付けられた)第1のBFSベースライン測定値νB1及び(第2のコア106に関連付けられた)第2のBFSベースライン測定値νB2(図10のステップ1002を参照);又は(ii)ファイバ102の配備後の、ファイバ102に曲げが印加されているときに得られる、(第1のコア104に関連付けられた)第1のBFS曲げ測定値ν’B1及び(第2のコア106に関連付けられた)第2のBFS曲げ測定値ν’B2(図10のステップ1004を参照)を出力する。
第2のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構400は、第2のポンプレーザ402及び第2のプローブレーザ404を備える。第2のポンプレーザ402は、周波数(ν)のポンプパルス406を、第2の光サーキュレータ408及び第1のファンアウトデバイス410を通して第3のコア108に入射させる。第2のプローブレーザ404は、周波数ν2L≒ν−νB3(又はν−νB4)の連続波光412を、第1のファンアウトデバイス410を通して第4のコア110に入射させる。プローブ信号416は、第2の光サーキュレータ408に連結された第2の光検出器418によって検出される。第2の光検出器418が出力した電気信号420は、第2の電気信号プロセッサ422によって分析され、これは:(i)ファイバ102の配備前の、ファイバ102に曲げが印加されていないときに得られる、(第3のコア108に関連付けられた)第3のBFSベースライン測定値νB3及び(第4のコア110に関連付けられた)第4のBFSベースライン測定値νB4(図10のステップ1002を参照);又は(ii)ファイバ102の配備後の、ファイバ102に曲げが印加されているときに得られる、(第3のコア108に関連付けられた)第3のBFS曲げ測定値ν’B3及び(第4のコア110に関連付けられた)第4のBFS曲げ測定値ν’B4(図10のステップ1004を参照)を出力する。
図5を参照すると、本開示のある実施形態による、BOTDAブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100dの構成部品を示す図が示されている。BOTDAブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100dは、ファイバ102、BOTDAブリルアン後方散乱感知機構114d、処理システム116、第1のファンアウトデバイス410、及び第2のファンアウトデバイス414を含む。図示されているように、ブリルアン後方散乱感知機構114dは、第1のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構500、及び第2のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構500を備える。第1のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構500は、第1のファンアウトデバイス410を介して、第1のコア104及び第2のコア106それぞれの第1の端部に接続される。第2のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構500は、第1のファンアウトデバイス410を介して、第3のコア108及び第4のコア110それぞれの第1の端部に接続される。第2のファンアウトデバイス414は、第1のコア104のもう一方の端部と第2のコア106のもう一方の端部とを接続し、また第3のコア108のもう一方の端部と第4のコア110のもう一方の端部とを接続する。
第1のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構500は、周波数ν1Lの連続波光504を、この連続波光504を2つの部分5081a及び5081bに分割する第1の光結合器506に入射させる、第1のレーザ502を備える。第1の光変調器510は、連続波光504の一方の部分5081aを、周波数νのポンプパルス512に変換し、これは第1の光サーキュレータ514及び第1のファンアウトデバイス410によって第1のコア104に導入される。第1の周波数シフタ518は、連続波光504のもう一方の部分5081bの周波数ν1Lを、周波数ν1L≒ν−νB1(又はν−νB2)へとシフトさせ、シフトされた連続波光519は、第1のファンアウトデバイス410によって第2のコア106に導入される。プローブ信号522は、第1の光サーキュレータ514に連結された第1の光検出器524によって検出される。第1の光検出器524が出力した電気信号526は、第1の電気信号プロセッサ528によって分析され、これは:(i)ファイバ102の配備前の、ファイバ102に曲げが印加されていないときに得られる、(第1のコア104に関連付けられた)第1のBFSベースライン測定値νB1及び(第2のコア106に関連付けられた)第2のBFSベースライン測定値νB2(図10のステップ1002を参照);又は(ii)ファイバ102の配備後の、ファイバ102に曲げが印加されているときに得られる、(第1のコア104に関連付けられた)第1のBFS曲げ測定値ν’B1及び(第2のコア106に関連付けられた)第2のBFS曲げ測定値ν’B2(図10のステップ1004を参照)を出力する。
第2のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構500は、周波数ν2Lの連続波光504を、この連続波光504を2つの部分5082a及び5082bに分割する第2の光結合器506に入射させる、第2のレーザ502を備える。第2の光変調器510は、連続波光504の一方の部分5082aを、周波数νのポンプパルス512に変換し、これは第2の光サーキュレータ514及び第1のファンアウトデバイス410によって第3のコア108に導入される。第2の周波数シフタ518は、連続波光504のもう一方の部分5082bの周波数ν2Lを、周波数ν2L≒ν−νB3(又はν−νB4)へとシフトさせ、シフトされた連続波光519は、第1のファンアウトデバイス410によって第4のコア110に導入される。プローブ信号522は、第2の光サーキュレータ514に連結された第2の光検出器524によって検出される。第2の光検出器524が出力した電気信号526は、第2の電気信号プロセッサ528によって分析され、これは:(i)ファイバ102の配備前の、ファイバ102に曲げが印加されていないときに得られる、(第3のコア108に関連付けられた)第3のBFSベースライン測定値νB3及び(第4のコア110に関連付けられた)第4のBFSベースライン測定値νB4(図10のステップ1002を参照);又は(ii)ファイバ102の配備後の、ファイバ102に曲げが印加されているときに得られる、(第3のコア108に関連付けられた)第3のBFS曲げ測定値ν’B3及び(第4のコア110に関連付けられた)第4のBFS曲げ測定値ν’B4(図10のステップ1004を参照)を出力する。
図6は、ブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100、100a、100b、100c及び100dのために使用される4コアシングルモード光ファイバ102の断面図を示す(注記:ブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100、100a、100b、100c及び100dは、5個(又は6個以上)のブリルアン後方散乱感知機構)を用いて、5(又は6以上)コアシングルモード光ファイバ102を使用することもできる)。ファイバ102は、クラッド半径rの円形であり、ファイバ102の中心に対する半径rを有する円112内の3つの異なる位置にある3つのファイバコア1、2、3(コア104、106及び108)と、ファイバ102の中心にあるコア4(コア110)とを有する。コア1とコア2との間の方位角はφ12であり、コア1とコア3との間の方位角はφ13である。4つのコア1、2、3及び4のパラメータ及び屈折率プロファイルは、同一とすることも異なるものとすることもできる。しかしながら、中心コア4と他のコア1、2及び3との間のクロストークを最小化するために、中心コア4は、コア1、2及び3と比較した場合に異なる有効屈折率を有することが好ましい。中心コア4は、このコア4に沿ったBFS分布を監視することによって、ファイバ102に沿った温度を感知するために使用され、他の3つのコア1、2及び3は、各コア1、2、3及び4に沿ったBFS分布を監視することによって、ファイバ102に沿った曲げ半径R及び曲げ角度βを感知するために使用される(式3〜14を参照)。
ファイバ距離zにおける長さΔzを有する、ファイバ102のあるセグメントについて考えると、このファイバセグメントが屈曲していない場合、4つのコア1、2、3、4は全て同一の長さΔzを有する。しかしながら、曲げ半径Rの曲率がファイバ102に導入されると、コア1、2、3及び4は一般に、曲率の中心から異なる距離(又は曲げ半径)を有することになり、これはそれぞれR、R、R、及びR=Rで表される。図7及び8は、屈曲4コアファイバのジオメトリを示す図である(注記:図8では、センサファイバ102は複数のセグメントに分割されており、各セグメントは、各セグメントの屈曲を一定の曲率半径Rとして扱うことができる程度に十分に小さい)。図9は、ファイバ102が半径R及び曲げ角度β(即ち回転軸と局所座標系のx軸との間の角度)の屈曲を有する場合の、屈曲4コアファイバ102の断面図を示す。局所座標系(x,y,z)は、図7及び9に示すように定義され、z軸はファイバ102の中心線に沿っており、x及びy軸は、ファイバ102の断面の平面内にある。図7に示すように、全てのコアセグメントは同一の曲率角をなしているため、コア1、2及び3はそれぞれ、その曲げ半径に対するコアの長さの比が同一であり、これは以下のように表現できる:
Figure 2019522206
ここでdz、dz、及びdzはそれぞれ、屈曲によるコア1、2、3の長さの変化である。コア4はファイバ102の中心にあるため、屈曲はコア4の長さを変化させない。従ってファイバ102の屈曲は、コア4に歪みの変化を導入しない(即ちΔε=0)。
歪みの定義が、元々の屈曲前のファイバの長さに対するファイバの長さの変化の比であることを考えると、コア1、2、3及び4の曲げ誘発型歪みはそれぞれ、Δε=dz/Δz、Δε=dz/Δz、Δε=dz/Δz、Δε=0である。上述のように、コア4はファイバ102の中心線にあるため、ファイバの屈曲はコア4内においていずれの歪みも生成しない。この場合、式(3)を以下のように書き換えることができる:
Figure 2019522206
図9に関する半径R、R及びRは、曲げ半径R及び曲げ角度βによって、以下の様に表現できる:
Figure 2019522206
Figure 2019522206
Figure 2019522206
式(5a)、(5b)及び(5c)はそれぞれ、以下のように書き換えることができる:
Figure 2019522206
Figure 2019522206
Figure 2019522206
rはコア1、2及び3からファイバ102の中心までの半径であることを想起されたい。注記:センサファイバ102は複数のセグメントに分割されており、各セグメントは、各セグメントに関する温度及び歪みを一定の温度及び歪みとして扱うことができる程度に十分に小さい。
式(6a)を式(6b)及び式(6c)に代入すると、次のようになる:
Figure 2019522206
Figure 2019522206
次に式(4)を式(7a)及び式(7b)に代入すると、曲げ角度βに関する以下のような解が得られる:
Figure 2019522206
式(8)は、曲げ角度βが、コア3とコア1との間の歪みの差(Δε−Δε)、コア3とコア2との間の歪みの差(Δε−Δε)、及びコア3とコア2との間の歪みの差(Δε−Δε)のみに左右されることを示している。
式(4)及び(5)から、曲げ半径Rは、以下の操作のうちのいずれの1つによって算出できる:
Figure 2019522206
Figure 2019522206
Figure 2019522206
一般に、上述の式(9a)、(9b)及び(9c)はそれぞれ、曲げ半径Rに関する同一の解を与える。これらの場合に関して、上述の式のうちの1つにおける歪みが0である場合、他の2つの式を用いて曲げ半径Rを計算するものとする。例えばβ=0又は180°である場合、R1はRに等しくなる。従ってコア1には曲げ歪みは導入されない。この場合、曲げ半径Rは式(9b)又は式(9c)によって算出できる。同一のスキームを、R2=R(β+φ12=0又は180°)、又はR3=R(β−φ13=0又は180°)である場合に関して導入でき、曲げ半径Rをそれぞれ式(9a)若しくは(9c)、又は式(9a)若しくは(9b)を用いて算出できる。従って、コア1、2、3の曲げ誘発型歪みΔε、Δε、及びΔεをあるファイバ位置で測定した場合、このファイバ位置における曲げ半径R及び曲げ角度βは、それぞれ式(9a−c)及び式(8)を用いて算出できる。
上述のように、シングルモード光ファイバ102では、BFS(ν)は、ファイバ102が受ける熱膨張及び曲げの結果として、温度及び歪みに依存し(式(2)を参照)、従ってBFS(ν)は温度及び歪みと共に変化する。よってコア1、2、3の曲げ誘発型歪みΔε、Δε、及びΔεは、ファイバ102の曲げによって引き起こされるBFSΔνB1、ΔνB2及びΔνB3の変化と、コア1、2及び3の温度による変化とを測定することによって測定できる。中心コア4は、温度のみによるBFSΔνB4の変化を測定するために導入される。従って、曲げによって導入された歪みの変動(Δε)及び温度変動(ΔT)による、BFSΔνB1、ΔνB2、ΔνB3及びΔνB4の変化は、それぞれ以下のように記述できる:
Figure 2019522206
Figure 2019522206
Figure 2019522206
Figure 2019522206
ここでKε1,2,3,4及びKT1,2,3,4はそれぞれ、ファイバコア1、2、3及び4の歪み及び温度係数である(注記:Kは、温度の変動によって引き起こされるBFSの変化を記述し、その単位はMHz/℃であるが、Kεは、歪みの変動によって引き起こされるBFSの変化を記述し、その単位はMHz/μεであり、μεは歪みの測定値の単位であり、1マイクロ歪みは、百万分の1部の変形をもたらす歪みに等しい)。式(13)に示すように、ファイバコア4の直径がファイバ102の直径よりはるかに小さいことを考慮し、またコア4がファイバ102の中心線にあることを考慮すると、ファイバの屈曲は、コア4内にいずれの歪みΔεも導入しない。従って、曲げられたファイバ102に沿った温度分布ΔTは、ファイバ102に沿ったコア4のBFS分布ΔνB4を監視することによって測定できる。
更に、コア1、2及び3の曲げ誘発型歪みΔε、Δε及びΔεは、コア1、2、3及び4のBFSΔνB1、ΔνB2、ΔνB3、及びΔνB4の変化を測定することにより、以下のように算出できる:
Figure 2019522206
Figure 2019522206
Figure 2019522206
最後に、ファイバ102のある位置における曲げ角度β及び曲げ半径Rは、式(8)及び(9)を用いて算出でき、光ファイバに沿った曲げ角度の分布Δβ及び曲げ半径の分布ΔRは、OTDR技法を利用して取得できる。曲げ角度Δβは、ファイバ102に沿ったねじれ又は屈曲方向を表し、曲げ半径ΔRは、ファイバ102に沿った曲げ半径を表すことを理解されたい。
図10を参照すると、本開示のある実施形態による、配備済みの4コアファイバ102に沿った温度分布(ΔT)、曲げ角度β及び曲げ半径Rを測定するための、ブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ100、100a、100b、100c、100dの例示的な使用方法1000を示すフローチャートが示されている。ステップ1002を始点とし、ここでは、ファイバ102の配備前の、ファイバ102に曲げが印加されていないときに、処理システム116が動作して、ブリルアン後方散乱感知機構114、114’、114’’、114a、114d、114c及び114dから以下を取得する:第1のコア104(コア1)に沿った第1のBFSベースライン測定値(νB1);第2のコア106(コア2)に沿った第2のBFSベースライン測定値(νB2);第3のコア108(コア3)に沿った第3のBFSベースライン測定値(νB3);及び第4のコア110(コア4)に沿った第4のBFSベースライン測定値(νB4)。
ステップ1004では、ファイバ102の配備後の、ファイバ102に曲げが印加されているときに、処理システム116が動作して、ブリルアン後方散乱感知機構114、114’、114’’、114a、114d、114c及び114dから以下を取得する:第1のコア104(コア1)に沿った第1のBFS曲げ測定値(ν’B1);第2のコア106(コア2)に沿った第2のBFS曲げ測定値(ν’B2);第3のコア108(コア3)に沿った第3のBFS曲げ測定値(ν’B3);及び第4のコア110(コア4)に沿った第4のBFS曲げ測定値(ν’B4)。
ステップ1006では、処理システム116は、それぞれ第1のコア104(コア1)、第2のコア106(コア2)、第3のコア108(コア3)及び第4のコア110(コア4)に沿った、第1のBFS分布ΔνB1の変化、第2のBFS分布ΔνB2の変化、第3のBFS分布ΔνB3の変化、及び第4のBFS分布ΔνB4の変化を算出する。例えば処理システム116は、以下の式:ΔνB1=ν’B1−νB1;ΔνB1=ν’B1−νB1;ΔνB1=ν’B1−νB1;及びΔνB1=ν’B1−νB1を用いて、第1のBFS分布ΔνB1の変化、第2のBFS分布ΔνB2の変化、第3のBFS分布ΔνB3の変化、及び第4のBFS分布ΔνB4の変化を算出できる。
ステップ1008では、処理システム116は、配備済みのファイバ102に沿った温度分布(ΔT)を算出する。例えば処理システム116は、以下のような式(13):
ΔνB4=Kε4Δε+KT4+ΔT=KT4+ΔT
を用いて、配備済みのファイバ102に沿った温度分布(ΔT)を算出でき、ここでKT4は、第4のコア110(コア4)の温度係数である。ファイバ102に印加される曲げが第4のコア110(コア4)の長さ(z)の変化を引き起こさないため、第4のコア110(コア4)に関連付けられた第4の曲げ誘発型歪み分布(Δε)は存在しないことを想起されたい。
ステップ1010では、処理システム116は、それぞれ第1のコア104(コア1)、第2のコア106(コア2)、及び第3のコア108(コア3)に沿った、第1の曲げ誘発型歪み分布Δε、第2の曲げ誘発型歪み分布Δε及び第3の曲げ誘発型歪み分布Δεを算出する。例えば処理システム116は、第1の曲げ誘発型歪み分布Δε、第2の曲げ誘発型歪み分布Δε及び第3の曲げ誘発型歪み分布Δεを、以下の式(14〜16):
Figure 2019522206
Figure 2019522206
及び
Figure 2019522206
を用いて算出でき、ここでKε1,2,3及びKT1,2,3,4はそれぞれ、第1のコア104(コア1)、第2のコア106(コア2)、第3のコア108(コア3)及び第4のコア110(コア4)の歪み係数及び温度係数である。
ステップ1012では、処理システム116は、配備済みのファイバ102に沿った曲げ角度βを算出する。例えば上記処理システムは更に、以下の式(8):
Figure 2019522206
によって、配備済みのファイバに沿った曲げ角度βを算出するよう構成され、ここでφ12は、第1のコア104と第2のコア106との間の方位角であり、φ13は、第1のコア104と第3のコア108との間の方位角である。
ステップ1014では、処理システム116は、配備済みのファイバ102に沿った曲げ半径Rを算出する。例えば上記処理システムは、以下の式(9a)、(9b)、及び(9c):
Figure 2019522206
Figure 2019522206
又は
Figure 2019522206
によって、配備済みのファイバ102に沿った曲げ角度Rを算出するよう構成でき、ここでφ12は、第1のコア104(コア1)と第2のコア106(コア2)との間の方位角であり、φ13は、第1のコア104(コア1)と第3のコア108(コア3)との間の方位角であり、rは、ファイバ102の中心に対する円形経路112に沿った半径であり、第1のコア104(コア1)、第2のコア106(コア2)及び第3のコア108(コア3)は、ファイバ102内の円形経路112に沿った3つの異なる位置にある。ステップ1014の終了時、方法1000はステップ1004に戻る。注記:処理システム116は、プロセッサと、プロセッサが実行可能な命令を記憶したメモリとを含んでよく、プロセッサはメモリと対話して上記プロセッサが実行可能な命令を実行し、ステップ1002、1004、1006、1008、1010、1012及び1014を実装する。
以上に鑑みて、当業者は、本開示が、長い感知距離(例えば数十キロメートル)を有し、歪みの影響と温度の影響とを区別できる、完全分布型屈曲ファイバセンサを開示していることを容易に理解するだろう。この完全分布型屈曲ファイバセンサでは、4コアファイバが、曲げ及び温度の同時測定を可能とする感知用媒体として使用され、ブリルアン後方散乱効果が感知機構として使用される。曲げ及び温度の分布型感知は、ブリルアン光時間領域反射測定法(BOTDR)又はブリルアン光時間領域解析法(BOTDA)のいずれの技法を用いて実現される。本開示の完全分布型屈曲ファイバセンサは、ファイバブラッグ格子(Fiber Bragg grating:FBG)をベースとした屈曲ファイバセンサと比べた場合に、コストが低く、感知距離がはるかに長い(例えば10倍長い)。更に本開示の完全分布型屈曲ファイバセンサは、周波数領域反射率測定を用いる、レイリー散乱をベースとした屈曲ファイバセンサと比べた場合に、感知距離がはるかに長い(例えば2倍長い)。
本開示の様々な実施形態は、当該特定の実施形態に関連して記載されている特定の特徴、要素又はステップを伴い得ることが理解されるだろう。また、ある特定の特徴、要素又はステップは、ある特定の実施形態に関連して記載されていても、例示されていない組み合わせ又は順列で、相互交換してよく、又は代替実施形態と組み合わせてよいことが理解されるだろう。
また本明細書中で使用される場合、用語「上記(the)」、「ある(a又はan)」は「少なくとも1つの(at least one)」を意味し、そうでないことが明示されていない限り、「唯一の(only one)」に限定されてはならないことも理解されたい。従って例えば「ある開口(an opening)」に関する言及は、文脈によってそうでないことが明示されていない限り、2つ以上のこのような「開口」を有する例を含む。
本明細書において、範囲は、「約(about)」ある特定の値から、及び/又は「約」別の特定の値までとして表現され得る。このような範囲が表現されている場合、その例は、上記ある特定の値から、及び/又は上記別の特定の値までを含む。同様に、先行詞「約」を用いることにより、値が概数として表現されている場合、上記特定の値は別の態様を形成することが理解されるだろう。更に、各範囲の端点は、他方の端点との関連でも、他方の端点とは独立しても、重要であることが理解されるだろう。
本明細書中で表現される全ての数値は、そうでないことがはっきりと指示されていない限り、そのように述べたかどうかにかかわらず、「約」を含むものとして解釈される。しかしながら、記載されている各数値は、「約」当該値として表されているかにかかわらず、正確なものとして考慮されることが、更に理解される。従って、「10mm未満の寸法(a dimension less than 10 mm)」及び「約10mm未満の寸法(a dimension less than about 10 mm)」は両方とも、「約10mm未満の寸法」及び「10mm未満の寸法」の実施形態を含む。
そうでないことが言明されていない限り、本明細書に記載のいずれの方法が、そのステップを特定の順序で実施することを必要とするものとして解釈されることは、全く意図されていない。従って、ある方法クレームが、そのステップが従うべき順序を実際に列挙していない場合、又はステップをある特定の順序に限定するべきであることが、特許請求の範囲若しくは説明中で具体的に言明されていない場合、いずれの特定の順序が推定されることは全く意図されていない。
特定の実施形態の様々な特徴、要素又はステップが、移行句「…を含む/備える(comprising)」を用いて開示される場合があるが、移行句「…からなる(consisting of)」又は「…から本質的になる(consisting essentially of)」を用いて記載され得るものを含む代替実施形態も含意されていることを理解されたい。従って例えば、A+B+Cを含む方法に対して含意されている代替実施形態は、方法がA+B+Cからなる実施形態、及び方法がA+B+Cから本質的になる実施形態を含む。
本開示の複数の実施形態を、添付の図面に図示し、また上述の「発明を実施するための形態」において説明してきたが、本開示は開示されているこれらの実施形態に限定されず、以下の請求項によって記載及び定義されるような本開示から逸脱することなく、多数の再構成、修正及び置換が可能であることを理解されたい。
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
実施形態1
第1のコア、第2のコア、第3のコア及び第4のコアを有するファイバであって、上記第1のコア、上記第2のコア及び上記第3のコアは、上記ファイバ内の円形経路に沿った3つの異なる位置にあり、上記円形経路は、上記ファイバの中心に対する半径(r)を有し、上記第4のコアは上記ファイバの上記中心にある、ファイバ;並びに
上記第1のコア、上記第2のコア、上記第3のコア及び上記第4のコアに連結されたブリルアン後方散乱感知機構
を備える、ブリルアンベース分布型ファイバセンサ。
実施形態2
上記ブリルアン後方散乱感知機構に連結された、処理システムであって:
上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに、上記ブリルアン後方散乱感知機構から、上記第1のコアに沿った第1のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値(νB1)、上記第2のコアに沿った第2のBFSベースライン測定値(νB2)、上記第3のコアに沿った第3のBFSベースライン測定値(νB3)、及び上記第4のコアに沿った第4のBFSベースライン測定値(νB4)を取得し;
上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに、上記ブリルアン後方散乱感知機構から、上記第1のコアに沿った第1のBFS曲げ測定値(ν’B1)、上記第2のコアに沿った第2のBFS曲げ測定値(ν’B2)、上記第3のコアに沿った第3のBFS曲げ測定値(ν’B3)、及び上記第4のコアに沿った第4のBFS曲げ測定値(ν’B4)を取得し;
上記第1、第2、第3及び第4のコアそれぞれに沿った第1、第2、第3及び第4のBFS分布(ΔνB1、ΔνB2、ΔνB3、ΔνB4)を算出し;
配備済みの上記ファイバに沿った温度分布(ΔT)を算出し;
上記第1、第2及び第3のコアそれぞれに沿った第1、第2及び第3の曲げ誘発型歪み分布(Δε、Δε、Δε)を算出し;
上記配備済みのファイバに沿った曲げ角度βを算出し;
上記配備済みのファイバに沿った曲げ半径Rを算出する
よう構成された、処理システムを更に備える、実施形態1に記載のブリルアンベース分布型ファイバセンサ。
実施形態3
上記処理システムは更に、上記第1、第2、第3及び第4のBFS分布(ΔνB1、ΔνB2、ΔνB3、ΔνB4)の変化を、以下の式:
ΔνB1=ν’B1−νB1
ΔνB2=ν’B2−νB2
ΔνB3=ν’B3−νB3;及び
ΔνB4=ν’B4−νB4
を用いて算出するよう構成される、実施形態2に記載のブリルアンベース分布型ファイバセンサ。
実施形態4
上記処理システムは更に、上記配備済みのファイバに沿った上記温度分布(ΔT)を、以下の式:
ΔνB4=Kε4Δε+KT4+ΔT=KT4+ΔT
を用いて算出するよう構成され;
T4は、上記第4のコアの温度係数であり;
上記ファイバに印加される曲げが上記第4のコアの長さの変化を引き起こさないため、上記第4のコアに関連付けられた上記第4の曲げ誘発型歪み分布(Δε)は存在しない、実施形態2又は3に記載のブリルアンベース分布型ファイバセンサ。
実施形態5
上記処理システムは更に、上記第1、第2及び第3の曲げ誘発型歪み分布(Δε、Δε、Δε)を、以下の式:
Figure 2019522206
Figure 2019522206
及び
Figure 2019522206
を用いて算出するよう構成され;
Kε1,2,3及びKT1,2,3,4はそれぞれ、上記第1のコア、上記第2のコア、上記第3のコア及び上記第4のコアの歪み係数及び温度係数である、実施形態2〜4のいずれか1つに記載のブリルアンベース分布型ファイバセンサ。
実施形態6
上記処理システムは更に、上記配備済みのファイバに沿った上記曲げ角度βを、以下の式:
Figure 2019522206
を用いて算出するよう構成され;
φ12は、上記第1のコアと上記第2のコアとの間の方位角であり;
φ13は、上記第1のコアと上記第3のコアとの間の方位角である、実施形態2〜5のいずれか1つに記載のブリルアンベース分布型ファイバセンサ。
実施形態7
上記処理システムは更に、上記配備済みのファイバに沿った上記曲げ半径Rを、以下の式:
Figure 2019522206
Figure 2019522206
又は
Figure 2019522206
を用いて算出するよう構成され;
φ12は、上記第1のコアと上記第2のコアとの間の方位角であり;
φ13は、上記第1のコアと上記第3のコアとの間の方位角であり;
rは、上記ファイバの上記中心に対する上記円形経路に沿った半径であり、上記第1のコア、上記第2のコア及び上記第3のコアは、上記ファイバ内の上記円形経路に沿った3つの異なる位置にある、実施形態2〜6のいずれか1つに記載のブリルアンベース分布型ファイバセンサ。
実施形態8
上記ブリルアン後方散乱感知機構は:
周波数(ν)のポンプパルスを第1の光サーキュレータ及びファンアウトデバイスを通して上記第1のコアに入射させる第1のポンプレーザを備える、第1のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、上記第1の光サーキュレータが出力した、周波数(ν−νB1)の、上記第1のコアからのブリルアン後方散乱光は、第1の光結合器によって、第1の局部発振器が生成した固定周波数(ν1L≒ν−νB1)の連続波光と混合され、上記第1の光結合器からの混合光信号は、第1の光コヒーレントレシーバによって検出され、上記第1の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第1の電気信号プロセッサによって分析され、上記第1の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第1のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値(νB1);又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第1のBFS曲げ測定値(ν’B1)を出力する、第1のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構;
周波数(ν)のポンプパルスを第2の光サーキュレータ及び上記ファンアウトデバイスを通して上記第2のコアに入射させる第2のポンプレーザを備える、第2のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、上記第2の光サーキュレータが出力した、周波数(ν−νB2)の、上記第2のコアからのブリルアン後方散乱光は、第2の光結合器によって、第2の局部発振器が生成した固定周波数(ν2L≒ν−νB2)の連続波光と混合され、上記第2の光結合器からの混合光信号は、第2の光コヒーレントレシーバによって検出され、上記第2の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第2の電気信号プロセッサによって分析され、上記第2の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第2のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値(νB2);又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第2のBFS曲げ測定値(ν’B2)を出力する、第2のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構;
周波数(ν)のポンプパルスを第3の光サーキュレータ及び上記ファンアウトデバイスを通して上記第3のコアに入射させる第3のポンプレーザを備える、第3のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、上記第3の光サーキュレータが出力した、周波数(ν−νB3)の、上記第3のコアからのブリルアン後方散乱光は、第3の光結合器によって、第3の局部発振器が生成した固定周波数(ν3L≒ν−νB3)の連続波光と混合され、上記第3の光結合器からの混合光信号は、第3の光コヒーレントレシーバによって検出され、上記第3の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第3の電気信号プロセッサによって分析され、上記第3の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第3のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値(νB3);又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第3のBFS曲げ測定値(ν’B3)を出力する、第3のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構;
周波数(ν)のポンプパルスを第4の光サーキュレータ及び上記ファンアウトデバイスを通して上記第4のコアに入射させる第4のポンプレーザを備える、第4のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、上記第4の光サーキュレータが出力した、周波数(ν−νB4)の、上記第4のコアからのブリルアン後方散乱光は、第4の光結合器によって、第4の局部発振器が生成した固定周波数(ν4L≒ν−νB4)の連続波光と混合され、上記第4の光結合器からの混合光信号は、第4の光コヒーレントレシーバによって検出され、上記第4の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第4の電気信号プロセッサによって分析され、上記第4の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第4のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値(νB4);又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第4のBFS曲げ測定値(ν’B4)を出力する、第4のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構;
を備える、ブリルアン光時間領域反射測定法(BOTDR)ブリルアン後方散乱感知機構である、実施形態1〜7のいずれか1つに記載のブリルアンベース分布型ファイバセンサ。
実施形態9
上記ブリルアン後方散乱感知機構は:
周波数(ν1L)の連続波光を、上記連続波光を2つの部分に分割する第1の光結合器に入射させる第1の光結合器に入射させる第1のレーザを備える、第1のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、第1の光強度変調器は、上記連続波光の一方の上記部分を、周波数(ν)のポンプパルスに変換し、上記ポンプパルスは、第1の光サーキュレータ及びファンアウトデバイスによって上記第1のコアに導入され、第1の周波数シフタは、上記連続波光の他方の部分の周波数(ν1L)を、固定周波数(ν1L≒ν−νB1)へとシフトさせ、上記第1の周波数シフタが提供する、周波数(ν−νB1)の、上記第1のコアからのブリルアン後方散乱光は、第1の光結合器によって、上記第1の周波数シフタが提供する、上記固定周波数(ν1L≒ν−νB1)のシフト済み連続波光と混合され、上記第1の光結合器からの混合光信号は、第1の光コヒーレントレシーバによって検出され、上記第1の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第1の電気信号プロセッサによって分析され、上記第1の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第1のBFSベースライン測定値νB1;又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第1のBFS曲げ測定値ν’B1を出力する、第1のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構;
周波数(ν2L)の連続波光を、上記連続波光を2つの部分に分割する第2の光結合器に入射させる第2の光結合器に入射させる第2のレーザを備える、第2のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、第2の光強度変調器は、上記連続波光の一方の上記部分を、周波数(ν)のポンプパルスに変換し、上記ポンプパルスは、第2の光サーキュレータ及び上記ファンアウトデバイスによって上記第2のコアに導入され、第2の周波数シフタは、上記連続波光の他方の部分の周波数(ν2L)を、固定周波数(ν2L≒ν−νB2)へとシフトさせ、上記第2の周波数シフタが提供する、周波数(ν−νB2)の、上記第2のコアからのブリルアン後方散乱光は、第2の光結合器によって、上記第2の周波数シフタが提供する、上記固定周波数(ν2L≒ν−νB2)のシフト済み連続波光と混合され、上記第2の光結合器からの混合光信号は、第2の光コヒーレントレシーバによって検出され、上記第2の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第2の電気信号プロセッサによって分析され、上記第2の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第2のBFSベースライン測定値νB2;又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第2のBFS曲げ測定値ν’B2を出力する、第2のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構;
周波数(ν3L)の連続波光を、上記連続波光を2つの部分に分割する第3の光結合器に入射させる第3の光結合器に入射させる第3のレーザを備える、第3のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、第3の光強度変調器は、上記連続波光の一方の上記部分を、周波数(ν)のポンプパルスに変換し、上記ポンプパルスは、第3の光サーキュレータ及び上記ファンアウトデバイスによって上記第3のコアに導入され、第3の周波数シフタは、上記連続波光の他方の部分の周波数(ν3L)を、固定周波数(ν3L≒ν−νB3)へとシフトさせ、上記第3の周波数シフタが提供する、周波数(ν−νB3)の、上記第3のコアからのブリルアン後方散乱光は、第3の光結合器によって、上記第3の周波数シフタが提供する、上記固定周波数(ν3L≒ν−νB3)のシフト済み連続波光と混合され、上記第3の光結合器からの混合光信号は、第3の光コヒーレントレシーバによって検出され、上記第3の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第3の電気信号プロセッサによって分析され、上記第3の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第3のBFSベースライン測定値νB3;又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第3のBFS曲げ測定値ν’B3を出力する、第3のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構;
周波数(ν4L)の連続波光を、上記連続波光を2つの部分に分割する第4の光結合器に入射させる第4の光結合器に入射させる第4のレーザを備える、第4のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、第4の光強度変調器は、上記連続波光の一方の上記部分を、周波数(ν)のポンプパルスに変換し、上記ポンプパルスは、第4の光サーキュレータ及び上記ファンアウトデバイスによって上記第4のコアに導入され、第4の周波数シフタは、上記連続波光の他方の部分の周波数(ν4L)を、固定周波数(ν4L≒ν−νB4)へとシフトさせ、上記第4の周波数シフタが提供する、周波数(ν−νB4)の、上記第4のコアからのブリルアン後方散乱光は、第4の光結合器によって、上記第4の周波数シフタが提供する、上記固定周波数(ν4L≒ν−νB4)のシフト済み連続波光と混合され、上記第4の光結合器からの混合光信号は、第4の光コヒーレントレシーバによって検出され、上記第4の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第4の電気信号プロセッサによって分析され、上記第4の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第4のBFSベースライン測定値νB4;又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第4のBFS曲げ測定値ν’B4を出力する、第4のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構
を備える、ブリルアン光時間領域反射測定法(BOTDR)ブリルアン後方散乱感知機構である、実施形態1〜7のいずれか1つに記載のブリルアンベース分布型ファイバセンサ。
実施形態10
上記ブリルアン後方散乱感知機構は:
第1のポンプレーザ及び第1のプローブレーザを備える、第1のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構であって、上記第1のポンプレーザは、周波数(ν)のポンプパルスを第1の光サーキュレータ及び第1のファンアウトデバイスを通して上記第1のコアに入射させ、上記第1のプローブレーザは、周波数(ν1L≒ν−νB1(又はν−νB2))の連続波光を、上記第1のファンアウトデバイスを通して上記第2のコアに入射させ、第2のファンアウトデバイスは、上記第1のコアと上記第2のコアとを連結し、プローブ信号は、上記第1の光サーキュレータに連結された第1の光検出器によって検出され、上記第1の光検出器が出力した電気信号は、第1の電気信号プロセッサによって分析され、上記第1の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第1のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値νB1及び第2のBFSベースライン測定値νB2;又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第1のBFS曲げ測定値ν’B1及び第2のBFS曲げ測定値ν’B2を出力する、第1のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構;並びに
第2のポンプレーザ及び第2のプローブレーザを備える、第2のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構であって、上記第2のポンプレーザは、周波数(ν)のポンプパルスを第2の光サーキュレータ及び上記第1のファンアウトデバイスを通して上記第3のコアに入射させ、上記第2のプローブレーザは、周波数(ν2L≒ν−νB3(又はν−νB4))の連続波光を、上記第1のファンアウトデバイスを通して上記第4のコアに入射させ、プローブ信号は、上記第2の光サーキュレータに連結された第2の光検出器によって検出され、上記第2の光検出器が出力した電気信号は、第2の電気信号プロセッサによって分析され、上記第2の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第3のBFSベースライン測定値νB3及び第4のBFSベースライン測定値νB4;又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第3のBFS曲げ測定値ν’B3及び第4のBFS曲げ測定値ν’B4を出力する、第2のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構
を備える、ブリルアン光時間領域解析法(BOTDA)ブリルアン後方散乱感知機構である、実施形態1〜7のいずれか1つに記載のブリルアンベース分布型ファイバセンサ。
実施形態11
上記ブリルアン後方散乱感知機構は:
周波数(ν1L)の連続波光を、上記連続波光を2つの部分に分割する第1の光結合器に入射させる第1のレーザを備える、第1のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構であって、第1の光変調器は、上記連続波光の一方の上記部分を、周波数(ν)のポンプパルスに変換し、上記ポンプパルスは、第1の光サーキュレータ及び第1のファンアウトデバイスによって上記第1のコアに導入され、第1の周波数シフタは、上記連続波光の他方の上記部分の周波数(ν1L)を、周波数(ν1L≒ν−νB1(又はν−νB2))にシフトさせ、シフトされた上記連続波光は、上記第1のファンアウトデバイスによって上記第2のコアに導入され、第2のファンアウトデバイスは、上記第1のコアと上記第2のコアとを連結し、プローブ信号は、上記第1の光サーキュレータに連結された第1の光検出器によって検出され、上記第1の光検出器が出力した電気信号は、第1の電気信号プロセッサによって分析され、上記第1の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第1のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値νB1及び第2のBFSベースライン測定値νB2;又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第1のBFS曲げ測定値ν’B1及び第2のBFS曲げ測定値ν’B2を出力する、第1のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構;並びに
周波数(ν2L)の連続波光を、上記連続波光を2つの部分に分割する第2の光結合器に入射させる第2のレーザを備える、第2のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構であって、第2の光変調器は、上記連続波光の一方の上記部分を、周波数(ν)のポンプパルスに変換し、上記ポンプパルスは、第2の光サーキュレータ及び上記第1のファンアウトデバイスによって上記第3のコアに導入され、第2の周波数シフタは、上記連続波光の他方の上記部分の周波数(ν2L)を、周波数(ν2L≒ν−νB3(又はν−νB4))にシフトさせ、シフトされた上記連続波光は、上記第1のファンアウトデバイスによって上記第4のコアに導入され、プローブ信号は、上記第2の光サーキュレータに連結された第2の光検出器によって検出され、上記第2の光検出器が出力した電気信号は、第2の電気信号プロセッサによって分析され、上記第2の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第3のBFSベースライン測定値νB3及び第4のBFSベースライン測定値νB4;又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第3のBFS曲げ測定値ν’B3及び第4のBFS曲げ測定値ν’B4を出力する、第1のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構
を備える、ブリルアン光時間領域解析法(BOTDA)ブリルアン後方散乱感知機構である、実施形態1〜7のいずれか1つに記載のブリルアンベース分布型ファイバセンサ。
実施形態12
ブリルアンベース分布型ファイバセンサの使用方法であって、
上記ブリルアンベース分布型ファイバセンサは:第1のコア、第2のコア、第3のコア及び第4のコアを備えるファイバであって、上記第1のコア、上記第2のコア及び上記第3のコアは、上記ファイバ内の円形経路に沿った3つの異なる位置にあり、上記円形経路は、上記ファイバの中心に対する半径(r)を有し、上記第4のコアは上記ファイバの上記中心にある、ファイバ;並びに上記第1のコア、上記第2のコア、上記第3のコア及び上記第4のコアに連結されたブリルアン後方散乱感知機構を備える、方法において、
上記方法は:
上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに、上記ブリルアン後方散乱感知機構から、上記第1のコアに沿った第1のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値(νB1)、上記第2のコアに沿った第2のBFSベースライン測定値(νB2)、上記第3のコアに沿った第3のBFSベースライン測定値(νB3)、及び上記第4のコアに沿った第4のBFSベースライン測定値(νB4)を取得するステップ;
上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに、上記ブリルアン後方散乱感知機構から、上記第1のコアに沿った第1のBFS曲げ測定値(ν’B1)、上記第2のコアに沿った第2のBFS曲げ測定値(ν’B2)、上記第3のコアに沿った第3のBFS曲げ測定値(ν’B3)、及び上記第4のコアに沿った第4のBFS曲げ測定値(ν’B4)を取得するステップ;
上記第1、第2、第3及び第4のコアそれぞれに沿った第1、第2、第3及び第4のBFS分布(ΔνB1、ΔνB2、ΔνB3、ΔνB4)を算出するステップ;
配備済みの上記ファイバに沿った温度分布(ΔT)を算出するステップ;
上記第1、第2及び第3のコアそれぞれに沿った第1、第2及び第3の曲げ誘発型歪み分布(Δε、Δε、Δε)を算出するステップ;
上記配備済みのファイバに沿った曲げ角度βを算出するステップ;並びに
上記配備済みのファイバに沿った曲げ半径Rを算出するステップ
を含む、方法。
実施形態13
上記第1、第2、第3及び第4のBFS分布(ΔνB1、ΔνB2、ΔνB3、ΔνB4)の変化を算出する上記ステップは、以下の式:
ΔνB1=ν’B1−νB1
ΔνB2=ν’B2−νB2
ΔνB3=ν’B3−νB3;及び
ΔνB4=ν’B4−νB4
を用いることを更に含む、実施形態12に記載の方法。
実施形態14
上記配備済みのファイバに沿った上記温度分布(ΔT)を算出する上記ステップは、以下の式:
ΔνB4=Kε4Δε+KT4+ΔT=KT4+ΔT
を用いることを更に含み;
T4は、上記第4のコアの温度係数であり;
上記ファイバに印加される曲げが上記第4のコアの長さの変化を引き起こさないため、上記第4のコアに関連付けられた上記第4の曲げ誘発型歪み分布(Δε)は存在しない、実施形態12又は13に記載の方法。
実施形態15
上記第1、第2及び第3の曲げ誘発型歪み分布(Δε、Δε、Δε)を算出する上記ステップは、以下の式:
Figure 2019522206
Figure 2019522206
及び
Figure 2019522206
を用いることを更に含み;
Kε1,2,3及びKT1,2,3,4はそれぞれ、上記第1のコア、上記第2のコア、上記第3のコア及び上記第4のコアの歪み係数及び温度係数である、実施形態12〜14のいずれか1つに記載の方法。
実施形態16
上記配備済みのファイバに沿った上記曲げ角度βを算出する上記ステップは、以下の式:
Figure 2019522206
を用いることを更に含み;
φ12は、上記第1のコアと上記第2のコアとの間の方位角であり;
φ13は、上記第1のコアと上記第3のコアとの間の方位角である、実施形態12〜15のいずれか1つに記載の方法。
実施形態17
上記配備済みのファイバに沿った上記曲げ半径Rを算出する上記ステップは、以下の式:
Figure 2019522206
Figure 2019522206
又は
Figure 2019522206
を用いることを更に含み;
φ12は、上記第1のコアと上記第2のコアとの間の方位角であり;
φ13は、上記第1のコアと上記第3のコアとの間の方位角であり;
rは、上記ファイバの上記中心に対する上記円形経路に沿った半径であり、上記第1のコア、上記第2のコア及び上記第3のコアは、上記ファイバ内の上記円形経路に沿った3つの異なる位置にある、実施形態12〜16のいずれか1つに記載の方法。
実施形態18
上記ブリルアン後方散乱感知機構は:
周波数(ν)のポンプパルスを第1の光サーキュレータ及びファンアウトデバイスを通して上記第1のコアに入射させる第1のポンプレーザを備える、第1のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、上記第1の光サーキュレータが出力した、周波数(ν−νB1)の、上記第1のコアからのブリルアン後方散乱光は、第1の光結合器によって、第1の局部発振器が生成した固定周波数(ν1L≒ν−νB1)の連続波光と混合され、上記第1の光結合器からの混合光信号は、第1の光コヒーレントレシーバによって検出され、上記第1の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第1の電気信号プロセッサによって分析され、上記第1の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第1のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値(νB1);又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第1のBFS曲げ測定値(ν’B1)を出力する、第1のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構;
周波数(ν)のポンプパルスを第2の光サーキュレータ及び上記ファンアウトデバイスを通して上記第2のコアに入射させる第2のポンプレーザを備える、第2のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、上記第2の光サーキュレータが出力した、周波数(ν−νB2)の、上記第2のコアからのブリルアン後方散乱光は、第2の光結合器によって、第2の局部発振器が生成した固定周波数(ν2L≒ν−νB2)の連続波光と混合され、上記第2の光結合器からの混合光信号は、第2の光コヒーレントレシーバによって検出され、上記第2の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第2の電気信号プロセッサによって分析され、上記第2の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第2のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値(νB2);又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第2のBFS曲げ測定値(ν’B2)を出力する、第2のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構;
周波数(ν)のポンプパルスを第3の光サーキュレータ及び上記ファンアウトデバイスを通して上記第3のコアに入射させる第3のポンプレーザを備える、第3のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、上記第3の光サーキュレータが出力した、周波数(ν−νB3)の、上記第3のコアからのブリルアン後方散乱光は、第3の光結合器によって、第3の局部発振器が生成した固定周波数(ν3L≒ν−νB3)の連続波光と混合され、上記第3の光結合器からの混合光信号は、第3の光コヒーレントレシーバによって検出され、上記第3の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第3の電気信号プロセッサによって分析され、上記第3の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第3のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値(νB3);又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第3のBFS曲げ測定値(ν’B3)を出力する、第3のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構;
周波数(ν)のポンプパルスを第4の光サーキュレータ及び上記ファンアウトデバイスを通して上記第4のコアに入射させる第4のポンプレーザを備える、第4のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、上記第4の光サーキュレータが出力した、周波数(ν−νB4)の、上記第4のコアからのブリルアン後方散乱光は、第4の光結合器によって、第4の局部発振器が生成した固定周波数(ν4L≒ν−νB4)の連続波光と混合され、上記第4の光結合器からの混合光信号は、第4の光コヒーレントレシーバによって検出され、上記第4の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第4の電気信号プロセッサによって分析され、上記第4の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第4のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値(νB4);又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第4のBFS曲げ測定値(ν’B4)を出力する、第4のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構;
を備える、ブリルアン光時間領域反射測定法(BOTDR)ブリルアン後方散乱感知機構である、実施形態12〜17のいずれか1つに記載の方法。
実施形態19
上記ブリルアン後方散乱感知機構は:
周波数(ν1L)の連続波光を、上記連続波光を2つの部分に分割する第1の光結合器に入射させる第1の光結合器に入射させる第1のレーザを備える、第1のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、第1の光強度変調器は、上記連続波光の一方の上記部分を、周波数(ν)のポンプパルスに変換し、上記ポンプパルスは、第1の光サーキュレータ及びファンアウトデバイスによって上記第1のコアに導入され、第1の周波数シフタは、上記連続波光の他方の部分の周波数(ν1L)を、固定周波数(ν1L≒ν−νB1)へとシフトさせ、上記第1の周波数シフタが提供する、周波数(ν−νB1)の、上記第1のコアからのブリルアン後方散乱光は、第1の光結合器によって、上記第1の周波数シフタが提供する、上記固定周波数(ν1L≒ν−νB1)のシフト済み連続波光と混合され、上記第1の光結合器からの混合光信号は、第1の光コヒーレントレシーバによって検出され、上記第1の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第1の電気信号プロセッサによって分析され、上記第1の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第1のBFSベースライン測定値νB1;又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第1のBFS曲げ測定値ν’B1を出力する、第1のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構;
周波数(ν2L)の連続波光を、上記連続波光を2つの部分に分割する第2の光結合器に入射させる第2の光結合器に入射させる第2のレーザを備える、第2のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、第2の光強度変調器は、上記連続波光の一方の上記部分を、周波数(ν)のポンプパルスに変換し、上記ポンプパルスは、第2の光サーキュレータ及び上記ファンアウトデバイスによって上記第2のコアに導入され、第2の周波数シフタは、上記連続波光の他方の部分の周波数(ν2L)を、固定周波数(ν2L≒ν−νB2)へとシフトさせ、上記第2の周波数シフタが提供する、周波数(ν−νB2)の、上記第2のコアからのブリルアン後方散乱光は、第2の光結合器によって、上記第2の周波数シフタが提供する、上記固定周波数(ν2L≒ν−νB2)のシフト済み連続波光と混合され、上記第2の光結合器からの混合光信号は、第2の光コヒーレントレシーバによって検出され、上記第2の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第2の電気信号プロセッサによって分析され、上記第2の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第2のBFSベースライン測定値νB2;又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第2のBFS曲げ測定値ν’B2を出力する、第2のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構;
周波数(ν3L)の連続波光を、上記連続波光を2つの部分に分割する第3の光結合器に入射させる第3の光結合器に入射させる第3のレーザを備える、第3のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、第3の光強度変調器は、上記連続波光の一方の上記部分を、周波数(ν)のポンプパルスに変換し、上記ポンプパルスは、第3の光サーキュレータ及び上記ファンアウトデバイスによって上記第3のコアに導入され、第3の周波数シフタは、上記連続波光の他方の部分の周波数(ν3L)を、固定周波数(ν3L≒ν−νB3)へとシフトさせ、上記第3の周波数シフタが提供する、周波数(ν−νB3)の、上記第3のコアからのブリルアン後方散乱光は、第3の光結合器によって、上記第3の周波数シフタが提供する、上記固定周波数(ν3L≒ν−νB3)のシフト済み連続波光と混合され、上記第3の光結合器からの混合光信号は、第3の光コヒーレントレシーバによって検出され、上記第3の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第3の電気信号プロセッサによって分析され、上記第3の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第3のBFSベースライン測定値νB3;又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第3のBFS曲げ測定値ν’B3を出力する、第3のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構;
周波数(ν4L)の連続波光を、上記連続波光を2つの部分に分割する第4の光結合器に入射させる第4の光結合器に入射させる第4のレーザを備える、第4のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、第4の光強度変調器は、上記連続波光の一方の上記部分を、周波数(ν)のポンプパルスに変換し、上記ポンプパルスは、第4の光サーキュレータ及び上記ファンアウトデバイスによって上記第4のコアに導入され、第4の周波数シフタは、上記連続波光の他方の部分の周波数(ν4L)を、固定周波数(ν4L≒ν−νB4)へとシフトさせ、上記第4の周波数シフタが提供する、周波数(ν−νB4)の、上記第4のコアからのブリルアン後方散乱光は、第4の光結合器によって、上記第4の周波数シフタが提供する、上記固定周波数(ν4L≒ν−νB4)のシフト済み連続波光と混合され、上記第4の光結合器からの混合光信号は、第4の光コヒーレントレシーバによって検出され、上記第4の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第4の電気信号プロセッサによって分析され、上記第4の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第4のBFSベースライン測定値νB4;又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第4のBFS曲げ測定値ν’B4を出力する、第4のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構
を備える、ブリルアン光時間領域反射測定法(BOTDR)ブリルアン後方散乱感知機構である、実施形態12〜17のいずれか1つに記載の方法。
実施形態20
上記ブリルアン後方散乱感知機構は:
第1のポンプレーザ及び第1のプローブレーザを備える、第1のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構であって、上記第1のポンプレーザは、周波数(ν)のポンプパルスを第1の光サーキュレータ及び第1のファンアウトデバイスを通して上記第1のコアに入射させ、上記第1のプローブレーザは、周波数(ν1L≒ν−νB1(又はν−νB2))の連続波光を、上記第1のファンアウトデバイスを通して上記第2のコアに入射させ、第2のファンアウトデバイスは、上記第1のコアと上記第2のコアとを連結し、プローブ信号は、上記第1の光サーキュレータに連結された第1の光検出器によって検出され、上記第1の光検出器が出力した電気信号は、第1の電気信号プロセッサによって分析され、上記第1の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第1のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値νB1及び第2のBFSベースライン測定値νB2;又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第1のBFS曲げ測定値ν’B1及び第2のBFS曲げ測定値ν’B2を出力する、第1のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構;並びに
第2のポンプレーザ及び第2のプローブレーザを備える、第2のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構であって、上記第2のポンプレーザは、周波数(ν)のポンプパルスを第2の光サーキュレータ及び上記第1のファンアウトデバイスを通して上記第3のコアに入射させ、上記第2のプローブレーザは、周波数(ν2L≒ν−νB3(又はν−νB4))の連続波光を、上記第1のファンアウトデバイスを通して上記第4のコアに入射させ、プローブ信号は、上記第2の光サーキュレータに連結された第2の光検出器によって検出され、上記第2の光検出器が出力した電気信号は、第2の電気信号プロセッサによって分析され、上記第2の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第3のBFSベースライン測定値νB3及び第4のBFSベースライン測定値νB4;又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第3のBFS曲げ測定値ν’B3及び第4のBFS曲げ測定値ν’B4を出力する、第2のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構
を備える、ブリルアン光時間領域解析法(BOTDA)ブリルアン後方散乱感知機構である、実施形態12〜17のいずれか1つに記載の方法。
実施形態21
上記ブリルアン後方散乱感知機構は:
周波数(ν1L)の連続波光を、上記連続波光を2つの部分に分割する第1の光結合器に入射させる第1のレーザを備える、第1のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構であって、第1の光変調器は、上記連続波光の一方の上記部分を、周波数(ν)のポンプパルスに変換し、上記ポンプパルスは、第1の光サーキュレータ及び第1のファンアウトデバイスによって上記第1のコアに導入され、第1の周波数シフタは、上記連続波光の他方の上記部分の周波数(ν1L)を、周波数(ν1L≒ν−νB1(又はν−νB2))にシフトさせ、シフトされた上記連続波光は、上記第1のファンアウトデバイスによって上記第2のコアに導入され、第2のファンアウトデバイスは、上記第1のコアと上記第2のコアとを連結し、プローブ信号は、上記第1の光サーキュレータに連結された第1の光検出器によって検出され、上記第1の光検出器が出力した電気信号は、第1の電気信号プロセッサによって分析され、上記第1の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第1のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値νB1及び第2のBFSベースライン測定値νB2;又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第1のBFS曲げ測定値ν’B1及び第2のBFS曲げ測定値ν’B2を出力する、第1のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構;並びに
周波数(ν2L)の連続波光を、上記連続波光を2つの部分に分割する第2の光結合器に入射させる第2のレーザを備える、第2のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構であって、第2の光変調器は、上記連続波光の一方の上記部分を、周波数(ν)のポンプパルスに変換し、上記ポンプパルスは、第2の光サーキュレータ及び上記第1のファンアウトデバイスによって上記第3のコアに導入され、第2の周波数シフタは、上記連続波光の他方の上記部分の周波数(ν2L)を、周波数(ν2L≒ν−νB3(又はν−νB4))にシフトさせ、シフトされた上記連続波光は、上記第1のファンアウトデバイスによって上記第4のコアに導入され、プローブ信号は、上記第2の光サーキュレータに連結された第2の光検出器によって検出され、上記第2の光検出器が出力した電気信号は、第2の電気信号プロセッサによって分析され、上記第2の電気信号プロセッサは:(i)上記ファイバの配備前の、上記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第3のBFSベースライン測定値νB3及び第4のBFSベースライン測定値νB4;又は(ii)上記ファイバの配備後の、上記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第3のBFS曲げ測定値ν’B3及び第4のBFS曲げ測定値ν’B4を出力する、第1のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構
を備える、ブリルアン光時間領域解析法(BOTDA)ブリルアン後方散乱感知機構である、実施形態12〜17のいずれか1つに記載の方法。
100 ブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ
100a BOTDRブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ
100b BOTDRブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ
100c BOTDAブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ
100d BOTDAブリルアンベース分布型屈曲ファイバセンサ
102 ファイバ、センサファイバ、4コアファイバ
104 第1のコア、コア1
106 第2のコア、コア2
108 第3のコア、コア3
110 第4のコア、コア4
112 円形経路、円
114 ブルリアン後方散乱感知機構
114’ BOTDRブリルアン後方散乱感知機構
114’’ BOTDAブリルアン後方散乱感知機構
114a BOTDRブリルアン後方散乱感知機構
114b BOTDRブリルアン後方散乱感知機構
114c BOTDAブリルアン後方散乱感知機構
114d BOTDAブリルアン後方散乱感知機構
116 処理システム
200 第1のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構
200 第2のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構
200 第3のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構
200 第4のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構
202 第1の励起レーザ
202 第2の励起レーザ
202 第3の励起レーザ
202 第4の励起レーザ
204 励起パルス
204 励起パルス
204 励起パルス
204 励起パルス
206 第1の光サーキュレータ
206 第2の光サーキュレータ
206 第3の光サーキュレータ
206 第4の光サーキュレータ
208 ファンアウトデバイス
210 ブリルアン後方散乱光
210 ブリルアン後方散乱光
210 ブリルアン後方散乱光
210 ブリルアン後方散乱光
212 第1の光結合器
212 第2の光結合器
212 第3の光結合器
212 第4の光結合器
214 連続波光
214 連続波光
214 連続波光
214 連続波光
216 第1の局部発振器、レーザ
216 第2の局部発振器、レーザ
216 第3の局部発振器、レーザ
216 第4の局部発振器、レーザ
218 混合光信号
218 混合光信号
218 混合光信号
218 混合光信号
220 第1の光コヒーレントレシーバ
220 第2の光コヒーレントレシーバ
220 第3の光コヒーレントレシーバ
220 第4の光コヒーレントレシーバ
222 電気出力
222 電気出力
222 電気出力
222 電気出力
224 第1の電気信号プロセッサ
224 第2の電気信号プロセッサ
224 第3の電気信号プロセッサ
224 第4の電気信号プロセッサ
300 第1のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構
300 第2のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構
300 第3のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構
300 第4のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構
302 第1のレーザ
302 第2のレーザ
302 第3のレーザ
302 第4のレーザ
304 連続波光
3041a 連続波光304の一方の部分
3041b 連続波光304のもう一方の部分
304 連続波光
3042a 連続波光304の一方の部分
3042b 連続波光304のもう一方の部分
304 連続波光
3043a 連続波光304の一方の部分
3043b 連続波光304のもう一方の部分
304 連続波光
3044a 連続波光304の一方の部分
3044b 連続波光304のもう一方の部分
306 第1の光結合器
306 第2の光結合器
306 第3の光結合器
306 第4の光結合器
308 第1の光強度変調器
308 第2の光強度変調器
308 第3の光強度変調器
308 第4の光強度変調器
310 励起パルス
310 励起パルス
310 励起パルス
310 励起パルス
312 第1の光サーキュレータ
312 第2の光サーキュレータ
312 第3の光サーキュレータ
312 第4の光サーキュレータ
315 シフト済み連続波光
315 シフト済み連続波光
315 シフト済み連続波光
315 シフト済み連続波光
316 第1の周波数シフタ
316 第2の周波数シフタ
316 第3の周波数シフタ
316 第4の周波数シフタ
320 第1の光結合器
320 第2の光結合器
320 第3の光結合器
320 第4の光結合器
322 混合光信号
322 混合光信号
322 混合光信号
322 混合光信号
324 第1の光コヒーレントレシーバ
324 第2の光コヒーレントレシーバ
324 第3の光コヒーレントレシーバ
324 第4の光コヒーレントレシーバ
326 電気出力
326 電気出力
326 電気出力
326 電気出力
328 第1の電気信号プロセッサ
328 第2の電気信号プロセッサ
328 第3の電気信号プロセッサ
328 第4の電気信号プロセッサ
400 第1のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構
400 第2のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構
402 第1の励起レーザ
402 第2の励起レーザ
404 第1のプローブレーザ
404 第2のプローブレーザ
408 第1の光サーキュレータ
408 第2の光サーキュレータ
410 第1のファンアウトデバイス
412 連続波光
412 連続波光
414 第2のファンアウトデバイス、別のファンアウトデバイス
416 プローブ信号
416 プローブ信号
418 第1の光検出器
418 第2の光検出器
420 電気信号
420 電気信号
422 第1の電気信号プロセッサ
422 第2の電気信号プロセッサ
500 第1のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構
500 第2のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構
502 第1のレーザ
502 第2のレーザ
504 連続波光
504 連続波光
506 第1の光結合器
506 第2の光結合器
5081a 連続波光504の一方の部分
5081b 連続波光504のもう一方の部分
5082a 連続波光504の一方の部分
5082b 連続波光504のもう一方の部分
510 第1の光変調器
510 第2の光変調器
512 励起パルス
512 励起パルス
514 第1の光サーキュレータ
514 第2の光サーキュレータ
518 第1の周波数シフタ
518 第2の周波数シフタ
519 シフトされた連続波光
519 シフトされた連続波光
522 プローブ信号
522 プローブ信号
524 第1の光検出器
524 第2の光検出器
526 電気信号
526 電気信号
528 第1の電気信号プロセッサ
528 第2の電気信号プロセッサ

Claims (12)

  1. 第1のコア、第2のコア、第3のコア及び第4のコアを有するファイバであって、前記第1のコア、前記第2のコア及び前記第3のコアは、前記ファイバ内の円形経路に沿った3つの異なる位置にあり、前記円形経路は、前記ファイバの中心に対する半径(r)を有し、前記第4のコアは前記ファイバの前記中心にある、ファイバ;並びに
    前記第1のコア、前記第2のコア、前記第3のコア及び前記第4のコアに連結されたブリルアン後方散乱感知機構
    を備える、ブリルアンベース分布型ファイバセンサ。
  2. 前記ブリルアン後方散乱感知機構に連結された、処理システムであって:
    前記ファイバの配備前の、前記ファイバに曲げが印加されていないときに、前記ブリルアン後方散乱感知機構から、前記第1のコアに沿った第1のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値(νB1)、前記第2のコアに沿った第2のBFSベースライン測定値(νB2)、前記第3のコアに沿った第3のBFSベースライン測定値(νB3)、及び前記第4のコアに沿った第4のBFSベースライン測定値(νB4)を取得し;
    前記ファイバの配備後の、前記ファイバに曲げが印加されているときに、前記ブリルアン後方散乱感知機構から、前記第1のコアに沿った第1のBFS曲げ測定値(ν’B1)、前記第2のコアに沿った第2のBFS曲げ測定値(ν’B2)、前記第3のコアに沿った第3のBFS曲げ測定値(ν’B3)、及び前記第4のコアに沿った第4のBFS曲げ測定値(ν’B4)を取得し;
    前記第1、第2、第3及び第4のコアそれぞれに沿った第1、第2、第3及び第4のBFS分布(ΔνB1、ΔνB2、ΔνB3、ΔνB4)を算出し;
    配備済みの前記ファイバに沿った温度分布(ΔT)を算出し;
    前記第1、第2及び第3のコアそれぞれに沿った第1、第2及び第3の曲げ誘発型歪み分布(Δε、Δε、Δε)を算出し;
    前記配備済みのファイバに沿った曲げ角度βを算出し;
    前記配備済みのファイバに沿った曲げ半径Rを算出する
    よう構成された、処理システムを更に備える、請求項1に記載のブリルアンベース分布型ファイバセンサ。
  3. 前記処理システムは更に、前記第1、第2、第3及び第4のBFS分布(ΔνB1、ΔνB2、ΔνB3、ΔνB4)の変化を、以下の式:
    ΔνB1=ν’B1−νB1
    ΔνB2=ν’B2−νB2
    ΔνB3=ν’B3−νB3;及び
    ΔνB4=ν’B4−νB4
    を用いて算出するよう構成される、請求項2に記載のブリルアンベース分布型ファイバセンサ。
  4. 前記処理システムは更に、前記配備済みのファイバに沿った前記温度分布(ΔT)を、以下の式:
    ΔνB4=Kε4Δε+KT4+ΔT=KT4+ΔT
    を用いて算出するよう構成され;
    T4は、前記第4のコアの温度係数であり;
    前記ファイバに印加される曲げが前記第4のコアの長さの変化を引き起こさないため、前記第4のコアに関連付けられた前記第4の曲げ誘発型歪み分布(Δε)は存在しない、請求項2又は3に記載のブリルアンベース分布型ファイバセンサ。
  5. 前記処理システムは更に、前記第1、第2及び第3の曲げ誘発型歪み分布(Δε、Δε、Δε)を、以下の式:
    Figure 2019522206
    Figure 2019522206
    及び
    Figure 2019522206
    を用いて算出するよう構成され;
    Kε1,2,3及びKT1,2,3,4はそれぞれ、前記第1のコア、前記第2のコア、前記第3のコア及び前記第4のコアの歪み係数及び温度係数である、請求項2〜4のいずれか1項に記載のブリルアンベース分布型ファイバセンサ。
  6. 前記処理システムは更に、前記配備済みのファイバに沿った前記曲げ角度βを、以下の式:
    Figure 2019522206
    を用いて算出するよう構成され;
    φ12は、前記第1のコアと前記第2のコアとの間の方位角であり;
    φ13は、前記第1のコアと前記第3のコアとの間の方位角である、請求項2〜5のいずれか1項に記載のブリルアンベース分布型ファイバセンサ。
  7. 前記処理システムは更に、前記配備済みのファイバに沿った前記曲げ半径Rを、以下の式:
    Figure 2019522206
    Figure 2019522206
    又は
    Figure 2019522206
    を用いて算出するよう構成され;
    φ12は、前記第1のコアと前記第2のコアとの間の方位角であり;
    φ13は、前記第1のコアと前記第3のコアとの間の方位角であり;
    rは、前記ファイバの前記中心に対する前記円形経路に沿った半径であり、前記第1のコア、前記第2のコア及び前記第3のコアは、前記ファイバ内の前記円形経路に沿った3つの異なる位置にある、請求項2〜6のいずれか1項に記載のブリルアンベース分布型ファイバセンサ。
  8. 前記ブリルアン後方散乱感知機構は:
    周波数(ν)のポンプパルスを第1の光サーキュレータ及びファンアウトデバイスを通して前記第1のコアに入射させる第1のポンプレーザを備える、第1のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、前記第1の光サーキュレータが出力した、周波数(ν−νB1)の、前記第1のコアからのブリルアン後方散乱光は、第1の光結合器によって、第1の局部発振器が生成した固定周波数(ν1L≒ν−νB1)の連続波光と混合され、前記第1の光結合器からの混合光信号は、第1の光コヒーレントレシーバによって検出され、前記第1の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第1の電気信号プロセッサによって分析され、前記第1の電気信号プロセッサは:(i)前記ファイバの配備前の、前記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第1のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値(νB1);又は(ii)前記ファイバの配備後の、前記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第1のBFS曲げ測定値(ν’B1)を出力する、第1のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構;
    周波数(ν)のポンプパルスを第2の光サーキュレータ及び前記ファンアウトデバイスを通して前記第2のコアに入射させる第2のポンプレーザを備える、第2のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、前記第2の光サーキュレータが出力した、周波数(ν−νB2)の、前記第2のコアからのブリルアン後方散乱光は、第2の光結合器によって、第2の局部発振器が生成した固定周波数(ν2L≒ν−νB2)の連続波光と混合され、前記第2の光結合器からの混合光信号は、第2の光コヒーレントレシーバによって検出され、前記第2の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第2の電気信号プロセッサによって分析され、前記第2の電気信号プロセッサは:(i)前記ファイバの配備前の、前記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第2のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値(νB2);又は(ii)前記ファイバの配備後の、前記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第2のBFS曲げ測定値(ν’B2)を出力する、第2のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構;
    周波数(ν)のポンプパルスを第3の光サーキュレータ及び前記ファンアウトデバイスを通して前記第3のコアに入射させる第3のポンプレーザを備える、第3のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、前記第3の光サーキュレータが出力した、周波数(ν−νB3)の、前記第3のコアからのブリルアン後方散乱光は、第3の光結合器によって、第3の局部発振器が生成した固定周波数(ν3L≒ν−νB3)の連続波光と混合され、前記第3の光結合器からの混合光信号は、第3の光コヒーレントレシーバによって検出され、前記第3の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第3の電気信号プロセッサによって分析され、前記第3の電気信号プロセッサは:(i)前記ファイバの配備前の、前記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第3のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値(νB3);又は(ii)前記ファイバの配備後の、前記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第3のBFS曲げ測定値(ν’B3)を出力する、第3のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構;
    周波数(ν)のポンプパルスを第4の光サーキュレータ及び前記ファンアウトデバイスを通して前記第4のコアに入射させる第4のポンプレーザを備える、第4のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、前記第4の光サーキュレータが出力した、周波数(ν−νB4)の、前記第4のコアからのブリルアン後方散乱光は、第4の光結合器によって、第4の局部発振器が生成した固定周波数(ν4L≒ν−νB4)の連続波光と混合され、前記第4の光結合器からの混合光信号は、第4の光コヒーレントレシーバによって検出され、前記第4の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第4の電気信号プロセッサによって分析され、前記第4の電気信号プロセッサは:(i)前記ファイバの配備前の、前記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第4のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値(νB4);又は(ii)前記ファイバの配備後の、前記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第4のBFS曲げ測定値(ν’B4)を出力する、第4のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構;
    を備える、ブリルアン光時間領域反射測定法(BOTDR)ブリルアン後方散乱感知機構である、請求項1〜7のいずれか1項に記載のブリルアンベース分布型ファイバセンサ。
  9. 前記ブリルアン後方散乱感知機構は:
    周波数(ν1L)の連続波光を、前記連続波光を2つの部分に分割する第1の光結合器に入射させる第1の光結合器に入射させる第1のレーザを備える、第1のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、第1の光強度変調器は、前記連続波光の一方の前記部分を、周波数(ν)のポンプパルスに変換し、前記ポンプパルスは、第1の光サーキュレータ及びファンアウトデバイスによって前記第1のコアに導入され、第1の周波数シフタは、前記連続波光の他方の部分の周波数(ν1L)を、固定周波数(ν1L≒ν−νB1)へとシフトさせ、前記第1の周波数シフタが提供する、周波数(ν−νB1)の、前記第1のコアからのブリルアン後方散乱光は、第1の光結合器によって、前記第1の周波数シフタが提供する、前記固定周波数(ν1L≒ν−νB1)のシフト済み連続波光と混合され、前記第1の光結合器からの混合光信号は、第1の光コヒーレントレシーバによって検出され、前記第1の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第1の電気信号プロセッサによって分析され、前記第1の電気信号プロセッサは:(i)前記ファイバの配備前の、前記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第1のBFSベースライン測定値νB1;又は(ii)前記ファイバの配備後の、前記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第1のBFS曲げ測定値ν’B1を出力する、第1のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構;
    周波数(ν2L)の連続波光を、前記連続波光を2つの部分に分割する第2の光結合器に入射させる第2の光結合器に入射させる第2のレーザを備える、第2のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、第2の光強度変調器は、前記連続波光の一方の前記部分を、周波数(ν)のポンプパルスに変換し、前記ポンプパルスは、第2の光サーキュレータ及び前記ファンアウトデバイスによって前記第2のコアに導入され、第2の周波数シフタは、前記連続波光の他方の部分の周波数(ν2L)を、固定周波数(ν2L≒ν−νB2)へとシフトさせ、前記第2の周波数シフタが提供する、周波数(ν−νB2)の、前記第2のコアからのブリルアン後方散乱光は、第2の光結合器によって、前記第2の周波数シフタが提供する、前記固定周波数(ν2L≒ν−νB2)のシフト済み連続波光と混合され、前記第2の光結合器からの混合光信号は、第2の光コヒーレントレシーバによって検出され、前記第2の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第2の電気信号プロセッサによって分析され、前記第2の電気信号プロセッサは:(i)前記ファイバの配備前の、前記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第2のBFSベースライン測定値νB2;又は(ii)前記ファイバの配備後の、前記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第2のBFS曲げ測定値ν’B2を出力する、第2のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構;
    周波数(ν3L)の連続波光を、前記連続波光を2つの部分に分割する第3の光結合器に入射させる第3の光結合器に入射させる第3のレーザを備える、第3のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、第3の光強度変調器は、前記連続波光の一方の前記部分を、周波数(ν)のポンプパルスに変換し、前記ポンプパルスは、第3の光サーキュレータ及び前記ファンアウトデバイスによって前記第3のコアに導入され、第3の周波数シフタは、前記連続波光の他方の部分の周波数(ν3L)を、固定周波数(ν3L≒ν−νB3)へとシフトさせ、前記第3の周波数シフタが提供する、周波数(ν−νB3)の、前記第3のコアからのブリルアン後方散乱光は、第3の光結合器によって、前記第3の周波数シフタが提供する、前記固定周波数(ν3L≒ν−νB3)のシフト済み連続波光と混合され、前記第3の光結合器からの混合光信号は、第3の光コヒーレントレシーバによって検出され、前記第3の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第3の電気信号プロセッサによって分析され、前記第3の電気信号プロセッサは:(i)前記ファイバの配備前の、前記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第3のBFSベースライン測定値νB3;又は(ii)前記ファイバの配備後の、前記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第3のBFS曲げ測定値ν’B3を出力する、第3のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構;
    周波数(ν4L)の連続波光を、前記連続波光を2つの部分に分割する第4の光結合器に入射させる第4の光結合器に入射させる第4のレーザを備える、第4のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構であって、第4の光強度変調器は、前記連続波光の一方の前記部分を、周波数(ν)のポンプパルスに変換し、前記ポンプパルスは、第4の光サーキュレータ及び前記ファンアウトデバイスによって前記第4のコアに導入され、第4の周波数シフタは、前記連続波光の他方の部分の周波数(ν4L)を、固定周波数(ν4L≒ν−νB4)へとシフトさせ、前記第4の周波数シフタが提供する、周波数(ν−νB4)の、前記第4のコアからのブリルアン後方散乱光は、第4の光結合器によって、前記第4の周波数シフタが提供する、前記固定周波数(ν4L≒ν−νB4)のシフト済み連続波光と混合され、前記第4の光結合器からの混合光信号は、第4の光コヒーレントレシーバによって検出され、前記第4の光コヒーレントレシーバからの電気出力は、第4の電気信号プロセッサによって分析され、前記第4の電気信号プロセッサは:(i)前記ファイバの配備前の、前記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第4のBFSベースライン測定値νB4;又は(ii)前記ファイバの配備後の、前記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第4のBFS曲げ測定値ν’B4を出力する、第4のBOTDRブリルアン後方散乱感知機構
    を備える、ブリルアン光時間領域反射測定法(BOTDR)ブリルアン後方散乱感知機構である、請求項1〜7のいずれか1項に記載のブリルアンベース分布型ファイバセンサ。
  10. 前記ブリルアン後方散乱感知機構は:
    第1のポンプレーザ及び第1のプローブレーザを備える、第1のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構であって、前記第1のポンプレーザは、周波数(ν)のポンプパルスを第1の光サーキュレータ及び第1のファンアウトデバイスを通して前記第1のコアに入射させ、前記第1のプローブレーザは、周波数(ν1L≒ν−νB1(又はν−νB2))の連続波光を、前記第1のファンアウトデバイスを通して前記第2のコアに入射させ、第2のファンアウトデバイスは、前記第1のコアと前記第2のコアとを連結し、プローブ信号は、前記第1の光サーキュレータに連結された第1の光検出器によって検出され、前記第1の光検出器が出力した電気信号は、第1の電気信号プロセッサによって分析され、前記第1の電気信号プロセッサは:(i)前記ファイバの配備前の、前記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第1のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値νB1及び第2のBFSベースライン測定値νB2;又は(ii)前記ファイバの配備後の、前記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第1のBFS曲げ測定値ν’B1及び第2のBFS曲げ測定値ν’B2を出力する、第1のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構;並びに
    第2のポンプレーザ及び第2のプローブレーザを備える、第2のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構であって、前記第2のポンプレーザは、周波数(ν)のポンプパルスを第2の光サーキュレータ及び前記第1のファンアウトデバイスを通して前記第3のコアに入射させ、前記第2のプローブレーザは、周波数(ν2L≒ν−νB3(又はν−νB4))の連続波光を、前記第1のファンアウトデバイスを通して前記第4のコアに入射させ、プローブ信号は、前記第2の光サーキュレータに連結された第2の光検出器によって検出され、前記第2の光検出器が出力した電気信号は、第2の電気信号プロセッサによって分析され、前記第2の電気信号プロセッサは:(i)前記ファイバの配備前の、前記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第3のBFSベースライン測定値νB3及び第4のBFSベースライン測定値νB4;又は(ii)前記ファイバの配備後の、前記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第3のBFS曲げ測定値ν’B3及び第4のBFS曲げ測定値ν’B4を出力する、第2のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構
    を備える、ブリルアン光時間領域解析法(BOTDA)ブリルアン後方散乱感知機構である、請求項1〜7のいずれか1項に記載のブリルアンベース分布型ファイバセンサ。
  11. 前記ブリルアン後方散乱感知機構は:
    周波数(ν1L)の連続波光を、前記連続波光を2つの部分に分割する第1の光結合器に入射させる第1のレーザを備える、第1のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構であって、第1の光変調器は、前記連続波光の一方の前記部分を、周波数(ν)のポンプパルスに変換し、前記ポンプパルスは、第1の光サーキュレータ及び第1のファンアウトデバイスによって前記第1のコアに導入され、第1の周波数シフタは、前記連続波光の他方の前記部分の周波数(ν1L)を、周波数(ν1L≒ν−νB1(又はν−νB2))にシフトさせ、シフトされた前記連続波光は、前記第1のファンアウトデバイスによって前記第2のコアに導入され、第2のファンアウトデバイスは、前記第1のコアと前記第2のコアとを連結し、プローブ信号は、前記第1の光サーキュレータに連結された第1の光検出器によって検出され、前記第1の光検出器が出力した電気信号は、第1の電気信号プロセッサによって分析され、前記第1の電気信号プロセッサは:(i)前記ファイバの配備前の、前記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第1のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値νB1及び第2のBFSベースライン測定値νB2;又は(ii)前記ファイバの配備後の、前記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第1のBFS曲げ測定値ν’B1及び第2のBFS曲げ測定値ν’B2を出力する、第1のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構;並びに
    周波数(ν2L)の連続波光を、前記連続波光を2つの部分に分割する第2の光結合器に入射させる第2のレーザを備える、第2のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構であって、第2の光変調器は、前記連続波光の一方の前記部分を、周波数(ν)のポンプパルスに変換し、前記ポンプパルスは、第2の光サーキュレータ及び前記第1のファンアウトデバイスによって前記第3のコアに導入され、第2の周波数シフタは、前記連続波光の他方の前記部分の周波数(ν2L)を、周波数(ν2L≒ν−νB3(又はν−νB4))にシフトさせ、シフトされた前記連続波光は、前記第1のファンアウトデバイスによって前記第4のコアに導入され、プローブ信号は、前記第2の光サーキュレータに連結された第2の光検出器によって検出され、前記第2の光検出器が出力した電気信号は、第2の電気信号プロセッサによって分析され、前記第2の電気信号プロセッサは:(i)前記ファイバの配備前の、前記ファイバに曲げが印加されていないときに得られる、第3のBFSベースライン測定値νB3及び第4のBFSベースライン測定値νB4;又は(ii)前記ファイバの配備後の、前記ファイバに曲げが印加されているときに得られる、第3のBFS曲げ測定値ν’B3及び第4のBFS曲げ測定値ν’B4を出力する、第1のBOTDAブリルアン後方散乱感知機構
    を備える、ブリルアン光時間領域解析法(BOTDA)ブリルアン後方散乱感知機構である、請求項1〜7のいずれか1項に記載のブリルアンベース分布型ファイバセンサ。
  12. ブリルアンベース分布型ファイバセンサの使用方法であって、
    前記ブリルアンベース分布型ファイバセンサは:第1のコア、第2のコア、第3のコア及び第4のコアを備えるファイバであって、前記第1のコア、前記第2のコア及び前記第3のコアは、前記ファイバ内の円形経路に沿った3つの異なる位置にあり、前記円形経路は、前記ファイバの中心に対する半径(r)を有し、前記第4のコアは前記ファイバの前記中心にある、ファイバ;並びに前記第1のコア、前記第2のコア、前記第3のコア及び前記第4のコアに連結されたブリルアン後方散乱感知機構を備える、方法において、
    前記方法は:
    前記ファイバの配備前の、前記ファイバに曲げが印加されていないときに、前記ブリルアン後方散乱感知機構から、前記第1のコアに沿った第1のブリルアン周波数シフト(BFS)ベースライン測定値(νB1)、前記第2のコアに沿った第2のBFSベースライン測定値(νB2)、前記第3のコアに沿った第3のBFSベースライン測定値(νB3)、及び前記第4のコアに沿った第4のBFSベースライン測定値(νB4)を取得するステップ;
    前記ファイバの配備後の、前記ファイバに曲げが印加されているときに、前記ブリルアン後方散乱感知機構から、前記第1のコアに沿った第1のBFS曲げ測定値(ν’B1)、前記第2のコアに沿った第2のBFS曲げ測定値(ν’B2)、前記第3のコアに沿った第3のBFS曲げ測定値(ν’B3)、及び前記第4のコアに沿った第4のBFS曲げ測定値(ν’B4)を取得するステップ;
    前記第1、第2、第3及び第4のコアそれぞれに沿った第1、第2、第3及び第4のBFS分布(ΔνB1、ΔνB2、ΔνB3、ΔνB4)を算出するステップ;
    配備済みの前記ファイバに沿った温度分布(ΔT)を算出するステップ;
    前記第1、第2及び第3のコアそれぞれに沿った第1、第2及び第3の曲げ誘発型歪み分布(Δε、Δε、Δε)を算出するステップ;
    前記配備済みのファイバに沿った曲げ角度βを算出するステップ;並びに
    前記配備済みのファイバに沿った曲げ半径Rを算出するステップ
    を含む、方法。
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