JP2019517045A - 光電子デバイス上に画像を生成する方法 - Google Patents
光電子デバイス上に画像を生成する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019517045A JP2019517045A JP2018549290A JP2018549290A JP2019517045A JP 2019517045 A JP2019517045 A JP 2019517045A JP 2018549290 A JP2018549290 A JP 2018549290A JP 2018549290 A JP2018549290 A JP 2018549290A JP 2019517045 A JP2019517045 A JP 2019517045A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optoelectronic
- light
- optoelectronic device
- photocurrent
- effective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 202
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims abstract description 55
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 21
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 18
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 230000004044 response Effects 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 8
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 7
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 7
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCCCCCCC)CCCCCCCC XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 4
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 230000004323 axial length Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N m-xylene Chemical group CC1=CC=CC(C)=C1 IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadecene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000001028 reflection method Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 4
- -1 1,4-phenylene-((4-sec-butylphenyl) imino) Chemical class 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052949 galena Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- LPEBYPDZMWMCLZ-CVBJKYQLSA-L zinc;(z)-octadec-9-enoate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC([O-])=O LPEBYPDZMWMCLZ-CVBJKYQLSA-L 0.000 description 3
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N carbonyl sulfide Chemical compound O=C=S JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- FTMKAMVLFVRZQX-UHFFFAOYSA-N octadecylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCP(O)(O)=O FTMKAMVLFVRZQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N octane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCS KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJGSVSYBKAZJGP-KVVVOXFISA-N (z)-octadec-9-enoic acid;zinc Chemical compound [Zn].CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZJGSVSYBKAZJGP-KVVVOXFISA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N Phosgene Chemical compound ClC(Cl)=O YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 125000003636 chemical group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000023077 detection of light stimulus Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000025 interference lithography Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZYKBQUWMPUVEN-UHFFFAOYSA-N zafuleptine Chemical compound OC(=O)CCCCCC(C(C)C)NCC1=CC=C(F)C=C1 YZYKBQUWMPUVEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/042—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means
- G06F3/0421—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means by interrupting or reflecting a light beam, e.g. optical touch-screen
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/033—Pointing devices displaced or positioned by the user, e.g. mice, trackballs, pens or joysticks; Accessories therefor
- G06F3/038—Control and interface arrangements therefor, e.g. drivers or device-embedded control circuitry
- G06F3/0386—Control and interface arrangements therefor, e.g. drivers or device-embedded control circuitry for light pen
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/16—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
- H01L33/18—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous within the light emitting region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/24—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/50—OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2354/00—Aspects of interface with display user
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2360/00—Aspects of the architecture of display systems
- G09G2360/14—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors
- G09G2360/144—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors the light being ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
Description
光電子素子は、複数の量子ドットまたは複数のナノロッドを備え、
回路は、光電子素子を発光させる有効順バイアス電圧を回路が提供する構成と、光電子素子が感応する光が光電子素子に当たるときに、光電素子に光電流を発生することができるようにさせる有効逆バイアス電圧を回路が提供する構成との間で、光電子素子をスイッチングすることができるように構成される。
(a)発光光電子素子と光電流発生光電子素子とを備える光電子デバイスを提供することであって、
デバイスは、発光光電子素子によって発せられた光の一部が光電子デバイスを出るように構成されており、
デバイスは、光電子デバイスを出て、外部物体によって散乱または反射される発光光電子素子によって発せられた光が、光電流発生光電子素子に当たることができるように構成されている、提供することと、
(b)発光光電子素子に有効順バイアス電圧を印加し、光電流発生光電子素子に有効逆バイアス電圧を印加することと、
(c)光を散乱または反射することができる物体またはそれらの組み合わせを、光が出てくる光電子デバイスの表面上の点から0.1〜5mmの距離に移動させ、発光光電素子によって発せられた光を反射または散乱させて、光が光電流発生光電子素子上に落ちるようにさせることと、を含む。
(a)光電子デバイスの外部で発生する外光が光電子デバイス上に落ちる環境において、光電流発生光電子素子を備える光電子デバイスを提供すること、
(b)光電流発生光電子素子に有効逆バイアス電圧を印加することであって、ここで適切な波長及び十分な強度の外光が光電流発生光電子素子に光電流を発生させる、印加することと、
(c)光電子デバイスの表面上の点から0.1〜5mmの距離に不透明物体を移動することであって、不透明物体に十分な外光を遮断させて、光電流発生光電子素子によって発生される光電流に検出可能な低減を生じさせる、移動することと、を含む。
(a)光電子素子のアレイ及び各光電子素子に接続された回路を備えるデバイスを提供することであって、
光電子素子は、複数の量子ドットまたは複数のナノロッドを含み、
回路は、光電子素子を発光させる有効順バイアス電圧を回路が提供する構成と、光電子素子が感応する光が光電子素子に当たるときに、光電素子に光電流を発生することができるようにさせる有効逆バイアス電圧を回路が提供する構成との間で、各光電子素子を独立してスイッチングすることができるように構成される、提供することと、
(b)2つ以上の光電子素子に有効逆バイアスを印加すること、
(c)個々の有効逆バイアスされた光電子素子から光電流の開始を検出し、個々の光電子素子のバイアスを有効順バイアスに変化させることによって光電流に応答する回路を提供することと、を含む。
反応は、N2雰囲気下の標準シュレンクライン(Schlenk line)で行った。工業用トリオクチルホスフィンオキシド(TOPO)(90%)、工業用トリオクチルホスフィン(TOP)(90%)、工業用オクチルアミン(OA)(90%)、工業用トリオクチルアミン(TOA)(90%)、工業用オクタデセン(ODE)(90%)、CdO(99.5%)、酢酸亜鉛(99.99%)、S粉末(99.998%)、Se粉末(99.99%)は、シグマアルドリッチ(Sigma Aldrich)から入手した。ACSグレードのクロロホルム、及びメタノールは、フィッシャーサイエンティフィック(Fischer Scientific)から入手した。すべての化学物質は、受け取ったまま使用した。
赤色CdSe/CdS/ZnSは、確立された方法と同様の様態で調製した。[Lim、J.他、Preparation of highly luminescent nanocrystals and their application to light−emitting diodes. Adv.Mater.19、1927−1932、2007]。200mlの三ツ口丸底フラスコ中の1.6mmolのCdO粉末(0.206g)、6.4mmolのOA及び40mLのTOAを、真空下150℃で30分間脱気した。次いで、溶液をN2雰囲気下で300℃に加熱した。300℃で、予めグローブボックス中で調製した0.4mLの1.0M TOP:SeをCd含有反応混合物に迅速に注入した。45秒後、6mlのTOAに溶解した1.2mmolのn−オクタンチオールを1mL min−1の速度でシリンジポンプを介してゆっくり注入した。次いで、反応混合物を300℃でさらに30分間攪拌した。同時に、TOAに溶解した16mlの0.25M 亜鉛オレイン酸溶液を酢酸亜鉛を含む別の反応フラスコ中で調製した。亜鉛オレイン酸溶液をCdSe反応フラスコ中にゆっくり注入し、続けて6mlのTOAに溶解した6.4mmolのn−オクタンチオールを1mL min−1の速度でシリンジポンプを使用して注入した。
緑色CdSe/ZnS(勾配組成シェル)量子ドットを、確立された方法と同様の様態で調製した。[Bae,W.他、Highly Efficient Green−Light−Emitting Diodes Based on CdSe/ZnS Quantum Dots with a Chemical−Composition Gradient,Adv. Mater.21、1690−1694、2009]0.2mmolのCdO、4mmolの酢酸亜鉛、4mmolのOA及び15mlのODEを100mlの3口丸底フラスコ内で調製し、真空下120℃で30分間脱気した。溶液をN2雰囲気下で300℃に加熱した。300℃で、0.1mmolのSe及び2mlのTOPに溶解した3.5mmolのSeをシリンジを使用して反応フラスコに迅速に注入した。次いで、空気ジェットによって急速に冷却する前に、反応溶液を300℃でさらに10分間撹拌した。
スピンコートされたQD LED/光検出器(PD)のために、デバイスはITOコートされたガラス基板(シート抵抗15〜25Ω/□)上に製作された。予めパターン化されたITO基板をアセトンとイソプロパノールで連続して洗浄し、次いでUV−オゾンで15分間処理した。PEDOT:PSS(Clevios(商標)P VP AI 4083)を4000rpmでITO上にスピンコートし、空気中120℃で5分間、グローブボックス内180℃で15分間焼成した。その後、TFB(H.W.Sands Corp.)を、3000rpmでm−キシレン(5mg/ml)を使用してスピンコートし、続いてグローブボックス内180℃で30分間焼成した。クロロホルムとメタノール混合物(体積比1:1)で2回洗浄した後、最終的にクロロホルム溶液(〜30mg/ml)内でQDを分散させ、2000rpmでTFB層の頂部上にスピンキャストし、その後引き続いて180℃で30分間アニールした。
図10に実験結果を示す。グラフは赤色QD PDの暗電流を示す。ステップ1では、赤色QD PDのみをオンにするために、有効逆バイアスが赤色QDピクセルにのみ印加されている。−2Vでは、赤色QD PDは約4マイクロアンペアの電流を有する。ステップ2では、緑色QD LEDをオンにするために、緑色QDピクセルに有効順バイアスが印加される。QDピクセルは光学的に絶縁されているため、赤色QD PDの電流はステップ1と同じ4マイクロアンペアである。ステップ3では、4インチのシリコンウェハを双方向性タッチスクリーンの5mm前に置く。この時点で、赤色PDの電流は30マイクロアンペアであり、これは8倍大きい。これは、緑色QD LEDからの緑色光がシリコンウェハの表面から反射し、赤色QD PDに当たって電流がさらに増加するためである。結論として、双方向性タッチスクリーンは、その前5mmの位置にあるシリコンウェハを検出することができた。
CdSナノロッド(NR)種の合成:最初に50mLの三ツ口丸底フラスコ中の2.0gのトリオクチルホスフィンオキシド(TOPO)、0.67gのオクタデシルホスホン酸(ODPA)及び0.128gのCdOを真空下150℃で30分間脱気し、次いでAr下で370℃に加熱した。Cd−ODPA複合体が370℃で形成された後、1.5mLのトリオクチルホスフィン(TOP)に溶解した16mgのSをシリンジでフラスコに迅速に加えた。結果として、反応混合物を330℃に急冷し、CdSの成長を行った。15分後、室温まで冷却することによりCdS NRの成長を停止させた。最終溶液をクロロホルムに溶解し、2000rpmで遠心分離した。沈殿物をクロロホルムに再溶解し、次のステップのための溶液として調製した。CdS NRのこの溶液は、100倍希釈したときにCdSバンド端吸収ピークで光学濃度が0.1(1cm光路長に対して)であった。
個々の光電子素子の特性を上記のようにして決定した。以下の表において、ナノロッドを含む個々の光電子素子は「NR−LED」と呼ばれ、量子ドットを含む個々の光電子素子は「QD−LED」と呼ばれる。以下の参考文献に掲載されている結果に従って、NR−LED及びQD−LEDを、吸収/発光材料が有機化合物または有機化合物の混合物である様々な発光ダイオード(LED)(有機発光ダイオード、またはOLED)と比較した。
参考文献2.Integrated organic blue led and visible−blind uv photodetector,Journal of Physical Chemistry C115,2462(2011)
参考文献3.High performance organic integrated device with ultraviolet photodetective and electroluminescent properties consisting of a charge−transfer−featured naphthalimide derivative,Applied Physics Letters 105,063303(2014)
参考文献4.High performance organic ultraviolet photodetector with efficient electroluminescencerealized by a thermally activated delayed fluorescence emitter,Applied Physics Letters 107,043303(2015)
参考文献5.High Efficiency and Optical Anisotropy in Double−Heterojuntion Nanorod Light−Emitting Diodes,ACS Nano 9,878(2015)
個々のPDは、上記のNRを使用して作製した。応答時間は上記のように測定した。結果は、以下の通りであった。
4×4正方形アレイ内の16個の光電子素子のアレイを以下のように製作した。図11A〜図11Eに示すように、デバイスを、ガラス基板上のパターン形成された酸化インジウムスズ(ITO)上に製作した。PEDOT:PSS(Clevios P VP AI 4083)導電性ポリマーをITO上に4000rpmでコートし、空気中120℃で5分間アニールした。デバイスをグローブボックスに移し、180℃で20分間アニールした。次に、m−キシレンに溶解したTFB/F4TCNQ混合物の7mg/mL溶液を3000rpmでスピンコートし、180℃で30分間アニールした。1:1の体積比のクロロホルムとメタノールで2回洗浄した後、クロロホルム中でナノロッド(上記のように合成)(60mg/mL)を2000rpmでスピンコートし、引き続き180℃で30分間アニールした。ブタノール中のZnOの30mg/mL溶液を次に3000rpmでスピンコートし、100℃で30分間アニールした。次に、100nmの厚さのAlカソードを電子ビーム蒸着技術によって堆積させた。グローブボックス内でエポキシ(NOA86)を使用して、デバイスをカバーガラスでカプセル封入した。
特定の光源は緑色レーザーであった。最初に、すべての16の光電子素子を有効逆バイアスに入れた。関連する回路は、特定の光電子素子の電流検出器が電流を検出したときに、バイアスが有効逆バイアスから有効順バイアスに反転し、有効逆バイアスに逆戻りする前に1秒間有効順バイアスに留まるように構成された。レーザーをオンにして光電子素子の1つに狙いをつけると、その素子は黄色光で輝き始め、再び暗くなる前に1秒間光ったままで留まった。ペンが1つの光電子素子から次の光電子素子へと移動するにつれて、レーザー光が照射された光電子素子は輝き、1秒間光っていた。ペンの動きは、例えば4つの光電子素子のうちの3つの三角形のようないくつかのパターンをトレースし、光電子素子のアレイは、暗い状態に戻る前に1秒間同じパターンで発光した。
Claims (10)
- 光電子素子のアレイ上に画像を生成する方法であって、
(a)光電子素子のアレイと各光電子素子に接続された回路とを備えるデバイスを提供することであって、
前記光電子素子は、複数の量子ドットまたは複数のナノロッドを含み、
前記回路は、前記光電子素子を発光させる有効順バイアス電圧を前記回路が提供する構成と、前記光電子素子が感応する光が前記光電子素子に当たるときに、前記光電子素子が光電流を発生することができるようにさせる有効逆バイアス電圧を前記回路が提供する構成との間で、各光電子素子を独立してスイッチングすることができるように構成される、提供することと、
(b)2つ以上の前記光電子素子に有効逆バイアスを印加すること、
(c)個々の有効逆バイアスされた光電子素子からの光電流の開始を検出し、前記個々の光電子素子の前記バイアスを有効順バイアスに変化させることによって前記光電流に応答する回路を提供すること、とを含む。 - 前記デバイスは、前記量子ドット及びナノロッドからなる群から選択された材料を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記デバイスは、ナノロッドを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記デバイスは、1つ以上のヘテロ接合を含む、請求項1に記載の方法。
- 1つ以上の有効逆バイアスされた光電子素子の前記有効逆バイアス電圧は、少なくとも20Hzの周波数で、有効順バイアス状態に切り替えられ、有効逆バイアス状態に戻る、請求項1に記載の方法。
- 前記バイアス電圧は、視覚的に一定の発光状態にあるように見えるように十分速く交番する、請求項5に記載の方法。
- (d)前記デバイスを特定の光源によって発せられた光に曝す、ステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記特定の光源は、LEDまたはレーザーである、請求項7に記載の方法。
- 前記特定の光源は、ハンドヘルドである、請求項7に記載の方法。
- 前記特定の光源の特性光周波数は、前記有効逆バイアス光電子素子の特性光周波数よりも高い、請求項7に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662312641P | 2016-03-24 | 2016-03-24 | |
US62/312,641 | 2016-03-24 | ||
PCT/US2017/023736 WO2017165600A1 (en) | 2016-03-24 | 2017-03-23 | Method of creating image on optoelectronic device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019517045A true JP2019517045A (ja) | 2019-06-20 |
JP6706340B2 JP6706340B2 (ja) | 2020-06-03 |
Family
ID=58530642
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018549290A Expired - Fee Related JP6706340B2 (ja) | 2016-03-24 | 2017-03-23 | 光電子デバイス上に画像を生成する方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10949026B2 (ja) |
EP (1) | EP3433851A1 (ja) |
JP (1) | JP6706340B2 (ja) |
KR (3) | KR20190044026A (ja) |
CN (1) | CN109643520A (ja) |
TW (1) | TWI744296B (ja) |
WO (1) | WO2017165600A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102653578B1 (ko) * | 2016-11-25 | 2024-04-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 이미지 센서 일체형 전계 발광 표시장치 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002258776A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-11 | Olympus Optical Co Ltd | 表示装置 |
US20030122749A1 (en) * | 2001-12-31 | 2003-07-03 | Booth Lawrence A. | Energy sensing light emitting diode display |
JP2006267696A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Sony Corp | 表示装置及び表示方法 |
JP2008077100A (ja) * | 2000-07-18 | 2008-04-03 | Sony Corp | 画像表示装置 |
KR20080048736A (ko) * | 2006-11-29 | 2008-06-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드소자를 가지는 터치인식 및 표시장치와 그구동방법 |
US20090256810A1 (en) * | 2008-04-15 | 2009-10-15 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Touch screen display |
JP2011502333A (ja) * | 2007-10-30 | 2011-01-20 | イーストマン コダック カンパニー | ブリンキングのない量子ドットを含む装置 |
CN104046359A (zh) * | 2013-03-15 | 2014-09-17 | 伊利诺斯大学科技管理办公室 | 多异质结纳米颗粒、其制备方法以及包含该纳米颗粒的制品 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7859526B2 (en) * | 2006-05-01 | 2010-12-28 | Konicek Jeffrey C | Active matrix emissive display and optical scanner system, methods and applications |
CN101652863A (zh) * | 2007-02-02 | 2010-02-17 | 罗姆股份有限公司 | ZnO系半导体元件 |
US8964020B2 (en) * | 2007-04-25 | 2015-02-24 | Stc.Unm | Solid-state microscope for selectively imaging a sample |
US8624968B1 (en) * | 2007-04-25 | 2014-01-07 | Stc.Unm | Lens-less digital microscope |
GB2453172B (en) * | 2007-09-28 | 2010-05-05 | Cambridge Display Tech Ltd | Optoelectronic devices |
JP5176522B2 (ja) * | 2007-12-13 | 2013-04-03 | ソニー株式会社 | 自発光型表示装置およびその駆動方法 |
CN101281933A (zh) * | 2008-04-29 | 2008-10-08 | 北京大学 | 一种基于碳纳米管的光电器件、光电集成电路单元及电路 |
US20120118368A1 (en) | 2010-04-30 | 2012-05-17 | Board Of Regents Of The University Of Nebraska | Method for Increasing the Efficiency of Organic Photovoltaic Cells |
US9632344B2 (en) | 2010-07-09 | 2017-04-25 | Lester F. Ludwig | Use of LED or OLED array to implement integrated combinations of touch screen tactile, touch gesture sensor, color image display, hand-image gesture sensor, document scanner, secure optical data exchange, and fingerprint processing capabilities |
WO2012071107A1 (en) | 2010-11-23 | 2012-05-31 | Qd Vision, Inc. | Device including semiconductor nanocrystals & method |
JP5558446B2 (ja) | 2011-09-26 | 2014-07-23 | 株式会社東芝 | 光電変換装置及びその製造方法 |
US20150243837A1 (en) | 2013-03-15 | 2015-08-27 | Moonsub Shim | Multi-heterojunction nanoparticles, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
DE102014221525B4 (de) | 2014-05-16 | 2021-08-26 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Messsystem |
CN104409475A (zh) | 2014-12-02 | 2015-03-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示器件、有机电致发光显示装置 |
TWI751144B (zh) * | 2016-03-24 | 2022-01-01 | 美商陶氏全球科技責任有限公司 | 光電子裝置及使用方法 |
TWI734754B (zh) * | 2016-03-24 | 2021-08-01 | 美商陶氏全球科技責任有限公司 | 光電子裝置及使用方法 |
-
2017
- 2017-03-15 TW TW106108605A patent/TWI744296B/zh not_active IP Right Cessation
- 2017-03-23 WO PCT/US2017/023736 patent/WO2017165600A1/en active Application Filing
- 2017-03-23 EP EP17716686.5A patent/EP3433851A1/en not_active Ceased
- 2017-03-23 CN CN201780025985.5A patent/CN109643520A/zh active Pending
- 2017-03-23 KR KR1020187028998A patent/KR20190044026A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-03-23 KR KR1020217027259A patent/KR20210108501A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-03-23 KR KR1020207008938A patent/KR20200036056A/ko active Application Filing
- 2017-03-23 US US16/087,478 patent/US10949026B2/en active Active
- 2017-03-23 JP JP2018549290A patent/JP6706340B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008077100A (ja) * | 2000-07-18 | 2008-04-03 | Sony Corp | 画像表示装置 |
JP2002258776A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-11 | Olympus Optical Co Ltd | 表示装置 |
US20030122749A1 (en) * | 2001-12-31 | 2003-07-03 | Booth Lawrence A. | Energy sensing light emitting diode display |
CN1608281A (zh) * | 2001-12-31 | 2005-04-20 | 英特尔公司 | 能量感应式发光二极管显示器 |
JP2005539247A (ja) * | 2001-12-31 | 2005-12-22 | インテル コーポレイション | エネルギをセンスする発光ダイオード・ディスプレイ |
JP2006267696A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Sony Corp | 表示装置及び表示方法 |
KR20080048736A (ko) * | 2006-11-29 | 2008-06-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드소자를 가지는 터치인식 및 표시장치와 그구동방법 |
JP2011502333A (ja) * | 2007-10-30 | 2011-01-20 | イーストマン コダック カンパニー | ブリンキングのない量子ドットを含む装置 |
US20090256810A1 (en) * | 2008-04-15 | 2009-10-15 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Touch screen display |
CN104046359A (zh) * | 2013-03-15 | 2014-09-17 | 伊利诺斯大学科技管理办公室 | 多异质结纳米颗粒、其制备方法以及包含该纳米颗粒的制品 |
US20140264259A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Moonsub Shim | Multi-heterojunction nanoparticles, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
JP2014209587A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-11-06 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | マルチヘテロ接合ナノ粒子、その製造方法および同ナノ粒子を含む物品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3433851A1 (en) | 2019-01-30 |
TWI744296B (zh) | 2021-11-01 |
WO2017165600A1 (en) | 2017-09-28 |
KR20190044026A (ko) | 2019-04-29 |
US10949026B2 (en) | 2021-03-16 |
US20190114032A1 (en) | 2019-04-18 |
KR20210108501A (ko) | 2021-09-02 |
CN109643520A (zh) | 2019-04-16 |
KR20200036056A (ko) | 2020-04-06 |
TW201737761A (zh) | 2017-10-16 |
JP6706340B2 (ja) | 2020-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6748731B2 (ja) | 光電子デバイス及び使用方法 | |
EP2727154B1 (en) | A method and apparatus for detecting infrared radiation with gain | |
JP2020113542A (ja) | 光電子デバイス及び使用方法 | |
KR20130048056A (ko) | 그라핀이 결합된 산화물 반도체-그라핀 핵-껍질 양자점과 이를 이용한 튜너블 발광소자 및 그 제조 방법 | |
KR20200063221A (ko) | 다층 양자점 led 및 이를 제조하는 방법 | |
Narayan et al. | Dual function hybrid polymer-nanoparticle devices | |
JP6832364B2 (ja) | 光電子デバイス及び使用方法 | |
JP6706340B2 (ja) | 光電子デバイス上に画像を生成する方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181012 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20181219 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20181016 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20181219 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20190115 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191016 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191021 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200121 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200422 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200515 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6706340 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |