JP2019512601A - プラズマ堆積方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、プラズマ堆積方法に関連し、これは典型的にはプラズマ化学気相堆積(PECVD)又はプラズマ物理気相堆積(PEPVD)、好ましくはPECVDである。プラズマ堆積プロセスは、典型的には、減圧下で、典型的には0.001から10mbar、好ましくは0.01から1mbar、例えば約0.7mbarで行われる。堆積反応は、プラズマチャンバの内壁及び/若しくは電気アセンブリ、並びに/又はプラズマチャンバの内壁及び/若しくは電気アセンブリ上に既に堆積された層の表面上でin situで生じる。
本発明は、プラズマ堆積による空のプラズマチャンバの内壁への被覆層の堆積を含む。空のプラズマチャンバは、いかなる別個の、又は孤立した物体(例えば電気アセンブリ)も含有しない。したがって、コーティングされる物体がプラズマチャンバ内に存在する場合にのみプラズマ堆積が行われる通常のプラズマ堆積方法とは対照的に、本発明の方法はまず、そのような物体がプラズマチャンバ内に存在しない状態でのプラズマ堆積を含む。
- (i)1種以上の式(A)の炭化水素化合物、又は(ii)1種以上のC1〜C3アルカン、C2〜C3アルケン若しくはC2〜C3アルキン化合物、並びに
- 任意選択の反応性ガス及び任意選択の非反応性ガス
からなる、又は本質的にそれらからなる。
プラズマチャンバの内壁上に被覆層が堆積されたら、コンフォーマルコーティングが堆積される電気アセンブリ等の物体を、プラズマチャンバ内に導入することができる。物体は、典型的には電気アセンブリであるが、プラズマ堆積によりコーティングすることが望ましい任意の他の物体、例えば医療デバイス又は衣料品であってもよい。電気アセンブリは、好ましくはプリント回路基板である。
(a)空のプラズマチャンバ内に、物体、典型的には電気アセンブリを導入し、
(b)プラズマ堆積により、物体、典型的には電気アセンブリ上にコンフォーマルコーティングを堆積させて、コンフォーマルコーティングを有する物体、典型的には電気アセンブリをもたらし、
(c)コンフォーマルコーティングを有する物体、典型的には電気アセンブリをプラズマチャンバから取り出す。
複数の物体に対してコンフォーマルコーティング堆積の反復サイクルが行われる場合、被覆層上に材料の蓄積が生じる。被覆層上に堆積された材料は、大量に存在する場合、プラズマ堆積プロセスに物理的及び/又は化学的に干渉し始める可能性がある。また、コンフォーマルコーティングプロセスの効率も悪影響を受ける可能性がある。したがって、被覆層及びその上に堆積された材料を定期的に除去し、それにより清浄なプラズマチャンバをもたらすことが必要である。当業者は、慣例的な検査及び分析技術を使用して、洗浄ステップを実行することが必要な時期を評価することができる。
本発明において使用される電気アセンブリは、典型的には、絶縁材料を含む基材、基材の少なくとも1つの表面上に存在する複数の導電性トラック、及び少なくとも1つの導電性トラックに接続された少なくとも1つの電気部品を備える。コンフォーマルコーティングは、好ましくは、複数の導電性トラック、少なくとも1つの電気部品、並びに複数の導電性トラック及び少なくとも1つの電気部品が位置する基材の表面を被覆する。代替として、コーティングは、1つ以上の電気部品、典型的にはPCBにおける高価な電気部品を被覆してもよく、一方、電気アセンブリの他の部分は被覆されていない。
本明細書において使用される場合、C1〜C6アルキルという用語は、1個から6個、好ましくは1個から3個の炭素原子を有する直鎖又は分岐状炭化水素基を包含する。その例としては、メチル、エチル、n-プロピル及びi-プロピル、ブチル、ペンチル並びにヘキシルが挙げられる。本明細書において使用される場合、C1〜C3アルキルという用語は、1個から3個、好ましくは1個から2個の炭素原子を有する直鎖又は分岐状炭化水素基を包含する。その例としては、メチル、エチル、n-プロピル及びi-プロピルが挙げられる。
ここで、本発明の態様を、図1から3に示される実施形態を参照して説明するが、図中、同様の参照番号は、同じ又は同様の構成要素を指す。
ここで、本発明の態様を、以下の実施例を参照しながら説明する。
被覆層を、まず空のプラズマチャンバ(すなわち、電気アセンブリを含有しないプラズマチャンバ)の内部表面上に、1,4-ジメチルベンゼンのプラズマ堆積により堆積させる。式CmHnの得られる被覆層は、200nmの厚さである。次いで、蓋をしたプラズマチャンバを使用して、WO2013/132250に記載の技術を用い、電気アセンブリ上にコンフォーマルコーティングを堆積させる。
Claims (17)
- (i)1種以上の式(A)の炭化水素化合物、又は(ii)1種以上のC1〜C3アルカン、C2〜C3アルケン若しくはC2〜C3アルキン化合物を含む前駆体混合物のプラズマ堆積により、空のプラズマチャンバの内壁上に被覆層を堆積させるプラズマ堆積方法であって、
Z1は、C1〜C3アルキル又はC2〜C3アルケニルを表し、
Z2は、水素、C1〜C3アルキル又はC2〜C3アルケニルを表し、
Z3は、水素、C1〜C3アルキル又はC2〜C3アルケニルを表し、
Z4は、水素、C1〜C3アルキル又はC2〜C3アルケニルを表し、
Z5は、水素、C1〜C3アルキル又はC2〜C3アルケニルを表し、
Z6は、水素、C1〜C3アルキル又はC2〜C3アルケニルを表す、プラズマ堆積方法。 - プラズマ堆積が、プラズマ化学気相堆積(PECVD)である、請求項1に記載の方法。
- プラズマ堆積が、0.001から10mbarの圧力で生じる、請求項1又は2に記載の方法。
- 1つ又はそれぞれの式(A)の炭化水素化合物が、1,4-ジメチルベンゼン、1,3-ジメチルベンゼン、1,2-ジメチルベンゼン、トルエン、4-メチルスチレン、3-メチルスチレン、2-メチルスチレン、1,4-ジビニルベンゼン、1,3-ジビニルベンゼン、1,2-ジビニルベンゼン、1,4-エチルビニルベンゼン、1,3-エチルビニルベンゼン及び1,2-エチルビニルベンゼンから選択される、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 式(A)の炭化水素化合物が、1,4-ジメチルベンゼンである、請求項4に記載の方法。
- 1種以上の式(A)の炭化水素化合物が、1,4-ジビニルベンゼン、1,3-ジビニルベンゼン及び1,2-ジビニルベンゼンの混合物である、請求項4に記載の方法。
- 前駆体混合物が、N2O、NO2、NH3、N2、CH4、C2H2、C2H6、C3H6及びC3H8から選択される1種以上の反応性ガスをさらに含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- 前駆体混合物が、He、Ar及びKrから選択される1種以上の非反応性ガスをさらに含む、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 被覆層の厚さが、5nmから1000nmである、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
- 被覆層の堆積の前に、空のプラズマチャンバの内壁の接着特性を改質する前処理ステップを行う、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
- 被覆層の堆積の後に、被覆層の表面処理を行って被覆層の接着特性を改質する、請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。
- 被覆層の堆積の後に、
(a)空のプラズマチャンバ内に物体を導入し、
(b)プラズマ堆積により物体上にコンフォーマルコーティングを堆積させて、コンフォーマルコーティングを有する物体をもたらし、
(c)コンフォーマルコーティングを有する物体をプラズマチャンバから取り出す、請求項1から11のいずれか一項に記載の方法。 - ステップ(a)から(c)を、1回以上反復する、請求項12に記載の方法。
- 物体が、電気アセンブリである、請求項12又は13に記載の方法。
- 電気アセンブリが、プリント回路基板である、請求項14に記載の方法。
- コンフォーマルコーティングを有する物体をプラズマチャンバから取り出した後、被覆層、及びコンフォーマルコーティングの堆積中に被覆層上に堆積された任意の材料を、プラズマチャンバの内壁から除去する、請求項12から15のいずれか一項に記載の方法。
- 被覆層、及びコンフォーマルコーティングの堆積中に被覆層上に堆積された任意の材料を、物理的洗浄技術により除去する、請求項17に記載の方法。
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