JP2019502017A - Apparatus for holding a substrate in a vacuum deposition process, system for depositing a layer on a substrate, and method for holding a substrate - Google Patents

Apparatus for holding a substrate in a vacuum deposition process, system for depositing a layer on a substrate, and method for holding a substrate Download PDF

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Abstract

本開示は、真空堆積処理において基板(10)を保持するための装置(100)を提供する。装置(100)は、支持面(112)、基板(10)及びマスク(20)のうちの少なくとも1つに作用する引力を加えるように構成された複数の電極(122)を有する電極アレンジメント(120)、並びに第1の電圧極性設定と、第1の電圧極性設定とは異なる第2の電圧極性設定とを電極アレンジメント(120)に適用するように構成されたコントローラ(130)であって、第1の電圧極性設定と第2の電圧極性設定との間で切り替えるように構成されたコントローラ(130)を含む。【選択図】図1AThe present disclosure provides an apparatus (100) for holding a substrate (10) in a vacuum deposition process. The apparatus (100) includes an electrode arrangement (120) having a plurality of electrodes (122) configured to apply an attractive force acting on at least one of the support surface (112), the substrate (10) and the mask (20). ), As well as a first voltage polarity setting and a second voltage polarity setting different from the first voltage polarity setting, the controller (130) configured to apply to the electrode arrangement (120), A controller (130) configured to switch between one voltage polarity setting and a second voltage polarity setting. [Selection] Figure 1A

Description

本開示の実施形態は、真空堆積処理において基板を保持するための装置、基板上に層を堆積するためのシステム、及び基板を保持するための方法に関する。本開示の実施形態は、特に、実質的に垂直な配向で基板を保持するための静電チャック(E‐チャック)に関する。   Embodiments of the present disclosure relate to an apparatus for holding a substrate in a vacuum deposition process, a system for depositing a layer on a substrate, and a method for holding a substrate. Embodiments of the present disclosure relate specifically to an electrostatic chuck (E-chuck) for holding a substrate in a substantially vertical orientation.

基板上に層を堆積する技法には、例えば、熱蒸着、物理的気相堆積(PVD)、及び化学気相堆積(CVD)が含まれる。コーティングされた基板は、様々な用途や技術分野で使用することができる。例えば、コーティングされた基板は、マイクロエレクトロニクス分野で使用することができ、例えば、有機発光ダイオード(OLED)デバイス、TFTを有する基板、カラーフィルタなどのために使用することができる。   Techniques for depositing layers on the substrate include, for example, thermal evaporation, physical vapor deposition (PVD), and chemical vapor deposition (CVD). The coated substrate can be used in various applications and technical fields. For example, coated substrates can be used in the microelectronics field, for example, for organic light emitting diode (OLED) devices, substrates with TFTs, color filters, and the like.

真空堆積処理の間、基板及び任意選択的なマスクを基板支持体で保持するために、例えば、機械的クランプのような保持デバイスを用いて、基板を基板支持体によって支持することができる。基板及び/又はマスクは、互いに対して位置合わせされなければならない。過去において基板サイズが継続的に増大している。基板のサイズの増大は、例えば、基板の破損に起因するスループットの犠牲がない状態で基板及びマスクを取り扱い、支持、及び位置合わせすることを益々困難にしている。   To hold the substrate and optional mask with the substrate support during the vacuum deposition process, the substrate can be supported by the substrate support using, for example, a holding device such as a mechanical clamp. The substrate and / or mask must be aligned with respect to each other. In the past, the substrate size has continuously increased. Increasing substrate size makes it increasingly difficult to handle, support, and align substrates and masks without sacrificing throughput due to, for example, substrate breakage.

さらに、真空チャンバの内部で基板を保持するために利用可能な空間が制限され得る。したがって、真空チャンバの内部で基板を保持するために支持システムによって使用される空間を縮小する必要もある。   Furthermore, the space available for holding the substrate inside the vacuum chamber can be limited. Therefore, there is also a need to reduce the space used by the support system to hold the substrate inside the vacuum chamber.

以上の観点から、当該技術の問題の少なくとも幾つかを克服するような、新しい、真空堆積処理において基板を保持するための装置、基板上に層を堆積するためのシステム、及び基板を保持するための方法が有益である。本開示は、特に、例えば、真空堆積処理の間に、正確に位置合わせした配向で基板及び任意選択的なマスクを確実に保持するための装置、システム、及び方法を提供することを目指している。   In view of the foregoing, a new apparatus for holding a substrate in a vacuum deposition process, a system for depositing a layer on a substrate, and a substrate for holding at least some of the problems of the art The method is beneficial. The present disclosure is particularly directed to providing an apparatus, system, and method for securely holding a substrate and an optional mask in a precisely aligned orientation, for example, during a vacuum deposition process. .

以上の観点から、真空堆積処理において基板を保持するための装置、基板上に層を堆積するためのシステム、及び基板を保持するための方法が提供される。本開示のさらなる態様、利点、及び特徴は、特許請求の範囲、明細書、及び添付図面から明らかになる。   In view of the above, an apparatus for holding a substrate in a vacuum deposition process, a system for depositing a layer on a substrate, and a method for holding a substrate are provided. Further aspects, advantages, and features of the present disclosure will become apparent from the claims, specification, and accompanying drawings.

本開示の一態様によれば、真空堆積処理において基板を保持するための装置が提供される。当該装置は、支持面、基板及びマスクのうちの少なくとも1つに作用する引力を加えるように構成された複数の電極を有する電極アレンジメント、並びに第1の電圧極性設定と、第1の電圧極性設定とは異なる第2の電圧極性設定とを電極アレンジメントに適用するように構成されたコントローラであって、第1の電圧極性設定と第2の電圧極性設定との間で切り替えるように構成されたコントローラを含む。   According to one aspect of the present disclosure, an apparatus for holding a substrate in a vacuum deposition process is provided. The apparatus includes an electrode arrangement having a plurality of electrodes configured to apply an attractive force acting on at least one of a support surface, a substrate, and a mask, and a first voltage polarity setting and a first voltage polarity setting. A controller configured to apply a second voltage polarity setting different from the electrode arrangement to the electrode arrangement, wherein the controller is configured to switch between the first voltage polarity setting and the second voltage polarity setting. including.

本開示の別の態様によれば、基板上に層を堆積するためのシステムが提供される。当該システムは、真空チャンバ、真空チャンバ内の1つ又は複数の堆積材料源、及び本明細書に記載された実施形態に係る真空堆積処理において基板を保持するための装置を含む。当該装置は、真空堆積処理の間に基板を保持するように構成されている。   According to another aspect of the present disclosure, a system for depositing a layer on a substrate is provided. The system includes a vacuum chamber, one or more sources of deposition material in the vacuum chamber, and an apparatus for holding a substrate in a vacuum deposition process according to embodiments described herein. The apparatus is configured to hold a substrate during a vacuum deposition process.

本開示のさらなる態様によれば、基板を保持するための方法が提供される。当該方法は、第1の電圧極性設定を電極アレンジメントに適用して、基板及びマスクのうちの少なくとも1つに作用する第1の引力を加えることと、第1の電圧極性設定とは異なる第2の電圧極性設定を電極アレンジメントに適用して、第1の引力とは異なる第2の引力を加えることとを含む。   According to a further aspect of the present disclosure, a method for holding a substrate is provided. The method applies a first voltage polarity setting to the electrode arrangement to apply a first attractive force acting on at least one of the substrate and the mask, and a second different from the first voltage polarity setting. And applying a second attractive force different from the first attractive force to the electrode arrangement.

実施形態は、開示された方法を実行する装置も対象としており、記載された各方法の態様を実行する装置部分を含む。これらの方法の態様は、ハードウェア構成要素を用いて、適切なソフトウェアによってプログラミングされたコンピュータを用いて、これらの2つの任意の組合せによって、又はそれ以外の任意の態様で、実行され得る。さらに、本開示に係る実施形態は、記載される装置を操作する方法も対象とする。記載される装置を操作する方法は、装置のあらゆる機能を実施するための方法の態様を含む。   Embodiments are also directed to apparatus for performing the disclosed methods and include apparatus portions for performing aspects of each described method. These method aspects may be performed using hardware components, using a computer programmed with appropriate software, any combination of these two, or any other aspect. Furthermore, embodiments according to the present disclosure are also directed to methods of operating the described apparatus. The method of operating the described apparatus includes method aspects for performing any function of the apparatus.

本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、実施形態を参照することによって、上で簡単に概説した本開示のより具体的な説明を得ることができる。添付の図面は本開示の実施形態に関連し、以下の記述において説明される。
本明細書に記載された実施形態に係る、第1の電圧極性設定を有する、真空堆積処理において基板を保持するための装置の概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、第2の電圧極性設定を有する、図1Aの装置の概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る電極アレンジメントの概略図を示す。 本明細書に記載されたさらなる実施形態に係る電極アレンジメントの概略図を示す。 本明細書に記載されたさらに別の実施形態に係る電極アレンジメントの概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る電圧極性設定を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、基板上に層を堆積するためのシステムの概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、基板を保持するための方法のフロー図を示す。
In order that the above features of the present disclosure may be understood in detail, a more specific description of the present disclosure, briefly outlined above, may be obtained by reference to embodiments. The accompanying drawings relate to embodiments of the present disclosure and are described in the following description.
FIG. 3 shows a schematic diagram of an apparatus for holding a substrate in a vacuum deposition process having a first voltage polarity setting, according to embodiments described herein. 1B shows a schematic diagram of the apparatus of FIG. 1A, having a second voltage polarity setting, according to embodiments described herein. FIG. FIG. 2 shows a schematic diagram of an electrode arrangement according to embodiments described herein. FIG. 6 shows a schematic diagram of an electrode arrangement according to a further embodiment described herein. FIG. 6 shows a schematic diagram of an electrode arrangement according to yet another embodiment described herein. FIG. 6 illustrates voltage polarity settings according to embodiments described herein. FIG. FIG. 3 shows a schematic diagram of a system for depositing a layer on a substrate, according to embodiments described herein. FIG. 4 shows a flow diagram of a method for holding a substrate, according to embodiments described herein.

ここで、本開示の様々な実施形態が詳細に参照されることになり、その1つ又は複数の実施例が図示される。図面に関する以下の説明の中で、同じ参照番号は同じ構成要素を指している。概して、個々の実施形態に関する相違のみが説明される。各実施例は、本開示の説明のために提供されているが、本開示を限定することが意図されているわけではない。さらに、一実施形態の一部として図示及び説明されている特徴は、さらに別の実施形態をもたらすために、他の実施形態において用いてもよく、又は、他の実施形態と共に用いてもよい。本記載がこのような修正例及び変形例を含むことが意図されている。   Reference will now be made in detail to various embodiments of the disclosure, one or more examples of which are illustrated. Within the following description of the drawings, the same reference numbers refer to the same components. Generally, only the differences with respect to the individual embodiments are described. Each example is provided by way of explanation of the disclosure, but is not intended to limit the disclosure. Moreover, features illustrated and described as part of one embodiment may be used in other embodiments or in conjunction with other embodiments to yield still another embodiment. It is intended that the present description include such modifications and variations.

OLEDコーティングシステムにおいては、基板は、搬送及び堆積の間、双極E‐チャック(bipolar E−chuck)によって保持され得る。コーティングの間、金属マスクを設けることができる。コーティングを行う前にマスクを基板に対して位置合わせすることができる。一例として、位置合わせ処理の間、マスクを基板から約0.2mm以下の距離で設けることができる。このような距離では、金属マスクとE‐チャックとの間の引力は取るに足らないものであり、マスクは、基板10と望ましくない接触をしてしまう恐れがある。従来のシステムでは、コーティング中にマスクを誘引してマスクと基板が確実に全面接触するように、磁石プレートが設けられ得る。   In the OLED coating system, the substrate can be held by a bipolar E-chuck during transport and deposition. A metal mask can be provided during coating. The mask can be aligned with the substrate before coating. As an example, a mask can be provided at a distance of about 0.2 mm or less from the substrate during the alignment process. At such distances, the attractive force between the metal mask and the E-chuck is insignificant and the mask may make undesirable contact with the substrate 10. In conventional systems, a magnet plate can be provided to attract the mask during coating to ensure full contact between the mask and the substrate.

本開示では、基板及び/又はマスクに作用する種々の引力を加える少なくとも2つの異なる電圧極性設定間で切り替え可能なグリッドなどの電極アレンジメントが使用されている。一例として、第1の電圧極性設定は、基板を保持するために基板上に強い力を加えることができ、マスクを基板に対して位置合わせするように、小さな力をマスク上に加えることができる(又はマスクに力を加えない場合もある)。具体的には、例えば、マスクの位置合わせ処理の間にマスクの望ましくない誘引が行われることを避けることができる。第1の電圧極性設定から第2の電圧極性設定への切り替えにより、より一層の力をマスクに加えることができ、それにより、基板とマスクの両方を基板支持体で固定的に保持することができる。したがって、例えば、真空堆積処理の間、基板及び任意選択的なマスクを、正確に位置合わせされた配向で確実に保持することができる。   The present disclosure uses an electrode arrangement such as a grid that is switchable between at least two different voltage polarity settings that apply various attractive forces acting on the substrate and / or mask. As an example, the first voltage polarity setting can apply a strong force on the substrate to hold the substrate, and a small force can be applied on the mask to align the mask with the substrate. (Or you may not apply any force to the mask). Specifically, for example, undesired attraction of the mask can be avoided during the mask alignment process. By switching from the first voltage polarity setting to the second voltage polarity setting, more force can be applied to the mask, so that both the substrate and the mask can be held fixedly by the substrate support. it can. Thus, for example, during a vacuum deposition process, the substrate and optional mask can be reliably held in a precisely aligned orientation.

さらに、例えば、位置合わせの後の堆積処理の間は、マスクと基板との間の全面接触が有益である。この接触は、キャリア/チャックの背面にある磁石プレートを用いて達成することができる。本開示では、磁石プレートがなくてもよい。具体的には、E‐チャックが磁石プレートの機能を取り入れるので、磁石プレートを設ける必要がない。   Further, for example, during the deposition process after alignment, full contact between the mask and the substrate is beneficial. This contact can be achieved using a magnet plate on the back of the carrier / chuck. In the present disclosure, there may be no magnet plate. Specifically, since the E-chuck incorporates the function of a magnet plate, there is no need to provide a magnet plate.

図1Aは、本明細書に記載された実施形態に係る、第1の電圧極性設定を有する、真空堆積処理において基板10を保持するための装置10の概略図を示す。図1Bは、第2の電圧極性設定を有する、図1Aの装置100の概略図を示す。図1A及び図1Bにおいて示された電圧極性設定は、例えば、図2及び図4で示される電極アレンジメントによって提供され得る。装置100は、キャリアのような基板支持体であり得る。具体的には、本開示に係る装置100は、静電力を供給する静電チャック(E‐チャック)であり得る。   FIG. 1A shows a schematic diagram of an apparatus 10 for holding a substrate 10 in a vacuum deposition process having a first voltage polarity setting, according to embodiments described herein. FIG. 1B shows a schematic diagram of the apparatus 100 of FIG. 1A with a second voltage polarity setting. The voltage polarity setting shown in FIGS. 1A and 1B can be provided, for example, by the electrode arrangement shown in FIGS. The apparatus 100 can be a substrate support such as a carrier. Specifically, the apparatus 100 according to the present disclosure may be an electrostatic chuck (E-chuck) that supplies an electrostatic force.

装置100は、支持面112、支持面112で基板10及びマスク20のうちの少なくとも1つを保持するための引力を加えるように構成された複数の電極122を有する電極アレンジメント120、並びにコントローラ130を含む。コントローラ130は、第1の電圧極性設定(例えば、図1A)と、第1の電圧極性設定とは異なる第2の電圧極性設定(例えば、図1B)とを電極アレンジメント120に適用するように構成されている。コントローラ130は、少なくとも第1の電圧極性設定と第2の電圧極性設定との間で切り替えるように構成されている。2つの異なる電圧極性設定間の切り換えが例示されているが、本開示はそれに限定されず、装置100は、2つより多い電圧極性設定、例えば、3つ、4つ、又はさらに5つの異なる電圧極性設定の間で切り替わるように構成され得ることを理解されたい。   The apparatus 100 includes a support surface 112, an electrode arrangement 120 having a plurality of electrodes 122 configured to apply an attractive force to hold at least one of the substrate 10 and the mask 20 on the support surface 112, and a controller 130. Including. The controller 130 is configured to apply a first voltage polarity setting (eg, FIG. 1A) and a second voltage polarity setting (eg, FIG. 1B) different from the first voltage polarity setting to the electrode arrangement 120. Has been. The controller 130 is configured to switch between at least a first voltage polarity setting and a second voltage polarity setting. Although switching between two different voltage polarity settings is illustrated, the present disclosure is not so limited, and apparatus 100 may have more than two voltage polarity settings, eg, three, four, or even five different voltages. It should be understood that it can be configured to switch between polarity settings.

本開示によれば、装置100は、少なくとも2つの異なるモード間で切り替わることができる。この2つの異なるモードは、電極の異なる配線モードであり得る。第1のモードでは、例えば、位置合わせの間、基板上に強い引力が加えられ、マスク上に非常に弱い力が加えられる。一例として、電極は、図5Aの左側で示されているように、細かい交互構造を有し得る。第2のモードでは、基板上に強い引力が加えられ、マスク上に強い力が加えられる。一例として、電極は、図5Aの右側で示されているように、広い交互構造を有し得、又は、単極態様で配線され得る。装置100が磁石プレートの機能をもたらすことができるので、磁石プレートを設ける必要がない。   According to the present disclosure, the device 100 can switch between at least two different modes. The two different modes can be different electrode wiring modes. In the first mode, for example, during the alignment, a strong attractive force is applied on the substrate and a very weak force is applied on the mask. As an example, the electrodes may have a fine alternating structure, as shown on the left side of FIG. 5A. In the second mode, a strong attractive force is applied on the substrate and a strong force is applied on the mask. As an example, the electrodes can have a wide alternating structure, as shown on the right side of FIG. 5A, or can be wired in a monopolar fashion. Since the device 100 can provide the function of a magnet plate, there is no need to provide a magnet plate.

装置100は、支持面112が設けてある本体110を含み得る。この支持面112は、例えば、基板10の背面に接触するように構成された実質的に平坦な表面であり得る。具体的には、基板10は、背面の反対側にあり且つ真空堆積処理の間に層が堆積される前面(「処理面」とも呼ばれる)を有し得る。   Device 100 may include a body 110 provided with a support surface 112. The support surface 112 can be, for example, a substantially flat surface configured to contact the back surface of the substrate 10. Specifically, the substrate 10 may have a front surface (also referred to as a “processing surface”) that is opposite the back surface and on which layers are deposited during a vacuum deposition process.

電極アレンジメント120の複数の電極122が、本体内に組み込まれてよく、又は、本体110上に設けられてもよい(例えば、配置されてもよい)。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、本体110は、誘電体板などの誘電体である。誘電体は、誘電材料、好ましくは、熱分解窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、アルミナ又は等価材料などの高熱伝導性誘電材料から製造され得るが、ポリイミドのような材料から製作されてもよい。幾つかの実施形態では、微細金属片のグリッドのような複数の電極122が、誘電体板上に置かれ、薄い誘電体層で覆われ得る。   The plurality of electrodes 122 of the electrode arrangement 120 may be incorporated into the body or provided (eg, disposed) on the body 110. According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the body 110 is a dielectric, such as a dielectric plate. The dielectric may be made from a dielectric material, preferably a high thermal conductivity dielectric material such as pyrolytic boron nitride, aluminum nitride, silicon nitride, alumina or equivalent material, but may also be made from a material such as polyimide. In some embodiments, a plurality of electrodes 122, such as a grid of fine metal pieces, can be placed on a dielectric plate and covered with a thin dielectric layer.

本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、装置100は、1つ又は複数の電圧を複数の電極122に適用するように構成された1つ又は複数の電圧源を含む。幾つかの実装形態では、1つ又は複数の電圧源は、複数の電極122のうちの少なくとも幾つかの電極を接地するように構成されている。一例として、1つ又は複数の電圧源は、第1の極性を有する第1の電圧、第2の極性を有する第2の電圧、及び/又は複数の電極122への接地を適用するように構成され得る。幾つかの実施形態では、複数の電極のうちの各電極、すべての第2の電極、すべての第3の電極、又はすべての第4の電極は、別の電圧源に接続され得る。   According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the apparatus 100 is configured to apply one or more voltages to a plurality of electrodes 122. Or a plurality of voltage sources. In some implementations, the one or more voltage sources are configured to ground at least some of the plurality of electrodes 122. By way of example, the one or more voltage sources are configured to apply a first voltage having a first polarity, a second voltage having a second polarity, and / or grounding to the plurality of electrodes 122. Can be done. In some embodiments, each electrode of the plurality of electrodes, all second electrodes, all third electrodes, or all fourth electrodes may be connected to another voltage source.

コントローラ130は、1つ又は複数の電圧及び/又は接地を電極アレンジメント120に適用するための1つ又は複数の電圧源を制御するように構成され得る。幾つかの実装形態では、コントローラ130は、1つ又は複数の電圧源内に組み込まれてもよく、逆の可能である。さらなる実装形態では、コントローラ130は、例えば、ケーブル接続及び/又は無線接続を介して1つ又は複数の電圧源に接続された別の存在物として設けられ得る。   The controller 130 may be configured to control one or more voltage sources for applying one or more voltages and / or grounds to the electrode arrangement 120. In some implementations, the controller 130 may be incorporated into one or more voltage sources, and vice versa. In further implementations, the controller 130 may be provided as another entity connected to one or more voltage sources, eg, via a cable connection and / or a wireless connection.

「極性」という用語は、電気的極性、すなわち、負極(−)及び正極(+)のことを指す。一例として、第1の極性が負極性であり、第2の極性が正極性であってもよく、又は、第1の極性が正極性であり、第2の極性が負極性であってもよい。本開示にわたって使用されている「電圧極性設定」とは、電極アレンジメント120、特に複数の電極122に適用された電圧の極性のことを指す。言い換えると、電圧極性設定とは、複数の電極122のうちの少なくとも1つの電極に正極性及び/又は負極性が適用されることを意味する。さらに、複数の電極122のうちの1つ又は複数の電極が接地され得る。引力を加えるために、複数の電極122のうちの少なくとも1つの電極に正極性又は負極性が与えられている限り、電極アレンジメント120は、第1の電圧極性設定及び第2の電圧極性設定などの定義された電圧極性設定を有する。複数の電極のうちのすべての電極が接地された場合、正極性及び/又は負極性がないため、電圧極性設定が存在しないことになり、基板10及び/又はマスク20に対して引力は及ばない。   The term “polarity” refers to electrical polarity, ie, negative electrode (−) and positive electrode (+). As an example, the first polarity may be negative and the second polarity may be positive, or the first polarity may be positive and the second polarity may be negative. . As used throughout this disclosure, “voltage polarity setting” refers to the polarity of a voltage applied to the electrode arrangement 120, in particular the plurality of electrodes 122. In other words, the voltage polarity setting means that positive polarity and / or negative polarity is applied to at least one of the plurality of electrodes 122. Further, one or more of the plurality of electrodes 122 may be grounded. As long as at least one of the plurality of electrodes 122 is given a positive polarity or a negative polarity in order to apply an attractive force, the electrode arrangement 120 has a first voltage polarity setting, a second voltage polarity setting, etc. Has a defined voltage polarity setting. When all of the plurality of electrodes are grounded, there is no positive polarity and / or negative polarity, so there is no voltage polarity setting, and no attractive force is exerted on the substrate 10 and / or the mask 20. .

さらに、複数の電極122は、装置100(例えば、本体110)において空間的配置を有する。したがって、極性の空間的配置は、電圧が適用される電極の空間的配置に対応し得る。言い換えると、「電圧極性設定」という用語は、例えば、極性が支持面112にわたって空間的に分配されるという意味であると理解することもできる。   Further, the plurality of electrodes 122 have a spatial arrangement in the device 100 (eg, the body 110). Thus, the spatial arrangement of polarities can correspond to the spatial arrangement of electrodes to which a voltage is applied. In other words, the term “voltage polarity setting” can also be understood to mean, for example, that the polarity is spatially distributed across the support surface 112.

電極アレンジメント120、及び特に複数の電極122は、チャッキング力のような引力を加えるように構成される。引力は、複数の電極122(又は支持面112)と基板10及び/又はマスク20との間の特定の相対的距離で基板10及び/又はマスク20に作用する力であり得る。引力は、複数の電極122に適用される電圧によって、特に、第1の電圧極性設定及び第2の電圧極性設定によってもたらされる静電力であり得る。引力の大きさは、対応する電圧極性設定及び電圧レベルによって決定され得る。引力は、電圧極性設定を変更し、任意選択的に電圧レベルを変更することによって変えることができる。具体的には、基板10及び/又はマスク20に作用する引力は、第1の電圧極性設定と第2の極性設定との間で切り替えることによって、そして任意選択的に電圧レベルを調節することによって、変えることができる。   The electrode arrangement 120, and particularly the plurality of electrodes 122, are configured to apply an attractive force, such as a chucking force. The attractive force may be a force acting on the substrate 10 and / or the mask 20 at a specific relative distance between the plurality of electrodes 122 (or the support surface 112) and the substrate 10 and / or the mask 20. The attractive force may be an electrostatic force provided by a voltage applied to the plurality of electrodes 122, in particular, by the first voltage polarity setting and the second voltage polarity setting. The magnitude of the attractive force can be determined by the corresponding voltage polarity setting and voltage level. The attractive force can be changed by changing the voltage polarity setting and optionally changing the voltage level. Specifically, the attractive force acting on the substrate 10 and / or the mask 20 is switched between a first voltage polarity setting and a second polarity setting, and optionally by adjusting the voltage level. Can be changed.

幾つかの実装形態では、第1の電圧極性設定と第2の電圧極性設定との間の切り替えは、電極アレンジメント120に適用される電圧の電圧レベルを実質的に一定に保つことを含む。他の実装形態では、第1の電圧極性設定と第2の電圧極性設定との間の切り替えは、電極アレンジメント120に適用される1つ又は複数の電圧の1つ又は複数の電圧レベルを、例えば、同時に増大及び/又は減少させることを含む。一例として、マスク20に作用する引力が増大又は減少している間に基板10に作用する引力を実質的に一定に留めるように、複数の電極122のうちの1つ以上の電極に適用される電圧レベルを増大及び/又は減少させることができる。基板10は、支持面112で固定的に保持することができるが、マスクは、まず位置合わせして、次に誘引して固定することができる。   In some implementations, switching between the first voltage polarity setting and the second voltage polarity setting includes keeping the voltage level of the voltage applied to the electrode arrangement 120 substantially constant. In other implementations, switching between the first voltage polarity setting and the second voltage polarity setting may include one or more voltage levels of one or more voltages applied to the electrode arrangement 120, for example, Simultaneously increasing and / or decreasing. As an example, applied to one or more of the plurality of electrodes 122 such that the attractive force acting on the substrate 10 remains substantially constant while the attractive force acting on the mask 20 is increased or decreased. The voltage level can be increased and / or decreased. The substrate 10 can be held securely on the support surface 112, but the mask can be first aligned and then attracted and fixed.

本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、第1の電圧極性設定及び第2の電圧極性設定は、単極及び双極からなる群から選択され得る。具体的には、単極構成は、一種類のみの極性、すなわち、第1の極性又は第2の極性のいずれかを含み、任意選択的に1つ又は複数の接地された電極を含む。双極構成は、両種類の極性、すなわち、第1の極性及び第2の極性を含み、任意選択的に1つ又は複数の接地された電極を含む。幾つかの実装形態では、装置100は、単極E‐チャック、双極E‐チャック、又は単極構成と双極構成との間で切り替え可能な組み合わされたE‐チャックであり得る。   According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the first voltage polarity setting and the second voltage polarity setting are selected from the group consisting of monopolar and bipolar. obtain. Specifically, a unipolar configuration includes only one type of polarity, ie, either a first polarity or a second polarity, and optionally includes one or more grounded electrodes. A bipolar configuration includes both types of polarities, i.e., a first polarity and a second polarity, and optionally includes one or more grounded electrodes. In some implementations, the apparatus 100 can be a monopolar E-chuck, a bipolar E-chuck, or a combined E-chuck that can be switched between a monopolar configuration and a bipolar configuration.

図1Aを参照すると、電極アレンジメント120は、第1の電圧極性設定を有するように示されている。図1Bは、第2の電圧極性設定を有する電極アレンジメント120を示す。斜め線が入った四角は、例えば、第1の極性を有する電極を示し、空の四角は、例えば、第2の極性を有する電極を示す。図1A及びBの実施例では示されていないが、複数の電極122のうちの少なくとも1つの電極を接地することができることを理解するべきである。   Referring to FIG. 1A, the electrode arrangement 120 is shown having a first voltage polarity setting. FIG. 1B shows an electrode arrangement 120 having a second voltage polarity setting. A square with an oblique line indicates, for example, an electrode having a first polarity, and an empty square indicates, for example, an electrode having a second polarity. Although not shown in the embodiment of FIGS. 1A and B, it should be understood that at least one of the plurality of electrodes 122 can be grounded.

電圧極性設定は、基板10及びマスク20に対して対応する引力を加える。それぞれの電圧極性設定によって加えられる基板10及びマスク20のための引力は異なり得ることに留意されたい。具体的には、引力が作用する存在物に関連して引力を定義することができる。一例として、基板10に作用する引力は、「基板引力」と呼んでもよい。同様に、マスク20に作用する引力は、「マスク引力」と呼んでもよい。ただし、「引力」という用語は、基板引力とマスク引力との両方を包含するであろう。   The voltage polarity setting applies a corresponding attractive force to the substrate 10 and the mask 20. Note that the attractive forces for the substrate 10 and mask 20 applied by each voltage polarity setting may be different. Specifically, the attractive force can be defined in relation to the entity on which the attractive force acts. As an example, the attractive force acting on the substrate 10 may be referred to as “substrate attractive force”. Similarly, the attractive force acting on the mask 20 may be referred to as “mask attractive force”. However, the term “attraction” will encompass both substrate attraction and mask attraction.

引力は、第1の電圧極性設定のための第1の引力、第2の電圧極性設定のための第2の引力であり得、第2の引力は第1の引力と異なる。一例として、第1の引力は、第1の基板引力140及び第1のマスク引力142を含み得る。第2の引力は、第2の基板引力140’及び第2のマスク引力142’を含み得る。第2の基板引力140’は、第1の基板引力140とは異なり得る。同様に、第2のマスク引力142’は、第1のマスク引力142とは異なり得る。他の実施例では、第1の基板引力140及び第2の基板引力140’は、実質的に同じであり得、第2のマスク引力142’は、第1のマスク引力142と異なり得る。   The attractive force may be a first attractive force for setting the first voltage polarity, a second attractive force for setting the second voltage polarity, and the second attractive force is different from the first attractive force. As an example, the first attractive force may include a first substrate attractive force 140 and a first mask attractive force 142. The second attractive force may include a second substrate attractive force 140 'and a second mask attractive force 142'. The second substrate attractive force 140 ′ may be different from the first substrate attractive force 140. Similarly, the second mask attractive force 142 ′ may be different from the first mask attractive force 142. In other examples, the first substrate attractive force 140 and the second substrate attractive force 140 ′ can be substantially the same, and the second mask attractive force 142 ′ can be different from the first mask attractive force 142.

基板10は、E‐チャックであり得る装置100によって加えられた引力によって、支持面112に向けて、(例えば、垂直方向1に対して直角をなす水平方向であり得る方向2に)誘引される。引力は、例えば、摩擦力によって垂直位置で基板10を保持するのに十分な強度であり得る。具体的には、第1の基板引力140及び/又は第2の基板引力140’などの引力は、基板10を支持面112上に実質的に不動に固定するよう構成され得る。例えば、摩擦力を用いて0.5mmのガラス基板を垂直位置に保持するためには、摩擦係数に応じて、約50から100N/m(Pa)の誘引圧力を使用することができる。 Substrate 10 is attracted toward support surface 112 by an attractive force applied by apparatus 100, which may be an E-chuck (eg, in direction 2, which may be a horizontal direction perpendicular to vertical direction 1). . The attractive force can be strong enough to hold the substrate 10 in a vertical position by, for example, a frictional force. In particular, an attractive force such as the first substrate attractive force 140 and / or the second substrate attractive force 140 ′ may be configured to substantially immobilize the substrate 10 on the support surface 112. For example, to hold a 0.5 mm glass substrate in a vertical position using frictional forces, an attractive pressure of about 50 to 100 N / m 2 (Pa) can be used, depending on the coefficient of friction.

図1Aを参照すると、複数の電極122は、第1の電圧極性設定において交互極性を有する。言い換えると、隣接する電極は、反対の極性(例えば、+−+−+−)を有する。図1Bで示されるように、複数の電極は、第2の電圧極性設定において対として設けられている。各対の電極同士は同じ極性を有し、隣接する対は、異なる(交互する)極性を有する。言い換えると、隣接する対は、反対の極性(例えば、++−−++)を有する。   Referring to FIG. 1A, the plurality of electrodes 122 have alternating polarities in the first voltage polarity setting. In other words, adjacent electrodes have opposite polarities (eg, +-++-+-). As shown in FIG. 1B, the plurality of electrodes are provided as a pair in the second voltage polarity setting. Each pair of electrodes has the same polarity, and adjacent pairs have different (alternate) polarities. In other words, adjacent pairs have opposite polarities (eg, ++-++).

図1Aで例示された第1の電圧極性設定は、「細かいグリッド構造」と呼ばれ得る。このような第1の電圧極性設定は、基板10に作用する強い力(第1の基板引力140)及びマスク20に作用する小さい力(第1のマスク引力142)をもたらすことができる。図1Bで例示された第2の電圧極性設定は、「広いグリッド構造」と呼ばれ得る。本実施例では、広いグリッドは、倍の幅又は空間を伴って細かいグリッドのような挙動を示し得る。第2の電圧極性設定は、基板10に作用する実質的に同じ又は減少した力(第2の基板引力140’)及びマスク20に作用する増大した力(第2のマスク引力142’、例えば、引力の4分の1がマスク20に作用する)をもたらすことができる。   The first voltage polarity setting illustrated in FIG. 1A may be referred to as a “fine grid structure”. Such a first voltage polarity setting can provide a strong force acting on the substrate 10 (first substrate attractive force 140) and a small force acting on the mask 20 (first mask attractive force 142). The second voltage polarity setting illustrated in FIG. 1B may be referred to as a “wide grid structure”. In this example, a wide grid may behave like a fine grid with double width or space. The second voltage polarity setting includes substantially the same or reduced force acting on the substrate 10 (second substrate attractive force 140 ′) and increased force acting on the mask 20 (second mask attractive force 142 ′, eg, A quarter of the attractive force acts on the mask 20).

一例として、ラインの幅(個々の電極の幅)及び間隙の幅(隣接する電極同士の間の間隔)を(1mm/1mm)から(0.5mm/0.5mm)へと減少させることにより、基板10にかかる引力を約4倍増大させることができ、マスクにかかる引力を約3.5倍減少させることができる。動作電圧は、基板10にかかる同じ引力に対して約42%減らすことができる。金属マスクであり得るマスク20にかかる引力は、10倍を越えて減少させることができる。   As an example, by reducing the line width (individual electrode width) and gap width (interval between adjacent electrodes) from (1 mm / 1 mm) to (0.5 mm / 0.5 mm), The attractive force applied to the substrate 10 can be increased about 4 times, and the attractive force applied to the mask can be reduced about 3.5 times. The operating voltage can be reduced by about 42% for the same attractive force on the substrate 10. The attractive force on the mask 20, which can be a metal mask, can be reduced by more than 10 times.

本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、第1の電圧極性設定によって加えられた基板10にかかる引力(例えば、第1の基板引力140)及び第2の電圧極性設定によって加えられた基板10にかかる引力(第2の基板引力140’)が、例えば、許容範囲内で実質的に同じであるように、複数の電極に適用される1つ又は複数の電圧を選択することができる。言い換えると、基板10に作用する引力は実質的に一定であり得るが、第1の電圧極性設定から第2の電圧極性設定に切り替わる際に、又は逆に切り替わる際に、マスク20に作用する引力が変化する。電圧極性設定間の切り替えを行う際に、電極アレンジメント120に適用される電圧の少なくとも一部の電圧レベルを調節することにより、引力を調節することができる。   According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the attractive force on the substrate 10 (eg, the first substrate attractive force 140) applied by the first voltage polarity setting. And 1 applied to the plurality of electrodes such that the attractive force on the substrate 10 (second substrate attractive force 140 ′) applied by the second voltage polarity setting is substantially the same within an acceptable range, for example. One or more voltages can be selected. In other words, the attractive force acting on the substrate 10 can be substantially constant, but the attractive force acting on the mask 20 when switching from the first voltage polarity setting to the second voltage polarity setting, or vice versa. Changes. The attractive force can be adjusted by adjusting the voltage level of at least a portion of the voltage applied to the electrode arrangement 120 when switching between voltage polarity settings.

幾つかの実装形態では、第1の電圧極性設定を適用している間、マスク20を基板10及び/又は装置100に対して位置合わせすることができる。一例として、位置合わせ処理の間、基板10の前方でマスク20を1mm未満(100nmから1000nmの間等)の距離で、具体的には200nmから500nmの間の距離で位置付けすることができる。基板10は、位置合わせ処理の間、第1の基板引力140によって支持面112に固定され得る。   In some implementations, the mask 20 can be aligned with respect to the substrate 10 and / or the apparatus 100 while applying the first voltage polarity setting. As an example, during the alignment process, the mask 20 can be positioned in front of the substrate 10 at a distance of less than 1 mm (such as between 100 nm and 1000 nm), specifically between 200 nm and 500 nm. The substrate 10 can be secured to the support surface 112 by a first substrate attractive force 140 during the alignment process.

図1Bで示されているように、マスク20の位置合わせの後、コントローラ130が第2の電圧極性設定に切り替わることができ、マスク20に作用する第2のマスク引力142’がマスク20を支持面112及び基板10に向けて引っ張る。マスク20が装置100で固定的に保持されるように、第2の電圧極性設定が適用され得る。   As shown in FIG. 1B, after alignment of the mask 20, the controller 130 can switch to a second voltage polarity setting, and a second mask attractive force 142 ′ acting on the mask 20 supports the mask 20. Pull towards surface 112 and substrate 10. A second voltage polarity setting can be applied so that the mask 20 is held securely in the apparatus 100.

図示されていないが、マスク20を除外してもよいことを理解されたい。一例として、基板10が支持面112に接触しながらも可動であるように、第1の電圧極性設定における引力を選択することができる。基板10を支持面112に対して位置合わせすることができる。位置合わせの後、第1の電圧極性設定を第2の電圧極性設定に変えて、基板10に作用する引力を増大させ、実質的に不動に基板10を支持面112に固定することができる。   Although not shown, it should be understood that the mask 20 may be omitted. As an example, the attractive force in the first voltage polarity setting can be selected so that the substrate 10 is movable while contacting the support surface 112. The substrate 10 can be aligned with the support surface 112. After alignment, the first voltage polarity setting can be changed to the second voltage polarity setting to increase the attractive force acting on the substrate 10 and fix the substrate 10 to the support surface 112 substantially immobile.

本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、装置100は、(垂直方向1に関連して)実質的に垂直な配向で、特に真空堆積処理の間に、基板10を支持するように構成されている。本開示全体において使用される「実質的に垂直に」という表現は、特に基板の配向を指す場合、垂直方向又は配向から±20°以下(例えば、±10°以下)の偏差を許容することであると理解される。例えば、垂直配向から幾らかの偏差を有する基板支持体がより安定した基板位置をもたらすことができるので、このような偏差が設けられ得る。さらに、基板が前方に傾いた場合、基板表面に達する粒子がより少なくなる。ただし、例えば、真空堆積処理中の基板配向は、実質的に垂直であるとみなされ、これは、水平の基板配向とは異なるとみなされる。水平の基板配向は、水平±20°以下であるとみなされ得る。   According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the apparatus 100 is in a substantially vertical orientation (relative to the vertical direction 1), particularly a vacuum deposition process. In the meantime, the substrate 10 is configured to be supported. The expression “substantially perpendicular” as used throughout this disclosure, particularly when referring to the orientation of the substrate, allows for deviations of ± 20 ° or less (eg, ± 10 ° or less) from the vertical direction or orientation. It is understood that there is. For example, such a deviation can be provided because a substrate support having some deviation from the vertical orientation can provide a more stable substrate position. Further, when the substrate is tilted forward, fewer particles reach the substrate surface. However, for example, the substrate orientation during the vacuum deposition process is considered to be substantially vertical, which is considered different from the horizontal substrate orientation. The horizontal substrate orientation can be considered to be horizontal ± 20 ° or less.

「垂直方向」又は「垂直配向」という用語は、「水平方向」又は「水平配向」と区別されると理解される。つまり、「垂直方向」又は「垂直配向」は、例えば、キャリア及び基板の、実質的に垂直な配向に関連し、正確な垂直方向又は垂直配向からの数度(例えば、最大10°、又はさらに最大15°)の偏差は、依然として「実質的に垂直な方向」又は「実質的に垂直な配向」と見なされる。垂直方向は、重力に対して実質的に平行であり得る。   It is understood that the term “vertical direction” or “vertical orientation” is distinguished from “horizontal direction” or “horizontal orientation”. That is, “vertical direction” or “vertical orientation” refers to, for example, a substantially vertical orientation of the carrier and substrate, eg, several degrees from the exact vertical direction or vertical orientation (eg, up to 10 °, or Deviations of up to 15 ° are still considered “substantially vertical direction” or “substantially vertical orientation”. The vertical direction can be substantially parallel to gravity.

本明細書に記載された実施形態は、例えば、ディスプレイ製造のための大面積基板上の蒸発のために利用され得る。特に、本明細書に記載された実施形態に係る構造体及び方法が提供の対象である基板は、大面積基板である。例えば、大面積基板又はキャリアは、約0.67mの表面領域(0.73m×0.92m)に対応するGEN4.5、約1.4mの表面領域(1.1m×1.3m)に対応するGEN5、約4.29mの表面領域(1.95m×2.2m)に対応するGEN7.5、約5.7mの表面領域(2.2m×2.5m)に対応するGEN8.5、又はさらに約8.7mの表面領域(2.85m×3.05m)に対応するGEN10であり得る。GEN11及びGEN12などのさらに次の世代及びそれに相当する基板領域を同様に実装してもよい。GEN世代の半分のサイズもOLEDディスプレイ製造において提供され得る。 The embodiments described herein can be utilized for evaporation on large area substrates for display manufacturing, for example. In particular, the substrate to which the structures and methods according to the embodiments described herein are provided is a large area substrate. For example, large area substrates or carriers, GEN4.5 corresponds to the surface area of about 0.67m 2 (0.73m × 0.92m), about 1.4 m 2 surface area (1.1 m × 1.3 m) GEN5, corresponding to a surface area of about 4.29 m 2 (1.95 m × 2.2 m), GEN 7.5, corresponding to a surface area of about 5.7 m 2 (2.2 m × 2.5 m) .5, or even GEN10 corresponding to a surface area of about 8.7 m 2 (2.85 m × 3.05 m). Further generations such as GEN11 and GEN12 and corresponding substrate regions may be mounted in the same manner. Half the size of the GEN generation can also be provided in OLED display manufacturing.

本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、基板の厚さは、0.1から1.8mmであり得る。基板の厚さは、約0.9mm以下、例えば、0.5mmであり得る。本明細書で使用される「基板」という用語は、具体的には、例えば、ウエハ、サファイアなどの透明結晶体のスライス、又はガラス板のような実質的非フレキシブル基板を包含し得る。しかしながら、本開示はこれらに限定されず、「基板」という用語は、例えば、ウェブ又はホイル等のフレキシブル基板も包含し得る。「実質的非フレキシブル」という用語は、「フレキシブル」とは区別して理解される。具体的には、実質的非フレキシブル基板は、例えば、0.9mm以下(0.5mm以下等)の厚さを有するガラス板でも、ある程度の可撓性を有することができるが、実質的非フレキシブル基板の可撓性は、フレキシブル基板と比べて低い。   According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the thickness of the substrate can be 0.1 to 1.8 mm. The thickness of the substrate can be about 0.9 mm or less, for example 0.5 mm. The term “substrate” as used herein may specifically include a substantially non-flexible substrate such as, for example, a wafer, a slice of a transparent crystal such as sapphire, or a glass plate. However, the present disclosure is not limited thereto, and the term “substrate” may also include flexible substrates such as webs or foils, for example. The term “substantially inflexible” is understood separately from “flexible”. Specifically, the substantially non-flexible substrate can have a certain degree of flexibility even if it is a glass plate having a thickness of 0.9 mm or less (0.5 mm or less, etc.), but is substantially non-flexible. The flexibility of the substrate is lower than that of the flexible substrate.

本明細書に記載された実施形態によれば、基板は、材料を堆積させるのに適した任意の材料から作られていてよい。例えば、基板は、ガラス(例えば、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス等)、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料、並びに堆積処理によってコーティングできる任意の他の材料及び材料の組合せからなる群から選択された材料から作られてもよい。   According to the embodiments described herein, the substrate may be made from any material suitable for depositing the material. For example, the substrate is a group consisting of glass (eg, soda lime glass, borosilicate glass, etc.), metal, polymer, ceramic, composite material, carbon fiber material, and any other material and combination of materials that can be coated by a deposition process. It may be made from a material selected from:

「マスキング」という表現は、基板10の1つ又は複数の領域上で材料の堆積を減少させる且つ/又は阻むことを含み得る。マスキングは、例えば、コーティング領域を画定するのに有用であり得る。幾つかの用途では、基板10の一部のみがコーティングされ、コーティングされるべきでない部分はマスク20によって覆われる。   The expression “masking” may include reducing and / or preventing material deposition on one or more regions of the substrate 10. Masking can be useful, for example, to define coating areas. In some applications, only a portion of the substrate 10 is coated and the portion that is not to be coated is covered by the mask 20.

図2は、本明細書に記載された実施形態に係る電極アレンジメント220の概略図を示す。   FIG. 2 shows a schematic diagram of an electrode arrangement 220 according to embodiments described herein.

本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、複数の電極222がグリッドとして配置されている。一例として、複数の電極222は、導電性材料のワイヤ、ライン、又は細片であり得る。導電性材料は、金属、銅、アルミニウム、及びそれらの任意の組み合わせからなる群から選択され得る。複数の電極222は、第1の方向で互いに実質的に平行に延在し得る。第1の方向は、ワイヤ、ライン、又は細片の長さの伸張に対応し得る。複数の電極222は、第1の方向に対して直角をなす第2の方向で互いから離間され得る。第2の方向における複数の電極222の隣接する電極同士の間の距離は、0.1mmから5mmの間、具体的には、0.1mmから2mmの間、より具体的には、0.5mmから1mmの間であり得る。   According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the plurality of electrodes 222 are arranged as a grid. As an example, the plurality of electrodes 222 can be wires, lines, or strips of conductive material. The conductive material can be selected from the group consisting of metal, copper, aluminum, and any combination thereof. The plurality of electrodes 222 may extend substantially parallel to each other in the first direction. The first direction may correspond to stretching the length of the wire, line, or strip. The plurality of electrodes 222 may be spaced apart from each other in a second direction that is perpendicular to the first direction. The distance between adjacent electrodes of the plurality of electrodes 222 in the second direction is between 0.1 mm and 5 mm, specifically between 0.1 mm and 2 mm, more specifically 0.5 mm. To 1 mm.

本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、コントローラは、選択的に且つ/又は個別に、第1の極性を有する第1の電圧、第2の極性を有する第2の電圧、及び複数の電極222への接地のうちの少なくとも1つを適用するように構成されている。一例として、装置は、第1の極性を有する第1の電圧、第2の極性を有する第2の電圧、及び複数の電極222への接地のうちの少なくとも1つを選択的に且つ/又は個別に適用するように構成された1つ又は複数の電圧源を含む電圧源アセンブリ224を含み得る。幾つかの実施形態では、複数の電極222の各電極は、それぞれ対応する電圧源に接続されてもよい。さらなる実施形態では、複数の電極222のうちの2つ以上の電極は、同じ電圧源に接続されてもよい。一例として、複数の電極222のうちの4つおきの電極が、同じ電圧源に接続されてもよい。電圧源アセンブリ224は、図1A及び図1Bで示されているように、例えば、第1の電圧極性設定及び第2の電圧極性設定を設けるように構成され得る。   According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the controller can selectively and / or individually have a first voltage having a first polarity, a second Are applied to at least one of the second voltage having the following polarity and the ground to the plurality of electrodes 222. As an example, the apparatus selectively and / or individually selects at least one of a first voltage having a first polarity, a second voltage having a second polarity, and grounding to the plurality of electrodes 222. May include a voltage source assembly 224 that includes one or more voltage sources configured to apply. In some embodiments, each electrode of the plurality of electrodes 222 may be connected to a corresponding voltage source. In further embodiments, two or more of the plurality of electrodes 222 may be connected to the same voltage source. As an example, every fourth electrode of the plurality of electrodes 222 may be connected to the same voltage source. The voltage source assembly 224 may be configured to provide, for example, a first voltage polarity setting and a second voltage polarity setting, as shown in FIGS. 1A and 1B.

本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、複数の電極は、第2の方向の幅を有する。一例として、この幅は、0.1mmから5mmの間、具体的には、0.1mmから2mmの間、より具体的には、0.5mmから1mmの間であり得る。   According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the plurality of electrodes have a width in the second direction. As an example, this width may be between 0.1 mm and 5 mm, specifically between 0.1 mm and 2 mm, more specifically between 0.5 mm and 1 mm.

図3は、本明細書に記載されたさらなる実施形態に係る電極アレンジメント320の概略図を示す。電極アレンジメント320は、「単一グリッド」と呼ばれ得る。   FIG. 3 shows a schematic diagram of an electrode arrangement 320 according to further embodiments described herein. The electrode arrangement 320 may be referred to as a “single grid”.

本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、複数の電極は、1つ又は複数の第1の電極322及び1つ又は複数の第2の電極324を含む。1つ又は複数の第1の電極322は、第1のグリッド及び/又は第1の電極パターンを形成することができる。同様に、1つ又は複数の第2の電極324は、第2のグリッド及び/又は第2の電極パターンを形成することができる。   According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the plurality of electrodes is one or more first electrodes 322 and one or more second electrodes. 324. The one or more first electrodes 322 may form a first grid and / or a first electrode pattern. Similarly, the one or more second electrodes 324 can form a second grid and / or a second electrode pattern.

1つ又は複数の第1の電極322及び/又は1つ又は複数の第2の電極324などの複数の電極は、第1の方向で実質的に互いに平行に延在することができる。第1の方向は、ワイヤ、ライン、又は細片のような電極の長さの伸張に対応し得る。1つ又は複数の第1の電極322は、第1の方向に対して直角をなす第2の方向において互いから第1の距離だけ離間され得る。同様に、1つ又は複数の第2の電極324は、第2の方向において互いから第2の距離だけ離間され得る。第1の距離と第2の距離は実質的に同一であり得る。一例として、第1の距離及び/又は第2の距離は、0.1mmから5mmの間、具体的には、0.1mmから2mmの間、より具体的には、0.5mmから1mmの間であり得る。   A plurality of electrodes, such as one or more first electrodes 322 and / or one or more second electrodes 324, can extend substantially parallel to each other in a first direction. The first direction may correspond to an extension of the length of the electrode, such as a wire, line, or strip. The one or more first electrodes 322 may be separated from each other by a first distance in a second direction perpendicular to the first direction. Similarly, the one or more second electrodes 324 may be separated from each other by a second distance in the second direction. The first distance and the second distance can be substantially the same. As an example, the first distance and / or the second distance is between 0.1 mm and 5 mm, specifically between 0.1 mm and 2 mm, more specifically between 0.5 mm and 1 mm. It can be.

本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、1つ又は複数の第1の電極322及び1つ又は複数の第2の電極324は、交互に配置される。一例として、1つ又は複数の第1の電極322及び1つ又は複数の第2の電極324は、図3で示されているように、交互配置で設けられ得る。具体的には、1つ又は複数の第1の電極322の電極は、1つ又は複数の第2の電極324の2つの隣接する電極間に設けられ得る。同様に、1つ又は複数の第2の電極324の電極は、1つ又は複数の第1の電極322の2つの隣接する電極間に設けられ得る。1つ又は複数の第1の電極322の電極と1つ又は複数の第2の電極324の隣接する電極との間の距離は、第1の距離及び/又は第2の距離の半分であり得る。言い換えると、1つ又は複数の第1の電極322の電極は、1つ又は複数の第2の電極324の2つの隣接する電極間の中央に設けられ得る。同様に、1つ又は複数の第2の電極324の電極は、1つ又は複数の第1の電極322の2つの隣接する電極間の中央に設けられ得る。したがって、電極アレンジメント320の電極間隔(「ライン間隔」とも呼ばれる)は、1つ又は複数の第1の電極322及び/又は1つ又は複数の第2の電極324の電極間隔の半分であり得る。   According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the one or more first electrodes 322 and the one or more second electrodes 324 are alternately Be placed. As an example, the one or more first electrodes 322 and the one or more second electrodes 324 may be provided in an alternating arrangement, as shown in FIG. Specifically, the electrode of one or more first electrodes 322 may be provided between two adjacent electrodes of one or more second electrodes 324. Similarly, the electrode of one or more second electrodes 324 may be provided between two adjacent electrodes of one or more first electrodes 322. The distance between the electrode of the one or more first electrodes 322 and the adjacent electrode of the one or more second electrodes 324 may be half the first distance and / or the second distance. . In other words, the electrode of one or more first electrodes 322 may be provided in the middle between two adjacent electrodes of one or more second electrodes 324. Similarly, the electrode of one or more second electrodes 324 may be provided in the middle between two adjacent electrodes of one or more first electrodes 322. Accordingly, the electrode spacing (also referred to as “line spacing”) of the electrode arrangement 320 may be half of the electrode spacing of the one or more first electrodes 322 and / or the one or more second electrodes 324.

コントローラは、第1の極性を有する第1の電圧、第2の極性を有する第2の電圧、並びに1つ又は複数の第1の電極322及び1つ又は複数の第2の電極324への接地を適用するように構成され得る。幾つかの実装形態では、1つ又は複数の第1の電極322は、第1の極性を有する第1の電圧、第2の極性を有する第2の電圧、或いは1つ又は複数の第1の電極322への接地を適用するために、第1の電圧源に接続され得る。1つ又は複数の第2の電極324は、第1の極性を有する第1の電圧、第2の極性を有する第2の電圧、或いは1つ又は複数の第2の電極324への接地を適用するために、第2の電圧源に接続され得る。1つ又は複数の第1の電極322及び1つ又は複数の第2の電極324は、互いから電気的に絶縁され得る。   The controller is configured to ground a first voltage having a first polarity, a second voltage having a second polarity, and one or more first electrodes 322 and one or more second electrodes 324. May be configured to apply. In some implementations, the one or more first electrodes 322 may include a first voltage having a first polarity, a second voltage having a second polarity, or one or more first electrodes. To apply ground to electrode 322, it can be connected to a first voltage source. The one or more second electrodes 324 apply a first voltage having a first polarity, a second voltage having a second polarity, or a ground to one or more second electrodes 324. To be connected to a second voltage source. The one or more first electrodes 322 and the one or more second electrodes 324 may be electrically isolated from each other.

図4は、本明細書に記載されたさらに別の実施形態に係る電極アレンジメント420の概略図を示す。電極アレンジメント320は、「二重グリッド」と呼ばれ得る。   FIG. 4 shows a schematic diagram of an electrode arrangement 420 according to yet another embodiment described herein. The electrode arrangement 320 may be referred to as a “double grid”.

本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、複数の電極は、1つ又は複数の第1の電極422、1つ又は複数の第2の電極424、1つ又は複数の第2の電極426、及び1つ又は複数の第2の電極428を含む。1つ又は複数の第1の電極422は、第1のグリッド及び/又は第1の電極パターンを形成することができる。1つ又は複数の第2の電極424は、第2のグリッド及び/又は第2の電極パターンを形成することができる。1つ又は複数の第3の電極426は、第3のグリッド及び/又は第3の電極パターンを形成することができる。そして、1つ又は複数の第4の電極428は、第4のグリッド及び/又は第4の電極パターンを形成することができる。1つ又は複数の第1の電極422、1つ又は複数の第2の電極424、1つ又は複数の第3の電極426、並びに1つ又は複数の第4の電極428は、互いから電気的に絶縁され得る。   According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the plurality of electrodes can be one or more first electrodes 422, one or more second electrodes. 424, one or more second electrodes 426, and one or more second electrodes 428. The one or more first electrodes 422 may form a first grid and / or a first electrode pattern. The one or more second electrodes 424 can form a second grid and / or a second electrode pattern. The one or more third electrodes 426 can form a third grid and / or a third electrode pattern. The one or more fourth electrodes 428 can form a fourth grid and / or a fourth electrode pattern. The one or more first electrodes 422, the one or more second electrodes 424, the one or more third electrodes 426, and the one or more fourth electrodes 428 are electrically connected to each other. Can be insulated.

1つ又は複数の第1の電極422、1つ又は複数の第2の電極424、1つ又は複数の第3の電極426、並びに1つ又は複数の第4の電極428は、第1の方向で実質的に互いに平行に延在することができる。第1の方向は、ワイヤ、ライン、又は細片のような電極の長さの伸張に対応し得る。1つ又は複数の第1の電極422は、第1の方向に対して直角をなす第2の方向において互いから第1の距離だけ離間され得る。1つ又は複数の第2の電極424は、第2の方向において互いから第2の距離だけ離間され得る。1つ又は複数の第3の電極426は、第2の方向において互いから第3の距離だけ離間され得る。そして、1つ又は複数の第4の電極428は、第2の方向において互いから第4の距離だけ離間され得る。第1の距離、第2の距離、第3の距離、及び第4の距離は、実質的に同一であり得る。一例として、第1の距離、第2の距離、第3の距離、及び第4の距離は、それぞれ、0.1mmから5mmの間、具体的には、0.1mmから2mmの間、より具体的には、0.5mmから1mmの間であり得る。   One or more first electrodes 422, one or more second electrodes 424, one or more third electrodes 426, and one or more fourth electrodes 428 are in a first direction Can extend substantially parallel to each other. The first direction may correspond to an extension of the length of the electrode, such as a wire, line, or strip. The one or more first electrodes 422 may be spaced apart from each other by a first distance in a second direction perpendicular to the first direction. The one or more second electrodes 424 may be separated from each other by a second distance in the second direction. The one or more third electrodes 426 may be separated from each other by a third distance in the second direction. The one or more fourth electrodes 428 may then be separated from each other by a fourth distance in the second direction. The first distance, the second distance, the third distance, and the fourth distance may be substantially the same. As an example, the first distance, the second distance, the third distance, and the fourth distance are each between 0.1 mm and 5 mm, specifically between 0.1 mm and 2 mm, and more specifically. Specifically, it can be between 0.5 mm and 1 mm.

本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、1つ又は複数の第1の電極422、1つ又は複数の第2の電極424、1つ又は複数の第2の電極426、及び1つ又は複数の第2の電極428は、交互配置される。一例として、電極は、図4で示されるように、交互配置で設けられ得る。具体的には、電極アレンジメントは、あるグリッドの隣接する電極間に、他方の各グリッドの1つの電極が配置されるように構成され得る。一例として、1つ又は複数の第1の電極422によって設けられた第1のグリッドの隣接する電極間に、第2のグリッドの1つの電極、第3のグリッドの1つの電極、及び第4のグリッドの1つの電極が配置される。   According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, one or more first electrodes 422, one or more second electrodes 424, one or The plurality of second electrodes 426 and the one or more second electrodes 428 are interleaved. As an example, the electrodes may be provided in an alternating arrangement, as shown in FIG. Specifically, the electrode arrangement can be configured such that one electrode of each other grid is placed between adjacent electrodes of one grid. As an example, between adjacent electrodes of a first grid provided by one or more first electrodes 422, one electrode of a second grid, one electrode of a third grid, and a fourth One electrode of the grid is arranged.

交互配置において隣接する電極間の距離は、個々のグリッドの電極間の間隔の4分の1(例えば、第1の距離、第2の距離、第3の距離、及び/又は第4の距離の4分の1)であり得る。交互配置において隣接する電極間の距離は、電極アレンジメント420において実質的に一定であり得る。   The distance between adjacent electrodes in the interleaving is a quarter of the spacing between the electrodes of the individual grids (eg, the first distance, the second distance, the third distance, and / or the fourth distance). Quarter)). The distance between adjacent electrodes in an alternating arrangement may be substantially constant in the electrode arrangement 420.

コントローラは、第1の極性を有する第1の電圧、第2の極性を有する第2の電圧、並びに1つ又は複数の第1の電極422、1つ又は複数の第1の電極424、1つ又は複数の第3の電極426、並びに1つ又は複数の第3の電極428への接地を適用するように構成され得る。幾つかの実装形態では、1つ又は複数の第1の電極422は、第1の極性を有する第1の電圧、第2の極性を有する第2の電圧、或いは1つ又は複数の第1の電極422への接地を適用するために、第1の電圧源に接続され得る。1つ又は複数の第2の電極424は、第1の極性を有する第1の電圧、第2の極性を有する第2の電圧、或いは1つ又は複数の第2の電極424への接地を適用するために、第2の電圧源に接続され得る。1つ又は複数の第3の電極426は、第1の極性を有する第1の電圧、第2の極性を有する第2の電圧、或いは1つ又は複数の第3の電極426への接地を適用するために、第3の電圧源に接続され得る。1つ又は複数の第4の電極428は、第1の極性を有する第1の電圧、第2の極性を有する第2の電圧、或いは1つ又は複数の第4の電極428への接地を適用するために、第4の電圧源に接続され得る。交互配置においては、4つおきの電極が同じ電圧供給源に接続される。   The controller includes a first voltage having a first polarity, a second voltage having a second polarity, and one or more first electrodes 422, one or more first electrodes 424, one Or it may be configured to apply a ground to a plurality of third electrodes 426 as well as one or more third electrodes 428. In some implementations, the one or more first electrodes 422 may include a first voltage having a first polarity, a second voltage having a second polarity, or one or more first electrodes. To apply ground to electrode 422, it can be connected to a first voltage source. The one or more second electrodes 424 apply a first voltage having a first polarity, a second voltage having a second polarity, or a ground to one or more second electrodes 424. To be connected to a second voltage source. The one or more third electrodes 426 apply a first voltage having a first polarity, a second voltage having a second polarity, or a ground to one or more third electrodes 426. In order to be connected to a third voltage source. One or more fourth electrodes 428 apply a first voltage having a first polarity, a second voltage having a second polarity, or a ground to one or more fourth electrodes 428. To be connected to a fourth voltage source. In the alternating arrangement, every fourth electrode is connected to the same voltage source.

図4に示された二重グリッドは、数々の双極構成及び単極構成のような複数の電圧極性設定を設けることができる。基板及び/又はマスクのための引力は、高い度合の可撓性で調節され得る。   The double grid shown in FIG. 4 can be provided with multiple voltage polarity settings, such as numerous bipolar and monopolar configurations. The attractive force for the substrate and / or mask can be adjusted with a high degree of flexibility.

図5Aから図5Cは、本明細書に記載された実施形態に係る電圧極性設定を示す。電圧極性設定は、例えば、図1から図4で示された電極アレンジメントを用いて実装され得る。   5A-5C illustrate voltage polarity settings according to embodiments described herein. The voltage polarity setting can be implemented using, for example, the electrode arrangement shown in FIGS.

図5Aは、2つの双極電圧極性設定間の切り替えを示す。具体的には、細かいグリッド501(図5Aの左側)と広いグリッド502(図5Aの右側)との間の切り換えが示されている。図示された切り替えは、例えば、図1A、図1B、図2、及び図4の電極アレンジメントを用いて達成され得る。   FIG. 5A shows switching between two bipolar voltage polarity settings. Specifically, switching between a fine grid 501 (left side of FIG. 5A) and a wide grid 502 (right side of FIG. 5A) is shown. The illustrated switching can be accomplished, for example, using the electrode arrangements of FIGS. 1A, 1B, 2 and 4.

一例として、電極アレンジメントは、1つ又は複数の第1の電極、1つ又は複数の第2の電極、1つ又は複数の第3の電極、及び1つ又は複数の第4の電極を含み得る。電極は、交互配置することができる。図5Aの左側で示されているように、コントローラは、(例えば、正極性を有する)第1の電圧を1つ又は複数の第1の電極及び1つ又は複数の第3の電極に適用するように構成され得る。コントローラは、(例えば、負極性を有する)第2の電圧を1つ又は複数の第2の電極及び1つ又は複数の第4の電極に適用し、第1の電圧極性設定を設けるようにさらに構成され得る。したがって、交互極性を有する細かいグリッド501が設けられる。   As an example, the electrode arrangement may include one or more first electrodes, one or more second electrodes, one or more third electrodes, and one or more fourth electrodes. . The electrodes can be interleaved. As shown on the left side of FIG. 5A, the controller applies a first voltage (eg, having a positive polarity) to one or more first electrodes and one or more third electrodes. Can be configured as follows. The controller further applies a second voltage (eg, having a negative polarity) to the one or more second electrodes and the one or more fourth electrodes to provide a first voltage polarity setting. Can be configured. Therefore, a fine grid 501 having alternating polarity is provided.

図5Aの右側で示されているように、コントローラは、(例えば、正極性を有する)第1の電圧を1つ又は複数の第1の電極及び1つ又は複数の第2の電極に適用するように構成され得る。コントローラは、(例えば、負極性を有する)第2の電圧を1つ又は複数の第3の電極及び1つ又は複数の第4の電極に適用し、第2の電圧極性設定を設けるように構成され得る。したがって、広いグリッド502が設けられ、互いに隣接する電極の対は交互極性を有する。   As shown on the right side of FIG. 5A, the controller applies a first voltage (eg, having a positive polarity) to one or more first electrodes and one or more second electrodes. Can be configured as follows. The controller is configured to apply a second voltage (eg, having a negative polarity) to the one or more third electrodes and the one or more fourth electrodes to provide a second voltage polarity setting Can be done. Accordingly, a wide grid 502 is provided, and pairs of electrodes adjacent to each other have alternating polarities.

細かいグリッドは、減少した力をマスクに加える。第1の電圧極性設定を用いてマスクを位置合わせすることができる一方で、引力がマスクに作用して基板との望ましくない接触が生じることを避けることができる。第2の電圧極性設定に切り替えることにより、増大した力がマスクに加えられ、それにより、位置合わせされて且つ安定した態様でマスクを基板10に固定することができる。さらに、基板への引力は、グリッドの細かさと共に増大する。これにより、より低い電圧でより細かい構造を操作することが可能となる。   A fine grid applies a reduced force to the mask. While the first voltage polarity setting can be used to align the mask, it can be avoided that an attractive force acts on the mask to cause unwanted contact with the substrate. By switching to the second voltage polarity setting, an increased force is applied to the mask, thereby securing the mask to the substrate 10 in an aligned and stable manner. Furthermore, the attractive force on the substrate increases with the fineness of the grid. This makes it possible to operate a finer structure with a lower voltage.

図示されていないが、図5Aの左側に示されている双極電圧極性設定を単極電圧極性設定に切り替えることができる。一例として、コントローラは、第1の電圧又は第2の電圧のみを電極アレンジメントに適用して、第2の電圧極性設定(例えば、図5Bの左側)を設けるように構成され得る。   Although not shown, the bipolar voltage polarity setting shown on the left side of FIG. 5A can be switched to the unipolar voltage polarity setting. As an example, the controller may be configured to apply only the first voltage or the second voltage to the electrode arrangement to provide a second voltage polarity setting (eg, the left side of FIG. 5B).

本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、電圧極性設定間の切り替えを行う際に、電極アレンジメントに適用される電圧の少なくとも一部の電圧レベルを例えば同時に調節することができる。マスクにかかる引力を変えている間に、両方の電圧極性設定について、基板にかかる引力を実質的に同一に維持するため、基板及び/又はマスクに作用する引力を調整することができる。   According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the voltage level of at least a portion of the voltage applied to the electrode arrangement when switching between voltage polarity settings. Can be adjusted simultaneously, for example. While changing the attractive force on the mask, the attractive force acting on the substrate and / or mask can be adjusted to keep the attractive force on the substrate substantially the same for both voltage polarity settings.

図5Bは、2つの双極電圧極性設定間の切り替えを示す。具体的には、細かいグリッド501’(図5Bの左側)と広いグリッド502’(図5Bの右側)との間の切り換えが示されている。図示された切り替えは、例えば、図2及び図3の電極アレンジメントを用いて達成され得る。   FIG. 5B shows switching between two bipolar voltage polarity settings. Specifically, switching between a fine grid 501 '(left side of FIG. 5B) and a wide grid 502' (right side of FIG. 5B) is shown. The illustrated switching can be accomplished, for example, using the electrode arrangements of FIGS.

一例として、電極アレンジメントは、1つ又は複数の第1の電極及び1つ又は複数の第2の電極を含み得る。電極は、交互配置することができる。図5Bの左側で示されているように、コントローラは、(例えば、正極性又は負極性を有する)第1の電圧を1つ又は複数の第1の電極及び1つ又は複数の第2の電極に適用して、極性設定のうちの1つを設けるように構成され得る。したがって、双極の細かいグリッドが設けられる。   As an example, the electrode arrangement may include one or more first electrodes and one or more second electrodes. The electrodes can be interleaved. As shown on the left side of FIG. 5B, the controller may apply a first voltage (eg, having a positive or negative polarity) to one or more first electrodes and one or more second electrodes. And can be configured to provide one of the polarity settings. Accordingly, a bipolar fine grid is provided.

他の電圧極性設定については、図5Bの右側で示されているように、コントローラは、第1の電圧を1つ又は複数の第1の電極(或いは1つ又は複数の第2の電極)に適用し、接地を1つ又は複数の第2の電極(或いは1つ又は複数の第1の電極)に適用するように構成され得る。したがって、双極の広いグリッドが設けられる。   For other voltage polarity settings, the controller applies the first voltage to one or more first electrodes (or one or more second electrodes) as shown on the right side of FIG. 5B. Applying and grounding may be configured to apply to one or more second electrodes (or one or more first electrodes). Therefore, a wide bipolar grid is provided.

図5Cは、双極電圧極性設定501’’(図5Cの左側)と単極電圧極性設定502’’(図5Cの右側)との間の切り替えを示す。図示された切り替えは、例えば、図1及び図4の電極アレンジメントを用いて達成され得る。   FIG. 5C illustrates switching between bipolar voltage polarity setting 501 ″ (left side of FIG. 5C) and unipolar voltage polarity setting 502 ″ (right side of FIG. 5C). The illustrated switching can be accomplished, for example, using the electrode arrangements of FIGS.

一例として、電極アレンジメントは、1つ又は複数の第1の電極及び1つ又は複数の第2の電極を含み得る。電極は、交互配置することができる。図5Cの左側で示されているように、コントローラは、(例えば、正極性を有する)第1の電圧を1つ又は複数の第1の電極に適用し、(例えば、負極性を有する)第2の電圧を1つ又は複数の第2の電極に適用して、第1の電圧極性設定を設けるように構成される。したがって、交互極性を有する双極グリッドが設けられる。   As an example, the electrode arrangement may include one or more first electrodes and one or more second electrodes. The electrodes can be interleaved. As shown on the left side of FIG. 5C, the controller applies a first voltage (eg, having a positive polarity) to one or more first electrodes, and a first (eg, having a negative polarity) A voltage of 2 is applied to the one or more second electrodes to provide a first voltage polarity setting. Therefore, a bipolar grid having alternating polarity is provided.

図5Cの右側で示されているように、コントローラは、第1の電圧(又は第2の電圧)を1つ又は複数の第1の電極或いは1つ又は複数の第2の電極に適用して、第2の電圧極性設定を設けるように構成され得る。1つ又は複数の第1の電極及び1つ又は複数の第2の電極の他方の電極を接地させてもよい。したがって、単極の広いグリッドが設けられる。   As shown on the right side of FIG. 5C, the controller applies a first voltage (or second voltage) to one or more first electrodes or one or more second electrodes. , May be configured to provide a second voltage polarity setting. The other electrode of the one or more first electrodes and the one or more second electrodes may be grounded. Therefore, a monopolar wide grid is provided.

図6は、本明細書に記載された実施形態に係る、基板10上に層を堆積するためのシステム600の概略図を示す。   FIG. 6 shows a schematic diagram of a system 600 for depositing a layer on a substrate 10 according to embodiments described herein.

システム600は、真空チャンバ602、真空チャンバ602内の1つ又は複数の堆積材料源、及び本明細書に記載された実施形態に係る真空堆積処理において基板10を保持するための装置100を含む。装置100は、真空堆積処理の間に基板10を保持するように構成されている。システム600は、例えば、OLEDデバイスの製造のための有機材料の蒸発のために構成され得る。別の実施例では、システムは、スパッタ堆積などのCVD又はPVDのために構成され得る。   The system 600 includes a vacuum chamber 602, one or more sources of deposition material in the vacuum chamber 602, and an apparatus 100 for holding the substrate 10 in a vacuum deposition process according to embodiments described herein. The apparatus 100 is configured to hold the substrate 10 during a vacuum deposition process. System 600 can be configured for evaporation of organic materials, for example, for the manufacture of OLED devices. In another example, the system can be configured for CVD or PVD, such as sputter deposition.

幾つかの実装形態では、1つ又は複数の材料堆積源680は、蒸発源であり得、特に、OLEDデバイスの層を形成するために1つ又は複数の有機材料を基板上に堆積するための蒸発源であり得る。例えば、層堆積処理の間に基板10を支持するための基板支持体又はキャリアであり得る装置100は、線形搬送経路などの搬送経路に沿って、真空チャンバ602の中に搬送され、真空チャンバを通過するように、特に堆積領域を通過するように搬送され得る。   In some implementations, the one or more material deposition sources 680 can be evaporation sources, particularly for depositing one or more organic materials on a substrate to form a layer of an OLED device. It can be an evaporation source. For example, the apparatus 100, which can be a substrate support or carrier for supporting the substrate 10 during a layer deposition process, is transported into the vacuum chamber 602 along a transport path, such as a linear transport path, It can be transported to pass, in particular to pass through the deposition area.

図6で示されているように、さらなるチャンバを真空チャンバ602の隣に設けてもよい。真空チャンバ602は、バルブハウジング604及びバルブユニット606を有するバルブによって、隣接するチャンバから分離され得る。矢印で示されているように、基板10と共に装置100が真空チャンバ602の中に挿入された後、バルブユニット606を閉じることができる。真空チャンバ602内の雰囲気は、例えば、真空チャンバ602に接続された真空ポンプで技術的真空(technical vacuum)を生成することにより個別に制御することができる。   Additional chambers may be provided next to the vacuum chamber 602, as shown in FIG. The vacuum chamber 602 can be separated from adjacent chambers by a valve having a valve housing 604 and a valve unit 606. As indicated by the arrows, the valve unit 606 can be closed after the apparatus 100 with the substrate 10 is inserted into the vacuum chamber 602. The atmosphere in the vacuum chamber 602 can be individually controlled, for example, by generating a technical vacuum with a vacuum pump connected to the vacuum chamber 602.

幾つかの実施形態によると、装置100及び基板10は、堆積材料の堆積の間、静的又は動的である。本明細書に記載された幾つかの実施形態によると、例えば、OLEDデバイスの製造のために、動的堆積処理を提供してもよい。   According to some embodiments, the apparatus 100 and the substrate 10 are static or dynamic during the deposition of the deposition material. According to some embodiments described herein, a dynamic deposition process may be provided, for example, for the manufacture of OLED devices.

幾つかの実装形態では、システム600は、真空チャンバ602を通って延びる1つ又は複数の搬送経路を含み得る。装置100は、例えば、1つ又は複数の材料堆積源680を通過し、1つ又は複数の搬送経路に沿った搬送のために構成され得る。図6では、1つの搬送経路が矢印によって例示されているが、本開示はこれに限定されるものではなく、2つ以上の搬送経路を設けてもよいことを理解するべきである。一例として、それぞれのキャリアの搬送のために、少なくとも2つの搬送経路を互いに対して実質的に平行に配置することができる。1つ又は複数の材料堆積源680を2つの搬送経路の間に配置することができる。   In some implementations, the system 600 may include one or more transport paths that extend through the vacuum chamber 602. The apparatus 100 may be configured for transport along one or more transport paths, for example, passing through one or more material deposition sources 680. In FIG. 6, one conveyance path is illustrated by an arrow, but it should be understood that the present disclosure is not limited to this, and two or more conveyance paths may be provided. As an example, at least two transport paths can be arranged substantially parallel to each other for transport of each carrier. One or more material deposition sources 680 can be positioned between the two transport paths.

図7は、本明細書に記載された実施形態に係る、基板を保持するための方法700のフロー図を示す。当該方法は、本開示に係る装置及びシステムを利用し得る。   FIG. 7 illustrates a flow diagram of a method 700 for holding a substrate, according to embodiments described herein. The method may utilize an apparatus and system according to the present disclosure.

当該方法は、ブロック710では、第1の電圧極性設定を電極アレンジメントに適用して、基板及びマスクのうちの少なくとも1つに作用する第1の引力を加えることを含み、ブロック720では、第1の電圧極性設定とは異なる第2の電圧極性設定を電極アレンジメントに適用して、第1の引力とは異なる第2の引力を加えることを含む。   The method includes applying a first voltage polarity setting to the electrode arrangement at block 710 to apply a first attractive force acting on at least one of the substrate and the mask, and at block 720, the first voltage polarity setting is applied to the electrode arrangement. Applying a second voltage polarity setting different from the first voltage polarity setting to the electrode arrangement to apply a second attractive force different from the first attractive force.

幾つかの実施形態によれば、方法700は、第1の電圧極性設定を適用している間に、基板に対してマスクを位置合わせすること、且つ/又は、第2の電圧極性設定を適用している間に、基板及びマスクを保持することをさらに含む。幾つかの実装形態では、方法700は、基板を実質的に垂直な配向で保持することを含む。   According to some embodiments, the method 700 aligns the mask with respect to the substrate and / or applies the second voltage polarity setting while applying the first voltage polarity setting. The method further includes holding the substrate and the mask during processing. In some implementations, the method 700 includes holding the substrate in a substantially vertical orientation.

本明細書に記載された実施形態によると、基板を保持するための方法は、コンピュータプログラムと、ソフトウェアと、コンピュータソフトウェア製品と、大面積基板を処理するために装置の対応構成要素と通信可能なCPU、メモリ、ユーザインターフェース、及び入出力デバイスを有し得る相互関連コントローラとを使用して、実施され得る。   According to embodiments described herein, a method for holding a substrate is communicable with a computer program, software, a computer software product, and a corresponding component of an apparatus to process a large area substrate. It may be implemented using an interrelated controller that may have a CPU, memory, user interface, and input / output devices.

本開示では、基板及び/又はマスクに作用する種々の引力を加える少なくとも2つの異なる電圧極性設定間で切り替え可能なグリッドなどの電極アレンジメントが使用されている。一例として、第1の電圧極性設定は、基板上に強い力を加えることができ、マスクを基板に対して位置合わせすることができるように、小さな力をマスク上に加えることができる(又はマスクに力を加えない場合もある)。第1の電圧極性設定から第2の電圧極性設定への切り替えにより、より一層の力をマスクに加えることができ、それにより、基板とマスクの両方を基板支持体で固定的に保持することができる。したがって、例えば、真空堆積処理の間、基板及び任意選択的なマスクを、正確に位置合わせされた配向で確実に保持することができる。さらに、E‐チャックが磁石プレートの機能を取り入れるので、磁石プレートを設ける必要がない。   The present disclosure uses an electrode arrangement such as a grid that is switchable between at least two different voltage polarity settings that apply various attractive forces acting on the substrate and / or mask. As an example, the first voltage polarity setting can apply a strong force on the substrate and apply a small force on the mask (or the mask so that the mask can be aligned with the substrate). In some cases). By switching from the first voltage polarity setting to the second voltage polarity setting, more force can be applied to the mask, so that both the substrate and the mask can be held fixedly by the substrate support. it can. Thus, for example, during a vacuum deposition process, the substrate and optional mask can be reliably held in a precisely aligned orientation. Furthermore, since the E-chuck incorporates the function of a magnet plate, there is no need to provide a magnet plate.

以上の記述は、本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の実施形態及びさらなる実施形態が考案されてよく、本開示の範囲は、下記の特許請求の範囲によって決定される。   While the above description is directed to embodiments of the present disclosure, other and further embodiments of the present disclosure may be devised and without departing from the basic scope of the disclosure. Is determined by the following claims.

Claims (15)

真空堆積処理において基板を保持するための装置であって、
支持面、
前記基板及びマスクのうちの少なくとも1つに作用する引力を加えるように構成された複数の電極を有する電極アレンジメント、及び
第1の電圧極性設定と、前記第1の電圧極性設定とは異なる第2の電圧極性設定とを前記電極アレンジメントに適用するように構成されたコントローラであって、前記第1の電圧極性設定と前記第2の電圧極性設定との間で切り替えるように構成された、コントローラ
を備えている装置。
An apparatus for holding a substrate in a vacuum deposition process,
Support surface,
An electrode arrangement having a plurality of electrodes configured to apply an attractive force acting on at least one of the substrate and the mask, and a second voltage setting that is different from the first voltage polarity setting and the first voltage polarity setting. A controller configured to apply to the electrode arrangement a controller configured to switch between the first voltage polarity setting and the second voltage polarity setting. Equipment provided.
前記コントローラが、第1の極性を有する第1の電圧、第2の極性を有する第2の電圧、及び前記複数の電極への接地のうちの少なくとも1つを選択的に適用するように構成されている、請求項1に記載の装置。   The controller is configured to selectively apply at least one of a first voltage having a first polarity, a second voltage having a second polarity, and ground to the plurality of electrodes. The apparatus of claim 1. 前記複数の電極が、1つ又は複数の第1の電極及び1つ又は複数の第2の電極を含み、前記コントローラが、第1の極性を有する第1の電圧、第2の極性を有する第2の電圧、並びに前記1つ又は複数の第1の電極及び前記1つ又は複数の第2の電極への接地を適用するように構成されている、請求項1又は2に記載の装置。   The plurality of electrodes include one or more first electrodes and one or more second electrodes, and the controller has a first voltage having a first polarity and a second polarity having a second polarity. 3. The apparatus of claim 1, wherein the apparatus is configured to apply two voltages and a ground to the one or more first electrodes and the one or more second electrodes. 前記複数の電極が、1つ又は複数の第3の電極及び1つ又は複数の第4の電極をさらに含み、前記コントローラが、第1の極性を有する第1の電圧、第2の極性を有する第2の電圧、並びに前記1つ又は複数の第3の電極及び前記1つ又は複数の第4の電極への接地を適用するように構成されている、請求項3に記載の装置。   The plurality of electrodes further include one or more third electrodes and one or more fourth electrodes, and the controller has a first voltage having a first polarity and a second polarity. The apparatus of claim 3, configured to apply a second voltage and ground to the one or more third electrodes and the one or more fourth electrodes. 前記コントローラが、前記第1の電圧を前記1つ又は複数の第1の電極に適用し、前記第2の電圧又は接地を前記1つ又は複数の第2の電極に適用して、前記第1の電圧極性設定を設けるように構成されている、請求項3又は4に記載の装置。   The controller applies the first voltage to the one or more first electrodes, applies the second voltage or ground to the one or more second electrodes, and the first voltage is applied to the one or more second electrodes. An apparatus according to claim 3 or 4, wherein the apparatus is configured to provide a voltage polarity setting of: 前記コントローラが、前記第1の電圧を前記1つ又は複数の第1の電極及び前記1つ又は複数の第2の電極のうちの少なくとも1つに適用して、前記第2の電圧極性設定を設けるように構成されている、請求項5に記載の装置。   The controller applies the first voltage to at least one of the one or more first electrodes and the one or more second electrodes to set the second voltage polarity setting. The apparatus of claim 5, wherein the apparatus is configured to provide. 前記コントローラが、前記第1の電圧を前記1つ又は複数の第1の電極及び前記1つ又は複数の第3の電極に適用するように構成され、前記コントローラが、前記第2の電圧を前記1つ又は複数の第2の電極及び前記1つ又は複数の第4の電極に適用して、前記第1の電圧極性設定を設けるように構成されている、請求項4に記載の装置。   The controller is configured to apply the first voltage to the one or more first electrodes and the one or more third electrodes, the controller applying the second voltage to the one or more third electrodes. The apparatus of claim 4, wherein the apparatus is configured to apply to one or more second electrodes and the one or more fourth electrodes to provide the first voltage polarity setting. 前記コントローラが、前記第1の電圧を前記1つ又は複数の第1の電極及び前記1つ又は複数の第2の電極に適用するように構成され、前記コントローラが、前記第2の電圧を前記1つ又は複数の第3の電極及び前記1つ又は複数の第4の電極に適用して、前記第2の電圧極性設定を設けるように構成されている、請求項7に記載の装置。   The controller is configured to apply the first voltage to the one or more first electrodes and the one or more second electrodes, and the controller applies the second voltage to the one or more second electrodes. The apparatus of claim 7, wherein the apparatus is configured to apply to one or more third electrodes and the one or more fourth electrodes to provide the second voltage polarity setting. 前記コントローラが、前記第1の電圧又は前記第2の電圧のみを前記電極アレンジメントに適用して、前記第2の電圧極性設定を設けるように構成されている、請求項7に記載の装置。   8. The apparatus of claim 7, wherein the controller is configured to apply only the first voltage or the second voltage to the electrode arrangement to provide the second voltage polarity setting. 前記1つ又は複数の第1の電極及び前記1つ又は複数の第2の電極が交互に配置されており、或いは、前記1つ又は複数の第1の電極、前記1つ又は複数の第2の電極、前記1つ又は複数の第3の電極、並びに前記1つ又は複数の第4の電極が交互に配置されている、請求項2又は3に記載の装置。   The one or more first electrodes and the one or more second electrodes are alternately arranged, or the one or more first electrodes, the one or more second electrodes 4. The apparatus according to claim 2, wherein the electrodes, the one or more third electrodes, and the one or more fourth electrodes are arranged alternately. 前記引力が、前記第1の電圧極性設定のための第1の基板引力及び第1のマスク引力、並びに前記第2の電圧極性設定のための第2の基板引力及び第2のマスク引力を含み、前記第2のマスク引力は前記第1のマスク引力とは異なる、請求項1から10のいずれか一項に記載の装置。   The attractive force includes a first substrate attractive force and a first mask attractive force for setting the first voltage polarity, and a second substrate attractive force and a second mask attractive force for setting the second voltage polarity. The apparatus according to claim 1, wherein the second mask attractive force is different from the first mask attractive force. 基板上に層を堆積するためのシステムであって、
真空チャンバ、
前記真空チャンバ内の1つ又は複数の堆積材料源、及び
前記真空チャンバ内の請求項1から11のいずれか一項に記載の装置であって、真空堆積処理の間に前記基板を保持するように構成された装置
を含むシステム。
A system for depositing a layer on a substrate, comprising:
Vacuum chamber,
12. The source of one or more deposition materials in the vacuum chamber and the apparatus of any one of claims 1 to 11 in the vacuum chamber to hold the substrate during a vacuum deposition process. A system that includes a device configured for.
基板を保持するための方法であって、
第1の電圧極性設定を電極アレンジメントに適用して、前記基板及びマスクのうちの少なくとも1つに作用する第1の引力を加えることと、
前記第1の電圧極性設定とは異なる第2の電圧極性設定を前記電極アレンジメントに適用して、前記第1の引力とは異なる第2の引力を加えることと
を含む方法。
A method for holding a substrate, comprising:
Applying a first voltage polarity setting to the electrode arrangement to apply a first attractive force acting on at least one of the substrate and the mask;
Applying a second voltage polarity setting different from the first voltage polarity setting to the electrode arrangement to apply a second attractive force different from the first attractive force.
前記第1の電圧極性設定を適用している間に前記基板に対して前記マスクを位置合わせすることと、
前記第2の電圧極性設定を適用している間に前記基板及び前記マスクを保持することと
のうちの少なくとも1つをさらに含む、請求項13に記載の方法。
Aligning the mask with respect to the substrate while applying the first voltage polarity setting;
The method of claim 13, further comprising at least one of holding the substrate and the mask while applying the second voltage polarity setting.
実質的に垂直な配向で前記基板を保持することをさらに含む、請求項13又は14に記載の方法。   15. The method of claim 13 or 14, further comprising holding the substrate in a substantially vertical orientation.
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