JP2019220161A - ハプティック・アクチュエータの減衰 - Google Patents

Abstract

【課題】ハプティック振動を減衰させるための装置及び方法を提供する。【解決手段】ハプティック出力装置は、装置ハウジング内に配置される。ハプティック出力装置は、ハプティック・アクチュエータ２１０およびハプティック質量を有し、ハプティック質量はハウジングに対して動くことができる。減衰機構は、装置ハウジング内に配置される。コントローラ１８６は、第１の時刻で、ハプティック信号を発生させて、ハプティック・アクチュエータ２１０に送出し、第１の時刻の後に生じる第２の時刻で、減衰信号を発生させて減衰機構に送出する。方法は、ハウジング内にあるハプティック質量を動かすステップと、ハプティック質量を動かすステップに応じてハウジングを振動させるステップと、ある期間の後に、ハプティック質量の動きを減衰させるステップと、ハプティック質量の動きを減衰させるステップに応じてハウジングの振動を実質的に除去するステップを含む。【選択図】図１２

Description

本特許文書はハプティック・アクチュエータ（haptic actuators）に関し、より詳細には、ハプティック・アクチュエータの減衰（damping）に関する。

ハプティック効果（haptic effects）は、人と電子装置の相互作用を高めるために用いられる。ハプティック効果によって、使用者は、典型的にはハプティック出力装置によって発生させられた接触感覚または触覚感覚（touch or tactile sensation）を経験することができる。このような装置は一般に、質量（mass）を前後に駆動して、または動かして振動を生成するハプティック・アクチュエータを有する。動作時、ハプティック信号は、ハプティック・アクチュエータに加えられてハプティック・アクチュエータを動かす、または振動させる。次いで、ハプティック・アクチュエータは、質量を動かして振動を発生させる。振動を止めるために、ハプティック信号は止められ、次いで、ブレーキ・パルスまたは信号がハプティック・アクチュエータに加えられる。ブレーキ・パルスまたは信号は、ハプティック信号とは位相がずれ、典型的には１８０°位相がずれている。これは、ハプティック・アクチュエータが逆方向に動くように促し、それによって、アクチュエータおよびハプティック質量（haptic mass）の動きが止まる。

このようなハプティック出力装置に伴う問題としては、ハプティック事象（haptic event）に関連した事象が終わった後に、ある期間の間、ハプティック・アクチュエータが振動し続ける、または動き続けるテール振動（tail vibration）を質量が有する可能性があることである。ハプティック効果が所望の期間より長く続く。その結果、このようなブレーキ技法は、極めて短時間のハプティック効果を発生させるためには有効ではない。

この特許文書の一態様は、ハプティック振動を減衰させるための装置を対象とする。ハプティック出力装置は、装置ハウジング内に配置される。ハプティック出力装置は、ハプティック・アクチュエータおよびハプティック質量を有し、ハプティック質量はハウジングに対して動くことができる。減衰器（damper）は、装置ハウジング内に配置される。コントローラは、第１の時刻で、ハプティック信号を発生させて、ハプティック・アクチュエータに送出し、第１の時刻の後に生じる第２の時刻で、減衰信号（damping signal）を発生させて、減衰器に送出するようにプログラムされる。

この特許文書の別の態様は、ハプティック振動を減衰させる方法を対象とする。本方法は、ハウジング内にあるハプティック質量の位置を動かすステップと、ハプティック質量を動かすステップに応じてハウジングを振動させるステップと、ある期間の後に、ハプティック質量の動きを減衰させるステップと、ハプティック質量の動きを減衰させるステップに応じてハウジングの振動を実質的に除去するステップとを含む。

時間に対するハプティック質量の動きを示す曲線で、ハプティック質量は時刻ｔ_１で減衰されている。 シンバル（cymbal）を有するハプティック・アクチュエータの上面図である。 図２に示したハプティック・アクチュエータの側面図である。 図２に示したハプティック・アクチュエータの、ライン４−４に沿った断面図である。 図２から４に示したハプティック・アクチュエータを有するハプティック出力装置、および減衰装置の側面図である。 代替の減衰装置と、図５に示したハプティック出力装置との側面図である。 代替の減衰装置と、図５および６に示したハプティック出力装置との側面図である。 代替の減衰装置と、図５〜７に示したハプティック出力装置との側面図である。 リニア共振アクチュエータを有するハプティック出力装置および減衰装置の側面断面図である。 代替の減衰装置と、図９に示したハプティック出力装置との側面断面図である。 代替の減衰装置と、図９および１０に示したハプティック出力装置の側面断面図である。 図１〜１１に示したハプティック・アクチュエータおよび減衰装置を動作させるためのコントローラの機能ブロック図である。 センサから入力を受け取る、図１２に示したコントローラの機能ブロック図である。

図面を参照して様々な実施形態を詳細に説明する。ここでは、いくつかの図面にわたって、類似の参照符号は類似の部品および組立体を表す。様々な実施形態を参照するが、これらは添付の特許請求の範囲を限定するものではない。さらに、本明細書で述べるいかなる例も、限定することを意図したものでなく、添付の特許請求の範囲に対する多くの可能な実施形態のうちのいくつかを述べたものすぎない。

適切な場合はいつでも、単数形で用いられている用語は複数形を含み、また、その逆の場合もある。本明細書では、「１つ（ａ）」の使用は、特に断らない限り、または「１つまたは複数（ｏｎｅ ｏｒ ｍｏｒｅ）」の使用が明らかに不適切でない限り、「１つまたは複数」を意味する。「または（ｏｒ）」の使用は、特に断らない限り、「および／または」を意味する。「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅ、ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ、ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ、ｉｎｃｌｕｄｅｓ、ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「有する（ｈａｓ、ｈａｖｉｎｇ）」の使用は相互に交換可能であって、限定することを意図したものではない。「など（ｓｕｃｈ ａｓ）」という用語もまた、限定することを意図したものではない。例えば、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」という用語は、「含むが、それに限定されるものではない」を意味するものとする。

本明細書で開示される値および構造物は近似的なものであり、これらは、環境因子、製造工程および製造機器における公差および誤差範囲（tolerances and margins of error）、異なる材料の性能、装置の摩損、ならびに他の因子などの様々な因子のため変わり得る。近似の用語の例としては、「約（ａｂｏｕｔ）」、「ほぼ（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ）」、および「実質的に（ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙ）」が含まれる。

大まかに言えば、本特許文書は、ハプティック出力装置の動きまたは振動を減少させるまたは除去するためにハプティック・アクチュエータの動きを減衰させることに関する。減衰させるということは、アクチュエータの動きを小さくする、または完全に止めることとすることができる。本明細書で開示する実施形態の利点は、ハプティック・アクチュエータを極めて急速に減衰させて、その結果、極めて短いハプティック効果を発生させることができることである。極めて短いハプティック効果が有用になり得る用途としては、クリックなどの極めて短い触覚感覚を有するボタンまたはスイッチをシミュレートまたはエミュレートすることが含まれる。別の例は、ボールが弾むのをシミュレートする触覚感覚である。

ハプティック効果を発生させることに対する多くの他の用途があり得る。例えば、本明細書で開示する実施形態はまた、より長い持続時間を有するハプティック効果とともに用いることができる。減衰を徐々に増大／減少させて、直線運動、回転、加速、減速、あるいは坂を上りまたは下りすること、の感覚を与えることができる。さらに他の例では、電子装置が、タッチ・スクリーンまたは自由空間での身ぶりなどのユーザ・インタフェースを通じて、身ぶりを感知すると減衰を変えることができる。電子装置が、（１）上下、（２）左右、（３）前後、（４）ヨー（yaw）（鉛直軸周りの回転または運動）、（５）ピッチ（水平軸周りの回転または運動）、および（６）ロール（roll）（直交水平軸周りの回転または運動）の６自由度（６ＤＯＦ：ｓｉｘ ｄｅｇｒｅｅｓ ｏｆ ｆｒｅｅｄｏｍ）にわたって動いてもまた、減衰を変えることができる。減衰を増大させる、減衰を減少させる、減衰を昇降させる、減衰を調整する、減衰を振動させる、減衰の長さまたは振幅の他の変化、およびこれらの組み合わせによって減衰を変えることができる。このタイプの減衰の制御は、ハプティック効果を設計するとき、ハプティック開発者に非常に大きな柔軟性を与える。

本明細書で使用するとき、ハプティック・アクチュエータは、ハプティック質量の動きを制御するハプティック・アクチュエータを含む、機械的な動きを有する任意のアクチュエータとすることができる。ハプティック・アクチュエータの例としては、モータなどの機構、ソレノイドなどのリニア・アクチュエータ、磁気または電磁機構、ならびに形状記憶合金、圧電材料、電気活性ポリマ、およびスマート流体（smart fluids）を含む材料などのスマート材料が含まれる。

本明細書で開示し、減衰機構とともに用いられるハプティック・アクチュエータは、シンバルを駆動して圧電変換器の振動を増幅する圧電変換器を有する圧電アクチュエータ、およびばねに取り付けられた質量が前後に駆動されるリニア共振アクチュエータ（ＬＲＡ：Ｌｉｎｅａｒ Ｒｅｓｏｎａｎｔ Ａｃｔｕａｔｏｒ）を含む。

しかしながら、本明細書で開示するものなどの減衰機構は、機械的な運動を発生させる任意のタイプのハプティック・アクチュエータとともに用いることができる。他の例としては、他のタイプの圧電アクチュエータ、他のタイプのＬＲＡ、ソレノイド共振アクチュエータ（ＳＲＡ：ｓｏｌｅｎｏｉｄ ｒｅｓｏｎａｎｔ ａｃｔｕａｔｏｒ）、電磁アクチュエータ、偏心回転質量（ＥＲＭ：Ｅｃｃｅｎｔｒｉｃ Ｒｏｔａｔｉｎｇ Ｍａｓｓ）を駆動するモータまたはスマート材料、外力に曝された（exposed）ときに、または外力に刺激を受けたときに動く（電気活性ポリマまたは形状記憶合金などの）スマート材料、ボイス・コイル・アクチュエータ、電気活性ポリマ（ＥＡＰ：ｅｌｅｃｔｒｏ−ａｃｔｉｖｅ ｐｏｌｙｍｅｒ）アクチュエータ、可動磁石アクチュエータ、スマート・ゲル、変形可能な表面、あるいは任意の他のハプティック出力装置またはハプティック出力装置を振動させる機械的な動きを有する構成部品群が含まれる。

さらに、本明細書で開示するハプティック・アクチュエータおよび減衰機構は、ハプティック効果を有することが望ましい任意の電子装置とともに使用することができる。例としては、携帯電話、スマート・フォン、ゲーム・コントローラ、タブレット・コンピュータ、計算器、ゲーム機、ハプティック動作可能なウェアラブル装置、医療装置、医療用モニタ、安全機器、ＧＰＳ装置、自動車構成部品、眼鏡、ヘルメット、腕時計、スマート・ウォッチ、および任意の他の電子装置が含まれる。

図１は、減衰前後のハプティック・アクチュエータの動きをプロットしたグラフである。このグラフは、時間とともに動くハプティック・アクチュエータの振幅ａをプロットしたものである。減衰は時刻ｔ_１において始まる。グラフの振幅軸に沿った０の振幅値は、アクチュエータが自然状態または静止状態にあるときのアクチュエータの位置である。本明細書で開示する実施形態は、ゼロ（０）の時刻と時刻ｔ_１との間の期間が望ましいまたは決められた任意の値を有するように構成またはプログラムすることができる。１つの可能な例では、時刻ｔ_１は１５マイクロ秒である。あるいは、ハプティック・アクチュエータの動きを減少させるように減衰させることはできるが、動きを完全に取り除くことはできない。さらに他の実施形態では、ハプティック・アクチュエータの動きは、ハプティック・アクチュエータの減衰を様々な時点で増減して様々なハプティック効果を生成するように制御される。

図２から４は、対向するシンバル１０２ａと１０２ｂの間に配置された圧電変換器１１４を有するハプティック・アクチュエータ１００を示す。各シンバルは、縁部１０４と、弓形部（bow）１０８と、縁部１０４と弓形部１０８の間をつなぐテーパ部（taper）１０６とを有する。さらに、各シンバル１０２ａおよび１０２ｂと圧電変換器１１４の間に空洞（cavity）１１２が画定される。各シンバル１０２ａおよび１０２ｂはまた、それの弓形部１０８内に、空洞１１２と流体連通（in fluid communication）するポート１１０を有する。動作時、電気信号またはハプティック信号が圧電変換器１１４に加えられると、圧電変換器１１４は動いて、または曲がって振動する。シンバル１０２ａおよび１０２ｂは振動を増幅し、金属などの任意の適切な材料より作ることができる。図２に示したハプティック・アクチュエータ１００の例は、ニューヨーク州ユニオンデールのＴＤＫ Ｕ．Ｓ．Ａ． ＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎからＰｏｗｅｒＨａｐ（登録商標）という商品名で市販されている。

図５は、固定台１１８と、ハプティック質量１２０と、ばね１２２ａおよび１２２ｂと、減衰機構１２４と、ハプティック・アクチュエータ１００とを有するハプティック出力装置１１６を示す。この実施形態では、固定台１１８は、ハプティック出力装置１１６の他の構成部品に対して固定された、または動くことができない位置にあり、またハプティック出力装置１１６が取り付けられた電子装置に対して固定された位置にある。ハプティック質量１２０は、ばね１２２ａおよび１２２ｂによって固定台１１８に動作可能に接続される。ハプティック・アクチュエータ１００は、固定台１１８と移動質量（moving mass）１２０の間に配置される。シンバル１０２ｂは、固定台１１８の方を向いてそれに動作可能に接続され、シンバル１０２ａは、移動質量１２０の方を向いてそれに動作可能に接続される。ハプティック出力装置１１６は、電子装置内に取り付けられる。

減衰機構１２４は、移動質量１２０の近位に配置される。例示的な実施形態では、減衰機構１２４は、移動質量１２０の非常に近くに配置されるが、接触はしない。他の代替の実施形態では、電磁減衰器１２４は、移動質量１２０およびハプティック・アクチュエータ１００の動きを制御することができる限り、移動質量１２０に対して他の位置を有することができる。

例示的な実施形態ではまた、減衰機構１２４は、電磁減衰機構を形成するように電気コイルを含む。移動質量１２０は、磁場によって吸引または反発する（attract or repel）鉄系材料を含む。動作時、ハプティック・アクチュエータ１００の圧電変換器１１４は、それを振動させる電気信号またはハプティック駆動信号を受け取る。シンバル１０２ａおよび１０２ｂは振動を増幅して、ハプティック質量１２０を固定台１１８に対して動かす。移動質量１２０は振動して、ハプティック出力装置１１６が取り付けられた電子装置もまた振動させる。所定の期間が経過するなど決められた事象後に、減衰機構１２４はエネルギーが与えられる。減衰機構１２４が電磁コイルを含む場合、電流がコイルを流れ、次いでコイルが、移動質量１２０を吸引または反発して動きまたは振動を止める磁場を発生させる。磁場が移動質量１２０を吸引するか反発するかは、電磁コイルを通る電流の方向およびその結果生じる磁場の向きによる。あるいは、電磁減衰器１２４は、それの磁場をハプティック質量１２０に対して加えることに加えて、またはその代わりに、その磁場を直接ハプティック・アクチュエータ１００に加えるように配置される。

他の実施形態では、減衰機構１２４は、ハプティック質量１２０またはハプティック・アクチュエータ１００の動きを止めるための、電磁コイル以外の機構、または電磁コイルに加えた機構を有する。例えば、減衰機構１２４は、電場を発生させる材料または変換器を有することができ、移動質量１２０は、電場に曝されたときに決められた方向に動くように促される材料を有することができる。

代替の実施形態では、シンバル１０２ａおよび１０２ｂの一方または両方の空洞１１２は、磁場、電場、電流、または電圧などの外力に曝される、または刺激されると、粘度が変化するスマート流体で満たされる。例示的な実施形態では、スマート流体の粘度は、刺激されていないと約１ｍＰａｓから約１００ｍＰａｓの範囲であり、スマート流体の粘度は、刺激されると約１００ｍＰａｓから約１０，０００ｍＰａｓの範囲である。

スマート流体の一例は、磁気粘性流体（ＭＲＦ：ｍａｇｎｅｔｏｒｈｅｏｌｏｇｉｃａｌ ｆｌｕｉｄ）などの強磁性流体（ferrofluid）である。ＭＲＦは、媒体流体中に懸濁された大きなサイズの磁性粒子である。磁性粒子は、磁場に曝す（expose）ことによって選択的に分極されることができる。磁化されていない状態では、磁性粒子は、媒体流体中にランダムに分散されている。磁場が強いほどＭＲＦの粘度は高く、磁場が弱いほどＭＲＦの粘度は低い。磁場が無ければ、ＭＲＦは、ハプティック・アクチュエータ１００の動きまたは振動に対して最小限の減衰しか与えない。

ＭＲＦが、減衰機構１２４のコイルからの磁場に曝されると、ＭＲＦは磁化状態に入り、磁性粒子は、磁気双極子モーメント（magnetic dipole moments）を発生させて分極化される。分極化された粒子は、磁場に対する磁束線の一般的な方向に列方向に整列する。磁性粒子が整列すると、ＭＲＦの粘度が高くなる、またはＭＲＦの圧縮性が小さくなる。ＭＲＦの粘度が高いほど、ハプティック・アクチュエータ１００の動きまたは振動に対する減衰効果は大きくなる。磁場の強度が増大すると、磁性粒子の双極子モーメントもまた増大し、それが、磁性粒子間の吸引力を増大させる。この増大した吸引力が、ＭＲＦの粘度をさらに高くし、ハプティック・アクチュエータ１００の動きまたは振動への減衰効果をさらに増大させる。磁場の強度が減少すると、磁性粒子の双極子モーメントもまた減少し、それが、磁性粒子間の吸引力を減少させる。この減少した吸引力が、ＭＲＦの粘度を低くし、ＭＲＦの減衰効果を減少させる。この実施形態では、減衰機構１２４およびハプティック・アクチュエータ１００は、磁場の強度または大きさを調節することによって、所望の減衰応答を与えるように調整することができる。磁場が強いほどＭＲＦの粘度は高く、磁場が弱いほどＭＲＦの粘度は低い。

スマート流体の別の例は、電場に曝されると粘度を変化するように刺激される電気粘性流体（electrorheological fluid）である。他の実施形態は、さらに他のタイプのスマート流体を使用することができ、磁場または電場以外の他のタイプの力によって刺激することができる。

図６は、ハプティック出力装置および減衰機構の代替の実施形態である。この実施形態では、ハプティック出力装置１２５は、ハプティック出力装置１１６に実質的に類似しており、固定台１２８と、移動質量１２０と、ばね１２２ａおよび１２２ｂと、ハプティック・アクチュエータ１００とを含む。固定台１２８は、固定台１２８の外面と、シンバル１０２ｂおよび空洞１１２に画定されたポート１１０の間を流体連通する流体ダクト１３６を画定する。減衰機構１２５は、ポンプ１３０と、減衰流体（damping fluid）を保持する貯槽１３４と、ポンプ１３０と流体ダクト１３６の間を流体連通する導管１３２ａと、貯槽１３４とポンプ１３０の間を流体連通する導管１３２ｂとを含む。減衰流体は、貯槽１３４と空洞１１２の間を容易に流れるのに、およびシンバル１０２ｂと圧電変換器１１４の間の動きを減衰させるのに適した任意の流体とすることができる。

アクチュエータ１００の振動または動きを減衰させるために、ポンプ１３０は流体を貯槽１３４からシンバル１０２ｂの空洞１１２に注入する。流体は、シンバル１０２ｂおよび圧電変換器１１４の振動を遅くし、または止めて、移動質量１２０の動きを止めて、ハプティック出力装置１２５の振動を止めて、電子装置の振動を止める。ハプティック・アクチュエータ１００の動きを減衰させた後に、ポンプ１３０は流れを逆にして、減衰流体を空洞１１２から除去、流出、および排出し、その結果、ハプティック・アクチュエータ１００を再び作動させ、動かす、または振動させることができる。

ポンプ１３０は、任意のタイプの機構、電気化学プロセス、毛細管機構、あるいは流体を流すことができる他の現象または働きとすることができる。このようなポンプ機構およびプロセスの例としては、電極、磁気および静電機構、電気化学反応、機械的機構、マイクロ電気機械（ＭＥＭＳ：ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ）機構、ナノ電気機械スケール（ＮＥＭＳ：ｎａｎｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｓｃａｌｅ）機構、あるいは、流体もしくはスマート流体を貯槽１３４と空洞１１２の間で動かす、またはそのような流体が貯槽１３４と空洞１１２の間を動くようにする任意の他のタイプのものまたはプロセスが含まれる。スマート流体は減衰流体として動作することができる。

代替の実施形態は、様々な構成のポンプ、１つまたは複数のポンプ、あるいは他の機構を使用して、ハプティック・アクチュエータ１００の動きを減衰させるために減衰流体を移動および貯蔵することができる。他の代替の実施形態は、流体を両方のシンバル１０２ａおよび１０２ｂの空洞１１２に注入することができ、それによってより強い減衰またはより急速な減衰応答時間を得ることができる。このような代替の実施形態は、２つのポンプおよび貯槽の組立体（assembly）、２つのポンプおよび単一の貯槽の組立体、または、単一のポンプおよび単一のポンプから両方のシンバル１０２ａおよび１０２ｂのポート１１０への２つの流体通路、を含むことができる。さらに別の実施形態は、圧電変換器１１４を通って、両方のシンバル１０２ａおよび１０２ｂによって画定された空洞１１２間を流体連通させるポートを含む。

図７は、減衰機構１４０の代替の実施形態を示す。この実施形態では、減衰機構１４０は、ハプティック出力装置１１６に実質的に類似しており、固定台１４２と、移動質量１４４と、ばね１４６ａおよび１４６ｂと、減衰アクチュエータ１４８とを含む。図示の例では、減衰機構１４０は、移動質量１４４が移動質量１２０に対向するように配向されている。減衰アクチュエータ１４８は、移動質量１４４が移動質量１２０と位相がずれて振動するように動作させられる。例示的な実施形態では、移動質量１４４の動きは、移動質量１２０と１８０°位相がずれている。他の実施形態では、移動質量１４４と移動質量１２０との動きの間の位相差は１８０°より小さく、０°より大きい。

減衰機構１４０は、ハプティック出力装置１１６に直接対向するように示されているが、他の実施形態は、ハプティック機構１４０とハプティック出力装置１１６の異なる配置を有する。例えば、減衰機構１４０とハプティック出力装置１１６は、より遠くにまたはより近くに間隔を空けて配置する、並べて配置する、互いからずらす、あるいは、移動質量１２０および１４４が平行で同じ方向を向くように、または互いに対してある角度が付くように向くように配向することができる。さらに他の実施形態では、減衰機構１４０とハプティック出力装置１１６は、電子装置内の異なる位置にある。

図示の実施形態では、減衰アクチュエータ１４８とハプティック・アクチュエータ１００は同じタイプのアクチュエータである。他の実施形態では、減衰アクチュエータ１４８はハプティック・アクチュエータ１００とは異なる種類のアクチュエータである。

図８は、減衰機構１４０に実質的に類似の減衰機構１５０を示す。この実施形態では、減衰機構１５０は移動質量を有さない。減衰機構１５０は、ハプティック・アクチュエータ１００から移動質量１２０の反対側に配置される。作動すると、減衰アクチュエータ１４８は、移動質量１２０がハプティック・アクチュエータ１００の反対方向に動くように促す。移動質量１２０を反対方向に動かすように促す動きは、ハプティック質量の動きを減衰させて、ハプティック・アクチュエータ１００およびハプティック出力装置１１６の振動の動きを減衰させる。

図９は、ハプティック質量１５６と、ハウジング１５８と、ばね１６０と、磁気コイル１６２とを有するＬＲＡ１５４を示す。ハウジングは空洞１８４を画定する。ハプティック質量１５６は鉄系材料を含み、空洞１８４内に配置される。ばね１６０は、ハプティック質量１５６とハウジング１５８の間に接続される。ばね１６０は、ハプティック質量１５６がハウジング１５８の長さの中間位置において静止位置１６１となるように促す。磁気コイル１６２は、ハプティック質量１５６の移動経路に沿って空洞１８４の周りに巻かれて、ハプティック質量１５６の静止位置１６１の両側に沿って延在する。使用時、磁気コイル１６２は、エネルギーを与えられて、空洞１８４を通ってハウジング１５８の長さに沿って延在する磁場を発生させる。磁場は移動質量１５６を一方向に動かすように促し、ばね１６０を伸ばす、または圧縮する。移動質量１５６が決められた距離動いた後に、ばね１６０の力は移動質量１５６が反対方向に動くように促す。移動質量１５６が反対方向に所定の距離動くと、ハプティック質量１５６は再び方向を逆転する。ハプティック質量１５６の前後の動きがハプティック・アクチュエータ１５４を振動させる。代替の実施形態では、ハプティック質量１５６の表面に電気絶縁体がある。

減衰機構は、電気吸着（electro-adhesion）を使用してハプティック移動質量１５６の動きを減衰させ、電気的接地（electrical ground）１６４と、電極１６６と、電気絶縁体１６８とを含む。ハプティック質量１５６は導電性であり、電気的接地１６４に電気的に接続される。動作時、電極１６６はエネルギーを与えられて、電極１６６とハプティック質量１５６の間に電位を生成する。ハプティック質量１５６は電極１６６の方に動くように促されて、ハプティック質量１５６とハウジング１５８の間に摩擦を生成する。摩擦は、ハプティック質量１５６の動きを減衰させ、ハプティック質量１５６の動きを止めるまたは遅くして、静止位置１６１に止め、ハプティック・アクチュエータ１５４が振動するのを止める。

図１０は、ＬＲＡ１５４に対する代替の減衰機構を示す。この実施形態では、減衰機構は、電気的接地１６４と、電極１７２および電気絶縁体１７０とを含む。しかしながら、ハウジング１５８は接地１６４に電気的に接続される。電極１７２および電気絶縁体１７０は、移動質量１５６に取り付けられる。電極１７２は、ばね１６０を通じて電源と電気的に連通している。電気絶縁体１７０は、電極１７２とハウジング１５８の間に配置される。あるいは、電気絶縁体１７０は、移動質量１５６の代わりに空洞１８４に近位のハウジング１５８に動作可能に接続することができる。図１０に示す減衰機構は、図９に示し本明細書で説明した減衰機構と実質的に同じように動作する。

さらに他の実施形態は、ＬＲＡにおいてハプティック質量１５６の動きを減衰させるために使用された、図５に示した減衰機構１２４に類似の電磁石減衰機構を使用する。これらの実施形態では、電磁石は、ハプティック質量１５６の動きに沿ってハウジング１５８の端部に配置される。電磁石にエネルギーが与えられると、その結果生じた磁場はハプティック質量１５６をハウジング１５８の端部の方へ吸引し、ハプティック質量１５６の動きを止める、または遅くする。あるいは、電磁石はハウジング１５８の側面に沿って配置され、ハプティック質量１５６の動きに平行に延在する。これらの実施形態において、電磁石にエネルギーを与えられると、ハプティック質量１５６はハウジング１５８の側面に当たるように促されて、摩擦または吸着を生成して、ハプティック質量１５６の動きを遅くする、または止める。さらに他の実施形態では、減衰機構は、電磁石および電気吸着の両方を含むことができる（例えば、電極、絶縁体、および接地の構成）。

さらに他の実施形態では、空洞１８４は、磁場、電場、電流、または電圧などの外力に曝される、または刺激されると、粘度が変化するススマート流体で満たされる。この実施形態では、減衰機構は、電磁石、電極、または外力を発生させ、発生した外力を空洞１８４内の流体に加えるように配置された他の変換器を含む。

図１１は、ＬＲＡ１７４および減衰機構１７８の別の代替の実施形態を示す。この実施形態では、ＬＲＡ１７４は、ＬＲＡ１５４に実質的に類似しており、ハプティック質量１５６と、ばね１６０と、コイル１６２と、ハウジング１７５とを含む。ハウジング１７５は空洞１８４を画定する。減衰機構１７８は、減衰機構１２７に実質的に類似しており、減衰流体で満たされた貯槽１３４と、ポンプ１３０と、貯槽１３４とポンプ１３０の間を流体連通する導管１３２ｂと、ポンプ１３０と流体ダクト１７６の間を流体連通する導管１３２ａとを含む。減衰機構１７８は、減衰機構１２７に実質的に類似に動作するが、減衰流体を空洞１８４に出し入れする。

代替の実施形態は、本明細書で開示した組み合わせ以外の、ハプティック・アクチュエータと減衰機構の組み合わせを使用することができる。さらに、本明細書で開示したアクチュエータ以外のハプティック・アクチュエータとともに減衰機構を使用することができる。さらに他の実施形態は、本明細書で開示した減衰機構に加えて、またはその代わりに、異なるタイプの減衰機構を使用することができる。

次に図１２を参照すると、本明細書で開示するハプティック・アクチュエータ２１０および減衰機構２０８のためのコントローラ１８６は、バス２１４と、プロセッサ１９０と、入力／出力（Ｉ／Ｏ：ｉｎｐｕｔ／ｏｕｔｐｕｔ）コントローラ２０２と、メモリ１９２と、クロック１８８と、ハプティック駆動回路２０６と、減衰駆動回路２０４とを備える。バス２１４は、Ｉ／Ｏコントローラ２０２およびメモリ１９２を含むコントローラ１８６の様々な構成部品をプロセッサ１９０に結合する。バス２１４は、典型的には、制御バス、アドレス・バス、およびデータ・バスを含む。しかしながら、バス２１４は、コントローラ１８６内の構成部品間のデータを伝送するのに適した任意のバス、またはバスの組み合わせとすることができる。

プロセッサ１９０は、情報を処理するように構成された任意の回路を備えることができ、任意の適切なアナログまたはデジタル回路を含むことができる。プロセッサ１９０はまた、命令を実行するプログラマブル回路を含むことができる。プログラマブル回路の例としては、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ：ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）、プログラマブル・ゲートアレイ（ＰＧＡ：ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｇａｔｅ ａｒｒａｙ）、フィールド・プログラマブル・ゲートアレイ（ＦＰＧＡ：ｆｉｅｌｄ ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｇａｔｅ ａｒｒａｙ）、あるいは命令を実行するために適した任意の他のプロセッサまたはハードウェアが含まれる。様々な実施形態では、プロセッサ１９０は、単一の装置、あるいは単一のコントローラまたは別個の装置内に物理的に配置された２つ以上の装置の組み合わせを備えることができる。

Ｉ／Ｏコントローラ２０２は、コントローラ１８６、および周辺装置または外部装置の動作を監視する回路を備える。Ｉ／Ｏコントローラ２０２はまた、コントローラ１８６と周辺装置または外部装置（図示せず）の間のデータの流れを管理する。外部装置は、コントローラ１８６およびハプティック・アクチュエータ２１０が組み入れられた同じ物品または装置内に配置することができる、またはシステムの外部に配置することができる。Ｉ／Ｏコントローラ２０２がインタフェースをとることができる他の周辺装置または外部装置の例としては、センサ、外部記憶装置、モニタ、キーボードなどの入力装置、マウスまたは押しボタン、外部コンピューティング装置、モバイル装置、送受信器、およびアンテナが含まれる。

ハプティック駆動回路２０６は、本明細書でより詳細に説明するように、プロセッサ１９０から命令を受け取って、ハプティック駆動信号を発生させて、次いで、それをハプティック・アクチュエータ２１０に加える。同様に、減衰駆動回路２０４は、プロセッサ１９０から命令を受け取って、減衰信号を発生させて、それを減衰機構２０８に加える。少なくともいくつかの実施形態では、減衰信号とハプティック信号の発生の間の遅延時間は、０秒より長く約２０ｍＳよりも短い。他の実施形態では、遅延時間は約１０ｍＳより短い。他の実施形態では、遅延時間は約１５ｍＳである。さらに、減衰信号は、ハプティック信号と位相がずれている。例えば、減衰信号は、減衰信号と約１８０°位相をずらすことができる。他の実施形態では、減衰信号のハプティック信号からの位相のずれは、０°より大きく、１８０°より小さい。

クロック１８８は、コントローラ１８６内の様々なハードウェア構成部品の動作を同期させるために使用される周期信号を発生させる。本明細書でより詳細に開示するように、クロック１８８はまた、ハプティック・アクチュエータ２１０と減衰機構２０８の動作を協調させるために使用される時間間隔を測定するために使用することができる。

メモリ１９２は、ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ：ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ：ｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ）、電気的に消去可能なプログラマブル読出し専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ：ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｅｒａｓａｂｌｅ ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｒｅａｄ−ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ）、フラッシュ・メモリ、磁気メモリ、光メモリ、または任意の他の適切なメモリ技術などの揮発性メモリを備えることができる。メモリ１９２はまた、揮発性メモリと非揮発性メモリの組み合わせを備えることができる。

メモリ１９２は、ハプティック検出モジュール１９４、ハプティック効果決定モジュール１９６、ハプティック効果制御モジュール１９８、および減衰制御モジュール２００を含む、プロセッサ１９０によって実行するためのいくつかのプログラム・モジュールを記憶するように構成される。各プログラム・モジュールは、１つまたは複数の特定のタスクを実行するデータ、ルーチン、オブジェクト、コール、および他の命令の集まりである。特定のプログラム・モジュールが本明細書で開示されるが、様々な実施形態で、各モジュールに対して説明される様々な命令およびタスクは、単一のプログラム・モジュール、モジュールの異なる組み合わせ、本明細書で開示するもの以外のモジュール、またはコントローラ１８６と通信する遠隔の装置によって実行されるモジュール、によって実行することができる。

コントローラ１８６が使用される環境および用途に応じて、事象検出モジュール１９４は、センサ、アンテナ、加速度計、または他の位置決めセンサ、２Ｄおよび３Ｄカメラ、ならびに遠隔装置などの様々な装置からのデータを受け取るようにプログラムされる。事象検出モジュール１９４はまた、ビデオ・ゲーム、監視ソフトウェア、電話ソフトウェア、および他のタイプのアプリケーションなどのプログラムからフラグまたは命令などのデータを受け取ることができる。データを受け取ると、事象検出モジュール１９４は、ハプティック効果またはハプティック効果の減衰に関連した事象、状態、または動作状態があるかどうかを判定する。

例示的な実施形態では、ハプティック効果決定モジュール１９６は、いつハプティック効果を送出するかを決定する。コントローラ１８６が異なるハプティック効果を送出するようにプログラムされた場合、ハプティック効果決定モジュール１９６はまた、どのハプティック効果を送出するかを決定する。ハプティック効果決定モジュール１９６が、どのハプティック効果を送出するかを決定するために使用することができる例示的な技法には、ハプティック効果を選択するように決定するためにプログラムされた規則が含まれる。例えば、コントローラ１８６は、携帯電話、ゲーム装置、ＧＰＳ受信器、医療装置、あるいは任意の他の装置またはソフトウェアとインタフェースをとることができ、送出すべき様々なハプティック効果を決定することができる。

ハプティック効果決定モジュール１９６は、どのハプティック駆動信号をハプティック・アクチュエータ２１０に送出するかを決定すると、その決定をハプティック効果制御モジュール１９８に伝える。ハプティック効果制御モジュール１９８は、決定されたハプティック効果に対応する電気的なパラメータ、特性、または特徴を得る。ハプティック効果制御モジュール１９８は、電気的なパラメータをＩ／Ｏコントローラ２０２に伝え、Ｉ／Ｏコントローラ２０２はそれらをアクチュエータ駆動回路２０６に出力する。アクチュエータ駆動回路２０６は、増幅器と直列の信号発生器を有し、信号発生器は、次いで、ハプティック効果制御モジュール１９８によって与えられた電気的なパラメータを具現化するハプティック駆動信号を発生させる。アクチュエータ駆動回路２０６は、ハプティック駆動信号をハプティック・アクチュエータ２１０に加える。

ハプティック駆動信号を発生させるために使用することができる信号パラメータの例としては、事象に関連する、周波数、振幅、位相、反転、持続時間、波形、アタック・タイム、立ち上がり時間、立ち下がり時間、ラグ・タイムまたはリード・タイムが含まれる。さらに、ハプティック駆動信号に対する信号および波形の例としては、直流信号、交流信号、矩形波、正弦波、ステップ信号、三角波、鋸波、およびパルスが含まれる。さらに、ハプティック駆動信号は、約２Ｖから約１０Ｖの範囲の電圧、および約０．１ｍＡから約０．５ｍＡの範囲の電流を有することができる。代替の実施形態では、ハプティック駆動信号は、２Ｖより低い電圧、または１０Ｖより高い電圧、０．１ｍＡより少ない電流、または０．５ｍＡより多い電流を有することができる。ハプティック駆動信号の周波数は、約２１０Ｈｚから約２５０Ｈｚの範囲とすることができる。代替の実施形態では、周波数は、２１０Ｈｚより低く、または２５０Ｈｚより高くすることができる。代替の実施形態では、ハプティック駆動信号は、これらの範囲の外の電圧または周波数を有することができる。さらに、ハプティック駆動信号の所望の電圧および周波数は、アクチュエータの構造、アクチュエータに使用される材料のタイプ、空所（void）１０８内でハプティック質量１２０を支持するために使用される構造に応じて変えることができる。

代替の実施形態では、ハプティック駆動信号を発生させるために使用するために、ハプティック・アクチュエータ２１０または電気的なパラメータを通じて送出されるハプティック効果の決定がない。このような実施形態では、コントローラ１８６は、決められたハプティック駆動信号をハプティック・アクチュエータ２１０に送出するように単純にプログラムされている、またはハードウェアにより実現されていることさえある。

減衰制御モジュール２００は、いつ減衰機構２０８を作動させるかを決定する。減衰制御モジュール２００は、様々な基準に基づいていつ減衰機構２０８を作動させるかを決定することができる。例えば、減衰制御モジュール２００は、クロック１８８を監視して、ハプティック駆動回路２０６がハプティック信号を発生させるように命令された後の決められた時間に、減衰駆動回路２０４に減衰信号を発生させるように命令することができる。別の例では、減衰制御モジュール２００は、センサなどの装置を監視して、センサから受け取った入力に基づいて減衰駆動回路２０４にいつ減衰信号を発生させるように命令するかを決定することができる。さらに別の例では、減衰制御モジュール２００は、ソフトウェア・アプリケーションを監視して、ソフトウェアから受け取ったデータに基づいて減衰駆動回路２０４にいつ減衰信号を発生させるように命令するかを決定することができる。

例示的な実施形態では、減衰制御モジュール２００は、決定された減衰信号に対応する電気的なパラメータ、特性、または特徴を得る。減衰制御モジュール２００は、電気的なパラメータをＩ／Ｏコントローラ２０２に伝え、Ｉ／Ｏコントローラ２０２はそれらを減衰駆動回路２０４に出力する。減衰駆動回路２０４は、増幅器と直列の信号発生器を有し、信号発生器は、次いで、減衰モジュール２００によって与えられた電気的なパラメータを具現化する減衰信号を発生させる。例示的な実施形態では、ハプティック効果決定モジュール１９６および減衰決定モジュール２００は、ハプティック出力装置と減衰機構の制御の実行を協調させ、ハプティック出力装置と減衰機構の動作を協調させて、様々なハプティック効果を発生させ送出する。

減衰信号は、減衰機構２０８を効果的に動作させる任意のタイプの信号とすることができる。例えば、減衰信号は、ハプティック信号を発生させるために本明細書で開示したものに類似した波形を有することができる。減衰信号はまた、直流信号とすることができる。減衰信号は、増大する、または減少する振幅を有することができる。

図１２に示す実施形態は、コントローラが、ハプティック・アクチュエータまたはハプティック質量の速度または位置などの、ハプティック出力装置２１０の動作に関係した測定値または他の情報のいかなるフィードバックも受け取らない開ループである。

図１３は、コントローラ１８６が、ハプティック・アクチュエータ２１０、またはハプティック・アクチュエータ２１０によって動作する質量の動きを監視するセンサ２１２から入力を受け取る、代替の閉ループの実施形態を示す。コントローラ１８６は、図１２に示したコントローラに実質的に類似している。この実施形態の応用例では、コントローラ１８６および減衰制御モジュール２００は、センサ２１２からフィードバックを受け取る。フィードバックは、ハプティック・アクチュエータまたは移動質量の特性、または動作に関係した測定値または他の情報を含む。このような特性の例は、動きの速度または加速度、あるいは位置を含む。

減衰制御モジュール２００は、このフィードバック情報を使用して、例えば、ハプティック質量がどれだけ速く動くかを監視することができる。減衰制御モジュール２００は、次いで、ハプティック質量の速度が、決められた値より下に下降した、または決められた値より上に上昇したことを検知すると、減衰駆動回路２０４を制御して減衰信号を発生させることができる。別の例では、減衰制御モジュール２００は、センサ２１２を使用して、ハプティック・アクチュエータがハプティック駆動回路２０６によって作動させられた後にハプティック質量が作る振動の数を監視することができる。減衰制御モジュール２００は、次いで、減衰駆動回路２０４を制御して減衰信号を発生させることができる。さらに他の例では、センサ２１２は、ハプティック質量の動き以外のものまたは事象を監視することができ、減衰制御モジュール２００は、次いで、センサ２１２によって監視されたものまたは事象に応じて減衰駆動回路２０４を制御して減衰信号を発生させることができる。

さらに、コントローラ１８６およびセンサ２１２は、任意の適切な閉ループ制御システムを有するように構成することができる。コントローラ１８６およびセンサ２１２の構成例としては、比例積分微分（ＰＩＤ：ｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｌ ｉｎｔｅｇｒａｌ ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅ）、リード／ラグ（lead/lag）、線形二乗、線形、および非線形閉ループ制御システムが含まれる。

上記の様々な実施形態は、単なる例示として提供されたものにすぎず、本明細書に添付された特許請求の範囲を限定するように解釈されるべきではない。当業者であれば、本明細書で例示し説明した例示的な実施形態および応用に従うことなく、また、以下の特許請求の範囲の趣旨および範囲から逸脱することなく行うことができる様々修正および変更を容易に認識するであろう。

Claims (45)

1. ハプティック振動を減衰させるための装置であって、
   装置ハウジングと、
   前記装置ハウジング内に配置されたハプティック出力装置であって、ハプティック・アクチュエータ、および前記装置ハウジングに対して動くことができるハプティック質量を有するハプティック出力装置と、
   前記装置ハウジング内に配置された減衰器と、
   第１の時刻で、ハプティック信号を発生させて、前記ハプティック・アクチュエータに送出し、前記第１の時刻の後に生じる第２の時刻で、減衰信号を発生させて、前記減衰器に送出するようにプログラムされたコントローラと
   を備える、装置。
2. 前記ハプティック信号が第１の位相を有し、前記減衰信号が第２の位相を有し、前記第１の位相が前記第２の位相とは異なる、請求項１に記載の装置。
3. 前記減衰信号の前記第２の位相が、前記ハプティック信号の前記第１の位相からほぼ１８０°位相がずれている、請求項２に記載の装置。
4. 前記コントローラが前記ハプティック信号を前記ハプティック・アクチュエータに送出すると、前記ハプティック・アクチュエータが前記装置ハウジングを振動させ、
   前記コントローラが前記減衰信号を前記減衰器に送出すると、前記減衰器が前記装置ハウジングの振動を実質的に除去する、請求項２に記載の装置。
5. 前記第１の時刻と前記第２の時刻の間の期間が、約０ｍＳより長く、約２０ｍＳより短い、請求項１に記載の装置。
6. 前記第１の時刻と前記第２の時刻の間の期間が約１５ｍＳである、請求項５に記載の装置。
7. 前記ハプティック出力装置が、リニア共振アクチュエータ、圧電ハプティック・アクチュエータ、およびシンバルの組み合わせ、またはこれらの組み合わせよりなるグループから選択される、請求項１に記載の装置。
8. 前記ハプティック出力装置が空所を画定し、前記減衰器が、前記空所に配置されたスマート流体を含み、前記スマート流体が、外部場に曝されると第１の粘度を有し、前記外部場がなければ第２の粘度を有し、前記第１の粘度が前記第２の粘度より高く、前記スマート流体が、前記外部場に曝されると前記ハプティック質量の動きを減衰させる、請求項１に記載の装置。
9. 前記第２の粘度が約１ｍＰａから約１００ｍＰａの範囲にあり、前記第１の粘度が約１００ｍＰａから約１０，０００ｍＰａの範囲にある、請求項１に記載の装置。
10. 前記スマート流体が電気粘性流体であり、前記外部場が電場である、請求項８に記載の装置。
11. 前記スマート流体が磁気粘性流体であり、前記外部場が磁場である、請求項８に記載の装置。
12. 前記ハプティック出力装置が、前記ハプティック質量が配置された前記空所を画定するハプティック出力装置ハウジングを有する、請求項８に記載の装置。
13. 前記ハプティック出力装置が圧電ハプティック・アクチュエータおよびシンバルを備え、前記圧電ハプティック・アクチュエータと前記シンバルが協同して前記空所を画定する、請求項８に記載の装置。
14. 前記ハプティック出力装置が空所を画定し、前記減衰器が、流体と、前記空所と流体連通したポンプとを含む、請求項１に記載の装置。
15. 前記ハプティック出力装置が、前記ハプティック質量が配置された前記空所を画定するハプティック出力装置ハウジングを有する、請求項１４に記載の装置。
16. 前記ハプティック出力装置が圧電ハプティック・アクチュエータおよびシンバルを備え、前記圧電ハプティック・アクチュエータと前記シンバルが協同して前記空所を画定し、前記シンバルがポートを画定し、前記ポートが前記ポンプと流体連通している、請求項１４に記載の装置。
17. 前記ハプティック質量が鉄系材料を含み、
    前記減衰器が、前記ハプティック質量の近位に配置された電磁石を含み、
    前記減衰信号が前記電磁石にエネルギーを与える、請求項１に記載の装置。
18. 前記ハプティック出力装置がハプティック出力装置ハウジングを備え、前記電磁石、前記ハプティック質量、および前記ハプティック・アクチュエータが前記ハプティック出力装置ハウジング内に配置される、請求項１７に記載の装置。
19. 前記減衰器が、減衰アクチュエータおよび減衰質量を含み、前記減衰器が前記減衰信号を受け取ると、前記減衰アクチュエータが前記減衰質量を動かす、請求項１に記載の装置。
20. 前記減衰アクチュエータが、前記減衰質量を一方向に動かすように配置され、
    前記ハプティック・アクチュエータが前記ハプティック質量を実質的に反対方向に動かすように配置される、請求項１９に記載の装置。
21. 前記ハプティック出力装置が前記ハプティック信号を受け取ると、前記ハプティック・アクチュエータが、前記ハプティック質量を一方向に動かすように促し、
    前記減衰器が減衰アクチュエータを含み、前記減衰器が前記減衰信号を受け取ると、前記減衰アクチュエータが、前記ハプティック質量を反対方向に動かすように促すように配置される、請求項１に記載の装置。
22. 前記減衰アクチュエータが、前記ハプティック質量に対して直接力を働かせるように配置される、請求項２１に記載の装置。
23. 前記減衰器が、前記ハプティック質量の近位に配置された電極を有し、
    前記減衰信号が、前記電極と前記ハプティック質量の間に電位を生成する、請求項１に記載の装置。
24. 電気絶縁体が、前記電極と前記ハプティック質量の間に配置され、
    前記ハプティック質量が接地に電気的に接続された、請求項２３に記載の装置。
25. 前記電極が前記ハプティック質量に取り付けられ、
    前記ハプティック出力装置がハプティック出力装置ハウジングを有し、前記ハプティック質量が前記ハプティック出力装置ハウジング内に配置され、前記ハプティック出力装置ハウジングが接地に電気的に接続された、請求項２３に記載の装置。
26. 電気絶縁体が、ハプティック質量に取り付けられた前記電極と前記ハプティック出力装置ハウジングの間に配置される、請求項２５に記載の装置。
27. 前記コントローラと電気的に通信し、前記ハプティック質量と関連した動きを検知するように配置されたセンサをさらに備え、
    前記センサが、前記ハプティック質量の前記動きの特性を表すフィードバック信号を前記コントローラに入力し、
    前記フィードバック信号が電気的な特性を有し、前記コントローラによって発生させられる前記減衰信号が、前記フィードバック信号の前記電気的な特性の関数である、請求項１に記載の装置。
28. 前記センサが、加速度計、位置センサ、およびこれらの組み合わせよりなるグループから選択された、請求項２７に記載の装置。
29. 前記センサが前記ハプティック質量の動きを検知する、請求項２８に記載の装置。
30. 前記センサが、前記ハプティック質量の位置、前記ハプティック質量の加速度、前記ハプティック質量の速度、およびこれらの組み合わせよりなるグループから選択された動きを検知する、請求項２９に記載の装置。
31. 前記センサが前記装置ハウジングの動きを検知する、請求項２８に記載の装置。
32. 前記センサが、前記装置ハウジングの加速度、前記装置ハウジングの速度、およびこれらの組み合わせよりなるグループから選択された動きを検知する、請求項３１に記載の装置。
33. ハプティック振動を減衰させる方法であって、
    ハウジング内にあるハプティック質量を動かすステップと、
    前記ハプティック質量を動かすステップに応じて前記ハウジングを振動させるステップと、
    ある期間の後に、前記ハプティック質量の動きを減衰させるステップと、
    前記ハプティック質量の動きを減衰させるステップに応じて前記ハウジングの振動を実質的に除去するステップと
    を含む、方法。
34. 位相を有するハプティック信号を発生させ、前記ハプティック信号を、前記ハプティック質量を動かすハプティック・アクチュエータに加えるステップと、
    前記ハプティック信号の前記位相とは異なる位相を有する減衰器信号を発生させ、前記減衰器信号を減衰器に加えて、前記減衰器が前記ハプティック質量の動きを減衰させるステップと
    をさらに含む請求項３３に記載の方法。
35. 前記ハプティック信号をハプティック・アクチュエータに加えるステップと、前記減衰器信号を減衰器に加えるステップの間の期間が、０ｍＳより長く、約２０ｍＳより短い、請求項３４に記載の方法。
36. ハプティック出力装置が、前記ハプティック質量が配置されたハウジングを含み、
    前記ハプティック質量の動きを減衰させるステップが、前記ハプティック出力装置に画定された空所内に流体を入力するステップを含む、請求項３３に記載の方法。
37. 空所を画定するハプティック・アクチュエータが、前記ハプティック質量に動作可能に接続され、
    前記ハウジングに流体を注入するステップが、前記ハプティック・アクチュエータに画定された前記空所に流体を注入するステップを含む、請求項３３に記載の方法。
38. ハプティック出力装置がハウジングを含み、前記ハプティック質量が前記ハウジングに配置され、スマート流体が前記ハウジングに配置され、
    前記ハプティック質量の動きを減衰させるステップが、前記スマート流体に、前記スマート流体の粘度を高める場を加えるステップを含む、請求項３３に記載の方法。
39. ハプティック・アクチュエータが、前記ハプティック質量に動作可能に接続され、前記ハプティック・アクチュエータはスマート流体が配置された空所を画定し、
    前記ハプティック質量の動きを減衰させるステップが、前記スマート流体の粘度を高める場を前記スマート流体に加えるステップを含む、請求項３３に記載の方法。
40. 前記ハプティック質量が鉄系材料を含み、
    前記ハプティック質量の動きを減衰させるステップが、前記ハプティック質量を磁場に曝すステップを含む、請求項３３に記載の方法。
41. 電磁石が、動く前記質量の近位に配置され、
    前記ハプティック質量を磁場に曝すステップが、前記電磁石にエネルギーを与えるステップを含む、請求項４０に記載の方法。
42. ハプティック出力装置が、前記ハプティック質量が配置されたハウジングを含み、
    前記ハプティック質量の動きを減衰させるステップが、前記ハプティック質量と前記ハウジングの間に電位を発生させるステップを含む、請求項４１に記載の方法。
43. 前記ハプティック質量と前記ハウジングの間に電位を発生させるステップが、電荷を前記ハプティック質量に加え、電気的接地を前記ハウジングに加えるステップを含む、請求項４２に記載の方法。
44. 前記ハプティック質量を動かすステップが、第１のハプティック・アクチュエータを作動させるステップを含み、前記第１のハプティック・アクチュエータの動きが第１の位相を有し、
    前記ハプティック質量の動きを減衰させるステップが、第２のハプティック・アクチュエータを作動させるステップを含み、前記第２のハプティック・アクチュエータの動きが前記第１の位相とは異なる第２の位相を有する、請求項４２に記載の方法。
45. 前記第２の位相が前記第１の位相から約１８０°ずらされた、請求項４４に記載の方法。

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